KR102665515B1 - laminate - Google Patents
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Abstract
적층체 (1) 는, 하지층 (3) 과, 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 에 인접하는 결정성의 투명 도전층 (4) 을 구비한다. 투명 도전층 (4) 의 두께 방향의 일방면 (41) 은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 1 융기 (42) 를 구비한다. 하지층 (3) 의 일방면 (31) 은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 2 융기 (32) 를 구비해도 된다. 제 2 융기 (32) 는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 제 1 융기 (42) 와 중첩되지 않는다. 투명 도전층 (4) 은, 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유한다.The laminate 1 includes a base layer 3 and a crystalline transparent conductive layer 4 adjacent to one side 31 of the base layer 3 in the thickness direction. One side 41 of the transparent conductive layer 4 in the thickness direction is provided with a first protrusion 42 whose height is 3 nm or more. One side 31 of the base layer 3 may be provided with a second protrusion 32 whose height is 3 nm or more. The second ridge 32 does not overlap the first ridge 42 when projected in the thickness direction. The transparent conductive layer 4 contains a rare gas with an atomic number greater than argon.
Description
본 발명은, 적층체에 관한 것이다.The present invention relates to a laminate.
하지층과, 하지층에 인접하는 결정질의 투명 도전층을 구비하는 적층체가 알려져 있다 (예를 들어, 하기 특허문헌 1 참조.). 특허문헌 1 에 기재된 적층체에서는, 투명 도전성층의 두께 방향의 일방면은, 제 1 융기를 갖는다. 하지층의 두께 방향의 일방면은, 제 2 융기를 갖는다. 하지층의 제 2 융기는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 투명 도전성층의 제 1 융기와 중첩된다.A laminate comprising a base layer and a crystalline transparent conductive layer adjacent to the base layer is known (for example, see Patent Document 1 below). In the laminate described in Patent Document 1, one side of the transparent conductive layer in the thickness direction has a first protrusion. One side of the base layer in the thickness direction has a second ridge. The second protrusion of the base layer overlaps the first protrusion of the transparent conductive layer when projected in the thickness direction.
특허문헌 1 의 적층체의 제조에 있어서, 입자를 포함하는 수지 조성물의 도포에 의해, 하지층에, 입자의 형상에 대응하는 제 2 융기를 형성한다. 또, 하지층의 두께 방향의 일방면에 박막 형성하여, 상기한 제 2 융기에 추종하는 제 1 융기를, 투명 도전층에 형성한다.In the production of the laminate of Patent Document 1, second protrusions corresponding to the shape of the particles are formed in the base layer by application of a resin composition containing particles. Additionally, a thin film is formed on one side of the base layer in the thickness direction, and first ridges that follow the above-described second ridges are formed in the transparent conductive layer.
투명 도전층은, 비정질의 투명 도전층을 가열에 의해, 결정질이 된다. 그러나, 특허문헌 1 의 적층체에서는, 상기한 제 2 융기에서 기인하여, 비정질의 투명 도전층의 결정화에 있어서, 결정의 배향이 일정해지기 어렵고, 요컨대, 결정의 성장이 저해되고, 그 때문에, 결정화한 투명 도전층의 투명성이 낮다. 그 때문에, 상기한 투명 도전층을 구비하는 적층체의 투명성이 낮다는 문제가 있다.The transparent conductive layer becomes crystalline by heating the amorphous transparent conductive layer. However, in the laminate of Patent Document 1, due to the above-described second elevation, it is difficult for the orientation of the crystals to become constant during crystallization of the amorphous transparent conductive layer, in other words, the growth of the crystals is inhibited, and therefore, The transparency of the crystallized transparent conductive layer is low. Therefore, there is a problem that the transparency of the laminate provided with the above-described transparent conductive layer is low.
한편, 투명 도전층의 두께 방향의 일방면에, 다른 층이 배치될 때에, 투명 도전성층과 상기한 층의 밀착성도 요구된다. 다른 층은, 예를 들어, 코팅층을 포함한다.On the other hand, when another layer is disposed on one side of the transparent conductive layer in the thickness direction, adhesion between the transparent conductive layer and the above-mentioned layer is also required. Other layers include, for example, coating layers.
본 발명은, 다른 층과의 밀착성이 우수한 투명 도전층을 구비하고, 투명성이 우수한 적층체를 제공한다.The present invention provides a laminate having excellent transparency and having a transparent conductive layer with excellent adhesion to other layers.
본 발명 (1) 은, 하지층과, 상기 하지층의 두께 방향의 일방면에 인접하는 결정성의 투명 도전층을 구비하는 적층체로서, 상기 투명 도전층의 두께 방향의 일방면은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 1 융기를 구비하고, 상기 하지층의 일방면은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 2 융기를 구비해도 되고, 상기 제 2 융기는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 상기 제 1 융기와 중첩되지 않고, 상기 투명 도전층은, 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유하는, 적층체를 포함한다.The present invention (1) is a laminate comprising a base layer and a crystalline transparent conductive layer adjacent to one side in the thickness direction of the base layer, wherein one side of the transparent conductive layer in the thickness direction has a height of 3 It may be provided with a first ridge having a height of 3 nm or more, and one side of the base layer may be provided with a second ridge having a height of 3 nm or more, and the second ridge does not overlap the first ridge when projected in the thickness direction. Instead, the transparent conductive layer includes a laminate containing a rare gas with an atomic number greater than argon.
본 발명 (2) 는, 상기 하지층은, 수지를 포함하는, (1) 에 기재된 적층체를 포함한다.The present invention (2) includes the laminate according to (1), wherein the base layer contains a resin.
본 발명 (3) 은, 상기 투명 도전층의 일방면에 이르는 단 가장자리를 갖는 입계를 포함하고, 상기 제 1 융기가 융기하는 융기 개시점이, 단 가장자리 또는 그 근방에 위치하는, (1) 또는 (2) 에 기재된 적층체를 포함한다.The present invention (3) includes (1) or ( 2) It includes the laminate described in .
본 발명 (4) 는, 두께 방향에 있어서, 상기 하지층에 대한 상기 투명 도전층의 반대측에 배치되는 기재층을 추가로 구비하고, 상기 기재층은, 수지를 포함하는, (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 적층체를 포함한다.The present invention (4) further includes a base layer disposed on the opposite side of the transparent conductive layer to the base layer in the thickness direction, and the base layer contains a resin. (1) to (3) ) includes the laminate according to any one of the above.
본 발명의 적층체는, 다른 층의 밀착성이 우수한 투명 도전층을 구비하고, 투명성이 우수하다.The laminate of the present invention has a transparent conductive layer excellent in adhesion to other layers and has excellent transparency.
도 1 은, 본 발명의 적층체의 일 실시형태의 단면도이다.
도 2 는, 적층체의 변형예이다.
도 3 은, 적층체의 변형예이다.
도 4 는, 실시예 1 의 TEM 사진의 화상 처리 도면이다.
도 5 는, 도 4 에 보조선을 추가한 화상 처리 도면이다.
도 6 은, 제 1 공정의 반응성 스퍼터링에 있어서, 산소 도입량과, 비저항의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 7 은, 종래예의 개략 단면도이다.1 is a cross-sectional view of one embodiment of the laminate of the present invention.
Figure 2 shows a modified example of the laminate.
Figure 3 shows a modified example of the laminate.
Fig. 4 is an image processing diagram of the TEM photograph of Example 1.
FIG. 5 is an image processing diagram with auxiliary lines added to FIG. 4.
Fig. 6 is a graph showing the relationship between the amount of oxygen introduced and the specific resistance in the first process of reactive sputtering.
Fig. 7 is a schematic cross-sectional view of a conventional example.
1. 적층체의 일 실시형태1. One embodiment of a laminate
본 발명의 적층체의 일 실시형태를, 도 1 을 참조하여 설명한다.One embodiment of the laminate of the present invention will be described with reference to FIG. 1.
적층체 (1) 는, 면 방향으로 연장된다. 면 방향은, 두께 방향과 직교한다. 적층체 (1) 는, 예를 들어, 평면에서 보았을 때 대략 직사각형상을 갖는다. 평면에서 보았을 때란, 두께 방향으로 보는 것을 말한다. 상세하게는, 적층체 (1) 는, 시트 형상을 갖는다. 시트는, 필름을 포함한다. 또한, 시트 및 필름은, 준별 (峻別) 되지 않는다.The laminate 1 extends in the plane direction. The plane direction is perpendicular to the thickness direction. The laminate 1 has, for example, a substantially rectangular shape when viewed from the top. When viewed from a plane, it means viewed in the thickness direction. In detail, the laminate 1 has a sheet shape. The sheet includes a film. Additionally, sheets and films are not classified.
본 실시형태에서는, 적층체 (1) 는, 기재층 (2) 과, 하지층 (3) 과, 투명 도전층 (4) 을 두께 방향의 일방측을 향해 순서대로 구비한다. 구체적으로는, 적층체 (1) 는, 기재층 (2) 과, 기재층 (2) 의 두께 방향의 일방면 (21) 에 배치되는 하지층 (3) 과, 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 에 배치되는 투명 도전층 (4) 을 구비한다. 두께 방향으로 이웃하는 2 개의 층은 인접한다.In this embodiment, the laminate 1 is provided with a base layer 2, a base layer 3, and a transparent conductive layer 4 in that order toward one side of the thickness direction. Specifically, the laminate 1 includes a base layer 2, a base layer 3 disposed on one side 21 in the thickness direction of the base layer 2, and a base layer 3 in the thickness direction of the base layer 3. and a transparent conductive layer (4) disposed on one side (31). Two layers that are adjacent in the thickness direction are adjacent.
1.1 기재층 (2)1.1 Base layer (2)
기재층 (2) 은, 두께 방향에 있어서, 하지층 (3) 에 대해 투명 도전층 (4) 의 반대측에 배치된다. 기재층 (2) 은, 시트 형상을 갖는다. 기재층 (2) 은, 바람직하게는 투명하다.The base layer (2) is disposed on the opposite side of the transparent conductive layer (4) to the base layer (3) in the thickness direction. The base material layer 2 has a sheet shape. The base material layer 2 is preferably transparent.
기재층 (2) 의 재료로는, 예를 들어, 수지, 세라믹스, 및, 금속을 들 수 있다. 수지로는, 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 올레핀 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리스티렌 수지, 및, 노르보르넨 수지를 들 수 있다. 수지로서, 바람직하게는 투명성 및 기계 강도의 관점에서, 폴리에스테르 수지를 들 수 있다. 폴리에스테르 수지로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 및, 폴리에틸렌나프탈레이트를 들 수 있고, 바람직하게는 PET 를 들 수 있다.Materials of the base material layer 2 include, for example, resin, ceramics, and metal. Resins include polyester resin, acrylic resin, olefin resin, polycarbonate resin, polyethersulfone resin, polyarylate resin, melamine resin, polyamide resin, polyimide resin, cellulose resin, polystyrene resin, and norbornene. Resin can be mentioned. As the resin, polyester resin is preferably used from the viewpoint of transparency and mechanical strength. Examples of polyester resins include polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, preferably PET.
세라믹스로는, 예를 들어, 유리를 들 수 있다. 금속으로는, 예를 들어, 은, 주석, 크롬, 및, 지르코늄을 들 수 있다.Examples of ceramics include glass. Examples of metals include silver, tin, chromium, and zirconium.
기재층 (2) 의 재료로서, 바람직하게는 수지를 들 수 있다. 바꿔 말하면, 기재층 (2) 은, 바람직하게는 수지를 포함한다. 기재층 (2) 이 수지를 포함하면, 하지층 (3) 이 수지를 포함하는 본 실시형태 (후술) 에 있어서, 기재층 (2) 의 선팽창 계수를 하지층 (3) 의 선팽창 계수에 가깝게 할 (맞출) 수 있고, 그 때문에, 기재 (30) (후술) 및 적층체 (1) 의 열 수축률을 작게 할 수 있다.As a material for the base material layer 2, resin is preferably used. In other words, the base material layer 2 preferably contains resin. When the base layer (2) contains a resin, in this embodiment (described later) where the base layer (3) contains a resin, the linear expansion coefficient of the base layer (2) is brought closer to that of the base layer (3). (matching) is possible, and therefore, the thermal contraction rate of the base material 30 (described later) and the laminate 1 can be reduced.
기재층 (2) 의 두께는, 예를 들어, 5 ㎛ 이상, 바람직하게는 10 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 500 ㎛ 이하, 바람직하게는 200 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎛ 이하이다.The thickness of the base material layer 2 is, for example, 5 μm or more, preferably 10 μm or more, and for example, 500 μm or less, preferably 200 μm or less, more preferably 100 μm or less. .
기재층 (2) 의 두께 방향의 일방면 (21) 은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 3 융기를 가져도 된다. 제 3 융기의 높이는, 이후의 제 1 융기 (42) 의 높이와 동일하게 하여 구해진다. 상기한 제 3 융기의 평면에서 보았을 때에 있어서의 위치 및 수는, 한정되지 않는다.One side 21 of the base material layer 2 in the thickness direction may have a third protrusion whose height is 3 nm or more. The height of the third ridge is obtained by making it the same as the height of the subsequent first ridge 42. The position and number of the above-described third ridges in plan view are not limited.
기재층 (2) 의 전광선 투과율은, 예를 들어, 75 ％ 이상, 바람직하게는 85 ％ 이상, 보다 바람직하게는 90 ％ 이상이다. 기재층 (2) 의 전광선 투과율의 상한은 한정되지 않고, 예를 들어, 100 ％ 이하이다. 기재층 (2) 의 전광선 투과율은, JIS K 7375-2008 에 기초하여 구해진다.The total light transmittance of the base material layer 2 is, for example, 75% or more, preferably 85% or more, and more preferably 90% or more. The upper limit of the total light transmittance of the base material layer 2 is not limited, and is, for example, 100% or less. The total light transmittance of the base material layer 2 is determined based on JIS K 7375-2008.
1.2 하지층 (3)1.2 Base layer (3)
하지층 (3) 은, 기재층 (2) 의 두께 방향의 일방측에 인접한다. 구체적으로는, 하지층 (3) 은, 기재층 (2) 의 두께 방향의 일방면 (21) 에 접촉한다. 하지층 (3) 은, 바람직하게는 투명하다. 하지층 (3) 으로는, 예를 들어, 광학 조정층, 및, 하드 코트층을 들 수 있다. 하지층 (3) 은, 단층 또는 복층이다.The base layer 3 is adjacent to one side of the base layer 2 in the thickness direction. Specifically, the base layer 3 is in contact with one side 21 of the base layer 2 in the thickness direction. The base layer 3 is preferably transparent. Examples of the base layer 3 include an optical adjustment layer and a hard coat layer. The base layer 3 is a single layer or a double layer.
또한, 기재층 (2) 과 하지층 (3) 을 기재 (30) 로 칭호할 수 있다. 요컨대, 기재 (30) 는, 기재층 (2) 과 하지층 (3) 을 두께 방향의 일방측을 향해 순서대로 구비한다. 기재 (30) 는, 바람직하게는 투명하다. 그 때문에, 기재 (30) 는, 투명 기재로 칭호할 수 있다.Additionally, the base layer (2) and the base layer (3) may be referred to as the base material (30). In short, the base material 30 includes a base layer 2 and a base layer 3 in that order toward one side in the thickness direction. The base material 30 is preferably transparent. Therefore, the base material 30 can be referred to as a transparent base material.
하지층 (3) 은, 수지를 포함하고, 예를 들어, 입자를 추가로 포함해도 된다.The base layer 3 contains a resin and may further contain particles, for example.
수지로는, 예를 들어, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 및, 실리콘 수지를 들 수 있다.Examples of the resin include acrylic resin, urethane resin, melamine resin, alkyd resin, and silicone resin.
입자로는, 예를 들어, 무기 입자, 및, 유기 입자를 들 수 있다. 무기 입자로는, 예를 들어, 금속 산화물 입자, 및, 탄산염 입자를 들 수 있다. 금속 산화물 입자로는, 예를 들어, 실리카 입자, 산화지르코늄, 산화티탄, 산화아연, 및, 산화주석을 들 수 있다. 탄산염 입자로는, 예를 들어, 탄산칼슘 입자를 들 수 있다. 유기 입자로는, 예를 들어, 가교 아크릴 입자를 들 수 있다. 입자의 메디안 직경은, 예를 들어, 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 5 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 10 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ㎚ 이하, 바람직하게는 40 ㎚ 이하이다.Examples of particles include inorganic particles and organic particles. Examples of inorganic particles include metal oxide particles and carbonate particles. Examples of metal oxide particles include silica particles, zirconium oxide, titanium oxide, zinc oxide, and tin oxide. Carbonate particles include, for example, calcium carbonate particles. Examples of organic particles include crosslinked acrylic particles. The median diameter of the particles is, for example, 1 nm or more, preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, and for example, 100 nm or less, preferably 40 nm or less.
하지층 (3) 은, 바람직하게는 입자를 포함하지 않고, 수지를 포함한다. 또한, 수지의 원료가 경화성 수지이면, 하지층 (3) 은, 경화막이다.The base layer 3 preferably does not contain particles and contains resin. In addition, if the raw material of the resin is a curable resin, the base layer 3 is a cured film.
본 실시형태에서는, 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 2 융기 (32) (도 2 참조) 를 구비하지 않는다. 바꿔 말하면, 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 은, 평탄면이다.In this embodiment, one side 31 of the base layer 3 in the thickness direction is not provided with the second protrusion 32 (see FIG. 2) whose height is 3 nm or more. In other words, one surface 31 in the thickness direction of the base layer 3 is a flat surface.
또한, 평탄면에서는, 높이가 3 ㎚ 미만인 융기의 존재가 허용된다.Additionally, on a flat surface, the presence of ridges with a height of less than 3 nm is permitted.
본 실시형태에서는, 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 이 상기한 제 2 융기 (32) (도 2 참조) 를 구비하지 않기 때문에, 다음에 설명하는 투명 도전층 (4) 에 있어서의 결정의 배향이 잘 일정해지고, 그 때문에, 투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율을 높게 할 수 있다.In the present embodiment, since one side 31 of the base layer 3 in the thickness direction is not provided with the above-mentioned second protrusion 32 (see Fig. 2), the transparent conductive layer 4 described below The orientation of the crystals becomes well-constant, and therefore, the total light transmittance of the transparent conductive layer 4 can be increased.
하지층 (3) 의 두께는, 예를 들어, 5 ㎚ 이상, 바람직하게는 10 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 30 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 10,000 ㎚ 이하, 바람직하게는 5,000 ㎚ 이하이다.The thickness of the base layer 3 is, for example, 5 nm or more, preferably 10 nm or more, more preferably 30 nm or more, and for example, 10,000 nm or less, preferably 5,000 nm or less. .
하지층 (3) 의 전광선 투과율은, 예를 들어, 75 ％ 이상, 바람직하게는 85 ％ 이상, 보다 바람직하게는 90 ％ 이상이다. 하지층 (3) 의 전광선 투과율의 상한은 한정되지 않고, 예를 들어, 100 ％ 이하이다. 하지층 (3) 의 전광선 투과율은, JIS K 7375-2008 에 기초하여 구해진다.The total light transmittance of the base layer 3 is, for example, 75% or more, preferably 85% or more, and more preferably 90% or more. The upper limit of the total light transmittance of the base layer 3 is not limited, and is, for example, 100% or less. The total light transmittance of the base layer 3 is determined based on JIS K 7375-2008.
기재 (30) 에 있어서의 면 방향은, 기재 (30) 를 가열한 후, 열수축하는 방향을 포함한다. 가열 온도는 기재 (30) 의 내열성에 따라 선택할 수 있다. 기재 (30) 를 160 ℃ 에서, 1 시간 가열한 후의 열 수축률이 예를 들어, 0.01 ％ 이상, 바람직하게는 0.05 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 2 ％ 이하, 바람직하게는 1.0 ％ 이하, 보다 바람직하게는 0.5 ％ 이하인 방향을 기재 (30) 에 있어서의 면 방향이 포함한다. 기재 (30) 의 열 수축률이 상기한 하한 이상, 상한 이하이면, 투명 도전층 (4) 의 크랙을 억제하면서, 후술하는 제 1 융기 (42) 를 제조할 수 있다.The surface direction of the base material 30 includes the direction in which the base material 30 undergoes heat shrinkage after heating. The heating temperature can be selected depending on the heat resistance of the base material 30. The heat shrinkage rate after heating the base material 30 at 160°C for 1 hour is, for example, 0.01% or more, preferably 0.05% or more, and is, for example, 2% or less, preferably 1.0% or less, More preferably, the plane direction in the substrate 30 includes a direction of 0.5% or less. If the thermal contraction rate of the base material 30 is equal to or higher than the above-described lower limit or lower than the upper limit, the first protrusion 42 described later can be manufactured while suppressing cracks in the transparent conductive layer 4.
1.3 투명 도전층 (4)1.3 Transparent conductive layer (4)
투명 도전층 (4) 은, 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방측에 인접한다. 구체적으로는, 투명 도전층 (4) 은, 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 에 접촉한다. 투명 도전층 (4) 은, 적층체 (1) 에 있어서의 두께 방향의 일방면을 형성한다. 투명 도전층 (4) 은, 면 방향으로 연장되는 시트 형상을 갖는다. 본 실시형태에서는, 투명 도전층 (4) 은, 단일의 층이다.The transparent conductive layer 4 is adjacent to one side of the base layer 3 in the thickness direction. Specifically, the transparent conductive layer 4 is in contact with one surface 31 of the base layer 3 in the thickness direction. The transparent conductive layer 4 forms one side of the laminate 1 in the thickness direction. The transparent conductive layer 4 has a sheet shape extending in the plane direction. In this embodiment, the transparent conductive layer 4 is a single layer.
투명 도전층 (4) 의 두께 방향의 일방면 (41) 은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 1 융기 (42) 를 구비한다. 투명 도전층 (4) 은, 바람직하게는 높이가 4 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 높이가 5 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 높이가 7 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 높이가 10 ㎚ 이상, 특히 바람직하게는 높이가 15 ㎚ 이상, 또, 예를 들어, 높이가 50 ㎚ 이하, 바람직하게는 높이가 30 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 높이가 20 ㎚ 이하인 제 1 융기 (42) 를 포함한다. 투명 도전층 (4) 은, 상기 하한 이상, 상기 상한 이하의 높이의 제 1 융기 (42) 를 구비함으로써, 후술하는 다른 층 (5) 과의 밀착성이 우수하다. 제 1 융기 (42) 는, 단수 또는 복수이고, 바람직하게는 밀착성의 향상을 도모하는 관점에서, 복수이다.One side 41 of the transparent conductive layer 4 in the thickness direction is provided with a first protrusion 42 whose height is 3 nm or more. The transparent conductive layer 4 is preferably 4 nm or more in height, more preferably 5 nm or more in height, more preferably 7 nm or more in height, further preferably 10 nm or more in height, particularly preferably comprises a first protrusion 42 having a height of 15 nm or more, for example, a height of 50 nm or less, preferably a height of 30 nm or less, more preferably a height of 20 nm or less. The transparent conductive layer 4 has excellent adhesion with the other layer 5 described later by providing the first protrusion 42 with a height equal to or greater than the lower limit and equal to or lower than the upper limit. The first protrusions 42 may be singular or plural, and are preferably plural from the viewpoint of improving adhesion.
또한, 본 실시형태에 있어서, 상기로부터, 제 2 융기 (32) (도 2 참조) 의 단위 길이당의 수는, 0 이다. 그 때문에, 제 1 융기 (42) 의 단위 길이당의 수는, 제 2 융기 (32) (도 2 참조) 의 단위 길이당의 수보다 많다. 제 1 융기 (42) 의 단위 길이당의 수가, 제 2 융기 (32) (도 2 참조) 의 단위 길이당의 수보다 많으면, 투명 도전층 (4) 의 두께 방향의 일방면 (41) 의 밀착력이 확실하게 향상됨과 함께, 투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율을 확실하게 높게 할 수 있다.In addition, in this embodiment, from the above, the number of second protrusions 32 (see FIG. 2) per unit length is 0. Therefore, the number of first protrusions 42 per unit length is greater than the number of second protrusions 32 (see FIG. 2) per unit length. If the number per unit length of the first protrusions 42 is greater than the number per unit length of the second protrusions 32 (see Fig. 2), the adhesion of the transparent conductive layer 4 on one side 41 in the thickness direction is secure. Along with this improvement, the total light transmittance of the transparent conductive layer 4 can be reliably increased.
구체적으로는, 제 1 융기 (42) 의 단위 길이당의 수는, 예를 들어, 1 개/㎛ 이상, 바람직하게는 2 개/㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3 개/㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 4 개/㎛ 이상, 특히 바람직하게는 5 개/㎛ 이상, 가장 바람직하게는 8 개/㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 50 개/㎛ 이하, 바람직하게는 30 개/㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20 개/㎛ 이하이다.Specifically, the number of first protrusions 42 per unit length is, for example, 1 protuberance 42 or more, preferably 2 protrusions/μm or more, more preferably 3 protrusions/μm or more, even more preferably 4 pieces/μm or more, particularly preferably 5 pieces/μm or more, most preferably 8 pieces/μm or more, and for example, 50 pieces/μm or less, preferably 30 pieces/μm or less, more preferably Typically, it is 20 pieces/㎛ or less.
제 1 융기 (42) 의 단위 길이당의 수는, 이후의 실시예에서 설명되는 바와 같이, 투명 도전층 (4) 의 단면을 TEM 으로 관찰함으로써, 카운트된다.The number of first ridges 42 per unit length is counted by observing the cross section of the transparent conductive layer 4 with TEM, as will be explained in later examples.
제 1 융기 (42) 의 높이의 평균은, 예를 들어, 3 ㎚ 이상, 바람직하게는 4 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 5 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 6 ㎚ 이상, 특히 바람직하게는 7 ㎚ 이상, 가장 바람직하게는 8 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 40 ㎚ 이하, 바람직하게는 20 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 15 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 10 ㎚ 이하이다. 제 1 융기 (42) 의 높이의 평균은, 이후의 실시예에서 설명된다. 투명 도전층 (4) 은, 제 1 융기 (42) 의 높이의 평균이 상기한 하한 이상, 상한 이하인 제 1 융기 (42) 를 구비함으로써, 후술하는 다른 층 (5) 과의 밀착성이 우수하다.The average height of the first ridge 42 is, for example, 3 nm or more, preferably 4 nm or more, more preferably 5 nm or more, further preferably 6 nm or more, particularly preferably 7 nm or more. , most preferably 8 nm or more, and for example, 40 nm or less, preferably 20 nm or less, more preferably 15 nm or less, further preferably 10 nm or less. The average height of the first ridge 42 is explained in a later example. The transparent conductive layer 4 has excellent adhesion with the other layer 5 described later by providing the first protrusions 42 where the average height of the first protrusions 42 is equal to or greater than the above-mentioned lower limit and equal to or lower than the upper limit.
본 실시형태에서는, 투명 도전층 (4) 의 두께 방향의 일방면 (41) 은, 예를 들어, 평탄부 (43) 를 추가로 구비한다. 평탄부 (43) 는, 융기 개시부 (431) 의 외측에 배치된다. 융기 개시부 (431) 는, 평탄부 (43) 내지 제 1 융기 (42) 가 융기를 개시하는 부분이다.In this embodiment, one side 41 of the transparent conductive layer 4 in the thickness direction is further provided with, for example, a flat portion 43. The flat portion 43 is disposed outside the protrusion start portion 431 . The ridge start portion 431 is a portion where the flat portion 43 to the first ridge 42 starts to bulge.
제 1 융기 (42) 의 높이는, 단면에서 보았을 때, 가장 두께 방향의 일방측에 위치하는 일단부 (432) 로부터, 2 개의 융기 개시부 (431) 를 잇는 선분에 대해 두께 방향을 따라 수하시켜 수하점을 얻었을 때의, 상기한 일단부 (432) 로부터 수하점까지의 길이이다. 제 1 융기 (42) 의 높이는, 예를 들어, TEM 사진의 관찰 (단면 관찰) 에 의해 구해진다.The height of the first ridge 42 is determined by drooping the first ridge 42 along the thickness direction with respect to a line segment connecting the two ridge start portions 431 from the one end 432 located on one side of the thickness direction, when viewed in cross section. It is the length from the above-mentioned end portion 432 to the unloading point when the point is obtained. The height of the first protrusion 42 is determined, for example, by observation of a TEM photograph (cross-sectional observation).
또, 투명 도전층 (4) 은, 결정질이다. 바람직하게는 투명 도전층 (4) 은, 비정질인 영역을 포함하지 않는다. 바람직하게는 투명 도전층 (4) 은, 결정질인 영역만으로 이루어진다.Additionally, the transparent conductive layer 4 is crystalline. Preferably, the transparent conductive layer 4 does not include an amorphous region. Preferably, the transparent conductive layer 4 consists only of crystalline regions.
또한, 투명 도전층 (4) 이 결정질인지 비정질인지는, 예를 들어, 이하의 시험에 의해 판별된다. 투명 도전층 (4) 을, 5 질량％ 의 염산 수용액에 15 분간 침지한 후, 수세 및 건조시켜, 투명 도전층 (4) 의 일방면 (41) 에 있어서 15 ㎜ 정도 사이의 2 단자간 저항을 측정하고, 2 단자간 저항이 10 kΩ 이하이면, 투명 도전층 (4) 이 결정질이고, 상기한 2 단자간 저항이 10 kΩ 초과이면, 투명 도전층 (4) 이 비정질이다.In addition, whether the transparent conductive layer 4 is crystalline or amorphous can be determined, for example, by the following test. The transparent conductive layer 4 is immersed in a 5% by mass hydrochloric acid aqueous solution for 15 minutes, then washed with water and dried to reduce the resistance between the two terminals of about 15 mm on one side 41 of the transparent conductive layer 4. When measured, if the resistance between the two terminals is 10 kΩ or less, the transparent conductive layer 4 is crystalline, and if the resistance between the two terminals is more than 10 kΩ, the transparent conductive layer 4 is amorphous.
투명 도전층 (4) 은, 결정질이므로, 투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율을 높게 할 수 있다.Since the transparent conductive layer 4 is crystalline, the total light transmittance of the transparent conductive layer 4 can be increased.
투명 도전층 (4) 은, 입계 (44) 를 구비한다. 입계 (44) 는, 투명 도전층 (4) 의 두께 방향의 일방면 (41) 에 이르는 일단 가장자리 (441) 를 포함한다.The transparent conductive layer 4 has a grain boundary 44. The grain boundary 44 includes an edge 441 at one end extending to one side 41 in the thickness direction of the transparent conductive layer 4.
또한, 상기한 입계 (44) 는, 2 개의 일단 가장자리 (441) 의 각각으로부터 두께 방향의 타방측으로 진행되고, 두께 방향의 중간부에 있어서, 그것들이 연결되어 있다.In addition, the grain boundary 44 described above extends from each of the two one-end edges 441 to the other side in the thickness direction, and is connected in the middle portion of the thickness direction.
또, 입계 (44) 는, 상기한 일단 가장자리 (441) 로부터 두께 방향의 타방측을 향해, 투명 도전층 (4) 의 두께 방향의 타방면, 즉, 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 에 이르는 타단 가장자리 (442) 를 추가로 포함해도 된다.In addition, the grain boundary 44 extends from the one end edge 441 described above toward the other side in the thickness direction, and extends from the other side in the thickness direction of the transparent conductive layer 4, that is, one side in the thickness direction of the base layer 3 ( 31) may additionally include the other edge 442.
바람직하게는 입계 (44) 는, 타단 가장자리 (442) 를 포함하지 않고, 하나의 입계 (44) 가, 2 개의 일단 가장자리 (441) 를 포함한다. 이 구성에 의하면, 투명 도전층 (4) 의 일방면 (41) 은, 제 1 융기 (42) 를 형성하기 쉬워진다.Preferably, the grain boundary 44 does not include the other edge 442, and one grain boundary 44 includes two end edges 441. According to this configuration, it becomes easy for one side 41 of the transparent conductive layer 4 to form the first protrusion 42 .
그리고, 상기한 융기 개시부 (431) 는, 예를 들어, 상기한 일단 가장자리 (441) 에 위치하고, 및/또는 상기한 일단 가장자리 (441) 의 근방에 위치한다.And, for example, the above-mentioned protrusion start portion 431 is located at the above-mentioned one end edge 441, and/or is located near the above-described one end edge 441.
구체적으로는, 도 1 의 좌측 부분에 위치하는 제 1 융기 (42A) 에 있어서의 2 개의 융기 개시부 (431A) 의 각각은, 상기한 일단 가장자리 (441) 에 위치한다. 도시하지 않지만, 상기한 제 1 융기 (42A) 에 대응하는 일단 가장자리 (441) 는, 예를 들어, 평면에서 보아 무단 형상으로서, 평면에서 보아, 상기한 일단 가장자리 (441) 를 따라, 상기한 제 1 융기 (42A) 의 융기 개시부 (431A) 가 존재한다.Specifically, each of the two protrusion start portions 431A of the first protrusion 42A located in the left portion of FIG. 1 is located at the one end edge 441 described above. Although not shown, the one end edge 441 corresponding to the above-described first ridge 42A is, for example, an endless shape in plan view, and, in plan view, along the one end edge 441, the above-described first protrusion 42A There is a ridge start portion 431A of 1 ridge 42A.
또, 도 1 의 우측 부분에 위치하는 제 1 융기 (42B) 에 있어서의 2 개의 융기 개시부 (431B) 중, 좌측의 융기 개시부 (431B) 는, 일단 가장자리 (441) 및 타단 가장자리 (442) 를 포함하는 입계 (44) 에 있어서의 일단 가장자리 (441) 의 근방에 위치한다. 근방은, 예를 들어, 2 개의 거리가 15 ㎚ 이내, 바람직하게는 10 ㎚ 이내이다. 나머지의 융기 개시부 (431B) 는, 일단 가장자리 (441) 에 위치한다.Additionally, among the two protrusion start portions 431B in the first protrusion 42B located on the right side of FIG. 1, the protrusion start portion 431B on the left has one edge 441 and the other edge 442. It is located near one edge 441 of the grain boundary 44 containing . Nearby, for example, the distance between the two is within 15 nm, preferably within 10 nm. The remaining ridge start portion 431B is once located at the edge 441.
융기 개시부 (431) 가, 입계 (44) 의 일단 가장자리 (441) 및/또는 근방에 위치하면, 상기한 제 1 융기 (42) 는, 투명 도전층 (4) 에 있어서의 일방면 (41) 에 확실하게 다수 형성된다. 그 때문에, 투명 도전층 (4) 의 일방면 (41) 의 밀착성이 우수하다.When the protrusion start portion 431 is located at and/or near one edge 441 of the grain boundary 44, the above-mentioned first protrusion 42 is one side 41 of the transparent conductive layer 4. A large number are definitely formed. Therefore, the adhesiveness of one side 41 of the transparent conductive layer 4 is excellent.
투명 도전층 (4) 의 재료로는, 예를 들어, 금속 산화물을 들 수 있다. 금속 산화물은, In, Sn, Zn, Ga, Sb, Nb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 포함한다. 구체적으로는, 투명 도전층 (4) 의 재료로는, 바람직하게는 인듐아연 복합 산화물 (IZO), 인듐갈륨아연 복합 산화물 (IGZO), 인듐갈륨 복합 산화물 (IGO), 인듐주석 복합 산화물 (ITO), 및, 안티몬주석 복합 산화물 (ATO) 을 들 수 있고, 바람직하게는 전광선 투과율을 높게 하는 관점에서, 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 을 들 수 있다.Examples of the material for the transparent conductive layer 4 include metal oxide. The metal oxide contains at least one metal selected from the group consisting of In, Sn, Zn, Ga, Sb, Nb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, and W. Specifically, the material of the transparent conductive layer 4 is preferably indium zinc composite oxide (IZO), indium gallium zinc composite oxide (IGZO), indium gallium composite oxide (IGO), and indium tin composite oxide (ITO). , and antimony tin composite oxide (ATO), and preferably, from the viewpoint of increasing total light transmittance, indium tin composite oxide (ITO).
또한, 인듐주석 복합 산화물에 있어서의 산화주석 (SnO2) 의 함유량은, 예를 들어, 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는 3 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 6 질량％ 이상이고, 또, 예를 들어, 50 질량％ 미만, 바람직하게는 25 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 15 질량％ 이하이다.In addition, the content of tin oxide (SnO 2 ) in the indium tin composite oxide is, for example, 0.5 mass% or more, preferably 3 mass% or more, more preferably 6 mass% or more, and, for example, For example, it is less than 50 mass%, preferably 25 mass% or less, more preferably 15 mass% or less.
그리고, 투명 도전층 (4) 은, 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유한다. 바람직하게는 투명 도전층 (4) 은, 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유하고, 아르곤을 함유하지 않는다.And the transparent conductive layer 4 contains a rare gas with an atomic number greater than argon. Preferably, the transparent conductive layer 4 contains a rare gas with an atomic number greater than argon and does not contain argon.
후술하는 제 1 공정에 있어서, 스퍼터링 가스가 아르곤을 함유하는 경우에는, 얻어지는 투명 도전층 (4) 에 아르곤이, 다량으로 취입된다. 이에 대하여, 스퍼터링 가스가 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유하고, 아르곤을 함유하지 않는 본 실시형태에서는, 투명 도전층 (4) 은, 스퍼터링 가스의 다량의 취입이 억제된다. 그 때문에, 투명 도전층 (4) 의 결정성이 높아지고, 그 결과, 투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율이 충분히 높아진다. 나아가서는, 상기한 투명 도전층 (4) 의 결정성의 향상에 수반하여, 투명 도전층 (4) 의 비저항 (후술) 이 낮아진다.In the first process described later, when the sputtering gas contains argon, a large amount of argon is blown into the transparent conductive layer 4 to be obtained. In contrast, in this embodiment in which the sputtering gas contains a rare gas with an atomic number greater than argon and does not contain argon, injection of a large amount of sputtering gas into the transparent conductive layer 4 is suppressed. Therefore, the crystallinity of the transparent conductive layer 4 increases, and as a result, the total light transmittance of the transparent conductive layer 4 sufficiently increases. Furthermore, with the improvement in crystallinity of the transparent conductive layer 4 described above, the specific resistance (described later) of the transparent conductive layer 4 decreases.
구체적으로는, 투명 도전층 (4) 의 재료는, 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유하는 금속 산화물이다. 요컨대, 금속 산화물에 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스가 혼입한 조성물이, 투명 도전층 (4) 의 재료이다.Specifically, the material of the transparent conductive layer 4 is a metal oxide containing a rare gas with an atomic number greater than argon. In short, a composition containing a metal oxide mixed with a rare gas having an atomic number greater than argon is the material for the transparent conductive layer 4.
아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스로는, 예를 들어, 크립톤, 크세논, 및, 라돈을 들 수 있다. 이것들은, 단독 또는 병용할 수 있다. 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스로서, 바람직하게는 크립톤, 및, 크세논을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 저가격과 우수한 전기 전도성을 얻는 관점에서, 크립톤 (Kr) 을 들 수 있다.Noble gases with an atomic number greater than argon include, for example, krypton, xenon, and radon. These can be used alone or in combination. As noble gases with an atomic number greater than argon, krypton and xenon are preferred, and krypton (Kr) is more preferred from the viewpoint of low cost and excellent electrical conductivity.
아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스의 동정 방법은 한정되지 않는다. 예를 들어, 러더퍼드 후방 산란 분석 (Rutherford Backscattering Spectrometry), 2 차 이온 질량 분석법, 레이저 공명 이온화 질량 분석법, 및/또는 형광 X 선 분석에 의해, 투명 도전층 (4) 에 있어서의 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스가 동정된다.The identification method for rare gases with an atomic number greater than argon is not limited. For example, by Rutherford Backscattering Spectrometry, secondary ion mass spectrometry, laser resonance ionization mass spectrometry, and/or fluorescence X-ray analysis, the atomic number in the transparent conductive layer 4 is higher than that of argon. Large noble gases are identified.
투명 도전층 (4) 에 있어서의 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스의 함유 비율은, 예를 들어, 0.0001 atom％ 이상이고, 바람직하게는 0.001 atom％ 이상이고, 또, 예를 들어, 1.0 atom％ 이하, 보다 바람직하게는 0.7 atom％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 atom％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.3 atom％ 이하, 특히 바람직하게는 0.2 atom％ 이하, 가장 바람직하게는 0.15 atom％ 이하이다. 투명 도전층 (4) 에 있어서의 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스의 함유 비율이, 상기 범위이면, 투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율을 높게 할 수 있다.The content ratio of the rare gas having an atomic number greater than argon in the transparent conductive layer 4 is, for example, 0.0001 atom% or more, preferably 0.001 atom% or more, and, for example, 1.0 atom% or less. , more preferably 0.7 atom% or less, further preferably 0.5 atom% or less, further preferably 0.3 atom% or less, particularly preferably 0.2 atom% or less, and most preferably 0.15 atom% or less. If the content ratio of the rare gas having an atomic number larger than argon in the transparent conductive layer 4 is within the above range, the total light transmittance of the transparent conductive layer 4 can be increased.
투명 도전층 (4) 의 두께는, 예를 들어, 15 ㎚ 이상, 바람직하게는 35 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 50 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 75 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 100 ㎚ 이상, 특히 바람직하게는 120 ㎚ 이상이다. 투명 도전층 (4) 의 두께는, 예를 들어, 500 ㎚ 이하, 바람직하게는 300 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 200 ㎚ 이하이다. 투명 도전층 (4) 의 두께는, 예를 들어, TEM 사진의 관찰 (단면 관찰) 에 의해 측정된다.The thickness of the transparent conductive layer 4 is, for example, 15 nm or more, preferably 35 nm or more, more preferably 50 nm or more, further preferably 75 nm or more, further preferably 100 nm or more, especially Preferably it is 120 nm or more. The thickness of the transparent conductive layer 4 is, for example, 500 nm or less, preferably 300 nm or less, and more preferably 200 nm or less. The thickness of the transparent conductive layer 4 is measured, for example, by observation of a TEM photograph (cross-sectional observation).
투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율은, 예를 들어, 75 ％ 이상, 바람직하게는 80 ％ 이상, 보다 바람직하게는 85 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 90 ％ 이상이다. 투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율의 상한은 한정되지 않고, 예를 들어, 100 ％ 이하이다. 투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율은, JIS K 7375-2008 에 기초하여 구해진다.The total light transmittance of the transparent conductive layer 4 is, for example, 75% or more, preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and even more preferably 90% or more. The upper limit of the total light transmittance of the transparent conductive layer 4 is not limited, and is, for example, 100% or less. The total light transmittance of the transparent conductive layer 4 is determined based on JIS K 7375-2008.
투명 도전층 (4) 의 두께 방향의 일방면 (41) 의 비저항은, 예를 들어, 5.0 × 10-4 Ω·㎝ 이하, 바람직하게는 3 × 10-4 Ω·㎝ 이하, 보다 바람직하게는 2.5 × 10-4 Ω·㎝ 이하, 더욱 바람직하게는 2.3 × 10-4 Ω·㎝ 이하, 더욱 바람직하게는 2.0 × 10-4 Ω·㎝ 이하, 특히 바람직하게는 1.8 × 10-4 Ω·㎝ 이하, 가장 바람직하게는 1.5 × 10-4 Ω·㎝ 이하이고, 또, 예를 들어, 0.1 × 10-4 Ω·㎝ 이상, 바람직하게는 0.5 × 10-4 Ω·㎝ 이상, 보다 바람직하게는 1.0 × 10-4 Ω·㎝ 이상, 더욱 바람직하게는 1.01 × 10-4 Ω·㎝ 이상, 더욱 바람직하게는 1.05 × 10-4 Ω·㎝ 이상, 특히 바람직하게는 1.10 × 10-4 Ω·㎝ 이상이다. 비저항은, 사단자법에 의해 측정된다.The specific resistance of one side 41 in the thickness direction of the transparent conductive layer 4 is, for example, 5.0 × 10 -4 Ω·cm or less, preferably 3 × 10 -4 Ω·cm or less, more preferably 2.5 Hereinafter , most preferably, it is 1.5 1.0 That's it. Specific resistance is measured by the four-meter method.
다음으로, 적층체 (1) 를 제조하는 방법을 설명한다. 이 방법에서는, 각층의 각각을 롤-투-롤법으로 배치한다.Next, a method for manufacturing the laminate 1 will be described. In this method, each layer is placed by roll-to-roll method.
먼저, 장척의 기재층 (2) 을 준비한다.First, a long base material layer 2 is prepared.
이어서, 상기한 수지를 포함하는 수지 조성물을, 기재층 (2) 의 일방면 (21) 에 도포한다. 그 후, 수지 조성물이 경화성 수지를 포함하는 경우에는, 경화성 수지를, 열 또는 자외선 조사에 의해, 경화시킨다. 이로써, 수지를 포함하는 하지층 (3) 을 형성한다. 이로써, 기재층 (2) 과 하지층 (3) 을 두께 방향의 일방측을 향해 순서대로 구비하는 기재 (30) 를 조제한다. 또한, 본 실시형태에서는, 수지 조성물이 수지를 포함하는 한편, 입자를 포함하지 않기 때문에, 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 에 상기한 제 2 융기 (32) (도 2 참조) 가 형성되지 않는다.Next, the resin composition containing the above-mentioned resin is applied to one side 21 of the base material layer 2. Thereafter, when the resin composition contains a curable resin, the curable resin is cured by heat or ultraviolet irradiation. Thereby, the base layer 3 containing resin is formed. In this way, the base material 30 is prepared, which includes the base layer 2 and the base layer 3 in that order toward one side of the thickness direction. In addition, in the present embodiment, since the resin composition contains resin but does not contain particles, the second protrusion 32 described above is formed on one side 31 in the thickness direction of the base layer 3 (see FIG. 2). ) is not formed.
또한, 예를 들어, 160 ℃ 에서, 1 시간 가열했을 때의 기재 (30) 의 장척 방향 (MD 방향) 의 열 수축률에 한정은 없고, 예를 들어, 0.1 ％ 이상, 바람직하게는 0.2 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 2.0 ％ 이하, 바람직하게는 1.0 ％ 이하이다. 160 ℃ 에서, 1 시간 가열했을 때의 기재 (30) 의 폭 방향 (장척 방향 및 두께 방향과 직교하는 방향) (TD 방향) 의 열 수축률에 한정은 없고, 예를 들어, ―0.2 ％ 이상, 바람직하게는 0.00 ％ 이상, 보다 바람직하게는 0.01 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 0.05 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 1.0 ％ 이하, 바람직하게는 0.5 ％ 이하이다.In addition, for example, there is no limitation to the thermal contraction rate of the base material 30 in the long direction (MD direction) when heated at 160°C for 1 hour, for example, 0.1% or more, preferably 0.2% or more. , for example, 2.0% or less, preferably 1.0% or less. There is no limitation to the thermal contraction rate in the width direction (direction perpendicular to the long direction and the thickness direction) (TD direction) of the base material 30 when heated at 160°C for 1 hour, for example, -0.2% or more is preferable. Preferably it is 0.00% or more, more preferably 0.01% or more, further preferably 0.05% or more, and for example, 1.0% or less, preferably 0.5% or less.
기재 (30) 의 열 수축률은, 하기 식에 의해 구해진다.The thermal contraction rate of the base material 30 is obtained by the following formula.
기재 (30) 의 열 수축률 (％) = 100 × [가열 전의 기재 (30) 의 길이 ― 가열 후의 기재 (30) 의 길이]/가열 전의 기재 (30) 의 길이Heat shrinkage rate (%) of the base material 30 = 100
그 후, 투명 도전층 (4) 을, 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 에 형성한다. 투명 도전층 (4) 을 형성하는 방법은, 예를 들어, 제 1 공정과, 제 2 공정을 구비한다.Thereafter, the transparent conductive layer 4 is formed on one side 31 of the base layer 3 in the thickness direction. The method of forming the transparent conductive layer 4 includes, for example, a first step and a second step.
제 1 공정에서는, 비정질의 투명 도전층 (40) 을 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 에 형성한다. 예를 들어, 스퍼터링, 바람직하게는 반응성 스퍼터링에 의해, 비정질의 투명 도전층 (40) 을 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 에 형성한다.In the first step, the amorphous transparent conductive layer 40 is formed on one side 31 of the base layer 3 in the thickness direction. For example, the amorphous transparent conductive layer 40 is formed on one side 31 of the base layer 3 in the thickness direction by sputtering, preferably reactive sputtering.
스퍼터링에서는, 스퍼터링 장치가 사용된다. 스퍼터링 장치는, 성막 롤을 구비한다. 성막 롤은, 냉각 장치를 구비한다. 냉각 장치는, 성막 롤을 냉각 가능하다. 성막 롤은, 하지층 (3) (을 포함하는 기재 (30)) 을 냉각 가능하다.In sputtering, a sputtering device is used. The sputtering device is provided with a film forming roll. The film forming roll is provided with a cooling device. The cooling device is capable of cooling the film forming roll. The film-forming roll is capable of cooling the base layer 3 (the base material 30 including the base layer 3).
스퍼터링 (바람직하게는 반응성 스퍼터링) 에서는, 상기한 금속 산화물 (의 소결체) 이 타깃으로서 사용된다. 성막 롤의 표면 온도는, 스퍼터링에 있어서의 성막 온도에 상당한다. 성막 온도는, 예를 들어, 10.0 ℃ 이하, 바람직하게는 0.0 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 ―2.5 ℃ 이하, 더욱 바람직하게는 ―5.0 ℃ 이하, 더욱 바람직하게는 ―7.0 ℃ 이하이고, 또, 예를 들어, ―50 ℃ 이상, 바람직하게는 ―20 ℃ 이상, 더욱 바람직하게는 ―10 ℃ 이상이다.In sputtering (preferably reactive sputtering), (a sintered body of) the above-described metal oxide is used as a target. The surface temperature of the film-forming roll corresponds to the film-forming temperature in sputtering. The film formation temperature is, for example, 10.0°C or lower, preferably 0.0°C or lower, more preferably -2.5°C or lower, further preferably -5.0°C or lower, further preferably -7.0°C or lower, and, for example, For example, -50°C or higher, preferably -20°C or higher, and more preferably -10°C or higher.
성막 롤의 표면 온도가 상기한 상한 이하이면, 하지층 (3) (을 포함하는 기재 (30)) 을 충분히 냉각시킬 수 있고, 그 때문에, 입계 (44) 가, 타단 가장자리 (442) 를 포함하지 않고, 하나의 입계 (44) 가, 2 개의 일단 가장자리 (441) 를 포함하는 투명 도전층 (4) 을 얻을 수 있다. 따라서, 투명 도전층 (4) 의 일방면 (41) 에 제 1 융기 (42) 를 확실하게 형성할 수 있다.If the surface temperature of the film-forming roll is below the above upper limit, the base layer 3 (including the substrate 30) can be sufficiently cooled, and therefore the grain boundary 44 does not include the other edge 442. Without this, a transparent conductive layer 4 in which one grain boundary 44 includes two end edges 441 can be obtained. Therefore, the first protrusion 42 can be reliably formed on one side 41 of the transparent conductive layer 4.
스퍼터링 가스로는, 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 들 수 있다. 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스로는, 예를 들어, 크립톤, 크세논, 및, 라돈을 들 수 있고, 바람직하게는 크립톤 (Kr) 을 들 수 있다. 스퍼터링 가스는, 바람직하게는 아르곤을 함유하지 않는다. 스퍼터링 가스는, 반응성 가스와 혼합되어도 된다. 반응성 가스로는, 예를 들어, 산소를 들 수 있다. 스퍼터링 가스 및 반응성 가스의 합계 도입량에 대한 반응성 가스의 도입량의 비율은, 예를 들어, 0.1 유량％ 이상, 바람직하게는 0.5 유량％ 이상이고, 또, 예를 들어, 5 유량％ 이하, 바람직하게는 3 유량％ 이하이다.Examples of the sputtering gas include rare gases with an atomic number greater than argon. Noble gases with an atomic number greater than argon include, for example, krypton, xenon, and radon, and krypton (Kr) is preferable. The sputtering gas preferably does not contain argon. Sputtering gas may be mixed with reactive gas. Examples of the reactive gas include oxygen. The ratio of the introduction amount of the reactive gas to the total introduction amount of the sputtering gas and the reactive gas is, for example, 0.1 flow rate% or more, preferably 0.5 flow rate% or more, and for example, 5 flow rate% or less, preferably. The flow rate is 3% or less.
제 1 공정에서 형성되는 비정질의 투명 도전층 (40) 은, 제 1 융기 (42) 를 구비하고 있지 않아도 되고, 또, 제 1 융기 (42) 를 이미 구비하고 있어도 된다.The amorphous transparent conductive layer 40 formed in the first step does not need to be provided with the first protrusion 42, and may already be provided with the first protrusion 42.
제 2 공정에서는, 비정질의 투명 도전층 (40) 을 결정화시켜, 결정질의 투명 도전층 (4) 을 형성한다. 구체적으로는, 제 2 공정에서는, 비정질의 투명 도전층 (40) 을 가열한다.In the second step, the amorphous transparent conductive layer 40 is crystallized to form the crystalline transparent conductive layer 4. Specifically, in the second process, the amorphous transparent conductive layer 40 is heated.
가열 온도는, 예를 들어, 80 ℃ 이상, 바람직하게는 110 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 더욱 바람직하게는 130 ℃ 이상, 특히 바람직하게는 150 ℃ 이상이고, 또, 예를 들어, 200 ℃ 이하, 바람직하게는 180 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 175 ℃ 이하, 더욱 바람직하게는 170 ℃ 이하이다. 가열 시간은, 예를 들어, 1 분간 이상, 바람직하게는 3 분간 이상, 보다 바람직하게는 5 분간 이상이고, 또, 예를 들어, 5 시간 이하, 바람직하게는 3 시간 이하, 보다 바람직하게는 2 시간 이하이다. 가열은, 예를 들어, 대기 분위기 하에서 실시된다.The heating temperature is, for example, 80°C or higher, preferably 110°C or higher, more preferably 130°C or higher, particularly preferably 150°C or higher, and for example, 200°C or lower. Preferably it is 180°C or lower, more preferably 175°C or lower, and even more preferably 170°C or lower. The heating time is, for example, 1 minute or more, preferably 3 minutes or more, more preferably 5 minutes or more, and for example, 5 hours or less, preferably 3 hours or less, more preferably 2 hours or less. It is less than an hour. Heating is carried out, for example, under an atmospheric atmosphere.
이로써, 기재층 (2) 과, 하지층 (3) 과, 투명 도전층 (4) 을 두께 방향의 일방측을 향해 순서대로 구비하는 적층체 (1) 가 제조된다.In this way, a laminate (1) is manufactured, which includes the base layer (2), the base layer (3), and the transparent conductive layer (4) in that order toward one side of the thickness direction.
또한, 예를 들어, 160 ℃ 에서, 1 시간 가열했을 때의 적층체 (1) 의 장척 방향 (MD 방향) 의 열 수축률에 한정은 없고, 예를 들어, 0.1 ％ 이상, 바람직하게는 0.2 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 2.0 ％ 이하, 바람직하게는 1.0 ％ 이하이다. 160 ℃ 에서, 1 시간 가열했을 때의 적층체 (1) 의 폭 방향 (장척 방향 및 두께 방향과 직교하는 방향) (TD 방향) 의 열 수축률에 한정은 없고, 예를 들어, ―0.2 ％ 이상, 바람직하게는 0.00 ％ 이상, 보다 바람직하게는 0.01 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 0.05 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 1.0 ％ 이하, 바람직하게는 0.5 ％ 이하이다.In addition, for example, there is no limitation to the thermal contraction rate of the laminate 1 in the long direction (MD direction) when heated at 160°C for 1 hour, for example, 0.1% or more, preferably 0.2% or more. And, for example, it is 2.0% or less, preferably 1.0% or less. There is no limitation to the thermal contraction rate in the width direction (direction perpendicular to the long direction and the thickness direction) (TD direction) of the laminate 1 when heated at 160°C for 1 hour, for example, -0.2% or more, Preferably it is 0.00% or more, more preferably 0.01% or more, further preferably 0.05% or more, and for example, 1.0% or less, preferably 0.5% or less.
적층체 (1) 는, MD 방향 및 TD 방향의 각각의 열 수축률이 상기한 하한 이상이면, 투명 도전층 (4) 의 일방면 (41) 에 제 1 융기 (42) 를 확실하게 형성할 수 있다.The laminate 1 can reliably form the first protrusion 42 on one side 41 of the transparent conductive layer 4 as long as the thermal contraction rates in the MD direction and the TD direction are more than the above-mentioned lower limit. .
적층체 (1) 의 열 수축률은, 하기 식에 의해 구해진다.The thermal contraction rate of the laminate (1) is obtained by the following formula.
적층체 (1) 의 열 수축률 (％) = 100 × [가열 전의 적층체 (1) 의 길이 ― 가열 후의 적층체 (1) 의 길이]/가열 전의 적층체 (1) 의 길이Heat shrinkage rate (%) of the laminate (1) = 100
적층체 (1) 의 전광선 투과율은, 예를 들어, 75 ％ 이상, 바람직하게는 80 ％ 이상, 보다 바람직하게는 85 ％ 이상, 바람직하게는 86 ％ 이상, 보다 바람직하게는 87 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ％ 이하이다. 적층체 (1) 의 전광선 투과율의 상한은 한정되지 않는다. 적층체 (1) 의 전광선 투과율은, 헤이즈미터를 사용하여 측정된다.The total light transmittance of the laminate (1) is, for example, 75% or more, preferably 80% or more, more preferably 85% or more, preferably 86% or more, more preferably 87% or more, and , for example, 100% or less. The upper limit of the total light transmittance of the laminate 1 is not limited. The total light transmittance of the laminate (1) is measured using a haze meter.
그 후, 필요에 따라, 적층체 (1) 의 두께 방향의 일방면, 즉, 투명 도전층 (4) 의 두께 방향의 일방면 (41) 에, 다른 층 (5) 을 배치한다. 예를 들어, 코팅에 의해 코팅층 (51) 을 형성한다. 다른 층 (51) 은, 예를 들어, 조광 기능 코트층이나 금속 페이스트층 등을 포함한다. 다른 층 (5) 은, 투명 도전층 (4) 의 두께 방향의 일방면 (41) 에 인접한다. 다른 층 (5) 은, 구체적으로는, 예를 들어, 조광 기능층 (PDLC 나 PNLC, SPD 등의 전압 구동형 조광 코팅이나 일렉트로크로믹 (EC) 등의 전류 구동형 조광 코팅) 이나 은, 구리, 티탄 등을 포함하는 금속 페이스트 등의 기능 부재이다.Thereafter, as necessary, another layer 5 is disposed on one side in the thickness direction of the laminate 1, that is, on one side 41 in the thickness direction of the transparent conductive layer 4. For example, the coating layer 51 is formed by coating. The other layer 51 includes, for example, a light control function coat layer or a metal paste layer. The other layer (5) is adjacent to one side (41) of the transparent conductive layer (4) in its thickness direction. The other layer 5 is specifically, for example, a light control functional layer (voltage driven light control coating such as PDLC, PNLC, SPD, or current driven light control coating such as electrochromic (EC)) or silver or copper. It is a functional member such as a metal paste containing titanium, etc.
2. 적층체 (1) 의 용도2. Use of laminate (1)
적층체 (1) 는, 예를 들어, 물품에 사용된다. 구체적으로는, 적층체 (1) 는, 광학용 적층체로서, 상기한 물품으로는, 광학용의 물품을 들 수 있다. 상세하게는, 물품으로는, 예를 들어, 터치 센서, 전자파 실드, 조광 소자, 광전 변환 소자, 열선 제어 부재, 광 투과성 안테나 부재, 광 투과성 히터 부재, 화상 표시 장치, 및, 조명을 들 수 있다.The laminate 1 is used, for example, in articles. Specifically, the laminate 1 is a laminate for optics, and examples of the above-mentioned articles include articles for optics. Specifically, the articles include, for example, a touch sensor, an electromagnetic wave shield, a light control element, a photoelectric conversion element, a heat ray control member, a light-transmitting antenna member, a light-transmitting heater member, an image display device, and lighting. .
3. 일 실시형태의 작용 효과3. Functional effect of one embodiment
적층체 (1) 에서는, 하지층 (3) 은, 제 2 융기 (32) (도 2 참조) 를 구비하지 않는다. 그 때문에, 결정질의 투명 도전층 (4) 은, 결정의 배향을 확실하게 일정하게 할 수 있다 그 때문에, 투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율을 높게 할 수 있다. 따라서, 적층체 (1) 는, 상기한 투명 도전층 (4) 을 구비하므로, 전광선 투과율이 높다.In the laminate 1, the base layer 3 does not have the second protrusion 32 (see FIG. 2). Therefore, the crystalline transparent conductive layer 4 can reliably keep the crystal orientation constant. Therefore, the total light transmittance of the transparent conductive layer 4 can be increased. Therefore, since the laminate 1 is provided with the transparent conductive layer 4 described above, the total light transmittance is high.
또, 투명 도전층 (4) 의 두께 방향의 일방면 (41) 은, 제 1 융기 (42) 를 구비한다. 그 때문에, 투명 도전층 (4) 은, 제 1 융기 (42) 에 기초하는 앵커 효과에 의해, 다른 층 (5) 과의 밀착성이 우수하다.Moreover, one side 41 of the transparent conductive layer 4 in the thickness direction is provided with a first protrusion 42 . Therefore, the transparent conductive layer 4 has excellent adhesion to the other layer 5 due to the anchor effect based on the first protrusion 42.
4. 변형예4. Variation example
이하의 각 변형예에 있어서, 상기한 일 실시형태와 동일한 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또, 각 변형예는, 특별히 기재하는 것 이외에, 일 실시형태와 동일한 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 일 실시형태 및 변형예를 적절히 조합할 수 있다.In each of the following modifications, the same reference numerals are given to the same members and processes as those of the above-described embodiment, and detailed description thereof is omitted. In addition, each modified example can exhibit the same effect as one embodiment, except as specifically described. Additionally, one embodiment and modification examples can be appropriately combined.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 변형예의 적층체 (1) 에서는, 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 2 융기 (32) 를 구비한다. 요컨대, 본 발명의 적층체에서는, 하지층의 두께 방향의 일방면은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 2 융기를 구비해도 되지만, 이러한 제 2 융기는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 제 1 융기와 중첩되지 않는다.As shown in Fig. 2, in the laminate 1 of the modified example, one side 31 of the base layer 3 in the thickness direction is provided with a second protrusion 32 whose height is 3 nm or more. In short, in the laminate of the present invention, one side of the base layer in the thickness direction may be provided with a second ridge having a height of 3 nm or more, but this second ridge overlaps the first ridge when projected in the thickness direction. It doesn't work.
변형예의 적층체 (1) 에서는, 상기한 제 2 융기 (32) 는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 투명 도전층 (4) 의 제 1 융기 (42) 와 중첩되지 않는다.In the laminate 1 of the modified example, the above-described second protrusions 32 do not overlap with the first protrusions 42 of the transparent conductive layer 4 when projected in the thickness direction.
제 1 융기 (42) 의 단위 길이당의 수는, 예를 들어, 제 2 융기 (32) 의 단위 길이의 수보다 많다. 제 1 융기 (42) 의 단위 길이당의 수는, 제 2 융기 (32) 의 단위 길이의 수보다 많으면, 투명 도전층 (4) 의 두께 방향의 일방면 (41) 의 밀착력이 확실하게 향상됨과 함께, 투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율을 확실하게 높게 할 수 있다.The number of first ridges 42 per unit length is, for example, greater than the number of second ridges 32 per unit length. If the number per unit length of the first protrusions 42 is greater than the number per unit length of the second protrusions 32, the adhesion of the transparent conductive layer 4 on one side 41 in the thickness direction will be surely improved. , the total light transmittance of the transparent conductive layer 4 can be reliably increased.
구체적으로는, 제 2 융기 (32) 의 단위 길이당의 수는, 예를 들어, 25 개/㎛ 이하, 바람직하게는 20 개/㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 개/㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5 개/㎛ 이하이고, 또, 예를 들어, 0 개/㎛, 또, 1 개/㎛ 이상이다.Specifically, the number of second protrusions 32 per unit length is, for example, 25 pieces/μm or less, preferably 20 pieces/μm or less, more preferably 10 pieces/μm or less, even more preferably It is 5 pieces/μm or less, for example, 0 pieces/μm, and 1 piece/μm or more.
제 1 융기 (42) 의 단위 길이당의 수에 대한 제 2 융기 (32) 의 단위 길이당의 수의 비는, 예를 들어, 0.9 이하, 바람직하게는 0.5 이하, 보다 바람직하게는 0.3 이하, 더욱 바람직하게는 0.2 이하, 특히 바람직하게는 0.1 이하이다. 제 1 융기 (42) 의 단위 길이당의 수에 대한 제 2 융기 (32) 의 단위 길이당의 수의 비는, 예를 들어, 0.0001 이상이다.The ratio of the number per unit length of the second ridges 32 to the number per unit length of the first ridges 42 is, for example, 0.9 or less, preferably 0.5 or less, more preferably 0.3 or less, even more preferably Typically, it is 0.2 or less, particularly preferably 0.1 or less. The ratio of the number per unit length of the second ridges 32 to the number per unit length of the first ridges 42 is, for example, 0.0001 or more.
제 1 융기 (42) 의 단위 길이당의 수에서 제 2 융기 (32) 의 단위 길이당의 수를 뺀 값은, 예를 들어, 1 개/㎛ 이상, 바람직하게는 2 개/㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5 개/㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 7 개/㎛ 이상, 특히 바람직하게는 10 개/㎛ 이상이다. 제 1 융기 (42) 의 단위 길이당의 수에서 제 2 융기 (32) 의 단위 길이당의 수를 뺀 값은, 예를 들어, 30 개/㎛ 이하이다.The value obtained by subtracting the number per unit length of the second ridges 32 from the number per unit length of the first ridges 42 is, for example, 1 piece/μm or more, preferably 2 pieces/μm or more, more preferably is 5 pieces/μm or more, more preferably 7 pieces/μm or more, and particularly preferably 10 pieces/μm or more. The value obtained by subtracting the number per unit length of the second protrusions 32 from the number per unit length of the first protrusions 42 is, for example, 30 pieces/μm or less.
하지층 (3) 에 상기한 제 2 융기 (32) 를 구비하는 방법은, 특별히 한정되지 않는다.The method of providing the above-described second protrusions 32 to the base layer 3 is not particularly limited.
예를 들어, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 2 융기 (32) 가, 두께 방향으로 투영했을 때에, 투명 도전층 (4) 의 제 1 융기 (42) 와 중첩되면, 제 1 융기 (42) 의 결정화에 있어서, 투명 도전층 (4) 에 있어서 제 2 융기 (32) 에 인접하는 두께 방향의 타방면 및 그 근방에 있어서, 결정의 배향이 일정해지기 어렵고, 요컨대, 결정의 성장이 저해되고, 그 때문에, 투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율이 낮아진다.For example, as shown in FIG. 7, when the second protrusion 32 overlaps the first protrusion 42 of the transparent conductive layer 4 when projected in the thickness direction, the first protrusion 42 During crystallization, the orientation of the crystals is difficult to become constant on the other side of the transparent conductive layer 4 in the thickness direction adjacent to the second protrusion 32 and its vicinity, in other words, the growth of the crystals is inhibited. Therefore, the total light transmittance of the transparent conductive layer 4 becomes low.
그러나, 이 변형예의 적층체 (1) 에서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 2 융기 (32) 는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 투명 도전층 (4) 의 제 1 융기 (42) 와 중첩되지 않기 때문에, 상기한 과제를 발생시키지 않고, 투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율을 높게 할 수 있고, 나아가서는, 적층체 (1) 의 전광선 투과율을 높게 할 수 있다.However, in the laminate 1 of this modified example, as shown in FIG. 2, the second protrusion 32 does not overlap with the first protrusion 42 of the transparent conductive layer 4 when projected in the thickness direction. Therefore, the total light transmittance of the transparent conductive layer 4 can be increased without causing the above-described problems, and further, the total light transmittance of the laminate 1 can be increased.
일 실시형태 및 변형예 중, 바람직하게는 일 실시형태이다. 일 실시형태이면, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 하지층 (3) 의 일방면 (31) 이 제 2 융기 (32) 를 구비하지 않기 때문에, 투명 도전층 (4) 에 있어서의 상기한 결정의 배향성을 보다 한층 정돈할 수 있다. 그 때문에, 투명 도전층 (4) 의 전광선 투과율을 높게 할 수 있고, 나아가서는, 적층체 (1) 의 전광선 투과율을 높게 할 수 있다.Among the embodiments and modifications, one embodiment is preferable. In one embodiment, as shown in FIG. 1, since one side 31 of the base layer 3 is not provided with the second protrusion 32, the orientation of the above-described crystals in the transparent conductive layer 4 can be further organized. Therefore, the total light transmittance of the transparent conductive layer 4 can be increased, and by extension, the total light transmittance of the laminate 1 can be increased.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 적층체 (1) 는, 기재층 (2) 을 구비하지 않고, 하지층 (3) 과, 투명 도전층 (4) 을 구비한다. 요컨대, 이 변형예에서는, 적층체 (1) 는, 하지층 (3) 과 투명 도전층 (4) 만을 구비한다.As shown in FIG. 3, the laminate 1 is not provided with a base material layer 2, but is provided with a base layer 3 and a transparent conductive layer 4. In short, in this modified example, the laminate (1) includes only the base layer (3) and the transparent conductive layer (4).
변형예에서는, 하지층 (3) 은, 수지를 포함하지 않고, 무기물로 이루어진다. 무기물은, 예를 들어, 금속 재료, 및, 세라믹스 재료를 들 수 있다. 금속 재료로는, 예를 들어, 은, 주석, 크롬, 및, 지르코늄을 들 수 있다. 세라믹스 재료로는, 예를 들어, 유리를 들 수 있다. 상기한 변형예의 하지층 (3), 및, 일 실시형태의 하지층 (3) 중, 바람직하게는 일 실시형태의 하지층 (3) 이다. 일 실시형태의 하지층 (3) 은, 수지를 포함하는 점에서, 열 수축률이 높아지고, 상기한 하지층 (3) 및 투명 도전층 (4) 을 구비하는 적층체 (1) 에는, 압축 응력이 인가된다. 그 결과, 입계 (44) 가, 타단 가장자리 (442) 를 포함하지 않고, 하나의 입계 (44) 가, 2 개의 일단 가장자리 (441) 를 포함하는 투명 도전층 (4) 을 얻을 수 있고, 제 1 융기 (42) 를 바람직하게 만들 수 있고, 그 결과, 전광선 투과율을 높게 할 수 있다.In a modified example, the base layer 3 does not contain resin and is made of an inorganic material. Examples of inorganic materials include metal materials and ceramic materials. Metal materials include, for example, silver, tin, chromium, and zirconium. Examples of ceramic materials include glass. Among the base layer 3 of the above-mentioned modification and the base layer 3 of one embodiment, the base layer 3 of one embodiment is preferable. Since the base layer 3 of one embodiment contains a resin, the heat shrinkage rate is high, and the laminate 1 including the base layer 3 and the transparent conductive layer 4 described above has compressive stress. approved. As a result, the transparent conductive layer 4 can be obtained in which the grain boundary 44 does not include the other edge 442, and one grain boundary 44 includes two one end edges 441, and the first The protrusion 42 can be made desirable, and as a result, the total light transmittance can be increased.
실시예Example
이하에, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은, 전혀 실시예 및 비교예에 한정되지 않는다. 또, 이하의 기재에 있어서 사용되는 배합 비율 (함유 비율), 물성값, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의「발명을 실시하기 위한 형태」에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율 (함유 비율), 물성값, 파라미터 등 해당 기재된 상한 (「이하」,「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한 (「이상」,「초과」로서 정의되어 있는 수치) 으로 대체할 수 있다.Below, examples and comparative examples are given to illustrate the present invention in more detail. Additionally, the present invention is not limited to the Examples and Comparative Examples. In addition, specific values such as mixing ratio (content ratio), physical property values, parameters, etc. used in the following description are the mixing ratio (content ratio) corresponding to those described in the above "Mode for carrying out the invention" ), physical property values, parameters, etc. can be replaced with the upper limit (a value defined as “less than” or “less than”) or a lower limit (a value defined as “above” or “exceeding”).
실시예 1Example 1
장척의 PET 필름 (두께 50 ㎛, 도레이사 제조) 으로 이루어지는 기재층 (2) 의 두께 방향의 일방면 (21) 에, 자외선 경화성 수지를 도포하여 도막을 형성하였다. 자외선 경화성 수지 조성물은, 아크릴 수지를 함유한다. 다음으로, 자외선 조사에 의해 당해 도막을 경화시켜 하지층 (3) 을 형성하였다. 하지층 (3) 의 두께는, 2 ㎛ 였다. 이로써, 기재층 (2) 과, 하지층 (3) 을 두께 방향으로 순서대로 구비하는 기재 (30) 를 제작하였다.An ultraviolet curable resin was applied to one side 21 in the thickness direction of the base material layer 2 made of a long PET film (thickness 50 μm, manufactured by Toray Industries, Ltd.) to form a coating film. The ultraviolet curable resin composition contains an acrylic resin. Next, the coating film was cured by ultraviolet irradiation to form the base layer 3. The thickness of the base layer 3 was 2 μm. In this way, the base material 30 including the base layer 2 and the base layer 3 in that order in the thickness direction was produced.
다음으로, 비정질의 투명 도전층 (40) 을, 반응성 스퍼터링법에 의해, 하지층 (3) 의 두께 방향의 일방면 (31) 에 형성하였다 (제 1 공정). 반응성 스퍼터링법에서는, DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 사용하였다.Next, the amorphous transparent conductive layer 40 was formed on one side 31 in the thickness direction of the base layer 3 by a reactive sputtering method (first step). In the reactive sputtering method, a DC magnetron sputtering device was used.
본 실시예에 있어서의 스퍼터링의 조건은, 다음과 같다. 타깃으로서, 산화인듐과 산화주석의 소결체를 사용하였다. 소결체에 있어서의 산화주석 농도는 10 질량％ 였다. DC 전원을 사용하여, 타깃에 대해 전압을 인가하였다. 타깃 상의 수평 자장 강도는 90 mT 로 하였다. 성막 온도는 ―8 ℃ 로 하였다. 성막 온도는, 성막 롤의 표면 온도로서, 기재 (30) 의 온도와 동일하다. 또, DC 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서의 성막실 내의 도달 진공도가 0.6 × 10-4 Pa 에 이르기까지 성막실 내를 진공 배기한 후, 성막실 내에, 스퍼터링 가스로서의 Kr 과, 반응성 가스로서의 산소를 도입하고, 성막실 내의 기압을 0.2 Pa 로 하였다. 성막실에 도입되는 Kr 및 산소의 합계 도입량에 대한 산소 도입량의 비율은 약 2.6 유량％ 이다. 산소 도입량은, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 비저항-산소 도입량 곡선의 영역 R 내로서, 비정질의 투명 도전층 (40) 의 비저항이 6.3 × 10-4 Ω·㎝ 가 되도록 조정하였다. 도 6 에 나타내는 비저항-산소 도입량 곡선은, 산소 도입량 이외의 조건은 상기와 동일한 조건에서 비정질의 투명 도전층 (40) 을 반응성 스퍼터링법으로 형성한 경우의, 비정질의 투명 도전층 (40) 의 비저항의 산소 도입량 의존성을, 미리 조사하여 작성하였다.The sputtering conditions in this example are as follows. As a target, a sintered body of indium oxide and tin oxide was used. The tin oxide concentration in the sintered body was 10% by mass. Using a DC power source, voltage was applied to the target. The horizontal magnetic field intensity on the target was 90 mT. The film formation temperature was -8°C. The film forming temperature is the surface temperature of the film forming roll and is the same as the temperature of the base material 30. In addition, after evacuating the inside of the film formation chamber until the achieved vacuum degree within the film formation chamber in the DC magnetron sputtering device reaches 0.6 × 10 -4 Pa, Kr as a sputtering gas and oxygen as a reactive gas are introduced into the film formation chamber. , the atmospheric pressure in the deposition room was set to 0.2 Pa. The ratio of the amount of oxygen introduced to the total amount of Kr and oxygen introduced into the film formation chamber is about 2.6 flow rate%. As shown in FIG. 6, the oxygen introduction amount was adjusted so that the specific resistance of the amorphous transparent conductive layer 40 was 6.3 × 10 -4 Ω·cm within the region R of the resistivity-oxygen introduction amount curve. The resistivity-oxygen introduction amount curve shown in FIG. 6 is the resistivity of the amorphous transparent conductive layer 40 when the amorphous transparent conductive layer 40 is formed by the reactive sputtering method under the same conditions as above except for the oxygen introduction amount. The dependence of the oxygen introduction amount was investigated and prepared in advance.
다음으로, 비정질의 투명 도전층 (40) 을, 열풍 오븐 내에서의 가열에 의해 결정화시켰다 (제 2 공정). 가열 온도는 160 ℃ 로 하고, 가열 시간은 1 시간으로 하였다. 결정질의 투명 도전층 (4) 의 두께는, 145 ㎚ 였다.Next, the amorphous transparent conductive layer 40 was crystallized by heating in a hot air oven (second step). The heating temperature was 160°C, and the heating time was 1 hour. The thickness of the crystalline transparent conductive layer 4 was 145 nm.
이로써, 기재층 (2) 과, 하지층 (3) 과, 결정질의 투명 도전층 (4) 을 두께 방향의 일방면에 순서대로 구비하는 적층체 (1) 를 제조하였다 (도 1 참조).As a result, a laminate (1) was manufactured including the base layer (2), the base layer (3), and the crystalline transparent conductive layer (4) in that order on one side of the thickness direction (see Fig. 1).
비교예 1Comparative Example 1
실시예 1 과 동일하게 하여, 적층체 (1) 를 제조하였다. 단, 스퍼터링 가스로부터 Kr 로부터 Ar 로 변경하고, 성막실 내의 기압을 0.2 Pa 에서 0.4 Pa 로 변경하고, 성막실에 도입되는 Ar 및 산소의 합계 도입량에 대한 산소 도입량의 비율을 약 1.6 유량％ 로 변경하였다.In the same manner as in Example 1, a laminate (1) was manufactured. However, the sputtering gas was changed from Kr to Ar, the atmospheric pressure in the film formation chamber was changed from 0.2 Pa to 0.4 Pa, and the ratio of the oxygen introduction amount to the total introduction amount of Ar and oxygen introduced into the film formation chamber was changed to about 1.6 flow rate%. did.
비교예 2Comparative Example 2
비교예 1 과 동일하게 하여, 적층체 (1) 를 제조하였다. 단, 아크릴 수지와 메디안 직경이 20 ㎚ 인 실리카 입자를 구비하는 자외선 경화성 수지 조성물을 사용하였다 (도 7 참조).Laminate (1) was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1. However, an ultraviolet curable resin composition comprising acrylic resin and silica particles with a median diameter of 20 nm was used (see Figure 7).
＜평가＞＜Evaluation＞
각 실시예 및 각 비교예의 투명 도전층 (4) 에 대해, 하기의 항목을 평가하였다. 그것들의 결과를 표 1 에 나타낸다.The following items were evaluated for the transparent conductive layer 4 of each Example and each Comparative Example. Their results are shown in Table 1.
[제 1 융기 (42) 및 제 2 융기 (32) 의 단면 관찰과, 제 1 융기 (42) 의 수의 카운트][Cross-sectional observation of the first ridge 42 and the second ridge 32 and counting the number of the first ridge 42]
FIB 마이크로 샘플링법에 의해, 각 실시예 및 각 비교예의 적층체를 단면 조정한 후, 각각의 하지층 (3) 및 투명 도전층 (4) 의 단면을 FE-TEM 관찰을 실시하고, 제 1 융기 (42) 및 제 2 융기 (32) 의 각각의 존재를 확인하였다. 또, 투명 도전층 (4) 의 두께 방향의 일방면 (41) 에 있어서의 길이 1 ㎛ 중에 존재하는 제 1 융기 (42) 의 수를 세었다. 또한, 관찰 배율은, 제 1 융기 (42) 및 제 2 융기 (32) 의 존재의 유무 및 높이를 관찰할 수 있도록, 설정하였다.After adjusting the cross sections of the laminates of each Example and each Comparative Example by the FIB microsampling method, FE-TEM observation was performed on the cross sections of each base layer 3 and the transparent conductive layer 4, and the first protrusion was observed. The presence of each of (42) and the second protuberance (32) was confirmed. Additionally, the number of first protrusions 42 present in a length of 1 μm on one side 41 in the thickness direction of the transparent conductive layer 4 was counted. In addition, the observation magnification was set so that the presence or absence and height of the first protrusion 42 and the second protrusion 32 could be observed.
장치 및 측정 조건은 이하와 같다.The equipment and measurement conditions are as follows.
FIB 장치 ; Hitachi 제조 FB2200, 가속 전압 : 10 ㎸FIB device; FB2200 manufactured by Hitachi, acceleration voltage: 10 k
FE-TEM 장치 ; JEOL 제조 JEM-2800, 가속 전압 : 200 ㎸FE-TEM device; JEM-2800 manufactured by JEOL, acceleration voltage: 200 kV
그 결과, 실시예 1 및 비교예 1 에서는, 모두 제 1 융기 (42) 가 관찰되었지만, 제 2 융기 (32) 는 관찰되지 않았다.As a result, in Example 1 and Comparative Example 1, the first protrusion 42 was observed, but the second protrusion 32 was not observed.
실시예 1 에 있어서의 제 1 융기 (42) 의 높이 중, 가장 높은 융기의 높이는, 18 ㎚ 였다. 또한, 임의의 제 1 융기 (42) 를 10 개 선택하여 구한, 제 1 융기 (42) 의 평균의 높이는, 8 ㎚ 였다. 요컨대, 제 1 융기 (42) 의 평균의 높이는, 임의의 10 개의 제 1 융기 (42) 의 높이의 평균으로서 구하였다. 실시예 1 의 TEM 사진의 화상 처리도를 도 4 에 나타낸다. 또, 도 4 에 있어서 입계 (44) 를 파선으로 묘화한 도면을 도 5 에 나타낸다.Among the heights of the first protrusions 42 in Example 1, the height of the highest protrusions was 18 nm. In addition, the average height of the first protrusions 42, which was determined by selecting 10 arbitrary first protrusions 42, was 8 nm. In short, the average height of the first protrusion 42 was determined as the average of the heights of 10 arbitrary first protrusions 42. The image processing diagram of the TEM photograph of Example 1 is shown in Figure 4. Additionally, a drawing in which the grain boundary 44 in FIG. 4 is drawn with a broken line is shown in FIG. 5 .
비교예 1 에 있어서의 제 1 융기 (42) 중, 가장 높은 융기의 높이는, 15 ㎚ 였다. 또한, 임의의 제 1 융기 (42) 를 10 개 선택하여 구한, 제 1 융기 (42) 의 평균의 높이는, 7 ㎚ 였다. 요컨대, 제 1 융기 (42) 의 평균의 높이는, 임의의 10 개의 제 1 융기 (42) 의 높이의 평균으로서 구하였다.Among the first protrusions 42 in Comparative Example 1, the height of the highest protrusion was 15 nm. In addition, the average height of the first protrusions 42, obtained by selecting 10 arbitrary first protrusions 42, was 7 nm. In short, the average height of the first protrusion 42 was determined as the average of the heights of 10 arbitrary first protrusions 42.
아울러, 실시예 1, 비교예 1 의 제 1 융기 (42) 의 단위 길이당의 제 1 융기 (42) 의 수를, TEM 화상 (단면 관찰) 으로 카운트하였다. 그 결과, 실시예 1 에서, 10 개/㎛, 비교예 2 에서, 7 개/㎛ 였다.In addition, the number of first protrusions 42 per unit length of the first protrusions 42 in Example 1 and Comparative Example 1 was counted using TEM images (cross-sectional observation). As a result, in Example 1, it was 10 pieces/μm, and in Comparative Example 2, it was 7 pieces/μm.
비교예 2 에서는, 제 1 융기 (42) 및 제 2 융기 (32) 모두 관찰되었다 (도 7 참조). 또한, 비교예 2 에 있어서의 제 1 융기 (42) 및 제 2 융기 (32) 의 각각의 높이는, 11 ㎚ 였다.In Comparative Example 2, both the first ridge 42 and the second ridge 32 were observed (see Fig. 7). In addition, the height of each of the first protrusion 42 and the second protrusion 32 in Comparative Example 2 was 11 nm.
[투명 도전층 (4) 에 있어서의 Kr 원자의 확인][Confirmation of Kr atoms in transparent conductive layer (4)]
실시예 1 에 있어서의 투명 도전층 (4) 이 Kr 원자를 함유하는 것은, 다음과 같이 하여 확인하였다. 먼저, 주사형 형광 X 선 분석 장치 (상품명「ZSX PrimusIV」, 리가쿠사 제조) 를 사용하여, 하기의 측정 조건으로 형광 X 선 분석 측정을 5 회 반복하여, 각 주사 각도의 평균치를 산출하고, X 선 스펙트럼을 작성하였다. 그리고, 작성된 X 선 스펙트럼에 있어서, 주사 각도 28.2°근방에 피크가 나와 있는 것을 확인함으로써, 투명 도전층 (4) 에 Kr 원자가 함유되는 것을 확인하였다.It was confirmed as follows that the transparent conductive layer 4 in Example 1 contained Kr atoms. First, using a scanning fluorescence X-ray analyzer (product name "ZSX PrimusIV", manufactured by Rigaku Corporation), fluorescence A line spectrum was prepared. And, in the created X-ray spectrum, it was confirmed that a peak appeared near the scanning angle of 28.2°, confirming that the transparent conductive layer 4 contained Kr atoms.
＜측정 조건＞＜Measurement conditions＞
스펙트럼 ; Kr-KAspectrum; Kr-KA
측정 직경 : 30 ㎜Measurement diameter: 30 mm
분위기 : 진공Atmosphere: Vacuum
타깃 : RhTarget: Rh
관 전압 : 50 ㎸Tube voltage: 50 k
관 전류 : 60 ㎃Tube current: 60 ㎃
1 차 필터 : Ni40Primary filter: Ni40
주사 각도 (deg) : 27.0 ∼ 29.5Scanning angle (deg): 27.0 ∼ 29.5
스텝 (deg) : 0.020Step (deg): 0.020
속도 (deg/분) : 0.75Speed (deg/min): 0.75
어테뉴에이터 : 1/1Attenuator: 1/1
슬릿 : S2Slit: S2
분광 결정 : LiF (200)Spectroscopic crystal: LiF (200)
검출기 : SCDetector: SC
PHA : 100 ∼ 300PHA: 100 ~ 300
또, 비교예 1, 비교예 2 에 있어서의 투명 도전층 (4) 이 Kr 원자를 함유하지 않는 것을, X 선 스펙트럼에 있어서, 주사 각도 28.2°근방에 피크가 나와 있지 않은 것을 확인함으로써, 확인하였다.In addition, it was confirmed that the transparent conductive layer 4 in Comparative Examples 1 and 2 did not contain Kr atoms by confirming that no peak appeared near the scanning angle of 28.2° in the X-ray spectrum. .
[투명 도전층 (4) 에 있어서의 Ar 의 확인][Confirmation of Ar in transparent conductive layer (4)]
러더퍼드 후방 산란 분광법 (RBS) 에 의해, 비교예 1, 비교예 2 의 각각의 투명 도전층 (4) 이 Ar 을 함유하는 것을, 다음과 같이 하여 확인하였다. 보다 상세하게는, In＋Sn (러더퍼드 후방 산란 분광법에서는, In 와 Sn 을 분리한 측정이 곤란하기 때문에, 2 원소의 합산으로서 평가하였다), O, Ar 의 4 원소를 검출 원소로 하여 측정을 실시하고, 투명 도전층에 있어서의 Ar 의 존재를 확인하였다. 사용 장치 및 측정 조건은, 하기와 같다.By Rutherford backscattering spectroscopy (RBS), it was confirmed that each of the transparent conductive layers 4 of Comparative Examples 1 and 2 contained Ar as follows. More specifically, the measurement was performed using four elements as detection elements: In + Sn (in Rutherford backscattering spectroscopy, it was difficult to measure In and Sn separately, so they were evaluated as the sum of the two elements), O, and Ar. The presence of Ar in the transparent conductive layer was confirmed. The equipment used and measurement conditions are as follows.
＜사용 장치＞＜Device used＞
Pelletron 3SDH (National Electrostatics Corporation 제조)Pelletron 3SDH (manufactured by National Electrostatics Corporation)
＜측정 조건＞＜Measurement conditions＞
입사 이온 : 4He＋＋Incident ion: 4He++
입사 에너지 : 2300 keVIncident energy: 2300 keV
입사각 : 0 degAngle of incidence: 0 deg
산란각 : 160 degScattering angle: 160 deg
시료 전류 : 6 nASample current: 6 nA
빔 직경 : 2 ㎜φBeam diameter: 2 mmϕ
면내 회전 : 없음In-plane rotation: none
조사량 : 75 μCIrradiation dose: 75 μC
또, 실시예 1 의 적층체 (1) 의 투명 도전층 (4) 에 Ar 이 함유되어 있지 않은 것을, 비교예 1 및 비교예 2 와 마찬가지로, 러더퍼드 후방 산란 분광법 (RBS) 에 의해 확인하였다.In addition, it was confirmed by Rutherford backscattering spectroscopy (RBS), as in Comparative Examples 1 and 2, that Ar was not contained in the transparent conductive layer (4) of the laminate (1) of Example 1.
[적층체의 투과율][Transmittance of Laminate]
각 실시예 및 각 비교예의 적층체 (1) 의 전광선 투과율을, 헤이즈미터 (스가 시험기사 제조, 장치명「HGM-2DP) 를 사용하여, 측정하였다.The total light transmittance of the laminate (1) of each example and each comparative example was measured using a haze meter (manufactured by Suga Test Instruments, device name "HGM-2DP).
[기재 (30) 및 적층체 (1) 의 열 수축률][Thermal shrinkage rate of base material (30) and laminate (1)]
실시예 1 의 기재 (30) 를 160 ℃, 1 시간 가열한 후의 열 수축률을 측정하였다. 그 결과, 기재 (30) 의 MD 방향의 열 수축률은, 0.5 ％ 이고, 적층체 (1) 의 TD 방향의 0.1 ％ 였다.The heat shrinkage rate of the base material 30 of Example 1 was measured after heating at 160°C for 1 hour. As a result, the thermal contraction rate of the base material 30 in the MD direction was 0.5%, and the thermal contraction rate of the laminate 1 in the TD direction was 0.1%.
실시예 1 의 적층체 (1) 를 160 ℃, 1 시간 가열한 후의 열 수축률을 측정하였다. 그 결과, 적층체 (1) 의 MD 방향의 열 수축률은, 0.4 ％ 이고, 적층체 (1) 의 TD 방향의 0.2 ％ 였다.The thermal contraction rate of the laminate (1) of Example 1 was measured after heating at 160°C for 1 hour. As a result, the thermal contraction rate of the laminate (1) in the MD direction was 0.4%, and the thermal contraction rate of the laminate (1) in the TD direction was 0.2%.
또한, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 불과하고, 한정적으로 해석해서는 안된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구범위에 포함된다.Additionally, although the above invention has been provided as an exemplary embodiment of the present invention, this is merely an example and should not be construed as limited. Modifications of the present invention apparent to those skilled in the art are included in the later claims.
산업상 이용가능성Industrial applicability
적층체는, 광학용의 물품에 사용된다.Laminates are used in optical articles.
1 : 적층체
2 : 기재층
3 : 하지층
4 : 투명 도전층
21 : 기재층의 두께 방향의 일방면
30 : 기재
31 : 하지층의 두께 방향의 일방면
32 : 제 2 융기
40 : 투명 도전층
41 : 투명 도전층의 두께 방향의 일방면
42 : 제 1 융기
44 : 입계1: Laminate
2: base layer
3: lower layer
4: Transparent conductive layer
21: One side in the thickness direction of the base layer
30: Description
31: One side in the thickness direction of the base layer
32: 2nd ridge
40: transparent conductive layer
41: One side in the thickness direction of the transparent conductive layer
42: 1st ridge
44: grain boundary
Claims (6)
상기 투명 도전층의 재료는, 인듐주석 복합 산화물이고,
상기 하지층의 상기 일방면에 인접하고 있지 않은, 상기 투명 도전층의 두께 방향의 일방면은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 1 융기를 구비하고,
상기 하지층의 상기 일방면은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 2 융기를 구비하고,
상기 제 2 융기는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 상기 제 1 융기와 중첩되지 않고,
상기 투명 도전층은, 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유하는, 적층체.A laminate comprising a base layer and a crystalline transparent conductive layer adjacent to one side of the base layer in the thickness direction,
The material of the transparent conductive layer is indium tin complex oxide,
One side in the thickness direction of the transparent conductive layer that is not adjacent to the one side of the base layer has a first protrusion with a height of 3 nm or more,
The one side of the base layer has a second ridge having a height of 3 nm or more,
The second ridge does not overlap the first ridge when projected in the thickness direction,
A laminate in which the transparent conductive layer contains a rare gas with an atomic number greater than argon.
상기 하지층은, 수지를 포함하는, 적층체.According to claim 1,
A laminate wherein the base layer contains a resin.
상기 투명 도전층의 일방면에 이르는 단 가장자리를 갖는 입계를 포함하고,
상기 제 1 융기가 융기하는 융기 개시점이, 단 가장자리로부터 15 ㎚ 이내에 위치하는, 적층체.The method of claim 1 or 2,
It includes a grain boundary having a short edge extending to one side of the transparent conductive layer,
A laminate wherein the ridge start point at which the first ridge rises is located within 15 nm from the end edge.
두께 방향에 있어서, 상기 하지층에 대한 상기 투명 도전층의 반대측에 배치되는 기재층을 추가로 구비하고,
상기 기재층은, 수지를 포함하는, 적층체.The method of claim 1 or 2,
Further comprising a base layer disposed on the opposite side of the transparent conductive layer to the base layer in the thickness direction,
A laminate wherein the base material layer contains a resin.
두께 방향에 있어서, 상기 하지층에 대한 상기 투명 도전층의 반대측에 배치되는 기재층을 추가로 구비하고,
상기 기재층은, 수지를 포함하는, 적층체.According to claim 3,
Further comprising a base layer disposed on the opposite side of the transparent conductive layer to the base layer in the thickness direction,
A laminate wherein the base material layer contains a resin.
상기 투명 도전층의 재료는, 인듐주석 복합 산화물이고,
상기 하지층의 상기 일방면에 인접하고 있지 않은, 상기 투명 도전층의 두께 방향의 일방면은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 1 융기를 구비하고,
상기 하지층의 상기 일방면은, 높이가 3 ㎚ 이상인 제 2 융기를 구비하지 않고,
상기 투명 도전층은, 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유하고,
상기 제 1 융기의 단위 길이당의 수가, 1 개/㎛ 이상 50 개/㎛ 이하인, 적층체.A laminate comprising a base layer and a crystalline transparent conductive layer adjacent to one side of the base layer in the thickness direction,
The material of the transparent conductive layer is indium tin complex oxide,
One side in the thickness direction of the transparent conductive layer that is not adjacent to the one side of the base layer has a first protrusion with a height of 3 nm or more,
The one side of the base layer does not have a second ridge having a height of 3 nm or more,
The transparent conductive layer contains a rare gas with an atomic number greater than argon,
A laminate wherein the number of the first protrusions per unit length is 1 or more and 50 or less/μm.
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