KR19980082853A - Semiconductor manufacturing apparatus having gas diffuser and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR19980082853A KR1019970017952A KR19970017952A KR19980082853A KR 19980082853 A KR19980082853 A KR 19980082853A KR 1019970017952 A KR1019970017952 A KR 1019970017952A KR 19970017952 A KR19970017952 A KR 19970017952A KR 19980082853 A KR19980082853 A KR 19980082853A
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Abstract

가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명은 가스 확산기의 중앙에 소정의 직경을 갖는 다수의 관통홀을 구비한다. 상기 관통홀이 형성된 가스 확산기를 사용하면, 상기 가스확산기의 테두리를 따라서 가스가 확산되는 것외에도 상기 가스확산기의 중앙의 관통홀을 통해서도 가스가 확산된다. 이에 따라 상기 가스확산기를 통과하는 가스들은 상기 가스확산기의 중앙부분과 가장자리부분을 통해서 웨이퍼에 도달되므로 증착용 가스는 상기 웨이퍼 전면에 균일하게 도달된다. 따라서 웨이퍼의 전면에 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있다.Disclosed are a semiconductor manufacturing apparatus including a gas diffuser and a method of manufacturing the same. The present invention includes a plurality of through holes having a predetermined diameter in the center of the gas diffuser. When the gas diffuser having the through hole is formed, the gas is diffused through the through hole in the center of the gas diffuser in addition to the gas being diffused along the edge of the gas diffuser. Accordingly, the gas passing through the gas diffuser reaches the wafer through the center portion and the edge portion of the gas diffuser, so that the deposition gas reaches the entire surface of the wafer uniformly. Therefore, a thin film of uniform thickness can be formed on the entire surface of the wafer.

Description

가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치 및 그 제조방법Semiconductor manufacturing apparatus having gas diffuser and manufacturing method thereof

본 발명은 반도체 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus having a gas diffuser and a manufacturing method thereof.

반도체장치는 다수의 반도체소자들로 구성된다. 반도체소자들은 기판상에 형성된 도전층이나 절연막등이 포토공정을 거쳐 특정한 형태로 패터닝되어 형성된다. 따라서 반도체장치를 형성하는 공정은 도전층이나 절연막 또는 유전막등의 물질층의 형성과 그 패터닝공정으로 볼 수 있다.The semiconductor device is composed of a plurality of semiconductor elements. Semiconductor devices are formed by patterning a conductive layer or an insulating film formed on a substrate in a specific form through a photo process. Therefore, the process of forming a semiconductor device can be regarded as the formation and patterning process of a material layer such as a conductive layer, an insulating film or a dielectric film.

반도체장치의 고집적화에 따라 기판상에 형성될 수 있는 물질층 패턴의 면적은 매우 작다. 따라서 기판상에 형성되는 물질층 패턴의 두께 균일도는 그 자체 뿐만 아니라 후속 공정에서 형성되는 다른 물질층 패턴에도 상당한 영향을 미친다. 따라서 물질층이 형성될 때, 그 두께는 균일하게 형성되도록 하는 것이 바람직하다.The area of the material layer pattern that can be formed on the substrate is very small due to the high integration of the semiconductor device. Thus, the thickness uniformity of the material layer pattern formed on the substrate has a significant effect on itself as well as on other material layer patterns formed in subsequent processes. Therefore, when the material layer is formed, it is desirable to make the thickness uniformly formed.

종래 기술에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.A semiconductor manufacturing apparatus having a gas diffuser according to the prior art will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2는 각각 종래 기술에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치에서 가스확산기의 평면도와 측면 단면도이다.1 and 2 are a plan view and a cross-sectional side view of a gas diffuser in a semiconductor manufacturing apparatus having a gas diffuser according to the prior art, respectively.

도 3은 종래 기술에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치 및 이 장치내에 유입되는 가스흐름의 개략도이다.3 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing apparatus having a gas diffuser according to the prior art and a gas flow introduced into the apparatus.

도 1을 참조하면, 가스확산기(10)의 평면형태는 원형이고 그 내부에는 공정중에 가스확산기(10)을 냉각시키기 위해 냉각수가 공급되는 냉각수라인(12)이 설치되어 있다. 냉각수 라인(12)은 원형으로 설치되어 있다.Referring to FIG. 1, a planar shape of the gas diffuser 10 is circular and inside thereof, a cooling water line 12 is provided to which cooling water is supplied to cool the gas diffuser 10 during the process. The cooling water line 12 is provided in a circular shape.

도 2를 참조하면, 가스확산기(10)를 냉각시키기 위한 냉각수라인(14)을 볼 수 있다. 구체적으로, 냉각수 라인(14)은 가스확산기(10)의 상단으로 들어와서 가스확산기(10)의 내부를 원형으로 통과한 다음 가스확산기(10)의 하단으로 나오도록 설치되어 있다. 도 2는 도 1의 중앙을 통과하는 단면이다.Referring to FIG. 2, a cooling water line 14 for cooling the gas diffuser 10 can be seen. Specifically, the coolant line 14 enters the upper end of the gas diffuser 10 and passes through the inside of the gas diffuser 10 in a circular manner, and is installed to come out to the lower end of the gas diffuser 10. FIG. 2 is a cross section through the center of FIG. 1. FIG.

도 3을 참조하면, 가스확산기(10)를 중심으로 가스확산기(10)의 일측에는 냉각수 라인(14)이 연결되어 있고, 가스분사노즐(16)이 가스확산기(10)의 일면의 중심부를 향하고 있다. 가스확산기(10)의 타면 쪽에는 웨이퍼(18)가 놓인 웨이퍼 척(20)이 가스확산기(10)로부터 소정간격 이격되어 위치해 있다. 가스분사노즐(16)로부터 증착용가스가 마주하고 있는 가스확산기(10)의 일면에 분사되면, 도 3에 도시한 바와 같이, 가스는 가스확산기(10)의 테두리를 둘러서 가스확산기(10) 후면으로 흐른다. 가스확산기(10)의 후면을 따라 흐르는 가스들은 분사힘에 의해 웨이퍼(18)의 전면에 도달된다. 도 3에서 참조번호 22는 이러한 가스의 흐름을 나타낸다.Referring to FIG. 3, a coolant line 14 is connected to one side of the gas diffuser 10 around the gas diffuser 10, and the gas injection nozzle 16 faces the center of one surface of the gas diffuser 10. have. On the other side of the gas diffuser 10, the wafer chuck 20, on which the wafer 18 is placed, is spaced apart from the gas diffuser 10 by a predetermined distance. When the gas for deposition from the gas injection nozzle 16 is sprayed on one surface of the gas diffuser 10 facing each other, as shown in FIG. 3, the gas surrounds the edge of the gas diffuser 10 and the rear surface of the gas diffuser 10. Flows into. Gases flowing along the rear surface of the gas diffuser 10 reach the front surface of the wafer 18 by the injection force. Reference numeral 22 in FIG. 3 represents the flow of such gas.

상술한 바와 같이, 종래 기술에 의한 가스확산기를 구비하는 반도체장치는 가스확산기의 후면을 흐르는 가스가 분사힘에 의해 웨이퍼의 전면에 도달되기는 하지만, 웨이퍼 전면에 균일하게 도달되지는 않는다. 즉, 웨이퍼의 중심부분에 비해 웨이퍼의 테두리 부분에 더 많은 가스의 흐름이 존재한다. 따라서 종래 기술은 웨이퍼 전면에 걸쳐서 물질층의 두께가 균일하게 형성되지 않는 문제점이 도출된다.As described above, in the semiconductor device having the gas diffuser according to the prior art, although the gas flowing through the rear face of the gas diffuser reaches the front surface of the wafer by the injection force, it does not reach the front surface of the wafer uniformly. That is, more gas flow exists in the edge of the wafer than in the central portion of the wafer. The prior art thus leads to a problem that the thickness of the material layer is not formed uniformly over the entire wafer surface.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 종래 기술이 갖는 문제점을 해결하기 위한 것으로서 웨이퍼의 전면에 가스를 고르게 분사할 수 있는 가스 확산기를 구비하는 반도체 제조장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to solve the problems of the prior art, and to provide a semiconductor manufacturing apparatus having a gas diffuser capable of evenly injecting gas onto the front surface of a wafer.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 반도체 제조장치를 제조하는 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the semiconductor manufacturing apparatus.

도 1 및 도 2는 각각 종래 기술에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치에서 가스확산기의 평면도와 측면 단면도이다.1 and 2 are a plan view and a cross-sectional side view of a gas diffuser in a semiconductor manufacturing apparatus having a gas diffuser according to the prior art, respectively.

도 3은 종래 기술에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치 및 이 장치내에 유입되는 가스흐름의 개략도이다.3 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing apparatus having a gas diffuser according to the prior art and a gas flow introduced into the apparatus.

도 4 및 도 5는 각각 본 발명의 실시예에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치에서 가스 확산기의 평명도와 측면 단면도이다.4 and 5 are flatness and side cross-sectional views of the gas diffuser in the semiconductor manufacturing apparatus including the gas diffuser according to the embodiment of the present invention, respectively.

도 6은 본 발명의 실시예에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치 및 이 장치내에 유입되는 가스흐름의 개략도이다.6 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing apparatus having a gas diffuser according to an embodiment of the present invention, and a gas flow introduced into the apparatus.

도면의 주요부분에 대한 부호설명Explanation of Signs of Major Parts of Drawings

40:확산기. 42, 46:냉각수 경로.40: Diffuser. 42, 46: Cooling water path.

44:중앙홀. 48:가스분사 노즐.44: Central hall. 48: gas injection nozzle.

50:웨이퍼. 52:웨이퍼 척(chuck).50: Wafer. 52: Wafer chuck.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치는 가스분사노즐; 상기 가스분사노즐에 노출되어 있는 중앙에 관통홀을 갖는 가스 확산기; 상기 가스 확산기를 식히기 위해 상기 가스 확산기에 연결되어 있는 냉각수 공급라인; 및 상기 가스확산기를 거친 가스가 증착되는 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 척(chuck)를 구비한다.In order to achieve the above technical problem, a semiconductor manufacturing apparatus having a gas diffuser (diffuser) according to the present invention comprises a gas injection nozzle; A gas diffuser having a through hole in the center exposed to the gas injection nozzle; A cooling water supply line connected to the gas diffuser to cool the gas diffuser; And a wafer chuck on which a wafer on which the gas passed through the gas diffuser is deposited is mounted.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 관통홀의 수는 한 개다. 상기 관통홀의 직경은 0.5∼1mm이다.According to an embodiment of the present invention, the number of the through holes is one. The through hole has a diameter of 0.5 to 1 mm.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치의 제조방법은 가스분사노즐; 상기 가스분사노즐에 노출되어 있는 가스 확산기; 상기 가스 확산기를 식히기 위해 상기 가스 확산기에 연결되어 있는 냉각수 공급라인; 및 상기 가스확산기를 거친 가스가 증착되는 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 척(chuck)를 구비하는 반도체 제조장치에 있어서, 상기 가스 확산기의 중앙에 소정의 직경을 갖는 관통홀을 형성한다.In order to achieve the above another technical problem, a manufacturing method of a semiconductor manufacturing apparatus having a gas diffuser (diffuser) according to an embodiment of the present invention gas injection nozzle; A gas diffuser exposed to the gas injection nozzle; A cooling water supply line connected to the gas diffuser to cool the gas diffuser; And a wafer chuck on which a wafer on which gas passing through the gas diffuser is deposited is mounted, wherein a through hole having a predetermined diameter is formed in the center of the gas diffuser.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가스확산기의 중앙에 형성되는 상기 다수의 관통홀의 직경은 동일하게 또는 서로 다르게 형성할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the diameters of the plurality of through holes formed in the center of the gas diffuser may be the same or different.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가스확산기의 중앙에는 한 개의 관통홀을 형성한다.According to an embodiment of the present invention, one through hole is formed in the center of the gas diffuser.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 관통홀의 직경은 0.5∼1mm정도로 형성한다.According to an embodiment of the present invention, the through hole has a diameter of about 0.5 to 1 mm.

본 발명은 가스확산기를 구비하는 반도체 제조장치에서 상기 가스 확산기의 중앙에는 소정의 직경을 갖는 다수의 관통홀이 구비된다. 상기 관통홀이 형성된 가스 확산기를 사용하면, 상기 가스확산기의 테두리를 따라서 가스가 확산되는 것외에도 상기 가스확산기의 중앙의 관통홀을 통해서도 가스가 확산된다. 이에 따라 상기 가스확산기를 통과하는 가스들은 상기 가스확산기의 중앙부분과 가장자리부분을 통해서 웨이퍼에 도달되므로 증착용 가스는 상기 웨이퍼 전면에 균일하게 도달된다. 따라서 웨이퍼의 전면에 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있다.In the semiconductor manufacturing apparatus including a gas diffuser, a plurality of through holes having a predetermined diameter is provided at the center of the gas diffuser. When the gas diffuser having the through hole is formed, the gas is diffused through the through hole in the center of the gas diffuser in addition to the gas being diffused along the edge of the gas diffuser. Accordingly, the gas passing through the gas diffuser reaches the wafer through the center portion and the edge portion of the gas diffuser, so that the deposition gas reaches the entire surface of the wafer uniformly. Therefore, a thin film of uniform thickness can be formed on the entire surface of the wafer.

이하, 본 발명의 실시예에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus having a gas diffuser according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4 및 도 5는 각각 본 발명의 실시예에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치에서 가스 확산기의 평명도와 측면 단면도이다.4 and 5 are flatness and side cross-sectional views of the gas diffuser in the semiconductor manufacturing apparatus including the gas diffuser according to the embodiment of the present invention, respectively.

도 6은 본 발명의 실시예에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치 및 이 장치내에 유입되는 가스흐름의 개략도이다.6 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing apparatus having a gas diffuser according to an embodiment of the present invention, and a gas flow introduced into the apparatus.

도 4를 참조하면,상기 가스확산기(40)의 평면형태는 원형이고 그 중앙에는 관통홀(44)이 형성되어 있다. 그 내부에는 공정중에 상기 가스확산기(40)을 냉각시키는 냉각수라인(42)이 설치되어 있다. 상기 냉각수 라인(42)은 상기 가스확산기(40)의 내부에 상기 관통홀(44)을 중심으로 원형으로 설치되어 있다. 도 4에서 상기 관통홀(44)의 수를 한 개로 도시하고 있지만, 필요에 따라 한 개 이상의 관통홀이 상기 가스확산기(40)의 중앙에 있을 수 있다. 상기 관통홀(44)의 직경은 0.5mm∼1.0mm정도이다.Referring to FIG. 4, the planar shape of the gas diffuser 40 is circular and a through hole 44 is formed at the center thereof. Therein, a cooling water line 42 is provided to cool the gas diffuser 40 during the process. The cooling water line 42 is installed in a circular shape around the through hole 44 in the gas diffuser 40. Although the number of the through holes 44 is shown in FIG. 4 as one, one or more through holes may be in the center of the gas diffuser 40 as necessary. The diameter of the through hole 44 is about 0.5 mm to 1.0 mm.

도 5를 참조하면, 상기 가스확산기(40)를 냉각시키기 위한 냉각수라인(46)을 볼 수 있다. 구체적으로, 상기 냉각수 라인(46)은 상기 가스확산기(40)의 상단으로 들어와서 상기 가스확산기(40)의 내부를 원형으로 통과한 다음 상기 가스확산기(40)의 하단으로 나오도록 설치되어 있다. 도 5는 도 4의 상기 관통홀(44)을 통과하는 단면이므로 도 5에서 상기 가스확산기(40)내부를 통과하는 상기 냉각수라인(46)은 상기 관통홀(44)을 통과하는 부분에서는 끊어진 것 처럼 도시된다.Referring to FIG. 5, a cooling water line 46 for cooling the gas diffuser 40 can be seen. Specifically, the coolant line 46 enters the upper end of the gas diffuser 40 and passes through the inside of the gas diffuser 40 in a circular manner, and is installed to come out to the lower end of the gas diffuser 40. 5 is a cross section through the through hole 44 of FIG. 4, so that the cooling water line 46 passing through the gas diffuser 40 in FIG. 5 is broken at a portion passing through the through hole 44. Is shown as

도 6을 참조하면, 중앙에 관통홀(44)이 형성된 상기 가스확산기(40)를 구비하는 반도체 제조장치는 상기 가스확산기(40)를 중심으로 가스확산기(40)의 일측에는 상기 냉각수라인(46)이 연결되어 있고, 가스확산기(40)로부터 소정간격 이격된 거리에는 가스분사노즐(48)이 구비되어 있는데, 상기 가스분사노즐(48)의 분사구는 상기 가스확산기(40)의 관통홀(44)을 향하도록 설치되어 있다.Referring to FIG. 6, in the semiconductor manufacturing apparatus including the gas diffuser 40 having the through hole 44 formed at the center thereof, the cooling water line 46 is formed at one side of the gas diffuser 40 around the gas diffuser 40. ) Is connected, and a gas injection nozzle 48 is provided at a distance spaced from the gas diffuser 40 by a predetermined distance, and the injection hole of the gas injection nozzle 48 is a through hole 44 of the gas diffuser 40. It is installed to face).

상기 가스확산기(40)의 타면 쪽에는 웨이퍼(50)가 놓인 웨이퍼 척(52)이 상기 가스확산기(40)로부터 소정간격 이격되어 위치해 있다.On the other side of the gas diffuser 40, a wafer chuck 52 on which the wafer 50 is placed is spaced apart from the gas diffuser 40 by a predetermined distance.

상기 가스분사노즐(48)로부터 증착용가스가 마주하고 있는 상기 가스확산기(40)의 일면에 분사되면, 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 증착용 가스의 일부는 상기 관통홀(44)을 통과해서 나머지 일부는 상기 가스확산기(40)의 테두리를 둘러서 상기 웨이퍼(50)의 전면에 균일하게 도달한다. 따라서 상기 웨이퍼(50) 전면에는 균일한 두께의 박막이 형성된다. 도 6에서 참조번호 54는 이러한 가스의 흐름을 나타낸다.When sprayed from the gas injection nozzle 48 to one surface of the gas diffuser 40 facing the deposition gas, as shown in Figure 6, a portion of the deposition gas passes through the through hole 44 Thus, the remaining part reaches the front surface of the wafer 50 evenly around the edge of the gas diffuser 40. Therefore, a thin film having a uniform thickness is formed on the entire surface of the wafer 50. In Fig. 6, reference numeral 54 denotes such a gas flow.

다음에는 도 6을 참조하여 상기 반도체 제조장치를 제조하는 방법을 설명한다. 구체적으로, 원형의 가스확산기(40)의 중안에 소정의 직경을 갖는 다수의 관통홀(44)을 형성한다. 상기 다수의 관통홀(44)은 그 직경이 동일하게 형성하지만, 필요할 경우 서로 다르게 형성할 수도 있다. 또한, 상기 관통홀(44)은 상기 가스확산기(40)의 중앙에 형성하는 것이 바람직하지만, 필요에 따라서는 중앙에서 벗어난 영역에 형성할 수도 있다. 하지만, 관통홀(44)과 상기 가스분사노즐(48)의 중심과 상기 웨이퍼(50)의 중심을 일치시키는 것이 바람직하다. 상기 관통홀(44)의 직경은 0.5∼1mm정도로 형성한다. 이러한 가스확산기(40)와 상기 가스분사노즐(48)과 웨이퍼의 위치관계를 설명하면, 상기 가스확산기(40)의 관통홀(44)과 상기 가스분사노즐(48) 및 상기 웨이퍼(50)의 중심에 해당하는 부분이 일직선상에 놓이도록 위치시킨다. 상기 구성요소들(44, 48, 50)을 이와 같이 일직선상에 위치시키면 상기 분사노즐(48)에서 분사되는 가스의 직진성이 높아진다.Next, a method of manufacturing the semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to FIG. 6. Specifically, a plurality of through holes 44 having a predetermined diameter are formed in the center of the circular gas diffuser 40. The plurality of through holes 44 have the same diameter, but may be formed differently if necessary. In addition, the through hole 44 is preferably formed in the center of the gas diffuser 40, but may be formed in an area off the center as necessary. However, it is preferable that the center of the through hole 44 and the gas injection nozzle 48 coincide with the center of the wafer 50. The through hole 44 has a diameter of about 0.5 to 1 mm. Referring to the positional relationship between the gas diffuser 40, the gas injection nozzle 48, and the wafer, the through-hole 44, the gas injection nozzle 48, and the wafer 50 of the gas diffuser 40 are described. Position it so that it is in a straight line. Positioning the components 44, 48, 50 in this straight line increases the straightness of the gas injected from the injection nozzle 48.

이상으로, 본 발명에 의한 가스 확산기(diffuser)를 구비하는 반도체 제조장치는 상기 가스 확산기의 중앙에 소정의 직경을 갖는 다수의 관통홀을 구비한다. 상기 관통홀이 형성된 가스 확산기를 사용하면, 상기 가스확산기의 테두리를 따라서 가스가 확산되는 것외에도 상기 가스확산기의 중앙의 관통홀을 통해서도 가스가 확산된다. 이에 따라 상기 가스확산기를 통과하는 가스들은 상기 가스확산기의 중앙부분과 가장자리부분을 통해서 웨이퍼에 도달되므로 증착용 가스는 상기 웨이퍼 전면에 균일하게 도달된다. 따라서 웨이퍼의 전면에 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있다.As described above, the semiconductor manufacturing apparatus including the gas diffuser according to the present invention includes a plurality of through holes having a predetermined diameter in the center of the gas diffuser. When the gas diffuser having the through hole is formed, the gas is diffused through the through hole in the center of the gas diffuser in addition to the gas being diffused along the edge of the gas diffuser. Accordingly, the gas passing through the gas diffuser reaches the wafer through the center portion and the edge portion of the gas diffuser, so that the deposition gas reaches the entire surface of the wafer uniformly. Therefore, a thin film of uniform thickness can be formed on the entire surface of the wafer.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당분야에서의 통상의 지식을 가진자에 의하여 실시가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications can be made by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.

Claims (8)

가스분사노즐;Gas spray nozzles; 상기 가스분사노즐에 노출되어 있는 중앙에 관통홀을 갖는 가스 확산기;A gas diffuser having a through hole in the center exposed to the gas injection nozzle; 상기 가스 확산기를 식히기 위해 상기 가스 확산기에 연결되어 있는 냉각수 공급라인; 및A cooling water supply line connected to the gas diffuser to cool the gas diffuser; And 상기 가스확산기를 거쳐서 오는 가스가 증착되는 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 척(chuck)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.And a wafer chuck on which a wafer on which gas coming from the gas diffuser is deposited is mounted. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 확산기의 중앙에는 한 개의 관통홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein one through hole is formed at the center of the gas diffuser. 제 2 항에 있어서, 상기 관통홀의 직경은 0.5mm∼1.0mm인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the through hole has a diameter of 0.5 mm to 1.0 mm. 가스분사노즐; 상기 가스분사노즐에 노출되어 있는 가스 확산기; 상기 가스 확산기를 식히기 위해 상기 가스 확산기에 연결되어 있는 냉각수 공급라인; 및 상기 가스확산기를 거친 가스가 증착되는 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 척(chuck)를 구비하는 반도체 제조장치에 있어서,Gas spray nozzles; A gas diffuser exposed to the gas injection nozzle; A cooling water supply line connected to the gas diffuser to cool the gas diffuser; And a wafer chuck on which a wafer on which the gas passed through the gas diffuser is deposited is mounted. 상기 가스 확산기의 중앙에 다수의 관통홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 제조방법.And forming a plurality of through holes in the center of the gas diffuser. 제 4 항에 있어서, 상기 가스확산기의 중앙에는 동일한 직경을 갖는 다수의 관통홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4, wherein a plurality of through holes having the same diameter are formed in the center of the gas diffuser. 제 4 항에 상기 가스확산기의 중앙에는 직경이 서로 다른 다수의 관통홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 제조방법.The method of claim 4, wherein a plurality of through holes having different diameters are formed at the center of the gas diffuser. 제 4 항 내지 제 6 항에 있어서, 상기 가스확산기의 중앙에는 한 개의 관통홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4, wherein one through hole is formed in the center of the gas diffuser. 제 7 항에 있어서, 상기 관통홀은 그 직경이 0.5∼1mm정도가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 7, wherein the through hole is formed to have a diameter of about 0.5 to 1 mm.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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