KR102663349B1 - Exhaust gas treatment equipment capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의하면, 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 미반응 이산화탄소를 포함하는 1차 처리 가스를 배출하는 제1 가스 처리 장치; 상기 미반응 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 수산화나트륨을 반응시켜서 상기 미반응 이산화탄소를 제거하면서 탄산나트륨을 생성하고 2차 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치; 상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및 상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며, 상기 제2 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제1 처리수로 공급되어서 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되며, 상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며, 상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 1차 처리 가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 미반응 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하는 배기가스 처리 설비가 제공된다.According to the present invention, a first gas that reacts carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated with sodium carbonate contained in the first treated water to remove carbon dioxide, generate sodium bicarbonate, and discharge a primary treatment gas containing unreacted carbon dioxide. processing unit; a second gas treatment device that reacts the unreacted carbon dioxide with sodium hydroxide contained in the second treated water to remove the unreacted carbon dioxide, generate sodium carbonate, and discharge a secondary treated gas; a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device, wherein the sodium carbonate generated in the second gas treatment device is supplied to the first treated water to treat the exhaust gas. It is used for reaction with carbon dioxide contained in the gas, and the first gas processing device forms microbubbles in the exhaust gas to be treated within the first treated water, thereby forming the carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated into microbubbles and the first gas treatment device. It is provided with a first gas processing unit that increases the contact time and contact area between sodium carbonate contained in the treated water, and the second gas processing device forms the primary treated gas into microbubbles in the second treated water. An exhaust gas treatment facility is provided including a second gas treatment unit that increases the contact time and contact area between the unreacted carbon dioxide and sodium hydroxide contained in the second treated water.

Description

이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비 {EXHAUST GAS TREATMENT EQUIPMENT CAPABLE OF REMOVING CARBON DIOXIDE AND PRODUCING SODIUM BICARBONATE}Exhaust gas treatment equipment capable of removing carbon dioxide and manufacturing sodium bicarbonate {EXHAUST GAS TREATMENT EQUIPMENT CAPABLE OF REMOVING CARBON DIOXIDE AND PRODUCING SODIUM BICARBONATE}

본 발명은 배기가스 처리 기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 배기가스에 포함된 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 제조할 수 있는 배기가스 처리 설비에 관한 것이다.The present invention relates to exhaust gas treatment technology, and more specifically, to an exhaust gas treatment facility capable of producing sodium bicarbonate while removing carbon dioxide contained in exhaust gas.

지구 온난화의 문제가 크게 대두되면서 온실가스 중 하나인 이산화탄소(CO2)를 다량으로 배출하는 발전소 및 제철소 등을 중심으로 이산화탄소를 효과적으로 포집하여 제거하기 위한 연구들이 다양하게 이루어지고 있다.As the problem of global warming has become a major issue, various studies are being conducted to effectively capture and remove carbon dioxide, focusing on power plants and steel mills that emit large amounts of carbon dioxide (CO 2 ), one of the greenhouse gases.

중탄산나트륨(NaHCO3)은 비누, 세제, 피혁 및 식품 첨가제 등 산업분야에서 다양하게 활용 가능한 물질로서 부가가치가 높을 뿐만 아니라, 상업적인 잠재력이 큰 화합물로 평가받고 있다.Sodium bicarbonate (NaHCO 3 ) is a substance that can be used in a variety of industries such as soap, detergents, leather, and food additives, and is evaluated as a compound with not only high added value but also great commercial potential.

본 발명의 기술분야와 관련된 특허문헌인 공개특허 제10-2022-0116407호에는 내부에 확산판이 배치된 반응조에 이산화탄소가 포함된 배가스와 탄산나트륨 수용액을 유입시켜서 이산화탄소와 탄산나트륨(Na2CO3)의 반응물인 중탄산나트륨을 형성하는 기술이 기재되어 있다.In Patent Publication No. 10-2022-0116407, which is a patent document related to the technical field of the present invention, exhaust gas containing carbon dioxide and an aqueous sodium carbonate solution are introduced into a reaction tank with a diffusion plate disposed inside, thereby producing a reaction product of carbon dioxide and sodium carbonate (Na 2 CO 3 ). A technique for forming phosphorus sodium bicarbonate is described.

대한민국 공개특허공보 공개번호 10-2022-0116407 (2022.08.23.)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2022-0116407 (2022.08.23.)

본 발명의 목적은 배기가스에 포함된 이산화탄소를 제거를 제거하면서 효율적으로 중탄산나트륨을 제조할 수 있는 배기가스 처리 설비를 제공하는 것이다.The purpose of the present invention is to provide an exhaust gas treatment facility capable of efficiently producing sodium bicarbonate while removing carbon dioxide contained in the exhaust gas.

상기한 본 발명이 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 미반응 이산화탄소를 포함하는 1차 처리 가스를 배출하는 제1 가스 처리 장치; 상기 미반응 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 수산화나트륨을 반응시켜서 상기 미반응 이산화탄소를 제거하면서 탄산나트륨을 생성하고 2차 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치; 상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및 상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며, 상기 제2 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제1 처리수로 공급되어서 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되며, 상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며, 상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 1차 처리 가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 미반응 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하는 배기가스 처리 설비가 제공된다.In order to achieve the problem that the present invention aims to solve above, according to one aspect of the present invention, carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated reacts with sodium carbonate contained in the first treated water to remove carbon dioxide and produce sodium bicarbonate. a first gas processing device that discharges a first processing gas containing unreacted carbon dioxide; a second gas treatment device that reacts the unreacted carbon dioxide with sodium hydroxide contained in the second treated water to remove the unreacted carbon dioxide, generate sodium carbonate, and discharge a secondary treated gas; a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device, wherein the sodium carbonate generated in the second gas treatment device is supplied to the first treated water to treat the exhaust gas. It is used for reaction with carbon dioxide contained in the gas, and the first gas processing device forms microbubbles in the exhaust gas to be treated within the first treated water, thereby forming the carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated into microbubbles and the first gas treatment device. It is provided with a first gas processing unit that increases the contact time and contact area between sodium carbonate contained in the treated water, and the second gas processing device forms the primary treated gas into microbubbles in the second treated water. An exhaust gas treatment facility is provided including a second gas treatment unit that increases the contact time and contact area between the unreacted carbon dioxide and sodium hydroxide contained in the second treated water.

상기한 본 발명이 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 탄산나트륨을 생성하고 미반응 이산화탄소를 포함하는 1차 처리 가스를 배출하는 제1 가스 처리 장치; 상기 미반응 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 상기 미반응 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 2차 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치; 상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및 상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며, 상기 제1 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제2 처리수로 공급되어서 상기 미반응 이산화탄소와의 반응에 사용되며, 상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며, 상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 1차 처리 가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 미반응 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하는 배기가스 처리 설비가 제공된다.In order to achieve the problem that the present invention aims to solve above, according to another aspect of the present invention, carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated reacts with sodium hydroxide contained in the first treated water to remove carbon dioxide and produce sodium carbonate. a first gas processing device that discharges a first processing gas containing unreacted carbon dioxide; a second gas processing device that reacts the unreacted carbon dioxide with sodium carbonate contained in the second treated water to remove the unreacted carbon dioxide, generate sodium bicarbonate, and discharge a secondary treated gas; a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device, wherein the sodium carbonate generated in the first gas treatment device is supplied to the second treated water to provide the unreacted carbon dioxide. It is used for a reaction with, and the first gas treatment device forms microbubbles in the exhaust gas to be treated within the first treated water, thereby forming the carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated and the first treated water. It is provided with a first gas processing unit that increases the contact time and contact area between sodium hydroxide, and the second gas processing device forms the primary treatment gas into microbubbles in the second treatment water to remove the unreacted carbon dioxide. An exhaust gas treatment facility is provided including a second gas treatment unit that increases the contact time and contact area between sodium carbonate contained in the second treated water.

상기한 본 발명이 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 제1 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 탄산나트륨을 생성하여 제1 처리 가스를 배출하는 제1 가스 처리 장치; 제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 제2 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치; 상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및 상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며, 상기 제1 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제2 처리수로 공급되어서 상기 제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되며, 상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 제1 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 제1 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며, 상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 제2 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하는 배기가스 처리 설비가 제공된다.In order to achieve the problem that the present invention aims to solve above, according to another aspect of the present invention, carbon dioxide contained in the first exhaust gas to be treated is reacted with sodium hydroxide contained in the first treated water to remove carbon dioxide. a first gas processing device that generates sodium carbonate and discharges a first processing gas; a second gas treatment device that reacts carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated with sodium carbonate contained in the second treated water, removes carbon dioxide, generates sodium bicarbonate, and discharges a second treated gas; a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device, wherein the sodium carbonate generated in the first gas treatment device is supplied to the second treated water to perform the second treatment. It is used for reaction with carbon dioxide contained in the target exhaust gas, and the first gas processing device forms the first exhaust gas to be treated into microbubbles in the first treatment water to be included in the first exhaust gas to be treated. A first gas processing unit is provided to increase the contact time and contact area between the carbon dioxide and the sodium hydroxide contained in the first treated water, and the second gas processing device is configured to perform the second treatment within the second treated water. Exhaust gas having a second gas processing unit that forms the target exhaust gas into microbubbles to increase the contact time and contact area between carbon dioxide contained in the second exhaust gas to be treated and sodium carbonate contained in the second treated water. Processing equipment is provided.

본 발명에 의하면 앞서서 기재한 본 발명의 목적을 모두 달성할 수 있다. 구체적으로, 배기가스에 포함된 이산화탄소와 수산화나트륨을 반응시켜서 탄산나트륨을 생성하고, 이산화탄소와 수산화나트륨의 반응을 통해 생성된 탄산나트륨을 배기가스에 포함된 이산화탄소와 반응시켜서 중탄산나트륨을 생성함으로써, 이산화탄소의 제거와 중탄산나트륨의 제조가 효과적으로 이루어질 수 있다.According to the present invention, all of the objectives of the present invention described above can be achieved. Specifically, sodium carbonate is produced by reacting carbon dioxide and sodium hydroxide contained in the exhaust gas, and sodium bicarbonate produced through the reaction of carbon dioxide and sodium hydroxide is reacted with carbon dioxide contained in the exhaust gas to produce sodium bicarbonate, thereby eliminating carbon dioxide. and sodium bicarbonate can be produced effectively.

또한, 가스 분사노즐을 통해 이산화탄소를 포함하는 배기가스가 수산화나트륨 또는 탄산나트륨을 포함하는 처리수 내에서 마이크로버블을 형성함으로써 반응성이 향상되어서, 이산화탄소의 제거, 이산화탄소와 수산화나트륨의 반응에 의한 탄산나트륨의 생성, 이산화탄소와 탄산나트륨의 반응에 의한 중탄산나트륨의 제조가 효율적으로 진행될 수 있다.In addition, the reactivity is improved by forming microbubbles in the treated water containing sodium hydroxide or sodium carbonate through the exhaust gas containing carbon dioxide through the gas injection nozzle, thereby eliminating carbon dioxide and producing sodium carbonate through the reaction of carbon dioxide and sodium hydroxide. , the production of sodium bicarbonate by the reaction of carbon dioxide and sodium carbonate can be carried out efficiently.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비에서 제1 가스 처리 장치와 제2 가스 처리 장치의 구성을 상세하게 도시한 것으로서, 배기가스에 대한 처리가 진행 중인 상태를 도시한 것이다.
도 3은 도 1에 도시된 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비에서 제1 가스 처리 장치와 제2 가스 처리 장치의 구성을 상세하게 도시한 것으로서, 배기가스에 대한 처리가 수행하기 전의 상태를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비에서 제1 가스 처리 장치의 구성을 상세하게 도시한 것으로서, 배기가스에 대한 처리가 진행 중인 상태를 도시한 것이다.
도 7은 도 5에 도시된 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비에서 제1 가스 처리 장치의 구성을 상세하게 도시한 것으로서, 배기가스에 대한 처리가 수행되기 전의 상태를 도시한 것이다.
도 8은 도 5에 도시된 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기 가스 처리 설비에서 제2 가스 처리 장치의 구성을 상세하게 도시한 것으로서, 배기 가스에 대한 처리가 진행 중인 상태를 도시한 것이다.
도 9는 도 5에 도시된 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기 가스 처리 설비에서 제2 가스 처리 장치의 구성을 상세하게 도시한 것으로서, 배기 가스에 대한 처리가 수행되기 전의 상태를 도시한 것이다.
Figure 1 is a diagram schematically showing the configuration of an exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows in detail the configuration of a first gas processing device and a second gas processing device in the exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate shown in FIG. 1, in which exhaust gas treatment is in progress. It shows.
FIG. 3 shows in detail the configuration of a first gas processing device and a second gas processing device in the exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate shown in FIG. 1, before processing the exhaust gas. It shows the state.
Figure 4 is a diagram schematically showing the configuration of an exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate according to another embodiment of the present invention.
Figure 5 is a diagram schematically showing the configuration of an exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 shows in detail the configuration of the first gas processing device in the exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate shown in FIG. 5, and shows a state in which treatment of exhaust gas is in progress.
FIG. 7 shows in detail the configuration of the first gas processing device in the exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate shown in FIG. 5, and shows a state before treatment of the exhaust gas is performed.
FIG. 8 shows in detail the configuration of a second gas processing device in the exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate shown in FIG. 5, and shows a state in which treatment of exhaust gas is in progress.
FIG. 9 shows in detail the configuration of the second gas processing device in the exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate shown in FIG. 5, and shows a state before treatment of the exhaust gas is performed.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비의 개략적인 구성이 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비(이하, '배기가스 처리 설비'라 약칭함)(1000)는 처리대상 배기가스(G0)에 포함된 이산화탄소(CO2)를 제거하면서 중탄산나트륨(NaHCO3)를 효율적으로 제조하는 설비로서, 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성하는 가스 유동 팬(1050)과, 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 처리대상 배기가스(G0)를 제1 처리수(L1)를 이용하여 처리하는 제1 가스 처리 장치(1100)와, 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)를 제2 처리수(L2)를 이용하여 처리하는 제2 가스 처리 장치(1200)와, 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(1200)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)에서 액체 성분을 분리하는 기액 분리기(1500)와, 제1 가스 처리 장치(1100)로 제1 처리수(L1)를 공급하는 제1 처리수 공급부(1600)와, 제2 가스 처리 장치(1200)로 제2 처리수(L2)를 공급하는 제2 처리수 공급부(1700)와, 제1 처리수(L1)에서 중탄산나트륨을 포함하는 고체 성분을 분리하는 고액 분리 필터(1800)와, 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 액체 성분이 저장되는 약품 회수조(1900)를 포함한다.Figure 1 shows a schematic configuration of an exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate according to an embodiment of the present invention. Referring to Figure 1, an exhaust gas treatment facility (hereinafter abbreviated as 'exhaust gas treatment facility') capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate according to an embodiment of the present invention (1000) is an exhaust gas to be treated (G0). It is a facility that efficiently produces sodium bicarbonate (NaHCO 3 ) while removing carbon dioxide (CO 2 ) contained in it, comprising a gas flow fan (1050) that creates a flow pressure in the gas on the gas flow line, and a gas flow fan (1050) on the gas flow line. A first gas processing device 1100 is installed to treat the exhaust gas G0 to be treated using first treatment water L1, and is installed on the gas flow line to discharge the exhaust gas G0 from the first gas processing device 1100. A second gas processing device 1200 that processes the primary treatment gas (G1) using second treatment water (L2), and is installed on the gas flow line and discharged from the second gas processing device 1200. A gas-liquid separator 1500 that separates the liquid component from the secondary treatment gas (G2), a first treated water supply unit 1600 that supplies first treated water (L1) to the first gas treatment device 1100, and a first treated water supply unit (1600) 2 A second treated water supply unit 1700 that supplies second treated water (L2) to the gas treatment device 1200, and a solid-liquid separation filter that separates solid components including sodium bicarbonate from the first treated water (L1) 1800) and a chemical recovery tank 1900 in which the liquid component discharged from the solid-liquid separation filter 1800 is stored.

가스 유동 팬(1050)은 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성한다. 본 실시예에서는 가스 유동 팬(1050)이 가스 유동 라인 상에서 제2 가스 처리 장치(1200)의 하류에 위치하는 것으로 설명하지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 가스 유동 팬(1050)은 제1 가스 처리 장치(1100)의 상류에 위치하거나, 제1 가스 처리 장치(1100)의 하류 및 제2 가스 처리 장치(1200)의 상류에 위치할 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 가스 유동 팬(1050)의 작동에 의해 가스가 제1 가스 처리 장치(1100), 제2 가스 처리 장치(1200), 기액 분리기(1500)를 차례대로 거쳐서 유동하게 된다.Gas flow fan 1050 creates flow pressure in the gas on the gas flow line. In this embodiment, the gas flow fan 1050 is described as being located downstream of the second gas processing device 1200 on the gas flow line, but the present invention is not limited thereto. The gas flow fan 1050 may be located upstream of the first gas processing device 1100, or may be located downstream of the first gas processing device 1100 and upstream of the second gas processing device 1200, and may also be located upstream of the first gas processing device 1100. It falls within the scope of the present invention. By operating the gas flow fan 1050, gas flows sequentially through the first gas processing device 1100, the second gas processing device 1200, and the gas-liquid separator 1500.

제1 가스 처리 장치(1100)는 가스 유동 라인 상에 설치되어서 처리대상 배기가스(G0)를 제1 처리수(L1)를 이용하여 처리한다. 처리대상 배기가스(G0)는 가스 유동 팬(1050)의 작동에 의해 제1 가스 처리 장치(1100)로 유입되어서 처리된 후 1차 처리 가스(G1)로서 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출된다. 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)는 제2 가스 처리 장치(1200)로 유입된다. 제1 가스 처리 장치(1100)에서 처리대상 배기가스(G0)의 처리에 사용되는 제1 처리수(L1)는 제1 약품인 탄산나트륨(Na2CO3)을 포함하는 탄산나트륨 수용액이다. 제1 가스 처리 장치(1100)는 탄산나트륨을 포함하는 제1 처리수(L1)를 제1 처리수 공급부(1600)를 통해 공급받는다. 제1 가스 처리 장치(1100)는 공업용수도 공급받는다. 제1 가스 처리 장치(1100)에서는 아래 반응식 1, 반응식 2, 반응식 3과 같은 화학 반응이 주로 일어난다.The first gas processing device 1100 is installed on the gas flow line and processes the exhaust gas G0 to be treated using first treatment water L1. The exhaust gas to be treated (G0) flows into the first gas processing device 1100 by the operation of the gas flow fan 1050, is processed, and is then discharged from the first gas processing device 1100 as the primary processing gas (G1). do. The primary processing gas (G1) discharged from the first gas processing device 1100 flows into the second gas processing device 1200. The first treated water (L1) used to treat the exhaust gas (G0) to be treated in the first gas treatment device 1100 is an aqueous sodium carbonate solution containing sodium carbonate (Na 2 CO 3 ), which is the first chemical. The first gas treatment device 1100 receives first treated water L1 containing sodium carbonate through the first treated water supply unit 1600. The first gas processing device 1100 is also supplied with industrial water. In the first gas processing device 1100, chemical reactions as shown in Reaction Equation 1, Reaction Equation 2, and Reaction Equation 3 below mainly occur.

[반응식 1][Scheme 1]

CO2 + H2O → HCO3 - + H+ CO 2 + H 2 O → HCO 3 - + H +

[반응식 2][Scheme 2]

H2CO3(aq) + Na2CO3(aq) → 2NaHCO3(c) H 2 CO 3 (aq) + Na 2 CO 3 (aq) → 2NaHCO 3 (c)

[반응식 3][Scheme 3]

CO2(g) + Na2CO3(aq) + H2O(l) → 2NaHCO3(c) CO 2 (g) + Na 2 CO 3 (aq) + H 2 O(l) → 2NaHCO 3 (c)

즉, 제1 가스 처리 장치(1100)에서 이산화탄소가 제거되고 중탄산나트륨(NaHCO3)이 생성된다. 중탄산나트륨이 생성되는 이러한 반응은 발열 반응으로서, 높은 반응 효율을 유지하기 위하여 제1 처리수(L1)은 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 본 실시예에서 제1 처리수(L1)의 설정된 기준 수소이온농도의 범위는 9.5 내지 12pH이며, 설정된 기준 온도 범위는 10 내지 25℃인 것으로 설명한다. 제1 가스 처리 장치(1100)에서 제거되지 않은 미반응 이산화탄소는 1차 처리 가스(G1)에 포함되어서 제2 가스 처리 장치(1200)로 유입된다.That is, carbon dioxide is removed in the first gas processing device 1100 and sodium bicarbonate (NaHCO 3 ) is generated. This reaction in which sodium bicarbonate is produced is an exothermic reaction, and in order to maintain high reaction efficiency, the first treated water (L1) is controlled to maintain a set standard hydrogen ion concentration range and a set standard temperature range. In this embodiment, the set standard hydrogen ion concentration range of the first treated water (L1) is 9.5 to 12 pH, and the set standard temperature range is 10 to 25°C. Unreacted carbon dioxide that is not removed from the first gas processing device 1100 is included in the first processing gas G1 and flows into the second gas processing device 1200.

제1 가스 처리 장치(1100)에서는 처리대상 배기가스(G0)에 대한 탈진 처리 및 잡산성가스 제거 기능도 수행된다.The first gas processing device 1100 also performs dedusting treatment and acid gas removal functions for the exhaust gas G0 to be treated.

제1 가스 처리 장치(1100)의 구조가 구체적으로 도시된 도 2를 참조하면, 처리대상 배기가스(G0)와 제1 처리수(L1)가 유입되는 제1 도입부(1110)와, 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제1 도입부(1110)로부터 배출되는 가스(G11)를 처리하는 제1 마이크로버블 처리부(1130)와, 제1 도입부(1110)와 제1 마이크로버블 처리부(1130)를 연통시키는 제1 연결 통로(1190)를 구비한다.Referring to FIG. 2, which specifically shows the structure of the first gas processing device 1100, there is a first inlet 1110 through which the exhaust gas to be treated (G0) and the first treated water (L1) flow, and a microbubble ( The first microbubble processing unit 1130 processes the gas (G11) discharged from the first introduction unit 1110 using a micro-bubble, and the first introduction unit 1110 communicates with the first microbubble treatment unit 1130. Shiki is provided with a first connection passage (1190).

제1 도입부(1110)로 처리대상 배기가스(G0)와 제1 처리수(L1)가 유입된다. 제1 도입부(1110)는 내부에 형성되는 제1 도입 공간(1111)을 제공한다. 제1 도입 공간(1111)은 제1 통로부(1190)에 의해 제1 마이크로버블 처리부(1130)와 연통된다. 제1 도입 공간(1111)의 상단에는 제1 흡기구(1113)가 위치하며, 제1 도입 공간(1111)의 하단에는 제1 도입공간 배수구(1115)가 위치한다. 제1 흡기구(1113)를 통해서 처리대상 배기가스(G0)가 제1 도입 공간(1111)으로 유입된다. 제1 도입공간 배수구(1115)를 통해서 배수가 이루어진다. 제1 도입 공간(1111)은 제1 흡기구(1113)보다 낮고 제1 도입공간 배수구(1115)보다 높은 위치에서 제1 연결 통로부(1190)와 연통된다.Exhaust gas to be treated (G0) and first treated water (L1) are introduced into the first introduction part 1110. The first introduction part 1110 provides a first introduction space 1111 formed therein. The first introduction space 1111 communicates with the first microbubble processing unit 1130 through the first passage part 1190. A first intake port 1113 is located at the top of the first introduction space 1111, and a first introduction space drain 1115 is located at the bottom of the first introduction space 1111. Exhaust gas G0 to be treated flows into the first introduction space 1111 through the first intake port 1113. Drainage occurs through the first introduction space drain 1115. The first introduction space 1111 communicates with the first connection passage 1190 at a position lower than the first intake port 1113 and higher than the first introduction space drain 1115.

제1 도입 공간(1111)에서 제1 흡기구(1113)와 제1 도입공간 배수구(1115)의 사이에는 제1 수조(1117), 제1A 수류관(1119), 제1A 확산판(1121), 제1B 수류관(1123), 제1B 확산판(1125), 제1 처리수 도입부 공급 수단(1126)이 설치된다.In the first introduction space 1111, between the first intake port 1113 and the first introduction space drain 1115, there is a first water tank 1117, a 1A water flow pipe 1119, a 1A diffusion plate 1121, and a 1st introduction space 1111. A 1B water flow pipe 1123, a 1B diffusion plate 1125, and a first treated water inlet supply means 1126 are installed.

제1 수조(1117)는 제1 도입 공간(1111)에서 제1 흡기구(1113)의 아래에 인접하여 위치한다. 제1 수조(1117)에는 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)가 일시 저장된다. 제1 수조(1117)에는 제1 도입 공간(1111)으로 유입되는 공업용수도 일시 저장될 수 있다. 제1 수조(1117)로부터 흘러 넘치는 제1 처리수(L1)는 제1A 수류관(1119)을 통해 아래로 유동한다.The first water tank 1117 is located adjacent to the bottom of the first intake port 1113 in the first introduction space 1111. The first treated water L1 supplied from the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1) is temporarily stored in the first water tank 1117. Industrial water flowing into the first introduction space 1111 may also be temporarily stored in the first water tank 1117. The first treated water (L1) overflowing from the first water tank (1117) flows downward through the first A water flow pipe (1119).

제1A 수류관(1119)은 제1 도입 공간(1111)에서 제1 수조(1117)의 아래에 위치한다. 제1A 수류관(1119)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제1A 수류관(1119)의 하단에는 제1 처리수(L1)과 가스를 아래로 배출하는 제1A 수류관 배출구(1120)가 형성된다. 제1A 수류관(1119)을 따라서 가스와 제1 처리수(L1)가 제1A 수류관 배출구(1120)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수(L1)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 1A water flow pipe 1119 is located below the first water tank 1117 in the first introduction space 1111. The 1A water flow pipe 1119 has a shape that becomes narrower as it goes downward, and a 1A water flow pipe outlet 1120 is formed at the bottom of the 1A water flow pipe 1119 to discharge the first treated water (L1) and gas downward. do. As the gas and the first treated water (L1) flow downward along the 1A water flow pipe 1119 toward the 1A water flow pipe outlet 1120, the contact area between the gas and the first treated water (L1) increases, The reaction efficiency between carbon dioxide contained in the gas and sodium carbonate contained in the first treated water (L1) is improved.

제1A 확산판(1121)은 제1 도입 공간(1111)에서 제1A 수류관 배출구(1120)의 아래에 위치한다. 제1A 확산판(1121)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제1A 수류관 배출구(1120)으로부터 배출되는 제1 처리수(L1)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The 1A diffusion plate 1121 is located below the 1A water flow pipe outlet 1120 in the first introduction space 1111. The 1A diffusion plate 1121 is inclined radially outward from the center downward to the water channel to widely disperse the first treated water L1 discharged from the 1A water flow pipe outlet 1120 outward.

제1B 수류관(1123)은 제1 도입 공간(1111)에서 제1A 확산판(1121)의 아래에 위치한다. 제1B 수류관(1123)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제1B 수류관(1123)의 하단에는 제1 처리수(L1)와 가스를 아래로 배출하는 제1B 수류관 배출구(1124)가 형성된다. 제1B 수류관(1123)을 따라서 가스와 제1 처리수(L1)가 제1B 수류관 배출구(1124)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수(L1)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 1B water flow pipe 1123 is located below the 1A diffusion plate 1121 in the first introduction space 1111. The 1B water flow pipe 1123 has a shape that narrows as it goes downward, and a 1B water flow pipe outlet 1124 is formed at the bottom of the 1B water flow pipe 1123 to discharge the first treated water (L1) and gas downward. do. As the gas and the first treated water (L1) flow downward along the 1B water flow pipe 1123 toward the 1B water flow pipe outlet 1124, the contact area between the gas and the first treated water (L1) increases, The reaction efficiency between carbon dioxide contained in the gas and sodium carbonate contained in the first treated water (L1) is improved.

제1B 확산판(1125)은 제1 도입 공간(1111)에서 제1B 수류관 배출구(1124)의 아래에 위치한다. 제1B 확산판(1125)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제1B 수류관 배출구(1124)으로부터 배출되는 제1 처리수(L1)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The 1B diffusion plate 1125 is located below the 1B water flow pipe outlet 1124 in the first introduction space 1111. The 1B diffusion plate 1125 is inclined radially outward from the center downward to the water channel to widely disperse the first treated water L1 discharged from the 1B water flow pipe outlet 1124 outward.

제1 처리수 도입부 공급 수단(1126)은 제1 도입 공간(1111)에 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)를 공급한다. 제1 처리수 도입부 공급 수단(1126)은 제1 수조(1117)의 위에 위치하여 제1 처리수(L1)를 제1 수조(1117)로 공급한다.The first treated water introduction unit supply means 1126 supplies first treated water L1 supplied from the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1) to the first introduction space 1111. The first treated water inlet supply means 1126 is located above the first water tank 1117 and supplies the first treated water L1 to the first water tank 1117.

제1 마이크로버블 처리부(1130)는 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제1 도입부(1110)로부터 배출되는 가스(G11)를 처리한다. 제1 마이크로버블 처리부(1130)는 내부에 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)을 제공한다. 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)은 제1 연결 통로(1190)를 통해 제1 도입 공간(1111)과 연통된다. 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)의 상단에는 제1 배기구(1132)가 위치하며, 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)의 하단에는 제1 처리공간 배수구(1133)가 위치한다. 제1 배기구(1132)를 통해서 제1 마이크로버블 처리 공간(1131) 내부의 가스가 배출된다. 제1 처리공간 배수구(1133)를 통해서 배수가 이루어진다. 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)은 제1 배기구(1132)보다 낮고 제1 처리공간 배수구(1133)보다 높은 위치에서 제1 연결 통로(1190)와 연통된다.The first microbubble processing unit 1130 processes the gas G11 discharged from the first introduction unit 1110 using microbubbles. The first microbubble processing unit 1130 provides a first microbubble processing space 1131 therein. The first microbubble treatment space 1131 communicates with the first introduction space 1111 through the first connection passage 1190. A first exhaust port 1132 is located at the top of the first microbubble treatment space 1131, and a first treatment space drain 1133 is located at the bottom of the first microbubble treatment space 1131. Gas inside the first microbubble treatment space 1131 is discharged through the first exhaust port 1132. Drainage occurs through the first treatment space drain 1133. The first microbubble treatment space 1131 communicates with the first connection passage 1190 at a position lower than the first exhaust hole 1132 and higher than the first treatment space drain 1133.

제1 마이크로버블 처리 공간(1131)에는 제1 연결 통로(1190)와 제1 배기구(1132)의 사이에서 높이방향을 따라서 아래로부터 위로 차례대로 배치되는 제1A 가스 처리 유닛(1140)과 제1B 가스 처리 유닛(1160)이 구비된다. 제1 연결 통로(1190)를 통해 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)으로 유입된 가스(G11)는 위로 상승하여 제1A 가스 처리 유닛(1140)과 제1B 가스 처리 유닛(1160)을 차례대로 통과한다.In the first microbubble processing space 1131, a 1A gas processing unit 1140 and a 1B gas are arranged sequentially from bottom to top along the height direction between the first connection passage 1190 and the first exhaust port 1132. A processing unit 1160 is provided. The gas (G11) flowing into the first microbubble processing space (1131) through the first connection passage (1190) rises upward and passes through the first A gas processing unit 1140 and the first B gas processing unit 1160 in turn. do.

제1A 가스 처리 유닛(1140)은 제1A 바닥판(1142)과, 제1A 바닥판(1142)에 설치되는 제1A 아토마이징부(1144)와, 제1A 수위 조절부(1150)와, 제1A 처리수 반응부 공급 수단(1157)을 구비한다.The 1A gas processing unit 1140 includes a 1A bottom plate 1142, a 1A atomizing unit 1144 installed on the 1A bottom plate 1142, a 1A water level control unit 1150, and a 1A bottom plate 1142. A treated water reaction unit supply means (1157) is provided.

제1A 바닥판(1142)은 판상으로서 제1A 가스 처리 유닛(1140)의 내부 공간에서 대체로 수평으로 설치되고, 제1 연결 통로(1190)보다 위에 위치한다. 제1A 가스 처리 유닛(1140)의 내부 공간은 제1A 바닥판(1142)을 사이에 두고 제1A 하부 공간(1141)과 제1A 상부 공간(1143)으로 분리되는데, 제1A 상부 공간(1141)에 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1A 바닥판(1142)에 제1A 아토마이징부(1144)가 설치된다.The 1A bottom plate 1142 is plate-shaped and installed substantially horizontally in the internal space of the 1A gas processing unit 1140, and is located above the first connection passage 1190. The internal space of the 1A gas processing unit 1140 is divided into a 1A lower space 1141 and a 1A upper space 1143 with a 1A bottom plate 1142 in between, with the 1A upper space 1141 First treated water (L1) supplied from the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1) is stored. A 1A atomizing unit 1144 is installed on the 1A bottom plate 1142.

제1A 아토마이징부(1144)는 제1A 하부 공간(1141)에 존재하는 가스(G11)를 제1 처리수(L1)가 저장된 제1A 상부 공간(1143)으로 분사한다. 제1A 아토마이징부(1144)에 의해 분사된 가스(G11)는 제1 처리수(L1) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B11)을 형성한다. 제1A 아토마이징부(1144)는 제1A 상부 공간(1143)으로 가스(G11)를 분사하는 제1A 가스 분사노즐(1145)과, 제1A 가스 분사노즐(1145)의 끝에 위치하는 제1A 충돌판(1146)을 구비한다. 제1A 아토마이징부(1146)에 의해 형성된 마이크로 버블(B11)로 인해 제1A 상부 공간(1143)에서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B11)은 제1 처리수(L1) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제1A 상부 공간(1143)에서 가스(G11)에 포함된 처리대상 성분인 이산화탄소와 제1 처리수(L1)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 현저하게 높아져서, 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨의 생성 효율도 현저하게 향상된다.The 1A atomizing unit 1144 sprays the gas G11 existing in the 1A lower space 1141 into the 1A upper space 1143 where the first treated water L1 is stored. The gas G11 sprayed by the first A atomizing unit 1144 forms micro-bubbles B11 in the first treated water L1. The 1A atomizing unit 1144 includes a 1A gas injection nozzle 1145 that injects gas G11 into the 1A upper space 1143, and a 1A collision plate located at the end of the 1A gas injection nozzle 1145. (1146) is provided. The contact area between the gas and the first treated water (L1) in the 1A upper space (1143) increases due to the microbubbles (B11) formed by the 1A atomizing unit (1146). In addition, the microbubbles (B11) rise more slowly than regular bubbles in the first treated water (L1), so they stay for a longer time. Accordingly, the reaction efficiency between carbon dioxide, a component to be treated, contained in the gas G11 in the first A upper space 1143, and sodium carbonate contained in the first treated water L1 is significantly increased, thereby removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate. Efficiency is also significantly improved.

제1A 가스 분사노즐(1145)은 제1A 바닥판(1142)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제1A 상부 공간(1143)에 위치한다. 제1A 가스 분사노즐(1145)에 의해 제1A 하부 공간(1141)의 가스(G11)가 제1A 상부 공간(1143)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제1A 가스 분사노즐(1145)에는 가스가 제1A 가스 분사노즐(1145)을 따라 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 분사구가 형성된 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제1A 가스 분사노즐(1145)의 끝단에는 제1A 충돌판(1146)이 인접하여 위치한다.The 1A gas injection nozzle 1145 is formed to protrude upward from the 1A bottom plate 1142 and is located in the 1A upper space 1143. The gas G11 in the 1A lower space 1141 is injected upward into the 1A upper space 1143 by the 1A gas injection nozzle 1145. As shown, a section is formed in the 1A gas injection nozzle 1145 where the internal passage becomes narrower toward the end where the injection hole is formed so that the speed of the gas increases as the gas flows along the 1A gas injection nozzle 1145. A 1A collision plate 1146 is located adjacent to the end of the 1A gas injection nozzle 1145.

제1A 충돌판(1146)은 제1A 가스 분사노즐(1145)의 끝단 위에 인접하도록 제1A 상부 공간(1143)에 위치한다. 제1 처리수(L1)에 잠긴 제1A 충돌판(1146)에 제1A 가스 분사노즐(1145)로부터 분사되는 가스(G11)가 강하게 충돌하여 마이크로 버블(B11)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제1A 충돌판(1146)이 도시된 바와 같이 제1A 하부 충돌판(1147)과 제1A 상부 충돌판(1148)이 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제1A 상부 충돌판(1148)이 아래에 위치하는 제1A 하부 충돌판(1147)의 전체를 덮도록 더 크며, 제1A 상부 충돌판(1148) 사이에 적어도 하나의 제1A 통로(1149)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제1A 충돌판(1146)의 설치 높이가 가변되어서 제1A 가스 분사노즐(1145)과의 거리가 조절될 수 있다.The 1A collision plate 1146 is located in the 1A upper space 1143 adjacent to the end of the 1A gas injection nozzle 1145. The gas G11 sprayed from the 1A gas injection nozzle 1145 strongly collides with the 1A collision plate 1146 submerged in the first treated water L1 to form micro bubbles B11. In this embodiment, the 1A lower collision plate 1146 is described as having a two-stage structure in which the 1A lower collision plate 1147 and the 1A upper collision plate 1148 are arranged sequentially along the height direction, as shown. The present invention is not limited to this, and a single-stage structure or a three-stage or more structure also falls within the scope of the present invention. In the case of a multi-stage structure, the 1A upper collision plate 1148 located above is larger so as to cover the entire 1A lower collision plate 1147 located below, and there is at least one space between the 1A upper collision plates 1148. It is preferable that the first A passage 1149 is formed. Although not shown, in order to adjust the gas processing capacity, the installation height of the 1A collision plate 1146 can be changed to adjust the distance from the 1A gas injection nozzle 1145.

제1A 수위 조절부(1150)는 제1A 상부 공간(1143)의 측면에 위치하며, 제1A 상부 공간(1143)에서 오버플로우를 통해 제1 처리수(L1)의 수위를 조절한다. 제1A 수위 조절부(1150)는 제1A 상부 공간(1143)의 측벽에 형성된 제1 수위조절 개구부(1151)을 통해 제1A 상부 공간(1143)과 연통되는 제1A 수위조절 수조(1152)를 구비한다. 제1A 수위조절 개구부(1151)는 제1A 상부 공간(1143)에서 제1A 처리수(L1)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제1A 수위조절 수조(1152)에는 제1A 상부 공간(1143)에서 오버플로우된 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1A 수위조절 수조(1152)에 저장된 제1 처리수(L1)는 배출되어서 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로 공급된다. 제1A 수위조절 수조(1152)에서 배출되어서 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로 공급되는 용액은 생성된 중탄산나트륨과 미반응 탄산나트륨을 함유한다.The 1A water level control unit 1150 is located on the side of the 1A upper space 1143 and adjusts the water level of the first treated water (L1) through overflow in the 1A upper space 1143. The 1A water level control unit 1150 is provided with a 1A water level control water tank 1152 that communicates with the 1A upper space 1143 through the first water level control opening 1151 formed on the side wall of the 1A upper space 1143. do. The 1A water level control opening 1151 is located in the 1A upper space 1143 corresponding to the water level control height of the 1A treated water (L1). The first treated water (L1) overflowed from the 1A upper space 1143 is stored in the 1A water level control tank 1152. The first treated water (L1) stored in the 1A water level control tank 1152 is discharged and supplied to the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1). The solution discharged from the 1A water level control tank 1152 and supplied to the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1) contains produced sodium bicarbonate and unreacted sodium carbonate.

제1A 처리수 반응부 공급 수단(1157)은 제1A 상부 공간(1143)에 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)를 공급한다.The 1A treated water reaction unit supply means 1157 supplies the first treated water L1 supplied from the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1) to the 1A upper space 1143.

제1B 가스 처리 유닛(1160)은 제1A 가스 처리 유닛(1140)의 위에 위치하며, 제1B 바닥판(1162)과, 제1B 바닥판(1162)에 설치되는 제1B 아토마이징부(1164)와, 제1B 수위 조절부(1170)와, 제1B 처리수 반응부 공급 수단(1177)을 구비한다.The 1B gas processing unit 1160 is located above the 1A gas processing unit 1140, and includes a 1B bottom plate 1162, a 1B atomizing unit 1164 installed on the 1B bottom plate 1162, and , a 1B water level control unit 1170, and a 1B treated water reaction unit supply means 1177.

제1B 바닥판(1162)은 판상으로서 제1B 가스 처리 유닛(1160)의 내부 공간에서 대체로 수평으로 설치된다. 제1B 가스 처리 유닛(1160)의 내부 공간은 제1B 바닥판(1162)을 사이에 두고 제1B 하부 공간(1161)과 제1B 상부 공간(1163)으로 분리된다. 제1B 하부 공간(1161)은 제1A 가스 처리 유닛(1140)의 제1A 상부 공간(1143)과 연통되며, 제1B 상부 공간(1163)에는 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1B 바닥판(1162)에 제1B 아토마이징부(1164)가 설치된다.The 1B bottom plate 1162 is plate-shaped and installed substantially horizontally in the internal space of the 1B gas processing unit 1160. The internal space of the 1B gas processing unit 1160 is divided into a 1B lower space 1161 and a 1B upper space 1163 with the 1B bottom plate 1162 interposed therebetween. The 1B lower space 1161 is in communication with the 1A upper space 1143 of the 1A gas processing unit 1140, and the 1B upper space 1163 is supplied from the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1). The first treated water (L1) is stored. The 1B atomizing unit 1164 is installed on the 1B bottom plate 1162.

제1B 아토마이징부(1164)는 제1B 하부 공간(1161)에 존재하는 가스(G12)를 제1 처리수(L1)가 저장된 제1B 상부 공간(1163)으로 분사한다. 제1B 하부 공간(1161)에 존재하는 가스(G12)은 제1A 가스 처리 유닛(1140)에서 처리된 가스이다. 제1B 아토마이징부(1644)에 의해 분사된 가스(G12)는 제1 처리수(L1) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B12)을 형성한다. 제1B 아토마이징부(1164)는 제1B 상부 공간(1163)으로 가스(G12)를 분사하는 제1B 가스 분사노즐(1165)과, 제1B 가스 분사노즐(1164)의 끝에 위치하는 제1B 충돌판(1166)을 구비한다. 제1B 아토마이징부(1644)에 의해 형성된 마이크로 버블(B12)로 인해 제1B 상부 공간(1163)에서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B12)은 제1 가스 처리수(L1) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제1B 상부 공간(1163)에서 가스(G12)에 포함된 처리대상 성분인 이산화탄소와 제1 가스 처리수(L1)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 현저하게 높아져서, 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨의 생성 효율도 현저하게 향상된다.The 1B atomizing unit 1164 sprays the gas G12 existing in the 1B lower space 1161 into the 1B upper space 1163 where the first treated water L1 is stored. The gas G12 existing in the 1B lower space 1161 is a gas processed in the 1A gas processing unit 1140. The gas G12 sprayed by the first B atomizing unit 1644 forms micro-bubbles B12 in the first treated water L1. The 1B atomizing unit 1164 includes a 1B gas injection nozzle 1165 that injects gas G12 into the 1B upper space 1163, and a 1B collision plate located at the end of the 1B gas injection nozzle 1164. (1166) is provided. The contact area between the gas and the first treated water L1 in the 1B upper space 1163 increases due to the microbubbles B12 formed by the 1B atomizing unit 1644. In addition, the microbubbles (B12) rise more slowly than regular bubbles in the first gas treated water (L1), so they stay for a longer time. Accordingly, the reaction efficiency between carbon dioxide, which is a treatment target component contained in the gas G12, and sodium carbonate contained in the first gas treated water L1 in the first B upper space 1163 is significantly increased, thereby removing carbon dioxide and removing sodium bicarbonate. Generation efficiency is also significantly improved.

제1B 가스 분사노즐(1165)은 제1B 바닥판(1162)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제1B 상부 공간(1163)에 위치한다. 제1B 가스 분사노즐(1165)에 의해 제1B 하부 공간(1161)의 가스(G12)가 제1B 상부 공간(1163)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제1B 가스 분사노즐(1165)에는 가스가 제1B 가스 분사노즐(1165)을 따라 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 분사구가 형성된 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제1B 가스 분사노즐(1165)의 끝단에는 제1B 충돌판(1166)이 인접하여 위치한다.The 1B gas injection nozzle 1165 is formed to protrude upward from the 1B bottom plate 1162 and is located in the 1B upper space 1163. The gas G12 in the 1B lower space 1161 is injected upward into the 1B upper space 1163 by the 1B gas injection nozzle 1165. As shown, a section is formed in the 1B gas injection nozzle 1165 where the internal passage becomes narrower toward the end where the injection hole is formed so that the speed of the gas increases as the gas flows along the 1B gas injection nozzle 1165. A 1B collision plate 1166 is located adjacent to the end of the 1B gas injection nozzle 1165.

제1B 충돌판(1166)은 제1B 가스 분사노즐(1165)의 끝단 위에 인접하도록 제1B 상부 공간(1163)에 위치한다. 제1B 상부 공간(1163)에서 제1 처리수(L1)에 잠긴 제1B 충돌판(1166)에 제1B 가스 분사노즐(1165)로부터 분사되는 가스(G12)가 강하게 충돌하여 마이크로 버블(B12)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제1B 충돌판(1166)이 도시된 바와 같이 제1B 하부 충돌판(1167)과 제1B 상부 충돌판(1168)이높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제1B 상부 충돌판(1168)이 아래에 위치하는 제1B 하부 충돌판(1167)의 전체를 덮도록 더 크며, 제1B 상부 충돌판(1168) 사이에 적어도 하나의 제1B 통로(1169)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제1B 충돌판(1166)의 설치 높이가 가변되어서 제1B 가스 분사노즐(1165)과의 거리가 조절될 수 있다.The 1B collision plate 1166 is located in the 1B upper space 1163 adjacent to the end of the 1B gas injection nozzle 1165. The gas G12 sprayed from the 1B gas injection nozzle 1165 strongly collides with the 1B collision plate 1166 submerged in the first treated water L1 in the 1B upper space 1163, creating micro bubbles B12. is formed. In this embodiment, the 1B collision plate 1166 is described as having a two-stage structure in which the 1B lower collision plate 1167 and the 1B upper collision plate 1168 are arranged sequentially along the height direction, as shown. The present invention is not limited to this, and a single-stage structure or a three-stage or more structure also falls within the scope of the present invention. In the case of a multi-stage structure, the 1B upper collision plate 1168 located above is larger so as to cover the entire 1B lower collision plate 1167 located below, and there is at least one space between the 1B upper collision plates 1168. It is preferable that the 1B passage 1169 is formed. Although not shown, in order to adjust the gas processing capacity, the installation height of the 1B collision plate 1166 can be changed to adjust the distance from the 1B gas injection nozzle 1165.

제1B 수위 조절부(1170)는 제1B 상부 공간(1163)의 측면에 위치하며, 제1B 상부 공간(1163)에서 오버플로우를 통해 제1 처리수(L1)의 수위를 조절한다. 제1B 수위 조절부(1170)는 제1B 상부 공간(1163)의 측벽에 형성된 제1B 수위조절 개구부(1171)을 통해 제1B 상부 공간(1163)과 연통되는 제1B 수위조절 수조(1172)를 구비한다. 제1B 수위조절 개구부(1171)는 제1B 상부 공간(1163)에서 제1 처리수(L1)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제1B 수위조절 수조(1172)에는 제1B 상부 공간(1163)에서 오버플로우된 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1B 수위조절 수조(1172)에 저장된 제1 처리수(L1)는 배출되어서 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로 공급된다. 제1B 수위조절 수조(1172)에서 배출되어서 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로 공급되는 용액은 생성된 중탄산나트륨과 미반응 탄산나트륨을 함유한다.The 1B water level control unit 1170 is located on the side of the 1B upper space 1163 and adjusts the water level of the first treated water (L1) through overflow in the 1B upper space 1163. The 1B water level control unit 1170 is provided with a 1B water level control water tank 1172 that communicates with the 1B upper space 1163 through the 1B water level control opening 1171 formed on the side wall of the 1B upper space 1163. do. The 1B water level control opening 1171 is located in the 1B upper space 1163 corresponding to the water level control height of the first treated water (L1). The first treated water (L1) overflowed from the 1B upper space 1163 is stored in the 1B water level control tank 1172. The first treated water (L1) stored in the 1B water level control tank 1172 is discharged and supplied to the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1). The solution discharged from the 1B water level control tank 1172 and supplied to the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1) contains produced sodium bicarbonate and unreacted sodium carbonate.

제1B 처리수 반응부 공급 수단(1177)은 제1B 상부 공간(1163)에 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)를 공급한다.The 1B treated water reaction unit supply means 1177 supplies the first treated water L1 supplied from the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1) to the 1B upper space 1163.

제1 마이크로버블 처리부(1130)에서 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 반응은 상기 반응식 3에 의한 중탄산나트륨 생성 반응을 더욱 촉진시킨다.The reaction using microbubbles in the first microbubble processing unit 1130 further promotes the sodium bicarbonate production reaction according to Scheme 3 above.

상기 실시예에서는 제1 마이크로버블 처리부(1130)가 높이방향을 따라서 아래로부터 위로 연속으로 배치되는 제1A 가스 처리 유닛(1140)과 제1B 가스 처리 유닛(1160)를 구비하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 제1A 가스 처리 유닛(1140)만을 구비하거나, 3개 이상의 가스 처리 유닛이 높이방향을 따라서 연속으로 배치될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.In the above embodiment, the first microbubble processing unit 1130 is described as having a 1A gas processing unit 1140 and a 1B gas processing unit 1160 arranged sequentially from bottom to top along the height direction, but this is different. Only the 1A gas processing unit 1140 may be provided, or three or more gas processing units may be arranged in succession along the height direction, and this also falls within the scope of the present invention.

제1 도입공간 배수구(1115)와 제1 처리공간 배수구(1133)를 통해 각각 배출되는 제1 처리수(L1)는 생성된 중탄산나트륨과 미반응 탄산나트륨을 함유하며, 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로 공급된다.The first treated water (L1) discharged through the first introduction space drain 1115 and the first treatment space drain 1133 contains generated sodium bicarbonate and unreacted sodium carbonate, and is supplied to the first treated water supply unit (FIG. 1 of 1600).

제1 연결 통로(1190)는 제1 도입부(1110)의 제1 도입 공간(1111)과 제1 마이크로버블 처리부(1130)의 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)을 연통시킨다. 제1 연결 통로(1190)는 제1 흡기구(1113)와 제1 배기구(1132)보다 아래에 위치하고, 제1 도입공간 배수구(1115)와 제1 처리공간 배수구(1133)보다 위에 위치한다.The first connection passage 1190 communicates the first introduction space 1111 of the first introduction part 1110 and the first microbubble treatment space 1131 of the first microbubble treatment unit 1130. The first connection passage 1190 is located below the first intake port 1113 and the first exhaust port 1132, and is located above the first introduction space drain 1115 and the first treatment space drain 1133.

도 1을 참조하면, 제2 가스 처리 장치(1200)는 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)를 제2 처리수(L2)를 이용하여 처리한다. 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)는 가스 유동 팬(1050)의 작동에 의해 제2 가스 처리 장치(1200)로 유입되어서 처리된 후 2차 처리 가스(G2)으로서 제2 가스 처리 장치(1200)로부터 배출된다. 제2 가스 처리 장치(1200)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)는 기액 분리기(1500)로 유입된다. 제2 가스 처리 장치(1200)에서 1차 처리 가스(G1)의 처리에 사용되는 제2 처리수(L2)는 제2 약품인 수산화나트륨(NaOH)을 포함하는 수산화나트륨 수용액이다. 제2 가스 처리 장치(1200)는 수산화나트륨을 포함하는 제2 처리수(L2)를 제2 처리수 공급부(1700)를 통해 공급받는다. 제2 가스 처리 장치(1200)는 공업용수도 공급받는다. 제2 가스 처리 장치(1200)에서는 아래 반응식 4, 반응식 5, 반응식 6과 같은 화학 반응이 주로 일어난다.Referring to FIG. 1, the second gas processing device 1200 is installed on the gas flow line and converts the primary processing gas (G1) discharged from the first gas processing device (1100) into second treated water (L2). Process it using The primary processing gas (G1) discharged from the first gas processing device 1100 flows into the second gas processing device 1200 by the operation of the gas flow fan 1050 and is processed to produce the secondary processing gas (G2). is discharged from the second gas processing device 1200. The secondary processing gas (G2) discharged from the second gas processing device 1200 flows into the gas-liquid separator 1500. The second treated water (L2) used to treat the first treated gas (G1) in the second gas treatment device 1200 is an aqueous sodium hydroxide solution containing sodium hydroxide (NaOH), which is a second chemical. The second gas treatment device 1200 receives second treated water (L2) containing sodium hydroxide through the second treated water supply unit 1700. The second gas processing device 1200 is also supplied with industrial water. In the second gas processing device 1200, chemical reactions as shown in Scheme 4, Scheme 5, and Scheme 6 below mainly occur.

[반응식 4][Scheme 4]

CO2 + H2O → HCO3 - + H+ CO 2 + H 2 O → HCO 3 - + H +

[반응식 5][Scheme 5]

H2CO3(aq) + 2NaOH(aq) → Na2CO3(aq) + H2O(l) H 2 CO 3 (aq) + 2NaOH(aq) → Na 2 CO 3 (aq) + H 2 O(l)

[반응식 6][Scheme 6]

CO2(g) + 2NaOH(aq) → Na2CO3(aq) + H2O(l) CO 2 (g) + 2NaOH(aq) → Na 2 CO 3 (aq) + H 2 O(l)

즉, 제2 가스 처리 장치(1200)에서 이산화탄소가 제거되고 탄산나트륨(Na2CO3)이 생성된다. 탄산나트륨이 생성되는 이러한 반응은 발열 반응으로서, 높은 반응 효율을 유지하기 위하여 제2 처리수(L2)은 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 본 실시예에서 제2 처리수(L2)의 설정된 기준 수소이온농도의 범위는 9.5 내지 13pH이며, 설정된 기준 온도 범위는 45 내지 60℃인 것으로 설명한다.That is, carbon dioxide is removed in the second gas processing device 1200 and sodium carbonate (Na 2 CO 3 ) is generated. This reaction in which sodium carbonate is produced is an exothermic reaction, and in order to maintain high reaction efficiency, the second treated water (L2) is controlled to maintain a set standard hydrogen ion concentration range and a set standard temperature range. In this embodiment, it is explained that the set standard hydrogen ion concentration range of the second treated water (L2) is 9.5 to 13 pH, and the set standard temperature range is 45 to 60°C.

제2 가스 처리 장치(1200)에서는 1차 처리 가스(G1)에 대한 탈진 처리 및 잡산성가스 제거 기능도 수행된다.The second gas processing device 1200 also performs dedusting treatment and acid gas removal functions for the primary treatment gas (G1).

제2 가스 처리 장치(1200)의 구조가 구체적으로 도시된 도 2를 참조하면, 1차 처리 가스(G1)와 제2 처리수(L2)가 유입되는 제2 도입부(1210)와, 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제2 도입부(1210)로부터 배출되는 가스(G21)를 처리하는 제2 마이크로버블 처리부(1230)와, 제2 도입부(1210)와 제2 마이크로버블 처리부(1230)를 연통시키는 제2 연결 통로(1290)를 구비한다.Referring to FIG. 2, which shows the structure of the second gas processing device 1200 in detail, a second introduction portion 1210 through which the first treatment gas (G1) and the second treatment water (L2) flow, and microbubbles ( The second microbubble processing unit 1230 processes the gas (G21) discharged from the second introduction unit 1210 using a micro-bubble, and the second introduction unit 1210 communicates with the second microbubble treatment unit 1230. Shiki is provided with a second connection passage (1290).

제2 도입부(1210)로 1차 처리 가스(G1)와 제2 처리수(L2)가 유입된다. 제2 도입부(1210)는 내부에 형성되는 제2 도입 공간(1211)을 제공한다. 제2 도입 공간(1211)은 제2 통로부(1290)에 의해 제2 마이크로버블 처리부(1230)와 연통된다. 제2 도입 공간(1211)의 상단에는 제2 흡기구(1213)가 위치하며, 제2 도입 공간(1211)의 하단에는 제2 도입공간 배수구(1215)가 위치한다. 제2 흡기구(1213)를 통해서 1차 처리 가스(G1)가 제2 도입 공간(1211)으로 유입된다. 제2 도입공간 배수구(1215)를 통해서 배수가 이루어진다. 제2 도입 공간(1211)은 제2 흡기구(1213)보다 낮고 제2 도입공간 배수구(1215)보다 높은 위치에서 제2 연결 통로부(1290)와 연통된다.First treatment gas (G1) and second treatment water (L2) are introduced into the second introduction part 1210. The second introduction part 1210 provides a second introduction space 1211 formed therein. The second introduction space 1211 communicates with the second microbubble processing unit 1230 through the second passage unit 1290. A second intake port 1213 is located at the top of the second introduction space 1211, and a second introduction space drain 1215 is located at the bottom of the second introduction space 1211. The primary processing gas (G1) flows into the second introduction space (1211) through the second intake port (1213). Drainage is performed through the second introduction space drain 1215. The second introduction space 1211 communicates with the second connection passage 1290 at a position lower than the second intake port 1213 and higher than the second introduction space drain 1215.

제2 도입 공간(1211)에서 제2 흡기구(1213)와 제2 도입공간 배수구(1215)의 사이에는 제2 수조(1217), 제2A 수류관(1219), 제2A 확산판(1221), 제2B 수류관(1223), 제2B 확산판(1225), 제2 처리수 도입부 공급 수단(1226)이 설치된다.In the second introduction space 1211, between the second intake port 1213 and the second introduction space drain 1215, there is a second water tank 1217, a 2A water flow pipe 1219, a 2A diffusion plate 1221, and a second introduction space 1211. A 2B water flow pipe 1223, a 2B diffusion plate 1225, and a second treated water inlet supply means 1226 are installed.

제2 수조(1217)는 제2 도입 공간(1211)에서 제2 흡기구(1213)의 아래에 인접하여 위치한다. 제2 수조(1217)에는 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)가 일시 저장된다. 제2 수조(1217)에는 제2 도입 공간(1211)으로 유입되는 공업용수도 일시 저장될 수 있다. 제2 수조(1217)로부터 흘러 넘치는 제2 처리수(L2)는 제2A 수류관(1219)을 통해 아래로 유동한다.The second water tank 1217 is located adjacent to the bottom of the second intake port 1213 in the second introduction space 1211. The second treated water L2 supplied from the second treated water supply unit (1700 in FIG. 1) is temporarily stored in the second water tank 1217. Industrial water flowing into the second introduction space 1211 may also be temporarily stored in the second water tank 1217. The second treated water (L2) overflowing from the second water tank (1217) flows downward through the second A water flow pipe (1219).

제2A 수류관(1219)은 제2 도입 공간(1211)에서 제2 수조(1217)의 아래에 위치한다. 제2A 수류관(1219)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제2A 수류관(1219)의 하단에는 제2 처리수(L2)과 가스를 아래로 배출하는 제2A 수류관 배출구(1220)가 형성된다. 제2A 수류관(1219)을 따라서 가스와 제2 처리수(L2)가 제2A 수류관 배출구(1220)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제2 처리수(L2)에 포함된 수산화나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 2A water flow pipe 1219 is located below the second water tank 1217 in the second introduction space 1211. The 2A water flow pipe 1219 has a shape that narrows as it goes downward, and a 2A water flow pipe outlet 1220 is formed at the bottom of the 2A water flow pipe 1219 to discharge the second treated water (L2) and gas downward. do. As the gas and the second treated water (L2) flow downward along the 2A water flow pipe 1219 toward the 2A water flow pipe outlet 1220, the contact area between the gas and the second treated water (L2) increases, The reaction efficiency between carbon dioxide contained in the gas and sodium hydroxide contained in the second treated water (L2) is improved.

제2A 확산판(1221)은 제2 도입 공간(1211)에서 제2A 수류관 배출구(1220)의 아래에 위치한다. 제2A 확산판(1221)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제2A 수류관 배출구(1220)으로부터 배출되는 제2 처리수(L2)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The 2A diffusion plate 1221 is located below the 2A water flow pipe outlet 1220 in the second introduction space 1211. The 2A diffusion plate 1221 is inclined radially outward from the center downward to the water channel to widely disperse the second treated water L2 discharged from the 2A water flow pipe outlet 1220 outward.

제2B 수류관(1223)은 제2 도입 공간(1211)에서 제2A 확산판(1221)의 아래에 위치한다. 제2B 수류관(1223)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제2B 수류관(1223)의 하단에는 제2 처리수(L2)와 가스를 아래로 배출하는 제2B 수류관 배출구(1224)가 형성된다. 제2B 수류관(1223)을 따라서 가스와 제2 처리수(L2)가 제2B 수류관 배출구(1224)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제2 처리수(L2)에 포함된 수산화나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 2B water flow pipe 1223 is located below the 2A diffusion plate 1221 in the second introduction space 1211. The 2B water flow pipe 1223 has a shape that becomes narrower as it goes downward, and a 2B water flow pipe outlet 1224 is formed at the bottom of the 2B water flow pipe 1223 to discharge the second treated water (L2) and gas downward. do. As the gas and the second treated water (L2) flow downward along the 2B water flow pipe 1223 toward the 2B water flow pipe outlet 1224, the contact area between the gas and the second treated water (L2) increases, The reaction efficiency between carbon dioxide contained in the gas and sodium hydroxide contained in the second treated water (L2) is improved.

제2B 확산판(1225)은 제2 도입 공간(1211)에서 제2B 수류관 배출구(1224)의 아래에 위치한다. 제2B 확산판(1225)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제2B 수류관 배출구(1224)으로부터 배출되는 제2 처리수(L2)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The 2B diffusion plate 1225 is located below the 2B water flow pipe outlet 1224 in the second introduction space 1211. The 2B diffusion plate 1225 is inclined radially outward from the center downward to the water channel to widely disperse the second treated water L2 discharged from the 2B water flow pipe outlet 1224 outward.

제2 처리수 도입부 공급 수단(1226)은 제2 도입 공간(1211)에 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)를 공급한다. 제2 처리수 도입부 공급 수단(1226)은 제2 수조(1217)의 위에 위치하여 제2 처리수(L2)를 제2 수조(1217)로 공급한다.The second treated water introduction unit supply means 1226 supplies the second treated water L2 supplied from the second treated water supply unit (1700 in FIG. 1) to the second introduction space 1211. The second treated water inlet supply means 1226 is located above the second water tank 1217 and supplies the second treated water L2 to the second water tank 1217.

제2 마이크로버블 처리부(1230)는 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제2 도입부(1210)로부터 배출되는 가스(G21)를 처리한다. 제2 마이크로버블 처리부(1230)는 내부에 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)을 제공한다. 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)은 제2 연결 통로(1290)를 통해 제2 도입 공간(1211)과 연통된다. 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)의 상단에는 제2 배기구(1232)가 위치하며, 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)의 하단에는 제2 처리공간 배수구(1233)가 위치한다. 제2 배기구(1232)를 통해서 제2 마이크로버블 처리 공간(1231) 내부의 가스가 배출된다. 제2 처리공간 배수구(1233)를 통해서 배수가 이루어진다. 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)은 제2 배기구(1232)보다 낮고 제2 처리공간 배수구(1233)보다 높은 위치에서 제2 연결 통로(1290)와 연통된다.The second microbubble processing unit 1230 processes the gas G21 discharged from the second introduction unit 1210 using microbubbles. The second microbubble processing unit 1230 provides a second microbubble processing space 1231 therein. The second microbubble treatment space 1231 is connected to the second introduction space 1211 through the second connection passage 1290. A second exhaust port 1232 is located at the top of the second microbubble treatment space 1231, and a second treatment space drain 1233 is located at the bottom of the second microbubble treatment space 1231. Gas inside the second microbubble treatment space 1231 is discharged through the second exhaust port 1232. Drainage occurs through the second treatment space drain 1233. The second microbubble treatment space 1231 communicates with the second connection passage 1290 at a position lower than the second exhaust port 1232 and higher than the second treatment space drain 1233.

제2 마이크로버블 처리 공간(1231)에는 제2 연결 통로(1290)와 제2 배기구(1232)의 사이에 배치되는 제2 가스 처리 유닛(1240)이 구비된다. 제2 연결 통로(1290)를 통해 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)으로 유입된 가스(G21)는 위로 상승하여 제2 가스 처리 유닛(1240)을 통과한다.The second microbubble processing space 1231 is provided with a second gas processing unit 1240 disposed between the second connection passage 1290 and the second exhaust port 1232. The gas G21 flowing into the second microbubble processing space 1231 through the second connection passage 1290 rises upward and passes through the second gas processing unit 1240.

제2 가스 처리 유닛(1240)은 제2 바닥판(1242)과, 제2 바닥판(1242)에 설치되는 제2 아토마이징부(1244)와, 제2 수위 조절부(1250)와, 제2 처리수 반응부 공급 수단(1257)을 구비한다.The second gas processing unit 1240 includes a second bottom plate 1242, a second atomizing unit 1244 installed on the second bottom plate 1242, a second water level control unit 1250, and a second bottom plate 1242. A treated water reaction unit supply means (1257) is provided.

제2 바닥판(1242)은 판상으로서 제2 가스 처리 유닛(1240)의 내부 공간에서 대체로 수평으로 설치되고, 제2 연결 통로(1290)보다 위에 위치한다. 제2 가스 처리 유닛(1240)의 내부 공간은 제2 바닥판(1142)을 사이에 두고 제2 하부 공간(1241)과 제2 상부 공간(1243)으로 분리되는데, 제2 상부 공간(1241)에 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)가 저장된다. 제2A 바닥판(1242)에 제2 아토마이징부(1244)가 설치된다.The second bottom plate 1242 is plate-shaped and installed substantially horizontally in the internal space of the second gas processing unit 1240, and is located above the second connection passage 1290. The internal space of the second gas processing unit 1240 is divided into a second lower space 1241 and a second upper space 1243 with the second bottom plate 1142 in between, and the second upper space 1241 The second treated water (L2) supplied from the second treated water supply unit (1700 in FIG. 1) is stored. A second atomizing unit 1244 is installed on the 2A bottom plate 1242.

제2 아토마이징부(1244)는 제2 하부 공간(1241)에 존재하는 가스(G21)를 제2 처리수(L2)가 저장된 제2 상부 공간(1243)으로 분사한다. 제2 아토마이징부(1244)에 의해 분사된 가스(G21)는 제2 처리수(L2) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B2)을 형성한다. 제2 아토마이징부(1244)는 제2 상부 공간(1243)으로 가스(G2)를 분사하는 제2 가스 분사노즐(1245)과, 제2 가스 분사노즐(1245)의 끝에 위치하는 제2 충돌판(1246)을 구비한다. 제2 아토마이징부(1246)에 의해 형성된 마이크로 버블(B2)로 인해 제2 상부 공간(1243)에서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B2)은 제2 처리수(L2) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제2 상부 공간(1243)에서 가스(G21)에 포함된 처리대상 성분인 이산화탄소와 제2 처리수(L2)에 포함된 수산화나트륨의 반응 효율이 현저하게 높아져서, 이산화탄소 제거 및 탄산나트륨의 생성 효율도 현저하게 향상된다.The second atomizing unit 1244 sprays the gas G21 existing in the second lower space 1241 into the second upper space 1243 where the second treated water L2 is stored. The gas G21 sprayed by the second atomizing unit 1244 forms micro-bubbles B2 within the second treated water L2. The second atomizing unit 1244 includes a second gas injection nozzle 1245 that injects gas G2 into the second upper space 1243, and a second collision plate located at the end of the second gas injection nozzle 1245. (1246) is provided. The contact area between the gas and the second treated water L2 in the second upper space 1243 increases due to the microbubbles B2 formed by the second atomizing unit 1246. In addition, microbubbles (B2) rise more slowly than regular bubbles in the second treated water (L2), so they stay for a longer time. Accordingly, the reaction efficiency between carbon dioxide, a component to be treated, contained in the gas G21, and sodium hydroxide contained in the second treated water L2 in the second upper space 1243 is significantly increased, thereby removing carbon dioxide and producing sodium carbonate. Efficiency is also significantly improved.

제2 가스 분사노즐(1245)은 제2 바닥판(1242)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제2 상부 공간(1243)에 위치한다. 제2 가스 분사노즐(1245)에 의해 제2 하부 공간(1241)의 가스(G21)가 제2 상부 공간(1243)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제2 가스 분사노즐(1245)에는 가스가 제2 가스 분사노즐(1245)을 따라 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 분사구가 형성된 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제2 가스 분사노즐(1245)의 끝단에는 제2 충돌판(1246)이 인접하여 위치한다.The second gas injection nozzle 1245 is formed to protrude upward from the second bottom plate 1242 and is located in the second upper space 1243. The gas G21 in the second lower space 1241 is injected upward into the second upper space 1243 by the second gas injection nozzle 1245. As shown, a section is formed in the second gas injection nozzle 1245 where the internal passage becomes narrower toward the end where the injection hole is formed so that the speed of the gas increases as the gas flows along the second gas injection nozzle 1245. A second collision plate 1246 is located adjacent to the end of the second gas injection nozzle 1245.

제2 충돌판(1246)은 제2 가스 분사노즐(1245)의 끝단 위에 인접하도록 제2 상부 공간(1243)에 위치한다. 제2 처리수(L2)에 잠긴 제2 충돌판(1246)에 제2 가스 분사노즐(1245)로부터 분사되는 가스(G21)가 강하게 충돌하여 마이크로 버블(B2)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제2 충돌판(1246)이 도시된 바와 같이 제2 하부 충돌판(1247)과 제2 상부 충돌판(1248)이 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제2 상부 충돌판(1248)이 아래에 위치하는 제2 하부 충돌판(1247)의 전체를 덮도록 더 크며, 제2 상부 충돌판(1248) 사이에 적어도 하나의 제2 통로(1249)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제2 충돌판(1246)의 설치 높이가 가변되어서 제2 가스 분사노즐(1245)과의 거리가 조절될 수 있다.The second collision plate 1246 is located in the second upper space 1243 adjacent to the end of the second gas injection nozzle 1245. The gas G21 sprayed from the second gas injection nozzle 1245 strongly collides with the second collision plate 1246 submerged in the second treated water L2 to form micro bubbles B2. In this embodiment, the second collision plate 1246 is described as having a two-stage structure in which the second lower collision plate 1247 and the second upper collision plate 1248 are arranged sequentially along the height direction, as shown. The present invention is not limited to this, and a single-stage structure or a three-stage or more structure also falls within the scope of the present invention. In the case of a multi-stage structure, the second upper collision plate 1248 located above is larger so as to cover the entire second lower collision plate 1247 located below, and there is at least one space between the second upper collision plates 1248. It is preferable that the second passage 1249 is formed. Although not shown, in order to adjust the gas processing capacity, the installation height of the second collision plate 1246 can be changed to adjust the distance from the second gas injection nozzle 1245.

제2 수위 조절부(1250)는 제2 상부 공간(1243)의 측면에 위치하며, 제2 상부 공간(1243)에서 오버플로우를 통해 제2 처리수(L2)의 수위를 조절한다. 제2 수위 조절부(1250)는 제2 상부 공간(1243)의 측벽에 형성된 제2 수위조절 개구부(1251)을 통해 제2 상부 공간(1243)과 연통되는 제2 수위조절 수조(1252)를 구비한다. 제2 수위조절 개구부(1251)는 제2 상부 공간(1243)에서 제2 처리수(L2)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제2 수위조절 수조(1252)에는 제2 상부 공간(1243)에서 오버플로우된 제2 처리수(L2)가 저장된다. 제2 수위조절 수조(1252)에 저장된 제2 처리수(L2)는 배출되어서 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로 공급된다. 제2 수위조절 수조(1252)에서 배출되어서 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로 공급되는 용액은 생성된 탄산나트륨과 미반응 수산화나트륨을 함유한다.The second water level control unit 1250 is located on the side of the second upper space 1243 and adjusts the water level of the second treated water (L2) through overflow in the second upper space 1243. The second water level control unit 1250 is provided with a second water level control water tank 1252 that communicates with the second upper space 1243 through a second water level control opening 1251 formed on the side wall of the second upper space 1243. do. The second water level control opening 1251 is located in the second upper space 1243 to correspond to the water level control height of the second treated water (L2). The second treated water (L2) overflowing from the second upper space (1243) is stored in the second water level control tank (1252). The second treated water (L2) stored in the second water level control tank 1252 is discharged and supplied to the second treated water supply unit (1700 in FIG. 1). The solution discharged from the second water level control tank 1252 and supplied to the second treated water supply unit (1700 in FIG. 1) contains generated sodium carbonate and unreacted sodium hydroxide.

제2 처리수 반응부 공급 수단(1257)은 제2 상부 공간(1243)에 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)를 공급한다.The second treated water reaction unit supply means 1257 supplies the second treated water L2 supplied from the second treated water supply unit (1700 in FIG. 1) to the second upper space 1243.

제2 마이크로버블 처리부(1230)에서 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 반응은 상기 반응식 6에 의한 탄산나트륨 생성 반응을 더욱 촉진시킨다.The reaction using micro-bubbles in the second microbubble processing unit 1230 further promotes the sodium carbonate production reaction according to Scheme 6.

상기 실시예에서는 제2 마이크로버블 처리부(1230)가 하나의 제2 가스 처리 유닛(1240)을 구비하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 높이방향을 따라서 복수 개가 직렬로 연속적으로 배치될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.In the above embodiment, the second microbubble processing unit 1230 is described as having one second gas processing unit 1240, but differently from this, a plurality of units may be arranged in series along the height direction, which is also provided in this example. It falls within the scope of the invention.

제2 도입공간 배수구(1215)와 제2 처리공간 배수구(1233)를 통해 각각 배출되는 제2 처리수(L2)는 생성된 탄산나트륨과 미반응 수산화나트륨을 함유하며, 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로 공급된다.The second treated water (L2) discharged through the second introduction space drain 1215 and the second treatment space drain 1233 contains generated sodium carbonate and unreacted sodium hydroxide, and is supplied to the second treated water supply unit (FIG. 1 of 1700).

제2 연결 통로(1290)는 제2 도입부(1210)의 제2 도입 공간(1211)과 제2 마이크로버블 처리부(1230)의 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)을 연통시킨다. 제2 연결 통로(1290)는 제2 흡기구(1213)와 제2 배기구(1232)보다 아래에 위치하고, 제2 도입공간 배수구(1215)와 제2 처리공간 배수구(1233)보다 위에 위치한다.The second connection passage 1290 communicates the second introduction space 1211 of the second introduction part 1210 and the second microbubble treatment space 1231 of the second microbubble treatment unit 1230. The second connection passage 1290 is located below the second intake port 1213 and the second exhaust port 1232, and is located above the second introduction space drain 1215 and the second treatment space drain 1233.

도 1을 참조하면, 기액 분리기(1500)는 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(1200)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)에서 액체 성분을 분리한다. 기액 분리기(1500)에서 분리된 액체 성분은 제2 처리수 공급부(1700)로 공급된다. 본 실시예에서 기액 분리기(1500)는 가스 유동 팬(1050)보다 상류에 위치하는 것으로 설명한다.Referring to FIG. 1, a gas-liquid separator 1500 is installed on the gas flow line to separate liquid components from the secondary treatment gas (G2) discharged from the second gas processing device 1200. The liquid component separated in the gas-liquid separator 1500 is supplied to the second treated water supply unit 1700. In this embodiment, the gas-liquid separator 1500 is described as being located upstream of the gas flow fan 1050.

제1 처리수 공급부(1600)는 제1 약품인 탄산나트륨(Na2CO3)을 수용액으로서 포함하는 제1 처리수(L1)를 제1 가스 처리 장치(1100)로 순환 공급한다. 제1 처리수 공급부(1600)는 제1 처리수(L1)가 저장되는 제1 처리수 저장조(1610)와, 제1 약품인 탄산나트륨을 수용액으로 저장하는 제1 약품 저장조(1650)와, 제1 가스 처리 장치(1100)로 공급되는 제1 처리수(L1)를 설정된 기준 온도로 조절하는 제1 처리수 열교환기(1680)를 구비한다.The first treated water supply unit 1600 circulates and supplies first treated water L1 containing sodium carbonate (Na 2 CO 3 ), the first chemical, as an aqueous solution to the first gas treatment device 1100. The first treated water supply unit 1600 includes a first treated water storage tank 1610 in which first treated water (L1) is stored, a first chemical storage tank 1650 in which sodium carbonate, the first chemical, is stored in an aqueous solution, and a first chemical storage tank 1650 that stores sodium carbonate as an aqueous solution. It is provided with a first treated water heat exchanger 1680 that adjusts the first treated water L1 supplied to the gas treatment device 1100 to a set reference temperature.

제1 처리수 저장조(1610)는 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출되는 제1 처리수(L1)와 제2 처리수 공급부(1700)로부터 배출되는 탄산나트륨 수용액을 저장한다. 제1 처리수 저장조(1610)에 저장된 제1 처리수(L1)는 제1 처리수 공급 라인(1620)을 통해 제1 가스 처리 장치(1100)로 공급된다. 제1 처리수 저장조(1610)에서 제1 처리수(L1)는 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 제1 처리수 저장조(1610)에는 공업용수가 공급될 수 있다. 제1 처리수 저장조(1610)에 저장되는 제1 처리수(L1)가 제1 가스 처리 장치(1100)로 순환 공급됨에 따라 제1 처리수(L1)에서 생성되는 중탄산나트륨의 함량은 높아진다. 또한, 제1 처리수 저장조(1610)에 저장된 제1 처리수(L1)에는 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출되는 마이크로버블이 포함되어서, 제1 처리수 저장조(1610)에서도 이산화탄소와 탄산나트륨이 반응하여 중탄산나트륨이 생성될 수 있다. 제1 처리수 저장조(1610)는 제1 가스 처리 장치(1100)에 결합되어서 일체로 형성될 수도 있다. 제1 처리수 저장조(1610)에 저장된 중탄산나트륨을 포함하는 제1 처리수(L1)는 고액 분리 필터(1800)로 공급된다.The first treated water storage tank 1610 stores the first treated water L1 discharged from the first gas treatment device 1100 and the sodium carbonate aqueous solution discharged from the second treated water supply unit 1700. The first treated water L1 stored in the first treated water storage tank 1610 is supplied to the first gas treatment device 1100 through the first treated water supply line 1620. In the first treated water storage tank 1610, the first treated water L1 is controlled to maintain the set standard hydrogen ion concentration range and the set standard temperature range. Industrial water may be supplied to the first treated water storage tank 1610. As the first treated water (L1) stored in the first treated water storage tank (1610) is circulated and supplied to the first gas treatment device (1100), the content of sodium bicarbonate generated in the first treated water (L1) increases. In addition, the first treated water (L1) stored in the first treated water storage tank 1610 contains microbubbles discharged from the first gas treatment device 1100, so that carbon dioxide and sodium carbonate also exist in the first treated water storage tank 1610. The reaction may produce sodium bicarbonate. The first treated water storage tank 1610 may be integrally formed by being coupled to the first gas processing device 1100. The first treated water (L1) containing sodium bicarbonate stored in the first treated water storage tank (1610) is supplied to the solid-liquid separation filter (1800).

제1 약품 저장조(1650)는 제1 약품인 탄산나트륨을 수용액으로 저장한다. 제1 약품 저장조(1650)에 저장된 탄산나트륨 수용액은 제1 처리수 공급 라인(1620) 상에 설치되는 제1 약품 혼합기(1622)로 공급되어서, 제1 처리수(L1)에 제1 약품인 탄산나트륨이 추가된다. 제1 약품 혼합기(1622)에서 제1 처리수 공급 라인(1620)을 따라 유동하는 제1 처리수(L1)에 제1 약품인 탄산나트륨 수용액이 균일하게 혼합되어서, 반응성이 향상된다. 본 실시예에서는 제1 약품 혼합기(1622)로 라인 믹서(Line Mixer)가 사용되는 것으로 설명한다. 제1 약품 저장조(1650)에 의한 탄산나트륨 수용액의 공급은 배기가스 처리 설비(1000)의 운전 초기에만 수행될 수 있으며, 이후에는 제2 가스 처리 장치(1200)에서 생성되는 탄산나트륨만 활용될 수 있다.The first chemical storage tank 1650 stores the first chemical, sodium carbonate, as an aqueous solution. The sodium carbonate aqueous solution stored in the first chemical storage tank 1650 is supplied to the first chemical mixer 1622 installed on the first treated water supply line 1620, so that the first chemical, sodium carbonate, is added to the first treated water (L1). is added. The aqueous solution of sodium carbonate, which is the first chemical, is uniformly mixed with the first treated water (L1) flowing along the first treated water supply line 1620 in the first chemical mixer 1622, thereby improving reactivity. In this embodiment, it is explained that a line mixer is used as the first chemical mixer 1622. Supply of the sodium carbonate aqueous solution by the first chemical storage tank 1650 can be performed only at the beginning of operation of the exhaust gas treatment facility 1000, and thereafter, only the sodium carbonate generated in the second gas processing device 1200 can be used.

제1 처리수 열교환기(1680)는 제1 처리수 공급 라인(1620) 상에서 제1 가스 처리 장치(1100)로 공급되는 제1 처리수(L1)의 온도를 저하시켜서 설정된 기준 온도로 유지시킴으로써 제1 가스 처리 장치(1100)에서의 중탄산나트륨 생성 반응 효율을 향상시킨다. 제1 처리수 열교환기(1680)는 제1 처리수 저장조(1610)에서 배출되는 제1 처리수(L1)를 냉수와 열교환시킨다. 제1 처리수 열교환기(1680)는 제1 처리수 공급 라인(1620)에서 제1 약품 혼합기(1622)보다 상류에 위치한다.The first treated water heat exchanger 1680 lowers the temperature of the first treated water (L1) supplied to the first gas treatment device 1100 on the first treated water supply line 1620 and maintains it at a set reference temperature. 1 Improves sodium bicarbonate production reaction efficiency in the gas processing device 1100. The first treated water heat exchanger 1680 exchanges heat with the first treated water L1 discharged from the first treated water storage tank 1610 with cold water. The first treated water heat exchanger 1680 is located upstream of the first chemical mixer 1622 in the first treated water supply line 1620.

제2 처리수 공급부(1700)는 제2 약품인 수산화나트륨(NaOH)을 수용액으로서 포함하는 제2 처리수(L2)를 제2 가스 처리 장치(1200)로 공급한다. 제2 처리수 공급부(1700)는 제2 처리수(L2)가 저장되는 제2 처리수 저장조(1710)와, 제2 약품인 수산화나트륨을 수용액으로 저장하는 제2 약품 저장조(1750)와, 제2 가스 처리 장치(1200)로 공급되는 제2 처리수(L2)를 설정된 기준 온도로 조절하는 제2 처리수 열교환기(1780)를 구비한다.The second treated water supply unit 1700 supplies second treated water L2 containing sodium hydroxide (NaOH), a second chemical, as an aqueous solution to the second gas treatment device 1200. The second treated water supply unit 1700 includes a second treated water storage tank 1710 that stores second treated water (L2), a second chemical storage tank 1750 that stores sodium hydroxide, a second chemical, in an aqueous solution, and a second chemical storage tank 1750 that stores sodium hydroxide as an aqueous solution. 2. It is provided with a second treated water heat exchanger (1780) that adjusts the second treated water (L2) supplied to the gas treatment device (1200) to a set reference temperature.

제2 처리수 저장조(1710)는 제2 가스 처리 장치(1200)로부터 배출되는 제2 처리수(L2)를 저장한다. 제2 처리수 저장조(1710)에서 제2 처리수(L2)는 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 제2 처리수 저장조(1710)에는 기액 분리기(1500)로부터 배출되는 탄산나트륨을 함유하는 액체 성분도 저장된다. 제2 처리수 저장조(1710)에 저장된 제2 처리수(L2)는 제2 처리수 공급 라인(1720)을 통해 제2 가스 처리 장치(1200)로 공급된다. 제2 처리수 저장조(1710)에는 공업용수가 공급될 수 있다. 제2 처리수 저장조(1710)에 저장되는 제2 처리수(L2)가 제2 가스 처리 장치(1200)로 순환 공급됨에 따라 제2 처리수(L2)에서 생성되는 탄산나트륨의 함량은 높아져서, 제2 처리수(L2)는 최종적으로 탄산나트륨 수용액이 되며, 제2 처리수 저장조(1710)에 저장된 탄산나트륨 수용액의 제2 처리수(L2)는 제1 처리수 공급부(1600)의 제1 처리수 저장조(1610)로 공급된다. 본 실시예에서 제2 처리수 저장조(1710)에 저장된 제2 처리수(L2)의 제1 처리수 저장조(1610)로의 공급은 자중에 의한 자연 배출을 이용하는 것으로 설명한다. 또한, 제2 처리수 저장조(1710)에 저장된 제2 처리수(L2)에는 제2 가스 처리 장치(1200)로부터 배출되는 마이크로버블이 포함되어서, 제2 처리수 저장조(1710)에서도 이산화탄소와 수산화나트륨이 반응하여 탄산나트륨이 생성될 수 있다. 제2 처리수 저장조(1710)는 제2 가스 처리 장치(1200)에 결합되어서 일체로 형성될 수도 있다.The second treated water storage tank 1710 stores the second treated water L2 discharged from the second gas treatment device 1200. In the second treated water storage tank 1710, the second treated water (L2) is controlled to maintain the set standard hydrogen ion concentration range and the set standard temperature range. The second treated water storage tank 1710 also stores a liquid component containing sodium carbonate discharged from the gas-liquid separator 1500. The second treated water (L2) stored in the second treated water storage tank 1710 is supplied to the second gas treatment device 1200 through the second treated water supply line 1720. Industrial water may be supplied to the second treated water storage tank 1710. As the second treated water (L2) stored in the second treated water storage tank (1710) is circulated and supplied to the second gas treatment device (1200), the content of sodium carbonate generated in the second treated water (L2) increases, The treated water (L2) ultimately becomes a sodium carbonate aqueous solution, and the second treated water (L2) of the sodium carbonate aqueous solution stored in the second treated water storage tank (1710) is the first treated water storage tank (1610) of the first treated water supply unit (1600). ) is supplied. In this embodiment, the supply of the second treated water (L2) stored in the second treated water storage tank 1710 to the first treated water storage tank 1610 is explained by using natural discharge due to its own weight. In addition, the second treated water (L2) stored in the second treated water storage tank 1710 includes microbubbles discharged from the second gas treatment device 1200, so that the second treated water storage tank 1710 also contains carbon dioxide and sodium hydroxide. This reaction can produce sodium carbonate. The second treated water storage tank 1710 may be integrally formed by being coupled to the second gas processing device 1200.

제2 약품 저장조(1750)는 제2 약품인 수산화나트륨을 수용액으로 저장한다. 제2 약품 저장조(1750)에 저장된 수산화나트륨 수용액은 제2 처리수 공급 라인(1720) 상에 설치되는 제2 약품 혼합기(1722)로 공급되어서, 제2 처리수(L2)에 제2 약품인 수산화나트륨이 추가된다. 제2 약품 혼합기(1722)에서 제2 처리수 공급 라인(1720)을 따라 유동하는 제2 처리수(L2)에 제2 약품인 수산화나트륨 수용액이 균일하게 혼합되어서, 반응성이 향상된다. 본 실시예에서는 제2 약품 혼합기(1722)로 라인 믹서(Line Mixer)가 사용되는 것으로 설명한다.The second chemical storage tank 1750 stores the second chemical, sodium hydroxide, as an aqueous solution. The sodium hydroxide aqueous solution stored in the second chemical storage tank 1750 is supplied to the second chemical mixer 1722 installed on the second treated water supply line 1720, and the second chemical, hydroxide, is added to the second treated water (L2). Sodium is added. The second chemical, an aqueous sodium hydroxide solution, is uniformly mixed with the second treated water (L2) flowing along the second treated water supply line 1720 in the second chemical mixer 1722, thereby improving reactivity. In this embodiment, it is explained that a line mixer is used as the second chemical mixer 1722.

제2 처리수 열교환기(1780)는 제2 처리수 공급 라인(1720) 상에서 제2 가스 처리 장치(1200)로 공급되는 제2 처리수(L2)의 온도를 저하시켜서 설정된 기준 온도로 유지시킴으로써 제2 가스 처리 장치(1200)에서의 탄산나트륨 생성 반응 효율을 향상시킨다. 제2 처리수 열교환기(1780)는 제2 처리수 저장조(1710)에서 배출되는 제2 처리수(L2)를 냉수와 열교환시킨다. 제2 처리수 열교환기(1780)는 제2 처리수 공급 라인(1720)에서 제2 약품 혼합기(1722)보다 상류에 위치한다.The second treated water heat exchanger 1780 lowers the temperature of the second treated water (L2) supplied to the second gas treatment device 1200 on the second treated water supply line 1720 and maintains it at a set reference temperature. 2 Improves sodium carbonate production reaction efficiency in the gas processing device 1200. The second treated water heat exchanger 1780 heat-exchanges the second treated water (L2) discharged from the second treated water storage tank 1710 with cold water. The second treated water heat exchanger 1780 is located upstream of the second chemical mixer 1722 in the second treated water supply line 1720.

고액 분리 필터(1800)는 제1 처리수 저장조(1610)로부터 배출되는 제1 처리수(L1)에서 중탄산나트륨을 포함하는 고체 성분을 분리한다. 고액 분리 필터(1800)는 통상적인 구성의 고액 분리기일 수 있다. 고액 분리 필터(1800)에 의해 제1 처리수 저장조(1610)로부터 배출되는 제1 처리수(L1)에서 분리된 고체 성분은 중탄산나트륨 케이크(cake)를 형성한다. 고액 분리 필터(1800)에 의해 제조된 중탄산나트륨은 소각장 또는 배연가스 속에 포함된 산성가스를 제거하는 용도로 사용될 수 있다. 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 탄산나트륨을 포함하는 액체 성분의 용액은 약품 회수조(1900)로 공급되어서 저장된다.The solid-liquid separation filter 1800 separates solid components including sodium bicarbonate from the first treated water (L1) discharged from the first treated water reservoir 1610. The solid-liquid separation filter 1800 may be a solid-liquid separator of a typical configuration. The solid component separated from the first treated water (L1) discharged from the first treated water reservoir 1610 by the solid-liquid separation filter 1800 forms a sodium bicarbonate cake. Sodium bicarbonate produced by the solid-liquid separation filter 1800 can be used to remove acid gas contained in an incinerator or flue gas. The solution of the liquid component containing sodium carbonate discharged from the solid-liquid separation filter 1800 is supplied to the chemical recovery tank 1900 and stored.

약품 회수조(1900)는 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 액체 성분의 용액을 저장한다. 약품 회수조(1900)에 저장되는 용액은 제1 약품인 탄산나트륨 수용액을 함유한다. 약품 회수조(1900)에 저장된 탄산나트륨을 함유하는 용액은 제1 처리수 저장조(1610)로 공급된다.The chemical recovery tank 1900 stores the solution of the liquid component discharged from the solid-liquid separation filter 1800. The solution stored in the drug recovery tank 1900 contains an aqueous solution of sodium carbonate, which is the first drug. The solution containing sodium carbonate stored in the chemical recovery tank 1900 is supplied to the first treated water storage tank 1610.

이제, 도 2 및 도 3을 참조하여, 제1 가스 처리 장치(1100)와 제2 가스 처리 장치(1200)의 작동 과정을 설명하면 다음과 같다. 도 3에는 배기가스에 대한 처리가 진행되기 전의 상태로서 가스 유동 팬(도 1의 1050)이 작동하지 않는 경우의 제1 가스 처리 장치(1100)와 제2 가스 처리 장치(1200)의 상태가 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 제1 가스 처리 장치(1100)의 제1A 가스 처리 유닛(1140)에서 제1 처리수(L1)의 수위는 제1A 가스 분사노즐(1145)의 분사구가 위치하는 끝단보다 아래에 위치하고, 제1 가스 처리 장치(1100)의 제1B 가스 처리 유닛(1160)에서 제1 처리수(L1)의 수위는 제1B 가스 분사노즐(1165)의 분사구가 위치하는 끝단보다 아래에 위치하여, 제1 처리수(L1)는 제1A 가스 분사노즐(1145) 및 제1B 가스 분사노즐(1165)을 통해 아래로 새지 않는다. 또한, 제2 가스 처리 장치(1200)의 제2 가스 처리 유닛(1240)에서 제2 처리수(L2)의 수위는 제2 가스 분사노즐(1245)의 분사구가 위치하는 끝단보다 아래에 위치하여, 제2 처리수(L2)는 제2 가스 분사노즐(1245)을 통해 아래로 새지 않는다.Now, with reference to FIGS. 2 and 3 , the operation process of the first gas processing device 1100 and the second gas processing device 1200 will be described as follows. FIG. 3 shows the states of the first gas processing device 1100 and the second gas processing device 1200 when the gas flow fan (1050 in FIG. 1) does not operate before processing the exhaust gas. It is done. Referring to FIG. 3, the water level of the first treated water (L1) in the 1A gas processing unit 1140 of the first gas processing device 1100 is below the end where the injection hole of the 1A gas injection nozzle 1145 is located. is located, and the water level of the first treated water (L1) in the 1B gas processing unit 1160 of the first gas processing device 1100 is located below the end where the injection hole of the 1B gas injection nozzle 1165 is located. , the first treated water (L1) does not leak downward through the 1A gas injection nozzle 1145 and the 1B gas injection nozzle 1165. In addition, the water level of the second treated water (L2) in the second gas processing unit 1240 of the second gas processing device 1200 is located below the end where the injection port of the second gas injection nozzle 1245 is located, The second treated water (L2) does not leak downward through the second gas injection nozzle (1245).

도 3에 도시된 상태에서 가스 유동 팬(도 1의 1050)이 작동하면, 제2 가스 처리 장치(1200)에서 제2 가스 분사노즐(1245)을 통해 제2 하부 공간(1241)의 가스가 제2 상부 공간(1243)으로 분사되며, 제2 가스 처리 장치(1200)와 연통되는 제1 가스 처리 장치(1100)에서 제1B 가스 분사노즐(1165)을 통해 제1B 하부 공간(1161)의 가스가 제1B 상부 공간(1163)으로 분사되고, 제1A 가스 분사노즐(1145)을 통해 제1A 하부 공간(1141)의 가스가 제1A 상부 공간(1143)으로 분사된다. 이 상태에서 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)와 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)가 작동하여, 제1 처리수(L1)가 제1 가스 처리 장치(1100)로 공급되고 제2 처리수(L2)가 제2 가스 처리 장치(1200)로 공급되면, 도 2에 도시된 바와 같이 제1 가스 처리 장치(1100)의 제1A 상부 공간(1143)과 제1B 상부 공간(1163) 각각에서 제1 처리수(L1)의 수위가 마이크로버블(B11, B12)이 형성될 수 있을 정도로 충분히 높아지고, 제2 가스 처리 장치(1200)의 제2 상부 공간(1243)에서 제2 처리수(L2)의 수위가 마이크로버블(B2)이 형성될 수 있을 정도로 충분히 높아진다. 제1 가스 처리 장치(1100)의 제1A 상부 공간(1143) 및 제1B 상부 공간(1163) 각각에서 제1 처리수(L1)의 수위는 제1A 수위 조절부(1150) 및 제1B 수위 조절부(1170)에 의해 적절히 유지되고, 제2 가스 처리 장치(1200)의 제2 상부 공간(1243)에서 제2 처리수(L2)의 수위는 제2 수위 조절부(1250)에 의해 적절히 유지된다.When the gas flow fan (1050 in FIG. 1) operates in the state shown in FIG. 3, the gas in the second lower space 1241 is discharged from the second gas processing device 1200 through the second gas injection nozzle 1245. 2 The gas in the 1B lower space 1161 is injected into the upper space 1243 through the 1B gas injection nozzle 1165 from the first gas processing device 1100 in communication with the second gas processing device 1200. It is injected into the 1B upper space 1163, and the gas in the 1A lower space 1141 is injected into the 1A upper space 1143 through the 1A gas injection nozzle 1145. In this state, the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1) and the second treated water supply unit (1700 in FIG. 1) operate, so that the first treated water (L1) is supplied to the first gas treatment device (1100) and the second treated water supply unit (1700 in FIG. 1) operates. 2 When the treated water (L2) is supplied to the second gas processing device 1200, the 1A upper space 1143 and the 1B upper space 1163 of the first gas processing device 1100 as shown in FIG. In each case, the water level of the first treated water (L1) is high enough to form microbubbles (B11, B12), and the second treated water ( The water level of L2) becomes high enough for microbubbles (B2) to be formed. The level of the first treated water (L1) in each of the 1A upper space 1143 and the 1B upper space 1163 of the first gas processing device 1100 is controlled by the 1A water level control unit 1150 and the 1B water level control unit. The level of the second treated water L2 in the second upper space 1243 of the second gas processing device 1200 is appropriately maintained by the second water level control unit 1250 .

도 4에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기가스 처리 설비의 개략적인 구성이 도시되어 있다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기가스 처리 설비(2000)는 처리대상 배기가스(G0)에 포함된 이산화탄소(CO2)를 제거하면서 중탄산나트륨(NaHCO3)를 효율적으로 제조하는 설비로서, 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성하는 가스 유동 팬(1050)과, 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 처리대상 배기가스(G0)를 제1 처리수(L1)를 이용하여 처리하는 제1 가스 처리 장치(2100)와, 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(2100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)를 제2 처리수(L2)를 이용하여 처리하는 제2 가스 처리 장치(2200)와, 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(2200)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)에서 액체 성분을 분리하는 기액 분리기(1500)와, 제1 가스 처리 장치(2100)로 제1 처리수(L1)를 공급하는 제1 처리수 공급부(2600)와, 제2 가스 처리 장치(2200)로 제2 처리수(L2)를 공급하는 제2 처리수 공급부(2700)와, 제2 처리수(L2)에서 중탄산나트륨을 포함하는 고체 성분을 분리하는 고액 분리 필터(1800)와, 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 액체 성분이 저장되는 약품 회수조(2900)를 포함한다.Figure 4 shows a schematic configuration of an exhaust gas treatment facility according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, an exhaust gas treatment facility 2000 according to another embodiment of the present invention efficiently produces sodium bicarbonate (NaHCO 3 ) while removing carbon dioxide (CO 2 ) contained in the exhaust gas (G0) to be treated. It is a facility that includes a gas flow fan 1050 that creates a flow pressure in the gas on the gas flow line, and is installed on the gas flow line to treat the exhaust gas (G0) to be treated using the first treated water (L1). a first gas processing device 2100, which is installed on the gas flow line and processes the primary processing gas G1 discharged from the first gas processing device 2100 using second processing water L2. A second gas processing device 2200, a gas-liquid separator 1500 installed on the gas flow line to separate a liquid component from the secondary processing gas (G2) discharged from the second gas processing device 2200, and a second gas-liquid separator 1500. 1 A first treated water supply unit 2600 that supplies first treated water (L1) to the gas treatment device 2100, and a second treatment device that supplies second treated water (L2) to the second gas treatment device 2200. A water supply unit 2700, a solid-liquid separation filter 1800 that separates solid components including sodium bicarbonate from the second treated water (L2), and a chemical recovery tank in which the liquid components discharged from the solid-liquid separation filter 1800 are stored. Includes (2900).

가스 유동 팬(1050)은 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성한다. 가스 유동 팬(1050)의 구성 및 작용은 도 1의 실시예에서 설명된 가스 유동 팬(1050)과 동일하므로, 여기서 이에 대한 상세한 설명은 생략된다.Gas flow fan 1050 creates flow pressure in the gas on the gas flow line. Since the configuration and operation of the gas flow fan 1050 are the same as the gas flow fan 1050 described in the embodiment of FIG. 1, detailed description thereof is omitted here.

제1 가스 처리 장치(2100)는 가스 유동 라인 상에 설치되어서 처리대상 배기가스(G0)를 제1 처리수(L1)를 이용하여 처리한다. 처리대상 배기가스(G0)는 가스 유동 팬(1050)의 작동에 의해 제1 가스 처리 장치(2100)로 유입되어서 처리된 후 1차 처리 가스(G1)으로서 제1 가스 처리 장치(2100)로부터 배출된다. 제1 가스 처리 장치(2100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)는 제2 가스 처리 장치(2200)로 유입된다. 제1 가스 처리 장치(2100)에서 처리대상 배기가스(G0)의 처리에 사용되는 제1 처리수(L1)는 제1 약품인 수산화나트륨(NaOH)을 포함하는 수산화나트륨 수용액이다. 제1 가스 처리 장치(2100)는 수산화나트륨을 포함하는 제1 처리수(L1)를 제1 처리수 공급부(2600)를 통해 공급받는다. 제1 가스 처리 장치(2100)는 공업용수도 공급받는다. 제1 가스 처리 장치(2100)에서는 상기된 반응식 4, 반응식 5, 반응식 6과 같은 화학 반응이 주로 일어난다. 즉, 제1 가스 처리 장치(2100)에서 이산화탄소가 제거되고 탄산나트륨(Na2CO3)이 생성된다. 제1 가스 처리 장치(2100)에서 제거되지 않은 이산화탄소는 1차 처리 가스(G1)에 포함되어서 제2 가스 처리 장치(2200)로 유입된다. 제1 가스 처리 장치(2100)에서는 처리대상 배기가스(G0)에 대한 탈진 처리 및 잡산성가스 제거 기능도 수행된다. 제1 가스 처리 장치(2100)의 구체적인 구성은 도 2의 실시예에서 설명된 제1 가스 처리 장치(1100)의 구성과 대체로 동일하므로, 여기서 이에 대한 상세한 설명은 생략된다.The first gas processing device 2100 is installed on the gas flow line and processes the exhaust gas G0 to be treated using first treatment water L1. The exhaust gas (G0) to be treated flows into the first gas processing device (2100) by the operation of the gas flow fan (1050), is processed, and is then discharged from the first gas processing device (2100) as the primary processing gas (G1). do. The primary processing gas (G1) discharged from the first gas processing device 2100 flows into the second gas processing device 2200. The first treated water L1 used to treat the exhaust gas G0 to be treated in the first gas treatment device 2100 is an aqueous sodium hydroxide solution containing sodium hydroxide (NaOH), which is the first chemical. The first gas treatment device 2100 receives first treated water L1 containing sodium hydroxide through the first treated water supply unit 2600. The first gas processing device 2100 is also supplied with industrial water. In the first gas processing device 2100, chemical reactions such as Scheme 4, Scheme 5, and Scheme 6 described above mainly occur. That is, carbon dioxide is removed in the first gas processing device 2100 and sodium carbonate (Na 2 CO 3 ) is generated. Carbon dioxide that is not removed from the first gas processing device 2100 is included in the primary processing gas G1 and flows into the second gas processing device 2200. The first gas processing device 2100 also performs dedusting treatment and acid gas removal functions for the exhaust gas G0 to be treated. Since the specific configuration of the first gas processing device 2100 is substantially the same as the configuration of the first gas processing device 1100 described in the embodiment of FIG. 2, detailed description thereof is omitted here.

제2 가스 처리 장치(2200)는 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(2100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)를 제2 처리수(L2)를 이용하여 처리한다. 제2 가스 처리 장치(2100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)는 가스 유동 팬(1050)의 작동에 의해 제2 가스 처리 장치(2200)로 유입되어서 처리된 후 2차 처리 가스(G2)으로서 제2 가스 처리 장치(2200)로부터 배출된다. 제2 가스 처리 장치(2200)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)는 기액 분리기(1500)로 유입된다. 제2 가스 처리 장치(2200)에서 1차 처리 가스(G1)의 처리에 사용되는 제2 처리수(L2)는 제2 약품인 탄산나트륨(Na2CO3)을 포함하는 탄산나트륨 수용액이다. 제2 가스 처리 장치(2200)는 탄산나트륨을 포함하는 제2 처리수(L2)를 제2 처리수 공급부(2700)를 통해 공급받는다. 제2 가스 처리 장치(2200)는 공업용수도 공급받는다. 제2 가스 처리 장치(2200)에서는 상기된 반응식 1, 반응식 2, 반응식 3과 같은 화학 반응이 주로 일어난다. 즉, 제2 가스 처리 장치(2200)에서 이산화탄소가 제거되고 중탄산나트륨(NaHCO3)이 생성된다. 제2 가스 처리 장치(2200)에서는 1차 처리 가스(G1)에 대한 탈진 처리 및 잡산성가스 제거 기능도 수행된다. 제2 가스 처리 장치(2200)의 구체적인 구성은 도 2의 실시예에서 설명된 제2 가스 처리 장치(1200)의 구성과 대체로 동일하므로, 여기서 이에 대한 상세한 설명은 생략된다.The second gas processing device 2200 is installed on the gas flow line and processes the primary treatment gas (G1) discharged from the first gas processing device (2100) using second treatment water (L2). The primary treatment gas (G1) discharged from the second gas processing device 2100 flows into the second gas processing device 2200 by the operation of the gas flow fan 1050 and is processed, and then becomes the secondary processing gas (G2). is discharged from the second gas processing device 2200. The secondary processing gas (G2) discharged from the second gas processing device 2200 flows into the gas-liquid separator 1500. The second treated water (L2) used to treat the primary treated gas (G1) in the second gas treatment device 2200 is an aqueous sodium carbonate solution containing sodium carbonate (Na 2 CO 3 ), which is a second chemical. The second gas treatment device 2200 receives second treated water (L2) containing sodium carbonate through the second treated water supply unit 2700. The second gas processing device 2200 is also supplied with industrial water. In the second gas processing device 2200, chemical reactions such as Scheme 1, Scheme 2, and Scheme 3 described above mainly occur. That is, carbon dioxide is removed in the second gas processing device 2200 and sodium bicarbonate (NaHCO 3 ) is generated. The second gas processing device 2200 also performs dedusting treatment and acid gas removal functions for the primary treatment gas (G1). Since the specific configuration of the second gas processing device 2200 is substantially the same as the configuration of the second gas processing device 1200 described in the embodiment of FIG. 2, detailed description thereof is omitted here.

기액 분리기(1500)는 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(2200)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)에서 액체 성분을 분리한다. 기액 분리기(1500)에서 분리된 액체 성분은 제2 처리수 공급부(2700)로 공급된다. 본 실시예에서 기액 분리기(1500)는 가스 유동 팬(1050)보다 상류에 위치하는 것으로 설명한다.The gas-liquid separator 1500 is installed on the gas flow line to separate the liquid component from the secondary treatment gas (G2) discharged from the second gas processing device 2200. The liquid component separated in the gas-liquid separator 1500 is supplied to the second treated water supply unit 2700. In this embodiment, the gas-liquid separator 1500 is described as being located upstream of the gas flow fan 1050.

제1 처리수 공급부(2600)는 제1 약품인 수산화나트륨(NaOH)을 수용액으로서 포함하는 제1 처리수(L1)를 제1 가스 처리 장치(2100)로 순환 공급한다. 제1 처리수 공급부(2600)는 제1 처리수(L1)가 저장되는 제1 처리수 저장조(2610)와, 제1 약품인 수산화나트륨을 수용액으로 저장하는 제1 약품 저장조(2650)와, 제1 가스 처리 장치(2100)로 공급되는 제1 처리수(L1)의 온도를 설정된 기준 온도로 조절하는 제1 처리수 열교환기(2680)를 구비한다.The first treated water supply unit 2600 circulates and supplies first treated water L1 containing sodium hydroxide (NaOH), the first chemical, as an aqueous solution to the first gas treatment device 2100. The first treated water supply unit 2600 includes a first treated water storage tank 2610 in which first treated water L1 is stored, a first chemical storage tank 2650 in which sodium hydroxide, the first chemical, is stored in an aqueous solution, and 1 It is provided with a first treated water heat exchanger 2680 that adjusts the temperature of the first treated water L1 supplied to the gas treatment device 2100 to a set reference temperature.

제1 처리수 저장조(2610)는 제1 가스 처리 장치(2100)로부터 배출되는 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1 처리수 저장조(2610)에서 제1 처리수(L1)는 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 본 실시예에서 제1 처리수(L1)의 설정된 기준 수소이온농도의 범위는 9.5 내지 13pH이며, 설정된 기준 온도 범위는 45 내지 60℃인 것으로 설명한다. 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 제1 처리수(L1)는 제1 처리수 공급 라인(2620)을 통해 제1 가스 처리 장치(2100)로 공급된다. 제1 처리수 저장조(2610)에는 공업용수가 공급될 수 있다. 제1 처리수 저장조(2610)에 저장되는 제1 처리수(L1)가 제1 가스 처리 장치(2100)로 순환 공급됨에 따라 제1 처리수(L1)에서 생성되는 탄산나트륨의 함량은 높아져서, 제1 처리수(L1)는 최종적으로 탄산나트륨 수용액이 되며, 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 탄산나트륨 수용액의 제1 처리수(L1)는 제2 처리수 공급부(2700)로 공급된다. 또한, 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 제1 처리수(L1)에는 제1 가스 처리 장치(2100)로부터 배출되는 마이크로버블이 포함되어서, 제1 처리수 저장조(2610)에서도 이산화탄소와 수산화나트륨이 반응하여 탄산나트륨이 생성될 수 있다. 제1 처리수 저장조(2610)는 제1 가스 처리 장치(1100)에 결합되어서 일체로 형성될 수도 있다.The first treated water storage tank 2610 stores the first treated water L1 discharged from the first gas treatment device 2100. In the first treated water storage tank 2610, the first treated water (L1) is controlled to maintain the set standard hydrogen ion concentration range and the set standard temperature range. In this embodiment, the set standard hydrogen ion concentration range of the first treated water (L1) is 9.5 to 13 pH, and the set standard temperature range is 45 to 60°C. The first treated water L1 stored in the first treated water storage tank 2610 is supplied to the first gas treatment device 2100 through the first treated water supply line 2620. Industrial water may be supplied to the first treated water storage tank 2610. As the first treated water (L1) stored in the first treated water storage tank (2610) is circulated and supplied to the first gas treatment device (2100), the content of sodium carbonate generated in the first treated water (L1) increases, The treated water (L1) ultimately becomes an aqueous sodium carbonate solution, and the first treated water (L1) of the aqueous sodium carbonate solution stored in the first treated water storage tank (2610) is supplied to the second treated water supply unit (2700). In addition, the first treated water (L1) stored in the first treated water storage tank 2610 includes microbubbles discharged from the first gas treatment device 2100, so that the first treated water storage tank 2610 also contains carbon dioxide and sodium hydroxide. This reaction can produce sodium carbonate. The first treated water storage tank 2610 may be integrally formed by being coupled to the first gas processing device 1100.

제1 약품 저장조(2650)는 제1 약품인 수산화나트륨을 수용액으로 저장한다. 제1 약품 저장조(2650)에 저장된 수산화나트륨 수용액은 제1 처리수 공급 라인(2620) 상에 설치되는 제1 약품 혼합기(2622)로 공급되어서, 제1 처리수(L1)에 제1 약품인 수산화나트륨이 추가된다. 제1 약품 혼합기(2622)에서 제1 처리수 공급 라인(2620)을 따라 유동하는 제1 처리수(L1)에 제1 약품인 수산화나트륨 수용액이 균일하게 혼합되어서, 반응성이 향상된다. 본 실시예에서는 제1 약품 혼합기(2622)로 라인 믹서(Line Mixer)가 사용되는 것으로 설명한다.The first chemical storage tank 2650 stores the first chemical, sodium hydroxide, as an aqueous solution. The sodium hydroxide aqueous solution stored in the first chemical storage tank 2650 is supplied to the first chemical mixer 2622 installed on the first treated water supply line 2620, and the first chemical, hydroxide, is added to the first treated water (L1). Sodium is added. The aqueous solution of sodium hydroxide, which is the first chemical, is uniformly mixed with the first treated water (L1) flowing along the first treated water supply line 2620 in the first chemical mixer 2622, thereby improving reactivity. In this embodiment, it is explained that a line mixer is used as the first chemical mixer 2622.

제1 처리수 열교환기(2680)는 제1 처리수 공급 라인(2620) 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(2100)로 공급되는 제1 처리수(L1)의 온도를 저하시켜서 설정된 기준 온도로 유지시킴으로써 제1 가스 처리 장치(2100)에서의 탄산나트륨 생성 반응 효율을 향상시킨다. 제1 처리수 열교환기(2680)는 제1 처리수 저장조(2610)에서 배출되는 제1 처리수(L1)를 냉수와 열교환시킨다. 제1 처리수 열교환기(2680)는 제1 처리수 공급 라인(2620)에서 제1 약품 저장조(2650)에 의해 수산화나트륨 수용액이 공급되는 지점보다 상류에 위치한다.The first treated water heat exchanger 2680 is installed on the first treated water supply line 2620 to lower the temperature of the first treated water (L1) supplied to the first gas treatment device 2100 to the set reference temperature. By maintaining this, the efficiency of the sodium carbonate production reaction in the first gas processing device 2100 is improved. The first treated water heat exchanger 2680 exchanges heat with the first treated water L1 discharged from the first treated water storage tank 2610 with cold water. The first treated water heat exchanger 2680 is located upstream from the point where the sodium hydroxide aqueous solution is supplied by the first chemical storage tank 2650 in the first treated water supply line 2620.

제2 처리수 공급부(2700)는 제2 약품인 탄산나트륨(Na2CO3)을 수용액으로서 포함하는 제2 처리수(L2)를 제2 가스 처리 장치(2200)로 공급한다. 제2 처리수 공급부(2700)는 제2 처리수(L2)가 저장되는 제2 처리수 저장조(2710)와, 제2 약품인 탄산나트륨을 수용액으로 저장하는 제2 약품 저장조(2750)와, 제2 가스 처리 장치(2200)로 공급되는 제2 처리수(L2)의 온도를 설정된 기준 온도로 조절하는 제2 처리수 열교환기(2780)를 구비한다.The second treated water supply unit 2700 supplies second treated water L2 containing sodium carbonate (Na 2 CO 3 ), a second chemical, as an aqueous solution to the second gas treatment device 2200. The second treated water supply unit 2700 includes a second treated water storage tank 2710 in which second treated water (L2) is stored, a second chemical storage tank 2750 in which sodium carbonate, a second chemical, is stored in an aqueous solution, and a second chemical It is provided with a second treated water heat exchanger 2780 that adjusts the temperature of the second treated water L2 supplied to the gas treatment device 2200 to a set reference temperature.

제2 처리수 저장조(2710)는 제2 가스 처리 장치(2200)로부터 배출되는 제2 처리수(L2)와 제1 처리수 저장조(2610)로부터 배출되는 탄산나트륨 수용액이 저장된다. 본 실시예에서 제1 처리수 저장조(2610)로부터 배출되는 탄산나트륨 수용액의 제2 처리수 저장조(2710)로의 공급은 자중에 의한 자연 배출을 이용하는 것으로 설명한다. 제2 처리수 저장조(2710)에서 제2 처리수(L2)는 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 본 실시예에서 제2 처리수(L2)의 설정된 기준 수소이온농도의 범위는 9.5 내지 12pH이며, 설정된 기준 온도 범위는 10 내지 25℃인 것으로 설명한다. 제2 처리수 저장조(2710)에는 기액 분리기(1500)로부터 배출되는 탄산나트륨을 함유하는 액체 성분도 저장된다. 제2 처리수 저장조(2710)에 저장된 제2 처리수(L2)는 제2 처리수 공급 라인(2720)을 통해 제2 가스 처리 장치(2200)로 공급된다. 제2 처리수 저장조(2710)에는 공업용수가 공급될 수 있다. 제2 처리수 저장조(2710)에 저장되는 제2 처리수(L2)가 제2 가스 처리 장치(2200)로 순환 공급됨에 따라 제2 처리수(L2)에서 생성되는 중탄산나트륨의 함량은 높아진다. 또한, 제2 처리수 저장조(2710)에 저장된 제2 처리수(L2)에는 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출되는 마이크로버블이 포함되어서, 제2 처리수 저장조(2710)에서도 이산화탄소와 탄산나트륨이 반응하여 중탄산나트륨이 생성될 수 있다. 제2 처리수 저장조(2710)는 제2 가스 처리 장치(2200)에 결합되어서 일체로 형성될 수도 있다. 제2 처리수 저장조(2710)에 저장된 중탄산나트륨을 포함하는 제2 처리수(L2)는 고액 분리 필터(1800)로 공급된다. The second treated water storage tank 2710 stores the second treated water (L2) discharged from the second gas treatment device 2200 and the sodium carbonate aqueous solution discharged from the first treated water storage tank 2610. In this embodiment, the supply of the sodium carbonate aqueous solution discharged from the first treated water storage tank 2610 to the second treated water storage tank 2710 is explained by using natural discharge due to its own weight. In the second treated water storage tank 2710, the second treated water (L2) is controlled to maintain the set standard hydrogen ion concentration range and the set standard temperature range. In this embodiment, the set standard hydrogen ion concentration range of the second treated water (L2) is 9.5 to 12 pH, and the set standard temperature range is 10 to 25°C. The second treated water storage tank 2710 also stores a liquid component containing sodium carbonate discharged from the gas-liquid separator 1500. The second treated water (L2) stored in the second treated water storage tank 2710 is supplied to the second gas treatment device 2200 through the second treated water supply line 2720. Industrial water may be supplied to the second treated water storage tank 2710. As the second treated water (L2) stored in the second treated water storage tank (2710) is circulated and supplied to the second gas treatment device (2200), the content of sodium bicarbonate generated in the second treated water (L2) increases. In addition, the second treated water (L2) stored in the second treated water storage tank 2710 contains microbubbles discharged from the second gas treatment device 3200, so that carbon dioxide and sodium carbonate are also released in the second treated water storage tank 2710. The reaction may produce sodium bicarbonate. The second treated water storage tank 2710 may be integrally formed by being coupled to the second gas processing device 2200. The second treated water (L2) containing sodium bicarbonate stored in the second treated water storage tank (2710) is supplied to the solid-liquid separation filter (1800).

제2 약품 저장조(2750)는 제2 약품인 탄산나트륨을 수용액으로 저장한다. 제2 약품 저장조(2750)에 저장된 탄산나트륨 수용액은 제2 처리수 공급 라인(2720) 상에 설치되는 제2 약품 혼합기(2722)로 공급되어서, 제2 처리수(L2)에 제2 약품인 탄산나트륨이 추가된다. 제2 약품 혼합기(2622)에서 제2 처리수 공급 라인(2720)을 따라 유동하는 제2 처리수(L2)에 제2 약품인 탄산나트륨 수용액이 균일하게 혼합되어서, 반응성이 향상된다. 본 실시예에서는 제2 약품 혼합기(2722)로 라인 믹서(Line Mixer)가 사용되는 것으로 설명한다. 제2 약품 저장조(2750)에 의한 탄산나트륨 수용액의 공급은 배기가스 처리 설비(2000)의 운전 초기에만 수행될 수 있으며, 이후에는 제1 가스 처리 장치(2100)에서 생성되는 탄산나트륨만 활용될 수 있다.The second chemical storage tank 2750 stores the second chemical, sodium carbonate, as an aqueous solution. The sodium carbonate aqueous solution stored in the second chemical storage tank 2750 is supplied to the second chemical mixer 2722 installed on the second treated water supply line 2720, so that the second chemical, sodium carbonate, is added to the second treated water (L2). is added. The second chemical, an aqueous sodium carbonate solution, is uniformly mixed with the second treated water (L2) flowing along the second treated water supply line 2720 in the second chemical mixer 2622, thereby improving reactivity. In this embodiment, it is explained that a line mixer is used as the second chemical mixer 2722. Supply of the sodium carbonate aqueous solution by the second chemical storage tank 2750 can be performed only at the beginning of operation of the exhaust gas treatment facility 2000, and thereafter, only the sodium carbonate generated in the first gas processing device 2100 can be used.

제2 처리수 열교환기(2780)는 제2 처리수 공급 라인(2720) 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(2200)로 공급되는 제2 처리수(L2)의 온도를 저하시켜서 설정된 기준 온도로 유지시킴으로써 제2 가스 처리 장치(2200)에서의 중탄산나트륨 생성 반응 효율을 향상시킨다. 제2 처리수 열교환기(2780)는 제2 처리수 저장조(2710)에서 배출되는 제2 처리수(L2)를 냉수와 열교환시킨다. 제2 처리수 열교환기(2780)는 제2 처리수 공급 라인(2720)에서 제2 약품 저장조(2750)에 의해 탄산나트륨 수용액이 공급되는 지점보다 상류에 위치한다.The second treated water heat exchanger 2780 is installed on the second treated water supply line 2720 to lower the temperature of the second treated water (L2) supplied to the second gas treatment device 2200 to the set reference temperature. By maintaining this, the efficiency of the sodium bicarbonate production reaction in the second gas processing device 2200 is improved. The second treated water heat exchanger 2780 heat-exchanges the second treated water (L2) discharged from the second treated water storage tank 2710 with cold water. The second treated water heat exchanger 2780 is located upstream from the point where the sodium carbonate aqueous solution is supplied by the second chemical storage tank 2750 in the second treated water supply line 2720.

고액 분리 필터(1800)는 제2 처리수 저장조(2710)로부터 배출되는 제2 처리수(L2)에서 중탄산나트륨을 포함하는 고체 성분을 분리한다. 고액 분리 필터(1800)는 통상적인 구성의 고액 분리기일 수 있다. 고액 분리 필터(1800)의 구성 및 작용은 도 1에 도시된 실시예의 고액 분리 필터(1800)와 동일하므로 여기서 이에 대한 상세한 설명은 생략된다.The solid-liquid separation filter 1800 separates solid components including sodium bicarbonate from the second treated water (L2) discharged from the second treated water reservoir 2710. The solid-liquid separation filter 1800 may be a solid-liquid separator of a typical configuration. Since the configuration and operation of the solid-liquid separation filter 1800 are the same as the solid-liquid separation filter 1800 of the embodiment shown in FIG. 1, detailed description thereof is omitted here.

약품 회수조(2900)는 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 액체 성분의 용액을 저장한다. 약품 회수조(2900)에 저장되는 용액은 제1 약품인 탄산나트륨을 함유한다. 약품 회수조(2900)에 저장된 탄산나트륨을 함유하는 용액은 제2 처리수 저장조(2710)로 공급된다.The chemical recovery tank 2900 stores the solution of the liquid component discharged from the solid-liquid separation filter 1800. The solution stored in the drug recovery tank 2900 contains sodium carbonate, the first drug. The solution containing sodium carbonate stored in the chemical recovery tank 2900 is supplied to the second treated water storage tank 2710.

도 5에는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배기가스 처리 설비의 개략적인 구성이 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배기가스 처리 설비(3000)는 처리대상 배기가스(G0)에 포함된 이산화탄소(CO2)를 제거하면서 중탄산나트륨(NaHCO3)를 효율적으로 제조하는 설비로서, 제1 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성하는 제1 가스 유동 팬(1050a)과, 제2 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성하는 제2 가스 유동 팬(1050b)과, 상기 제1 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 처리대상 배기가스(G01)를 제1 처리수(L1)를 이용하여 처리하는 제1 가스 처리 장치(3100)와, 상기 제2 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 처리대상 배기가스(G02)를 제2 처리수(L2)를 이용하여 처리하는 제2 가스 처리 장치(3200)와, 상기 제1 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(3100)로부터 배출되는 제1 처리 가스(G1)에서 액체 성분을 분리하는 제1 기액 분리기(1500a)와, 상기 제2 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출되는 제2 처리 가스(G2)에서 액체 성분을 분리하는 제2 기액 분리기(1500b)와, 제1 가스 처리 장치(3100)로 제1 처리수(L1)를 공급하는 제1 처리수 공급부(2600)와, 제2 가스 처리 장치(3200)로 제2 처리수(L2)를 공급하는 제2 처리수 공급부(2700)와, 제2 처리수(L2)에서 중탄산나트륨을 포함하는 고체 성분을 분리하는 고액 분리 필터(1800)와, 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 액체 성분이 저장되는 약품 회수조(1900)를 포함한다.Figure 5 shows a schematic configuration of an exhaust gas treatment facility according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, an exhaust gas treatment facility 3000 according to another embodiment of the present invention efficiently removes sodium bicarbonate (NaHCO 3 ) while removing carbon dioxide (CO 2 ) contained in the exhaust gas (G0) to be treated. A manufacturing facility comprising: a first gas flow fan (1050a) that creates a flow pressure in the gas on a first gas flow line, a second gas flow fan (1050b) that creates a flow pressure in the gas on a second gas flow line, and , a first gas processing device 3100 installed on the first gas flow line to treat the first exhaust gas (G01) to be treated using first treatment water (L1), and a first gas treatment device (3100) on the second gas flow line. a second gas processing device 3200 installed on the first gas flow line to process the second exhaust gas G02 using second treatment water L2; and a first gas processing device 3200 installed on the first gas flow line. A first gas-liquid separator (1500a) that separates the liquid component from the first processing gas (G1) discharged from (3100), and a first gas-liquid separator (1500a) installed on the second gas flow line and discharged from the second gas processing device (3200). 2 A second gas-liquid separator (1500b) that separates the liquid component from the treatment gas (G2), a first treated water supply unit (2600) that supplies first treated water (L1) to the first gas treatment device (3100), A second treated water supply unit 2700 that supplies second treated water (L2) to the second gas treatment device (3200), and a solid-liquid separation filter that separates solid components including sodium bicarbonate from the second treated water (L2). It includes (1800) and a chemical recovery tank (1900) in which the liquid component discharged from the solid-liquid separation filter (1800) is stored.

제1 가스 유동 팬(1050a)은 제1 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성한다. 본 실시예에서는 제1 가스 유동 팬(1050a)이 제1 가스 유동 라인 상에서 제1 가스 처리 장치(3100)의 하류에 위치하는 것으로 설명하지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 제1 가스 유동 팬(1050a)은 제1 가스 처리 장치(3100)의 상류에 위치할 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 제1 가스 유동 팬(1050a)의 작동에 의해 가스가 제1 가스 처리 장치(3100), 제1 기액 분리기(1500a)를 차례대로 거쳐서 유동하게 된다.The first gas flow fan 1050a creates a flow pressure in the gas on the first gas flow line. In this embodiment, the first gas flow fan 1050a is described as being located downstream of the first gas processing device 3100 on the first gas flow line, but the present invention is not limited thereto. The first gas flow fan 1050a may be located upstream of the first gas processing device 3100, and is also within the scope of the present invention. By operating the first gas flow fan 1050a, gas flows sequentially through the first gas processing device 3100 and the first gas-liquid separator 1500a.

제2 가스 유동 팬(1050b)은 제2 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성한다. 본 실시예에서는 제2 가스 유동 팬(1050b)이 제2 가스 유동 라인 상에서 제2 가스 처리 장치(3200)의 하류에 위치하는 것으로 설명하지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 제2 가스 유동 팬(1050b)은 제2 가스 처리 장치(3200)의 상류에 위치할 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 제2 가스 유동 팬(1050b)의 작동에 의해 가스가 제2 가스 처리 장치(3200), 제2 기액 분리기(1500b)를 차례대로 거쳐서 유동하게 된다.The second gas flow fan 1050b creates a flow pressure in the gas on the second gas flow line. In this embodiment, the second gas flow fan 1050b is described as being located downstream of the second gas processing device 3200 on the second gas flow line, but the present invention is not limited thereto. The second gas flow fan 1050b may be located upstream of the second gas processing device 3200, and is also within the scope of the present invention. By operating the second gas flow fan 1050b, gas flows sequentially through the second gas processing device 3200 and the second gas-liquid separator 1500b.

제1 가스 처리 장치(3100)는 제1 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 처리대상 배기가스(G01)를 제1 처리수(L1)를 이용하여 처리한다. 제1 처리대상 배기가스(G01)는 제1 가스 유동 팬(1050a)의 작동에 의해 제1 가스 처리 장치(3100)로 유입되어서 처리된 후 제1 처리 가스(G1)로서 제1 가스 처리 장치(3100)로부터 배출된다. 제1 가스 처리 장치(3100)로부터 배출되는 제1 처리 가스(G1)는 제1 기액 분리기(1500a)로 유입된다. 제1 가스 처리 장치(3100)에서 제1 처리대상 배기가스(G01)의 처리에 사용되는 제1 처리수(L1)는 제1 약품인 수산화나트륨(NaOH)을 포함하는 수산화나트륨 수용액이다. 제1 가스 처리 장치(3100)는 수산화나트륨을 포함하는 제1 처리수(L1)를 제1 처리수 공급부(2600)를 통해 공급받는다. 제1 가스 처리 장치(3100)는 공업용수도 공급받는다. 제1 가스 처리 장치(3100)에서는 상기된 반응식 4, 반응식 5, 반응식 6과 같은 화학 반응이 주로 일어난다. 즉, 제1 가스 처리 장치(3100)에서 이산화탄소가 제거되고 탄산나트륨(Na2CO3)이 생성된다. 탄산나트륨이 생성되는 이러한 반응은 발열 반응으로서, 높은 반응 효율을 유지하기 위하여 제1 처리수(L1)은 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 본 실시예에서 제1 처리수(L1)의 설정된 기준 수소이온농도의 범위는 9.5 내지 13pH이며, 설정된 기준 온도 범위는 45 내지 60℃인 것으로 설명한다. 제1 가스 처리 장치(3100)에서는 제1 처리대상 배기가스(G01)에 대한 탈진 처리 및 잡산성가스 제거 기능도 수행된다.The first gas processing device 3100 is installed on the first gas flow line and processes the first exhaust gas to be treated (G01) using first treated water (L1). The first exhaust gas to be treated (G01) flows into the first gas processing device 3100 by the operation of the first gas flow fan 1050a, is processed, and then is discharged into the first gas processing device (G1) as the first processing gas (G1). 3100). The first processing gas G1 discharged from the first gas processing device 3100 flows into the first gas-liquid separator 1500a. The first treated water L1 used to treat the exhaust gas G01 to be treated in the first gas treatment device 3100 is an aqueous sodium hydroxide solution containing sodium hydroxide (NaOH), which is the first chemical. The first gas treatment device 3100 receives first treated water L1 containing sodium hydroxide through the first treated water supply unit 2600. The first gas processing device 3100 is also supplied with industrial water. In the first gas processing device 3100, chemical reactions such as Scheme 4, Scheme 5, and Scheme 6 described above mainly occur. That is, carbon dioxide is removed in the first gas processing device 3100 and sodium carbonate (Na 2 CO 3 ) is generated. This reaction in which sodium carbonate is produced is an exothermic reaction, and in order to maintain high reaction efficiency, the first treated water (L1) is controlled to maintain a set standard hydrogen ion concentration range and a set standard temperature range. In this embodiment, the set standard hydrogen ion concentration range of the first treated water (L1) is 9.5 to 13 pH, and the set standard temperature range is 45 to 60°C. The first gas processing device 3100 also performs dedusting treatment and miscellaneous gas removal functions on the first exhaust gas (G01) to be treated.

제1 가스 처리 장치(3100)의 구조가 구체적으로 도시된 도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 가스 처리 장치(3100)는 제1 처리대상 배기가스(G01)와 제1 처리수(L1)가 유입되는 제1 도입부(3110)와, 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제1 도입부(3110)로부터 배출되는 가스(G11)를 처리하는 제1 마이크로버블 처리부(3130)와, 제1 도입부(3110)와 제1 마이크로버블 처리부(3130)를 연통시키는 제1 연결 통로(3190)를 구비한다.Referring to Figures 6 and 7, which specifically show the structure of the first gas processing device 3100, the first gas processing device 3100 includes a first exhaust gas to be treated (G01) and a first treated water (L1). A first introduction part 3110 into which gas flows in, a first microbubble processing part 3130 that processes the gas (G11) discharged from the first introduction part 3110 using micro-bubbles, and a first introduction part It is provided with a first connection passage 3190 that communicates 3110 with the first microbubble treatment unit 3130.

제1 도입부(3110)로 제1 처리대상 배기가스(G01)와 제1 처리수(L1)가 유입된다. 제1 도입부(3110)는 내부에 형성되는 제1 도입 공간(3111)을 제공한다. 제1 도입 공간(3111)은 제1 통로부(3190)에 의해 제1 마이크로버블 처리부(3130)와 연통된다. 제1 도입 공간(3111)의 상단에는 제1 흡기구(3113)가 위치하며, 제1 도입 공간(3111)의 하단에는 제1 도입공간 배수구(3115)가 위치한다. 제1 흡기구(3113)를 통해서 제1 처리대상 배기가스(G01)가 제1 도입 공간(3111)으로 유입된다. 제1 도입공간 배수구(3115)를 통해서 배수가 이루어진다. 제1 도입 공간(3111)은 제1 흡기구(3113)보다 낮고 제1 도입공간 배수구(3115)보다 높은 위치에서 제3 연결 통로부(3190)와 연통된다.The first exhaust gas to be treated (G01) and the first treated water (L1) are introduced into the first inlet 3110. The first introduction part 3110 provides a first introduction space 3111 formed therein. The first introduction space 3111 communicates with the first microbubble processing unit 3130 through the first passage part 3190. A first intake port 3113 is located at the top of the first introduction space 3111, and a first introduction space drain 3115 is located at the bottom of the first introduction space 3111. The first exhaust gas to be treated (G01) flows into the first introduction space 3111 through the first intake port 3113. Drainage occurs through the first introduction space drain 3115. The first introduction space 3111 communicates with the third connection passage 3190 at a position lower than the first intake port 3113 and higher than the first introduction space drain 3115.

제1 도입 공간(3111)에서 제1 흡기구(3113)와 제1 도입공간 배수구(3115)의 사이에는 제1 수조(3117), 제1A 수류관(3119), 제1A 확산판(3121), 제1B 수류관(3123), 제1B 확산판(3125), 제1 처리수 도입부 공급 수단(3126)이 설치된다.In the first introduction space 3111, between the first intake port 3113 and the first introduction space drain 3115, there is a first water tank 3117, a 1A water flow pipe 3119, a 1A diffusion plate 3121, and a 1st introduction space 3111. A 1B water flow pipe 3123, a 1B diffusion plate 3125, and a first treated water inlet supply means 3126 are installed.

제1 수조(3117)는 제1 도입 공간(3111)에서 제1 흡기구(3113)의 아래에 인접하여 위치한다. 제1 수조(3117)에는 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)가 일시 저장된다. 제1 수조(3117)에는 제1 도입 공간(3111)으로 유입되는 공업용수도 일시 저장될 수 있다. 제1 수조(3117)로부터 흘러 넘치는 제1 처리수(L1)는 제1A 수류관(3119)을 통해 아래로 유동한다.The first water tank 3117 is located adjacent to the bottom of the first intake port 3113 in the first introduction space 3111. The first treated water L1 supplied from the first treated water supply unit (2600 in FIG. 5) is temporarily stored in the first water tank 3117. Industrial water flowing into the first introduction space 3111 may also be temporarily stored in the first water tank 3117. The first treated water (L1) overflowing from the first water tank (3117) flows downward through the first A water flow pipe (3119).

제1A 수류관(3119)은 제1 도입 공간(3111)에서 제1 수조(3117)의 아래에 위치한다. 제1A 수류관(3119)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제1A 수류관(3119)의 하단에는 제1 처리수(L1)과 가스를 아래로 배출하는 제1A 수류관 배출구(3120)가 형성된다. 제1A 수류관(3119)을 따라서 가스와 제1 처리수(L1)가 제1A 수류관 배출구(3120)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수(L1)에 포함된 수산화나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 1A water flow pipe 3119 is located below the first water tank 3117 in the first introduction space 3111. The 1A water flow pipe 3119 has a shape that becomes narrower as it goes downward, and a 1A water flow pipe outlet 3120 is formed at the bottom of the 1A water flow pipe 3119 to discharge the first treated water (L1) and gas downward. do. As the gas and the first treated water (L1) flow downward along the 1A water flow pipe 3119 toward the 1A water flow pipe outlet 3120, the contact area between the gas and the first treated water (L1) increases, The reaction efficiency between carbon dioxide contained in the gas and sodium hydroxide contained in the first treated water (L1) is improved.

제1A 확산판(3121)은 제1 도입 공간(3111)에서 제1A 수류관 배출구(3120)의 아래에 위치한다. 제1A 확산판(3121)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제1A 수류관 배출구(3120)으로부터 배출되는 제1 처리수(L1)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The 1A diffusion plate 3121 is located below the 1A water flow pipe outlet 3120 in the first introduction space 3111. The 1A diffusion plate 3121 is inclined radially outward from the center downward to the water channel to widely disperse the first treated water L1 discharged from the 1A water flow pipe outlet 3120 outward.

제1B 수류관(3123)은 제1 도입 공간(3111)에서 제1A 확산판(3121)의 아래에 위치한다. 제1B 수류관(3123)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제1B 수류관(3123)의 하단에는 제1 처리수(L1)와 가스를 아래로 배출하는 제1B 수류관 배출구(3124)가 형성된다. 제1B 수류관(3123)을 따라서 가스와 제1 처리수(L1)가 제1B 수류관 배출구(3124)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수(L1)에 포함된 수산화나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 1B water flow pipe 3123 is located below the 1A diffusion plate 3121 in the first introduction space 3111. The 1B water flow pipe 3123 has a shape that becomes narrower as it goes downward, and a 1B water flow pipe outlet 3124 is formed at the bottom of the 1B water flow pipe 3123 to discharge the first treated water (L1) and gas downward. do. As the gas and the first treated water (L1) flow downward along the 1B water flow pipe 3123 toward the 1B water flow pipe outlet 3124, the contact area between the gas and the first treated water (L1) increases, The reaction efficiency between carbon dioxide contained in the gas and sodium hydroxide contained in the first treated water (L1) is improved.

제1B 확산판(3125)은 제1 도입 공간(3111)에서 제1B 수류관 배출구(3124)의 아래에 위치한다. 제1B 확산판(3125)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제1B 수류관 배출구(3124)으로부터 배출되는 제1 처리수(L1)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The 1B diffusion plate 3125 is located below the 1B water flow pipe outlet 3124 in the first introduction space 3111. The 1B diffusion plate 3125 is inclined radially outward from the center downward to the water channel to widely disperse the first treated water L1 discharged from the 1B water flow pipe outlet 3124 outward.

제1 처리수 도입부 공급 수단(3126)은 제1 도입 공간(3111)에 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)를 공급한다. 제1 처리수 도입부 공급 수단(3126)은 제1 수조(3117)의 위에 위치하여 제1 처리수(L1)를 제1 수조(3117)로 공급한다.The first treated water introduction unit supply means 3126 supplies the first treated water L1 supplied from the first treated water supply unit (2600 in FIG. 5) to the first introduction space 3111. The first treated water inlet supply means 3126 is located above the first water tank 3117 and supplies the first treated water L1 to the first water tank 3117.

제1 마이크로버블 처리부(3130)는 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제1 도입부(3110)로부터 배출되는 가스(G11)를 처리한다. 제1 마이크로버블 처리부(3130)는 내부에 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)을 제공한다. 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)은 제1 연결 통로(3190)를 통해 제1 도입 공간(3111)과 연통된다. 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)의 상단에는 제1 배기구(3132)가 위치하며, 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)의 하단에는 제1 처리공간 배수구(3133)가 위치한다. 제1 배기구(3132)를 통해서 제1 마이크로버블 처리 공간(3131) 내부의 가스가 배출된다. 제1 처리공간 배수구(3133)를 통해서 배수가 이루어진다. 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)은 제1 배기구(3132)보다 낮고 제1 처리공간 배수구(3133)보다 높은 위치에서 제1 연결 통로(3190)와 연통된다.The first microbubble processing unit 3130 processes the gas G11 discharged from the first introduction unit 3110 using microbubbles. The first microbubble treatment unit 3130 provides a first microbubble treatment space 3131 therein. The first microbubble treatment space 3131 communicates with the first introduction space 3111 through a first connection passage 3190. A first exhaust port 3132 is located at the top of the first microbubble treatment space 3131, and a first treatment space drain 3133 is located at the bottom of the first microbubble treatment space 3131. Gas inside the first microbubble treatment space 3131 is discharged through the first exhaust port 3132. Drainage occurs through the first treatment space drain 3133. The first microbubble treatment space 3131 communicates with the first connection passage 3190 at a position lower than the first exhaust port 3132 and higher than the first treatment space drain 3133.

제1 마이크로버블 처리 공간(3131)에는 제1 연결 통로(3190)와 제1 배기구(3132)의 사이에 배치되는 제1 가스 처리 유닛(3140)이 구비된다. 제1 연결 통로(3190)를 통해 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)으로 유입된 가스(G11)는 위로 상승하여 제1 가스 처리 유닛(3140)을 차례대로 통과한다.The first microbubble processing space 3131 is provided with a first gas processing unit 3140 disposed between the first connection passage 3190 and the first exhaust port 3132. The gas G11 flowing into the first microbubble processing space 3131 through the first connection passage 3190 rises upward and sequentially passes through the first gas processing unit 3140.

제1 가스 처리 유닛(3140)은 제1 바닥판(3142)과, 제1 바닥판(3142)에 설치되는 제1 아토마이징부(3144)와, 제1 수위 조절부(3150)와, 제1 처리수 반응부 공급 수단(3157)을 구비한다.The first gas processing unit 3140 includes a first bottom plate 3142, a first atomizing unit 3144 installed on the first bottom plate 3142, a first water level control unit 3150, and a first A treated water reaction unit supply means (3157) is provided.

제1 바닥판(3142)은 판상으로서 제1 가스 처리 유닛(3140)의 내부 공간에서 대체로 수평으로 설치되고, 제1 연결 통로(3190)보다 위에 위치한다. 제1 가스 처리 유닛(3140)의 내부 공간은 제1 바닥판(3142)을 사이에 두고 제1 하부 공간(3141)과 제1 상부 공간(3143)으로 분리되는데, 제1 상부 공간(3141)에 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1 바닥판(3142)에 제1 아토마이징부(3144)가 설치된다.The first bottom plate 3142 is plate-shaped and installed substantially horizontally in the internal space of the first gas processing unit 3140, and is located above the first connection passage 3190. The internal space of the first gas processing unit 3140 is divided into a first lower space 3141 and a first upper space 3143 with a first bottom plate 3142 in between, and the first upper space 3141 First treated water (L1) supplied from the first treated water supply unit (2600 in FIG. 5) is stored. A first atomizing unit 3144 is installed on the first bottom plate 3142.

제1 아토마이징부(3144)는 제1 하부 공간(3141)에 존재하는 가스(G11)를 제1 처리수(L1)가 저장된 제1 상부 공간(3143)으로 분사한다. 제1 아토마이징부(3144)에 의해 분사된 가스(G11)는 제1 처리수(L3) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B1)을 형성한다. 제1 아토마이징부(3144)는 제1 상부 공간(3143)으로 가스(G11)를 분사하는 제1 가스 분사노즐(3145)과, 제1 가스 분사노즐(3145)의 끝에 위치하는 제1 충돌판(3146)을 구비한다. 제1 아토마이징부(3146)에 의해 형성된 마이크로 버블(B1)로 인해 제1 상부 공간(3143)에서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B1)은 제1 처리수(L1) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제1 상부 공간(3143)에서 가스(G11)에 포함된 처리대상 성분인 이산화탄소와 제1 처리수(L1)에 포함된 수산화나트륨의 반응 효율이 현저하게 높아져서, 이산화탄소 제거 및 탄산나트륨의 생성 효율도 현저하게 향상된다.The first atomizing unit 3144 sprays the gas G11 existing in the first lower space 3141 into the first upper space 3143 where the first treated water L1 is stored. The gas G11 sprayed by the first atomizing unit 3144 forms micro-bubbles B1 within the first treated water L3. The first atomizing unit 3144 includes a first gas injection nozzle 3145 that sprays gas G11 into the first upper space 3143, and a first collision plate located at the end of the first gas injection nozzle 3145. (3146) is provided. The contact area between the gas and the first treated water (L1) in the first upper space (3143) increases due to the microbubbles (B1) formed by the first atomizing unit (3146). In addition, microbubbles (B1) rise more slowly than regular bubbles in the first treated water (L1), so they stay for a longer time. Accordingly, the reaction efficiency between carbon dioxide, which is a component to be treated contained in the gas G11, and sodium hydroxide contained in the first treated water L1 in the first upper space 3143 is significantly increased, thereby removing carbon dioxide and producing sodium carbonate. Efficiency is also significantly improved.

제1 가스 분사노즐(3145)은 제1 바닥판(3142)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제1 상부 공간(3143)에 위치한다. 제1 가스 분사노즐(3145)에 의해 제1 하부 공간(3141)의 가스(G11)가 제1 상부 공간(3143)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제1 가스 분사노즐(3145)에는 가스가 제1 가스 분사노즐(3145)을 따라 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 분사구가 형성된 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제1 가스 분사노즐(3145)의 끝단에는 제1 충돌판(3146)이 인접하여 위치한다.The first gas injection nozzle 3145 is formed to protrude upward from the first bottom plate 3142 and is located in the first upper space 3143. The gas G11 in the first lower space 3141 is injected upward into the first upper space 3143 by the first gas injection nozzle 3145. As shown, a section is formed in the first gas injection nozzle 3145 where the internal passage becomes narrower toward the end where the injection hole is formed so that the speed of the gas increases as the gas flows along the first gas injection nozzle 3145. A first collision plate 3146 is located adjacent to the end of the first gas injection nozzle 3145.

제1 충돌판(3146)은 제1 가스 분사노즐(3145)의 끝단 위에 인접하도록 제1 상부 공간(3143)에 위치한다. 제1 처리수(L1)에 잠긴 제1 충돌판(3146)에 제1 가스 분사노즐(3145)로부터 분사되는 가스(G11)가 강하게 충돌하여 마이크로 버블(B1)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제1 충돌판(3146)이 도시된 바와 같이 제1 하부 충돌판(3147)과 제1 상부 충돌판(3148)이 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제1 상부 충돌판(3148)이 아래에 위치하는 제1 하부 충돌판(3147)의 전체를 덮도록 더 크며, 제1 상부 충돌판(3148) 사이에 적어도 하나의 제1 통로(3149)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제1 충돌판(3146)의 설치 높이가 가변되어서 제1 가스 분사노즐(3145)과의 거리가 조절될 수 있다.The first collision plate 3146 is located in the first upper space 3143 adjacent to the end of the first gas injection nozzle 3145. The gas (G11) sprayed from the first gas injection nozzle (3145) strongly collides with the first collision plate (3146) submerged in the first treated water (L1) to form micro bubbles (B1). In this embodiment, the first collision plate 3146 is described as having a two-stage structure in which the first lower collision plate 3147 and the first upper collision plate 3148 are arranged sequentially along the height direction, as shown. The present invention is not limited to this, and a single-stage structure or a three-stage or more structure also falls within the scope of the present invention. In the case of a multi-stage structure, the first upper collision plate 3148 located above is larger to cover the entire first lower collision plate 3147 located below, and at least one collision plate is located between the first upper collision plates 3148. It is preferable that the first passage 3149 is formed. Although not shown, in order to adjust the gas processing capacity, the installation height of the first collision plate 3146 may be changed to adjust the distance from the first gas injection nozzle 3145.

제1 수위 조절부(3150)는 제1 상부 공간(3143)의 측면에 위치하며, 제1 상부 공간(3143)에서 오버플로우를 통해 제1 처리수(L1)의 수위를 조절한다. 제1 수위 조절부(3150)는 제1 상부 공간(3143)의 측벽에 형성된 제1 수위조절 개구부(3151)을 통해 제1 상부 공간(3143)과 연통되는 제1 수위조절 수조(3152)를 구비한다. 제1 수위조절 개구부(3151)는 제1 상부 공간(3143)에서 제1 처리수(L1)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제1 수위조절 수조(3152)에는 제1 상부 공간(3143)에서 오버플로우된 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1 수위조절 수조(3152)에 저장된 제1 처리수(L1)는 배출되어서 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로 공급된다. 제1 수위조절 수조(3152)에서 배출되어서 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로 공급되는 용액은 생성된 탄산나트륨과 미반응 수산화나트륨을 함유한다.The first water level control unit 3150 is located on the side of the first upper space 3143 and adjusts the water level of the first treated water L1 through overflow in the first upper space 3143. The first water level control unit 3150 is provided with a first water level control water tank 3152 that communicates with the first upper space 3143 through a first water level control opening 3151 formed on the side wall of the first upper space 3143. do. The first water level control opening 3151 is located in the first upper space 3143 to correspond to the water level control height of the first treated water (L1). The first treated water (L1) that overflowed from the first upper space (3143) is stored in the first water level control tank (3152). The first treated water (L1) stored in the first water level control tank 3152 is discharged and supplied to the first treated water supply unit (2600 in FIG. 5). The solution discharged from the first water level control tank 3152 and supplied to the first treated water supply unit (2600 in FIG. 5) contains produced sodium carbonate and unreacted sodium hydroxide.

제1 처리수 반응부 공급 수단(3157)은 제1 상부 공간(3143)에 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)를 공급한다.The first treated water reaction unit supply means 3157 supplies the first treated water L1 supplied from the first treated water supply unit (2600 in FIG. 5) to the first upper space 3143.

상기 실시예에서는 제1 마이크로버블 처리부(3130)가 하나의 제1 가스 처리 유닛(3140)을 구비하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 높이방향을 따라서 복수 개가 직렬로 연속적으로 배치될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.In the above embodiment, the first microbubble processing unit 3130 is described as having one first gas processing unit 3140, but differently from this, a plurality of units may be arranged in series along the height direction, which is also provided in this example. It falls within the scope of the invention.

제1 도입공간 배수구(3115)와 제1 처리공간 배수구(3133)를 통해 각각 배출되는 제1 처리수(L1)는 생성된 탄산나트륨과 미반응 수산화나트륨을 함유하며, 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로 공급된다.The first treated water (L1) discharged through the first introduction space drain 3115 and the first treatment space drain 3133 contains generated sodium carbonate and unreacted sodium hydroxide, and is supplied to the first treated water supply unit (FIG. 5 of 2600).

제1 연결 통로(3190)는 제1 도입부(3110)의 제1 도입 공간(3111)과 제1 마이크로버블 처리부(3130)의 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)을 연통시킨다. 제1 연결 통로(3190)는 제1 흡기구(3113)와 제1 배기구(3132)보다 아래에 위치하고, 제1 도입공간 배수구(3115)와 제1 처리공간 배수구(3133)보다 위에 위치한다.The first connection passage 3190 communicates the first introduction space 3111 of the first introduction part 3110 and the first microbubble treatment space 3131 of the first microbubble treatment unit 3130. The first connection passage 3190 is located below the first intake port 3113 and the first exhaust port 3132, and is located above the first introduction space drain 3115 and the first treatment space drain 3133.

도 5를 참조하면, 제2 가스 처리 장치(3200)는 상기 제2 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 처리대상 배기가스(G02)를 제2 처리수(L2)를 이용하여 처리한다. 제2 처리대상 배기가스(G02)는 제2 가스 유동 팬(1050b)의 작동에 의해 제2 가스 처리 장치(3200)로 유입되어서 처리된 후 제2 처리 가스(G2)로서 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출된다. 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출되는 제2 처리 가스(G2)는 제2 기액 분리기(1500b)로 유입된다. 제2 가스 처리 장치(3200)에서 제2 처리대상 배기가스(G02)의 처리에 사용되는 제2 처리수(L2)는 제2 약품인 탄산나트륨(Na2CO3)을 포함하는 탄산나트륨 수용액이다. 제2 가스 처리 장치(3200)는 탄산나트륨을 포함하는 제2 처리수(L2)를 제2 처리수 공급부(2700)를 통해 공급받는다. 제2 가스 처리 장치(3200)는 공업용수도 공급받는다. 제2 가스 처리 장치(3200)에서는 상기 반응식 1, 반응식 2, 반응식 3과 같은 화학 반응이 주로 일어난다. 즉, 제2 가스 처리 장치(3200)에서 이산화탄소가 제거되고 중탄산나트륨(NaHCO3)이 생성된다. 중탄산나트륨이 생성되는 이러한 반응은 발열 반응으로서, 높은 반응 효율을 유지하기 위하여 제2 처리수(L2)은 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 본 실시예에서 제2 처리수(L2)의 설정된 기준 수소이온농도의 범위는 9.5 내지 12pH이며, 설정된 기준 온도 범위는 10 내지 25℃인 것으로 설명한다. 제2 가스 처리 장치(3200)에서는 제2 처리대상 배기가스(G02)에 대한 탈진 처리 및 잡산성가스 제거 기능도 수행된다.Referring to FIG. 5, the second gas processing device 3200 is installed on the second gas flow line and processes the second exhaust gas (G02) to be treated using the second treated water (L2). The second exhaust gas to be treated (G02) flows into the second gas processing device 3200 by the operation of the second gas flow fan 1050b, is processed, and then is processed as the second processing gas (G2) by the second gas processing device ( 3200). The second processing gas G2 discharged from the second gas processing device 3200 flows into the second gas-liquid separator 1500b. The second treated water (L2) used to treat the exhaust gas (G02) to be treated in the second gas treatment device 3200 is an aqueous sodium carbonate solution containing sodium carbonate (Na 2 CO 3 ), which is the second chemical. The second gas treatment device 3200 receives second treated water (L2) containing sodium carbonate through the second treated water supply unit 2700. The second gas processing device 3200 is also supplied with industrial water. In the second gas processing device 3200, chemical reactions such as Scheme 1, Scheme 2, and Scheme 3 mainly occur. That is, carbon dioxide is removed in the second gas processing device 3200 and sodium bicarbonate (NaHCO 3 ) is generated. This reaction in which sodium bicarbonate is produced is an exothermic reaction, and in order to maintain high reaction efficiency, the second treated water (L2) is controlled to maintain a set standard hydrogen ion concentration range and a set standard temperature range. In this embodiment, the set standard hydrogen ion concentration range of the second treated water (L2) is 9.5 to 12 pH, and the set standard temperature range is 10 to 25°C. The second gas processing device 3200 also performs dedusting treatment and acid gas removal functions on the second treatment target exhaust gas (G02).

제2 가스 처리 장치(3200)의 구조가 구체적으로 도시된 도 8 및 도 9를 참조하면, 제2 가스 처리 장치(3200)는 제2 처리대상 배기가스(G02)와 제2 처리수(L2)가 유입되는 제2 도입부(3210)와, 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제2 도입부(3210)로부터 배출되는 가스(G21)를 처리하는 제2 마이크로버블 처리부(3230)와, 제2 도입부(3210)와 제2 마이크로버블 처리부(3230)를 연통시키는 제2 연결 통로(3290)를 구비한다.Referring to FIGS. 8 and 9 , which specifically show the structure of the second gas processing device 3200, the second gas processing device 3200 processes a second exhaust gas to be treated (G02) and a second treated water (L2). A second introduction part 3210 into which gas flows in, a second microbubble processing part 3230 that processes the gas (G21) discharged from the second introduction part 3210 using micro-bubbles, and a second introduction part It is provided with a second connection passage 3290 that communicates 3210 with the second microbubble treatment unit 3230.

제2 도입부(3210)로 제2 처리대상 배기가스(G02)와 제2 처리수(L2)가 유입된다. 제2 도입부(3210)는 내부에 형성되는 제2 도입 공간(3211)을 제공한다. 제2 도입 공간(3211)은 제2 통로부(3290)에 의해 제2 마이크로버블 처리부(3230)와 연통된다. 제2 도입 공간(3211)의 상단에는 제2 흡기구(3213)가 위치하며, 제2 도입 공간(3211)의 하단에는 제2 도입공간 배수구(3215)가 위치한다. 제2 흡기구(3213)를 통해서 제2 처리대상 배기가스(G02)가 제2 도입 공간(3211)으로 유입된다. 제2 도입공간 배수구(3215)를 통해서 배수가 이루어진다. 제2 도입 공간(3211)은 제2 흡기구(3213)보다 낮고 제2 도입공간 배수구(3215)보다 높은 위치에서 제2 연결 통로부(3290)와 연통된다.The second exhaust gas to be treated (G02) and the second treated water (L2) are introduced into the second inlet 3210. The second introduction part 3210 provides a second introduction space 3211 formed therein. The second introduction space 3211 communicates with the second microbubble processing unit 3230 through the second passage unit 3290. A second intake port 3213 is located at the top of the second introduction space 3211, and a second introduction space drain 3215 is located at the bottom of the second introduction space 3211. The second exhaust gas to be treated (G02) flows into the second introduction space 3211 through the second intake port 3213. Drainage is performed through the second introduction space drain 3215. The second introduction space 3211 communicates with the second connection passage portion 3290 at a position lower than the second intake port 3213 and higher than the second introduction space drain 3215.

제2 도입 공간(3211)에서 제2 흡기구(3213)와 제2 도입공간 배수구(3215)의 사이에는 제2 수조(3217), 제2A 수류관(3219), 제2A 확산판(3221), 제2B 수류관(3223), 제2B 확산판(3225), 제2 처리수 도입부 공급 수단(3226)이 설치된다.In the second introduction space 3211, between the second intake port 3213 and the second introduction space drain 3215, there is a second water tank 3217, a 2A water flow pipe 3219, a 2A diffusion plate 3221, and a second introduction space 3211. A 2B water flow pipe 3223, a 2B diffusion plate 3225, and a second treated water inlet supply means 3226 are installed.

제2 수조(3217)는 제2 도입 공간(3211)에서 제2 흡기구(3213)의 아래에 인접하여 위치한다. 제2 수조(3217)에는 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)가 일시 저장된다. 제2 수조(3217)에는 제2 도입 공간(3211)으로 유입되는 공업용수도 일시 저장될 수 있다. 제2 수조(3217)로부터 흘러 넘치는 제2 처리수(L2)는 제2A 수류관(3219)을 통해 아래로 유동한다.The second water tank 3217 is located adjacent to and below the second intake port 3213 in the second introduction space 3211. The second treated water L2 supplied from the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5) is temporarily stored in the second water tank 3217. Industrial water flowing into the second introduction space 3211 may also be temporarily stored in the second water tank 3217. The second treated water (L2) overflowing from the second water tank (3217) flows downward through the second A water flow pipe (3219).

제2A 수류관(3219)은 제2 도입 공간(3211)에서 제2 수조(3217)의 아래에 위치한다. 제2A 수류관(3219)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제2A 수류관(3219)의 하단에는 제2 처리수(L2)과 가스를 아래로 배출하는 제2A 수류관 배출구(3220)가 형성된다. 제2A 수류관(3219)을 따라서 가스와 제2 처리수(L2)가 제2A 수류관 배출구(3220)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제2 처리수(L2)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 2A water flow pipe 3219 is located below the second water tank 3217 in the second introduction space 3211. The 2A water flow pipe 3219 has a shape that becomes narrower as it goes downward, and a 2A water flow pipe outlet 3220 that discharges the second treated water (L2) and gas downward is formed at the bottom of the 2A water flow pipe 3219. do. As the gas and the second treated water (L2) flow downward along the 2A water flow pipe 3219 toward the 2A water flow pipe outlet 3220, the contact area between the gas and the second treated water (L2) increases, The reaction efficiency between carbon dioxide contained in the gas and sodium carbonate contained in the second treated water (L2) is improved.

제2A 확산판(3221)은 제2 도입 공간(3211)에서 제2A 수류관 배출구(3220)의 아래에 위치한다. 제2A 확산판(3221)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제2A 수류관 배출구(3220)으로부터 배출되는 제2 처리수(L2)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The 2A diffusion plate 3221 is located below the 2A water flow pipe outlet 3220 in the second introduction space 3211. The 2A diffusion plate 3221 is inclined radially outward from the center downward to the water channel to widely disperse the second treated water L2 discharged from the 2A water flow pipe outlet 3220 outward.

제2B 수류관(3223)은 제2 도입 공간(3211)에서 제2A 확산판(3221)의 아래에 위치한다. 제2B 수류관(3223)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제2B 수류관(3223)의 하단에는 제2 처리수(L2)와 가스를 아래로 배출하는 제2B 수류관 배출구(3224)가 형성된다. 제2B 수류관(3223)을 따라서 가스와 제2 처리수(L2)가 제2B 수류관 배출구(3224)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제2 처리수(L2)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 2B water flow pipe 3223 is located below the 2A diffusion plate 3221 in the second introduction space 3211. The 2B water flow pipe 3223 has a shape that narrows as it goes downward, and a 2B water flow pipe outlet 3224 is formed at the bottom of the 2B water flow pipe 3223 to discharge the second treated water (L2) and gas downward. do. As the gas and the second treated water (L2) flow downward along the 2B water flow pipe 3223 toward the 2B water flow pipe outlet 3224, the contact area between the gas and the second treated water (L2) increases, The reaction efficiency between carbon dioxide contained in the gas and sodium carbonate contained in the second treated water (L2) is improved.

제2B 확산판(3225)은 제2 도입 공간(3211)에서 제2B 수류관 배출구(3224)의 아래에 위치한다. 제2B 확산판(3225)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제2B 수류관 배출구(3224)으로부터 배출되는 제2 처리수(L2)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The 2B diffusion plate 3225 is located below the 2B water flow pipe outlet 3224 in the second introduction space 3211. The 2B diffusion plate 3225 is inclined radially outward from the center downward to the water channel to widely disperse the second treated water L2 discharged from the 2B water flow pipe outlet 3224 outward.

제2 처리수 도입부 공급 수단(3226)은 제2 도입 공간(3211)에 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)를 공급한다. 제2 처리수 도입부 공급 수단(3226)은 제2 수조(3217)의 위에 위치하여 제2 처리수(L2)를 제2 수조(3217)로 공급한다.The second treated water introduction unit supply means 3226 supplies the second treated water L2 supplied from the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5) to the second introduction space 3211. The second treated water inlet supply means 3226 is located above the second water tank 3217 and supplies the second treated water L2 to the second water tank 3217.

제2 마이크로버블 처리부(3230)는 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제2 도입부(3210)로부터 배출되는 가스(G21)를 처리한다. 제2 마이크로버블 처리부(3230)는 내부에 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)을 제공한다. 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)은 제2 연결 통로(3290)를 통해 제2 도입 공간(3211)과 연통된다. 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)의 상단에는 제2 배기구(3232)가 위치하며, 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)의 하단에는 제2 처리공간 배수구(3233)가 위치한다. 제2 배기구(3232)를 통해서 제2 마이크로버블 처리 공간(3231) 내부의 가스가 배출된다. 제2 처리공간 배수구(3233)를 통해서 배수가 이루어진다. 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)은 제2 배기구(3232)보다 낮고 제2 처리공간 배수구(3233)보다 높은 위치에서 제2 연결 통로(3290)와 연통된다.The second microbubble processing unit 3230 processes the gas (G21) discharged from the second introduction unit 3210 using microbubbles. The second microbubble processing unit 3230 provides a second microbubble processing space 3231 therein. The second microbubble treatment space 3231 is connected to the second introduction space 3211 through the second connection passage 3290. A second exhaust port 3232 is located at the top of the second microbubble treatment space 3231, and a second treatment space drain 3233 is located at the bottom of the second microbubble treatment space 3231. Gas inside the second microbubble treatment space 3231 is discharged through the second exhaust port 3232. Drainage occurs through the second treatment space drain 3233. The second microbubble treatment space 3231 communicates with the second connection passage 3290 at a position lower than the second exhaust port 3232 and higher than the second treatment space drain 3233.

제2 마이크로버블 처리 공간(3231)에는 제2 연결 통로(3290)와 제2 배기구(3232)의 사이에서 높이방향을 따라서 아래로부터 위로 차례대로 배치되는 제2A 가스 처리 유닛(3240)과 제2B 가스 처리 유닛(3260)이 구비된다. 제2 연결 통로(3290)를 통해 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)으로 유입된 가스(G21)는 위로 상승하여 제2A 가스 처리 유닛(3240)과 제2B 가스 처리 유닛(3260)을 차례대로 통과한다.In the second microbubble processing space 3231, a 2A gas processing unit 3240 and a 2B gas are sequentially arranged from bottom to top along the height direction between the second connection passage 3290 and the second exhaust port 3232. A processing unit 3260 is provided. The gas G21 flowing into the second microbubble processing space 3231 through the second connection passage 3290 rises upward and passes through the 2A gas processing unit 3240 and the 2B gas processing unit 3260 in turn. do.

제2A 가스 처리 유닛(3240)은 제2A 바닥판(3242)과, 제2A 바닥판(3242)에 설치되는 제2A 아토마이징부(3244)와, 제2A 수위 조절부(3250)와, 제2A 처리수 반응부 공급 수단(3257)을 구비한다.The 2A gas processing unit 3240 includes a 2A bottom plate 3242, a 2A atomizing unit 3244 installed on the 2A bottom plate 3242, a 2A water level control unit 3250, and a 2A bottom plate 3242. A treated water reaction unit supply means (3257) is provided.

제2A 바닥판(3242)은 판상으로서 제2A 가스 처리 유닛(3240)의 내부 공간에서 대체로 수평으로 설치되고, 제2 연결 통로(3290)보다 위에 위치한다. 제2A 가스 처리 유닛(3240)의 내부 공간은 제2A 바닥판(3242)을 사이에 두고 제2A 하부 공간(3241)과 제2A 상부 공간(3243)으로 분리되는데, 제2A 상부 공간(3241)에 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)가 저장된다. 제2A 바닥판(3242)에 제2A 아토마이징부(3244)가 설치된다.The 2A bottom plate 3242 is plate-shaped and installed substantially horizontally in the internal space of the 2A gas processing unit 3240, and is located above the second connection passage 3290. The internal space of the 2A gas processing unit 3240 is divided into a 2A lower space 3241 and a 2A upper space 3243 with the 2A bottom plate 3242 in between, and the 2A upper space 3241 The second treated water (L2) supplied from the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5) is stored. The 2A atomizing unit 3244 is installed on the 2A bottom plate 3242.

제2A 아토마이징부(3244)는 제2A 하부 공간(3241)에 존재하는 가스(G21)를 제2 처리수(L2)가 저장된 제2A 상부 공간(3243)으로 분사한다. 제2A 아토마이징부(3244)에 의해 분사된 가스(G21)는 제2 처리수(L2) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B21)을 형성한다. 제2A 아토마이징부(3244)는 제2A 상부 공간(3243)으로 가스(G21)를 분사하는 제2A 가스 분사노즐(3245)과, 제2A 가스 분사노즐(3245)의 끝에 위치하는 제2A 충돌판(3246)을 구비한다. 제2A 아토마이징부(3246)에 의해 형성된 마이크로 버블(B21)로 인해 제2A 상부 공간(3243)에서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B21)은 제2 처리수(L2) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제2A 상부 공간(3243)에서 가스(G21)에 포함된 처리대상 성분인 이산화탄소와 제2 처리수(L2)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 현저하게 높아져서, 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨의 생성 효율도 현저하게 향상된다.The 2A atomizing unit 3244 sprays the gas G21 existing in the 2A lower space 3241 into the 2A upper space 3243 where the second treated water L2 is stored. The gas G21 sprayed by the 2A atomizing unit 3244 forms micro-bubbles B21 in the second treated water L2. The 2A atomizing unit 3244 includes a 2A gas injection nozzle 3245 that injects gas G21 into the 2A upper space 3243, and a 2A collision plate located at the end of the 2A gas injection nozzle 3245. (3246) is provided. The contact area between the gas and the second treated water L2 in the 2A upper space 3243 increases due to the microbubbles B21 formed by the 2A atomizing unit 3246. In addition, the microbubbles (B21) rise more slowly than regular bubbles in the second treated water (L2), so they stay for a longer time. Accordingly, the reaction efficiency between carbon dioxide, which is a treatment target component contained in the gas G21, and sodium carbonate contained in the second treated water L2 in the 2A upper space 3243 is significantly increased, thereby removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate. Efficiency is also significantly improved.

제2A 가스 분사노즐(3245)은 제2A 바닥판(3242)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제2A 상부 공간(3243)에 위치한다. 제2A 가스 분사노즐(3245)에 의해 제2A 하부 공간(3241)의 가스(G21)가 제2A 상부 공간(3243)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제2A 가스 분사노즐(3245)에는 가스가 제2A 가스 분사노즐(3245)을 따라 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 분사구가 형성된 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제2A 가스 분사노즐(3245)의 끝단에는 제2A 충돌판(3246)이 인접하여 위치한다.The 2A gas injection nozzle 3245 is formed to protrude upward from the 2A bottom plate 3242 and is located in the 2A upper space 3243. The gas G21 in the 2A lower space 3241 is injected upward into the 2A upper space 3243 by the 2A gas injection nozzle 3245. As shown, a section is formed in the 2A gas injection nozzle 3245 where the internal passage narrows toward the end where the injection hole is formed so that the speed of the gas increases as the gas flows along the 2A gas injection nozzle 3245. A 2A collision plate 3246 is located adjacent to the end of the 2A gas injection nozzle 3245.

제2A 충돌판(3246)은 제2A 가스 분사노즐(3245)의 끝단 위에 인접하도록 제2A 상부 공간(3243)에 위치한다. 제2 처리수(L2)에 잠긴 제2A 충돌판(3246)에 제2A 가스 분사노즐(3245)로부터 분사되는 가스(G21)가 강하게 충돌하여 마이크로 버블(B21)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제2A 충돌판(3246)이 도시된 바와 같이 제2A 하부 충돌판(3247)과 제2A 상부 충돌판(3248)이 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제2A 상부 충돌판(3248)이 아래에 위치하는 제2A 하부 충돌판(3247)의 전체를 덮도록 더 크며, 제2A 상부 충돌판(3248) 사이에 적어도 하나의 제2A 통로(3249)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제2A 충돌판(3246)의 설치 높이가 가변되어서 제2A 가스 분사노즐(3245)과의 거리가 조절될 수 있다.The 2A collision plate 3246 is located in the 2A upper space 3243 adjacent to the end of the 2A gas injection nozzle 3245. The gas G21 sprayed from the 2A gas injection nozzle 3245 strongly collides with the 2A collision plate 3246 submerged in the second treated water L2 to form micro bubbles B21. In this embodiment, the 2A collision plate 3246 is described as having a two-stage structure in which the 2A lower collision plate 3247 and the 2A upper collision plate 3248 are arranged sequentially along the height direction, as shown. The present invention is not limited to this, and a single-stage structure or a three-stage or more structure also falls within the scope of the present invention. In the case of a multi-stage structure, the 2A upper collision plate 3248 located above is larger so as to cover the entire 2A lower collision plate 3247 located below, and there is at least one space between the 2A upper collision plates 3248. It is preferable that the second A passage 3249 is formed. Although not shown, in order to adjust the gas processing capacity, the installation height of the 2A collision plate 3246 can be changed to adjust the distance from the 2A gas injection nozzle 3245.

제2A 수위 조절부(3250)는 제2A 상부 공간(3243)의 측면에 위치하며, 제2A 상부 공간(3243)에서 오버플로우를 통해 제2 처리수(L2)의 수위를 조절한다. 제2A 수위 조절부(3250)는 제2A 상부 공간(3243)의 측벽에 형성된 제2A 수위조절 개구부(3251)을 통해 제2A 상부 공간(3243)과 연통되는 제2A 수위조절 수조(3252)를 구비한다. 제2A 수위조절 개구부(3251)는 제2A 상부 공간(3243)에서 제2 처리수(L2)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제2A 수위조절 수조(3252)에는 제2A 상부 공간(3243)에서 오버플로우된 제2 처리수(L2)가 저장된다. 제2A 수위조절 수조(3252)에 저장된 제2 처리수(L2)는 배출되어서 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로 공급된다. 제2A 수위조절 수조(3252)에서 배출되어서 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로 공급되는 용액은 생성된 중탄산나트륨과 미반응 탄산나트륨을 함유한다.The 2A water level control unit 3250 is located on the side of the 2A upper space 3243 and adjusts the water level of the second treated water (L2) through overflow in the 2A upper space 3243. The 2A water level control unit 3250 is provided with a 2A water level control water tank 3252 that communicates with the 2A upper space 3243 through the 2A water level control opening 3251 formed on the side wall of the 2A upper space 3243. do. The 2A water level control opening 3251 is located in the 2A upper space 3243 corresponding to the water level control height of the second treated water (L2). The second treated water (L2) overflowed from the 2A upper space 3243 is stored in the 2A water level control tank 3252. The second treated water (L2) stored in the 2A water level control tank 3252 is discharged and supplied to the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5). The solution discharged from the 2A water level control tank 3252 and supplied to the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5) contains produced sodium bicarbonate and unreacted sodium carbonate.

제2A 처리수 반응부 공급 수단(3257)은 제2A 상부 공간(3243)에 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)를 공급한다.The 2A treated water reaction unit supply means 3257 supplies the second treated water L2 supplied from the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5) to the 2A upper space 3243.

제2B 가스 처리 유닛(3260)은 제2A 가스 처리 유닛(3240)의 위에 위치하며, 제2B 바닥판(3262)과, 제2B 바닥판(3262)에 설치되는 제2B 아토마이징부(3264)와, 제2B 수위 조절부(3270)와, 제2B 처리수 반응부 공급 수단(3277)을 구비한다.The 2B gas processing unit 3260 is located above the 2A gas processing unit 3240, and includes a 2B bottom plate 3262, a 2B atomizing unit 3264 installed on the 2B bottom plate 3262, and , a 2B water level control unit 3270, and a 2B treated water reaction unit supply means 3277.

제2B 바닥판(3262)은 판상으로서 제2B 가스 처리 유닛(3260)의 내부 공간에서 대체로 수평으로 설치된다. 제2B 가스 처리 유닛(3260)의 내부 공간은 제2B 바닥판(3262)을 사이에 두고 제2B 하부 공간(3261)과 제2B 상부 공간(3263)으로 분리된다. 제2B 하부 공간(3261)은 제2A 가스 처리 유닛(3240)의 제2A 상부 공간(3243)과 연통되며, 제2B 상부 공간(3263)에는 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)가 저장된다. 제2B 바닥판(3262)에 제2B 아토마이징부(3264)가 설치된다.The 2B bottom plate 3262 is plate-shaped and installed substantially horizontally in the internal space of the 2B gas processing unit 3260. The internal space of the 2B gas processing unit 3260 is divided into a 2B lower space 3261 and a 2B upper space 3263 with the 2B bottom plate 3262 interposed therebetween. The 2B lower space 3261 is in communication with the 2A upper space 3243 of the 2A gas processing unit 3240, and the 2B upper space 3263 is supplied with water from the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5). The second treated water (L2) is stored. The 2B atomizing unit 3264 is installed on the 2B bottom plate 3262.

제2B 아토마이징부(3264)는 제2B 하부 공간(3261)에 존재하는 가스(G22)를 제2 처리수(L2)가 저장된 제2B 상부 공간(3263)으로 분사한다. 제2B 하부 공간(3261)에 존재하는 가스(G22)은 제2A 가스 처리 유닛(3240)에서 처리된 가스이다. 제2B 아토마이징부(3264)에 의해 분사된 가스(G22)는 제2 처리수(L2) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B22)을 형성한다. 제2B 아토마이징부(3264)는 제2B 상부 공간(3263)으로 가스(G22)를 분사하는 제2B 가스 분사노즐(3265)과, 제2B 가스 분사노즐(3264)의 끝에 위치하는 제2B 충돌판(3266)을 구비한다. 제2B 아토마이징부(3264)에 의해 형성된 마이크로 버블(B22)로 인해 제2B 상부 공간(3263)에서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B22)은 제2 가스 처리수(L2) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제2B 상부 공간(3263)에서 가스(G22)에 포함된 처리대상 성분인 이산화탄소와 제2 가스 처리수(L2)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 현저하게 높아져서, 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨의 생성 효율도 현저하게 향상된다.The 2B atomizing unit 3264 sprays the gas G22 existing in the 2B lower space 3261 into the 2B upper space 3263 where the second treated water L2 is stored. The gas G22 existing in the 2B lower space 3261 is a gas processed in the 2A gas processing unit 3240. The gas G22 sprayed by the second B atomizing unit 3264 forms micro-bubbles B22 in the second treated water L2. The 2B atomizing unit 3264 includes a 2B gas injection nozzle 3265 that injects gas G22 into the 2B upper space 3263, and a 2B collision plate located at the end of the 2B gas injection nozzle 3264. (3266) is provided. The contact area between the gas and the second treated water L2 in the 2B upper space 3263 increases due to the microbubbles B22 formed by the 2B atomizing unit 3264. In addition, the microbubbles (B22) rise more slowly than regular bubbles in the second gas treated water (L2), so they stay for a longer time. Accordingly, the reaction efficiency between carbon dioxide, which is a treatment target component contained in the gas G22, and sodium carbonate contained in the second gas treated water L2 in the second B upper space 3263 is significantly increased, thereby removing carbon dioxide and removing sodium bicarbonate. Generation efficiency is also significantly improved.

제2B 가스 분사노즐(3265)은 제2B 바닥판(3262)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제2B 상부 공간(3263)에 위치한다. 제2B 가스 분사노즐(3265)에 의해 제2B 하부 공간(3261)의 가스(G22)가 제2B 상부 공간(3263)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제2B 가스 분사노즐(3265)에는 가스가 제2B 가스 분사노즐(3265)을 따라 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 분사구가 형성된 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제2B 가스 분사노즐(3265)의 끝단에는 제2B 충돌판(3266)이 인접하여 위치한다.The 2B gas injection nozzle 3265 is formed to protrude upward from the 2B bottom plate 3262 and is located in the 2B upper space 3263. The gas G22 in the 2B lower space 3261 is injected upward into the 2B upper space 3263 by the 2B gas injection nozzle 3265. As shown, a section is formed in the 2B gas injection nozzle 3265 where the internal passage becomes narrower toward the end where the injection hole is formed so that the speed of the gas increases as the gas flows along the 2B gas injection nozzle 3265. A 2B collision plate 3266 is located adjacent to the end of the 2B gas injection nozzle 3265.

제2B 충돌판(3266)은 제2B 가스 분사노즐(3265)의 끝단 위에 인접하도록 제2B 상부 공간(3263)에 위치한다. 제2B 상부 공간(3263)에서 제2 처리수(L2)에 잠긴 제2B 충돌판(3266)에 제2B 가스 분사노즐(3265)로부터 분사되는 가스(G22)가 강하게 충돌하여 마이크로 버블(B22)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제2B 충돌판(3266)이 도시된 바와 같이 제2B 하부 충돌판(3267)과 제2B 상부 충돌판(3268)이높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제2B 상부 충돌판(3268)이 아래에 위치하는 제2B 하부 충돌판(3267)의 전체를 덮도록 더 크며, 제2B 상부 충돌판(3268) 사이에 적어도 하나의 제2B 통로(3269)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제2B 충돌판(3266)의 설치 높이가 가변되어서 제2B 가스 분사노즐(3265)과의 거리가 조절될 수 있다.The 2B collision plate 3266 is located in the 2B upper space 3263 adjacent to the end of the 2B gas injection nozzle 3265. The gas G22 injected from the 2B gas injection nozzle 3265 strongly collides with the 2B collision plate 3266 submerged in the second treated water L2 in the 2B upper space 3263 to generate micro bubbles B22. is formed. In this embodiment, the 2B collision plate 3266 is described as having a two-stage structure in which the 2B lower collision plate 3267 and the 2B upper collision plate 3268 are arranged sequentially along the height direction, as shown. The present invention is not limited to this, and a single-stage structure or a three-stage or more structure also falls within the scope of the present invention. In the case of a multi-stage structure, the 2B upper collision plate 3268 located above is larger so as to cover the entire 2B lower collision plate 3267 located below, and there is at least one space between the 2B upper collision plates 3268. It is preferable that the second B passage 3269 is formed. Although not shown, in order to adjust the gas processing capacity, the installation height of the 2B collision plate 3266 can be changed to adjust the distance from the 2B gas injection nozzle 3265.

제2B 수위 조절부(3270)는 제2B 상부 공간(3263)의 측면에 위치하며, 제2B 상부 공간(3263)에서 오버플로우를 통해 제2 처리수(L2)의 수위를 조절한다. 제2B 수위 조절부(3270)는 제2B 상부 공간(3263)의 측벽에 형성된 제2B 수위조절 개구부(3271)을 통해 제2B 상부 공간(3263)과 연통되는 제2B 수위조절 수조(3272)를 구비한다. 제2B 수위조절 개구부(3271)는 제2B 상부 공간(3263)에서 제2 처리수(L2)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제2B 수위조절 수조(3272)에는 제2B 상부 공간(3263)에서 오버플로우된 제2 처리수(L2)가 저장된다. 제2B 수위조절 수조(3272)에 저장된 제2 처리수(L2)는 배출되어서 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로 공급된다. 제2B 수위조절 수조(3272)에서 배출되어서 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로 공급되는 용액은 생성된 중탄산나트륨과 미반응 탄산나트륨을 함유한다.The 2B water level control unit 3270 is located on the side of the 2B upper space 3263 and adjusts the water level of the second treated water (L2) through overflow in the 2B upper space 3263. The 2B water level control unit 3270 is provided with a 2B water level control water tank 3272 that communicates with the 2B upper space 3263 through the 2B water level control opening 3271 formed on the side wall of the 2B upper space 3263. do. The 2B water level control opening 3271 is located in the 2B upper space 3263 corresponding to the water level control height of the second treated water (L2). The second treated water (L2) overflowed from the 2B upper space 3263 is stored in the 2B water level control tank 3272. The second treated water (L2) stored in the 2B water level control tank 3272 is discharged and supplied to the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5). The solution discharged from the 2B water level control tank 3272 and supplied to the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5) contains produced sodium bicarbonate and unreacted sodium carbonate.

제2B 처리수 반응부 공급 수단(3277)은 제2B 상부 공간(3263)에 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)를 공급한다.The 2B treated water reaction unit supply means 3277 supplies the second treated water L2 supplied from the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5) to the 2B upper space 3263.

상기 실시예에서는 제2 마이크로버블 처리부(3230)가 높이방향을 따라서 아래로부터 위로 연속으로 배치되는 제2A 가스 처리 유닛(3240)과 제2B 가스 처리 유닛(3260)를 구비하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 제2A 가스 처리 유닛(3240)만을 구비하거나, 3개 이상의 가스 처리 유닛이 높이방향을 따라서 연속으로 배치될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.In the above embodiment, the second microbubble processing unit 3230 is described as having a 2A gas processing unit 3240 and a 2B gas processing unit 3260 arranged sequentially from bottom to top along the height direction, but this is different. Only the 2A gas processing unit 3240 may be provided, or three or more gas processing units may be arranged in succession along the height direction, and this also falls within the scope of the present invention.

제2 도입공간 배수구(3215)와 제2 처리공간 배수구(3233)를 통해 각각 배출되는 제2 처리수(L2)는 생성된 중탄산나트륨과 미반응 탄산나트륨을 함유하며, 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로 공급된다.The second treated water (L2) discharged through the second introduction space drain 3215 and the second treatment space drain 3233 contains generated sodium bicarbonate and unreacted sodium carbonate, and is connected to the second treated water supply unit (FIG. 5 of 2700).

제2 연결 통로(3290)는 제2 도입부(3210)의 제2 도입 공간(3211)과 제2 마이크로버블 처리부(3230)의 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)을 연통시킨다. 제2 연결 통로(3290)는 제2 흡기구(3213)와 제2 배기구(3232)보다 아래에 위치하고, 제2 도입공간 배수구(3215)와 제2 처리공간 배수구(3233)보다 위에 위치한다.The second connection passage 3290 communicates the second introduction space 3211 of the second introduction part 3210 and the second microbubble treatment space 3231 of the second microbubble treatment unit 3230. The second connection passage 3290 is located below the second intake port 3213 and the second exhaust port 3232, and is located above the second introduction space drain 3215 and the second treatment space drain 3233.

도 5를 참조하면, 제1 기액 분리기(1500a)는 상기 제1 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(3100)로부터 배출되는 제1 처리 가스(G1)에서 액체 성분을 분리한다. 본 실시예에서 제1 기액 분리기(1500a)는 제1 가스 유동 팬(1050a)보다 상류에 위치하는 것으로 설명한다.Referring to FIG. 5, the first gas-liquid separator 1500a is installed on the first gas flow line to separate the liquid component from the first processing gas G1 discharged from the first gas processing device 3100. In this embodiment, the first gas-liquid separator 1500a is described as being located upstream of the first gas flow fan 1050a.

제2 기액 분리기(1500b)는 상기 제2 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출되는 제2 처리 가스(G2)에서 액체 성분을 분리한다. 제2 기액 분리기(1500b)에서 분리된 액체 성분은 제2 처리수 공급부(1700)로 공급된다. 본 실시예에서 제2 기액 분리기(1500b)는 제2 가스 유동 팬(1050b)보다 상류에 위치하는 것으로 설명한다.The second gas-liquid separator 1500b is installed on the second gas flow line to separate the liquid component from the second processing gas G2 discharged from the second gas processing device 3200. The liquid component separated in the second gas-liquid separator (1500b) is supplied to the second treated water supply unit (1700). In this embodiment, the second gas-liquid separator 1500b is described as being located upstream of the second gas flow fan 1050b.

제1 처리수 공급부(2600)는 제1 약품인 수산화나트륨(NaOH)을 수용액으로서 포함하는 제1 처리수(L1)를 제1 가스 처리 장치(3100)로 순환 공급한다. 제1 처리수 공급부(2600)는 제1 처리수(L1)가 저장되는 제1 처리수 저장조(2610)와, 제1 약품인 수산화나트륨을 수용액으로 저장하는 약품 저장조(2650)와, 제1 가스 처리 장치(3100)로 공급되는 제1 처리수(L1)를 설정된 기준 온도로 조절하는 제1 처리수 열교환기(2680)를 구비한다.The first treated water supply unit 2600 circulates and supplies first treated water L1 containing sodium hydroxide (NaOH), the first chemical, as an aqueous solution to the first gas treatment device 3100. The first treated water supply unit 2600 includes a first treated water storage tank 2610 in which first treated water (L1) is stored, a chemical storage tank 2650 in which sodium hydroxide, the first chemical, is stored in an aqueous solution, and a first gas. It is provided with a first treated water heat exchanger 2680 that adjusts the first treated water L1 supplied to the treatment device 3100 to a set reference temperature.

제1 처리수 저장조(2610)는 제1 가스 처리 장치(3100)로부터 배출되는 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1 처리수 저장조(2610)에서 제1 처리수(L1)는 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 제1 처리수(L1)는 제1 처리수 공급 라인(2620)을 통해 제1 가스 처리 장치(3100)로 공급된다. 제1 처리수 저장조(2610)에는 공업용수가 공급될 수 있다. 제1 처리수 저장조(2610)에 저장되는 제1 처리수(L1)가 제1 가스 처리 장치(3100)로 순환 공급됨에 따라 제1 처리수(L1)에서 생성되는 탄산나트륨의 함량은 높아져서, 제1 처리수(L1)는 최종적으로 탄산나트륨 수용액이 되며, 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 탄산나트륨 수용액의 제1 처리수(L1)는 제2 처리수 공급부(2700)로 공급된다. 또한, 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 제1 처리수(L1)에는 제2 가스 처리 장치(3100)로부터 배출되는 마이크로버블이 포함되어서, 제1 처리수 저장조(2610)에서도 이산화탄소와 수산화나트륨이 반응하여 탄산나트륨이 생성될 수 있다. 제1 처리수 저장조(2610)는 제1 가스 처리 장치(3100)에 결합되어서 일체로 형성될 수도 있다.The first treated water storage tank 2610 stores the first treated water L1 discharged from the first gas treatment device 3100. In the first treated water storage tank 2610, the first treated water (L1) is controlled to maintain the set standard hydrogen ion concentration range and the set standard temperature range. The first treated water L1 stored in the first treated water storage tank 2610 is supplied to the first gas treatment device 3100 through the first treated water supply line 2620. Industrial water may be supplied to the first treated water storage tank 2610. As the first treated water (L1) stored in the first treated water storage tank (2610) is circulated and supplied to the first gas treatment device (3100), the content of sodium carbonate generated in the first treated water (L1) increases, The treated water (L1) ultimately becomes an aqueous sodium carbonate solution, and the first treated water (L1) of the aqueous sodium carbonate solution stored in the first treated water storage tank (2610) is supplied to the second treated water supply unit (2700). In addition, the first treated water (L1) stored in the first treated water storage tank 2610 includes microbubbles discharged from the second gas treatment device 3100, so that the first treated water storage tank 2610 also contains carbon dioxide and sodium hydroxide. This reaction can produce sodium carbonate. The first treated water storage tank 2610 may be integrally formed by being coupled to the first gas processing device 3100.

약품 저장조(2650)는 제1 약품인 수산화나트륨을 수용액으로 저장한다. 약품 저장조(2650)에 저장된 수산화나트륨 수용액은 제1 처리수 공급 라인(2620) 상에 설치되는 약품 혼합기(2622)로 공급되어서, 제1 처리수(L1)에 제1 약품인 수산화나트륨이 추가된다. 약품 혼합기(2622)에서 제1 처리수 공급 라인(2620)을 따라 유동하는 제1 처리수(L1)에 제1 약품인 수산화나트륨 수용액이 균일하게 혼합되어서, 반응성이 향상된다. 본 실시예에서는 약품 혼합기(1622)로 라인 믹서(Line Mixer)가 사용되는 것으로 설명한다.The drug storage tank 2650 stores the first drug, sodium hydroxide, as an aqueous solution. The sodium hydroxide aqueous solution stored in the chemical storage tank 2650 is supplied to the chemical mixer 2622 installed on the first treated water supply line 2620, and sodium hydroxide, the first chemical, is added to the first treated water (L1). . The aqueous solution of sodium hydroxide, which is the first chemical, is uniformly mixed with the first treated water (L1) flowing along the first treated water supply line 2620 in the chemical mixer 2622, thereby improving reactivity. In this embodiment, it is explained that a line mixer is used as the chemical mixer 1622.

제1 처리수 열교환기(2680)는 제1 처리수 공급 라인(2620) 상에서 제1 가스 처리 장치(3100)로 공급되는 제1 처리수(L1)의 온도를 저하시켜서 설정된 기준 온도로 유지시킴으로써 제1 가스 처리 장치(3100)에서의 탄산나트륨 생성 반응 효율을 향상시킨다. 제1 처리수 열교환기(2680)는 제1 처리수 저장조(2610)에서 배출되는 제1 처리수(L1)를 냉수와 열교환시킨다. 제1 처리수 열교환기(2680)는 제1 처리수 공급 라인(2620)에서 약품 혼합기(2622)보다 상류에 위치한다.The first treated water heat exchanger 2680 lowers the temperature of the first treated water (L1) supplied to the first gas treatment device 3100 on the first treated water supply line 2620 and maintains it at a set reference temperature. 1 Improves sodium carbonate production reaction efficiency in the gas processing device 3100. The first treated water heat exchanger 2680 exchanges heat with the first treated water L1 discharged from the first treated water storage tank 2610 with cold water. The first treated water heat exchanger 2680 is located upstream of the chemical mixer 2622 in the first treated water supply line 2620.

제2 처리수 공급부(2700)는 제2 약품인 탄산나트륨(Na2CO3)을 수용액으로서 포함하는 제2 처리수(L2)를 제2 가스 처리 장치(3200)로 공급한다. 제2 처리수 공급부(2700)는 제2 처리수(L2)가 저장되는 제2 처리수 저장조(2710)와, 제2 처리수(L2)를 설정된 기준 온도로 조절하는 제2 처리수 열교환기(2780)를 구비한다.The second treated water supply unit 2700 supplies second treated water L2 containing the second chemical, sodium carbonate (Na 2 CO 3 ) as an aqueous solution, to the second gas treatment device 3200. The second treated water supply unit 2700 includes a second treated water storage tank 2710 in which the second treated water (L2) is stored, and a second treated water heat exchanger ( 2780).

제2 처리수 저장조(2710)는 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출되는 제2 처리수(L2)와 제1 처리수 저장조(2610)로부터 배출되는 탄산나트륨 수용액이 저장된다. 본 실시예에서 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 제1 처리수(L1)의 제2 처리수 저장조(2710)로의 공급은 자중에 의한 자연 배출을 이용하는 것으로 설명한다. 제2 처리수 저장조(2710)에서 제2 처리수(L2)는 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 제2 처리수 저장조(2710)에는 제2 기액 분리기(1500b)로부터 배출되는 탄산나트륨을 함유하는 액체 성분도 저장된다. 제2 처리수 저장조(2710)에 저장된 제2 처리수(L2)는 제2 처리수 공급 라인(2720)을 통해 제2 가스 처리 장치(3200)로 공급된다. 제2 처리수 저장조(2710)에는 공업용수가 공급될 수 있다. 제2 처리수 저장조(2710)에 저장되는 제2 처리수(L2)가 제2 가스 처리 장치(3200)로 순환 공급됨에 따라 제2 처리수(L2)에서 생성되는 중탄산나트륨의 함량은 높아진다. 또한, 제2 처리수 저장조(2710)에 저장된 제2 처리수(L2)에는 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출되는 마이크로버블이 포함되어서, 제2 처리수 저장조(2710)에서도 이산화탄소와 탄산나트륨이 반응하여 중탄산나트륨이 생성될 수 있다. 제2 처리수 저장조(2710)는 제2 가스 처리 장치(3200)에 결합되어서 일체로 형성될 수도 있다. 제2 처리수 저장조(2710)에 저장된 중탄산나트륨을 포함하는 제2 처리수(L2)는 고액 분리 필터(1800)로 공급된다.The second treated water storage tank 2710 stores the second treated water (L2) discharged from the second gas treatment device 3200 and the sodium carbonate aqueous solution discharged from the first treated water storage tank 2610. In this embodiment, the supply of the first treated water L1 stored in the first treated water storage tank 2610 to the second treated water storage tank 2710 is explained by using natural discharge due to its own weight. In the second treated water storage tank 2710, the second treated water (L2) is controlled to maintain the set standard hydrogen ion concentration range and the set standard temperature range. The second treated water storage tank 2710 also stores a liquid component containing sodium carbonate discharged from the second gas-liquid separator 1500b. The second treated water L2 stored in the second treated water storage tank 2710 is supplied to the second gas treatment device 3200 through the second treated water supply line 2720. Industrial water may be supplied to the second treated water storage tank 2710. As the second treated water (L2) stored in the second treated water storage tank (2710) is circulated and supplied to the second gas treatment device (3200), the content of sodium bicarbonate generated in the second treated water (L2) increases. In addition, the second treated water (L2) stored in the second treated water storage tank 2710 contains microbubbles discharged from the second gas treatment device 3200, so that carbon dioxide and sodium carbonate are also released in the second treated water storage tank 2710. The reaction may produce sodium bicarbonate. The second treated water storage tank 2710 may be integrally formed by being coupled to the second gas processing device 3200. The second treated water (L2) containing sodium bicarbonate stored in the second treated water storage tank (2710) is supplied to the solid-liquid separation filter (1800).

제2 처리수 열교환기(2780)는 제2 처리수 공급 라인(2720) 상에서 제2 가스 처리 장치(3200)로 공급되는 제2 처리수(L2)의 온도를 저하시켜서 설정된 기준 온도로 유지시킴으로써 제2 가스 처리 장치(3200)에서의 중탄산나트륨 생성 반응 효율을 향상시킨다. 제2 처리수 열교환기(2780)는 제2 처리수 저장조(2710)에서 배출되는 제2 처리수(L2)를 냉수와 열교환시킨다.The second treated water heat exchanger 2780 lowers the temperature of the second treated water (L2) supplied to the second gas treatment device 3200 on the second treated water supply line 2720 and maintains it at a set reference temperature. 2 Improves sodium bicarbonate production reaction efficiency in the gas processing device 3200. The second treated water heat exchanger 2780 heat-exchanges the second treated water (L2) discharged from the second treated water storage tank 2710 with cold water.

고액 분리 필터(1800)는 제2 처리수 저장조(2710)로부터 배출되는 제2 처리수(L2)에서 중탄산나트륨을 포함하는 고체 성분을 분리한다. 고액 분리 필터(1800)는 통상적인 구성의 고액 분리기일 수 있다. 고액 분리 필터(1800)에 의해 제2 처리수 저장조(2710)로부터 배출되는 제2 처리수(L2)에서 분리된 고체 성분은 중탄산나트륨 케이크(cake)를 형성한다. 고액 분리 필터(1800)에 의해 제조된 중탄산나트륨은 소각장 또는 배연가스 속에 포함된 산성가스를 제거하는 용도로 사용될 수 있다. 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 탄산나트륨을 포함하는 액체 성분의 용액은 약품 회수조(1900)로 공급되어서 저장된다.The solid-liquid separation filter 1800 separates solid components including sodium bicarbonate from the second treated water (L2) discharged from the second treated water reservoir 2710. The solid-liquid separation filter 1800 may be a solid-liquid separator of a typical configuration. The solid component separated from the second treated water (L2) discharged from the second treated water reservoir 2710 by the solid-liquid separation filter 1800 forms a sodium bicarbonate cake. Sodium bicarbonate produced by the solid-liquid separation filter 1800 can be used to remove acid gas contained in an incinerator or flue gas. The solution of the liquid component containing sodium carbonate discharged from the solid-liquid separation filter 1800 is supplied to the chemical recovery tank 1900 and stored.

약품 회수조(1900)는 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 액체 성분의 용액을 저장한다. 약품 회수조(1900)에 저장되는 용액은 제2 약품인 탄산나트륨 수용액을 함유한다. 약품 회수조(1900)에 저장된 탄산나트륨을 함유하는 용액은 약품 저장조(2650)와 제1 처리수 저장조(2610)로 공급된다. 제1 처리수 저장조(2610)로 공급된 탄산나트륨은 제2 처리수 저장조(2710)로 공급되어서 제2 처리대상 배기가스(G02)에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용된다.The chemical recovery tank 1900 stores the solution of the liquid component discharged from the solid-liquid separation filter 1800. The solution stored in the drug recovery tank 1900 contains an aqueous solution of sodium carbonate, which is the second drug. The solution containing sodium carbonate stored in the chemical recovery tank 1900 is supplied to the chemical storage tank 2650 and the first treated water storage tank 2610. Sodium carbonate supplied to the first treated water storage tank 2610 is supplied to the second treated water storage tank 2710 and used for reaction with carbon dioxide contained in the second exhaust gas to be treated (G02).

이제, 도 6 및 도 7을 참조하여, 제1 가스 처리 장치(3100)의 작동 과정을 설명하면 다음과 같다. 도 7에는 배기가스에 대한 처리가 진행되기 전의 상태로서 제1 가스 유동 팬(도 1의 1050a)이 작동하지 않는 경우의 제1 가스 처리 장치(3100)의 상태가 도시되어 있다. 도 7을 참조하면, 제1 가스 처리 장치(3100)의 제1 가스 처리 유닛(3140)에서 제1 처리수(L1)의 수위는 제1 가스 분사노즐(3145)의 분사구가 위치하는 끝단보다 아래에 위치하여, 제1 처리수(L1)는 제1 가스 분사노즐(3145)을 통해 아래로 새지 않는다.Now, with reference to FIGS. 6 and 7, the operating process of the first gas processing device 3100 will be described as follows. FIG. 7 shows the state of the first gas processing device 3100 before processing the exhaust gas when the first gas flow fan (1050a in FIG. 1) does not operate. Referring to FIG. 7, the water level of the first treated water (L1) in the first gas processing unit 3140 of the first gas processing device 3100 is below the end where the injection hole of the first gas injection nozzle 3145 is located. Located at , the first treated water (L1) does not leak downward through the first gas injection nozzle (3145).

도 7에 도시된 상태에서 제1 가스 유동 팬(도 5의 1050a)이 작동하면, 제1 가스 처리 장치(3100)에서 제1 가스 분사노즐(3145)을 통해 제1 하부 공간(3141)의 가스가 제1 상부 공간(3143)으로 분사된다. 이 상태에서 제1 처리수 공급부(도 5의 1600)가 작동하여, 제1 처리수(L1)가 제1 가스 처리 장치(3100)로 공급되면, 도 6에 도시된 바와 같이 제1 가스 처리 장치(3100)의 제1 상부 공간(1143)에서 제1 처리수(L1)의 수위가 마이크로버블(B1)이 형성될 수 있을 정도로 충분히 높아진다. 제1 가스 처리 장치(3100)의 제1 상부 공간(3143)에서 제1 처리수(L1)의 수위는 제1 수위 조절부(3150)에 의해 적절히 유지된다.When the first gas flow fan (1050a in FIG. 5) operates in the state shown in FIG. 7, the gas in the first lower space 3141 is discharged from the first gas processing device 3100 through the first gas injection nozzle 3145. is injected into the first upper space 3143. In this state, when the first treated water supply unit (1600 in FIG. 5) operates and supplies the first treated water (L1) to the first gas processing device 3100, as shown in FIG. 6, the first gas processing device 3100 The water level of the first treated water (L1) in the first upper space (1143) of 3100 is sufficiently high to allow microbubbles (B1) to be formed. The level of the first treated water L1 in the first upper space 3143 of the first gas processing device 3100 is appropriately maintained by the first water level adjuster 3150.

이제, 도 8 및 도 9를 참조하여, 제2 가스 처리 장치(3200)의 작동 과정을 설명하면 다음과 같다. 도 9에는 배기가스에 대한 처리가 진행되기 전의 상태로서 제2 가스 유동 팬(도 5의 1050b)이 작동하지 않는 경우의 제2 가스 처리 장치(3200)의 상태가 도시되어 있다. 도 9를 참조하면, 제2 가스 처리 장치(3200)의 제2A 가스 처리 유닛(3240)에서 제2 처리수(L2)의 수위는 제2A 가스 분사노즐(3245)의 분사구가 위치하는 끝단보다 아래에 위치하고, 제2 가스 처리 장치(3200)의 제2B 가스 처리 유닛(3260)에서 제2 처리수(L2)의 수위는 제2B 가스 분사노즐(3265)의 분사구가 위치하는 끝단보다 아래에 위치하여, 제2 처리수(L2)는 제2A 가스 분사노즐(3245) 및 제2B 가스 분사노즐(3265)을 통해 아래로 새지 않는다.Now, with reference to FIGS. 8 and 9, the operating process of the second gas processing device 3200 will be described as follows. FIG. 9 shows the state of the second gas processing device 3200 before processing the exhaust gas when the second gas flow fan (1050b in FIG. 5) does not operate. Referring to FIG. 9, the water level of the second treated water (L2) in the 2A gas processing unit 3240 of the second gas processing device 3200 is below the end where the injection hole of the 2A gas injection nozzle 3245 is located. is located, and the water level of the second treated water (L2) in the 2B gas processing unit 3260 of the second gas processing device 3200 is located below the end where the injection hole of the 2B gas injection nozzle 3265 is located. , the second treated water (L2) does not leak downward through the 2A gas injection nozzle 3245 and the 2B gas injection nozzle 3265.

도 9에 도시된 상태에서 제2 가스 유동 팬(도 5의 1050b)이 작동하면, 제2 가스 처리 장치(3200)에서 제2B 가스 분사노즐(3265)을 통해 제2B 하부 공간(3261)의 가스가 제2B 상부 공간(3263)으로 분사되고, 제2A 가스 분사노즐(3245)을 통해 제2A 하부 공간(3241)의 가스가 제2A 상부 공간(3243)으로 분사된다. 이 상태에서 제2 처리수 공급부(도 5의 1700)가 작동하여, 제2 처리수(L2)가 제2 가스 처리 장치(3200)로 공급되면, 도 8에 도시된 바와 같이 제2 가스 처리 장치(3200)의 제2A 상부 공간(3243)과 제2B 상부 공간(3263) 각각에서 제2 처리수(L2)의 수위가 마이크로버블(B21, B22)이 형성될 수 있을 정도로 충분히 높아진다. 제2 가스 처리 장치(3200)의 제2A 상부 공간(3243) 및 제2B 상부 공간(3263) 각각에서 제2 처리수(L2)의 수위는 제2A 수위 조절부(3250) 및 제2B 수위 조절부(3270)에 의해 적절히 유지된다.When the second gas flow fan (1050b in FIG. 5) operates in the state shown in FIG. 9, the gas in the 2B lower space 3261 is discharged from the second gas processing device 3200 through the 2B gas injection nozzle 3265. is injected into the 2B upper space 3263, and the gas in the 2A lower space 3241 is injected into the 2A upper space 3243 through the 2A gas injection nozzle 3245. In this state, when the second treated water supply unit (1700 in FIG. 5) operates and supplies the second treated water (L2) to the second gas processing device 3200, the second gas processing device 3200 as shown in FIG. The water level of the second treated water (L2) in each of the 2A upper space 3243 and the 2B upper space 3263 of 3200 is sufficiently high to allow microbubbles B21 and B22 to be formed. The level of the second treated water (L2) in each of the 2A upper space 3243 and the 2B upper space 3263 of the second gas processing device 3200 is controlled by the 2A water level control unit 3250 and the 2B water level control unit. It is properly maintained by (3270).

이상 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 실시예는 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정되거나 변경될 수 있으며, 본 기술분야의 통상의 기술자는 이러한 수정과 변경도 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.Although the present invention has been described through the above examples, the present invention is not limited thereto. The above embodiments may be modified or changed without departing from the spirit and scope of the present invention, and those skilled in the art will recognize that such modifications and changes also fall within the present invention.

1000: 배기가스 처리 설비 1050: 가스 유동 팬
1100: 제1 가스 처리 장치 1110: 제1 도입부
1111: 제1 도입 공간 1113: 제1 흡기구
1130: 제1 마이크로버블 처리부 1131: 제1 마이크로버블 처리 공간
1140: 제1A 가스 처리 유닛 1144: 제1A 아토마이징부
1145: 제1A 가스 분사노즐 1146: 제1A 충돌판
1150: 제1A 수위 조절부 1160: 제1B 가스 처리 유닛
1164: 제1B 아토마이징부 1165: 제1B 가스 분사노즐
1166: 제1B 충돌판 1170: 제1B 수위 조절부
1132: 제1 배기구 1190: 제1 연결 통로
1200: 제2 가스 처리 장치 1210: 제2 도입부
1211: 제2 도입 공간 1213: 제2 흡기구
1230: 제2 마이크로버블 처리부 1231: 제2 마이크로버블 처리 공간
1232: 제2 배기구 1240: 제2 가스 처리 유닛
1244: 제2 아토마이징부 1245: 제2 가스 분사노즐
1246: 제2 충돌판 1250: 제2 수위 조절부
1290: 제2 연결 통로 1500: 기액 분리기
1600: 제1 처리수 공급부 1650: 제1 약품 저장조
1680: 제1 처리수 열교환기 1700: 제2 처리수 공급부
1750: 제2 약품 저장조 1780: 제2 처리수 열교환기
1800: 고액 분리 필터 1900: 약품 회수조
2000: 배기가스 처리 설비 2100: 제1 가스 처리 장치
2200: 제2 가스 처리 장치 2600: 제1 처리수 공급부
2650: 제1 약품 저장조 2680: 제1 처리수 열교환기
2700: 제2 처리수 공급부 2710: 제2 처리수 저장조
2750: 제2 약품 저장조 2780: 제2 처리수 열교환기
2900: 약품 회수조 3000: 배기가스 처리 설비
3100: 제1 가스 처리 장치 3200: 제2 가스 처리 장치
1000: exhaust gas treatment equipment 1050: gas flow fan
1100: first gas processing device 1110: first introduction unit
1111: first introduction space 1113: first intake port
1130: first microbubble processing unit 1131: first microbubble processing space
1140: 1A gas processing unit 1144: 1A atomizing unit
1145: 1A gas injection nozzle 1146: 1A collision plate
1150: 1A water level control unit 1160: 1B gas processing unit
1164: 1B atomizing unit 1165: 1B gas injection nozzle
1166: 1B collision plate 1170: 1B water level control unit
1132: first exhaust port 1190: first connection passage
1200: second gas processing device 1210: second introduction unit
1211: second introduction space 1213: second intake port
1230: Second microbubble processing unit 1231: Second microbubble processing space
1232: second exhaust port 1240: second gas processing unit
1244: Second atomizing unit 1245: Second gas injection nozzle
1246: second collision plate 1250: second water level control unit
1290: second connection passage 1500: gas-liquid separator
1600: First treated water supply unit 1650: First chemical storage tank
1680: First treated water heat exchanger 1700: Second treated water supply unit
1750: Second chemical storage tank 1780: Second treated water heat exchanger
1800: Solid-liquid separation filter 1900: Chemical recovery tank
2000: Exhaust gas treatment facility 2100: First gas treatment device
2200: second gas treatment device 2600: first treated water supply unit
2650: first chemical storage tank 2680: first treated water heat exchanger
2700: Second treated water supply unit 2710: Second treated water storage tank
2750: Second chemical storage tank 2780: Second treated water heat exchanger
2900: Chemical recovery tank 3000: Exhaust gas treatment facility
3100: first gas processing device 3200: second gas processing device

Claims (27)

처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 미반응 이산화탄소를 포함하는 1차 처리 가스를 배출하는 제1 가스 처리 장치;
상기 1차 처리 가스에 포함된 상기 미반응 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 수산화나트륨을 반응시켜서 상기 미반응 이산화탄소를 제거하면서 탄산나트륨을 생성하고 2차 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치;
상기 처리대상 배기가스가 상기 제1 가스 처리 장치로 유입된 후 상기 1차 처리 가스로서 상기 제1 가스 처리 장치로부터 배출되고, 상기 1차 처리 가스가 상기 제2 가스 처리 장치로 유입된 후 상기 2차 처리 가스로서 상기 제2 가스 처리 장치로부터 배출되도록 가스 유동 압력을 형성하는 가스 유동 팬;
상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및
상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며,
상기 제2 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제1 처리수로 공급되어서 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되며,
상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며,
상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 1차 처리 가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 미반응 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하며,
상기 제1 처리수 순환 공급부는 상기 제1 가스 처리 장치로부터 배출되는 상기 제1 처리수의 온도를 낮추는 제1 처리수 열교환기를 구비하며,
상기 제2 처리수 순환 공급부는 상기 제2 가스 처리 장치로부터 배출되는 상기 제2 처리수의 온도를 낮추는 제2 처리수 열교환기를 구비하는,
배기가스 처리 설비.
a first gas treatment device that reacts carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated with sodium carbonate contained in the first treated water to remove carbon dioxide, generate sodium bicarbonate, and discharge a primary treatment gas containing unreacted carbon dioxide;
a second gas treatment device for reacting the unreacted carbon dioxide contained in the primary treatment gas with sodium hydroxide contained in the second treatment water to remove the unreacted carbon dioxide, generate sodium carbonate, and discharge secondary treatment gas;
After the exhaust gas to be treated flows into the first gas processing device and is discharged from the first gas processing device as the primary processing gas, and after the primary processing gas flows into the second gas processing device, the 2 a gas flow fan that creates a gas flow pressure such that it is discharged from the second gas processing device as a secondary processing gas;
a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and
It includes a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device,
The sodium carbonate generated in the second gas treatment device is supplied to the first treated water and used for reaction with carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated,
The first gas processing device forms microbubbles in the exhaust gas to be treated within the first treated water, and determines the contact time and contact between carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated and sodium carbonate contained in the first treated water. having a first gas processing unit that increases the area,
The second gas treatment device forms the primary treatment gas into microbubbles in the second treatment water to increase the contact time and contact area between the unreacted carbon dioxide and the sodium hydroxide contained in the second treatment water. and a second gas processing unit,
The first treated water circulation supply unit includes a first treated water heat exchanger that lowers the temperature of the first treated water discharged from the first gas treatment device,
The second treated water circulation supply unit includes a second treated water heat exchanger that lowers the temperature of the second treated water discharged from the second gas treatment device,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 처리수에서 고체 성분을 분리하여 중탄산나트륨 케이크를 얻는 고액 분리 필터를 더 포함하는,
배기가스 처리 설비.
In claim 1,
Further comprising a solid-liquid separation filter to separate solid components from the first treated water to obtain a sodium bicarbonate cake,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 2에 있어서,
상기 고액 분리 필터로부터 배출되는 액체 성분은 상기 제1 처리수로 공급되어서, 상기 액체 성분에 포함된 탄산나트륨이 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되는,
배기가스 처리 설비.
In claim 2,
The liquid component discharged from the solid-liquid separation filter is supplied to the first treated water, so that sodium carbonate contained in the liquid component is used for reaction with carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 처리수 공급부는, 탄산나트륨 수용액이 저장되는 제1 약품 저장조와, 상기 제1 가스 처리 장치로 유입되는 상기 제1 처리수가 유동하는 제1 처리수 공급 라인에 설치되는 제1 약품 혼합기를 구비하며,
상기 제1 약품 저장조에 저장된 탄산나트륨 수용액이 상기 제1 약품 혼합기로 공급되어서 상기 제1 처리수와 혼합되는,
배기가스 처리 설비.
In claim 1,
The first treated water supply unit includes a first chemical storage tank in which an aqueous sodium carbonate solution is stored, and a first chemical mixer installed in a first treated water supply line through which the first treated water flowing into the first gas treatment device flows. And
The sodium carbonate aqueous solution stored in the first chemical storage tank is supplied to the first chemical mixer and mixed with the first treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 처리수 공급부는, 수산화나트륨 수용액이 저장되는 제2 약품 저장조와, 상기 제2 가스 처리 장치로 유입되는 상기 제2 처리수가 유동하는 제2 처리수 공급 라인에 설치되는 제2 약품 혼합기를 구비하며,
상기 제2 약품 저장조에 저장된 수산화나트륨 수용액이 상기 제2 약품 혼합기로 공급되어서 상기 제2 처리수와 혼합되는,
배기가스 처리 설비.
In claim 1,
The second treated water supply unit includes a second chemical storage tank in which an aqueous sodium hydroxide solution is stored, and a second chemical mixer installed in a second treated water supply line through which the second treated water flowing into the second gas treatment device flows. Equipped with
The sodium hydroxide aqueous solution stored in the second chemical storage tank is supplied to the second chemical mixer and mixed with the second treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 탄산나트륨을 생성하고 미반응 이산화탄소를 포함하는 1차 처리 가스를 배출하는 제1 가스 처리 장치;
상기 1차 처리 가스에 포함된 상기 미반응 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 상기 미반응 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 2차 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치;
상기 처리대상 배기가스가 상기 제1 가스 처리 장치로 유입된 후 상기 1차 처리 가스로서 상기 제1 가스 처리 장치로부터 배출되고, 상기 1차 처리 가스가 상기 제2 가스 처리 장치로 유입된 후 상기 2차 처리 가스로서 상기 제2 가스 처리 장치로부터 배출되도록 가스 유동 압력을 형성하는 가스 유동 팬;
상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및
상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며,
상기 제1 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제2 처리수로 공급되어서 상기 미반응 이산화탄소와의 반응에 사용되며,
상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며,
상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 1차 처리 가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 미반응 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하며,
상기 제1 처리수 순환 공급부는 상기 제1 가스 처리 장치로부터 배출되는 상기 제1 처리수의 온도를 낮추는 제1 처리수 열교환기를 구비하며,
상기 제2 처리수 순환 공급부는 상기 제2 가스 처리 장치로부터 배출되는 상기 제2 처리수의 온도를 낮추는 제2 처리수 열교환기를 구비하는,
배기가스 처리 설비.
A first gas treatment device that reacts carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated with sodium hydroxide contained in the first treated water, removes carbon dioxide, generates sodium carbonate, and discharges a primary treatment gas containing unreacted carbon dioxide;
a second gas processing device that reacts the unreacted carbon dioxide contained in the primary treatment gas with sodium carbonate contained in the second treated water to remove the unreacted carbon dioxide, generate sodium bicarbonate, and discharge secondary treatment gas;
After the exhaust gas to be treated flows into the first gas processing device and is discharged from the first gas processing device as the primary processing gas, and after the primary processing gas flows into the second gas processing device, the 2 a gas flow fan that creates a gas flow pressure such that it is discharged from the second gas processing device as a secondary processing gas;
a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and
It includes a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device,
The sodium carbonate generated in the first gas treatment device is supplied to the second treated water and used for reaction with the unreacted carbon dioxide,
The first gas treatment device forms microbubbles in the exhaust gas to be treated within the first treated water to determine a contact time between carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated and sodium hydroxide contained in the first treated water, and a first gas handling unit that increases the contact area;
The second gas treatment device forms microbubbles in the primary treatment gas within the second treatment water to increase the contact time and contact area between the unreacted carbon dioxide and sodium carbonate contained in the second treatment water. It has 2 gas processing units,
The first treated water circulation supply unit includes a first treated water heat exchanger that lowers the temperature of the first treated water discharged from the first gas treatment device,
The second treated water circulation supply unit includes a second treated water heat exchanger that lowers the temperature of the second treated water discharged from the second gas treatment device,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 6에 있어서,
상기 제2 처리수에서 고체 성분을 분리하여 중탄산나트륨 케이크를 얻는 고액 분리 필터를 더 포함하는,
배기가스 처리 설비.
In claim 6,
Further comprising a solid-liquid separation filter to separate solid components from the second treated water to obtain a sodium bicarbonate cake,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 7에 있어서,
상기 고액 분리 필터로부터 배출되는 액체 성분은 상기 제2 처리수로 공급되어서, 상기 액체 성분에 포함된 탄산나트륨이 상기 미반응 이산화탄소와의 반응에 사용되는,
배기가스 처리 설비.
In claim 7,
The liquid component discharged from the solid-liquid separation filter is supplied to the second treated water, and sodium carbonate contained in the liquid component is used for reaction with the unreacted carbon dioxide.
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 6에 있어서,
상기 제1 처리수 공급부는, 수산화나트륨 수용액이 저장되는 제1 약품 저장조와, 상기 제1 가스 처리 장치로 유입되는 상기 제1 처리수가 유동하는 제1 처리수 공급 라인에 설치되는 제1 약품 혼합기를 구비하며,
상기 제1 약품 저장조에 저장된 수산화나트륨 수용액이 상기 제1 약품 혼합기로 공급되어서 상기 제1 처리수와 혼합되는,
배기가스 처리 설비.
In claim 6,
The first treated water supply unit includes a first chemical storage tank in which an aqueous sodium hydroxide solution is stored, and a first chemical mixer installed in the first treated water supply line through which the first treated water flowing into the first gas treatment device flows. Equipped with
The sodium hydroxide aqueous solution stored in the first chemical storage tank is supplied to the first chemical mixer and mixed with the first treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 6에 있어서,
상기 제2 처리수 공급부는, 탄산나트륨 수용액이 저장되는 제2 약품 저장조와, 상기 제2 가스 처리 장치로 유입되는 상기 제2 처리수가 유동하는 제2 처리수 공급 라인에 설치되는 제2 약품 혼합기를 구비하며,
상기 제2 약품 저장조에 저장된 탄산나트륨 수용액이 상기 제2 약품 혼합기로 공급되어서 상기 제2 처리수와 혼합되는,
배기가스 처리 설비.
In claim 6,
The second treated water supply unit includes a second chemical storage tank in which an aqueous sodium carbonate solution is stored, and a second chemical mixer installed in a second treated water supply line through which the second treated water flowing into the second gas treatment device flows. And
The sodium carbonate aqueous solution stored in the second chemical storage tank is supplied to the second chemical mixer and mixed with the second treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
삭제delete 청구항 1 또는 청구항 6에 있어서,
상기 제1 가스 처리 유닛은, 상기 제1 가스 처리 유닛의 내부 공간을 하부 공간과 상기 제1 처리수가 저수하는 상부 공간으로 분할하는 바닥판과, 상기 하부 공간으로 유입된 가스를 상기 상부 공간으로 위를 향해 분사하는 가스 분사노즐과, 상기 가스 분사노즐의 위에 배치되어서 상기 가스 분사노즐로부터 분사된 가스가 충돌하는 충돌판을 구비하며,
상기 제1 처리수의 수위가 상기 가스 분사노즐의 분사구보다 낮은 상태에서 상기 가스 유동 팬이 작동을 시작하면, 상기 하부 공간의 가스가 상기 상부 공간으로 분사되면서, 상기 상부 공간으로 상기 제1 처리수가 추가로 공급되어서 상기 상부 공간의 수위가 상승하며, 상기 상부 공간으로 분사된 상기 하부 공간의 가스에 의해 상기 상부 공간에 저수된 상기 제1 처리수가 중력에 의하여 상기 분사구를 통해 하부로 유출되는 것이 방지되며, 상기 충돌판이 상기 제1 처리수에 의하여 잠기면 상기 가스 분사노즐로부터 분사되는 가스는 상기 충돌판과 충돌하여 상기 제1 처리수 내에서 상기 마이크로버블을 형성하는,
배기가스 처리 설비.
In claim 1 or claim 6,
The first gas processing unit includes a bottom plate that divides the internal space of the first gas processing unit into a lower space and an upper space in which the first treated water is stored, and a bottom plate that divides the internal space of the first gas processing unit into an upper space where the first treated water is stored, and the gas flowing into the lower space is transferred to the upper space. It has a gas injection nozzle that injects toward, and a collision plate disposed above the gas injection nozzle so that the gas injected from the gas injection nozzle collides with it,
When the gas flow fan starts operating while the water level of the first treated water is lower than the injection hole of the gas injection nozzle, the gas in the lower space is injected into the upper space, and the first treated water is injected into the upper space. Additional supply increases the water level in the upper space, and the gas in the lower space injected into the upper space prevents the first treated water stored in the upper space from flowing downward through the injection hole due to gravity. When the impingement plate is submerged by the first treated water, the gas sprayed from the gas injection nozzle collides with the impingement plate to form the microbubbles in the first treated water.
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 1 또는 청구항 6에 있어서,
상기 제2 가스 처리 유닛은, 상기 제2 가스 처리 유닛의 내부 공간을 하부 공간과 상기 제2 처리수가 저수하는 상부 공간으로 분할하는 바닥판과, 상기 하부 공간으로 유입된 가스를 상기 상부 공간으로 위를 향해 분사하는 가스 분사노즐과, 상기 가스 분사노즐의 위에 배치되어서 상기 가스 분사노즐로부터 분사된 가스가 충돌하는 충돌판을 구비하며,
상기 제2 처리수의 수위가 상기 가스 분사노즐의 분사구보다 낮은 상태에서 상기 가스 유동 팬이 작동을 시작하면, 상기 하부 공간의 가스가 상기 상부 공간으로 분사되면서, 상기 상부 공간으로 상기 제2 처리수가 추가로 공급되어서 상기 상부 공간의 수위가 상승하며, 상기 상부 공간으로 분사된 상기 하부 공간의 가스에 의해 상기 상부 공간에 저수된 상기 제2 처리수가 중력에 의하여 상기 분사구를 통해 하부로 유출되는 것이 방지되며, 상기 충돌판이 상기 제2 처리수에 의하여 잠기면 상기 가스 분사노즐로부터 분사되는 가스는 상기 충돌판과 충돌하여 상기 제2 처리수 내에서 상기 마이크로버블을 형성하는,
배기가스 처리 설비.
In claim 1 or claim 6,
The second gas processing unit includes a bottom plate that divides the internal space of the second gas processing unit into a lower space and an upper space where the second treated water is stored, and a bottom plate that divides the internal space of the second gas processing unit into an upper space where the second treated water is stored, and flows the gas flowing into the lower space into the upper space. It has a gas injection nozzle that injects toward, and a collision plate disposed above the gas injection nozzle so that the gas injected from the gas injection nozzle collides with it,
When the gas flow fan starts operating while the level of the second treated water is lower than the injection hole of the gas injection nozzle, the gas in the lower space is injected into the upper space, and the second treated water is injected into the upper space. Additional supply increases the water level in the upper space, and the gas in the lower space injected into the upper space prevents the second treated water stored in the upper space from flowing downward through the injection hole due to gravity. When the impingement plate is submerged by the second treated water, the gas sprayed from the gas injection nozzle collides with the impingement plate to form the microbubbles in the second treated water.
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 1 또는 청구항 6에 있어서,
상기 2차 처리 가스에서 액체 성분을 분리하는 기액 분리기를 더 포함하며,
상기 기액 분리기에 의해 분리된 상기 액체 성분은 상기 제2 처리수로 공급되는,
배기가스 처리 설비.
In claim 1 or claim 6,
It further includes a gas-liquid separator that separates the liquid component from the secondary treatment gas,
The liquid component separated by the gas-liquid separator is supplied to the second treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
제1 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 탄산나트륨을 생성하여 제1 처리 가스를 배출하는 제1 가스 처리 장치;
제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 제2 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치;
상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및
상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며,
상기 제1 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제2 처리수로 공급되어서 상기 제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되며,
상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 제1 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 제1 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며,
상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 제2 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하며,
상기 제1 처리수 순환 공급부는 상기 제1 가스 처리 장치로부터 배출되는 상기 제1 처리수의 온도를 낮추는 제1 처리수 열교환기를 구비하며,
상기 제1 처리수 열교환기에 의해 상기 제1 처리수는 상기 제1 가스 처리 장치에서 45 내지 60℃의 온도를 유지하며,
상기 제2 처리수 순환 공급부는 상기 제2 가스 처리 장치로부터 배출되는 상기 제2 처리수의 온도를 낮추는 제2 처리수 열교환기를 구비하며,
상기 제2 처리수 열교환기에 의해 상기 제2 처리수는 상기 제2 가스 처리 장치에서 10 내지 25℃의 온도를 유지하는,
배기가스 처리 설비.
a first gas treatment device that reacts carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated with sodium hydroxide contained in the first treated water, removes carbon dioxide, generates sodium carbonate, and discharges the first treated gas;
a second gas treatment device that reacts carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated with sodium carbonate contained in the second treated water, removes carbon dioxide, generates sodium bicarbonate, and discharges a second treated gas;
a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and
It includes a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device,
The sodium carbonate generated in the first gas treatment device is supplied to the second treated water and used for reaction with carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated for the second time,
The first gas treatment device forms microbubbles in the first exhaust gas to be treated within the first treated water, thereby creating a gap between carbon dioxide contained in the first exhaust gas to be treated and sodium hydroxide contained in the first treated water. It has a first gas processing unit that increases the contact time and contact area,
The second gas treatment device forms microbubbles in the second exhaust gas to be treated within the second treated water to create a gap between carbon dioxide contained in the second treated exhaust gas and sodium carbonate contained in the second treated water. a second gas processing unit that increases contact time and contact area;
The first treated water circulation supply unit includes a first treated water heat exchanger that lowers the temperature of the first treated water discharged from the first gas treatment device,
The first treated water is maintained at a temperature of 45 to 60° C. in the first gas treatment device by the first treated water heat exchanger,
The second treated water circulation supply unit includes a second treated water heat exchanger that lowers the temperature of the second treated water discharged from the second gas treatment device,
The second treated water is maintained at a temperature of 10 to 25° C. in the second gas treatment device by the second treated water heat exchanger.
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 15에 있어서,
상기 제2 처리수에서 고체 성분을 분리하여 중탄산나트륨 케이크를 얻는 고액 분리 필터를 더 포함하는,
배기가스 처리 설비.
In claim 15,
Further comprising a solid-liquid separation filter to separate solid components from the second treated water to obtain a sodium bicarbonate cake,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 16에 있어서,
상기 고액 분리 필터로부터 배출되는 액체 성분은 상기 제2 처리수로 공급되어서, 상기 액체 성분에 포함된 탄산나트륨이 상기 제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되는,
배기가스 처리 설비.
In claim 16,
The liquid component discharged from the solid-liquid separation filter is supplied to the second treated water, so that sodium carbonate contained in the liquid component is used for reaction with carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated second,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 15에 있어서,
상기 제1 처리수 공급부는, 수산화나트륨 수용액이 저장되는 약품 저장조와, 상기 제1 가스 처리 장치로 유입되는 상기 제1 처리수가 유동하는 제1 처리수 공급 라인에 설치되는 약품 혼합기를 구비하며,
상기 약품 저장조에 저장된 수산화나트륨 수용액이 상기 약품 혼합기로 공급되어서 상기 제1 처리수와 혼합되는,
배기가스 처리 설비.
In claim 15,
The first treated water supply unit includes a chemical storage tank in which an aqueous sodium hydroxide solution is stored, and a chemical mixer installed in a first treated water supply line through which the first treated water flowing into the first gas treatment device flows,
The aqueous sodium hydroxide solution stored in the chemical storage tank is supplied to the chemical mixer and mixed with the first treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 15에 있어서,
상기 제1 처리대상 배기가스가 상기 제1 가스 처리 장치를 통과하도록 가스 유동 압력을 형성하는 제1 가스 유동 팬을 더 포함하는,
배기가스 처리 설비.
In claim 15,
Further comprising a first gas flow fan that creates a gas flow pressure such that the first exhaust gas to be treated passes through the first gas processing device,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 19에 있어서,
상기 제1 가스 처리 유닛은, 상기 제1 가스 처리 유닛의 내부 공간을 하부 공간과 상기 제1 처리수가 저수하는 상부 공간으로 분할하는 바닥판과, 상기 하부 공간으로 유입된 가스를 상기 상부 공간으로 위를 향해 분사하는 가스 분사노즐과, 상기 가스 분사노즐의 위에 배치되어서 상기 가스 분사노즐로부터 분사된 가스가 충돌하는 충돌판을 구비하며,
상기 제1 처리수의 수위가 상기 가스 분사노즐의 분사구보다 낮은 상태에서 상기 제1 가스 유동 팬이 작동을 시작하면, 상기 하부 공간의 가스가 상기 상부 공간으로 분사되면서, 상기 상부 공간으로 상기 제1 처리수가 추가로 공급되어서 상기 상부 공간의 수위가 상승하며, 상기 상부 공간으로 분사된 상기 하부 공간의 가스에 의해 상기 상부 공간에 저수된 상기 제1 처리수가 중력에 의하여 상기 분사구를 통해 하부로 유출되는 것이 방지되며, 상기 충돌판이 상기 제1 처리수에 의하여 잠기면 상기 가스 분사노즐로부터 분사되는 가스는 상기 충돌판과 충돌하여 상기 제1 처리수 내에서 상기 마이크로버블을 형성하는,
배기가스 처리 설비.
In claim 19,
The first gas processing unit includes a bottom plate that divides the internal space of the first gas processing unit into a lower space and an upper space in which the first treated water is stored, and a bottom plate that divides the internal space of the first gas processing unit into an upper space where the first treated water is stored, and the gas flowing into the lower space is transferred to the upper space. It has a gas injection nozzle that injects toward, and a collision plate disposed above the gas injection nozzle so that the gas injected from the gas injection nozzle collides with it,
When the first gas flow fan starts operating while the water level of the first treated water is lower than the injection hole of the gas injection nozzle, the gas in the lower space is injected into the upper space, and the first gas flow fan is injected into the upper space. The treated water is additionally supplied so that the water level in the upper space rises, and the first treated water stored in the upper space by the gas in the lower space injected into the upper space flows out to the lower part through the injection hole by gravity. This is prevented, and when the impingement plate is submerged by the first treated water, the gas injected from the gas injection nozzle collides with the impingement plate to form the microbubbles in the first treated water.
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 15에 있어서,
상기 제2 처리대상 배기가스가 상기 제2 가스 처리 장치를 통과하도록 가스 유동 압력을 형성하는 제2 가스 유동 팬을 더 포함하는,
배기가스 처리 설비.
In claim 15,
Further comprising a second gas flow fan that creates a gas flow pressure such that the second exhaust gas to be treated passes through the second gas processing device,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 21에 있어서,
상기 제2 가스 처리 유닛은, 상기 제2 가스 처리 유닛의 내부 공간을 하부 공간과 상기 제2 처리수가 저수하는 상부 공간으로 분할하는 바닥판과, 상기 하부 공간으로 유입된 가스를 상기 상부 공간으로 위를 향해 분사하는 가스 분사노즐과, 상기 가스 분사노즐의 위에 배치되어서 상기 가스 분사노즐로부터 분사된 가스가 충돌하는 충돌판을 구비하며,
상기 제2 처리수의 수위가 상기 가스 분사노즐의 분사구보다 낮은 상태에서 상기 제2 가스 유동 팬이 작동을 시작하면, 상기 하부 공간의 가스가 상기 상부 공간으로 분사되면서, 상기 상부 공간으로 상기 제2 처리수가 추가로 공급되어서 상기 상부 공간의 수위가 상승하며, 상기 상부 공간으로 분사된 상기 하부 공간의 가스에 의해 상기 상부 공간에 저수된 상기 제2 처리수가 중력에 의하여 상기 분사구를 통해 하부로 유출되는 것이 방지되며, 상기 충돌판이 상기 제2 처리수에 의하여 잠기면 상기 가스 분사노즐로부터 분사되는 가스는 상기 충돌판과 충돌하여 상기 제2 처리수 내에서 상기 마이크로버블을 형성하는,
배기가스 처리 설비.
In claim 21,
The second gas processing unit includes a bottom plate that divides the internal space of the second gas processing unit into a lower space and an upper space where the second treated water is stored, and a bottom plate that divides the internal space of the second gas processing unit into an upper space where the second treated water is stored, and flows the gas flowing into the lower space into the upper space. It has a gas injection nozzle that injects toward, and a collision plate disposed above the gas injection nozzle so that the gas injected from the gas injection nozzle collides with it,
When the second gas flow fan starts operating while the water level of the second treated water is lower than the injection hole of the gas injection nozzle, the gas in the lower space is injected into the upper space, and the second gas flow fan is injected into the upper space. The treated water is additionally supplied so that the water level in the upper space rises, and the second treated water stored in the upper space by the gas in the lower space injected into the upper space flows out to the lower part through the injection hole by gravity. This is prevented, and when the impingement plate is submerged by the second treated water, the gas injected from the gas injection nozzle collides with the impingement plate to form the microbubbles in the second treated water.
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 15에 있어서,
상기 제2 처리 가스에서 액체 성분을 분리하는 기액 분리기를 더 포함하며,
상기 기액 분리기에 의해 분리된 상기 액체 성분은 상기 제2 처리수로 공급되는,
배기가스 처리 설비.
In claim 15,
It further includes a gas-liquid separator that separates a liquid component from the second processing gas,
The liquid component separated by the gas-liquid separator is supplied to the second treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 1, 청구항 6 및 청구항 15 중 어느 하나의 청구항에 있어서,
상기 제1 처리수 순환 공급부는 상기 제1 처리수가 저장되는 제1 처리수 저장조를 더 구비하며,
상기 제1 처리수 저장조에서 상기 제1 처리수는 설정된 기준 수소이온농도의 범위를 유지하도록 조절되는,
배기가스 처리 설비.
According to any one of claims 1, 6, and 15,
The first treated water circulation supply unit further includes a first treated water storage tank in which the first treated water is stored,
In the first treated water storage tank, the first treated water is adjusted to maintain a set standard hydrogen ion concentration range,
Exhaust gas treatment equipment.
청구항 1, 청구항 6 및 청구항 15 중 어느 하나의 청구항에 있어서,
상기 제2 처리수 순환 공급부는 상기 제2 처리수가 저장되는 제2 처리수 저장조를 더 구비하며,
상기 제2 처리수 저장조에서 상기 제2 처리수는 설정된 기준 수소이온농도의 범위를 유지하도록 조절되는,
배기가스 처리 설비.
According to any one of claims 1, 6, and 15,
The second treated water circulation supply unit further includes a second treated water storage tank in which the second treated water is stored,
The second treated water in the second treated water storage tank is adjusted to maintain a set standard hydrogen ion concentration range,
Exhaust gas treatment equipment.
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