KR19980015777A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 대해 기재되어 있다.
가스의 종류, 유량 그리고 챔버의 압력을 조절하는 안정화 단계; 플라즈마를 생성하기 위한 방전이 이루어지면서 상기 플라즈마로 인해 상기 챔버 내에 있는 웨이퍼 상의 물질층이 식각되지 않을 정도의 저 전력을 공급하는 방전 개시 단계; 및 상기 방전 개시 단계에서 사용된 전력량보다 큰 전력을 상기 챔버 내에 공급함으로써 방전을 유지하는 방전 유지 단계를 진행함으로써, 방전 초기의 불안정성 및 이로 인해 공정 재현성이 감소되는 것을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 방전에 의해 형성된 플라즈마를 이용하여 반도체 제조 공정을 진행할 때 방전 초기의 불안정성을 제거하기 위한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
방전 현상은 외부 전장에 의해 중성 입자와 전자가 충돌하여 이온화된 상태인 플라즈마(Plasma)로 전이하는 과정으로 반도체 소자를 제조하는 공정에서 많이 이용된다.
도 1은 종래 기술에 의한 반도체 소자의 제조 방법을 셜명하기 위한 블럭도이다.
플라즈마에 의한 반도체 소자를 제조하기 위해 가스 안정화 단계 후 방전 단계로 진행한다.
상기 가스 안정화 단계에서는 챔버내에 주입하는 가스의 종류, 유량 그리고 챔버의 압력을 상기 방전 단계 전에 미리 마추어 안정화 시키는데, 예를 들면 챔버 내의 분위기를 수초∼십수초 동안 5mT의 압력과 Cl220sccm 로 형성한다.
상기 방전 단계에서는 챔버에 전원을 공급하여 상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는데, 그 초기에는 챔버 내의 중성 가스가 플라즈마로 급격히 변동하므로 불안정한 상태이나 점차 안정된 상태를 유지한다.
상기 전원으로는 일반적으로 13.56MHz의 RF(Radio Frequency) 전원을 사용한다.
최근에 많이 이용되는 ICP(Inductively Coupled Plasma), Helicon, ECR(Electron Cyclotron Resonance) 장치는 수 mT 이하의 저압에서 플라즈마가 형성되므로 방전 초기의 불안정성이 문제가 된다.
특히 소자의 집적도가 높아짐에 따라 식각할 물질층의 두께도 낮고 식각에 요구되는 시간도 짧아지는데, 이러한 플라즈마를 이용한 식각 방법은 방전 초기의 불안정성으로 인해 공정 재현성을 감소시키는 결과를 초래한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 방전에 의해 형성된 플라즈마를 이용하여 반도체 제조 공정을 진행할 때, 방전 초기의 불안정성을 제거하기 위한 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 반도체 소자의 제조 방법을 셜명하기 위한 블럭도이다.
도 2은 본 발명에 의한 반도체 소자의 제조 방법을 셜명하기 위한 블럭도이다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명은, 가스의 종류, 유량 그리고 챔버의 압력을 조절하는 가스 안정화 단계; 플라즈마를 생성하기 위한 방전이 이루어지면서 상기 플라즈마로 인해 상기 챔버 내에 있는 웨이퍼 상의 물질층에 영향을 주지 않을 정도의 저 전력을 공급하는 방전 개시 단계; 및 상기 방전 개시 단계에서 사용된 전력량보다 큰 전력을 상기 챔버 내에 공급함으로써 방전을 유지하는 방전 유지 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다.
따라서 본 발명에 의한 반도체 소자의 제조 방법은 공정에 영향을 주지 않을 정도의 저 전력으로 안정된 플라즈마를 형성한 후 전력을 증가시켜 공정을 진행함으로써, 방전 초기의 불안정성 및 이로 인해 공정 재현성이 감소되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2은 본 발명에 의한 반도체 소자의 제조 방법을 셜명하기 위한 블럭도이다.
플라즈마에 의한 반도체 소자를 제조하기 위해 가스 안정화 단계, 방전 개시 단계 후 방전 유지 단계로 진행한다.
상기 가스 안정화 단계에서는 챔버내에 주입하는 가스의 종류, 유량 그리고 챔버의 압력을 상기 방전 단계 전에 미리 맞추어 안정화 시키는데, 예를 들면 챔버 내의 분위기를 수초∼십수초 동안 5mT의 압력과 Cl220sccm 로 형성한다.
상기 방전 개시 단계는 플라즈마를 생성하기 위한 방전이 이루어지면서 상기 플라즈마로 인해 상기 챔버 내에 있는 웨이퍼 상의 물질층에 영향을 주지 않을 정도의 저 전력을 공급하면서 챔버내의 가스, 유량 및 압력은 상기 가스 안정화 단계와 동일한 분위기에서 진행된다.
상기 방전 유지 단계에서는 상기 방전 개시 단계에서 공급한 전력보다 큰 전력을 공급하여 공정을 진행한다.
상기 전원으로는 13.56MHz의 RF(Radio Frequency) 전원을 사용한다.
예를 들어 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 상의 물질층을 식각하는 공정을 설명하면, 먼저 상기 물질층을 식각하지 않으면서 플라즈마 생성을 위한 방전을 개시하기 위해 10∼20초 동안 100W 정도의 저전력을 공급한다. 이어서 상기 챔버에 공급하는 전력을 증가시킴으로써 상기 물질층을 식각한다.
본 발명은 이에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.
이상, 설명된 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 소자의 제조 방법은 방전에 의해 형성된 플라즈마를 이용하여 반도체 제조 공정을 진행할 때 먼저 공정에 영향을 주지 않을 정도의 저 전력으로 안정된 플라즈마를 형성한 후 전력을 증가시켜 공정을 진행함으로써, 방전 초기의 불안정성 및 이로 인해 공정 재현성이 감소되는 것을 방지할 수 있다.
Claims (1)
- 가스의 종류, 유량 그리고 챔버의 압력을 조절하는 가스 안정화 단계;플라즈마를 생성하기 위한 방전이 이루어지면서 상기 플라즈마로 인해 상기 챔버 내에 있는 웨이퍼 상의 물질층이 식각되지 않을 정도의 저 전력을 공급하는 방전 개시 단계;및상기 방전 개시 단계에서 사용된 전력량보다 큰 전력을 상기 챔버 내에 공급함으로써 방전을 유지하는 방전 유지 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960035215A KR19980015777A (ko) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960035215A KR19980015777A (ko) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980015777A true KR19980015777A (ko) | 1998-05-25 |
Family
ID=66250822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960035215A KR19980015777A (ko) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980015777A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170025456A (ko) * | 2015-08-28 | 2017-03-08 | 세메스 주식회사 | 가스 공급 장치, 가스 공급 조절 방법, 및 그를 이용한 기판 처리 장치 |
-
1996
- 1996-08-23 KR KR1019960035215A patent/KR19980015777A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170025456A (ko) * | 2015-08-28 | 2017-03-08 | 세메스 주식회사 | 가스 공급 장치, 가스 공급 조절 방법, 및 그를 이용한 기판 처리 장치 |
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