KR19980014302A - 반도체 제조 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 확산로에 포함된 수정 튜브의 입구를 밀폐하는 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 튜브의 입구를 밀폐하는 엔드캡과, 상기 엔드캡의 중심에 연결되어 상기 엔드캡을 지지하는 지지바와, 상기 지지바의 일단에 설치된 엔드캡과 소정의 거리를 두고 설치되어 튜브내의 열이 외부로 유출되는 것을 막는 방열판과, 상기 지지바의 타단에 설치된 너트와, 상기 방열판과 상기 너트의 사이에 설치된 스프링을 감싸도록 설치된 서스튜빙을 갖는 반도체 제조 장치에 있어서,상기 서스튜빙은 그 표면을 관통하여 형성된 홀을 포함하여 상기 엔드캡과 상기 지지바 사이를 통하여 유입된 가스에 의해 상기 스프링이 부식되는 것을 방지하는 것을 포함한다.

이와 같은 장치에 의해서, 종래 반도체 제조 장치에서는 튜브에서 서스튜빙으로 세어 나온 가스가 밖으로 나가지 못하고 서스튜빙 내부에 정체되었던 것을, 본 발명은 서스튜빙에 홀을 가공하여 새어나온 가스가 서스튜빙 내부에 정체되지 않고 바로 기체 상태로 빠져나갈 수 있도록 한다. 따라서, 스프링의 부식을 방지하고 석영류의 깨짐을 방지하여, 균일한 작동을 유지하고 가스 누수로 인한 작업 불량 및 장치의 보수로 인한 작업 라인의 중단을 없앨 수 있다.

Description

반도체 제조 장치(a semiconductor device fabrication apparatus)

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 웨이퍼 가공 공정이 수행되는 확산로에 포함된 수정 튜브의 입구를 밀폐하는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.

금속 공정에 사용되는 확산로는 네가지 부분으로 되어 있다. 즉, 가스량 조절기와 산화 소스를 포함하는 반응 소스 캐비닛과, 수정 튜브 또는 실리콘 카바이드 튜브 등의 반응실과, 그리고 반응실을 가열하는 가열 부분과, 웨이퍼를 장착하는 웨이퍼 홀더로 이루어져 있다. 이때 반응실 튜브의 입구를 밀폐하기 위한 것으로 캔딜레버의 반도체 제조 장치가 있다.

도 1에는 종래 반도체 제조 장치의 구성이 개략적으로 도시되어 있다.

도 1에서, 참조번호 10은 엔드캡(end-cap)이고, 참조번호 12는 방열판이고, 참조번호 14는 버퍼링(buffering)이며, 참조번호16은 지지바이다. 그리고, 참조번호 18은 쿼츠튜빙(quartz tubbing)이고, 참조번호 20은 보트로더(boat loader)이고, 참조번호 22는 튜빙바(tubbing bar)이며, 참조번호 24는 서스튜빙(sus-tubbing)이고, 참조번호 26은 스프링(spring)이고, 참조번호 28은 너트(nut)를 나타내고 있다.

상술한 바와 같은 구성을 갖는 반도체 제조 장치의 동작은 다음과 같다.

도 1를 참조하면, 확산로의 튜브에 웨이퍼를 위치시키기 위하여 상기 보트로더(14)는 모터에 의하여 튜브 방향으로 이동한다. 이때 상기 서스튜빙(24)은 상기 보트로더(14)와 연결되어 있으므로 상기 보트로더(14)의 이동과 같이 튜브 방향으로 이동한다. 상기 서스튜빙(24)의 이동으로 상기 쿼츠튜빙(18)과 상기 엔드캡(10)도 튜브 방향으로 이동하여, 상기 엔드캡(10)이 튜브의 입구를 밀폐한다.

그런데, 상술한 반도체 제조 장치는 캔딜레버의 구조를 가지고 있다. 그래서 상기 엔드캡(10)이 튜브 입구에 밀착시 중심의 작은 어긋남이나 밀착부의 불균일한 접촉이 발생한다. 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 종래에는 상기 서스튜빙(30)에 스프링(26)을 설치하므로써, 상기 엔드캡(10)을 튜브 입구에 밀착시킬 수 있었다.

상술한 동작에 의하여, 도 2에 도시된 바와 같이 반도체 제조 장치는 튜브에 밀착된다.

그러나, 상술한 바와 같은 반도체 제조 장치에 의하면, 튜브 내에서 소스(source) 반응으로 생긴 가스가 튜브 외부로 유출되는 과정에서 상기 쿼츠튜빙(18)을 따라서 상기 서스튜빙(24) 안으로 유입된다. 그리고 유입된 가스는 공기와 반응하고 끈끈한 액으로 변해서 상기 서스튜빙(24)의 내부를 오염시킨다.

이로 인해, 상기 서스튜빙(24) 내의 상기 스프링(26)이 부식될 뿐만 아니라, 상기 쿼츠튜빙(18)과 상기 튜빙바(22) 등의 파손을 유발하여 결국 반도체 제조 공정이 중단되는 심각한 문제점이 발생된다.

본 발명은, 확산로 튜브 내에서 소스 반응으로 생긴 가스가 서스튜빙 안으로 유입되었을 때, 정체되지 않고 밖으로 내보낼 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래 반도체 제조 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면;

도 2는 종래 반도체 제조 장치의 동작 후의 모습을 보여주는 도면;

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 서스튜빙을 보여주는 사시도;

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

10 : 엔드캡, 12 : 방열판, 14 : 버퍼링, 16 : 지지바, 18 : 쿼츠튜빙, 20 : 보트로더, 22 : 튜빙바, 26 : 스프링, 30 : 서스튜빙

이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면 제3도 및 도 4에 의거하여 상세히 설명한다.

도 4를 참고하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 제3도에서 나타낸 라운드형의 홀이 가공된 서스튜빙을 포함하고 있다. 이러한 장치에 의해서, 가스에 의한 스프링과 석영류의 부식 및 파손을 제거할 수 있다.

도 4에 있어서, 도 1에 도시된 반도체 제조 장치의 구성 요소와 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 구성을 보여주고 있다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 튜브 내에 웨이퍼를 위치시키는 보트로더(14)와, 튜브의 입구를 밀폐하는 원형의 엔드캡(10)과, 상기 엔드캡(10)의 중심에 연결되어 상기 엔드캡(10)을 지지하는 지지바(16)와, 상기 엔드캡(10) 앞에 위치하고 상기 지지바(16)의 끝단부에서 상기 지지바(16)와 체결하는 너트(28a)와, 상기 지지바(16)에 연결되고 상기 엔드캡(10) 후방의 일정한 거리에 위치하여 튜브내의 열이 외부로 유출되는 것을 막는 방열판(12)과, 상기 지지바(16)의 표면을 감싸고 상기 엔드캡(10)과 상기 방열판(12) 사이에 위치한 쿼츠튜빙(18)과, 상기 상기 지지바(16)의 표면을 감싸고 상기 방열판(12) 다음에 위치하며 상기 지지바(16)와 평행한 튜빙바(22)와, 상기 지지바(16)를 중심으로 하고 상기 튜빙바(22) 다음에 위치하여 상기 엔드캡(10)이 튜브와 밀착하도록 하는 스프링(26)과, 상기 방열판(12) 다음에 위치하고 상기 지지바(16)를 감싸고 있는 상기 튜빙바(22)와 상기 스프링(26)을 감싸는 서스튜빙(30)과, 상기 지지바(16)를 중심으로 상기 서스튜빙(30) 후방에 위치하여 상기 서스튜빙(30)과 체결되는 너트(28c)를 포함하고, 상기 서스튜빙(30)은 그 표면에 관통하여 형성된 홀로 상기 엔드캡(10)과 상기 지지바(16)를 통하여 유입된 가스를 배출하는 것을 갖는다.

상술한 바와 같은 구성을 갖는, 반도체 제조 장치의 동작은 다음과 같다.

먼저, 확산로의 튜브에 웨이퍼를 위치시키기 위하여 상기 보트로더(14)는 모터에 의하여 튜브 방향으로 이동한다. 이때 상기 서스튜빙(24)은 상기 보트로더(14)와 연결되어 있으므로 상기 보트로더(14)의 이동과 같이 튜브 방향으로 이동한다. 여기에서 상기 서스튜빙(24)과 방열판(12) 그리고 상기 쿼츠튜빙(18)과 상기 엔드캡(10)은 모두 상기 지지바(16) 위에서 전·후 이동이 가능하다.

그러므로 상기 서스튜빙(24)이 상기 보트로더(14)에 의하여 튜브 방향으로 이동하면 이동하면, 상기 지지바(16) 위에서 전·후 이동이 가능한 구성 요소들은 모두 튜브 방향으로 이동하게 되고, 상기 엔드캡(10)은 튜브의 입구에 밀착되게 된다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 튜브의 입구를 밀폐하는 엔드캡과, 상기 엔드캡의 중심에 연결되어 상기 엔드캡을 지지하는 지지바와, 상기 지지바의 일단에 설치된 엔드캡과 소정의 거리를 두고 설치되어 튜브내의 열이 외부로 유출되는 것을 막는 방열판과, 상기 지지바의 타단에 설치된 너트와, 상기 방열판과 상기 너트의 사이에 설치된 스프링을 감싸도록 설치된 서스튜빙을 갖는 반도체 제조 장치에 있어서,상기 서스튜빙은 그 표면을 관통하여 형성된 홀을 포함하여 상기 엔드캡과 상기 지지바 사이를 통하여 유입된 가스에 의해 상기 스프링이 부식되는 것을 방지한다.

이 장치에 있어서, 상기 홀은 라운드형이다.

이 장치에 있어서, 상기 홀은 적어도 하나 이상 형성된다.

본 발명에 의하면, 홀을 가공한 서스튜빙은 튜브에서 유입된 가스가 정체되지 않고 밖으로 빠지도록 한다.

종래의 반도체 제조 장치에 의하면, 튜브에서 서스튜빙으로 새어 나온 가스가 밖으로 나가지 못하고 서스튜빙 내부에 정체되어 스프링이 부식되고, 서스튜빙이 파손되는 문제점이 발생되었다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 서스튜빙에 홀을 가공하여 새어나온 가스가 서스튜빙 내부에 정체되지 않고 바로 기체 상태로 빠져나갈 수 있도록 한다.

따라서, 스프링의 부식을 방지하고 석영류의 깨짐을 방지하여, 균일한 작동을 유지할 수 있고, 아울러 가스 누수로 인한 작업 불량 및 장치의 보수로 인한 작업 라인의 중단을 없앨 수 있다.

Claims (3)

1. 튜브의 입구를 밀폐하는 엔드캡(10)과, 상기 엔드캡(10)의 중심에 연결되어 상기 엔드캡(10)을 지지하는 지지바(16)와, 상기 지지바(16)의 일단에 설치된 엔드캡(10)과 소정의 거리를 두고 설치되어 튜브내의 열이 외부로 유출되는 것을 막는 방열판(12)과, 상기 지지바(16)의 타단에 설치된 너트(28c)와, 상기 방열판(12)과 상기 너트(28c)의 사이에 설치된 스프링을 감싸도록 설치된 서스튜빙(30)을 갖는 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 서스튜빙(30)은 그 표면을 관통하여 형성된 홀을 포함하여 상기 엔드캡(10)과 상기 지지바(16) 사이를 통하여 유입된 가스에 의해 상기 스프링이 부식되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 홀은 라운드형인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 홀은 적어도 하나 이상 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.