KR19990025193A - 입·출력 파워 플레인이 구분된 메모리 모듈 - Google Patents

Abstract

입·출력 파워 플레인이 구분된 반도체 메모리 모듈을 개시하고 있다. 본 발명에 따르면, 외부에서 인가되는 전원전압과, 상기 외부전원전압보다 낮은 전압에서 동작하는 메모리 소자에 입력되는 전원전압을 구별하기 위해, 시스템 전원전압보다 낮은 전압에서 동작하는 메모리 소자로 구성된 모듈의 인쇄회로기판을 고전압 입력 파워 플레인과 저전압 출력 파워 플레인으로 분리함으로써, 시스템으로부터 입력되는 고전압을 받아 원하는 저전압으로 변환하고, 메모리 소자에 공급하여 안정적인 동작 특성을 구현할 수 있다.

Description

입·출력 파워 플레인이 구분된 메모리 모듈

본 발명은 반도체 메모리 모듈에 관한 것으로, 특히 시스템 전원전압보다 낮은 전압에서 동작하는 메모리 소자로 구성되고, 입·출력 파워 플레인이 구분된 반도체 메모리 모듈에 관한 것이다.

현재 새로 개발되거나 최근 개발되어 사용하는 메모리 칩은 시스템에서 요구하는 저전력 소비를 구현하기 위해, 기존의 5V 전원에서 동작하던 메모리의 동작전압이 점차 낮은 전압으로 전환되고 있으며, 현재 1.5V에서 동작할 수 있는 메모리 칩이 등장하기에 이르렀다.

저전압에서 동작하는 시스템을 새로이 설계하는 경우에는 문제가 없지만, 기존의 5V에서 동작할 수 있도록 설계된 시스템에서는 메모리 확장을 하고자 할 때, 저전압에서 동작할 수 있는 메모리 칩과 전원이 서로 일치하지 않아 메모리를 확장하기가 어렵게 되었다. 즉, 3.3V로 동작하는 메모리 칩을 5V 전원을 사용하는 시스템에서 호환적으로 사용할 수 있는 방법을 모색할 필요가 있으며, 나아가 3.3V를 사용하는 시스템에서, 3.3V 이하의 전원전압에서 동작하는 메모리 칩으로 구성된 모듈로 메모리를 확장하여야 하는 경우에도 호환적으로 사용할 수 있는 방법이 필요하다.

본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는, 시스템 전원전압보다 낮은 전압에서 동작하는 메모리 소자가 안정적으로 동작할 수 있는 반도체 메모리 모듈을 제공하는 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 메모리 모듈의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.

도 2는 상기 도 1에 도시된 전원조절장치를 확대하여 도시한 도면이다.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 메모리 모듈은, 외부에서 인가되는 전원전압과, 상기 외부전원전압보다 낮은 전압에서 동작하는 메모리 소자에 입력되는 전원전압을 구별하기 위해, 고전압 입력 파워 플레인과 저전압 출력 파워 플레인으로 분리된 인쇄회로기판과, 상기 저전압 출력 파워 플레인 상에 설치된 복수개의 메모리 소자들과, 상기 메모리 소자들에 공급되는 전원전압을 적절히 제어하기 위해 상기 메모리 소자들 각각에 대응되도록 설치된 복수개의 전원변환장치, 및 상기 각각의 메모리 소자와 전원변환장치 사이에 설치된 전원조절장치를 구비한다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전원조절장치는, 상기 전원변환장치를 거친 출력을 조정하지 않고 사용할 경우 메모리 소자의 파워단과 연결시켜주는 제1 옵션 패드와, 상기 전원변환장치를 거친 출력을 재조정할 경우 사용하는 전압 드라이버와, 전원조절장치를 거친 출력을 메모리 소자의 파워단과 연결시켜주는 제2 옵션 패드를 구비한다.

따라서, 시스템 전원전압보다 낮은 전압에서 동작하는 메모리 소자로 구성된 모듈에서, 시스템으로부터 입력되는 고전압을 받아 원하는 저전압으로 변환하고, 메모리 소자에 공급하여 안정적인 동작 특성을 구현할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 메모리 모듈의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 메모리 모듈은, 파워 플레인 분리영역(25)에 의해 고전압 입력 파워 플레인(10)과 저전압 출력 파워 플레인(50)으로 분리된 인쇄회로기판을 구비한다. 바람직한 실시예에 따르면, 전원전압을 소비하는 메모리 소자가 탑재된 저전압 출력 파워 플레인(50)의 면적이 크도록 분할 비율을 조절한다.

인쇄회로기판 상에는, 복수개의 메모리 소자들(15)과, 상기 메모리 소자들 각각에 대응되는 복수개의 전원변환장치(20)가 설치되어 있으며, 상기 각각의 메모리 소자(15)와 전원변환장치(20) 사이에는 전원조절장치(30)가 설치되어 있다. 외부전원전압은 고전압 입력 파워 플레인(10) 상에 설치된 파워 탭(12)을 통해 모듈 내로 입력된다. 상기 파워 탭(12)과 전원변환장치(20), 전원변환장치(20)와 전원조절장치(30), 전원조절장치(30)와 메모리 소자(15)들은 각각 파워 라인들(14)과 비아들(16a, 16b, 16c)을 통해 연결된다.

파워 탭(12)과 전원변환장치(20) 사이에 설치되어 있는 비아(16a)는 전원변환장치(20)와 고전압 입력 파워 플레인(10)을 접목시켜주는 역할을 하며, 전원조절장치(30)에 연결된 비아(16b)는 전원조절장치(30)의 출력을 저전압 출력 파워 플레인(50)과 접목시켜주는 역할을 하며, 메모리 소자(15)와 연결된 비아(16c)는 전원변환장치(20)와 전원조절장치(30)를 거친 출력을 메모리 파워와 접목시켜주는 역할을 한다.

상기 전원변환장치(20)는 상기 메모리 소자(15)들에 공급되는 전원전압을 적절히 제어하며, 상기 전원조절장치(30)는 전원변환장치(20)의 출력이 원하는 전압으로 출력되지 않은 경우 재조정하는 역할을 한다. 상기 전원조절장치(30)를 확대한 도면이 도 2에 개략적으로 도시되어 있다.

도 2를 참조하면, 전원조절장치(30)는, 전원변환장치를 거친 출력을 조정하지 않고 사용할 경우 메모리 소자의 파워단과 연결시켜주는 제1 옵션 패드(22)와, 전원변환장치를 거친 출력을 재조정할 경우 사용하는 전압 드라이버(24)와, 전원조절장치를 거친 출력을 메모리 소자의 파워단과 연결시켜주는 제2 옵션 패드(26)로 구성된다.

이상과 같이, 본 발명을 일실시예를 들어 한정적으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 본 발명의 사상의 범위 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 본원 발명에 대한 각종 변형이 가능함은 자명하다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 모듈의 인쇄회로기판 상에서 파워 플레인을 고전압 입력 파워 플레인과 저전압 출력 파워 플레인으로 분리함으로써, 파워 플레인 추가 없이 효과적으로 안정적인 파워 플레인을 구성한다. 시스템 전원전압보다 낮은 전압에서 동작하는 메모리 소자로 구성된 모듈에서, 시스템으로부터 입력되는 고전압을 받아 원하는 저전압으로 변환하고, 메모리 소자에 공급하여 안정적인 동작 특성을 구현할 수 있다.

Claims (3)

1. 외부에서 인가되는 전원전압과, 상기 외부전원전압보다 낮은 전압에서 동작하는 메모리 소자에 입력되는 전원전압을 구별하기 위해, 고전압 입력 파워 플레인과 저전압 출력 파워 플레인으로 분리된 인쇄회로기판을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 모듈.
2. 파워 플레인 분리영역에 의해 분리된 고전압 입력 파워 플레인과 저전압 출력 파워 플레인으로 구성된 인쇄회로기판;

   상기 저전압 출력 파워 플레인 상에 설치된 복수개의 메모리 소자들;

   상기 메모리 소자들에 공급되는 전원전압을 적절히 제어하기 위해 상기 메모리 소자들 각각에 대응되도록 설치된 복수개의 전원변환장치; 및

   상기 각각의 메모리 소자와 전원변환장치 사이에 설치된 전원조절장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 모듈.
3. 제2항에 있어서, 상기 전원조절장치는,

   상기 전원변환장치를 거친 출력을 조정하지 않고 사용할 경우 메모리 소자의 파워단과 연결시켜주는 제1 옵션 패드;

   상기 전원변환장치를 거친 출력을 재조정할 경우 사용하는 전압 드라이버; 및

   전원조절장치를 거친 출력을 메모리 소자의 파워단과 연결시켜주는 제2 옵션 패드를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 모듈.