KR19990050160A

KR19990050160A - Photolithography device for semiconductor device manufacturing

Info

Publication number: KR19990050160A
Application number: KR1019970069223A
Authority: KR
Inventors: 이동원
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1997-12-16
Filing date: 1997-12-16
Publication date: 1999-07-05

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 히팅시 온도의 균일도를 개선시킨 반도체소자 제조용 사진식각장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photolithography apparatus for manufacturing a semiconductor device having improved temperature uniformity during heating of a wafer.

본 발명은, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 안착시켜 소정의 온도로 상기 웨이퍼를 히팅시킬 수 있는 하부핫플레이트; 상기 하부핫플레이트를 관통하는 홀에 삽입되어 상승 및 하강의 수행으로 상기 웨이퍼를 하부핫플레이트로 이송시키는 이송부; 및 상기 웨이퍼의 이송시 상기 웨이퍼를 히팅시킬 수 있도록 핫플레이트가 구비되는 상부커버를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.The present invention includes a lower hot plate capable of heating the wafer at a predetermined temperature by seating a wafer coated with a photoresist; A transfer part inserted into a hole passing through the lower hot plate to transfer the wafer to the lower hot plate by performing an up and down; And an upper cover provided with a hot plate to heat the wafer during transfer of the wafer.

따라서, 웨이퍼를 히팅시키는 온도를 균일하게 유지하여 이로 인한 불량을 최소화시킴으로써 반도체소자의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.Therefore, by maintaining the temperature for heating the wafer uniformly, thereby minimizing defects, the reliability of the semiconductor device is improved.

Description

Photolithography device for semiconductor device manufacturing

본 발명은 반도체소자 제조용 사진식각장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼(Wafer)의 히팅(Heating)시 온도의 균일도를 개선시킨 반도체소자 제조용 사진식각장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photolithography device for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a photolithography device for manufacturing a semiconductor device having improved temperature uniformity during heating of a wafer.

일반적으로 반도체소자는 웨이퍼 상에 소정의 막을 형성시킨 후, 상기 소정의 막을 소정의 패턴(Pattern)으로 형성시킴으로써 제조된다.Generally, a semiconductor device is manufactured by forming a predetermined film on a wafer and then forming the predetermined film in a predetermined pattern.

여기서 상기 소정의 패턴의 형성은 주로 포토레지스트(Photo Resist)를 이용한 사진식각공정을 수행으로 이루어진다.The predetermined pattern is mainly formed by performing a photolithography process using a photoresist.

이러한 사진식각공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포시키는 도포공정, 상기 포토레지스트를 노광시키는 노광공정 및 상기 포토레지스트를 현상시키는 현상공정 등으로 이루어진다.The photolithography process includes a coating step of applying a photoresist on a wafer, an exposure step of exposing the photoresist, a developing step of developing the photoresist, and the like.

여기서 상기 사진식각공정의 수행에서는 상기 웨이퍼를 안착시켜 소정의 온도로 히팅시킬 수 있는 핫플레이트(Hot Plate)를 주로 이용한다.Here, in performing the photolithography process, a hot plate capable of heating the wafer to a predetermined temperature is mainly used.

즉, 상기 핫플레이트를 이용하여 웨이퍼를 소정의 온도로 히팅시킴으로써 상기 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트에 함유되어 있는 솔밴트(Solvent) 등을 제거시키는 것이다.That is, by heating the wafer to a predetermined temperature by using the hot plate, a solvent or the like contained in the photoresist applied on the wafer is removed.

여기서 상기 솔밴트 등의 제거를 위한 웨이퍼의 히팅시 온도의 균일도가 유지되어야 하고, 상기 소정의 패턴이 미세화되어가는 최근의 반도체소자의 제조에서는 상기 온도의 균일도의 유지는 중요한 요소로 작용한다.In this case, the temperature uniformity must be maintained during heating of the wafer for removal of the solvent, and the maintenance of the temperature uniformity is an important factor in the manufacture of semiconductor devices in which the predetermined pattern becomes fine.

그러나 종래의 핫플레이트가 구비되는 사진식각장치는 상기 웨이퍼를 핫플레이트로 이송시킬 수 있는 이송부 및 상기 이송부가 위치하는 핫플레이트의 홀(Hole)의 사이즈(Size) 등으로 인해 열전도율이 저하되는 결함이 있었다.However, in the conventional photolithography apparatus having a hot plate, a defect in which thermal conductivity is lowered due to a transfer unit capable of transferring the wafer to a hot plate and a size of a hole of a hot plate in which the transfer unit is located, and the like. there was.

이에 따라 종래의 핫플레이트가 구비되는 사진식각장치는 공정의 수행시 열전도율의 저하로 인하여 상기 온도의 균일도의 유지가 용이하지 않았고, 이로 인해 불량이 빈번하게 발생하였다.Accordingly, the photolithography apparatus equipped with the conventional hot plate was not easy to maintain the uniformity of the temperature due to the decrease in the thermal conductivity during the process of the process, thereby causing frequent defects.

따라서 종래에는 사진식각공정의 수행시 웨이퍼를 히팅시키는 온도의 균일도의 균일한 유지가 용이하지 않아 이로 인한 빈번한 불량의 발생으로 반도체소자의 신뢰도가 저하되는 문제점이 있었다.Therefore, conventionally, it is not easy to uniformly maintain the uniformity of the temperature for heating the wafer when performing the photolithography process, and thus there is a problem in that reliability of the semiconductor device is lowered due to frequent defects.

본 발명의 목적은, 사진식각공정의 수행시 웨이퍼를 히팅시키는 온도의 균일한 유지를 통하여 불량을 최소화시킴으로써 반도체소자의 신뢰도를 향상시키기 위한 반도체소자 제조용 사진식각장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a photolithography apparatus for manufacturing a semiconductor device for improving reliability of a semiconductor device by minimizing defects through uniform maintenance of a temperature for heating a wafer when performing a photolithography process.

도1은 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 사진식각장치의 일 실시예를 나타내는 모식도이다.1 is a schematic diagram showing an embodiment of a photolithography apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing

10 : 하부핫플레이트 12 : 이송부10: lower hot plate 12: transfer unit

14 : 상부커버 W : 웨이퍼14: top cover W: wafer

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 사진식각장치는, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 안착시켜 소정의 온도로 상기 웨이퍼를 히팅시킬 수 있는 하부핫플레이트; 상기 하부핫플레이트를 관통하는 홀에 삽입되어 상승 및 하강의 수행으로 상기 웨이퍼를 하부핫플레이트로 이송시키는 이송부; 및 상기 웨이퍼의 이송시 상기 웨이퍼를 히팅시킬 수 있도록 핫플레이트가 구비되는 상부커버를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a photolithography apparatus for manufacturing a semiconductor device, the lower hot plate capable of heating a wafer at a predetermined temperature by mounting a photoresist-coated wafer; A transfer part inserted into a hole passing through the lower hot plate to transfer the wafer to the lower hot plate by performing an up and down; And an upper cover provided with a hot plate to heat the wafer during transfer of the wafer.

상기 이송부는 하부핫플레이트의 열손실을 감소시켜 온도산포를 줄일 수 있도록 그 폭을 1.5mm 이하로 형성시키는 것이 바람직하다.The conveying unit is preferably formed to the width of less than 1.5mm to reduce the temperature spread by reducing the heat loss of the lower hot plate.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼(W)를 안착시켜 소정의 온도로 상기 웨이퍼(W)를 히팅시킬 수 있는 핫플레이트인 하부핫플레이트(Lower Hot Plate)(10)가 구비되어 있는 상태를 나타낸다.First, a state in which a lower hot plate 10, which is a hot plate capable of seating a wafer W coated with a photoresist and heating the wafer W at a predetermined temperature, is provided.

그리고 상기 웨이퍼(W)를 하부핫플레이트(10)로 이송시킬 수 있는 이송부(12)가 구비되어 있는 상태를 나타낸다.In addition, the transfer part 12 capable of transferring the wafer W to the lower hot plate 10 is shown.

여기서 상기 이송부(12)는 상기 하부핫플레이트(10)를 관통하는 홀에 삽입되어 상승 및 하강의 기능을 수행함으로써 상기 웨이퍼(W)를 하부핫플레이트(10)로 이송시켜 안착시킬 수 있다.Here, the transfer part 12 may be inserted into a hole penetrating the lower hot plate 10 to perform a function of raising and lowering to transfer the wafer W to the lower hot plate 10 to be seated.

본 발명은 상기 이송부(12)의 사이즈 즉, 상기 이송부(12)의 폭을 1.5mm 이하로 형성시킬 수 있고, 실시예에서는 상기 이송부(12)의 폭을 1mm로 형성시킨다.According to the present invention, the size of the transfer part 12, that is, the width of the transfer part 12 may be formed to 1.5 mm or less, and in the embodiment, the width of the transfer part 12 is formed to 1 mm.

여기서 상기 이송부(12)의 폭의 사이즈의 결정은 상기 이송부(12)가 삽입되는 홀 즉, 하부핫플레이트(10)에 형성시키는 홀의 사이즈를 결정짓는 요소로 작용한다.The determination of the size of the width of the transfer part 12 serves as an element for determining the size of the hole into which the transfer part 12 is inserted, that is, the hole formed in the lower hot plate 10.

이에 따라 상기 이송부(12)의 상승 및 하강에 지장을 초래하지 않는 범위에서 상기 이송부(12)가 삽입되는 하부핫플레이트(10)의 홀의 사이즈를 본 발명에 종사하는 자가 용이하게 결정할 수 있다.Accordingly, the person who is engaged in the present invention can easily determine the size of the hole of the lower hot plate 10 into which the transfer part 12 is inserted in a range that does not interfere with the rise and fall of the transfer part 12.

그리고 본 발명은 상기 하부핫플레이트(10)가 구비되는 사진식각장치의 상부커버(Upper Cover)(14) 또한 상기 웨이퍼(W)의 이송시 상기 웨이퍼(W)를 히팅시킬 수 있도록 핫플레이트로 구비시킬 수 있다.In addition, the present invention includes an upper cover 14 of the photolithography apparatus in which the lower hot plate 10 is provided, and a hot plate to heat the wafer W when the wafer W is transferred. You can.

이러한 구성으로 이루어지는 본 발명의 사진식각장치를 이용한 웨이퍼(W)의 히팅시 그 온도를 균일하게 유지시킬 수 있다.When heating the wafer W using the photolithography apparatus of the present invention having such a configuration, the temperature can be kept uniform.

이에 따라 본 발명의 구성으로 이루어지는 사진식각장치를 이용한 공정 즉, 상기 포토레지스트를 도포시키는 공정을 수행한 후 이루어지는 소프트베이크공정(Soft Bake Process) 또는 노광공정을 수행한 후 이루어지는 포스트익스포져베이크공정(Post Exposure Bake Process) 등의 수행시 상기 포토레지스트에 함유되어 있는 솔밴트를 균일하게 제거시킬 수 있다.Accordingly, a post exposure bake process performed after performing a soft bake process or an exposure process performed after the process using the photolithography apparatus of the present invention, that is, the process of applying the photoresist. Exposure Bake Process) can be evenly removed the solvent contained in the photoresist.

따라서 본 발명은 현상공정의 수행으로 형성되는 포토레지스트의 패턴의 균일도를 향상시킬 수 있다.Therefore, the present invention can improve the uniformity of the pattern of the photoresist formed by performing the developing process.

본 발명은 상기 이송부(12)의 폭의 사이즈를 감소시키고, 이에 따라 상기 이송부(12)가 삽입되는 하부핫플레이트(10)의 홀의 사이즈 또한 감소시킬 수 있으며, 상부커버(14)를 핫플레이트로 형성시킴으로써 상기 웨이퍼(W)의 히팅시 그 온도를 균일하게 유지시킬 수 있다.The present invention can reduce the size of the width of the transfer portion 12, thereby reducing the size of the hole of the lower hot plate 10 into which the transfer portion 12 is inserted, the upper cover 14 as a hot plate By forming the wafer W, the temperature thereof may be maintained uniformly during heating.

따라서 본 발명은 상기 웨이퍼(W)의 히팅시 상기 웨이퍼(W) 상에 도포시킨 포토레지스트의 솔밴트 등을 균일하게 제거시킬 수 있고, 또한 레진(Resin)과의 반응을 균일하게 유지시킬 수 있음으로 인하여 패턴으로 형성되는 포토레지스트의 프로파일(Profile) 등을 향상시킬 수 있다.Therefore, the present invention can uniformly remove the solvent and the like of the photoresist applied on the wafer W when the wafer W is heated, and also maintain the reaction with the resin uniformly. As a result, a profile of the photoresist formed as a pattern may be improved.

특히, 미세화되어가는 패턴 또는 대구경화되어가는 최근의 반도체소자의 제조에 적절하게 응용할 수 있다.In particular, the present invention can be suitably applied to the manufacture of semiconductor devices having a finer pattern or a larger diameter.

즉, 본 발명은 상기 이송부(12)의 폭의 사이즈의 축소 및 핫플레이트로 형성시키는 상부커버(14) 등을 이용함으로써 웨이퍼(W)의 히팅시 그 온도의 균일도를 용이하게 유지할 수 있다.That is, the present invention can easily maintain the uniformity of the temperature during heating of the wafer W by using the size of the width of the transfer part 12 and the upper cover 14 formed by a hot plate.

따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼를 히팅시키는 온도를 균일하게 유지하여 이로 인한 불량을 최소화시킴으로써 반도체소자의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the temperature of heating the wafer is uniformly maintained, thereby minimizing the defects, thereby improving the reliability of the semiconductor device.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.

Claims

A lower hot plate capable of seating a wafer coated with photoresist and heating the wafer at a predetermined temperature;

A transfer part inserted into a hole penetrating the lower hot plate and transferring the wafer to the lower hot plate by performing an up and down; And

An upper cover provided with a hot plate to heat the wafer during transfer of the wafer;

Photolithography device for manufacturing a semiconductor device, characterized in that comprises a.

The method of claim 1,

The transfer part is a photolithography device for producing a semiconductor device, characterized in that to form a width of less than 1.5mm.