KR19980050037A - 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트에 관한 것으로, 종래 기술에 의한 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트은 가장자리가 중앙부보다 훨씬 맣은 원자를 방출하게 되어 그 타겟트의 중앙부가 다 소모되기 전에 가장자리가 소모되게 되어 상기 타겟트를 조기에 폐기시켜야 되므로 상기 반도체 제조 재료의 낭비를 초래하게 되었고, 또 상기 타겟트의 후면부에 설치된 전자석에 의하여 발생되는 자기장이 두께가 얇아진 그 타겟트의 가장자리 부분에 크게 작용하게 되어 그 가장자리 부분에 플라즈마의 밀도가 높아지게 됨과 아울러 많은 양의 원자를 방출하게 되어 상기 반도체 웨이퍼의 증착막의 균일도가 저하되게 되는 문제점을 초래하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트(11,12)는 아래 도면에 도시된 바와 같이 모재의 외주면을 따라 경사면을 갖는 돌출부(11b)나 둔턱진 돌출부(21b)를 형성하므로써, 스퍼터링을 하게 되면 상기 타겟트의 중심부와 가장자리가 일정한 높이를 갖는 상태에서 폐기할 수 있게 되어 재료를 절감할 수 있게 되고, 또 상기 타겟트의 중심부가 가장자리보다 두께가 얇아 그 타겟트의 후면부에 설치된 전자석에 의하여 발생되는 자기장이 크게 작용하게 되어 상기 타겟트의 중심부에서 플라즈마의 밀도가 높아지게 됨과 아울러 그 중심부에서 많은 양의 원자를 방출하게 되어 상기 반도체 웨이퍼의 증착막의 균일도가 향상되게 되는 효과가 있다.

Description

반도체 제조용 스퍼터링 타겟트

본 발명은 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트에 관한 것으로, 특히 중심부와 가장자리의 두께를 달리하여 반도체 제조시에 균형적인 스퍼터링을 함과 아울러 반도체 웨이퍼에 균일한 증착막을 형성할 수 있게 한 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트에 관한 것이다.

일반적으로, 스퍼터링(Sputtering)이란 반도체 웨이퍼상에 금속 증착막을 형성하는 하나의 방법으로서, 진공된 챔버내에 설치된 두개의 전극에 직류전압을 가하고 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스를 주입하게 되면, 그 불활성 가스가 이온화 되어 즉, 플라즈마로 변환되어 음극에 설치되어 있는 알류미늄(Al) 금속으로 형성된 타겟트와 충돌하고, 그 충돌로 인하여 상기 타겟트의 원자가 방출되게 되며, 상기 방출된 원자는 양극에 설치되어 있는 반도체 웨이퍼에 증착되게 되는 것이다.

상기와 같은 타겟트(1)는 도 1a에 도시된 바와 같이 알류미늄 재질로 일정한 높이와 직경을 갖은 원형으로 형성되어 있고, 가장자리에는 상기 챔버(미도시)내에 설치된 음극인 마운터(미도시)에 고정할 수 있는 고정부(1a)가 형성되어 있다.

그러나, 상기와 같이 형성되 타겟트는 스퍼터링을 하게 되면 상기 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 타겟트의 가장자리가 중앙부보다 훨씬 많은 원자를 방출하게 되어 그 타겟트이 중앙부가 다 소모되기 전에 가장자리가 소모되게 상기 타겟트를 조기에 폐기시켜야 되므로 상기 반도체 제조 재료의 낭비를 초래하게 되었고, 또 상기 타겟트의 후면부에 설치된 전자석에 의하여 발생되는 자기장이 두께가 얇아진 그 타겟트의 가장자리 부분에 크게 작용하게 되어 그 가장자리 부분에 플라즈마의 밀도가 높아지게 됨과 아울러 많은 양의 원자를 방출하게 되어 상기 반도체 웨이퍼의 증착막의 균일도가 저하되게 되는 문제점을 초래하였다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하여 반도체 제조 재료의 낭비를 방지함과 아울러 상기 반도체 웨이퍼에 균일한 증착막을 형성할 수 있는 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트를 제공함에 있다.

도 1a는 종래 기술에 의한 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트의 구조를 보인 측면도.

도 1b는 종래 기술에 의한 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트의 사용 종료된 구조를 보인 측면도.

도 2a는 본 발명에 의한 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트의 구조를 보인 측면도.

도 2b는 본 발명에 의한 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트의 사용 종료된 종단구조를 보인 단면도.

도 3a는 본 발명에 의한 반도체 제조용 다른 스퍼터링 타겟트의 구조를 보인 측면도.

도 3b는 본 발명에 의한 반도체 제조용 다른 스퍼터링 타셋트의 사용 종료된 종단 구조를 보인 단면도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

11,21 : 스퍼터링 타겟트, 11a,21a : 고정부, 11b,21b : 돌출부

본 발명의 목적은 마운터에 고정할 수 있는 고정부를 갖고 스퍼터링 후에 중심부와 가장자리가 일정한 두께를 형성할 수 있도록 상기 가장자리에 돌출부가 형성된 원형의 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트에 의하여 달성된다.

다음은, 본 발명에 의한 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.

도 2a는 본 발명에 의한 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트의 구조를 보인 측면도이고, 도2b는 본 발명에 의한 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트의 사용 종료된 종단구조를 보인 단면도이며, 또 도 3a는 본 발명에 의한 반도체 제조용 다른 스퍼터링 타겟트의 구조를 보인 측면도이고, 도 3b는 본 발명에 의한 반도체 제조용 다른 스퍼터링 타겟트의 사용 종료된 종단구조를 보인 단면도이다.

제 1 실시예

상기 도 2a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트(11)는 스퍼터링시에 음의 전극이 연결되어 있은 마운터(미도시)에 고정할 수 있도록 소정의 직경을 갖은 원형의 고정부(11a)가 있는 모재가 형성되어 있고, 그 모재의 내측의 소정의 위치가 상기 모재의 외주면을 따라 경사면을 갖는 돌출부(11b)가 형성되어 있다.

상기와 같이 형성된 스퍼터링 타겟트(11)는 상기 마운터에 고정부를 고정하여 스퍼터링을 하게 되면, 경사면을 갖는 상기 돌출부(11b)에서 많은 원자를 발출하게 되어 최종적으로는 상기 도 2b에 도시된 바와 같이 중심부와 가장자리가 일정한 두께를 형성하게 된다.

실시예 2

상기 도 3a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 제조용 다른 스퍼터링 타겟트(21)는 스퍼터링시에 음의 전극이 연결되어 있는 마운터에 고정할 수 있도록 소정의 직경을 갖는 원형의 고정부(21a)가 있은 모재가 형성되어 있고, 그 모재의 내측의 소정의 위치가 상기 모재의 외주면을 따라 둔턱진 돌출부(21b)가 형성되어 있다.

상기와 같이 형성된 스퍼터링 타겟트(21)는 상기 마운터에 고정부(21a)를 고정하여 스퍼터링을 하게 되면, 둔턱진 상기 돌출부(21b)에서 많은 원자를 방출하게 되어 최종적으로는 상기 도 3b에 도시된 바와 같이 중심부와 가장자리가 일정한 두께를 형성하게 된다.

상기와 같이 모재의 외주면을 따라 경사면을 갖는 돌출부나 둔턱진 돌출부를 형성하므로써, 스퍼터링을 하게 되면 상기 타겟트의 중심부와 가장자리가 일정한 높이를 갖는 상태에서 폐기할 수 있게 되어 재료를 절감할 수 있게 되고, 또 상기 타겟트이 중심부가 가장자리보다 두께가 얇아 그 타겟트의 후면부에 설치된 전자석에 의하여 발생되는 자기장이 크게 작용하게 되어 상기 타겟트의 중심부에서 플라즈마의 밀도가 높아지게 됨과 아울러 그 중심부에서 많은 양의 원자를 방출하게 되어 상기 반도체 웨이퍼의 증착막의 균일도가 향상되게 되는 효과가 있다.

Claims (3)

1. 마운터에 고정할 수 있는 고정부를 갖고 스퍼터링 후에 중심부와 가장자리가 일정한 두께를 형성할 수 있도록 상기 가장자리에 돌출부가 형성된 원형의 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트.
2. 제 1항에 있어서, 상기 돌출부는 경사면을 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트.
3. 제 1항에 있어서, 상기 돌출부는 둔턱진 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트.