KR19980055049A - Particle counting method using semiconductor particle counter - Google Patents
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Abstract
본 발명은 특정 반도체소자 제조공정이 진행된 웨이퍼 상에 형성된 파티클의 수를 용이하게 카운트할 수 있는 반도체 파티클 카운터를 이용한 파티클수 측정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a particle number measuring method using a semiconductor particle counter capable of easily counting the number of particles formed on a wafer having a specific semiconductor device manufacturing process.
본 발명은, 파티클 카운터를 이용하여 웨이퍼 상에 형성된 파티클의 수를 카운트하는 반도체 파티클 카운터를 이용한 파티클수 측정방법에 있어서, 복수의 구간별로 나누어진 파티클의 크기 영역별로 파티클의 수를 측정하는 제 1 단계, 상기 파티클의 크기 영역과 상이한 또다른 복수의 구간별로 나누어진 파티클의 크기 영역별로 파티클의 수를 측정하는 제 2 단계, 상기 제 1 단계에서 측정된 파티클의 수에서 제 2 단계에서 측정된 파티클의 수를 감하는 제 3 단계를 포함하여 이루어진다.The present invention relates to a particle number measuring method using a semiconductor particle counter that counts the number of particles formed on a wafer using a particle counter, the method comprising: measuring a number of particles for each size region of particles divided into a plurality of sections; Step 2, the second step of measuring the number of particles by the size region of the particles divided into another plurality of sections different from the size region of the particle, the particle measured in the second step from the number of particles measured in the first step The third step is made by subtracting the number of.
따라서, 개개의 COP 크기의 범위를 주어서 크기별 갯수 분포를 구할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the number distribution for each size can be obtained by giving a range of individual COP sizes.
Description
본 발명은 반도체 파티클 카운터를 이용한 파티클수 측정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 특정 반도체소자 제조공정이 진행된 웨이퍼 상에 형성된 파티클의 수를 용이하게 카운트할 수 있는 반도체 파티클 카운터를 이용한 파티클수 측정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a particle number measuring method using a semiconductor particle counter, and more particularly, to a particle number measuring method using a semiconductor particle counter capable of easily counting the number of particles formed on a wafer having a specific semiconductor device manufacturing process. It is about.
통상, CZ 웨이퍼 성장방법에 의해서 형성된 배어 웨이퍼 상에는 여러가지 원인에 의해서 D-디펙트, COP(Crystal Originated Particle) 등의 크리스탈 디펙트(Crystal Defect)가 발생된다.Usually, crystal defects such as D-defect and Crystal Originated Particle (COP) are generated on the bare wafer formed by the CZ wafer growth method due to various causes.
따라서, 이들 디펙트를 분석하는 분석공정이 진행된다.Therefore, an analysis process for analyzing these defects proceeds.
종래의 반도체 파티클 카운터를 이용한 파티클수 측정방법은, 분석용 웨이퍼 상에 레이저(Laser)를 주사하여 스캐터링(Scattering)되는 파를 디텍터(Detector)로 센싱하여 센싱된 인텐시티(Intensity)를 분석함으로 이루어진다.The particle counting method using a conventional semiconductor particle counter consists of analyzing a sensed intensity by scanning a laser on a wafer for analysis and sensing a scattered wave with a detector. .
다시 말하면, 분석용 웨이퍼 상에 일정한 크기를 가지는 라텍스(Latex)입자를 뿌린 후, 레이저를 주사하여 웨이퍼에서 산란되어 나오는 파의 인텐시티를 구한다.In other words, after spraying a latex (Latex) particles having a predetermined size on the wafer for analysis, the laser is scanned to find the intensity of the wave scattered from the wafer.
이어서, 측정된 파와 인텐시티를 대응하여 그래프를 작성한다.Subsequently, a graph is created corresponding to the measured wave and intensity.
다음으로, 다른 크기를 가지는 라텍스입자를 웨이퍼 상에 뿌린 후, 다시 레이저를 주사하여 웨이퍼에서 산란되어 나오는 파의 인텐시티를 구한다.Next, after spraying latex particles having different sizes onto the wafer, the laser is scanned again to determine the intensity of the wave scattered from the wafer.
이어서, 상기 그래프에 다시 측정된 파와 인텐시티를 대응하는 그래프를 첨가한다.Then, the graph corresponding to the measured wave and intensity again is added to the graph.
계속해서, 또 다른 크기를 가지는 라텍스입자에 대해서도 전술한 공정을 반복적으로 수행한다.Subsequently, the above-described process is repeatedly performed for latex particles having another size.
이에 따라서, 분석에 사용되지 않는 라텍스입자에 대한 인텐시티도 구할 수 있다.Accordingly, the intensity of latex particles not used for analysis can also be obtained.
그러나, 분석공정에 사용된 라텍스입자 이외의 크기의 입자가 반드시 그래프에 나타난 인텐시티를 갖는다는 보장이 없으므로 분석공정의 신뢰성이 결여되는 문제점이 있었다.However, since there is no guarantee that particles of sizes other than the latex particles used in the analysis process necessarily have the intensity shown in the graph, there is a problem in that the analysis process lacks reliability.
또한, 라텍스입자의 크기가 작은 경우의 측정값은 라텍스입자의 크기가 넓은 경우의 측정값과 비교하여 신뢰도가 떨어지는 문제점이 있었다.In addition, the measured value when the size of the latex particles is small, there is a problem that the reliability is lower than the measured value when the size of the latex particles is large.
그리고, 종래의 파티클 카운터를 이용하는 방법에 의하여서는 파티클 카운터의 측정방법 및 측정시 발생하는 노이즈(Noise)에 의해서 일정 COP 크기 범위내의 COP 갯수만이 측정되며, 주어진 범위내의 개개의 COP 크기 갯수는 구할 수 없다. 특히 설비가 보증하는 최소값 근처의 크기를 가지는 COP를 직접적으로 측정하는 것은 노이즈로 인해 정확성이 현저히 떨어지는 문제점이 있었다.In the conventional method using the particle counter, only the number of COPs within a certain COP size range is measured by the particle counter measurement method and the noise generated during measurement, and the number of individual COP sizes within a given range is obtained. Can't. In particular, the direct measurement of the COP having a size near the minimum value guaranteed by the facility has a problem that the accuracy is significantly reduced due to noise.
본 발명의 목적은, 웨이퍼 상에 형성된 파티클의 수를 용이하게 측정할 수 있는 반도체 파티클 카운터를 이용한 파티클수 측정방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a particle number measuring method using a semiconductor particle counter capable of easily measuring the number of particles formed on a wafer.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 파티클 카운터를 이용한 파티클수 측정방법은, 파티클 카운터를 이용하여 웨이퍼 상에 형성된 파티클의 수를 카운트하는 반도체 파티클 카운터를 이용한 파티클수 측정방법에 있어서, 복수의 구간별로 나누어진 파티클의 크기 영역별로 파티클의 수를 측정하는 제 1 단계, 상기 파티클의 크기 영역과 상이한 또다른 복수의 구간별로 나누어진 파티클의 크기 영역별로 파티클의 수를 측정하는 제 2 단계, 상기 제 1 단계에서 측정된 파티클의 수에서 제 2 단계에서 측정된 파티클의 수를 감하는 제 3 단계를 포함하여 이루어진다.Particle number measuring method using a semiconductor particle counter according to the present invention for achieving the above object, in the particle number measuring method using a semiconductor particle counter to count the number of particles formed on the wafer by using a particle counter, A first step of measuring the number of particles by the size region of the particles divided by the section, A second step of measuring the number of particles by the size region of the particles divided into another plurality of sections different from the size region of the particle, And a third step of subtracting the number of particles measured in the second step from the number of particles measured in the first step.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail.
본 발명에 따른 반도체 파티클 카운터를 이용한 파티클수 측정방법은, 첫번째로, 측정하고자 하는 COP 입자의 크기영역 즉, 0.12 ㎛ 내지 0.24 ㎛ 정도의 크기영역을 0.12 ㎛ 내지 0.16 ㎛ , 0.16 ㎛ 내지 0.2 ㎛ , 0.2 ㎛ 내지 0.24 ㎛ 로 세가지의 구간으로 나눈다.In the particle number measuring method using the semiconductor particle counter according to the present invention, first, the size area of the COP particles to be measured, that is, the size area of 0.12 μm to 0.24 μm is 0.12 μm to 0.16 μm, 0.16 μm to 0.2 μm, It is divided into three sections from 0.2 μm to 0.24 μm.
이어서, 파티클 카운터를 이용하여 각 구간별로 분포하는 COP 파티클의 수를 측정한다.Subsequently, the number of COP particles distributed in each section is measured using a particle counter.
두번째로, COP 입자의 크기영역 즉, 0.13 ㎛ 내지 0.23 ㎛ 정도의 크기영역을 0.13 ㎛ 내지 0.17 ㎛ , 0.17 ㎛ 내지 0.2 ㎛ , 0.2 ㎛ 내지 0.23 ㎛ 로 세가지의 구간으로 나눈다.Secondly, the size region of the COP particles, that is, the size region of about 0.13 µm to 0.23 µm, is divided into three sections: 0.13 µm to 0.17 µm, 0.17 µm to 0.2 µm, and 0.2 µm to 0.23 µm.
이어서, 파티클 카운터를 이용하여 각 구간별로 분포하는 COP 파티클의 수를 측정한다.Subsequently, the number of COP particles distributed in each section is measured using a particle counter.
세번째로, COP 입자의 크기영역 즉, 0.14 ㎛ 내지 0.22 ㎛ 정도의 크기영역을 0.14 ㎛ 내지 0.18 ㎛ , 0.18 ㎛ 내지 0.2 ㎛ , 0.2 ㎛ 내지 0.22 ㎛ 로 세가지의 구간으로 나눈다.Third, the size area of the COP particles, that is, the size area of about 0.14 μm to 0.22 μm, is divided into three sections: 0.14 μm to 0.18 μm, 0.18 μm to 0.2 μm, and 0.2 μm to 0.22 μm.
이어서, 파티클 카운터를 이용하여 각 구간별로 분포하는 COP 파티클의 수를 측정한다.Subsequently, the number of COP particles distributed in each section is measured using a particle counter.
네번째로, COP 입자의 크기영역 즉, 0.15 ㎛ 내지 0.21 ㎛ 정도의 크기영역을 0.15 ㎛ 내지 0.19 ㎛ , 0.19 ㎛ 내지 0.2 ㎛ , 0.2 ㎛ 내지 0.21 ㎛ 로 세가지의 구간으로 나눈다.Fourth, the size area of the COP particles, that is, the size area of about 0.15 μm to 0.21 μm is divided into three sections: 0.15 μm to 0.19 μm, 0.19 μm to 0.2 μm, and 0.2 μm to 0.21 μm.
이어서, 파티클 카운터를 이용하여 각 구간별로 분포하는 COP 파티클의 수를 측정한다. 전술한, 4회에 걸친 COP 갯수 측정에 의해서 개개의 COP 크기의 갯수를 구할 수 있다.Subsequently, the number of COP particles distributed in each section is measured using a particle counter. The number of individual COP sizes can be obtained by the above-described four times of COP number measurements.
이어서, 첫번째 측정에서 0.16 ㎛ 내지 0.2 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수에서 두번째 측정에서 0.17 ㎛ 내지 0.2 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수를 감한다. 이에 0.16 ㎛ 내지 0.17 ㎛ 정도의 크기를 가지는 COP 입자의 갯수를 구할 수 있다.(1)Subsequently, the number of COP particles measured in the range of 0.17 μm to 0.2 μm in the second measurement is subtracted from the number of COP particles measured in the range of 0.16 μm to 0.2 μm in the first measurement. Accordingly, the number of COP particles having a size of about 0.16 μm to about 0.17 μm can be obtained. (1)
다음으로, 두번째 측정에서 0.17 ㎛ 내지 0.2 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 측정된 COP 입자의 갯수에서 세번째 측정에서 0.18 ㎛ 내지 0.2 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수를 감한다. 이에 0.17 ㎛ 내지 0.18 ㎛ 정도의 크기를 가지는 COP 입자의 갯수를 구할 수 있다.(2)Next, the number of measured COP particles measured in the range of 0.17 μm to 0.2 μm in the second measurement is subtracted from the number of measured COP particles in the range of 0.18 μm to 0.2 μm in the third measurement. Accordingly, the number of COP particles having a size of about 0.17 μm to about 0.18 μm can be obtained. (2)
계속해서, 세번째 측정에서 0.18 ㎛ 내지 0.2 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 측정된 COP 입자의 갯수에서 네번째 측정에서 0.19 ㎛ 내지 0.2 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수를 감한다. 이에 0.18 ㎛ 내지 0.19 ㎛ 정도의 크기를 가지는 COP 입자의 갯수를 구할 수 있다.(3)Subsequently, the number of measured COP particles measured in the range of 0.18 μm to 0.2 μm in the third measurement is subtracted from the number of measured COP particles in the range of 0.19 μm to 0.2 μm in the fourth measurement. Accordingly, the number of COP particles having a size of about 0.18 μm to about 0.19 μm can be obtained. (3)
이어서, 세번째 측정에서 0.2 ㎛ 내지 0,22 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 측정된 COP 입자의 갯수에서 네 번째 측정에서 측정된 0.2 ㎛ 내지 0.21 ㎛ 정도의 영역에서 측정된 COP 입자의 갯수(4)를 감한다. 이에 0.21 ㎛ 내지 0.22 ㎛ 정도의 크기를 가지는 COP 입자의 갯수를 구할 수 있다.(5) 다음으로, 두번째 측정에서 0.2 ㎛ 내지 0.23 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 측정된 COP 입자의 갯수에서 세번째 측정에서 0.2 ㎛ 내지 0.22 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수를 감한다. 이에 0.22 ㎛ 내지 0.23 ㎛ 정도의 크기를 가지는 COP 입자의 갯수를 구할 수 있다.(6)Subsequently, the number of measured COP particles (4) measured in the range of 0.2 μm to 0.21 μm measured in the fourth measurement in the number of measured COP particles measured in the range of 0.2 μm to 0,22 μm in the third measurement. Decrease. The number of COP particles having a size of about 0.21 μm to about 0.22 μm can be obtained. (5) Next, in the third measurement, the number of measured COP particles measured in the range of about 0.2 μm to about 0.23 μm in the second measurement is obtained. The number of COP particles measured in the range of 0.2 μm to 0.22 μm is subtracted. Accordingly, the number of COP particles having a size of about 0.22 μm to about 0.23 μm can be obtained. (6)
마지막으로, 첫번째 측정에서 0.2 ㎛ 내지 0.24 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수에서 두번째 측정에서 0.2 ㎛ 내지 0.23 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수를 감한다. 이에 0.23 ㎛ 내지 0.24 ㎛ 정도의 크기를 가지는 COP 입자의 갯수를 구할 수 있다.(7)Finally, subtract the number of COP particles measured in the range of 0.2 μm to 0.23 μm from the number of COP particles measured in the range of 0.2 μm to 0.24 μm in the first measurement. Accordingly, the number of COP particles having a size of about 0.23 μm to about 0.24 μm can be obtained.
그러므로, 첫번째 측정에서 0.12 ㎛ 내지 0.16 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수 ＋ (1)의 값 － 두번째 측정에서 0.13 ㎛ 내지 0.17 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수를 계산함으로서 0.12 ㎛ 내지 0.13 ㎛ 정도의 크기를 가지는 COP 입자의 갯수를 구할 수 있다.Therefore, the number of COP particles measured in the range of 0.12 μm to 0.16 μm in the first measurement + the value of (1) —0.12 μm by calculating the number of COP particles measured in the range of 0.13 μm to 0.17 μm in the second measurement. The number of COP particles having a size of about 0.13 μm can be obtained.
또한, 두번째 측정에서 0.13 ㎛ 내지 0.17 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수 ＋ (2)의 값 － 세번째 측정에서 0.14 ㎛ 내지 0.18 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수를 구함으로서 0.13 ㎛ 내지 0.14 ㎛ 정도의 크기를 가지는 COP 입자의 갯수를 구할 수 있다.Also, the number of COP particles measured in the range of 0.13 µm to 0.17 µm in the second measurement + the value of (2)-0.13 µm by obtaining the number of COP particles measured in the range of 0.14 µm to 0.18 µm in the third measurement The number of COP particles having a size of about 0.14 μm may be obtained.
또한, 세번째 측정에서 0.14 ㎛ 내지 0.18 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수 ＋ (3)의 값 － 네번째 측정에서 0.15 ㎛ 내지 0.19 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수를 구함으로서 0.14 ㎛ 내지 0.15 ㎛ 정도의 크기를 가지는 COP 입자의 갯수를 구할 수 있다.Also, the number of COP particles measured in the range of 0.14 µm to 0.18 µm in the third measurement + the value of (3)-0.14 µm by obtaining the number of COP particles measured in the range of 0.15 µm to 0.19 µm in the fourth measurement. The number of COP particles having a size of about 0.15 μm can be obtained.
또한, 네번째 측정에서 0.15 ㎛ 내지 0.19 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수 ＋ 네 번째 측정에서 0.19 ㎛ 내지 0.2 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수 －첫번째 측정에서 0.16 ㎛ 내지 0.2 ㎛ 정도의 범위에서 측정된 COP 입자의 갯수를 함으로서 0.15 ㎛ 내지 0.16 ㎛ 정도의 크기를 가지는 COP 입자의 갯수를 구할 수 있다.Also, the number of COP particles measured in the range of 0.15 μm to 0.19 μm in the fourth measurement + the number of COP particles measured in the range of 0.19 μm to 0.2 μm in the fourth measurement—about 0.16 μm to 0.2 μm in the first measurement. By counting the number of COP particles measured in the range of can be obtained the number of COP particles having a size of about 0.15 ㎛ to 0.16 ㎛.
따라서, 본 발명에 의하면 개개의 COP 크기의 범위를 주어서 크기별 갯수 분포를 구할 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the number distribution for each size can be obtained by giving a range of individual COP sizes.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960074255A KR19980055049A (en) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | Particle counting method using semiconductor particle counter |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019960074255A KR19980055049A (en) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | Particle counting method using semiconductor particle counter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980055049A true KR19980055049A (en) | 1998-09-25 |
Family
ID=66382103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960074255A KR19980055049A (en) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | Particle counting method using semiconductor particle counter |
Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR19980055049A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382721B1 (en) * | 1999-11-02 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | Methods and systems for measuring microroughness of substrate surface combining particle counter and atomic force microscope measurements |
| KR100797228B1 (en) * | 2005-06-29 | 2008-01-23 | 가부시끼가이샤 도시바 | Chemical solution qualifying method, semiconductor device manufacturing method, and liquid crystal display manufacturing method |
-
1996
- 1996-12-27 KR KR1019960074255A patent/KR19980055049A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100382721B1 (en) * | 1999-11-02 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | Methods and systems for measuring microroughness of substrate surface combining particle counter and atomic force microscope measurements |
| KR100797228B1 (en) * | 2005-06-29 | 2008-01-23 | 가부시끼가이샤 도시바 | Chemical solution qualifying method, semiconductor device manufacturing method, and liquid crystal display manufacturing method |
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