KR102664574B1 - Liquid Crystal Display Device - Google Patents

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KR102664574B1
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제 1 서브 화소, 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소로 이루어진 복수의 화소를 포함하는 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판과, 제 1 기판 상의 게이트 라인과 데이터 라인과, 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 있는 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 상에 있고, 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하고, 제 1 서브 화소의 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 거리는 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소의 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 거리보다 크다. A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a second substrate facing a first substrate including a plurality of pixels consisting of a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel, and a gate line on the first substrate. and a data line, a thin film transistor in a region where the gate line and the data line intersect, and a pixel electrode on the thin film transistor and connected to the thin film transistor, between the first substrate and the second substrate of the first sub-pixel. The distance is greater than the distance between the first and second substrates of the second sub-pixel and the third sub-pixel.

Figure R1020160158102
Figure R1020160158102

Description

액정 표시 장치{Liquid Crystal Display Device}Liquid Crystal Display Device

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 화질 불량의 발생을 최소화하고 투과율을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more specifically, to a liquid crystal display device that can minimize the occurrence of image quality defects and improve transmittance.

본격적인 정보화 시대가 도래함에 따라, 전기적 정보 신호를 시각적으로 표시하는 디스플레이(Display) 분야가 급속도로 발전하고 있다. 이에 여러 가지 다양한 표시 장치(Display Device)에 대해 박형화, 경량화 및 저 소비전력화 등의 성능을 개선시키기 위한 연구가 계속되고 있다. With the advent of the full-fledged information age, the display field, which visually displays electrical information signals, is rapidly developing. Accordingly, research is continuing to improve the performance of various display devices such as thinner, lighter, and lower power consumption.

이와 같은 표시 장치의 대표적인 예로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display device: FED) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display device: OLED) 등을 들 수 있다. Representative examples of such display devices include Liquid Crystal Display devices (LCD), Plasma Display Panel devices (PDP), Field Emission Display devices (FED), and organic light emitting display devices ( Organic Light Emitting Display device (OLED), etc. may be mentioned.

그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 특징 및 장점으로 인하여 이동형 화상 표시 장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)를 대체하면서 액정 표시 장치가 가장 많이 사용되고 있다. 액정 표시 장치는 노트북 컴퓨터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송 신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비젼 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.Among them, liquid crystal displays are currently being used the most, replacing CRTs (Cathode Ray Tubes) as mobile image display devices due to their excellent image quality, light weight, thinness, and low power consumption. Liquid crystal display devices are being developed for various purposes, such as televisions and computer monitors that receive and display broadcast signals, in addition to mobile applications such as laptop computers.

액정 표시 장치(LCD)는 컬러 필터가 형성된 컬러 필터 어레이 기판, 박막 트랜지스터가 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 컬러 필터 어레이 기판과 박막 트랜지스터 어레이 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 이루어진다.A liquid crystal display (LCD) includes a color filter array substrate on which color filters are formed, a thin film transistor array substrate on which thin film transistors are formed, and a liquid crystal layer formed between the color filter array substrate and the thin film transistor array substrate.

다양한 액정 모드의 액정 표시 장치 중에서, 수평 전계 방식의 액정 표시 장치는 하부 기판에 평행하게 배치된 화소 전극과 공통 전극 사이에 수평 전계를 형성하여 인 플레인 스위칭(In Plane Switching: IPS) 방식으로 액정층을 구동한다. 이러한 인 플레인 스위칭 방식의 액정 표시 장치는 시야각이 넓은 장점이 있으나 개구율 및 투과율이 낮은 단점을 가진다.Among the liquid crystal display devices in various liquid crystal modes, the horizontal electric field type liquid crystal display device forms a horizontal electric field between the pixel electrode and the common electrode arranged in parallel on the lower substrate to switch the liquid crystal layer in an in-plane switching (IPS) method. Run . This in-plane switching liquid crystal display device has the advantage of a wide viewing angle, but has the disadvantage of low aperture ratio and low transmittance.

이러한 IPS 모드의 액정 표시 장치의 단점을 개선하기 위해 프린지 필드(Fringe Field)에 의해 동작되는 프린지 필드 스위칭(Fringe Field Switching: FFS) 방식의 액정 표시 장치가 제안되었다. 프린지 필드 스위칭 방식의 액정 표시 장치는 각 화소 영역에 절연층을 사이에 두고 위치하는 공통 전극과 화소 전극을 구비하고, 공통 전극과 화소 전극의 상부에 포물선 형태의 프린지 필드를 형성하도록 만든다. 프린지 필드에 의해 상부 기판 및 하부 기판 사이에 개재된 액정 분자들이 모두 동작하게 함으로써 IPS 모드의 액정 표시 장치와 대비하여 개구율 및 투과율이 향상될 수 있다.In order to improve the shortcomings of the IPS mode liquid crystal display device, a fringe field switching (FFS) type liquid crystal display device operated by a fringe field has been proposed. A fringe field switching liquid crystal display device includes a common electrode and a pixel electrode positioned in each pixel area with an insulating layer in between, and a parabolic fringe field is formed on top of the common electrode and the pixel electrode. By allowing all liquid crystal molecules interposed between the upper and lower substrates to operate by the fringe field, the aperture ratio and transmittance can be improved compared to an IPS mode liquid crystal display device.

액정 표시 장치는 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역마다 형성되어 있는 서브 화소 내 박막 트랜지스터를 포함하는 하부 기판, 상기 하부 기판과 대향하여 위치하며 블랙 매트릭스 및 컬러 필터가 형성되어 있는 상부 기판 및 상기 하부 기판 및 상부 기판 사이에 형성되는 액정층을 포함한다. 즉, 액정 표시 장치는 상기 하부 기판 및 상부 기판이 각각 제조된 후 상기 하부 기판 및 상부 기판이 합착됨으로써 완성된다.The liquid crystal display device includes a lower substrate including a thin film transistor in a sub-pixel formed in each area where a gate line and a data line intersect, an upper substrate located opposite the lower substrate and having a black matrix and a color filter, and the lower substrate. It includes a liquid crystal layer formed between the substrate and the upper substrate. That is, the liquid crystal display device is completed by manufacturing the lower substrate and the upper substrate respectively and then bonding the lower substrate and the upper substrate.

액정 표시 장치는 전계에 따라 액정층의 액정 분자가 수직 또는 수평으로 배열되는데 필요한 응답 시간(response time)을 갖는다. 이러한 액정 표시 장치의 경우, 복수의 서브 화소 사이의 응답 시간의 차이에 의해 특정 패턴의 화면 구동 시에 붉은 색의 화상이 끌리는 듯한 잔상 즉, 모션 블러(motion blur) 현상이 발생할 수 있다. 모션 블러(motion blur)는 동영상에서 움직이는 물체의 경계가 뚜렷하지 않고 번져 보여 영상 끌림이 보이는 현상이라고 할 수 있다.A liquid crystal display device has a response time required for liquid crystal molecules in the liquid crystal layer to be aligned vertically or horizontally depending on the electric field. In the case of such a liquid crystal display device, the difference in response time between a plurality of sub-pixels may cause an afterimage, that is, a motion blur phenomenon, in which a red-colored image is dragged when the screen of a specific pattern is driven. Motion blur can be said to be a phenomenon in which the boundaries of moving objects in a video are unclear and appear blurred, causing the image to appear blurred.

상기와 같은 모션 블러 현상에 의해 액정 표시 장치의 색 재현율이 저하될 수 있으며, 이에 따라 액정 표시 장치의 표시 품질 및 신뢰성에 문제가 발생할 수 있다.Due to the motion blur phenomenon described above, the color reproduction rate of the liquid crystal display device may deteriorate, which may cause problems with the display quality and reliability of the liquid crystal display device.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 적색 서브 화소의 셀 갭(cell gap)을 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소의 셀 갭(cell gap)보다 크게 형성하여 복수의 서브 화소 사이의 응답 시간을 동등한 수준으로 맞추어 줌으로써, 모션 블러(motion blur)에 의한 화질 불량의 발생을 최소화하고 투과율을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다. The present invention was developed to solve the above problems, and the cell gap of the red sub-pixel is made larger than the cell gap of the green sub-pixel and the blue sub-pixel, thereby creating a space between a plurality of sub-pixels. By adjusting the response time to an equal level, a liquid crystal display device is provided that can minimize the occurrence of image quality defects due to motion blur and improve transmittance.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems to be solved according to embodiments of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여, 모션 블러(motion blur)에 의한 화질 불량의 발생을 최소화하고 투과율을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치가 제공된다.In order to solve the problems described above, a liquid crystal display device is provided that can minimize the occurrence of image quality defects due to motion blur and improve transmittance.

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제 1 서브 화소, 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소로 이루어진 복수의 화소를 포함하는 제 1 기판과, 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판과, 제 1 기판 상의 게이트 라인과 데이터 라인과, 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 있는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 상에 있고, 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하고, 제 1 서브 화소의 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 거리는 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소의 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 거리보다 크다. A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a first substrate including a plurality of pixels consisting of a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel, a second substrate facing the first substrate, and a second substrate facing the first substrate. 1. It includes a gate line and a data line on a substrate, a thin film transistor in an area where the gate line and the data line intersect, and a pixel electrode on the thin film transistor and connected to the thin film transistor, and a first substrate of a first sub-pixel and a second pixel. The distance between the two substrates is greater than the distance between the first and second substrates of the second sub-pixel and the third sub-pixel.

또한 다른 측면에서, 제 1 서브 화소, 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소로 이루어진 복수의 화소를 포함하며, 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막 트랜지스터를 포함하는 제 1 기판과, 제 1 기판과 대향하여 위치하는 제 2 기판을 포함하는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 상에 있는 평탄화층을 포함하고, 평탄화층은 제 1 서브 화소에서 제 1 두께를 가지고, 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소에서 제 2 두께를 가지며, 제 1 두께는 상기 제 2 두께보다 작게 형성된다. In another aspect, a first substrate including a plurality of pixels including a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel, and including a gate line, a data line, and a thin film transistor, and opposite to the first substrate, A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention including a second substrate located on the thin film transistor includes a planarization layer on a thin film transistor, the planarization layer has a first thickness in the first sub-pixel, the second sub-pixel and the first sub-pixel. It has a second thickness in 3 sub-pixels, and the first thickness is smaller than the second thickness.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 적색 서브 화소에서 평탄화층의 두께를 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에서의 평탄화층의 두께보다 작게 형성하여 적색 서브 화소의 셀 갭(cell gap)을 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소의 셀 갭(cell gap) 대비 크게 형성함으로써 복수의 서브 화소 사이의 액정의 응답 시간을 동등한 수준으로 맞출 수 있으며, 모션 블러(motion blur) 현상의 발생을 최소화할 수 있다. In the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, the thickness of the planarization layer in the red sub-pixel is formed to be smaller than the thickness of the planarization layer in the green sub-pixel and the blue sub-pixel, so that the cell gap of the red sub-pixel is smaller than the thickness of the planarization layer in the green sub-pixel and the blue sub-pixel. By forming a larger cell gap between the pixel and the blue sub-pixel, the response time of the liquid crystal between the plurality of sub-pixels can be adjusted to the same level, and the occurrence of motion blur phenomenon can be minimized.

또한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 모션 블러 현상의 발생을 최소화함으로써, 액정 표시 장치의 표시 품질 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Additionally, the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention can improve display quality and reliability of the liquid crystal display device by minimizing the occurrence of motion blur.

또한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 화소 전극의 제 1 영역과 제 2 영역 사이의 연결부의 각도를 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에서 동일하게 설정함으로써 액정 표시 장치의 투과율을 향상시킬 수 있다. In addition, the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention increases the transmittance of the liquid crystal display device by setting the angle of the connection between the first region and the second region of the pixel electrode to be the same in the red sub-pixel, green sub-pixel, and blue sub-pixel. It can be improved.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the content of the invention described above in the problem to be solved, the means for solving the problem, and the effect do not specify the essential features of the claim, the scope of the claim is not limited by the matters described in the content of the invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면 구조를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 2의 A-B에서의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 2의 C-D에서의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 전극의 평면 구조를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 적색 서브 화소의 셀 갭 증가에 따른 응답 시간 변화를 나타내는 도면이다.
1 is a diagram schematically showing the structure of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a diagram showing the planar structure of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating a cross-sectional structure taken along AB of FIG. 2 of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional structure of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention on the CD of FIG. 2.
Figure 5 is a diagram showing the planar structure of a pixel electrode of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing a change in response time as the cell gap of a red sub-pixel of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention increases.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms. These embodiments only serve to complete the disclosure of the present invention, and are not limited to the embodiments disclosed below, and are known to those skilled in the art in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다. 위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description. In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.Additionally, first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be combined or combined with each other partially or entirely, and various technical interconnections and operations are possible, and each embodiment can be implemented independently of each other or together in a related relationship. It may be possible.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a diagram schematically showing the structure of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)는 복수의 게이트 라인(GL), 복수의 데이터 라인(DL) 및 복수의 게이트 라인(GL)과 복수의 데이터 라인(DL)에 연결된 복수의 표시 화소(P)를 포함하는 제 1 기판(101)을 포함하여 구성된다. Referring to FIG. 1, the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of gate lines GL, a plurality of data lines DL, and a plurality of gate lines GL and a plurality of data lines DL. ) is configured to include a first substrate 101 including a plurality of display pixels (P) connected to.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)의 게이트 구동 IC(integrated circuit)(130) 및 데이터 구동 IC(135)는 액티브 영역 또는 표시 영역 외곽의 비표시 영역에 형성된다. 상기 게이트 구동 IC(130) 및 데이터 구동 IC(135)는 액티브 영역의 표시 화소(P)가 동작하도록 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL) 상에 각각 게이트 신호 및 데이터 신호를 제공하기 위해 구성된다.Additionally, the gate driving integrated circuit (IC) 130 and the data driving IC 135 of the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention are formed in the active area or a non-display area outside the display area. The gate driving IC 130 and data driving IC 135 are configured to provide gate signals and data signals on the gate line GL and data line DL, respectively, so that the display pixel P in the active area operates. do.

각각의 표시 화소(P)는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)를 포함한다. 또한, 각각의 표시 화소(P)는 화소 전극(118)과 공통 전극(114)으로 형성된 커패시터(capacitor)를 포함한다. Each display pixel P includes a thin film transistor (TFT) having a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. Additionally, each display pixel P includes a capacitor formed of a pixel electrode 118 and a common electrode 114.

박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)에 연결되고, 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극은 데이터 라인(DL)에 연결되고, 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극은 표시 화소(P)의 화소 전극(118)에 연결된다.The gate electrode of the thin film transistor (TFT) is connected to the gate line (GL), the source electrode of the thin film transistor (TFT) is connected to the data line (DL), and the drain electrode of the thin film transistor (TFT) is connected to the display pixel (P). It is connected to the pixel electrode 118.

게이트 라인(GL)은 게이트 패드를 통해 게이트 구동 IC(130)로부터 스캔 신호를 공급하고, 데이터 라인(DL)은 데이터 패드를 통해 데이터 구동 IC(135)로부터의 화소 신호를 공급한다. 이러한 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)은 게이트 절연층(gate insulation layer)을 사이에 두고 교차하여 각 표시 화소(P) 영역을 정의한다. 여기서 액티브 영역은 표시 화소(P)가 위치하여 디스플레이되는 영역일 수 있으며, 표시 영역이라고도 할 수 있다. 그리고, 비액티브 영역은 액티브 영역의 외곽에 위치하며, 비표시 영역이라고도 할 수 있다.The gate line GL supplies a scan signal from the gate driving IC 130 through the gate pad, and the data line DL supplies a pixel signal from the data driving IC 135 through the data pad. These gate lines (GL) and data lines (DL) intersect with a gate insulation layer in between to define each display pixel (P) area. Here, the active area may be an area where the display pixel P is located and displayed, and may also be referred to as a display area. Additionally, the non-active area is located outside the active area and can also be referred to as a non-display area.

도 1에 게이트 구동 IC(130) 및 데이터 구동 IC(135) 각각은 액정 표시 장치(100)에서 별개의 구성 요소로 도시되어 있지만, 이러한 구동 IC들의 일부 또는 전부는 단일의 구성 요소로 서로 통합될 수도 있다. 예를 들어, 게이트 구동 IC(130)는 제 1 기판(101) 상에 형성되어 제 1 기판(101)의 일 부분으로서 제공될 수 있다. In FIG. 1, the gate driver IC 130 and the data driver IC 135 are each shown as separate components in the liquid crystal display device 100, but some or all of these driver ICs may be integrated into a single component. It may be possible. For example, the gate driving IC 130 may be formed on the first substrate 101 and provided as a part of the first substrate 101 .

또한, 데이터 구동 IC(135)는 액정 표시 장치(100) 상의 터치 센싱 관련 신호를 송신하고 수신하도록 구성된 터치 구동 IC와 함께 제 1 기판(101) 상에 형성된 공통 신호 배선들 및 데이터 라인들과 연결된 동일한 인쇄 회로 기판 상에 형성될 수도 있다.In addition, the data driving IC 135 is connected to common signal wires and data lines formed on the first substrate 101 along with a touch driving IC configured to transmit and receive signals related to touch sensing on the liquid crystal display device 100. It may also be formed on the same printed circuit board.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)의 표시 화소(P)들은 표시 기능 및 터치 센싱 기능을 위해 사용될 수 있는 정전 용량 구성 요소(capacitive elements) 또는 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어서 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)의 공통 전극(114)은 복수의 공통 전극 블록(block)들로 분리되어 구성될 수도 있다.Additionally, the display pixels P of the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention may include capacitive elements or electrodes that can be used for display functions and touch sensing functions. For example, the common electrode 114 of the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention may be divided into a plurality of common electrode blocks.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면 구조를 나타내는 도면이다.Figure 2 is a diagram showing the planar structure of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

또한 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 2의 A-B에서의 단면 구조를 나타내는 도면이다.Additionally, FIG. 3 is a diagram showing a cross-sectional structure taken along line A-B of FIG. 2 of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

또한 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 2의 C-D에서의 단면 구조를 나타내는 도면이다.Additionally, FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional structure taken along line C-D of FIG. 2 of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 상세 구조에 대해서 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the detailed structure of the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)는 복수의 서브 화소를 포함하여 구성된다. 복수의 서브 화소는 녹색(Green) 서브 화소, 청색(Blue) 서브 화소 및 적색(Red) 서브 화소의 순서로 배치될 수 있다. 예를 들어서, N번째 서브 화소((N)Sub-PXL)인 제 1 서브 화소는 녹색(Green) 서브 화소, N+1번째 서브 화소((N+1)Sub-PXL)인 제 2 서브 화소는 청색(Blue) 서브 화소, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)인 제 3 서브 화소는 적색(Red) 서브 화소, N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)인 제 4 서브 화소는 녹색(Green) 서브 화소, 그리고 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)인 제 5 서브 화소는 청색(Blue) 서브 화소일 수 있으나, 이에 반드시 한정되는 것은 아니다. Referring to FIG. 2, the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention is configured to include a plurality of sub-pixels. The plurality of sub-pixels may be arranged in the following order: Green sub-pixel, Blue sub-pixel, and Red sub-pixel. For example, the first sub-pixel, which is the Nth sub-pixel ((N)Sub-PXL), is a green sub-pixel, and the second sub-pixel, which is the N+1th sub-pixel ((N+1)Sub-PXL), is green. is a blue sub-pixel, and the third sub-pixel, which is the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), is a red sub-pixel, and the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub The 4th sub-pixel (-PXL) may be a green sub-pixel, and the 5th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) may be a blue sub-pixel. It is not necessarily limited.

도 2 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)의 제 1 기판(101) 상에는 게이트 전극(106), 반도체층(108), 소스 전극(109) 및 드레인 전극(110)을 포함하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조의 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 제 1 기판(101) 상에 게이트 전극(106), 소스 전극(109) 및 드레인 전극(110)이 포함된다.2 and 3, on the first substrate 101 of the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention, a gate electrode 106, a semiconductor layer 108, a source electrode 109, and a drain electrode are formed. A thin film transistor (TFT) with an inverted staggered structure including (110) is formed. The thin film transistor (TFT) includes a gate electrode 106, a source electrode 109, and a drain electrode 110 on a first substrate 101.

본 명세서에서는 박막 트랜지스터가 역 스태거드 구조인 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)에는 코플래너(coplanar) 구조를 포함한 다양한 구조의 박막 트랜지스터가 사용될 수 있다.In this specification, the thin film transistor is described as having an inverse staggered structure, but it is not limited thereto, and thin film transistors of various structures, including a coplanar structure, can be used in the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention. there is.

제 1 기판(101)은 액정 표시 장치(100)의 다양한 구성 요소들을 지지하기 위한 것으로 절연 물질로 형성된다. 예를 들어서, 제 1 기판(101)은 글래스(glass) 또는, PET(PolyEthylene Terephthalate), PEN(PolyEthylene Naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등의 플라스틱 기판 등으로 이루어질 수 있다.The first substrate 101 is used to support various components of the liquid crystal display device 100 and is made of an insulating material. For example, the first substrate 101 may be made of glass or a plastic substrate such as PET (PolyEthylene Terephthalate), PEN (PolyEthylene Naphthalate), or polyimide.

제 1 기판(101) 상에 게이트 전극(106)이 형성된다. 게이트 전극(106)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 적어도 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. A gate electrode 106 is formed on the first substrate 101. The gate electrode 106 is made of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), copper (Cu), or an alloy thereof. It can be done. In addition, it may be made of a single layer or at least two or more multi-layers of the metal or alloy, but is not necessarily limited thereto.

그리고, 도 2를 참조하면, 게이트 전극(106)은 제 1 기판(101) 상에 수평 방향인 제 1 방향으로 배열된 게이트 라인(GL)으로부터 각 표시 화소(P) 영역에 대응하도록 분기된 형태로 형성된다. And, referring to FIG. 2, the gate electrode 106 is branched from the gate line GL arranged in the first horizontal direction on the first substrate 101 to correspond to each display pixel P area. is formed by

도 3을 참조하면, 게이트 전극(106) 상의 제 1 기판(101) 전면에 게이트 전극(106)을 덮도록 게이트 절연층(107)이 형성된다. Referring to FIG. 3, a gate insulating layer 107 is formed on the entire surface of the first substrate 101 on the gate electrode 106 to cover the gate electrode 106.

게이트 절연층(107)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어진 단일층 또는 적어도 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수도 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The gate insulating layer 107 may be made of a single layer or at least two or more layers of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), but is not limited thereto.

게이트 절연층(107) 상에 게이트 전극(106)의 적어도 일부와 오버랩되도록 반도체층(108)이 형성된다. A semiconductor layer 108 is formed on the gate insulating layer 107 to overlap at least a portion of the gate electrode 106.

반도체층(108)은 비정질 실리콘(Amorphous Silicon), 다결정 실리콘(Poly Crystalline Silicon) 및 금속 산화물(Metal Oxide) 반도체 물질인 인듐 갈륨 징크 옥사이드(Indium Gallium Zinc Oxide: IGZO), 징크 틴 옥사이드(Zinc Tin Oxide: ZTO) 및 징크 인듐 옥사이드(Zinc Indium Oxide: ZIO) 중 어느 하나로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. The semiconductor layer 108 is made of amorphous silicon, poly crystalline silicon, and metal oxide semiconductor materials such as indium gallium zinc oxide (IGZO) and zinc tin oxide. : ZTO) and zinc indium oxide (ZIO), but is not necessarily limited thereto.

반도체층(108)의 양측 상에 각각 반도체층(108)과 중첩되고 서로 이격되도록 위치하는 소스 전극(109) 및 드레인 전극(110)이 형성된다. A source electrode 109 and a drain electrode 110 are formed on both sides of the semiconductor layer 108, respectively, overlapping with the semiconductor layer 108 and positioned to be spaced apart from each other.

소스 전극(109) 및 드레인 전극(110)은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수도 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The source electrode 109 and the drain electrode 110 may be made of aluminum (Al), molybdenum (Mo), titanium (Ti), copper (Cu), or an alloy thereof, and may be a single layer or two layers of the metal or alloy. It may be composed of the above multiple layers, but is not necessarily limited thereto.

그리고, 도 2를 참조하면, 소스 전극(109)은 게이트 절연층(107) 상에 상기 제 1 방향에 교차하는 수직 방향인 제 2 방향으로 배열된 데이터 라인(DL)으로부터 각 표시 화소(P) 영역에 대응하도록 분기된 형태로 형성된다.And, referring to FIG. 2, the source electrode 109 is connected to each display pixel (P) from the data line (DL) arranged in the second direction perpendicular to the first direction on the gate insulating layer 107. It is formed in a branched form to correspond to the area.

또한 도 3을 참조하면, 소스 전극(109) 및 드레인 전극(110)은 하프톤(halftone) 마스크(mask)를 이용하여 게이트 절연층(107) 상에 순차적으로 적층되어 형성된 반도체층(108)과 함께 패터닝됨으로써 하나의 마스크 공정으로 형성될 수 있다.Also, referring to FIG. 3, the source electrode 109 and the drain electrode 110 are formed by sequentially stacking the semiconductor layer 108 on the gate insulating layer 107 using a halftone mask. By being patterned together, they can be formed through a single mask process.

그리고, 소스 전극(109) 및 드레인 전극(110) 상의 제 1 기판(101) 전면에 반도체층(108)과 소스 전극(109) 및 드레인 전극(110)을 덮도록 형성되고, 드레인 전극(110)의 일부를 노출하는 컨택홀(113a, 113b)을 구비한 제 1 보호층(112)이 형성된다. And, a semiconductor layer 108 is formed on the entire surface of the first substrate 101 on the source electrode 109 and the drain electrode 110 to cover the source electrode 109 and the drain electrode 110, and the drain electrode 110 A first protective layer 112 is formed having contact holes 113a and 113b exposing a portion of the .

제 1 보호층(112)은 포토 아크릴(photo-acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 같은 평탄한 표면을 갖는 유기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 제 1 기판(101)의 상부를 평탄화하는 평탄화층(planarization layer)일 수 있다. The first protective layer 112 may be made of an organic insulating material with a flat surface such as photo-acryl or benzocyclobutene (BCB), and may include a planarization layer ( It may be a planarization layer).

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)의 제 1 보호층(112)은 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)에서 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL) 대비 작은 두께를 가지도록 형성될 수 있다. The first protective layer 112 of the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention is formed from the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) to the N+3-th sub-pixel ((N+3) )Sub-PXL) and the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL).

보다 구체적으로, 제 1 보호층(112)은 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)에서 제 1 두께를 가지도록 형성되고, N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)에서 제 1 두께보다 큰 제 2 두께를 가지도록 형성되고, N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)에서 제 1 두께보다 큰 제 3 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 여기서, N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께는 동일하게 형성될 수 있다.More specifically, the first protective layer 112 is formed to have a first thickness in the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), and the first protective layer 112 is formed to have a first thickness in the N+3-th sub-pixel ((N+3) Sub-PXL) may be formed to have a second thickness greater than the first thickness, and may be formed to have a third thickness greater than the first thickness in the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL). there is. Here, the thickness of the first protective layer 112 in the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) and the first protective layer in the N+4-th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) The thickness of (112) may be formed to be the same.

즉, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)는 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)의 셀 갭(cell gap), 즉 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)에서 제 1 기판(101)과 제 2 기판(121) 사이의 거리가 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 셀 갭(cell gap), 즉 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 제 1 기판(101)과 제 2 기판(121) 사이의 거리 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 셀 갭(cell gap), 즉 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 제 1 기판(101)과 제 2 기판(121) 사이의 거리보다 크게 형성된다. 즉, 적색 서브 화소의 셀 갭(cell gap)을 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소의 셀 갭(cell gap) 대비 크게 형성하여 복수의 서브 화소 사이의 액정의 응답 시간을 동등한 수준으로 맞추어 줌으로써, 모션 블러(motion blur) 현상의 발생을 최소화할 수 있다.That is, the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention has a cell gap of the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), that is, the N+2-th sub-pixel ((N In +2)Sub-PXL), the distance between the first substrate 101 and the second substrate 121 is the cell gap of the N+3th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL), that is, Distance between the first substrate 101 and the second substrate 121 of the N+3th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) and the distance between the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) is formed larger than the cell gap, that is, the distance between the first substrate 101 and the second substrate 121 of the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL). In other words, the cell gap of the red sub-pixel is made larger than that of the green sub-pixel and the blue sub-pixel, so that the response time of the liquid crystal between the plurality of sub-pixels is adjusted to an equal level, thereby reducing motion blur. The occurrence of the (motion blur) phenomenon can be minimized.

제 1 보호층(112)의 하부에는 제 3 보호층(111)을 더 포함할 수 있다. 제 3 보호층(111)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 제 3 보호층(111)은 하부 드레인 전극(110)의 일부를 노출하는 컨택홀을 구비한다.A third protective layer 111 may be further included below the first protective layer 112. The third protective layer 111 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), but is not necessarily limited thereto. And, the third protective layer 111 has a contact hole exposing a portion of the lower drain electrode 110.

도 3을 참조하면, 제 1 보호층(112) 상에 공통 전극(114)이 형성된다. 공통 전극(114)은 판(plate) 형상으로 제 1 기판(101)의 전면에 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 공통 전극(114)은 드레인 전극(110)의 일부를 노출하는 공통 전극 홀(115)을 포함하여 형성된다. Referring to FIG. 3, a common electrode 114 is formed on the first protective layer 112. The common electrode 114 has a plate shape and may be made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) on the front surface of the first substrate 101, but is not necessarily limited thereto. The common electrode 114 is formed to include a common electrode hole 115 that exposes a portion of the drain electrode 110.

공통 전극(114) 상의 제 1 기판(101) 전면에 제 2 보호층(116)이 형성된다. 제 2 보호층(116)은 공통 전극(114)을 덮도록 형성되고, 드레인 전극(110)의 일부를 노출하는 제 2 보호층 컨택홀(117)을 구비한다. 제 2 보호층(116)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.A second protective layer 116 is formed on the entire surface of the first substrate 101 on the common electrode 114. The second protective layer 116 is formed to cover the common electrode 114 and has a second protective layer contact hole 117 that exposes a portion of the drain electrode 110. The second protective layer 116 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), but is not necessarily limited thereto.

제 2 보호층(116) 상에 화소 전극(118)이 형성된다. 화소 전극(118)은 제 3 보호층(111)에 구비된 컨택홀과 제 1 보호층(112) 및 제 2 보호층(116) 각각에 구비된 컨택홀(113) 및 제 2 보호층 컨택홀(117)을 통해 드레인 전극(110)과 연결된다.A pixel electrode 118 is formed on the second protective layer 116. The pixel electrode 118 has a contact hole provided in the third protective layer 111, a contact hole 113 provided in each of the first protective layer 112 and the second protective layer 116, and a contact hole in the second protective layer. It is connected to the drain electrode 110 through (117).

도 3에서는 박막 트랜지스터가 P형(P-type) 박막 트랜지스터인 경우를 가정하여 화소 전극(118)이 드레인 전극(110)과 연결되는 것으로 설명하였다. 그러나, 박막 트랜지스터가 N형(N-type) 박막 트랜지스터인 경우에는 화소 전극(118)이 소스 전극(109)에 연결될 수도 있다.In FIG. 3 , it is assumed that the thin film transistor is a P-type thin film transistor, and the pixel electrode 118 is connected to the drain electrode 110. However, if the thin film transistor is an N-type thin film transistor, the pixel electrode 118 may be connected to the source electrode 109.

또한, 화소 전극(118)은 복수의 핑거부(finger)를 포함하는 구조로 이루어질 수 있으며, 적어도 하나의 굴곡부를 가지도록 형성될 수 있다.Additionally, the pixel electrode 118 may have a structure including a plurality of fingers and may be formed to have at least one curved portion.

화소 전극(118)은 제 2 보호층(116)을 사이에 두고 서로 다른 층에 있는 공통 전극(114)과 프린지 필드(fringe field)를 형성한다. 그리고 프린지 필드에 의해 액정층(140)의 액정 분자들이 유전율 이방성에 의해 회전하며, 액정 분자들의 회전 정도에 따라 표시 화소(P) 영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 화상이 구현된다.The pixel electrode 118 forms a fringe field with the common electrode 114 on a different layer with the second protective layer 116 interposed therebetween. Additionally, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 140 rotate due to dielectric anisotropy due to the fringe field, and the light transmittance passing through the display pixel (P) area varies depending on the degree of rotation of the liquid crystal molecules, thereby creating an image.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)의 화소 전극(118)은 적어도 하나의 굴곡부를 가지도록 형성되며, 서로 다른 방향으로 연장된 제 1 영역(P1)과 제 2 영역(P2)을 포함하여 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 3, the pixel electrode 118 of the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention is formed to have at least one curved portion, and includes a first region P1 extending in different directions and a first region P1 extending in different directions. It may include two areas (P2).

보다 구체적으로, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL), N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 화소 전극(118)은 각각 제 1 방향으로 연장된 제 1 영역(P1)과 제 2 방향으로 연장된 제 2 영역(P2) 및 제 1 영역(P1)과 제 2 영역(P2)을 연결하는 연결부를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 화소 전극(118)의 제 1 영역(P1)과 제 2 영역(P2)은 제 1 영역(P1)과 제 2 영역(P2)이 연결되는 연결부를 기준으로 서로 대칭되도록 형성될 수 있다. More specifically, the N+2th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), the N+3th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL), and the N+4th sub-pixel ((N+4) The pixel electrode 118 of Sub-PXL includes a first region P1 extending in the first direction, a second region P2 extending in the second direction, and a first region P1 and a second region P2. ) may be configured to include a connection part that connects. The first region P1 and the second region P2 of the pixel electrode 118 may be formed to be symmetrical to each other with respect to a connection portion where the first region P1 and the second region P2 are connected.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)의 제 1 기판(101)과 대향하여 위치하는 제 2 기판(121) 상에는 표시 화소(P)의 개구 영역과 차광 영역을 정의하는 블랙 매트릭스(BM, 122)가 형성된다. 2 and 3, on the second substrate 121 located opposite to the first substrate 101 of the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention, an opening area of the display pixel P and A black matrix (BM, 122) defining a light blocking area is formed.

블랙 매트릭스(122)가 형성된 영역은 차광 영역으로 정의되고, 블랙 매트릭스(122)가 형성되지 않은 영역은 개구 영역으로 정의된다. 차광 영역에 대응하는 영역에는 박막 트랜지스터(TFT), 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 등과 같은 다양한 구동 소자 및 배선이 형성되고, 개구 영역으로 정의되는 영역에는 공통 전극(114)과 화소 전극(118)이 형성된다.The area where the black matrix 122 is formed is defined as a light blocking area, and the area where the black matrix 122 is not formed is defined as an opening area. Various driving elements and wiring, such as a thin film transistor (TFT), gate line (GL), and data line (DL), are formed in the area corresponding to the light blocking area, and the common electrode 114 and the pixel electrode are formed in the area defined as the opening area. (118) is formed.

블랙 매트릭스(122)는 제 1 기판(101)의 박막 트랜지스터, 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL) 중 적어도 어느 하나와 중첩되도록 제 2 기판(121) 상에 형성된다. The black matrix 122 is formed on the second substrate 121 to overlap at least one of the thin film transistor, gate line GL, and data line DL of the first substrate 101.

보다 구체적으로, 블랙 매트릭스(122)는 게이트 라인(GL)을 따라 배치된 게이트 BM(122a) 및 데이터 라인(DL)을 따라 배치된 데이터 BM(122b)을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(122)는 불투명한 유기 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어서 블랙 레진(black resin)을 포함하여 이루어질 수 있다. 그리고, 블랙 매트릭스(122)는 화소 전극(118)의 형상에 따라 적어도 하나의 굴곡부를 가지도록 형성될 수 있다. 또한, 데이터 라인(DL)은 화소 전극(118)의 형상에 따라 적어도 하나의 굴곡부를 가지도록 형성될 수 있다.More specifically, the black matrix 122 may include a gate BM 122a disposed along the gate line GL and a data BM 122b disposed along the data line DL. The black matrix 122 may be made of an opaque organic material, for example, black resin. Additionally, the black matrix 122 may be formed to have at least one curved portion according to the shape of the pixel electrode 118. Additionally, the data line DL may be formed to have at least one curved portion according to the shape of the pixel electrode 118.

도 2를 참조하면, 제 2 기판(121)에 형성되는 게이트 BM(122a)은 하부에 배치되는 게이트 라인(GL) 및 박막 트랜지스터 영역을 가릴 수 있도록 X1의 폭으로 형성될 수 있다. 또한 데이터 BM(122b)은 하부에 배치되는 데이터 라인(DL) 영역을 가릴 수 있도록 X2의 폭으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2, the gate BM 122a formed on the second substrate 121 may be formed to have a width of X1 to cover the gate line GL and the thin film transistor area disposed below. Additionally, the data BM 122b may be formed to have a width of X2 so as to cover the data line DL area disposed below.

도 3 및 도 4를 참조하면, 블랙 매트릭스(122a) 상에는 적색 컬러 필터(124), 녹색 컬러 필터(125), 청색 컬러 필터(126)를 포함하는 컬러 필터(Color Filter)가 형성된다. 상기 컬러 필터(124, 125, 126)는 각각 자신이 포함하고 있는 적색, 녹색, 및 청색 안료를 통해 특정 파장의 광을 흡수 또는 투과시킴으로써 적색, 녹색 및 청색을 표현할 수 있다. 그리고, 상기 컬러 필터(124, 125, 126)는 화소 전극(118)의 형상에 따라 적어도 하나의 굴곡부를 가지도록 형성될 수 있다.Referring to Figures 3 and 4, a color filter including a red color filter 124, a green color filter 125, and a blue color filter 126 is formed on the black matrix 122a. The color filters 124, 125, and 126 can express red, green, and blue colors by absorbing or transmitting light of a specific wavelength through the red, green, and blue pigments they contain, respectively. Additionally, the color filters 124, 125, and 126 may be formed to have at least one curved portion according to the shape of the pixel electrode 118.

컬러 필터(124, 125, 126) 상에는 오버 코트(127)가 형성된다. 오버 코트(127)는 상기 컬러 필터(124, 125, 126)를 보호하는 역할을 할 수 있으며, 평탄화 특성이 우수한 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. An overcoat 127 is formed on the color filters 124, 125, and 126. The overcoat 127 may serve to protect the color filters 124, 125, and 126, and may be made of an organic or inorganic material with excellent planarization characteristics.

그리고, 제 1 기판(101)과 제 2 기판(121) 사이에는 유전율 이방성을 갖는 액정(LC)으로 이루어진 액정층(140)이 구성될 수 있다. Additionally, a liquid crystal layer 140 made of liquid crystal (LC) having dielectric anisotropy may be formed between the first substrate 101 and the second substrate 121.

액정층(140)은 제 1 기판(101) 상의 화소 전극(118) 상에 형성된 하부 배향막(156)과 제 2 기판(121) 상의 오버 코트(127) 상에 형성된 상부 배향막(157) 사이에 형성된다. 하부 배향막(156) 및 상부 배향막(157)은 액정층(140) 내 액정(LC)의 초기 배향을 결정하고 유지하는 역할을 한다.The liquid crystal layer 140 is formed between the lower alignment layer 156 formed on the pixel electrode 118 on the first substrate 101 and the upper alignment layer 157 formed on the overcoat 127 on the second substrate 121. do. The lower alignment film 156 and the upper alignment film 157 serve to determine and maintain the initial orientation of the liquid crystal (LC) in the liquid crystal layer 140.

상기 액정층(140) 내 포함되는 액정(LC)은 공통 전극(114)과 화소 전극(118)에 의해 형성된 전계에 의해서 액정(LC)의 배열 상태가 조절된다. 음의 유전율 이방성을 갖는 액정(LC) 즉, 네거티브(negative) 액정은 유전율 이방성(△ε=ε∥ - ε⊥)이 음(-)의 값을 가지는 액정으로, 수직 유전율이 수평 유전율보다 큰 값을 갖는다. 반면에 포지티브(positive) 액정의 경우, 유전율 이방성이 양(+)의 값을 가지는 액정으로, 수평 유전율이 수직 유전율 보다 큰 값을 갖는다. The alignment state of the liquid crystal (LC) included in the liquid crystal layer 140 is adjusted by the electric field formed by the common electrode 114 and the pixel electrode 118. Liquid crystal (LC) with negative dielectric anisotropy, that is, negative liquid crystal, is a liquid crystal with a negative dielectric anisotropy (△ε=ε∥ - ε⊥), where the vertical dielectric constant is greater than the horizontal dielectric constant. has On the other hand, in the case of positive liquid crystal, the dielectric constant anisotropy is positive (+), and the horizontal dielectric constant is larger than the vertical dielectric constant.

상기 음의 유전율 이방성을 갖는 액정(LC) 즉, 네거티브(negative) 액정은 전계 방향과 수직한 방향으로 액정(LC)의 방향자(director)가 배열된다. 따라서, 공통 전극(114)과 화소 전극(118) 사이에 전계가 형성되면, 공통 전극(114)과 화소 전극(118) 사이 영역의 액정 뿐만 아니라 공통 전극(114)과 화소 전극(118) 상부 영역의 액정의 방향자가 모두 제 1 기판(101) 및 제 2 기판(121)의 수평 면에 대해서 평행하게 배열된다. 따라서, 포지티브 액정에 비하여 네거티브 액정(LC)의 경우, 광 투과율이 향상되어 상대적으로 우수한 휘도 특성을 나타낼 수 있다.In the liquid crystal (LC) having negative dielectric anisotropy, that is, the negative liquid crystal (LC), the director of the liquid crystal (LC) is arranged in a direction perpendicular to the direction of the electric field. Therefore, when an electric field is formed between the common electrode 114 and the pixel electrode 118, not only the liquid crystal in the area between the common electrode 114 and the pixel electrode 118 but also the upper area between the common electrode 114 and the pixel electrode 118 All liquid crystal directors of are arranged parallel to the horizontal planes of the first substrate 101 and the second substrate 121. Therefore, compared to positive liquid crystal, negative liquid crystal (LC) has improved light transmittance and can exhibit relatively excellent luminance characteristics.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)는 제 1 기판(101) 상에 형성된 범프 스페이서(bump spacer)인 제 1 스페이서(119)를 포함하여 구성된다. 2 and 3, the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention includes a first spacer 119, which is a bump spacer, formed on the first substrate 101. .

제 1 스페이서(119)는 제 1 스페이서의 제 1 영역(119a), 제 1 스페이서의 제 2 영역(119b) 및 제 1 스페이서의 제 3 영역(119c)을 포함하여 이루어지며, 제 1 기판(101)의 제 2 보호층(116) 및 화소 전극(118) 상에 형성된다. The first spacer 119 includes a first area 119a of the first spacer, a second area 119b of the first spacer, and a third area 119c of the first spacer, and the first substrate 101 ) is formed on the second protective layer 116 and the pixel electrode 118.

제 1 스페이서의 제 1 영역(119a)은 제 2 스페이서(128)에 대응되는 위치에 배치되며, 제 2 기판(121) 상에 형성된 제 2 스페이서(128)와 접촉되어 액정 표시 장치의 셀 갭(cell gap)을 유지하는 범프 스페이서(bump spacer)의 역할을 한다. The first area 119a of the first spacer is disposed at a position corresponding to the second spacer 128, and is in contact with the second spacer 128 formed on the second substrate 121 to form a cell gap ( It functions as a bump spacer to maintain the cell gap.

그리고, 제 1 스페이서의 제 2 영역(119b)은 제 3 스페이서(129)에 대응되는 위치에 배치되며, 제 2 기판(121) 상에 형성된 제 3 스페이서(129)와 접촉하지 않고 일정 거리를 가지고 이격되어 위치하는 범프 스페이서(bump spacer)의 역할을 한다. In addition, the second area 119b of the first spacer is disposed at a position corresponding to the third spacer 129, and has a certain distance from the third spacer 129 formed on the second substrate 121 without contacting the second area 119b. It functions as a bump spacer that is positioned spaced apart.

제 1 스페이서(119)는 무기막 또는 유기막의 단일층 또는 2층 이상의 무기막 또는 유기막이 적층된 다중층으로 이루어질 수도 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제 1 스페이서의 제 1 영역(119a), 제 1 스페이서의 제 2 영역(119b) 및 제 1 스페이서의 제 3 영역(119c)은 모두 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.The first spacer 119 may be made of a single layer of an inorganic film or an organic film, or a multi-layer of two or more layers of an inorganic film or an organic film, but is not necessarily limited thereto. That is, the first region 119a of the first spacer, the second region 119b of the first spacer, and the third region 119c of the first spacer may all be formed of the same material in the same layer.

제 1 스페이서의 제 1 영역(119a), 제 1 스페이서의 제 2 영역(119b) 및 제 1 스페이서의 제 3 영역(119c)은 각각 바(bar) 형태의 평면 구조를 가지며, 데이터 라인(DL)이 연장된 방향보다 게이트 라인(GL)이 연장된 방향으로 길게 형성될 수 있다.The first area 119a of the first spacer, the second area 119b of the first spacer, and the third area 119c of the first spacer each have a bar-shaped planar structure, and the data line DL The gate line GL may be formed to be longer in the extended direction than in this extended direction.

도 2 및 도 3을 참조하면, 제 1 스페이서(119) 즉, 제 1 스페이서의 제 1 영역(119a), 제 1 스페이서의 제 2 영역(119b) 및 제 1 스페이서의 제 3 영역(119c)은 게이트 라인(GL) 상에 위치하고, 박막 트랜지스터 상의 평탄화층의 역할을 하는 제 1 보호층(112)에 구비된 컨택홀의 적어도 일부를 덮도록 형성된다. 2 and 3, the first spacer 119, that is, the first area 119a of the first spacer, the second area 119b of the first spacer, and the third area 119c of the first spacer It is located on the gate line GL and is formed to cover at least a portion of the contact hole provided in the first protective layer 112, which serves as a planarization layer on the thin film transistor.

보다 구체적으로, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)의 제 1 기판(101) 상에 형성된 제 1 스페이서의 제 1 영역(119a)은 N번째 서브 화소((N)Sub-PXL), 즉 제 1 서브 화소와 N+1번째 서브 화소((N+1)Sub-PXL), 즉 제 2 서브 화소에 각각 대응되는 제 1 컨택홀(113a)과 제 2 컨택홀(113b)을 덮도록 형성된다. 즉, 제 1 스페이서의 제 1 영역(119a)은 제 1 컨택홀(113a)과 제 2 컨택홀(113b)의 적어도 일부를 덮도록 형성되어 상기 컨택홀(113a, 113b)에 의한 제 1 기판(101) 상의 단차를 줄이는 역할을 할 수 있다.More specifically, referring to FIGS. 2 and 3, the first region 119a of the first spacer formed on the first substrate 101 of the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention is the Nth sub A first contact hole 113a corresponding to a pixel ((N)Sub-PXL), i.e., a first sub-pixel, and an N+1-th sub-pixel ((N+1)Sub-PXL), i.e., a second sub-pixel, respectively. It is formed to cover the second contact hole 113b. That is, the first area 119a of the first spacer is formed to cover at least a portion of the first contact hole 113a and the second contact hole 113b, so that the first substrate (119a) is formed by the contact holes 113a and 113b. 101) It can play a role in reducing the step difference in the top.

그리고, 제 1 기판(101) 상에 형성된 제 1 스페이서의 제 2 영역(119b)은 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL), 즉 제 4 서브 화소와 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL), 즉 제 5 서브 화소에 각각 대응되는 제 3 컨택홀(113c)과 제 4 컨택홀(113d)을 덮도록 형성된다. 즉, 제 1 스페이서의 제 2 영역(119b)은 제 3 컨택홀(113c)과 제 4 컨택홀(113d)의 적어도 일부를 덮도록 형성되어 상기 컨택홀(113c, 113d)에 의한 제 1 기판(101) 상의 단차를 줄이는 역할을 할 수 있다.And, the second region 119b of the first spacer formed on the first substrate 101 is the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL), that is, the 4th sub-pixel and the N+4-th sub-pixel. It is formed to cover the third contact hole 113c and the fourth contact hole 113d respectively corresponding to the pixel ((N+4)Sub-PXL), that is, the fifth sub-pixel. That is, the second area 119b of the first spacer is formed to cover at least a portion of the third contact hole 113c and the fourth contact hole 113d, thereby forming the first substrate (119b) by the contact holes 113c and 113d. 101) It can play a role in reducing the step difference in the top.

그리고, 제 1 기판(101) 상에 형성된 제 1 스페이서의 제 1 영역(119a)과 제 1 스페이서의 제 2 영역(119b) 사이에 위치하는 제 1 스페이서의 제 3 영역(119c)은 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL), 즉 제 3 서브 화소에 대응되는 제 5 컨택홀(113e)을 덮도록 형성된다. 즉, 제 1 스페이서의 제 3 영역(119c)은 제 5 컨택홀(113e)의 적어도 일부를 덮도록 형성되어 상기 컨택홀(113e)에 의한 제 1 기판(101) 상의 단차를 줄이는 역할을 할 수 있다.And, the third region 119c of the first spacer located between the first region 119a of the first spacer formed on the first substrate 101 and the second region 119b of the first spacer is N+2. It is formed to cover the fifth contact hole 113e corresponding to the th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), that is, the third sub-pixel. That is, the third area 119c of the first spacer is formed to cover at least a portion of the fifth contact hole 113e and can serve to reduce the level difference on the first substrate 101 caused by the contact hole 113e. there is.

또한 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)는 제 2 기판(121) 상에 형성되고, 제 1 기판(101) 상에 형성된 제 1 스페이서의 제 1 영역(119a)에 대응되어 위치하는 제 2 스페이서(128)를 포함하여 구성된다. 즉, 제 2 스페이서(128)는 제 1 기판(101)의 박막 트랜지스터 상에 형성된 제 1 스페이서의 제 1 영역(119a)과 적어도 일부가 중첩되어 상호 교차한 형태로 배치된다.Also, referring to Figures 2 and 3, the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention is formed on a second substrate 121, and the first spacer formed on the first substrate 101 It is configured to include a second spacer 128 located corresponding to the area 119a. That is, the second spacer 128 is disposed in a form that overlaps at least a portion of the first region 119a of the first spacer formed on the thin film transistor of the first substrate 101 and crosses each other.

제 2 스페이서(128)는 바(bar) 형태의 평면 구조를 가지며, 게이트 라인(GL)이 연장된 방향보다 데이터 라인(DL)이 연장된 방향으로 길게 형성될 수 있다. The second spacer 128 has a bar-shaped planar structure and may be formed to be longer in the direction in which the data line DL extends than in the direction in which the gate line GL extends.

제 2 스페이서(128)는 제 2 기판(121)의 오버 코트(127) 상에 형성되며, 제 1 기판(101) 상에 형성된 제 1 스페이서의 제 1 영역(119a)과 접촉되어 액정 표시 장치의 셀 갭(cell gap)을 유지하는 갭 스페이서(gap spacer)의 역할을 한다.The second spacer 128 is formed on the overcoat 127 of the second substrate 121, and is in contact with the first region 119a of the first spacer formed on the first substrate 101 to form a liquid crystal display device. It functions as a gap spacer to maintain the cell gap.

제 2 스페이서(128)는 N번째 서브 화소((N)Sub-PXL)인 제 1 서브 화소와 N+1번째 서브 화소((N+1)Sub-PXL)인 제 2 서브 화소 사이에서 데이터 라인(DL)과 적어도 일부가 중첩되도록 하여 블랙 매트릭스(122) 상의 차광 영역에 대응되어 위치할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되지 않으며, 제 2 스페이서(128)는 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)인 제 3 서브 화소와 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)인 제 4 서브 화소 사이의 블랙 매트릭스(122) 상의 차광 영역에 대응되어 위치할 수도 있다.The second spacer 128 is a data line between the first sub-pixel, which is the N-th sub-pixel ((N)Sub-PXL), and the second sub-pixel, which is the N+1-th sub-pixel ((N+1)Sub-PXL). It can be positioned to correspond to the light blocking area on the black matrix 122 so that at least part of it overlaps with (DL). However, it is not necessarily limited to this, and the second spacer 128 is used for the third sub-pixel, which is the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), and the third sub-pixel, which is the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub- It may be located corresponding to the light blocking area on the black matrix 122 between the fourth sub-pixels (PXL).

제 2 스페이서(128)는 무기막 또는 유기막의 단일층 또는 2층 이상의 무기막 또는 유기막이 적층된 다중층으로 이루어질 수도 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제 2 스페이서(128)는 제 1 스페이서의 제 1 영역(119a)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. The second spacer 128 may be made of a single layer of an inorganic or organic film or a multi-layer of two or more inorganic or organic films stacked, but is not limited thereto. The second spacer 128 may be made of the same material as the first area 119a of the first spacer.

또한 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)는 제 2 기판(121) 상에 형성되고, 제 1 기판(101) 상에 형성된 제 1 스페이서 제 2 영역(119b)에 대응되어 위치하는 제 3 스페이서(129)를 포함하여 구성된다. Also, referring to FIG. 2, the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention is formed on a second substrate 121, and the first spacer second region 119b formed on the first substrate 101 It is configured to include a third spacer 129 located corresponding to.

제 3 스페이서(129)는 제 1 기판(101)의 박막 트랜지스터 상에 형성된 제 1 스페이서 제 2 영역(119b)과 적어도 일부가 서로 중첩된 형태로 배치된다. 제 3 스페이서(129)는 원형(circle)의 평면 구조를 가지도록 형성될 수 있다. The third spacer 129 is disposed so as to at least partially overlap the first spacer second region 119b formed on the thin film transistor of the first substrate 101. The third spacer 129 may be formed to have a circular planar structure.

제 3 스페이서(129)는 제 2 기판(121)의 오버 코트(127) 상에 형성되며, 제 1 기판(101) 상에 형성된 제 1 스페이서 제 2 영역(119b)과 접촉하지 않고 일정 거리를 가지고 이격되어 위치하며, 액정 표시 장치의 눌림 갭을 형성하는 눌림 스페이서(push spacer)의 역할을 한다. 즉, 눌림 스페이서에 의해 외부 압력으로 인한 액정 표시 장치의 손상을 방지할 수 있다.The third spacer 129 is formed on the overcoat 127 of the second substrate 121, and has a certain distance from the first spacer second region 119b formed on the first substrate 101 without contacting the second region 119b. They are positioned spaced apart and serve as push spacers that form a push gap of the liquid crystal display device. In other words, damage to the liquid crystal display device due to external pressure can be prevented by the pressing spacer.

제 3 스페이서(129)는 제 2 스페이서(128) 보다 낮은 높이로 형성될 수 있으며, 제 3 스페이서(129)와 제 2 스페이서(128)는 하프톤 마스크(halftone mask)를 이용한 하프톤 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다. The third spacer 129 may be formed at a lower height than the second spacer 128, and the third spacer 129 and the second spacer 128 may be formed through a halftone process using a halftone mask. can be formed simultaneously.

또한 제 3 스페이서(129)는 N번째 서브 화소((N)Sub-PXL)인 제 1 서브 화소와 N+1번째 서브 화소((N+1)Sub-PXL)인 제 2 서브 화소 사이에서 데이터 라인(DL)과 적어도 일부가 중첩되도록 하여 블랙 매트릭스(122) 상의 차광 영역에 대응되어 위치할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되지 않으며, 제 3 스페이서(129)는 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)인 제 3 서브 화소와 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)인 제 4 서브 화소 사이의 블랙 매트릭스(122) 상의 차광 영역에 대응되어 위치할 수도 있다.Additionally, the third spacer 129 stores data between the first sub-pixel, which is the N-th sub-pixel ((N)Sub-PXL), and the second sub-pixel, which is the N+1-th sub-pixel ((N+1)Sub-PXL). It may be positioned to correspond to the light blocking area on the black matrix 122 so that at least part of the line DL overlaps. However, it is not necessarily limited to this, and the third spacer 129 includes the third sub-pixel, which is the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), and the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub -PXL) may be located corresponding to the light blocking area on the black matrix 122 between the fourth sub-pixels.

제 3 스페이서(129)는 무기막 또는 유기막의 단일층 또는 2층 이상의 무기막 또는 유기막이 적층된 다중층으로 이루어질 수도 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제 3 스페이서(129)는 제 1 스페이서의 제 2 영역(119b)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. The third spacer 129 may be made of a single layer of an inorganic film or an organic film, or a multi-layer of two or more layers of an inorganic film or an organic film, but is not necessarily limited thereto. The third spacer 129 may be made of the same material as the second region 119b of the first spacer.

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)는 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)의 셀 갭(cell gap), 즉 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)의 제 1 기판(101)과 제 2 기판(121) 사이의 거리(C1)가 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 셀 갭(cell gap), 즉 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 제 1 기판(101)과 제 2 기판(121) 사이의 거리(C2) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 셀 갭(cell gap), 즉 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 제 1 기판(101)과 제 2 기판(121) 사이의 거리(C3)보다 크게 형성된다. 보다 구체적으로, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)에서의 하부 배향막(156)과 상부 배향막(157) 사이의 거리는 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)에서의 하부 배향막(156)과 상부 배향막(157) 사이의 거리보다 크게 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4, the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention has a cell gap of the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), that is, the N+2-th sub-pixel. The distance C1 between the first substrate 101 and the second substrate 121 of the pixel ((N+2)Sub-PXL) is the cell of the N+3th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL). Gap (cell gap), that is, the distance (C2) between the first substrate 101 and the second substrate 121 of the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) and the N+4-th sub-pixel Cell gap of ((N+4)Sub-PXL), that is, between the first substrate 101 and the second substrate 121 of the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) It is formed larger than the distance (C3) of . More specifically, the distance between the lower alignment layer 156 and the upper alignment layer 157 in the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) is the distance between the lower alignment layer 156 and the upper alignment layer 157 in the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub- PXL) and the distance between the lower alignment layer 156 and the upper alignment layer 157 in the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL).

이러한 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)의 제 1 기판(101)과 제 2 기판(121) 사이의 거리(C1)와 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 제 1 기판(101)과 제 2 기판(121) 사이의 거리(C2) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 제 1 기판(101)과 제 2 기판(121) 사이의 거리(C3)의 차이는 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)에서의 제 1 보호층(112)의 두께를 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)에서의 제 1 보호층(112)의 두께와 다르게 형성함으로써 이루어질 수 있다. The distance (C1) between the first substrate 101 and the second substrate 121 of the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) and the N+3-th sub-pixel ((N+3) The distance C2 between the first substrate 101 and the second substrate 121 of the Sub-PXL) and the distance C2 between the first substrate 101 and the second substrate 121 of the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) The difference in distance C3 between the two substrates 121 is the thickness of the first protective layer 112 in the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) at the N+3-th sub-pixel (( This can be achieved by forming a thickness different from that of the first protective layer 112 in the (N+3)Sub-PXL) and the (N+4)th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL).

보다 구체적으로, 도 4를 참조하면, 박막 트랜지스터 상의 제 1 보호층(112)은 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)에서 제 1 두께(H1)를 가지도록 형성되고, N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)에서 제 1 두께(H1)보다 큰 제 2 두께(H2)를 가지도록 형성되고, N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)에서 제 1 두께(H1)보다 큰 제 3 두께(H3)를 가지도록 형성될 수 있다. More specifically, referring to FIG. 4, the first protective layer 112 on the thin film transistor is formed to have a first thickness H1 in the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), It is formed to have a second thickness (H2) greater than the first thickness (H1) in the N+3th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL), and the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub -PXL) may be formed to have a third thickness (H3) greater than the first thickness (H1).

즉, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께(H1)는 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)에서의 제 1 보호층(112)의 두께(H2) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)에서의 제 1 보호층(112)의 두께(H3) 보다 작게 형성될 수 있다. 여기서, N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께(H2)와 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께(H3)는 동일하게 형성될 수 있다. That is, the thickness (H1) of the first protective layer 112 in the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) is greater than that in the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL). It may be formed to be smaller than the thickness H2 of the first protective layer 112 and the thickness H3 of the first protective layer 112 in the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL). Here, the thickness (H2) of the first protective layer 112 in the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) and the thickness (H2) of the first protective layer 112 in the N+4-th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) 1 The thickness H3 of the protective layer 112 may be formed to be the same.

N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께(H1), N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께(H2) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께(H3) 차이는 하프톤 마스크(halftone mask)를 이용한 하프톤(halftone) 공정에 의해 이루어질 수 있다. 하프톤 마스크(halftone mask)는 차광부, 투광부 및 반투광부를 갖는 마스크로서, 차광부는 빛을 차단하는 부분이고, 투광부는 빛을 투과하는 부분이며, 반투광부는 빛의 투과량이 상기 투광부보다 적은 부분을 말한다. 이러한 하프톤 마스크를 사용하는 경우, 빛의 양을 차등적으로 인가함으로써 높이가 서로 다른 패턴을 동시에 형성할 수 있다.Thickness (H1) of the first protective layer 112 in the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), first protection in the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) The difference between the thickness (H2) of the layer 112 and the thickness (H3) of the first protective layer 112 in the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) is calculated using a halftone mask. This can be achieved by a halftone process. A halftone mask is a mask that has a light-shielding part, a light-transmitting part, and a semi-transmissive part. The light-shielding part is a part that blocks light, the light-transmitting part is a part that transmits light, and the semi-transmissive part transmits light more than the light transmitting part. It refers to a small part. When using such a halftone mask, patterns of different heights can be formed simultaneously by differentially applying the amount of light.

N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께(H1)와 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께(H2) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께(H3)의 차이는 복수의 서브 화소 사이의 응답 시간(response time)의 차이를 고려하여 설정될 수 있으며, 1.0㎛ 내지 1.5㎛의 수준으로 형성될 수 있다. Thickness (H1) of the first protective layer 112 in the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) and the first protection in the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) The difference between the thickness H2 of the layer 112 and the thickness H3 of the first protective layer 112 in the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) is the response time between the plurality of sub-pixels. It can be set considering the difference in response time, and can be formed at a level of 1.0㎛ to 1.5㎛.

응답 시간(response time)은 셀 갭(cell gap)이 증가함에 따라 작아질 수 있으며, 이러한 특성을 이용하여 제 1 보호층(112)의 두께를 조절하여 셀 갭(cell gap)을 형성해 줌으로써 서브 화소 간의 응답 시간을 요구되는 수준으로 설정할 수 있다. 예를 들어서, N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께(H2) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께(H3)가 3.0㎛로 형성되는 경우, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)에서 제 1 보호층(112)의 두께(H1)는 1.5㎛ 내지 2.0㎛ 수준으로 형성될 수 있다. The response time may decrease as the cell gap increases, and using this characteristic, the thickness of the first protective layer 112 is adjusted to form a cell gap, thereby increasing the sub-pixel The response time between devices can be set to the required level. For example, the thickness (H2) of the first protective layer 112 in the N+3th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) and the thickness (H2) of the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) When the thickness (H3) of the first protective layer 112 is formed to be 3.0 ㎛, the thickness (H1) of the first protective layer 112 in the N+2th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) Can be formed at the level of 1.5㎛ to 2.0㎛.

그리고, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)는 적색 서브 화소, N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)는 녹색 서브 화소, N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)는 청색 서브 화소일 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)의 경우, 적색 서브 화소에서의 셀 갭(cell gap)이 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소의 셀 갭(cell gap)보다 크게 형성될 수 있다.And, the N+2th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) is a red sub-pixel, the N+3th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) is a green sub-pixel, and the N+4th sub-pixel is ((N+4)Sub-PXL) may be a blue sub-pixel. That is, in the case of the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention, the cell gap in the red sub-pixel may be formed to be larger than the cell gap in the green sub-pixel and the blue sub-pixel. .

상기와 같이 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL), 즉 적색 서브 화소에서 셀 갭(cell gap)을 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL), 즉 녹색 서브 화소 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL), 즉 청색 서브 화소의 셀 갭(cell gap) 대비 크게 형성하는 경우, 장파장의 적색 서브 화소에서의 투과율이 향상될 수 있으며, 이에 따라 액정 표시 장치의 투과율이 향상될 수 있다.As above, the cell gap in the N+2th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), i.e., the red sub-pixel, is reduced to the N+3th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL), i.e. If the cell gap of the green sub-pixel and the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL), that is, the blue sub-pixel, is formed larger, the transmittance in the long-wavelength red sub-pixel can be improved. And, accordingly, the transmittance of the liquid crystal display device can be improved.

즉, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 적색 서브 화소에서 평탄화층의 두께를 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에서의 평탄화층의 두께보다 작게 형성하여 적색 서브 화소의 셀 갭(cell gap)을 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소의 셀 갭(cell gap) 대비 크게 형성함으로써, 복수의 서브 화소 사이의 액정의 응답 시간을 동등한 수준으로 맞출 수 있으며, 모션 블러(motion blur) 현상의 발생을 최소화할 수 있다. That is, in the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, the thickness of the planarization layer in the red sub-pixel is formed to be smaller than the thickness of the planarization layer in the green sub-pixel and the blue sub-pixel, thereby reducing the cell gap of the red sub-pixel. By forming a larger cell gap compared to the green sub-pixel and the blue sub-pixel, the response time of the liquid crystal between multiple sub-pixels can be adjusted to the same level and the occurrence of motion blur phenomenon can be minimized. there is.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 모션 블러 현상의 발생을 최소화함으로써, 액정 표시 장치의 표시 품질 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Additionally, the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention can improve display quality and reliability of the liquid crystal display device by minimizing the occurrence of motion blur.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 전극의 평면 구조를 나타내는 도면이다.Figure 5 is a diagram showing the planar structure of a pixel electrode of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 5에서는 설명의 편의를 위해, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)에서 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)의 화소 전극(118a), N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 화소 전극(118b) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 화소 전극(118c)만을 도시하였다. In FIG. 5 , for convenience of explanation, the pixel electrode 118a of the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) and the N+3-th sub-pixel in the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention are shown in FIG. Only the pixel electrode 118b of the sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) and the pixel electrode 118c of the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) are shown.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)의 화소 전극(118)은 적어도 하나의 굴곡부를 가지도록 형성된다. 즉, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)의 화소 전극(118a), N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 화소 전극(118b) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 화소 전극(118c)는 각각 서로 다른 방향으로 연장된 제 1 영역(P1)과 제 2 영역(P2) 및 제 1 영역(P1)과 제 2 영역(P2)을 연결하는 연결부를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 5, the pixel electrode 118 of the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention is formed to have at least one curved portion. That is, the pixel electrode 118a of the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), the pixel electrode 118b of the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL), and the N+ The pixel electrode 118c of the fourth sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) has a first area (P1) and a second area (P2) extending in different directions, and the first area (P1) and the second area (P2), respectively. It may be configured to include a connection part connecting two areas (P2).

보다 구체적으로, 도 5를 참조하면, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)의 화소 전극(118a)의 제 1 영역(P1)은 게이트 라인(GL)이 연장된 방향인 제 3 방향(D3)에 대해서 제 1 방향(D1)으로 A1의 각도를 가지도록 연장되어 형성된다. 그리고, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)의 화소 전극(118a)의 제 2 영역(P2)은 게이트 라인(GL)이 연장된 방향인 제 3 방향(D3)에 대해서 제 2 방향(D2)으로 A2의 각도를 가지도록 연장되어 형성될 수 있다. More specifically, referring to FIG. 5, the first region P1 of the pixel electrode 118a of the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) is located in the direction in which the gate line GL extends. It is formed to extend to have an angle of A1 in the first direction (D1) with respect to the third direction (D3). And, the second area P2 of the pixel electrode 118a of the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) is oriented in the third direction D3, which is the direction in which the gate line GL extends. It may be formed to extend in the second direction D2 to have an angle of A2.

여기서, 화소 전극(118a)의 제 1 영역(P1)의 각도 A1과 화소 전극(118a)의 제 2 영역(P2)의 각도 A2의 절대값은 동일할 수 있다. 즉, 화소 전극(118a)의 제 1 영역(P1)과 제 2 영역(P2)은 제 1 영역(P1)과 제 2 영역(P2)이 연결되는 연결부를 기준으로 서로 대칭되도록 형성될 수 있다. Here, the absolute value of the angle A1 of the first area P1 of the pixel electrode 118a and the angle A2 of the second area P2 of the pixel electrode 118a may be the same. That is, the first region P1 and the second region P2 of the pixel electrode 118a may be formed to be symmetrical to each other with respect to the connection portion where the first region P1 and the second region P2 are connected.

또한, 도 5를 참조하면, N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 화소 전극(118b)의 제 1 영역(P1)은 게이트 라인(GL)이 연장된 방향인 제 3 방향(D3)에 대해서 제 4 방향(D4)으로 A4의 각도를 가지도록 연장되어 형성되고, N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 화소 전극(118b)의 제 2 영역(P2)은 게이트 라인(GL)이 연장된 방향인 제 3 방향(D3)에 대해서 제 5 방향(D5)으로 A5의 각도를 가지도록 연장되어 형성될 수 있다. Additionally, referring to FIG. 5, the first area P1 of the pixel electrode 118b of the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) is located in the third area in the direction in which the gate line GL extends. It is formed to extend at an angle A4 in the fourth direction D4 with respect to the direction D3, and is the second region of the pixel electrode 118b of the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL). (P2) may be formed to extend at an angle of A5 in the fifth direction (D5) with respect to the third direction (D3), which is the direction in which the gate line (GL) extends.

여기서, N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 화소 전극(118b)의 제 1 영역(P1)의 각도 A4와 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 화소 전극(118b)의 제 2 영역(P2)의 각도 A5의 절대값은 동일할 수 있다. 즉, 화소 전극(118b)의 제 1 영역(P1)과 제 2 영역(P2)은 제 1 영역(P1)과 제 2 영역(P2)이 연결되는 연결부를 기준으로 서로 대칭되도록 형성될 수 있다. Here, angle A4 of the first area (P1) of the pixel electrode 118b of the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) and the angle A4 of the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) ) The absolute value of the angle A5 of the second area P2 of the pixel electrode 118b may be the same. That is, the first region P1 and the second region P2 of the pixel electrode 118b may be formed to be symmetrical to each other with respect to the connection portion where the first region P1 and the second region P2 are connected.

또한, 도 5를 참조하면, N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 화소 전극(118c)의 제 1 영역(P1)은 게이트 라인(GL)이 연장된 방향인 제 3 방향(D3)에 대해서 제 6 방향(D6)으로 A6의 각도를 가지도록 연장되어 형성되고, N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 화소 전극(118c)의 제 2 영역(P2)은 게이트 라인(GL)이 연장된 방향인 제 3 방향(D3)에 대해서 제 7 방향(D7)으로 A7의 각도를 가지도록 연장되어 형성될 수 있다. Additionally, referring to FIG. 5, the first area P1 of the pixel electrode 118c of the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) is located in the third area in the direction in which the gate line GL extends. The second region of the pixel electrode 118c of the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) is formed to extend at an angle of A6 in the sixth direction D6 with respect to the direction D3. (P2) may be formed to extend at an angle of A7 in the seventh direction (D7) with respect to the third direction (D3), which is the direction in which the gate line (GL) extends.

여기서, N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 화소 전극(118c)의 제 1 영역(P1)의 각도 A6과 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 화소 전극(118c)의 제 2 영역(P2)의 각도 A7의 절대값은 동일할 수 있다. 즉, 화소 전극(118c)의 제 1 영역(P1)과 제 2 영역(P2)은 제 1 영역(P1)과 제 2 영역(P2)이 연결되는 연결부를 기준으로 서로 대칭되도록 형성될 수 있다. Here, angle A6 of the first area P1 of the pixel electrode 118c of the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) and the angle A6 of the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) ) The absolute value of the angle A7 of the second area P2 of the pixel electrode 118c may be the same. That is, the first region P1 and the second region P2 of the pixel electrode 118c may be formed to be symmetrical to each other with respect to the connection portion where the first region P1 and the second region P2 are connected.

액정 표시 장치에서 복수의 서브 화소 사이의 액정의 응답 시간(response time)의 차이에 의해, 특정 패턴의 화면 구동 시에 붉은 색의 화상이 끌리는 듯한 잔상인 모션 블러(motion blur) 현상이 발생할 수 있다. 보다 구체적으로, 모션 블러 현상은 배경 화면이 적색 서브 화소가 245 그레이(gray), 녹색 서브 화소가 178 그레이(gray), 청색 서브 화소가 66 그레이(gray)인 상태에서 블랙 패턴을 빠르게 이동하는 경우, 적색 서브 화소의 응답 시간이 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소의 응답 시간보다 빨라 사용자에게 적색의 화면이 먼저 인지되면서 발생할 수 있다. Due to differences in the response time of the liquid crystal between a plurality of sub-pixels in a liquid crystal display device, motion blur, an afterimage that appears as if a red image is being dragged, may occur when the screen of a specific pattern is driven. . More specifically, motion blur occurs when the black pattern moves quickly while the background screen has red sub-pixels of 245 gray, green sub-pixels of 178 gray, and blue sub-pixels of 66 gray. , the response time of the red sub-pixel is faster than that of the green sub-pixel and blue sub-pixel, which may cause the user to perceive the red screen first.

상기와 같은 모션 블러(motion blur) 현상을 최소화하기 위해, 액정 표시 장치의 경우, 화소 전극의 굴곡부가 갖는 각도를 서브 화소마다 각각 다르게 설정하였다. 즉, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)의 화소 전극의 제 1 영역이 게이트 라인(GL)이 연장된 방향과 이루는 각도와 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 화소 전극의 제 1 영역이 게이트 라인(GL)이 연장된 방향과 이루는 각도와 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 화소 전극의 제 1 영역이 게이트 라인(GL)이 연장된 방향과 이루는 각도를 서브 화소별로 각각 다르게 형성하였다. In order to minimize the motion blur phenomenon as described above, in the case of a liquid crystal display device, the angle of the curved portion of the pixel electrode is set differently for each sub-pixel. That is, the angle formed by the first area of the pixel electrode of the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) with the direction in which the gate line GL extends, and the angle formed by the direction in which the gate line GL extends, and the angle formed by the first area of the pixel electrode of the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) ) The angle formed by the first area of the pixel electrode of the (Sub-PXL) with the direction in which the gate line (GL) extends, and the first area of the pixel electrode of the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL) The angle formed by the direction in which the gate line (GL) extends is formed differently for each sub-pixel.

서브 화소 간의 화소 전극의 굴곡부의 각도를 각각 다르게 형성하는 경우, 액정 표시 장치의 전체적인 투과율이 낮아질 수 있다. 특히, 화소 전극의 제 1 영역 또는 제 2 영역이 게이트 라인(GL)이 연장된 방향과 이루는 각도가 작게 설정되는 경우, 해당 서브 화소의 응답 시간은 감소시킬 수 있으나, 액정 표시 장치의 투과율이 낮아지는 문제가 발생할 수 있다. If the angles of the curved portions of the pixel electrodes between sub-pixels are formed differently, the overall transmittance of the liquid crystal display device may be lowered. In particular, when the angle between the first or second area of the pixel electrode and the direction in which the gate line GL extends is set to be small, the response time of the corresponding sub-pixel can be reduced, but the transmittance of the liquid crystal display device is low. Losing problems may arise.

상기와 같은 문제를 해결하기 위해서, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)의 경우, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)의 화소 전극(118a)의 제 1 영역(P1)이 게이트 라인(GL)이 연장된 방향인 제 3 방향(D3)과 이루는 각도인 A1, N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL)의 화소 전극(118b)의 제 1 영역(P1)이 게이트 라인(GL)이 연장된 방향인 제 3 방향(D3)과 이루는 각도인 A4 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 화소 전극(118c)의 제 1 영역(P1)이 게이트 라인(GL)이 연장된 방향인 제 3 방향(D3)과 이루는 각도인 A6는 모두 동일하게 설정될 수 있다. 상기 화소 전극(118a)의 각도 A1, 화소 전극(118b)의 각도 A4, 상기 화소 전극(118c)의 각도 A6은 각 서브 화소의 응답 시간 특성에 따라 설정될 수 있으며, 75도 내지 80도로 형성될 수 있다.In order to solve the above problem, in the case of the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention, the first pixel electrode 118a of the N+2th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) A1, which is the angle between the area P1 and the third direction D3, which is the direction in which the gate line GL extends, of the pixel electrode 118b of the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL). A4 and the pixel electrode 118c of the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL), which is the angle formed between the first area P1 and the third direction D3, which is the direction in which the gate line GL extends. ), the angle A6 formed by the first area P1 with the third direction D3, which is the direction in which the gate line GL extends, may all be set to be the same. The angle A1 of the pixel electrode 118a, the angle A4 of the pixel electrode 118b, and the angle A6 of the pixel electrode 118c may be set according to the response time characteristics of each sub-pixel and may be formed at 75 to 80 degrees. You can.

즉, 본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 화소 전극의 굴곡부가 게이트 라인(GL)이 연장된 제 3 방향(D3)이 이루는 각도는 N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL), N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)에서 모두 동일할 수 있다. That is, according to another feature of the present invention, the angle formed by the curved portion of the pixel electrode in the third direction D3 in which the gate line GL is extended is the N+2th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL). , may be the same in both the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) and the N+4-th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL).

도 4를 참조하여 설명한 것과 같이, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL), 즉 적색 서브 화소에서 평탄화층의 역할을 하는 제 1 보호층(112)의 두께를 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL), 즉 녹색 서브 화소 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL), 즉 청색 서브 화소에서 제 1 보호층(112)의 두께보다 작게 형성한다. 따라서, N+2번째 서브 화소((N+2)Sub-PXL)의 셀 갭(cell gap)을 N+3번째 서브 화소((N+3)Sub-PXL) 및 N+4번째 서브 화소((N+4)Sub-PXL)의 셀 갭(cell gap)보다 크게 설정하는 경우, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에서의 응답 시간의 차이를 동등한 수준으로 맞출 수 있다. 따라서 서브 화소 사이의 응답 시간의 차이에 따른 모션 블러(motion blur) 현상의 발생을 최소화할 수 있다. 또한, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에서의 화소 전극의 굴곡부의 각도를 모두 동일하게 설정할 수 있으므로 액정 표시 장치의 투과율이 향상될 수 있다. As described with reference to FIG. 4, the thickness of the first protective layer 112 serving as a planarization layer in the N+2th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL), that is, the red sub-pixel, is N+3. Thickness of the first protective layer 112 in the N+4th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL), i.e., the green sub-pixel, and the N+4th sub-pixel ((N+4)Sub-PXL), i.e., the blue sub-pixel. form smaller. Therefore, the cell gap of the N+2-th sub-pixel ((N+2)Sub-PXL) is divided into the N+3-th sub-pixel ((N+3)Sub-PXL) and the N+4-th sub-pixel ( If set larger than the cell gap of (N+4)Sub-PXL), the difference in response times in the red sub-pixel, green sub-pixel, and blue sub-pixel can be adjusted to an equal level. Therefore, the occurrence of motion blur phenomenon due to differences in response time between sub-pixels can be minimized. Additionally, since the angles of the curved portions of the pixel electrodes in the red sub-pixel, green sub-pixel, and blue sub-pixel can all be set to be the same, the transmittance of the liquid crystal display device can be improved.

즉, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 적색 서브 화소에서 평탄화층의 두께를 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에서의 평탄화층의 두께보다 작게 형성하여 적색 서브 화소의 셀 갭(cell gap)을 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소의 셀 갭(cell gap) 대비 크게 형성함으로써, 복수의 서브 화소 사이의 액정의 응답 시간을 동등한 수준으로 맞출 수 있으며, 모션 블러(motion blur) 현상의 발생을 최소화할 수 있다. That is, in the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, the thickness of the planarization layer in the red sub-pixel is formed to be smaller than the thickness of the planarization layer in the green sub-pixel and the blue sub-pixel, thereby reducing the cell gap of the red sub-pixel. By forming a larger cell gap compared to the green sub-pixel and the blue sub-pixel, the response time of the liquid crystal between multiple sub-pixels can be adjusted to the same level and the occurrence of motion blur phenomenon can be minimized. there is.

또한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 모션 블러 현상의 발생을 최소화함으로써, 액정 표시 장치의 표시 품질 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Additionally, the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention can improve display quality and reliability of the liquid crystal display device by minimizing the occurrence of motion blur.

또한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 화소 전극의 제 1 영역과 제 2 영역 사이의 연결부의 각도를 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에서 모두 동일하게 설정함으로써 액정 표시 장치의 투과율을 향상시킬 수 있다. In addition, the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention sets the angle of the connection between the first region and the second region of the pixel electrode to be the same in all of the red sub-pixel, green sub-pixel, and blue sub-pixel, thereby increasing the transmittance of the liquid crystal display device. can be improved.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 적색 서브 화소의 셀 갭 증가에 따른 응답 시간 변화를 나타내는 도면이다. 도 6에서 가로축은 시간(Time, [msec)]을 나타내고, 세로축은 투과율(Transmittance, [a.u.])을 나타낸다.FIG. 6 is a diagram showing a change in response time as the cell gap of a red sub-pixel of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention increases. In Figure 6, the horizontal axis represents time (Time, [msec)], and the vertical axis represents transmittance (Transmittance, [a.u.]).

비교예의 액정 표시 장치의 경우, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소의 셀 갭(cell gap)을 모두 동일하게 3.2㎛로 설정하였다. 비교예의 액정 표시 장치에서 모션 블러(motion blur) 현상이 발생하는 경우인 적색 서브 화소가 245 그레이(gray), 녹색 서브 화소가 178 그레이(gray), 청색 서브 화소가 66 그레이(gray)에서, 오프(off) 상태에서 온(on) 상태가 될 때까지의 응답 시간인 상승 시간(rising time)을 살펴보면, 적색 서브 화소의 상승 시간은 15.2ms, 녹색 서브 화소의 상승 시간은 24.8ms, 청색 서브 화소의 상승 시간은 27.8ms의 결과를 나타내었다. 따라서 비교예의 액정 표시 장치의 경우, 적색 서브 화소와 녹색 서브 화소의 상승 시간(rising time)의 차이는 약 9.6ms 수준을 나타내었으며, 이러한 서브 화소 간의 상승 시간, 즉 응답 시간의 차이에 의해 모션 블러(motion blur) 현상이 발생하였다. In the case of the liquid crystal display device of the comparative example, the cell gaps of the red sub-pixel, green sub-pixel, and blue sub-pixel were all set to 3.2 ㎛. In the case where motion blur occurs in the liquid crystal display device of the comparative example, the red sub-pixel is set to 245 gray, the green sub-pixel is set to 178 gray, and the blue sub-pixel is set to 66 gray. Looking at the rising time, which is the response time from the (off) state to the on state, the rising time of the red sub-pixel is 15.2 ms, the rising time of the green sub-pixel is 24.8 ms, and the rising time of the blue sub-pixel is 24.8 ms. The rise time was 27.8ms. Therefore, in the case of the liquid crystal display device of the comparative example, the difference in rising time between the red sub-pixel and the green sub-pixel was about 9.6 ms, and the difference in rising time, that is, response time, between these sub-pixels caused motion blur. (motion blur) phenomenon occurred.

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치와 같이 적색 서브 화소에서 셀 갭(cell gap)이 3.2㎛에서 4.2㎛로 약 1.0㎛ 증가되는 경우, 적색 서브 화소의 상승 시간(rising time), 즉 응답 시간이 약 9.5ms 수준으로 지연되는 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 6, when the cell gap in the red sub-pixel is increased by about 1.0 μm from 3.2 μm to 4.2 μm, as in the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, the rising time of the red sub-pixel time), that is, it can be seen that the response time is delayed to about 9.5ms.

따라서, 모션 블러(motion blur) 현상이 발생하는 경우인 적색 서브 화소가 245 그레이(gray), 녹색 서브 화소가 178 그레이(gray), 청색 서브 화소가 66 그레이(gray)에서, 적색 서브 화소에서 셀 갭(cell gap)을 4.2㎛로 증가시키는 경우, 적색 서브 화소의 상승 시간(rising time)을 24.7ms 수준으로 설정할 수 있으며, 적색 서브 화소의 상승 시간(rising time)을 셀 갭(cell gap)이 3.2㎛인 녹색 서브 화소의 상승 시간인 24.8ms 및 셀 갭(cell gap)이 3.2㎛인 청색 서브 화소의 상승 시간인 27.8ms와 유사한 수준으로 맞추어 줄 수 있다. Therefore, when motion blur occurs, the red sub-pixel is 245 gray, the green sub-pixel is 178 gray, and the blue sub-pixel is 66 gray. When increasing the cell gap to 4.2㎛, the rising time of the red sub-pixel can be set to 24.7ms, and the rising time of the red sub-pixel can be set to the cell gap. It can be adjusted to a level similar to the rise time of 24.8 ms, which is the rise time of the green sub-pixel with a cell gap of 3.2 μm, and 27.8 ms, which is the rise time of the blue sub-pixel, which has a cell gap of 3.2 μm.

따라서, 적색 서브 화소의 셀 갭을 3.2㎛에서 4.2㎛ 이상 즉, 1.0㎛ 내지 1.5㎛ 수준으로 증가시키는 경우, 적색 서브 화소의 응답 시간을 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소의 응답 시간과 동등한 수준으로 설정할 수 있다. 이에 따라, 복수의 서브 화소 사이의 응답 시간(response time)의 차이에 의한 모션 블러(motion blur) 현상의 발생을 최소화할 수 있다. Therefore, when increasing the cell gap of the red sub-pixel from 3.2 ㎛ to 4.2 ㎛ or more, that is, from 1.0 ㎛ to 1.5 ㎛, the response time of the red sub-pixel must be set to a level equivalent to that of the green sub-pixel and the blue sub-pixel. You can. Accordingly, the occurrence of motion blur phenomenon due to differences in response time between a plurality of sub-pixels can be minimized.

즉, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 적색 서브 화소의 셀 갭을 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소의 셀 갭보다 크게 형성하여 복수의 서브 화소 사이의 응답 시간을 동등한 수준으로 맞춰줌으로써, 모션 블러(motion blur)에 의한 화질 불량의 발생을 최소화하고 액정 표시 장치의 투과율을 향상시킬 수 있다.That is, the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention forms the cell gap of the red sub-pixel to be larger than the cell gap of the green sub-pixel and the blue sub-pixel, thereby adjusting the response time between the plurality of sub-pixels to an equal level, thereby reducing motion The occurrence of image quality defects due to motion blur can be minimized and the transmittance of the liquid crystal display device can be improved.

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention can be described as follows.

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제 1 서브 화소, 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소로 이루어진 복수의 화소를 포함하며, 액정층을 사이에 두고 서로 대향하는 제 1 기판과 제 2 기판과 제 1 기판 상의 게이트 라인과 데이터 라인과 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 있는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 상에 있고, 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하고, 제 1 서브 화소의 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 거리는 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소의 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 거리보다 크다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 적색 서브 화소에서 평탄화층의 두께를 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에서의 평탄화층의 두께보다 작게 형성하여 적색 서브 화소의 셀 갭(cell gap)을 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소의 셀 갭(cell gap) 대비 크게 형성함으로써, 복수의 서브 화소 사이의 액정의 응답 시간을 동등한 수준으로 맞출 수 있으며, 모션 블러(motion blur) 현상의 발생을 최소화할 수 있다. A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of pixels consisting of a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel, and a first substrate and a second substrate facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. and a gate line and a data line on the first substrate, a thin film transistor in an area where the gate line and the data line intersect, and a pixel electrode on the thin film transistor and connected to the thin film transistor, the first substrate of the first sub-pixel, and The distance between the second substrates is greater than the distance between the first and second substrates of the second sub-pixel and the third sub-pixel. That is, in the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, the thickness of the planarization layer in the red sub-pixel is formed to be smaller than the thickness of the planarization layer in the green sub-pixel and the blue sub-pixel, thereby reducing the cell gap of the red sub-pixel. By forming a larger cell gap compared to the green sub-pixel and the blue sub-pixel, the response time of the liquid crystal between multiple sub-pixels can be adjusted to the same level and the occurrence of motion blur phenomenon can be minimized. there is.

또한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 모션 블러 현상의 발생을 최소화함으로써, 액정 표시 장치의 표시 품질 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Additionally, the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention can improve display quality and reliability of the liquid crystal display device by minimizing the occurrence of motion blur.

또한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 화소 전극의 제 1 영역과 제 2 영역 사이의 연결부의 각도를 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에서 동일하게 설정함으로써 액정 표시 장치의 투과율을 향상시킬 수 있다. In addition, the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention increases the transmittance of the liquid crystal display device by setting the angle of the connection between the first region and the second region of the pixel electrode to be the same in the red sub-pixel, green sub-pixel, and blue sub-pixel. It can be improved.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 박막 트랜지스터 상부에 평탄화층을 포함하고, 제 1 서브 화소의 평탄화층의 두께는 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소의 평탄화층의 두께보다 작을 수 있다. According to another feature of the present invention, a planarization layer is included on the thin film transistor, and the thickness of the planarization layer of the first sub-pixel may be smaller than the thickness of the planarization layers of the second and third sub-pixels.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 1 서브 화소는 적색 서브 화소, 상기 제 2 서브 화소는 녹색 서브 화소, 상기 제 3 서브 화소는 청색 서브 화소일 수 있다.According to another feature of the present invention, the first sub-pixel may be a red sub-pixel, the second sub-pixel may be a green sub-pixel, and the third sub-pixel may be a blue sub-pixel.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 1 서브 화소와 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소의 평탄화층의 두께 차이는 하프톤(halftone) 공정에 의해 이루어질 수 있다.According to another feature of the present invention, the difference in thickness of the planarization layers of the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel may be achieved through a halftone process.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 평탄화층의 두께 차이는 1.0㎛ 내지 1.5㎛일 수 있다.According to another feature of the present invention, the difference in thickness of the planarization layer may be 1.0 μm to 1.5 μm.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 화소 전극은 제 1 방향으로 연장된 제 1 영역과 제 2 방향으로 연장된 제 2 영역을 포함하며, 제 1 영역과 제 2 영역은 제 1 영역과 제 2 영역의 연결부를 기준으로 서로 대칭일 수 있다.According to another feature of the present invention, the pixel electrode includes a first region extending in a first direction and a second region extending in a second direction, wherein the first region and the second region are the first region and the second region. They may be symmetrical to each other based on the connection portion of .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 화소 전극의 제 1 영역이 연장된 제 1 방향과 게이트 라인이 연장된 제 3 방향이 이루는 각도는 제 1 서브 화소, 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소에서 모두 동일할 수 있다. According to another feature of the present invention, the angle formed by the first direction in which the first region of the pixel electrode is extended and the third direction in which the gate line is extended is all in the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel. may be the same.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 각도는 75도 내지 80도일 수 있다.According to another feature of the invention, the angle may be 75 to 80 degrees.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 1 영역과 제 2 영역이 이루는 각도는 제 1 서브 화소, 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소에서 모두 동일할 수 있다.According to another feature of the present invention, the angle formed by the first area and the second area may be the same in all of the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 1 기판 상의 하부 배향막 및 제 2 기판 상의 상부 배향막을 더 포함하고, 제 1 서브 화소의 하부 배향막과 상부 배향막 사이의 거리는 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소의 하부 배향막과 상부 배향막 사이의 거리보다 클 수 있다. According to another feature of the present invention, it further includes a lower alignment layer on the first substrate and an upper alignment layer on the second substrate, and the distance between the lower alignment layer and the upper alignment layer of the first sub-pixel is that of the second sub-pixel and the third sub-pixel. It may be greater than the distance between the lower alignment layer and the upper alignment layer.

또한 다른 측면에서, 제 1 서브 화소, 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소로 이루어진 복수의 화소를 포함하며, 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막 트랜지스터를 포함하는 제 1 기판과 제 1 기판과 대향하여 위치하는 제 2 기판을 포함하는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 상에 있는 평탄화층을 포함하고, 평탄화층은 제 1 서브 화소에서 제 1 두께를 가지고, 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소에서 제 2 두께를 가지며, 제 1 두께는 상기 제 2 두께보다 작게 형성된다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 적색 서브 화소에서 평탄화층의 두께를 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에서의 평탄화층의 두께보다 작게 형성하여 적색 서브 화소의 셀 갭(cell gap)을 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소의 셀 갭(cell gap) 대비 크게 형성함으로써, 복수의 서브 화소 사이의 액정의 응답 시간을 동등한 수준으로 맞출 수 있으며, 모션 블러(motion blur) 현상의 발생을 최소화할 수 있다. In another aspect, it includes a plurality of pixels consisting of a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel, a first substrate including a gate line, a data line, and a thin film transistor, and a first substrate positioned opposite the first substrate. A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention including a second substrate includes a planarization layer on a thin film transistor, the planarization layer has a first thickness at the first sub-pixel, the second sub-pixel and the third The sub-pixel has a second thickness, and the first thickness is smaller than the second thickness. That is, in the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, the thickness of the planarization layer in the red sub-pixel is formed to be smaller than the thickness of the planarization layer in the green sub-pixel and the blue sub-pixel, thereby reducing the cell gap of the red sub-pixel. By forming a larger cell gap compared to the green sub-pixel and the blue sub-pixel, the response time of the liquid crystal between multiple sub-pixels can be adjusted to the same level and the occurrence of motion blur phenomenon can be minimized. there is.

또한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 모션 블러 현상의 발생을 최소화함으로써, 액정 표시 장치의 표시 품질 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Additionally, the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention can improve display quality and reliability of the liquid crystal display device by minimizing the occurrence of motion blur.

또한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 화소 전극의 제 1 영역과 제 2 영역 사이의 연결부의 각도를 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에서 동일하게 설정함으로써 액정 표시 장치의 투과율을 향상시킬 수 있다. In addition, the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention increases the transmittance of the liquid crystal display device by setting the angle of the connection between the first region and the second region of the pixel electrode to be the same in the red sub-pixel, green sub-pixel, and blue sub-pixel. It can be improved.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 평탄화층의 제 1 두께와 제 2 두께의 차이는 1.0㎛ 내지 1.5㎛일 수 있다.According to another feature of the present invention, the difference between the first thickness and the second thickness of the planarization layer may be 1.0 μm to 1.5 μm.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 1 서브 화소는 적색 서브 화소일 수 있다.According to another feature of the present invention, the first sub-pixel may be a red sub-pixel.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 평탄화층 상에 있고, 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하고, 화소 전극은 서로 다른 방향으로 연장된 제 1 영역과 제 2 영역을 포함할 수 있다. According to another feature of the present invention, it is on the planarization layer and includes a pixel electrode connected to a thin film transistor, and the pixel electrode may include a first region and a second region extending in different directions.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 화소 전극의 제 1 영역과 게이트 라인이 연장된 방향 사이의 각도는 제 1 서브 화소, 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소에서 모두 동일할 수 있다.According to another feature of the present invention, the angle between the first area of the pixel electrode and the direction in which the gate line extends may be the same in all of the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 각도는 75도 내지 80도일 수 있다.According to another feature of the invention, the angle may be 75 to 80 degrees.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 평탄화층은 하프톤(halftone) 공정으로 형성될 수 있다. According to another feature of the present invention, the planarization layer may be formed by a halftone process.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 1 서브 화소에서 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 거리가 증가하여 투과율이 향상될 수 있다.According to another feature of the present invention, the distance between the first and second substrates in the first sub-pixel may be increased to improve transmittance.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형되어 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and may be implemented with various modifications without departing from the technical spirit of the present invention. there is. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of the present invention.

100 : 액정 표시 장치
101 : 제 1 기판
106 : 게이트 전극
107 : 게이트 절연층
108 : 반도체층
109 : 소스 전극
110 : 드레인 전극
111 : 제 3 보호층
112 : 제 1 보호층
113a : 제 1 컨택홀
113b : 제 2 컨택홀
113c : 제 3 컨택홀
113d : 제 4 컨택홀
113e : 제 5 컨택홀
114 : 공통 전극
115 : 공통 전극 홀
116 : 제 2 보호층
117 : 제 2 보호층 컨택홀
118 : 화소 전극
119 : 제 1 스페이서
119a : 제 1 스페이서 제 1 영역
119b : 제 1 스페이서 제 2 영역
119c : 제 1 스페이서 제 3 영역
121 : 제 2 기판
122 : 블랙 매트릭스(BM)
122a : 게이트 BM
122b : 데이터 BM
124 : 적색 컬러 필터
125 : 녹색 컬러 필터
126 : 청색 컬러 필터
127 : 오버 코트
128 : 제 2 스페이서
129 : 제 3 스페이서
130 : 게이트 구동 IC
135 : 데이터 구동 IC
140 : 액정층
156 : 하부 배향막
157 : 상부 배향막
GL : 게이트 라인
DL : 데이터 라인
P : 표시 화소
(N)Sub-PXL : 제 1 서브 화소
(N+1)Sub-PXL : 제 2 서브 화소
(N+2)Sub-PXL : 제 3 서브 화소
(N+3)Sub-PXL : 제 4 서브 화소
(N+4)Sub-PXL : 제 5 서브 화소
100: liquid crystal display device
101: first substrate
106: gate electrode
107: Gate insulation layer
108: semiconductor layer
109: source electrode
110: drain electrode
111: third protective layer
112: first protective layer
113a: first contact hole
113b: second contact hole
113c: third contact hole
113d: 4th contact hole
113e: 5th contact hole
114: common electrode
115: common electrode hole
116: second protective layer
117: second protective layer contact hole
118: pixel electrode
119: first spacer
119a: first spacer first area
119b: first spacer second area
119c: first spacer third area
121: second substrate
122: Black Matrix (BM)
122a: Gate BM
122b: data BM
124: Red color filter
125: Green color filter
126: Blue color filter
127: Overcoat
128: second spacer
129: third spacer
130: Gate driving IC
135: data driving IC
140: liquid crystal layer
156: lower alignment film
157: upper alignment film
GL: Gate line
DL: data line
P: display pixel
(N)Sub-PXL: 1st sub-pixel
(N+1)Sub-PXL: 2nd sub pixel
(N+2)Sub-PXL: Third sub pixel
(N+3)Sub-PXL: 4th sub-pixel
(N+4)Sub-PXL: 5th sub-pixel

Claims (18)

제 1 서브 화소, 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소로 이루어진 복수의 화소를 포함하는 제 1 기판;
상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판;
상기 제 1 기판 상의 게이트 라인과 데이터 라인;
상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인이 교차하는 영역에 있는 박막 트랜지스터;
상기 제 1 기판 상에, 상기 제 1 서브 화소, 상기 제 2 서브 화소 및 상기 제 3 서브 화소 중 2개의 서브 화소에 걸쳐 상기 게이트 라인을 따라 바 형태로 배치되는 제 1 스페이서;
상기 제 2 기판 상에, 상기 2개의 서브 화소의 경계에서 상기 데이터 라인을 따라 상기 제 1 스페이서와 적어도 일부가 중첩되어 상호 교차한 형태로 배치되는 제 2 스페이서; 및
상기 박막 트랜지스터 상에 있고, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하고,
상기 제 1 서브 화소의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 거리는 상기 제 2 서브 화소 및 상기 제 3 서브 화소의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 거리보다 큰 액정 표시 장치.
A first substrate including a plurality of pixels including a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel;
a second substrate facing the first substrate;
a gate line and a data line on the first substrate;
a thin film transistor in a region where the gate line and the data line intersect;
a first spacer disposed in a bar shape along the gate line on the first substrate, across two sub-pixels of the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel;
a second spacer disposed on the second substrate along the data line at a boundary between the two sub-pixels, at least partially overlapping with the first spacer and intersecting each other; and
It is on the thin film transistor and includes a pixel electrode connected to the thin film transistor,
The liquid crystal display device wherein the distance between the first substrate and the second substrate of the first sub-pixel is greater than the distance between the first substrate and the second substrate of the second sub-pixel and the third sub-pixel.
제 1 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터 상부에 평탄화층을 포함하고,
상기 제 1 서브 화소의 상기 평탄화층의 두께는 상기 제 2 서브 화소 및 상기 제 3 서브 화소의 상기 평탄화층의 두께보다 작은 액정 표시 장치.
According to claim 1,
Includes a planarization layer on top of the thin film transistor,
A liquid crystal display device wherein the thickness of the planarization layer of the first sub-pixel is smaller than the thickness of the planarization layer of the second sub-pixel and the third sub-pixel.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 서브 화소는 적색 서브 화소, 상기 제 2 서브 화소는 녹색 서브 화소, 상기 제 3 서브 화소는 청색 서브 화소인 액정 표시 장치.
According to claim 2,
The first sub-pixel is a red sub-pixel, the second sub-pixel is a green sub-pixel, and the third sub-pixel is a blue sub-pixel.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 스페이서는, 상기 평탄화층에 구비된 컨택홀의 적어도 일부를 덮도록 형성되는, 액정 표시 장치.
According to claim 2,
The first spacer is formed to cover at least a portion of the contact hole provided in the planarization layer.
제 2 항에 있어서,
상기 평탄화층의 두께 차이는 1.0㎛ 내지 1.5㎛인 액정 표시 장치.
According to claim 2,
A liquid crystal display device wherein the thickness difference of the planarization layer is 1.0㎛ to 1.5㎛.
제 1 항에 있어서,
상기 화소 전극은 제 1 방향으로 연장된 제 1 영역과 제 2 방향으로 연장된 제 2 영역을 포함하며,
상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 연결부를 기준으로 서로 대칭인 액정 표시 장치.
According to claim 1,
The pixel electrode includes a first area extending in a first direction and a second area extending in a second direction,
The liquid crystal display device wherein the first region and the second region are symmetrical to each other with respect to a connection portion of the first region and the second region.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 기판 상에, 상기 제 1 스페이서에 대응되어 위치하며, 상기 제 1 스페이서와 이격되는 제 3 스페이서를 더 포함하며,
상기 제 3 스페이서는 원형의 평면 구조를 가지는, 액정 표시 장치.
According to claim 1,
It further includes a third spacer located on the second substrate to correspond to the first spacer and spaced apart from the first spacer,
The liquid crystal display device wherein the third spacer has a circular planar structure.
제 6 항에 있어서,
상기 화소 전극의 상기 제 1 영역이 연장된 상기 제 1 방향과 상기 게이트 라인이 연장된 제 3 방향이 이루는 각도는 75도 내지 80도인 액정 표시 장치.
According to claim 6,
An angle formed between the first direction in which the first region of the pixel electrode extends and the third direction in which the gate line extends is 75 to 80 degrees.
제 6 항에 있어서,
상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역이 이루는 각도는 상기 제 1 서브 화소, 상기 제 2 서브 화소 및 상기 제 3 서브 화소에서 모두 동일한 액정 표시 장치.
According to claim 6,
An angle formed by the first area and the second area is the same in all of the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기판 상의 하부 배향막 및 상기 제 2 기판 상의 상부 배향막을 더 포함하고,
상기 제 1 서브 화소의 상기 하부 배향막과 상기 상부 배향막 사이의 거리는 상기 제 2 서브 화소 및 상기 제 3 서브 화소의 상기 하부 배향막과 상기 상부 배향막 사이의 거리보다 큰 액정 표시 장치.
According to claim 1,
Further comprising a lower alignment layer on the first substrate and an upper alignment layer on the second substrate,
A liquid crystal display device wherein the distance between the lower alignment layer and the upper alignment layer of the first sub-pixel is greater than the distance between the lower alignment layer and the upper alignment layer of the second sub-pixel and the third sub-pixel.
제 1 서브 화소, 제 2 서브 화소 및 제 3 서브 화소로 이루어진 복수의 화소를 포함하며, 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막 트랜지스터를 포함하는 제 1 기판과 상기 제 1 기판과 대향하여 위치하는 제 2 기판을 포함하는 액정 표시 장치에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 상에 있는 평탄화층을 포함하고, 상기 제 1 기판 상에 상기 제 1 서브 화소, 상기 제 2 서브 화소 및 상기 제 3 서브 화소 중 2개의 서브 화소에 걸쳐 상기 게이트 라인을 따라 바 형태로 배치되는 제 1 스페이서를 포함하며, 상기 제 2 기판 상에 상기 2개의 서브 화소의 경계에서 상기 데이터 라인을 따라 상기 제 1 스페이서와 적어도 일부가 중첩되어 상호 교차한 형태로 배치되는 제 2 스페이서를 포함하며, 상기 평탄화층은 상기 제 1 서브 화소에서 제 1 두께를 가지고, 상기 제 2 서브 화소 및 상기 제 3 서브 화소에서 제 2 두께를 가지며, 상기 제 1 두께는 상기 제 2 두께보다 작은 액정 표시 장치.A first substrate including a plurality of pixels including a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel, and including a gate line, a data line, and a thin film transistor, and a second substrate positioned opposite the first substrate. A liquid crystal display device including a planarization layer on the thin film transistor, and in two sub-pixels of the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel on the first substrate. It includes a first spacer disposed in a bar shape along the gate line, and at least a portion of the first spacer overlaps and intersects with the first spacer along the data line at the boundary of the two sub-pixels on the second substrate. and a second spacer disposed in a shape, wherein the planarization layer has a first thickness at the first sub-pixel, a second thickness at the second sub-pixel and the third sub-pixel, and the first thickness is: A liquid crystal display device smaller than the second thickness. 제 11 항에 있어서,
상기 평탄화층의 상기 제 1 두께와 상기 제 2 두께의 차이는 1.0㎛ 내지 1.5㎛인 액정 표시 장치.
According to claim 11,
A difference between the first thickness and the second thickness of the planarization layer is 1.0 μm to 1.5 μm.
제 11 항에 있어서,
상기 제 1 서브 화소는 적색 서브 화소인 액정 표시 장치.
According to claim 11,
The liquid crystal display device wherein the first sub-pixel is a red sub-pixel.
제 11 항에 있어서,
상기 평탄화층 상에 있고, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하고,
상기 화소 전극은 서로 다른 방향으로 연장된 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하는 액정 표시 장치.
According to claim 11,
It is on the planarization layer and includes a pixel electrode connected to the thin film transistor,
The pixel electrode includes a first region and a second region extending in different directions.
제 11 항에 있어서,
상기 제 1 스페이서는, 상기 평탄화층에 구비된 컨택홀의 적어도 일부를 덮도록 형성되는, 액정 표시 장치.
According to claim 11,
The first spacer is formed to cover at least a portion of the contact hole provided in the planarization layer.
제 14 항에 있어서,
상기 화소 전극의 상기 제 1 영역과 상기 게이트 라인이 연장된 방향 사이의 각도는 75도 내지 80도인 액정 표시 장치.
According to claim 14,
An angle between the first region of the pixel electrode and the direction in which the gate line extends is 75 to 80 degrees.
제 11 항에 있어서,
상기 제 2 기판 상에, 상기 제 1 스페이서에 대응되어 위치하며, 상기 제 1 스페이서와 이격되는 제 3 스페이서를 더 포함하며,
상기 제 3 스페이서는 원형의 평면 구조를 가지는, 액정 표시 장치.
According to claim 11,
It further includes a third spacer located on the second substrate to correspond to the first spacer and spaced apart from the first spacer,
The liquid crystal display device wherein the third spacer has a circular planar structure.
제 11 항에 있어서,
상기 제 1 서브 화소에서 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 거리가 증가하여 투과율이 향상되는 액정 표시 장치.
According to claim 11,
A liquid crystal display device in which transmittance is improved by increasing the distance between the first substrate and the second substrate in the first sub-pixel.
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