KR19980066334A

KR19980066334A - Wafer Developer

Info

Publication number: KR19980066334A
Application number: KR1019970001786A
Authority: KR
Inventors: 김종완
Original assignee: 문정환; 엘지반도체 주식회사
Priority date: 1997-01-22
Filing date: 1997-01-22
Publication date: 1998-10-15
Also published as: KR100244968B1

Abstract

본 발명은 웨이퍼 현상 장치에 관한 것으로, 종래의 현상 장치를 사용하는 경우에 현상액이 웨이퍼가 정지한 상태에서 현상액이 웨이퍼 위에 올려진 상태로 현상이 이루어지기 때문에 현상액이 웨이퍼 표면의 감광막과 반응이 이루어지면서 발생한 스컴 등이 웨이퍼 상의 패턴의 골이나 콘택홀 등에 잔존하는 문제를 해결하기 위하여 웨이퍼 현상 장치에 진동 수단을 구비하여 현상액을 진동시킴으로써 웨이퍼의 현상이 원활히 이루어지도록 하고 또한 웨이퍼의 세정 작업 시에도 잔존하는 이물질의 양을 크게 감소시킬 수 있도록 한 웨이퍼 현상 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer developing apparatus. In the case of using a conventional developing apparatus, the developing solution reacts with the photoresist film on the wafer surface because the developing solution is developed while the developer is placed on the wafer while the wafer is stopped. In order to solve the problem of scum and the like remaining in the pattern on the wafer, contact hole, etc., the wafer developing device is equipped with a vibration means to vibrate the developer so that the development of the wafer is performed smoothly. The present invention relates to a wafer developing apparatus capable of greatly reducing the amount of foreign matter.

Description

Wafer developing equipment

본 발명은 웨이퍼 현상 장치에 관한 것으로, 특히 에이퍼 현상 장치에 진동 수단을 구비하여 현상액을 진동시킴으로써 웨이퍼의 현상이 원활히 이루어지도록 하고 또한 웨이퍼의 세정 작업 시에도 잔존하는 이물질의 양을 크게 감소시킬 수 있도록 한 웨이퍼 현상 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer developing apparatus. In particular, the aper developing apparatus is provided with a vibrating means to vibrate the developer so that the development of the wafer can be performed smoothly, and the amount of foreign matter remaining during the cleaning of the wafer can be greatly reduced. And a wafer developing apparatus.

반도체 제조 공정 가운데 현상 공정은 웨이퍼에서 식각되어야 할 부분에 존재하는 감광막을 제거하는 공정이다.In the semiconductor manufacturing process, a developing process is a process of removing a photosensitive film existing in a portion to be etched from a wafer.

현상 공정에서 첫 번째 단계는 감광막에서 용제가 흡수되어 부풀어나는것(swelling)이다. 이것은 스핀과 소프트 베이크 때 감광막이 마르는 것과 정반대 현상으로서, 용제가 흡수됨으로써 감광막이 부풀게 된 다음 용액에 의해 용해되어 씻겨 나간다.The first step in the development process is the absorption of the solvent in the photoresist and swelling. This is the opposite of the dryness of the photoresist film during spin and soft bake, whereby the solvent is absorbed, causing the photoresist film to swell and then dissolved and washed away by the solution.

두 번째 단계는 현상액의 반응을 멈추게 하고 용해된 감광막을 씻어 내는 세정 과정을 거친 다음 건조된다.The second step is to stop the reaction of the developer, and then to dry the washed photoresist.

현상 과정과 세정 과정은 일반적으로 웨이퍼에 현상액이나 세정액을 분무하거나, 또는 웨이퍼를 현상액이나 세정액에 담그는 방법을 이용한다.The developing process and the cleaning process generally use a method of spraying a developer or cleaning solution onto the wafer, or immersing the wafer in a developing solution or cleaning solution.

분무 방식은 웨이퍼의 스핀을 500∼1,000rpm 정도로 하여 현상 및 세정 과정을 실시하게 되면 가장 좋은 분해능을 얻을 수 있으나, 양성 감광막의 경우에는 현상 작용이 온도의 변화에 대단히 민감하기 때문에 분무 방식보다는 웨이퍼를 현상액에 담가서 현상하는 방법을 택하는 것이 일반적이다.In the spray method, the best resolution can be obtained by developing and cleaning the wafer with a spin of about 500 to 1,000 rpm. However, in the case of the positive photoresist film, the development action is very sensitive to the change in temperature. It is common to take a method of immersion in a developer.

이와 같은 담금 방식 현상 장치를 도 1 을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Such a dip type developing apparatus will be described with reference to FIG. 1 as follows.

도 1 은 종래의 웨이퍼 현상조를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional wafer developing tank.

도 2 에 나타낸 바와 같이, 현상조(11)의 내부 바닥면에는 웨이퍼(12)가 현상조(11)의 바닥면과 평행하게 놓여지며, 그 위에 현상액(13)이 공급되어 웨이퍼(12)가 현상액(13) 속에 잠기게 된다.As shown in FIG. 2, the wafer 12 is placed on the inner bottom surface of the developing tank 11 in parallel with the bottom surface of the developing tank 11, and the developing solution 13 is supplied thereon to provide a wafer 12. It is immersed in the developer (13).

또한 현상조(11)의 상부에는 세정액 공급 장치(16)가 설치되어 있어 현상조(11)에 세정액을 공급하도록 이루어진다.In addition, the cleaning solution supply device 16 is provided above the developing tank 11 to supply the cleaning solution to the developing tank 11.

현상조(11)의 아래쪽에는 웨이퍼(12)를 회전시키기 위한 척(chuck)(10)이 마련되어 있어 현상조(11)의 저면에 형성되어 있는 공간을 통해 척(10)과 웨이퍼(12)가 접촉하도록 이루어진다.A chuck 10 for rotating the wafer 12 is provided below the developing tank 11 so that the chuck 10 and the wafer 12 are formed through a space formed in the bottom surface of the developing tank 11. Contact is made.

또한 현상조(11)의 측면에는 현상액을 공급하기 위한 현상액 주입구(14)가 형성되어 있어 현상액의 공급이 이루어지며, 현상조(11)의 저면에는 현상액(13)을 배출하기 위한 현상액 배출구(15)가 마련되어 있어 현상액(13)과 세정액 등이 배출되도록 이루어진다.In addition, a developing solution injection port 14 for supplying a developing solution is formed at a side of the developing tank 11 to supply a developing solution, and a developing solution discharge port 15 for discharging the developing solution 13 at a bottom of the developing tank 11. ) Is provided so that the developer 13 and the cleaning solution are discharged.

그러나 이와 같은 종래의 현상 장치를 사용하는 경우에 현상액이 웨이퍼(12)가 정지한 상태에서 현상액(130)이 웨이퍼 위에 올려진 상태로 현상이 이루어지기 때문에 현상액이 웨이퍼(12) 표면의 감광막과 반응이 이루어지면서 발생한 스컴(scum) 등이 웨이퍼 상의 패턴의 골이나 콘택홀 등에 잔존하는 경우가 많다.However, in the case of using such a conventional developing apparatus, the developing solution is developed while the developing solution 130 is placed on the wafer while the wafer 12 is stopped, so that the developing solution reacts with the photosensitive film on the surface of the wafer 12. In this case, scum or the like generated in the wafer remains in the valleys or contact holes of the pattern on the wafer.

이와 같은 스컴의 영향은 식각을 전반적으로 또는 부분적으로 방해하지만, 웨이퍼 전면에 걸쳐 균일하기 때문에 보이지 않아 현상 검사에서는 나타나지 않고 식각이 이루어진 다음에 나타난다.Such scum's effects interfere with the etching in whole or in part, but are not visible because they are uniform across the entire surface of the wafer and do not appear in the development inspection and appear after etching.

육안으로 식별할 수 있는 정도의 스컴이 잔존해 있는 웨이퍼는 재작업을 해야하는 심각한 지경에 이르기도 한다.Wafers with scum that are visible to the naked eye can often be seriously reworked.

따라서 본 발명은 이와 같은 종래의 웨이퍼 현상 장치에 진동 수단을 구비하여 현상액을 진동시킴으로써 웨이퍼의 표면에 스컴 등이 발생하는 문제를 해결하는데 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the problem of scum and the like occurring on the surface of a wafer by vibrating the developer by providing a vibrating means in such a conventional wafer developing apparatus.

도 1 은 종래의 웨이퍼 현상조를 나타낸 도면.1 is a view showing a conventional wafer developing tank.

도 2 는 본 발명의 웨이퍼 현상조를 나타낸 도면.2 is a view showing a wafer developing tank of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10, 20 : 척, 11, 21: 현상조, 12, 22 : 웨이퍼, 13, 23 : 현상액, 14, 24 : 현상액 주입구, 15, 25 : 현상액 배출구, 16, 26 : 세정액 공급 장치, 27 : 초음파 발생 장치10, 20: chuck, 11, 21: developer tank, 12, 22: wafer, 13, 23: developer, 14, 24: developer inlet, 15, 25: developer outlet, 16, 26: cleaning solution supply device, 27: ultrasonic Generator

이와 같은 목적의 본 발명은 반도체 웨이퍼 현상 장치에 진동 수단을 구비하여 이루어진다.The present invention for this purpose comprises a vibration means in a semiconductor wafer developing apparatus.

이와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예를 도 2 를 참조하여 설명하면 다음과 같다.An embodiment of the present invention made as described above will be described with reference to FIG. 2.

도 2 는 본 발명의 웨이퍼 현상조를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a wafer developing tank of the present invention.

도 2 에 나타낸 바와 같이, 현상조(21)의 내부 바닥면에는 웨이퍼(22)가 현상조(21)의 바닥면과 평행하게 놓여지며, 그 위에 현상액(23)이 공급되어 웨이퍼(22)가 현상액(23) 속에 잠기게 된다.As shown in FIG. 2, the wafer 22 is placed on the inner bottom surface of the developing tank 21 in parallel with the bottom surface of the developing tank 21, and the developing solution 23 is supplied thereon to provide a wafer 22. It is immersed in the developer (23).

또한 현상조(21)의 상부에는 세정액 공급 장치(26)가 설치되어 있어 현상조(21)에 세정액을 공급하도록 이루어진다.In addition, the cleaning solution supply device 26 is provided above the developing tank 21 to supply the cleaning solution to the developing tank 21.

현상조(21)의 아래쪽에는 웨이퍼(22)를 회전시키기 위한 척(20)이 마련되어 있어 현상조(21)의 저면에 형성되어 있는 공간을 통해 척(20)과 웨이퍼(22)가 접촉하도록 이루어진다.A chuck 20 for rotating the wafer 22 is provided below the developing tank 21 so that the chuck 20 and the wafer 22 come into contact with each other through a space formed at the bottom of the developing tank 21. .

현상조(21)의 측면에는 현상액을 공급하기 위한 현상액 주입구(24)가 형성되어 있어 현상액의 공급이 이루어지며, 현상조(21)의 저면에는 현상액(23)을 배출하기 위한 현상액 배출구(25)가 마련되어 있어 현상액(23)과 세정액 등이 배출되도록 이루어진다.A developing solution inlet 24 for supplying a developing solution is formed at a side of the developing tank 21 to supply the developing solution, and a developing solution outlet 25 for discharging the developing solution 23 on the bottom of the developing tank 21. Is provided so that the developer 23, the cleaning solution and the like is discharged.

또한 현상조(21)의 저면에는 초음파 발생 장치(27)가 부착되어 있어 현상액(23)을 진동시키도록 이루어진다.In addition, an ultrasonic wave generator 27 is attached to the bottom of the developing tank 21 to vibrate the developing solution 23.

이와 같이 구성된 본 발명의 현상 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the developing apparatus of the present invention configured as described above is as follows.

현상조(21) 내에 웨이퍼(22)가 놓여지면 일정량의 현상액(23)이 현상조(21) 내에 주입된다. 이와 같이 현상액(23)이 주입되면 현상액(23)이 웨이퍼(22) 표면에 반응하여 현상이 이루어진다.When the wafer 22 is placed in the developing tank 21, a certain amount of the developing solution 23 is injected into the developing tank 21. When the developer 23 is injected as described above, the developer 23 reacts with the surface of the wafer 22 to develop.

이때 현상조(21)의 저면에 부착되어 있는 초음파 발생 장치가 동작하여 초음파를 발생시키고, 이와 같이 발생한 초음파에 의해 현상조(21) 내의 현상액(23)이 진동하게 된다.At this time, the ultrasonic generator attached to the bottom of the developing tank 21 operates to generate ultrasonic waves, and the developing solution 23 in the developing tank 21 vibrates by the generated ultrasonic waves.

현상이 완료되면 현상액 배출구(25)를 통하여 현상액(23)을 배출하게 되며, 현상액(23)의 배출이 완료되면 현상조(21)에는 세정액 공급 장치(26)를 통해 세정액인 순수(Deionized Water)를 주입하게 된다.When the development is completed, the developer 23 is discharged through the developer outlet 25, and when the discharge of the developer 23 is completed, the developing tank 21 is deionized water through the cleaning solution supply device 26. Will be injected.

순수의 주입이 완료되면 현상할 때와 마찬가지로 초음파 발생 장치(26)를 통해 초음파를 발생시켜 주입된 순수를 진동시킨다.When the injection of pure water is completed, ultrasonic waves are generated through the ultrasonic generator 26 to vibrate the injected pure water as in the case of development.

이와 같이 1차 세정이 완료되면 세정액을 배출한 다음, 척(20)을 이용해 웨이퍼(22)를 들어올린 다음 회전시키면서 웨이퍼(22)의 표면에 순수를 분무하여 최종 세정 작업을 실시한 다음 척(20)을 이용해 웨이퍼(22)를 회전시켜서 웨이퍼(22)의 표면 위에 남아있는 수분을 제거하게 된다.After the first cleaning is completed, the cleaning liquid is discharged, the pure water is sprayed onto the surface of the wafer 22 while the wafer 22 is lifted up and rotated using the chuck 20, and then the final cleaning operation is performed. ) Rotates the wafer 22 to remove moisture remaining on the surface of the wafer 22.

이와 같은 본 발명은 웨이퍼가 현상되는 동안에 초음파에 의해 현상액이 진동함으로써 깊은 골이 형성된 패턴이나 콘택홀 등에도 충분한 현상이 이루어져 현상 속도와 현상 작용의 균일성이 매우 향상되며, 세정 작업 시에도 초음파를 통해 세정액을 진동시킴으로써 잔존하는 이물질의 양을 최소화하는 효과가 있다.In the present invention, the developing solution vibrates by ultrasonic waves during the development of the wafer, so that sufficient development occurs in a pattern or a contact hole in which deep bones are formed, and the development speed and the uniformity of the developing action are greatly improved. By vibrating the cleaning solution there is an effect of minimizing the amount of foreign matter remaining.

Claims

In the wafer developing apparatus for removing the photosensitive film of the etched part of a semiconductor wafer,

The wafer developing apparatus characterized by including a vibration means in the said wafer developing apparatus.

The method according to claim 1,

Wafer developing apparatus, characterized in that the vibration means is an ultrasonic generator.