KR19990079322A - Sensor Fixing Structure of Temperature Measuring Device for Semiconductor Track Equipment - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 트랙장비용 온도측정장치의 센서고정구조에 관한 것으로, 시험용 웨이퍼(11)의 상면에 입구가 저면 보다 작은 일정깊이의 요홈(11a)을 수개형성하고, 그 요홈(11a)들의 저면에 각각 열감지센서(12)를 위치시킨 다음, 에폭시(15)를 요홈(11a)의 내측에 주입하여 열감지센서(12)들을 고정시킴으로써, 장기간 반복사용시 시험용 웨이퍼(11)와 에폭시(15)의 열팽창율의 차이에 의하여 에폭시(15)가 떨어지는 것을 근본적으로 방지하게 된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sensor fixing structure of a temperature measuring device for semiconductor track equipment, wherein a plurality of grooves 11a having a predetermined depth smaller than a bottom surface thereof are formed on an upper surface of a test wafer 11, and the bottom surfaces of the grooves 11a are formed. After placing the heat sensor 12 in each, the epoxy 15 is injected into the recess 11a to fix the heat sensor 12, so that the test wafer 11 and the epoxy 15 for long-term repeated use may be used. Due to the difference in the thermal expansion coefficient of the epoxy 15 is essentially prevented from falling.
Description
본 발명은 반도체 트랙장비용 온도측정장치의 센서고정구조에 관한 것으로, 특히 센서가 이탈되는 것을 방지하여 정확한 온도를 측정할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 트랙장비용 온도측정장치의 센서고정구조에 관한 것이다.The present invention relates to a sensor fixing structure of the temperature measuring device for semiconductor track equipment, and more particularly, to a sensor fixing structure of a temperature measuring apparatus for semiconductor track equipment suitable for preventing the sensor from escaping.
일반적으로 반도체 제조공정중 포토공정에서는 웨이퍼의 상면에 포토레지스트를 코팅한 다음 오븐에서 코팅된 포토레지스트를 굽는 베이크작업을 실시하게 되는데, 이와 같은 오븐에서 웨이퍼가 얹어지는 핫 플레이트의 온도가 설정된 온도로 가열되는지를 주기적으로 확인하여야 하며, 이와 같은 확인은 도 1에 도시된 바와 같은 온도측정장치를 이용하게 된다.In general, during the semiconductor manufacturing process, the photoresist is coated on the upper surface of the wafer, and the baking process is performed by baking the coated photoresist in an oven. In such an oven, the temperature of the hot plate on which the wafer is placed is set to a predetermined temperature. Periodically check whether it is heated, such a check is to use a temperature measuring device as shown in FIG.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래 오븐의 핫 플레이트 온도측정장치는 실제작업하는 크기의 웨이퍼와 동일크기 및 재질로 이루어진 시험용 웨이퍼(1)와, 그 웨이퍼(1)의 상면에 설치되는 수개의 열감지센서(2)와, 그 열감지센서(2)에 각각 일단부가 연결되는 와이어(3)들과, 그 와이어(3)들에 연결된 열감지센서(2)들을 감싸도록 시험용 웨이퍼(1)의 상면에 부착되어 있는 에폭시(4)와, 상기 와이어(3)들의 타단부에 연결되는 검출온도 디스플레이어(5)로 구성되어 있다.As shown in FIG. 1, a hot plate temperature measuring apparatus of a conventional oven includes a test wafer 1 made of the same size and material as a wafer of a working size, and several rows provided on an upper surface of the wafer 1. Of the test wafer 1 so as to surround the sensing sensor 2, the wires 3 having one end connected to the thermal sensor 2, and the thermal sensors 2 connected to the wires 3, respectively. It consists of an epoxy (4) attached to the upper surface and a detection temperature display (5) connected to the other end of the wires (3).
상기와 같이 구성되어 있는 종래 온도측정장치를 이용하여 핫 플레이트의 온도측정이 이루어지는 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of measuring the temperature of the hot plate using a conventional temperature measuring device configured as described above are as follows.
먼저, 웨이퍼를 베이크하는 오븐의 내측에 설치되어 있는 핫 플레이트의 상면에 시험용 웨이퍼(1)를 위치시킨다. 그런 다음, 오븐을 실제 사용하는 조건과 동일하게 셋팅하여 핫 플레이트가 가열되도록 한다. 이와 같이 가열되는 핫 플레이트에 접촉되어 있는 시험용 웨이퍼(1)가 가열되고, 시험용 웨이퍼(1)의 상면에 설치된 열감지센서(2)들에 의하여 온도가 측정이 되고, 이와 같이 측정된 온도는 각각 와이어(3)들로 연결된 검출온도 디스플레이어(5)에 디스플레이되며, 작업자는 이를 확인하여 핫 플레이트의 가열온도를 추정하게 된다.First, the test wafer 1 is placed on the upper surface of the hot plate provided inside the oven for baking the wafer. Then, the oven is set to the same conditions as in actual use so that the hot plate is heated. The test wafer 1 in contact with the heated hot plate is heated, and the temperature is measured by the heat sensor 2 installed on the upper surface of the test wafer 1, and the measured temperatures are respectively Displayed on the detection temperature display (5) connected by wires (3), the operator checks this to estimate the heating temperature of the hot plate.
그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 종래 온도측정장치는 열감지센서(2)들이 에폭시(4)에 의하여 시험용 웨이퍼(1)의 상면에 부착되어 있기 때문에 반복사용시 에폭시(4)와 시험용 웨이퍼(1)의 열팽창율의 차이에 의하여 시험용 웨이퍼(1)에서 에폭시(4)가 미세하게 떨어져서 열감지센서(2)의 접촉불량이 발생되고, 이와 같이 접촉불량이 발생된 상태에서 온도측정이 이루어지는 경우에는 정확한 온도측정이 이루어지지 못하는 문제점이 있었다.However, in the conventional temperature measuring device configured as described above, since the thermal sensors 2 are attached to the upper surface of the test wafer 1 by the epoxy 4, the epoxy 4 and the test wafer 1 in repeated use. Due to the difference in thermal expansion rate of Epoxy 4 from the test wafer 1, fine contact of the thermal sensor 2 occurs due to the fine drop of the epoxy 4, and when the temperature measurement is performed in such a state, There was a problem that the temperature measurement can not be made.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 장기간 반복사용시에도 시험용 웨이퍼에서 열감지센서가 떨어지지 않도록 하여 정확한 온도측정이 이루어지도록 하는데 적합한 반도체 트랙장비용 온도측정장치의 센서고정구조를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention devised in view of the above problems is to provide a sensor fixing structure of a temperature measuring device for semiconductor track equipment suitable for accurate temperature measurement by preventing the thermal sensor from falling off from the test wafer even after long-term repeated use. have.
도 1은 종래 온도측정장치의 구성을 개략적으로 보인 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a conventional temperature measuring device.
도 2는 종래 웨이퍼에 센서가 설치된 상태를 보인 평면도.Figure 2 is a plan view showing a state in which a sensor is installed on a conventional wafer.
도 3은 본 발명 반도체 트랙장비용 온도측정장치의 센서고정구조를 개략적으로 보인 단면도.Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing a sensor fixing structure of the temperature measuring device for semiconductor track equipment of the present invention.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명 온도측정장치의 시험용 웨이퍼에 요홈을 형성하는 일실시예를 보인 단면도.Figures 4a to 4d is a cross-sectional view showing an embodiment of forming a groove in the test wafer of the temperature measuring device of the present invention.
* * 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * ** * Explanation of symbols for the main parts of the drawing * *
11 : 시험용 웨이퍼 11a : 요홈11: test wafer 11a: groove
12 : 열감지센서 13 : 와이어12: thermal sensor 13: wire
14 : 검출온도 디스플레이어 15 : 에폭시14 Detection temperature display 15 Epoxy
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 시험용 웨이퍼에 열감지센서들을 에폭시로 고정부착하고, 상기 열감지센서들과 검출온도 디스플레이어를 각각 와이어로 연결하여서 구성되는 반도체 트랙장비용 온도측정장치에 있어서, 상기 시험용 웨이퍼의 상면에 입구가 저면보다 작은 수개의 요홈을 형성하고, 그 요홈들의 내측저면에 상기 열감지센서들이 각각 위치시키며, 그 열감지센서들을 감싸도록 요홈의 내측에 에폭시를 각각 주입하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 트랙장비용 온도측정장치의 센서고정구조가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, the thermosensitive sensors are fixedly attached to the test wafer with epoxy, and the thermosensitive sensors and the temperature measuring apparatus for the semiconductor track equipment are configured by connecting the respective detection temperature display devices with wires. In the upper surface of the test wafer, a plurality of grooves having an inlet smaller than the bottom surface are formed, and the thermal sensors are positioned on the inner bottom of the grooves, respectively, and epoxy is injected into the grooves to surround the thermal sensors. Provided is a sensor fixing structure for a temperature measuring device for semiconductor track equipment.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명 반도체 트랙장비용 온도측정장치의 센서고정구조를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the sensor fixing structure of the temperature measuring device for semiconductor track equipment according to the present invention configured as described above will be described in more detail with reference to an embodiment of the accompanying drawings.
도 3은 본 발명 반도체 트랙장비용 온도측정장치의 센서고정구조를 개략적으로 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 본 발명은 실제사용되는 웨이퍼와 동일크기와 재질로된 시험용 웨이퍼(11)에 수개의 열감지센서(12)가 설치되어 있고, 그 열감지센서(12)들은 각각 와이어(13)로 검출온도 디스플레이어(14)에 연결되어 있으며, 그 열감지센서(12)들은 각각 에폭시(15)로 감싸도록 몰딩되어 있는 구성은 종래와 유사하다.3 is a cross-sectional view schematically showing a sensor fixing structure of a temperature measuring device for semiconductor track equipment according to the present invention. As shown in the drawing, the present invention provides several test wafers 11 of the same size and material as the wafers actually used. The heat sensor 12 is installed, and the heat sensor 12 is connected to the detection temperature display 14 by wire 13, respectively, the heat sensor 12 is each epoxy (15) The configuration molded to wrap with is similar to the conventional.
여기서, 상기 열감지센서(12)들은 상기 시험용 웨이퍼(11)의 상면에 입구(a)보다 저면(b)이 크게 형성된 요홈(11a)들의 저면에 각각 위치되어 있고, 그 열감지센서(12)들을 감싸도록 요홈(11a)에 에폭시(15)를 주입하여 몰딩되어 있다.Here, the thermal sensors 12 are respectively located on the bottoms of the recesses 11a having the bottom surface b larger than the inlet a on the upper surface of the test wafer 11, and the thermal sensors 12. It is molded by injecting epoxy (15) into the groove (11a) to surround them.
상기와 같이 구성되어 있는 본 발명이 적용된 온도측정장치의 작용효과는 종래와 유사하다.The operation and effect of the temperature measuring device to which the present invention configured as described above is applied are similar to the prior art.
즉, 웨이퍼를 베이크하는 오븐의 내측에 설치되어 있는 핫 플레이트의 상면에 시험용 웨이퍼(11)를 위치시키고, 오븐을 실제 사용하는 조건과 동일하게 셋팅하여 핫 플레이트가 가열되도록 한 다음, 일정온도로 가열되는 핫 플레이트에 접촉되어 있는 시험용 웨이퍼(11)가 가열되도록 하고, 그 가열된 시험용 웨이퍼(11)의 상면에 설치된 열감지센서(12)들에 의하여 온도가 측정이 되도록 하여, 그 측정된 온도가 각각 와이어(13)로 연결된 검출온도 디스플레이어(14)에 디스플레이되도록 함으로써 핫 플레이트의 가열온도를 추정하게 된다.That is, the test wafer 11 is placed on the upper surface of the hot plate installed inside the oven for baking the wafer, and the hot plate is heated by setting the oven in the same condition as the actual use, and then heated to a constant temperature. The test wafer 11 in contact with the hot plate is heated, and the temperature is measured by the heat detection sensors 12 installed on the upper surface of the heated test wafer 11, so that the measured temperature is The heating temperature of the hot plate is estimated by being displayed on the detection temperature display 14 connected to each of the wires 13.
여기서, 상기 저면(b) 보다 입구(a)가 작게 형성된 요홈(11a)에 주입된 에폭시(15)는 요홈(11a)의 내측에 주입되어 굳어 있기 때문에 에폭시(15)가 시험용 웨이퍼(11)에서 떨어지는 일이 발생되지 않는다.In this case, since the epoxy 15 injected into the recess 11a in which the inlet a is smaller than the bottom surface b is injected into the recess 11a and hardened, the epoxy 15 is hardened in the test wafer 11. Falling does not happen.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명 온도측정장치의 시험용 웨이퍼에 요홈을 형성하는 일실시예를 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 도 4a에 도시된 바와 같이 포토레지스트(20)가 도포된 소재 웨이퍼(21)의 상측에 마스크(22)를 위치시키고, 마스크(22)의 상측에서 빛(23)을 쪼여서 노광을 실시하고, 도 4b에 도시된 바와 같이 현상하여 노광된 포토레지스트(20)의 일정부분을 제거한다. 그런 다음, 도 4c에 도시된 바와 같이 에칭을 실시하여 소재 웨이퍼(21)의 상면에 일정 깊이의 요홈(11a)들을 형성한 다음, 도 4d와 같이 피알 스트립(P/R STRIP)을 실시하여 소재 웨이퍼(21)의 상면에 도포되어 있는 잔류 포토레지스트(20)를 제거함으로서 시험용 웨이퍼(11)를 제조하게 된다.4A to 4D are cross-sectional views showing an embodiment of forming grooves in a test wafer of the temperature measuring device of the present invention. As shown in FIG. 4A, a material wafer coated with a photoresist 20 as shown in FIG. The mask 22 is positioned on the upper side of the mask 21, the light 23 is extruded on the upper side of the mask 22, and exposed, and as shown in FIG. 4B, a constant of the exposed photoresist 20 is exposed. Remove the part. Then, etching is performed as shown in FIG. 4C to form grooves 11a having a predetermined depth on the top surface of the material wafer 21, and then P / R STRIP is performed as shown in FIG. 4D. The test wafer 11 is manufactured by removing the residual photoresist 20 applied on the upper surface of the wafer 21.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명 반도체 트랙장비용 온도측정장치의 센서고정구조는 시험용 웨이퍼의 상면에 입구가 저면 보다 작은 일정깊이의 요홈을 수개형성하고, 그 요홈들의 저면에 각각 열감지센서를 위치시킨 다음, 에폭시를 요홈의 내측에 주입하여 열감지센서들을 고정시킴으로써, 장기간 반복사용시 시험용 웨이퍼와 에폭시의 열팽창율의 차이에 의하여 에폭시가 떨어지는 것을 방지하게 되고, 따라서 열감지센서들이 시험용 웨이퍼에서 떨어진 상태로 온도측정이 이루어지는 경우가 발생되는 것을 근본적으로 방지하게 됨으로써, 항상 정확한 온도측정을 실시할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the sensor fixing structure of the temperature measuring device for semiconductor track equipment of the present invention forms a plurality of grooves having a predetermined depth smaller than the bottom surface of the entrance wafer on the upper surface of the test wafer, and a thermal sensor is formed on the bottom surfaces of the grooves, respectively. After positioning, the epoxy is injected into the groove to fix the thermal sensors, which prevents the epoxy from falling off due to the difference in thermal expansion between the test wafer and the epoxy during prolonged use, so that the thermal sensors are separated from the test wafer. By fundamentally preventing the occurrence of the temperature measurement in the state, there is an effect that can always perform accurate temperature measurement.
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Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| KR101369702B1 (en) * | 2010-09-13 | 2014-03-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Method for pre-heating probe card |
| KR101379149B1 (en) * | 2012-02-29 | 2014-03-28 | 주식회사 엘지실트론 | Temperature measuring device, heat treatment device for wafer and method of heat treatment of wafer |
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1998
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