KR19990016635U - Powder removing device of semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 제조장비의 파우더 제거장치에 관한 것으로, 종래에는 프로세스 챔버에 가스를 공급하는 가스라인의 절곡부위에 파우더가 형성되었고 이를 제거하기 위해서는 가스라인을 분리한 후 웨트 크리닝과 베이킹을 하여야 했기 때문에 이에 소요되는 인력 및 시간의 소모가 많은 단점이 있었던바, 본 고안의 반도체 증착장비의 파우더 제거장치는 파우더와 반응하는 래디칼을 가스라인에 공급하도록 래디칼 공급부를 가스라인에 연통되도록 설치함으로써, 가스라인을 분리하지 않고도 파우더를 제거할 수 있게 한 것이다.The present invention relates to a powder removing device of a semiconductor manufacturing equipment. In the past, powder was formed at a bent portion of a gas line supplying gas to a process chamber, and in order to remove the powder, wet cleaning and baking were required after separating the gas line. Due to this, there was a disadvantage in that it consumes a lot of manpower and time. The powder removing device of the semiconductor deposition apparatus of the present invention installs a radical supply unit to communicate with a gas line to supply radicals reacting with the powder to the gas line. The powder can be removed without breaking the line.
Description
본 고안은 반도체 제조장비에 관한 것으로, 특히 반도체 제조공정 중 가스라인에 발생하는 파우더를 제거하기 위한 파우더 제거장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing equipment, and more particularly to a powder removal apparatus for removing powder generated in the gas line during the semiconductor manufacturing process.
일반적으로 반도체 웨이퍼의 증착이나 식각은 프로세스 챔버(process chamber)내에서 그 공정이 이루어지는데, 종래의 반도체 식각장비는 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼가 투입되어 공정이 진행되는 프로세스 챔버(1)와, 이 프로세스 챔버(1)의 상부 일측에 형성되어 공정가스를 상기 프로세스 챔버(1) 내로 공급하는 가스라인(2)을 구비하여 구성된다.Generally, deposition or etching of a semiconductor wafer is performed in a process chamber. In the conventional semiconductor etching apparatus, as illustrated in FIG. 1, a process chamber 1 in which a wafer is inserted and a process is performed is performed. And a gas line 2 formed at one upper side of the process chamber 1 to supply process gas into the process chamber 1.
상기 가스라인(2)의 일단 즉, 프로세스 챔버(1)와 연결되는 부위에는 1차로 절곡된 절곡부(2a)가 형성되어 있다.At one end of the gas line 2, that is, at a portion connected to the process chamber 1, a bent portion 2a that is primarily bent is formed.
상기 공정가스로는 SiH4나WF6가 사용된다.SiH 4 or WF 6 is used as the process gas.
상기와 같은 구성을 가진 종래의 반도체 식각장비는 식각공정을 수행하는 과정에서 상기 가스라인(2)을 통해 많은 양의 가스가 유입되고 이 가스가 상기 절곡부(2a)에 계속적으로 부딪히면서 가스에 의한 분말(powder)이 상기 절곡부(2a)에 형성되는 현상이 발생하였다.In the conventional semiconductor etching apparatus having the above-described configuration, a large amount of gas is introduced through the gas line 2 during the etching process, and the gas continuously hits the bent portion 2a. A phenomenon in which powder is formed in the bent portion 2a has occurred.
이와 같이 가스라인(2)의 절곡부(2a)에 형성된 파우더는 다음 공정을 위해서 제거해 주어야 하므로 종래에는 상기 가스라인(2)을 프로세스 챔버(1)에서 분리하여 케미칼(chemical)로 웨트 크리닝(wet cleaning)을 실시한 후 가스라인(2) 내에 묻어있는 케미칼을 없애기 위해서 가스라인(2)을 베이킹(baking)하는 과정을 거쳐 파우더를 제거하였다.As such, the powder formed in the bent portion 2a of the gas line 2 should be removed for the next process. In the related art, the gas line 2 is separated from the process chamber 1 and wet-cleaned by chemical. After the cleaning), the powder was removed by baking the gas line 2 to remove the chemicals in the gas line 2.
그러나, 상기와 같은 종래의 파우더를 제거하는 방법은 프로세스 챔버(1)와 연결되어 있는 가스라인(2)을 분리한 후 웨트 크리닝과 베이킹을 거쳐야 하므로 이에 소요되는 인력 및 시간의 소모가 많은 단점이 있었던바, 이에 대한 보완이 요구되어 왔다.However, the conventional method of removing the powder is required to undergo wet cleaning and baking after separating the gas line 2 connected to the process chamber 1. There has been a demand for a supplement.
따라서, 본 고안은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 가스라인을 분리하지 않고도 파우더를 제거할 수 있는 반도체 제조장비의 파우더 제거장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a powder removing apparatus of a semiconductor manufacturing equipment capable of removing powder without separating a gas line.
도 1은 종래의 반도체 프로세스 챔버와 가스라인을 도시한 개략도.1 is a schematic diagram illustrating a conventional semiconductor process chamber and a gas line.
도 2는 본 고안의 파우더 제거장치가 설치된 프로세스 챔버와 가스라인을 도시한 개략도.Figure 2 is a schematic diagram showing a gas chamber and a process chamber in which the powder removing apparatus of the present invention is installed.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
1; 프로세스 챔버 2; 가스라인One; Process chamber 2; Gas line
2a; 절곡부 10; 래디칼 공급부2a; Bends 10; Radical supply
11; 공급라인 12; 제1밸브11; Feed line 12; 1st valve
13; 유량조절부 14; 래디칼형성부13; Flow control unit 14; Radial forming part
15; 고주파발생부 16; 제2밸브15; High frequency generator 16; 2nd valve
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 공정이 진행되는 프로세스 챔버와, 이 프로세스 챔버에 공정가스를 유입시키는 가스라인을 구비한 반도체 제조장비에 있어서; 상기 가스라인 내 형성된 파우더와 반응하여 상기 파우더를 제거하도록 래디칼을 공급하는 래디칼 공급부가 상기 가스라인에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 파우더 제거장치가 제공된다.In order to achieve the above object, the present invention is a semiconductor manufacturing equipment having a process chamber and a gas line for introducing a process gas into the process chamber; There is provided a powder removing device of a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that a radical supply unit for supplying radicals to react with the powder formed in the gas line to remove the powder is installed in the gas line.
상기 래디칼 공급부는 래디칼이 될 가스를 공급하는 공급라인과, 이 공급라인에 설치되어 가스의 흐름을 단속하는 제1밸브와, 이 제1밸브에 연결되어 상기 가스의 유량을 조절하는 유량조절부와, 상기 유량조절부를 통과한 가스가 유입되는 래디칼형성부와, 고주파전원을 상기 래디칼형성부에 공급하여 래디칼을 형성시키는 고주파발생부와, 상기 래디칼형성부에서 형성된 래디칼을 상기 가스라인에 유출시키도록 개폐되는 제2밸브로 구성된다.The radical supply unit supplies a supply line for supplying a gas to be radical, a first valve installed in the supply line to regulate the flow of gas, a flow rate control unit connected to the first valve to regulate the flow rate of the gas; A radical forming unit through which the gas passing through the flow control unit flows, a high frequency generating unit supplying a high frequency power supply to the radical forming unit to form radicals, and a radical formed in the radical forming unit to flow out to the gas line; A second valve is opened and closed.
이하, 본 고안의 반도체 제조장비의 파우더 제거장치를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the powder removing device of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention will be described in detail.
본 고안의 반도체 식각장비는 도 2에 도시한 바와 같이, 공정이 진행되는 프로세스 챔버(1)와, 이 프로세스 챔버(1)내로 가스를 유입시키는 가스라인(2)을 구비하여 구성되는 것은 종래의 기술과 동일하며, 상기 가스라인(2)의 절곡부(2a)에 형성된 파우더를 제거할 수 있도록 래디칼(radical)을 공급하는 래디칼 공급부(10)가 상기 가스라인(2)의 일측에 연통되도록 설치되어 있다.As shown in FIG. 2, the semiconductor etching apparatus of the present invention includes a process chamber 1 through which a process is performed and a gas line 2 for introducing gas into the process chamber 1. It is the same as the technology, the radical supply unit 10 for supplying a radical (radical) to remove the powder formed in the bent portion (2a) of the gas line (2) is installed so as to communicate with one side of the gas line (2) It is.
상기 래디칼 공급부(10)는 래디칼이 될 가스를 공급하는 공급라인(11)과, 이 공급라인에 설치되어 상기 가스의 흐름을 단속하는 제1밸브(12)와, 이 제1밸브(12)에 연결되어 상기 가스의 유량을 조절하는 유량조절부(13)와, 상기 유량조절부(13)를 통과한 가스가 유입되는 래디칼형성부(14)와, 고주파전원을 상기 래디칼형성부(14)에 공급하여 래디칼을 형성시키는 고주파발생부(15)와, 상기 래디칼형성부(14)에서 형성된 래디칼을 상기 가스라인(2)에 유출시키도록 개폐되는 제2밸브(16)로 구성된다.The radical supply unit 10 includes a supply line 11 for supplying gas to be radical, a first valve 12 installed in the supply line to regulate the flow of gas, and a first valve 12. Is connected to the flow rate control unit 13 for adjusting the flow rate of the gas, a radical forming unit 14 through which the gas passed through the flow control unit 13, and a high frequency power supply to the radical forming unit 14 And a second valve 16 which opens and closes to supply the radicals formed by the radical forming unit 14 to the gas line 2.
상기 유량조절부(13)는 가변저항에 의해 상기 제1밸브(12)를 통해 유입된 가스의 유량을 조절하게 된다.The flow rate controller 13 adjusts the flow rate of the gas introduced through the first valve 12 by a variable resistor.
본 고안에서 상기 래디칼로는 불화질소(NF3)가 사용된다.In the present invention, as the radical, nitrogen fluoride (NF 3 ) is used.
상기와 같은 구성의 반도체 제조장비의 파우더 제거장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the powder removing device of the semiconductor manufacturing equipment of the above configuration as follows.
먼저, 상기 래디칼로 될 가스가 흐르는 공급라인(11)에 설치된 상기 제1밸브(12)를 열어 불화질소가 상기 래디칼 공급부(10)로 유입되면 이 불화질소는 유량조절부(13)를 통과하게 되고, 이 유량조절부(13)은 가변저항에 연결되어 있으므로 상기 가변저항에 의해 설정된 유량의 불화질소만이 래디칼형성부(14)에 유입된다.First, when the nitrogen fluoride flows into the radical supply unit 10 by opening the first valve 12 installed in the supply line 11 through which the gas to be the radical flows, the nitrogen fluoride passes through the flow control unit 13. Since the flow rate control unit 13 is connected to the variable resistor, only the nitrogen fluoride of the flow rate set by the variable resistor flows into the radical forming unit 14.
상기 래디칼형성부(14)에는 고주파발생부(15)가 연결되어 있고, 상기 고주파발생부(15)에서 공급되는 고주파전원이 상기 래디칼형성부(14)에 유입되면 상기 유량조절부(13)를 통해 래디칼형성부(14)로 유입된 불화질소는 래디칼(마이크로 웨이브)로 만들어진다.When the high frequency generator 15 is connected to the radical forming unit 14 and the high frequency power supplied from the high frequency generating unit 15 flows into the radical forming unit 14, the flow rate control unit 13 is operated. Nitrogen fluoride introduced into the radical forming unit 14 is made of radicals (microwaves).
이 형성된 래디칼은 상기 가스라인(2)에 연결된 제2밸브(16)를 통해 가스라인(2)으로 공급되고, 이 가스라인(2)을 통해 프로세스 챔버(1) 측으로 흐르다가 상기 절곡부(2a)에 형성된 파우더와 반응하여 파우더를 제거하게 된다.The formed radicals are supplied to the gas line 2 through the second valve 16 connected to the gas line 2, flow through the gas line 2 toward the process chamber 1, and the bent portion 2a. Reacts with the powder formed in the) to remove the powder.
본 고안의 반도체 제조장비의 파우더 제거장치에 의하면 종래 기술에서와 같이 가스라인을 분리시킬 필요가 없으므로 파우더를 제거하기 위한 시간적 손실을 줄일 수 있으며, 프로세스 챔버의 드라이크리닝(dry cleaning)시 가스라인으로 래디칼이 공급되므로 가스라인 내 파우더의 형성을 억제할 수가 있는 효과가 있다.According to the powder removing device of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention, since it is not necessary to separate the gas line as in the prior art, it is possible to reduce the time loss for removing the powder, and to the gas line during dry cleaning of the process chamber. Since the radical is supplied, there is an effect of suppressing the formation of powder in the gas line.
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