KR19980073865A - Power supply control device according to sensing temperature - Google Patents
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Abstract
본 발명은 시스템의 온도를 감지하여 그 결과에 따라 시스템 내에 공급되는 소정의 타 전원을 온/오프 시키도록 스위칭 신호를 발생하는 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치에 관한 것으로서, 감지된 온도가 소정의 상한값 이상으로 될 때 소정의 타 전원을 차단시키기 위한 스위칭 신호를 발생하고, 감지된 온도가 소정의 하한값 이하로 될 때 소정의 타 전원을 다시 공급시키기 위한 스위칭 신호를 발생하여 시스템을 보다 안정적으로 동작하게 하면서 과열로부터 보호한다.The present invention relates to a power supply control apparatus according to a sensed temperature for generating a switching signal to sense the temperature of the system and to turn on / off a predetermined other power supplied to the system according to the result. Generates a switching signal to cut off other predetermined power when the value is higher than the upper limit, and generates a switching signal to supply the other predetermined power again when the sensed temperature becomes lower than the lower limit. Protect it from overheating.
Description
본 발명은 전력 공급 제어 장치(Power Supply Control Apparatus by detecting of temperature)에 관한 것으로 통신 교환 시스템 등에 포함되는 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply control apparatus by detecting of temperature, and more particularly, to a power supply control apparatus according to a sensing temperature included in a communication exchange system.
도 1은 통신 교환 시스템의 개략도를 도시한 도면이다. 온도에 따른 전력 공급 제어 장치는 통신 교환 시스템(1)의 레퍼런스 블록(5)에 포함되어 있다. 도 2는 레퍼런스 블록(5)의 개략도이다. 레퍼런스 블록(5)에는 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치(10)가 포함되어 있다.1 is a schematic diagram of a communication exchange system. The power supply control device according to temperature is included in the reference block 5 of the communication exchange system 1. 2 is a schematic diagram of a reference block 5. The reference block 5 includes a power supply control device 10 according to the sensed temperature.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치(10)는 감지한 온도에 따라 시스템 내의 기능 블록들(7)로 인가되는 소정의 타 전원을 온/오프(on/off) 시키기 위한 스위칭 신호(VS)를 발생한다. 그러면 프로세스 제어부(6)는 전체 시스템의 운용을 제어하는 중앙 제어 장치(2)의 상태에 따라 상기 타 전원 스위치(PWR)를 온 시키거나 오프 시킨다. 타 전원 스위치가 오프될 경우, 상기 시스템(1)은 정상적인 기능을 수행할 수 없게 되므로 중앙 제어 장치(2)는 다른 정상적인 시스템(1')을 통해 필요한 작업을 수행할 수 있다.1 to 2, the power supply control device 10 according to the sensed temperature turns on / off some other power applied to the function blocks 7 in the system according to the sensed temperature. To generate a switching signal VS. The process control unit 6 then turns on or off the other power switch PWR according to the state of the central control unit 2 that controls the operation of the entire system. When the other power switch is turned off, the system 1 cannot perform a normal function, and thus the central control unit 2 can perform necessary work through another normal system 1 '.
도 3은 가입자 라인 인터페이스 회로(Subscriber Line Interface Circuit)의 레퍼런스 블록에 포함된 종래의 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치의 회로도이다. 그리고 도 4는 종래의 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치의 스위칭 신호 특성을 보여준다.3 is a circuit diagram of a power supply control apparatus according to a conventional sensing temperature included in a reference block of a subscriber line interface circuit. 4 shows switching signal characteristics of a power supply control apparatus according to a conventional sensing temperature.
이하 도 3 내지 도 4를 참조하여, 종래의 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치의 동작을 살펴보겠다.Hereinafter, the operation of the power supply control device according to the sensing temperature will be described with reference to FIGS. 3 to 4.
시스템의 내외적인 온도에 따라 온도 감지기(Q16)의 접합 온도(junction temperature)가 소정의 설정 온도(Tp)보다 높아지면 온도 감지 신호(VT)의 레벨이 2.5V 이하로 하강한다. 이때 인버터(INV1)를 통해 하이 레벨의 스위칭 신호(VS)가 발생한다. 이에 따라 상기 타 전원이 차단되면 타 전원에 연결된 모든 기능 블록들이 오프되어 시스템 및 구성 IC들이 과열로부터 보호된다.According to the internal and external temperature of the system, when the junction temperature of the temperature sensor Q16 becomes higher than the predetermined set temperature T p , the level of the temperature sensing signal VT falls below 2.5V. At this time, a high level switching signal VS is generated through the inverter INV1. Accordingly, when the other power is cut off, all functional blocks connected to the other power are turned off to protect the system and the component ICs from overheating.
이제 시스템의 온도가 하강하여 상기 설정 온도(Tp) 이하로 되면, 온도 감지 신호(VT)의 레벨이 2.5V 이상으로 상승하여 인버터(INV1)를 통해 로우 레벨의 스위칭 신호(VS)가 발생된다. 이에 따라 상기 타 전원이 공급되면 시스템이 다시 정상적으로 동작하게 된다.When the temperature of the system is lowered to be lower than the set temperature T p , the level of the temperature sensing signal VT rises to 2.5V or more to generate a low level switching signal VS through the inverter INV1. . Accordingly, when the other power is supplied, the system operates normally again.
도 5는 시뮬레이션에 의해 구한 임의의 온도 변화를 감지한 온도 감지 신호(VT)의 파형과 그에 따른 스위칭 신호(VS)의 파형을 보여준다. 도 5를 참조하면, 종래의 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치는 온도 감지 신호(VT)의 레벨이 2.5V 이하로 하강하면 하이 레벨의 스위칭 신호(VS)를 발생하고, 온도 감지 신호(VT)의 레벨이 2.5V 이상으로 상승하면 로우 레벨의 스위칭 신호(VS)를 발생한다.FIG. 5 shows a waveform of a temperature sensing signal VT and a corresponding waveform of a switching signal VS which detects any temperature change obtained by simulation. Referring to FIG. 5, the power supply control apparatus according to the conventional sensing temperature generates a high level switching signal VS when the level of the temperature sensing signal VT falls below 2.5V, and the temperature sensing signal VT. When the level rises above 2.5V, a low level switching signal VS is generated.
그러나 상술한 바에 의하면, 시스템의 동작 온도가 설정 온도 부근(TP)에서 미세하게 변화할 경우, 온도 감지 신호(VT)의 레벨이 2.5V 위 아래로 흔들리게 되고 이에 따라 상기 스위칭 신호(VS)의 레벨도 하이에서 로우로 또 로우에서 하이로 계속하여 변하게 된다. 그렇게 되면 상기 타 전원에 연결된 시스템 내의 회로 블록들이 온/오프를 반복하게 되어 시스템이 불안정해질 뿐만 아니라 상기 회로 블록 내의 IC들의 수명도 단축되는 문제점을 야기시킨다.However, according to the above, when the operating temperature of the system changes minutely near the set temperature T P , the level of the temperature sensing signal VT is shaken up and down 2.5V, and thus the switching signal VS The level of is also changing from high to low and from low to high. This causes circuit blocks in the system connected to the other power source to be repeatedly turned on and off, which causes a problem that the system becomes unstable and shortens the lifespan of the ICs in the circuit block.
따라서 본 발명의 목적은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 타 전원을 스위치 온 시키는 온도와 스위치 오프 시키는 온도를 다르게 설정하여 시스템의 온도가 어느 설정 온도 위 아래로 미세하게 변화하더라도 그 온도 변화가 두 개의 설정 온도들 사이의 범위를 가로질러 일어날 때에만 타 전원의 스위칭 신호를 바꾸어 상기 시스템을 보다 안정적으로 동작시키면서 과열로부터 보호하는 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치를 제공하는 것이다.Therefore, an object of the present invention has been proposed to solve the above-mentioned problems, the temperature of the other power supply and the switch-off temperature is set differently so that the temperature of the system changes slightly above and below any set temperature Only when a change occurs across a range between two set temperatures, the switching signal of the other power supply is changed to provide a power supply control device according to the sensed temperature that protects the system from overheating while operating the system more stably.
도 1은 온도를 감지하여 전력 공급을 제어하는 통신 교환 시스템을 개략적으로 도시한 도면;1 is a schematic illustration of a communication exchange system for sensing a temperature and controlling a power supply;
도 2는 도 1에 도시된 통신 교환 시스템의 레퍼런스 블록을 개략적으로 도시한 도면;2 is a schematic illustration of a reference block of the communication exchange system shown in FIG. 1;
도 3은 종래 기술의 실시예에 의한 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치가 적용된 레퍼런스 블락의 회로도;3 is a circuit diagram of a reference block to which a power supply control device according to a sensing temperature according to an embodiment of the prior art is applied;
도 4는 종래 기술의 실시예에 의한 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치의 스위칭 신호 특성을 나타낸 그래프;4 is a graph showing switching signal characteristics of a power supply control device according to a sensing temperature according to an embodiment of the prior art;
도 5는 종래 기술의 실시예에 의한 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치의 시뮬레이션에 의한 스위칭 신호 그래프;5 is a switching signal graph by simulation of a power supply control device according to a sensed temperature according to an embodiment of the prior art;
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치가 적용된 레퍼런스 블록의 회로도;6 is a circuit diagram of a reference block to which a power supply control apparatus according to a sensing temperature according to an embodiment of the present invention is applied;
도 7은 본 발명의 실시예에 의한 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치의 스위칭 신호 특성을 나타낸 그래프;7 is a graph showing the switching signal characteristics of the power supply control device according to the sensing temperature according to an embodiment of the present invention;
도 8은 본 발명의 실시예에 의한 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치의 시뮬레이션에 의한 스위칭 신호 그래프.8 is a switching signal graph by simulation of a power supply control device according to a sensed temperature according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명* Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100 : 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치200 : bias 회로100: power supply control device according to the sense temperature 200: bias circuit
300 : 밴드 갭 레퍼런스 회로110 : 온도 감지 신호 발생 회로300: band gap reference circuit 110: temperature sensing signal generation circuit
120 : 스위칭 신호 발생 회로120: switching signal generating circuit
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 시스템의 온도를 감지하여 그 결과에 따라 시스템 내에 공급되는 소정의 타 전원을 온/오프 시키도록 스위칭 신호를 발생하는 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치에 있어서, 상기 시스템의 온도를 감지하고 소정의 온도 감지 신호를 발생하는 온도 감지 신호 발생 수단과; 상기 온도 감지 신호 발생 수단으로부터의 온도 감지 신호가 소정의 제 1 설정 온도 이상에 대응하는 제 1 설정 전압 레벨 이하이면 상기 소정의 타 전원을 차단시키기 위한 스위칭 신호를 발생하고, 상기 온도 감지 신호가 소정의 제 2 설정 온도 이하에 대응하는 제 2 전압 레벨 이상이면 상기 소정의 전원을 공급하기 위한 스위칭 신호를 발생하는 스위칭 신호 발생 수단을 포함한다.According to an aspect of the present invention for achieving the object as described above, according to the detection temperature for generating a switching signal to sense the temperature of the system and to turn on / off any other power supplied to the system according to the result A power supply control apparatus, comprising: temperature sensing signal generating means for sensing a temperature of the system and generating a predetermined temperature sensing signal; If the temperature sensing signal from the temperature sensing signal generating means is less than or equal to a first predetermined voltage level corresponding to a predetermined first predetermined temperature or more, a switching signal for cutting off the predetermined other power is generated, and the temperature sensing signal is predetermined And switching signal generating means for generating a switching signal for supplying the predetermined power when the voltage is equal to or greater than a second voltage level corresponding to less than or equal to a second set temperature.
이 장치의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 온도 감지 수단은 일정 온도 이상에서 턴 온 되는 온도 감지기와; 상기 온도 감지기의 동작에 따라 연동되면서, 감지한 온도에 따라 소정 레벨의 온도 감지 신호를 발생하는 감지 신호 발생 수단을 포함한다.In a preferred embodiment of the device, the temperature sensing means comprises: a temperature sensor which is turned on above a certain temperature; And a detection signal generating means interlocked according to the operation of the temperature sensor and generating a temperature sensing signal of a predetermined level according to the sensed temperature.
이 장치의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 온도 감지기는 베이스에 소정 레벨의 제 1 기준 전압이 소정 비율로 분압되어 인가되고 에미터에 소정 레벨의 제 1 전원 전압이 인가되어 온도에 따라 드레숄드 전압이 가변됨으로써 일정 온도 이상에서 턴 온 되는 트랜지스터로 구성된다.In a preferred embodiment of the device, the temperature sensor is applied with a predetermined level of a first reference voltage at a predetermined ratio to the base and a first power supply voltage of a predetermined level to the emitter so that the threshold voltage is varied with temperature. It is composed of transistors that are turned on above a certain temperature by being variable.
이 장치의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 감지 신호 발생 수단은 상기 온도 감지기의 트랜지스터가 턴 온 되면 활성화되는 전류 미러와; 베이스와 접지가 접속되고 상기 전류 미러가 활성화되면 턴 온 되는 트랜지스터와; 일 단이 상기 트랜지스터의 콜렉터와 접속된 저항과; 소오스와 게이트는 소정 레벨의 전원 전압이 인가되고 드레인은 상기 저항의 타 단과 접속되어 상기 트랜지스터가 턴 온 되면 액티브 로드로 동작하여 상기 온도 감지 신호를 출력시키는 모오스 트랜지스터와; 상기 모오스 트랜지스터의 드레인과 상기 트랜지스터의 베이스 사이에 접속되어 상기 온도 감지 신호의 리플을 제거하는 커패시터를 포함한다.In a preferred embodiment of the apparatus, the sensing signal generating means comprises: a current mirror which is activated when the transistor of the temperature sensor is turned on; A transistor turned on when a base and a ground are connected and the current mirror is activated; A resistor connected at one end to the collector of the transistor; A source transistor having a source and a voltage applied to a source and a drain thereof connected to the other end of the resistor to operate as an active load when the transistor is turned on to output the temperature sensing signal; And a capacitor connected between the drain of the MOS transistor and the base of the transistor to remove ripple of the temperature sensing signal.
이 장치의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 스위칭 신호 발생 수단은 상기 온도 감지 수단으로부터의 온도 감지 신호가 상기 제 1 설정 전압 레벨 이하이면 소정의 제 1 전압 레벨로 포화되고, 온도 감지 신호가 상기 제 2 설정 전압 레벨 이상이면 소정의 제 2 전압 레벨로 포화되는 비교기와; 외부로부터 소정 레벨의 제 2 기준 전압과 상기 비교기의 출력을 소정의 비율로 분압하여 비교기의 비 반전 단자로 인가하는 전압 디바이더와; 상기 비교기의 출력 신호를 반전시켜 소정의 스위칭 신호를 발생시키는 반전 수단을 포함한다.In a preferred embodiment of the apparatus, the switching signal generating means is saturated to a predetermined first voltage level if the temperature sensing signal from the temperature sensing means is less than or equal to the first set voltage level, and the temperature sensing signal is set to the second. A comparator which is saturated to a predetermined second voltage level if the set voltage level is higher than or equal to; A voltage divider for dividing a second reference voltage of a predetermined level from the outside and the output of the comparator at a predetermined ratio and applying the same to a non-inverting terminal of the comparator; And inverting means for inverting the output signal of the comparator to generate a predetermined switching signal.
이 장치의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 전압 디바이더는 일 단이 접지와 접속되고 타 단이 상기 스위칭 신호 발생 수단 내의 비교기의 비 반전 단자와 접속된 제 1 저항과; 일 단은 상기 제 2 기준 전압이 인가되고 타 단은 상기 스위칭 신호 발생 수단 내의 비교기의 비 반전 단자와 접속된 제 2 저항과; 일 단은 상기 제 1 저항의 타 단과 접속되고 타 단은 상기 스위칭 신호 발생 수단 내의 비교기의 출력 단자에 접속된 제 3 저항을 포함한다.In a preferred embodiment of the apparatus, the voltage divider comprises: a first resistor connected at one end to ground and at the other end to a non-inverting terminal of a comparator in the switching signal generating means; A second resistor connected at one end to the non-inverting terminal of the comparator in the switching signal generator; One end is connected to the other end of the first resistor and the other end comprises a third resistor connected to the output terminal of the comparator in the switching signal generating means.
이와 같은 장치에 의하면, 감지 온도가 제 1 설정 온도 이상으로 될 때 회로 블록들에 연결된 소정의 타 전원을 차단시키기 위한 스위칭 신호가 발생되고, 감지 온도가 제 2 설정 온도 이하로 될 때 상기 타 전원을 다시 공급시키기 위한 스위칭 신호가 발생되어 시스템을 보다 안정적으로 동작하게 하면서 과열로부터 보호할 수 있다.According to such an apparatus, a switching signal is generated to cut off a predetermined other power source connected to circuit blocks when the sensing temperature becomes higher than the first set temperature, and the other power source when the sensing temperature falls below the second set temperature. A switching signal is generated to resupply the circuitry, making the system more stable and protecting it from overheating.
도 6에는 본 발명의 실시예에 의한 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치가 도시되어 있다. 도 6에 도시된 회로는 가입자 인터페이스 회로 내의 레퍼런스 블록의 일부이다.6 is a view illustrating a power supply control apparatus according to a sensing temperature according to an embodiment of the present invention. The circuit shown in FIG. 6 is part of a reference block within the subscriber interface circuit.
도 6을 참조하면, 레퍼런스 블록은 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치(100) 외에 bias 회로(200)와 밴드 갭 레퍼런스 회로(300)를 포함한다. 여기서 Bias 회로(200)는 회로 전체의 bias를 잡아준다. 그리고 밴드 갭 레퍼런스 회로(300)는 온도 변화나 전원 전압의 노이즈와 같은 외부적인 요인에 상관없이 일정한 기준 전압(Vref)을 발생시킨다.Referring to FIG. 6, the reference block includes a bias circuit 200 and a band gap reference circuit 300 in addition to the power supply control device 100 according to the sensing temperature. Here, the bias circuit 200 captures a bias of the entire circuit. The band gap reference circuit 300 generates a constant reference voltage V ref regardless of external factors such as temperature change or noise of a power supply voltage.
도 7은 본 발명의 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치의 동작 특성을 보여준다. 설명의 편의상, 시스템의 온도는 정상 온도로부터 제 1 설정 온도(T1P) 이상으로 상승한 다음, 다시 하강하여 제 2 설정 온도(T2P) 이하로 하강하는 것으로 가정한다.Figure 7 shows the operating characteristics of the power supply control device according to the sensed temperature of the present invention. For convenience of explanation, it is assumed that the temperature of the system rises above the first set temperature T1 P from the normal temperature, and then lowers again to fall below the second set temperature T2 P.
이하 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치의 동작을 설명하겠다.Hereinafter, the operation of the power supply control apparatus according to the sensing temperature of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7.
초기에는 시스템의 온도가 정상적이어서 트랜지스터들(Q46, Q47, Q48, Q51)이 턴 오프 되어 온도 감지 신호(VT)의 레벨이 하이 레벨로 되고 인버터(INV31)의 출력 신호가 로우 레벨로 된다.Initially, the temperature of the system is normal, so that the transistors Q46, Q47, Q48, and Q51 are turned off so that the level of the temperature sensing signal VT goes high and the output signal of the inverter INV31 goes low.
시스템의 온도가 상승하게 되면 트랜지스터(Q46)의 드레숄드 전압이 낮아지게 되는데 과열 상태가 계속되어 시스템의 온도가 일정 온도(TP) 이상으로 되면, 트랜지스터(Q46)의 드레숄드 전압이 충분히 낮아져 트랜지스터(Q46)가 턴 온 된다. 여기서 온도(TP)는 제 1 설정 온도(T1P)와 제 2 설정 온도(T2P)의 중간 온도로 설정되어 있다. 트랜지스터(Q46)가 턴 온 됨에 따라 전류 미러(CM31)의 트랜지스터들(Q47, Q48)과 트랜지스터(Q51)가 순차적으로 턴 온 된다. 트랜지스터(Q47)는 턴 온시 콜레터로부터 에미터로 최대 수백 μA의 전류를 유입한다. 그러나 트랜지스터(Q51)가 턴 온 되면 모오스 트랜지스터(M31)가 액티브 로드로 동작하게 되어 트랜지스터(Q51)의 콜렉터 전류가 약해지게 된다. 이에 따라 트랜지스터(Q51)의 베이스 전류가 강해져서 트랜지스터(Q47)의 에미터로 유입되는 전류가 보강된다. 그렇게 되면 상기 트랜지스터(Q51)가 포화(saturation) 상태로 되어 트랜지스터(Q51) 양단에 포화 전압(VCE= 0.2V)이 걸리게 된다. 이 때 온도 감지 신호(VT)의 레벨은 다음 식에 의해 전원 전압(VDD) 레벨에서 로우 레벨로 하강한다.When the temperature of the system increases, the threshold voltage of the transistor Q46 is lowered. When the overheat condition continues and the temperature of the system becomes higher than the predetermined temperature T P , the threshold voltage of the transistor Q46 is sufficiently lowered. (Q46) is turned on. The temperature T P is set here as an intermediate temperature between the first set temperature T1 P and the second set temperature T2 P. As the transistor Q46 is turned on, the transistors Q47 and Q48 and the transistor Q51 of the current mirror CM31 are sequentially turned on. Transistor Q47 draws up to several hundred microamperes of current from the collet to the emitter at turn on. However, when the transistor Q51 is turned on, the MOS transistor M31 operates as an active load, and the collector current of the transistor Q51 is weakened. As a result, the base current of the transistor Q51 is increased to reinforce the current flowing into the emitter of the transistor Q47. In this case, the transistor Q51 is in a saturation state, and a saturation voltage (V CE = 0.2V) is applied across the transistor Q51. At this time, the level of the temperature sensing signal VT is lowered from the power supply voltage V DD level to the low level by the following equation.
[수학식 1][Equation 1]
온도 감지 신호(VT)는스위칭 신호 발생 회로(120) 내의 비교기(Amp)의 반전 단자로 인가된다.전압 디바이더(121)는 기준 전압(Vr)을 소정의 비율로 분압하여 그 결과의 전압을 비교기(Amp)의 비 반전 단자로 인가한다. 비교기(Amp)는 반전 단자로 인가되는 온도 감지 신호(VT)의 레벨과 비 반전 단자로 인가되는 소정의 전압을 비교한 결과의 출력 전압을 발생시킨다. 비교기(Amp)의 출력 전압은 전압 디바이더(121)를 통해 비 반전 단자로 피드백되면서 온도 감지 신호(VT)의 레벨이 로우 드레숄드 전압(VLT) 이하로 하강하면 로우 레벨로 포화된다. 로우 드레숄드 전압(VLT)은 다음과 같은 식에 의해 정의되며 제 1 설정 온도(T1P)에 대응하는 온도 감지 신호(VT)의 레벨로서 여기서는 도 7에서 보는 바와 같이 1.5V로 설정되어 있다.The temperature sensing signal VT is applied to the inverting terminal of the comparator Amp in the switching signal generation circuit 120. The voltage divider 121 divides the reference voltage V r at a predetermined ratio to divide the resulting voltage. It is applied to the non-inverting terminal of the comparator Amp. The comparator Amp generates an output voltage as a result of comparing the level of the temperature sensing signal VT applied to the inverting terminal with a predetermined voltage applied to the non-inverting terminal. The output voltage of the comparator Amp is fed back to the non-inverting terminal through the voltage divider 121 and is saturated to a low level when the level of the temperature sensing signal VT falls below the low threshold voltage V LT . The low threshold voltage V LT is defined by the following equation and is set to 1.5 V as shown in FIG. 7 as a level of the temperature sensing signal VT corresponding to the first set temperature T1 P. .
[수학식 2][Equation 2]
여기서, here,
는 비교기 내부 출력단의 포화 전압을 나타낸다. Denotes the saturation voltage of the comparator internal output stage.
비교기(Amp)의 출력 전압이 로우 레벨로 됨에 따라 인버터(INV31)는 하이 레벨의 스위칭 신호(VS)를 발생하게 된다. 그 결과 상기 타 전원이 차단되어 시스템의 과열을 방지하게 된다.As the output voltage of the comparator Amp becomes low, the inverter INV31 generates the high level switching signal VS. As a result, the other power is cut off to prevent overheating of the system.
소정의 시간이 경과되어 시스템의 온도가 상기 온도(TP) 이하로 하강하면, 트랜지스터들(Q46, Q47, Q48, Q51)이 턴 오프 된다. 이에 따라 모오스 트랜지스터(M31)가 턴 온 되어 온도 감지 신호(VT)의 레벨이 상승한다.When a predetermined time elapses and the temperature of the system falls below the temperature T P , the transistors Q46, Q47, Q48, and Q51 are turned off. Accordingly, the MOS transistor M31 is turned on to raise the level of the temperature sensing signal VT.
온도 감지 신호(VT)는비교기(Amp)의 반전 단자로 인가된다.비교기(Amp)의 출력 전압은 비 반전 단자로 피드백 되면서 상기 온도 감지 신호(VT)의 레벨이 계속 상승하여 하이 드레숄드 전압(VHT) 이상으로 되면 하이 레벨로 포화된다. 하이 드레숄드 전압(VHT)은 다음 식에 의해 정의되며 상기 제 2 설정 온도(T2P)에 대응하는 온도 감지 신호(VT)의 레벨로서 여기서는 도 7에서 보는 바와 같이 3.5V로 설정되어 있다.The temperature sensing signal VT is applied to the inverting terminal of the comparator Amp. The output voltage of the comparator Amp is fed back to the non-inverting terminal while the level of the temperature sensing signal VT continues to rise so that the high threshold voltage V HT ) or more, it saturates to a high level. The high threshold voltage V HT is defined by the following equation and is set to 3.5V as shown in FIG. 7 as the level of the temperature sensing signal VT corresponding to the second set temperature T2 P.
[수학식 3][Equation 3]
그러면 인버터(INV31)는 로우 레벨의 스위칭 신호(VS)를 발생하여 상기 타 전원이 다시 공급되게 한다.Then, the inverter INV31 generates the low level switching signal VS to supply the other power again.
도 8은 본 발명의 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치를 시뮬레이션해서 구한 임의의 온도 변화를 감지한 온도 감지 신호(VT)의 파형과 그에 따른 스위칭 신호(VS)의 파형을 보여준다.FIG. 8 shows a waveform of a temperature sensing signal VS and a corresponding switching waveform VS of sensing a temperature change obtained by simulating a power supply control apparatus according to a sensing temperature of the present invention.
도면에 나타낸 바와 같이, 온도 감지 신호(VT)의 레벨이 1.5V 이하로 하강하면 하이 레벨의 스위칭 신호(VS)가 발생되고, 온도 감지 신호(VT)의 레벨이 3.5V 이상으로 상승하면 로우 레벨의 스위칭 신호(VS)가 발생된다.As shown in the figure, a high level switching signal VS is generated when the level of the temperature sensing signal VT falls below 1.5V, and a low level when the level of the temperature sensing signal VT rises above 3.5V. The switching signal VS of is generated.
상술한 바와 같이, 본 발명의 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치는, 하나의 설정 온도를 기준으로 소정의 타 전원을 온/오프하던 종래 기술과는 달리, 감지 온도가 제 1 설정 온도 이상이면 소정의 타 전원을 차단시키기 위한 스위칭 신호를 발생하고 감지 온도가 제 2 설정 온도 이하이면 소정의 타 전원을 공급시키기 위한 스위칭 신호를 발생한다. 이에 따라 제 1 설정 온도와 제 2 설정 온도 사이에 스위칭 신호에 대한 hysteresis 마진을 형성하게 된다. 그렇게 함으로써 시스템의 온도가 변화하더라도 그 온도 변화가 hysteresis 마진을 포함하면서 일어날 때만 타 전원을 온/오프시키도록 스위칭 신호가 바뀌어 시스템을 보다 안정적으로 동작하게 하면서 과열로부터 보호할 수 있다.As described above, the power supply control apparatus according to the sensing temperature according to the present invention is different from the conventional technology in which other power is turned on / off based on one set temperature, and when the sensing temperature is greater than or equal to the first set temperature, Generates a switching signal for shutting off the other power supply and generates a switching signal for supplying a predetermined other power when the sensing temperature is less than the second set temperature. This creates a hysteresis margin for the switching signal between the first and second set temperatures. That way, even if the system's temperature changes, the switching signal changes to turn on / off the other power only when that temperature change involves a hysteresis margin, thus making the system more stable and protected from overheating.
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