KR19990039039A - 반도체 노광장비의 포커스 측정방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 노광장비의 포커스 측정방법에 관한 것으로, 종래에는 직전 노광한 부분의 1샷의 사선방향과 현재 노광할 부분의 1샷의 사선방향 5점을 포커싱하여 평균값으로 설정치와 비교하므로, 로칼 디포커스 및 웨이퍼 기울어짐 등이 정확히 검출되지 못하는 문제점이 있었다. 본 발명 반도체 노광장비의 포커스 측정방법은 1샷의 4모서리부분과 중앙부분을 각각 비교하여 설정치를 벗어나는 경우에 작업자에게 에러 메시지를 발생시키도록 함으로써, 웨이퍼의 로칼 디포커스 감지율이 향상되고, 웨이퍼의 기울어진 상태가 정확히 측정되어 포커싱 불량에 의하여 후공정에서 패턴형성불량이 발생되는 것을 방지하게 되는 효과가 있다.

Description

반도체 노광장비의 포커스 측정방법

본 발명은 반도체 노광장비의 포커스 측정방법에 관한 것으로, 특히 정확한 포커싱이 이루어지도록 하여, 후공정에서 패턴형성불량이 발생되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 노광장비의 포커스 측정방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 웨이퍼 제조공정 중 노광공정에서는 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)에 칩(2)이 6개에 해당하는 1샷(3) 단위로 마스크의 패턴을 노광하게 되며, 노광을 실시하기 위해서는 노광을 실시할 부분의 포커싱 작업을 실시하게 된다.

도 2는 종래 노광장비의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 평면도로서, 도시된 바와 같이, 먼저, 바로 전 노광된 부분의 1샷(3)에 해당하는 부분이 좌측에서 우측방향의 사선방향으로 다섯 포인트(A, B, C, D, E)의 포커스 평균값()과, 현재 측정된 1샷(3')에 해당하는 사선방향의 다섯 포인트(a, b, c, d, e) 포커스 평균값()의 차이를 계산하여, 그 값이 설정치 이하이면 노광을 실시하고, 그 값이 설정치 이상이면 장비에 이상발생 메시지를 띄워서 작업자에게 알리는 방법으로 포커싱이 이루어진다.

그러나, 상기와 같은 종래 포커스 측정방법은 다섯 포인트의 평균값 차이를 비교하므로, 웨이퍼(1)의 하면에 이물질이 존재하여 발생되는 로칼 디포커스의 감지율이 떨어지는 문제점이 있었다. 또한, 좌측에서 우측의 사선방향으로의 포커싱 측정이 정확하게 이루어지지 못하여 포커싱불량에 의한 패턴형성불량을 초래하는 문제점이 있었다.

본 발명의 주목적은 상기와 같은 여러 문제점을 갖지 않는 반도체 노광장비의 포커스 측정방법을 제공함에 있다.

본 고안의 다른 목적은 로칼 디포커스의 감지율을 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 노광장비의 포커스 측정방법을 제공함에 있다.

본 고안의 또 다른 목적은 1샷의 전면을 포커싱하여 웨이퍼의 기울어짐에 의한 포커싱 불량을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 노광장비의 포커스 측정방법을 제공함에 있다.

도 1은 일반적인 웨이퍼를 보인 평면도.

도 2는 종래 노광장비의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 평면도.

도 3은 본 발명 반도체 노광장비의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11 : 직전의 노광한 부분의 1샷12 : 현재 노광할 부분의 1샷

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 직전에 노광할 샷과 현재 노광할 샷의 4모서리 부분과 중앙 부분을 포커싱하고, 그 직전의 포커스 값과 현재의 포커스 값을 부분별 차이값을 검출하여, 그 차이값과 설정치를 비교하여 포커스의 이상 유, 무를 검출하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 포커스 측정방법이 제공된다.

이하, 상기와 같은 본 발명 반도체 노광장비의 포커스 측정방법을 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명 반도체 노광 장비의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 평면도로서, 도시된 바와 같이, 직전에 노광된 부분의 1샷(11)에 해당하는 부분의 4모서리 부분(A, B, C, D)과 중앙부분(E)의 포커스 값을 측정하여 기억하고, 현재 노광한 부분의 1샷(11')에 해당하는 부분의 4모서리 부분(a, b, c, d)과 중앙부분(e)의 포커스 값을 측정하여, 직전의 A측정점과 현재의 a측정점의 차이를 설정치와 비교하여 설정치를 벗어나면 이상발생 메시지를 작업자에게 알리는 방법으로 동일부위의 5포인트를 각각 비교하여 한곳이라도 설정치를 벗어나는 경우에 에러 메시지를 작업자에게 알리게 된다.

즉, 상기와 같은 측정 방법은 웨이퍼의 하면에 이물질이 존재하여 로칼 디포커스가 발생되는 곳의 검출이 용이하고, 또한, 4모서리 부분과 중앙부분을 부분적으로 비교하기 때문에 웨이퍼의 기울어진 상태를 감지하게 된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명 반도체 노광장비의 포커스 측정방법은 1샷의 4모서리부분과 중앙부분을 각각 비교하여 설정치를 벗어나는 경우에 작업자에게 에러 메시지를 발생시키도록 함으로써, 웨이퍼의 로칼 디포커스 감지율이 향상되고, 웨이퍼의 기울어진 상태가 정확히 측정되어 포커싱 불량에 의하여 후공정에서 패턴형성불량이 발생되는 것을 방지하게 되는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 직전에 노광한 샷과 현재 노광할 샷의 4모서리 부분과 중앙부분을 포커싱하고, 그 직전의 포커스 값과 현재의 포커스 값을 부분별 차이값을 검출하며, 그 차이값과 설정치를 비교하여 포커스의 이상 유,무를 검출하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 포커스 측정방법.