KR19980019427A - Device for manufacturing semiconductor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 특히 칩이 본딩된 리드 프레임이 투입되는 투입구 및 배출구가 형성된 가열 경화 상자와, 상기 가열 경화 상자 내에 복수 열로 형성된 히트 블록과, 상기 복수 열의 히트 블록 상에서 리드 프레임을 이송시키는 이송 와이어 및 상기 투입구 및 배출구 내에 개폐 가능케 설치된 도어를 포함한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and in particular, a heat curing box having an inlet and an outlet through which a lead frame bonded with chips is formed, a heat block formed in a plurality of rows in the heat curing box, and a lead frame on the plurality of heat blocks. It includes a transport wire for transferring the door and the door installed to be opened and closed within the inlet and outlet.
따라서, 본 발명에서는 가열 경화 상자 내에 설치된 복수 열의 히트 블록에 의해 복수 열의 리드 프레임이 가열 경화됨으로써 생산성이 증대되고, 가열 경화 상자의 투입구 및 배출구에 개폐 가능케 도어가 구비됨에 따라 질소 가스의 누출을 최소화하여 리드 프레임의 경화시 산화 방지에 따른 제품의 신뢰성 확보가 가능케 된다.Therefore, in the present invention, productivity is increased by heat-curing the plurality of rows of lead frames by a plurality of rows of heat blocks installed in the heat curing box, and minimizes the leakage of nitrogen gas by providing an opening and closing door at the inlet and outlet of the heat curing box. Therefore, it is possible to secure the reliability of the product due to oxidation prevention during the curing of the lead frame.
Description
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 리드 프레임을 본딩시킨 에폭시 등의 접착제를 경화시킬 때 복수 개의 열로 리드 프레임을 이송시키면서 경화시키고, 경화시 리드 프레임이 투입되는 투입구 및 배출구를 밀폐시켜 가스의 누출을 최소화할 수 있도록 된 반도체 제조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus. More particularly, when curing an adhesive such as an epoxy bonded to a lead frame, the lead frame is cured while transferring the lead frame in a plurality of rows, and the inlet and outlet ports through which the lead frame is inserted are sealed. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus capable of minimizing gas leakage.
일반적으로 IC, LSI, 파워 트랜지스터, GOLD MAIN 등의 반도체 제조 공정에서는 베이스재인 리드 프레임의 상측에 은페이스트 상태의 에폭시를 사용하여 복수 개의 칩을 접합시키게 된다.In general, in semiconductor manufacturing processes such as IC, LSI, power transistor, GOLD MAIN, and the like, a plurality of chips are bonded to each other by using silver paste epoxy on the upper side of the lead frame.
그리고, 전도성 접착제인 에폭시를 사용하여 칩을 본딩한 후에는 리드 프레임 및 칩에 열을 가하여 에폭시를 경화시킨 후 대기중의 상온에서 냉각시키게 된다.After bonding the chip using epoxy, which is a conductive adhesive, the lead frame and the chip are heated to cure the epoxy, and then cooled at room temperature in the air.
도 1 은 본 출원인에 의해 출원된 특허 출원 제96-10509호의 반도체 제조 장치를 나타내는 도면으로서, 가열 경화 상자(10)의 내측에는 열을 발생시키는 1열의 히트 블록(11)이 설치되고, 상기 히트 블록(11)의 상측에는 칩(C)이 본딩된 리드 프레임(L)을 이송시키는 복수 개의 이송 와이어(12)가 길이 방향으로 설치되며, 상기 가열 경화 상자(10)의 일측에는 가열 경화된 리드 프레임(L) 및 칩(C)을 냉각시키는 냉각 수단(13)이 구비되어 있고, 상기 냉각 수단(13)에서는 이송 벨트(14)의 작동에 따라 리드 프레임(L)이 이송된 후 매거진(15) 내에 적재되도록 하고 있다.FIG. 1 is a view showing a semiconductor manufacturing apparatus of Patent Application No. 96-10509 filed by the present applicant, wherein a heat block 11 for generating heat is provided inside the heat-hardening box 10. On the upper side of the block 11, a plurality of transfer wires 12 for transferring the lead frame L bonded with the chip C are installed in the longitudinal direction, and one side of the heat curing box 10 is heat cured. Cooling means 13 is provided to cool the frame L and the chip C. In the cooling means 13, the lead frame L is transferred according to the operation of the transfer belt 14, and then the magazine 15 ) To be loaded inside.
따라서, 전공정에서 에폭시를 사용하여 복수 개의 칩(C)을 본딩시킨 리드 프레임L)이 이송 와이어(12)의 작동에 따라 이송되어 가열 경화 상자(10) 내로 투입되면 히트 블록(11)에서 비접촉식으로 전달되는 열에 의해 리드 프레임(L) 및 칩(C)이 가열되어 에폭시를 경화시키게 되며, 상기 가열 경화 상자(10)내에서 가열 경화된 리드 프레임(L)은 다시 이송 와이어(12)의 작동에 의해 가열 경화 상자(10)의 외부로 배출된 후 냉각 수단(13)에서 냉각되어 매거진(15) 내에 적재되는 작동을 반복적으로 행하면서 에폭시를 경화시키는 것이다.Therefore, when the lead frame L in which the plurality of chips C are bonded using epoxy in the previous process is transferred according to the operation of the transfer wire 12 and introduced into the heat-hardening box 10, the non-contact type in the heat block 11 is applied. The lead frame L and the chip C are heated to cure the epoxy by heat transmitted to the lead frame L, and the heat-cured lead frame L in the heat-hardening box 10 is again operated by the transfer wire 12. The epoxy is cured while being repeatedly discharged to the outside of the heat-hardening box 10 and then cooled by the cooling means 13 and loaded into the magazine 15.
그러나, 이와 같은 종래의 반도체 제조 장치는 리드 프레임이 1열로 이송됨에 따라 작업 시간에 따른 생산성이 저하되어 제조 코스트를 상승시키는 한 요인으로 작용하는 문제점이 내재되어 있었다.However, such a conventional semiconductor manufacturing apparatus has a problem in that as the lead frame is transferred to one row, the productivity decreases according to the working time, thereby acting as a factor of increasing the manufacturing cost.
또한, 가열 경화 상자의 양측에 리드 프레임이 투입 및 배출되도록 개방됨에 따라 그 내부에 리드 프레임의 경화시 발생되는 경화 불량 및 리드 프레임의 산화 방지를 위하여 충전된 고가의 질소 가스가 누출됨으로써 질소 가스의 소비량이 증가되는 등의 문제점도 내재되어 있었다.In addition, as the lead frame is opened and closed on both sides of the heat curing box, expensive nitrogen gas charged to prevent oxidation of the lead frame and curing failure caused by curing of the lead frame is leaked therein. Problems such as increased consumption were also inherent.
따라서, 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은 일시에 복수 열로 이송되는 리드 프레임을 가열 경화하여 생산성을 증대시킴과 동시에 제조 코스트를 절감하며, 가열 경화 상자의 투입구 및 배출구를 밀폐하여 질소 가스의 소비량을 현저하게 절감할 수 있고, 산화 방지에 따른 제품의 신뢰성을 확보할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been invented to solve the above-mentioned problems of the prior art, an object of the present invention is to heat-harden the lead frame transferred to a plurality of rows at a time to increase productivity and at the same time reduce the manufacturing cost, heat curing The inlet and outlet of the box is sealed to significantly reduce the consumption of nitrogen gas, and to provide a semiconductor manufacturing apparatus that can ensure the reliability of the product due to oxidation prevention.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는, 칩이 본딩된 리드 프레임이 투입되는 투입구 및 배출구가 형성된 가열 경화 상자와, 상기 가열 경화 상자내에 복수 열로 형성된 히트 블록과, 상기 복수 열의 히트 블록 상에서 리드 프레임을 이송시키는 이송 와이어 및 상기 투입구 및 배출구 내에 개폐 가능케 설치된 도어를 포함한다.The semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention for achieving the above object comprises a heat-hardening box having an inlet and an outlet through which a lead frame bonded with a chip is inserted, a heat block formed in a plurality of rows in the heat-hardening box, and the plurality of rows of It includes a transfer wire for transferring the lead frame on the heat block and a door provided to be opened and closed within the inlet and outlet.
따라서, 본 발명에서는 가열 경화 상자 내에 설치된 복수 열의 히트 블록에 의해 복수 열의 리드 프레임이 가열 경화됨으로써 생산성이 증대되고, 가열 경화 상자의 투입구 및 배출구에 개폐 가능케 도어가 구비됨에 따라 질소 가스의 누출을 최소화하여 리드 프레임의 경화시 산화 방지에 따른 제품의 신뢰성 확보가 가능케 된다.Therefore, in the present invention, productivity is increased by heat-curing the plurality of rows of lead frames by a plurality of rows of heat blocks installed in the heat curing box, and minimizes the leakage of nitrogen gas by providing an opening and closing door at the inlet and outlet of the heat curing box. Therefore, it is possible to secure the reliability of the product due to oxidation prevention during the curing of the lead frame.
도 1 은 종래의 반도체 제조 장치를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
도 2 는 본 발명에 의한 반도체 제조 장치를 나타내는 평면도이다.2 is a plan view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
도 3 은 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 개략적인 측면도이다.3 is a schematic side view of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
도 4 는 본 발명에 의한 반도체 제조 장치에서 가열 경화 상자의 투입구를 나타내는 개략도이다.It is a schematic diagram which shows the inlet of a heat-hardening box in the semiconductor manufacturing apparatus by this invention.
도 5 는 본 발명에 의한 반도체 제조 장치에서 가열 경화 상자의 배출구를 나타내는 개략도이다.It is a schematic diagram which shows the discharge port of the heat-hardening box in the semiconductor manufacturing apparatus by this invention.
도 6 은 본 발명에 의한 반도체 제조 장치에서 가열 경화 상자의 투입구의 작동 상태를 나타내는 개략도이다.It is a schematic diagram which shows the operation state of the inlet of a heat-hardening box in the semiconductor manufacturing apparatus by this invention.
도 7 은 본 발명에 의한 반도체 제조 장치에서 가열 경화 상자의 배출구의 작동 상태를 나타내는 개략도이다.7 is a schematic view showing the operating state of the outlet of the heat curing box in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
20: 가열 경화 상자 20a: 투입구20: heat curing box 20a: inlet
20b: 배출구 21: 히터20b: outlet 21: heater
22: 제1 히트 블록 23: 제2 히트 블록22: first hit block 23: second hit block
24: 이송 실린더 25: 승강 실린더24: transfer cylinder 25: lifting cylinder
26: 이송 와이어 30,31: 도어26: transfer wire 30, 31: door
32,33: 작동 실린더32,33: working cylinder
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 2 는 본 발명에 의한 반도체 제조 장치를 나타내는 평면도이고, 도 2 는 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 일측면도로서, 부호 (20)은 가열 경화 상자를 나타내고 있다.Fig. 2 is a plan view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, and Fig. 2 is a side view of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, and reference numeral 20 denotes a heat curing box.
상기 가열 경화 상자(20)내에는 히터(21)의 작동에 따라 발생된 열을 리드 프레임(L) 및 칩(C)으로 전달하도록 2열의 제1 및 제2 히트 블록(22)(23)이 결합되어 있다.In the heat curing box 20, two rows of first and second heat blocks 22 and 23 are provided to transfer heat generated by the operation of the heater 21 to the lead frame L and the chip C. Are combined.
상기 제1 및 제2 히트 블록(22)(23)의 상측에는 이송 실린더(24)의 작동에 따라 전후 방향으로 이송되고, 승강 실린더(25)의 작동에 따라 소정의 높이로 승강되어 그 상측에 안착된 리드 프레임(L)을 이송시키는 복수 개의 이송 와이어(26)가 소정의 간격을 두고 위치되어 있다.The upper side of the first and second heat blocks 22 and 23 is conveyed in the front-rear direction according to the operation of the transfer cylinder 24, and the upper and lower sides of the first and second heat blocks 22 and 23 are raised and lowered to a predetermined height by the operation of the lifting cylinder 25. A plurality of transfer wires 26 for feeding the seated lead frame L are positioned at predetermined intervals.
그리고, 상기 가열 경화 상자(20)의 양측에는 전공정에서 칩(C)을 본딩한 리드 프레임(L)이 각각의 제1 및 제2 히트 블록(22)(23) 내로 투입될 수 있도록 이송시키는 복수 개의 전이송 로울러(27)와, 상기 가열 경화 상자(20) 내에서 가열 경화된 리드 프레임(L)을 다음의 공정으로 이송시키는 복수 개의 후이송 로울러(28)가 각각 서로 대향하여 설치되어 있다.In addition, both sides of the heat-hardening box 20 are transferred to lead frames L, which bond the chip C in the previous process, to be introduced into the first and second heat blocks 22 and 23, respectively. A plurality of transfer rollers 27 and a plurality of post-feed rollers 28 for transferring the lead frame L heat-hardened in the heat-hardening box 20 to the next step are provided to face each other. .
한편, 상기 가열 경화 상자(20)에는 도 4 에 도시한 바와 같이 전이송 로울러(27)에 의해 이송된 리드 프레임(L)을 내부로 공급하기 위한 투입구(20a)가 일측에 형성되어 있고, 그 대향 측에는 도 5 에 도시한 바와 같이 내부에서 가열 경화된 리드 프레임(L)을 외부로 배출하기 위한 배출구(20b)가 각각 형성되어 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 4, an inlet 20a for supplying the lead frame L transferred by the transfer roller 27 to the inside is formed at one side of the heat-curing box 20. On the opposite side, as shown in Fig. 5, discharge ports 20b for discharging the heat-hardened lead frame L to the outside are formed, respectively.
상기 투입구 및 배출구(20a)(20b)에는 리드 프레임(L)의 투입 및 배출시 개방되는 도어(30)(31)가 구비되며, 상기 도어(30)(31)는 작동 실린더(32)(33)에 의해 상하 방향으로 작동되어 투입구 및 배출구(20a)(20b)를 개폐시킴으로써 가열 경화 상자(20)내에 충전된 질소 가스가 누출되는 것을 방지하게 된다.The inlets and outlets 20a and 20b are provided with doors 30 and 31 which are opened when the lead frame L is inserted and discharged, and the doors 30 and 31 are operated cylinders 32 and 33. By operating in the vertical direction by opening and closing the inlet and outlet (20a, 20b) to prevent the nitrogen gas filled in the heat-hardening box 20 to leak.
그리고, 상기 배출구(20b)의 외측에는 도어(31)의 개방시 가열 경화 상자(20) 내의 질소 가스가 누출되는 것을 차단하도록 배출구(20b)를 향하여 질소 가스를 분사하는 가스 분사구(34)가 형성되어 있고, 상기 가열 경화 상자(20)와 후이송 로울러(28)의 사이에는 가열 경화 상자(20)로부터 배출된 리드 프레임(L)을 후이송 로울러(28)로 이송시키기 위한 이송 벨트(35)가 위치되어 있다.In addition, a gas injection hole 34 is formed at an outer side of the discharge port 20b to inject nitrogen gas toward the discharge port 20b so as to prevent leakage of nitrogen gas in the heat-hardening box 20 when the door 31 is opened. And a transfer belt 35 for transferring the lead frame L discharged from the heat curing box 20 to the post feed roller 28 between the heat curing box 20 and the post feed roller 28. Is located.
이와 같이 구성된 본 발명에 의한 반도체 제조 장치는 전공정에서 에폭시에 의해 복수 개의 칩(C)을 본딩한 리드 프레임(L)이 전이송 로울러(27)를 통하여 이송되면 가열 경화 상자(20) 내로 투입된다.In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention configured as described above, when the lead frame L having bonded the plurality of chips C by epoxy in the previous step is transferred through the transfer roller 27, it is put into the heat-hardening box 20. do.
즉, 상기 가열 경화 상자(20)의 투입구(20a)내에서 폐쇄된 도어(30)가 작동 실린더(32)의 작동에 따라 상승하면 투입구(20a)는 도 6 에 도시한 바와 같이 개방된 상태로 되며, 개방된 투입구(20a)내로는 리드 프레임(L)이 투입되어 제1 및 제2 히트 블록(22)(23)의 상측으로 위치되고, 상기 리드 프레임(L)이 가열 경화 상자(20)의 내측으로 투입된 후에는 다시 작동 실린더(32)가 작동하여 도어(30)를 하강시킴으로써 투입구(20a)는 폐쇄된 상태를 유지하게 된다.That is, when the closed door 30 in the inlet 20a of the heat-hardening box 20 rises according to the operation of the operation cylinder 32, the inlet 20a is opened as shown in FIG. The lead frame L is introduced into the opened inlet 20a and positioned above the first and second heat blocks 22 and 23, and the lead frame L is heated and cured box 20. After the injection into the inside of the operation cylinder 32 is operated again by lowering the door 30 to maintain the inlet (20a) closed state.
이때, 상기 제1 및 제2 히트 블록(22)(23)으로 투입된 리드 프레임(L)은 교대로 투입되는데, 예컨대 제1 히트 블록(22)의 상측으로 리드 프레임(L)이 투입된 후 그 다음의 리드 프레임(L)은 제2 히트 블록(23)의 상측으로 투입되는 것이다.At this time, the lead frames L input to the first and second heat blocks 22 and 23 are alternately input, for example, after the lead frame L is input to the upper side of the first heat block 22, and then the next. The lead frame L is injected into the upper side of the second heat block 23.
그리고, 상기 리드 프레임(L)이 이송될 때에는 승강 실린더(25)가 하강된 상태에서 이송 실린더(24)가 작동하여 이송 와이어(26)를 이송시킴으로써 그 상측에 안착된 리드 프레임(L)이 이송하게 되며, 상기 이송 실린더(24)가 정지하는 경우에는 승강 실린더(25)가 하강하여 히터(21)에서 발생된 열이 제1 및 제2 히트 블록(22)(23)을 통하여 리드 프레임(L) 및 칩(C)으로 전달되어 에폭시 등의 접착제를 경화시키게 된다.When the lead frame L is transferred, the transfer cylinder 24 is operated while the lifting cylinder 25 is lowered to transfer the transfer wire 26 so that the lead frame L seated on the upper side thereof is transferred. When the transfer cylinder 24 is stopped, the lifting cylinder 25 is lowered so that the heat generated by the heater 21 is transferred to the lead frame L through the first and second heat blocks 22 and 23. ) And the chip (C) to harden an adhesive such as epoxy.
한편, 상기 가열 경화 상자(20)내에 투입된 리드 프레임(L) 및 칩(C)이 가열 경화된 후에는 배출구(20b)를 통하여 외부 배출되는데, 이때에는 작동 실린더(33)가 작동하여 도어(31)를 상승시킴으로써 도 7 에 도시한 바와 같이 배출구(20b)는 개방되고, 이에 따라 개방된 배출구(20b)내로는 가열 경화된 리드 프레임(L)이 배출되어 이송 벨트(35)의 작동에 의해 후이송 로울러(28)로 이송된 후 다음의 공정, 예컨대 매거진(15)내에 적재되는 작동을 반복적으로 행하면서 작업이 이루어지게 된다.On the other hand, after the lead frame (L) and the chip (C) introduced into the heat-hardening box 20 is heat-cured, it is discharged to the outside through the discharge port (20b), the operation cylinder 33 is operated to operate the door 31 As shown in FIG. 7, the outlet 20b is opened, and thus, the heat-cured lead frame L is discharged into the opened outlet 20b, and the post-operation belt 35 is operated. After being transferred to the transfer roller 28, the operation is performed while repeatedly performing the next process, for example, the operation loaded in the magazine 15.
그리고, 상기 배출구(20b)를 통하여 도어(31)가 개방된 상태에서는 가스 분사구(34)에서 질소 가스를 분사시킴으로써 배출구(20b)는 질소 가스에 의해 폐쇄된 상태를 유지하게 되고, 이에 따라 가열 경화 상자(20) 내에 충전된 질소 가스가 누출되는 것을 최소화하게 되는 것이다.Then, in the state in which the door 31 is opened through the outlet 20b, by injecting nitrogen gas from the gas injection hole 34, the outlet 20b is kept closed by nitrogen gas, thereby heating and curing. Nitrogen gas filled in the box 20 will be minimized to leak.
또한, 하나의 가열 경화 상자(20)내에서 2열의 리드 프레임(L)이 상호 교대로 투입되어 가열 경화됨으로써 더욱 생산성을 증대할 수 있게 된다.In addition, two rows of lead frames L are alternately introduced into one heat curing box 20 and heat cured to further increase productivity.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 가열 경화 상자 내에 설치된 복수 열의 히트 블록에 의해 복수 열의 리드 프레임이 가열 경화됨으로써 생산성이 증대되고, 가열 경화 상자의 투입구 및 배출구에 개폐 가능케 도어가 구비됨에 따라 질소 가스의 누출을 최소화하여 리드 프레임의 경화시 산화 방지에 따른 제품의 신뢰성 확보가 가능케 된다.As described above, according to the present invention, the productivity is increased by heat-curing a plurality of rows of lead frames by a plurality of rows of heat blocks provided in the heat-hardening box, and the opening and closing doors are provided at the inlet and outlet of the heat-hardening box to provide nitrogen gas. By minimizing leakage of the lead frame, it is possible to secure the reliability of the product by preventing oxidation during the curing of the lead frame.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980009029A KR100302198B1 (en) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | Semiconductor fabrication equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980009029A KR100302198B1 (en) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | Semiconductor fabrication equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980019427A true KR19980019427A (en) | 1998-06-05 |
| KR100302198B1 KR100302198B1 (en) | 2001-11-30 |
Family
ID=37529475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980009029A KR100302198B1 (en) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | Semiconductor fabrication equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100302198B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100368089B1 (en) * | 2000-09-04 | 2003-01-15 | 주식회사 케이이씨메카트로닉스 | Apparatus for sending lead-frame of encapsulation dispenser |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100196389B1 (en) * | 1996-04-08 | 1999-06-15 | 최춘길 | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
-
1998
- 1998-03-17 KR KR1019980009029A patent/KR100302198B1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100368089B1 (en) * | 2000-09-04 | 2003-01-15 | 주식회사 케이이씨메카트로닉스 | Apparatus for sending lead-frame of encapsulation dispenser |
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| KR100302198B1 (en) | 2001-11-30 |
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