KR19980057090A - Semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야1. TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
반도체 장치 제조방법Semiconductor device manufacturing method
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제2. The technical problem to be solved by the invention
종래에는 하프톤 마스크의 특성상 패턴이 형성되지 않아야 할 부분까지 빛이 투과 되기 때문에, 포토레지스트의 두께 손실을 야기하고, 심지어 패턴과 패틴 사이에 원하지 않는 패턴이 형성되는 문제점이 있었음.Conventionally, since light is transmitted to a portion where a pattern should not be formed due to the characteristics of a halftone mask, there is a problem that a thickness loss of the photoresist is caused and even an unwanted pattern is formed between the pattern and the patine.
3. 발명의 해결방법의 요지3. Summary of Solution to Invention
본 발명은 포토레지스트의 표면에 소정의 알칼리 용액 처리를 실시하여 포트레지스트의 표면에 용해 억제성을 부여함으로써 사이드로브를 개선하는 공정을 포함하는반도체 장치 제조방법을 제공하고자 함.The present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising the step of improving the side lobe by applying a predetermined alkali solution treatment on the surface of the photoresist to impart dissolution inhibiting property on the surface of the photoresist.
4. 발명의 중요한 용도4. Important uses of the invention
반도체 장치의 미세 패턴 형성에 이용됨.Used to form fine patterns of semiconductor devices.
Description
본 발명은 반도체 장치 제조방법에 관한 것으로써, 특히 위상 반전 마스크(phase shift mask)를 사용할 때 발생하는 사이드로브(sidelobe)를 방지하는 반도체 장치 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor device that prevents sidelobes generated when using a phase shift mask.
반도체 장치 제조 공정중 미세 패턴(Pattern)을 형성하기 위해서 위상 반전 마스크를 사용하는데, 특히 콘택홀 형성시에는 하프톤(Half Tone) 혹은 감쇠(attenuated) 위상 반전 마스크를 사용하고 있다.A phase reversal mask is used to form a fine pattern in a semiconductor device manufacturing process. In particular, a half-tone or attenuated phase reversal mask is used to form a contact hole.
그러나, 하프톤 마스크를 제작할 때에 일반적으로 단층의 쉬프터(Shifter)를 사용하고, 그 재질은 CrOxNy또는 CoOxNy등이다. 이러한 위상 반전 마스크의 쉬프터는 일정한 량의 빛을 투과하도록 설계되어 있다. 즉, 콘택홀이 형성되어야 할 부분은 석영(quartz)으로 구성하고 콘택홀이 형성되지 않아야 할 부분은 일정한 량의 빛이 투과되는 쉬프터로만 구성되게 한다. 이러한 하프톤 마스크의 특성상 콘택홀이 형성되지 않아야 할 부분까지 빛이 투과되기 때문에, 포토레지스트의 두께 손실을 야기하고, 심지어 콘택홀의 핏치(pitch)가 좁은 곳에서는 콘택홀과 콘택홀 사이에 원하지 않는 콘택홀이 형성되는 문제점이 있다.However, when producing a halftone mask typically use shifter (Shifter) of a single layer, and the material is such as CrO x N y, or C o O x N y. The shifter of such a phase reversal mask is designed to transmit a certain amount of light. That is, the part where the contact hole is to be formed is composed of quartz and the part where the contact hole is not to be formed is composed only of the shifter through which a certain amount of light is transmitted. Due to the characteristics of the halftone mask, light is transmitted to the portion where the contact hole should not be formed, which causes a loss of thickness of the photoresist, and even if the pitch of the contact hole is narrow, it is not desired between the contact hole and the contact hole. There is a problem that a contact hole is formed.
이와 같은 현상을 사이드로브(sidelobe) 혹은 고스트 이미지(ghost image)라고 부르는데, 이러한 사이드로브는 후속 공정시 큰 지장을 초래하여 반도체 장치의 제조 수율을 저하시킨다.This phenomenon is called sidelobe or ghost image, and this sidelobe causes a great deal of trouble in the subsequent process, which lowers the manufacturing yield of the semiconductor device.
본 발명은 포토레지스트의 표면에 소정의 알칼리 용액 처리를 실시하여 포토레지스트의 표면에 용해 억제성을 부여함으로써 사이드로브를 개선하는 공정을 포함하는 반도체 장치 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device comprising a step of improving a side lobe by applying a predetermined alkaline solution treatment to a surface of a photoresist to impart dissolution inhibiting property to the surface of the photoresist.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 웨이퍼 상에 형성된 소정의 하부층 상부에 포토레지스트를 도포하는 제1 단계, 상기 포토레지스트 표면을 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 처리하여 상기 포토레지스트에 현상액에 대한 용해 억제성을 부여하는 제2 단계 및 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하는 제3 단계를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, the present invention is a first step of applying a photoresist on a predetermined lower layer formed on a wafer, the surface of the photoresist by tetramethyl ammonium hydroxide treatment to dissolve the developer in the photoresist And a third step of imparting suppression and a third step of exposing and developing the photoresist.
이하, 콘택홀 형성 공정을 예로하여 본 발명의 일실시예를 상술한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail by using a contact hole forming process as an example.
먼저, 소정의 층간 절연막 상부에 포토레지스트를 도포한다.First, photoresist is applied over a predetermined interlayer insulating film.
다음으로, TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)라 불리는 알칼리 용액에 30초 내지 90초정도 딥핑(Dipping)하여 포토레지스트의 표면의 성질을 현상액에 쉽게 용해되지 않는 용해 억제형으로 바꾸어 준다.Next, dipping in an alkaline solution called TMAH (Tetra Methyl Ammonium Hydroxide) for about 30 seconds to 90 seconds changes the properties of the surface of the photoresist to a dissolution inhibiting type that is not easily dissolved in a developer.
이후, 하프톤 위상반전 마스크를 사용한 노광 및 현상 공정 등을 진행하여 콘택홀 형성을 위한 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이를 식각 장벽으로하여 층간 절연막을 선택적 식각함으로써 콘택홀을 형성한다. 이렇게 함으로써 위상 반전 마스크의 쉬프터로 일정량의 빛이 투과되어 그 하부에 정렬된 포토레지스트가 약하게 노광되기 때문에 용해 억제성이 부여된 포토레지스트 표면에 의해 현상액에 의한 손실을 억제할 수 있게 되며, 위상 반전 마스크의 투광부인 석영 패턴에 정렬되는 포토레지스트는 그 표면에 용해 억제성이 부여되었다 하더라도, 노광빛이 강하기 때문에 현상액에 의해 녹게 된다.Subsequently, an exposure and development process using a halftone phase inversion mask is performed to form a photoresist pattern for forming a contact hole, and the contact hole is formed by selectively etching the interlayer insulating layer using the photoresist pattern as an etching barrier. This allows a certain amount of light to pass through the shifter of the phase reversal mask and weakly exposes the photoresist aligned thereunder, thereby preventing the loss caused by the developer by the photoresist surface to which dissolution inhibiting is imparted. The photoresist aligned with the quartz pattern, which is the light transmitting portion of the mask, is melted by the developer because the exposure light is strong even if dissolution inhibiting property is imparted to the surface.
상기와 같이 실시예에 나타난 바와 같이 본 발명은 사이드로브 형성을 억제하고, 포토레지스트의 두께 손실을 최소화 하여 패터닝시 마스크 바이어스(bias)를 줄일 수 있고, 촛점 심도의 향상 및 패턴의 직선성(linearity)를 향상시킬 수 있게되는 장점이 있다.As shown in the embodiment as described above, the present invention can suppress the side lobe formation, minimize the thickness loss of the photoresist, reduce the mask bias during patterning, improve the depth of focus and linearity of the pattern ) Has the advantage of being able to improve.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary knowledge.
상기와 같이 본 발명은 포토레지스트 도포 후, 포토레지스트의 표면에 소정의 알칼리 용액 처리를 실시하여 포토레지스트의 표면에 용해 억제성을 부어함으로써 현상 공정시 사이드로브를 방지하는 효과가 있으며, 이로 인하여 반도체 장치의 제조 수율 향상을 기대할 수 있다.As described above, the present invention has an effect of preventing side lobes during the development process by applying a predetermined alkali solution treatment on the surface of the photoresist after applying the photoresist to pour dissolution inhibiting property on the surface of the photoresist. An improvement in the manufacturing yield of the device can be expected.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960076360A KR19980057090A (en) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | Semiconductor device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960076360A KR19980057090A (en) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | Semiconductor device manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980057090A true KR19980057090A (en) | 1998-09-25 |
Family
ID=66395537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960076360A KR19980057090A (en) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | Semiconductor device manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980057090A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100476879B1 (en) * | 1998-02-04 | 2005-06-08 | 삼성전자주식회사 | A method of forming mask |
-
1996
- 1996-12-30 KR KR1019960076360A patent/KR19980057090A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100476879B1 (en) * | 1998-02-04 | 2005-06-08 | 삼성전자주식회사 | A method of forming mask |
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