KR102671473B1 - Chemical supply apparatus of semiconductor equipment having explosion-proof function - Google Patents
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Abstract
본 발명은 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 장비에서 사용되는 케미컬을 공급하기 위한 방폭 부품들이 수용되어 있는 제1 하우징, 상기 제1 하우징에 결합되어 있으며 상기 제1 하우징에 수용되어 있는 방폭 부품들을 제어하기 위한 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 제2 하우징 및 상기 제2 하우징의 내부 압력이 외부 압력보다 높은 양압 상태를 유지하도록 상기 제2 하우징으로 유입되는 보호 가스의 유량을 제어하는 제어부를 포함한다.
본 발명에 따르면, 반도체 공정 중에 외부의 가연성 가스가 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 하우징 내부로 유입되지 못하도록 하우징의 내부가 외부에 비하여 양압 상태를 유지하도록 하되, 실시간으로 측정된 하우징의 내부압력 및 외부압력에 따라 하우징의 내부로 유입되는 보호 가스의 유량과 하우징의 외부로 배출되는 보호 가스의 유량을 정밀하게 실시간 제어함으로써, 하우징 내부의 양압 상태를 안정적으로 유지할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function.
The present invention is a first housing in which explosion-proof components for supplying chemicals used in semiconductor equipment are accommodated, and non-explosion-proof electrical components are coupled to the first housing and accommodate non-explosion-proof electrical components for controlling the explosion-proof components accommodated in the first housing. It includes a second housing and a control unit that controls the flow rate of the protective gas flowing into the second housing to maintain a positive pressure state in which the internal pressure of the second housing is higher than the external pressure.
According to the present invention, the inside of the housing is maintained in a positive pressure state compared to the outside to prevent external combustible gases from flowing into the housing containing non-explosion-proof electrical components during the semiconductor process, and the internal pressure and external pressure of the housing measured in real time are maintained. By precisely controlling the flow rate of the protective gas flowing into the inside of the housing and the flow rate of the protective gas discharged outside the housing according to the pressure in real time, there is an effect of stably maintaining the positive pressure state inside the housing.
Description
본 발명은 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 반도체 공정 중에 외부의 가연성 가스가 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 하우징 내부로 유입되지 못하도록 하우징의 내부가 외부에 비하여 양압 상태를 유지하도록 하되, 실시간으로 측정된 하우징의 내부압력 및 외부압력에 따라 하우징의 내부로 유입되는 보호 가스의 유량과 하우징의 외부로 배출되는 보호 가스의 유량을 정밀하게 실시간 제어함으로써, 하우징 내부의 양압 상태를 안정적으로 유지할 수 있는 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function. More specifically, the present invention maintains a positive pressure inside the housing compared to the outside to prevent external combustible gases from flowing into the housing containing non-explosion-proof electrical components during the semiconductor process, but the internal pressure of the housing measured in real time And a semiconductor with an explosion-proof function that can stably maintain the positive pressure inside the housing by precisely controlling the flow rate of the protective gas flowing into the inside of the housing and the flow rate of the protective gas discharged outside the housing according to the external pressure in real time. It concerns the chemical supply device of the equipment.
일반적으로, 반도체 공정은 매우 다양한 세부 공정들로 이루어지며, 이 세부 공정들에서는 경우에 따라 가연성 가스가 필연적으로 사용되고 있으며, 반도체 공정에서 사용되는 가연성 가스가 유출되는 경우 폭발 사고가 발생할 가능성이 높다.In general, the semiconductor process consists of a wide variety of detailed processes, and in these detailed processes, flammable gas is inevitably used in some cases. If the combustible gas used in the semiconductor process leaks, there is a high possibility that an explosion accident will occur.
종래 기술은 이러한 가연성 가스 유출로 인한 폭발 문제에 대처하기 위하여, 폭발 사고 발생시 필수적으로 보호하여야 할 일부 부품들에 대하여 방폭 설계를 적용하여 대처하고 있다.In order to cope with the problem of explosion caused by combustible gas leakage, the conventional technology applies explosion-proof design to some parts that must be essentially protected in the event of an explosion.
그러나, 이러한 방폭 설계는 기술적인 이유, 비용적인 이유 등의 여러 이유에 기인하여 가연성 가스 유출 가능성이 있는 위험 지역에 설치된 모든 부품들에 적용할 수 없다는 기술적 한계가 있다.However, this explosion-proof design has a technical limitation in that it cannot be applied to all components installed in hazardous areas where combustible gas may leak due to various reasons such as technical and cost reasons.
특히, 방폭 설계가 적용된 방폭 부품들, 예를 들어, 반도체 공정을 위한 케미컬을 공급하는 장치 등을 전기적으로 제어하는 전장품들에는 방폭 설계가 적용되지 못하고 있기 때문에, 이들 비방폭 전장품들을 보호하기 위한 기술적 수단이 요구된다.In particular, since the explosion-proof design cannot be applied to explosion-proof components, for example, electrical components that electrically control devices that supply chemicals for semiconductor processing, there is a need for technology to protect these non-explosion-proof electrical components. Means are required.
본 발명의 기술적 과제는 반도체 공정에서 사용되는 가연성 가스의 유입 및 폭발로 인하여 비방폭 전장품들이 파손됨으로써 반도체 공정이 중단되는 문제를 방지하는 것이다.The technical task of the present invention is to prevent the problem of the semiconductor process being stopped due to damage to non-explosion-proof electrical components due to the inflow and explosion of combustible gas used in the semiconductor process.
본 발명의 보다 구체적인 기술적 과제는 반도체 공정 중에 외부의 가연성 가스가 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 하우징 내부로 유입되지 못하도록 하우징의 내부가 외부에 비하여 양압 상태를 유지하도록 하되, 실시간으로 측정된 하우징의 내부압력 및 외부압력에 따라 하우징의 내부로 유입되는 보호 가스의 유량과 하우징의 외부로 배출되는 보호 가스의 유량을 정밀하게 실시간 제어함으로써, 하우징 내부의 양압 상태를 안정적으로 유지할 수 있는 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치를 제공하는 것이다.A more specific technical task of the present invention is to maintain a positive pressure inside the housing compared to the outside to prevent external combustible gases from flowing into the housing containing non-explosion-proof electrical components during the semiconductor process, and to maintain positive pressure inside the housing measured in real time. Equipped with an explosion-proof function that can stably maintain the positive pressure inside the housing by precisely controlling the flow rate of the protective gas flowing into the inside of the housing and the flow rate of the protective gas discharged outside the housing according to the pressure and external pressure in real time. It provides chemical supply equipment for semiconductor equipment.
이러한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치는 반도체 장비에서 사용되는 케미컬을 공급하기 위한 방폭 부품들이 수용되어 있는 제1 하우징, 상기 제1 하우징에 결합되어 있으며 상기 제1 하우징에 수용되어 있는 방폭 부품들을 제어하기 위한 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 제2 하우징 및 상기 제2 하우징의 내부 압력이 외부 압력보다 높은 양압 상태를 유지하도록 상기 제2 하우징으로 유입되는 보호 가스의 유량을 제어하는 제어부를 포함한다.To solve this technical problem, a chemical supply device for semiconductor equipment with an explosion-proof function according to the present invention includes a first housing in which explosion-proof parts for supplying chemicals used in semiconductor equipment are accommodated, and the first housing is coupled to the first housing. and a second housing in which non-explosion-proof electrical components for controlling explosion-proof components accommodated in the first housing are accommodated, and the internal pressure of the second housing flows into the second housing to maintain a positive pressure state higher than the external pressure. It includes a control unit that controls the flow rate of the protective gas.
본 발명에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치는 상기 제2 하우징의 측면에 설치되어 있으며 상기 제2 하우징의 내부로 노출되어 상기 제2 하우징의 내부 압력을 측정하는 내부압력 측정부 및 상기 제2 하우징의 외부로 노출되어 상기 제2 하우징의 외부 압력을 측정하는 외부압력 측정부를 포함하는 압력 측정부, 상기 제2 하우징의 상면에 설치되어 있으며 상기 제2 하우징의 내부 압력을 조절하기 위한 보호 가스가 유입되는 통로를 제공하는 보호가스 유입구, 상기 제어부의 제어 명령에 따라 상기 보호 가스의 유입 유량을 조절하는 보호가스 유입 유량 조절 밸브, 상기 제2 하우징의 상면에 상기 보호가스 유입구와 이격되도록 설치되어 있으며 상기 보호 가스가 배출되는 통로를 제공하는 보호가스 배출구 및 상기 제어부의 제어 명령에 따라 상기 보호 가스의 배출 유량을 조절하는 보호가스 배출 유량 제어 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The chemical supply device for semiconductor equipment with an explosion-proof function according to the present invention includes an internal pressure measuring unit installed on the side of the second housing and exposed to the inside of the second housing to measure the internal pressure of the second housing; A pressure measuring unit that is exposed to the outside of the second housing and includes an external pressure measuring unit that measures the external pressure of the second housing, is installed on the upper surface of the second housing and is used to adjust the internal pressure of the second housing. A protective gas inlet that provides a passage through which the protective gas flows, a protective gas inlet flow control valve that adjusts the inflow flow rate of the protective gas according to a control command from the controller, and a protective gas inlet spaced apart from the protective gas inlet on the upper surface of the second housing. It is installed and further includes a protective gas discharge port that provides a passage through which the protective gas is discharged, and a protective gas discharge flow control valve that adjusts the discharge flow rate of the protective gas according to a control command from the control unit.
본 발명에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제2 하우징으로 상기 보호 가스의 공급을 개시하는 보호가스 공급개시명령이 수신되는 경우, 상기 보호가스 유입 유량 조절 밸브의 개도율을 설정된 공급개시 개도율로 조절하고 상기 보호가스 배출 유량 조절 밸브를 오프시켜, 상기 보호 가스가 상기 제2 하우징의 내부로 유입되도록 함으로써, 상기 제2 하우징의 내부 압력이 상기 공급개시 개도율에 대응하는 빠르기로 상승하도록 제어하는 것을 특징으로 한다.In the chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function according to the present invention, the control unit, when receiving a protective gas supply start command to start supply of the protective gas to the second housing, determines the protective gas inflow flow rate By adjusting the opening rate of the control valve to the set supply start opening rate and turning off the protective gas discharge flow control valve to allow the protective gas to flow into the interior of the second housing, the internal pressure of the second housing is increased to the supply start rate. It is characterized in that it is controlled to rise at a speed corresponding to the starting opening rate.
본 발명에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 보호 가스의 공급이 개시된 이후, 상기 내부압력 측정부로부터 전달받은 상기 제2 하우징의 내부 압력과 상기 외부압력 측정부로부터 전달받은 상기 제2 하우징의 외부 압력의 차이가 설정된 임계 안전 하한치를 초과하는 경우, 상기 제2 하우징에 수용되어 있는 비방폭 전장품들과 상기 제1 하우징에 수용되어 있는 방폭 부품들에 동작 전원이 공급되도록 제어하는 것을 특징으로 한다.In the chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function according to the present invention, the control unit measures the internal pressure of the second housing and the external pressure received from the internal pressure measurement unit after the supply of the protective gas is started. When the difference in the external pressure of the second housing received from the measuring unit exceeds the set critical safety lower limit, operation is performed on the non-explosion-proof electrical components accommodated in the second housing and the explosion-proof components accommodated in the first housing. It is characterized by controlling so that power is supplied.
본 발명에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제2 하우징의 내부 압력과 상기 제2 하우징의 외부 압력의 차이가 설정된 임계 안전 하한치를 초과하여 상기 동작 전원이 공급된 이후, 상기 제2 하우징의 내부 압력과 상기 제2 하우징의 외부 압력의 차이가 상기 임계 안전 하한치보다 높게 설정된 임계 안전 상한치에 도달하는 경우, 상기 제2 하우징의 내부 압력과 상기 제2 하우징의 외부 압력의 차이가 상기 임계 안전 하한치와 상기 임계 안전 상한치 사이의 중간값을 유지하도록 상기 보호가스 유입 유량 조절 밸브의 개도율과 상기 보호가스 배출 유량 조절 밸브의 개도율을 비례적분제어(Proportional Integral Derivation Control) 방식으로 제어하는 것을 특징으로 한다.In the chemical supply device for semiconductor equipment with an explosion-proof function according to the present invention, the control unit controls the operation power supply when the difference between the internal pressure of the second housing and the external pressure of the second housing exceeds a set critical safety lower limit. After supply, when the difference between the internal pressure of the second housing and the external pressure of the second housing reaches the critical upper safe limit set higher than the lower critical safe limit, the internal pressure of the second housing and the external pressure of the second housing Proportional Integral control of the opening rate of the protective gas inlet flow control valve and the opening rate of the protective gas discharge flow control valve so that the difference in external pressure maintains an intermediate value between the critical safety lower limit and the critical safety upper limit. It is characterized by controlling in a Derivation Control method.
본 발명에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 보호 가스의 공급이 개시된 시점으로부터 설정된 대기시간이 경과하여도 상기 제2 하우징의 내부 압력과 상기 제2 하우징의 외부 압력의 차이가 상기 임계 안전 하한치를 초과하지 않는 경우, 작업자에게 장비 점검의 필요성을 알리는 장비점검 알람 정보가 출력되도록 제어하는 것을 특징으로 한다.In the chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function according to the present invention, the control unit controls the internal pressure of the second housing and the If the difference in external pressure does not exceed the critical safety lower limit, equipment inspection alarm information is output to inform the operator of the need for equipment inspection.
본 발명에 따르면, 반도체 공정에서 사용되는 가연성 가스의 유입 및 폭발로 인하여 비방폭 전장품들이 파손됨으로써 반도체 공정이 중단되는 문제를 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, there is an effect of preventing the problem of the semiconductor process being stopped due to damage to non-explosion-proof electrical components due to the inflow and explosion of combustible gas used in the semiconductor process.
보다 구체적으로, 반도체 공정 중에 외부의 가연성 가스가 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 하우징 내부로 유입되지 못하도록 하우징의 내부가 외부에 비하여 양압 상태를 유지하도록 하되, 실시간으로 측정된 하우징의 내부압력 및 외부압력에 따라 하우징의 내부로 유입되는 보호 가스의 유량과 하우징의 외부로 배출되는 보호 가스의 유량을 정밀하게 실시간 제어함으로써, 하우징 내부의 양압 상태를 안정적으로 유지할 수 있는 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치가 제공되는 효과가 있다.More specifically, during the semiconductor process, the inside of the housing is maintained at a positive pressure compared to the outside to prevent external combustible gases from flowing into the housing containing non-explosion-proof electrical components, and the internal and external pressures of the housing measured in real time are maintained. Accordingly, the flow rate of the protective gas flowing into the housing and the flow rate of the protective gas discharged to the outside of the housing are precisely controlled in real time, thereby stably maintaining the positive pressure inside the housing. There is an effect of providing a supply device.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치를 기능적 블록으로 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치의 구체적인 동작을 예시적으로 설명하기 위한 도면이고,
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치의 예시적인 사시도이고,
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치의 예시적인 좌측면도이고,
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치의 예시적인 우측면도이고,
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치의 예시적인 정면도이고,
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치의 예시적인 후면도이고,
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치의 예시적인 상면도이고,
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 방폭 부품들이 수용되어 있는 제1 하우징과 제1 하우징에 수용되어 있는 방폭 부품들을 제어하기 위한 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 제2 하우징을 분리하여 제1 하우징과 제2 하우징의 결합 부분을 예시적으로 나타낸 도면이고,
도 10 및 도 11은 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 제2 하우징 내부에서의 보호 가스 기류를 예시적으로 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing a chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention as a functional block,
Figure 2 is a diagram illustrating the specific operation of a chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention;
Figure 3 is an exemplary perspective view of a chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention;
4 is an exemplary left side view of a chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention;
5 is an exemplary right side view of a chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention;
Figure 6 is an exemplary front view of a chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention;
7 is an exemplary rear view of a chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention;
8 is an exemplary top view of a chemical supply device for semiconductor equipment equipped with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention;
Figure 9 shows that in one embodiment of the present invention, the first housing in which explosion-proof components are accommodated and the second housing in which non-explosion-proof electrical components for controlling the explosion-proof components accommodated in the first housing are separated to form the first housing. This is a diagram illustrating the coupling portion of the housing and the second housing,
10 and 11 are diagrams exemplarily showing a protective gas airflow inside a second housing in which non-explosion-proof electrical components are accommodated, according to an embodiment of the present invention.
본 명세서에 개시된 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.Specific structural or functional descriptions of the embodiments according to the concept of the present invention disclosed in this specification are merely illustrative for the purpose of explaining the embodiments according to the concept of the present invention, and the embodiments according to the concept of the present invention are presented in various forms. It can be implemented in various ways and is not limited to the embodiments described in this specification.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Since the embodiments according to the concept of the present invention can make various changes and have various forms, the embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in this specification. However, this is not intended to limit the embodiments according to the concept of the present invention to specific disclosed forms, and includes all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의된 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless clearly defined in this specification, should not be interpreted as having an ideal or excessively formal meaning. .
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치를 기능적 블록으로 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치의 예시적인 사시도이고, 도 4는 도 3의 예시적인 좌측면도이고, 도 5는 도 3의 예시적인 우측면도이고, 도 6은 도 3의 예시적인 정면도이고, 도 7은 도 3의 예시적인 후면도이고, 도 8은 도 3의 예시적인 상면도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 방폭 부품들이 수용되어 있는 제1 하우징과 제1 하우징에 수용되어 있는 방폭 부품들을 제어하기 위한 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 제2 하우징을 분리하여 제1 하우징과 제2 하우징의 결합 부분을 예시적으로 나타낸 도면이고, 도 10 및 도 11은 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 제2 하우징 내부에서의 보호 가스 기류를 예시적으로 나타낸 도면이다.Figure 1 is a diagram showing a chemical supply device for semiconductor equipment with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention as a functional block, and Figure 3 is a diagram showing a chemical supply device for semiconductor equipment with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention. 4 is an exemplary left side view of FIG. 3, FIG. 5 is an exemplary right side view of FIG. 3, FIG. 6 is an exemplary front view of FIG. 3, and FIG. 7 is an exemplary front view of FIG. 3. FIG. 8 is an exemplary top view of FIG. 3, and FIG. 9 shows a first housing in which explosion-proof parts are accommodated and control of explosion-proof parts accommodated in the first housing, in an embodiment of the present invention. It is a diagram illustrating the coupling portion of the first housing and the second housing by separating the second housing in which the non-explosion-proof electrical components are accommodated, and Figures 10 and 11 show a non-explosion-proof electrical equipment in an embodiment of the present invention. This is a diagram illustrating the protective gas airflow inside the second housing where electrical components are accommodated.
도 1, 도 3 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치는 제1 하우징(10), 제2 하우징(20), 압력 측정부(100), 보호가스 유입구(200), 보호가스 유입 유량 조절 밸브(300), 보호가스 배출구(400), 보호가스 배출 유량 제어 밸브(500) 및 제어부(600)를 포함하여 구성된다.1, 3 to 11, the chemical supply device for semiconductor equipment with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention includes a first housing 10, a second housing 20, and a pressure measuring unit ( 100), a protective gas inlet 200, a protective gas inlet flow control valve 300, a protective gas outlet 400, a protective gas discharge flow control valve 500, and a control unit 600.
제1 하우징(10)은 반도체 장비에서 사용되는 케미컬을 공급하기 위한 방폭 부품들이 수용되어 있는 구성요소이다.The first housing 10 is a component that accommodates explosion-proof parts for supplying chemicals used in semiconductor equipment.
제1 하우징(10)에 수용되어 있는 방폭 부품들은 폭발 사고 발생 등의 비상 상황에 대처하기 위하여 정부 등을 포함하는 기관에서 요구하는 방폭 규격을 충족하도록 설계되어 있다.Explosion-proof components accommodated in the first housing 10 are designed to meet explosion-proof standards required by organizations including the government in order to respond to emergency situations such as explosion accidents.
제2 하우징(20)은 제1 하우징(10)에 결합되어 있으며 제1 하우징(10)에 수용되어 있는 방폭 부품들을 제어하기 위한 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 구성요소이다.The second housing 20 is coupled to the first housing 10 and is a component that accommodates non-explosion-proof electrical components for controlling explosion-proof components accommodated in the first housing 10.
제1 하우징(10)에 수용되어 있는 방폭 부품들과는 달리 제2 하우징(20)에 수용되어 있는 비방폭 전장품들은 기술적인 이유, 비용적인 이유 등의 여러 이유에 기인하여 방폭 설계가 적용되어 있지 않기 때문에, 제2 하우징(20) 내부에서의 폭발 사고 발생 등의 비상 상황에 대처하기 위한 기술적 수단이 요구된다.Unlike the explosion-proof components accommodated in the first housing 10, the non-explosion-proof electrical components accommodated in the second housing 20 do not have an explosion-proof design due to various reasons such as technical and cost reasons. , technical means are required to respond to emergency situations such as an explosion inside the second housing 20.
예를 들어, 제2 하우징(20) 내부에서의 폭발 사고를 유빌하는 요인으로서, 제2 하우징(20) 근처에 존재할 수 있는 가연성 가스가 있다. 이러한 가연성 가스는 반도체 공정 수행 중에 다른 구성 장치들로부터 유출되는 등의 다양한 이유에 기인하여 제2 하우징(20) 근처에 존재할 가능성이 있으며, 이러한 가연성 가스가 제2 하우징(20)의 내부로 유입되어 폭발하는 사고가 발생할 가능성이 있기 때문에, 이에 대한 기술적인 대책이 필요하다.For example, a combustible gas that may exist near the second housing 20 is a factor causing an explosion inside the second housing 20 . This flammable gas may exist near the second housing 20 for various reasons, such as leakage from other components during the semiconductor process, and this combustible gas may flow into the second housing 20 Because there is a possibility that an explosion may occur, technical measures are needed to deal with this.
이후 자세히 설명하겠지만, 본 발명의 일 실시 예는 제어부(600)가 제2 하우징(20)의 내부 압력이 외부 압력보다 높은 양압 상태를 유지하도록 제2 하우징(20)으로 유입되는 보호 가스의 유량을 제어함으로써, 가연성 가스에 의한 폭발 사고 발생 가능성을 원천적으로 차단하여 방폭 설계가 적용되지 않은 비방폭 전장품들을 보호한다.As will be described in detail later, in one embodiment of the present invention, the control unit 600 adjusts the flow rate of the protective gas flowing into the second housing 20 to maintain a positive pressure state in which the internal pressure of the second housing 20 is higher than the external pressure. By controlling it, the possibility of an explosion caused by combustible gas is fundamentally blocked, thereby protecting non-explosion-proof electrical equipment that is not designed to be explosion-proof.
압력 측정부(100)는 제2 하우징(20)의 측면에 설치되어 있으며 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 제2 하우징(20)의 내부 및 외부의 압력을 측정하여 제어부(600)로 전달하는 구성요소이다.The pressure measuring unit 100 is installed on the side of the second housing 20 and measures the internal and external pressure of the second housing 20, where non-explosion-proof electrical components are accommodated, and transmits the pressure to the control unit 600. am.
이러한 압력 측정부(100)는 내부압력 측정부(110) 및 외부압력 측정부(120)를 포함하여 구성될 수 있다.This pressure measuring unit 100 may be configured to include an internal pressure measuring unit 110 and an external pressure measuring unit 120.
내부압력 측정부(110)는 제2 하우징(20)의 내부로 노출되어 있으며 제2 하우징(20)의 내부 압력을 측정하여 제어부(600)로 전달하는 구성요소이다.The internal pressure measuring unit 110 is exposed to the inside of the second housing 20 and is a component that measures the internal pressure of the second housing 20 and transmits it to the control unit 600.
외부압력 측정부(120)는 제2 하우징(20)의 외부로 노출되어 있으며 제2 하우징(20)의 외부 압력을 측정하여 제어부(600)로 전달하는 구성요소이다.The external pressure measuring unit 120 is exposed to the outside of the second housing 20 and is a component that measures the external pressure of the second housing 20 and transmits it to the control unit 600.
보호가스 유입구(200)는 제2 하우징(20)의 상면에 설치되어 있으며 제2 하우징(20)의 내부 압력을 조절하기 위한 보호 가스가 유입되는 통로를 제공하는 구성요소이다.The protective gas inlet 200 is installed on the upper surface of the second housing 20 and is a component that provides a passage for the protective gas to flow in to adjust the internal pressure of the second housing 20.
보호가스 유입 유량 조절 밸브(300)는 제어부(600)의 제어 명령에 따라 보호 가스의 유입 유량을 조절하는 구성요소이다.The protective gas inflow control valve 300 is a component that adjusts the inflow rate of the protective gas according to the control command from the control unit 600.
보호가스 배출구(400)는 제2 하우징(20)의 상면에 보호가스 유입구(200)와 이격되도록 설치되어 있으며 제2 하우징(20) 내부의 보호 가스가 배출되는 통로를 제공하는 구성요소이다.The protective gas outlet 400 is installed on the upper surface of the second housing 20 to be spaced apart from the protective gas inlet 200 and is a component that provides a passage through which the protective gas inside the second housing 20 is discharged.
보호가스 배출 유량 제어 밸브(500)는 제어부(600)의 제어 명령에 따라 보호 가스의 배출 유량을 조절하는 구성요소이다.The protective gas discharge flow control valve 500 is a component that controls the discharge flow rate of the protective gas according to control commands from the control unit 600.
제어부(600)는 제2 하우징(20)의 내부 압력이 외부 압력보다 높은 양압 상태를 유지하도록 제2 하우징(20)으로 유입되는 보호 가스의 유량을 제어하는 구성요소이다.The control unit 600 is a component that controls the flow rate of the protective gas flowing into the second housing 20 to maintain a positive pressure state in which the internal pressure of the second housing 20 is higher than the external pressure.
제어부(600)의 예시적인 동작 구성을 설명하면 다음과 같다.An exemplary operation configuration of the control unit 600 will be described as follows.
하나의 예로, 제어부(600)는, 제2 하우징(20)으로 상기 보호 가스의 공급을 개시하는 보호가스 공급개시명령이 수신되는 경우, 보호가스 유입 유량 조절 밸브(300)의 개도율을 설정된 공급개시 개도율로 조절하고 보호가스 배출 유량 조절 밸브를 오프시켜, 보호 가스가 제2 하우징(20)의 내부로 유입되도록 함으로써, 제2 하우징(20)의 내부 압력이 공급개시 개도율에 대응하는 빠르기로 상승하도록 제어할 수 있다.As an example, when a protective gas supply start command to start supply of the protective gas to the second housing 20 is received, the control unit 600 adjusts the opening rate of the protective gas inlet flow control valve 300 to supply the set supply. By adjusting the starting opening rate and turning off the protective gas discharge flow control valve to allow the protective gas to flow into the inside of the second housing 20, the internal pressure of the second housing 20 is adjusted to the speed corresponding to the supply starting opening rate. It can be controlled to rise.
다른 예로, 제어부(600)는, 보호 가스의 공급이 개시된 이후, 내부압력 측정부(110)로부터 전달받은 제2 하우징(20)의 내부 압력과 외부압력 측정부(120)로부터 전달받은 제2 하우징(20)의 외부 압력의 차이가 설정된 임계 안전 하한치를 초과하는 경우, 제2 하우징(20)에 수용되어 있는 비방폭 전장품들과 제1 하우징(10)에 수용되어 있는 방폭 부품들에 동작 전원이 공급되도록 제어할 수 있다.As another example, after the supply of the protective gas is started, the control unit 600 determines the internal pressure of the second housing 20 received from the internal pressure measuring unit 110 and the internal pressure of the second housing received from the external pressure measuring unit 120. When the difference in external pressure of (20) exceeds the set critical safety lower limit, the operating power is turned on to the non-explosion-proof electrical components accommodated in the second housing (20) and the explosion-proof components accommodated in the first housing (10). Supply can be controlled.
또 다른 예로, 제어부(600)는, 제2 하우징(20)의 내부 압력과 제2 하우징(20)의 외부 압력의 차이가 설정된 임계 안전 하한치를 초과하여 동작 전원이 공급된 이후, 제2 하우징(20)의 내부 압력과 제2 하우징(20)의 외부 압력의 차이가 임계 안전 하한치보다 높게 설정된 임계 안전 상한치에 도달하는 경우, 제2 하우징(20)의 내부 압력과 제2 하우징(20)의 외부 압력의 차이가 임계 안전 하한치와 임계 안전 상한치 사이의 중간값을 유지하도록 보호가스 유입 유량 조절 밸브(300)의 개도율과 보호가스 배출 유량 조절 밸브의 개도율을 비례적분제어(Proportional Integral Derivation Control) 방식으로 제어할 수 있다.As another example, the control unit 600 operates the second housing ( When the difference between the internal pressure of the second housing 20 and the external pressure of the second housing 20 reaches the upper critical safety limit set higher than the lower critical safety limit, the internal pressure of the second housing 20 and the external pressure of the second housing 20 Proportional Integral Derivation Control of the opening rate of the protective gas inlet flow control valve 300 and the opening rate of the protective gas discharge flow control valve so that the pressure difference maintains an intermediate value between the critical safety lower limit and the critical safety upper limit. It can be controlled in this way.
또 다른 예로, 제어부(600)는, 보호 가스의 공급이 개시된 시점으로부터 설정된 대기시간이 경과하여도 제2 하우징(20)의 내부 압력과 제2 하우징(20)의 외부 압력의 차이가 임계 안전 하한치를 초과하지 않는 경우, 작업자에게 장비 점검의 필요성을 알리는 장비점검 알람 정보가 출력되도록 제어할 수 있다.As another example, the control unit 600 determines that the difference between the internal pressure of the second housing 20 and the external pressure of the second housing 20 is set to the critical safety lower limit even after the set waiting time has elapsed from the time the supply of the protective gas is started. If it does not exceed, it can be controlled so that equipment inspection alarm information is output to notify the operator of the need for equipment inspection.
도면부호 700은 제2 하우징(20)에 수용되어 있는 비방폭 전장품들과 제1 하우징(10)에 수용되어 있는 방폭 부품들을 전기적으로 연결하는 배선들이 통과하는 배선 관통부이다.Reference numeral 700 denotes a wiring penetration portion through which wires that electrically connect non-explosion-proof electrical components accommodated in the second housing 20 and explosion-proof components accommodated in the first housing 10 pass.
이하에서는, 도 2를 추가로 참조하여, 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치의 구체적인 동작을 예시적으로 설명한다.Hereinafter, with additional reference to FIG. 2, a specific operation of a chemical supply device for a semiconductor device equipped with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention will be described by way of example.
도 2를 추가로 참조하면, 단계 S10에서는, 제어부(600)가 보호가스 공급개시명령을 수신하는 과정이 수행된다. 예를 들어, 단계 S10의 과정은 작업자가 본 발명의 일 실시 예에 따른 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치를 구성하는 제1 하우징(10)과 제2 하우징(20)에 구비된 도어들을 클로즈하고 매뉴얼 등에 따라 장치 점검을 수행한 이후에 제어반 등에 구비된 보호가스 공급개시버튼을 누르는 등의 동작으로 통해 수행될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.Referring further to FIG. 2, in step S10, a process in which the control unit 600 receives a command to start supplying the protective gas is performed. For example, the process of step S10 involves an operator opening the doors provided in the first housing 10 and the second housing 20, which constitute the chemical supply device for semiconductor equipment with an explosion-proof function according to an embodiment of the present invention. This may be performed through actions such as closing the device and inspecting the device according to the manual, etc., and then pressing the protective gas supply start button provided on the control panel, etc., but is not limited to this.
단계 S20에서는, 보호가스 공급개시명령을 수신한 제어부(600)가 보호가스 유입 유량 조절 밸브(300)의 개도율을 설정된 공급개시 개도율로 조절하고, 보호가스 배출 유량 조절 밸브를 오프시키는 과정이 수행된다.In step S20, the control unit 600, which has received the protective gas supply start command, adjusts the opening rate of the protective gas inlet flow control valve 300 to the set supply start opening rate and turns off the protective gas discharge flow control valve. It is carried out.
단계 S30에서는, 보호 가스가 제2 하우징(20)의 내부로 유입되어 제2 하우징(20)의 내부 압력이 공급개시 개도율에 대응하는 빠르기로 상승하는 과정이 수행된다.In step S30, a process is performed in which the protective gas flows into the second housing 20 and the internal pressure of the second housing 20 rises at a rate corresponding to the supply start opening rate.
단계 S40에서는, 제어부(600)가 내부압력 측정부(110)로부터 제2 하우징(20)의 내부 압력을 전달받고, 외부압력 측정부(120)로부터 제2 하우징(20)의 외부 압력을 전달받는 과정이 수행된다.In step S40, the control unit 600 receives the internal pressure of the second housing 20 from the internal pressure measuring unit 110 and receives the external pressure of the second housing 20 from the external pressure measuring unit 120. The process is carried out.
단계 S50에서는, 제어부(600)는 보호 가스의 공급이 개시된 이후, 내부압력 측정부(110)로부터 전달받은 제2 하우징(20)의 내부 압력과 외부압력 측정부(120)로부터 전달받은 제2 하우징(20)의 외부 압력의 차이가 설정된 임계 안전 하한치를 초과하는지 여부를 판단하는 과정이 수행된다. 임계 안전 하한치는 외부의 가연성가스 또는 증기 등이 제2 하우징(20)으로 유입되는 것을 방지하기 위한 일종의 안전 마진값으로서, 예를 들어, 1기압, 2기압 등의 수치로 설정될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.In step S50, after the supply of the protective gas is started, the control unit 600 determines the internal pressure of the second housing 20 received from the internal pressure measuring unit 110 and the second housing received from the external pressure measuring unit 120. A process is performed to determine whether the difference in external pressure in (20) exceeds the set critical safety lower limit. The critical safety lower limit is a kind of safety margin value to prevent external flammable gases or vapors from flowing into the second housing 20. For example, it may be set to a value such as 1 atm, 2 atm, etc. It is not limited.
단계 S60에서는, 제어부(600)가 제2 하우징(20)에 수용되어 있는 비방폭 전장품들과 제1 하우징(10)에 수용되어 있는 방폭 부품들에 동작 전원이 공급되도록 제어함으로써, 케미컬 공급을 통한 소정의 반도체 공정이 진행되도록 하는 과정이 수행된다.In step S60, the control unit 600 controls the operation power to be supplied to the non-explosion-proof electrical components accommodated in the second housing 20 and the explosion-proof components accommodated in the first housing 10, thereby A process is performed to enable a certain semiconductor process to proceed.
단계 S70에서는, 제어부(600)가 제2 하우징(20)의 내부 압력과 제2 하우징(20)의 외부 압력의 차이가 설정된 임계 안전 하한치를 초과하여 동작 전원이 공급된 이후, 제2 하우징(20)의 내부 압력과 제2 하우징(20)의 외부 압력의 차이가 임계 안전 하한치보다 높게 설정된 임계 안전 상한치에 도달하는지 여부를 판단하는 과정이 수행된다. 임계 안전 상한치는 제2 하우징(20)의 내부 압력이 지나치게 상승하여 제2 하우징(20)에 수용되어 있는 비방폭 전장품들이 손상되는 것을 방지하기 위한 안전 마진값이다.In step S70, after operation power is supplied to the control unit 600 when the difference between the internal pressure of the second housing 20 and the external pressure of the second housing 20 exceeds the set critical safety lower limit, the second housing 20 ) A process is performed to determine whether the difference between the internal pressure of the second housing 20 and the external pressure of the second housing 20 reaches the upper critical safety limit set higher than the lower critical safety limit. The critical safety upper limit is a safety margin value to prevent non-explosion-proof electrical components accommodated in the second housing 20 from being damaged due to an excessive increase in the internal pressure of the second housing 20 .
단계 S80에서는, 제어부(600)가 제2 하우징(20)의 내부 압력과 제2 하우징(20)의 외부 압력의 차이가 임계 안전 상한치에 도달한 경우, 제2 하우징(20)의 내부압력과 외부 압력의 차이가 임계안전 하한치와 임계안전 상한치 사이의 중간값을 유지하도록 보호가스 유입 유량 조절 밸브(300)의 개도율과 보호가스 배출 유량 조절 밸브의 개도율을 비례적분제어(Proportional Integral Derivation Control) 방식으로 제어하는 과정이 수행된다.In step S80, when the difference between the internal pressure of the second housing 20 and the external pressure of the second housing 20 reaches the critical safety upper limit, the control unit 600 controls the internal pressure and the external pressure of the second housing 20. Proportional Integral Derivation Control of the opening rate of the protective gas inlet flow control valve 300 and the opening rate of the protective gas discharge flow control valve so that the pressure difference maintains an intermediate value between the critical safety lower limit and the critical safety upper limit. The control process is carried out in this way.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 본 발명에 따르면, 반도체 공정에서 사용되는 가연성 가스의 유입 및 폭발로 인하여 비방폭 전장품들이 파손됨으로써 반도체 공정이 중단되는 문제를 방지할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, there is an effect of preventing the problem of the semiconductor process being stopped due to damage to non-explosion-proof electrical components due to the inflow and explosion of combustible gas used in the semiconductor process.
보다 구체적으로, 반도체 공정 중에 외부의 가연성 가스가 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 하우징 내부로 유입되지 못하도록 하우징의 내부가 외부에 비하여 양압 상태를 유지하도록 하되, 실시간으로 측정된 하우징의 내부압력 및 외부압력에 따라 하우징의 내부로 유입되는 보호 가스의 유량과 하우징의 외부로 배출되는 보호 가스의 유량을 정밀하게 실시간 제어함으로써, 하우징 내부의 양압 상태를 안정적으로 유지할 수 있는 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치가 제공되는 효과가 있다.More specifically, during the semiconductor process, the inside of the housing is maintained at a positive pressure compared to the outside to prevent external combustible gases from flowing into the housing containing non-explosion-proof electrical components, and the internal and external pressures of the housing measured in real time are maintained. Accordingly, the flow rate of the protective gas flowing into the housing and the flow rate of the protective gas discharged to the outside of the housing are precisely controlled in real time, thereby stably maintaining the positive pressure inside the housing. There is an effect of providing a supply device.
10: 제1 하우징
20: 제2 하우징
100: 압력 측정부
110: 내부압력 측정부
120: 외부압력 측정부
200: 보호가스 유입구
300: 보호가스 유입 유량 조절 밸브
400: 보호가스 배출구
500: 보호가스 배출 유량 제어 밸브
600: 제어부
700: 배선 관통부10: first housing
20: second housing
100: pressure measuring unit
110: Internal pressure measuring unit
120: External pressure measuring unit
200: protective gas inlet
300: Protective gas inlet flow control valve
400: Protective gas outlet
500: Protective gas discharge flow control valve
600: Control unit
700: Wiring penetration part
Claims (6)
상기 제1 하우징에 결합되어 있으며 상기 제1 하우징에 수용되어 있는 방폭 부품들을 제어하기 위한 비방폭 전장품들이 수용되어 있는 제2 하우징;
상기 제2 하우징의 내부 압력이 외부 압력보다 높은 양압 상태를 유지하도록 상기 제2 하우징으로 유입되는 보호 가스의 유량을 제어하는 제어부;
상기 제2 하우징의 측면에 설치되어 있으며 상기 제2 하우징의 내부로 노출되어 상기 제2 하우징의 내부 압력을 측정하는 내부압력 측정부 및 상기 제2 하우징의 외부로 노출되어 상기 제2 하우징의 외부 압력을 측정하는 외부압력 측정부를 포함하는 압력 측정부;
상기 제2 하우징의 상면에 설치되어 있으며 상기 제2 하우징의 내부 압력을 조절하기 위한 보호 가스가 유입되는 통로를 제공하는 보호가스 유입구;
상기 제어부의 제어 명령에 따라 상기 보호 가스의 유입 유량을 조절하는 보호가스 유입 유량 조절 밸브;
상기 제2 하우징의 상면에 상기 보호가스 유입구와 이격되도록 설치되어 있으며 상기 보호 가스가 배출되는 통로를 제공하는 보호가스 배출구; 및
상기 제어부의 제어 명령에 따라 상기 보호 가스의 배출 유량을 조절하는 보호가스 배출 유량 제어 밸브를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 제2 하우징으로 상기 보호 가스의 공급을 개시하는 보호가스 공급개시명령이 수신되는 경우, 상기 보호가스 유입 유량 조절 밸브의 개도율을 설정된 공급개시 개도율로 조절하고 상기 보호가스 배출 유량 조절 밸브를 오프시켜, 상기 보호 가스가 상기 제2 하우징의 내부로 유입되도록 함으로써, 상기 제2 하우징의 내부 압력이 상기 공급개시 개도율에 대응하는 빠르기로 상승하도록 제어하고,
상기 보호 가스의 공급이 개시된 이후, 상기 내부압력 측정부로부터 전달받은 상기 제2 하우징의 내부 압력과 상기 외부압력 측정부로부터 전달받은 상기 제2 하우징의 외부 압력의 차이가 설정된 임계 안전 하한치를 초과하는 경우, 상기 제2 하우징에 수용되어 있는 비방폭 전장품들과 상기 제1 하우징에 수용되어 있는 방폭 부품들에 동작 전원이 공급되도록 제어하고,
상기 제2 하우징의 내부 압력과 상기 제2 하우징의 외부 압력의 차이가 설정된 임계 안전 하한치를 초과하여 상기 동작 전원이 공급된 이후, 상기 제2 하우징의 내부 압력과 상기 제2 하우징의 외부 압력의 차이가 상기 임계 안전 하한치보다 높게 설정된 임계 안전 상한치에 도달하는 경우, 상기 제2 하우징의 내부 압력과 상기 제2 하우징의 외부 압력의 차이가 상기 임계 안전 하한치와 상기 임계 안전 상한치 사이의 중간값을 유지하도록 상기 보호가스 유입 유량 조절 밸브의 개도율과 상기 보호가스 배출 유량 조절 밸브의 개도율을 비례적분제어 방식으로 제어하는, 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치.
A first housing containing explosion-proof components for supplying chemicals used in semiconductor equipment;
a second housing coupled to the first housing and accommodating non-explosion-proof electrical components for controlling explosion-proof components accommodated in the first housing;
a control unit that controls the flow rate of the protective gas flowing into the second housing to maintain a positive pressure state in which the internal pressure of the second housing is higher than the external pressure;
An internal pressure measuring unit installed on the side of the second housing and exposed to the inside of the second housing to measure the internal pressure of the second housing, and an internal pressure measuring unit exposed to the outside of the second housing to measure the external pressure of the second housing A pressure measuring unit including an external pressure measuring unit that measures;
a protective gas inlet installed on the upper surface of the second housing and providing a passage for the protective gas to flow in to adjust the internal pressure of the second housing;
a protective gas inlet flow control valve that adjusts the inflow rate of the protective gas according to a control command from the controller;
a protective gas outlet installed on the upper surface of the second housing to be spaced apart from the protective gas inlet and providing a passage through which the protective gas is discharged; and
It includes a protective gas discharge flow control valve that adjusts the discharge flow rate of the protective gas according to a control command from the controller,
The control unit,
When a protective gas supply start command to start supply of the protective gas to the second housing is received, the opening rate of the protective gas inlet flow control valve is adjusted to the set supply start opening rate and the protective gas discharge flow control valve is opened. by turning off the protective gas to flow into the second housing, thereby controlling the internal pressure of the second housing to rise at a rate corresponding to the supply start opening rate;
After the supply of the protective gas is started, the difference between the internal pressure of the second housing received from the internal pressure measuring unit and the external pressure of the second housing received from the external pressure measuring unit exceeds the set critical safety lower limit. In this case, control so that operating power is supplied to non-explosion-proof electrical components accommodated in the second housing and explosion-proof components accommodated in the first housing,
After the operating power is supplied because the difference between the internal pressure of the second housing and the external pressure of the second housing exceeds a set critical safety lower limit, the difference between the internal pressure of the second housing and the external pressure of the second housing When the upper critical safety limit is set higher than the lower critical safety limit, the difference between the internal pressure of the second housing and the external pressure of the second housing maintains an intermediate value between the lower critical safe limit and the upper critical safe limit. A chemical supply device for semiconductor equipment with an explosion-proof function, wherein the opening rate of the protective gas inlet flow control valve and the opening rate of the protective gas discharge flow control valve are controlled by proportional integral control.
상기 제어부는,
상기 보호 가스의 공급이 개시된 시점으로부터 설정된 대기시간이 경과하여도 상기 제2 하우징의 내부 압력과 상기 제2 하우징의 외부 압력의 차이가 상기 임계 안전 하한치를 초과하지 않는 경우,
작업자에게 장비 점검의 필요성을 알리는 장비점검 알람 정보가 출력되도록 제어하는 것을 특징으로 하는, 방폭 기능이 구비된 반도체 장비의 케미컬 공급 장치.
According to paragraph 1,
The control unit,
When the difference between the internal pressure of the second housing and the external pressure of the second housing does not exceed the critical safety lower limit even after a set waiting time has elapsed from the time the supply of the protective gas is started,
A chemical supply device for semiconductor equipment with an explosion-proof function, characterized in that it controls the output of equipment inspection alarm information to inform workers of the need for equipment inspection.
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