KR19990031196U - Printed Circuit Board of the Memory Module - Google Patents

Printed Circuit Board of the Memory Module Download PDF

Info

Publication number
KR19990031196U
KR19990031196U KR2019970043905U KR19970043905U KR19990031196U KR 19990031196 U KR19990031196 U KR 19990031196U KR 2019970043905 U KR2019970043905 U KR 2019970043905U KR 19970043905 U KR19970043905 U KR 19970043905U KR 19990031196 U KR19990031196 U KR 19990031196U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
memory
circuit board
printed circuit
memory module
signals
Prior art date
Application number
KR2019970043905U
Other languages
Korean (ko)
Inventor
임두용
이상선
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR2019970043905U priority Critical patent/KR19990031196U/en
Publication of KR19990031196U publication Critical patent/KR19990031196U/en

Links

Abstract

본 고안은 메모리가 장착되는 시스템의 고속화로 메모리모듈의 작동시 문제되는 메모리모듈과 시스템과간의 인터페이스와, 로딩, 전류구동능력 문제로 발생되는 속도의 저하를 방지할 수 있도록 한 메모리모듈의 인쇄회로기판에 관한 것으로, 다수개의 메모리소자가 장착될 수 있도록 다수개의 장착부가 형성되고 시스템으로부터 입력되는 신호와 각각 연결되어 이루어진 메모리모듈의 인쇄회로기판에 있어서, 시스템으로부터 입력되는 신호를 다수개의 동일한 신호로 분산시켜 메모리소자에 각각 연결하도록 하기 위한 레지스터를 더 포함하여 이루어져 고속화에 따른 메모리 로딩문제와 전류구동능력의 부족으로 인한 데이터간의 충돌을 방지할 수 있다.The present invention is designed to speed up the system in which the memory is mounted, and to prevent the degradation of the speed caused by the interface between the memory module and the system, and the loading and current driving capability, which are a problem in the operation of the memory module. A printed circuit board of a memory module, in which a plurality of mounting portions are formed and connected to signals input from a system, respectively, in order to mount a plurality of memory elements, wherein the signals input from the system are converted into a plurality of identical signals. It further includes a register for distributing and connecting the memory devices to the memory devices, thereby preventing collision between data due to memory loading problem and lack of current driving capability.

Description

메모리모듈의 인쇄회로기판Printed Circuit Board of the Memory Module

본 고안은 메모리모듈의 인쇄회로기판에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 메모리가 장착되는 시스템의 고속화로 메모리모듈의 작동시 문제되는 메모리모듈과 시스템과간의 인터페이스와, 로딩, 전류구동능력 문제로 발생되는 속도의 저하를 방지할 수 있도록 한 메모리모듈의 인쇄회로기판에 관한 것이다.The present invention relates to a printed circuit board of a memory module, and more particularly, due to a high speed of a system in which a memory is mounted, which is caused by an interface between a memory module and a system, and a loading and current driving capability problem. The present invention relates to a printed circuit board of a memory module capable of preventing a decrease in speed.

메모리는 컴퓨터, 통신시스템, 화상처리시스템 등에서 사용되는 데이타나 명령 등을 일시적 또는 영구적으로 저장하기 위하여 사용되는 것을 총칭하는 것으로써 대표적으로 반도체, 테이프, 디스크, 광학방식 등이 있는데 현재 반도체 메모리가 대부분을 차지하고 있다. 이런 반도체 메모리는 데이타 저장방식의 전기적 특성 등에 따라 구분되는 DRAM, SRAM, Flash Memory, ROM 등의 여러 종류가 있는데 이중 DRAM이 차지하는 비중이 가장 크다.Memory is a general term used to temporarily or permanently store data or instructions used in computers, communication systems, image processing systems, and the like, and is typically a semiconductor, tape, disk, or optical method. Occupies. There are many kinds of such semiconductor memories, such as DRAM, SRAM, Flash Memory, and ROM, which are classified according to electrical characteristics of a data storage method.

상기 DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 저장전위가 시간에 따라 변화하기 때문에 주기적으로 저장전위를 원래의 상태로 회복하기 위해 주기적인 리프레쉬동작이 필요하며, 캐패시터에 저장된 전하량이 데이타 판정기준이 되므로 읽기동작에서 이 전하량의 차이에 따른 전압 차이를 유기하고 이 전압차이를 감지 증폭하여 데이타를 출력하기 때문에 파괴된 저장 데이타를 다시 복구하여 셀에 저장시켜야 하는 동적인 특성을 갖고 있다.The DRAM (Dynamic Random Access Memory) requires a periodic refresh operation to restore the storage potential to its original state periodically because the storage potential changes with time, and the read operation because the amount of charge stored in the capacitor serves as a data determination criteria. Since the voltage difference is induced by the difference in the amount of charge, the voltage difference is sensed and amplified, and the data is output. Therefore, the destroyed stored data must be recovered and stored in the cell.

위와 같은 메모리를 실제적으로 시스템에 사용할 때는 모듈로 만들어서 생산되는 데 모듈(module)이라는 것은 하나의 기능을 가진 소자의 집합으로 인쇄회로기판(PCB)상에 여러 가지 반도체소자 등의 패키지장치가 탑재되어 다수의 접속핀인 탭에 의해 패널 등에 연결되어 설치된다.When the above memory is actually used in a system, it is produced by making it into a module. A module is a set of devices having a single function, and various packaging devices such as semiconductor devices are mounted on a printed circuit board (PCB). A plurality of connecting pins are connected to the panel and the like by tabs.

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)은 열어드레스의 취득, 데이터의 읽기, 출력 포트의 출력을 3단 파이프 라인으로 분담해 각각 클럭에 동기해서 처리할 수 있는 특징으로 갖는 DRAM이다.Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) is a DRAM that has a three-stage pipeline that divides open address acquisition, data readout, and output port output into a three-stage pipeline.

일반적인 DRAM은 열어드레스를 받은 후 출력이 종료될때까지 처리할 수 있는 데이터는 한 개뿐이였으나 SDRAM은 3단 파이프 라인으로 분담해 각각 클럭에 동기되어 처리되기 때문에 최초의 데이터 출력까지는 3클럭이 걸리지만 이후부터는 1클럭마다 출력이 가능하기 때문에 고속 액세스가 가능하다는 특징이 있다.In general DRAM, only one data can be processed after receiving the open dress until the output is terminated, but since SDRAM is divided into three stage pipelines and processed in synchronization with each clock, the first data output takes three clocks. After that, the output can be performed every one clock, so that high-speed access is possible.

도1은 일반적인 메모리모듈의 인쇄회로기판을 간략적으로 나타낸 도면으로서 168핀 100MHz 레지스터드 SDRAM DIMM의 인쇄회로기판을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a schematic view of a printed circuit board of a general memory module, and illustrates a printed circuit board of a 168-pin 100 MHz registered SDRAM DIMM.

도1에서 보는 바와 같이 인쇄회로기판(10) 상에 메모리소자(20)를 전면에 18개 후면에 18개를 장착할 수 있는 장착부(25)를 형성하고 메모리소자를 구동시키기 위한 각종신호와 데이터들이 시스템(미도시)과 접속되기 위한 탭(15)으로 이루어진다.As shown in FIG. 1, on the printed circuit board 10, 18 mounting elements 25 for mounting 18 on the front and 18 on the back are formed, and various signals and data for driving the memory device. Is made up of a tab 15 for connection with a system (not shown).

이와 같이 이루어진 메모리모듈은 시스템으로부터 전송되는 각종신호, 즉, 5개의 , , , , 14개의 ADDRESS, 8개의 DQ신호들이 시스템으로부터 들어와 36개의 메모리소자(20)에 각각 연결된다.The memory module configured as described above has various signals transmitted from the system, that is, five , , , Fourteen ADDRESS and eight DQ signals come from the system and are coupled to 36 memory elements 20, respectively.

이렇게 시스템으로부터 입력받은 1개의 신호가 36개의 메모리소자에 각각 연결되기 때문에 시스템과 메모리소자(20)간의 인터페이스의 속도가 100MHz이상으로 증가될 때 메모리 로딩의 문제나 고속동작으로 인해 제어신호에 정확하게 동기되어 동시에 5개의 , , , , 14개의 ADDRESS, 8개의 DQ신호들이 인에이블되거나 디스에이블되지 않기 때문에 각각의 메모리소자가 서로 다르게 동작되어 데이터간의 충돌이 발생하고 전류구동능력의 부족으로 고속동작이 불가능하다는 문제점이 있다.Since one signal input from the system is connected to 36 memory devices, when the speed of the interface between the system and the memory device 20 is increased to 100 MHz or more, the signal is correctly synchronized with the control signal due to memory loading problems or high-speed operation. Five at the same time , , , Since 14 ADDRESS and 8 DQ signals are not enabled or disabled, each memory device operates differently, resulting in a collision between data and a high speed operation due to a lack of current driving capability.

본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 고안의 목적은 시스템으로부터 입력되는 신호를 다수개의 동일한 신호로 분산시킬 수 있는 소자를 부가 장착하여 안정적인 신호로 메모리소자를 제어할 수 있도록 한 메모리모듈의 인쇄회로기판을 제공함에 있다.The present invention was created to solve the above problems, and an object of the present invention is to add a device capable of distributing a signal input from the system into a plurality of identical signals so that the memory device can be controlled with a stable signal. To provide a printed circuit board of a memory module.

도1은 일반적인 메모리모듈의 인쇄회로기판으로서 168핀 100MHz 레지스터드 SDRAM DIMM의 인쇄회로기판을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a printed circuit board of a 168-pin 100 MHz registered SDRAM DIMM as a printed circuit board of a general memory module.

도2는 본 고안에 의한 메모리모듈의 인쇄회로기판으로서 168핀 100MHz 레지스터드 SDRAM DIMM의 인쇄회로기판을 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a schematic view of a printed circuit board of a 168-pin 100 MHz registered SDRAM DIMM as a printed circuit board of the memory module according to the present invention.

도3은 도2에서 본 고안에 추가된 부분을 부분 확대하여 나타낸 도면이다.3 is a partially enlarged view of a portion added to the present invention in FIG.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawings-

10 : 기판 20 : 메모리소자10 substrate 20 memory element

30 : 레지스터 40 : PLL소자30: register 40: PLL element

상기와 같은 목적을 이루기 위한 본 고안은 다수개의 메모리소자가 장착될 수 있도록 다수개의 장착부가 형성되고 시스템으로부터 입력되는 신호와 각각 연결되어 이루어진 메모리모듈의 인쇄회로기판에 있어서, 시스템으로부터 입력되는 신호를 다수개의 동일한 신호로 분산시켜 메모리소자에 각각 연결하도록 하기 위한 레지스터와, 상기 레지스터를 시스템클럭에 맞추어 동기되도록 하기 위한 PLL소자 를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is in the printed circuit board of the memory module formed with a plurality of mounting portions are formed so that a plurality of memory elements can be mounted and connected to each of the signals input from the system, the signal input from the system And a PLL element for distributing a plurality of identical signals to connect to each of the memory elements, and a PLL element for synchronizing the register with a system clock.

상기와 같이 이루어진 본 고안의 작동을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention made as described above are as follows.

시스템으로부터 입력되는 신호는 먼저 레지스터로 입력되어 다수개의 동일한 신호를 출력하게 되는데 이 신호를 메모리모듈에 장착되는 다수개의 각 메모리소자에 연결되어 시스템으로부터 입력되는 클럭에 따라 동기되어 입력신호를 안정적으로 각 메모리소자에 공급하게 된다.The signal input from the system is first inputted to a register to output a plurality of identical signals. The signals are connected to a plurality of memory elements mounted in the memory module and synchronized with the clock input from the system to stably input the input signals. Supply to the memory device.

이하, 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 고안의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이며 종래 구성과 동일한 부분은 동일한 부호 및 명칭을 사용한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, the present embodiment is not intended to limit the scope of the present invention, but is presented by way of example only and the same parts as the conventional configuration using the same reference numerals and names.

도2는 본 고안에 따른 실시예로서 168핀 100MHz 레지스터드 SDRAM DIMM의 인쇄회로기판을 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a schematic view of a printed circuit board of a 168-pin 100 MHz registered SDRAM DIMM as an embodiment according to the present invention.

도2에 도시된 바와 같이 36개의 메모리소자(20)가 장착될 수 있는 36개의 장착부(25)가 형성되고 시스템(미도시)과 서로 접속하기 위한 탭(15)이 형성된다. 그리고 탭(15)을 통해 시스템으로부터 입력되는 모든 신호는 두 개의 레지스터(30)에 연결되고 레지스터(30)의 출력은 36개의 장착부(25)와 서로 연결된다. 그리고 시스템으로부터 입력받은 클럭신호를 레지스터(30)로 분산시키기 위한 PLL소자(40)가 설치되어 클럭신호에 따라 네 개의 레지스터(30)가 동기되어 입력신호를 출력시킬 수 있도록 한다.As shown in FIG. 2, thirty six mounting portions 25 into which thirty six memory elements 20 can be mounted are formed, and tabs 15 for connecting to a system (not shown) are formed. And all the signals input from the system through the tab 15 are connected to two registers 30 and the output of the register 30 is connected to each of the 36 mounting portions 25. In addition, a PLL element 40 for distributing the clock signal received from the system to the register 30 is provided so that four registers 30 may be synchronized with the clock signal to output the input signal.

네 개의 레지스터(30)는 하나의 신호를 입력받으면 동일한 신호를 4개 출력하는 1 TO 4 레지스터(30)를 사용하여 36개의 장착부(25)를 4개의 블록으로 나누어 9개씩 동시제어할 수 있도록 하였다. 즉, 본 실시예에서의 레지스터(30)는 9개의 신호를 입력받아 36개의 신호를 출력하는 레지스터(30)를 4개 사용하였다.Four registers (30) are divided into four blocks so that the 36 mounting units (25) can be controlled simultaneously by nine blocks using the 1 TO 4 register (30) that outputs four identical signals when one signal is input. . That is, the register 30 in this embodiment uses four registers 30 that receive nine signals and output 36 signals.

상기와 같이 이루어진 본 실시예의 작동을 상세하게 설명하기 위해 도2의 'A'부분을 확대한 도3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.In order to explain in detail the operation of the present embodiment made as described above with reference to Figure 3 is enlarged 'A' portion of Figure 2 as follows.

도3은 본 고안에 의해 추가된 레지스터의 연결상태를 나타낸 도면으로서 1번 어드레스(A1) 신호가 입력되면 출력으로 4개의 1번 어드레스(A1) 신호가 출력된다. 이 출력된 4개의 1번 어드레스(A1)신호는 첫 번째 블록(BL1)의 메모리소자(20)의 1번 어드레스핀(BA1)에 제1 1번 어드레스(1A1) 신호와 연결되고, 두 번째 블록(BL2)의 메모리소자(20)의 1번 어드레스핀(BA1)에 제2 1번 어드레스(2A1) 신호와 연결된다. 이와 동일하게 네 번째 블록(BL4)의 메모리소자(20)의 1번 어드레스핀(BA1)에 제4 1번 어드레스(4A1) 신호와 각각 연결된다.3 is a diagram illustrating a connection state of a register added by the present invention, when four address (A 1 ) signals are input, four address (A 1 ) signals are output as outputs. The four output first address A 1 signals are connected to the first address 1A 1 signal to the first address pin BA 1 of the memory device 20 of the first block BL1. The first address pin BA 1 of the memory device 20 of the second block BL2 is connected to the second first address 2A 1 signal. Similarly, the first address pin BA 1 of the memory device 20 of the fourth block BL4 is connected to the fourth address 4A 1 signal, respectively.

이와 같이 시스템으로부터 입력되는 5개의 , , , , 14개의 ADDRESS, 8개의 DQ신호들은 모두 4개의 레지스터(30) 입력단에 연결되어 출력되는 4개의 신호를 제1블록(BL1)과 제2블록(BL2)과 제3블록(BL3)과 제4블록(BL4)으로 각각 나누어서 연결하게 된다.In this way, five inputs from the system , , , , 14 ADDRESS and 8 DQ signals are connected to the inputs of the 4 registers 30 and the 4 signals outputted are the first block BL1, the second block BL2, the third block BL3, and the fourth signal. Each block is divided into blocks BL4.

그리고 4개의 레지스터(30)는 시스템으로부터 입력되는 클럭신호(CLK)와 동일하게 동기하도록 하기 위해 PLL소자(40)를 사용하여 입력클럭에 따라 동일하게 동기되도록 하였다.In order to synchronize the four registers 30 with the clock signal CLK inputted from the system, the four registers 30 are synchronized with the input clock using the PLL element 40.

상기한 바와 같이 본 고안은 시스템으로부터 입력되는 신호들을 몇 개의 신호를 분산시켜 몇 개의 블록으로 분할된 메모리모듈에 장착된 다수개의 메모리소자에 각각 연결되도록 함으로서 메모리모듈에 메모리소자의 장착 개수가 증가됨과 아울러 고속화됨에 따라 인터페이스를 위한 속도와 한 개의 신호로 다수개의 메모리소자를 제어하기 위한 메모리로딩의 문제나 전류구동능력의 부족으로 동기되지 않아 발생되는 데이터의 충돌을 방지할 수 있어 고속동작에 정확한 수행능력을 갖을 수 있다는 이점이 있다.As described above, the present invention distributes a number of signals from a system and connects them to a plurality of memory elements mounted in a memory module divided into several blocks, thereby increasing the number of mounting of memory elements in the memory module. In addition, due to the high speed, it is possible to prevent data collisions caused by the memory loading problem for controlling multiple memory devices with one signal and the lack of the current driving ability to prevent data collision caused by high speed operation. The advantage is that you have the ability.

Claims (2)

다수개의 메모리소자가 장착될 수 있도록 다수개의 장착부가 형성되고 시스템으로부터 입력되는 신호와 각각 연결되어 이루어진 메모리모듈의 인쇄회로기판에 있어서,In the printed circuit board of the memory module formed with a plurality of mounting portions are formed so that a plurality of memory elements can be mounted and connected to each of the signals input from the system, 상기 시스템으로부터 입력되는 신호를 다수개의 동일한 신호로 분산시켜 메모리소자에 각각 연결하도록 하기 위한 레지스터와,A register for distributing a signal input from the system into a plurality of identical signals and connecting the signals to the memory devices, respectively; 상기 레지스터를 시스템클럭에 맞추어 동기되도록 하기 위한 PLL소자PLL device for synchronizing the register with the system clock 를 더 포함하여 이루어진 것을 특징하는 메모리모듈의 인쇄회로기판.Printed circuit board of the memory module, characterized in that further comprises. 제1항에 있어서, 상기 레지스터는The method of claim 1, wherein the register is 한 개의 신호를 입력받아 4개의 동일한 신호를 출력하는 1 TO 4 레지스터인 것을 특징으로 하는 메모리모듈의 인쇄회로기판.The printed circuit board of the memory module, characterized in that the 1 TO 4 register to receive one signal and output four identical signals.
KR2019970043905U 1997-12-30 1997-12-30 Printed Circuit Board of the Memory Module KR19990031196U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019970043905U KR19990031196U (en) 1997-12-30 1997-12-30 Printed Circuit Board of the Memory Module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019970043905U KR19990031196U (en) 1997-12-30 1997-12-30 Printed Circuit Board of the Memory Module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990031196U true KR19990031196U (en) 1999-07-26

Family

ID=69696689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019970043905U KR19990031196U (en) 1997-12-30 1997-12-30 Printed Circuit Board of the Memory Module

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR19990031196U (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5802395A (en) High density memory modules with improved data bus performance
KR100335455B1 (en) Multiple-port semiconductor memory device
US6614700B2 (en) Circuit configuration with a memory array
EP1040404B1 (en) Method and apparatus for coupling signals between two circuits operating in different clock domains
US5283877A (en) Single in-line DRAM memory module including a memory controller and cross bar switches
US6496445B2 (en) Semiconductor memory device having altered clock frequency for address and/or command signals, and memory module and system having the same
US20020112119A1 (en) Dual-port buffer-to-memory interface
KR100301054B1 (en) Semiconductor memory device increasing transfer data rate of data input/output bus and memory module having the same
US7212053B2 (en) Measure-initialized delay locked loop with live measurement
KR100396885B1 (en) Semiconductor memory device lowering high frequency system clock signal for the use of operation frequency of address and command and receiving different frequency clock signals, memory module and system having the same
KR20000018316A (en) High speed synchronous memory system having dual port which is capable of improving graphic processing speed
KR0158489B1 (en) Discrimination method of semiconductor memory device
EP0831402A1 (en) Dynamically configuring timing to match memory bus loading conditions
KR19990031196U (en) Printed Circuit Board of the Memory Module
KR100549571B1 (en) Printed circuit board of a memory module
US5654934A (en) Semiconductor memory employing a block-write system
KR20010065689A (en) Memory module board for a notebook computer
KR100453949B1 (en) Operation control circuit of semiconductor device
KR20010065333A (en) Parallel extension test kit of a memory module
US5260909A (en) Memory with phase locked serial input port
KR19990030174U (en) Performance board for memory test
KR0150140B1 (en) Pin connector
KR100351448B1 (en) System for testing character of a pll device
KR20040017733A (en) Synchronous dynamic random access memory controller setting optimum latch timing
KR20010036200A (en) Continuity module of rambus dram module

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination