KR19980068009U

KR19980068009U - Wafer Seating Structure of Semiconductor Wafer Deposition Equipment

Info

Publication number: KR19980068009U
Application number: KR2019970012633U
Authority: KR
Inventors: 김형일
Original assignee: 문정환; 엘지반도체 주식회사
Priority date: 1997-05-30
Filing date: 1997-05-30
Publication date: 1998-12-05

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 증착장치의 웨이퍼 안착구조에 관한 것으로, 종래에는 챔버내에 웨이퍼가 유입되어 스핀들의 회전에 의해 증착위치로 이동시 포크위에 놓이는 웨이퍼의 얼라인(Align) 불량이나 기류의 변화에 의한 웨이퍼 포지션의 미세한 움직임 및 열변형 등 공정상의 이유에 의해 웨이퍼의 미끄럼 현상이 발생하게 됨으로써 웨이퍼가 샤워헤드와 정확히 일치하지 않게 되어 웨이퍼가 이상 증착될 뿐만 아니라 다음 증착위치로 이동시 포크에 놓일 때 정렬 상태가 더 정확하지 못하여 웨이퍼가 떨어지거나 웨이퍼 브로큰(Wafer Broken)이 발생하는 문제점이 있었는 바, 본 고안은 챔버의 하면부를 이루는 안착면에 웨이퍼가 위치하는 웨이퍼홈을 형성함과 더불어 웨이퍼를 이송시키는 포크에 웨이퍼가 안정적으로 놓이는 가이드홈을 형성하여 웨이퍼가 여러 가지 원인으로 인하여 웨이퍼의 포지션(Position) 이탈이 발생할 경우 이를 보정하여 정확한 위치에 안착시키켜 증착이 이루어지게 함으로써 이상 증착이 발생하는 것을 억제하고, 또한 안정된 웨이퍼의 이송으로 이송중 웨이퍼가 떨어지거나 웨이퍼 브로큰이 발생하는 것을 방지하여 작업공정을 원활하게 할 뿐만 아니라 웨이퍼의 불량을 최소화할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a wafer seating structure of a semiconductor wafer deposition apparatus. Conventionally, a wafer is introduced due to a defect in alignment or a change in airflow of a wafer placed on a fork when the wafer is introduced into a chamber and moved to a deposition position by rotation of a spindle. Due to process reasons such as minute movement of the position and thermal deformation, the sliding of the wafer occurs, which causes the wafer to be inconsistent with the showerhead, resulting in abnormal deposition of the wafer and alignment when it is placed on the fork when moving to the next deposition position. There is a problem that the wafer falls or wafer broken because it is not more accurate. The present invention forms a wafer groove in which the wafer is located on the seating surface that forms the lower part of the chamber, and the fork for transferring the wafer. Wafers form guide grooves for stable wafer placement If the wafer is out of position (Position) due to a variety of causes, it is corrected to be settled in the correct position to make the deposition is carried out to suppress abnormal deposition occurs, and also the wafer is dropped during the transfer by a stable wafer transfer This prevents wafer cracking and smoothing the work process and minimizes wafer defects.

Description

Wafer Seating Structure of Semiconductor Wafer Deposition Equipment

본 고안은 반도체 웨이퍼 증착장치의 웨이퍼 안착구조에 관한 것으로, 특히 웨이퍼가 증착가스에 의해 증착되는 증착위치로 이동하여 증착위치에 안착시 정확한 위치로 안착시킬 뿐만 아니라 안착위치가 오차가 발생할 경우 이를 보정할 수 있도록 한 반도체 증착장치의 웨이퍼 안착구조에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer seating structure of a semiconductor wafer deposition apparatus. In particular, the wafer is moved to a deposition position where the wafer is deposited by the deposition gas, and not only when the wafer is seated at the deposition position, but also when the error occurs, the position is corrected. It relates to a wafer mounting structure of a semiconductor vapor deposition apparatus that can be made.

일반적으로 반도체 웨이퍼를 제조함에 있어, 웨이퍼에 증착가스를 증착하는 증착공정이 진행된다.In general, in manufacturing a semiconductor wafer, a deposition process for depositing a deposition gas on a wafer is performed.

도 1은 상기 반도체 웨이퍼의 증착공정이 이루어지는 증착장치에서 웨이퍼에 실제로 증착이 이루어지는 증착장치의 일부를 단면하여 도시한 것으로, 이에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 증착장치는 원통형으로 형성되며 저면에 웨이퍼(W)가 놓여지는 안착면(1a)이 형성되고 원통의 일측에 웨이퍼(W)가 유입되는 유입구(1b)를 구비하여 형성된 챔버(1)와, 상기 챔버(1)의 안착면(1a) 중심에 상,하이동 및 회전이 가능하게 설치되는 스핀들(2)과, 상기 스핀들(2)의 외주면에 두 개의 외팔보가 쌍을 이루어 등간격으로 8곳에 각각 결합되는 포크(3)와, 상기 포크(3) 위치와 대응되게 포크(3) 위치의 상측으로 각각 결합되어 증착가스를 분사하는 샤워헤드(4)를 포함하여 구성되어 있다. 그리고 상기 안착면(1a)에는 스핀들(2)에 결합된 포크(3)의 위치와 대응되게 포크(3)가 삽입될 수 있도록 포크삽입홈(1c)이 각각 형성되어 있고 안착면(1a)의 가운데는 스핀들(2)이 상하이동할 수 있는 원통홈(1d)이 형성되어 있다.1 is a cross-sectional view of a portion of a deposition apparatus that is actually deposited on a wafer in a deposition apparatus in which a deposition process of a semiconductor wafer is performed. As shown in FIG. 1, a semiconductor wafer deposition apparatus is formed in a cylindrical shape and a wafer ( A chamber 1 formed with a seating surface 1a on which W) is placed, and having an inlet port 1b through which the wafer W enters on one side of the cylinder, and a center of the seating surface 1a of the chamber 1. Spindle (2) that is installed to be capable of moving up, down, and rotation, fork (3) coupled to the eight places at equal intervals in a pair of two cantilever on the outer peripheral surface of the spindle (2), and the fork ( 3) is configured to include a shower head (4) coupled to the upper side of the position of the fork (3) corresponding to the position to inject the deposition gas. The fork insertion grooves 1c are formed on the seating surface 1a so that the forks 3 can be inserted to correspond to the positions of the forks 3 coupled to the spindle 2, respectively. In the center, the cylindrical groove 1d which the spindle 2 can move is formed.

상기한 바와 같은 구성부품을 포함하여 이루어진 증착장치는 챔버(1)의 유입구(1b)로 증착이 이루어질 웨이퍼(W)가 유입되어 포크(3)위에 놓여지게 된다. 이와 동시에 스핀들(2)이 회전하여 포크(3)에 놓여진 웨이퍼(W)가 샤워헤드(4)의 하부에 위치하게 되며 웨이퍼(W)가 놓여진 포크(3)의 측부에 위치하는 포크(3)는 유입구(1b)에 위치하게 된다. 이때 스핀들(2)이 회전하는 각도는 360°에서 포크(3)의 수인 8을 나눈 각으로 회전하게 된다. 상기 스핀들(2)의 회전에 이어 스핀들(2)이 아래로 이동하여 포크(3)가 안착면에 형성된 포크삽입홈(1c)에 삽입됨과 더불어 포크(3)위에 놓여진 웨이퍼(W)가 안착면(1a)에 놓이게 되며 이 상태에서 샤워헤드(4)에서 증착가스가 분사되어 웨이퍼(W)에 1차로 증착된다. 이때 증착되는 양은 증착하고자 하는 전체 양의 일부에 해당된다. 상기 웨이퍼(W)에 1차증착이 끝나고 나면 스핀들(2)이 위로 이동하여 포크(3)가 웨이퍼(W)를 상승시키게 된다. 이어 스핀들(2)이 회전하여 웨이퍼(W)가 측부의 샤워헤드(4)에 위치하게 되며 위와 같은 과정으로 2차증착을 이루게 되고, 같은 방법으로 스핀들(2)의 회전 및 상하이동과 샤워헤드(4)에서 증착가스가 분사되어 웨이퍼(W)의 전체적인 증착작업을 마치게 된다. 상기 유입구(1b)의 상측에 위치하는 샤워헤드(4)에서는 증착공정이 이루어지지 않는다.In the deposition apparatus including the components described above, the wafer W to be deposited is introduced into the inlet 1b of the chamber 1 and placed on the fork 3. At the same time, the spindle 2 is rotated so that the wafer W placed on the fork 3 is located under the shower head 4, and the fork 3 located on the side of the fork 3 on which the wafer W is placed. Is located at the inlet (1b). At this time, the angle at which the spindle 2 rotates is rotated at an angle divided by 8, which is the number of forks 3 at 360 °. Following the rotation of the spindle 2, the spindle 2 moves downward so that the fork 3 is inserted into the fork insertion groove 1c formed on the seating surface and the wafer W placed on the fork 3 is seated. In this state, the deposition gas is injected from the shower head 4 and deposited on the wafer W first. In this case, the amount deposited is a part of the total amount to be deposited. After the first deposition on the wafer W is finished, the spindle 2 moves upward, and the fork 3 raises the wafer W. Subsequently, the spindle 2 is rotated so that the wafer W is positioned on the showerhead 4 at the side, and the secondary deposition is performed by the above process. In (4), the deposition gas is injected to finish the overall deposition of the wafer (W). The deposition process is not performed in the shower head 4 located above the inlet 1b.

그러나 상기한 바와 같은 반도체 웨이퍼 증착장치에서 챔버(1)내에 웨이퍼(W)가 유입되어 스핀들(2)의 회전에 의해 증착위치로 이동시 포크(3)위에 놓이는 웨이퍼(W)의 얼라인(Align) 불량이나 기류의 변화에 의한 웨이퍼(W) 포지션의 미세한 움직임 및 열변형 등 공정상의 이유에 의해 웨이퍼(W)의 미끄럼 현상이 발생하게 됨으로써 웨이퍼(W)가 샤워헤드(4)와 정확히 일치하지 않게 되어 웨이퍼(W)가 이상 증착될 뿐만 아니라 다음 증착위치로 이동시 포크(3)에 놓일 때 정렬 상태가 더 정확하지 못하여 웨이퍼(W)가 떨어지거나 웨이퍼 브로큰(Wafer Broken)이 발생하는 문제점이 있었다.However, in the semiconductor wafer deposition apparatus as described above, the wafer W is introduced into the chamber 1 and the alignment of the wafer W placed on the fork 3 when moving to the deposition position by the rotation of the spindle 2 is performed. The wafer W is slid due to process reasons such as minute movement of the wafer W and thermal deformation due to defects or changes in airflow, so that the wafer W does not exactly match the shower head 4. As a result, the wafer W may not only be abnormally deposited, but also when the wafer W is placed on the fork 3 when moving to the next deposition position, the wafer W may fall or the wafer may be broken.

따라서, 본 고안의 목적은 웨이퍼가 증착가스에 의해 증착되는 증착위치로 이동하여 증착위치에 안착시 정확한 위치로 안착시킬 뿐만 아니라 안착위치의 오차가 발생할 경우 이를 보정할 수 있도록 한 반도체 증착장치의 웨이퍼 안착구조를 제공함에 있다.Therefore, an object of the present invention is to move the wafer to the deposition position deposited by the deposition gas to be not only seated at the correct position when seated at the deposition position, but also a wafer of the semiconductor deposition apparatus that can correct the error in the position of the deposition occurs To provide a seating structure.

도 1a는 종래 반도체 웨이퍼 증착장치의 주요부분을 도시한 단면도,1A is a cross-sectional view showing a main part of a conventional semiconductor wafer deposition apparatus;

도 1b는 도 1a의 A - A' 단면도,1B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1A;

도 2a는 본 고안의 반도체 웨이퍼 증착장치의 웨이퍼 안착구조를 도시한 단면도,Figure 2a is a cross-sectional view showing a wafer seating structure of the semiconductor wafer deposition apparatus of the present invention,

도 2b는 2a의 B - B' 단면도,2b is a sectional view taken along line B-B 'of 2a,

도 3은 본 고안의 반도체 웨이퍼 증착장치의 웨이퍼 안착구조의 작용상태를 도시한 단면도.Figure 3 is a cross-sectional view showing an operating state of the wafer seating structure of the semiconductor wafer deposition apparatus of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

1 ; 챔버 1a ; 안착면One ; Chamber 1a; Seating surface

1b ; 유입구 1e ; 웨이퍼홈1b; Inlet 1e; Wafer Groove

1f ; 경사면 2 ; 스핀들1f; Inclined plane 2; Spindle

3 ; 포크 3a ; 가이드홈3; Fork 3a; Guide

4 ; 샤워헤드4 ; Shower head

상기한 바와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 원통형으로 형성되고 하부에 안착면이 형성되고 측부에 웨이퍼가 삽입되는 유입구를 구비하여 이루어진 챔버와, 상기 챔버내의 안착면중심에 상하이동 및 회전이 가능하게 설치되는 스핀들과, 상기 스핀들의 외주면에 등간격으로 다수개 설치되어 웨이퍼가 놓여지는 포크와, 상기 포크수와 대응되게 포크의 상측에 설치되어 증착가스를 분사하는 다수개의 샤워헤드를 포함하여 구성된 반도체 웨이퍼 증착장치에 있어서; 상기 챔버의 하부를 이루는 안착면에 포크의 위치와 대응되게 웨이퍼가 놓이는 다수개의 웨이퍼홈이 형성되고, 상기 웨이퍼홈의 가장자리에는 웨이퍼의 유입을 안내하는 경사면이 형성되며, 상기 포크에는 웨이퍼의 놓임을 안정시키는 가이드홈이 형성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 증착장치의 웨이퍼 안착구조가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, the chamber is formed in a cylindrical shape, the seating surface is formed in the lower portion and the wafer is inserted into the side portion, and the movement and rotation is possible at the center of the seating surface in the chamber. And a plurality of forks on which the wafers are placed at equal intervals on the outer circumferential surface of the spindle, and a plurality of shower heads installed on the upper side of the forks corresponding to the number of forks to inject deposition gas. A semiconductor wafer deposition apparatus, comprising: A plurality of wafer grooves are formed on the seating surface forming the lower portion of the chamber to correspond to the position of the fork, the inclined surface for guiding the inflow of the wafer is formed at the edge of the wafer groove, the wafer is placed on the fork Provided is a wafer seating structure of a semiconductor wafer deposition apparatus, characterized in that guide grooves for stabilization are formed.

상기 웨이퍼홈의 가장자리에 형성되는 경사면의 경사각은 45°로 형성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 증착장치의 웨이퍼 안착구조가 제공된다.The inclination angle of the inclined surface formed on the edge of the wafer groove is provided with a wafer mounting structure of the semiconductor wafer deposition apparatus, characterized in that formed at 45 degrees.

이하, 본 고안의 반도체 웨이퍼 증착장치의 웨이퍼 안착구조를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the wafer seating structure of the semiconductor wafer deposition apparatus of the present invention will be described according to the embodiment shown in the accompanying drawings.

본 고안의 반도체 웨이퍼 증착장치는, 도 2a,2b에 도시한 바와 같이, 원통형으로 형성되고 하부에 안착면(1a)이 형성되고 측부에 웨이퍼(W)가 삽입되는 유입구(1b)를 구비하여 이루어진 챔버(1)와, 상기 챔버(1)내의 안착면(1a)중심에 상하이동 및 회전이 가능하게 설치되는 스핀들(2)과, 상기 스핀들(2)의 외주면에 등간격으로 다수개 설치되어 웨이퍼(W)가 놓여지는 포크(3)와, 상기 포크(3)수와 대응되게 포크(3)의 상측에 설치되어 증착가스를 분사하는 다수개의 샤워헤드(4)를 포함하여 구성된 반도체 웨이퍼 증착장치에서, 상기 챔버(1)의 하부면을 이루는 안착면(1a)에 포크(3)의 위치와 대응되게 웨이퍼(W)가 놓이는 다수개의 웨이퍼홈(1e)이 형성되고, 상기 웨이퍼홈(1e)의 가장자리에는 웨이퍼(W)의 유입을 안내하는 경사면(1f)이 형성되며, 상기 포크(3)에는 웨이퍼(W)의 놓임을 안정시키는 가이드홈(3a)이 형성되어 이루어진다.The semiconductor wafer deposition apparatus of the present invention, as shown in Figs. 2A and 2B, has an inlet 1b formed in a cylindrical shape, a seating surface 1a is formed at a lower portion thereof, and a wafer W is inserted at a side thereof. A plurality of wafers are provided at equal intervals on the chamber 1, on the center of the seating surface 1a in the chamber 1, on the spindle 2 which is movable and rotatable, and on the outer circumferential surface of the spindle 2; A semiconductor wafer deposition apparatus comprising a fork (3) on which (W) is placed and a plurality of shower heads (4) installed above the fork (3) corresponding to the number of the forks (3) and spraying deposition gas. In FIG. 1, a plurality of wafer grooves 1e are formed on the seating surface 1a constituting the lower surface of the chamber 1, in which the wafers W are placed to correspond to the positions of the forks 3, and the wafer grooves 1e. An inclined surface 1f is formed at the edge of the wafer W to guide the inflow of the wafer W. Made guide groove (3a) to stabilize the notim of (W) is formed.

상기 포크(3)는 소정의 간격을 둔 두 개의 외팔로 이루어지며 보통 8개가 결합된다. 상기 외팔보로 이루어진 포크(3)의 단부에는 웨이퍼(W)가 안정적으로 놓이도록 가이드홈(3a)이 형성되며 이 가이드홈(3a)은 소정의 깊이와 길이를 갖도록 형성된다.The fork 3 is composed of two arms with a predetermined interval and usually eight are combined. At the end of the fork 3 made of the cantilever, a guide groove 3a is formed to stably place the wafer W, and the guide groove 3a is formed to have a predetermined depth and length.

상기 안착면(1a)은 가운데 소정의 직경과 깊이로 스핀들(2)이 상하이동 가능하도록 원통홈(1d)이 형성되며, 상기 안착면(1a)에 형성되는 웨이퍼홈(1e)은 상기 포크(3)의 수와 대응되게 8곳에 형성되며, 이 웨이퍼홈(1e)은 웨이퍼(W)의 크기와 상응하게 소정의 깊이를 갖도록 형성된다. 상기 웨이퍼홈(1e)의 가장자리에 형성되는 경사면(1f)의 경사각은 45°로 형성됨이 바람직하다. 그리고 상기 웨이퍼홈(1e)과 원통홈(1d)의 사이에는 스핀들(2)이 아래로 이동시 스핀들(2)에 결합된 포크(3)가 위치하는 홈(1g)이 각각 형성된다.Cylindrical groove 1d is formed in the seating surface 1a so that the spindle 2 can be moved to a predetermined diameter and depth, and the wafer groove 1e formed in the seating surface 1a is the fork ( The wafer groove 1e is formed to have a predetermined depth corresponding to the size of the wafer W, corresponding to the number of 3). The inclination angle of the inclined surface 1f formed at the edge of the wafer groove 1e is preferably formed at 45 degrees. In addition, grooves 1g are formed between the wafer groove 1e and the cylindrical groove 1d at which the fork 3 coupled to the spindle 2 is positioned when the spindle 2 moves downward.

이하, 본 고안의 반도체 웨이퍼 증착장치의 웨이퍼 안착구조의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operational effects of the wafer seating structure of the semiconductor wafer deposition apparatus of the present invention will be described.

먼저, 챔버(1)의 유입구(1b)로 증착이 이루어질 웨이퍼(W)가 유입되어 포크(3)의 가이드홈(3a)에 놓여지게 된다. 이와 동시에 스핀들(2)이 회전하여 포크(3)에 놓여진 웨이퍼(W)가 샤워헤드(4)의 하부에 위치하게 되며 웨이퍼(W)가 놓여진 포크(3)의 측부에 위치하는 포크(3)는 유입구(1b)에 위치하게 된다. 이때 스핀들(2)이 회전하는 각도는 360°에서 포크(3)의 수인 8을 나눈 각으로 회전하게 된다. 상기 스핀들(2)의 회전에 이어 스핀들(2)이 아래로 이동하여 포크(3)에 놓여진 웨이퍼(W)가 안착면(1a)에 형성된 웨이퍼홈(1e)에 삽입되어 안착된다. 이 상태에서 샤워헤드(4)에서 증착가스가 분사되어 웨이퍼에 1차로 증착된다. 이때 증착되는 양은 증착하고자 하는 전체 양의 일부에 해당된다. 상기 웨이퍼(W)에 1차증착이 끝나고 나면 스핀들(2)이 위로 이동하여 포크(3)가 웨이퍼(W)를 상승시키게 된다. 이어 스핀들(2)이 회전하여 웨이퍼(W)가 측부의 웨이퍼홈(1e)에 위치하게 되며 위와 같은 과정으로 2차증착을 이루게 되고, 같은 방법으로 스핀들(2)의 회전 및 상하이동과 각 샤워헤드(4)에서 증착으로 웨이퍼(W)의 전체적인 증착작업을 마치게 된다.First, the wafer W to be deposited is introduced into the inlet 1b of the chamber 1 and placed in the guide groove 3a of the fork 3. At the same time, the spindle 2 is rotated so that the wafer W placed on the fork 3 is located under the shower head 4, and the fork 3 located on the side of the fork 3 on which the wafer W is placed. Is located at the inlet (1b). At this time, the angle at which the spindle 2 rotates is rotated at an angle divided by 8, which is the number of forks 3 at 360 °. Following the rotation of the spindle 2, the spindle 2 is moved downward so that the wafer W placed on the fork 3 is inserted into the wafer groove 1e formed on the seating surface 1a and seated thereon. In this state, the deposition gas is injected from the shower head 4 and deposited on the wafer primarily. In this case, the amount deposited is a part of the total amount to be deposited. After the first deposition on the wafer W is finished, the spindle 2 moves upward, and the fork 3 raises the wafer W. Subsequently, the spindle 2 is rotated so that the wafer W is located in the side wafer groove 1e, and the secondary deposition is performed by the same process as above. Deposition at the head 4 completes the entire deposition process of the wafer W.

상기 과정에서 웨이퍼(W)가 웨이퍼홈에 안착시, 도 3에 도시한 바와 같이, 포크(3)위에 놓여진 웨이퍼(W)가 웨이퍼홈(1e)의 위치와 일치하지 않을 경우 웨이퍼홈(1e)의 가장자리에 형성된 경사면(1f)에 의해 슬라이딩되어 조정되어 웨이퍼홈(1e)의 위치에 정확히 안착된다. 또한 1차로 증착이 끝난 다음 다음 웨이퍼홈(1e)으로 이동하여 안착시에도 같은 형태로 안착되기 때문에 정확한 증착이 이루어지게 된다. 그리고 포크(3)에 가이드홈(3a)이 형성되어 웨이퍼(W)가 포크(3)에 놓일시 보다 안정되게 놓이게 될 뿐만 아니라 이송시 안정되게 웨이퍼(W)를 이송하게 된다.In the above process, when the wafer W is seated in the wafer groove, as shown in FIG. 3, when the wafer W placed on the fork 3 does not match the position of the wafer groove 1e, the wafer groove 1e is used. It is slid and adjusted by the inclined surface 1f formed at the edge of the wafer to be accurately seated at the position of the wafer groove 1e. In addition, since the first deposition is completed, the next wafer groove (1e) is moved to the same shape when seated in the precise deposition is made. And the guide groove (3a) is formed in the fork (3) is not only placed more stably when the wafer (W) is placed on the fork (3) but also to transfer the wafer (W) stably during transfer.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안의 반도체 웨이퍼 증착장치의 웨이퍼 안착구조는 웨이퍼가 여러 가지 원인으로 인하여 웨이퍼의 포지션(Position) 이탈이 발생할 경우 이를 보정하여 정확한 위치에 안착시키켜 증착이 이루어지게 함으로써 이상 증착이 발생하는 것을 억제하고, 또한 안정된 웨이퍼의 이송으로 이송중 웨이퍼가 떨어지거나 웨이퍼 브로큰이 발생하는 것을 방지하여 작업공정을 원활하게 할 뿐만 아니라 웨이퍼의 불량을 최소화할 수 있는 효과가 있다.As described above, the wafer seating structure of the semiconductor wafer deposition apparatus of the present invention is corrected when the position deviation of the wafer occurs due to various causes of the wafer, so that the deposition is performed by placing the wafer at the correct position. It is possible to prevent deposition from occurring and also to prevent wafer falling or wafer cracking during transportation due to the stable transfer of the wafer, thereby smoothing the work process and minimizing the defect of the wafer.

Claims

A chamber formed in a cylindrical shape and having a seating surface formed at a lower portion thereof and having a wafer inserted into the side thereof, a spindle installed in the center of the seating surface so as to be movable and rotated, and an outer peripheral surface of the spindle, etc. Claims [1] A semiconductor wafer deposition apparatus comprising: a plurality of forks disposed at intervals and placed on a wafer; and a plurality of shower heads disposed on an upper side of the forks corresponding to the number of the forks and spraying deposition gas; A plurality of wafer grooves are formed on the seating surface forming the lower portion of the chamber to correspond to the position of the fork, the inclined surface for guiding the inflow of the wafer is formed at the edge of the wafer groove, the wafer is placed on the fork Wafer seating structure of a semiconductor wafer deposition apparatus, characterized in that the guide groove is formed to stabilize.

The wafer seating structure of a semiconductor wafer deposition apparatus according to claim 1, wherein the inclination angle of the inclined surface formed at the edge of the wafer groove is formed at 45 degrees.