KR19990085771A - Gas scrubber of semiconductor device and gas cleaning method using same - Google Patents
Gas scrubber of semiconductor device and gas cleaning method using same Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990085771A KR19990085771A KR1019980018388A KR19980018388A KR19990085771A KR 19990085771 A KR19990085771 A KR 19990085771A KR 1019980018388 A KR1019980018388 A KR 1019980018388A KR 19980018388 A KR19980018388 A KR 19980018388A KR 19990085771 A KR19990085771 A KR 19990085771A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- spray nozzle
- water spray
- water
- packing
- Prior art date
Links
Abstract
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 CDO(Controlled Decomposition/ Oxidation) 시스템의 가스 세정기에 관한 것이다. 가스 세정용 팩킹은 배출되는 가스를 1차적으로 희석시킨다. 워터 스프레이 노즐은 가스 세정용 팩킹 상단부에 설치되고, 가스 세정용 팩킹을 통과한 가스를 2차적으로 희석시킨다. 질소 가스 유입구는 워터 스프레이 노즐 근방에 설치되고, 상기 워터 스프레이 노즐이 막히는 것을 방지하기 위해 질소 가스를 공급시켜준다. 배출구는 워터 스프테이 노즐 상단부에 위치하여 가스 세정용 팩킹 및 워터 스프레이 노즐에 의해 희석된 가스를 배출한다. 드레인은 가스 세정용 팩킹 하단부에 위치하여 상기 워터 스프레이 노즐에서 분사된 물을 배출한다. 타이머는 질소 가스 유입구와 연결되어 질소 가스 공급을 시간적으로 조절한다. 리퀴드 레벨 센서는 가스 세정용 팩킹 하단부와 드레인 사이에 드레인에서 설치되어 드레인에서 물이 배출되지 않고 차게되는 것을 감지한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices and, more particularly, to gas scrubbers of controlled decomposition / oxidation (CDO) systems. Gas scrubbing packing primarily dilutes the exiting gas. The water spray nozzle is installed at the upper end of the gas cleaning packing, and secondly dilutes the gas passing through the gas cleaning packing. A nitrogen gas inlet is installed near the water spray nozzle and supplies nitrogen gas to prevent the water spray nozzle from clogging. The outlet port is located at the top of the water spread nozzle to discharge the gas diluted by the gas cleaning packing and the water spray nozzle. The drain is disposed at the lower end of the gas cleaning packing to discharge water sprayed from the water spray nozzle. A timer is connected to the nitrogen gas inlet to regulate the nitrogen gas supply in time. The liquid level sensor is installed at the drain between the bottom of the gas cleaning packing and the drain to detect that the water is not drained from the drain but becomes cold.
Description
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 CDO(Controlled Decomposition/ Oxidation) 시스템의 가스 세정기에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices and, more particularly, to gas scrubbers of controlled decomposition / oxidation (CDO) systems.
CDO 시스템의 가스 세정기는 주(main) 설비에서 사용된 가스를 펌프로 펌핑한 후, 이 설비의 히터에서 발생된 고열(750℃ ∼ 800℃)로 상기 가스를 분해 (decomposition)시켜주고, 잔류 가스는 배출구로 빠져나가면서 물로 용해시켜 희석시키는 장치이다. 이때, 잔류 가스를 희석시키기 위해 공급된 상기 물은 드레인(drain)을 통해 외부로 배출된다.The gas scrubber of the CDO system pumps the gas used in the main facility, then decomposes the gas with the high heat (750 ° C. to 800 ° C.) generated by the heater of the facility, and the residual gas. Is a device that dissolves and dilutes with water while exiting the outlet. At this time, the water supplied to dilute the residual gas is discharged to the outside through a drain.
도 1은 가스 세정용 팩킹과 워터 스프레이 노즐을 구비하는 종래의 반도체 장치의 가스 세정기를 도시한 개략도로서, 도면부호 "10"은 가스 세정용 팩킹을(scrubbing packing)을, "12"는 워터 스프레이 노즐(water spray nozzle)을, "14"는 디미스터 팩킹(demister packing)을, "16"은 드레인을, "18"은 디미스터 워싱 시스템(demister washing system) 조절부를, "20"은 리퀴드 레벨 센서(liquid level sensor)를, "22"는 워터 유입구를, "24"는 전원부, 그리고 "26"은 배출구를 나타낸다.1 is a schematic view showing a gas scrubber of a conventional semiconductor device having a gas scrubbing packing and a water spray nozzle, where reference numeral 10 denotes a scrubbing packing and “12” a water spray. A water spray nozzle, "14" for demister packing, "16" for drain, "18" for demister washing system control, "20" for liquid level A liquid level sensor, "22" represents a water inlet, "24" represents a power supply, and "26" represents an outlet.
CDO 시스템의 가스 세정기에 있어서, 워터 스프레이 노즐(12)의 기능은 물을 분사하여 배출구(26)로 나가는 잔류 가스를 희석 시켜주는 역할을 한다. 이때, 상기 잔류 가스는 가스 세정용 팩킹(10)을 거치면서 1차적으로 희석된다.In the gas scrubber of the CDO system, the function of the water spray nozzle 12 serves to dilute the residual gas exiting the outlet 26 by spraying water. In this case, the residual gas is primarily diluted while going through the gas cleaning packing 10.
가스 세정기로 유입된 잔류 가스는 상기 가스 세정용 팩킹(10)을 거치면서 1차적으로 희석된 후, 상기 워터 스프레이 노즐(12)로 분사된 물에 의해 2차적으로 희석된 후 상기 배출구(26)을 통해 외부로 배출된다. 상기 워터 스프레이 노즐(12)로 분사된 물은 드레인(16)을 통해 외부로 배출된다.The residual gas introduced into the gas scrubber is first diluted while passing through the gas scrubbing packing 10, and then secondly diluted by water injected into the water spray nozzle 12, and then the outlet 26. It is discharged to the outside through. The water sprayed by the water spray nozzle 12 is discharged to the outside through the drain 16.
이때, 상기 디미스터 팩킹(14)은 상기 가스 세정용 팩팅(10)과 워터 스프레이 노즐(12)을 통해 분사된 물에 의해 희석된 가스를 한번더 희석하는 역할을 하기 위해 설치된 것으로, 상기 디미스터 팩킹(14) 상단에 설치되어 있는 워터 스프레이 노즐은 아직 미적용 상태이다.In this case, the demister packing 14 is installed to serve to further dilute the gas diluted by the water sprayed through the gas cleaning packing 10 and the water spray nozzle 12, and the demister. The water spray nozzle installed on top of the packing 14 is not yet applied.
전술한 도 1의 CDO 시스템의 가스 세정기의 가장 큰 문제점 중의 하나는 에러(error)로 인해 가스 세정기가 다운(down)되는 현상이다. 이중 가장 많은 비중을 차지하는 에러(50%이상)는 배출구의 온도 상승에 따른 에러(exhaust temperature error)로 상기 워터 스프레이 노즐(12)의 분사구가 막혀서 배출구의 온도가 상승하는 현상이다.One of the biggest problems of the gas scrubber of the CDO system of FIG. 1 described above is a phenomenon in which the gas scrubber is down due to an error. The most common error (more than 50%) is a phenomenon in which the temperature of the discharge port rises because the injection port of the water spray nozzle 12 is blocked due to an exhaust temperature error.
에러가 발생하면 막힌 부위를 청소(clean)하기 위해서, 이와 함께 연결된 주 설비 2 ∼ 3대 모두를 다운시켜야 하므로, 설비의 런 다운(run down)율과 고장 발생율이 증가하고 설비 가동율이 감소하는 문제점이 발생한다.In the event of an error, all of the two or three main equipments connected with it must be down to clean the blocked area, which increases the run down rate and failure rate of the equipment and reduces the equipment operation rate. This happens.
본 발명의 목적은 워터 스프레이 노즐 근방에 설치된 질소 가스 유입구를 통해 유입된 질소 가스로 워터 스프레이 노즐의 막힘을 방지할 수 있는 반도체 장치의 가스 세정기를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a gas scrubber of a semiconductor device that can prevent the water spray nozzle from clogging with nitrogen gas introduced through a nitrogen gas inlet provided near the water spray nozzle.
본 발명의 다른 목적은 워터 스프레이 노즐이 막히는 현상을 방지할 수 있는 가스 세정방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a gas cleaning method that can prevent the water spray nozzle from clogging.
도 1은 가스 세정용 팩킹과 워터 스프레이 노즐을 구비하는 종래의 반도체 장치의 가스 세정기를 도시한 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a gas cleaner of a conventional semiconductor device having a gas cleaning packing and a water spray nozzle.
도 2는 질소 가스 유입구를 구비하여 워터 스프레이 노즐이 막히는 현상을 방지할 수 있는 본 발명에 의한 반도체 장치의 가스 세정기를 도시한 개략도이다.FIG. 2 is a schematic view showing a gas scrubber of a semiconductor device according to the present invention which includes a nitrogen gas inlet port and prevents a water spray nozzle from clogging.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 반도체 장치의 가스 세정기는, 배출되는 가스를 1차적으로 희석시키는 가스 세정용 팩킹; 상기 가스 세정용 팩킹 상단부에 설치된, 상기 가스 세정용 팩킹을 통과한 가스를 2차적으로 희석시키기 위해 물을 분사하는 워터 스프레이 노즐; 상기 워터 스프레이 노즐 근방에 설치된, 상기 워터 스프레이 노즐이 막히는 것을 방지하기 위해 질소 가스를 공급시켜주는 질소 가스 유입구; 상기 워터 스프레이 노즐 상단부에 위치하는 상기 가스 세정용 팩킹 및 워터 스프레이 노즐에 의해 희석된 가스를 배출하는 배출구; 및 상기 가스 세정용 팩킹 하단부에 위치하는 상기 워터 스프레이 노즐에서 분사된 물을 배출하는 드레인을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a gas scrubber of a semiconductor device according to the present invention comprises: a gas scrubbing packing for first diluting the gas discharged; A water spray nozzle installed at an upper end of the gas cleaning packing, for spraying water to secondaryly dilute the gas passing through the gas cleaning packing; A nitrogen gas inlet installed near the water spray nozzle and supplying nitrogen gas to prevent the water spray nozzle from being blocked; An outlet for discharging the gas diluted by the gas cleaning packing and the water spray nozzle positioned at an upper end of the water spray nozzle; And a drain for discharging water injected from the water spray nozzle located at the lower end of the gas cleaning packing.
이때, 상기 질소 가스 유입구와 연결되어 질소 가스 공급을 시간적으로 조절하는 타이머와 상기 가스 세정용 팩킹 하단부와 상기 드레인 사이에 설치되어 드레인에서 물이 배출되지 않고 차게되는 것을 감지하기 위한 리퀴드 레벨 센서를 더 포함하는 것이 바람직하다.At this time, it is connected between the nitrogen gas inlet and the timer for controlling the supply of nitrogen gas in time and the liquid level sensor is installed between the lower portion of the gas cleaning packing and the drain to detect that the water is not discharged from the drain to fill more It is preferable to include.
상기 다른 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 가스 세정방법은, 배출되는 가스를 1차적으로 희석시키는 가스 세정용 팩킹과, 상기 가스 세정용 팩킹 상단부에 설치된, 상기 가스 세정용 팩킹을 통과한 가스를 2차적으로 희석시키기 위해 물을 분사하는 워터 스프레이 노즐을 구비하는 가스 세정기에서 가스를 세정하는데 있어서, 상기 워터 스프레이 노즐을 통해 물을 분사한 후, 상기 워터 스프레이 노즐 근방에 설치된 질소 가스 유입구로 질소 가스를 분사시켜 상기 워터 스프레이 노즐이 막히는 현상을 방지하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above another object, a gas cleaning method according to the present invention includes a gas cleaning packing for first diluting the discharged gas and a gas cleaning packing provided at an upper end of the gas cleaning packing. In cleaning the gas in a gas scrubber having a water spray nozzle for spraying water to dilute the secondary, after spraying water through the water spray nozzle, nitrogen to the nitrogen gas inlet installed near the water spray nozzle It is characterized in that to prevent the phenomenon of clogging the water spray nozzle by spraying gas.
따라서, 본 발명에 의하면, 워터 스프레이 노즐 근방에 설치된 질소 가스 유입구를 통해 유입된 질소 가스가 워터 스프레이 노즐의 막힘을 방지한다.Therefore, according to the present invention, the nitrogen gas introduced through the nitrogen gas inlet provided near the water spray nozzle prevents the water spray nozzle from clogging.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 반도체 장치의 가스 세정기를 더욱 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, a gas scrubber of a semiconductor device according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 질소 가스 유입구를 구비하여 워터 스프레이 노즐이 막히는 현상을 방지할 수 있는 본 발명에 의한 반도체 장치의 가스 세정기를 도시한 개략도로서, 도면부호 "30"은 가스 세정용 팩킹을, "32"는 워터 스프레이 노즐을, "34"는 디미스터 팩킹을, "36"은 드레인을, "38"은 디미스터 워싱 시스템의 조절부를, "40"은 리퀴드 레벨 센서를, "42"는 타이머(timer)를, "44"는 질소 가스 유입구를, "46"은 워터 유입구를, "48"은 전원부를, 그리고 "50"은 배출구를 나타낸다.FIG. 2 is a schematic view showing a gas scrubber of a semiconductor device according to the present invention having a nitrogen gas inlet port, which can prevent clogging of the water spray nozzle, in which numeral 30 denotes a packing for gas cleaning; Is a water spray nozzle, "34" is demister packing, "36" is drain, "38" is control of demister wash system, "40" is liquid level sensor, and "42" is timer ), "44" represents a nitrogen gas inlet, "46" represents a water inlet, "48" represents a power supply, and "50" represents an outlet.
도 2에 도시한 가스 세정기는, 배출되는 가스를 1차적으로 희석시키는 가스 세정용 팩킹(30)과, 상기 가스 세정용 팩킹(30) 상단부에 설치되어 상기 가스 세정용 팩킹(30)을 통과한 가스를 2차적으로 희석시키기 위해 물을 분사하는 워터 스프레이 노즐(32)과, 상기 워터 스프레이 노즐(32) 근방에 설치되어 상기 워터 스프레이 노즐(32)이 막히는 것을 방지하기 위해 질소 가스를 공급시켜주는 질소 가스 유입구(44)와, 상기 질소 가스 유입구(44)와 연결되어 상기 질소 가스의 공급을 시간적으로 조절하는 타이머(42)와, 상기 워터 스프레이 노즐(32) 상단부에 위치하여 상기 가스 세정용 팩킹(30) 및 워터 스프레이 노즐(32)에 의해 희석된 가스를 배출하는 배출구(50)와, 상기 가스 세정용 팩킹(30) 하단부에 위치하여 상기 워터 스프레이 노즐(32)에서 분사된 물을 배출하는 드레인(36)으로 구성된다.The gas scrubber shown in FIG. 2 is provided at the upper end of the gas cleaning packing 30 for diluting the discharged gas and the gas cleaning packing 30 to pass through the gas cleaning packing 30. Water spray nozzle 32 for spraying water to dilute the gas secondly, and installed near the water spray nozzle 32 to supply nitrogen gas to prevent the water spray nozzle 32 from being blocked. A nitrogen cleaning inlet 44, a timer 42 connected to the nitrogen gas inlet 44 to regulate the supply of the nitrogen gas in time, and an upper end of the water spray nozzle 32 to pack the gas cleaning. A discharge port 50 for discharging the gas diluted by the water spray nozzle 32 and the water spray nozzle 32 is disposed at a lower end of the gas cleaning packing 30 to discharge water sprayed from the water spray nozzle 32. Is of a drain (36).
가스 세정기로 유입된 가스(검은 화살표로 표시)는 가스 세정용 팩킹(30)을 거치면서 1차적으로 희석되고, 이후 상기 가스 세정용 팩킹(30) 상단부에 설치된 워터 스프레이 노즐(32)을 통해 분사되는 물에 의해 2차적으로 희석된 후, 상기 가스 세정용 팩킹(30) 상부에 설치된 디미스터 팩킹(34)에 의해 추가적으로 희석된다. 이후, 희석된 가스는 배출구(50)을 통해 외부로 배출된다. 이때, 상기 디미스터 팩킹(34) 상단에 설치된 워터 스프레이 노즐은 아직 적용되지 않은 장치이다.The gas introduced into the gas scrubber (indicated by the black arrow) is first diluted through the gas cleaning packing 30, and then injected through the water spray nozzle 32 installed at the upper end of the gas cleaning packing 30. After the secondary dilution with water, it is further diluted by the demister packing 34 installed on the gas cleaning packing 30. Thereafter, the diluted gas is discharged to the outside through the outlet 50. At this time, the water spray nozzle installed on the top of the demister packing 34 is not applied yet.
상기 가스 세정용 팩킹(30)은 스테인레스로 된 작은 입자가 팩킹되어 있는 상태로, 상기 팩킹을 통과하는 가스를 희석하는 역할을 한다. 상기 워터 스프레이 노즐(32)을 통해 분사되는 물은 분사된 후 상기 가스 세정용 팩킹(30)을 통과하면서 상기 팩킹을 구성하는 스테인레스 입자들 표면에 잔류하는 가스들을 씻어줌과 동시에 잔류가스를 용해시켜 상기 드레인(36)으로 배출시킴으로써 상기 가스를 2차적으로 희석하는 역할을 한다.The gas cleaning packing 30 serves to dilute the gas passing through the packing while the small particles made of stainless are packed. The water sprayed through the water spray nozzle 32 is sprayed and then passed through the gas cleaning packing 30 to wash the gas remaining on the surface of the stainless particles constituting the packing while dissolving the residual gas. By discharging to the drain 36 serves to secondary dilution of the gas.
이때, 워터 스프레이 노즐(32) 중 물이 분사되는 입구는 잔류 가스와 물과의 반응 등의 여러 가지 원인에 의해 막히게되는 경우가 발생하고, 이러한 막힘에 의해 가스 세정기의 배출구의 온도가 상승하게 되어 시스템 에러가 발생하게 된다. 본 발명에서는, 상기 워터 스프레이 노즐(32)의 근방에 질소 가스 유입구(44)를 설치하여 상기 워터 스프레이 노즐(32)로 질소 가스를 분사함으로써 상기 워터 스프레이 노즐(32)이 막히는 것을 방지한다. 현재, 가스 세정기의 배출구의 온도 상승의 한계(high limit)는 70℃로 되어 있고, 정상적으로 세정을 진행할때의 온도는 20℃ ∼ 40℃로 디스플레이(dispaly)되는 것이 바람직하다.At this time, the inlet through which water is injected in the water spray nozzle 32 may be blocked by various causes such as a reaction between the residual gas and water, and the temperature of the outlet of the gas scrubber increases due to the blockage. A system error will occur. In the present invention, a nitrogen gas inlet 44 is provided in the vicinity of the water spray nozzle 32 to inject nitrogen gas into the water spray nozzle 32 to prevent the water spray nozzle 32 from being blocked. At present, the high limit of the temperature rise of the outlet of the gas scrubber is 70 ° C, and the temperature at which the cleaning is normally performed is preferably displayed at 20 ° C to 40 ° C.
타이머(42)는 질소 가스의 유입을 시간적으로 조절하는 역할을 한다. 워터 스프레이 노즐(32)에서 분사되는 물과 질소 가스 유입구(44)를 통해 유입되는 질소 가스가 동시에 공급될 때 상기 물이 분사되지 않는 경우가 있는데, 상기 타이머(42)는 워터 스프레이 노즐(32)을 통해 물이 분사된 후 약 5분 후에 상기 질소 가스 유입구(44)를 통해 약 2초 동안 질소 가스를 공급하도록 함으로써 상기한 문제를 방지하기 위해 설치된다. 상기 타이머(42)는, 워터 스프레이 노즐(32)의 작용과 연관하여 상기 질소 가스를 공급시키기 위해, 상기 워터 유입구(46)와 연결되어 있다.The timer 42 serves to adjust the inflow of nitrogen gas in time. When the water sprayed from the water spray nozzle 32 and the nitrogen gas flowing through the nitrogen gas inlet 44 are simultaneously supplied, the water may not be sprayed. The timer 42 may include the water spray nozzle 32. About 5 minutes after the water is sprayed through the nitrogen gas inlet 44 is installed to prevent the above problems by supplying the nitrogen gas for about 2 seconds. The timer 42 is connected to the water inlet 46 to supply the nitrogen gas in conjunction with the action of the water spray nozzle 32.
상기 워터 스프레이 노즐(32)을 통해 분사되는 물은 수용성 가스 (즉, CDO 시스템의 가스 세정기의 히터에 의해 열 분해된 잔류 가스)를 용해시켜서 상기 드레인(36)으로 배출시켜주고, 상기 질소 가스는 물방울(drop)이나 수증기가 덕트로 빠져 나가는 것을 방지함과 동시에 상기 워터 스프레이 노즐(32)이 막혀 물이 분사되지 않는 현상을 방지하는 역할을 한다.Water sprayed through the water spray nozzle 32 dissolves and dissolves the water-soluble gas (ie, residual gas thermally decomposed by the heater of the gas scrubber of the CDO system) into the drain 36, and the nitrogen gas is The water spray nozzle 32 is blocked and water is not sprayed at the same time as it prevents the drop or water vapor from escaping into the duct.
드레인(36)으로 배출되는 물 속에 용해된 잔류 가스가 응고되어 상기 드레인(36)의 굽어진 부분에 축적되어 이 부분에서의 물의 흐름을 막아 드레인으로부터 물이 차오르는 경우가 발생하는데, 상기 리퀴드 레벨 센서(40)는 상기 드레인이 막혀 물이 차오르는 것을 방지하기 위한 것으로, 상기 물이 차오르게 되면 리퀴드 레벨 센서(40)에 닿게 되어 사용자가 알도록 디스플레이하는 역할을 한다.The residual gas dissolved in the water discharged to the drain 36 coagulates and accumulates in the bent portion of the drain 36 to block the flow of water therein, thereby filling the water from the drain. 40 is for preventing the water from filling up because the drain is blocked, and when the water is filled up, the liquid 40 comes into contact with the liquid level sensor 40 to display the user's knowledge.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.
본 발명에 의한 반도체 장치의 가스 세정기 및 이를 이용한 세정 방법에 의하면, 워터 스프레이 노즐 근방에 설치된 질소 가스 유입구를 통해 유입된 질소 가스가 워터 스프레이 노즐의 막힘을 방지할 수 있으므로, 가스 세정기의 가스 배출부에서의 온도 상승에 의한 시스템 다운을 방지할 수 있다. 따라서, 설비의 런 다운(run down)율과 고장 발생율이 감소시킬 수 있고, 설비 가동율을 향상시킬 수 있다.According to the gas scrubber of the semiconductor device and the cleaning method using the same according to the present invention, since the nitrogen gas introduced through the nitrogen gas inlet provided near the water spray nozzle can prevent the water spray nozzle from being blocked, the gas discharge part of the gas scrubber can be prevented. It is possible to prevent the system down by the temperature rise at Therefore, the run down rate and failure occurrence rate of the facility can be reduced, and the facility operation rate can be improved.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980018388A KR19990085771A (en) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | Gas scrubber of semiconductor device and gas cleaning method using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980018388A KR19990085771A (en) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | Gas scrubber of semiconductor device and gas cleaning method using same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990085771A true KR19990085771A (en) | 1999-12-15 |
Family
ID=65892227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980018388A KR19990085771A (en) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | Gas scrubber of semiconductor device and gas cleaning method using same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990085771A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101017189B1 (en) * | 2008-08-29 | 2011-02-25 | 주식회사 동부하이텍 | Apparatus for measuring thickness of wafer |
-
1998
- 1998-05-21 KR KR1019980018388A patent/KR19990085771A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101017189B1 (en) * | 2008-08-29 | 2011-02-25 | 주식회사 동부하이텍 | Apparatus for measuring thickness of wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5649985A (en) | Apparatus for removing harmful substances of exhaust gas discharged from semiconductor manufacturing process | |
| KR20040002900A (en) | Megazone system | |
| JP2001502604A (en) | Exhaust flow treatment system for oxidation of semiconductor manufacturing exhaust | |
| JP6718566B1 (en) | Exhaust gas abatement unit | |
| JPS587831A (en) | Washing method for wafer by high pressured water and device thereof | |
| KR19990085771A (en) | Gas scrubber of semiconductor device and gas cleaning method using same | |
| KR20090011467A (en) | A exhaust gas disposal appartus of semiconductor | |
| KR20090032288A (en) | Chemical processing apparatus and method of cleaning for the same | |
| US11527422B2 (en) | Exhaust gas processing apparatus | |
| JPH10309432A (en) | Apparatus for removing soluble gas in air | |
| KR0114441Y1 (en) | Automatically washing device | |
| WO2020095358A1 (en) | Exhaust gas introduction nozzle, water treatment device, and exhaust gas treatment device | |
| KR100616248B1 (en) | Two-fluid jet module for cleaning substrate and cleaning device using thereof | |
| KR980012014A (en) | Gas cleaning equipment of semiconductor manufacturing equipment | |
| JP4084778B2 (en) | Air-soluble gas removal device | |
| JP3457586B2 (en) | Wafer drying apparatus and method, and IPA mist spray apparatus for wafer drying apparatus | |
| KR100189778B1 (en) | A cleaning apparatus of a wafer | |
| KR200169704Y1 (en) | Apparatus for cleaning of semiconductor wafer | |
| US20220193605A1 (en) | Process gas suction structure and exhaust gas treatment apparatus | |
| JP7380738B2 (en) | Cleaning method for exhaust gas treatment equipment | |
| US7572320B2 (en) | Method and apparatus for removing high concentration ozone from a waste gas steam | |
| KR100321902B1 (en) | scrubber system of semiconductor device manufacturing equipment | |
| KR200338446Y1 (en) | Apparatus for preventing mist from being outflow and fluid spray apparatus applied thereto | |
| KR0127366Y1 (en) | Cleaning apparatus for wafer's back | |
| KR200373861Y1 (en) | Chemical bath designed to prevent an over-etch of a wafer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |