KR200229103Y1 - Electronic showering device using cathode - Google Patents
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Abstract
본 고안은 이온 주입기의 전자 샤워링 장치에 관한 것으로, 필라멘트 파워 서플라이에서 공급되는 전류에 의해 일차전자를 발생하는 필라멘트와, 상기 필라멘트를 감싸고 구성되어 캐소우드 파워 서플라이에서 공급되는 전류에 의해 발생하는 전위차를 이용하여 이차전자를 발생하는 캐소우드를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 캐소우드로 이루어져 이온주입 공정에서 웨이퍼에 가해지는 차지업 데미지(Charge Up Damage)를 최소화 할 수 있는 캐소우드를 이용한 전자 샤워링 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electronic showering device of an ion implanter, and includes a filament that generates primary electrons by a current supplied from a filament power supply, and a potential difference that is formed by surrounding the filament and supplied by a cathode power supply. Electron shower ring using cathode which minimizes charge up damage to wafer during ion implantation process, which consists of a cathode comprising a cathode generating secondary electrons Relates to a device.
Description
제1도는 종래의 전자 샤워링 장치의 구성도1 is a configuration diagram of a conventional electronic showering device
제2도는 본 고안의 전자 샤워링 장치의 구성도2 is a block diagram of the electronic shower device of the present invention
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
21 : 필라멘트 22 : 캐소우드21: filament 22: cathode
23 : 필라멘트 파워 서플라이 24 : 캐소우드 파워 서플라이23: filament power supply 24: cathode power supply
본 고안은 이온 주입기의 전자 샤워링 장치에 관한 것으로, 특히 이온주입 공정에서 웨이퍼에 가해지는 차지업 데미지(Charge Up Damage)를 최소화 할 수 있는 캐소우드를 이용한 전자 샤워링 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electronic showering device of an ion implanter, and more particularly, to an electronic showering device using a cathode that can minimize the charge up damage (injury) damage to the wafer in the ion implantation process.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래의 전자 샤워링 장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a conventional electronic showering device will be described with reference to the accompanying drawings.
제1도는 종래의 전자 샤워링 장치의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a conventional electronic showering device.
종래의 전자 샤워링 장치는 이온 주입기의 빔 라인(5)(고진공 챔버)에 구성되는데, 전자를 방출하는 필라멘트(1)와, 상기 필라멘트(1)에 일정 레벨의 바이어스를 인가하는 필라멘트 바이어스(2) 및 리플렉트 바이어스(3)와, 상기 필라멘트(1)에서 방출되는 일차전자에 의해 이차전자를 여기시키는 알루미늄 타겟(4)으로 구성된다.The conventional electron showering device is constructed in the beam line 5 (high vacuum chamber) of the ion implanter, and includes a filament 1 for emitting electrons and a filament bias 2 for applying a certain level of bias to the filament 1. ) And a reflect bias 3 and an aluminum target 4 which excites the secondary electrons by the primary electrons emitted from the filament 1.
이때, 리플렉트 바이어스(3)는 필라멘트 바이어스(2)와 반대이며 이것은 실제 일차전자가 등전위 운동을 하도록 제어하는 역할을 하게 되고, 필라멘트 바이어스(2)는 일차전자의 알루미늄 타겟(4)으로의 가속 에너지를 실제 제어하는 역할을 하는 것이다.At this time, the reflecting bias 3 is opposite to the filament bias 2, which serves to control the actual primary electrons in equipotential motion, and the filament bias 2 accelerates the primary electrons to the aluminum target 4. It actually plays a role in controlling energy.
상기와 같이 구성된 종래의 전자 샤워링 장치의 동작은 다음과 같다.The operation of the conventional electronic showering device configured as described above is as follows.
먼저, 필라멘트(1)에 전류를 인가하면 열전자가 방출되는데 이때, 발생한 전자를 일차전자(도면에 실선으로 표시)라 한다.First, when an electric current is applied to the filament 1, hot electrons are emitted, and the generated electrons are called primary electrons (indicated by solid lines in the drawing).
일차전자는 리플렉트 바이어스(3)와 필라멘트 바이어스(2)와의 합만큼의 일정한 에너지를 가지고 알루미늄 타겟(4)으로 이동하여 알루미늄 타겟(4)과 충돌하게 된다. 전자가 알루미늄 타겟(4)과 충돌시 알루미늄으로 부터 여기되는 전자가 있는데 이를 이차전자(도면에서 점선으로 표시)라 한다.The primary electrons move to the aluminum target 4 with a constant energy equal to the sum of the reflect bias 3 and the filament bias 2 and collide with the aluminum target 4. When electrons collide with the aluminum target 4, there are electrons excited from aluminum, which are called secondary electrons (indicated by dotted lines in the drawing).
상기 이차전자를 빔 라인(5) 및 웨이퍼에 샤워링 해 줌으로써 차지업 데미지를 최소화 하게 된다.The charge-up damage is minimized by showering the secondary electrons on the beam line 5 and the wafer.
그러나 상기와 같은 종래의 전자 샤워링 장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the above conventional electronic showering device has the following problems.
일차전자(-)와 빔(+)과의 상호간섭(Interaction)의 발생시에 일차전자가 웨이퍼 방향으로 끌려 네가티브 차지업 가능성 및 도우즈 에러, 이온주입의 불균일성 등의 문제점을 발생하게 된다.When the interaction between the primary electrons (−) and the beams (+) occurs, the primary electrons are attracted toward the wafer to cause negative charge up potential, dose errors, and non-uniformity of ion implantation.
또한 알루미늄 타겟부위 및 샤워부위의 오염시에 일차전자 및 이차전자의 이탈이 누설전류로 작용하여 이로 인한 도우즈 에러가 발생하게 된다.In addition, when the aluminum target portion and the shower portion are contaminated, the separation of the primary electrons and the secondary electrons acts as a leakage current, thereby causing a dose error.
그리고 알루미늄 타겟의 오염상태에 따라 이차전자의 생성비율이 달라지게 되어 이의 제어가 어렵다.In addition, the generation rate of the secondary electrons is changed according to the contamination state of the aluminum target, so that its control is difficult.
본 고안은 상기와 같은 종래의 전자 샤워링 장치의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 이온주입 공정에서 웨이퍼에 가해지는 차지업 데미지(Charge Up Damage)를 최소화 할 수 있는 캐소우드를 이용한 전자 샤워링 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the problems of the conventional electronic showering device as described above, the electronic shower ring using a cathode that can minimize the charge-up damage (Charge Up Damage) to the wafer in the ion implantation process The purpose is to provide a device.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 고안의 캐소우드를 이용한 전자 샤워링 장치는 필라멘트 파워 서플라이에서 공급되는 전류에 의해 일차전자를 발생하는 필라멘트와, 상기 필라멘트를 감싸고 구성되어 캐소우드 파워 서플라이에서 공급되는 전류에 의해 발생하는 전위차를 이용하여 이차전자를 발생하는 캐소우드로 이루어짐을 특징으로 한다.The electronic showering device using the cathode of the present invention for achieving the above object is a filament for generating primary electrons by the current supplied from the filament power supply, and the current wrapped around the filament and supplied from the cathode power supply It is characterized by consisting of a cathode for generating secondary electrons by using the potential difference generated by.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 고안의 캐소우드를 이용한 전자 샤워링 장치에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an electronic showering device using the cathode of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제2도는 본 고안의 전자 샤워링 장치의 구성도이다.2 is a configuration diagram of the electronic showering device of the present invention.
먼저, 일차전자를 방출하는 필라멘트(21)와, 상기 필라멘트(21)와 동일한 재질로 구성되어 상기 필라멘트(21)를 감싸고 구성되어 일차전자의 충돌에 의해 간접적으로 이차전자를 방출하는 캐소우드(22)와, 상기 필라멘트(21)에 전류를 인가하는 필라멘트 파워 서플라이(24)와, 상기 캐소우드(22)에 전류를 인가하는 캐소우드 파워 서플라이(24)를 포함하여 구성된다.First, a filament 21 that emits primary electrons and a cathode 22 that is made of the same material as the filament 21 and surrounds the filament 21 and indirectly emits secondary electrons due to collision of primary electrons. ), A filament power supply 24 for applying a current to the filament 21, and a cathode power supply 24 for applying a current to the cathode 22.
상기와 같이 구성된 본 고안의 캐소우드를 이용한 전자 샤워링 장치는 필라멘트(21)에 전류(30A)를 인가하면 필라멘트(21)에서 열전자(일차전자)가 방출되며 이 열전자는 캐소우드(22)와의 전위차에 의해 캐소우드(22)에 충돌된다.In the electronic showering device using the cathode of the present invention configured as described above, when a current 30A is applied to the filament 21, hot electrons (primary electrons) are emitted from the filament 21, and the hot electrons are separated from the cathode 22. The potential difference impinges on the cathode 22.
이때, 캐소우드(22)에는 이미 전류(10A)가 인가되어 있는 상태이므로, 필라멘트(22)로 부터의 일차전자에 의해 쉽게 이차전자(에너지가 낮은)가 발생된다.At this time, since the current 10A is already applied to the cathode 22, secondary electrons (low energy) are easily generated by the primary electrons from the filament 22.
상기 이차전자를 빔 라인 및 웨이퍼에 샤워링 해줌으로써 차지업 데미지를 최소화하게 된다.The charge-up damage is minimized by showering the secondary electrons on the beam line and the wafer.
상기와 같은 본 고안의 캐소우드를 이용한 전자 샤워링 장치는 알루미늄 타겟을 사용하지 않으므로 타겟 오염 상태에 따라 발생할 수 있는 누설전류에 의한 도우즈 에러 방지 및 이차전자의 생성비율의 제어에 유리하다.Since the electronic showering device using the cathode of the present invention does not use an aluminum target, it is advantageous to prevent dose error and control the generation rate of secondary electrons due to leakage current that may occur according to a target contamination state.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960016285U KR200229103Y1 (en) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | Electronic showering device using cathode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960016285U KR200229103Y1 (en) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | Electronic showering device using cathode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005339U KR980005339U (en) | 1998-03-30 |
| KR200229103Y1 true KR200229103Y1 (en) | 2001-11-30 |
Family
ID=60925388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019960016285U KR200229103Y1 (en) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | Electronic showering device using cathode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200229103Y1 (en) |
-
1996
- 1996-06-18 KR KR2019960016285U patent/KR200229103Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR980005339U (en) | 1998-03-30 |
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