KR19980034139A - Wafer, die-bonding tape and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 웨이퍼·다이 접착용 테이프 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 링의 하부면에 부착되는 테이프의 부분이 웨이퍼 링에 접착 및 탈착이 용이한 아크릴 폴리머(Acrylic Polymer) 성분의 점착제(粘着劑)이기 때문에 다이 본딩 공정이 끝난 후에 웨이퍼 링에서 테이프를 제거한 후에 별도로 웨이퍼 링을 크리닝하는 공정이 필요 없는 장점이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tape for wafer die bonding and a method of manufacturing the same, wherein an adhesive of an acrylic polymer component is easily attached to and detached from a wafer ring. Iii) there is no need to remove the tape from the wafer ring after the die bonding process and then clean the wafer ring separately.
Description
본 발명은 웨이퍼·다이 접착용 테이프에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 링에 테이프의 점착제가 묻어 오염되는 것을 방지하기 위하여 웨이퍼 링과 접촉되는 테이프의 부분이 웨이퍼 링에서 접착 및 탈착이 용이한 성분의 점착제로 된 웨이퍼·다이 접착용 테이프 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a tape for wafer-die bonding, and more particularly, a component in which a portion of the tape contacted with the wafer ring is easily adhered to and detached from the wafer ring in order to prevent contamination of the tape with the adhesive on the wafer ring. It relates to a wafer die-bonding tape made of an adhesive of the present invention and a manufacturing method thereof.
반도체 조립 공정에 있어서, 웨이퍼에서 분리된 반도체 칩을 리드 프레임의 다이 패드에 부착시키는 다이 접착(Die Bonding) 공정에 있어서, 통상적으로 은-에폭시(Ag-Epoxy) 접착제가 주로 사용된다.In the semiconductor assembly process, a silver-epoxy adhesive is mainly used in the die bonding process in which the semiconductor chip separated from the wafer is attached to the die pad of the lead frame.
은-에폭시 접착제는 별도의 도포 장치를 이용하여 다이 패드에 연속적인 도포가 가능하기 때문에 생산성은 높으나, 은-에폭시 접착제를 도포하는 과정에서 도포 장치에서 접착제를 잘못 도포하거나, 접착제의 점도에 따라서 접착제 내에 보이드(void)가 발생되는 문제점이 있다.The silver-epoxy adhesive has high productivity because it can be applied continuously to the die pad by using a separate coating device, but in the process of applying the silver-epoxy adhesive, the adhesive is applied incorrectly in the coating device, or the adhesive is applied depending on the viscosity of the adhesive. There is a problem that voids occur within.
상기한 문제점은 반도체 칩이 다이 접착되고, 패키징(Packing)이 완료된 후에 신뢰성 테스트, 예를 들면 번-인 테스트(Burn-In Test)에서 접착제 층에서 박리에 의한 크랙(Creak)이 발생되는 문제점이 있다.The problem is that the cracks due to peeling from the adhesive layer are generated in the reliability test, for example, the burn-in test, after the semiconductor chip is die bonded and the packaging is completed. have.
따라서, 이를 해결하기 위해 최근에는 다이 접착제를 은-에폭시 접착제 대신에 웨이퍼 접착 테이프의 점착제를 이용하여 상기한 문제점을 해결하고자 하는 방법이 새로이 검토되고 있다.Therefore, in order to solve this problem, a method of solving the above-mentioned problems by using a pressure-sensitive adhesive of a wafer adhesive tape instead of a silver-epoxy adhesive has recently been studied.
좀더 상세히 설명하면, 웨이퍼 밑면에 접착된 웨이퍼 접착 테이프가 웨이퍼 절단 공정에서는 웨이퍼를 고정하게 되며, 웨이퍼 절단 공정 이후에는 반도체 칩이 접착 테이프에서 분리될 때 반도체 칩과 접착 테이프의 점착제 층이 함께 분리되어 바로 리드 프레임의 다이 패드에 부착됨으로써, 종래의 은-에폭시 접착제의 역할을 대신하게 된다.More specifically, the wafer adhesive tape adhered to the bottom of the wafer fixes the wafer in the wafer cutting process, and after the wafer cutting process, when the semiconductor chip is separated from the adhesive tape, the adhesive layers of the semiconductor chip and the adhesive tape are separated together. By attaching directly to the die pad of the lead frame, it replaces the role of conventional silver-epoxy adhesives.
그래서, 상기한 접착 테이프는 웨이퍼 및 다이 접착용으로 사용되기 때문에, 이하 웨이퍼·다이 접착용 테이프라 한다.Therefore, since the above-mentioned adhesive tape is used for wafer and die bonding, it is hereinafter called wafer-die bonding tape.
도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼·다이 접착용 테이프에 웨이퍼 링 및 웨이퍼가 부착되는 상태를 나타내는 분리 사시도이다.1 is an exploded perspective view showing a state in which a wafer ring and a wafer are attached to a wafer die attach tape according to the prior art.
도 2는 도 1의 단면도로써, 웨이퍼에서 반도체 칩이 분리되는 상태를 나타내는 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of FIG. 1, illustrating a state in which a semiconductor chip is separated from a wafer.
도 3은 종래 기술에 따른 웨이퍼·다이 접착용 테이프를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a wafer die-bonding tape according to the prior art.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 웨이퍼·다이 접착용 테이프(30)를 이용하여 웨이퍼 링(20)의 개구부(25)에 웨이퍼(10)가 부착된 구조를 도시하고 있다.Referring to FIG. 1, the structure in which the wafer 10 is attached to the opening 25 of the wafer ring 20 using the wafer-die adhesive tape 30 according to the prior art is shown.
좀더 상세히 설명하면, 웨이퍼 링(20)에는 웨이퍼(10)가 삽입될 수 있는 개구부(25)가 중간에 형성되어 있다.More specifically, the wafer ring 20 has an opening 25 into which the wafer 10 can be inserted.
그리고, 테이프(30)는 웨이퍼 링(20) 하부면의 개구부(25) 주변에 부착되어 있으며, 테이프(30)가 부착된 면에 반대되는 웨이퍼 링(20)의 상부면의 개구부(25)를 통해서 웨이퍼(10)의 회로 소자가 형성된 면의 반대면이 테이프(30)에 부착된 구조를 갖는다.The tape 30 is attached to the periphery of the opening 25 of the lower surface of the wafer ring 20, and the opening 25 of the upper surface of the wafer ring 20 opposite to the surface to which the tape 30 is attached is attached. The opposite side of the surface on which the circuit elements of the wafer 10 are formed is attached to the tape 30 through the tape 10.
도 2 및 도 3을 참조하면, 웨이퍼(10)가 부착된 테이프(30)는 웨이퍼(10)의 하부면이 부착되어 있는 점착제 층(31)과 그 점착제 층(31)을 지지하는 베이스 필름(33, Base Film)으로 되어 있다.2 and 3, the tape 30 to which the wafer 10 is attached includes a pressure-sensitive adhesive layer 31 having a lower surface of the wafer 10 attached thereto, and a base film supporting the pressure-sensitive adhesive layer 31. 33, Base Film).
웨이퍼·다이 접착용 테이프(30)에 대하여 좀더 상세히 설명하면, 웨이퍼 링(20)에 부착되기 전에 테이프(30)는 릴리스 필름(35, Release Film), 점착제 층(31) 및 베이스 필름(33)의 3층으로 이루어져 있다.In more detail with respect to the wafer-die adhesive tape 30, the tape 30 is a release film 35, an adhesive layer 31, and a base film 33 before being attached to the wafer ring 20. It consists of three floors.
여기서, 릴리스 필름(35)은 웨이퍼(10) 접착 공정이 이루어지기 전 까지 점착제 층(31)을 보호하기 위해 점착제 층(31) 위에 형성되어 있으며, 성분은 폴리에스테르(polyester)이다.Here, the release film 35 is formed on the pressure-sensitive adhesive layer 31 to protect the pressure-sensitive adhesive layer 31 until the wafer 10 bonding process is performed, and the component is polyester.
따라서, 웨이퍼(10)를 접착시키는 공정을 진행하기 위하여 점착제 층(31) 상면의 릴리스 필름(35)은 제거된다.Therefore, in order to proceed with the process of adhering the wafer 10, the release film 35 on the upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer 31 is removed.
베이스 필름(33)은 웨이퍼(10)가 점착제 층(31)에 접착된 상태에서 점착제 층(31)을 지지하는 역할을 하게 하며, 성분은 폴리오레핀(Polyolefin)이다.The base film 33 serves to support the adhesive layer 31 in the state in which the wafer 10 is attached to the adhesive layer 31, and the component is polyolefin.
여기서, 테이프(30)에 부착된 웨이퍼(10)에서 반도체 칩(12)이 분리되는 과정을 설명하면, 웨이퍼(10)가 부착된 웨이퍼 링(20)은 다이 절단 장치로 옴겨져 웨이퍼(10)에 형성된 회로 소자들(12)을 구분하는 절단 선(Scribe Line)을 따라서 절단되어 각각의 반도체 칩(12)으로 분리된다.Herein, a process of separating the semiconductor chip 12 from the wafer 10 attached to the tape 30 will be described. The wafer ring 20 to which the wafer 10 is attached is cut off by a die cutting device and the wafer 10 Each of the semiconductor chips 12 is cut along a cutting line that divides the circuit elements 12 formed in the semiconductor chip 12.
분리된 각각의 반도체 칩(12)을 테이프(30)에서 분리시키기 위하여 자외선을 조사(照射)하게 된다.Ultraviolet rays are irradiated to separate the separated semiconductor chips 12 from the tape 30.
자외선을 조사하게 되면 테이프(30)의 점착제 층(31)과 베이스 필름(33) 사이의 접착력이 약화된다.When the ultraviolet rays are irradiated, the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer 31 of the tape 30 and the base film 33 is weakened.
좀더 상세히 설명하면, 점착제(31)의 성분은 떠모세팅 레진(Thermosetting Resin), 유브이 큐러블 레진(UV Curable Resin)및 아크릴 폴리머(Acrylic Polymer)로 이루어져 있다.In more detail, the pressure-sensitive adhesive 31 is composed of thermosetting resin, UV curable resin, and acrylic polymer.
상기한 베이스 필름(33)의 후면에 자외선을 조사(照射)하게 되면 자외선과 유브이 큐러블 레진이 화학적 반응을 일으켜 웨이퍼 접착용 점착제(31)의 베이스 필름(33)에 대한 접착성이 약화되어 베이스 필름(33)에서 웨이퍼 접착용 점착제(31)의 분리가 용이해 진다.When the ultraviolet rays are irradiated on the back surface of the base film 33, the ultraviolet rays and the UV curable resin react with each other to cause a chemical reaction, thereby weakening the adhesiveness of the wafer adhesive pressure sensitive adhesive 31 to the base film 33. Separation of the wafer adhesive pressure sensitive adhesive 31 from the film 33 becomes easy.
따라서, 칩 이송기(40)에 의해 반도체 칩(12)이 테이프(30)에서 분리될 때, 반도체 칩(12) 하부면의 점착제(31)가 붙어 동시에 베이스 필름(33)에서 분리된다.Therefore, when the semiconductor chip 12 is separated from the tape 30 by the chip feeder 40, the adhesive 31 of the lower surface of the semiconductor chip 12 adheres and is separated from the base film 33 at the same time.
그리고, 점착제(31)가 하부에 붙은 반도체 칩(12)은 바로 리드 프레임의 다이 패드에 다이 접착된다.The semiconductor chip 12 having the adhesive 31 attached to the lower portion is directly die bonded to the die pad of the lead frame.
이와 같이 웨이퍼 링에 부착된 웨이퍼에서 반도체 칩들이 분리되어 바로 다이 접착 공정이 이루어지기 때문에 공정이 간소화되며, 별도의 접착제를 도포하기 위한 장비가 필요 없기 때문에 제조 원가 절감의 효과가 있으며, 종래의 장비를 그대로 사용할 수 있는 장점이 있다.As the die bonding process is performed by separating the semiconductor chips from the wafer attached to the wafer ring as described above, the process is simplified and there is no need for a device for applying a separate adhesive, thereby reducing the manufacturing cost. There is an advantage that can be used as is.
그러나, 다이 접착이 완료된 웨이퍼 링에서 테이프를 불리 시킬 때 테이프의 점착제가 웨이퍼 링에 묻어 있기 때문에, 다이 접착 공정이 완료된 후에 웨이퍼 링에서 점착제를 제거하는 크리닝 공정이 추가되어야 하는 단점을 가지고 있다.However, since the adhesive of the tape is buried in the wafer ring when the tape is called in the wafer ring where the die bonding is completed, there is a disadvantage that a cleaning process for removing the adhesive from the wafer ring after the die bonding process is completed must be added.
따라서, 본 발명의 목적은 테이프 제조 공정을 변경하여 웨이퍼 링에 점착제가 묻지 않는 웨이퍼·다이 접착용 테이프를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a tape for attaching a wafer and a die, in which the adhesive is not attached to the wafer ring by changing the tape manufacturing process.
도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼·다이 접착용 테이프에 웨이퍼 링 및 웨이퍼가 부착되는 상태를 나타내는 분리 사시도.1 is an exploded perspective view showing a state in which a wafer ring and a wafer are attached to a wafer die attach tape according to the prior art;
도 2는 도 1의 단면도로써, 웨이퍼에서 반도체 칩이 분리되는 상태를 나타내는 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view of FIG. 1 showing a state in which a semiconductor chip is separated from a wafer.
도 3은 종래 기술에 따른 웨이퍼·다이 접착용 테이프를 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view showing a wafer die bonding tape according to the prior art.
도 4 내지 도 9는 본 발명에 따른 웨이퍼·다이 접착용 테이프의 제조 공정을 나타내는 평면도 및 단면도.4-9 is a plan view and sectional drawing which shows the manufacturing process of the tape for wafer-die bonding which concerns on this invention.
도 10은 본 발명에 따른 웨이퍼·다이 접착용 테이프에 웨이퍼 링 및 웨이퍼가 부착된 상태를 나타내는 단면도로써, 웨이퍼에서 반도체 칩이 분리되는 상태를 나타내는 단면도.Fig. 10 is a cross sectional view showing a state in which a wafer ring and a wafer are attached to a wafer die-bonding tape according to the present invention, and a cross sectional view showing a state in which a semiconductor chip is separated from a wafer.
*도면의 주요 부분에 대한 설명** Description of the main parts of the drawings *
10, 110 : 웨이퍼(wafer) 20, 120 : 웨이퍼 링(wafer ring)10, 110: wafer 20, 120: wafer ring
30, 130 : 접착 테이프 31, 131, 132 : 점착제(粘着劑)30, 130: adhesive tape 31, 131, 132: pressure-sensitive adhesive
33, 133, 137 : 베이스 필름(base film)33, 133, 137: base film
35, 135 : 릴리스 필름(release film) 40, 140 : 칩 이송기35, 135 release film 40, 140 chip feeder
상기 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼 링의 개구부 주변에 접착되는 웨이퍼·다이 접착용 테이프의 부분이 웨이퍼 링에 접착 및 탈착이 용이한 통상적인 웨이퍼 접착용 테이프에 사용되는 점착제 층으로 형성된 웨이퍼·다이 접착용 테이프 및 그의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, a portion of a wafer / die bonding tape adhered to the periphery of the opening of the wafer ring is formed of a wafer-die bonding formed of an adhesive layer used for a conventional wafer-adhesive tape that is easily adhered and detached from the wafer ring. A tape for use and a method for producing the same are provided.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 4 내지 도 9는 본 발명에 따른 웨이퍼·다이 접착용 테이프의 제조 공정을 나타내는 평면도 및 단면도이다.4-9 is a top view and sectional drawing which shows the manufacturing process of the tape for wafer-die bonding which concerns on this invention.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼·다이 접착용 테이프의 제조 공정은 릴리스 필름(135), 점착제 층(132) 및 베이스 필름(137)의 3층으로 이루어진 테이프가 구비된 상태에서, 웨이퍼 링과 접촉되는 부분을 제외하고 점착제 층(132) 및 베이스 필름(137)을 절단하게 된다.4 and 5, the manufacturing process of the wafer-die adhesive tape according to the present invention is provided with a tape consisting of three layers of a release film 135, pressure-sensitive adhesive layer 132 and the base film 137 In, the pressure-sensitive adhesive layer 132 and the base film 137 are cut except for the portion in contact with the wafer ring.
여기서, 통상적인 웨이퍼 링에 형성된 개구부가 원형을 가지고 있기 때문에 웨이퍼 링에 부착되는 테이프의 부분은 도너스 형상을 하고 있다.Here, since the opening formed in the conventional wafer ring has a circular shape, the portion of the tape attached to the wafer ring has a donor shape.
따라서, 릴리스 필름(135) 상부면에 남아 있게 되는 점착제 층(132) 및 베이스 필름(137)은 도너스 모양을 하고 있으며, 웨이퍼 링에 부착될 부분이기 때문에 웨이퍼 링 접착용 테이프 층(136)이라 하자.Therefore, the adhesive layer 132 and the base film 137 remaining on the upper surface of the release film 135 have a donor shape and are referred to as a wafer ring adhesive tape layer 136 because they are portions to be attached to the wafer ring. .
상기한 점착제 층(132)은 웨이퍼 링에 부착 및 탈착이 용이한 통상적인 테이프의 점착제(132) 성분인 아크릴 폴리머(Acrylic Polymer)가 사용되며, 릴리스 필름(135)의 성분은 폴리에스테르(Polyester)이다.The adhesive layer 132 is an acrylic polymer, which is an adhesive 132 component of a conventional tape, which is easily attached to and detached from a wafer ring. The component of the release film 135 is made of polyester. to be.
후술될 웨이퍼 접착용 점착제 층과의 구분을 위해 상기한 점착제 층(132)을 웨이퍼 링 접착용 점착제 층(132)이라 한다.The pressure-sensitive adhesive layer 132 is referred to as a wafer ring adhesive layer 132 in order to distinguish it from the pressure-sensitive adhesive layer to be described later.
그리고, 도 6 및 도 7을 참조하면, 도 4의 도너스 모양으로 형성된 웨이퍼 접착용 테이프 층(136) 및 릴리스 필름(135)의 상부면에 웨이퍼 접착용 점착제 층(131)과 베이스 필름(133)이 형성된 테이프(134)가 라미네이션(Lamination)되어 부착된 구조를 갖는다.6 and 7, the pressure-sensitive adhesive layer 131 and the base film 133 on the top surface of the wafer adhesive tape layer 136 and the release film 135 formed in the donor shape of FIG. 4. The formed tape 134 is laminated and attached.
라미네이션 공정에 의해 웨이퍼 접착용 점착제 층(131)이 도너스 모양의 웨이퍼 링 접착용 테이프 층(136)의 상부면과 그 사이에 채워져 릴리스 필름(135)의 상부면에 부착된 구조를 갖는다.By the lamination process, the wafer adhesive pressure-sensitive adhesive layer 131 is filled between the top surface of the donor-shaped wafer ring adhesive tape layer 136 and interposed therebetween to adhere to the top surface of the release film 135.
여기서, 웨이퍼 접착용 점착제(131)의 성분은 떠모세팅 레진, 유브이 큐러블 레진 및 아크릴 폴리머로 이루어져 있다.Here, the components of the pressure-sensitive adhesive 131 for wafer bonding are made of thermosetting resin, UV curable resin, and acrylic polymer.
그리고, 웨이퍼 접착용 점착제 층(131)의 후면에 부착된 베이스 필름(133)의 성분은 폴리오레핀이다.In addition, a component of the base film 133 attached to the rear surface of the adhesive layer 131 for wafer bonding is polyolefin.
그리고, 도 8 및 도 9를 참조하면, 웨이퍼 접착용 점착제 층(131)이 형성된 테이프는 도너스 모양의 웨이퍼 링 접착용 테이프 층(132, 137)의 외측(138)이 노출될 수 있도록 릴리스 필름(135)의 상부면 까지 웨이퍼 접착용 테이프 층(134)을 식각하게 되면 웨이퍼·다이 접착용 테이프(130)의 제조가 완료된다.8 and 9, the tape on which the pressure-sensitive adhesive layer 131 for wafer bonding is formed may have a release film (ie, the outer side 138 of the donor-shaped wafer ring adhesive tape layers 132 and 137) may be exposed. When the wafer adhesive tape layer 134 is etched to the upper surface of 135, the wafer-die adhesive tape 130 is manufactured.
물론, 웨이퍼를 부착시키는 공정을 진행하기 위하여 점착제 층(131, 132) 상면의 릴리스 필름(135)은 제거된다.Of course, the release film 135 on the upper surfaces of the adhesive layers 131 and 132 is removed in order to proceed with the process of attaching the wafer.
도 10은 본 발명에 따른 웨이퍼용 접착 테이프에 웨이퍼 링 및 웨이퍼가 부착된 상태를 나타내는 단면도로써, 웨이퍼에서 반도체 칩이 분리되는 상태를 나타내는 단면도이다.10 is a cross-sectional view illustrating a state in which a wafer ring and a wafer are attached to an adhesive tape for a wafer according to the present invention, and a cross-sectional view illustrating a state in which a semiconductor chip is separated from a wafer.
도 10을 참조하면, 도 9에서 도시된 웨이퍼·다이 접착용 테이프(130)에서 릴리스 필름이 제거된 상태에서 웨이퍼 링(120)과 웨이퍼(110)가 부착된다.Referring to FIG. 10, the wafer ring 120 and the wafer 110 are attached with the release film removed from the wafer-die bonding tape 130 shown in FIG. 9.
여기서, 웨이퍼 링(120)의 개구부(125)의 주변 부분과 웨이퍼·다이 접착용 테이프(130)가 접착되는 부분은 웨이퍼 링 접착용 점착제 층(132)이 된다.Here, the portion where the peripheral portion of the opening 125 of the wafer ring 120 and the wafer-die bonding tape 130 adhere to each other becomes the adhesive layer 132 for wafer ring adhesion.
그리고, 개구부(125)의 상부면을 통해서 접착될 웨이퍼(110)는 웨이퍼 링 접착용 점착제 층(132) 사이의 웨이퍼 접착용 점착제 층(131)에 부착된다.The wafer 110 to be bonded through the upper surface of the opening 125 is attached to the wafer adhesive pressure-sensitive adhesive layer 131 between the wafer ring adhesive layer 132.
그리고, 웨이퍼(110)에 형성된 회로 소자들(112)을 각각의 반도체 칩(112)으로 절단하는 웨이퍼(110) 절단 공정이 진행된다.In addition, a cutting process of the wafer 110 is performed to cut the circuit elements 112 formed on the wafer 110 into respective semiconductor chips 112.
그리고, 도 2에서 언급된 자외선 조사 공정이 진행되며, 다음으로 분리된 각각의 반도체 칩(112)이 칩 이송기(140)에 의해 분리되며, 분리된 반도체 칩(112)은 바로 리드 프레임의 다이 패드에 접착된다.Then, the UV irradiation process mentioned in FIG. 2 is performed, and each semiconductor chip 112 separated thereafter is separated by the chip transfer machine 140, and the semiconductor chip 112 separated is a die of the lead frame. Adheres to the pad.
여기서, 칩 이송기(140)를 이용하여 분리하는 과정에서 반도체 칩(112)과 그 하부면의 점착제(131)가 동시에 분리되어 다이 접착 공정이 진행된다.Here, the semiconductor chip 112 and the pressure-sensitive adhesive 131 of the lower surface of the semiconductor chip 112 are simultaneously separated in the process of separating using the chip feeder 140, and the die attaching process is performed.
그리고, 다이 접착 공정이 완료된 후에 웨이퍼 링(120)에서 웨이퍼·다이 접착용 테이프(130)를 분리할 때, 웨이퍼 링(120)과 접촉된 부분이 아크릴 폴리머로 이루어진 점착제 층(132)이기 때문에 웨이퍼 링(120)에 테이프의 점착제(131)가 묻지 않고 탈착된다.Then, when the wafer-die bonding tape 130 is separated from the wafer ring 120 after the die attaching process is completed, the portion contacted with the wafer ring 120 is the pressure-sensitive adhesive layer 132 made of acrylic polymer. The adhesive 131 of the tape is attached to the ring 120 without being attached.
따라서, 본 발명의 의한 구조를 따르면, 웨이퍼 절단 공정에 의해 각각의 반도체 칩으로 절단되며, 다음 공정으로 다이 접착 공정이 완료된 이후에 웨이퍼·다이 접착용 테이프를 분리시킬 때, 웨이퍼 링과 접촉되는 부분이 웨이퍼 링 접착용 점착제 층과의 분리가 용이한 성분으로 되어 있기 때문에 웨이퍼 링의 오염에 따른 웨이퍼 링을 크리닝하는 공정이 별도로 필요 없는 이점(利點)이 있다.Therefore, according to the structure of the present invention, a portion which is cut into each semiconductor chip by a wafer cutting process, and which comes into contact with the wafer ring when separating the wafer / die bonding tape after the die bonding process is completed in the next process Since it is a component which is easy to isolate | separate from this adhesive bond layer for wafer ring adhesion, there exists an advantage that the process of cleaning a wafer ring according to the contamination of a wafer ring is not necessary separately.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960052098A KR19980034139A (en) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | Wafer, die-bonding tape and manufacturing method thereof |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960052098A KR19980034139A (en) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | Wafer, die-bonding tape and manufacturing method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980034139A true KR19980034139A (en) | 1998-08-05 |
Family
ID=66519142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960052098A KR19980034139A (en) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | Wafer, die-bonding tape and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR19980034139A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100420433B1 (en) * | 1999-12-30 | 2004-03-03 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Film adhesive for semiconductor package |
KR20180038568A (en) * | 2015-08-31 | 2018-04-16 | 칼 하인즈 프리바쎄르 | Wafer processing methods and protective seating for use in this method |
-
1996
- 1996-11-05 KR KR1019960052098A patent/KR19980034139A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100420433B1 (en) * | 1999-12-30 | 2004-03-03 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Film adhesive for semiconductor package |
KR20180038568A (en) * | 2015-08-31 | 2018-04-16 | 칼 하인즈 프리바쎄르 | Wafer processing methods and protective seating for use in this method |
US11437275B2 (en) | 2015-08-31 | 2022-09-06 | Disco Corporation | Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method |
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