KR19980085798A - 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. M×N 개의 트랜지스터가 내장되고 제1 금속층을 포함하는 액티브 매트릭스를 제공한다. 상기 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하고, 제1 사진 식각 공정에 의해 얼라인 키 영역의 상기 희생층을 식각한다. 상기 얼라인 키를 이용한 제2 사진 식각 공정에 의해 액츄에이터의 지지부 영역의 상기 희생층을 식각한다. 상기 액티브 매트릭스의 상부에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭을 개재하여 상기 액티브 매트릭스와 평행하게 지지층을 형성한다. 상기 지지층의 상부에 하부 전극을 형성한 후, 그 위에 변형층을 형성한다. 상기 변형층의 상부에 상부 전극을 형성함으로써, 액츄에이터를 형성한다. 웨이퍼 키 영역과 액티브 영역간에 단차가 형성되어 레이저 주사 방법 또는 화상 인식 방법이 용이해지므로, 상기 웨이퍼 키를 이용하여 액츄에이터의 지지부가 형성되어질 영역의 희생층을 식각해내기 위한 사진 공정시 얼라인 정밀도를 확보할 수 있다.

Description

박막형 광로 조절 장치의 제조 방법

본 발명은 AMA(Actuated Mirror Array)를 이용한 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 희생층의 표면 평탄화 공정 후 평탄화된 희생층의 하부에 있는 웨이퍼 얼라인 키(wafer align key)의 인식을 가능하게 할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

광학 에너지(optical energy)를 스크린 상에 투영하기 위한 광로 조절 장치 또는 공간적 광 변조기(spatial light modulator)는 광통신, 화상 처리, 그리고 정보 디스플레이 장치와 같은 다양한 분야에 응용될 수 있다. 통상적으로 이러한 장치들은 광학 에너지를 스크린 상에 표시하는 방법에 따라 직시형 화상 표시 장치(direct-view image display device)와 투사형 화상 표시 장치(projection-type image display device)로 구분된다.

직시형 화상 표시 장치의 예로서는 CRT(Cathode Ray Tube)를 들 수 있는데, 이러한 CRT 장치는 소위 브라운관으로 불리는 것으로서 화질은 우수하나 화면의 대형화에 따라 그 중량과 용적이 증가하여 제조 비용이 상승하게 되는 문제가 있다. 투사형 화상 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display : LCD), DMD(Deformable Mirror Device) 및 AMA를 들 수 있다. 이러한 투사형 화상 표시 장치는 다시 그들의 광학적 특성에 따라 2개의 그룹으로 나뉠 수 있다. 즉, LCD와 같은 장치는 전송 광 변조기(transmissive spatial light modulators)로 분류될 수 있는데 반하여, DMD 및 AMA는 반사 광 변조기(reflective spatial light modulators)로 분류될 수 있다.

LCD와 같은 전송 광 변조기는 광학적 구조가 매우 간단하므로, 얇게 형성하여 중량을 가볍게 할 수 있으며 용적을 줄이는 것이 가능하다. 그러나, 빛의 극성으로 인하여 광효율이 낮으며, 액정 재료에 고유하게 존재하는 문제, 예를 들면 응답 속도가 느리고 그 내부가 과열되기 쉬운 단점이 있다. 또한, 현존하는 전송 광 변조기의 최대 광효율은 1 내지 2 % 범위로 한정되며, 수용 가능한 디스플레이 품질을 제공하기 위해서 암실 조건을 필요로 한다. 따라서, 상술한 문제점들을 해결하기 위하여 DMD 및 AMA와 같은 광 변조기가 개발되었다.

DMD는 5％ 정도의 비교적 양호한 광효율을 나타내지만, DMD에 채용된 힌지 구조물에 의해서 심각한 피로 문제가 발생할 뿐만 아니라, 매우 복잡하고 값비싼 구동 회로가 요구된다는 단점이 있다. AMA는 그 내부에 설치된 각각의 거울들이 광원으로부터 입사되는 빛을 소정의 각도로 반사하고, 상기 반사된 빛이 슬릿(slit)이나 핀홀(pinhole)과 같은 개구(aperture)를 통과하여 스크린에 투영되어 화상을 맺도록 광속을 조절할 수 있는 장치이다. 따라서, 그 구조와 동작 원리가 간단하며, LCD나 DMD에 비해 높은 광효율(10% 이상의 광효율)을 얻을 수 있다. 또한, 스크린에 투영되는 화상의 콘트라스트(contrast)가 향상되어 보다 밝고 선명한 화상을 얻을 수 있다.

AMA의 각 액츄에이터는 인가되는 전기적인 화상 신호 및 바이어스 신호에 의하여 발생되는 전기장에 따라 변형을 일으킨다. 상기 액츄에이터가 변형을 일으킬 때 그 상부에 장착된 각각의 거울들이 경사지게 된다. 따라서, 상기 경사진 거울들은 광원으로부터 입사된 빛을 소정의 각도로 반사시켜 스크린 상에 화상을 맺을 수 있도록 한다. 상기 각각의 거울들을 구동하는 액츄에이터로서 PZT(Pb(Zr, Ti)O₃) 또는 PLZT((Pb, La)(Zr, Ti)O₃) 등의 압전 물질이 이용된다. 또한, PMN(Pb(Mg, Nb)O₃) 등의 전왜 물질로서 상기 액츄에이터를 구성할 수도 있다.

이러한 AMA 장치는 크게 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구분된다. 상기 벌크형 광로 조절 장치는 Gregory Um 등에게 허여된 미합중국 특허 제 5,085,497호에 개시되어 있다. 벌크형 광로 조절 장치는 다층 세라믹을 얇게 절단하여 내부에 금속 전극이 형성된 세라믹 웨이퍼를 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(active matrix)에 장착한 후, 쏘잉 방법을 사용하여 가공하고 그 상부에 거울을 설치함으로써 이루어진다. 그러나, 벌크형 광로 조절 장치는 설계 및 제조에 있어서 매우 높은 정밀도가 요구되며, 변형층의 응답이 느리다는 단점이 있다.

이에 따라, 반도체 제조 공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형 광로 조절 장치가 개발되었다. 상기 박막형 광로 조절 장치는 본 출원인이 1996년 9월 24일 대한민국 특허청에 특허 출원한 특허 출원 제96-42197호(발명의 명칭: 멤브레인의 스트레스를 조절할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법)에 개시되어 있다.

도 1은 상기 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 단면도를 도시한 것이다.

도 1을 참조하면, 상기 박막형 광로 조절 장치는 액티브 매트릭스(1) 및 액츄에이터(60)를 포함한다. 그 내부에 M×N(M, N은 정수) 개의 MOS 트랜지스터가 내장되고 일측 표면에 드레인 패드(5)가 형성된 액티브 매트릭스(1)는, 상기 액티브 매트릭스(1) 및 드레인 패드(5)의 상부에 적층된 보호층(10)과 보호층(10)의 상부에 적층된 식각 방지층(15)을 포함한다.

상기 액츄에이터(60)는, 상기 식각 방지층(15) 중에서 그 아래에 드레인 패드(5)가 형성된 부분에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭(25)을 개재하여 상기 식각 방지층(15)과 평행하게 적층된 멤브레인(30), 멤브레인(30)의 상부에 적층된 하부 전극(35), 하부 전극(35)의 상부에 적층된 변형층(40), 변형층(40)의 상부에 적층된 상부 전극(45), 변형층(40)의 일측으로부터 하부 전극(35), 멤브레인(30), 식각 방지층(15) 및 보호층(10)을 통하여 상기 드레인 패드(5)까지 수직하게 형성된 비어 홀(50)의 내부에 하부 전극(35)과 드레인 패드(5)가 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 비어 컨택(55)을 포함한다.

상기 상부 전극(45)의 일부에는 스트라이프(46)가 형성된다. 상기 스트라이프(46)는 상부 전극(45)을 균일하게 작동시켜 광원으로부터 입사되는 빛의 난반사를 방지한다.

이하, 상기 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도 2a 내지 2d를 참조하여 설명한다.

도 2a를 참조하면, M×N 개의 MOS 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장되고 그 일측 상부에 드레인 패드(5)가 형성된 액티브 매트릭스(1) 상에 인 실리케이트 유리(PSG)로 구성된 보호층(10)을 형성한다. 보호층(10)은 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 1．0㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 상기 보호층(10)은 후속 공정으로부터 액티브 매트릭스(1)를 보호한다.

상기 보호층(10) 상에는 질화물로 이루어진 식각 방지층(15)이 형성된다. 식각 방지층(15)은 저압 화학 기상 증착(Low Pressure CVD : LPCVD) 방법을 이용하여 1000∼2000Å 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 상기 식각 방지층(15)은 후속하는 식각 공정 동안 보호층(10) 및 액티브 매트릭스(1)가 식각 되는 것을 방지한다.

상기 식각 방지층(15) 상에는 희생층(20)이 형성된다. 희생층(20)은 인(P)의 농도가 높은 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(Atmospheric Pressure CVD : APCVD) 방법을 이용하여 1．0∼3．0㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 이 경우, 희생층(20)은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(1)의 상부를 덮고 있으므로, 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 희생층(20)의 표면을 스핀 온 글래스(Spin-On Glass : SOG)를 사용하는 방법 또는 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP) 방법을 이용하여 평탄화시킨다. 이어서, 상기 희생층(20) 중 그 아래에 드레인 패드(5)가 형성되어 있는 부분을 식각하여 상기 식각 방지층(15)의 일부를 노출시킴으로써 액츄에이터(60)의 지지부가 형성될 위치를 만든다.

도 2b를 참조하면, 상기 노출된 식각 방지층(15) 및 희생층(20)의 상부에 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께로 멤브레인(30)을 형성한다. 멤브레인(30)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 형성한다. 이때, 저압의 반응 용기 내에서 반응 가스의 비를 변화시키면서 멤브레인(30)을 형성함으로써, 멤브레인(30) 내의 응력(stress)을 조절한다.

상기 멤브레인(30) 상에는 백금(Pt) 또는 백금-탄탈륨(Pt-Ta) 등의 금속으로 구성된 하부 전극(35)이 형성된다. 하부 전극(35)은 스퍼터링 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 이어서, 상기 하부 전극(35)을 식각 종료점을 이용한 반응성 이온 식각 공정으로 식각하여 각각의 화소별로 상기 하부 전극(35)을 분리시킴으로써 각 화소들에 독자적인 제1 신호(화상 신호)가 인가되도록 한다(Iso-Cutting 식각).

상기 하부 전극(35) 상에는 PZT 또는 PLZT로 구성된 변형층(40)이 형성된다. 변형층(40)은 졸-겔(sol-gel)법을 이용하여 0．1∼1．0㎛, 바람직하게는 0．4㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한 후, 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing : RTA) 방법으로써 상변이시킨다. 상기 변형층(40)은 상부 전극(45)과 하부 전극(35) 사이에 발생하는 전기장에 의하여 변형을 일으킨다.

상부 전극(45)은 변형층(40)의 상부에 형성된다. 상부 전극(45)은 알루미늄 또는 백금 등의 전기 전도성 및 반사성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 상부 전극(45)에는 외부로부터 공통 전극선(도시되지 않음)을 통하여 제2 신호(바이어스 신호)가 인가된다. 또한, 상기 상부 전극(45)은 광원으로부터 입사되는 빛을 반사하는 거울의 기능도 함께 수행한다.

도 2c를 참조하면, 상기 상부 전극(45)을 소정의 화소 형상으로 패터닝한다. 이때, 상기 상부 전극(45)의 일측에 스트라이프(46)가 형성되도록 패터닝한다. 계속해서, 상기 변형층(40) 및 하부 전극(35)을 순차적으로 소정의 화소 형상으로 패터닝한 후, 변형층(40)의 일측 상부로부터 드레인 패드(5)의 상부까지 변형층(40), 하부 전극(35), 멤브레인(30), 식각 방지층(15) 및 보호층(10)을 순차적으로 식각함으로써 비어 홀(50)을 형성한다. 이어서, 텅스텐, 백금 또는 티타늄 등의 금속을 리프트-오프 방법으로 증착하여 상기 드레인(5)과 하부 전극(35)을 전기적으로 연결시키는 비어 컨택(55)을 형성한다. 따라서, 상기 비어 컨택(55)은 비어 홀(50) 내에서 하부 전극(35)으로부터 드레인(5)의 상부까지 수직하게 형성된다. 그러므로, 외부로부터 전달된 제1 신호는 액티브 매트릭스(1)에 내장된 트랜지스터, 드레인(5) 및 비어 컨택(55)을 통하여 하부 전극(10)에 인가된다.

도 2d를 참조하면, 상기 비어 컨택(55)이 형성된 결과물 전면에 포토레지스트(도시되지 않음)를 도포하고 이를 패터닝하여 상기 멤브레인(30)을 노출시킨다. 이어서, 상기 포토레지스트를 식각 마스크로 사용하여 상기 멤브레인(30)을 소정의 화소 형상으로 패터닝한다. 계속해서, 상기 포토레지스트를 액츄에이터(60)의 보호층으로 사용하여 49% 플루오르화 수소(HF) 증기에 의해 상기 희생층(20)을 식각함으로써 에어 갭(59)을 형성한 후, 헹굼 및 건조 처리를 수행하여 AMA 소자를 완성한다.

상술한 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 제1 신호는 액티브 매트릭스(1)에 내장된 MOS 트랜지스터, 드레인 패드(5) 및 비어 컨택(55)을 통하여 하부 전극(35)에 인가된다. 또한, 상부 전극(45)에는 제2 신호가 인가되어 상부 전극(45)과 하부 전극(35) 사이에 전기장이 발생한다. 이 전기장에 의하여 상부 전극(45)과 하부 전극(35) 사이에 적층되어 있는 변형층(40)이 변형을 일으킨다. 변형층(40)은 상기 전기장에 대하여 수직인 방향으로 수축하며, 변형층(40)을 포함하는 액츄에이터(60)는 멤브레인(30)이 형성되어 있는 방향의 반대 방향으로 휘어진다. 따라서, 액츄에이터(60) 상부의 상부 전극(45)도 같은 방향으로 경사진다. 광원으로부터 입사되는 빛은 상부 전극(45)에 의해 소정의 각도로 반사된 후, 스크린에 투영되어 화상을 맺는다.

한편, 집적 회로들은 일련의 마스킹 층들을 패터닝함으로써 제조되는데 연속적인 층들 상에서의 형상(feature)들은 서로 공간적인 관계를 갖는다. 따라서, 제조 공정의 한 부분으로서 각 레벨은 이전 레벨에 얼라인되어야 한다. 즉, 사진 공정 중 새로 형성할 마스크의 패턴은 이전 단계에서 웨이퍼 상에 형성된 패턴에 얼라인되어야 한다. 사진 공정의 장비들은 표면 단차에 의해 산란되는 빛을 측정하여 얼라인시키는 레이저 주사(laser scanning) 방법을 이용한 자동 얼라인(auto align)이나 광학 현미경을 통한 화상 인식 방법을 이용한 수동 얼라인(manual align)을 수행하는데, 어떤 방법을 사용하더라도 얼라인 키 패턴의 정밀도에 의하여 얼라인의 정확도가 변하게 된다.

도 3a 및 3b는 각각, 광학 현미경을 이용한 수동 얼라인 및 레이저 주사 또는 화상 인식 방법을 이용한 자동 얼라인시 사용되는 웨이퍼 키 및 마스크 키를 나타낸다. 여기서, 웨이퍼 키는 얼라인시 기준이 되는 키이고, 마스크 키는 패턴 형성시 얼라인하는 지점을 나타낸다. 얼라인 작업시 상기 웨이퍼 키와 마스크 키 사이의 갭(d)을 일정하게 유지하여 새로 형성할 패턴을 얼라인하여야 하는데, 바람직하게는 상기 갭(d)은 0．5㎛ 이하의 정밀도를 유지하여야 한다.

상술한 박막형 광로 조절 장치에 있어서 이러한 얼라인먼트(alignment)의 순서는 다음과 같다. 먼저, 액티브 매트릭스에 내장된 MOS 트랜지스터에서 형성된 웨이퍼 키를 기준으로 상기 액티브 매트릭스 상에 형성되는 보호층, 식각 방지층 및 희생층의 웨이퍼 키들을 만들고 상기 층들을 상기 웨이퍼 키들에 얼라인하여 형성한다.

이어서, 상기 희생층을 평탄화시킨 후 상기 평탄화된 희생층의 하부에 있는 웨이퍼 키에 얼라인하여 액츄에이터를 형성한다. 이때, 상기 희생층의 표면이 평탄화되어 있어 단차가 없기 때문에 레이저 주사 방법을 이용한 자동 얼라인을 수행하기 어려울 뿐만 아니라, 상기 희생층 하부의 층들의 총 두께가 상당히 크기 때문에 화상 인식을 이용한 자동 얼라인 또는 수동 얼라인으로 상기 평탄화된 희생층 하부의 웨이퍼 키를 인식하기가 매우 어렵다.

따라서, 본 발명의 목적은 희생층의 표면 평탄화 공정 후 평탄화된 희생층의 하부에 있는 웨이퍼 얼라인 키의 인식을 가능하게 할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.

도 1은 본 출원인의 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 단면도이다.

도 2a 내지 도 2d는 도 1에 도시한 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 3a 및 3b는 각각, 광학 현미경을 이용한 수동 얼라인 및 레이저 주사를 이용한 자동 얼라인시 사용되는 웨이퍼 키 및 마스크 키의 평면도들이다.

도 4는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.

도 5는 도 4에 도시한 장치를 A-A' 선으로 자른 단면도이다.

도 6a 내지 도 6f는 도 5에 도시한 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 7은 도 6b의 단계를 수행한 후의 웨이퍼 키 영역 및 액티브 영역을 도시한 평면도이다.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

100 : 액티브 매트릭스 120 : 소자 분리막

115 : 게이트 110 : 소오스

105 : 드레인 155 : 제1 금속층

160 : 제1 보호층 165 : 제2 금속층

170 : 제2 보호층 175 : 식각 방지층

180 : 희생층 185 : 지지층

190 : 하부 전극 195 : 변형층

200 : 상부 전극 205 : 액츄에이터

210 : 비어 홀 215 : 비어 컨택

220 : 스트라이프 225 : 에어 갭

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 내장되고 제1 금속층을 포함하는 액티브 매트릭스를 제공하는 단계; 상기 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하고, 제1 사진 식각 공정에 의해 얼라인 키 영역의 상기 희생층을 식각하는 단계; 상기 얼라인 키를 이용한 제2 사진 식각 공정에 의해 액츄에이터의 지지부 영역의 상기 희생층을 식각하는 단계; 그리고 i) 상기 액티브 매트릭스의 상부에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭을 개재하여 상기 액티브 매트릭스와 평행하게 지지층을 형성하는 단계, ii) 상기 지지층의 상부에 하부 전극을 형성하는 단계, iii) 상기 하부 전극의 상부에 변형층을 형성하는 단계, 및 iv) 상기 변형층의 상부에 상부 전극을 형성하는 단계를 갖는 액츄에이터를 형성하는 단계를 포함하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.

본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 의하면, 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하고 상기 희생층의 표면을 평탄화시킨 후, 웨이퍼 키가 위치하는 영역의 상기 희생층을 얼라인 공정 단계에 들어가기 전에 제거함으로써 웨이퍼 키 영역과 액츄에이터들이 형성되어질 액티브 영역간에 단차를 형성한다. 따라서, 레이저 주사 방법 또는 화상 인식 방법이 용이해지므로 상기 웨이퍼 키를 이용하여 액츄에이터의 지지부가 형성되어질 영역의 희생층을 식각해내기 위한 사진 공정시 얼라인 정밀도를 확보할 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도 4는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도를 도시한 것이고, 도 5는 도 4에 도시한 장치를 A-A' 선으로 자른 단면도를 도시한 것이다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 박막형 광로 조절 장치는 액티브 매트릭스(100)와 액티브 매트릭스(100)의 상부에 형성된 액츄에이터(205)를 포함한다.

상기 액티브 매트릭스(100)는, 바람직하게는 n형 실리콘 기판으로 이루어지며 게이트(115), 소오스(110) 및 드레인(105)을 갖는 M×N(M, N은 정수) 개의 P-MOS 트랜지스터가 내장된다. 또한, 상기 액티브 매트릭스(100)는 액티브 매트릭스(100)의 상부에 형성된 제1 금속층(155), 제1 금속층(155)의 상부에 형성된 제1 보호층(160), 제1 보호층(160)의 상부에 형성된 제2 금속층(165), 제2 금속층(165)의 상부에 형성된 제2 보호층(170), 제2 보호층(170)의 상부에 형성된 식각 방지층(175)을 포함한다. 여기서, 참조 부호 120은 액티브 매트릭스(100)를 액티브 영역(active region) 및 필드 영역(field region)으로 구분하기 위한 소자 분리막을 나타내며, 참조 부호 125는 상기 MOS 트랜지스터의 게이트(115)를 그 위에 적층되는 제1 금속층(155)으로부터 절연시키기 위한 절연막을 나타낸다.

상기 제1 금속층(155)은 화상 신호를 전달하기 위한 드레인 패드를 포함하며, 제2 금속층(165)은 티타늄(Ti)을 사용하여 형성한 제1 층(165a) 및 질화 티타늄(TiN)을 사용하여 형성한 제2 층(165b)을 포함한다.

상기 액츄에이터(205)는, 상기 식각 방지층(175) 중 아래에 제1 금속층(155)의 드레인 패드가 형성된 부분에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭(225)을 개재하여 식각 방지층(175)과 평행하게 형성된 단면을 갖는 지지층(185), 지지층(185)의 상부에 형성된 하부 전극(190), 하부 전극(190)의 상부에 형성된 변형층(195), 변형층(195)의 상부에 형성된 상부 전극(200), 그리고 상기 변형층(195)의 일측으로부터 변형층(195), 하부 전극(190), 지지층(185), 식각 방지층(175), 제2 보호층(170), 및 제1 보호층(160)을 통하여 상기 드레인 패드까지 수직하게 형성된 비어 홀(210)의 내부에 형성된 비어 컨택(215)을 포함한다.

또한, 도 4를 참조하면 상기 지지층(185)의 평면의 일측은 그 중앙부에 사각형 형상의 오목한 부분을 가지며, 이러한 오목한 부분이 양쪽 가장자리로 갈수록 계단형으로 넓어지는 형상으로 형성된다. 상기 지지층(185)의 평면의 타측은 상기 오목한 부분에 대응하여 중앙부로 갈수록 계단형으로 좁아지는 사각형 형상의 돌출부를 가진다. 그러므로, 상기 지지층(185)의 오목한 부분에 인접한 액츄에이터의 지지층의 오목한 부분이 끼워지고, 상기 사각형 형상의 돌출부가 인접한 지지층의 오목한 부분에 끼워지게 된다. 상기 지지층(185)은 선행 출원에 개재된 박막형 광로 조절 장치 중 액츄에이터를 지지하는 멤브레인의 기능을 수행한다. 상기 상부 전극(200)의 일측에는 상부 전극(200)을 균일하게 작동시켜 입사되는 광의 난반사를 방지하기 위한 스트라이프(220)가 형성된다.

이하, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도 6a 내지 도 6f는 도 5에 도시한 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 도 6a 내지 도 6f에 있어서, 도 5와 동일한 부재들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용한다.

도 6a를 참조하면, 예를 들어 n형으로 도핑된 실리콘 기판으로 이루어진 액티브 매트릭스(100)를 준비한 후, 통상의 소자 분리 공정, 예컨대 실리콘 부분 산화법(local oxidation of silicon : LOCOS)을 이용하여 상기 액티브 매트릭스(100)에 액티브 영역 및 필드 영역을 구분하기 위한 소자 분리막(120)을 형성한다. 이어서, 상기 액티브 영역의 상부에 불순물이 도핑된 폴리 실리콘과 같은 도전 물질로 이루어진 게이트(115)를 형성한 후, 이온 주입 공정으로 p⁺소오스(110) 및 드레인(105)을 형성함으로써, M×N(M, N은 정수) 개의 P-MOS 트랜지스터를 형성한다.

상기 MOS 트랜지스터가 형성된 결과물의 상부에 산화물로 이루어진 제1 절연막(125)을 형성한 후, 그 위에 제1 금속층(155)을 형성하고 이를 사진 식각 공정으로 패터닝한다. 상기 제1 금속층(155)은 텅스텐, 티타늄, 및 질화 티타늄 등으로 구성되며, 상기 MOS 트랜지스터의 드레인(105) 영역으로부터 후속 공정에서 형성되는 지지층(185)의 일측까지 연장되는 드레인 패드를 포함한다.

도 6b를 참조하면, MOS 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(100)를 보호하기 위하여 상기 제1 금속층(155)의 상부에 제1 보호층(160)을 형성한다. 제1 보호층(160)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 8000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 제1 보호층(160)은 후속하는 공정 동안 상기 MOS 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(100)가 손상을 입게 되는 것을 방지한다.

상기 제1 보호층(160)의 상부에는 제2 금속층(165)이 형성된다. 제2 금속층(165)을 형성하기 위하여, 먼저 티타늄을 스퍼터링하여 300Å 정도의 두께로 제1 층(165a)을 형성한다. 이어서, 상기 제 1층(165a)의 상부에 질화 티타늄을 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition : PVD) 방법을 사용하여 적층하여 제2 층(165b)을 형성한다. 상기 제2 금속층(165)은 광원으로부터 입사되는 광이 반사층인 상부 전극(200) 뿐만 아니라, 상부 전극(200)이 형성된 부분을 제외한 부분에도 입사됨으로 인하여, 액티브 매트릭스(100)에 광 누설 전류가 흘러 소자가 오동작을 일으키는 것을 방지한다. 이어서, 상기 제2 금속층(165) 중 후속 공정에서 비어 컨택(215)이 형성될 부분을 사진 식각 공정을 통해 식각해낸다.

상기 제2 금속층(165)의 상부에는 제2 보호층(170)이 형성된다. 제2 보호층(170)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 사용하여 2000Å 정도의 두께로 형성한다. 상기 제2 보호층(170) 역시 후속하는 공정 동안 액티브 매트릭스(100)가 손상을 입게 되는 것을 방지한다.

상기 제2 보호층(170)의 상부에는 식각 방지층(175)이 형성된다. 식각 방지층(175)은 상기 액티브 매트릭스(100) 및 제2 보호층(170)이 후속되는 식각 공정으로 인하여 식각되는 것을 방지한다. 상기 식각 방지층(175)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법으로 증착하여 1000∼2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다.

상기 식각 방지층(175)의 상부에는 희생층(180)이 형성된다. 희생층(180)은 인(P)을 12％ 정도 함유한 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(APCVD) 방법으로 2．0∼3．3㎛ 정도의 두께로 증착하여 형성한다. 이 경우, 희생층(180)은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(100)의 상부를 덮고 있으므로 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 스핀 온 글래스(SOG)를 사용하는 방법 또는 화학 기계적 연마(CMP) 방법을 이용하여 상기 희생층(180)이 1．1㎛ 정도의 두께가 되도록 상기 희생층(180)의 표면을 갈아냄으로써 평탄화시킨다.

이어서, 상기 평탄화된 희생층(180)의 상부에 제1 포토레지스트(181)를 도포한 후, 마스크 얼라인 장비의 프리-얼라인(pre-align) 장치를 이용하여 웨이퍼 키 영역(도 7의 B 부분)을 오픈시키기 위한 마스크를 웨이퍼에 얼라인시킨다. 일반적으로, 스테퍼(stepper)를 포함하는 마스크 얼라인 장비는 미세 얼라인을 수행하기 전에 웨이퍼를 기계적/광학적(mechanical/optical)으로 얼라인하는 프리-얼라인 장치를 포함한다. 상기 프리-얼라인 장치는 10∼50㎛ 정도, 바람직하게는 ±30㎛ 의 얼라인 정밀도를 갖는다. 레이저 주사 방법을 이용하는 자동 얼라인 장비는 주사 속도 및 거리를 조정하여 얼라인 정밀도를 증가시키며, 광학 현미경을 이용하는 수동 얼라인 장비는 고배율로 만들어 얼라인 정밀도를 증가시킨다. 그러나, 본 발명에서는 액츄에이터들이 형성되어질 액티브 영역(도 7의 C 부분)의 외곽부에 위치하고 있는 웨이퍼 키 영역(도 7의 B 부분)을 오픈시키고자 하는 것이므로, ±0．5㎛의 얼라인 정밀도를 가질 필요가 없어 상기 프리-얼라인 장치로 마스크를 얼라인하면 충분하다.

이어서, 상기 제1 포토레지스트(181)를 노광 및 현상한 후, 이를 식각 마스크로 사용하여 상기 웨이퍼 키 영역(도 7의 A 부분)의 희생층(180)을 식각하여 제거한다. 그 결과, 웨이퍼 키 영역과 액티브 영역간에 단차가 형성되므로, 후속하는 사진 공정시 레이저 주사 방법 또는 화상 인식 방법을 용이하게 수행할 수 있어 얼라인 정밀도를 향상시킬 수 있다.

도 6c를 참조하면, 상기 제1 포토레지스트(181)를 제거한 후, 결과물의 상부에 제2 포토레지스트(도시되지 않음)를 형성한다. 이어서, 전 단계에서 희생층(180)이 제거되어진 웨이퍼 키를 이용한 사진 공정으로 상기 제2 포토레지스트를 노광 및 현상함으로써, 액츄에이터(205)의 지지부가 형성되어질 영역을 상기 웨이퍼 키에 정밀하게 얼라인한다.

이어서, 상기 제2 포토레지스트를 식각 마스크로 사용하여 상기 평탄화된 희생층(180) 중 아래에 제1 금속층(155)의 드레인 패드가 형성된 부분을 식각하여 상기 식각 방지층(175)의 일부를 노출시킴으로써, 액츄에이터(205)의 지지부(182)를 형성한다.

도 6d를 참조하면, 상기 노출된 식각 방지층(175)의 상부 및 희생층(180)의 상부에 지지층(185)을 형성한다. 지지층(185)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다.

상기 지지층(185)의 상부에는 하부 전극(190)이 형성된다. 하부 전극(190)은 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 또는 백금-탄탈륨(Pt-Ta) 등의 금속을 스퍼터링하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이어서, 하부 전극(190)을 각 화소별로 분리시킴으로써 각 화소들에 독립적인 제1 신호가 인가되도록 한다(Iso-Cutting 공정). 상기 하부 전극(190)에는 외부로부터 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터를 통하여 제1 신호(화상 신호)가 인가된다.

상기 하부 전극(190)의 상부에는 PZT 또는 PLZT 등의 압전 물질로 이루어진 변형층(195)이 형성된다. 변형층(195)은 졸-겔법, 스퍼터링 방법, 또는 화학 기상 증착 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛, 바람직하게는 0．4㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 그리고, 상기 변형층(190)을 구성하는 압전 물질을 급속 열처리(RTA) 방법으로 열처리하여 상변이시키고 분극(poling)시킨다. 상기 변형층(190)은 상부 전극(200)과 하부 전극(190) 사이에 발생하는 전기장에 의하여 변형을 일으킨다.

상부 전극(200)을 상기 변형층(190)의 상부에 형성된다. 상부 전극(200)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 또는 백금(Pt) 등의 금속을 스퍼터링하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 상부 전극(200)에는 외부로부터 공통 전극선(도시되지 않음)을 통하여 제2 신호(바이어스 신호)가 인가된다. 상기 상부 전극(200)은 전기 전도성 및 반사성이 우수하므로 바이어스 전극의 기능뿐만 아니라 입사되는 빛을 반사하는 거울의 기능도 함께 수행한다.

계속하여, 상기 상부 전극(200)의 상부로부터 순차적으로 상부 전극(200), 변형층(195), 그리고 하부 전극(190)을 소정의 화소 형상으로 패터닝한다. 이 경우, 상기 상부 전극(200)의 일부에는 변형층(195)이 변형을 일으킬 때, 상부 전극(200)의 작동을 균일하게 하여 광원으로부터 입사되는 광이 난반사되는 것을 방지하는 스트라이프(220)가 형성된다.

도 6e를 참조하면, 상기 변형층(195)의 일측으로부터 변형층(195), 하부 전극(190), 지지층(185), 식각 방지층(175), 제2 보호층(170), 및 제1 보호층(160)을 차례로 식각하여 비어 홀(210)을 형성한다. 따라서, 상기 비어 홀(210)은 상기 변형층(195)의 일측으로부터 상기 제1 금속층(155)의 드레인 패드까지 형성된다. 이어서, 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 티타늄(Ti) 등의 전기 전도성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 증착시켜 비어 컨택(215)을 형성한다. 비어 컨택(215)은 상기 제1 금속층(155)의 드레인 패드와 하부 전극(190)을 전기적으로 연결한다. 그러므로, 외부로부터 인가된 제1 신호는 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터, 드레인 패드 및 비어 컨택(215)을 통하여 하부 전극(190)에 인가된다.

도 6f를 참조하면, 상기 희생층(180)을 플루오르화 수소(HF) 증기를 사용하여 식각하여 에어 갭(225)을 형성한 후, 헹굼 및 건조(rinse and dry) 처리를 수행하여 AMA 소자를 완성한다.

상술한 바와 같이 M×N 개의 박막형 AMA 소자를 완성한 후, 크롬(Cr), 니켈(Ni), 또는 금(Au) 등의 금속을 스퍼터링 방법 또는 증착(evaporation) 방법을 이용하여 액티브 매트릭스(100)의 하단에 증착시켜 오믹 컨택(ohmic contact)(도시하지 않음)을 형성한다. 그리고, 후속하는 상부 전극(200)에 제2 신호를 인가하고 하부 전극(190)에 제1 신호를 인가하기 위한 TCP(Tape Carrier Package)(도시되지 않음) 본딩(bonding)을 대비하여 액티브 매트릭스(100)를 소정의 두께까지 자른다. 계속하여, TCP 본딩을 대비해 AMA 패널의 패드(도시되지 않음) 노출시키고, 액티브 매트릭스(100)를 소정의 형상으로 완전히 잘라낸 후, AMA 패널의 패드와 TCP의 패드를 ACF(Anisotropic Conductive Film)(도시되지 않음)로 연결하여 박막형 AMA 모듈의 제조를 완성한다.

상술한 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 외부로부터 TCP의 패드 및 AMA 패널의 패드를 통하여 전달된 제1 신호는 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터, 드레인 패드 및 비어 컨택(215)을 통해 하부 전극(190)에 인가된다. 동시에, 상부 전극(200)에는 외부로부터 TCP의 패드, AMA 패널의 패드 및 공통 전극선을 통하여 제2 신호가 인가되어 상기 상부 전극(200)과 하부 전극(190) 사이에 전기장이 발생하게 된다. 이러한 전기장에 의하여 상부 전극(200)과 하부 전극(190) 사이에 형성된 변형층(195)이 변형을 일으킨다. 변형층(195)은 상기 전기장에 대하여 직교하는 방향으로 수축하게 되며, 이에 따라 상기 액츄에이터(205)는 소정의 각도로 휘게 된다. 빛을 반사하는 거울의 기능도 수행하는 상부 전극(200)은 액츄에이터(205)의 상부에 형성되어 있으므로 액츄에이터(205)와 함께 경사진다. 이에 따라서, 상부 전극(200)은 광원으로부터 입사되는 빛을 소정의 각도로 반사하며, 반사된 빛은 슬릿을 통과하여 스크린에 화상을 맺게 된다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 의하면, 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하고 상기 희생층의 표면을 평탄화시킨 후, 웨이퍼 키가 위치하는 영역의 상기 희생층을 얼라인 공정 단계에 들어가기 전에 제거함으로써 웨이퍼 키 영역과 액츄에이터들이 형성되어질 액티브 영역간에 단차를 형성한다.

따라서, 레이저 주사 방법 또는 화상 인식 방법이 용이해지므로 상기 웨이퍼 키를 이용하여 액츄에이터의 지지부가 형성되어질 영역의 희생층을 식각해내기 위한 사진 공정시 얼라인 정밀도를 확보할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

1. M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 내장되고 제1 금속층을 포함하는 액티브 매트릭스를 제공하는 단계;

   상기 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하고, 제1 사진 식각 공정에 의해 얼라인 키 영역의 상기 희생층을 식각하는 단계;

   상기 얼라인 키를 이용한 제2 사진 식각 공정에 의해 액츄에이터의 지지부 영역의 상기 희생층을 식각하는 단계; 그리고

   i) 상기 액티브 매트릭스의 상부에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭을 개재하여 상기 액티브 매트릭스와 평행하게 지지층을 형성하는 단계, ii) 상기 지지층의 상부에 하부 전극을 형성하는 단계, iii) 상기 하부 전극의 상부에 변형층을 형성하는 단계, 및 iv) 상기 변형층의 상부에 상부 전극을 형성하는 단계를 갖는 액츄에이터를 형성하는 단계를 포함하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 얼라인 키는 웨이퍼 키를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
3. 제1항에 있어서, 제1 사진 식각 공정으로 얼라인 키 영역의 상기 희생층을 제거하는 단계는, 상기 희생층이 형성된 결과물 전면에 포토레지스트를 도포하는 단계, 프리-얼라인 장치에 의해 웨이퍼를 기계적/광학적으로 얼라인하는 단계, 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하여 얼라인 키 영역을 오픈시키는 단계, 그리고 상기 현상된 포토레지스트를 식각 마스크로 이용하여 상기 얼라인 키 영역의 희생층을 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 프리-얼라인 장치는 ±30㎛의 얼라인 정밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.