KR19980021240A - 반도체소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체소자 제조방법을 개시하고 있다. 이는, 그 중심의 일부분이 마스크에 의해 가려진 스퍼터 타겟을 이용하여 막을 증착하여, 스퍼터 타겟에서 방출되는 이온들의 농도를 균일하게 유지하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 스퍼터 타겟의 중심부를 산화물 마스크를 이용하여 가림으로써, 웨이퍼 상에 증착되는 박막의 두께를 균일하게 유지할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 특히 균일한 두께의 막을 형성할 수 있는 스퍼터 타겟(sputter target)을 이용한 스퍼터 방법에 관한 것이다.
반도체소자 제조에 있어서, 박막을 증착하는 방법으로 스퍼터 방법이 사용되고 있다. 스퍼터 방법은, 고전압이 걸린 진공 챔버 내에 비활성기체를 주입시킨 다음 비활성 기체를 플라즈마 상태로 만들고, 이 이온들을 반대전극이 걸려있는 타겟으로 움직여 타겟의 물질을 튕겨내어 웨이퍼 상에 증착하는 방법이다.
이와같은 스퍼터 방법은 충분히 낮은 온도에서 막의 증착이 가능하므로 오염이 적고 내화금속 및 절연체의 증착도 가능한 장점이 있으나, 막 두께가 불균일하고 단차도포성이 나쁘고, 기판과 증착된 막과의 접착특성이 나쁜 문제점을 안고 있다. 특히, 막 두께의 불균일과 단차도포성은 반도체소자의 특성에 많은 영향을 미치기 때문에 이들을 개선하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
한편, 증착되는 막 두께의 불균일을 유발하는 요인 중의 하나는 스퍼터 공정시 사용되는 타겟의 형태이다.
도1은 종래 일반적으로 사용되는 스퍼터 타겟과 이를 이용하여 형성된 막의 두께를 설명하기 위해 도시한 도면으로서, 종래의 타겟(1)은 주로 균일한 두께를 갖는 원반형으로 제작되었다. 이와 같은 종래의 타겟(1), 예를 들면 알루미늄 타겟을 사용한 스퍼터 방법으로 웨이퍼(3) 상에 막, 예를 들면 알루미늄막(5)을 형성하게 되면, 웨이퍼(3) 중심에서의 알루미늄막(5) 두께가 그 가장자리에서보다 더 두껍게 형성되어 두께차(t1)가 생긴다. 그 이유는, 타겟(1)에서 방출되는 금속이온들의 농도분포가 중심부가 높고 가장자리부가 낮은 코사인 함수 특성을 가지고 있기 때문이며, 이러한 현상은 웨이퍼 상에 증착되는 막의 두께에도 동일한 영향을 미쳐 농도가 높은 곳에는 두꺼운 박막이 형성되고, 농도가 낮은 곳에는 얇은 박막이 얻어지게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 균일한 두께의 막을 증착할 수 있는 스퍼터 타겟을 이용한 스퍼터 방법을 제공하는 것이다.
도1은 종래 일반적으로 사용되는 스퍼터 타겟과 이를 이용하여 형성된 막의 두께를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터 타겟과 본 발명의 타겟을 이용하여 형성된 막의 두께를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 그 중심의 일부분이 마스크에 의해 가려진 스퍼터 타겟을 이용하여 막을 증착하여, 스퍼터 타겟에서 방출되는 이온들의 농도를 균일하게 유지하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 방법을 제공한다.
따라서, 스퍼터 타겟의 중심부를 산화물 마스크를 이용하여 가림으로써, 웨이퍼 상에 증착되는 박막의 두께를 균일하게 유지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하고자 한다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터 타겟과 본 발명의 타겟을 이용하여 형성된 막의 두께를 설명하기 위하여 도시한 도면으로서, 본 발명에 따른 스퍼터 타겟(11)은 원반형의 중심부에 원형의 마스크, 예를 들면 산화물 마스크(12)가 형성되어 있다.
상기 본 발명에 따른 타겟(11), 예를 들면 알루미늄을 증착하기 위한 알루미늄 타겟(11)을 사용한 스퍼터 방법으로 웨이퍼(23) 상에 막, 예를 들면 알루미늄막(25)을 형성하게 되면, 타겟(11)의 중심부에 형성된 산화물 마스크(12)에 의해 웨이퍼(23) 중심에서의 알루미늄막(25) 두께와 그 가장자리에서의 두께의 차이(t2)가 종래보다 줄어들게 된다. 이는, 타겟(11)의 중심부가 산화물 마스크(12)에 의해 가려져 있기 때문에 방출되는 원자, 이온들의 농도가 균일하게 되며, 이로인해 웨이퍼 상에 증착되는 막의 두께는 균일하게 유지된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 스퍼터 타겟의 중심부를 산화물 마스크를 이용하여 가림으로써, 웨이퍼 상에 증착되는 박막의 두께를 균일하게 유지할 수 있다.
Claims (2)
- 그 중심의 일부분이 마스크에 의해 가려진 스퍼터 타겟을 이용하여 막을 증착하여, 스퍼터 타겟에서 방출되는 이온들의 농도를 균일하게 유지하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크는 산화물 마스크를 이용하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960040027A KR19980021240A (ko) | 1996-09-14 | 1996-09-14 | 반도체소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960040027A KR19980021240A (ko) | 1996-09-14 | 1996-09-14 | 반도체소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980021240A true KR19980021240A (ko) | 1998-06-25 |
Family
ID=66521115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960040027A KR19980021240A (ko) | 1996-09-14 | 1996-09-14 | 반도체소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980021240A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100305091B1 (ko) * | 1998-07-28 | 2002-04-24 | 최식영 | 석회와주물모래형틀로부터생성되는미분사를이용한세라믹성제올라이트정화제및그제조방법 |
-
1996
- 1996-09-14 KR KR1019960040027A patent/KR19980021240A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100305091B1 (ko) * | 1998-07-28 | 2002-04-24 | 최식영 | 석회와주물모래형틀로부터생성되는미분사를이용한세라믹성제올라이트정화제및그제조방법 |
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