KR19990000862A

KR19990000862A - Semiconductor etching equipment

Info

Publication number: KR19990000862A
Application number: KR1019970023978A
Authority: KR
Inventors: 김종현; 김종명; 박신현; 장광영
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1997-06-11
Filing date: 1997-06-11
Publication date: 1999-01-15

Abstract

본 발명은 반도체 식각장치에 관한 것으로, 베스펠 캡 스크류와 결합되는 페데스탈의 모서리 부분을 라운드 타입으로 형성함으로써 애너다이징 처리되는 페데스탈의 다른 부분과 거의 동일한 두께로 표면처리되어 베스펠 캡 스크류의 잦은 접촉에 의해 발생하는 애너다이징의 조기 벗겨짐 현상을 방지할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a semiconductor etching apparatus, wherein a corner portion of a pedestal coupled with a Vespel cap screw is formed in a round type, and the surface of the Vespel cap screw is surfaced to almost the same thickness as another portion of the pedestal to be anodized. It is possible to prevent the early peeling of the anodization caused by the contact.

Description

Semiconductor etching equipment

본 발명은 반도체 식각장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 챔버를 크린하기 위해 캐소드에 고정되는 페데스탈을 분리 및 결합할 때, 페데스탈 소정 영역의 애너다이징 처리된 부분이 벗겨져 아킹이 발생하는 것을 방지할 수 있는 반도체 식각장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor etching apparatus, and more particularly, when detaching and coupling a pedestal fixed to a cathode to clean a chamber, the anodized portion of a pedestal predetermined area may be peeled off to prevent arcing from occurring. It relates to a semiconductor etching apparatus that can be.

일반적으로 건식 식각법은 밀폐된 챔버내의 캐소드에 웨이퍼를 장착한 후 그 웨이퍼 상에 기 형성된 절연막 또는 금속층을 플라즈마 상태의 가스에 의해 식각함으로써 그 식각된 웨이퍼의 세척 공정이 필요하지 않을 뿐 아니라, 그 절연막 또는 금속층이 이방성 식각되는 특징을 갖고 있다. 이러한 특성을 갖는 건식 식각법들 중의 하나인 반응성 이온 식각법은 양호한 이방성 식각 특성을 갖고 있어 미세한 패턴을 형성하는데 주로 이용되고 있다.In general, the dry etching method requires not only cleaning the etched wafer by attaching the wafer to the cathode in the sealed chamber and then etching the insulating film or metal layer formed on the wafer with the gas in the plasma state. The insulating film or the metal layer is characterized by anisotropic etching. Reactive ion etching, which is one of the dry etching methods having such characteristics, has a good anisotropic etching property and is mainly used to form fine patterns.

이와 같은 식각법은 플라즈마 식각장치를 이용하는 바, 먼저, 선행 공정을 종료한 웨이퍼는 이송로봇에 의해 진공상태의 챔버내에 위치한 페데스탈상에 로딩된다. 이어서, 페데스탈로부터 소정 거리 이격된 클램프는 소정의 구동 장치에 의해 하향하여 페데스탈상에 로딩된 웨이퍼를 클램핑할 수 있도록 페데스탈과 결합한다.This etching method uses a plasma etching apparatus. First, the wafer having finished the preceding process is loaded onto a pedestal placed in a vacuum chamber by a transfer robot. The clamp spaced a distance from the pedestal then engages with the pedestal to clamp the wafer loaded onto the pedestal downward by a predetermined drive device.

이후, 챔버내의 상부에서 식각재료가스 유입구를 통해 식각재료가스가 챔내로 유입되면, 캐소드에 고주파 전원을 인가하여 글로우 방전을 생기게 한다.Then, when the etching material gas is introduced into the chamber through the etching material gas inlet in the upper portion of the chamber, a high frequency power is applied to the cathode to generate a glow discharge.

이 글로우 방전에 의하여 진공챔버내에 유입된 식각재료가스가 활성화되어 플라즈마를 발생하며, 활성화된 분자, 이온, 원자에 의해 웨이퍼의 식각이 진행된다.By the glow discharge, the etching material gas introduced into the vacuum chamber is activated to generate plasma, and the wafer is etched by the activated molecules, ions, and atoms.

그러나, 식각 공정을 종료한 후, 챔버를 크린하기 위해 페데스탈 고정 스크류에 의해 캐소드에 고정되는 페데스탈을 분리할 때, 페데스탈 고정 스크류를 커버하고 있는 베스펠 캡 스크류(vespel cap screw)를 분리한 후, 이어서, 페데스탈 고정 스크류를 분리하여 캐소드에 고정되는 페데스탈을 분리한다. 이때 베스펠 캡 스크류와 결합되는 페데스탈의 모서리 부분이 직각으로 형성되어 있어 페데스탈을 재결합할 때, 직각으로 이루어진 모서리 부분은 다른 부분 보다 애너다이징 표면 처리가 미흡하게 되고 베스펠 캡 스크류와 잦은 접촉으로 애너다이징이 빨리 벗겨짐으로써 알루미늄이 노출되며, 차후 공정진행 시 이 부위에 RF 파워가 몰려 아킹이 발생되는 문제점이 있었다.However, after removing the pedestal fixed to the cathode by the pedestal fixing screw to clean the chamber after the etching process, after removing the vespel cap screw covering the pedestal fixing screw, Next, the pedestal fixing screw is removed to separate the pedestal fixed to the cathode. At this time, the corner portion of the pedestal coupled with the Vespel cap screw is formed at right angles, so when the pedestal is recombined, the corner portion formed at right angles has less anodizing surface treatment than other portions, and is frequently contacted with the Vespel cap screw. As the anodizing is peeled off quickly, aluminum is exposed, and there is a problem that arcing occurs due to the RF power gathered in this part during the process.

따라서, 본 발명의 목적은 베스펠 캡 스크류를 페데스탈에 결합할 때 모서리 부분에서 애너다이징이 조기 벗겨지는 것을 방지할 수 있도록 한 반도체 식각장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor etching apparatus capable of preventing premature peeling of anodizing at corners when the Vespel cap screw is coupled to a pedestal.

도 1은 본 발명에 의한 페데스탈을 개략적으로 나타낸 평면도 및 부분단면도.1 is a plan view and a partial cross-sectional view schematically showing a pedestal according to the present invention.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 페데스탈(pedestal)11 : 베스펠 캡 스크류10 pedestal 11: Vespel cap screw

12 : 페데스탈 고정 스크류12: pedestal fixing screw

이와 같은 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 고정부재에 의해 페데스탈(pedestal)이 캐소드(cathode)에 결합되는 반도체 식각장치에 있어서,In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor etching apparatus in which a pedestal is coupled to a cathode by a fixing member.

상기 고정부재와 결합되는 상기 페데스탈의 모서리 부분이 라운드 타입인 것을 특징으로 한다,The edge portion of the pedestal coupled to the fixing member is characterized in that the round type,

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명한다. 종래와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same code | symbol is attached | subjected to the same part as before.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 페데스탈 구조를 개략적으로 나타낸 평면도 및 부분단면도이다.1 is a plan view and a partial cross-sectional view schematically showing a pedestal structure according to an embodiment of the present invention.

도 1a에 도시된 바와 같이, 원형형상의 페데스탈(10)은 가장자리의 소정 영역상에 베스펠 캡 스크류(11)가 상호 대향되게 복수개 결합되어 있다.As shown in FIG. 1A, a plurality of circular pedestals 10 are coupled with a plurality of Vespel cap screws 11 facing each other on a predetermined area of an edge thereof.

여기서, 도 1a의 A - A'부분을 나타낸 단면도인 도 1b를 살펴보면, 페데스탈(10)에 형성된 관통홀을 통해 페데스탈 고정 스크류(12)는 페데스탈(10) 하부에 위치하는 캐소드(13)와 결합된다. 페데스탈 고정 스크류(12)가 페데스탈(10) 외측으로 돌출되는 것을 방지하고자 페데스탈 고정 스크류(12)의 상부에는 베스펠 캡 스크류(11)가 위치하여 페데스탈(10)에 고정된다.Here, referring to FIG. 1B, which is a cross-sectional view showing the AA ′ portion of FIG. 1A, the pedestal fixing screw 12 is coupled to the cathode 13 positioned below the pedestal 10 through a through hole formed in the pedestal 10. do. In order to prevent the pedestal fixing screw 12 from protruding out of the pedestal 10, a Vespel cap screw 11 is positioned on the pedestal fixing screw 12 to fix the pedestal 10.

이때, 본 발명에 따라서, 베스펠 캡 스크류(11)와 결합하는 페데스탈(10)의 모서리 부분은 곡선을 이루는 라운드(round) 타입으로 형성되어 있다. 이는 식각 공정을 모두 종료하고 나서 챔버를 크린할 경우, 페데스탈 고정 스크류(12)를 커버하는 베스펠 캡 스크류(11)를 분리하고, 이어서, 페데스탈 고정 스크류(12)를 분리한 후 페데스탈(10)을 캐소드(13)로부터 분리하여 각각의 부재를 크리닝한 다음, 분리한 역순으로 페데스탈(10)을 캐소드(13)상에 위치시키고, 이어서, 페데스탈 고정 스크류(12)를 이용하여 페데스탈(10)을 캐소드(13)에 고정시킨다. 이후 페데스탈 고정 스크류(12)를 커버하는 베스펠 캡 스크류(11)를 페데스탈(10)에 나사결합할 때 라운드 타입의 모서리 부분은 다른 부분과 거의 동일하게 애너다이징 표면처리되어 베스펠 캡 스크류(11)와 잦은 접촉에도 애너다이징의 조기 벗겨짐 현상을 방지할 수 있다.At this time, according to the present invention, the edge portion of the pedestal 10 coupled with the Vespel cap screw 11 is formed in a round shape forming a curve. When the chamber is cleaned after the etching process is completed, the Vespel cap screw 11 covering the pedestal fixing screw 12 is removed, and then the pedestal fixing screw 12 is removed and then the pedestal 10 is removed. Is removed from the cathode 13 to clean each member, and then the pedestal 10 is placed on the cathode 13 in the reverse order of separation, and then the pedestal 10 is removed using the pedestal fixing screw 12. It is fixed to the cathode 13. Then, when screwing the Vespel cap screw 11 covering the pedestal fixing screw 12 to the pedestal 10, the corner portion of the round type is anodized surface treatment almost the same as the other portion, the Vespel cap screw ( 11) can prevent the early peeling of the anodizing even in frequent contact with.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 베스펠 캡 스크류와 결합되는 페데스탈의 모서리 부분을 라운드 타입으로 형성함으로써 애너다이징 처리되는 페데스탈의 다른 부분과 거의 동일한 두께로 표면처리되어 베스펠 캡 스크류의 잦은 접촉에 의해 발생하는 애너다이징의 조기 벗겨짐 현상을 방지함으로써 페데스탈의 수명을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention forms a corner portion of the pedestal coupled with the Vespel cap screw in a round type, and is surface-treated to almost the same thickness as the other portions of the pedestal to be anodized to prevent frequent contact of the Vespel cap screw. There is an effect that can increase the life of the pedestal by preventing the early peeling of the anodization caused by the.

Claims

In a semiconductor etching apparatus in which a pedestal is coupled to a cathode by a fixing member,

The edge portion of the pedestal coupled to the fixing member is a semiconductor etching apparatus, characterized in that the round type.