KR19980085877A

KR19980085877A - Arc chamber slit of semiconductor ion implantation facility

Info

Publication number: KR19980085877A
Application number: KR1019970022048A
Authority: KR
Inventors: 조병배; 정중화
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1997-05-30
Filing date: 1997-05-30
Publication date: 1998-12-05

Abstract

평형부의 두께를 두껍게 형성함으로써 부품의 수명과 생산성을 향상시키는 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿에 관한 것이다.The present invention relates to an arc chamber slit of a semiconductor ion implantation system that improves the life and productivity of components by forming a thick thickness of the equilibrium portion.

본 발명은 본체와 슬롯홈으로 이루어지고 슬롯에 이온의 초점을 유지시키는 평형부가 형성된 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿에 있어서, 상기 평형부의 두께가 0.5mm를 초과하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the arc chamber slit of the semiconductor ion implantation device, which is composed of a main body and a slot groove and a balance portion for maintaining ions in the slot is formed, the balance portion has a thickness of more than 0.5 mm.

따라서 이온빔에 의한 평형부의 마모를 줄이며 이온빔의 효율을 향상시키고 아크 챔버의 수명을 연장시켜 보전비가 절감되는 효과를 갖는다.Therefore, reducing the wear of the equilibrium by the ion beam, improve the efficiency of the ion beam and extend the life of the arc chamber has the effect of reducing the maintenance cost.

Description

Arc chamber slit of semiconductor ion implantation facility

본 발명은 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 평형부의 두께를 두껍게 형성함으로써 부품의 수명과 생산성을 향상시키는 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿에 관한 것이다.The present invention relates to an arc chamber slit of a semiconductor ion implantation apparatus, and more particularly, to an arc chamber slit of a semiconductor ion implantation apparatus to improve the life and productivity of components by forming a thick thickness of the equilibrium portion.

일반적으로 실리콘 웨이퍼 상에 이온화된 불순물을 주입하는 이온주입설비는 크게 이온발생을 위한 이온발생부, 이온가속부, 이온투사부로 나뉜다. 상기 이온발생부는 반도체 웨이퍼상에 투사할 불순물을 이온화하여 이온가속부로 공급하는 장치로서, 불순물 원소가 포함되어 있는 소스가스에 전자를 충돌시켜 프라즈마상태의 이온을 생성한다.In general, the ion implantation equipment for injecting the ionized impurities on the silicon wafer is largely divided into an ion generating unit, an ion acceleration unit, an ion projection unit for generating ions. The ion generating unit is an apparatus for ionizing impurities to be projected onto a semiconductor wafer and supplying them to the ion accelerator. The ion generating unit collides electrons with a source gas containing an impurity element to generate plasma ions.

이러한 이온소스시스템(Ion Source System)은 가스를 필라멘트(Filament)에서 방출되는 열전자와 강제충돌시켜 이온화시키는 소스헤드(Source Head)와, 각종의 이온들에 전기장을 걸어 추출시키는 익스트렉션 일렉트로드(Extraction Electrode)와, 빔(Beam) 생성 및 이온추출시 발생하는 2차 전자를 전기장으로 억제시키는 서프레션(Suppression)으로 구성되어 있다.The ion source system includes a source head for forcing a gas to ionize by colliding with hot electrons emitted from a filament, and an extraction electric rod for extracting by applying an electric field to various ions. Extraction Electrode) and Suppression to suppress secondary electrons generated during beam generation and ion extraction with an electric field.

그 중에서 소스헤드(Source Head)는 아크 챔버(Arc Chember)가 설치되는 데 이온이 생성되어 전기장에 의해 아크 챔버를 빠져나올 때 아크 챔버 슬릿(Slit)을 거치게 되어 있다.Among them, the source head is provided with an arc chamber, and when an ion is generated and exits the arc chamber by an electric field, the source head passes through the arc chamber slit.

이러한 슬릿은 본체와 본체에 이온이 펴지지 않고 빠져나오도록 90°의 각도를 지니고 형성된 슬릿홈으로 이루어져 있다.The slit consists of a body and a slit groove formed at an angle of 90 ° so that ions do not spread out to the body.

통상적인 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿을 도1에 도시하였다.The arc chamber slit of a conventional semiconductor ion implantation facility is shown in FIG.

도1에서와 같이 본체(10)와 본체(10)에 이온이 펴지지 않고 빠져나오도록 90°의 각도로 형성된 슬릿홈(12)으로 이루어진다.As shown in FIG. 1, the main body 10 and the main body 10 are formed of slit grooves 12 formed at an angle of 90 ° so that ions do not spread out.

한편 상기 슬릿홈(12)의 끝단에는 도2에서와 같이 0.5mm의 두께(t)를 지닌 평형부(14)가 형성되어 이온의 초점을 유지시키는 역할을 한다.Meanwhile, an equilibrium portion 14 having a thickness t of 0.5 mm is formed at the end of the slit groove 12 to maintain the focus of the ions.

따라서 플라즈마 상태의 이온입자들은 상기 슬릿홈(12)을 통과하며 초점을 유지하여 후속 설비인 이온 가속부로 공급된다.Therefore, the ion particles in the plasma state are passed through the slit groove 12 to maintain focus and are supplied to the ion accelerator, which is a subsequent equipment.

그러나 공정이 진행될 수록 아크 챔버 슬릿홈의 평형부 즉 슬릿 두께가 추출되는 이온빔에 의해 마모현상이 일어나 얇아지고 얇아질 수록 마모가 가속되어 이온의 초점이 퍼지게 되는 현상이 발생한다. 따라서 이온빔의 효율을 떨어지고 아크 챔버의 수명을 단축시키므로 보전비가 상승하는 문제점이 있었다.However, as the process progresses, the wear phenomenon occurs due to the ion beam from which the equilibrium portion of the arc chamber slit groove, that is, the slit thickness is extracted. As the thickness becomes thinner, wear is accelerated and the focus of ions is spread. Therefore, there is a problem that the maintenance ratio is increased because the efficiency of the ion beam is reduced and the life of the arc chamber is shortened.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 이온빔에 의한 평형부의 마모를 줄어들며 이온빔의 효율이 떨어지는 것을 방지하고 아크 챔버의 수명을 연장시켜 잦은 교체가 필요없어 보전비를 절감하게 하는 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿을 제공함에 있다.The present invention is to solve the conventional problems as described above, its purpose is to reduce the wear of the balance portion by the ion beam and to prevent the efficiency of the ion beam falls and to extend the life of the arc chamber to reduce the maintenance cost without frequent replacement To provide an arc chamber slit of a semiconductor ion implantation equipment.

도1은 종래의 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿을 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing an arc chamber slit of a conventional semiconductor ion implantation equipment.

도2는 도1의 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿을 절단하여 측면에서 바라 본 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the arc chamber slit of the semiconductor ion implantation apparatus of FIG.

도3은 본 발명에 따른 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿을 나타낸 평면도이다.3 is a plan view showing the arc chamber slit of the semiconductor ion implantation equipment according to the present invention.

도4는 도3의 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿을 절단하여 측면에서 바라 본 측면도이다.4 is a side view of the arc chamber slit of the semiconductor ion implantation equipment of FIG.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for the main parts of the drawings *

10, 20: 본체 12, 22: 슬릿홈10, 20: main body 12, 22: slit groove

14, 24: 평형부14, 24: equilibrium

상기의 목적은 본체와 슬롯홈으로 이루어지고 슬롯에 이온의 초점을 유지시키는 평형부가 형성된 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿에 있어서,The above object is in the arc chamber slit of the semiconductor ion implantation equipment consisting of a main body and a slot groove and formed with a balance to maintain the focus of ions in the slot

상기 평형부의 두께가 0.5mm를 초과하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿에 의해 달성될 수 있다.It can be achieved by the arc chamber slit of the semiconductor ion implantation equipment, characterized in that the thickness of the balance portion is more than 0.5mm.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도3과 도4는 본 발명에 따른 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿의 바람직한 실시예를 나타낸 평면도 및 측면도이다.3 and 4 are a plan view and a side view showing a preferred embodiment of the arc chamber slit of the semiconductor ion implantation equipment according to the present invention.

도3과 도4를 참조하여 설명하면 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿은 본체(20)와 본체(20)에 이온이 펴지지 않고 빠져나오도록 90°의 각도로 형성된 슬릿홈(22)으로 이루어진다.Referring to FIGS. 3 and 4, the arc chamber slit of the semiconductor ion implantation system includes a main body 20 and a slit groove 22 formed at an angle of 90 ° so that ions do not extend to the main body 20.

상기 슬릿홈(22)의 끝단에는 도4에서와 같이 0.5mm를 초과하는 두께(T)를 지닌 평형부(24)가 형성되어 이온의 초점을 유지시키는 역할을 한다.At the end of the slit groove 22, an equilibrium portion 24 having a thickness T of more than 0.5 mm is formed as shown in FIG. 4 to maintain the focus of the ions.

상기 평형부(24)의 두께(T)는 0.7mm로 하는 것이 바람직하다.It is preferable that the thickness T of the said balance part 24 shall be 0.7 mm.

따라서 두꺼워진 평형부는 이옴빔에 의해 쉽게 마모가 일어나지 않으며 마모가 촉진되어 가속되지 않으므로 잦은 교체가 필요하지 않고 이온의 초점이 장기간 유지되게 된다.Therefore, the thickened equilibrium is not easily worn by the ion beam, and the wear is accelerated and accelerated, so that frequent replacement is not necessary and the focus of the ions is maintained for a long time.

또한 평형부는 이온빔의 모아진 초점을 유지시키는 역할을 함으로써 초점이 정밀하여 효율이 높고 이옴빔의 굴절에 의한 퍼짐현상을 방지한다.In addition, the equilibrium part serves to maintain the focused focus of the ion beam, so that the focus is precise and high efficiency is prevented from spreading due to the refraction of the ion beam.

그러므로 이러한 이온빔을 생성하는 이온주입설비의 소스헤드는 가스를 필라멘트에서 방출되는 열전자와 강제충돌시켜 이온화시킨 이온소스를 전기장을 걸어 추출시키는 익스트렉션 일렉트로드(Extraction Electrode)에 고효율의 이온빔으로 전달할 수 있게 된다.Therefore, the source head of the ion implantation equipment that generates the ion beam can deliver the ion beam ionized by extracting the ionized ion source by force collision with the hot electrons emitted from the filament as the high-efficiency ion beam. Will be.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 이온주입설비의 아크 챔버 슬릿에 의하면, 이온빔에 의한 평형부의 마모를 줄이며 이온빔의 효율을 향상시키고 아크 챔버의 수명을 연장시켜 보전비가 절감되는 효과를 갖는 것이다.As described above, according to the arc chamber slit of the semiconductor ion implantation apparatus according to the present invention, it has the effect of reducing the maintenance cost by reducing the wear of the balance portion by the ion beam, improve the efficiency of the ion beam and extend the life of the arc chamber.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.

Claims

In the arc chamber slit of the semiconductor ion implantation equipment consisting of a main body and a slot groove and formed with an equilibrium to maintain the focus of ions in the slot,

Arc chamber slit of the semiconductor ion implantation equipment, characterized in that the thickness of the balance portion is more than 0.5mm.

The method of claim 1,

Arc chamber slit of the semiconductor ion implantation equipment, characterized in that the thickness of the balance portion is 0.7mm.