KR19980069164A - Particle Analysis Method in Semiconductor Wafer Processing - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클(particle) 분석방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼 가공 공정중에 존재하는 파티클의 성분(정성) 분석 뿐만 아니라 파티클의 크기(size) 및 개수(count)와 같은 정량 분석도 하여 파티클 분석의 정확도가 향상될 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클 분석 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 반도체 웨이퍼 가공 공정시 존재하는 파티클을 분석하는 방법에 있어서, 소정의 수집용 웨이퍼 조각을 통해서 파티클들을 수집하는 수집 단계와, 상기 수집 단계에서 수집된 파티클들의 크기 및 개수를 분석하는 정량적인 분석 단계, 및 상기 정량적인 분석 단계를 거친 파티클들의 성분을 분석하는 정성적인 분석 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이로써, 본 발명은 파티클의 분석 정도를 향상시키는 이점을 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a particle analysis method in a semiconductor wafer processing process. More particularly, the particle size and count of particles as well as the component (qualitative) analysis of particles present in the semiconductor wafer processing process are described. The present invention relates to a particle analysis method in a semiconductor wafer processing process in which the accuracy of particle analysis can be improved by performing quantitative analysis. To this end, the present invention, in the method for analyzing the particles present in the semiconductor wafer processing process, the collecting step of collecting the particles through a predetermined collection wafer, and analyzing the size and number of particles collected in the collecting step A quantitative analysis step, and characterized in that it comprises a qualitative analysis step of analyzing the components of the particles passed through the quantitative analysis step. As such, the present invention provides the advantage of improving the degree of analysis of the particles.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클(particle) 분석방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼 가공 공정중에 존재하는 파티클의 성분(정성) 분석 뿐만 아니라 파티클의 크기(size) 및 개수(count)와 같은 정량 분석도 하여 파티클 분석의 정확도가 향상될 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클 분석 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a particle analysis method in a semiconductor wafer processing process. More particularly, the particle size and count of particles as well as the component (qualitative) analysis of particles present in the semiconductor wafer processing process are described. The present invention relates to a particle analysis method in a semiconductor wafer processing process in which the accuracy of particle analysis can be improved by performing quantitative analysis.
일반적인 반도체 웨이퍼는 소정의 공정, 예를 들면 산화, 확산, 플라즈마 에치, 반응성 이온 에치 때마다 공기, 가스등 외부환경에 노출된다. 가공 대상인 웨이퍼가 외부환경에 노출될 때, 그 외부환경에 존재하는 미립자, 즉 파티클(particle)들은 상기 가공 대상 웨이퍼에 부착되어 웨이퍼의 결함을 발생시킨다. 반도체 웨이퍼 가공공정중 웨이퍼에 부착되어 결함을 일으키는 파티클들은 소정의 설비, 예를 들면 일명 임팩터(Impactor)와 같은 파티클 측정설비에 의해 그 성분이 분석되고, 분석된 정보(데이터)는 공정개선등에 이용된다.A general semiconductor wafer is exposed to the external environment such as air, gas, etc. every time a predetermined process, for example, oxidation, diffusion, plasma etching, and reactive ion etching. When the wafer to be processed is exposed to the external environment, the particles, or particles, present in the external environment are attached to the wafer to be processed to cause defects in the wafer. Particles that adhere to the wafer during semiconductor wafer processing and cause defects are analyzed by certain equipment, for example, particle measuring equipment such as impactors, and the analyzed information (data) is used for process improvement. do.
그런데, 종래 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클(particle) 분석방법은 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 파티클 측정설비인 임팩터의 수집용 웨이퍼 조각(10)에 의해 수집된 파티클(p1,2,3)을 파티클 성분 분석장치인 에스.아이.엠.에스(SIMS), 이.피.엠.에이(EPMA)를 통해 상기 파티클(p1,2,3)의 성분만 분석하고 있어 파티클의 크기 및 개수와 같은 정량분석이 행하여지지 않는 문제점이 있었다. 도 1에 있어서, 파티클 p1,2,3는 각각 폴리머 파티클, 공기 파티클, 수분 파티클, 등등이 될 수 있다. 즉, 반도체 웨이퍼 가공 공정 라인에서 사용되고 있는 임팩터에서의 파티클의 분석은 파티클의 개수와 크기를 분석하는 정량분석은 하지 못하고, 파티클의 성분(정량)분석만을 하고 있어 파티클의 정확한 분석이 수행되지 못하고 있다.By the way, the particle analysis method in the conventional semiconductor wafer processing process is the particles (p1, 2, 3) collected by the wafer piece 10 for collecting the impactor, which is a particle measuring equipment as shown in FIG. It is analyzed only the components of the particles (p1, 2, 3) through the particle component analysis device S. I. M. S (SIMS), E. P. M. (EPMA) and the size and number of particles and There was a problem that the same quantitative analysis was not performed. In Figure 1, particles p1,2,3 may be polymer particles, air particles, moisture particles, and the like, respectively. In other words, the particle analysis in the impactor used in the semiconductor wafer processing line does not quantitatively analyze the number and size of the particles, but only the component (quantitative) analysis of the particles, thus preventing the accurate analysis of the particles. .
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 반도체 웨이퍼 가공 공정중에 존재하는 파티클의 정성분석 뿐만 아니라 파티클의 크기(size) 및 개수(count)와 같은 정량 분석도 하여 파티클 분석의 정확도가 향상될 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클 분석 방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and the particle analysis accuracy is improved by performing quantitative analysis such as particle size and count as well as qualitative analysis of particles existing during semiconductor wafer processing. It is an object of the present invention to provide a particle analysis method in a semiconductor wafer processing process that can be improved.
도 1은 종래 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클(particle) 분석 방법의 분석 순서도,1 is an analysis flowchart of a particle analysis method in a conventional semiconductor wafer processing step;
도 2는 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클 분석 방법의 분석 순서도.2 is an analysis flowchart of a particle analysis method in a semiconductor wafer processing step of the present invention.
*도면의주요부분에사용된부호의설명** Description of the symbols used in the main parts of the drawings *
10 : 파티클 수집용 웨이퍼 조각p1,2,3 : 파티클(particle)10: particle collection wafer pieces p1,2,3: particles
S10 : 파티클 수집단계S20 : 파티클 정량 분석단계S10: particle collection step S20: particle quantitative analysis step
S30 : 파티클 정성 분석단계S30: Particle Qualitative Analysis
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클 분석방법은,In order to achieve the above object, the particle analysis method in the semiconductor wafer processing process according to the present invention,
반도체 웨이퍼 가공 공정시 존재하는 파티클을 분석하는 방법에 있어서,In the method for analyzing the particles present during the semiconductor wafer processing process,
소정의 수집용 웨이퍼 조각을 통해서 파티클들을 수집하는 수집 단계와,A collecting step of collecting particles through a predetermined collecting wafer piece,
상기 수집 단계에서 수집된 파티클들의 크기 및 개수를 분석하는 정량적인 분석 단계, 및A quantitative analysis step of analyzing the size and number of particles collected in the collecting step, and
상기 정량적인 분석 단계를 거친 파티클들의 성분을 분석하는 정성적인 분석 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.It is characterized in that it comprises a qualitative analysis step of analyzing the components of the particles undergoing the quantitative analysis step.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 소정의 수집용 웨이퍼 조각은 임팩터(Impactor) 설비내에 포함되며, 상기 수집된 파티클의 크기 및 개수는 에스.에프.에스(SFS)-6200, 6400와 같은 파티클 정량 분석설비에 의해 수행된다.In a preferred embodiment of the present invention, the predetermined collecting wafer piece is contained in an impactor facility, and the size and number of collected particles are particles such as SFS-6200, 6400. Carried out by a quantitative analysis facility.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 정량적인 분석 단계와 정성적인 분석 단계는 그 분석 순서가 바뀔 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the quantitative analysis step and the qualitative analysis step may be reversed.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클 분석방법의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 설명의 편의를 위해 종래 기술에서 사용되었던 구성부재와 동일한 작용을 하는 구성부재에 대해서는 같은 부재번호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the particle analysis method in the semiconductor wafer processing process according to the present invention will be described in detail. For convenience of description, the same member number is used for a component member that has the same function as the component member used in the prior art.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클 분석방법은, 반도체 웨이퍼 가공공정시 존재하는 파티클을 효과적이고도 정확하게 분석하는 방법으로서, 도 2에 도시되어 있는 바와 같이 소정의 수집용 웨이퍼 조각을 통해서 파티클들을 수집하는 수집 단계(S10)와, 파티클 수집 단계(S10)에서 수집된 파티클들의 크기 및 개수를 분석하는 정량적인 분석 단계(S20), 및 정량적인 분석 단계(S20)를 거친 파티클들의 성분을 분석하는 정성적인 분석 단계(S30)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 수집 단계(S10)에서의 소정의 수집용 웨이퍼 조각(10)은 파티클 측정설비인 일명 임팩터(Impactor) 설비내에 포함되며, 상기 수집된 파티클의 크기 및 개수는 파티클 정량 분석설비인 에스.에프.에스(SFS)-6200, 6400에 의해 바람직하게 수행된다. 상기 임팩터 설비는 수집된 파티클들을 정성적으로 분석하는 설비인 SIMS, EPMA를 포함한다. 그리고, 본 발명에 있어서, 상기 정량적인 분석 단계(S20)와 정성적인 분석 단계(S30)는 그 분석 순서가 바뀌어 바람직하게 수행될 수 있다.The particle analysis method in the semiconductor wafer processing process according to the present invention is a method for effectively and accurately analyzing the particles present in the semiconductor wafer processing process, as shown in FIG. To analyze the components of the particles that have undergone the collection step (S10), the particle collection step (S10) and the quantitative analysis step (S20), and the quantitative analysis step (S20) of particles collected in the particle collection step (S10) It includes a qualitative analysis step (S30). Here, the predetermined collecting wafer piece 10 in the collecting step (S10) is included in the so-called impactor equipment, which is a particle measuring equipment, and the size and number of the collected particles are particles quantitative analysis equipment. Preferably performed by SFS-6200, 6400. The impactor facility includes SIMS and EPMA, which are facilities for qualitatively analyzing the collected particles. And, in the present invention, the quantitative analysis step (S20) and qualitative analysis step (S30) may be preferably performed because the analysis order is changed.
상술한 바와 같은 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클 분석방법에 의하면, 파티클의 정성적인 분석만 수행하는 종래와 달리 SFS-6200,6400의 파티클 정량 분석설비에 의한 파티클의 크기와 개수까지도 정확하게 분석할 수 있어 종래의 방법보다 파티클을 보다 더 정확하고도 완벽하게 분석할 수 있다. 이와 같은 본 발명의 방법에 따르면, 임팩터의 파티클을 정량화까지 할 수 있어 반도체 웨이퍼 가공 공정 라인에 사용하고 있는 가스 파이프와 같은 곳에서 발생하는 파티클 및 라인내의 공기 파티클을 정량화할 수 있게 되어 라인의 개선시 효과적으로 응용할 수 있게 된다.According to the particle analysis method in the semiconductor wafer processing process of the present invention as described above, the particle size and number of particles by the particle quantitative analysis equipment of SFS-6200,6400 Analysis allows particles to be analyzed more accurately and completely than conventional methods. According to the method of the present invention, it is possible to quantify the particles of the impactor to quantify the particles generated in the place such as the gas pipe used in the semiconductor wafer processing line and the air particles in the line to improve the line Can be applied effectively.
더욱이, 본 발명에 따르면 소정의 서프스캔(surfscan)을 이용하여 임팩터의 파티클 크기 및 개수를 정량화할 수 있어 반도체 가공 공정라인내의 환경오염 정도를 제어할 수 있도록 한다.Furthermore, according to the present invention, the particle size and number of impactors can be quantified using a predetermined surfscan to control the degree of environmental pollution in the semiconductor processing process line.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서의 파티클 분석방법은, 반도체 웨이퍼 가공 공정중에 존재하는 파티클의 성분(정성) 분석 뿐만 아니라 파티클의 크기(size) 및 개수(count)와 같은 정량 분석도 하여 파티클 분석의 정확도가 향상될 수 있도록 하는 이점을 제공한다.As described above, the particle analysis method in the semiconductor wafer processing process according to the present invention, as well as the component (qualitative) analysis of the particles present during the semiconductor wafer processing process, as well as quantitative determination such as particle size (size) and count (count) Analysis also provides the advantage of improving the accuracy of particle analysis.
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| KR1019970006092A KR19980069164A (en) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | Particle Analysis Method in Semiconductor Wafer Processing |
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| KR1019970006092A KR19980069164A (en) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | Particle Analysis Method in Semiconductor Wafer Processing |
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| KR1019970006092A KR19980069164A (en) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | Particle Analysis Method in Semiconductor Wafer Processing |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100325289B1 (en) * | 1999-03-24 | 2002-02-21 | 김영환 | Method for analyzing Chemical composition of thin film and controlling thin film growth using thereof |
-
1997
- 1997-02-27 KR KR1019970006092A patent/KR19980069164A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100325289B1 (en) * | 1999-03-24 | 2002-02-21 | 김영환 | Method for analyzing Chemical composition of thin film and controlling thin film growth using thereof |
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