KR19990051405A - 보우트 링 폭이 확장된 웨이퍼 보우트 - Google Patents

Abstract

보우트 링(boat ring)의 폭이 확장되어 반도체 웨이퍼 보우트에 관하여 개시한다. 반도체 웨이퍼 보우트는 반도체 제조 공정에 사용되는 반도체 웨이퍼 보우트의 보우트 링이 소정 간격 더 확장되어 구비된 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 반도체 웨이퍼 보우트는 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 공정에서 사용되며, 특히 고온산화막(HTO)을 형성하기 위한 공정에서 사용되는 것이 바람직하다. 이로써, 증착 소오스 가스(source gas)를 반도체 웨이퍼의 중앙부로 보다 충실하게 안내하여 반도체 웨이퍼 상부에 증착되는 물질층의 두께를 균일하게 형성할 수 있으며, 증가된 보우트 링에 의하여 반도체 웨이퍼의 후면이 상당부분 차폐되어 불필요하게 반도체 웨이퍼 후면에 물질이 증착되는 것을 방지함으로써, 증착 소오스 가스의 손실을 줄일 수 있는 등 반도체 제조 공정의 공정 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

보우트 링 폭이 화장된 웨이퍼 보우트

본 발명은 반도체 웨이퍼 보우트에 관한 것으로서, 특히 보우트 링(boat ring)의 폭이 확장되어 반도체 웨이퍼 보우트에 관한 것이다.

이하에서 종래의 반도체 웨이퍼 보우트에 관하여 첨부도면을 참조하여 설명하고 그 문제점을 살펴보기로 한다.

도 1은 종래의 반도체 웨이퍼 보우트에 관한 측면도이다.

도 1에 따르면, 반도체 웨이퍼 보우트의 가장자리에는 보우트 링(10)이 구비되며, 그 상부에 보우트 암(boat arm)이 구비되어 반도체 웨이퍼(12)를 수평적으로 지지한다. 이때, 반도체 웨이퍼(12)의 직경이 보우트 링(10)의 직경과 거의 일치되게 형성되어 있다. 보우트 링(10)의 폭은 두 가지 부호로 도시하였지만, 이들은 보우트 암이 복수 개인 경우 그 단면 구조에서 보우트 암을 지나는 곳의 보우트 링(10)의 폭(W1)과, 보우트 암이 없는 곳의 보우트 링(10)의 폭(W2)을 구별하여 도시하였지만, 두 폭(W1과 W2)은 상호 같다. 반도체 웨이퍼(12) 상부에 소정의 물질층, 예컨대 저압 화학 기상 증착에 의한 고온산화막(HTO)을 증착하는 경우에 반도체 웨이퍼(12)를 지지하는 웨이퍼 보우트를 공정 쳄버 내부에 장착한 후, 목적하는 물질층에 상응하는 증착 소오스 가스를 공정 쳄버 내부에 주입한다. 이때, 주입된 증착 소오스 가스(14)는 복수 개의 반도체 웨이퍼(12)를 각각 지지하는 웨이퍼 보우트 상에서 증착이 진행되며, 이러한 공정은 배치 공정의 대표적인 유형이다. 이때, 수직적으로 나란하게 배열 장착된 웨이퍼 보우트 상에 지지된 반도체 웨이퍼(12)에 물질층이 증착되는 경우 반도체 웨이퍼(12) 가장자리에 비하여 중앙부가 물질층이 적게 증착되어 중심부가 함몰된 형태의 물질층 형성이 이루어진다. 반도체 웨이퍼(12) 상부의 증착 물질층은 그 위치에 관계없이 균일한 두께로 증착되어야 바람직하므로 이러한 결과를 제공하는 원인을 제거하여야 한다.

반도체 웨이퍼(12) 상부의 물질층의 균일한 증착을 실현하기 위하여 살펴본 여러 원인 중의 하나가 웨이퍼 보우트의 보우트 링이 반도체 웨이퍼(12) 중심부에서 너무 멀리 떨어져 구비됨으로 증착 소오스 가스가 반도체 웨이퍼(12)의 가장자리에는 쉽게 접근할 수 있는 반면, 중심부에는 그 접근이 상대적으로 어려워 물질층의 증착 두께가 얇게 형성된다는 것을 알았다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전술한 반도체 웨이퍼 상에 증착되는 물질층의 두께를 가장자리와 중심부의 위치에 관계없이 균일하게 증착하는데 있으며, 이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 반도체 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 보우트를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.

도 1은 종래의 반도체 웨이퍼 보우트에 관한 측면도이다.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 보우트의 일 실시예에 관한 측면도이다.

전술한 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제를 달성하기 위한 반도체 웨이퍼 보우트는 반도체 제조 공정에 사용되는 반도체 웨이퍼 보우트의 보우트 링이 소정 간격 더 확장되어 구비된 것을 특징으로 한다.

이때, 상기 반도체 웨이퍼 보우트는 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 공정에서 사용되며, 특히 고온산화막(HTO)을 형성하기 위한 공정에서 사용되는 것이 바람직하다.

이하, 본 발명의 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 이하의 도면을 참조한 설명은 본 발명의 실시예들은 본 발명과 관련한 산업기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 도면상에서 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어진 것이다. 도면상에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 또한 어떤 층이 다른 층 또는 기판의 "상부"에 있다라고 기재된 경우, 상기 어떤 층이 상기 다른 층 또는 기판의 상부에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 층이 개재되어질 수도 있다.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 보우트의 일 실시예에 관한 측면도이다.

도 2에 따르면, 반도체 웨이퍼 보우트의 가장자리에는 보우트 링(20)이 구비되며, 그 상부에 보우트 암이 구비되어 반도체 웨이퍼(22)를 수평적으로 지지한다. 이때, 보우트 링(20)의 직경이 반도체 웨이퍼(22)의 직경보다 작게 형성하는 것이 본 발명의 핵심이다. 이를 위하여 종래의 보우트 링(도 1의 10)의 폭(W1, W2)에 비하여 더 큰 폭(W3, W4)을 갖도록 형성된 보우트 링(20)을 구비한다. 한편, 보우트 링(20)의 폭은 두 가지 부호로 도시하였지만, 이들은 보우트 암이 복수 개인 경우 그 단면 구조에서 보우트 암을 지나는 곳의 보우트 링(20)의 폭(W3)과, 보우트 암이 없는 곳의 보우트 링(20)의 폭(W4)을 구별하여 도시하였지만, 두 폭(W3과 W4)은 상호 같다. 이렇게 보우트 링(20)의 폭이 증가된 정도(W5, W6)만큼 상대적으로 반도체 웨이퍼(20) 내부 깊숙이 까지 증착 소오스 가스(24)를 유도할 수 있으므로 반도체 웨이퍼(20) 상부의 증착 물질층의 함몰 현상이 억제될 수 있다. 마찬가지로 보우트 링(20)의 증가 폭(W5, W6)은 상호 다른 부호로 각각 도시되었지만, 실질은 보우트 링(20)의 폭(W3, W4)에서 설명한 것과 마찬가지 이유로 설명된다. 한편, 보우트 링(20)의 폭이 증가되면, 반도체 웨이퍼(22)의 후면에 불필요하게 물질층이 증착되는 것을 방지할 수도 있다.

이상의 첨부 도면을 참조하여 설명한 본 발명의 실시예들은 최적의 실시예들이다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 상세하게 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용한 것이 아니다.

전술한 본 발명에 따른 그 폭이 확장된 보우트 링을 구비한 반도체 웨이퍼 보우트는 증착 소오스 가스를 반도체 웨이퍼의 중앙부로 보다 충실하게 안내하여 반도체 웨이퍼 상부에 증착되는 물질층의 두께를 균일하게 형성할 수 있으며, 증가된 보우트 링에 의하여 반도체 웨이퍼의 후면이 상당부분 차폐되어 불필요하게 반도체 웨이퍼 후면에 물질이 증착되는 것을 방지함으로써, 증착 소오스 가스의 손실을 줄일 수 있는 등 반도체 제조 공정의 공정 효율을 향상시킬 수 있다.

Claims (3)

1. 반도체 제조 공정에 사용되는 반도체 웨이퍼 보우트의 보우트 링이 소정 간격 더 확장되어 구비된 것을 특징으로 하는 보우트 링이 확장된 반도체 웨이퍼 보우트.
2. 제1 항에 있어서,

   상기 반도체 웨이퍼 보우트는 저압 화학 기상 증착 공정에서 사용되는 것을 특징으로 하는 보우트 링이 확장된 반도체 웨이퍼 보우트.
3. 제1 항에 있어서,

   상기 반도체 웨이퍼 보우트는 반도체 웨이퍼 상부에 고온산화막을 형성하기 위한 공정에서 사용되는 것을 특징으로 하는 보우트 링이 확장된 반도체 웨이퍼 보우트.