KR19990009660A - Back cleaning device for semiconductor wafer, wafer cleaning device and wafer cleaning method using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼의 후면을 효과적으로 세정하도록 하는 반도체 웨이퍼의 후면 세정장치와 이를 이용한 웨이퍼 세정장치 및 웨이퍼 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a backside cleaning apparatus for a semiconductor wafer, a wafer cleaning apparatus using the same, and a wafer cleaning method for effectively cleaning the backside of a wafer.
본 발명에 따른 웨이퍼의 후면 세정장치는 척조립체 상에 승· 하강 및 회전가능하게 설치되어 웨이퍼의 후면을 흡착하여 고정하는 제 1 홀더와, 상기 제 1 홀더 내에 회전가능하게 관통, 설치되고 단부에 브러시가 구비된 제 1 구동축과, 상기 척조립체 상에 연장 형성되어 웨이퍼의 후면을 흡착하여 고정하도록 적어도 하나 이상 설치되는 제 2 홀더 및 상기 제 2 홀더 내에 관통, 설치되고 단부에 브러시가 구비된 제 2 구동축을 포함한 구성으로 이루어짐을 특징으로 한다.A back cleaning apparatus for a wafer according to the present invention includes a first holder rotatably mounted, lifted and rotated on a chuck assembly, for adsorbing and fixing the back of the wafer, and rotatably penetrating and installed in the first holder. A first drive shaft including a brush, a second holder extending on the chuck assembly and provided with at least one to adsorb and fix the rear surface of the wafer, and a pen provided in the second holder and penetrated in the second holder. It is characterized by consisting of a configuration including two drive shafts.
따라서, 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 후면을 용이하게 세정하도록 함으로써 공정 불량을 방지하고, 반도체장치로의 제조수율을 높이는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the back surface of the wafer can be easily cleaned, thereby preventing process defects and increasing the production yield of the semiconductor device.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼의 후면 세정장치와 이를 이용한 웨이퍼 세정장치 및 웨이퍼 세정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 후면을 효과적으로 세정하도록 하는 반도체 웨이퍼의 후면 세정장치와 이를 이용한 웨이퍼 세정장치 및 웨이퍼 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a backside cleaning apparatus for a semiconductor wafer, a wafer cleaning apparatus and a wafer cleaning method using the same, and more particularly, to a backside cleaning apparatus for a semiconductor wafer and a wafer cleaning apparatus and a wafer cleaning using the same. It is about a method.
통상적으로 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착 등의 공정이 반복 수행됨에 따라 반도체장치로 제작된다.In general, a wafer is manufactured as a semiconductor device as a process of photographing, diffusion, etching, chemical vapor deposition, and metal deposition is repeatedly performed.
이들 반도체장치는 극히 정교한 장치로서, 그 제조를 위해서는 엄격한 공정조건과 정밀한 제조기술 및 제조수율을 높이기 위한 각종 오염원으로부터 웨이퍼의 손상을 방지하기 위한 높은 수준의 청정 상태 등이 요구되고 있다.These semiconductor devices are extremely sophisticated devices, which require strict process conditions, precise manufacturing techniques, and high levels of clean conditions to prevent damage to the wafer from various contaminants for increasing the production yield.
상술한 바와 같이 공정을 수행함에 있어서 청정 상태는 반도체장치로의 제조수율에 직접적인 요인으로 작용됨에 따라 웨이퍼는 각 공정을 수행하기 전 또는 공정 수행 후에 세정 과정을 수행하게 된다.As described above, in performing the process, the clean state acts as a direct factor in the manufacturing yield to the semiconductor device, so that the wafer performs the cleaning process before or after each process.
이렇게 웨이퍼를 세정하기 위한 웨이퍼 세정장치(10)로는 도1에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)는 후면 부위가 홀더(12)에 의해 흡착되어 전면이 하측 방향으로 위치되고, 이렇게 위치된 웨이퍼(W)의 전면은 구동축(14)의 상측 단부에 설치된 브러시(B)의 상측 부위에 근접 위치되며, 홀더(12)의 고속 회전과 세정액 공급노즐(18)을 통해 공급되는 세정액에 의해 웨이퍼(W)의 전면이 세정된다.As shown in FIG. 1, as the wafer cleaning apparatus 10 for cleaning the wafer, the rear surface of the wafer W is attracted by the holder 12, and the front surface thereof is positioned downward, and thus the wafer W is thus positioned. ) Is positioned close to the upper portion of the brush (B) provided at the upper end of the drive shaft (14), the wafer (W) by the high-speed rotation of the holder 12 and the cleaning liquid supplied through the cleaning liquid supply nozzle (18) The front of the is cleaned.
또 다른 방법으로 웨이퍼를 세정액이 수용된 저장조 내부에 투입하여 버블링하거나 고속 회전시키는 방법 또는 고속 회전하는 웨이퍼의 전면에 소정 압력으로 세정액을 분사하는 방법 등이 있다.As another method, a wafer may be poured into a reservoir containing a cleaning liquid to bubble or rotate at a high speed, or a cleaning liquid may be sprayed at a predetermined pressure on the entire surface of the rotating wafer at a high speed.
상술한 웨이퍼 세정장치(10)는 통상 웨이퍼(W)의 후면을 흡착한 상태에서 웨이퍼(W)의 전면을 세정하게 되고, 이 과정을 통해 웨이퍼(W)의 후면 또한 어느 정도 세정이 이루어지지만 충분하지 못하며, 세정시 홀더(12)에 흡착되는 부위는 세정이 어려운 문제가 있었다.The above-described wafer cleaning apparatus 10 generally cleans the entire surface of the wafer W while the rear surface of the wafer W is adsorbed, and through this process, the rear surface of the wafer W is also cleaned to some extent. In addition, the site that is adsorbed to the holder 12 during cleaning has a problem that is difficult to clean.
이렇게 웨이퍼의 후면 부위가 오염된 상태로 있게 되면 해당 공정 뿐 아니라 다음 공정에도 영향을 미쳐 공정 불량을 초래하게 되며, 이에 따라 제조수율이 저하되는 문제가 있었다.When the rear portion of the wafer remains contaminated in this way, it affects not only the corresponding process but also the next process, resulting in a process defect, and thus there is a problem that the manufacturing yield is reduced.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 웨이퍼의 후면을 용이하게 세정하도록 함으로써 공정 불량을 방지하고, 반도체장치로의 제조수율을 높이도록 하는 반도체 웨이퍼의 후면 세정장치와 이를 이용한 웨이퍼 세정장치 및 웨이퍼 세정방법을 제공함에 있다.The present invention is to solve the conventional problems as described above, the object of which is to clean the back of the wafer easily to prevent the process defects, and to increase the manufacturing yield to the semiconductor device back cleaning device of the semiconductor wafer The present invention provides a wafer cleaning apparatus and a wafer cleaning method using the same.
도1은 종래의 웨이퍼 세정장치를 개략적으로 나타낸 정면도이다.1 is a front view schematically showing a conventional wafer cleaning apparatus.
도2a와 도2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 후면 세정장치의 구성 및 동작 관계를 나타낸 단면도이다.2A and 2B are cross-sectional views illustrating a configuration and an operation relationship of a back surface cleaning apparatus of a wafer according to an embodiment of the present invention.
도3은 도2a와 도2b에 도시된 웨이퍼의 후면 세정장치가 설치된 웨이퍼 세정장치의 구성 및 동작 관계를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the configuration and operation relationship of the wafer cleaning apparatus provided with the back surface cleaning apparatus of the wafer shown in FIGS. 2A and 2B.
도4a와 도4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 후면 세정장치의 구성 및 동작 관계를 나타낸 단면도이다.4A and 4B are cross-sectional views showing the configuration and operation of the wafer backside cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention.
도5는 도4a와 도4b에 도시된 웨이퍼의 후면 세정장치가 설치된 웨이퍼 세정장치의 구성 및 동작 관계를 나타낸 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration and operation relationship of the wafer cleaning apparatus provided with the back surface cleaning apparatus of the wafer shown in FIGS. 4A and 4B.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of codes for main parts of drawing
10, 40, 80: 웨이퍼 세정장치 12: 홀더10, 40, 80: wafer cleaner 12: holder
14: 구동축14: drive shaft
18, 36, 56a, 56b,72, 92: 세정액 공급노즐18, 36, 56a, 56b, 72, 92: cleaning liquid supply nozzle
20, 60: 웨이퍼의 후면 세정장치 22, 42, 62, 82: 제 1 홀더20, 60: Wafer rear cleaner 22, 42, 62, 82: First holder
24, 44, 64, 84: 척조립체 26, 46, 66, 86: 제 1 구동축24, 44, 64, 84: chuck assembly 26, 46, 66, 86: first drive shaft
30, 50, 68, 88: 제 2 홀더 32, 52, 70, 90: 제 2 구동축30, 50, 68, 88: second holder 32, 52, 70, 90: second drive shaft
58, 94: 제 3 구동축58, 94: third drive shaft
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정장치는 척조립체 상에 승· 하강 및 회전가능하게 설치되어 웨이퍼의 후면 중심 부위를 흡착하여 고정하는 제 1 홀더와, 상기 제 1 홀더 내에 회전가능하게 관통, 설치되고 단부에 브러시가 구비된 제 1 구동축과, 상기 척조립체 상에 연장 형성되어 웨이퍼의 후면을 흡착하여 고정하도록 적어도 하나 이상 설치되는 제 2 홀더 및 상기 제 2 홀더 내에 관통, 설치되고 단부에 브러시가 구비된 제 2 구동축을 포함한 구성으로 이루어진다.The wafer cleaning apparatus according to the present invention for achieving the above object is a first holder for lifting, lowering and rotatable on the chuck assembly to adsorb and fix the central portion of the back of the wafer, and rotates in the first holder A first drive shaft, which is penetrated, installed, and provided with a brush at an end thereof, and penetrates and is installed in the second holder and the second holder which are formed on the chuck assembly to extend and adsorb and fix the rear surface of the wafer. And a second drive shaft provided with a brush at an end thereof.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 후면 세정장치는 척조립체 상에 승· 하강 및 회전가능하게 설치되어 웨이퍼의 후면 중심 부위를 흡착하여 고정하는 제 1 홀더와, 상기 제 1 홀더 내에 회전가능하게 관통, 설치되고 단부에 브러시가 구비된 제 1 구동축과, 상기 척조립체 상에 연장되어 웨이퍼의 후면 측부를 흡착하여 고정하도록 적어도 하나 이상 설치되는 제 2 홀더 및 측벽에 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼의 중심 방향으로 수평 왕복 운동이 가능하게 적어도 하나 이상 설치되고 단부에 브러시가 설치된 제 2 구동축을 포함한 구성으로 이루어짐을 특징으로 한다.In addition, the rear cleaning apparatus of the wafer according to another embodiment of the present invention for achieving the above object is installed on the chuck assembly rotatably, down and rotatable first holder for adsorbing and fixing the rear center portion of the wafer; A first drive shaft rotatably penetrating and installed in the first holder and having a brush at an end thereof, and at least one second holder and a side wall extending on the chuck assembly and installed to suck and fix the rear side of the wafer; At least one horizontal reciprocating motion in the direction of the center of the wafer is positioned by the first holder is characterized in that it comprises a configuration including a second drive shaft provided with a brush at the end.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼 세정장치는 척조립체 상에 승· 하강 및 회전가능하게 설치되는 웨이퍼의 후면 중심 부위를 흡착하여 고정하는 제 1 홀더와, 상기 제 1 홀더 내에 회전가능하게 관통, 설치되고 단부에 브러시가 구비된 제 1 구동축과, 상기 척조립체 상에 연장되어 웨이퍼의 후면 측부를 흡착하여 고정하도록 적어도 하나 이상 설치되는 제 2 홀더와, 상기 제 2 홀더 내에 관통, 설치되고 단부에 브러시가 구비된 제 2 구동축과, 상기 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼의 하측에 회전 및 수평 운동이 가능하게 설치되며 단부에 브러시가 설치된 제 3 구동축 및 상기 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼의 상· 하측에 설치되어 웨이퍼 상에 세정액을 공급하는 세정액 공급노즐을 포함한 구성으로 이루어짐을 특징으로 한다.On the other hand, the wafer cleaning apparatus of the present invention for achieving the above object is a first holder for adsorbing and fixing the center portion of the rear surface of the wafer that is rotatably mounted on the chuck assembly rotatably, and rotatable in the first holder A first drive shaft, which is penetrated and installed, and which has a brush at an end thereof, a second holder installed on the chuck assembly and at least one installed to adsorb and fix the back side of the wafer; And a second drive shaft provided with a brush at an end thereof, the lower drive of the wafer positioned by the first holder to enable rotation and horizontal movement, and a third drive shaft provided with a brush at an end thereof and positioned by the first holder. It is installed on the upper and lower side of the wafer to supply the cleaning liquid onto the wafer. It characterized by constituted by any configuration, including a cleaning liquid supply nozzle.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼 세정장치의 다른 실시예는 척조립체 상에 승· 하강 및 회전가능하게 설치되는 웨이퍼의 후면 중심 부위를 흡착하여 고정하는 제 1 홀더와, 상기 제 1 홀더 내에 회전가능하게 관통, 설치되고 단부에 브러시가 구비된 제 1 구동축과, 상기 척조립체 상에 연장되어 웨이퍼의 후면 측부를 흡착하여 고정하도록 적어도 하나 이상 설치되는 제 2 홀더와, 측벽 소정 위치에 위치되는 웨이퍼의 중심 방향으로 소정 위치까지 수평 왕복 운동이 가능하게 적어도 하나 이상 설치되고 단부에 브러시가 구비된 제 2 구동축과, 상기 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼의 하측 부위에 수평 운동이 가능하게 설치되며 단부에 브러시가 설치된 제 3 구동축 및 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼의 상· 하측에 설치되어 세정액을 공급하는 세정액 공급노즐을 포함한 구성으로 이루어짐을 특징으로 한다.In addition, another embodiment of the wafer cleaning apparatus of the present invention for achieving the above object is a first holder for adsorbing and fixing the center portion of the back of the wafer that is rotatably mounted, lowered and rotated on the chuck assembly, and the first A first drive shaft rotatably penetrated and installed in the holder and provided with a brush at an end thereof, at least one second holder extending on the chuck assembly to absorb and fix the back side of the wafer; At least one second drive shaft having at least one horizontal reciprocating motion to a predetermined position in a center direction of the wafer to be positioned, and having a brush at an end thereof, and a horizontal motion at a lower portion of the wafer positioned by the first holder; 3rd ball installed and brushed at the end Installed on the upper and the lower side of the wafer is positioned by the shaft and the first holder is characterized in a constituted by any configuration, including a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid.
상기 목적을 달성하기 위한 웨이퍼 세정방법은 웨이퍼의 후면 중심 부위를 흡착하는 제 1 홀더를 설치하고, 단부에 브러시가 설치된 제 1 구동축을 상기 제 1 홀더에 관통, 설치하고, 웨이퍼의 후면 측부를 흡착하는 제 2 홀더를 복수개 설치하고, 단부에 브러시가 부착된 제 2 구동축을 상기 제 2 홀더에 관통, 설치하여 구성하고, 상기 제 2 홀더로 하여금 투입되는 웨이퍼의 후면을 흡착하도록 하여 뒤집어 용기 내에 수용된 세정액에 투입하는 단계와, 상기 제 1 구동축을 고속 회전시켜 웨이퍼 후면 중심 부위를 브러싱 하는 단계와, 상기 척조립체의 승강 운동으로 상기 웨이퍼를 세정액으로부터 꺼내어 소정 시간 건조하는 단계와, 상기 제 1 홀더가 하강하여 상기 제 2 홀더로부터 웨이퍼를 인계받아 웨이퍼를 세정액에 담그는 단계와, 상기 제 2 구동축의 단부에 설치된 브러시를 웨이퍼의 후면에 근접 위치시키고 상기 제 1 홀더를 통해 고속 회전시켜 브러싱 하는 단계 및 상기 제 1 홀더의 승강 운동과 고속 회전으로 웨이퍼를 세정액으로부터 꺼내어 건조하는 단계를 구비하여 이루어진다.In order to achieve the above object, a wafer cleaning method includes a first holder for adsorbing a rear center portion of a wafer, penetrating and installing a first drive shaft provided with a brush at an end thereof, and adsorbing the rear side of the wafer. A plurality of second holders are installed, and a second drive shaft having a brush attached to the end is penetrated and installed in the second holder. Injecting the wafer into the cleaning liquid, rotating the first drive shaft at a high speed to brush the central portion of the wafer back surface, removing the wafer from the cleaning liquid by a lifting motion of the chuck assembly, and drying the wafer for a predetermined time; Descending from the second holder Taking the wafer and immersing the wafer in a cleaning liquid; placing a brush installed at the end of the second drive shaft close to the back of the wafer and brushing by rotating at a high speed through the first holder; and raising and lowering the first holder. And removing the wafer from the cleaning liquid at a high speed rotation.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 웨이퍼 세정방법의 다른 실시예는 웨이퍼의 후면 중심 부위를 흡착하는 제 1 홀더를 설치하고, 단부에 브러시가 설치된 제 1 구동축을 상기 제 1 홀더에 관통, 설치하고, 웨이퍼의 후면 측부를 흡착하는 제 2 홀더를 복수개 설치하고, 단부에 브러시가 부착된 제 2 구동축을 상기 제 2 홀더에 관통, 설치하고, 상기 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼 상에 세정액을 공급하는 세정액 공급노즐을 설치하고, 상기 제 2 홀더에 흡착되어 위치되는 웨이퍼의 저면에 세정액을 공급함과 동시에 상기 제 1 구동축을 회전시켜 웨이퍼의 중심 부위를 브러싱 하는 단계와, 세정액 공급을 중단하여 웨이퍼를 건조시키는 단계와, 상기 제 1 홀더가 하강하여 상기 제 2 홀더로부터 웨이퍼를 인계받고 상기 제 2 구동축의 단부에 설치된 브러시를 웨이퍼의 후면에 근접 위치시킨 후 세정액을 공급하는 단계와, 상기 제 1 홀더를 통해 웨이퍼를 고속 회전시켜 웨이퍼의 가장자리 부위를 브러싱 하는 단계 및 세정액 공급을 중단하고 상기 제 1 홀더를 통해 웨이퍼를 고속 회전시켜 건조하는 단계를 구비하여 이루어진다.On the other hand, another embodiment of the wafer cleaning method for achieving the above object is provided with a first holder for adsorbing the center portion of the back of the wafer, the first drive shaft with a brush installed at the end through the first holder, A plurality of second holders for adsorbing the rear side of the wafer are provided, and a second drive shaft with a brush attached to the end is penetrated and installed in the second holder, and the cleaning liquid is supplied onto the wafer positioned by the first holder. Installing a cleaning liquid supply nozzle, supplying the cleaning liquid to the bottom surface of the wafer that is adsorbed on the second holder, and rotating the first drive shaft to brush the central portion of the wafer; and stopping the cleaning liquid supply to dry the wafer. And the first holder is lowered to form the second Taking over the wafer from the holder, placing a brush installed at the end of the second drive shaft close to the back of the wafer, supplying a cleaning liquid, and brushing the edge of the wafer by rotating the wafer at a high speed through the first holder; And stopping the supply of the cleaning liquid and drying the wafer at a high speed through the first holder.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 웨이퍼 세정방법의 또 다른 실시예는 웨이퍼의 후면 중심 부위를 흡착하는 제 1 홀더를 설치하고, 단부에 브러시가 설치된 제 1 구동축을 상기 제 1 홀더에 관통, 설치하고, 웨이퍼의 후면 측부를 흡착하는 제 2 홀더를 복수개 설치하고, 단부에 브러시가 부착된 제 2 구동축을 상기 제 2 홀더에 관통, 설치하고, 상기 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼 상에 세정액을 공급하는 세정액 공급노즐을 설치하고, 상기 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼의 하측에 브러시가 설치된 제 3 구동축을 설치한 후 상기 제 2 홀더에 흡착되어 위치되는 웨이퍼의 저면에 세정액을 공급함과 동시에 상기 제 1 구동축을 회전시켜 웨이퍼의 중심 부위를 브러싱 하는 단계와, 세정액 공급을 중단하여 웨이퍼를 건조시키는 단계와, 상기 제 1 홀더를 하강시켜 상기 제 2 홀더로부터 웨이퍼를 인계받도록 하고 웨이퍼의 전면이 상기 제 3 구동축의 단부에 설치된 브러시의 상측 부위에 근접 위치시키며 상기 제 2 구동축을 하강시켜 단부에 설치된 브러시를 웨이퍼의 후면에 근접 위치시킨 후 세정액을 공급하는 단계와, 상기 제 1 홀더를 통해 웨이퍼를 고속 회전시켜 웨이퍼의 전면과 후면의 가장자리 부위를 브러싱 하는 단계 및 세정액 공급을 중단하고 상기 제 1 홀더를 통해 웨이퍼를 고속 회전시켜 건조하는 단계를 구비하여 이루어진다.On the other hand, another embodiment of the wafer cleaning method for achieving the above object is provided with a first holder for adsorbing the center portion of the back of the wafer, the first drive shaft with a brush installed at the end through and installed in the first holder And a plurality of second holders for adsorbing the rear side of the wafer, penetrating and installing a second drive shaft with a brush attached to an end thereof, and supplying a cleaning liquid onto the wafer positioned by the first holder. A cleaning liquid supply nozzle, a third drive shaft provided with a brush on a lower side of the wafer positioned by the first holder, and then supplying the cleaning liquid to the bottom surface of the wafer which is adsorbed and positioned on the second holder. 1 Brush the center of the wafer by rotating the drive shaft And stopping the supply of the cleaning liquid to dry the wafer, and lowering the first holder to take over the wafer from the second holder, and the front surface of the wafer is proximate to the upper portion of the brush provided at the end of the third drive shaft. And lowering the second drive shaft to position the brush installed at the end of the wafer to the rear of the wafer, supplying a cleaning liquid, and rotating the wafer at a high speed through the first holder to brush the edges of the front and rear surfaces of the wafer. And stopping the supply of the cleaning liquid and drying the wafer at a high speed through the first holder.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 웨이퍼 세정방법의 또 다른 실시예는 웨이퍼의 후면 중심 부위를 흡착하는 제 1 홀더를 설치하고, 단부에 브러시가 설치된 제 1 구동축을 상기 제 1 홀더에 관통, 설치하고, 웨이퍼의 후면 측부를 흡착하는 제 2 홀더를 복수개 설치하고, 측벽 소정 위치에 단부에 브러시가 구비된 제 2 구동축을 상기 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼의 중심 방향으로 소정 위치까지 수평 왕복 운동이 가능하게 설치하여 상기 제 2 홀더로 하여금 투입되는 웨이퍼의 후면을 흡착하도록 하여 뒤집어 용기 내에 수용된 세정액에 투입하는 단계와, 상기 제 1 구동축을 고속 회전시켜 웨이퍼 후면 중심 부위를 브러싱 하는 단계와, 상기 척조립체의 승강 운동으로 상기 웨이퍼를 세정액으로부터 꺼내어 소정 시간 건조하는 단계와, 상기 제 1 홀더가 하강하여 상기 제 2 홀더로부터 웨이퍼를 인계받아 웨이퍼를 세정액에 담그는 단계와, 상기 제 2 구동축의 단부에 설치된 브러시를 웨이퍼의 후면에 근접 위치시키고 상기 제 1 홀더를 통해 고속 회전시켜 브러싱 하는 단계 및 상기 제 1 홀더의 승강 운동과 고속 회전으로 웨이퍼를 세정액으로부터 꺼내어 건조하는 단계를 구비하여 이루어진다.On the other hand, another embodiment of the wafer cleaning method for achieving the above object is provided with a first holder for adsorbing the center portion of the back of the wafer, the first drive shaft with a brush installed at the end through and installed in the first holder And a plurality of second holders for adsorbing the rear side of the wafer, and horizontal reciprocating motion of the second drive shaft provided with a brush at an end portion of the wafer at a predetermined position in the center direction of the wafer located by the first holder. And installing it so that the second holder sucks the back side of the wafer to be introduced, flips it over and puts it in the cleaning liquid contained in the container, and rotates the first drive shaft at a high speed to brush the wafer back center portion; By the lifting motion of the assembly Removing the wiper from the cleaning liquid and drying it for a predetermined time; taking over the wafer from the second holder to take down the wafer from the second holder; dipping the wafer into the cleaning liquid; and attaching a brush disposed at the end of the second drive shaft to the rear surface of the wafer. Positioning and brushing by rotating at high speed through the first holder and the step of lifting and removing the wafer from the cleaning liquid in the lifting motion and the high speed rotation of the first holder.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 웨이퍼 세정방법의 또 다른 실시예는 웨이퍼의 후면 중심 부위를 흡착하는 제 1 홀더를 설치하고, 단부에 브러시가 설치된 제 1 구동축을 상기 제 1 홀더에 관통, 설치하고, 웨이퍼의 후면 측부를 흡착하는 제 2 홀더를 복수개 설치하고, 측벽 소정 위치에 단부에 브러시가 구비된 제 2 구동축을 상기 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼의 중심 방향으로 소정 위치까지 수평 왕복운동이 가능하게 설치하고, 상기 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼의 상측에 세정액 공급노즐을 설치하여 구성하고, 상기 제 2 홀더에 흡착되어 위치되는 웨이퍼의 저면에 세정액을 공급함과 동시에 상기 제 1 구동축을 회전시켜 웨이퍼의 중심 부위를 브러싱 하는 단계와, 세정액 공급을 중단하여 웨이퍼를 건조시키는 단계와, 상기 제 1 홀더가 하강하여 상기 제 2 홀더로부터 웨이퍼를 인계받고 상기 제 2 구동축의 단부에 설치된 브러시를 웨이퍼의 후면 가장자리 부위에 근접 위치시킨 후 세정액을 공급하는 단계와, 상기 제 1 홀더를 통해 웨이퍼를 고속 회전시켜 웨이퍼의 가장자리 부위를 브러싱 하는 단계 및 세정액 공급을 중단하고 상기 제 1 홀더를 통해 웨이퍼를 고속 회전시켜 건조하는 단계를 구비하여 이루어진다.On the other hand, another embodiment of the wafer cleaning method for achieving the above object is provided with a first holder for adsorbing the center portion of the back of the wafer, the first drive shaft with a brush installed at the end through and installed in the first holder And a plurality of second holders for adsorbing the rear side of the wafer, and horizontal reciprocating motion of the second drive shaft with a brush at an end portion at a predetermined sidewall to a predetermined position in the center direction of the wafer located by the first holder. And the cleaning liquid supply nozzle is provided on the upper side of the wafer positioned by the first holder, and the cleaning liquid is supplied to the bottom surface of the wafer which is adsorbed by the second holder and rotates the first drive shaft. Brushing the central portion of the wafer, Stopping the semen supply and drying the wafer; the first holder is lowered to take over the wafer from the second holder, and the brush installed at the end of the second drive shaft is positioned close to the rear edge of the wafer, and then the cleaning liquid is removed. Supplying, rotating the wafer through the first holder at high speed to brush the edge of the wafer, and stopping supply of the cleaning liquid and drying the wafer by rotating the wafer at high speed through the first holder.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 웨이퍼 세정방법의 또 다른 실시예는 웨이퍼의 후면 중심 부위를 흡착하는 제 1 홀더를 설치하고, 단부에 브러시가 설치된 제 1 구동축을 상기 제 1 홀더에 관통, 설치하고, 웨이퍼의 후면 측부를 흡착하는 제 2 홀더를 복수개 설치하고, 측벽 소정 위치에 단부에 브러시가 구비된 제 2 구동축을 상기 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼의 중심 방향으로 소정 위치까지 수평 왕복 운동이 가능하게 설치하고, 상기 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼 상에 세정액을 공급하는 세정액 공급노즐을 설치하고, 상기 제 1 홀더에 의해 위치되는 웨이퍼의 하측에 브러시가 설치된 제 3 구동축을 설치하여 구성하고, 상기 제 2 홀더에 흡착되어 위치되는 웨이퍼의 저면에 세정액을 공급함과 동시에 상기 제 1 구동축을 회전시켜 웨이퍼의 중심 부위를 브러싱 하는 단계와, 세정액 공급을 중단하여 웨이퍼를 건조시키는 단계와, 상기 제 1 홀더가 하강하여 상기 제 2 홀더로부터 웨이퍼를 인계받아 웨이퍼의 전면이 상기 제 3 구동축의 단부에 설치된 브러시의 상측 부위에 근접되도록 위치시키는 단계와, 상기 제 2 구동축의 단부에 설치된 브러시를 웨이퍼의 후면 가장자리 부위에 근접 위치시켜 수평 운동시킨 후 웨이퍼 상· 하측에서 세정액을 공급하는 단계와, 상기 제 1 홀더를 통해 웨이퍼를 고속 회전시켜 웨이퍼의 전면과 후면의 가장자리 부위를 브러싱 하는 단계 및 세정액 공급을 중단하고 상기 제 1 홀더를 통해 웨이퍼를 고속 회전시켜 건조하는 단계를 구비하여 이루어진다.On the other hand, another embodiment of the wafer cleaning method for achieving the above object is provided with a first holder for adsorbing the center portion of the back of the wafer, the first drive shaft with a brush installed at the end through and installed in the first holder And a plurality of second holders for adsorbing the rear side of the wafer, and horizontal reciprocating motion of the second drive shaft provided with a brush at an end portion of the wafer at a predetermined position in the center direction of the wafer located by the first holder. And a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid on the wafer positioned by the first holder, and a third drive shaft provided with a brush under the wafer positioned by the first holder. Of the wafer to be adsorbed onto the second holder At the same time as supplying the cleaning liquid to the bottom surface and rotating the first drive shaft to brush the center portion of the wafer, stopping the cleaning liquid supply to dry the wafer, the first holder is lowered to remove the wafer from the second holder Taking over and positioning the front surface of the wafer so as to be close to the upper portion of the brush provided at the end of the third drive shaft; and placing the brush provided at the end of the second drive shaft to the rear edge portion of the wafer to horizontally move the wafer. Supplying a cleaning liquid from above and below, rotating the wafer at a high speed through the first holder to brush the edges of the front and rear surfaces of the wafer, and stopping the supply of the cleaning liquid and rotating the wafer through the first holder at a high speed. Let It comprises a step of drying.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도2a와 도2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 후면 세정장치의 동작 관계를 나타낸 단면도로서, 이를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.2A and 2B are cross-sectional views illustrating an operation relationship of a rear surface cleaning apparatus of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention, which will be described in detail with reference to the drawings.
본 발명에 따른 웨이퍼의 후면 세정장치(20)의 구성에 대하여 설명하면, 단부 형상이 직경이 넓어지는 관 형상으로 웨이퍼(W)의 후면 중심 부위를 선택적으로 흡착, 고정하도록 형성된 제 1 홀더(22)가 척조립체(24)의 중심 부위에 승· 하강 및 회전가능하게 관통, 설치된다.Referring to the configuration of the wafer cleaning apparatus 20 of the wafer according to the present invention, the first holder 22 formed to selectively suck and fix the center portion of the rear surface of the wafer W in a tubular shape whose end shape is wider in diameter. ) Is penetrated and installed in a central portion of the chuck assembly 24 so as to be lifted, lowered and rotated.
또한, 제 1 홀더(22)의 내부에는 제 1 구동축(26)이 승· 하강 및 회전가능하게 관통, 설치되며, 제 1 구동축(26)의 단부에는 웨이퍼(W)의 후면에 일정 간격을 이루며 근접 위치되도록 설치되는 브러시(B)가 설치된다.In addition, the first driving shaft 26 penetrates and is installed in the interior of the first holder 22 so as to be lifted, lowered and rotated, and the end of the first driving shaft 26 has a predetermined interval on the rear surface of the wafer W. Brush B is installed to be in close proximity.
그리고, 제 1 구동축(26)과 브러시(B)의 외측 부위는 상술한 제 1 홀더(22)의 내벽에 일정 간격의 틈새를 이루고, 이 틈새를 통해 선택적으로 진공압이 제공됨에 따라 웨이퍼(W)를 흡착하게 된다.In addition, the outer portion of the first drive shaft 26 and the brush B forms a gap at a predetermined interval on the inner wall of the first holder 22 described above, and a vacuum pressure is selectively provided through the gap to provide a wafer W. As shown in FIG. ) Will be adsorbed.
상술한 바와 같이 진공압이 전달되는 통로를 형성함에 있어서 별도의 진공홀을 제 1 홀더의 단부에 형성하여 사용할 수도 있다.As described above, in forming the passage through which the vacuum pressure is transmitted, an additional vacuum hole may be formed at the end of the first holder.
한편, 척조립체(24) 상에는 제 1 홀더(22)와 동일한 형상으로 웨이퍼(W)의 후면 가장자리 부위를 선택적으로 흡착하도록 형성된 제 2 홀더(30)가 제 1 홀더(22)와 나란하게 복수개 설치된다.On the other hand, on the chuck assembly 24, a plurality of second holders 30 formed to selectively adsorb the rear edge portion of the wafer W in the same shape as the first holder 22 are installed in parallel with the first holder 22. do.
이러한 제 2 홀더(30)의 내부에는 제 1 구동축(26)과 동일하게 단부에 브러시(B)가 장착된 제 2 구동축(32)이 승· 하강 및 회전가능하게 관통, 설치되고, 제 2 구동축(32)과 브러시(B)의 외측 부위가 제 2 홀더(30)의 내벽과 이루는 틈새를 통해 진공압이 선택적으로 제공되어 웨이퍼(W)를 흡착하게 된다.Inside the second holder 30, a second drive shaft 32 having a brush B mounted at an end thereof is penetrated and installed to move up, down, and rotatably in the same manner as the first drive shaft 26. Vacuum pressure is selectively provided through the gap between the outer portion of the 32 and the brush B and the inner wall of the second holder 30 to adsorb the wafer W.
또한, 제 2 홀더에 제공되는 진공압은 진공홀을 별도로 형성하여 흡착하는 형상으로 형성할 수도 있다.In addition, the vacuum pressure provided to the second holder may be formed in a shape in which the vacuum holes are separately formed and adsorbed.
한편, 제 1 홀더(22) 또는 제 2 홀더(30)에 의해 흡착되어 위치되는 웨이퍼(W)의 하측에는 세정액을 소정량 수용하도록 형성된 저장조(도시 안됨)가 구비된다.On the other hand, a storage tank (not shown) formed to receive a predetermined amount of the cleaning liquid is provided under the wafer W which is adsorbed and positioned by the first holder 22 or the second holder 30.
이러한 구성의 본 발명에 의하면, 세정 작업을 수행하기 위해 투입되는 웨이퍼(W)는 제 2 홀더(30)에 흡착되어 척조립체(24)의 구동에 따라 웨이퍼(W)의 전면이 하측 방향을 향하도록 위치되고, 이어 세정 작업이 수행되는 저장조 상측 위치로 이송된다.According to the present invention having such a configuration, the wafer W introduced to perform the cleaning operation is absorbed by the second holder 30 so that the front surface of the wafer W faces downward as the chuck assembly 24 is driven. To the reservoir upper position where the cleaning operation is performed.
이때 제 1 홀더(22)는 도2a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 후면으로부터 이격된 상태로 있게 되며, 제 1 구동축(26)의 단부에 설치된 브러시(B)는 웨이퍼(W)의 후면으로부터 일정 간격을 이루며 근접 위치된다.In this case, the first holder 22 is spaced apart from the rear surface of the wafer W as shown in FIG. 2A, and the brush B installed at the end of the first driving shaft 26 is the rear surface of the wafer W. As shown in FIG. At a distance from the adjacent position.
그리고, 이러한 상태에서 척조립체(24)가 하강하여 웨이퍼(W)를 저장조 내부에 수용된 세정액에 담그게 되면 제 1 구동축(26)이 회전하여 단부에 설치된 브러시(B)에 의해 웨이퍼(W)의 중심 부위가 세정된다.In this state, when the chuck assembly 24 is lowered to immerse the wafer W in the cleaning liquid contained in the reservoir, the first drive shaft 26 rotates so that the wafer W is moved by the brush B installed at the end. The central area is cleaned.
이렇게 소정 시간이 경과하게 되면 척조립체(24)는 승강하여 웨이퍼(W)를 세정액으로부터 빼내어 건조하게 된다.When the predetermined time elapses, the chuck assembly 24 is moved up and down to remove the wafer W from the cleaning liquid and to dry it.
이후 제 1 구동축(26)의 회전이 멈춰지면 제 1 홀더(22)는 상술한 제 1 구동축(26)과 제 1 구동축(26)의 단부에 설치된 브러시(B)를 삽입하는 형상으로 하강하여 웨이퍼(W)의 후면에 단부가 접촉하게 되고, 이 상태에서 제공되는 진공압으로 웨이퍼(W) 중심 부위를 흡착하게 된다.Thereafter, when the rotation of the first driving shaft 26 is stopped, the first holder 22 is lowered into a shape of inserting the brush B provided at the end of the first driving shaft 26 and the first driving shaft 26 as described above, and the wafer. An end portion comes into contact with the rear surface of the wafer W, and the center portion of the wafer W is sucked by the vacuum pressure provided in this state.
상술한 제 2 홀더(30)는 진공압의 제공이 중단으로 웨이퍼(W)의 흡착력을 상실하여 웨이퍼(W)를 제 1 홀더(22)에 인계하게 되고, 이어 도2b에 도시된 바와 같이 제 1 홀더(22)의 계속적인 하강 운동에 의해 웨이퍼(W)는 다시 세정액 내부에 담겨진다.As described above, the second holder 30 loses the suction force of the wafer W when the supply of the vacuum pressure stops, and the wafer W is turned over to the first holder 22. The wafer W is again contained in the cleaning liquid by the continuous downward movement of the one holder 22.
또한, 상술한 제 2 구동축(32)은 제 1 홀더(22)와 함께 하강하여 브러시(B)의 하측 부위가 웨이퍼(W)의 후면으로부터 근접되어 위치되고, 이어 제 1 홀더(22)의 회전에 의해 제 2 구동축(32)의 단부에 설치된 브러시(B)는 웨이퍼(W) 후면의 가장자리 부위를 세정하게 된다.In addition, the above-described second drive shaft 32 is lowered together with the first holder 22 so that the lower portion of the brush B is located close to the rear surface of the wafer W, and then the rotation of the first holder 22 is performed. As a result, the brush B provided at the end of the second drive shaft 32 cleans the edge portion of the back surface of the wafer W. As shown in FIG.
그리고, 다시 제 1 홀더(22)와 제 2 구동축(32)은 소정 높이 승강 운동하여 웨이퍼(W)를 세정액으로부터 빼내어 다시 소정 시간 고속 회전함으로써 원심력을 이용하여 웨이퍼(W)를 건조시키게 된다.Then, the first holder 22 and the second drive shaft 32 again move up and down a predetermined height to remove the wafer W from the cleaning liquid and rotate it again at a high speed for a predetermined time to dry the wafer W using centrifugal force.
이후 이어 웨이퍼(W)는 제 1 홀더(22)의 회전이 멈춰진 상태에서 다시 제 2 홀더(30)에 인계되어 언로딩 됨으로써 웨이퍼(W)의 후면 세정을 마치게 된다.Subsequently, the wafer W is taken over and unloaded by the second holder 30 again while the rotation of the first holder 22 is stopped, thereby completing the rear cleaning of the wafer W.
상술한 웨이퍼의 후면 세정장치(20)의 구성에 있어서 세정액이 수용된 저장조 내부에 웨이퍼(W)를 투입하는 구성으로 설명하였으나 도2a와 도2b에 도시된 바와 같이 측벽에 세정액을 선택적으로 공급하도록 형성된 세정액 공급노즐(36)을 설치하여 사용함이 바람직하다.In the above-described configuration of the rear cleaning apparatus 20 of the wafer, the wafer W is introduced into the storage tank in which the cleaning liquid is contained. However, as shown in FIGS. 2A and 2B, the cleaning liquid is selectively supplied to the sidewalls. It is preferable to install and use the cleaning liquid supply nozzle 36.
이렇게 세정액 공급노즐(36)이 설치된 구성의 실시예에 대하여 상술한 구성과 동일한 부호를 부여하고, 그에 따른 동작 관계를 설명하기로 한다.Thus, the same code | symbol as the structure mentioned above is attached | subjected to the Example of the structure with which the washing | cleaning liquid supply nozzle 36 was installed, and the operation relationship which follows is demonstrated.
웨이퍼(W)의 후면 세정을 목적으로 투입된 웨이퍼(W)는 척조립체(24)의 구동과 제 2 홀더(30)에 의해 웨이퍼(W)의 전면이 하측으로 향하도록 위치되고, 이어 세정 작업이 수행되는 위치로 이송된다.The wafer W injected for the rear surface cleaning of the wafer W is positioned so that the front surface of the wafer W faces downward by the driving of the chuck assembly 24 and the second holder 30. Conveyed to the position to be performed.
이때 제 1 홀더(22)는 도2a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 후면으로부터 이격된 상태로 있게 되며, 제 1 구동축(26)의 단부에 설치된 브러시(B)는 웨이퍼(W)의 후면으로부터 일정 간격을 이루며 근접 위치된다.In this case, the first holder 22 is spaced apart from the rear surface of the wafer W as shown in FIG. 2A, and the brush B installed at the end of the first driving shaft 26 is the rear surface of the wafer W. As shown in FIG. At a distance from the adjacent position.
이러한 상태에서 웨이퍼의 후면 세정장치(20)의 측벽에 설치된 세정액 공급노즐(36)은 웨이퍼(W)의 후면에 세정액을 소정 압력으로 분사하게 되고, 제 1 구동축(26)은 회전하여 브러시(B)를 통해 웨이퍼(W)의 중심 부위를 세정하게 된다.In this state, the cleaning liquid supply nozzle 36 installed on the sidewall of the rear cleaning apparatus 20 of the wafer injects the cleaning liquid to the rear surface of the wafer W at a predetermined pressure, and the first driving shaft 26 rotates to brush B ) To clean the central portion of the wafer (W).
이렇게 소정 시간이 경과되면 세정액 공급노즐(36)은 세정액 공급을 중단하게 되고, 제 1 구동축(26)은 계속적으로 회전함과 동시에 웨이퍼(W)를 건조하게 된다.When the predetermined time elapses, the cleaning liquid supply nozzle 36 stops supplying the cleaning liquid, and the first drive shaft 26 continuously rotates, and at the same time, the wafer W is dried.
이후 제 1 구동축(26)의 회전이 멈춰지면 제 1 홀더(22)는 상술한 제 1 구동축(26)과 제 1 구동축(26)의 단부에 설치된 브러시(B)를 삽입하는 형상으로 하강하여 제 1 구동축(26)과 브러시(B)의 측부가 제 1 홀더(22)의 내벽과 이루는 틈새로 제공되는 진공압에 의해 웨이퍼(W) 중심 부위를 흡착하게 된다.Thereafter, when the rotation of the first driving shaft 26 is stopped, the first holder 22 is lowered to insert the brush B installed at the end of the first driving shaft 26 and the first driving shaft 26 as described above. The first drive shaft 26 and the sides of the brush B are attracted to the center portion of the wafer W by a vacuum pressure provided in a gap formed between the inner wall of the first holder 22.
이러한 상태에서 상술한 제 2 홀더(32)에 제공되는 진공압을 차단하고, 이어 도2b에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 후면으로부터 소정 높이 이격되어 위치된다.In this state, the vacuum pressure provided to the above-described second holder 32 is cut off, and then, as shown in FIG. 2B, the vacuum pressure is positioned to be spaced apart from the rear surface of the wafer W by a predetermined height.
이때 제 2 구동축(32)의 단부에 설치된 브러시(B)는 웨이퍼(W)의 후면으로부터 일정 간격을 두고 근접 위치된 상태로 있게 된다.At this time, the brush B provided at the end of the second drive shaft 32 is in a state in which the brush B is proximately spaced from the rear surface of the wafer W.
그리고, 제 1 홀더(26)는 웨이퍼(W)를 흡착한 상태로 고속 회전하게 되며, 이때 세정액 공급노즐(36)은 세정액을 공급함으로써 제 2 구동축(32)의 단부에 설치된 브러시(B)에 의해 웨이퍼(W) 후면의 가장자리 부위를 세정하게 된다.In addition, the first holder 26 rotates at a high speed while the wafer W is attracted thereto, and the cleaning liquid supply nozzle 36 supplies the cleaning liquid to the brush B provided at the end of the second drive shaft 32. As a result, the edge portion of the back surface of the wafer W is cleaned.
그리고, 소정 시간이 경과되면 세정액 공급노즐(36)은 세정액의 공급을 중단하게 되고 제 1 홀더(26)는 고속 회전하여 원심력으로 웨이퍼(W)를 건조시키게 된다.When the predetermined time elapses, the cleaning liquid supply nozzle 36 stops supplying the cleaning liquid, and the first holder 26 rotates at a high speed to dry the wafer W by centrifugal force.
이후 웨이퍼(W)는 제 1 홀더(22)의 회전이 멈춰진 상태에서 다시 제 2 홀더(32)에 인계되어 언로딩 됨으로써 웨이퍼(W)의 후면 세정을 마치게 된다.Thereafter, the wafer W is taken over and unloaded by the second holder 32 again while the rotation of the first holder 22 is stopped, thereby completing the rear cleaning of the wafer W.
한편, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 다른 실시예로서 도3에 도시된 웨이퍼 세정장치(40)는 상술한 웨이퍼의 후면 세정장치(20)의 구성을 종래의 웨이퍼 세정장치(10)에 적용한 실시예를 나타낸 단면도이다.On the other hand, as another embodiment for achieving the object of the present invention, the wafer cleaning apparatus 40 shown in Fig. 3 is implemented by applying the above-described configuration of the wafer rear cleaning apparatus 20 to the conventional wafer cleaning apparatus 10. It is sectional drawing which showed the example.
이러한 실시예에 따른 본 발명의 웨이퍼 세정장치(40)의 구성을 설명하면, 단부 형상이 직경이 넓은 관 형상으로 웨이퍼(W)의 후면 중심 부위를 선택적으로 흡착, 고정하도록 형성된 제 1 홀더(42)가 척조립체(44)의 중심 부위에 승· 하강 및 회전가능하게 관통, 설치된다.Referring to the configuration of the wafer cleaning apparatus 40 of the present invention according to this embodiment, the first holder 42 formed to selectively adsorb and fix the rear center portion of the wafer W in a tubular shape with a wide end shape ) Is installed in the center portion of the chuck assembly 44 so as to lift, lower and rotate.
또한, 제 1 홀더(42)의 내부에는 제 1 구동축(46)이 승· 하강 및 회전가능하게 관통, 설치되며, 제 1 구동축(46)의 단부에는 브러시(B)가 설치되어 있다.In addition, the first drive shaft 46 penetrates and descends and is rotatably installed inside the first holder 42, and a brush B is provided at an end of the first drive shaft 46.
그리고, 제 1 구동축(46)과 브러시(B)의 외측 부위는 제 1 홀더(42)의 내벽과 일정 간격의 틈새를 이루게 되며, 이 틈새를 통해 진공압이 선택적으로 제공됨에 따라 웨이퍼(W)를 흡착하게 된다.The first drive shaft 46 and the outer portion of the brush B form a gap with an inner wall of the first holder 42 at a predetermined interval, and the vacuum pressure is selectively provided through the gap to allow the wafer W to be provided. Will be adsorbed.
한편, 척조립체(44) 상에는 제 1 홀더(42)와 동일한 형상으로 웨이퍼(W)의 후면 가장자리 부위를 선택적으로 흡착하도록 형성된 제 2 홀더(50)가 제 1 홀더(42)와 나란하게 복수개 설치된다.On the other hand, on the chuck assembly 44, a plurality of second holders 50 formed to selectively adsorb the rear edge portion of the wafer W in the same shape as the first holder 42 are installed in parallel with the first holder 42. do.
이러한 제 2 홀더(50)의 내부에는 상술한 제 1 구동축(46)과 동일하게 단부에 브러시(B)가 장착된 제 2 구동축(52)이 승· 하강 및 회전가능하게 관통, 설치된다.Inside the second holder 50, a second drive shaft 52 having a brush B mounted at an end thereof is penetrated therethrough in a manner similar to the above-described first drive shaft 46 so as to move up, down, and rotate.
한편, 제 1 홀더(42) 또는 제 2 홀더(50)에 흡착되어 위치되는 웨이퍼(W)의 하측에는 수평 이동 및 회전가능한 제 3 구동축(58)이 설치되며, 이 제 3 구동축(58)의 상측 단부에는 웨이퍼(W)의 전면에 일정 간격을 이루며 근접 위치되는 브러시(B)가 설치된다.Meanwhile, a third drive shaft 58 that is horizontally movable and rotatable is installed below the wafer W that is adsorbed by the first holder 42 or the second holder 50, and the third drive shaft 58 is rotated. At the upper end, a brush (B) which is positioned at a predetermined distance to the front surface of the wafer (W) is installed.
그리고, 상술한 바와 같이 제 1 홀더 또는 제 2 홀더에 의해 흡착되어 위치되는 웨이퍼(W)의 상· 하측의 웨이퍼 세정장치(40)의 측벽에는 전면과 후면에 선택적으로 세정액을 공급하도록 형성된 세정액 공급노즐(56a, 56b)이 설치된다.As described above, the cleaning liquid supply is formed to selectively supply the cleaning liquid to the front and rear surfaces of the sidewalls of the wafer cleaning apparatus 40 on the upper and lower sides of the wafer W, which are adsorbed by the first holder or the second holder. The nozzles 56a and 56b are provided.
이러한 구성의 실시예에 의한 동작 관계를 설명하면, 세정 작업을 수행하기 위해 투입되는 웨이퍼(W)는 제 2 홀더(50)에 흡착되어 척조립체(44)의 구동에 따라 전면이 하측 방향을 향하도록 위치되고, 이어 세정 작업이 수행되는 위치로 이송된다.Referring to the operation relationship according to the embodiment of this configuration, the wafer (W) that is injected to perform the cleaning operation is adsorbed to the second holder 50 so that the front surface is directed downward as the chuck assembly 44 is driven. To the position where the cleaning operation is performed.
이때 제 1 홀더(42)는 웨이퍼(W)의 후면으로부터 이격되어 위치되고, 제 1 구동축(46)의 단부에 설치된 브러시(B)는 웨이퍼(W)의 후면으로부터 일정 간격을 이루며 근접 위치된다.In this case, the first holder 42 is spaced apart from the rear surface of the wafer W, and the brush B installed at the end of the first driving shaft 46 is positioned close to the rear surface of the wafer W at a predetermined interval.
이러한 상태에서 웨이퍼 세정장치(40)의 측벽에 설치된 상측 세정액 공급노즐(56a)을 통해 세정액이 공급됨과 동시에 제 1 구동축(46)을 회전하게 됨으로써 제 1 구동축(46)의 단부에 설치된 브러시(B)는 웨이퍼(W)의 중심 부위를 세정하게 된다.In this state, the cleaning liquid is supplied through the upper cleaning liquid supply nozzle 56a provided on the sidewall of the wafer cleaning apparatus 40 and the first driving shaft 46 is rotated at the same time, so that the brush B is provided at the end of the first driving shaft 46. ) Cleans the central portion of the wafer (W).
이러한 세정작업이 소정 시간 경과되면 상측 세정액 공급노즐(56a)은 세정액 공급을 중단되어 웨이퍼(W)를 건조시키게 된다.When the cleaning operation has elapsed for a predetermined time, the upper cleaning liquid supply nozzle 56a stops supplying the cleaning liquid to dry the wafer W.
이후 제 1 구동축(46)의 회전이 멈춰지면 제 1 홀더(42)는 상술한 제 1 구동축(46)과 제 1 구동축(46)의 단부에 설치된 브러시(B)를 삽입하는 형상으로 하강하여 상술한 틈새를 통해 제공되는 진공압으로 웨이퍼(W)의 중심 부위를 흡착하게 된다.Thereafter, when the rotation of the first drive shaft 46 is stopped, the first holder 42 is lowered into a shape of inserting the brush B installed at the end of the first drive shaft 46 and the first drive shaft 46 as described above. The vacuum pressure provided through the gap allows the center portion of the wafer W to be adsorbed.
이어서 제 2 홀더(50)에 제공되는 진공압이 차단됨으로써 웨이퍼(W)는 제 1 홀더에 인계된다.Subsequently, the vacuum pressure provided to the second holder 50 is cut off, so that the wafer W is turned over to the first holder.
다시 제 1 홀더(42)는 웨이퍼(W)를 흡착한 상태로 소정 높이 하강하게 되고, 이때 웨이퍼(W)의 전면은 상술한 제 3 구동축(58)에 설치된 브러시(B)의 상측 부위에 일정 간격을 이루며 근접 위치된다.Again, the first holder 42 is lowered by a predetermined height in a state of adsorbing the wafer W, and at this time, the front surface of the wafer W is fixed to an upper portion of the brush B provided in the above-described third drive shaft 58. Closely spaced.
또한, 제 2 구동축(52)은 웨이퍼(W)의 후면에 일정 간격을 이루며 근접 위치되는 위치까지 하강하게 되며, 이러한 상태에서 상· 하측 세정액 공급노즐(56a, 56b)을 통해 세정액이 공급됨과 동시에 제 1 홀더(42)는 웨이퍼(W)를 고속 회전시키게 되어 웨이퍼(W)의 전면과 후면의 가장자리 부위를 동시에 세정하게 된다.In addition, the second driving shaft 52 is lowered to a position positioned at a predetermined interval on the rear surface of the wafer W, and in this state, the cleaning liquid is supplied through the upper and lower cleaning liquid supply nozzles 56a and 56b. The first holder 42 rotates the wafer W at a high speed to simultaneously clean the edges of the front and rear surfaces of the wafer W.
이렇게 일정 시간이 경과하게 되면 상· 하측 세정액 공급노즐(56a, 56b)은 세정액 공급을 차단하고, 제 1 홀더(42)는 계속적으로 고속 회전하여 웨이퍼(W)를 건조시키게 된다.When a predetermined time elapses, the upper and lower cleaning liquid supply nozzles 56a and 56b block the cleaning liquid supply, and the first holder 42 is continuously rotated at a high speed to dry the wafer W.
이후 제 1 홀더(42)의 구동이 멈추게 되면, 제 1 홀더(46)는 승강 운동을 하고, 다시 웨이퍼(W)를 제 2 홀더(50)에 인계하게 되며, 이어 척조립체(44)의 구동에 따라 언로딩 됨으로써 세정 작업을 마치게 된다.Then, when the driving of the first holder 42 is stopped, the first holder 46 moves up and down, and the wafer W is turned over to the second holder 50, and then the chuck assembly 44 is driven. By unloading according to the cleaning operation is completed.
한편, 도4a와 도4b에 도시된 웨이퍼의 후면 세정장치(60)는 상기 목적을 달성하기 위한 또 다른 실시예의 동작 관계를 나타낸 단면도로서, 도4a와 도4b를 참조하여 구성 및 동작 관계를 설명하기로 한다.On the other hand, the back surface cleaning apparatus 60 of the wafer shown in Figures 4a and 4b is a cross-sectional view showing an operation relationship of another embodiment for achieving the above object, the configuration and operation relationship with reference to Figures 4a and 4b. Let's do it.
도4a에 도시된 바와 같이 단부 형상이 직경이 넓은 관 형상으로 웨이퍼(W)의 후면 중심 부위를 선택적으로 흡착, 고정하도록 형성된 제 1 홀더(62)가 척조립체(64)의 중심 부위에 승· 하강 및 회전가능하게 관통, 설치된다.As shown in Fig. 4A, the first holder 62 formed to selectively suck and fix the rear center portion of the wafer W in a tubular shape having a wide end diameter is formed on the center portion of the chuck assembly 64. It is penetrated and installed to descend and rotate.
또한, 제 1 홀더(62)의 내부에는 제 1 구동축(66)이 승· 하강 및 회전가능하게 관통, 설치되며, 제 1 구동축(66)의 단부에는 상술한 제 1 홀더(62)의 단부에 일정 간격을 두고 위치되도록 형성된 브러시(B)가 장착된다.In addition, the first drive shaft 66 penetrates, descends, and rotatably penetrates and is installed inside the first holder 62. An end of the first drive shaft 66 is disposed at an end of the first holder 62 described above. A brush B formed to be positioned at a predetermined interval is mounted.
그리고, 브러시(B)와 제 1 구동축(66)의 외측 부위와 제 1 홀더(62)의 내벽 사이에는 일정 간격의 틈새를 이루고 있으며, 이 틈새를 통해 웨이퍼(W)를 흡착하기 위한 진공압이 선택적으로 제공되어 웨이퍼(W)를 흡착하게 된다.Then, a gap is formed between the brush B, the outer portion of the first drive shaft 66 and the inner wall of the first holder 62, and a vacuum pressure for adsorbing the wafer W is provided through the gap. Optionally provided to adsorb the wafer (W).
한편, 제 1 홀더(62)의 측부에는 구동수단에 의해 웨이퍼(W)의 직경에 따라 위치 이동 가능하고 선택적으로 웨이퍼(W)의 후면 가장자리 부위를 흡착, 고정하도록 형성된 제 2 홀더(68)가 복수개 설치된다.On the other hand, the second holder 68 is formed on the side of the first holder 62 to be moved by the driving means in accordance with the diameter of the wafer W and selectively sucks and fixes the rear edge portion of the wafer W. Plural numbers are installed.
이렇게 설치되는 복수개의 제 2 홀더(68)는 두 개 설치되고, 상술한 제 1 홀더(62)와 함께 일렬 배치된 형상으로 설치함이 바람직하다.The plurality of second holders 68 installed in this manner may be installed in two, and the second holders 68 may be installed in a line arranged together with the first holder 62 described above.
상술한 제 1 홀더(62)와 복수개의 제 2 홀더(68)에 의해 흡착되는 웨이퍼(W)의 측부에는 제 2 구동축(70)에 고정되어 웨이퍼(W)의 후면 중심 방향으로 수평 왕복 운동이 가능하도록 설치되는 브러시(B)가 복수개 설치되고, 이러한 제 2 구동축(70)의 설치 위치는 일직선상에 배치되는 제 2 홀더(68)와 교차하는 방향으로 설치함이 바람직하다.The side of the wafer W adsorbed by the first holder 62 and the plurality of second holders 68 described above is fixed to the second drive shaft 70 so that a horizontal reciprocating motion in the direction of the rear center of the wafer W is performed. It is preferable that a plurality of brushes B installed to be installed are provided, and the installation position of the second drive shaft 70 is installed in a direction crossing the second holder 68 arranged in a straight line.
이러한 구성의 실시예에 따른 동작 관계를 설명하면, 세정 작업을 수행하기 위해 투입되는 웨이퍼(W)는 제 2 홀더(68)에 흡착되어 척조립체(64)의 구동에 따라 전면이 하측 방향을 향하도록 위치되고, 이어 세정 작업이 수행되는 위치로 이송된다.Referring to the operation relationship according to the embodiment of this configuration, the wafer (W) that is injected to perform the cleaning operation is adsorbed by the second holder 68 so that the front surface is directed downward as the chuck assembly 64 is driven. To the position where the cleaning operation is performed.
이때 제 1 홀더(62)는 도4a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 후면으로부터 이격된 상태로 있으며, 제 1 구동축의 단부에 설치된 브러시(B)는 웨이퍼(W)의 후면으로부터 일정 간격을 이루며 근접 위치된다.In this case, the first holder 62 is spaced apart from the rear surface of the wafer W as shown in FIG. 4A, and the brush B installed at the end of the first driving shaft has a predetermined distance from the rear surface of the wafer W. In close proximity.
그리고, 이러한 상태에서 척조립체(64)가 하강함으로써 웨이퍼(W)는 저장조(도시 안됨) 내부에 수용된 세정액에 담겨지고, 이어 제 1 구동축(66)을 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 후면 중심 부위에 근접 설치된 브러시(B)로 하여금 웨이퍼(W)의 중심 부위를 세정하게 된다.In this state, the chuck assembly 64 is lowered so that the wafer W is immersed in the cleaning liquid contained in the reservoir (not shown), and then rotates the first drive shaft 66 to the rear center portion of the wafer W. The brush B, which is installed in close proximity, cleans the center portion of the wafer W.
이렇게 소정 시간이 경과하게 되면 척조립체(64)는 승강하여 웨이퍼(W)를 수용액으로부터 빼내어 건조하게 된다.When the predetermined time elapses, the chuck assembly 64 is moved up and down, and the wafer W is removed from the aqueous solution and dried.
이후 제 1 구동축(66)의 회전이 멈춰지면 제 1 홀더(62)는 상술한 제 1 구동축(66)과 제 1 구동축(66)의 단부에 설치된 브러시(B)를 삽입하는 형상으로 하강하여 제공되는 진공압에 의해 웨이퍼(W) 중심 부위를 흡착하게 된다.Thereafter, when the rotation of the first drive shaft 66 is stopped, the first holder 62 is lowered and provided to insert the brush B installed at the end of the first drive shaft 66 and the first drive shaft 66. Due to the vacuum pressure, the center portion of the wafer W is adsorbed.
이러한 상태에서 상술한 제 2 홀더(68)에 제공되는 진공압은 중단되고, 제 1 홀더(62)는 제 2 홀더로부터 웨이퍼(W)를 인계받아 하강하게 됨으로써 웨이퍼(W)를 다시 세정액 내에 담그게 된다.In this state, the vacuum pressure provided to the above-described second holder 68 is stopped, and the first holder 62 takes over and lowers the wafer W from the second holder, so that the wafer W is again contained in the cleaning liquid. That is it.
이러한 상태에서 웨이퍼(W)의 측부에 설치된 제 2 구동축(70)은 웨이퍼(W) 중심 방향으로 수평 왕복 운동을 하게 되고, 제 2 구동축(70)의 단부에 고정된 브러시(B)의 하측 부위는 웨이퍼(W) 후면의 가장자리 부위 상측으로 일정 간격을 이루며 근접 위치된 상태로 수평 왕복 운동을 하게 된다.In this state, the second drive shaft 70 provided on the side of the wafer W performs horizontal reciprocating motion toward the center of the wafer W, and the lower portion of the brush B fixed to the end of the second drive shaft 70. The horizontal reciprocating motion is performed in a state in which it is positioned at a predetermined interval above the edge portion of the back surface of the wafer (W).
그리고, 제 1 홀더(62)는 세정액 내부에 담긴 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 상술한 바와 같이 위치된 브러시(B)로 하여금 웨이퍼(W) 후면의 가장자리 부위를 세정하도록 한다.The first holder 62 rotates the wafer W contained in the cleaning liquid to cause the brush B positioned as described above to clean the edge portion of the back surface of the wafer W. As shown in FIG.
이후 제 2 구동축(70)에 부착된 브러시(B)가 웨이퍼(W) 외측으로 이격 위치되면 제 1 홀더(62)는 소정 높이 승강 운동하여 웨이퍼(W)를 세정액으로부터 이격 위치시키게 되고, 이어 소정 시간 고속 회전하여 웨이퍼(W)를 건조시키게 된다.Then, when the brush B attached to the second drive shaft 70 is spaced apart from the outside of the wafer W, the first holder 62 moves up and down a predetermined height to position the wafer W away from the cleaning liquid. The wafer W is dried by rotating at high speed in time.
그리고, 이러한 과정을 통해 건조가 끝나게 되면 제 1 홀더(62)는 승강 운동하여 웨이퍼(W)를 다시 제 2 홀더(68)에 인계하게 되고, 제 2 홀더(68)는 척조립체(64)의 구동에 따라 웨이퍼(W)를 언로딩 함으로써 웨이퍼(W)의 세정 작업이 끝나게 된다.When the drying is completed through this process, the first holder 62 moves up and down to take over the wafer W to the second holder 68, and the second holder 68 of the chuck assembly 64 is disposed. The cleaning operation of the wafer W is completed by unloading the wafer W in accordance with the driving.
상술한 웨이퍼의 후면 세정장치(60)의 구성에 있어서 세정액이 수용된 저장조 내부에 웨이퍼(W)를 투입하는 구성으로 설명하였으나 도4a와 도4b에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 후면에 세정액을 선택적으로 공급하도록 형성된 세정액 공급노즐(72)을 설치하여 사용함이 바람직하다.In the above configuration of the back surface cleaning apparatus 60 of the wafer, the wafer W is introduced into the storage tank in which the cleaning liquid is accommodated. However, as shown in FIGS. 4A and 4B, the cleaning liquid is applied to the rear surface of the wafer W. As shown in FIG. It is preferable to install and use the cleaning liquid supply nozzle 72 formed to selectively supply.
이렇게 세정액 공급노즐(72)이 설치된 구성에 따른 실시예를 도4a와 도4b를 참조하고, 동일한 구성에 대하여 동일한 부호를 부여하며, 그에 따른 동작 관계를 설명하기로 한다.The embodiment according to the configuration in which the cleaning liquid supply nozzle 72 is installed will be described with reference to FIGS. 4A and 4B, and the same reference numerals will be given to the same configuration, and the operation relations accordingly will be described.
후면 세정을 목적으로 투입되는 웨이퍼(W)는 제 2 홀더(68)에 의해 전면이 하측으로 향하게 위치되어 세정 작업이 수행되는 위치로 이송된다.The wafer W introduced for the rear cleaning is transferred to the position where the front surface is downwardly disposed by the second holder 68 and the cleaning operation is performed.
이때 제 1 홀더(62)는 도4a에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 후면으로부터 이격된 상태로 있게 되며, 제 1 구동축(66)의 단부에 설치된 브러시(B)는 웨이퍼(W)의 후면으로부터 일정 간격을 이루며 근접 위치된다.In this case, the first holder 62 is spaced apart from the rear surface of the wafer W as shown in FIG. 4A, and the brush B installed at the end of the first driving shaft 66 is the rear surface of the wafer W. As shown in FIG. At a distance from the adjacent position.
이러한 상태에서 웨이퍼의 후면 세정장치(60)의 측벽에 설치된 세정액 공급노즐(72)은 웨이퍼(W)의 후면에 세정액을 분사하여 공급하고, 제 1 구동축(66)은 회전하여 브러시(B)를 통해 웨이퍼(W)의 중심 부위를 세정하게 된다.In this state, the cleaning liquid supply nozzle 72 provided on the sidewall of the rear cleaning apparatus 60 of the wafer is supplied by spraying the cleaning liquid to the rear surface of the wafer W, and the first drive shaft 66 is rotated so that the brush B is rotated. The central portion of the wafer (W) is cleaned through this.
이렇게 소정 시간이 경과되면 세정액 공급노즐(72)은 세정액 공급을 중단하게 되고, 제 1 구동축(66)은 계속적으로 회전함으로써 동시에 웨이퍼(W)를 건조하게 된다.When the predetermined time elapses, the cleaning liquid supply nozzle 72 stops supplying the cleaning liquid, and the first drive shaft 66 continuously rotates to dry the wafer W at the same time.
이후 제 1 구동축(66)의 회전이 멈춰지면 제 1 홀더(62)는 상술한 제 1 구동축(66)과 제 1 구동축(66)의 단부에 설치된 브러시(B)를 삽입하는 형상으로 하강하여 제 1 구동축(66)과 브러시(B)의 외측 부위가 제 1 홀더(62)의 내벽과 이루는 틈새로 제공되는 진공압에 의해 웨이퍼(W) 중심 부위를 흡착하게 된다.Then, when the rotation of the first drive shaft 66 is stopped, the first holder 62 is lowered to insert the brush B provided at the end of the first drive shaft 66 and the first drive shaft 66 as described above. The outer portion of the first drive shaft 66 and the brush B is attracted to the center portion of the wafer W by the vacuum pressure provided in the gap formed with the inner wall of the first holder 62.
이러한 상태에서 상술한 제 2 홀더(68)에 제공되는 진공압을 차단되어 웨이퍼(W)를 제 1 홀더(62)에 인계하게 되고, 이어 제 1 홀더(62)는 웨이퍼(W)를 흡착한 상태로 하강하여 제 2 홀더(68)로부터 하측으로 이격 위치시키게 된다.In this state, the vacuum pressure provided to the above-described second holder 68 is cut off to take over the wafer W to the first holder 62, and then the first holder 62 absorbs the wafer W. It is lowered to the state, and is spaced apart from the 2nd holder 68 below.
이때 제 2 구동축(70)은 웨이퍼(W)의 중심 방향으로 왕복 운동을 수행하게 되고, 이 제 2 구동축(70)에 의해 왕복 운동을 하는 브러시(B)는 하측 부위가 웨이퍼(W)의 후면에 일정 간격을 이루며 근접된 상태로 왕복 운동을 하게 된다.At this time, the second drive shaft 70 performs the reciprocating motion in the direction of the center of the wafer (W), the lower portion of the brush (B) reciprocating by the second drive shaft 70 is the rear surface of the wafer (W) The reciprocating motion is performed in the proximity state at regular intervals.
이어서 제 1 홀더(62)는 웨이퍼(W)를 흡착한 상태로 고속 회전하게 되며, 이때 세정액 공급노즐(72)은 세정액을 공급함으로써 제 2 구동축(70)에 의해 웨이퍼(W)의 후면 상측에서 왕복 운동하게 되는 브러시(B)는 웨이퍼(W)의 후면 가장자리 부위를 세정하게 된다.Subsequently, the first holder 62 rotates at a high speed while the wafer W is attracted, and the cleaning liquid supply nozzle 72 supplies the cleaning liquid to the upper side of the rear surface of the wafer W by the second driving shaft 70. The brush B, which is reciprocated, cleans the rear edge portion of the wafer W.
이렇게 소정 시간이 경과되면 세정액 공급노즐(72)은 세정액의 공급을 중단하게 되고 제 1 홀더(62)는 고속 회전하여 원심력으로 웨이퍼(W)를 건조시키게 된다.When the predetermined time elapses, the cleaning liquid supply nozzle 72 stops the supply of the cleaning liquid, and the first holder 62 rotates at a high speed to dry the wafer W by centrifugal force.
이후 웨이퍼(W)는 제 1 홀더(62)의 회전이 멈춰진 상태에서 다시 제 2 홀더(68)에 인계되어 언로딩 됨으로써 웨이퍼(W)의 후면 세정을 마치게 된다.Thereafter, the wafer W is taken over and unloaded by the second holder 68 again while the rotation of the first holder 62 is stopped, thereby completing the rear cleaning of the wafer W.
한편, 도5에 도시된 웨이퍼 세정장치(80)는 상술한 웨이퍼의 후면 세정장치(60)의 구성을 종래의 웨이퍼 세정장치(10)에 적용한 실시예를 나타낸 단면도로서, 이 실시예에 따른 동작 관계를 도5를 참조하여 설명하기로 한다.On the other hand, the wafer cleaning apparatus 80 shown in Fig. 5 is a sectional view showing an embodiment in which the configuration of the above-described back surface cleaning apparatus 60 of the wafer is applied to the conventional wafer cleaning apparatus 10, and the operation according to this embodiment is performed. The relationship will be described with reference to FIG.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치(80)의 구성은 도5에 도시된 바와 같이 단부 형상이 직경이 넓은 관 형상으로 웨이퍼(W)의 후면 중심 부위를 선택적으로 흡착, 고정하도록 형성된 제 1 홀더(82)가 척조립체(84)의 중심 부위에 승· 하강 및 회전가능하게 관통, 설치된다.The structure of the wafer cleaning apparatus 80 according to another embodiment of the present invention is formed to selectively adsorb and fix the rear center portion of the wafer W in a tubular shape having a wide end diameter as shown in FIG. 5. The first holder 82 is penetrated and installed in a central portion of the chuck assembly 84 so as to be lifted, lowered and rotated.
또한, 제 1 홀더(82)의 내부에는 제 1 구동축(86)이 승· 하강 및 회전가능하게 관통, 설치되며, 제 1 구동축(86)의 단부에는 상술한 제 1 홀더(86)의 단부에 일정 간격을 두고 위치되도록 형성된 브러시(B)가 장착된다.In addition, a first drive shaft 86 penetrates and is rotatably moved up, down, and rotatably in the interior of the first holder 82, and an end of the first holder 86 is formed at an end of the first drive shaft 86. A brush B formed to be positioned at a predetermined interval is mounted.
그리고, 브러시(B)와 제 1 구동축(86)의 외측 부위와 제 1 홀더(82)의 내벽 사이에는 항시 일정 간격의 틈새를 이루고, 이 틈새로 웨이퍼(W)를 흡착하기 위한 진공압이 선택적으로 전달된다.In addition, a gap is always formed between the brush B and the outer portion of the first drive shaft 86 and the inner wall of the first holder 82 at regular intervals, and the vacuum pressure for adsorbing the wafer W is selectively selected by the gap. Is passed to.
한편, 척조립체(84) 상에는 제 1 홀더(82)와 나란하게 설치되어 웨이퍼(W)의 후면 가장자리 부위를 선택적으로 흡착하도록 형성된 제 2 홀더(88)가 고정수단에 의해 웨이퍼(W)의 직경에 따라 수평 왕복 운동이 가능하도록 복수개 설치된다.On the other hand, on the chuck assembly 84, the second holder 88 is installed in parallel with the first holder 82 to selectively suck the rear edge portion of the wafer (W) by the fixing means diameter of the wafer (W) According to this, a plurality of horizontal reciprocating motions are provided.
또한, 웨이퍼 세정장치(80)의 측벽 소정 위치에는 제 1 홀더(82)에 의해 위치되는 웨이퍼(W)의 중심 방향으로 수평 왕복 운동이 가능하게 설치되는 제 2 구동축(90)이 설치되어 있으며, 이 제 2 구동축(90)의 단부에는 브러시(B)가 부착되어 있다.In addition, a second drive shaft 90 is installed at a sidewall predetermined position of the wafer cleaner 80 so as to allow horizontal reciprocating movement in the center direction of the wafer W positioned by the first holder 82. The brush B is attached to the end of this second drive shaft 90.
그리고, 제 1 홀더(82)에 흡착되어 위치되는 웨이퍼(W)의 하측에는 제 3 구동축(94)이 설치되어 있으며, 이 제 3 구동축(94)의 상측 단부에는 웨이퍼(W)의 전면에 대하여 일정 간격을 이루며 근접 위치되는 브러시(B)가 설치된다.A third drive shaft 94 is provided below the wafer W, which is sucked and positioned by the first holder 82, and an upper end of the third drive shaft 94 with respect to the entire surface of the wafer W. Brush B is installed to be positioned at a predetermined interval close.
한편, 상술한 바와 같이 제 1 홀더(82)에 의해 흡착되어 위치되는 웨이퍼(W)의 상· 하측 웨이퍼 세정장치(80)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 전면과 후면에 선택적으로 세정액을 공급하도록 형성된 세정액 공급노즐(92a, 92b)이 설치된다.Meanwhile, as described above, the cleaning liquid may be selectively supplied to the front and rear surfaces of the wafer W to the sidewalls of the upper and lower wafer cleaning devices 80 of the wafer W, which are adsorbed by the first holder 82. The formed cleaning liquid supply nozzles 92a and 92b are provided.
이러한 구성의 실시예에 의한 동작 관계를 설명하면, 세정 작업을 수행하기 위해 투입되는 웨이퍼(W)는 제 2 홀더(88)에 흡착되어 척조립체(84)의 구동에 따라 전면이 하측 방향을 향하도록 위치되어 세정 작업이 수행되는 위치로 이송된다.Referring to the operation relationship according to the embodiment of this configuration, the wafer (W) that is injected to perform the cleaning operation is adsorbed by the second holder 88 so that the front surface is directed downward as the chuck assembly 84 is driven. To be transported to a position where a cleaning operation is performed.
이때 제 1 홀더(82)는 웨이퍼(W)의 후면으로부터 이격 위치되고, 제 1 구동축(86)의 단부에 설치된 브러시(B)는 웨이퍼(W)의 후면으로부터 일정 간격을 이루며 근접 위치된다.In this case, the first holder 82 is spaced apart from the rear surface of the wafer W, and the brush B installed at the end of the first drive shaft 86 is proximately positioned at a predetermined distance from the rear surface of the wafer W.
이러한 상태에서 웨이퍼 세정장치(80)의 측벽에 설치된 상측 세정액 공급노즐(92a)을 통해 세정액이 공급됨과 동시에 제 1 구동축(86)을 회전시킴으로써 제 1 구동축(86)의 단부에 설치된 브러시(B)는 웨이퍼(W)의 중심 부위를 세정하게 된다.In this state, the cleaning liquid is supplied through the upper cleaning liquid supply nozzle 92a provided on the side wall of the wafer cleaning apparatus 80 and the brush B provided at the end of the first driving shaft 86 by rotating the first driving shaft 86. Cleans the central portion of the wafer (W).
이렇게 소정 시간 경과하게 되면 상측 세정액 공급노즐(92a)은 세정액 공급을 중단한 후 웨이퍼(W)를 건조시키게 된다.When the predetermined time elapses, the upper cleaning liquid supply nozzle 92a stops the cleaning liquid supply and then dries the wafer W.
이후 제 1 구동축(86)의 회전이 멈춰지면 제 1 홀더(82)는 상술한 제 1 구동축(86)과 제 1 구동축(86)의 단부에 설치된 브러시(B)를 삽입하는 형상으로 하강하여 브러시(B)의 외측 부위를 포함한 제 1 구동축(86)의 외측 부위와 제 1 홀더(82)의 내벽 사이의 틈새를 통해 진공압이 제공되어 웨이퍼(W) 중심 부위를 흡착하게 된다.Thereafter, when the rotation of the first drive shaft 86 is stopped, the first holder 82 is lowered into a shape of inserting the brush B installed at the end of the first drive shaft 86 and the first drive shaft 86 described above, and then brushing. A vacuum pressure is provided through the gap between the outer portion of the first drive shaft 86 and the inner wall of the first holder 82 including the outer portion of (B) to adsorb the center portion of the wafer W. As shown in FIG.
그리고, 제 2 홀더(88)에 제공되는 진공압이 차단되어 웨이퍼(W)는 제 1 홀더(82)에 인계되고, 제 1 홀더(82)는 웨이퍼(W)의 전면이 상술한 제 3 구동축(94)의 상측 단부에 설치된 브러시(B)의 상측 부위로부터 일정 간격을 두고 근접 위치되도록 웨이퍼(W)를 하강시키게 된다.In addition, the vacuum pressure provided to the second holder 88 is cut off so that the wafer W is turned over to the first holder 82, and the first holder 82 has the third driving shaft in which the front surface of the wafer W is described above. The wafer W is lowered so as to be proximately spaced apart from the upper portion of the brush B provided at the upper end of the 94.
이때 웨이퍼 세정장치(80)의 측벽에 설치되는 제 2 구동축(90)은 제 1 홀더(82)와 접촉되지 않는 범위의 웨이퍼(W)의 중심 방향으로 수평 왕복 운동을 하게 되고, 이 제 2 구동축(90)의 단부에 설치되는 브러시(B)는 웨이퍼(W)의 후면으로부터 일정 간격을 두고 근접 위치되는 상태로 수평 왕복 운동을 하게 된다.At this time, the second drive shaft 90 installed on the sidewall of the wafer cleaning apparatus 80 performs a horizontal reciprocating motion in the center direction of the wafer W in a range not in contact with the first holder 82. The brush B installed at the end of the 90 is horizontally reciprocated in a state in which the brush B is proximately spaced from the rear surface of the wafer W at a predetermined interval.
그리고, 이러한 상태에서 제 1 홀더(82)는 웨이퍼(W)를 고속 회전하게 되고, 웨이퍼(W)의 상· 하측에 설치된 세정액 공급노즐(92a, 92b)을 통해 웨이퍼(W)의 전면과 후면에 세정액을 공급하게 됨으로써 웨이퍼(W)의 전면과 웨이퍼(W)의 후면 가장자리 부위를 동시에 세정하게 된다.In this state, the first holder 82 rotates the wafer W at high speed, and the front and rear surfaces of the wafer W are provided through the cleaning liquid supply nozzles 92a and 92b provided on the upper and lower sides of the wafer W. By supplying the cleaning liquid to the wafer, the front surface of the wafer W and the rear edge portion of the wafer W are simultaneously cleaned.
이렇게 일정 시간이 경과하게 되면 상· 하측 세정액 공급노즐(92a, 92b)은 세정액 공급을 차단하고, 제 2 구동축(90)은 웨이퍼(W)의 외측으로 이격 위치된 상태로 있게 되며, 제 1 홀더(82)는 고속 회전하여 원심력을 이용하여 웨이퍼(W)를 건조시키게 된다.When a predetermined time elapses, the upper and lower cleaning liquid supply nozzles 92a and 92b block the cleaning liquid supply, and the second driving shaft 90 is spaced apart from the outside of the wafer W. The first holder The reference numeral 82 rotates at high speed to dry the wafer W using centrifugal force.
이후 제 1 홀더(82)의 구동이 멈추게 되면, 제 1 홀더(82)는 승강 운동하여 웨이퍼(W)를 다시 제 2 홀더(88)에 인계하게 되며, 이어 척조립체(84)의 구동에 따라 언로딩 됨으로써 세정 작업을 마치게 된다.Thereafter, when the driving of the first holder 82 is stopped, the first holder 82 moves up and down to take over the wafer W to the second holder 88 again, and then the chuck assembly 84 is driven. Unloading completes the cleaning operation.
이러한 구성의 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 후면과 전면을 동시에 세정하게 되어 세정하게 되어 공정 불량을 방지하고, 이에 따라 반도체장치로의 제조수율을 높이는 효과가 있다.According to the present invention having such a configuration, the back and front surfaces of the wafer are simultaneously cleaned to clean the process, thereby preventing process defects, thereby increasing the manufacturing yield of the semiconductor device.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (23)
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Applications Claiming Priority (1)
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ID=66039585
Family Applications (1)
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1997
- 1997-07-10 KR KR1019970032128A patent/KR19990009660A/en not_active Application Discontinuation
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