KR102668100B1

KR102668100B1 - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: KR102668100B1
Application number: KR1020220001084A
Authority: KR
Inventors: 류정희; 노희길
Original assignee: 삼성전자주식회사; (주)플러스비젼
Filing date: 2022-01-04
Publication date: 2024-05-22

Abstract

안정성이 향상된 기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는, 기판이 처리되는 내부 공간을 제공하는 챔버, 내부 공간을 감압하는 진공 펌프, 챔버로부터 진공 펌프가 동작 중임을 지시하는 펌프 동작 신호를 수신하는 펌프 컨트롤러 및 진공 펌프의 작동 중단을 지시하는 외부 입력에 응답하여 진공 펌프에 펌프 중단 신호를 제공하는 프로세서를 포함하고, 펌프 컨트롤러는 펌프 동작 신호를 수신한 것에 응답하여, 프로세서에 펌프 중단 인터락 신호를 제공하고, 펌프 중단 인터락 신호에 기초하여, 프로세서가 진공 펌프에 제공한 펌프 중단 신호가 차단된다.A substrate processing device with improved stability is provided. A substrate processing apparatus includes a chamber that provides an internal space in which a substrate is processed, a vacuum pump that depressurizes the internal space, a pump controller that receives a pump operation signal from the chamber indicating that the vacuum pump is operating, and an instruction to stop operation of the vacuum pump. a processor providing a pump stop signal to the vacuum pump in response to an external input, wherein the pump controller, in response to receiving the pump operation signal, provides a pump stop interlock signal to the processor, and responds to the pump stop interlock signal. Based on this, the pump stop signal provided by the processor to the vacuum pump is blocked.

Description

Substrate processing apparatus

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device.

플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정에서는 플라즈마를 사용하여 다양한 공정을 수행한다.Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or high-frequency electromagnetic fields (RF Electromagnetic Fields), and refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, etc. In the semiconductor device manufacturing process, various processes are performed using plasma.

플라즈마를 이용한 기판 처리 장치는 기판이 처리되는 공간의 압력을 조절하기 위해 진공 펌프가 사용된다. 진공 펌프는 기판이 처리되는 공간을 감압하여 진공 상태로 만들 수 있다. 이 때, 진공 펌프가 급작스럽게 중단되는 경우, 기판이 처리되는 공간으로 압력이 발생하여 내부 공간이 오염되는 위험성이 있다.A substrate processing device using plasma uses a vacuum pump to control the pressure of the space where the substrate is processed. The vacuum pump can depressurize the space where the substrate is processed and create a vacuum state. At this time, if the vacuum pump is suddenly stopped, there is a risk that pressure is generated in the space where the substrate is processed, contaminating the internal space.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 안정성이 향상된 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing device with improved stability.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 처리되는 내부 공간을 제공하는 챔버, 내부 공간을 감압하는 진공 펌프, 챔버로부터 진공 펌프가 동작 중임을 지시하는 펌프 동작 신호를 수신하는 펌프 컨트롤러 및 진공 펌프의 작동 중단을 지시하는 외부 입력에 응답하여 진공 펌프에 펌프 중단 신호를 제공하는 프로세서를 포함하고, 펌프 컨트롤러는 펌프 동작 신호를 수신한 것에 응답하여, 프로세서에 펌프 중단 인터락 신호를 제공하고, 펌프 중단 인터락 신호에 기초하여, 프로세서가 진공 펌프에 제공한 펌프 중단 신호가 차단된다.A substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention for achieving the above technical problem includes a chamber that provides an internal space in which a substrate is processed, a vacuum pump that depressurizes the internal space, and a pump that indicates from the chamber that the vacuum pump is operating. a pump controller that receives the operation signal and a processor that provides a pump stop signal to the vacuum pump in response to an external input directing operation of the vacuum pump, wherein the pump controller, in response to receiving the pump operation signal, tells the processor to: A pump stop interlock signal is provided, and based on the pump stop interlock signal, the pump stop signal provided by the processor to the vacuum pump is blocked.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 처리되는 내부 공간을 제공하는 챔버, 챔버의 상부에 배치되고, 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛, 밸브를 통해 챔버와 연결되고, 내부 공간을 감압하는 진공 펌프, 밸브가 온(on)인 경우에, 챔버로부터 진공 펌프가 동작 중임을 지시하는 펌프 동작 신호를 수신하는 펌프 컨트롤러 및 진공 펌프의 작동 중단을 지시하는 외부 입력에 응답하여 진공 펌프에 펌프 중단 신호를 제공하는 프로세서를 포함하고, 펌프 컨트롤러는 펌프 동작 신호에 응답하여 프로세서에 펌프 중단 인터락 신호를 제공하고, 펌프 중단 인터락 신호에 기초하여, 프로세서가 진공 펌프에 제공한 펌프 중단 신호가 차단된다.A substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention for achieving the above technical problem includes a chamber providing an internal space in which a substrate is processed, a plasma generating unit disposed on the upper part of the chamber and generating plasma, and a chamber through a valve. connected to a vacuum pump that depressurizes the internal space, a pump controller that receives a pump operation signal from the chamber when the valve is on, indicating that the vacuum pump is operating, and an external device that instructs the vacuum pump to stop operating. a processor that provides a pump stop signal to the vacuum pump in response to the input, wherein the pump controller provides a pump stop interlock signal to the processor in response to the pump operation signal, and based on the pump stop interlock signal, the processor causes the vacuum pump to The pump stop signal provided to the pump is blocked.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 포함하는 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 도면이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위해 기판 처리 장치를 도시한 예시적인 도면이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.1 is a diagram for explaining a substrate processing system including a substrate processing device according to some embodiments of the present invention.
2 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.
3 and 4 are exemplary diagrams illustrating a substrate processing device to explain the operation of the substrate processing device according to some embodiments of the present invention.
5 to 7 are diagrams for explaining the operation of a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.
8 and 9 are timing diagrams for explaining the operation of a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.
10 is a flowchart for explaining the operation of a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들에 대해 설명한다.Hereinafter, embodiments according to the technical idea of the present invention will be described with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 포함하는 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram for explaining a substrate processing system including a substrate processing device according to some embodiments of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 시스템은 설비 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module; 10)과 공정 모듈(20)을 포함한다. 설비 전방 단부 모듈(10)은 공정 모듈(20)의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 설비 전방 단부 모듈(10)은 공정 모듈(20)의 전방에 배치될 수 있다. 설비 전방 단부 모듈(10)은 복수 개의 로드 포트(4000)와 인덱스 모듈(2000)을 포함할 수 있다. 공정 모듈(20)은 로드락 챔버(3000), 공정 챔버(1000), 및 반송 챔버(5000)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing system includes an Equipment Front End Module (10) and a process module (20). The facility front end module 10 may be placed on one side of the process module 20. For example, the facility front end module 10 may be placed in front of the process module 20. The facility front end module 10 may include a plurality of load ports 4000 and an index module 2000. The process module 20 may include a load lock chamber 3000, a process chamber 1000, and a transfer chamber 5000.

인덱스 모듈(2000)은 로드 포트(4000)와 공정 모듈(20) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(2000)은 로드 포트(4000)와 공정 모듈(20) 간에 기판(W)을 이송할 수 있다. 각각의 로드 포트(4000)는 기판(W)이 수납된 용기(FOUP)가 놓여지는 공간을 제공한다. 인덱스 모듈(2000)은 인덱스 로봇(2100)을 포함할 수 있다. 인덱스 로봇(2100)은 로드 포트(4000)에 놓여진 용기(FOUP)로부터 공정 처리 전의 기판(W)을 반출하여 공정 모듈(20)로 이송할 수 있다. 또한, 인덱스 로봇(210)은 공정 모듈(20)로부터 공정 처리된 기판(W)을 용기(FOUP)에 반입할 수도 있다. The index module 2000 is disposed between the load port 4000 and the process module 20. The index module 2000 may transfer the substrate W between the load port 4000 and the process module 20. Each load port 4000 provides a space in which the container FOUP containing the substrate W is placed. The index module 2000 may include an index robot 2100. The index robot 2100 may remove the substrate W before processing from the container FOUP placed in the load port 4000 and transfer it to the process module 20. Additionally, the index robot 210 may load the processed substrate W from the process module 20 into the container FOUP.

공정 모듈(20)은 반송 챔버(5000), 복수 개의 로드락 챔버(3000), 그리고 복수 개의 공정 챔버(1000)를 포함할 수 있다. 반송 챔버(5000)는 평면적 관점에서 다각형의 형상을 가질 수 있다. 반송 챔버(5000)의 각 모서리에는 로드락 챔버(3000) 및 공정 챔버(1000)가 배치될 수 있다. 로드락 챔버(3000)는 반송 챔버(5000)의 각 모서리 중 설비 전방 단부 모듈(10)과 가장 인접한 위치에 배치될 수 있다. The process module 20 may include a transfer chamber 5000, a plurality of load lock chambers 3000, and a plurality of process chambers 1000. The transfer chamber 5000 may have a polygonal shape in plan view. A load lock chamber 3000 and a process chamber 1000 may be disposed at each corner of the transfer chamber 5000. The load lock chamber 3000 may be placed at a position closest to the facility front end module 10 among each corner of the transfer chamber 5000.

예를 들어, 반송 챔버(5000)는 평면적 관점에서 육각형 형상일 수 있다. 반송 챔버(5000)는 6개의 모서리를 가질 수 있다. 각각의 모서리에는 4개의 공정 챔버(1000)와 2개의 로드락 챔버(3000)가 배치될 수 있다. 공정 챔버(1000)는 제1 공정 챔버(1100), 제2 공정 챔버(1200), 제3 공정 챔버(1300), 및 제4 공정 챔버(1400)를 포함할 수 있다. 반송 챔버(5000)의 형상과, 반송 챔버(5000)와 인접하게 배치되는 공정 챔버(1000) 및 로드락 챔버(3000)의 개수는 변경될 수 있음은 물론이다. For example, the transfer chamber 5000 may have a hexagonal shape in plan view. The transfer chamber 5000 may have six corners. Four process chambers 1000 and two load lock chambers 3000 may be placed at each corner. The process chamber 1000 may include a first process chamber 1100, a second process chamber 1200, a third process chamber 1300, and a fourth process chamber 1400. Of course, the shape of the transfer chamber 5000 and the number of process chambers 1000 and load lock chambers 3000 disposed adjacent to the transfer chamber 5000 may be changed.

반송 챔버(5000)는 반송 로봇(5100)을 포함할 수 있다. 반송 로봇(5100)은 반송 챔버(5000)의 내부에 배치된다. 반송 로봇(5100)은 로드락 챔버(3000)와 공정 챔버(1000) 간에 기판(W)을 이송한다. 반송 로봇(5100)은 복수의 아암을 포함할 수 있다. 복수의 아암은 각각 기판(W)을 이송 및 반송할 수 있다. 복수의 아암은 로드락 챔버(3000)에 저장된 기판(W)을 언로딩시킬 수 있다. 이어서, 복수의 아암은 기판(W)을 파지하여 공정 챔버(1000)로 이송시킬 수 있다. The transfer chamber 5000 may include a transfer robot 5100. The transfer robot 5100 is disposed inside the transfer chamber 5000. The transfer robot 5100 transfers the substrate W between the load lock chamber 3000 and the process chamber 1000. The transfer robot 5100 may include a plurality of arms. The plurality of arms can each transfer and transport the substrate W. The plurality of arms may unload the substrate W stored in the load lock chamber 3000. Subsequently, the plurality of arms may hold the substrate W and transfer it to the process chamber 1000.

로드락 챔버(3000)는 공정 모듈(20)로 반입되거나 반출된 기판(W)들을 임시로 저장하는 공간을 제공한다. 예를 들어, 로드락 챔버(3000)는 공정 모듈(20)로 반입되거나 반출된 기판(W)이 임시로 머무르는 공간일 수 있다. The load lock chamber 3000 provides a space to temporarily store substrates W brought in or out of the process module 20. For example, the load lock chamber 3000 may be a space where the substrate W that has been brought into or out of the process module 20 temporarily stays.

로드락 챔버(3000)의 내부는 진공 및 대기압으로 전환 가능할 수 있다. 이에 따라, 반송 챔버(5000) 및 공정 챔버(1000)의 내부가 진공으로 유지될 수 있고, 설비 전방 단부 모듈(10)의 내부는 대기압으로 유지될 수 있다. The interior of the load lock chamber 3000 may be switchable to vacuum and atmospheric pressure. Accordingly, the inside of the transfer chamber 5000 and the process chamber 1000 can be maintained at a vacuum, and the inside of the facility front end module 10 can be maintained at atmospheric pressure.

로드락 챔버(3000)와 설비 전방 단부 모듈(10) 사이에, 제1 게이트 밸브(3300)가 설치된다. 로드락 챔버(3000)와 반송 챔버(5000) 사이에, 제2 게이트 밸브(3400)가 설치된다. 제1 게이트 밸브(3300)와 제2 게이트 밸브(3400)는 반송 챔버(5000) 및 공정 챔버(1000)의 내부가 진공을 유지할 수 있도록 제1 게이트 밸브(3300)와 제2 게이트 밸브(3400) 중 어느 하나만이 오픈(open)될 수 있다. A first gate valve 3300 is installed between the load lock chamber 3000 and the equipment front end module 10. A second gate valve 3400 is installed between the load lock chamber 3000 and the transfer chamber 5000. The first gate valve 3300 and the second gate valve 3400 are used to maintain a vacuum inside the transfer chamber 5000 and the process chamber 1000. Only one of them can be open.

제1 내지 제4 공정 챔버(1100-1400)는 기판(W)을 처리하는 공정을 수행할 수 있다. 제1 내지 제4 공정 챔버(1100-1400) 예를 들어, 식각 공정, 포토 공정, 현상 공정 중 적어도 하나를 수행할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The first to fourth process chambers 1100-1400 may perform a process for processing the substrate W. For example, the first to fourth process chambers 1100-1400 may perform at least one of an etching process, a photo process, and a development process, but are not limited thereto.

몇몇 실시예에서, 기판 처리 시스템은 제어부(6000)를 포함한다. 제어부(6000)는 반송 챔버(5000), 로드락 챔버(3000), 및 공정 챔버(1000)를 제어할 수 있다. 또한, 제어부(6000)는 반송 로봇(5100)이 기판(W)들을 이송하는 것을 제어할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.In some embodiments, the substrate processing system includes a control unit 6000. The control unit 6000 may control the transfer chamber 5000, the load lock chamber 3000, and the process chamber 1000. Additionally, the control unit 6000 may control the transfer robot 5100 to transfer the substrates W, but is not limited thereto.

도 2는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 도면이다. 참고적으로, 도 2는 도 1에 도시된 공정 챔버(1000)를 도시한 도면일 수 있다. 도 3 및 도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위해 기판 처리 장치를 도시한 예시적인 도면이다.2 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention. For reference, FIG. 2 may be a diagram illustrating the process chamber 1000 shown in FIG. 1. 3 and 4 are exemplary diagrams illustrating a substrate processing device to explain the operation of the substrate processing device according to some embodiments of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 챔버(100), 펌프 컨트롤러(200), 감압 유닛(300), 플라즈마 발생 유닛(400), 가스 공급 유닛(500) 및 프로세서(600)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 1000 includes a chamber 100, a pump controller 200, a pressure reduction unit 300, a plasma generation unit 400, a gas supply unit 500, and a processor 600. can do.

챔버(100)는 내부 공간(101)을 형성할 수 있다. 챔버(100)의 하부에 배기홀(110)이 형성될 수 있다. 배기홀(110)은 내부 공간(101)에 제공된 플라즈마 또는 공정 가스를 기판 처리 장치(1000)의 외부로 배기할 수 있다. 또한 배기홀(110)은 기판 처리 장치(1000)의 내부 공간(101)의 부산물을 외부로 배기할 수 있다. 챔버(100)는 배기홀(110)을 통해 감압 유닛(300)과 연결될 수 있다. 챔버(100)의 측면에는 도어(120)가 형성될 수 있다. 도어(120)를 통해 기판(W)이 챔버(100)의 내부 공간(101)으로 출입할 수 있다.Chamber 100 may form an internal space 101. An exhaust hole 110 may be formed in the lower part of the chamber 100. The exhaust hole 110 may exhaust plasma or process gas provided in the internal space 101 to the outside of the substrate processing apparatus 1000. Additionally, the exhaust hole 110 may exhaust by-products from the internal space 101 of the substrate processing apparatus 1000 to the outside. The chamber 100 may be connected to the pressure reduction unit 300 through the exhaust hole 110. A door 120 may be formed on a side of the chamber 100. The substrate W may enter and exit the internal space 101 of the chamber 100 through the door 120.

챔버(100)는 기판 지지부(130)와 샤워 헤드(150)를 포함할 수 있다. 기판 지지부(130)는 내부 공간(101)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부(130)는 지지 플레이트(132) 및 지지축(134)을 포함할 수 있다. 지지 플레이트(132)는 기판(W)이 안착되는 면을 제공할 수 있다. 지지 플레이트(132)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 고정시키는 정전 척으로 제공되거나, 기계적 클램핑 방식으로 기판(W)을 고정시키는 척으로 제공될 수 있으나, 실시예는 이에 한정되지 않는다. The chamber 100 may include a substrate supporter 130 and a shower head 150. The substrate supporter 130 supports the substrate W in the internal space 101. The substrate support 130 may include a support plate 132 and a support shaft 134. The support plate 132 may provide a surface on which the substrate W is mounted. The support plate 132 may be provided as an electrostatic chuck for fixing the substrate W using electrostatic force, or may be provided as a chuck for fixing the substrate W using a mechanical clamping method, but the embodiment is not limited thereto.

지지축(134)은 기판(W)을 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 지지축(134)은 기판(W)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 지지축(134)은 지지 플레이트(132)의 하부에서 지지 플레이트(132)와 연결되고, 지지 플레이트(132)를 승하강하여 기판(W)을 이동시킬 수 있다.The support shaft 134 can move the substrate W. For example, the support shaft 134 may move the substrate W in the vertical direction. The support shaft 134 is connected to the support plate 132 at the lower part of the support plate 132, and can move the substrate W by raising and lowering the support plate 132.

샤워 헤드(150)는 기판 지지부(130)와 마주보도록 기판 지지부(130)의 상부에 배치될 수 있다. 샤워 헤드(150)는 기판 지지부(130)와 플라즈마 발생 유닛(400)의 사이에 배치될 수 있다. 샤워 헤드(150)는 플라즈마 발생 유닛(400)에서 발생되는 플라즈마가 기판(W)으로 공급되도록 할 수 있다. 샤워 헤드(150)는The shower head 150 may be placed on top of the substrate support 130 to face the substrate support 130 . The shower head 150 may be disposed between the substrate support 130 and the plasma generation unit 400. The shower head 150 may supply plasma generated by the plasma generation unit 400 to the substrate W. The shower head (150) is

플라즈마 발생 유닛(400)에서 발생되는 플라즈마는 샤워 헤드(150)에 형성된 복수의 홀(152)들을 통과할 수 있다. 샤워 헤드(150)는 처리 공간(101)으로 유입되는 플라즈마가 기판(W)으로 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 샤워 헤드(150)에 형성된 홀(152)들은 샤워 헤드(150)의 상면에서 하면까지 제공되는 관통홀로 제공되며, 샤워 헤드(150)의 전체 영역에 균일하게 형성될 수 있다.Plasma generated by the plasma generation unit 400 may pass through a plurality of holes 152 formed in the shower head 150. The shower head 150 may ensure that plasma flowing into the processing space 101 is uniformly supplied to the substrate W. The holes 152 formed in the shower head 150 are provided as through holes from the top to the bottom of the shower head 150, and can be formed uniformly over the entire area of the shower head 150.

플라즈마 발생 유닛(400)은 챔버(100)의 상부에 설치될 수 있다. 플라즈마 발생 유닛(400)은 챔버(100)의 내부 공간(101)의 상부에 설치될 수 있다. 플라즈마 발생 유닛(400)은 샤워 헤드(150)의 상부에 배치될 수 있다. 플라즈마 발생 유닛(400)은 가스 공급 유닛(500)이 제공한 공정 가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 내부 공간(101)으로 제공할 수 있다. 플라즈마 발생 유닛(400)은 플라즈마 챔버(410), 전력 인가 유닛(430) 및 확산 챔버(440)를 포함할 수 있다. The plasma generation unit 400 may be installed at the top of the chamber 100. The plasma generation unit 400 may be installed at the upper part of the internal space 101 of the chamber 100. The plasma generating unit 400 may be placed on top of the shower head 150. The plasma generation unit 400 may generate plasma by discharging the process gas provided by the gas supply unit 500 and provide the generated plasma to the internal space 101 . The plasma generation unit 400 may include a plasma chamber 410, a power application unit 430, and a diffusion chamber 440.

플라즈마 챔버(410)는 상면과 하면이 개방된 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 통 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 챔버(410)는 상면과 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 플라즈마 발생 공간(412)을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 상부에 형성된 가스 포트(510)에 의해 밀폐될 수 있다.The plasma chamber 410 may have an open top and bottom surface. The plasma chamber 410 may have a cylindrical shape. For example, the plasma chamber 410 may have a cylindrical shape with open top and bottom surfaces. The plasma chamber 410 may have a plasma generation space 412. The plasma chamber 410 may be sealed by a gas port 510 formed at the top.

플라즈마 발생 공간(412)에는 가스 공급 유닛(500)으로부터 공정 가스가 공급될 수 있다. Process gas may be supplied to the plasma generation space 412 from the gas supply unit 500.

전력 인가 유닛(430)은 플라즈마 발생 공간(412)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 인가 유닛(430)은 플라즈마 발생 공간(412)에서 공정 가스를 여기하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스일 수 있다. 전력 인가 유닛(430)은 안테나(432)와 전원(434)을 포함할 수 있다.The power application unit 430 applies high frequency power to the plasma generation space 412. The power application unit 430 may be a plasma source that generates plasma by exciting a process gas in the plasma generation space 412. The power applying unit 430 may include an antenna 432 and a power source 434.

전원(434)은 안테나(432)에 전력을 인가할 수 있다. 전원(434)은 안테나(432)에 고주파 교류 전류를 인가할 수 있다. 안테나(432)에 인가된 고주파 교류 전류는 플라즈마 발생 공간(412)에 유도 전기장을 형성할 수 있다. 플라즈마 발생 공간(412) 내로 공급되는 공정 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환될 수 있다. 전원(434)은 안테나(432)의 일단에 연결될 수 있다.The power source 434 may apply power to the antenna 432. The power source 434 may apply high-frequency alternating current to the antenna 432. The high-frequency alternating current applied to the antenna 432 may form an induced electric field in the plasma generation space 412. The process gas supplied into the plasma generation space 412 may be converted into a plasma state by obtaining energy necessary for ionization from the induced electric field. The power source 434 may be connected to one end of the antenna 432.

확산 챔버(440)는 플라즈마 챔버(410)에서 발생된 플라즈마, 그리고 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급된 공정 가스를 확산시킬 수 있다. 확산 챔버(440)는 플라즈마 챔버(410)의 하부에 배치될 수 있다. 확산 챔버(440)는 상부와 하부가 개방된 형상을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)는 역 깔대기 형상을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)의 상단은 플라즈마 챔버(410)와 대응되는 직경을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)의 하단은 확산 챔버(440)의 상단보다 큰 직경을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)는 상단에서 하단으로 갈수록 그 직경이 커질 수 있다. 또한, 확산 챔버(440)는 확산 공간(442)을 가질 수 있다. 플라즈마 발생 공간(412)에서 발생된 플라즈마는 확산 공간(442)을 거치면서 확산될 수 있다. 확산 공간(442)으로 유입된 플라즈마는 샤워 헤드(150)를 거쳐 내부 공간(101)으로 유입될 수 있다.The diffusion chamber 440 may diffuse the plasma generated in the plasma chamber 410 and the process gas supplied to the plasma generation space 412. The diffusion chamber 440 may be disposed below the plasma chamber 410. The diffusion chamber 440 may have an open top and bottom shape. Diffusion chamber 440 may have an inverted funnel shape. The top of the diffusion chamber 440 may have a diameter corresponding to that of the plasma chamber 410. The lower end of the diffusion chamber 440 may have a larger diameter than the upper end of the diffusion chamber 440. The diameter of the diffusion chamber 440 may increase from top to bottom. Additionally, the diffusion chamber 440 may have a diffusion space 442 . Plasma generated in the plasma generation space 412 may diffuse through the diffusion space 442. Plasma flowing into the diffusion space 442 may flow into the internal space 101 through the shower head 150.

가스 공급 유닛(500)은 가스 포트(510), 가스 저장부(520), 가스 밸브(530), 가스 공급 라인(540)을 포함할 수 있다. The gas supply unit 500 may include a gas port 510, a gas storage unit 520, a gas valve 530, and a gas supply line 540.

가스 포트(510)는 플라즈마 챔버(410)와 연결될 수 있다. 가스 포트(510)는 플라즈마 챔버(410)의 상부에 결합될 수 있다. 가스 포트(510)는 플라즈마 챔버(410)의 개방된 상부 영역과 결합되어 플라즈마 발생 공간(412)을 밀폐할 수 있다.The gas port 510 may be connected to the plasma chamber 410. The gas port 510 may be coupled to the upper part of the plasma chamber 410. The gas port 510 may be combined with the open upper area of the plasma chamber 410 to seal the plasma generation space 412.

가스 공급 라인(540)은 가스 포트(510)와 연결될 수 있다. 가스 공급 라인(540)을 통해 가스 포트(510)와 가스 밸브(530)가 연결될 수 있다.The gas supply line 540 may be connected to the gas port 510. The gas port 510 and the gas valve 530 may be connected through the gas supply line 540.

가스 저장부(520)는 공정 가스를 저장할 수 있다. 가스 저장부(520)는 플라즈마 발생 공간(412)으로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 밸브(530)는 가스 저장부(520)로부터 가스 포트(510)로 공정 가스가 제공되는 것을 제어할 수 있다. 예를 들어, 가스 밸브(530)가 온(on) 상태일 때, 가스 밸브(530)는 가스 저장부(520)와 가스 포트(510)를 연결하여, 가스 저장부(520)로부터 공정 가스가 제공되도록 할 수 있다. 다른 예를 들어, 가스 밸브(530)가 오프(off) 상태일 때, 가스 밸브(530)는 가스 저장부(520)와 가스 포트(510)의 연결을 차단하여, 가스 저장부(520)로부터 공정 가스가 제공되지 않도록 차단할 수 있다.The gas storage unit 520 may store process gas. The gas storage unit 520 may supply process gas to the plasma generation space 412. The gas valve 530 may control the provision of process gas from the gas storage unit 520 to the gas port 510. For example, when the gas valve 530 is in the on state, the gas valve 530 connects the gas storage unit 520 and the gas port 510 to allow process gas to flow from the gas storage unit 520. It can be provided. For another example, when the gas valve 530 is in an off state, the gas valve 530 blocks the connection between the gas storage unit 520 and the gas port 510, thereby allowing the gas to flow from the gas storage unit 520. Process gas can be blocked from being supplied.

감압 유닛(300)은 제1 밸브(310), 제2 밸브(320)와 진공 펌프(330)를 포함할 수 있다. 감압 유닛(300)은 챔버(100)의 하부에 배치된 배기홀(110)을 통해 챔버(100)와 연결될 수 있다. 감압 유닛(300)은 배기홀(110)을 통해 챔버(100)의 내부 공간(101)에서 발생하는 불순물을 기판 처리 장치(1000)의 외부로 배기할 수 있다. The pressure reduction unit 300 may include a first valve 310, a second valve 320, and a vacuum pump 330. The pressure reduction unit 300 may be connected to the chamber 100 through the exhaust hole 110 disposed in the lower portion of the chamber 100. The pressure reduction unit 300 may exhaust impurities generated in the internal space 101 of the chamber 100 to the outside of the substrate processing apparatus 1000 through the exhaust hole 110.

진공 펌프(330)는 내부 공간(101)에 감압을 제공할 수 있다. 진공 펌프(330)는 내부 공간(101)의 압력을 기설정된 압력으로 유지하도록 감압을 제공할 수 있다. The vacuum pump 330 may provide reduced pressure to the internal space 101. The vacuum pump 330 may provide reduced pressure to maintain the pressure of the internal space 101 at a preset pressure.

제1 밸브(310)는 진공 펌프(330)와 챔버(100)의 연결을 개폐할 수 있다. 즉, 제1 밸브(310)는 진공 펌프(330)에 의해 챔버(100)의 내부 공간(101)이 감압되는 유무를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제1 밸브(310)가 온 상태인 경우, 제1 밸브(310)는 진공 펌프(330)와 챔버(100)를 연결할 수 있다. 이에 따라, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간(101)을 감압할 수 있다. 이때, 제1 밸브(310)가 '온' 상태인 것은 제1 밸브(310)가 '오픈'된 상태를 지칭할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 밸브(310)가 오프 상태인 경우, 제1 밸브(310)는 진공 펌프(330)와 챔버(100)의 연결을 차단할 수 있다. 이에 따라, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간(101)을 감압할 수 없다. 즉, 진공 펌프(330)가 작동 중이더라도, 제1 밸브(310)에 의해 챔버(100)와 진공 펌프(330)가 연결되지 않은 경우, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간(101)에 감압을 제공할 수 없을 수 있다. 이때, 제1 밸브(310)가 '오프' 상태인 것은 제1 밸브(310)가 '클로징'된 상태를 지칭할 수 있다.The first valve 310 may open and close the connection between the vacuum pump 330 and the chamber 100. That is, the first valve 310 can control whether the internal space 101 of the chamber 100 is depressurized by the vacuum pump 330. For example, when the first valve 310 is in the on state, the first valve 310 may connect the vacuum pump 330 and the chamber 100. Accordingly, the vacuum pump 330 can depressurize the internal space 101 of the chamber 100. At this time, the 'on' state of the first valve 310 may refer to the 'open' state of the first valve 310. For another example, when the first valve 310 is in an off state, the first valve 310 may block the connection between the vacuum pump 330 and the chamber 100. Accordingly, the vacuum pump 330 cannot depressurize the internal space 101 of the chamber 100. That is, even if the vacuum pump 330 is operating, if the chamber 100 and the vacuum pump 330 are not connected by the first valve 310, the vacuum pump 330 is in the internal space of the chamber 100 ( 101) may not be able to provide decompression. At this time, the 'off' state of the first valve 310 may refer to the 'closed' state of the first valve 310.

제2 밸브(320)는 진공 펌프(330)에 의해 챔버(100)의 내부 공간(101)이 감압되는 정도를 조절할 수 있다. 제2 밸브(320)가 오픈된 정도에 따라서, 진공 펌프(330)에 의해 챔버(100)의 내부 공간(101)에 제공되는 감압의 레벨이 달라질 수 있다. 예를 들어, 제2 밸브(320)가 조금 오픈된 경우, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간(101)을 작은 규모로 감압할 수 있다. 다른 예를 들어, 제2 밸브(320)가 완전히 오픈된 경우, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간(101)을 최대로 감압할 수 있다.The second valve 320 can adjust the degree to which the internal space 101 of the chamber 100 is depressurized by the vacuum pump 330. Depending on the degree to which the second valve 320 is opened, the level of reduced pressure provided to the internal space 101 of the chamber 100 by the vacuum pump 330 may vary. For example, when the second valve 320 is slightly opened, the vacuum pump 330 may depressurize the internal space 101 of the chamber 100 on a small scale. For another example, when the second valve 320 is completely open, the vacuum pump 330 may depressurize the internal space 101 of the chamber 100 to the maximum.

도 3을 참조하면, 제1 밸브(310)와 제2 밸브(320)가 모두 온(on) 상태인 경우, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간(101)을 감압할 수 있다. 구체적으로, 제1 밸브(310)가 온 되어 진공 펌프(330)와 챔버(100)를 연결하고, 제2 밸브(320)가 완전히 닫혀있지 않고, 조금이라도 오픈된 상태인 경우, 진공 펌프(330)는 챔버(100)에 대하여 감압하여 작동할 수 있다. Referring to FIG. 3, when both the first valve 310 and the second valve 320 are in the on state, the vacuum pump 330 may depressurize the internal space 101 of the chamber 100. . Specifically, when the first valve 310 is turned on and connects the vacuum pump 330 and the chamber 100, and the second valve 320 is not completely closed and is in a slightly open state, the vacuum pump 330 ) can operate by reducing the pressure with respect to the chamber 100.

한편, 도 4를 참조하면, 제1 밸브(310)가 진공 펌프(330)와 챔버(100)의 연결을 개폐하므로, 제2 밸브(320)가 오픈된 경우에도, 제1 밸브(310)가 오프(off) 상태인 경우, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간(101)을 감압할 수 없다. 제2 밸브(320)가 완전히 오픈된 상태이더라도, 제1 밸브(310)가 오프되어, 챔버(100)와 진공 펌프(330)의 연결이 차단된 경우, 진공 펌프(330)는 챔버(100)에 대하여 감압하여 작동할 수 없다.Meanwhile, referring to FIG. 4, since the first valve 310 opens and closes the connection between the vacuum pump 330 and the chamber 100, even when the second valve 320 is open, the first valve 310 remains open. When in the off state, the vacuum pump 330 cannot depressurize the internal space 101 of the chamber 100. Even if the second valve 320 is fully open, when the first valve 310 is turned off and the connection between the chamber 100 and the vacuum pump 330 is blocked, the vacuum pump 330 operates in the chamber 100 It cannot operate under reduced pressure.

프로세서(600)는 기판 처리 장치(1000)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(600)는 제1 밸브(310)의 온/오프를 제어하고, 제2 밸브(320)의 오픈된 정도를 제어할 수 있다. 다른 예를 들어, 프로세서(600)는 사용자의 입력에 기초하여 진공 펌프(330)의 동작을 제어할 수 있다. 구체적으로, 프로세서(600)는 진공 펌프(330)가 작동하도록 온(on) 시키는 외부의 입력에 기초하여, 진공 펌프(330)의 작동을 지시하는 커맨드를 제공할 수 있다. 또한, 프로세서(600)는 진공 펌프(330)의 작동이 중단되도록 오프(off) 시키는 외부의 입력에 기초하여, 진공 펌프(330)의 작동 중단을 지시하는 커맨드를 제공할 수 있다. The processor 600 may control the overall operation of the substrate processing apparatus 1000. For example, the processor 600 may control the on/off of the first valve 310 and the degree to which the second valve 320 is opened. For another example, the processor 600 may control the operation of the vacuum pump 330 based on user input. Specifically, the processor 600 may provide a command instructing the operation of the vacuum pump 330 based on an external input that turns the vacuum pump 330 on. Additionally, the processor 600 may provide a command instructing to stop operation of the vacuum pump 330 based on an external input that turns off the operation of the vacuum pump 330.

펌프 컨트롤러(200)는 진공 펌프(330)가 챔버(100)의 내부 공간(101)에 대해 작동하여 감압하고 있는 경우, 진공 펌프(330)의 온/오프를 제어할 수 있다. 펌프 컨트롤러(200)는 진공 펌프(330)가 챔버(100)의 내부 공간(101)을 감압하고 있는 경우, 진공 펌프(330)의 작동이 중단되지 않도록 제어할 수 있다. 이에 대해서는 이하 도 3 내지 도 5를 참조하여 구체적으로 설명한다. The pump controller 200 may control the on/off of the vacuum pump 330 when the vacuum pump 330 operates in the internal space 101 of the chamber 100 to reduce pressure. The pump controller 200 may control the operation of the vacuum pump 330 so that it does not stop when the vacuum pump 330 is depressurizing the internal space 101 of the chamber 100. This will be described in detail below with reference to FIGS. 3 to 5.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 5 to 7 are diagrams for explaining the operation of a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.

도 5를 참조하면, 프로세서(600)는 외부로부터 진공 펌프(330)의 작동을 지시하는 입력을 제공받아, 진공 펌프(330)의 온(on)을 지시하는 펌프 작동 지시 신호를 진공 펌프(330)에 제공하고, 제1 밸브(310)를 온(on) 시킬 수 있다. Referring to FIG. 5, the processor 600 receives an input indicating the operation of the vacuum pump 330 from the outside and sends a pump operation instruction signal to the vacuum pump 330. ), and the first valve 310 can be turned on.

제1 밸브(310)가 온(on) 되면, 챔버(100)는 펌프 컨트롤러(200)에 진공 펌프(330)가 동작 중임을 지시하는 펌프 동작 신호를 제공한다. 즉, 펌프 동작 신호는 제1 밸브(310)가 온 되어 챔버(100)와 진공 펌프(330)가 연결된 경우, 진공 펌프(330)가 챔버(100)의 내부 공간(101)을 감압하고 있음을 펌프 컨트롤러(200)에 알릴 수 있다. When the first valve 310 is turned on, the chamber 100 provides the pump controller 200 with a pump operation signal indicating that the vacuum pump 330 is operating. That is, the pump operation signal indicates that when the first valve 310 is turned on and the chamber 100 and the vacuum pump 330 are connected, the vacuum pump 330 is depressurizing the internal space 101 of the chamber 100. This can be notified to the pump controller 200.

펌프 컨트롤러(200)는 챔버(100)로부터 수신한 펌프 동작 신호에 기초하여 프로세서(600)에 펌프 중단 인터락 신호를 제공할 수 있다. The pump controller 200 may provide a pump stop interlock signal to the processor 600 based on the pump operation signal received from the chamber 100.

도 6을 참조하면, 프로세서(600)는 외부로부터 진공 펌프(330)의 작동 중단을 지시하는 입력을 제공받으면, 프로세서(600)는 진공 펌프(330)에 펌프 중단 지시 신호를 제공할 수 있다. 하지만 제1 밸브(310)가 온 되어 진공 펌프(330)와 챔버(100)가 연결된 상태인 경우, 진공 펌프(330)의 작동이 중단되지 않도록 펌프 컨트롤러(200)는 펌프 중단 인터락 신호를 프로세서(600)에 제공한다. 구체적으로, 제1 밸브(310)가 오픈된 경우, 챔버(100)와 진공 펌프(330)가 연결되고, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간을 감압할 수 있다. 이 때, 외부 입력에 의해 진공 펌프(330)의 작동이 중단되지 않도록, 프로세서(600)가 진공 펌프(330)에 제공하는 펌프 중단 지시 신호가 차단되도록 하는 펌프 중단 인터락 신호를 펌프 컨트롤러(200)가 프로세서(600)에 제공할 수 있다. 이에 따라, 펌프의 중단을 지시하는 외부 입력에도 불구하고 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간을 안정적으로 감압할 수 있다.Referring to FIG. 6 , when the processor 600 receives an input indicating to stop operation of the vacuum pump 330 from the outside, the processor 600 may provide a pump stop instruction signal to the vacuum pump 330. However, when the first valve 310 is turned on and the vacuum pump 330 and the chamber 100 are connected, the pump controller 200 sends a pump interruption interlock signal to the processor to prevent the operation of the vacuum pump 330 from being interrupted. Provided at (600). Specifically, when the first valve 310 is open, the chamber 100 and the vacuum pump 330 are connected, and the vacuum pump 330 may depressurize the internal space of the chamber 100. At this time, in order to prevent the operation of the vacuum pump 330 from being stopped due to an external input, the pump controller 200 sends a pump stop interlock signal to block the pump stop instruction signal provided by the processor 600 to the vacuum pump 330. ) can be provided to the processor 600. Accordingly, the vacuum pump 330 can stably depressurize the internal space of the chamber 100 despite an external input instructing the pump to stop.

도 5 및 도 6과 비교하여 도 7을 참조하면, 제1 밸브(310)가 오프(off) 되면, 챔버(100)는 펌프 컨트롤러(200)에 진공 펌프(330)가 동작 중임을 지시하는 펌프 동작 신호를 제공하지 않는다. 이에 따라, 펌프 컨트롤러(200) 역시 프로세서(600)에 펌프 중단 인터락 신호를 제공하지 않는다.Referring to FIG. 7 compared to FIGS. 5 and 6, when the first valve 310 is turned off, the chamber 100 is a pump that indicates to the pump controller 200 that the vacuum pump 330 is operating. Does not provide operating signals. Accordingly, the pump controller 200 also does not provide a pump stop interlock signal to the processor 600.

즉, 제1 밸브(310)가 오프된 상태로, 챔버(100)와 진공 펌프(330)가 연결되어 있지 않은 경우, 진공 펌프(330)는 챔버(100)를 감압할 수 없다. 따라서, 프로세서(600)는 펌프의 중단을 지시하는 외부 입력에 기초하여 진공 펌프(330)에 펌프 중단 지시 신호를 제공한다. 또한, 펌프 중단 지시 신호를 차단하는 펌프 중단 인터락 신호가 펌프 컨트롤러(200)로부터 프로세서(600)로 제공되지 않으므로, 프로세서(600)로부터 수신한 펌프 중단 지시 신호에 의해 진공 펌프(330)는 작동을 중단할 수 있다.That is, when the first valve 310 is turned off and the chamber 100 and the vacuum pump 330 are not connected, the vacuum pump 330 cannot depressurize the chamber 100. Accordingly, the processor 600 provides a pump stop instruction signal to the vacuum pump 330 based on an external input indicating stop of the pump. In addition, since the pump stop interlock signal that blocks the pump stop instruction signal is not provided from the pump controller 200 to the processor 600, the vacuum pump 330 is operated by the pump stop instruction signal received from the processor 600. can be stopped.

도 8 및 도 9는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 참고적으로, 도 8 및 도 9에서 '하이' 상태는 신호가 활성화된 상태 또는 밸브가 온 된 상태를 나타낼 수 있고, '로우' 상태는 신호가 비활성화된 상태 또는 밸브가 오프 된 상태를 나타낼 수 있다. 이 때, '하이' 상태는 0과 1 중 1에 대응될 수 있고, '로우' 상태는 0과 1 중 0에 대응될 수 있다.8 and 9 are timing diagrams for explaining the operation of a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention. For reference, in FIGS. 8 and 9, the 'high' state may indicate that the signal is activated or the valve is on, and the 'low' state may indicate that the signal is deactivated or the valve is off. there is. At this time, the 'high' state may correspond to 1 of 0 and 1, and the 'low' state may correspond to 0 of 0 and 1.

도 8을 참조하면, 제1 시점(t1)과 제2 시점(t2) 사이에 제1 밸브(310)는 온 상태로 스위칭 될 수 있다. 즉, 제1 시점(t1)과 제2 시점(t2) 사이에 제1 밸브(310)가 오픈될 수 있다. 제1 밸브(310)가 오픈 되므로, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간(101)을 감압하기 시작한다. 따라서, 제1 시점(t1)과 제2 시점(t2) 사이에서 펌프 동작 신호가 활성화된다. 펌프 동작 신호가 활성화되면 진공 펌프(330)의 작동이 중단되지 않도록 지시하는 펌프 중단 인터락 신호 또한 활성화된다.Referring to FIG. 8, the first valve 310 may be switched to the on state between the first time point t1 and the second time point t2. That is, the first valve 310 may be opened between the first time point t1 and the second time point t2. Since the first valve 310 is opened, the vacuum pump 330 begins to depressurize the internal space 101 of the chamber 100. Accordingly, the pump operation signal is activated between the first time point t1 and the second time point t2. When the pump operation signal is activated, a pump interruption interlock signal that instructs the vacuum pump 330 not to stop operation is also activated.

제3 시점(t3)과 제4 시점(t4) 사이에 외부로부터 펌프 중단에 대한 입력을 제공받아, 펌프 중단 지시 신호가 활성화된다. 한편, 제3 시점(t3)과 제4 시점(t4) 사이에서 제1 밸브(310)가 온 상태여서 펌프 중단 인터락 신호가 활성화된 상태로 유지된다. 이 때, 펌프 중단 지시 신호가 활성화되었음에도 불구하고, 펌프 중단 인터락 신호가 활성화된 상태이므로 펌프 중단 지시 신호가 차단된다. 즉, 활성화된 펌프 중단 지시 신호가 진공 펌프(330)에 전달되지 않으므로, 진공 펌프(330)는 중단하지 않고, 챔버(100)의 내부 공간(101)을 안정적으로 감압할 수 있다. 이에 따라, 펌프 동작 신호는 제3 시점(t3)과 제4 시점(t4) 사이에서 활성화된 상태로 유지된다. 도 8과 같이, 제1 밸브가 온 상태인 경우, 펌프 중단 지시 신호가 활성화되는 것은, 진공 펌프(330)가 작동을 하고 있음에도 진공 펌프(330)의 작동 중단을 지시하는 외부 입력이 착오나 오류 등으로 잘못 제공된 경우를 포함할 수 있다.Between the third time t3 and the fourth time t4, an input for pump stoppage is received from the outside, and a pump stop instruction signal is activated. Meanwhile, the first valve 310 is in the on state between the third time point t3 and the fourth time point t4, so the pump stop interlock signal remains activated. At this time, even though the pump stop instruction signal is activated, the pump stop instruction signal is blocked because the pump stop interlock signal is activated. That is, since the activated pump stop instruction signal is not transmitted to the vacuum pump 330, the vacuum pump 330 can stably depressurize the internal space 101 of the chamber 100 without stopping. Accordingly, the pump operation signal remains activated between the third time point t3 and the fourth time point t4. As shown in FIG. 8, when the first valve is in the on state, the pump stop instruction signal is activated because the external input indicating the stop operation of the vacuum pump 330 is an error or error even though the vacuum pump 330 is operating. This may include cases where it was provided incorrectly.

도 9를 참조하면, 제1 시점(t1)과 제2 시점(t2) 사이에 제1 밸브(310)는 온 상태로 스위칭 될 수 있다. 즉, 제1 시점(t1)과 제2 시점(t2) 사이에 제1 밸브(310)가 오픈될 수 있다. 제1 밸브(310)가 오픈 되므로, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간(101)을 감압하기 시작한다. 따라서, 제1 시점(t1)과 제2 시점(t2) 사이에서 펌프 동작 신호가 활성화된다. 펌프 동작 신호가 활성화되면 진공 펌프(330)의 작동이 중단되지 않도록 지시하는 펌프 중단 인터락 신호 또한 활성화된다.Referring to FIG. 9, the first valve 310 may be switched to the on state between the first time point t1 and the second time point t2. That is, the first valve 310 may be opened between the first time point t1 and the second time point t2. Since the first valve 310 is opened, the vacuum pump 330 begins to depressurize the internal space 101 of the chamber 100. Accordingly, the pump operation signal is activated between the first time point (t1) and the second time point (t2). When the pump operation signal is activated, the pump interruption interlock signal instructing the vacuum pump 330 not to stop operation is also activated.

제2 시점(t2)과 제3 시점(t3) 사이에 제1 밸브(310)는 오픈된 상태로 유지되고, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간(101)을 지속적으로 감압한다. 따라서, 펌프 동작 신호가 활성화된 상태로 유지되고, 진공 펌프(330)의 작동이 중단되지 않도록 지시하는 펌프 중단 인터락 신호 또한 활성화된 상태로 유지된다.Between the second time point t2 and the third time point t3, the first valve 310 is maintained in an open state, and the vacuum pump 330 continuously depressurizes the internal space 101 of the chamber 100. . Accordingly, the pump operation signal remains activated, and the pump stop interlock signal, which instructs the operation of the vacuum pump 330 not to be stopped, also remains activated.

제3 시점(t3)과 제4 시점(t4) 사이에 제1 밸브(310)는 오프 상태로 스위칭 될 수 있다. 즉, 제3 시점(t3)과 제4 시점(t4) 사이에 제1 밸브(310)가 클로징될 수 있다. 제1 밸브(310)가 오프 상태인 경우, 챔버(100)와 진공 펌프(330)의 연결이 차단되므로, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간(101)을 감압할 수 없다. 따라서, 제3 시점(t3)과 제4 시점(t4) 사이에 펌프 동작 신호가 비활성화된다. 펌프 동작 신호가 비활성화되면, 진공 펌프(330)의 작동 중단을 방지할 필요가 없으므로, 펌프 중단 인터락 신호가 비활성화된다. The first valve 310 may be switched to the off state between the third time point t3 and the fourth time point t4. That is, the first valve 310 may be closed between the third time point t3 and the fourth time point t4. When the first valve 310 is in the off state, the connection between the chamber 100 and the vacuum pump 330 is blocked, so the vacuum pump 330 cannot depressurize the internal space 101 of the chamber 100. Accordingly, the pump operation signal is deactivated between the third time point t3 and the fourth time point t4. If the pump operation signal is deactivated, there is no need to prevent interruption of the vacuum pump 330, and therefore the pump interruption interlock signal is deactivated.

제5 시점(t5)과 제6 시점(t6) 사이에 외부로부터 펌프 중단 지시 신호가 입력되어 활성화된다. 이 때, 펌프 중단 인터락 신호가 비활성화된 상태이므로, 활성화된 펌프 중단 지시 신호가 차단되지 않는다. 즉, 활성화된 펌프 중단 지시 신호가 진공 펌프(330)에 전달되므로, 진공 펌프(330)는 펌프 중단 지시 신호에 응답하여 작동을 중단할 수 있다. 도 9와 같이, 제1 밸브가 오프 상태인 경우, 펌프 중단 지시 신호가 활성화되는 것은, 진공 펌프(330)가 챔버(100)에 대해 작동하고 있지 않은 경우, 진공 펌프(330)의 작동 중단을 지시하는 외부 입력이 올바르게 입력된 경우를 포함할 수 있다.Between the fifth time point (t5) and the sixth time point (t6), a pump stop instruction signal is input from the outside and activated. At this time, since the pump stop interlock signal is deactivated, the activated pump stop instruction signal is not blocked. That is, since the activated pump stop instruction signal is transmitted to the vacuum pump 330, the vacuum pump 330 may stop operating in response to the pump stop instruction signal. As shown in FIG. 9, when the first valve is in the off state, the pump stop instruction signal is activated, which means that if the vacuum pump 330 is not operating for the chamber 100, the operation of the vacuum pump 330 is stopped. This may include cases where the external input indicated is entered correctly.

도 10은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다. 참고적으로, 도 10은 앞서 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명한 바와 달리, 펌프 컨트롤러의 개입 없이 프로세서가 자체적으로 제어하는 경우를 나타낼 수 있다.10 is a flowchart for explaining the operation of a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention. For reference, FIG. 10 may represent a case where the processor controls itself without intervention of the pump controller, unlike what was previously described with reference to FIGS. 1 to 9 .

도 10을 참조하면, 외부로부터 펌프 동작 지시가 입력된 경우, 진공 펌프(330)는 챔버(100)의 내부 공간(101)을 감압하여 동작한다(S100).Referring to FIG. 10, when a pump operation instruction is input from the outside, the vacuum pump 330 operates by depressurizing the internal space 101 of the chamber 100 (S100).

이어서, 외부로부터 펌프 중단을 지시하는 입력이 수신된 경우(S200), 프로세서(600)는 제1 밸브(310)가 온(on) 되어 있는지 자체적으로 판단한다(S300).Next, when an input instructing to stop the pump is received from the outside (S200), the processor 600 determines by itself whether the first valve 310 is on (S300).

제1 밸브(310)가 온 되어 있는 경우, 프로세서(600)는 외부로부터 입력된 펌프 중단 지시 입력에 따른 펌프의 작동 중단을 차단하는 펌프 중단 인터락을 제공한다(S400). 프로세서(600)가 제공한 펌프 중단 인터락에 의해, 펌프 중단 신호가 차단되고, 따라서 진공 펌프(330)는 작동을 유지한다(S500).When the first valve 310 is turned on, the processor 600 provides a pump interruption interlock that blocks operation of the pump according to a pump interruption instruction input from the outside (S400). By the pump stop interlock provided by the processor 600, the pump stop signal is blocked, and thus the vacuum pump 330 maintains operation (S500).

한편, 제1 밸브(310)가 오프 되어 있는 경우, 프로세서(600)는 펌프 중단을 지시하는 외부 입력에 따라, 진공 펌프(330)에 중단을 지시하는 신호를 제공하고, 따라서 진공 펌프(330)는 작동을 중단한다(S600).Meanwhile, when the first valve 310 is off, the processor 600 provides a signal instructing the vacuum pump 330 to stop according to an external input instructing the pump to stop, and thus the vacuum pump 330 stops operating (S600).

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the attached drawings, the present invention is not limited to the above embodiments and can be manufactured in various different forms, and can be manufactured in various different forms by those skilled in the art. It will be understood by those who understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive.

100: 챔버 200: 펌프 컨트롤러
300: 감압 유닛 310: 제1 밸브
320: 제2 밸브 330: 진공 챔버
400: 플라즈마 발생 유닛 500: 가스 공급 유닛
600: 프로세서 1000: 기판 처리 장치100: chamber 200: pump controller
300: pressure reducing unit 310: first valve
320: second valve 330: vacuum chamber
400: Plasma generation unit 500: Gas supply unit
600: processor 1000: substrate processing device

Claims

a chamber providing an internal space in which a substrate is processed;
a vacuum pump for depressurizing the internal space;
a pump controller that receives a pump operation signal from the chamber indicating that the vacuum pump is operating;
a processor providing a pump stop signal to the vacuum pump in response to an external input directing the vacuum pump to stop operation; and
Includes a first valve connecting the vacuum pump and the chamber,
The pump controller, in response to receiving the pump operation signal, provides a pump stop interlock signal to the processor,
Based on the pump stop interlock signal, the pump stop signal provided by the processor to the vacuum pump is blocked,
When the first valve is on and an operation instruction for the vacuum pump is externally input to the processor, the vacuum pump is operated,
When the first valve is on and an instruction to stop operation of the vacuum pump is externally input to the processor, the operation of the vacuum pump is not stopped,
A substrate processing apparatus in which operation of the vacuum pump is stopped when the first valve is off and an external instruction to stop operation of the vacuum pump is input to the processor.

According to clause 1,
A substrate processing apparatus further comprising a plasma unit disposed above the chamber and generating plasma.

delete

According to clause 1,
When the first valve is on, the chamber provides the pump operation signal to the pump controller.

According to clause 1,
When the first valve is off, the pump controller does not provide the pump interruption interlock signal to the processor.

According to clause 1,
Further comprising a second valve disposed between the first valve and the chamber,
The first valve turns on/off the connection between the chamber and the vacuum pump,
The second valve adjusts the level at which the internal space is depressurized by the vacuum pump.

According to clause 1,
The processor controls on/off of the first valve.

According to clause 1,
The vacuum pump is connected to the chamber through an exhaust hole disposed in a lower portion of the chamber.

a chamber providing an internal space in which a substrate is processed;
a plasma generation unit disposed at the top of the chamber and generating plasma;
a vacuum pump connected to the chamber through a valve and depressurizing the internal space;
When the valve is on, a pump controller that receives a pump operation signal from the chamber indicating that the vacuum pump is operating; and
a processor providing a pump stop signal to the vacuum pump in response to an external input directing the vacuum pump to stop operating;
The pump controller provides a pump stop interlock signal to the processor in response to the pump operation signal,
Based on the pump stop interlock signal, the pump stop signal provided by the processor to the vacuum pump is blocked and
When the valve is on and an operation instruction for the vacuum pump is externally input to the processor, the vacuum pump is operated,
When the valve is on and an external instruction to stop operation of the vacuum pump is input to the processor, the operation of the vacuum pump is not stopped,
When the valve is off and an instruction to stop operation of the vacuum pump is externally input to the processor, operation of the vacuum pump is stopped.

According to clause 9,
When the valve is off,
The chamber does not provide the pump operation signal to the pump controller,
The vacuum pump stops operating in response to the pump stop signal received from the processor.