KR19980077890A - 반도체 cmp설비의 탈이온수 공급장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 CMP(Chemical - Mechanical Polishing)설비로 공급되는 탈이온수의 공급압력을 조절하는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치에 관한 것이다.

본 발명은, 일정압으로 탈이온수를 방출하는 탈이온수공급장치와 상기 탈이온수공급장치와 연결되는 주공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 폴리셔와 연결되는 제 1 공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 클리너와 연결되는 제 2 공급라인이 구비되는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치에 있어서, 상기 주공급라인 상에 상기 폴리셔 및 클리너로 공급되는 탈이온수의 압력을 조절할 수 있는 압력조절수단이 구비됨을 특징으로 한다.

따라서, 탈이온수공급원에서 방출되는 탈이온수는, CMP공정 진행을 위한 약 4 Kg/㎠ 정도로 조절된 후, 클리너 및 폴리셔로 공급됨으로 인해서 CMP공정의 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치

본 발명은 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 CMP설비로 공급되는 탈이온수의 공급압력을 조절하는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치에 관한 것이다.

최근에, 반도체장치의 고집적화, 고밀도화, 미세화 및 고신뢰화에 따라 반도체장치는 미세한 불순물에 의해서도 동작불량이 발생하므로 반도체장치 제조과정에 발생될 수 있는 불순물을 제거하는 세정공정의 중요성이 더욱 대두되고 있다. 또한, 반도체장치의 고집적화에 따라 배선구조가 다층화 되어 적층된 단위셀들 사이의 표면단차가 증가하게 됨에 따라, 상기 표면단차를 평탄화하기 위한 방법이 모색되고 있다.

통상, 상기 세정공정 및 평탄화공정은 탈이온수공급원에서 약 1 Kg/㎠ 정도의 압력으로 방출되는 탈이온수(Deionized Water)를 사용하는 CMP(Chemical - Mechanical Polishing)설비에서 수행되고 있다.

도1은 종래의 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치를 설명하기 위한 CMP설비의 개략적인 구성도이다.

도1을 참조하면, 탈이온수공급원(11)에서 약 1 Kg/㎠ 정도의 압력으로 방출된 탈이온수가 매뉴얼밸브(13)를 통과하여 폴리싱(Polishing)공정이 진행되는 폴리셔(10)로 공급되도록 되어 있다. 또한, 탈이온수공급원(11)에서 약 1 Kg/㎠ 정도의 압력으로 방출된 탈이온수가 매뉴얼밸브(20)를 통과하여 클리너(18)로 공급되도록 되어 있다.

상기 폴리셔(10)에는, 화학기상증착공정, 식각공정 등의 반도체장치 제조공정이 진행된 반도체 기판의 앞면이 접촉하면 공정진행을 위해서 회전운동을 수행하고, 표면에 일정량의 연마액(Slury)이 방출되는 4개의 플래튼(Platen : 14)이 형성된 스테이지(Stage : 12)가 설치되어 있다. 또한, 상기 폴리셔(10)에는 탈이온수공급원(11)과 연결되어 약 1 Kg/㎠ 정도의 압력으로 탈이온수공급원(11)에서 방출된 상기 탈이온수의 방출압력을 이용하여 상기 탈이온수를 외부로 방출할 수 있는 마이크로 스프레이(Micro Spray : 16)가 설치되어 있다.

그리고, 상기 클리너(18)에는, 탈이온수공급원(11)과 연결되어 약 1 Kg/㎠ 정도의 압력으로 탈이온수공급원(11)에서 방출된 상기 탈이온수의 방출압력을 이용하여 상기 탈이온수를 외부로 방출할 수 있는 스프레이가 설치된 스프레이바(Spray Bar : 22)가 설치되어 있다.

또한, 상기 클리너(18)에는, 탈이온수공급원(11)과 연결되어 약 1Kg/㎠ 정도의 압력으로 탈이온수공급원(11)에서 방출된 상기 탈이온수의 방출압력을 이용하여 상기 탈이온수를 외부로 방출할 수 있는 스프레이 및 다른 경로로 공급되는 암모니아(NH₃)를 외부로 분사시킬 수 있는 스프레이 등이 구비되고, 왕복운동 또는 회전운동을 할 수 있는 브러쉬가 구비된 브러쉬 스테이션(Brush Station : 24)이 설치되어 있다.

그리고, 초음파 발생기 등의 장치에 의해서 진동이 발생되는 일정량의 암모니아가 담긴 진동배스(26)가 설치되어 있고, 일정량의 탈이온수가 담긴 탈이온수 배스(28)가 설치되어 있다.

또한, 반도체 기판이 위치하면, 회전운동을 수행하는 스테이지가 구비되어 상기 스테이지가 회전하는 상태에서 반도체 기판 상에 잔류하는 탈이온수를 제거하는 건조공정이 진행되는 건조배스(30)가 설치되어 있다.

따라서, 일정량의 연마액이 공급되는 상태의 플래튼(14) 상부에 반도체장치 제조공정이 진행된 반도체 기판의 앞면이 위치하면, 반도체 기판의 표면은 화학적 반응을 한다. 또한, 반도체 기판이 위치한 플래튼(14)이 회전운동을 수행함에 따라 반도체 기판은 물리적인 평탄화공정이 진행된다.

그리고, 탈이온수공급원(11)에서 방출된 탈이온수가 폴리셔(10)의 마이크로 스프레이(16)를 통해서 반도체 기판 상에 약 1 Kg/㎠ 정도의 압력으로 방출됨에 따라 상기 반도체 기판 상에 존재하는 연마액은 1차 제거된다.

그리고, 상기 반도체 기판은, 다시 클리너(18) 내부의 스프레이바(22)로 이동된다. 상기 스프레이바(22) 내부에서는, 탈이온수공급원(11)에서 방출된 탈이온수가 스프레이를 통해서 상기 반도체 기판 상에 약 1 Kg/㎠ 정도의 압력으로 방출됨에 따라 상기 반도체 기판 상에 존재하는 연마액은 2차 제거된다.

이어서, 상기 반도체 기판은 클리너(18) 내부의 브러쉬 스테이션(24)으로 이동된다. 상기 브러쉬 스테이션(24) 내부에서는, 탈이온수공급원(11)에서 방출된 탈이온수가 브러쉬 스테이션(24)의 스프레이를 통해서 약 1 Kg/㎠ 정도의 압력으로 반도체 기판 상에 방출되고, 다른 경로로 브러쉬 스테이션(24)으로 공급된 암모니아가 또다른 스프레이를 통해서 상기 반도체 기판 상에 방출된다. 이 상태에서 브러쉬가 왕복운동 또는 회전운동을 수행함에 따라 반도체 기판 상에 존재하는 불순물은 제거된다.

다음으로, 상기 반도체 기판은 일정량의 암모니아가 담긴 진동배스(26)로 이동된다. 상기 진동배스(26) 내부에서는, 초음파 발생기 등의 장치에 의해서 진동이 발생되는 암모니아를 사용하여 반도체 기판 상에 존재하는 불순물을 제거하는 세정공정이 진행된다.

이어서, 상기 반도체 기판은 일정량의 탈이온수가 담긴 탈이온수 배스(28)로 이동된다. 상기 탈이온수 배스(28) 내부에서는 상기 암모니아를 제거하는 공정이 진행된다.

마지막으로, 상기 반도체 기판은 건조배스(30)의 스테이지로 이동된다. 상기 건조배스(30) 내부에서는, 스테이지가 회전하는 상태에서 상기 반도체 기판 상에 존재하는 탈이온수를 제거하는 건조공정이 진행된다.

그러나, 탈이온수공급원은 약 1 Kg/㎠ 정도의 낮은 압력으로 탈이온수를 외부로 방출하고, 상기 방출압력을 이용하여 폴리셔(10)의 마이크로 스프레이(16), 스프레이바(22)의 스프레이, 브러쉬 스테이션(24)의 스프레이 등은 상기 탈이온수를 외부로 방출함에 따라 상기 반도체 기판 상에 존재하는 불순물을 용이하게 제거하지 못하는 문제점이 있었다.

본 발명의 목적은, CMP설비의 폴리셔 및 클리너로 공급되는 탈이온수의 압력을 조절함으로서 반도체 기판 상에 존재하는 불순물을 용이하게 제거할 수 있는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치를 제공하는 데 있다.

도1은 종래의 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치를 설명하기 위한 CMP설비의 개략적인 구성도이다.

도2는 본 발명에 따른 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치의 일 실시예를 설명하기 위한 구성도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10, 46 : 폴리셔 11, 40 : 탈이온수공급원

12 : 스테이지 14 : 플래튼

16 : 마이크로 스프레이 18, 50 : 클리너

22 : 스프레이바 24 : 브러쉬 스테이션

26 : 진동배스 28 : 탈이온수배스

30 : 건조배스 42 : 주공급라인

44 : 제 1 공급라인 48 : 제 2 공급라인

13, 20, 52, 66, 70, 72, 76, 90, 94, 102 : 매뉴얼밸브

54, 68, 74, 88, 92, 100 : 에어밸브

56 : 차단장치 58 : 펌프

60, 98 : 압력조절밸브 62, 96 : 플로우미터

64 : 필터 80 : 제 2 분기라인

81 : 순환라인 82 : 방출라인

84 : 제 3 분기라인 86 : 제 4 분기라인

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치는, 일정압으로 탈이온수를 방출하는 탈이온수공급장치와 상기 탈이온수공급장치와 연결되는 주공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 폴리셔와 연결되는 제 1 공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 클리너와 연결되는 제 2 공급라인이 구비되는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치에 있어서, 상기 주공급라인 상에 상기 폴리셔 및 클리너로 공급되는 탈이온수의 압력을 조절할 수 있는 압력조절수단이 구비됨을 특징으로 한다.

상기 압력조절수단은 펌프 및 압력조절밸브로 이루어질 수 있고, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 펌프 전단에 상기 탈이온수의 압력이 일정수준 이하일 경우에 펌프의 펌핑동작을 제어할 수 있는 저압 인터록 시스템으로 이루어지는 차단장치가 설치될 수 있다.

또한, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 차단장치 전단에 상기 탈이온수의 흐름을 단속할 수 있는 에어밸브 및 매뉴얼밸브로 이루어지는 단속수단이 설치될 수 있다.

그리고, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 압력조절밸브 후단에 통과되는 탈이온수의 양을 측정할 수 있는 플로우미터가 설치될 수 있으며, 상기 플로우미터를 통과한 탈이온수에 포함된 불순물을 제거하는 필터가 상기 플로우미터 후단에 설치됨이 바람직하다.

또한, 상기 제 1 공급라인 및 제 2 공급라인 상에 통과되는 탈이온수의 흐름을 차단할 수 있는 에어밸브 및 매뉴얼밸브로 이루어지는 단속수단이 설치될 수 있다.

그리고, 상기 제 1 공급라인 및 제 2 공급라인 상에 설치된 에어밸브 및 매뉴얼밸브 사이에서 제 1 분기라인 및 제 2 분기라인이 형성된 후, 다시 합쳐져 방출라인이 형성될 수 있고, 상기 방출라인과 상기 제 2 분기라인이 합쳐져 순환라인이 형성될 수 있다.

또한, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 방출라인에서 상기 순환라인이 형성되는 지점 이후에 통과되는 탈이온수의 양을 측정할 수 있는 플로우미터가 설치될 수 있고, 상기 플로우미터 이후에 압력조절밸브가 설치될 수 있다.

그리고, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 주공급라인 상에 설치된 차단장치와 에어밸브 사이에서 제 3 분기라인이 형성되고, 상기 주공급라인 상에 설치된 펌프와 압력조절밸브 사이에서 제 4 분기라인이 형성된 후, 다시 합쳐져서 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 방출라인 상에 설치된 상기 압력조절밸브 이후의 상기 방출라인과 합쳐지도록 구성될 수 있다.

또한, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 제 3 분기라인 및 제 4 분기라인이 상기 방출라인과 합쳐지는 지점 이후의 상기 방출라인 상에 상기 탈이온수의 흐름을 단속할 수 있는 에어밸브 및 매뉴얼밸브로 이루어지는 단속수단이 설치될 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치는, 일정압으로 탈이온수를 방출하는 탈이온수공급장치와 상기 탈이온수공급장치와 연결되는 주공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 폴리셔와 연결되는 제 1 공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 클리너와 연결되는 제 2 공급라인이 구비되는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치에 있어서, 상기 제 1 공급라인 및 제 2 공급라인 상에 상기 폴리셔 및 클리너로 공급되는 탈이온수의 압력을 조절할 수 있는 압력조절수단이 설치됨을 특징으로 한다.상기 압력조절수단은 펌프 및 압력조절밸브로 이루어질 수 있으며, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 펌프 전단에 상기 펌프의 펌핑동작을 제어할 수 있는 저압 인터록 시스템으로 이루어지는 차단장치가 설치될 수 있다.

또한, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 차단장치 전단에 상기 탈이온수의 흐름을 차단할 수 있는 매뉴얼밸브 및 에어밸브로 이루어지는 단속수단이 설치될 수 있고, 상기 단속수단 이후에 통과되는 탈이온수에 포함된 불순물을 제거하는 필터가 설치됨이 바람직하다.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도2는 본 발명에 따른 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치의 일 실시예를 설명하기 위한 구성도이다.

도2를 참조하면, 약 1Kg/㎠ 정도의 압력으로 탈이온수를 방출하는 탈이온수공급원(40)이 제 1 공급라인(44) 및 제 2 공급라인(48)이 분기형성된 주공급라인(42)의 일측과 연결되고, 상기 제 1 공급라인(44)이 CMP설비의 폴리셔(46)와 연결되어 있고, 상기 제 2 공급라인(48)이 CMP설비의 클리너(50)와 연결되어 있다.

상기 주공급라인(42) 상에는 작업자가 수동으로 개폐시킬 수 있는 매뉴얼밸브(52), 에어의 공급유무에 따라 개폐동작을 수행하는 에어밸브(54) 그리고 탈이온수공급장치(40)에서 방출되는 탈이온수의 압력을 높일 수 있는 펌프(58)가 설치되어 있다. 상기 펌프(58)와 에어밸브(54) 사이에는 상기 펌프(58)의 펌핑동작을 제어할 수 있는 차단장치(56)가 설치되어 있다. 상기 차단장치(56)는 그를 통과하는 탈이온수의 압력이 일정수준 이하일 경우에 상기 펌프(58)의 펌핑동작을 정지토록 제어하는 저압 인터록 시스템으로 구성될 수 있다.

또한, 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 펌프(58) 후단에 탈이온수의 압력을 조절할 수 있는 압력조절밸브(60), 탈이온수의 양을 측정할 수 있는 플로우미터(62) 및 탈이온수에 포함된 불순물을 제거하는 필터(64) 등이 설치되어 있다.

그리고, 상기 제 1 공급라인(44) 및 제 2 공급라인(48) 상에는 작업자가 개폐동작을 조절할 수 있는 매뉴얼밸브(66, 72), 에어의 공급에 따라 개폐동작을 수행하는 에어밸브(68, 74) 그리고 매뉴얼밸브(70, 76)가 순차적으로 설치되어 있다.

또한, 제 1 공급라인(44) 상에 설치된 에어밸브(68)와 매뉴얼밸브(70) 사이에서 분기되는 제 1 분기라인(78)이 형성되고, 상기 제 2 공급라인(48) 상에 설치된 에어밸브(74)와 매뉴얼밸브(76) 사이에서 분기되는 제 2 분기라인(80)이 형성된 후, 서로 합쳐져 방출라인(82)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 방출라인(82)과 상기 제 2 공급라인(81)을 연결하는 순환라인(81)이 형성되어 있다.

그리고, 상기 주공급라인(42) 상에 설치된 에어밸브(54)와 차단장치(56)에서 분기되는 제 3 분기라인(84)이 형성되고, 상기 주공급라인(42) 상에 설치된 펌프(58)와 압력조절밸브(60) 사이에서 분기되는 제 4 분기라인(86)이 형성된 후, 서로 합쳐져서 상기 방출라인(82)과 연결되어 있다.

또한, 상기 순환라인(81)과 상기 방출라인(82)이 합쳐지는 지점과 상기 제 3 분기라인(84) 및 상기 제 4 분기라인(86)이 합쳐지는 지점 사이에는 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 플로우미터(96)와 압력조절밸브(98)가 순차적으로 설치되어 있다. 또한, 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 제 3 분기라인(84) 및 제 4 분기라인(86)이 합쳐지는 지점 이후의 상기 방출라인(82) 상에는 에어의 공급에 따라 개폐동작을 수행하는 에어밸브(100) 및 작업자가 개폐동작을 조절하는 매뉴얼밸브(102)가 순차적으로 설치되어 있다.

따라서, 탈이온수공급원(40)에서 방출된 약 1Kg/㎠ 정도의 탈이온수는, 매뉴얼밸브(52), 에어밸브(54) 그리고 차단장치(56)를 통과한 후, 펌프(58)로 공급된다.

상기 펌프(58)로 공급된 탈이온수는, 펌프(58)의 펌핑동작에 의해서 압력이 상승된 후, 압력조절밸브(60)를 통과하며 폴리셔(46) 및 클리너(50)로 공급될 수 있는 약 4 Kg/㎠ 정도의 압력으로 조절된다. 이때, 압력조절밸브(60)에 의해서 압력이 조절되며 상기 압력조절밸브(60)를 통과하지 못한 일정량의 탈이온수는, 제 4 분기라인(86) 상에 설치된 매뉴얼밸브(94), 에어밸브(92) 그리고 제 3 분기라인(84) 상에 설치된 매뉴얼밸브(90), 에어밸브(88)를 통과한 후, 다시 주공급라인(42) 상에 설치된 압력조절밸브(60)로 공급되거나, 방출라인(82) 상에 설치된 에어밸브(100) 및 매뉴얼밸브(102)를 통과하여 외부로 방출된다. 또한, CMP공정이 진행되지 않을 경우에는, 저압 인터록 시스템 등의 차단장치(56)가 상기 펌프(58)를 제어하여 상기 펌프(58)의 펌핑동작을 멈추도록 한다.

그리고, 상기 압력조절밸브(60)를 통과한 탈이온수는, 플로우미터(62)를 통과하며 그 양이 측정되고, 다시 필터(64)를 통과하며 탈이온수에 포함될 수 있는 불순물을 제거하는 필터링공정이 진행된다. 이어서, 상기 탈이온수는, 제 1 공급라인(44) 상에 설치된 매뉴얼밸브(66), 에어밸브(68), 다시 매뉴얼밸브(70)를 통과하여 폴리셔(46)로 공급된다.

또한, 상기 필터(64)를 통과한 탈이온수는, 제 2 공급라인(48) 상에 설치된 매뉴얼밸브(72), 에어밸브(74) 및 매뉴얼밸브(76)를 통과하여 클리너(50)로 공급된다.

그리고, CMP설비의 폴리셔(46) 및 클리너(50)가 동작되지 않을 경우에는, 상기 탈이온수는 제 1 분기라인(78) 또는 제 2 분기라인(80)을 통과한 후, 방출라인(82) 상에 설치된 플로우미터(96), 압력조절밸브(98), 에어밸브(100), 매뉴얼밸브(102)를 통과하여 외부로 방출되거나, 순환라인(81)을 통해서 다시 제 1 공급라인(44) 및 제 2 공급라인(48)으로 공급된다. 상기 탈이온수는 정체되어 있을 경우에는 박테리아 등에 의해서 오염될 수 있다.

또한, 다른 실시예로서 상기 폴리셔(46)와 직접 연결된 제 1 공급라인(44)과 상기 클리너(50)와 연결된 제 2 공급라인(48) 상에 탈이온수의 흐름을 단속할 수 있는 매뉴얼밸브 및 에어밸브로 이루어지는 단속수단을 설치하고, 상기 단속수단 이후에 탈이온수의 압력을 조절하는 펌프 및 압력조절밸브를 설치하고, 상기 단속수단과 펌프 사이에 탈이온수이 압력이 일정수준 이하일 경우 상기 펌프의 동작을 멈추도록 제어하는 저압 인터록 시스템 등의 단속장치를 설치하고, 상기 펌프 이후에 펌프를 통과한 탈이온수에 포함될 수 있는 불순물을 제거할 수 있는 필터를 설치하며, 전술한 바와 같은 작용에 의해서 폴리셔 및 클리너로 공급되는 탈이온수의 압력을 조절할 수 있다.

따라서, 본 발명에 의하면 탈이온수공급원에서 방출되는 탈이온수는, CMP공정 진행을 위한 약 4 Kg/㎠ 정도로 조절된 후, 클리너 및 폴리셔로 공급됨으로 인해서 CMP공정의 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (24)

1. 일정압으로 탈이온수를 방출하는 탈이온수공급장치와 상기 탈이온수공급장치와 연결되는 주공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 폴리셔와 연결되는 제 1 공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 클리너와 연결되는 제 2 공급라인이 구비되는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치에 있어서, 상기 주공급라인 상에 상기 폴리셔 및 클리너로 공급되는 탈이온수의 압력을 조절할 수 있는 압력조절수단이 구비됨을 특징으로 하는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 압력조절수단은 펌프 및 압력조절밸브로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 펌프 전단에 상기 펌프의 펌핑동작을 제어할 수 있는 차단장치가 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
4. 제 3 항에 있어서, 상기 차단장치는 저압 인터록 시스템으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
5. 제 3 항에 있어서, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 차단장치 전단에 상기 탈이온수의 흐름을 차단할 수 있는 단속수단이 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 단속수단은 매뉴얼밸브 및 에어밸브로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
7. 제 6 항에 있어서, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 압력조절밸브 후단에 통과되는 탈이온수의 양을 측정할 수 있는 플로우미터가 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 플로우미터 후단에 통과되는 탈이온수에 포함된 불순물을 제거하는 필터가 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
9. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 공급라인 및 제 2 공급라인 상에 통과되는 탈이온수의 흐름을 차단할 수 있는 단속수단이 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 단속수단은 매뉴얼밸브 및 에어밸브로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
11. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 공급라인 및 제 2 공급라인 상에 구비된 에어밸브 및 매뉴얼밸브 사이에서 제 1 분기라인 및 제 2 분기라인이 형성된 후, 다시 합쳐져 방출라인이 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
12. 제 9 항에 있어서, 상기 방출라인과 상기 제 2 분기라인이 합쳐져 순환라인이 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
13. 제 12 항에 있어서, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 방출라인에서 상기 순환라인이 형성되는 지점 이후에 통과되는 탈이온수의 양을 측정할 수 있는 플로우미터가 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
14. 제 13 항에 있어서, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 방출라인에서 상기 순환라인이 형성되는 지점 이후에 설치된 상기 플로우미터 이후에 압력조절밸브가 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
15. 제 14 항에 있어서, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 주공급라인 상에 설치된 차단장치와 에어밸브 사이에서 제 3 분기라인이 형성되고, 상기 주공급라인 상에 설치된 펌프와 압력조절밸브 사이에서 제 4 분기라인이 형성된 후, 다시 합쳐져서 상기 방출라인 상에 설치된 상기 압력조절밸브 이후의 상기 방출라인과 합쳐지도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
16. 제 15 항에 있어서, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 제 3 분기라인 및 제 4 분기라인이 상기 방출라인과 합쳐지는 지점 이후의 상기 방출라인 상에 상기 탈이온수의 흐름을 단속할 수 있는 단속수단이 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
17. 제 16 항에 있어서, 상기 단속수단은 에어밸브 및 매뉴얼밸브로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
18. 일정압으로 탈이온수를 방출하는 탈이온수공급장치와 상기 탈이온수공급장치와 연결되는 주공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 폴리셔와 연결되는 제 1 공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 클리너와 연결되는 제 2 공급라인이 구비되는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치에 있어서, 상기 제 1 공급라인 및 제 2 공급라인 상에 상기 폴리셔 및 클리너로 공급되는 탈이온수의 압력을 조절할 수 있는 압력조절수단이 구비됨을 특징으로 하는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
19. 제 18 항에 있어서, 상기 압력조절수단은 펌프 및 압력조절밸브로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
20. 제 19 항에 있어서, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 펌프 전단에 상기 펌프의 펌핑동작을 제어할 수 있는 차단장치가 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
21. 제 20 항에 있어서, 상기 차단장치는 저압 인터록 시스템으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
22. 제 21 항에 있어서, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 차단장치 전단에 상기 탈이온수의 흐름을 차단할 수 있는 단속수단이 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
23. 제 22 항에 있어서, 상기 단속수단은 매뉴얼밸브 및 에어밸브로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.
24. 제 23 항에 있어서, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 단속수단 이후에 통과되는 탈이온수에 포함된 불순물을 제거하는 필터가 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치.