KR19990079965A

KR19990079965A - Manufacturing method of gold wire for semiconductor device

Info

Publication number: KR19990079965A
Application number: KR1019980012881A
Authority: KR
Inventors: 이준서
Original assignee: 김영환; 현대반도체 주식회사
Priority date: 1998-04-10
Filing date: 1998-04-10
Publication date: 1999-11-05
Also published as: KR100280466B1

Abstract

본 발명에 의한 반도체 소자용 금선의 제조방법은 낮은 순도의 금을 녹여 금의 순도를 높인 후 이를 금잉곳화하는 제1단계와, 상기 금잉곳에 전기적인 특성을 가하여 순도를 더 높이는 제2단계와, 상기 전기적인 특성을 가한 금잉곳에 존멜팅법에 의한 정제를 실시하여 순도를 더 높이는 제3단계와, 상기 정제된 금잉곳을 녹인후 분말화된 첨가제를 투입하여 응고시키는 제4단계와, 상기 첨가제가 주입된 금잉곳을 트위스트하여 최종 인발하는 제5단계와, 상기 인발되는 금선을 청정화시키는 제6단계와, 상기 청정화된 금선을 열처리하는 제7단계와, 상기 열처리된 금선을 스풀에 감는 제8단계의 순으로 진행하여, 금선들이 트위스트로 인발되므로 가공효과가 커지고, 여러 금선들이 모여 균일하게 트위스트됨으로써 금선내의 불균질 분포를 균일한 분포로 바꿀수 있으므로 금선의 항복강도, 인장강도 및 연신률등의 기계적 특성의 향상 및 루프특성 그리고 전기 전도도를 향상시킬 수 있도록 하였다.In the method of manufacturing a gold wire for semiconductor devices according to the present invention, the first step of melting gold of low purity to increase the purity of gold and ingot it and the second step of adding purity to the gold ingot to further increase the purity And, the third step to further increase the purity by performing the purification by the zone melting method to the gold ingot applied the electrical properties, and the fourth step of melting the purified gold ingot by adding a powdered additive to solidify; A fifth step of twisting the final gold ingot injected with the additive, a sixth step of purifying the drawn gold wire, a seventh step of heat treating the cleaned gold wire, and winding the heat-treated gold wire on a spool In the order of the eighth step, as the gold wires are drawn in a twist, the processing effect is increased, and several gold wires are gathered and twisted uniformly so that the heterogeneous distribution in the gold wire is uniformly distributed. As it can be changed, the mechanical properties such as the yield strength, tensile strength and elongation of the gold wire can be improved, and the loop characteristics and electrical conductivity can be improved.

Description

Manufacturing method of gold wire for semiconductor device

본 발명은 반도체 소자용 금선의 제조방법에 관한 것으로, 특히 금선을 제조하기 위해 신선을 가공할 때 최종적으로 요구되는 두께보다 더 가늘게 신선가공한 후, 균일하게 여러금선을 꼬아 다시 최종 신선가공하는 새로운 반도체 소자용 금선제조방법을 제시함으로써, 이에 따라 금선의 기계적 특성 및 루프특성을 향상시키도록 한 반도체 소자용 금선의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a gold wire for a semiconductor device, and in particular, after the wire is drawn thinner than the thickness required when processing the wire for manufacturing the gold wire, the new wire is uniformly twisted and finally wired again. The present invention relates to a method for manufacturing a gold wire for a semiconductor device by providing a method for manufacturing a gold wire for a semiconductor device, thereby improving the mechanical and loop characteristics of the gold wire.

일반적으로 금은 다른 금속에 비해 전기 전도성 및 기타 특성이 매우 높은 금속으로서 이와 같은 금이 사용되는 분야는 다양한데, 그 중 반도체 분야의 소자에 사용되는 금선의 제조방법을 살펴본다.In general, gold is a metal having a very high electrical conductivity and other characteristics compared to other metals, and various fields in which such gold is used are described. Among them, a method of manufacturing gold wires used in devices in the semiconductor field will be described.

종래의 기술에 의한 반도체 소자용 금선의 제조방법은 도 1a 내지 도 1f에 도시한 바와 같이, 먼저 낮은 순도의 금을 녹인 후 이 녹여진 금의 순도를 약 99.99% 정도 까지 높인 다음 이를 금잉곳(1)화 한다. 그리고 상기 99.99% 의 순도를 가진 금잉곳(1)을 용기(2)내에 담겨진 전해조(3) 및 상기 전해조(3)에 복수개 담겨진 전극판 (4)사이에 담근 다음, 전극판(4)에 전류를 인가하면 상기 전류가 전극판(4)을 통하여 전해조(3)에 전달되는데, 이때 상기 전극판(4)과 전해조(3) 및 금잉곳(1)이 화학반응하여 금잉곳(1)의 순도를 약 99.995% 정도까지 높이게 된다. 이와 같이 고순도로 금잉곳(1)을 정제한 다음에는 이를 다시 고순도로 정제하여야 되는데, 이는 상기 약 99.995% 정도의 순도를 가진 금잉곳(1)으로는 원하는 목적의 높은 전기 전도성 및 기계적 특성을 가진 금선을 만족시키지 못하기 때문이다. 이에 따라 상기 금잉곳(1)을 정제하기 위해 먼저, 용기로부터 금잉곳(1)을 꺼낸다음 이를 존멜팅법에 의해 정제를 실시한다. 존멜팅법이란 상기 용기(2)로부터 꺼내진 금잉곳(1)을 복수개의 히터(5)사이로 이동시켜 상기 금잉곳(1)이 부분적으로 히터(5)로부터 영향을 받도록 하는 것인데, 이는 상기 히터(5)로부터 발산되는 열이 금잉곳(1)과 반응을 일으켜 금잉곳(1)의 순도를 높이기 때문이며, 이때 금잉곳(1)의 순도는 약 99.999% 정도까지 높아지게 딘다. 이와 같이 정제된 금잉곳(1)에는 신선인발되는 금의 휘어짐 정도를 나타내는 루프특성 및 기계적 특성등을 만족시키기 위해 상기금잉곳(1)에 첨가제(7)를 넣게 되는데, 예를 들어 분말 형태의 칼슘등을 넣는다. 이를 위해서는 금잉곳(1)을 녹인다음 이 녹여진 금(이하, 금용탕이라함)(1a)을 용탕용기(6)에 부은 다음 첨가제 분말(7)을 넣은 후 믹싱기등으로 상기 금용탕(1a)과 첨가제 분말(7)을 섞는다. 그리고 상기 섞여진 금용탕(1a)과 첨가제 분말(7)을 인발 다이(8)내에 채운 다음 이를 인발장치등을 이용해 금선의 형상으로 인발한다. 이때 상기 인발되는 금선(20)을 반도체 소자등에 사용하기 위해서는 그 두께( φ )를 매우 가늘게 하여 인발하여야 한다. 이와 같은 두께의 금선(20)을 인발하기 위해서는 먼저 인발되는 금선(20)의 직경을 점차적으로 줄이도록 인발 다이를 이동시키다가 원하는 직경의 금선이 인발되면 상기 인발다이(8)의 이동을 중지시킨다. 상기와 같이 인발 다이(8)의 이동을 중지시키면 원하는 직경의 금선(20)이 계속 인발되는데 이때 상기 인발 다이(8)내의 인발되는 부분에는 금선의 인발이 원활하도록 하기 위해 그리스등의 윤활제를 유입시킨다. 그리고, 상기 금선을 큰 직경에서부터 점차적으로 작은 직경으로 인발하는 이유는 원하는 직경의 금선은 매우 가는데, 이를 처음부터 인발다이(8)를 통해 인발하기란 기술적으로 매우 어렵기 때문이다. 한편, 상기 인발된 금선(20)에는 원활한 인발이 되도록 하기 위해 그리스등의 윤활제가 묻어있는 상태이므로 상기 금선(20)에 묻어있는 그리스등의 윤활제를 청정장치등을 이용해 깨끗이 제거하는 금선 청정공정을 거친다음, 상기 깨끗해진 금선을 열처리하는 공정을 수행하게 되며, 이 열처리 과정은 통상 어닐링(annealing)으로 하게 되는데 이는 인발되는 금선(20)이 심한 소성변형을 받아 응력이 집중되어 있으므로 이를 풀어주기 위한 것이다. 그리고 상기 열처리된 금선을 스풀에 감아 최종적으로 금선의 제조를 완료한다.In the method of manufacturing a gold wire for a semiconductor device according to the prior art, as shown in Figs. 1A to 1F, first, gold of low purity is dissolved, and then the purity of the molten gold is increased to about 99.99%, and then the gold ingot ( 1) We change. Then, the gold ingot 1 having a purity of 99.99% is immersed between the electrolyzer 3 contained in the container 2 and the electrode plate 4 plurally contained in the electrolyzer 3, and then the current is applied to the electrode plate 4. When the current is transmitted to the electrolytic cell 3 through the electrode plate 4, the electrode plate 4, the electrolytic cell 3 and the gold ingot (1) chemical reaction to the purity of the gold ingot (1) Will increase to about 99.995%. As such, after purifying the gold ingot 1 with high purity, it should be purified again with high purity. The gold ingot 1 having a purity of about 99.995% has high electrical conductivity and mechanical properties for a desired purpose. Because it does not satisfy the gold wire. Accordingly, in order to purify the gold ingot 1, first, the gold ingot 1 is taken out of the container and then purified by the zone melting method. The zone melting method is to move the gold ingot 1 taken out of the container 2 between the plurality of heaters 5 so that the gold ingot 1 is partially affected by the heater 5. This is because the heat emitted from 5) reacts with the gold ingot 1 to increase the purity of the gold ingot 1, and the purity of the gold ingot 1 is increased to about 99.999%. In this way, the gold ingot (1) is purified in order to satisfy the loop characteristics and mechanical properties, such as the degree of bending of the gold is drawn to the additive (7) in the gold ingot (1), for example in the form of a powder Add calcium. To this end, the gold ingot 1 is melted, and then the melted gold (hereinafter referred to as gold molten metal) 1a is poured into the molten metal container 6, and then the additive powder 7 is put therein. 1a) and the additive powder (7) are mixed. Then, the mixed gold molten metal 1a and the additive powder 7 are filled in the drawing die 8 and then drawn to the shape of a gold wire using a drawing device. At this time, in order to use the drawn gold wire 20 in a semiconductor device, the thickness ( φ ) Should be drawn very thin. In order to draw the gold wire 20 having such a thickness, first, the drawing die is moved to gradually reduce the diameter of the gold wire 20 to be drawn, and when the gold wire of the desired diameter is drawn, the movement of the drawing die 8 is stopped. . When the movement of the drawing die 8 is stopped as described above, the gold wire 20 having the desired diameter is continuously drawn. At this time, a lubricant such as grease is introduced into the drawn part in the drawing die 8 to smooth the drawing of the gold wire. Let's do it. Further, the reason for drawing the gold wire from the larger diameter to the smaller diameter is that the gold wire of the desired diameter is very thin because it is technically very difficult to draw it from the drawing die 8 from the beginning. On the other hand, the drawn gold wire 20 is a state in which a lubricant such as grease is buried in order to ensure a smooth drawing, the gold wire cleaning process for removing the lubricant such as grease buried in the gold wire 20 using a cleaning device. After roughing, the process of heat-treating the cleaned gold wire is performed, and this heat treatment process is usually performed by annealing. This is because the gold wire 20 is severely subjected to severe plastic deformation and stress is concentrated. will be. Then, the heat-treated gold wire is wound around the spool to finally manufacture the gold wire.

그러나, 이러한 종래의 기술에서는 금선(20)의 루프특성 및 기계적 특성등을 결정하는 첨가제 분말(7)등 금용탕(1a)내에 투입하여 섞을 때 금용탕(1a)내의 기포나 비중차에 의해 상기 금용탕내에 섞여지는 첨가제 분말(7)의 분포가 불균일 해지게 되므로 금선(20)의 루프특성 및 기계적 특성등의 신뢰도가 낮아지는 문제점이 있다.However, in such a conventional technique, when added and mixed in the gold molten metal 1a, such as the additive powder 7, which determines the loop characteristics and the mechanical characteristics of the gold wire 20, the air bubbles or the specific gravity difference in the gold molten metal 1a are mixed. Since the distribution of the additive powder 7 mixed in the gold molten metal becomes non-uniform, there is a problem in that reliability of the loop characteristics and the mechanical characteristics of the gold wire 20 is lowered.

따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 고려하여 안출한 것으로, 금선들이 트위스트로 인발되므로 가공효과가 커지고, 여러 금선들이 모여 균일하게 트위스트됨으로써 금선내의 불균질 분포를 균일한 분포로 바꿀수 있으므로 금선의 항복강도, 인장강도 및 연신률등의 기계적 특성의 향상 및 루프특성 그리고 전기 전도도를 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자용 금선의 제조방법을 제공함에 있다.Therefore, the object of the present invention is devised in consideration of the above problems, the gold wire is drawn in a twist, so the processing effect is increased, and several gold wires are gathered and twisted uniformly so that the heterogeneous distribution in the gold wire can be changed to a uniform distribution. The present invention provides a method for manufacturing a gold wire for semiconductor devices to improve mechanical properties such as yield strength, tensile strength and elongation, and to improve loop characteristics and electrical conductivity.

도 1a 내지 도 1f는 종래의 기술에 의한 반도체 소자용 금선의 제조공정을 나타낸 것으로서,1A to 1F illustrate a manufacturing process of a gold wire for a semiconductor device according to the related art.

도 1a는 금의 순도를 높인 금잉곳을 나타내는 사시도.Figure 1a is a perspective view showing a gold ingot to increase the purity of gold.

도 1b는 금잉곳에 전기적 특성을 가하여 순도를 높이는 전해조를 나타내는 단면도.Figure 1b is a cross-sectional view showing an electrolytic cell to increase the purity by applying electrical properties to the gold ingot.

도 1c는 존멜팅법에 의해 금잉곳을 히터로 가열하는 상태를 나타내는 단면도.It is sectional drawing which shows the state which heats a gold ingot with a heater by the zone melting method.

도 1d는 금용탕에 첨가제 분말을 넣어 섞는 상태를 나타내는 단면도.Figure 1d is a cross-sectional view showing a state of mixing the additive powder in the molten metal.

도 1e는 인발다이를 통해 금선을 인발하는 상태를 나타내는 단면도.1E is a cross-sectional view showing a state of drawing a gold wire through a drawing die.

도 1f는 금선인발후 작업공정을 나타내는 공정도.Figure 1f is a process chart showing the working process after the gold wire drawing.

도 2는 본 발명에 의한 금선의 제조방법을 나타내는 단면도.2 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of a gold wire according to the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

1 ; 금잉곳 4 ; 전극판One ; Gold ingot 4; Electrode plate

7 ; 첨가제분말 8a,8b,8c ; 인발다이7; Additive powder 8a, 8b, 8c; Inbaldai

9 ; 간접다이 10 ; 최종인발다이9; Indirect die 10; Final drawing die

20a,20b,20c ; 금선 20 ; 최종금선20a, 20b, 20c; Gold wire 20; Final

이러한, 본 발명의 목적은 낮은 순도의 금을 녹여 금의 순도를 높인 후 이를 금잉곳화하는 제1단계와, 상기 금잉곳에 전기적인 특성을 가하여 순도를 더 높이는 제2단계와, 상기 전기적인 특성을 가한 금잉곳에 존멜팅법에 의한 정제를 실시하여 순도를 더 높이는 제3단계와, 상기 정제된 금잉곳을 녹인후 분말화된 첨가제를 투입하여 응고시키는 제4단계와, 상기 첨가제가 주입된 금잉곳을 트위스트하여 최종 인발하는 제5단계와, 상기 인발되는 금선을 청정화시키는 제6단계와, 상기 청정화된 금선을 열처리하는 제7단계와, 상기 열처리된 금선을 스풀에 감는 제8단계의 순으로 진행함으로써 달성된다.The object of the present invention is the first step of melting the low purity gold to increase the purity of the gold and then ingot gold, and the second step to further increase the purity by applying electrical properties to the gold ingot, the electrical A third step of further purifying the purified gold ingot by the zone melting method and a fourth step of melting the purified gold ingot and adding a powdered additive to solidify the ingot; A fifth step of twisting the gold ingot and finally drawing it, a sixth step of purifying the drawn gold wire, a seventh step of heat treating the cleaned gold wire, and an eighth step of winding the heat treated gold wire on a spool Is achieved by proceeding.

이하, 본 발명에 의한 반도체 소자용 금선의 제조방법을 첨부도면에 도시한 실시예에 따라서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the manufacturing method of the gold wire for semiconductor elements by this invention is demonstrated according to the Example shown in an accompanying drawing.

도 1a 내지 도 1f는 일반적인 기술에 의한 반도체 소자용 금선의 제조공정을 나타낸 것으로서, 도 1a는 금의 순도를 높인 금잉곳을 나타내는 사시도이며, 도 1b는 금잉곳에 전기적 특성을 가하여 순도를 높이는 전해조를 나타내는 단면도이고, 도 1c는 존멜팅법에 의해 금잉곳을 히터로 가열하는 상태를 나타내는 단면도이며, 도 1d는 금용탕에 첨가제 분말을 넣어 섞는 상태를 나타내는 단면도이고, 도 1e는 인발다이를 통해 금선을 인발하는 상태를 나타내는 단면도이며, 도 1f는 금선인발후 작업공정을 나타내는 공정도이고, 도 2는 본 발명에 의한 금선의 제조방법을 나타내는 단면도로써 상기 일반적인 금선제조공정중 금용탕에 첨가제 분말을 넣어 섞은 후 세 개의 인발다이를 이용해 금선을 인발한 후, 그 금선들을 꼬아 다시 인발다이를 이용해 최종인발하는 상태를 나타내는 단면도이다.1A to 1F illustrate a manufacturing process of a gold wire for a semiconductor device according to a general technique, in which FIG. 1A is a perspective view illustrating a gold ingot with increased purity of gold, and FIG. 1B is an electrolytic cell that increases purity by applying electrical properties to the gold ingot. 1C is a cross-sectional view showing a state in which a gold ingot is heated by a heater by a zone melting method, FIG. 1D is a cross-sectional view showing a state in which additive powder is mixed in a molten metal, and FIG. 1E is a gold wire through a drawing die. Figure 1f is a cross-sectional view showing a state of drawing, Figure 1f is a process diagram showing the work process after drawing the gold wire, Figure 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of the gold wire according to the present invention put the additive powder in the gold molten metal during the general gold wire manufacturing process After mixing, draw the gold wire using three drawing dies, twist the gold wires and use final drawing It is sectional drawing which shows the state to make.

본 발명에 의한 반도체 소자용 금선의 제조방법은 금용탕에 첨가제 분말을 넣는 공정까지는 종래 기술과 동일하여 일반적인 기술에 의한 도면을 참고로 설명하고, 그 이후의 공정은 본 발명에 의한 도면을 참고로 설명한다.The method for manufacturing a gold wire for a semiconductor device according to the present invention is the same as the prior art until the process of putting the additive powder in the molten metal with reference to the drawings according to the general technology, the subsequent steps with reference to the drawings according to the present invention Explain.

이에 도시한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 소자용 금선의 제조방법은 우선 도 1a와 같이, 낮은 순도의 금을 녹여 금잉곳(1)을 만들어 금의 순도를 높인다, 그런 다음 도 1b와 같이, 상기 금잉곳(1)에 전기적인 특성을 가하여 순도를 더 높인다. 이때 전기적인 특성을 가하는 방법은 전해조(3) 내에 금잉곳(1)과 전극판(4)을 넣고 전원을 인가시키는 방법을 택한다. 그런 다음 도 1c와 같이, 상기 전기적인 특성을 가한 금잉곳(1)에 존멜팅법에 의한 정제를 실시하여 순도를 더 높안다. 존멜팅법은 금잉곳을 히터(5)를 이용하여 가열하여 줌으로써 순도를 높이는 방법이다. 그런 다음 도 1d와 같이, 상기 정제된 금잉곳(1)을 녹인후 분말화된 첨가제(7)를 투입하여 응고시킨다. 그런 다음 상기 첨가제가 주입된 금잉곳을 트위스트하여 최종 인발한다. 그런 다음 상기 인발되는 금선을 청정화시키고, 청정화된 금선을 열처리하며, 열처리된 금선을 스풀에 감는 순으로 진행하여 공정을 완료한다.As shown in the drawing, in the method for manufacturing a gold wire for a semiconductor device according to the present invention, first, as shown in FIG. 1A, a low purity gold is melted to make a gold ingot 1 to increase the purity of gold. Electrical properties are added to the gold ingot 1 to further increase the purity. At this time, the method of applying the electrical characteristics is a method of applying the power to put the gold ingot 1 and the electrode plate 4 in the electrolytic cell (3). Then, as shown in FIG. 1C, the gold ingot 1 to which the electrical properties are applied is subjected to purification by the zone melting method to further increase the purity. The zone melting method is a method of increasing the purity by heating the gold ingot using the heater 5. Then, as shown in FIG. 1D, the purified gold ingot 1 is melted, and then the powdered additive 7 is added and solidified. Then, the gold ingot injected with the additive is twisted and finally drawn. Then, the drawn gold wire is cleaned, the cleaned gold wire is heat-treated, and the process of winding the heat-treated gold wire to the spool is completed.

상기 금잉곳(1)을 트위스트하여 최종인발하는 단계를 도 2을 참고로 좀더 상술하면, 첨가제(7)가 주입된 금잉곳을 여러개의 복수 다이(8a)(8b)(8c)를 통하여 각기 다른 각도에서 인발후 인발되어 나온 여러가닥의 금선(20a)(20b)(20c)을 하나의 간접다이(9)를 통하여 트위스트 시키는 공정과, 상기 트위스트된 여러가닥의 금선(20a)(20b)(20c)을 최종인발다이(10)를 통해 적정 직경으로 최종 인발하는 공정으로 진행한다.Twisting the gold ingot 1 and the final drawing in more detail with reference to Figure 2, the gold ingot in which the additive (7) is injected through a plurality of die (8a) (8b) 8c different angles Twisting the multiple strands of gold wires 20a, 20b, 20c drawn out after drawing through one indirect die 9, and the twisted strands of gold wires 20a, 20b, 20c Proceed to the process of the final drawing to the appropriate diameter through the final drawing die (10).

본 발명은 첨가제(7)가 투입되어 응고된 금잉곳을 최종 원하는 금선 두께보다 얇게 신선인발한다. 이때 세곳의 인발다이(8a)(8b)(8c)를 이용하여 각기 다른 각도하에서 신선 인발한 후 인발되어 나온 세가닥의 금선(20a)(20b)(20c)이 모여 간접다이(9)를 통해 트위스트가 되도록 한다. 또한 상기 간접다이(9)를 통해 트위스트된 여러가닥의 금선(20a)(20b)(20c)은 표면자체가 울퉁불퉁하므로 트위스트된 상태의 금선 표면을 균일하게 할 수 있음과 동시에 최종금선(20)의 직경을 인발할 수 있는 적정크기의 인발다이(10)를 사용하여 최종 인발하면, 도 2에 보는 바와 같이, 원하는 직경을 가진 최종 금선(20)을 얻을 수 있다. 또한 상기에서 설명한 트위스트 되기전의 복수의 인발다이(8a)(8b)(8c) 내경크기는 인발다이를 몇 개 사용할 것인가와 최종적으로 원하는 금선(20)의 직경과의 관계를 고려하여 결정해야 한다. 그리고, 최종적으로 인발된 금선(20)은 종래와 같이 금선청정공정과 열처리공정을 거쳐 스풀에 감아줌으로써 금선제조를 완료한다.The present invention draws the gold ingot solidified by the addition of the additive (7) thinner than the final desired gold wire thickness. At this time, three strands of gold wires 20a, 20b, and 20c drawn out after drawing are drawn at different angles using three drawing dies 8a, 8b, and 8c. Make it a twist. In addition, the multiple strands of gold wires 20a, 20b, and 20c twisted through the indirect die 9 may be uniform in the twisted state of the gold wire surface because the surface itself is uneven. When the final drawing using the drawing die 10 of the appropriate size capable of drawing the diameter, as shown in Figure 2, it is possible to obtain a final gold wire 20 having a desired diameter. In addition, the inner diameter sizes of the plurality of drawing dies 8a, 8b, and 8c before twisting described above should be determined in consideration of the relationship between how many drawing dies are used and the diameter of the desired gold wire 20. Finally, the drawn gold wire 20 is wound through the gold wire cleaning process and heat treatment process as in the prior art to complete the gold wire manufacturing.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 소자용 금선의 제조방법은 낮은 순도의 금을 녹여 금의 순도를 높인 후 이를 금잉곳화하는 제1단계와, 상기 금잉곳에 전기적인 특성을 가하여 순도를 더 높이는 제2단계와, 상기 전기적인 특성을 가한 금잉곳에 존멜팅법에 의한 정제를 실시하여 순도를 더 높이는 제3단계와, 상기 정제된 금잉곳을 녹인후 분말화된 첨가제를 투입하여 응고시키는 제4단계와, 상기 첨가제가 주입된 금잉곳을 트위스트하여 최종 인발하는 제5단계와, 상기 인발되는 금선을 청정화시키는 제6단계와, 상기 청정화된 금선을 열처리하는 제7단계와, 상기 열처리된 금선을 스풀에 감는 제8단계의 순으로 진행하여, 금선들이 트위스트로 인발되므로 가공효과가 커지고, 여러 금선들이 모여 균일하게 트위스트됨으로써 금선내의 불균질 분포를 균일한 분포로 바꿀수 있으므로 금선의 항복강도, 인장강도 및 연신률등의 기계적 특성의 향상 및 루프특성 그리고 전기 전도도를 향상시킬 수 있도록 한 효과가 있다.As described above, the method for manufacturing a gold wire for a semiconductor device according to the present invention comprises the first step of melting gold of low purity to increase the purity of gold and then ingoting the gold, and applying electrical properties to the gold ingot to increase purity. The second step to further increase the, and the third step to further increase the purity by performing the purification by the zone melting method to the gold ingot to which the electrical properties were applied, the solidified by adding a powdered additive after melting the purified gold ingot A fourth step of twisting, a fifth step of twisting the gold ingot injected with the additive and final drawing, a sixth step of purifying the drawn gold wire, a seventh step of heat treating the cleaned gold wire, and the heat treatment In the order of the eighth step of winding the gold wire on the spool, the gold wire is drawn in a twist, so that the processing effect is increased, and several gold wires are gathered and twisted uniformly. So change the homogeneous distribution in a uniform distribution has the effect of improving the loop and of the mechanical characteristics, such as a gold wire of the yield strength, tensile strength and elongation and to improve the electrical conductivity.

Claims

The first step of melting the low purity gold to increase the purity of the gold and then ingot the gold ingot, the second step of applying more electrical properties to the gold ingot to further increase the purity, and Johnmel to the gold ingot The third step of further purifying by the tableting method to further increase the purity, the fourth step of melting the purified gold ingot and adding a powdered additive to coagulate, and twisting the gold ingot into which the additive is injected, the final drawing The fifth step, the sixth step of purifying the drawn gold wire, the seventh step of heat-treating the cleaned gold wire, and the eighth step of winding the heat-treated gold wire on a spool. Manufacturing method of gold wire for semiconductor elements.

The method of claim 1, wherein the fifth step comprises: twisting a plurality of strands of gold wire drawn out after drawing at different angles through a plurality of dies through a plurality of dies through a single indirect die; A process for producing a gold wire for semiconductor devices, characterized in that the progress of the final drawing of the twisted strand of gold wire to the final diameter through the final drawing die.