KR19980024491A - Process for producing polyethylene terephthalate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액상 중축합 반응 공정, 예비결정화 공정, 고상 중축합 반응 공정으로 되는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조방법에 있어서, 상기 예비결정화 공정은 (A) 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 교반하면서 Tg이상 180℃ 이하의 온도(T1)에서 가열하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도가 적어도 3%가 되도록 결정화시키는 예비결정화 공정과; (B) 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 정치하에서 (Tbm-40℃)이상 Tbm이하의 온도(T2) 범위에서 가열하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도가 적어도 30%가 되록 결정화 시키는 공정과(여기서 Tbm은 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 속도 10℃/분으로 승온할 경우 시차주사 열량계(DSC)로 관찰한 흡열 피크중 부피크의 흡열개시 온도이다) ; 및 (C) 상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 상기 고상 중축합 온도까지 승온시키기 위해서 교반하면서 가열하는 공정으로 된 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조 방법이다. 공중합 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 경우에도 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 예비결정화를 효율적으로 달성할 수 있다.The present invention relates to a polyethylene terephthalate production method comprising a liquid phase polycondensation reaction step, a precrystallization step, and a solid phase polycondensation step, wherein the precrystallization step is at least T g and not more than 180 ° C. while stirring the polyethylene terephthalate chip (A). A precrystallization step of heating at a temperature (T 1 ) to crystallize so that the crystallinity of the polyethylene terephthalate is at least 3%; (B) heating the polyethylene terephthalate at a temperature (T 2 ) of not less than (T bm -40 ° C) but not more than T bm to crystallize the polyethylene terephthalate to at least 30% (where T bm is The endothermic onset temperature of the bulk in the endothermic peak observed with a differential scanning calorimeter (DSC) when the polyethylene terephthalate is heated at a rate of 10 ° C / min); And (C) heating the polyethylene terephthalate chip with stirring to raise the temperature to the solid state polycondensation temperature. Even in the case of copolymerized polyethylene terephthalate, precrystallization of polyethylene terephthalate can be efficiently achieved.

Description

폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조방법Polyethylene terephthalate production method

본 발명은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조방법에 관한 것으로, 특히 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 예비결정화를 효과적으로 행할 수 있는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing polyethylene terephthalate, and more particularly, to a method for producing polyethylene terephthalate capable of effectively pre-crystallizing polyethylene terephthalate.

통상 폴리에틸렌 테레프탈레이트는 에스테르화 반응 공정, 액상 중축합 반응 공정 및 고상 중축합 반응 공정을 거쳐서 제조한다. 그러나 상기 액상 중축합 반응공정에서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩은 비정질이므로, 그대로 이들을 고상 중축합 반응을 행하면, 블록킹을 일으킬 수 있다. 이 때문에 일반적으로 고상 중축합 반응 공정전에 예비 결정화 공정이 구비되고, 액상 중축합 공정을 거쳐서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 가열하여 결정화시킨 후 고상 중축합 반응공정으로 도입한다. 그러나 예비결정화를 신속하게 행하기 위해서, 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 급격히 승온하거나 고온으로 가열하면, 상기 계내에서 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩의 블록킹이나 용융이 발생할 수 있다. 따라서 상대적으로 완만한 온도상승 조건이 종래부터 채용되어 왔다.Usually, polyethylene terephthalate is manufactured through an esterification process, a liquid phase polycondensation reaction process, and a solid state polycondensation reaction process. However, since the polyethylene terephthalate chip obtained in the liquid phase polycondensation reaction step is amorphous, if the solid phase polycondensation reaction is performed as it is, blocking may occur. Therefore, a preliminary crystallization step is generally provided before the solid phase polycondensation reaction step, and the polyethylene terephthalate obtained through the liquid phase polycondensation step is heated to crystallize and then introduced into the solid phase polycondensation reaction step. However, in order to quickly perform precrystallization, if the polyethylene terephthalate is rapidly heated or heated to a high temperature, blocking or melting of the polyethylene terephthalate chip may occur in the system. Therefore, relatively moderate temperature rise conditions have been conventionally employed.

예를들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 150℃에서 열풍하에서 1시간 처리한후, 195℃의 질소기류하에서 2.5시간 처리하여 결정화 하는 방법이 일본국 특개소 58-45229호에 개시되어 있다. 그러나 이러한 조건은 결정화 하는데 장시간이 소요되어 생산비의 증가를 초래하므로 바람직하지 않다.For example, a method is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 58-45229, in which polyethylene terephthalate is treated for 1 hour at 150 ° C. under hot air, followed by 2.5 hours under 195 ° C. nitrogen stream. However, such a condition is not preferable because it takes a long time to crystallize, leading to an increase in production cost.

또, 폴리에틸렌 테레프탈레이트에 소량의 공단량체를 공중합시킨 공중합체의 경우, 공중합체의 결정화도와 융점이 낮기 때문에, 이러한 조건하에서 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 가열하여 블록킹이나 용융을 유발하지 않고 효과적으로 결정화시킬 수 있는 방법이 지금까지는 알려지지 않았다.In addition, in the case of a copolymer in which a small amount of comonomer is copolymerized with polyethylene terephthalate, the copolymer has low crystallinity and melting point, so that polyethylene terephthalate can be heated under such conditions to effectively crystallize without causing blocking or melting. This is not known until now.

본 발명은 상기와 같은 종래기술을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 폴리에틸렌 테레프탈레이트와 공중합된 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 효과적으로 예비 결정화 할 수 있는 예비결정화 공정을 포함하는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조 방법을 제공하는데 있다.The present invention has been made in view of the prior art as described above, and an object of the present invention is to provide a method for producing polyethylene terephthalate comprising a precrystallization process capable of effectively pre-crystallizing polyethylene terephthalate copolymerized with polyethylene terephthalate. .

도1은 DSC로 측정한 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 DSC 곡선의 예를 나타낸 도면.1 shows an example of a DSC curve of polyethylene terephthalate measured by DSC.

도2는 실시예에서 사용한 가열장치의 개략도.2 is a schematic view of a heating apparatus used in the embodiment.

본 발명은, 에스테르화 반응공정 및 액상 중축합 반응 공정을 거쳐서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 가열하여 상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 예비결정화는 공정과, 예비 결정화한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 상기 예비 결정화 온도 이상으로 가열하는 고상 중축합 반응 공정을 포함하는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조방법에 있어서,The present invention is a process of pre-crystallizing the polyethylene terephthalate chip by heating the polyethylene terephthalate chip obtained through the esterification step and the liquid polycondensation reaction step, and heating the pre-crystallized polyethylene terephthalate chip above the pre-crystallization temperature In the polyethylene terephthalate production method comprising a solid phase polycondensation reaction step,

상기 예비결정화 공정은;The precrystallization process;

(A) 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 교반하면서 Tg이상 180℃ 이하의 온도(T1)에서 가열하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도가 적어도 3%가 되도록 결정화시키는 공정과,(A) a step of crystallizing the polyethylene terephthalate chip at a temperature (T 1 ) of at least T g and at most 180 ° C. while stirring to crystallize such that the degree of crystallinity of the polyethylene terephthalate is at least 3%,

(B) 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 정치하에서 (Tbm-40℃)이상 Tbm이하 온도(T2) 범위에서 가열하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도가 적어도 30%가 되록 결정화 시키는 공정,(B) a step of crystallizing the polyethylene terephthalate chip at a temperature of (T bm -40 ° C) or more and T bm or less (T 2 ) in a range of at least 30% by crystallinity of the polyethylene terephthalate,

(여기서 Tbm은 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 속도 10℃/분으로 승온할 경우 시차주사 열량계(DSC)로 관찰한 흡열 피크중 부피크의 흡열개시 온도이다.) 및(Where T bm is the endothermic onset temperature of the bulk in the endothermic peak observed with a differential scanning calorimeter (DSC) when the polyethylene terephthalate is raised at a rate of 10 ° C./min.)

(C) 상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 상기 고상 중축합 온도까지 승온시키기 위해서 가열하는 공정으로 된 것을 특징으로 한다.(C) A step of heating the polyethylene terephthalate chip to raise the temperature to the solid state polycondensation temperature.

본 발명에서 공정(B)은 최종수지 온도가 190±30℃의 범위이고 가열시간이 1∼3 시간인 것이 바람직하다.In the present invention, the process (B) preferably has a final resin temperature of 190 ± 30 ° C. and a heating time of 1 to 3 hours.

본 발명에서, 고상 중축합은 200∼230℃ 온도에서 행하는 것이 바람직하다.In this invention, it is preferable to perform solid-phase polycondensation at 200-230 degreeC temperature.

본 발명에 의한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조 방법을 이하에 구체적으로 설명하겠다.The polyethylene terephthalate production method according to the present invention will be described in detail below.

본 발명에서는, 에스테르화 반응공정 및 액상 중축합 반응 공정을 거쳐서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 가열하여 상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 예비결정화는 공정과, 예비 결정화한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 상기 예비 결정화 온도 이상으로 가열하는 고상 중축합 반응 공정을 포함하는 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 제조방법에 있어서, 상기 예비 결정화 공정을 하기한 특정 조건에서 행한다.In the present invention, the polyethylene terephthalate chip obtained through the esterification step and the liquid polycondensation reaction step is heated to precrystallize the polyethylene terephthalate, and the pre-crystallized polyethylene terephthalate chip is heated above the preliminary crystallization temperature. In the manufacturing method of the polyethylene terephthalate containing the solid-phase polycondensation reaction process mentioned above, the said precrystallization process is performed on the following specific conditions.

에스테르화 반응공정Esterification process

에스테르화 반응공정은 통상 테레프탈산 및 에틸렌 글리콜을 함유하는 슬러리를 사용하여 행한다. 상기 슬러리는 에틸렌 글리콜을 테레프탈산 1몰 당 통상 1.02∼2.0몰, 바람직하게는 1.03∼1.5몰 함유한다. 상기 슬러리는 에스테르화 반응 공정에 연속적으로 공급한다.The esterification step is usually performed using a slurry containing terephthalic acid and ethylene glycol. The slurry usually contains 1.02 to 2.0 moles, preferably 1.03 to 1.5 moles of ethylene glycol per mole of terephthalic acid. The slurry is fed continuously to the esterification process.

본 발명에서는 테레프탈산과 에틸렌 글리콜을 원료로서 사용하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 제조하나, 20몰% 이하의 다른 디카본산 및/또는 다른 글리콜을 사용해도 좋다.In the present invention, polyethylene terephthalate is produced using terephthalic acid and ethylene glycol as raw materials, but other dicarboxylic acids and / or other glycols of 20 mol% or less may be used.

테레프탈산 외에 공중축합에서 사용되는 다른 디카본산의 예로는 프탈산(올소프탈산), 이소프탈산, 나프탈렌디카본산, 디페닐디카본산 및 디페녹시에탄디카본산 등의 방향족 디카본산; 아디핀산, 세바신산, 아제라인산 및 데칸디카본산 등의 지방족 디카본산; 시클로헥산디카본산 등의 지환족 디카본산 등을 들수 있다.Examples of other dicarboxylic acids used in co-condensation in addition to terephthalic acid include aromatic dicarboxylic acids such as phthalic acid (orthophthalic acid), isophthalic acid, naphthalenedicarboxylic acid, diphenyldicarboxylic acid and diphenoxytandicarboxylic acid; Aliphatic dicarboxylic acids such as adipic acid, sebacic acid, azeline acid and decandicarboxylic acid; Alicyclic dicarboxylic acid, such as cyclohexanedicarboxylic acid, etc. are mentioned.

에틸렌 글리콜 외에 공중축합에 사용되는 다른 글리콜의 예로는 트리메틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 테트라메틸렌 글리콜, 네오펜틸 글리콜, 헥사메틸렌 글리콜 및 도데카메틸렌 글리콜 등의 지방족 글리콜; 시클로헥산디메탄올 등의 지환족 글리콜; 비스페놀, 하이드로키논 및 2,2-비스(4-β-하이드록시에톡시페놀)프로란등의 방향족 디하이드록시 화합물 등을 들수 있다.Examples of other glycols used for cocondensation in addition to ethylene glycol include aliphatic glycols such as trimethylene glycol, propylene glycol, tetramethylene glycol, neopentyl glycol, hexamethylene glycol and dodecamethylene glycol; Alicyclic glycols such as cyclohexanedimethanol; Aromatic dihydroxy compounds, such as bisphenol, hydrokinone, and 2, 2-bis (4- (beta) -hydroxyethoxy phenol) proran, etc. are mentioned.

본 발명에서는 디카본산 성분으로서 테레프탈산, 이소프탈산에 더하여 이소프탈산을 전디카본산 성분에 대해서 1∼5몰% 사용하는 것이 바람직하다.In this invention, it is preferable to use 1-5 mol% of isophthalic acids with respect to a total dicarboxylic acid component in addition to terephthalic acid and isophthalic acid as a dicarboxylic acid component.

에스테르화 반응은 적어도 2개의 에스테르화 반응기를 서로 직렬로 연결한 장치를 사용하여 에틸렌글리콜이 환류하는 조건하에서, 반응에 의해서 형성된 물 또는 알콜을 정류탑에서 계 밖으로 제거하면서 실시한다.The esterification reaction is carried out while the water or alcohol formed by the reaction is removed out of the system from the rectification column under conditions under which ethylene glycol is refluxed using a device in which at least two esterification reactors are connected in series with each other.

에스테르화를 행할때의 반응조건은 제1단계 에스테르화 반응의 반응 온도는 통상 240∼270℃, 바람직하게는 245∼265℃ 이고, 압력은 통상 0.2∼3kg/cm2-G, 바람직하게는 0.5∼2kg/cm2-G이고, 최종 단계의 에스테르화 반응의 반응온도는 통상 250∼280℃, 바람직하게는 255∼275℃이고, 압력은 통상 0∼1.5 kg/cm2-G, 바람직하게는 0∼1.3kg/cm2-G 이다.The reaction conditions at the time of esterification are the reaction temperature of a 1st-step esterification reaction normally 240-270 degreeC, Preferably it is 245-265 degreeC, and the pressure is usually 0.2-3 kg / cm <2> -G, Preferably it is 0.5 ˜2 kg / cm 2 -G, the reaction temperature of the final esterification reaction is usually 250 to 280 ° C, preferably 255 to 275 ° C, and the pressure is usually 0 to 1.5 kg / cm 2 -G, preferably 0 to 1.3 kg / cm 2 -G.

에스테르화 반응을 2단계로 실시할 경우에는, 제1 단계 및 제2 단계의 에스테르화 반응 조건은 상기 제1 단계 및 최종단계의 범위이고, 상기 에스테르화 반응을 제3 단계 이상으로 실시하는 경우에는, 제2 단계로부터 최종단계의 1단계 전까지의 에스테르화 반응 조건은 상기 제1 단계의 반응 조건과 최종 단계의 반응조건 사이에서 선택된 조건이다.When the esterification reaction is carried out in two stages, the esterification conditions of the first and second stages are in the range of the first and final stages, and when the esterification reaction is carried out in the third stage or more, The esterification reaction conditions from the second stage to the first stage of the final stage are conditions selected between the reaction conditions of the first stage and the reaction conditions of the final stage.

예를들어 에스테르화 반응을 3단계에서 실시하는 경우에는 제2 단계의 에스테르화 반응은 통상 반응온도가 245∼275℃, 바람직하게는 250℃∼270℃이고, 압력은 통상 0∼2 kg/cm2-G, 바람직하게는 0.2∼1.5kg/cm2-G 이다.For example, when the esterification reaction is carried out in three steps, the esterification reaction in the second step usually has a reaction temperature of 245 to 275 ° C, preferably 250 ° C to 270 ° C, and a pressure of 0 to 2 kg / cm. 2 -G, preferably 0.2 to 1.5 kg / cm 2 -G.

이들의 에스테르화 반응의 반응율은 각각의 단계에서는 특히 제한 되지 않으나 제1 단계에서 최종단계로 갈수록 반응률이 서서히 상승하는 것이 바람직하다. 또 최종단계에서의 에스테르화 반응률이 통상 90% 이상, 바람직하게는 93% 이상에 도달하는 것이 바람직하다.The reaction rate of these esterification reaction is not particularly limited in each step, but it is preferable that the reaction rate gradually increases from the first step to the final step. In addition, it is preferable that the esterification reaction rate at the final stage usually reaches 90% or more, preferably 93% or more.

이와같은 에스테르화 반응은 테레프탈산 및 에틸렌 글리콜 이외의 성분을 첨가시키지 않고, 실시해도 좋으나 예를들어 트리메틸아민, 트리-n-부틸아민 및 벤질디메틸아민 등의 제3급 아민; 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라-n-부틸암모늄 하이드록사이드 및 트리메틸벤질암모늄 하이드록사이드 등의 제4급 암모늄 화합물; 탄산 리듐, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨 및 아세트산 나트륨 등의 염기성 화합물을 소량 첨가하여 실시할 수 있다. 에스테르화 반응에서 이와같은 염기성 화합물을 첨가하여 실시하면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 주쇄중의 디옥시에틸렌 테레프탈레이트 성분 단위의 비율을 비교적 저수준으로 유지할 수 있어 바람직하다.Such esterification reaction may be carried out without addition of components other than terephthalic acid and ethylene glycol; for example, tertiary amines such as trimethylamine, tri-n-butylamine and benzyldimethylamine; Quaternary ammonium compounds such as tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and trimethylbenzylammonium hydroxide; It can carry out by adding a small amount of basic compounds, such as lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, and sodium acetate. The addition of such a basic compound in the esterification reaction is preferable because the ratio of the dioxyethylene terephthalate component unit in the polyethylene terephthalate main chain can be kept at a relatively low level.

상기 에스테르화 반응공정에 의해서 에스테르화물(저급축합물)이 얻어지고, 이 에스테르화물의 수평균 분자량은 통상 500∼5000이다. 이렇게 얻은 에스테르화물은 액상 중축합 반응 공정에 공급한다.The esterification (lower condensate) is obtained by the said esterification process, and the number average molecular weight of this esterification is 500-5000 normally. The esterification thus obtained is fed to a liquid phase polycondensation reaction process.

액상중축합반응공정Liquid Phase Polycondensation Reaction Process

상기 액상 중축합 반응 공정에서는 중축합 촉매의 존재하에 감압하, 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 융점 이상 온도로 가열하고, 이 때 생성되는 그리콜을 계밖으로 증류 제거하면서 중축합 한다.In the liquid phase polycondensation reaction step, the polycondensation is carried out under reduced pressure in the presence of a polycondensation catalyst at a temperature above the melting point of the obtained polyethylene terephthalate while distilling out the glycol generated at this time.

액상 중축합 반응 공정은 제1 단계로 행해도 좋고 복수단계로 나누어 행해도 좋다. 액상 중축합 반응 공정을 복수단계 행하는 경우에는 제1 단계의 중축합 반응은 통상 반응 온도는 통상 250∼290℃, 바람직하게는 260∼280℃ 이고, 압력은 통상 500∼20Torr, 바람직하게는 200∼30Torr의 조건하에서 행하고, 또 최종단계의 중축합 반응은 통상 반응온도가 265∼300℃, 바람직하게는 270∼295℃ 이고, 압력은 통상 10∼0.1Torr, 바람직하게는 5∼0.1Torr, 특히 바람직하게는 2∼0.1Torr의 조건하에서 행한다.The liquid phase polycondensation reaction step may be performed in a first step or may be performed in a plurality of steps. In the case where the liquid phase polycondensation reaction step is carried out in plural stages, the polycondensation reaction of the first step is usually performed at a reaction temperature of 250 to 290 ° C, preferably 260 to 280 ° C, and a pressure of 500 to 20 Torr, preferably 200 to The polycondensation reaction in the final stage is carried out under the condition of 30 Torr, and the reaction temperature is usually 265 to 300 ° C, preferably 270 to 295 ° C, and the pressure is usually 10 to 0.1 Torr, preferably 5 to 0.1 Torr, particularly preferred. It is preferably performed under the conditions of 2 to 0.1 Torr.

액상 중축합 반응 공정을 2단계로 행하는 경우에는, 제1 단계 및 제2 단계의 중축합 반응조건은 각각 상기 제1 단계와 최종 단계의 범위이고, 액상 중축합 반응 공정을 3단계 이상으로 실시하는 경우에는 제2 단계에서 최종단계의 1단 전까지의 중축합 반응은 상기 1단계의 반응조건과 최종단계의 반응조건 사이에서 선택된 조건하에서 행한다.In the case where the liquid phase polycondensation reaction step is carried out in two stages, the polycondensation reaction conditions of the first and second stages are in the ranges of the first step and the final step, respectively, and the liquid phase polycondensation reaction step is performed in three or more stages. In this case, the polycondensation reaction from the second stage to the first stage of the final stage is performed under the conditions selected between the reaction conditions of the first stage and the reaction conditions of the final stage.

예를들어 상기 액상 중축합 반응 공정을 3단계로 행하는 경우에는 제2 단계의 중축합 반응은 통상 반응온도가 260∼295℃, 바람직하게는 270∼285℃ 이고, 압력은 50∼2Torr, 바람직하게는 40∼5Torr의 조건하에서 행한다.For example, in the case of performing the liquid phase polycondensation reaction step in three stages, the polycondensation reaction in the second stage usually has a reaction temperature of 260 to 295 ° C, preferably 270 to 285 ° C, and a pressure of 50 to 2 Torr, preferably Is carried out under the conditions of 40 to 5 Torr.

상기 액상 중축합 반응 공정에서 제조되는 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 고유점도(IV)는 특히 한정되지는 않으나, 제1 단계에서 최종 단계로 갈수록 고유점도가 서서히 상승하는 것이 바람직하고, 또 최종단계의 액상 중축합 반응기로 부터 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 고유점도(IV)는 통상 0.35∼0.80dl/g, 바람직하게는 0.45∼0.75dl/g, 더 바람직하게는 0.55∼0.75dl/g이다.Although the intrinsic viscosity (IV) of the polyethylene terephthalate prepared in the liquid phase polycondensation reaction process is not particularly limited, it is preferable that the intrinsic viscosity gradually increases from the first stage to the final stage, and the liquid phase polycondensation of the final stage The intrinsic viscosity (IV) of polyethylene terephthalate obtained from the reactor is usually 0.35 to 0.80 dl / g, preferably 0.45 to 0.75 dl / g, more preferably 0.55 to 0.75 dl / g.

또 고유점도(IV)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 1.2g을 o-클로로페놀 15cc중에 가열 용해한 후에 냉각하여 25℃에서 측정한 용액점도로 부터 산출한다.Intrinsic viscosity (IV) is calculated from the solution viscosity measured at 25 ° C by heating and dissolving 1.2 g of polyethylene terephthalate in 15 cc of o-chlorophenol.

또 최종 단계의 액상 중축합 반응기에서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도는 통상 2% 이하 이다.In addition, the crystallinity of polyethylene terephthalate obtained in the final stage of the liquid polycondensation reactor is usually 2% or less.

상기한 액상 중축합 반응은 중축합 촉매 및 안정제의 존재하에 행하는 것이 바람직하다. 중축합 촉매로서는 게르마늄 디옥사이드, 게르마늄 테트라에톡사이드, 게르마늄 테트라-n-부톡사이드 등의 게르마늄 화합물; 안티몬 트리옥사이드, 안티몬 아세테이트, 안티몬 테트라에톡사이드 및 안티몬 테트라-n-부톡사이드 등의 안티몬 화합물; 및 티타늄 테트라부톡사이드, 티타늄 테트라프로폭사이드 등의 티타늄 화합물을 들수 있다. 이 중축합 촉매성분 중에서는 게르마늄 디옥사이드가 생성 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 색상과 투명성이 우수하므로 바람직하다. 또 안티몬 트리옥사이드 및 안티몬 아세테이트를 사용하면, 생성 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화 속도와 색상이 우수하므로 바람직하다.It is preferable to perform said liquid-phase polycondensation reaction in presence of a polycondensation catalyst and a stabilizer. As a polycondensation catalyst, germanium compounds, such as germanium dioxide, germanium tetraethoxide, germanium tetra-n-butoxide; Antimony compounds such as antimony trioxide, antimony acetate, antimony tetraethoxide and antimony tetra-n-butoxide; And titanium compounds such as titanium tetrabutoxide and titanium tetrapropoxide. Among these polycondensation catalyst components, germanium dioxide is preferred because of excellent color and transparency of the resulting polyethylene terephthalate. Moreover, when antimony trioxide and antimony acetate are used, since the crystallization rate and color of the produced polyethylene terephthalate are excellent, it is preferable.

안정제의 예로는 트리메틸 포스페이트, 트리에틸 포스페이트, 트리-n-부틸 포스페이트, 트리옥틸 포스페이트, 트리페닐 포스페이트 및 트리크레실 포스페이트 등의 인산 에스테르; 트리페닐 포스피트, 트리스도데실 포스피트 및 트리스 노닐페닐 포스피트 등의 아인산 에스테르, 메틸 애시드 포스페이트, 이소프로필 애시드 포스페이트. 부틸 애시드 포스페이트, 디부틸 포스페이트, 모노부틸 포스페이트 및 디옥틸 포스페이트 등의 산성 인산 에스테르; 인산; 및 폴리인산 등의 인 화합물을 들수 있다. 인 화합물을 에스테르화조에 첨가하면, 생성 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 색상과 내열 안정성을 개선할 수 있다.Examples of stabilizers include phosphate esters such as trimethyl phosphate, triethyl phosphate, tri-n-butyl phosphate, trioctyl phosphate, triphenyl phosphate and tricresyl phosphate; Phosphorous acid esters such as triphenyl phosphite, trisdodecyl phosphite and trisnonylphenyl phosphite, methyl acid phosphate, isopropyl acid phosphate. Acidic phosphoric acid esters such as butyl acid phosphate, dibutyl phosphate, monobutyl phosphate and dioctyl phosphate; Phosphoric acid; And phosphorus compounds such as polyphosphoric acid. Adding a phosphorus compound to the esterification bath can improve the color and heat resistance stability of the resulting polyethylene terephthalate.

본 발명에서는 상기한 중축합 촉매외에 코발트 화합물, 망간 화합물, 마그네슘 화합물을 첨가할 수도 있다.In the present invention, a cobalt compound, a manganese compound, and a magnesium compound may be added in addition to the polycondensation catalyst described above.

코발트 화합물의 예로는 코발트 클로라이드, 코발트 설페이트, 코발트 하이드록사이드, 코발트 나이트레이트, 코발트 옥살레이트, 코발트 포르메이트, 코발트 아세테이트, 코발트 아세틸아세토네이트 및 코발트 벤조네이트 등을 들 수 있다. 코발트 화합물을 에스테르화조에 첨가하면, 에스테르화 반응을 촉진시킬 수 있다.Examples of cobalt compounds include cobalt chloride, cobalt sulfate, cobalt hydroxide, cobalt nitrate, cobalt oxalate, cobalt formate, cobalt acetate, cobalt acetylacetonate and cobalt benzoate, and the like. When the cobalt compound is added to the esterification bath, the esterification reaction can be promoted.

망간 화합물의 예로서는 망간 아세테이트, 망간 아세틸아세토네이트, 망간 설페이트, 망간 카보네이트 및 망간 나이트레이트 등을 들 수 있다. 망간 화합물을 에스테르화조에 첨가하면 에스테르화 반응을 촉진시킬 수 있다.Examples of manganese compounds include manganese acetate, manganese acetylacetonate, manganese sulfate, manganese carbonate, manganese nitrate, and the like. The addition of manganese compounds to the esterification bath can promote the esterification reaction.

마그네슘 화합물의 예로서는 마그네슘 설페이트, 마그네슘 나이트레이트, 마그네슘 아세테이트, 마그네슘 클로라이드, 마그네슘 카보네이트, 마그네슘 시트레이트, 마그네슘 락테이트 및 마그네슘 옥살레이트 등을 들수 있다. 마그네슘 화합물을 에스테르화조에 첨가하면, 에스테르화 반응을 촉진시킬 수 있다.Examples of magnesium compounds include magnesium sulfate, magnesium nitrate, magnesium acetate, magnesium chloride, magnesium carbonate, magnesium citrate, magnesium lactate and magnesium oxalate. When the magnesium compound is added to the esterification bath, the esterification reaction can be promoted.

상기한 화합물은 통상 수용액의 형태로 첨가할 수 있고 이에 사용되는 물의 량은 가능하면 소량인 것이 바람직하다.The above-mentioned compounds can usually be added in the form of an aqueous solution, and it is preferable that the amount of water used therein is as small as possible.

상기 인화합물은 테레프탈산 1몰에 대해서 인원자로서 통상 5∼200ppm, 바람직하게는 10∼100ppm의 비율로 사용하고,The phosphorus compound is usually used at a rate of 5 to 200 ppm, preferably 10 to 100 ppm, as a person with respect to 1 mol of terephthalic acid,

코발트 화합물은 테레프탈산 1몰에 대해서 코발트 금속으로서 통상 5∼200 ppm, 바람직하게는 10∼60ppm의 비율로 사용하고,The cobalt compound is usually used at a rate of 5 to 200 ppm, preferably 10 to 60 ppm, as cobalt metal per 1 mol of terephthalic acid,

망간 합물은 테레프탈산 1몰에 대해서 망간 금속으로서 통상 10∼200ppm, 바람직하게는 20∼100ppm의 비율로 사용하고,The manganese mixture is usually used in a ratio of 10 to 200 ppm, preferably 20 to 100 ppm, as a manganese metal per 1 mole of terephthalic acid,

마그네슘 화합물은 테레프탈산 1몰에 대해서 마그네슘 금속으로서 통상 5∼200ppm, 바람직하게는 15∼50ppm의 비율로 사용한다.The magnesium compound is usually used at a rate of 5 to 200 ppm, preferably 15 to 50 ppm, as a magnesium metal per 1 mol of terephthalic acid.

중축합 촉매는 테레프탈산과 에틸렌 글리콜의 혼합물의 중량에 대해서 중축합 촉매 중의 금속으로서 0.0005∼0.2중량%, 바람직하게는 0.001∼0.05중량%의 비율로 사용하는 것이 바람직하다.The polycondensation catalyst is preferably used in a ratio of 0.0005 to 0.2% by weight, preferably 0.001 to 0.05% by weight, as the metal in the polycondensation catalyst with respect to the weight of the mixture of terephthalic acid and ethylene glycol.

안정제는 테레프탈산과 에틸렌 글리콜의 혼합물의 중량에 대해서 안정제중의 인 원자로서 0.001∼0.1중량%, 바람직하게는 0.002∼0.02 중량%의 비율로 사용되는 것이 바람직하다.The stabilizer is preferably used at a ratio of 0.001 to 0.1% by weight, preferably 0.002 to 0.02% by weight, as a phosphorus atom in the stabilizer relative to the weight of the mixture of terephthalic acid and ethylene glycol.

이들의 중축합 촉매 및 안정제는 상기 에스테르 반응공정에서 공급하거나, 액상 중축합 반응공정의 제1 단계의 반응기에 공급할 수 있다.These polycondensation catalysts and stabilizers may be supplied in the ester reaction step, or may be supplied to the reactor of the first step of the liquid phase polycondensation reaction step.

액상 중축합 반응 공정을 거쳐서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트는 상기한 테레프탈산 이외의 디카본산에서 유도된 구성단위나 에틸렌 글리콜 이외의 글리콜로부터 유도된 구성단위가 20몰% 이하의 양으로 함유되어 있어도 좋고, 특히 이소프탈산으로 부터 유도된 구성단위가 전디카본산 단위에 대해서 1∼5몰% 비율로 함유되어 있는 것이 바람직 하다.The polyethylene terephthalate obtained through the liquid polycondensation reaction step may contain 20 mol% or less of a structural unit derived from dicarboxylic acid other than terephthalic acid or a glycol other than ethylene glycol, in particular It is preferable that the structural unit derived from phthalic acid is contained in 1 to 5 mol% ratio with respect to the whole dicarboxylic acid unit.

본 발명에서는 하기 일반식 (I)으로 표시되는 에틸렌 테레프탈레이트 성분단위의 함유율이 95.0∼99.0%의 범위이고, 하기 일반식(II)으로 표시되는 디옥시 에틸렌 프탈레이트 성분단위의 함유율이 1.0∼5.0%의 범위인 것이 바람직하다.In this invention, the content rate of the ethylene terephthalate component unit represented by the following general formula (I) is 95.0-99.9%, and the content rate of the dioxy ethylene phthalate component unit represented by the following general formula (II) is 1.0-5.0% It is preferable that it is the range of.

최종 액상 중축합 반응기에서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트는 통상 용융압출 성형법에 의해서 입상(칩상)으로 성형한다. 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 칩은 통상 2.0∼5.0mm, 바람직하게는 2.2∼4.0mm의 평균입경인 것이 바람직하다. 이와같이 해서 액상 중축합 반응 공정을 거친 비정질 또는 결정화도가 3%이하인 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 칩(이하 PET 라함)을 예비결정화 공정에 공급한다.Polyethylene terephthalate obtained in the final liquid polycondensation reactor is usually formed into a granule (chip) by melt extrusion molding. Chips of polyethylene terephthalate are preferably 2.0 to 5.0 mm, preferably 2.2 to 4.0 mm average particle diameter. In this way, chips of polyethylene terephthalate (hereinafter referred to as PET) having an amorphous or crystallization degree of 3% or less that have undergone the liquid polycondensation reaction process are fed to the precrystallization process.

예비결정화 공정Precrystallization process

예비결정화 공정에서는 PET칩을 후술하는 고상중축합 반응을 행하는 온도 에서 또는, 고상중축합 반응을 행하는 온도 보다 낮은 온도로 가열하여 결정화를 행한다. 구체적으로는 우선 PET 칩을 교반하, Tg(유리전이점) 이상, 또 180℃ 이하의 온도, 바람직하게는 120∼175℃의 온도(T1)에서 가열하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도가 적어도 3%가 될 때까지 결정화시키는 공정(A)을 행한다.In the precrystallization step, crystallization is performed by heating the PET chip at a temperature at which the solid-phase polycondensation reaction described later or at a temperature lower than the temperature at which the solid-phase polycondensation reaction is performed. Specifically, first, the PET chip is stirred and heated at a temperature of Tg (glass transition point) or more and 180 ° C. or lower, preferably at a temperature (T 1 ) of 120 to 175 ° C., at least 3% of the crystallinity of polyethylene terephthalate. The process (A) which crystallizes until it becomes is performed.

상기 공정(A)에서 교반 블레이드를 장착한 수직 또는 수평 교반장치를 사용하여 행한다. 이 교반장치는 한 쪽으로 부터 PET칩이 공급되고, 다른 쪽으로 배출되도록 한 연속식인 것이 바람직하다.In the said process (A), it performs using the vertical or horizontal stirring apparatus with a stirring blade. The stirring device is preferably continuous so that PET chips are supplied from one side and discharged to the other side.

공정(A)는 예를 들어 상기한 교반장치를 사용하여 장치의 한쪽으로 부터 PET 칩을 공급하고 가열기체의 유통하에서 교반하면서 PET 칩을 가열하고, 다른 쪽으로부터 배출함으로서 행한다.The step (A) is performed by, for example, supplying the PET chip from one side of the apparatus using the agitator described above, heating the PET chip with stirring under the flow of a heating gas, and discharging it from the other side.

공정(A)는 불활성 가스 분위기 중에서 행하는 것이 바람직하다. 불활성 가스로서는 질소 가스, 아르곤 가스, 탄산 가스 등을 들 수 있다.It is preferable to perform a process (A) in inert gas atmosphere. Nitrogen gas, argon gas, carbon dioxide gas, etc. are mentioned as an inert gas.

공정(A)에 있어서의 PET칩의 체류시간(가열시간)은 1∼20분간, 바람직하게는 3∼10분간이다.The residence time (heating time) of the PET chip in the step (A) is 1 to 20 minutes, preferably 3 to 10 minutes.

다음에 PET칩을 정치하에 (Tbm-40℃), 바람직하게는 (Tbm-30℃), 특히 바람직하게는 (Tbm-20℃) 이상 (Tbm) 이하의 온도(T2)에서 가열하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도가 적어도 30%가 되록 결정화 시키는 공정(B)을 행한다. 여기서 Tbm은 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 속도 10℃/분으로 승온할 경우 시차주사 열량계(DSC)로 관찰한 흡열 피크중 부피크의 흡열개시 온도이다.Under the PET chip value in the following (T bm -40 ℃), preferably from (T bm -30 ℃), particularly preferably (T bm -20 ℃) above (T bm) temperature not higher than (T 2) The step (B) is carried out by heating to crystallize the polyethylene terephthalate to at least 30%. Where T bm is the endothermic onset temperature of the bulk in the endothermic peak observed with a differential scanning calorimeter (DSC) when the polyethylene terephthalate is heated at a rate of 10 ° C / min.

시차주사 열량계(DSC)를 사용하여 상기 PET 칩을 승온 분석하면, 고온측에 피크면적이 큰 흡열피크(주피크)와, 주피크 보다 저온측에 피크면적이 작은 흡열피크(부피크)가 관찰된다. 본 발명에서는 이 부피크의 흡열개시 온도(Tbm)에 의해서 공정(B)에서의 가열 온도가 결정된다.Temperature analysis of the PET chip using a differential scanning calorimeter (DSC) showed that the endothermic peak (main peak) with a larger peak area on the high temperature side and the endothermic peak (small peak) with a smaller peak area on the low temperature side than the main peak were observed. do. In the present invention, the heating temperature in the step (B) is determined by the endothermic start temperature (T bm ) of the bulk .

흡열피크는 DSC를 사용하여 다음 방법으로 구한다. 즉, 약 140℃에서 약 5mmHg의 압력하, 약 5시간 이상 건조한 PET 칩의 중앙부로부터 채취된 시료 약 10mmHg의 박편을 질소 분위가하에서 액체용 알루미늄 팬에 위치시킨다. 그 다음 알루미늄 팬을 닫고, 퍼킨엘머사(Perkin Elimer Co.)제의 DSC-2형의 시차주사 열량계로 다음 조건하에서 흡열을 측정한다. 샘플을 실온으로 부터 10℃/분의 상승속도로 승온시키고, 검출되는 흡열피크의 흡열개시 온도를 구한다. 도1에 DSC에 의해서 측정한 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 DSC의 곡선의 일례를 나타냈다.The endothermic peak is obtained by DSC using the following method. That is, a flake of about 10 mmHg of sample taken from the central portion of the PET chip dried at about 140 ° C. under a pressure of about 5 mmHg for about 5 hours or more is placed in a liquid aluminum pan under nitrogen atmosphere. The aluminum pan is then closed, and the endotherm is measured under the following conditions with a differential scanning calorimeter of type DSC-2 manufactured by Perkin Elimer Co. The sample is raised from room temperature at a rate of 10 ° C./min, and the endothermic onset temperature of the detected endothermic peak is obtained. An example of the curve of the DSC of polyethylene terephthalate measured by DSC is shown in FIG.

공정(A)와 달리 공정(B)에서는 교반을 행하지 않는다. 예를 들어 PET칩을 공급하고, 가열하고, 배출하는 기능을 갖는 배치식 장치 또는, 장치의 한쪽으로부터 PET칩을 공급하고 가열기체의 유통하에서 PET칩이 자중으로 이동하여 다른 쪽으로 부터 배출되도록 한 기능을 갖는 연속식 장치가 채용된다.Unlike step (A), agitation is not performed in step (B). For example, a batch device having a function of supplying, heating, and discharging a PET chip, or a function of supplying a PET chip from one side of the device and discharging the PET chip to its own weight under the flow of a heating gas to be discharged from the other side. A continuous device having a is employed.

PET칩의 정치하의 가열 이라 함은 가열처리 동안에 PET칩의 교반을 행하지 않는 것을 의미하고, PET칩이 가열장치 내에서 유동되지 않는 상태 및 PET칩이 가열장치 내에서 자중에 의해서 이동(유동) 하고 있는 상태에서 가열하는 것을 포함한다.Heating under the standing of the PET chip means not stirring the PET chip during the heat treatment, the PET chip is not flowing in the heating apparatus, and the PET chip is moved (flowed) by its own weight in the heating apparatus. Heating in a state where it is present.

상기 가열 온도(T2)가 Tbm이상일 경우, PET칩의 블록킹 또는 용융이 발생한다. 가열온도가 (Tbm∼40℃)이하 일 경우, 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화가 지연되어 예비결정화에 많은 시간이 소요되는 경우가 있다.When the heating temperature (T 2 ) is T bm or more, blocking or melting of the PET chip occurs. When the heating temperature is lower than (T bm- 40 ° C), the crystallization of polyethylene terephthalate may be delayed, which may take a long time for precrystallization.

부피크의 흡열개시 온도(Tbm)는 가열시간의 경과, 즉 결정화의 진행과 함께 고온측으로 이동하기 때문에 주기적으로 DSC에 의한 승온 분석을 행하고, 그 결과에 따라 가열조건을 변화시키는 것이 바람직하다. 즉 공정(B)에서는 PET칩의 가열온도가 서서히 상승하도록 가열조건을 설정하는 것이 좋다.The endothermic onset temperature T bm of the bulk is moved to the high temperature side with the passage of the heating time, i.e., the progress of crystallization, and therefore, it is preferable to periodically conduct a temperature increase analysis by DSC and to change the heating conditions accordingly. That is, in step (B), it is preferable to set the heating conditions so that the heating temperature of the PET chip gradually rises.

공정(B)의 바람직한 온도조건으로서 구체적으로는 배치식에서는 초기 온도가 150℃ 정도, 최종온도가 190℃ 정도가 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 연속식에서는 입구온도가 150℃정도, 배출온도가 190℃정도가 되도록 PET칩의 이동속도, 가열가스의 공급량을 설정하는 것이 바람직하다.As a preferable temperature condition of process (B), specifically, it is preferable to set so that an initial temperature may be about 150 degreeC and a final temperature may be about 190 degreeC in a batch type, and in continuous type, an inlet temperature is about 150 degreeC and discharge temperature is 190 degree. It is preferable to set the moving speed of the PET chip and the supply amount of the heating gas so as to be about ℃.

공정(B)은 상기 공정(A)와 동일한 불활성 가스 분위기 중에서 행하는 것이 바람직하다.It is preferable to perform a process (B) in the same inert gas atmosphere as the said process (A).

공정(B)의 PET 칩의 가열시간(연속식에서는 체류시간)은 30분∼5시간, 바람직하게는 1∼3시간이다.The heating time (retention time in continuous type) of the PET chip of the process (B) is 30 minutes-5 hours, Preferably it is 1-3 hours.

다음에 PET칩을 교반하에서 상기 온도(T2)에서 고상중축합 온도로 상승시키는 공정(C)을 행한다.Next, a step (C) of raising the PET chip from the temperature (T 2 ) to the solid phase condensation temperature under stirring is performed.

이 공정(C)에서는 상기 공정(A)에서 사용한 교반장치와 동일한 장치를 사용 할 수 있다. 이 교반장치는 한쪽으로 부터 PET칩이 공급되고, 다른 쪽으로 배출되도록 한 연속식인 것이 바람직하다.In this step (C), the same device as the stirring device used in the step (A) can be used. This stirring device is preferably a continuous type so that PET chips are supplied from one side and discharged to the other side.

공정(C)에서는 예를들어 상기한 바와같은 교반장치를 사용하고, 장치의 한쪽으로부터 PET 칩을 공급하고, 가열기체의 유통하에서 교반하면서 PET칩을 가열하고, 다른쪽으로 배출함으로서 행한다.In the step (C), for example, a stirring device as described above is used to supply the PET chip from one side of the device, and the PET chip is heated while stirring under the flow of a heating gas and discharged to the other side.

상기 공정(C)는 상기와 같은 불활성 가스 분위가 중에서 행하는 것이 바람직하다.It is preferable that the said process (C) is performed in the above inert gas components.

공정(C)의 PET칩의 체류시간(가열시간)은 1∼20분간, 바람직하게는 3∼10분간이다.The residence time (heating time) of the PET chip in the step (C) is 1 to 20 minutes, preferably 3 to 10 minutes.

상기 공정(A)∼(C)로 된 예비 결정화 공정에 의해서 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도가 적어도 30%, 바람직하게는 45%이상이 되도록 결정화 한다. 예비 결정화 된 PET칩은 고상 중축합 반응 공정에 공급한다.The crystallization degree of the polyethylene terephthalate is at least 30%, preferably at least 45%, by the preliminary crystallization step of the steps (A) to (C). Pre-crystallized PET chip is fed to the solid state polycondensation reaction process.

고상 중축합 반응 공정Solid Phase Polycondensation Reaction Process

고상 중축합 반응 공정은 적어도 1단계로 되고, 중축합 온도가 통상 190∼230℃, 바람직하게는 195℃∼225℃, 압력은 1Kg/cm2-G∼10Torr, 바람직하게는 상압∼10Torr의 조건하에서 실시한다. 고상 중축합 반응 공정은 통상 질소 가스, 아르곤 가스, 탄산 가스 등의 블활성 가스 분위기에서 실시하고, 이들의 불활성 가스의 중에는 질소 가스가 바람직하다. 또 고상중합은 고온 감압하에서 행할 수 있다.The solid-phase polycondensation reaction step is at least one step, the polycondensation temperature is usually 190 to 230 ℃, preferably 195 ℃ to 225 ℃, the pressure is 1Kg / cm 2 -G to 10 Torr, preferably the atmospheric pressure to 10 Torr Under the following conditions. The solid state polycondensation reaction step is usually carried out in a deactivated gas atmosphere such as nitrogen gas, argon gas, carbon dioxide gas, and of these inert gases, nitrogen gas is preferable. Solid phase polymerization can be carried out under high temperature and reduced pressure.

고상 중축합 반응 공정을 거쳐서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 고유점도는 통상 0.50dl/g 이상, 바람직하게는 0.54dl/g 이상, 더 바람직하게는 0.70dl/g 이상, 특히 바람직하게는 0.72dl/g 이상이고, 밀도는 통상 1.37g/cm3이상, 바람직하게는 1.38g/cm3이상, 더 바람직하게는 1.39g/cm3이상 이다.The intrinsic viscosity of the polyethylene terephthalate obtained through the solid phase polycondensation reaction process is usually 0.50 dl / g or more, preferably 0.54 dl / g or more, more preferably 0.70 dl / g or more, particularly preferably 0.72 dl / g or more And the density is usually at least 1.37 g / cm 3 , preferably at least 1.38 g / cm 3 , more preferably at least 1.39 g / cm 3 .

또 상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트 중에 함유되는 올리고머(상기 일반식((I)으로 나타낸 에틸렌 테레프탈레이트 성분단위의 환상 3량체)의 량은 0.6중량% 이하, 바람직하게는 0.5중량% 이하, 더 바람직하게는 0.45중량% 이하, 특히 바람직하게는 0.4중량% 이하이다.The amount of the oligomer (cyclic trimer of the ethylene terephthalate component unit represented by the general formula (I)) contained in the polyethylene terephthalate is 0.6% by weight or less, preferably 0.5% by weight or less, more preferably 0.45 Or less, particularly preferably 0.4% or less by weight.

본 발명은 PET칩의 블로킹이나 용융이 발생하지 않고, 효과적으로 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 예비결정화 시킬 수 있다. 또 공중합 폴리에틸렌 테레프탈레이트에서도 용이하게 예비 결정화 조건을 결정할 수 있다.The present invention can effectively pre-crystallize polyethylene terephthalate without blocking or melting of PET chips. Moreover, also in copolymerization polyethylene terephthalate, precrystallization conditions can be easily determined.

실시예Example

본 발명을 다음 실시예를 참조하여 설명하겠으나 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.The present invention will be described with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples.

실시예 1Example 1

제1 내지 제4 반응기가 조(槽)형이며 제5 반응기는 2축 회전식의 횡형 반응기로 되는 연속 중축합 반응 장치를 사용하여, 하기와 같이 조작하여 연속 중축합을 행하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 제조했다Polyethylene terephthalate (PET) was carried out by performing continuous polycondensation using the continuous polycondensation reaction apparatus in which the first to fourth reactors were coarse and the fifth reactor was a biaxial rotary horizontal reactor. Manufactured

미리 3750중량부의 반응액이 체류되어 있고, 교반하 255℃에서 질소 분위기 하에 1.7Kg/cm2-G의 조건으로 유지된 제1 반응기에, 고순도 테레프탈산, 에틸렌 글리콜 및 안티몬 트리옥사이드를 혼합하여 제조한 슬러리를 매시 고순도 테레프탈산 1437중량부, 에틸렌 글리콜 645중량부 및 안티몬 트리옥사이드 0.57 중량부의 비율로 연속적으로 공급하여 제1 단계의 에스테르화 반응을 행하고, 이 동안에 매시 203 중량부의 물과 3중량부의 에틸렌 글리콜을 증류 제거했다. 또 이 제1 단계의 에스테르화 반응은 슬러리의 평균 체류시간이 2.0 시간에 되도록 제어하고, 제1 반응기로 부터 배출된 슬러리는 교반하에서 260℃, 0.8kg/cm2-G의 조건하에서 유지된 제2 반응기에 연속적으로 도입했다.Prepared by mixing 3750 parts by weight of the reaction liquid in advance and mixing high-purity terephthalic acid, ethylene glycol and antimony trioxide in a first reactor maintained at 1.7 Kg / cm 2 -G under a nitrogen atmosphere at 255 ° C. under stirring. The slurry was continuously fed at a ratio of 1437 parts by weight of high purity terephthalic acid, 645 parts by weight of ethylene glycol and 0.57 parts by weight of antimony trioxide, to carry out the first step of esterification, during which 203 parts by weight of water and 3 parts by weight of ethylene glycol were used. Was distilled off. The first esterification reaction was controlled so that the average residence time of the slurry was 2.0 hours, and the slurry discharged from the first reactor was maintained at 260 ° C. under 0.8 kg / cm 2 -G under stirring. Introduced in two reactors continuously.

제2 반응기에서는 85% 인산과 에틸렌 글리콜의 균일 용액을 매시 85% 인산이 0.46중량부, 에틸렌 글리콜이 9중량부가 공급되도록 연속적으로 공급하는 동시에 매시 84중량부의 물과 7중량부의 에틸렌 글리콜을 연속적으로 증류 제거하여 제2 단계의 에스테르화 반응을 계속했다. 또 이 2 단계의 에스테르화 반응은 슬러리의 평균 체류시간이 2.0시간이 되도록 제어하고, 제2 반응기에서 배출된 슬러리는 교반하에서 275℃, 70mmHg의 조건으로 유지된 제3 반응기에 연속적으로 도입했다.In the second reactor, a uniform solution of 85% phosphoric acid and ethylene glycol was continuously fed so that 0.46 parts by weight of 85% phosphoric acid and 9 parts by weight of ethylene glycol were supplied at the same time, while 84 parts by weight of water and 7 parts by weight of ethylene glycol were continuously fed. The distillation removed and continued the esterification reaction of the second step. The two-step esterification reaction was controlled so that the average residence time of the slurry was 2.0 hours, and the slurry discharged from the second reactor was continuously introduced into a third reactor maintained at 275 ° C. and 70 mmHg under stirring.

제3 반응기에서는 매시 62중량부의 에틸렌 글리콜과 6중량부의 물을 연속적으로 증류 제거하여 제1 단계의 중축합 반응을 행했다. 또 이 제1 단계의 중축합 반응은 중축합 반응물의 평균 체류시간이 1.0시간이 되게 제어하고, 제3 반응기에서 배출된 중축합 반응물은 교반하에서 280℃, 5mmHg의 조건으로 유지된 제4 반응기에 연속적으로 도입했다.In the third reactor, 62 parts by weight of ethylene glycol and 6 parts by weight of water were continuously distilled off to perform the first condensation reaction. In addition, the polycondensation reaction of the first step is controlled so that the average residence time of the polycondensation reactants is 1.0 hour, and the polycondensation reactant discharged from the third reactor is kept in a fourth reactor maintained at 280 ° C. and 5 mmHg under stirring. Introduced continuously.

제4 반응기에서는 매시 26중량부의 에틸렌 글리콜과 3중량부의 물을 연속적으로 증류 제거하여 제2 단계의 중축합 반응을 계속했다. 또 이 제2 단계의 중축합 반응은 중축합 반응물의 평균 체류시간이 1.0시간이 되게 제어하고, 제4 반응기에서 배출된 중축합 반응물은 교반하에서 282∼285℃, 1.8∼2.5mmHg의 조건으로 유지된 제5 반응기(2축 회전식 횡형 반응조)에 연속적으로 도입했다.In the fourth reactor, 26 parts by weight of ethylene glycol and 3 parts by weight of water were continuously distilled off to continue the second condensation reaction. In this second step, the polycondensation reaction was controlled so that the average residence time of the polycondensation reactant was 1.0 hour, and the polycondensation reaction product discharged from the fourth reactor was maintained at 282 to 285 ° C and 1.8 to 2.5 mmHg under stirring. To the fifth reactor (biaxial rotary horizontal reactor).

제5 반응기에서는 매시 12 중량부의 에틸렌 글리콜과 3중량부의 물을 연속적으로 증류 제거하여, 제3 단계의 중축합 반응을 계속했다. 또 이 제3 단계의 중축합 반응은 중축합 반응물의 평균 체류시간이 2.5시간이 되게 제어하고, 폴리에스테르 취출 장치에 의해서 반응기 밖으로 스트랜드 상으로 연속적으로 취출하고, 수중에 침지시켜 냉각한 후에 스트랜드 컷터에 의해서 칩상으로 재단했다.In the fifth reactor, 12 parts by weight of ethylene glycol and 3 parts by weight of water were continuously distilled off to continue the polycondensation reaction of the third step. The third step of the polycondensation reaction is controlled so that the average residence time of the polycondensation reactant is 2.5 hours, continuously taken out onto the strands out of the reactor by the polyester extraction device, immersed in water, and cooled, followed by a strand cutter. Was cut into chips.

이상의 액상 중축합에 의해서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 o-클로로 페놀 중에서 25℃에서 측정한 고유점도가 0.58dl/g이고, 디에틸렌 글리콜 단위의 함유량은 0.95 중량% 이고, 밀도법에 의해서 구한 결정화도는 1% 였다.Intrinsic viscosity measured at 25 degreeC in the o-chloro phenol of the polyethylene terephthalate obtained by the above-mentioned liquid polycondensation is 0.58 dl / g, content of the diethylene glycol unit is 0.95 weight%, and the crystallinity calculated by the density method is 1 Was%.

이와같은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 액상 중축합품 칩을 도2에 나타낸 바와같은 횡형 연속 가열조(2), 종형 연속 가열조(3), 횡형 연속 가열조(4), 고상 중축합 반응조(7)를 구비한 반응장치에 연속적으로 공급하여 예비 결정화 및 고상 중축합을 행했다. 또 도2 에서 1은 공급 호퍼, 5는 공기정화 장치이고, 6은 공기 가열기이고, 8은 냉각기, 9는 질소 정화장치이고, 10은 송풍기, 11은 가열기를 각각 나타낸다.Such a polyethylene terephthalate liquid polycondensation product chip is provided with the horizontal continuous heating tank 2, the vertical continuous heating tank 3, the horizontal continuous heating tank 4, and the solid state polycondensation reaction tank 7 as shown in FIG. It was continuously supplied to the reactor, and precrystallization and solid state polycondensation were performed. In Fig. 2, 1 is a supply hopper, 5 is an air purifier, 6 is an air heater, 8 is a cooler, 9 is a nitrogen purifier, 10 is a blower, and 11 is a heater.

예비결정화의 일반 절차General Procedure of Precrystallization

이 반응 장치에서, 횡형 연속 가열조(2)에서는 가열조의 한 쪽에서 폴리에틸렌 테레프탈레이트 액상 중축합품 칩을 공급하고, 이 폴리에틸렌 테레프탈레이트 액상 중축합품을 가열, 교반하면서 다른 쪽으로 배출하는 공정(A)이 행해진다. 종형 연속 가열조(3)에서는 가열조의 상부에서 공정(A)을 거친 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 칩을 공급하고, 이 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 칩을 질소의 유통하에서 가열하고, 가열조의 하부로 배출하는 공정(B)이 행해진다. 이 종형 연속 가열조(3)에서는 폴리에틸렌 테레프탈레이트가 조내를 자중으로 이동한다. 횡형 연속 가열조(4)에서는 가열조의 한쪽에서 공정(B)을 거친 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 칩을 공급하고, 이 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 칩을 가열, 교반 하면서 다른 쪽으로 배출하는 공정(C)이 행해진다.In this reaction apparatus, in the horizontal continuous heating tank 2, a step (A) of supplying a polyethylene terephthalate liquid polycondensation product chip from one side of the heating bath and discharging the polyethylene terephthalate liquid polycondensation product to the other while heating and stirring is performed. All. In the vertical type continuous heating tank 3, a step of supplying a chip of polyethylene terephthalate which has undergone step (A) at the top of the heating bath, heating the chip of polyethylene terephthalate under the flow of nitrogen, and discharging it to the bottom of the heating bath (B). ) Is performed. In this vertical type continuous heating tank 3, polyethylene terephthalate moves in the tank at its own weight. In the horizontal continuous heating tank 4, the process (C) of supplying the chip of the polyethylene terephthalate which passed through the process (B) from one side of the heating tank, and discharging the chip of this polyethylene terephthalate to the other side while heating and stirring is performed.

횡형 연속 가열조(2)의 한쪽으로 상기에서 제조한 폴리에틸렌 테레프탈레이트액상 중축합품을 공급하고, 170℃로 가열하면서 교반했다. 이 공정(A)에 의해서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 DSC로 측정한 부피크의 흡열개시 온도(Tbm)은 175℃이고, 밀도법으로 구한 결정화도는 41% 였다.The polyethylene terephthalate liquid polycondensation product prepared above was supplied to one of the horizontal continuous heating tanks 2, and it stirred, heating at 170 degreeC. The endothermic onset temperature (T bm ) of the bulk liquid measured by DSC of polyethylene terephthalate obtained in this step (A) was 175 ° C, and the crystallinity determined by the density method was 41%.

다음 공정(A)에서 제조된 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 칩을 종형 연속 가열조(3)에 공급하고, 170℃로 가열했다. 이 공정(B)에서의 체류시간은 108분 였다. 이 공정(B)에 의해서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 밀도법으로 구한 결정화도는 48%였다.The chip of polyethylene terephthalate manufactured in the next process (A) was supplied to the vertical type continuous heating tank 3, and it heated at 170 degreeC. The residence time in this step (B) was 108 minutes. The degree of crystallinity determined by the density method of polyethylene terephthalate obtained in this step (B) was 48%.

다음 공정(B)에서 제조된 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 칩을 횡형 연속 가열조(4)에 공급하고, 202℃로 가열하면서 교반했다. 이 공정(C)에서의 체류시간은 125분 였다. 이 공정(C)에 의해서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 밀도법으로 구한 결정화도는 51% 였다.The chip of polyethylene terephthalate manufactured in the next process (B) was supplied to the horizontal type continuous heating tank 4, and it stirred, heating at 202 degreeC. The residence time in this step (C) was 125 minutes. The degree of crystallinity determined by the density method of polyethylene terephthalate obtained in this step (C) was 51%.

이와같은 예비결정화 공정의해서 얻은 에틸렌 테레프탈레이트의 칩을 고상 중축합 반응 장치(7) 중에서 210℃의 질소 분위기하에서 15시간 가열하여 고상 중축합을 행했다.The chip of the ethylene terephthalate obtained by such a precrystallization process was heated in a solid state polycondensation reaction apparatus 7 in 210 degreeC nitrogen atmosphere for 15 hours, and solid-phase polycondensation was performed.

각 공정에서 폴리에틸렌 테레프탈레이트는 융착을 일으키지 않고 제조할 수 있었다.In each process, polyethylene terephthalate could be produced without causing fusion.

실시예 2Example 2

실시예 1에서 고순도 테레프탈산 1437 중량부 대신에 고순도 테레프탈산 1394중량부 및 이소프탈산 43 중량부를 사용하고, 안티몬 트리옥사이드의 첨가량을 0.46중량부, 85% 인산의 첨가량을 0.20 중량부로 한 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 제조했다.In Example 1, 194 parts by weight of high purity terephthalic acid and 43 parts by weight of isophthalic acid were used instead of 1437 parts by weight of high purity terephthalic acid, except that 0.46 parts by weight of antimony trioxide was added and 0.20 parts by weight of 85% phosphoric acid. In the same manner, polyethylene terephthalate was prepared.

얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 액상 중축합칩은 o-클로로 페놀중 25℃에서 측정한 고유점도는 0.60dl/g이고, 디에틸렌 글리콜 단위의 함유량은 0.98 중량%이고, 밀도법으로 구한 결정화도는 1% 였다.The obtained polyethylene terephthalate liquid polycondensation chip had an intrinsic viscosity measured at 25 ° C. in o-chlorophenol at 0.60 dl / g, a content of diethylene glycol unit was 0.98% by weight, and a crystallinity determined by the density method was 1%.

상기한 방법으로 제조한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 액상 중축합 칩을 도2에 나타낸 반응장치를 사용하여 예비 결정화 및 고상 중축합을 행했다.The polyethylene terephthalate liquid polycondensation chip produced by the above method was subjected to precrystallization and solid phase polycondensation using a reactor shown in FIG.

먼저 결정화도가 0.9, 온도가 50℃인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 액상 중축합 칩을, 공정(A)용 교반 블레이드를 장착한 횡형 연속 가열조(2)에 공급했다. 여기서 온도 170℃, 체류시간은 2.5분으로 가열했다. 이 공정(A)에 의해서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 DSC에 의해서 측정한 부피크의 흡열개시 온도(Tbm)는 174℃ 였다. 밀도법으로 구한 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도는 39%였다. 상기 공정(A)의 칩의 출구 온도는 165℃ 였다. 이 공정(A)에 있어서의 칩의 블록킹은 일어나지 않았다.First, the polyethylene terephthalate liquid polycondensation chip whose crystallinity degree is 0.9 and temperature is 50 degreeC was supplied to the horizontal continuous heating tank 2 equipped with the stirring blade for process (A). Here, temperature 170 degreeC and residence time were heated at 2.5 minutes. The endothermic initiation temperature (T bm ) of the volume measured by DSC of the polyethylene terephthalate obtained by this process (A) was 174 degreeC . The degree of crystallization of polyethylene terephthalate obtained by the density method was 39%. The exit temperature of the chip of the said process (A) was 165 degreeC. Blocking of the chip in this step (A) did not occur.

다음에 공정(A)에서 제조된 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 공정(B)용 종형 연속 가열조(3)에 공급했다. 여기서 흡열 개시 온도(Tbm)는 174℃보다 낮은 170℃이고, 체류시간은 118분으로 가열했다. 이 공정(B)에 의해서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 밀도법으로 구한 결정화도는 45%이고, Tbm은 185℃이고, 출구 온도는 170℃였다.Next, the polyethylene terephthalate chip manufactured in the step (A) was supplied to the vertical continuous heating bath 3 for the step (B). The endothermic onset temperature (T bm ) was 170 ° C. lower than 174 ° C., and the residence time was heated to 118 minutes. The degree of crystallization determined by the density method of polyethylene terephthalate obtained in this step (B) was 45%, T bm was 185 ° C and the outlet temperature was 170 ° C.

다음에 공정(B)에서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 칩을 공정(C)용 횡형 연속 가열조(3)에 공급했다. 여기서 교반하면서 212℃, 체류시간은 133분으로 가열했다. 이 공정(C)에 의해서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 밀도법으로 구한 결정화도는 48%였다. 출구 온도는 209℃였다. 이 공정(C)에서 칩의 블록킹이나 융착은 일어나지 않았다. 또 상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 고상 중축합 반응조(7)에 공급하여 고상 중축합 반응을 행했다. 이 공정에서, 칩의 블록킹이나 융착은 일어나지 않았다.Next, the chip of polyethylene terephthalate obtained at the process (B) was supplied to the horizontal continuous heating tank 3 for a process (C). While stirring, 212 degreeC and residence time were heated at 133 minutes. The degree of crystallinity determined by the density method of polyethylene terephthalate obtained in this step (C) was 48%. The outlet temperature was 209 ° C. In this step (C), no blocking or fusion of chips occurred. Moreover, the said polyethylene terephthalate chip was supplied to the solid state polycondensation reaction tank 7, and the solid state polycondensation reaction was performed. In this step, no blocking or fusion of chips occurred.

실시예 3Example 3

실시예2의 공정(A)에서 제조된 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 칩을 공정(B)용 종형 연속 가열조(3)에 공급했다. 여기서 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 흡열 개시 온도(Tbm)이하 보다 낮은 170℃, 체류시간은 63분으로 가열했다. 이 공정(B)에서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 밀도법으로 구한 결정화도는 43%이고, Tbm은 179℃이고 출구 온도는 170℃였다.The chip of polyethylene terephthalate manufactured in the process (A) of Example 2 was supplied to the vertical type continuous heating tank 3 for a process (B). Here, 170 degreeC lower than endothermic onset temperature ( Tbm ) of polyethylene terephthalate was heated to 63 minutes. The degree of crystallinity determined by the density method of polyethylene terephthalate obtained in this step (B) was 43%, T bm was 179 ° C and the outlet temperature was 170 ° C.

공정(B)에서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 공정(C)용 횡형 연속 가열조(4)에 교반하면서 공급했다. 여기서 교반하면서 212℃, 체류시간은 71분으로 가열했다. 이 공정(C)에서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도는 밀도법으로 측정하여 49%이고, 출구 온도는 202℃였다.The polyethylene terephthalate chip obtained at the process (B) was supplied to the horizontal continuous heating tank 4 for a process (C), stirring. 212 degreeC and residence time were heated to 71 minutes, stirring. The degree of crystallization of polyethylene terephthalate obtained in this step (C) was 49%, measured by the density method, and the outlet temperature was 202 ° C.

상기한 예비결정화 공정에서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 칩을 고상 중축합 반응조(7) 중에서 210℃의 질소분위기에서 15시간 가열하여 고상중축합을 행했다.The chip of the polyethylene terephthalate obtained in the above-mentioned precrystallization step was heated in a nitrogen atmosphere at 210 ° C. for 15 hours in the solid-phase polycondensation reactor 7 to perform solid-phase polycondensation.

각 공정에서, 칩의 블록킹 또는 융착을 일으키지 않고 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 제조할 수 있었다.In each process, polyethylene terephthalate can be produced without causing blocking or fusion of chips.

비교예 1Comparative Example 1

실시예 2와 동일한 방법으로 제조한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 액상 중축합칩을 도2에 도시한 반응 장치를 사용하여 예비결정화 했다.The polyethylene terephthalate liquid polycondensation chip prepared in the same manner as in Example 2 was precrystallized using the reaction apparatus shown in FIG.

상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트 액상 중축합 칩을 공정(A)용 교반 블레이드를 장착한 횡형 연속 가열조(2)에 공급하고, 여기서 170℃로 가열했다. 체류시간 1분 후에 출구의 칩 온도 125℃에서 상기 연속 가열조(2)로 부터 칩을 취출했다. 상기 공정(A)에서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 흡열 개시 온도(Tbm)은 DSC로 측정하여 160℃였다. 이 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도는 밀도법으로 측정하여 1.6%였다.The said polyethylene terephthalate liquid polycondensation chip was supplied to the horizontal continuous heating tank 2 equipped with the stirring blade for process (A), and it heated at 170 degreeC here. After 1 minute of residence time, the chip was taken out from the continuous heating bath 2 at the chip temperature of 125 ° C at the outlet. The endothermic initiation temperature (T bm ) of the polyethylene terephthalate obtained in the step (A) was 160 ° C. as measured by DSC. The crystallinity of this polyethylene terephthalate was 1.6% as measured by the density method.

상기 공정(A)에서 제조된 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 공정(B)용 종형 연속 가열조(3)에 공급하고 165℃로 가열했다. 그러나 칩의 블록킹이 발생하여 다음 공정에 의한 가열은 불가능 했다.The polyethylene terephthalate produced in the said process (A) was supplied to the vertical type continuous heating tank 3 for process (B), and it heated at 165 degreeC. However, blocking of the chip occurred and heating by the next process was impossible.

비교예 2Comparative Example 2

실시예 2와 동일한 방법으로 제조한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 액상 중축합칩을 도2에 도시한 반응 장치를 사용하여 예비결정화 했다.The polyethylene terephthalate liquid polycondensation chip prepared in the same manner as in Example 2 was precrystallized using the reaction apparatus shown in FIG.

상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트 액상 중축합 칩을 공정(A)용 횡형 연속 가열조(2)에 공급하고, 대기 온도 170℃에서 가열했다. 체류시간 1.5분 후에 출구의 칩 온도 135℃에서 상기 연속 가열조(2)로 부터 칩을 취출했다. 상기 공정(A)에서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 흡열 개시 온도(Tbm)은 DSC로 측정하여 168℃였다. 이 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도는 밀도법으로 측정하여 3%였다.The said polyethylene terephthalate liquid polycondensation chip was supplied to the horizontal continuous heating tank 2 for a process (A), and it heated at atmospheric temperature 170 degreeC. After 1.5 minutes of residence time, the chip was taken out from the continuous heating bath 2 at the chip temperature of 135 ° C. The endothermic initiation temperature (T bm ) of the polyethylene terephthalate obtained in the step (A) was 168 ° C as measured by DSC. The crystallinity of this polyethylene terephthalate was 3% as measured by the density method.

상기 공정(A)에서 제조된 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 공정(B)용 종형 연속 가열조(3)에 공급하고 흡열개시 온도(Tbm) 168℃ 보다 높은 170℃, 체류시간은 40분으로 가열했다. 상기 공정(B)에서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트는 밀도법으로 측정하여 결정화도가 40%였다. 상기 공정(B)에서 칩의 블록킹이 발생하여 다음 공정의 가열이 불가능 했다.The polyethylene terephthalate produced in the said process (A) was supplied to the vertical type continuous heating tank 3 for process (B), and the endothermic start temperature (T bm ) was 170 degreeC higher than 168 degreeC , and the residence time was heated to 40 minutes. The polyethylene terephthalate obtained in the said process (B) was measured by the density method, and crystallinity was 40%. Blocking of the chip occurred in step (B), and heating of the next step was impossible.

Claims (5)

에스테르화 반응공정 및 액상 중축합 반응 공정을 거쳐서 얻은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 가열하여 상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 결정화 하는 예비결정화 공정과, 예비 결정화한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 상기 예비 결정화 온도 이상으로 가열하는 고상 중축합 반응 공정을 포함하는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조방법에 있어서,Pre-crystallization step of crystallizing the polyethylene terephthalate by heating the polyethylene terephthalate chip obtained through the esterification step and the liquid phase polycondensation reaction step, and solid-phase polycondensation heating the pre-crystallized polyethylene terephthalate chip above the pre-crystallization temperature In the polyethylene terephthalate production method comprising a polymerization reaction step, 상기 예비결정화 공정은;The precrystallization process; (A) 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 교반하면서 Tg이상 180℃ 이하의 온도(T1)에서 가열하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도가 적어도 3%가 되도록 결정화시키는 공정과,(A) a step of crystallizing the polyethylene terephthalate chip at a temperature (T 1 ) of at least T g and at most 180 ° C. while stirring to crystallize such that the degree of crystallinity of the polyethylene terephthalate is at least 3%, (B) 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 정치하에서 (Tbm-40℃)이상 Tbm이하의 온도(T2) 범위에서 가열하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화도가 적어도 30%가 되록 결정화 시키는 공정과,(B) heating the polyethylene terephthalate at a temperature (T 2 ) of not less than (T bm -40 ° C) and not more than T bm to crystallize such that the degree of crystallinity of the polyethylene terephthalate is at least 30%; (여기서 Tbm은 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 속도 10℃/분으로 승온할 경우 시차주사 열량계(DSC)로 관찰한 흡열 피크중 부피크의 흡열개시 온도) 및Where T bm is the endothermic onset temperature of the bulk in the endothermic peak observed with a differential scanning calorimeter (DSC) when the polyethylene terephthalate is heated at a rate of 10 ° C./min. (C) 상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트 칩을 상기 고상 중축합 온도까지 승온시키기 위해서 가열하는 공정으로 된 것이 특징인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조방법.(C) A method for producing polyethylene terephthalate, characterized in that it is a step of heating the polyethylene terephthalate chip to raise the temperature to the solid state polycondensation temperature. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 공정(B)의 최종 수지온도가 190±30℃ 범위인 것이 특징인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조방법.Process for producing polyethylene terephthalate, characterized in that the final resin temperature of step (B) is 190 ± 30 ℃ range. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 공정(B)에서 가열시간은 1∼3시간 범위인 것이 특징인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조방법.Polyethylene terephthalate production method characterized in that the heating time in the step (B) is in the range of 1 to 3 hours. 제1내지 제3항중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 고상 중축합 온도는 200∼230℃ 범위인 것이 특징인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조방법.Solid phase polycondensation temperature is a polyethylene terephthalate production method characterized in that the range of 200 ~ 230 ℃. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 공정(B)의 가열조건은 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 결정화가 진행할 때 부피크의 흡열개시 온도(Tbm)의 시프트에 비례하여 고온측으로 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 가열 온도가 서서히 상승하도록 설정하는 것이 특징인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 제조방법.The heating conditions of step (B) are characterized in that the polyethylene terephthalate is characterized in that the heating temperature of the polyethylene terephthalate gradually increases to the high temperature side in proportion to the shift of the endothermic onset temperature (T bm ) of the bulk when the crystallization of the polyethylene terephthalate proceeds. Phthalate preparation method.
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