KR19980050647U - Developer Injector - Google Patents
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Abstract
본 고안은 현상액 분사장치에 관한 것으로서, 웨이퍼의 전역에 걸쳐 고르게 현상액을 분사하는 것이 가능하며, 웨이퍼에서 국부적으로 발생될 수 있는 현상도의 차를 자동조절할 수 있는 현상액 분사장치를 제공하므로써, 현상불량이나 선폭균일도의 불량을 방지하는 것이 가능하도록 함과 아울러, 다수의 현상액라인에 의해 현상액을 공급하므로써 저압과 저유량으로 분사되도록 하는 것으로 충분하도록 하여 버블이 발생할 위험이 저감되도록 한 것이다.The present invention relates to a developer injector, which is capable of spraying the developer evenly over the entire wafer, and provides a developer injector capable of automatically adjusting a difference in the degree of development that can occur locally on the wafer, thereby resulting in poor development. In addition, it is possible to prevent the defect of the line width uniformity, and to supply the developer by a plurality of developer lines, so that it is sufficient to be injected at low pressure and low flow rate to reduce the risk of bubbles.
Description
본 고안은 현상액 분사장치에 관한 것으로서, 상세하게는 각각의 압력조절기와 유량조절기가 설치된 다수개의 현상액라인을 통과한 현상액을, 하나의 현상액라인으로 부터 분지되어 연결된 다수개의 분사구로 구성되는 분사단위셀이 현상액라인의 수와 같은 개수로 모여 형성된, 원통형노즐을 통해 분사하도록 하고, 센싱유닛과 피드백유닛을 설치하여 상기 현상액라인을 통과하여 상기 원통형노즐의 각각의 분사단위셀을 통해 분사되는 현상액의 압력과 유량을 조절하도록 하므로써 웨이퍼에 현상액이 고르게 분사될 수 있도록 한 현상액 분사장치에 관한 것이다.The present invention relates to a developer injector, and more specifically, to a developer unit cell consisting of a plurality of injection ports branched from one developer line to a developer passing through a plurality of developer lines each having a pressure regulator and a flow regulator. The pressure of the developer injected through the respective injection unit cells of the cylindrical nozzle by passing through the developer line by installing the sensing unit and the feedback unit by installing a sensing unit and a feedback unit, which are formed in the same number as the number of the developer lines. The present invention relates to a developer injector which allows the developer to be evenly injected onto the wafer by adjusting the overflow rate.
웨이퍼의 상측면에 감광제가 코팅된 후 노광공정에 의해 코팅된 감광제의 일부를 중합시키므로써 패턴을 형성하게 되는데, 이러한 상태에서 웨이퍼의 상측면을 현상액으로 세척하게 되면 노광되지 않은 부분의 감광제가 씻겨 나가 노광된 부분과 노광되지 않은 부분이 구별되게 되며 이를 현상공정이라 한다.After the photosensitive agent is coated on the upper side of the wafer, a part of the coated photosensitive agent is polymerized by the exposure process to form a pattern. When the upper side of the wafer is washed with a developer in this state, the photosensitive agent of the unexposed part is washed away. The exposed part and the unexposed part are distinguished, and this is called a developing process.
이러한 현상공정은 식각공정의 전단계에서 이루어지는 것으로서, 이러한 현상공정을 진행하는 장비를 현상기라 하고, 현상기의 여러 장치 중 현상액을 감광제가 코팅된 웨이퍼의 상측면에 분사하는 장치를 현상액 분사장치라 한다.Such a developing process is performed in the previous stage of the etching process. The developing apparatus is a developing apparatus, and the apparatus for injecting the developing solution onto the upper side of the photosensitive agent coated wafer among the various apparatuses of the developing apparatus is called a developing apparatus injector.
도 1은 종래의 현상액 분사장치의 구성을 개념적으로 보인 구성도인바, 종래의 현상액 분사장치는 단일의 현상액라인(L)을 통해 현상액이 공급되며, 상기 현상액라인(L)상에 설치된 단일의 압력조절기(P)와 유량조절기(M)에 의해 노즐(1)로 부터 분사되는 현상액의 압력과 유량을 조절하도록 되어 있었다.Figure 1 is a schematic view showing the configuration of the conventional developer injection device, the conventional developer injection device is supplied with a developer through a single developer line (L), a single pressure installed on the developer line (L) The pressure P and the flow rate of the developer injected from the nozzle 1 by the regulator P and the flow rate regulator M were adjusted.
상기 노즐(1)은 하나의 분사구(미도시)를 구비하는 구조로 되어 있으며, 도 2에 도시된 바와 같이, 노즐(1)로 부터 현상액이, 척크(미도시)의 상측에 진공흡착 등에 의해 고정된, 웨이퍼(W)의 상측에 분사되게 된다.The nozzle 1 has a structure having one injection hole (not shown), and as shown in FIG. 2, the developer from the nozzle 1 is formed by vacuum suction or the like on the upper side of the chuck (not shown). It is sprayed on the upper side of the wafer W which is fixed.
이때 현상되는 정도인 현상도를 균일하게 하기 위하여 상기 척크를 회전시키고 있으나 단일의 분사구가 형성된 노즐(1)로 부터 분사되므로, 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 중앙부에 더 큰 압력과 유량으로 현상액이 분사되어 웨이퍼(W)의 중앙부와 주변부의 현상도가 차이가 나게 되며 이러한 현상도의 차이는 도 3에 도시된 바와 같다.At this time, the chuck is rotated to uniformly develop the developing degree, but is ejected from the nozzle 1 having a single injection hole, so as shown in FIG. 2, a greater pressure in the center portion of the wafer W is shown. The developer is injected at an excessive flow rate so that the developability of the central portion and the peripheral portion of the wafer W is different, and the difference in the development degree is as shown in FIG. 3.
그리고 단일의 현상액라인(L)을 통해 웨이퍼(W)의 전역을 현상하기 위해서 비교적 높은 압력(0.8 kg/㎠ 이상)과 큰 유량(약 0.8 l/min)으로 분사되도록 조절되었다.And it was controlled to spray at a relatively high pressure (0.8 kg / ㎠ or more) and a large flow rate (about 0.8 l / min) in order to develop the entire area of the wafer (W) through a single developer line (L).
상기한 바와 같이 종래의 현상액 분사장치는 단일의 분사구를 구비하는 노즐(1)에 의해 분사되어 웨이퍼(W)의 중앙부와 주변부의 현상도가 차이가 나게 되므로, 현상불량이나 선폭균일도(critical dimension uniformity)의 불량을 초래하게 되는 문제점이 있었다.As described above, the conventional developer injector is injected by the nozzle 1 having a single injection hole, so that the developability of the center portion and the peripheral portion of the wafer W is different, so that the development defect or the critical dimension uniformity is different. There was a problem that causes the failure of).
아울러 단일의 현상액라인(L)을 통해 현상액을 공급하므로 상기한 바와 같이 비교적 높은 압력과 큰 유량으로 분사하여야 함에 따라 버블(bubble)이 발생할 위험도 높았다.In addition, since the developer is supplied through a single developer line (L), as described above, a high pressure and a large flow rate must be injected, thereby increasing the risk of bubbles.
따라서, 상기한 바와 같이 문제점을 인식하여 안출된 본 고안의 목적은 웨이퍼의 전역에 고르게 현상액이 분사되도록 하므로써 현상불량 및 선폭균일도 불량을 방지하며, 낮은 압력과 작은 유량으로 현상액을 분사하는 것에 의해 버블이 발생할 위험을 저감시킨 현상액 분사장치를 제공하고자 하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention, which is conceived by recognizing a problem as described above, is to prevent the development defect and the line width uniformity by spraying the developer evenly over the entire wafer, and by spraying the developer at a low pressure and a small flow rate. It is an object of the present invention to provide a developer injector that reduces the risk of this occurrence.
도 1은 종래의 현상액 분사장치의 구성을 개념적으로 보인 구성도.1 is a block diagram conceptually showing the configuration of a conventional developer solution injector.
도 2는 종래의 현상액 분사장치가 웨이퍼의 상측에 현상액을 분사하는 상태를 보인 정면도.2 is a front view showing a state in which a conventional developer injector injects a developer onto an upper side of a wafer;
도 3은 종래의 현상액 분사장치에 의해 처리된 웨이퍼의 각 부분별 현상도를 나타낸 그래프.3 is a graph showing a development diagram for each part of a wafer processed by a conventional developer solution injector.
도 4는 본 고안의 일실시예에 의한 현상액 분사장치를 개념적으로 도시한 구성도.Figure 4 is a block diagram conceptually showing a developer injection device according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 고안의 일실시예에 적용되는 원통형 노즐을 하부에서 본 구조를 보인 저면도.Figure 5 is a bottom view showing a structure seen from the bottom of the cylindrical nozzle applied to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 고안의 일실시예에 적용되는 센싱단위셀의 구조를 개략적으로 보인 구성도.Figure 6 is a schematic view showing the structure of a sensing unit cell applied to an embodiment of the present invention.
도 7은 도 6에 도시된 센싱단위셀이 모여 구성되는 센싱유닛을 상면에서 바라본 것을 개략적으로 보인 평면도.FIG. 7 is a plan view schematically illustrating a sensing unit configured to gather the sensing unit cells illustrated in FIG.
도 8은 본 고안의 현상액 분사장치가 웨이퍼의 상측에 현상액을 분사하는 상태를 보인 정면도.8 is a front view showing a state in which the developer injector of the present invention injects the developer onto the wafer.
도 9는 본 고안의 현상액 분사장치에 의해 처리된 웨이퍼의 각 부분별 현상도를 나타낸 그래프.Figure 9 is a graph showing the development of each part of the wafer processed by the developer injection device of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1 : 노즐2 : 원통형노즐1: nozzle 2: cylindrical nozzle
3 : 분사구4 : 분사단위셀3: injection hole 4: injection unit cell
5 : 센싱단위셀5a : 스프링5: sensing unit cell 5a: spring
5b : 충돌판5c : 게인부5b: collision plate 5c: gain
L,L1,L2,LN : 현상액라인P,P1,P2,PN : 압력조절기L, L1, L2, LN: Developer line P, P1, P2, PN: Pressure regulator
M,M1,M2,MN : 유량조절기S : 센싱유닛M, M1, M2, MN: Flow regulator S: Sensing unit
F : 피드백유닛W : 웨이퍼F: Feedback unit W: Wafer
상기한 바와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 각각의 압력조절기와 유량조절기가 설치되어 있는 다수개의 현상액라인과, 상기 각각의 현상액라인과 연결되어 공급되는 현상액을 분사하는 분사단위셀이 상기 현상액라인과 동수로 하부에 형성되어 있는 원통형노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 현상액 분사장치가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, a plurality of developer lines, each of which is provided with a pressure regulator and a flow regulator, and the injection unit cell for injecting the developer supplied in connection with each developer line is the developer There is provided a developer injection device comprising a cylindrical nozzle formed in a lower portion of the same channel as a line.
또한, 상기한 구성과 아울러, 상기 원통형노즐의 하측에 설치되어 필요시 상기 원통형노즐의 각 분사단위셀로부터 분사되는 현상액의 압력과 유량을 감지하기 위해 원통형노즐의 직하부로 이동되는 센싱유닛과, 상기 센싱유닛으로부터 측정된 값을 전달받아 각각의 현상액라인 상에 있는 압력조절기와 유량조절기를 조절하는 피드백유닛을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 현상액 분사장치가 제공된다.In addition to the above configuration, the sensing unit is installed on the lower side of the cylindrical nozzle and moved to the lower portion of the cylindrical nozzle to detect the pressure and flow rate of the developer is injected from each injection unit cell of the cylindrical nozzle, if necessary, and Provided is a developer injection device comprising a feedback unit for adjusting the pressure regulator and the flow regulator on each developer line by receiving the measured value from the sensing unit.
또한, 상기 원통형노즐의 각각의 분사단위셀은 상기 각각의 현상액라인이 원통형노즐의 내부에서 두개 이상으로 분지되어 각각 연결되는 두개 이상의 분사구를 구비하여 형성되는 것을 특징으로 하는 현상액 분사장치가 제공된다.In addition, each of the injection unit cells of the cylindrical nozzle is provided with a developer injection device, characterized in that each of the developer line is formed with two or more injection holes connected to each other branched into two or more inside the cylindrical nozzle.
이하, 첨부도면에 도시한 본 고안의 일실시예에 의거하여 본 고안을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an embodiment of the present invention shown in the accompanying drawings.
도 4는 본 고안의 일실시예에 의한 현상액 분사장치를 개념적으로 도시한 구성도인 바, 이에 도시된 바와 같이, 본 고안의 현상액 분사장치는 각각의 유량조절기(M1,M2,MN)와 압력조절기(P1,P2,PN)가 설치되는 다수개의 현상액라인(L1,L2,LN)이 원통형노즐(2)로 현상액을 공급하는 구조로 된다.4 is a block diagram conceptually showing a developer injector according to an embodiment of the present invention, as shown in the drawing, the developer injector of the present invention has a respective flow regulator (M1, M2, MN) and pressure; A plurality of developer lines (L1, L2, LN) in which the regulators (P1, P2, PN) are installed is configured to supply the developer to the cylindrical nozzle (2).
상기 원통형노즐(2)을 하부에서 본 구조를 보인 저면도인 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 원통형노즐(2)은 다수의 분사구(3)로 형성되는 다수의 분사단위셀(4)로 구성된다.As shown in FIG. 5, which is a bottom view showing the structure of the cylindrical nozzle 2 from below, the cylindrical nozzle 2 includes a plurality of injection unit cells 4 formed of a plurality of injection holes 3. do.
상기 각각의 분사단위셀(4)은 각각의 현상액라인(L1,L2,LN)과 일대일로 연결되어 분사단위셀(4) 내의 분사구(3)를 통해 현상액을 분사하게 된다.Each of the injection unit cells 4 is connected one-to-one with each of the developer lines L1, L2, and LN to inject the developer through the injection hole 3 in the injection unit cell 4.
달리말하면 하나의 현상액라인(L1,L2,LN)은 하나의 분사단위셀(4) 내의 분사구(3)를 통해 현상액을 방출하게 되는 것이다.In other words, one developer line (L1, L2, LN) is to discharge the developer through the injection port 3 in one injection unit cell (4).
이때, 하나의 현상액라인(L1,L2,LN)으로 부터 공급되는 현상액을 하나의 분사구(3)를 통해서만 분사하게 하는 것도 가능하겠으나, 상기 각각의 현상액라인(L1,L2,LN)이 상기 원통형노즐(2)의 내부에서 분지되고 그 분지된 라인이 각각의 하나의 분사단위셀(4)을 형성하는 두개 이상의 분사구(3)와 연결되어, 도 5에 도시된 바와 같은 다수의 분사구(3)를 통해 분사하도록 형성되는 것이 바람직하다.In this case, the developer supplied from one developer line (L1, L2, LN) may be sprayed only through one injection hole (3), but each developer line (L1, L2, LN) is the cylindrical nozzle. Branched inside of (2) and the branched line is connected with two or more injection holes 3 forming each one injection unit cell 4, so that a plurality of injection holes 3 as shown in FIG. It is preferably formed to spray through.
상기한 바와 같은 구성외에도 보다 정밀하고 자동적으로 분사단위셀(4)내의 분사구(3)를 통해 분사되는 현상액의 압력과 유량을 조절하기 위해 도 4에 도시된 바와같이 센싱유닛(S)과 피드백유닛(F)을 설치하는 것이 바람직하다.In addition to the above-described configuration, the sensing unit S and the feedback unit as shown in FIG. 4 to more precisely and automatically adjust the pressure and flow rate of the developer injected through the injection hole 3 in the injection unit cell 4. It is preferable to provide (F).
이때, 상기 센싱유닛(S)은 상기 원통형노즐(2)의 각각의 분사단위셀(4)을 통해 분사되는 현상액이 가하는 압력을 일대일로 대응하여 측정하는, 분사단위셀(4)과 같은 개수의 센싱단위셀(5)로 구성되는데, 도 6은 이러한 센싱단위셀(5)을 개략적으로 보인 구성도이고, 도 7은 센싱단위셀(5)이 모여 구성되는 센싱유닛(S)을 상면에서 바라본 것을 개략적으로 보인 평면도이다.In this case, the sensing unit S measures the pressure applied by the developer injected through each injection unit cell 4 of the cylindrical nozzle 2 in a one-to-one correspondence, and has the same number as the injection unit cells 4. 6 is a schematic view illustrating the sensing unit cell 5, and FIG. 7 illustrates the sensing unit S in which the sensing unit cells 5 are collected. This is a plan view schematically shown.
이에 도시한 바와 같이 상기 각각의 센싱단위셀(5)은 일측이 스프링(5a)에 연결되고 분사단위셀(4)에서 분사되는 현상액과 충돌하여 하강하는 충돌판(5b)과, 상기 충돌판(5b)의 하강에 의해 발생되는 상기 스프링(5a)의 변화량을 전달받아 물리량으로 변화시켜 상기 피드백유닛(F)으로 전달하는 게인(gain)부(5c)로 구성된다.As shown in the drawing, each of the sensing unit cells 5 has one side connected to the spring 5a and colliding with the developer injected from the injection unit cell 4 to descend, and the collision plate 5b. It is composed of a gain unit (5c) receives the change amount of the spring (5a) generated by the lowering of 5b) to be converted into a physical quantity to be delivered to the feedback unit (F).
상기 피드백유닛(F)은 상기 각각의 센싱단위셀(5)로 부터 전달받은 물리량을 내부의 마이콤(미도시)에 의해 판단하여 각각의 센싱단위셀(5)에 대응되는 분사단위셀(4)과 연결된 압력조절기(P1,P2,PN)와, 유량조절기(M1,M2,MN)를 제어하여 적정 압력과 유량으로 조절하게 된다.The feedback unit F determines the physical quantity received from each sensing unit cell 5 by an internal microcomputer (not shown), and thus the injection unit cell 4 corresponding to each sensing unit cell 5. Pressure regulators (P1, P2, PN) and flow regulators (M1, M2, MN) connected to the control is adjusted to the appropriate pressure and flow rate.
상기 센싱유닛(S)은 상기 원통형노즐(2)의 하측으로 그리고 웨이퍼(W)가 고정될 척크의 상측에 설치되는데, 센싱을 하기 위해 필요한 경우에만 원통형노즐(2)의 직하부에 위치하고 현상공정을 진행하는 동안에는 분사되는 현상액과 접촉되지 않도록 위치하게 된다.The sensing unit S is installed below the cylindrical nozzle 2 and above the chuck to which the wafer W is to be fixed. The sensing unit S is positioned directly below the cylindrical nozzle 2 only when necessary for sensing. During the process, it is positioned so as not to come into contact with the developer to be injected.
상기 원통형노즐(2)의 직경은 처리되는 웨이퍼(W)의 직경보다 약간 크도록 형성되는 것이 바람직하다.The diameter of the cylindrical nozzle 2 is preferably formed to be slightly larger than the diameter of the wafer (W) to be processed.
상기한 바와 같은 구성으로 되는 본 고안의 현상액 분사장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the developer injection device of the present invention having the configuration as described above are as follows.
각각의 현상액라인(L1,L2,LN) 상의 압력조절기(P1,P2,PN)와 유량조절기(M1,M2,MN)를 적당한 초기치로 설정한 후 웨이퍼(W)에 현상액을 분사하기에 앞서 상기 센싱유닛(S)을 상기 원통형노즐(2)의 직하부에 위치시켜 현상액을 분사하게 된다.Set the pressure regulators P1, P2, PN and the flow regulators M1, M2, MN on each developer line L1, L2, LN to appropriate initial values, and then, before spraying the developer onto the wafer W. The sensing unit (S) is located directly under the cylindrical nozzle (2) to spray the developer.
이때, 초기의 불안정한 상태를 지나 분사되는 유량이 일정하게 되면 상기 센싱유닛(S)의 센싱단위셀(5)이 작동하게 되고 센싱단위셀(5)의 게인부(5c)에서 상기 피드백유닛(F)으로 신호를 전달하게 된다.At this time, when the flow rate injected through the initial unstable state becomes constant, the sensing unit cell 5 of the sensing unit S is activated, and the feedback unit F in the gain unit 5c of the sensing unit cell 5. Signal).
상기 피드백유닛(F)은 각각의 센싱단위셀(5)의 게인부(5c)로 부터 전달받은 이러한 신호에 의해 센싱단위셀(5)에 대응하는 분사단위셀(4)과 연결된 현상액라인 상의 압력조절기와 유량조절기를 제어하여 적정한 압력과 유량이 되도록 조정하게 된다.The feedback unit (F) is the pressure on the developer line connected to the injection unit cell (4) corresponding to the sensing unit cell (5) by this signal received from the gain (5c) of each sensing unit cell (5) The controller and flow controller are controlled to adjust the pressure and flow rate.
이러한 과정에 의해 각 분사단위셀(4)이 적정한 유량과 압력으로 현상액을 분사하고 있다고 판단되면 현상액의 분사를 중지시키고 상기 센싱유닛(S)을 분사되는 현상액과 접촉하지 않는 위치로 이동시킨 후 웨이퍼(W) 현상작업을 개시하게 된다.If it is determined by each process that each of the injection unit cells 4 is injecting the developer at an appropriate flow rate and pressure, the injection of the developer is stopped and the sensing unit S is moved to a position not in contact with the injected developer, and then the wafer (W) The development work starts.
상기 센싱유닛(S)과 피드백유닛(F)에 의한 압력 및 유량 조정작업은 필요하다고 판단되는 경우 스위치(미도시) 등의 작동에 의해 이루어지게 된다.Pressure and flow rate adjustment work by the sensing unit (S) and the feedback unit (F) is made by the operation of a switch (not shown), if it is determined necessary.
도 8은 본 고안의 현상액 분사장치가 웨이퍼(W) 상측에 현상액을 분사하는 상태를 보인 정면도이고, 도 9는 본 고안의 현상액 분사장치에 의해 처리된 웨이퍼(W)의 각 부분별 현상도를 나타낸 그래프이다.8 is a front view showing a state in which the developer injector of the present invention injects a developer onto the wafer W, and FIG. 9 is a development diagram of each part of the wafer W processed by the developer injector of the present invention. The graph shown.
이에 도시된 바와 같이, 본 고안의 현상액 분사장치는 웨이퍼(W)의 전역에 걸쳐 고르게 현상액을 분사하며, 이에 따라 현상도가 웨이퍼(W)의 전영역에 걸쳐 균일함을 볼 수 있다.As shown in the drawing, the developer injector of the present invention injects the developer evenly over the entire area of the wafer (W), whereby the development degree is uniform throughout the entire area of the wafer (W).
상기한 바와 같은 구성으로 되는 본 고안의 현상액 분사장치는 웨이퍼의 전역에 걸쳐 고르게 현상액을 분사하는 것이 가능하며, 웨이퍼에서 국부적으로 발생될 수 있는 현상도의 차를 자동조절할 수 있으므로 현상불량이나 선폭균일도의 불량을 방지하는 것이 가능하다.The developer injector of the present invention having the configuration as described above can spray the developer evenly over the entire wafer, and can automatically adjust the difference in the degree of development that can be locally generated on the wafer, resulting in poor development or line width uniformity. It is possible to prevent the failure of.
또한, 다수의 현상액라인에 의해 현상액을 공급하므로써 저압과 저유량으로 분사되도록 하는 것으로 충분하여 버블이 발생할 위험이 저감된다.In addition, by supplying the developer by a plurality of developer lines, it is sufficient to be injected at low pressure and low flow rate, thereby reducing the risk of bubbles.
Claims (4)
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| KR (1) | KR19980050647U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100530752B1 (en) * | 1997-12-29 | 2006-01-27 | 삼성테크윈 주식회사 | Device for development in line type dry photoresist |
-
1996
- 1996-12-30 KR KR2019960063821U patent/KR19980050647U/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100530752B1 (en) * | 1997-12-29 | 2006-01-27 | 삼성테크윈 주식회사 | Device for development in line type dry photoresist |
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