KR19990079498A - 레이저 다이오드 칩과 광 파이버의 정열방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 다이오드와 광 파이버를 결합시키는데 사용되는 정렬방법에 관한 것으로, InP(indium phosphorus) 기판에 2 - 3번의 박막 성장 공정과 제작공정을 통하여 원하는 구조의 레이저 다이오드를 일정한 위치에 만드는 단계와; InP V홈을 만들기 위하여 그 위에 Si3N4박막을 증착시키는 단계와; 사진석판 공정과 절연막 공정을 통하여 습식식각될 부분을 T자형으로 Si3N4박막을 제거하는 단계와; Si3N4박막이 T자형으로 제거된 부분을 습식식각을 이용하여 광파이버가 놓여질 부분이 V자 형태의 홈이 되게 만드는 단계와; V형태의 홈이 만들어진후 일정한 크기로 절단하는 단계와; 광파이버를 제작된 V홈에 놓고 에폭시 수지 등을 사용하여 고정함으로써 InP V홈을 이용한 레이저 다이오드와 광파이버의 광정렬을 완성하는 단계로 이루어짐이 특징이다.

Description

레이저 다이오드 칩과 광 파이버의 정열방법
본 발명은 레이저 다이오드와 광 파이버를 결합시키는데 사용되는 정렬방법에 관한 것으로, 특히 레이저 다이오드와 V홈을 같은 InP(indium phosphorus)기판에 만들어 광정렬에 이용한 새로운 광정렬 방법을 제공하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 칩과 광 파이버의 정열방법에 관한 것이다.
일반적으로 레이저 다이오드(laser diode)와 같은 광소자와 광파이버(optical fiber)는 광통신을 구현하기 위한 핵심부품으로 사용되어 지고 있다. 그래서 레이저 소자에서 나오는 광을 가능한 많이 광파이버로 들여 보내기 위해 많은 시도가 행해져 왔고, 이러한 광 정렬 기술이 광통신 시스템을 구축하는 데 중요한 기술이 되고 있다.
종래의 레이저 다이오드와 광 파이버의 결합방법에는 크게 적극적 정열(Active alignment)방법과 소극적 정열(Passive alignment)방법으로 나눌 수 있다.
적극적 정열방법은 렌즈나 고가의 레이저 웰더(laser welder)를 사용함으로써 공정 시간과 부품이 많이 사용되어 비용 절감에 어려움을 갖고 있다.
반면에 소극적 정열 방법은 레이저 웰더나 렌즈를 사용하지 않으므로 광통신 모듈의 저가격화를 위한 방법으로 새로이 대두되고 있다.
종래의 기술중 적극적 정열장치를 도 1을 통해 살펴보면, 레이저 다이오드를 작동시키는 레이저 다이오드 드라이버(1)와, 상기 레이저 다이오드 드라이버(1)에서 신호 출력신호 발생시 레이저빔을 출력하는 레이저 다이오드(2)와, 상기 레이저 다이오드(2)에서 출력되는 레이저빔을 집광하여 통과시키는 렌즈(3)와, 상기 렌즈와 기타 장비를 이어주는 이음간(8)과, 상기 이음관(8)에 연결되어 있어 렌즈를 통한 레이저빔의 파워를 측정하는 광파워메타(6)와, 상기 렌즈(3)와 이음관이 위치하는 스테이지(5) 및, 상기 레이저 다이오드 드라이버(1)와 광파워 메타(6) 및 스테이지의 유동을 총괄 제어하는 컨트롤러(4)로 이루어진다. 여기서 7은 레이저 광이 분사되는 각도를 나타내고 있다.
그러나, 상술한 바와같은 구조를 갖는 적극적 정렬장치를 사용하여 레이저 소자와 광파이버를 정렬하게 될 경우에는, 광파이버와 렌즈를 정렬하여 파이버 끝단에서 광 파워가 최대가 될 때 이들을 고정시키기 위하여 레이저 용접을 하기 위한 고출력 레이저가 필요하며, 또한 렌즈와 파이버를 정렬하기 위해 이들을 x,y,z방향으로 컨트롤 하기 위해 고가의 설비가 필요하며, 또한 정렬시간이 많이 걸리는 단점이 있었다.
또한, 종래의 소극적 정열 방법은 도 2에 도시된 바와같이 실리콘 광 벤치(Si Optical Bench)(10)의 상면에 메탈접합층(12)을 형성하고, 이 메탈접합층(12)의 일측에 상단면이 실린콘 광 벤치(10)의 상면에 노출되는 실리콘 광벤치 마커(14)가 집어넣어져 있고, 상기 메탈접합층(12)에 접합되는 레이저 다이오드 칩(20)은 이 접합의 위치를 정확히 맞추기 위해 그의 저면에 칩마커(Chip Marker)(22)가 집어넣어져 있다.
따라서 레이저 다이오드 칩(20)을 실리콘 광 벤치(10)에 접합시키기 위해서는 레이저 다이오드 칩(20)의 저면에 있는 칩마커(22)를 실리콘 광 벤치(10)의 상면에 있는 실리콘 광벤치 마커(14)에 일치시킨 후 플립 칩 본더(Flip chip bonder)를 사용하여 레이저 다이오드 칩(20)을 실리콘 광 벤치(10)의 메탈 접합층(12)에 부착시켰다.
이러한 벤치 마커(14)와 칩마커(22)를 이용하여 정렬하는 방법은 공정 시간에서 적극적 정열방법보다 크게 유리하지 못하며 플립 칩 본더라는 장비의 설치비용이 커지는 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결코자 하는 것으로, 레이저 소자 제작에 사용되는 InP 기판위에 레이저 소자와 V홈을 모두 제작함으로써, 전술한 고가의 설비나 플립-칩 본딩이 필요없게 하여, 레이저 소자와 광파이버를 정렬하는데 드는 많은 비용과 시간을 절약토록 하는데 그 목적이 있다.
이를 위해 본 발명은 InP 기판에 2 - 3번의 박막 성장 공정과 제작공정을 통하여 원하는 구조의 레이저 다이오드를 일정한 위치에 만드는 단계와; InP V홈을 만들기 위하여 그 위에 Si3N4박막을 증착시키는 단계와; 사진석판 공정과 절연막 공정을 통하여 습식식각될 부분을 T자형으로 Si3N4박막을 제거하는 단계와; Si3N4박막이 T자형으로 제거된 부분을 습식식각을 이용하여 광파이버가 놓여질 부분이 V자 형태의 홈이 되게 만드는 단계와; V형태의 홈이 만들어진후 일정한 크기로 절단하는 단계와; 광파이버를 제작된 V홈에 놓고 에폭시 수지 등을 사용하여 고정함으로써 InP V홈을 이용한 레이저 다이오드와 광파이버의 광정렬을 완성하는 단계로 이루어짐이 특징이다.
도 1은 종래 실리콘 웨이퍼와 레이저 다이오드 칩의 정열전 상태도.
도 2는 종래의 적극적 정열방법을 위한 장치 구성 블록도.
도 3은 본 발명의 InP 홈을 이용한 소극적 정열장치 구성 블록도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 레이저 다이오드 드라이버 2: 레이저 다이오드
3: 렌즈 4: 컨트롤러
5: 스테이지 6: 광파워메터
8: 이음관 9: 광파이버
30: InP 기판 31: InP V홈
이하에서 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면에 의거 상세히 설명하기로 한다.
그리고 본 발명의 설명에서 종래와 동일 또는 동등한 부분은 같은 도면부호로 표기하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 구성도로써, 레이저 다이오드(2)와 V홈을 하나의 InP 기판(30)에 제작하고, 상기에서 제작되는 V홈(31)에 광파이버(9)를 설치한 구성을 갖는다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 특징은 레이저 다이오드를 플립-칩 본딩하여 결합하지 않고, InP 기판에 2 - 3번이 박막 성장 공정과 제작공정을 통하여 원하는 구조의 레이저 다이오드를 일정한 위치에 만드는데 있다.
본 발명의 제작단계를 살펴보면 다음과 같다.
InP 기판에 2 - 3번의 박막 성장 공정과 제작공정을 통하여 원하는 구조의 레이저 다이오드를 일정한 위치에 만드는 단계와; InP V홈을 만들기 위하여 그 위에 Si3N4박막을 증착시키는 단계와; 사진석판 공정과 절연막 공정을 통하여 습식식각될 부분을 T자형으로 Si3N4박막을 제거하는 단계와; Si3N4박막이 T자형으로 제거된 부분을 습식식각을 이용하여 광파이버가 놓여질 부분이 V자 형태의 홈이 되게 만드는 단계와; V형태의 홈이 만들어진후 일정한 크기로 절단하는 단계와; 광파이버를 제작된 V홈에 놓고 에폭시 수지 등을 사용하여 고정함으로써 InP V홈을 이용한 레이저 다이오드와 광파이버의 광정렬을 완성하는 단계로 이루어진다.
상술한 바와같이 본 발명은 레이저 소자 제작에 사용되는 InP 기판위에 레이저 소자와 V홈을 모두 제작함으로써, 전술한 고가의 설비나 플립-칩 본딩이 필요없게 하여, 레이저 소자와 광파이버를 정렬하는데 드는 많은 비용과 시간을 절약하는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. InP(indium phosphorus) 기판에 2 - 3번의 박막 성장 공정과 제작공정을 통하여 원하는 구조의 레이저 다이오드를 일정한 위치에 만드는 단계와;
    InP V홈을 만들기 위하여 그 위에 Si3N4박막을 증착시키는 단계와;
    사진석판 공정과 절연막 공정을 통하여 습식식각될 부분을 T자형으로 Si3N4박막을 제거하는 단계와;
    Si3N4박막이 T자형으로 제거된 부분을 습식식각을 이용하여 광파이버가 놓여질 부분이 V자 형태의 홈이 되게 만드는 단계와;
    V형태의 홈이 만들어진후 일정한 크기로 절단하는 단계와;
    광파이버를 제작된 V홈에 놓고 에폭시 수지 등을 사용하여 고정함으로써 InP V홈을 이용한 레이저 다이오드와 광파이버의 광정렬을 완성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 레이저 다이오드 칩과 광 파이버의 정열방법.
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