KR19980068008U

KR19980068008U - ESC particle removal device of semiconductor manufacturing equipment

Info

Publication number: KR19980068008U
Application number: KR2019970012632U
Authority: KR
Inventors: 김홍균
Original assignee: 문정환; 엘지반도체 주식회사
Priority date: 1997-05-30
Filing date: 1997-05-30
Publication date: 1998-12-05

Abstract

본 고안은 반도체 제조장비의 이에스시 파티클 제거장치에 관한 것으로, 종래의 공정챔버에는 별도의 파티클 제거장치가 구비되어 있지 않으므로, 파티클을 제거시 챔버를 개방하여 세정작업을 진행한 후에 다시 챔버를 닫고 소정의 공정을 진행하는 것으로, 이는 상기의 세정작업에 소요되는 시간이 지나치게 길어 장비의 가동율이 저하되는 문제점이 있었던 바, 본 고안에 의한 공정챔버는 내통의 중간부위에 가스진입로와 연통되어 고압의 가스를 이에스시에 분사시킬 수 있는 링형의 바이패스로를 형성하고, 그 바이패스로의 적당개소에는 가스분사구가 이에스시를 향하도록 형성하여 고압의 가스로 ESC에 발생된 파티클을 날려 제거함으로써, 파티클 발생시 챔버를 열지 않고도 장비를 세정할 수 있으므로 장비의 가동율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to an apparatus for removing ise particles of a semiconductor manufacturing equipment, and since the conventional process chamber is not provided with a separate particle removal device, the chamber is opened after the particle removal process and the chamber is closed again after the cleaning operation is performed. In order to proceed to a predetermined process, which is a problem that the operation time of the equipment is lowered because the time required for the above cleaning operation is too long, the process chamber according to the present invention is in communication with the gas inlet path in the middle of the inner cylinder of the high pressure By forming a ring-shaped bypass path capable of injecting gas into the ise, the gas injection port is directed toward the ise-si at the appropriate part of the bypass, and blows away particles generated in the ESC with a high-pressure gas. When particles are generated, the equipment can be cleaned without opening the chamber, thus improving the operation rate of the equipment. There.

Description

ESC particle removal device of semiconductor manufacturing equipment

본 고안은 ESC(Electro Static Chuck)가 구비된 공정챔버의 파티클 제거장치에 관한 것으로, 특히 고압의 가스가 내통의 측벽에서 강하게 분사되도록하여 파티클을 제거하기 위한 세정시간을 최소화할 수 있는 반도체 제조장비의 이에스시(ESC) 파티클 제거장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for removing particles in a process chamber equipped with an ESC (Electro Static Chuck), in particular, a semiconductor manufacturing equipment capable of minimizing cleaning time for removing particles by allowing a high pressure gas to be strongly injected from the side wall of the inner cylinder. It relates to an ESC (Sec) particle removal device of.

일반적으로 공정챔버의 내측 중앙에는 소정의 기판이 안착되기 위한 척이 구비되어 있는데, 이 척이 종래에는 진공을 이용하여 소정 기판을 흡착 고정하는 것이었으나, 최근에는 전하를 이용하여 소정 기판을 고정하는 방안이 새롭게 알려져 왔다.In general, the inner chamber of the process chamber is provided with a chuck for seating a predetermined substrate, which was conventionally used to fix and fix a predetermined substrate by using a vacuum. The room is new.

이를 통상 ESC라고 하는데, 이 ESC가 구비된 종래의 공정챔버를 도 1에 도시하였다.This is commonly referred to as an ESC, and a conventional process chamber equipped with the ESC is shown in FIG. 1.

이에 도시된 바와 같이 종래의 공정챔버는 내,외통(1,2)으로 구분되고, 그 내,외통(1,2)의 상단에는 각각 샤워플레이트(Shower Plate)(3) 및 석영플레이트(Quartz Plate)(4)가 복개되어 있으며, 상기 챔버의 하측에는 진공펌프(5)가 구비되어 내통(1)과 연통되고, 그 내통(1)의 중앙 하측에는 ESC(6)가 구비되어 있다.As shown in the drawing, a conventional process chamber is divided into inner and outer cylinders 1 and 2, and upper and upper ends of the inner and outer cylinders 1 and 2 are shower plates 3 and quartz plates, respectively. (4) is covered, and the lower side of the chamber is provided with a vacuum pump (5) to communicate with the inner cylinder (1), the central lower side of the inner cylinder (1) is provided with an ESC (6).

상기 외통(2)에는 소정의 가스진입로(2a)가 형성되며, 그 가스진입로(2a)와 연통되도록 상기 샤워플레이트(3)와 석영플레이트(4)의 사이에는 가스공급로(7)가 형성되어 있다.A predetermined gas inlet path 2a is formed in the outer cylinder 2, and a gas supply path 7 is formed between the shower plate 3 and the quartz plate 4 so as to communicate with the gas inlet path 2a. have.

도면중 미설명 부호인 3a는 가스공급구, 8은 오-링이다.In the figure, reference numeral 3a denotes a gas supply port, and 8 denotes an o-ring.

상기와 같이 구성된 종래의 공정챔버에 있어서는, 상기 ESC(6)에 전하를 부여하여 소정의 기판(미도시)이 그 전하에 의해 고정되도록 한 이후에 외부로부터 가스를 공급하게 되는데, 이때 공급되는 가스의 진행방향은 상기 외통(2)에 형성된 가스진입로(2a)를 따라 상승하여 샤워플레이트(3)와 석영플레이트(4)의 사이에 형성된 가스공급로(7)로 유입되어 상기 샤워플레이트(3)에 형성된 가스공급구(3a)를 통해 챔버의 내통(1)으로 분사되면서 소정의 공정이 진행되는 것이었다.In the conventional process chamber configured as described above, a gas is supplied from the outside after the electric charge is applied to the ESC 6 so that a predetermined substrate (not shown) is fixed by the electric charge. The traveling direction of the ascends along the gas inlet (2a) formed in the outer cylinder (2) flows into the gas supply path (7) formed between the shower plate (3) and the quartz plate (4) to the shower plate (3) A predetermined process was performed while being injected into the inner cylinder 1 of the chamber through the gas supply port 3a formed in the chamber.

여기서, 상기의 공정중에 파티클이 발생되어 에러가 발생되면 챔버를 개방하여 ESC(6)에 묻어있는 파티클을 제거시킨 후에 다시 챔버를 닫고 소정의 공정을 진행하는 것이었다.Here, when particles were generated and an error occurred during the above process, the chamber was opened to remove particles buried in the ESC 6, and then the chamber was closed again and a predetermined process was performed.

그러나, 종래의 공정챔버에는 별도의 파티클 제거장치가 구비되어 있지 않으므로, 파티클을 제거시 챔버를 개방하여 세정작업을 진행한 후에 다시 챔버를 닫고 소정의 공정을 진행하는 것으로, 이는 상기의 세정작업에 소요되는 시간이 지나치게 길어 장비의 가동율이 저하되는 문제점이 있었다.However, since the conventional process chamber is not equipped with a separate particle removal device, when the particles are removed, the chamber is opened and the cleaning process is performed, and then the chamber is closed again and the predetermined process is performed. There was a problem that the operation time of the equipment is lowered because the time required is too long.

따라서, 본 고안은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 파티클 발생시 챔버를 열지 않고도 공급되는 가스를 이용하여 곧바로 파티클을 제거함으로써, 장비의 가도율을 향상시킬 수 있는 반도체 제조장비의 이에스시 파티클 제거장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention has been devised in view of the above problems, and when particles are generated, particles are removed immediately by using a gas supplied without opening the chamber, thereby causing particles of semiconductor manufacturing equipment to improve the conductivity of equipment. The purpose is to provide a removal device.

도1은 종래 반도체 제조장비에 있어서, ESC가 구비된 공정챔버를 개략적으로 보인 종단면도.1 is a longitudinal sectional view schematically showing a process chamber equipped with an ESC in a conventional semiconductor manufacturing equipment.

도 2는 본 고안에 의한 ESC 파티클 제거장치가 구비된 공정챔버를 개략적으로 보인 종단면도.Figure 2 is a longitudinal sectional view schematically showing a process chamber equipped with an ESC particle removal apparatus according to the present invention.

도 3a은 본 고안에 의한 ESC파티클 제거장치를 보인 종단면도.Figure 3a is a longitudinal sectional view showing the ESC particle removal apparatus according to the present invention.

도 3b는 본 고안에 의한 ESC 파티클 제거장치에 있어서의 동작을 설명하기 위해 보인 공정챔버의 횡단면도.Figure 3b is a cross-sectional view of the process chamber shown for explaining the operation in the ESC particle removal apparatus according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10 : 내통 11 : 바이패스로10: inner cylinder 11: by bypass

12 : 가스분사구12 gas injection port

이와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 가스진입로가 형성된 외통과, 그 외통의 내측에 배치되며 중앙 하측에 이에스시가 장착되는 내통과, 상기 내통의 상단에 복개되는 샤워플레이트 및 그 샤워플레이트와의 사이에 상기 가스진입로와 연통되는 가스공급로가 형성되도록 외통의 상단에 복개되는 석영플레이트를 포함하여 구성되는 반도체 제조장비의 공정챔버에 있어서, 상기 내통의 중간부위에 가스진입로와 연통되어 고압의 가스를 이에스시에 분사시킬 수 있는 링형의 바이패스로를 형성하고, 그 바이패스로의 적당개소에는 가스분사구가 이에스시를 향하도록 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 이에스시 파티클 제거장치가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention, an outer cylinder formed with a gas entry path, an inner cylinder disposed inside the outer cylinder and mounted on the lower portion of the inner cylinder, the shower plate and the shower plate covered on the upper end of the inner cylinder; In the process chamber of the semiconductor manufacturing equipment comprising a quartz plate which is covered on the upper end of the outer cylinder to form a gas supply passage in communication with the gas inlet path between the, in the intermediate portion of the inner cylinder is in communication with the gas inlet path of the high pressure The ise particle removal apparatus of the semiconductor manufacturing equipment is formed by forming a ring-shaped bypass path capable of injecting gas into the ise, and the gas injection port is directed toward the ise in the appropriate place. Is provided.

이하, 본 고안에 의한 반도체 제조장비의 이에스시 파티클 제거장치를 첨부도면에 도시된 일실시예에 의거하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a detailed description will be made on the basis of an embodiment of the present invention shown in the accompanying drawings, the particle removal device of the semiconductor according to the present invention.

도 2는 본 고안에 의한 ESC 파티클 제거장치가 구비된 공정챔버를 개략적으로 보인 종단면도로서 이에 도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 파티클 제거장치는 가스진입로(2a)가 형성된 외통(2)의 내측에 ESC(6)가 장착되는 내통(10)이 배치되고, 그 내통(10)의 상단에는 샤워플레이트(3)가 복개되는 한편 그 샤워플레이트(3)와의 사이에는 상기 가스진입로(2a)와 연통되는 가스공급로(7)가 형성되도록 외통(2)의 상단에 석영플레이트(4)가 복개되며, 상기 내통(10)의 중간부위에는 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 가스진입로(2a)와 연통되어 고압의 가스를 ESC(6)에 분사시킬 수 있는 링형의 바이패스로(11)를 형성되고, 그 바이패스로(11)의 적당개소에는 가스분사구(12)가 ESC(6)를 향하도록 형성된다.FIG. 2 is a longitudinal sectional view schematically showing a process chamber having an ESC particle removing device according to the present invention. As shown therein, the particle removing device according to the present invention has an inner side of an outer cylinder 2 in which a gas inlet path 2a is formed. An inner cylinder 10 on which the ESC 6 is mounted is disposed, and a shower plate 3 is covered at the upper end of the inner cylinder 10, while communicating with the gas entry path 2a between the shower plate 3. The quartz plate 4 is covered at the upper end of the outer cylinder 2 so that the gas supply path 7 is formed, and as shown in FIG. 3B, the gas inlet path 2a and the intermediate portion of the inner cylinder 10 are formed. A ring-shaped bypass passage 11 is formed to communicate with and inject high-pressure gas into the ESC 6, and the gas injection port 12 faces the ESC 6 at an appropriate position of the bypass passage 11. It is formed to.

상기 가스분사구(12)는 도 3a에 도시된 바와 같이, 적어도 ESC(6)의 상단면보다 낮지 않은 위치에서 하향으로 경사지게 형성된다.The gas injection port 12 is formed to be inclined downward at a position not lower than at least the top surface of the ESC 6, as shown in FIG. 3A.

도면중 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 부호를 부여하였다.In the drawings, the same reference numerals are given to the same parts as in the prior art.

상기와 같이 구성되는 본 고안에 의한 파티클 제거장치는, 상기 ESC(6)에 전하를 부여하여 소정의 기판(미도시)이 그 전하에 의해 고정되도록 한 이후에 외부로부터 가스를 공급하여 소정의 공정을 진행하게 되는데, 이때 상기 ESC(6)에 파티클이 발생되면 가스진입로(2a) 및 바이패스로(11)로 가스를 공급하여 챔버의 내통(10)으로 고압의 가스를 분출시키게 된다.The particle removing device according to the present invention configured as described above provides a predetermined process by supplying a gas to the ESC 6 so that a predetermined substrate (not shown) is fixed by the charge and then supplying gas from the outside. When the particles are generated in the ESC (6), the gas is supplied to the gas inlet (2a) and the bypass (11) to eject the high pressure gas into the inner cylinder (10) of the chamber.

이렇게 분출되는 가스는 가스분사구(12)에서 ESC(6)를 향해 강하게 분사되면서 파티클을 날려 제거시키게 되는 것이다.The jetted gas is blown away from the gas injection port 12 toward the ESC 6 to remove particles.

이상에서 설명한 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 제조장비의 이에스시 파티클 제거장치는, 상기 내통의 중간부위에 가스진입로와 연통되어 고압의 가스를 이에스시에 분사시킬 수 있는 링형의 바이패스로를 형성하고, 그 바이패스로의 적당개소에는 가스분사구가 이에스시를 향하도록 형성하여 고압의 가스로 ESC에 발생된 파티클을 날려 제거함으로써, 파티클 발생시 챔버를 열지 않고도 장비를 세정할 수 있으므로 장비의 가동율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the ise particle removal device of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, in the middle portion of the inner cylinder to form a ring-shaped bypass passage that can be in communication with the gas inlet path to inject a high-pressure gas to the ise In order to improve the operation rate of the equipment, it is possible to clean the equipment without opening the chamber at the time of particle generation by forming a gas injection port facing the isusushi at the appropriate place of the bypass passage and blowing away the particles generated in the ESC with high-pressure gas. It can be effected.

Claims

A gas supply communicating with the gas entry path between an outer cylinder formed with a gas entry path, an inner cylinder disposed inside the outer cylinder and mounted on the lower side of the center, and a shower plate covered on the upper end of the inner cylinder and the shower plate; In the process chamber of the semiconductor manufacturing equipment comprising a quartz plate which is covered on the upper end of the outer cylinder so that the furnace is formed, the ring-shaped in communication with the gas inlet path in the middle of the inner cylinder to inject a high-pressure gas An bypass filter forming device of a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that a bypass path is formed, and a gas injection port is directed toward the sushi bar at a suitable place of the bypass path.

The apparatus of claim 1, wherein the gas injection port is inclined downwardly.