KR19980073437A

KR19980073437A - Plasma Generator of Semiconductor Manufacturing Equipment

Info

Publication number: KR19980073437A
Application number: KR1019970008708A
Authority: KR
Inventors: 황기현; 정승필
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1997-03-14
Filing date: 1997-03-14
Publication date: 1998-11-05

Abstract

플라즈마 발생 장치에 관하여 개시한다. 본 발명의 플라즈마 발생 장치는 플라즈마 발생원, 발생된 플라즈마가 유입되는 반도체 기판 및 플라즈마 발생원의 인근에 도입되는 상부 전극과 상기 반도체 기판으로 유입되는 플라즈마의 이온 에너지 유입량을 조절하는 전기장을 형성하도록 상기 반도체 기판의 인근에 상기 상부 전극과 대향되게 도입되는 하부 전극을 포함한다. 따라서 반도체 기판에 유입되는 이온 에너지 유입량을 조절할 수 있고, 플라즈마를 이용한 세정 장치에서 반도체 기판에 부착되는 가열 장치와의 전기적 간섭 현상을 방지할 수 있다.A plasma generating apparatus is disclosed. The plasma generating apparatus of the present invention includes the semiconductor substrate so as to form a plasma generation source, a semiconductor substrate into which the generated plasma flows, an upper electrode introduced near the plasma generation source, and an electric field for controlling the amount of ion energy inflow of the plasma flowing into the semiconductor substrate. And a lower electrode introduced opposite to the upper electrode in the vicinity of the. Therefore, the amount of ion energy introduced into the semiconductor substrate can be adjusted, and the electrical interference with the heating apparatus attached to the semiconductor substrate can be prevented in the cleaning apparatus using the plasma.

Description

Plasma Generator of Semiconductor Manufacturing Equipment

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 특히 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a plasma generating apparatus.

플라즈마(plasma)는 가스 밀도가 높은 상태에서 이온화되어 극히 높은 이온 에너지를 가지고 있는 상태를 말한다. 반도체 소자의 제조 공정이 점차 미세화 되고 반도체 소자의 성능이 고도화됨에 따라, 반도체 제조 공정 중에서 식각 공정, 세정 공정 및 화학 기상 증착 공정 등에서 상기 플라즈마를 응용하는 장비가 널리 쓰이고 있다.Plasma refers to a state in which gas ion is ionized at a high gas density and extremely high ion energy. As the manufacturing process of semiconductor devices is gradually miniaturized and the performance of semiconductor devices is advanced, equipment for applying the plasma in etching processes, cleaning processes, chemical vapor deposition processes, and the like is widely used in semiconductor manufacturing processes.

도 1은 종래 기술의 플라즈마 발생 장치를 설명하기 위하여 도시한 개략도이다.1 is a schematic view for explaining a plasma generating apparatus of the prior art.

구체적으로, 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생원(100), 반도체 기판(110)을 지지하고 RF 바이어스(Radio Frequency bias)가 인가되는 스테이지 전극(120)과 스테이지 전극에 RF 바이어스를 인가하는 RF 전원(130)으로 구성된다. 상기 스테이지 전극(120)에 음(-)의 극성의 RF 바이어스를 인가하여 상기 플라즈마 발생원에서 발생하는 플라즈마를 상기 반도체 기판(100)에 입사한다. 이 때 종래의 기술에 의한 플라즈마 발생 장치는 다음과 같은 문제점을 가진다.In detail, the stage generator 120 supporting the plasma generating source 100 and the semiconductor substrate 110 generating the plasma and applying the RF bias to the stage electrode 120 and the RF power supply 130 applying the RF bias to the stage electrode are provided. It consists of. A negative polarity RF bias is applied to the stage electrode 120 to inject the plasma generated from the plasma generation source into the semiconductor substrate 100. At this time, the plasma generating apparatus according to the prior art has the following problems.

첫째, 종래의 RF 플라즈마 발생 장치는 대구경의 반도체 기판에 적용할 경우 플라즈마 발생을 위해 인가하는 RF 바이어스가 커짐에 따라 플라즈마내의 시뜨(sheath) 전위도 비례해서 커지므로 반도체 기판의 표면에 입사하는 플라즈마의 이온 에너지가 매우 커져서 이온 충돌에 의한 상기 반도체 기판 표면에 격자 결함(lattice defect)이 야기된다.First, when the RF plasma generator is applied to a large-diameter semiconductor substrate, as the RF bias applied for plasma generation increases, the sheath potential in the plasma increases in proportion to the amount of plasma incident on the surface of the semiconductor substrate. The ion energy becomes very large, causing lattice defects on the surface of the semiconductor substrate due to ion bombardment.

둘째, 종래의 RF 플라즈마 발생 장치는 반도체 기판이 위치하는 스테이지 전극에 음(-)의 극성의 바이어스만을 인가할 수 있다. 따라서 반도체 기판에 유입되는 이온의 이온 에너지와 그 밀도의 분포를 용이하게 조절하지 못해, 상기 반도체 기판으로 유입되는 이온 유입량을 용이하게 조절할 수 없다.Second, the conventional RF plasma generating apparatus may apply only a negative polarity bias to the stage electrode where the semiconductor substrate is located. Therefore, the distribution of ion energy and density of ions flowing into the semiconductor substrate cannot be easily adjusted, and thus the amount of ion inflow flowing into the semiconductor substrate cannot be easily adjusted.

셋째,종래의 RF 플라즈마 발생 장치를 이용한 세정 공정 중에 반도체 기판을 가열하기 위해 적외선 램프를 사용할 경우에는 그 장치의 복잡성 때문에 대구경 반도체 기판에의 적용이 어렵고, 상기 반도체 기판 후면에 가열 장치를 설치할 경우에는 가열 장치와 스테이지 전극 사이의 전기적 간섭에 의해서 스테이지 전극에 강한 RF 바이어스가 인가될 때 온도 조절이 용이하지 않다.Third, when an infrared lamp is used to heat a semiconductor substrate during a cleaning process using a conventional RF plasma generator, application to a large-diameter semiconductor substrate is difficult due to the complexity of the apparatus. Temperature control is not easy when a strong RF bias is applied to the stage electrode by electrical interference between the heating device and the stage electrode.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술이 갖는 문제점을 해결하기 위해 반도체 기판에 유입되는 플라즈마의 이온 에너지뿐만 아니라 이온 유입량을 동시에 조절할 수 있고 상기 반도체 기판을 가열하기 위한 가열 장치가 반도체 기판의 후면에 설치되어도 가열 장치와 전기적 간섭을 일으키지 않는 플라즈마 발생 장치를 제공하는 데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to solve the problems of the prior art as described above can control not only the ion energy but also the ion inflow amount of the plasma flowing into the semiconductor substrate and a heating device for heating the semiconductor substrate is It is to provide a plasma generating device that does not cause electrical interference with the heating device even if installed on the back.

도 1은 종래 기술의 반도체 제조 장치의 플라즈마 발생 장치를 설명하기 위해서 도시한 개략도이다.1 is a schematic view for explaining a plasma generating apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus of the prior art.

도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 플라즈마 발생 장치 를 설명하기 위해서 도시한 개략도들이다.2 to 4 are schematic views for explaining the plasma generating apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 반도체 제조 장치의 플라즈마 발생 장치는 플라즈마 발생원과 상기 플라즈마 발생원에서 발생된 플라즈마가 유입되는 반도체 기판을 포함한다. 상기 플라즈마 발생원의 인근에 도입되는 상부 전극과 상기 반도체 기판으로 유입되는 플라즈마의 이온 에너지 유입량을 조절하는 수단인 전기장을 형성하도록 상기 반도체 기판의 인근에 상기 상부 전극과 대향되게 도입되는 하부 전극을 포함한다. 상기 전기장을 형성하기 위해서 상기 상부 전극과 상기 하부 전극에 각기 반대 극성의 직류 바이어스를 인가한다.In order to achieve the above technical problem, the plasma generating apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a plasma generating source and a semiconductor substrate into which plasma generated from the plasma generating source flows. An upper electrode introduced near the plasma generation source and a lower electrode introduced opposite to the upper electrode in the vicinity of the semiconductor substrate to form an electric field which is a means for controlling an amount of ion energy inflow of plasma flowing into the semiconductor substrate. . In order to form the electric field, a direct current bias of opposite polarity is applied to the upper electrode and the lower electrode.

이와 같은 본 발명의 플라즈마 발생 장치는 반도체 기판에 유입되는 이온 에너지 유입량을 조절할 수 있다. 또한 플라즈마를 이용한 세정 장치에서 반도체 기판에 부착되는 가열 장치와의 전기적 간섭 현상을 방지할 수 있다.Such a plasma generating apparatus of the present invention can adjust the amount of ion energy flowing into the semiconductor substrate. In addition, in the cleaning apparatus using plasma, electrical interference with the heating apparatus attached to the semiconductor substrate may be prevented.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 반도체 장치의 플라즈마 발생 장치를 설명하고자 한다.Hereinafter, a plasma generating apparatus of a semiconductor device of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 플라즈마 발생 장치를 설명하고자 도시한 개략도이다.2 is a schematic view illustrating the plasma generating apparatus of the present invention.

구체적으로, 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생원(200)과 상기 플라즈마가 유입되는 반도체 기판(210) 사이에 두 개의 서로 대향되는 전극을 도입한다. 종래 기술의 높은 전력을 인가하는 RF 플라즈마 발생원이나 마이크로파에 의한 플라즈마 발생과는 달리 본 발명의 플라즈마 발생원은 낮은 전력을 인가하는 플라즈마 발생원을 채용한다. 예컨대, 유도 결합형 플라즈마(inductively coupled plasma), 트랜스포머 커플드 플라즈마(Transformer coupled plasma;이하 TCP 라 한다), 헬리콘 플라즈마(helicon Plasma), 헬리카 플라즈마(helica plasma), 전자 공명 플라즈마(electron cyclotron resonance) 등으로 이루어지는 일군의 플라즈마 중 어느 하나의 플라즈마를 발생하는 플라즈마 발생원을 채용한다. 낮은 전력을 인가하는 RF 다이오드형 플라즈마(Radio-Frequency diode typed plasma)의 사용도 가능하다. 종래의 기술은 대구경 반도체 기판에 적용하기 위해 높은 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 형성하므로 플라즈마장(plasma field, 도시되지 않음)내에 시뜨(seath) 전위가 커지므로 플라즈마는 높은 이온 에너지를 가지게 되고 따라서 이온 충돌에 의한 격자 결함(lattice defect)이 발생한다. 이에 비해 본 발명은 낮은 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생원을 채용하므로 높은 이온 에너지를 가지는 플라즈마의 이온 충돌에 의한 상기 반도체 기판의 표면의 격자 결함을 방지할 수 있다.Specifically, two opposing electrodes are introduced between the plasma generation source 200 generating the plasma and the semiconductor substrate 210 into which the plasma is introduced. Unlike the RF plasma generation source for applying high power or plasma generation by microwaves of the prior art, the plasma generation source of the present invention employs a plasma generation source for applying low power. For example, an inductively coupled plasma, a transformer coupled plasma (hereinafter referred to as TCP), a helicon plasma, a heliica plasma, and an electron cyclotron resonance A plasma generation source for generating any one of a group of plasmas consisting of It is also possible to use RF-type plasma (Radio-Frequency diode typed plasma) to apply a low power. The conventional technique forms plasma by applying high RF power for application to large diameter semiconductor substrates, so that the sheet potential in the plasma field (not shown) increases, so the plasma has high ion energy and thus ion Latches defects are caused by collisions. In contrast, the present invention employs a plasma generation source that generates plasma by applying low power, thereby preventing lattice defects on the surface of the semiconductor substrate due to ion bombardment of plasma having high ion energy.

상기 도입되는 두 개의 전극은 상기 플라즈마 발생원(200)의 인근에 위치하는 상부 전극(220)과 상기 반도체 기판(210) 상측의 인근에 위치하는 하부 전극(230)으로 나뉘어진다. 상기 상부 전극(220)과 하부 전극(230)은 챔버(도시하지 않음)의 벽면을 통해 도입된다. 이 때 상기 상부 전극(220)과 하부 전극(230)은 각각 상기 챔버와는 전기적으로 절연된다. 상기 상부 전극(220)과 하부 전극(230) 각각은 직류 바이어스(bias) 전원 공급 장치(도시되지 않음)에 연결되어 직류 바이어스가 인가되도록 한다. 이에 따라 상기 플라즈마 발생원(200)에서 발생된 플라즈마로 구성되는 플라즈마장내에 전기장(electrical field) E가 형성된다. 상기 형성된 전기장 E는 상기 플라즈마와 전기적으로 상호 작용(electrical interaction)하여 상기 반도체 기판(210)에 유입되는 플라즈마의 이온의 량과 플라즈마의 이온의 이온 에너지에 영향을 미친다. 예컨대, 상기 플라즈마 발생원(200)의 인근에 위치한 상부 전극(220)에 양(+)의 극성의 직류 바이어스를 인가하고, 반도체 기판에 인접하여 위치한 하부 전극(230)에 음(-)의 극성의 바이어스를 인가하면, 상기 상부 전극(220)과 하부 전극(230)에 인가되는 전위차만큼의 전위차를 가지는 전기장 E가 형성된다. 이 때, 상기 전기장 E 내의 플라즈마의 양이온은 상기 전기장 E의 전위차에 의해서 가속되어 상기 반도체 기판(210)에 유입된다. 따라서 상기 반도체 기판(210)에 유입되는 플라즈마의 양이온의 에너지는 증가한다. 또한, 상기 반도체 기판(210) 부근에는 플라즈마장의 양이온과 상기 음(-)의 극성의 하부 전극과의 전기적인 인력(electrical attraction)에 의해 플라즈마의 양이온의 밀도가 증가한다. 반대로, 상기 상부 전극(220)에 음(-)의 극성의 바이어스를 인가하고 하부 전극(230)에 양(+)의 극성의 바이어스를 인가하면 반도체 기판(210)으로 유입되는 플라즈마의 양이온은 상기 전기장 E의 전위차만큼 감속되어 상기 반도체 기판(210)에 유입된다. 또한 전기적인 반발력(electrical repulsion)에 의해 상기 반도체 기판(210)인근의 플라즈마의 양이온 밀도는 감소한다. 이와 같이 상기 상부 전극(220)과 하부 전극(230)에 인가되는 직류 바이어스의 크기와 극성을 변화시킴에 따라 형성되는 전기장 E의 전위 방향과 전위차의 크기가 변화한다. 그 결과로 상기 반도체 기판(210)으로 유입되는 플라즈마의 이온 에너지와 플라즈마 이온의 밀도 분포를 용이하게 조절할 수 있다. 이와 같이, 상기 반도체 기판(210)으로 유입되는 이온의 이온 에너지와 이온량의 벡터곱(vector product)인 이온 에너지 유입량을 조절할 수 있다.The introduced two electrodes are divided into an upper electrode 220 positioned near the plasma generation source 200 and a lower electrode 230 positioned near the upper side of the semiconductor substrate 210. The upper electrode 220 and the lower electrode 230 are introduced through a wall of a chamber (not shown). In this case, the upper electrode 220 and the lower electrode 230 are each electrically insulated from the chamber. Each of the upper electrode 220 and the lower electrode 230 is connected to a DC bias power supply (not shown) to apply a DC bias. As a result, an electric field E is formed in the plasma field composed of the plasma generated from the plasma generator 200. The formed electric field E may be in electrical interaction with the plasma to influence the amount of plasma ions flowing into the semiconductor substrate 210 and the ion energy of ions of the plasma. For example, a positive polarity DC bias is applied to the upper electrode 220 positioned near the plasma generator 200, and a negative polarity is applied to the lower electrode 230 positioned adjacent to the semiconductor substrate. When the bias is applied, an electric field E having a potential difference corresponding to the potential difference applied to the upper electrode 220 and the lower electrode 230 is formed. At this time, the positive ions of the plasma in the electric field E are accelerated by the potential difference of the electric field E and flow into the semiconductor substrate 210. Therefore, the energy of the cations of the plasma flowing into the semiconductor substrate 210 is increased. In addition, in the vicinity of the semiconductor substrate 210, the density of the cations of the plasma increases due to the electrical attraction between the cations of the plasma field and the lower electrode having the negative polarity. On the contrary, when a negative polarity bias is applied to the upper electrode 220 and a positive polarity bias is applied to the lower electrode 230, the positive ions of the plasma flowing into the semiconductor substrate 210 are increased. It is decelerated by the potential difference of the electric field E and flows into the semiconductor substrate 210. In addition, due to electrical repulsion, the cation density of the plasma near the semiconductor substrate 210 decreases. As described above, as the magnitude and polarity of the DC bias applied to the upper electrode 220 and the lower electrode 230 are changed, the potential direction and the magnitude of the potential difference of the electric field E formed are changed. As a result, the ion energy of the plasma flowing into the semiconductor substrate 210 and the density distribution of the plasma ions can be easily adjusted. As such, the ion energy inflow amount, which is a vector product of the ion energy and the ion amount of the ions flowing into the semiconductor substrate 210, may be adjusted.

도 3은 상기 상부 전극(220)과 하부 전극(230)의 형태의 일례를 도시한 평면도이다.3 is a plan view illustrating an example of a shape of the upper electrode 220 and the lower electrode 230.

상기 상부 전극(220)과 하부 전극(230)은 홀(hole)들을 가지는 판형, 예컨대 메쉬 형태를 가지는 판형을 가지는 것이 바람직하다. 이는 상기 플라즈마 발생원(200)에서 발생한 플라즈마 가스의 흐름과 플라즈마 이온이 상기 반도체 기판(210)으로 유입되는 것을 방해하지 않도록 하기 위해서이다.The upper electrode 220 and the lower electrode 230 preferably have a plate shape having holes, for example, a plate shape having a mesh shape. This is to prevent the flow of plasma gas generated in the plasma generation source 200 and plasma ions from being introduced into the semiconductor substrate 210.

상기 상부 전극(220)과 하부 전극(230)은 내화·내식 금속, 예컨대 티타튬(Ti), 몰리브덴(Mo) 또는 그 합금으로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 상부(220)과 하부 전극(230)은 반응성이 높은 플라즈마 가스에 노출되므로 부식에 잘 견디고, 챔버의 온도 범위 내에서 열변형이 되지 않도록 내화·내식 금속을 그 재질로 사용한다. 더하여 이후의 공정, 예컨대 이후의 금속 박막의 증착 공정을 고려하여 증착 되는 금속 물질과 같은 물질을 사용하여 상부 전극과 하부 전극을 형성한다. 예컨대, 세정 공정 이후에 티타늄(Ti)을 재료로 금속 박막을 증착 하는 공정을 시행하는 경우 상기 상부 전극(220)과 하부 전극(230)은 티타늄(Ti)이나 그 합금으로 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 플라즈마 세정 공정 시 상기 플라즈마 가스에 의해 상기 상부 전극(220)과 하부 전극(230)이 미량 부식되어도 이후에 티타늄(Ti)을 재료로 금속 박막 증착하기 때문에 오염의 문제를 방지할 수 있다.The upper electrode 220 and the lower electrode 230 is preferably formed of a refractory / corrosion metal, for example, titanium (Ti), molybdenum (Mo), or an alloy thereof. Since the upper and lower electrodes 230 and 230 are exposed to highly reactive plasma gas, they are resistant to corrosion and use refractory and corrosion resistant metals as their materials so that they do not become thermally deformed within the temperature range of the chamber. In addition, the upper electrode and the lower electrode are formed using a material such as a metal material to be deposited in consideration of a subsequent process, for example, a process of depositing a subsequent metal thin film. For example, when the metal thin film is deposited using titanium (Ti) after the cleaning process, the upper electrode 220 and the lower electrode 230 may be formed of titanium (Ti) or an alloy thereof. In this case, even when the upper electrode 220 and the lower electrode 230 are corroded by the plasma gas in a small amount during the plasma cleaning process, since a thin film of titanium (Ti) is deposited using a material, the problem of contamination can be prevented. have.

도 4는 본 발명의 플라즈마 발생 장치에 가열 장치를 부가하는 것을 설명하기 위해 도시한 개략도이다.4 is a schematic view for explaining the addition of a heating device to the plasma generating device of the present invention.

반도체 기판을 가열하는 방법은 적외선 램프에 의한 간접 가열과 반도체 기판 후면에 설치하는 가열 장치에 의한 방법이 있다. 적외선 램프에 의한 간접 가열방법은 반도체 기판의 대구경화에 적용하면 구조가 복잡해지고 200℃∼400℃ 범위의 온도에서의 온도 조절이 어렵다. 종래의 기술에서 반도체 기판 후면에 가열 장치를 설치하는 경우에는 스테이지 전극(120)에 강한 바이어스가 걸리면 전기적 간섭에 의해 온도가 조절이 용이하지 않게 된다. 반면에 본 발명의 플라즈마 발생 장치에서는 반도체 기판(200)과 상부 전극(220) 및 하부 전극(230)이 모두 전기적으로나 기계적으로 독립적이다. 따라서 상기 반도체 기판(230)의 후면에 가열 장치(240)를 설치하여 상기 반도체 기판(230)을 가열할 때 반도체 기판과 상기 상부 전극(220) 및 하부 전극(230)에 인가되는 바이어스와 상기 가열 장치에 인가되는 바이어스 사이에 전기적인 간섭이 없다. 따라서 복잡한 적외선 램프에 의한 간접 가열 방법을 채용하지 않고서도 반도체 기판(210) 후면에 가열 장치(240)를 간단히 설치하여 용이하게 온도를 조절하며 상기 반도체 기판(210)을 가열할 수 있다. 상기 직접 가열 방법은 대구경의 반도체 기판에서도 적용이 가능하다.The method of heating a semiconductor substrate is the method by the indirect heating by an infrared lamp, and the heating apparatus provided in the back surface of a semiconductor substrate. The indirect heating method by the infrared lamp is complicated in structure when applied to the large diameter of the semiconductor substrate, and it is difficult to control the temperature at a temperature in the range of 200 to 400 ° C. In the related art, when the heating apparatus is installed on the rear surface of the semiconductor substrate, when the stage electrode 120 is strongly biased, the temperature may not be easily adjusted by electrical interference. In contrast, in the plasma generating apparatus of the present invention, the semiconductor substrate 200, the upper electrode 220, and the lower electrode 230 are both electrically and mechanically independent. Therefore, when the heating device 240 is installed on the rear surface of the semiconductor substrate 230 to heat the semiconductor substrate 230, the bias applied to the semiconductor substrate, the upper electrode 220, and the lower electrode 230, and the heating. There is no electrical interference between the bias applied to the device. Accordingly, the semiconductor substrate 210 can be heated by easily controlling the temperature by simply installing the heating device 240 on the rear surface of the semiconductor substrate 210 without employing an indirect heating method by a complicated infrared lamp. The direct heating method is also applicable to large diameter semiconductor substrates.

이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야의 통상적인 지식에 의해서 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.In the above, the present invention has been described in detail with reference to specific embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and modifications and improvements can be made by ordinary knowledge in the art within the scope of the technical idea of the present invention. It is obvious.

이상 상술한 바와 같이 본 발명의 플라즈마 발생 장치는 서로 반대 극성의 직류 바이어스가 인가되는 대향된 상부 전극과 하부 전극을 도입하여 전기장을 형성하고, 상기 전기장을 변화시켜 반도체 기판에 입사하는 이온의 에너지와 이온의 유입량을 플라즈마 발생원과는 독립적으로 용이하게 조절할 수 있다. 또한 플라즈마 세정 장치에서 반도체 기판 후면에 간단히 가열 장치를 부착하여 반도체 기판을 가열할 수 있다.As described above, the plasma generating apparatus of the present invention forms an electric field by introducing opposed upper and lower electrodes to which DC biases of opposite polarities are applied, and changes the electric field to change energy of ions incident on the semiconductor substrate. The inflow of ions can be easily adjusted independently of the plasma generating source. In addition, the semiconductor substrate may be heated by simply attaching a heating device to the rear surface of the semiconductor substrate in the plasma cleaning apparatus.

Claims

Plasma generating source;

A semiconductor substrate into which the plasma generated from the plasma source is introduced;

An upper electrode introduced near the plasma source; And

Plasma generation of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that it comprises a lower electrode opposed to the upper electrode to form an electric field introduced near the upper side of the semiconductor substrate to control the amount of ion energy inflow of the plasma flowing into the semiconductor substrate Device.