KR19980054183U

KR19980054183U - Semiconductor devices

Info

Publication number: KR19980054183U
Application number: KR2019960067375U
Authority: KR
Inventors: 이종화; 이덕성
Original assignee: 김영환; 현대전자산업 주식회사
Priority date: 1996-12-31
Filing date: 1996-12-31
Publication date: 1998-10-07

Abstract

본 고안은 반도체 장치에 관한 것으로, 종래의 스테퍼 장치의 소정위치에 크리닝 수단을 구비하여 웨이퍼 홀더상에 위치한 파티컬을 자동으로 제거하도록 함으로써, 파티컬로 인한 디포커스 현상을 방지할 수 있고, 파티컬 세척으로 인한 제조공정상의 효율을 기할 수 있어 반도체 소자의 공정수율을 향상시킬 수 있는 기술이다.The present invention relates to a semiconductor device, by providing a cleaning means at a predetermined position of a conventional stepper device to automatically remove the particles located on the wafer holder, it is possible to prevent the defocus phenomenon due to the particles, It is a technology that can improve the process yield of the semiconductor device because the efficiency in the manufacturing process due to the curl cleaning can be determined.

Description

Semiconductor devices

본 고안은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 팹(FAB) 공정에서 사용되는 종래의 스테퍼(STEPPER) 장치에 크리닝 수단을 구비하여 웨이퍼 홀더상에 위치한 파티컬을 자동으로 제거하도록 함으로써, 파티컬로 인한 디포커스 현상을 방지할 수 있고, 파티컬 세척을 자동으로 수행함으로 인한 제조 공정상의 효율을 기할 수 있는 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device. In particular, a conventional stepper device used in a FAB process of a semiconductor device includes a cleaning means to automatically remove particles located on a wafer holder. The present invention relates to a semiconductor device capable of preventing defocus due to the present invention and improving efficiency in a manufacturing process by automatically performing a particle cleaning.

종래의 스테퍼 장비의 웨이퍼 스테이지는 웨이퍼 홀더에서 웨이퍼를 진공으로 잡고 노광할 때 웨이퍼 홀더에 소정크기 이상의, 예컨데 0.5㎛ 이상되는 파티컬 등의 이물질이 있을 경우, 그 지점(Point)은 장비의 렌즈 촛점심도(Depth Of focus)를 벗어나게 되어 디포커스(Defocus) 현상이 나타나 감광막의 해상도(Resolution)가 저하되어 제품의 불량을 초래하게 된다.The wafer stage of the conventional stepper equipment has a point of focusing on the lens of the equipment when there is foreign matter such as a particle having a predetermined size or more, for example, 0.5 μm or more, when the wafer is held in a wafer in a vacuum and exposed. Defocus occurs after the depth of focus, and the resolution of the photoresist film is reduced, resulting in product defects.

도 1은 웨이퍼 스테이지상에 파티컬이 없는 경우의 웨이퍼 장착상태를 도시한 도면이고, 도 2는 웨이퍼 스테이지상에 파티컬이 있을 경우의 웨이퍼 장착상태를 도시한 도면이다.FIG. 1 is a view showing a wafer mounting state when no particle is present on the wafer stage, and FIG. 2 is a view showing a wafer mounting state when there is a particle on the wafer stage.

상기 도면을 참조하면, 보통 일반 스테퍼 장비의 촛점심도는 1㎛ 정도인데 웨이퍼(13) 밑 부분에 크기가 0.5㎛ 이상되는 파티컬(17)이 있으면 공정상의 단차(Layer Topology)가 0.5㎛~1.0㎛ 이상이 되므로 실질적으로 그 지점은 1.0㎛~1.5㎛가 되어 장비의 촛점심도의 범위를 벗어나게 된다.Referring to the drawings, the depth of focus of a general stepper equipment is about 1 μm, and if there is a particle 17 having a size of 0.5 μm or more at the bottom of the wafer 13, the layer topography is 0.5 μm to 1.0. Since it becomes more than 탆, the point is substantially 1.0 탆 to 1.5 탆, which is beyond the depth of focus of the equipment.

상기의 경우 해상도가 흐려지게 되어 정확한 정밀도를 가진 사진공정을 수행할 수 없게 되는 문제가 있다.In this case, there is a problem that the resolution becomes blurred so that a photographic process with accurate precision cannot be performed.

즉 웨이퍼 스테이지(11)상에 존재하는 파티컬(17)로 인해 얼라인 정확도, 중첩도 정확도 등이 나빠지므로 공정 진행시 종래에는 작업자가 작업전 매번 웨이퍼 홀더 부분을 세척액으로 크리닝하여 이물질을 제거한다.In other words, due to the particle 17 present on the wafer stage 11, the alignment accuracy, the overlapping accuracy, and the like deteriorate, so that during the process, the worker cleans the wafer holder part with the cleaning liquid every time before the operation to remove foreign substances. .

따라서 상기와 같이 작업자가 매번 웨이퍼 홀더를 크리닝하는 데에는 상당한 시간이 요하게 되고, 웨이퍼 홀더 크리닝 후 레벨링(Levelling)이 틀어질 경우도 발생하여 재차 웨이퍼 홀더의 레벨링을 체크해야 하는 등의 비효율적인 공정을 수반하게 되는 문제점이 있다.Therefore, as described above, a considerable time is required for the operator to clean the wafer holder each time, and the leveling may be changed after the wafer holder cleaning, and thus, an inefficient process such as checking the leveling of the wafer holder is necessary again. There is a problem.

따라서 본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 종래의 스테퍼 장비의 렌즈 어셈블리에 별도의 웨이퍼 크리닝 수단을 구비함으로써, 파티컬 등의 이물질로 인한 제품의 불량발생을 방지하고 종래의 크리닝 공정진행에 따른 공정상의 비효율성을 개선하여 반도체 소자의 제조공정 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 장치를 제공함에 그 목적이 있다.Therefore, the present invention is provided with a separate wafer cleaning means in the lens assembly of the conventional stepper equipment to solve the above problems, to prevent the occurrence of defects of the product due to foreign substances such as particles, and according to the progress of the conventional cleaning process It is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of improving process inefficiency and improving a manufacturing process yield and reliability of a semiconductor device.

도 1은 웨이퍼 스테이지상에 파티컬이 없는 경우의 웨이퍼 장착상태를 도시한 도면1 is a view showing a wafer mounted state in the absence of a particle on a wafer stage;

도 2는 웨이퍼 스테이지상에 파티컬이 있을 경우의 웨이퍼 장착상태를 도시한 도면2 is a view showing a wafer loading state when there is a particle on the wafer stage;

도 3은 본 고안의 기술에 따라 크리닝 수단이 구비된 스테퍼의 개략도3 is a schematic view of a stepper equipped with a cleaning means in accordance with the techniques of the present invention

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

11:웨이퍼 스테이지13:웨이퍼11: Wafer stage 13: Wafer

15:감광막17:파티컬15: Photosensitive film 17: Particle

19:웨이퍼 홀더21:렌즈 어셈블리19: wafer holder 21: lens assembly

23:크리닝 수단23: cleaning means

상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안에서는, 웨이퍼가 상부 표면에 놓이는 웨이퍼 스테이지와, 웨이퍼를 내부에 장착하여 상기 웨이퍼 스테이지상에 웨이퍼를 장착시키는 웨이퍼 홀더와, 상기 웨이퍼상에 패턴을 형성하기 위해 웨이퍼상에 증착된 감광막을 스캐닝하고 노광하는 렌즈 어셈블리로 구성되는 반도체 스테퍼 장비에 있어서,In order to achieve the above object, in the present invention, a wafer stage on which a wafer is placed on an upper surface, a wafer holder for mounting a wafer therein to mount a wafer on the wafer stage, and a wafer shape for forming a pattern on the wafer. In the semiconductor stepper equipment consisting of a lens assembly for scanning and exposing the photosensitive film deposited on the,

상기 장비자체에 구비된 스캐닝 프로그램에 의해 웨이퍼 스테이지상에 부착된 이물질을 자동으로 크리닝하는 크리닝 수단을 구비함을 특징으로 한다.And a cleaning means for automatically cleaning the foreign matter adhered to the wafer stage by a scanning program provided in the equipment itself.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 적합한 실시예에 대한 상세한 설명을 하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 고안의 기술에 따라 크리닝 수단이 구비된 스테퍼의 개략도이다.3 is a schematic view of a stepper with cleaning means in accordance with the techniques of the present invention.

본 고안에서는 종래의 스테퍼 장비에서 웨이퍼 상의 패턴을 형성하기 위하여 웨이퍼를 스캐닝(Scanning) 하거나 노광하는 렌즈 어셈블리(21) 측면에 별도로 크리닝 수단, 예컨데 진공을 이용한 진공 클리너(23)를 부착시켜 보통 장비 체크시 사용되는 일반적인 스캐닝 프그램을 사용하여 웨이퍼 스테이지(11)를 스캐닝하도록 한다.In the present invention, in order to form a pattern on a wafer in a conventional stepper equipment, a cleaning means, for example, a vacuum cleaner 23 using a vacuum is separately attached to a side of the lens assembly 21 that scans or exposes a wafer, and usually checks equipment. The wafer stage 11 is scanned using a general scanning program used at the time.

상기와 같이 진공 클리너(23)를 스테퍼 장비 자체에 구비함으로써 별도로 작업자가 장비를 정지시킨 상태에서 웨이퍼 홀더(19)를 크리닝하는 불편을 없앨 수 있으며, 아울러, 장비자체에서 크리닝이 진행되므로 안전하고 신속하게 또한 주기적으로 할 수 있다.By providing the vacuum cleaner 23 in the stepper equipment as described above, it is possible to eliminate the inconvenience of cleaning the wafer holder 19 in a state where the operator stops the equipment separately. In addition, since the cleaning is performed on the equipment itself, it is safe and quick. Can also be done periodically.

그리고 장비자체에서 웨이퍼 평평도(Flatness)를 체크하는 프로그램을 사용하여 파티컬이나 이물질의 오염으로 웨이퍼 평평도가 나쁜 부분만을 선별적으로 선택하여 집중적으로 상기 본 고안의 진공 크리너(23)를 사용하여 크리닝할 수 있다.And by using the program to check the wafer flatness (Flatness) in the equipment itself, by selectively selecting only the bad part of the wafer flatness due to contamination of particles or foreign matters and intensively using the vacuum cleaner 23 of the present invention You can clean it.

한편, 상기 본 고안에 따른 진공 크리너의 형태와 크기는 웨이퍼 홀더(3)의 구조에 따라 적절한 구조로 제작하여 사용할 수 있다.On the other hand, the shape and size of the vacuum cleaner according to the present invention can be manufactured and used in an appropriate structure according to the structure of the wafer holder (3).

이상 상술한 바와같이, 본 고안에 따른 반도체 장치는 종래의 스테퍼 장비의 렌즈 어셈블리 측면에 크리닝 수단을 구비하고, 장비자체가 구비하고 있는 스캐닝 프로그램을 사용하여 웨이퍼 홀더 전체를 크리닝하든지 또는 웨이퍼 평평도 체크 프로그램을 사용하여 평평도가 심하게 차이나는 지점만을 선택하여 그 부분만을 집중적으로 크리닝하든지 하여 디포커스 없이 양호한 해상도를 웨이퍼 전체에 유지할 수 있게 한다.As described above, the semiconductor device according to the present invention includes a cleaning means on the side of a lens assembly of a conventional stepper equipment, and the entire wafer holder is cleaned or a wafer flatness check is performed using a scanning program included in the equipment itself. The program can be used to select only spots where the flatness is very different and to intensively clean only that portion, allowing good resolution to be maintained throughout the wafer without defocusing.

또한 웨이퍼 크리닝시 발생할 수 있는 웨이퍼 레벨링이 틀어지는 문제를 방지할 수 있어 보다 정확한 사진공정을 수행할 수 있다.In addition, it is possible to prevent the problem of wafer leveling, which may occur during wafer cleaning, to perform a more accurate photographic process.

Claims

A wafer stage on which the wafer lies on an upper surface, a wafer holder for mounting the wafer therein to mount the wafer on the wafer stage, and a lens for scanning and exposing a photoresist deposited on the wafer to form a pattern on the wafer In the semiconductor stepper equipment composed of the assembly,

And a cleaning means for automatically cleaning the foreign matter adhered on the wafer stage by a scanning program provided in the equipment itself.

The semiconductor device according to claim 1, wherein said cleaning means is provided on a side of a lens assembly of said stepper equipment.

The semiconductor device according to claim 1, wherein said cleaning means is a vacuum cleaner for cleaning by a vacuum suction method.