KR19980055050A - Filter analysis device for semiconductor device manufacturing - Google Patents

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KR19980055050A KR1019960074256A KR19960074256A KR19980055050A KR 19980055050 A KR19980055050 A KR 19980055050A KR 1019960074256 A KR1019960074256 A KR 1019960074256A KR 19960074256 A KR19960074256 A KR 19960074256A KR 19980055050 A KR19980055050 A KR 19980055050A
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강희세
조성범
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김광호
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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조공정에 사용되는 필터에 부착된 입자를 분석하는 반도체소자 제조용 필터 분석장치에 관한 것이다.The present invention relates to a filter analysis device for semiconductor device manufacturing for analyzing the particles attached to the filter used in the semiconductor device manufacturing process.

본 발명은, 복수의 필터를 통과하며 필터링된 고순도의 가스가 분석용 필터를 통과한 후, 특정크기 이상의 입자의 갯수를 카운트할 수 있는 제 1 응축핵계수기로 공급되도록 구성된 반도체소자 제조용 필터 분석장치에 있어서, 상기 분석용 필터와 상기 제 1 응축핵계수기 사이에 제 1 분기라인을 형성하여 특정크기 이하의 입자갯수를 카운트할 수 있는 제 2 응축핵계수기를 연결하고, 상기 분석용 필터와 상기 제 1 응축핵계수기 사이에 또다른 제 2 분기라인을 형성하여 입자포집장치를 연결하여 이루어진다.The present invention is a filter analysis device for manufacturing a semiconductor device configured to be supplied to the first condensation nucleus counter that can count the number of particles of a specific size or more after the filtered high-purity gas passing through the plurality of filters through the analysis filter. The method according to claim 1, wherein a first branch line is formed between the analysis filter and the first condensation nucleus counter to connect a second condensation nucleus counter capable of counting the number of particles having a specific size or less. 1 Another second branch line is formed between the condensation nucleus counter and the particle collecting device is connected.

따라서, 분석용 필터에서 아웃개싱되는 입자의 분포 및 입자의 크기, 형태, 성분 등을 평가할 수 있는 효과가 있다.Therefore, there is an effect of evaluating the distribution of the particles outgassed in the analysis filter and the size, shape, composition, and the like of the particles.

Description

반도체소자 제조용 필터 분석장치Filter analysis device for semiconductor device manufacturing

본 발명은 반도체소자 제조용 필터 분석장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체소자 제조공정에 사용되는 필터에 부착된 입자를 분석하는 반도체소자 제조용 필터 분석장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a filter analysis device for semiconductor device manufacturing, and more particularly, to a filter analysis device for semiconductor device manufacturing for analyzing particles attached to a filter used in a semiconductor device manufacturing process.

통상, 반도체소자 제조공정에서는 반응성, 부식성, 유독성 등의 성질을 가진 40 종류 이상의 가스를 사용하고 있다. 이들 가스는 반도체소자 제조공정에 직접적으로 사용되는 공정가스로도 사용되고, 공정환경을 유지하는 보조가스로도 사용된다. 또한, 상기 공정가스를 공정이 진행되는 공정챔버로 이동시키는 운반가스로도 사용된다.Generally, more than 40 kinds of gases having properties such as reactivity, corrosiveness, and toxicity are used in the semiconductor device manufacturing process. These gases are also used as process gases used directly in the semiconductor device manufacturing process and as auxiliary gases to maintain the process environment. It is also used as a carrier gas to move the process gas to the process chamber where the process proceeds.

전술한 목적으로 사용되는 가스는 불순물을 제거하는 필터를 통과한 후, 공정챔버로 공급되고 상기 필터에 불순물이 흡착되어 있으면, 공정불량을 유발할 수 있으므로 정기적으로 필터에 대한 분석공정을 필터 분석장치에서 진행하고 있다.The gas used for the above-mentioned purposes is passed through the filter for removing impurities, and then supplied to the process chamber and impurities are adsorbed on the filter, which may cause process defects. I'm going.

도1은 종래의 반도체소자 제조용 필터 분석장치를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a block diagram for explaining a conventional filter analysis apparatus for manufacturing semiconductor devices.

도1을 참조하면, 고순도가스를 공급하는 가스공급원(10)과 필터링공정이 진행되는 제 1 필터(12), 통과되는 가스의 압력을 조절하는 레귤레이터(Regulator : 14), 통과되는 가스의 압력을 측정하는 제 1 압력게이지(16) 및 쓰리웨이밸브(18)가 연결되어 있다.Referring to FIG. 1, a gas supply source 10 for supplying high purity gas, a first filter 12 through which a filtering process is performed, a regulator regulating pressure of a gas passing through, and a pressure of gas passing through The first pressure gauge 16 and the three-way valve 18 to be measured are connected.

그리고, 쓰리웨이밸브(18)와 통과되는 가스의 양을 측정하는 제 1 플로우미터(20)가 연결되고, 제 1 플로우미터(20)와 제 2 압력게이지(24)가 연결되어 있다. 또한, 상기 쓰리웨이밸(18)와 연결되어 제 1 플로우미터(20)와 제 2 압력게이지(24) 사이에서 합쳐지고, 제 2 플로우미터(22)가 설치된 분기라인이 형성되어 있다.Then, the three-way valve 18 and the first flow meter 20 for measuring the amount of gas passing through are connected, and the first flow meter 20 and the second pressure gauge 24 are connected. In addition, a branch line is connected to the three-way ball 18 and is merged between the first flow meter 20 and the second pressure gauge 24 and the second flow meter 22 is installed.

그리고, 상기 제 2 압력게이지(24)와 제 2 필터(26)가 연결되고, 제 2 필터(26)와 설정상태에 따라 자동으로 개폐동작을 수행하는 공압밸브(28)가 연결되어 있다.The second pressure gauge 24 and the second filter 26 are connected to each other, and the second filter 26 is connected to the pneumatic valve 28 which automatically opens and closes according to a set state.

또한, 상기 공압밸브(28)와 제 3 필터(30), 분석용 필터(32) 그리고 일정크기 이상의 입자수를 카운트(Count) 할 수 있는 응축핵계수기(Concentration Nuclear Counter : 34)가 순차적으로 연결되어 있다.In addition, the pneumatic valve 28, the third filter 30, the analysis filter 32 and a condensation nucleus counter (Concentration Nuclear Counter: 34) capable of counting the number of particles of a predetermined size or more are sequentially connected. It is.

따라서, 가스공급원(10)에서 공급되는 고순도의 가스는, 제 1 필터(12)를 통과하며 가스에 포함된 불순물이 제거되는 1차 필터링공정이 진행된다. 이어서, 가스는 레귤레이터(14)를 통과하며 압력이 조절된 후, 제 1 압력게이지(16)를 통과하며 압력이 측정된다.Therefore, the high-purity gas supplied from the gas supply source 10 passes through the first filter 12 and undergoes a first filtering process in which impurities contained in the gas are removed. The gas then passes through the regulator 14 and the pressure is adjusted, then through the first pressure gauge 16 and the pressure is measured.

다음으로, 가스는 쓰리웨이밸브(18)를 통과한 후, 제 1 플로우미터(20) 또는 제 2 플로우미터(22)를 통과하며 가스의 양이 측정된 후, 제 2 압력게이지(24)를 통과하며 다시 통과되는 가스의 압력이 측정된다.Next, after the gas passes through the three-way valve 18, the gas passes through the first flow meter 20 or the second flow meter 22 and the amount of gas is measured, and then the second pressure gauge 24 is turned on. The pressure of the gas passing through and passing back is measured.

계속해서, 가스는 제 2 필터(26)를 통과하며 2차 필터링공정이 진행된 후, 자동으로 개폐동작을 수행하는 공압밸브(28)를 통과하고 다시 제 3 필터(30)를 통과하며 전단계에 위치한 압력게이지(16, 24), 레귤레이터(14) 등의 기구에서 발생된 불순물이 제거되는 최종적인 필터링공정이 진행된다.Subsequently, the gas passes through the second filter 26 and after the secondary filtering process, the gas passes through the pneumatic valve 28 which automatically opens and closes, and then passes through the third filter 30 again. A final filtering process is performed in which impurities generated in devices such as the pressure gauges 16 and 24 and the regulator 14 are removed.

이어서, 가스는 분석용 필터(32)를 통과하며 필터(32) 내부에 흡착된 여러가지 종류의 불순물과 혼합되어 응축핵계수기(34)로 공급되어 일정크기 이상의 입자의 갯수가 카운트됨에 따라 분석용 필터(32)의 성능이 평가된다.Subsequently, the gas passes through the analysis filter 32 and is mixed with various kinds of impurities adsorbed inside the filter 32 and supplied to the condensation nucleus counter 34 to filter the number of particles having a predetermined size or more. The performance of 32 is evaluated.

그러나, 특정크기 이상의 입자만을 카운트 할 수 있는 응축핵계수기만이 필터 분석장치에 설치되어 있으므로 인해서 일정크기 이하의 입자의 개수를 측정할 수 없어서 필터의 성능을 효율적으로 평가할 수 없는 문제점이 있었다.However, since only a condensation nucleus counter capable of counting particles of a specific size or more is installed in the filter analyzer, the number of particles having a predetermined size or less cannot be measured, and thus, the performance of the filter cannot be efficiently evaluated.

또한, 입자포집장치가 설치되어 있지 않아 분석용 필터에서 제거된 입자의 형태 및 구성성분을 분석할 수 없어서, 응축핵계수기에서 계수되는 입자가 필터자체로부터 발생된 것인지, 가스공급계의 다른 부품이나 원재료 가스 또는 가스공급계의 누설로 인한 주변환경으로부터의 오염에서 기인되는입자인지를 규명할 수 없어서 입자발생의 근원 및 원인을 평가할 수 없는 문제점이 있었다.In addition, since the particle collecting device is not installed and the shape and composition of the particles removed from the analysis filter cannot be analyzed, the particles counted in the condensation nucleus counter are generated from the filter itself or other parts of the gas supply system. There was a problem that the source and cause of particle generation could not be assessed because it could not be identified whether the particles are due to contamination from the surrounding environment due to leakage of raw material gas or gas supply system.

본 발명의 목적은, 반도체소자 제조공정에 사용되는 필터에 흡착된 입자의 크기 분포를 평가할 수 있는 반도체소자 제조용 필터 분석장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a filter analysis device for manufacturing a semiconductor device capable of evaluating the size distribution of particles adsorbed on a filter used in a semiconductor device manufacturing process.

본 발명의 다른 목적은, 반도체소자 제조공정에 사용되는 필터에 흡착된 입자의 형태 및 구성성분을 평가할 수 있고, 입자의 발생원을 평가할 수 있는 반도체소자 제조용 필터 분석장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a filter analysis device for manufacturing a semiconductor device capable of evaluating the shape and composition of particles adsorbed on a filter used in a semiconductor device manufacturing process and evaluating the source of the particles.

도1은 종래의 반도체소자 제조용 필터 분석장치를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a block diagram for explaining a conventional filter analysis apparatus for manufacturing semiconductor devices.

도2는 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 필터 분석장치의 일 실시예를 설명하기 위한 구성도이다.Figure 2 is a block diagram for explaining an embodiment of a filter analysis device for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10, 40 : 가스공급원 12, 42 : 제 1 필터10, 40: gas supply source 12, 42: first filter

14, 44 : 레귤레이터 16 : 제 1 압력게이지14, 44 regulator 16 first pressure gauge

18 : 쓰리웨이밸브 20, 50 : 제 1 플로우미터18: three-way valve 20, 50: the first flow meter

22, 56 : 제 2 플로우미터 24 : 제 2 압력게이지22, 56: 2nd flow meter 24: 2nd pressure gauge

26, 54 : 제 2 필터 28 : 공압밸브26, 54: second filter 28: pneumatic valve

30 : 제 3 필터 32, 60 : 분석용 필터30: third filter 32, 60: analysis filter

34 : 응축핵계수기 46 : 압력게이지34: condensation nucleus counter 46: pressure gauge

48 : 전자공기밸브 52 : 굴곡튜브48: electromagnetic air valve 52: bending tube

58 : 제 3 필터 62 : 입자포집장치58: third filter 62: particle collecting device

64 : 등속샘플러 66 : 체크밸브64: constant velocity sampler 66: check valve

68 : 제 1 응축핵계수기 70 : 제 2 응축핵계수기68: first condensation nucleus counter 70: second condensation nucleus counter

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 필터 분석장치는, 복수의 필터를 통과하며 필터링된 고순도의 가스가 분석용 필터를 통과한 후, 특정크기 이상의 입자의 갯수를 카운트할 수 있는 제 1 응축핵계수기로 공급되도록 구성된 반도체소자 제조용 필터 분석장치에 있어서, 상기 분석용 필터와 상기 제 1 응축핵계수기 사이에 제 1 분기라인을 형성하여 특정크기 이하의 입자갯수를 카운트할 수 있는 제 2 응축핵계수기를 연결하고, 상기 분석용 필터와 상기 제 1 응축핵계수기 사이에 또다른 제 2 분기라인을 형성하여 입자포집장치를 연결하여 이루어진다.In order to achieve the above object, a filter analysis device for fabricating a semiconductor device according to the present invention includes a material capable of counting the number of particles having a specific size or more after the filtered high-purity gas passes through a plurality of filters and passes through an analysis filter. 1. A filter analysis device for fabricating a semiconductor device configured to be supplied to a condensation nucleus counter, the filter analysis device comprising: forming a first branch line between the analysis filter and the first condensation nucleus counter and counting the number of particles having a specific size or less; The condensation nucleus counter is connected, and another second branch line is formed between the analysis filter and the first condensation nucleus counter to connect the particle collecting device.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도2는 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 필터 분석장치의 일 실시예를 설명하기 위한 구성도이다.Figure 2 is a block diagram for explaining an embodiment of a filter analysis device for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

도2를 참조하면, 고순도가스를 공급하는 가스공급원(40)과 필터링공정이 진행되는 제 1 필터(42), 통과되는 가스의 압력을 조절하는 레귤레이터(44) 그리고 통과되는 가스의 압력을 측정하는 압력게이지(46)가 순차적으로 연결되어 있다.Referring to FIG. 2, a gas supply source 40 for supplying high purity gas, a first filter 42 through which a filtering process is performed, a regulator 44 for adjusting a pressure of a gas passing through, and a pressure of a gas passing therethrough are measured. Pressure gauges 46 are sequentially connected.

또한, 상기 압력게이지(46)와 설정된 특정시간이 경과되면 일정량의 가스가 통과될 수 있도록 개폐동작을 수행하고, 세개의 포트가 형성된 전자공기밸브(Electronics grade pneumatic valve : 48)가 연결되어 있다.In addition, the pressure gauge 46 and the opening and closing operation is performed so that a predetermined amount of gas can pass through a predetermined time, and an electronic air valve (Electronics grade pneumatic valve: 48) having three ports is connected.

상기 전자공기밸브(48)의 한 포트에는 제 1 플로우미터(50), 내부에 주름이 형성된 굴곡튜브(Flexible tube : 52) 그리고 제 2 필터(54)가 순차적으로 연결되고, 또다른 한 포트에는 제 2 플로우미터(56), 제 3 필터(58) 그리고 분석용 필터(60)가 연결된 후, 상기 제 2 필터(54)와 서로 연결되어 있다.One port of the electromagnetic air valve 48 is connected to the first flow meter 50, the flexible tube (52) having a corrugation therein, and the second filter 54 in order, and the other port After the second flow meter 56, the third filter 58, and the analysis filter 60 are connected, they are connected to the second filter 54.

또한, 분석용 필터(60)와 제 2 필터(54)가 연결되는 라인에서 분기되는 제 1 분기라인(61)이 형성되어 통과되는 가스가 등속으로 통과될 수 있도록 하는 등속샘플러(Isokinetic sampler : 64)가 연결되고, 상기 등속샘플러(64)와 병렬로 체크밸브(66)와 특정크기 이상의 입자갯수를 카운트할 수 있는 제 1 응축핵계수기(68) 및 특정크기 이하의 입자갯수를 카운트할 수 있는 제 2 응축핵계수기(70)가 연결되어 있다.In addition, an isokinetic sampler (64) is formed in which a first branch line (61) branching from a line connecting the analysis filter (60) and the second filter (54) is allowed to pass at a constant velocity. ) Is connected, and the first condensation nucleus counter 68 and the number of particles below a certain size can be counted in parallel with the constant velocity sampler 64 and the first condensation nucleus counter 68 can count the number of particles above a certain size. The second condensation nucleus counter 70 is connected.

그리고, 분석용 필터(60)와 제 2 필터(54)가 연결되는 라인에서 분기되는 제 2 분기라인(63)이 형성되어 공급되는 가스에 포함된 불순물을 포집하는 입자포집장치(62)가 연결되어 있다.In addition, a particle collecting device 62 for collecting impurities contained in the supplied gas is formed by forming a second branching line 63 branching from the line connecting the analysis filter 60 and the second filter 54. It is.

따라서, 가스공급원(40)에서 공급되는 가스는 제 1 필터(42)를 통과하며 필터링공정정이 진행되고, 다시 레귤레이터(44)를 통과하며 가스의 압력이 조절되고, 압력게이지(46)를 통과하며 통과되는 가스의 압력이 측정된 후, 전자공기밸브(48)로 공급된다.Therefore, the gas supplied from the gas supply source 40 passes through the first filter 42 and the filtering process proceeds, passes through the regulator 44 again, the pressure of the gas is adjusted, and passes through the pressure gauge 46. After the pressure of the gas passing through is measured, it is supplied to the electromagnetic air valve 48.

전자공기밸브(48)로 공급된 가스의 일정량은, 제 1 플로우미터(50)를 통과하며 통과되는 가스의 양이 측정된 후, 굴곡튜브(52)를 통과하게 된다. 이때, 가스에 포함된 일정량의 불순물은 굴곡튜브(52) 내벽에 흡착된다. 골곡튜브(52)를 통과한 가스는 제 2 필터(54)를 통과하며 필터링공정이 진행되며, 전자공기밸브(48)를 통과한 다른 일정량의 가스는, 제 2 플로우미터(56)를 통과하며 그 양이 측정되고, 다시 제 3 필터(58)를 통과하며 필터링공정이 진행되고, 다시 분석용 필터(60)를 통과하며 분석용 필터(60) 내부에 흡착된 불순물을 아웃개싱시킨다.The predetermined amount of gas supplied to the electromagnetic air valve 48 passes through the bending tube 52 after the amount of gas passing through the first flow meter 50 is measured. At this time, a certain amount of impurities contained in the gas is adsorbed on the inner wall of the bending tube 52. The gas passing through the valley tube 52 passes through the second filter 54 and the filtering process proceeds. The other predetermined amount of gas passing through the electromagnetic air valve 48 passes through the second flow meter 56. The amount is measured, and again passes through the third filter 58, the filtering process proceeds, and again passes through the analysis filter 60 and outgassing the impurities adsorbed inside the analysis filter 60.

그러므로, 제 2 필터(54)를 통과한 가스 및 분석용 필터(60)를 통과한 가스는 서로 혼합되어 입자포집장치(62)로 공급되거나, 등속샘플러(64)를 통과하게 된다.Therefore, the gas passing through the second filter 54 and the gas passing through the analysis filter 60 are mixed with each other and supplied to the particle collecting device 62 or pass through the constant velocity sampler 64.

등속샘플러(64)를 통과한 가스는 제 1 응축핵게수기(68) 및 제 2 응축핵게수기(70)로 공급된다. 상기 제 1 응축핵계수기(68) 내부에서는 일정크기 이상의 입자의 수가 카운트되고, 상기 제 2 응축핵계수기(70) 내부에서는 일정크기 이하의 입자의 수가 카운트된다. 그리고, 입자포집장치(62)에서 포집된 입자는 전자현미경 등의 분석설비에서 입자의 형태, 크기, 성분 등을 분석하는 분석공정이 진행된다.The gas passing through the constant velocity sampler 64 is supplied to the first condensation nucleus collector 68 and the second condensation nucleus collector 70. The number of particles having a predetermined size or more is counted inside the first condensation nucleus counter 68, and the number of particles having a predetermined size or less is counted inside the second condensation nucleus counter 70. The particles collected by the particle collecting device 62 are analyzed by analyzing the shape, size, components, etc. of the particles in an analysis facility such as an electron microscope.

또한, 분석용 필터(60)의 방향을 역방향으로 위치시킨 후, 전술한 분석공정을 진행한다.In addition, after the direction of the analysis filter 60 is positioned in the reverse direction, the above-described analysis process is performed.

이에 따라, 분석용 필터(60)를 정방향으로 위치시킨 후, 응축핵계수기에서 카운팅된 입자의 수와 분석용 필터(60)를 역방향으로 위치시킨 후, 응축핵게수기에서 카운팅된 입자의 수를 비교판단 함으로써 공정설비에서 분석용 필터(60) 전단의 오염원에 의한 필터의 오염 및 분석용 필터(60) 후단의 오염원에 의한 필터의 오염정도를 판단할 수 있다.Accordingly, after placing the analysis filter 60 in the forward direction, the number of particles counted in the condensation nucleus counter and the analysis filter 60 in the reverse direction, and compares the number of particles counted in the condensation nucleus counter By judging, it is possible to determine the contamination of the filter by the contamination source in front of the analysis filter 60 and the contamination of the filter by the contamination source in the rear of the analysis filter 60 in the process facility.

따라서, 본 발명에 의하면 특정크기 이상 및 특정크기 이하의 입자의 수를 카운트할 수 있는 2대의 응축핵계수기를 이용하여 분석용 필터에서 아웃개싱된 입자의 분포를 평가할 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, it is possible to evaluate the distribution of the particles outgassed in the analytical filter using two condensation nucleus counters capable of counting the number of particles larger than or equal to a specific size and smaller than a specific size.

그리고, 입자포집장치에서 포집된 입자를 전자현미경 등을 이용하여 분석함으로서 입자의 형태, 크기, 성분 등을 평가하여 입자발생원을 유추할 수 있는 효과가 있다.In addition, by analyzing the particles collected by the particle collecting device by using an electron microscope, the particle generation source can be inferred by evaluating the shape, size and composition of the particles.

또한, 분석용 필터를 정방향 및 역방향으로 위치하여 분석공정을 진행함으로서 분석공정의 분석결과의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, it is possible to improve the reliability of the analysis results of the analysis process by performing the analysis process by placing the analysis filter in the forward and reverse directions.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.

Claims (1)

복수의 필터를 통과하며 필터링된 고순도의 가스가 분석용 필터를 통과한 후, 특정크기 이상의 입자의 갯수를 카운트할 수 있는 제 1 응축핵계수기로 공급되도록 구성된 반도체소자 제조용 필터 분석장치에 있어서,In the filter analysis device for manufacturing a semiconductor device configured to be supplied to the first condensation nucleus counter that can count the number of particles of a specific size or more after the filtered high-purity gas passing through a plurality of filters through the analysis filter, 상기 분석용 필터와 상기 제 1 응축핵계수기 사이에 제 1 분기라인을 형성하여 특정크기 이하의 입자갯수를 카운트할 수 있는 제 2 응축핵계수기를 연결하고, 상기 분석용 필터와 상기 제 1 응축핵계수기 사이에 또다른 제 2 분기라인을 형성하여 입자포집장치를 연결하여 이루어지는 반도체소자 제조용 필터 분석장치.A first branch line is formed between the analysis filter and the first condensation nucleus counter to connect a second condensation nucleus counter capable of counting the number of particles having a specific size or less, and the analysis filter and the first condensation nucleus. A filter analysis device for manufacturing a semiconductor device, which is formed by connecting another particle collecting device by forming another second branch line between counters.
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