KR102663349B1 - Exhaust gas treatment equipment capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의하면, 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 미반응 이산화탄소를 포함하는 1차 처리 가스를 배출하는 제1 가스 처리 장치; 상기 미반응 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 수산화나트륨을 반응시켜서 상기 미반응 이산화탄소를 제거하면서 탄산나트륨을 생성하고 2차 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치; 상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및 상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며, 상기 제2 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제1 처리수로 공급되어서 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되며, 상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며, 상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 1차 처리 가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 미반응 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하는 배기가스 처리 설비가 제공된다.According to the present invention, a first gas that reacts carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated with sodium carbonate contained in the first treated water to remove carbon dioxide, generate sodium bicarbonate, and discharge a primary treatment gas containing unreacted carbon dioxide. processing unit; a second gas treatment device that reacts the unreacted carbon dioxide with sodium hydroxide contained in the second treated water to remove the unreacted carbon dioxide, generate sodium carbonate, and discharge a secondary treated gas; a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device, wherein the sodium carbonate generated in the second gas treatment device is supplied to the first treated water to treat the exhaust gas. It is used for reaction with carbon dioxide contained in the gas, and the first gas processing device forms microbubbles in the exhaust gas to be treated within the first treated water, thereby forming the carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated into microbubbles and the first gas treatment device. It is provided with a first gas processing unit that increases the contact time and contact area between sodium carbonate contained in the treated water, and the second gas processing device forms the primary treated gas into microbubbles in the second treated water. An exhaust gas treatment facility is provided including a second gas treatment unit that increases the contact time and contact area between the unreacted carbon dioxide and sodium hydroxide contained in the second treated water.
Description
본 발명은 배기가스 처리 기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 배기가스에 포함된 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 제조할 수 있는 배기가스 처리 설비에 관한 것이다.The present invention relates to exhaust gas treatment technology, and more specifically, to an exhaust gas treatment facility capable of producing sodium bicarbonate while removing carbon dioxide contained in exhaust gas.
지구 온난화의 문제가 크게 대두되면서 온실가스 중 하나인 이산화탄소(CO2)를 다량으로 배출하는 발전소 및 제철소 등을 중심으로 이산화탄소를 효과적으로 포집하여 제거하기 위한 연구들이 다양하게 이루어지고 있다.As the problem of global warming has become a major issue, various studies are being conducted to effectively capture and remove carbon dioxide, focusing on power plants and steel mills that emit large amounts of carbon dioxide (CO 2 ), one of the greenhouse gases.
중탄산나트륨(NaHCO3)은 비누, 세제, 피혁 및 식품 첨가제 등 산업분야에서 다양하게 활용 가능한 물질로서 부가가치가 높을 뿐만 아니라, 상업적인 잠재력이 큰 화합물로 평가받고 있다.Sodium bicarbonate (NaHCO 3 ) is a substance that can be used in a variety of industries such as soap, detergents, leather, and food additives, and is evaluated as a compound with not only high added value but also great commercial potential.
본 발명의 기술분야와 관련된 특허문헌인 공개특허 제10-2022-0116407호에는 내부에 확산판이 배치된 반응조에 이산화탄소가 포함된 배가스와 탄산나트륨 수용액을 유입시켜서 이산화탄소와 탄산나트륨(Na2CO3)의 반응물인 중탄산나트륨을 형성하는 기술이 기재되어 있다.In Patent Publication No. 10-2022-0116407, which is a patent document related to the technical field of the present invention, exhaust gas containing carbon dioxide and an aqueous sodium carbonate solution are introduced into a reaction tank with a diffusion plate disposed inside, thereby producing a reaction product of carbon dioxide and sodium carbonate (Na 2 CO 3 ). A technique for forming phosphorus sodium bicarbonate is described.
본 발명의 목적은 배기가스에 포함된 이산화탄소를 제거를 제거하면서 효율적으로 중탄산나트륨을 제조할 수 있는 배기가스 처리 설비를 제공하는 것이다.The purpose of the present invention is to provide an exhaust gas treatment facility capable of efficiently producing sodium bicarbonate while removing carbon dioxide contained in the exhaust gas.
상기한 본 발명이 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 미반응 이산화탄소를 포함하는 1차 처리 가스를 배출하는 제1 가스 처리 장치; 상기 미반응 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 수산화나트륨을 반응시켜서 상기 미반응 이산화탄소를 제거하면서 탄산나트륨을 생성하고 2차 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치; 상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및 상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며, 상기 제2 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제1 처리수로 공급되어서 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되며, 상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며, 상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 1차 처리 가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 미반응 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하는 배기가스 처리 설비가 제공된다.In order to achieve the problem that the present invention aims to solve above, according to one aspect of the present invention, carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated reacts with sodium carbonate contained in the first treated water to remove carbon dioxide and produce sodium bicarbonate. a first gas processing device that discharges a first processing gas containing unreacted carbon dioxide; a second gas treatment device that reacts the unreacted carbon dioxide with sodium hydroxide contained in the second treated water to remove the unreacted carbon dioxide, generate sodium carbonate, and discharge a secondary treated gas; a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device, wherein the sodium carbonate generated in the second gas treatment device is supplied to the first treated water to treat the exhaust gas. It is used for reaction with carbon dioxide contained in the gas, and the first gas processing device forms microbubbles in the exhaust gas to be treated within the first treated water, thereby forming the carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated into microbubbles and the first gas treatment device. It is provided with a first gas processing unit that increases the contact time and contact area between sodium carbonate contained in the treated water, and the second gas processing device forms the primary treated gas into microbubbles in the second treated water. An exhaust gas treatment facility is provided including a second gas treatment unit that increases the contact time and contact area between the unreacted carbon dioxide and sodium hydroxide contained in the second treated water.
상기한 본 발명이 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 탄산나트륨을 생성하고 미반응 이산화탄소를 포함하는 1차 처리 가스를 배출하는 제1 가스 처리 장치; 상기 미반응 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 상기 미반응 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 2차 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치; 상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및 상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며, 상기 제1 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제2 처리수로 공급되어서 상기 미반응 이산화탄소와의 반응에 사용되며, 상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며, 상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 1차 처리 가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 미반응 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하는 배기가스 처리 설비가 제공된다.In order to achieve the problem that the present invention aims to solve above, according to another aspect of the present invention, carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated reacts with sodium hydroxide contained in the first treated water to remove carbon dioxide and produce sodium carbonate. a first gas processing device that discharges a first processing gas containing unreacted carbon dioxide; a second gas processing device that reacts the unreacted carbon dioxide with sodium carbonate contained in the second treated water to remove the unreacted carbon dioxide, generate sodium bicarbonate, and discharge a secondary treated gas; a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device, wherein the sodium carbonate generated in the first gas treatment device is supplied to the second treated water to provide the unreacted carbon dioxide. It is used for a reaction with, and the first gas treatment device forms microbubbles in the exhaust gas to be treated within the first treated water, thereby forming the carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated and the first treated water. It is provided with a first gas processing unit that increases the contact time and contact area between sodium hydroxide, and the second gas processing device forms the primary treatment gas into microbubbles in the second treatment water to remove the unreacted carbon dioxide. An exhaust gas treatment facility is provided including a second gas treatment unit that increases the contact time and contact area between sodium carbonate contained in the second treated water.
상기한 본 발명이 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 제1 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 탄산나트륨을 생성하여 제1 처리 가스를 배출하는 제1 가스 처리 장치; 제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 제2 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치; 상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및 상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며, 상기 제1 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제2 처리수로 공급되어서 상기 제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되며, 상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 제1 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 제1 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며, 상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 제2 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하는 배기가스 처리 설비가 제공된다.In order to achieve the problem that the present invention aims to solve above, according to another aspect of the present invention, carbon dioxide contained in the first exhaust gas to be treated is reacted with sodium hydroxide contained in the first treated water to remove carbon dioxide. a first gas processing device that generates sodium carbonate and discharges a first processing gas; a second gas treatment device that reacts carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated with sodium carbonate contained in the second treated water, removes carbon dioxide, generates sodium bicarbonate, and discharges a second treated gas; a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device, wherein the sodium carbonate generated in the first gas treatment device is supplied to the second treated water to perform the second treatment. It is used for reaction with carbon dioxide contained in the target exhaust gas, and the first gas processing device forms the first exhaust gas to be treated into microbubbles in the first treatment water to be included in the first exhaust gas to be treated. A first gas processing unit is provided to increase the contact time and contact area between the carbon dioxide and the sodium hydroxide contained in the first treated water, and the second gas processing device is configured to perform the second treatment within the second treated water. Exhaust gas having a second gas processing unit that forms the target exhaust gas into microbubbles to increase the contact time and contact area between carbon dioxide contained in the second exhaust gas to be treated and sodium carbonate contained in the second treated water. Processing equipment is provided.
본 발명에 의하면 앞서서 기재한 본 발명의 목적을 모두 달성할 수 있다. 구체적으로, 배기가스에 포함된 이산화탄소와 수산화나트륨을 반응시켜서 탄산나트륨을 생성하고, 이산화탄소와 수산화나트륨의 반응을 통해 생성된 탄산나트륨을 배기가스에 포함된 이산화탄소와 반응시켜서 중탄산나트륨을 생성함으로써, 이산화탄소의 제거와 중탄산나트륨의 제조가 효과적으로 이루어질 수 있다.According to the present invention, all of the objectives of the present invention described above can be achieved. Specifically, sodium carbonate is produced by reacting carbon dioxide and sodium hydroxide contained in the exhaust gas, and sodium bicarbonate produced through the reaction of carbon dioxide and sodium hydroxide is reacted with carbon dioxide contained in the exhaust gas to produce sodium bicarbonate, thereby eliminating carbon dioxide. and sodium bicarbonate can be produced effectively.
또한, 가스 분사노즐을 통해 이산화탄소를 포함하는 배기가스가 수산화나트륨 또는 탄산나트륨을 포함하는 처리수 내에서 마이크로버블을 형성함으로써 반응성이 향상되어서, 이산화탄소의 제거, 이산화탄소와 수산화나트륨의 반응에 의한 탄산나트륨의 생성, 이산화탄소와 탄산나트륨의 반응에 의한 중탄산나트륨의 제조가 효율적으로 진행될 수 있다.In addition, the reactivity is improved by forming microbubbles in the treated water containing sodium hydroxide or sodium carbonate through the exhaust gas containing carbon dioxide through the gas injection nozzle, thereby eliminating carbon dioxide and producing sodium carbonate through the reaction of carbon dioxide and sodium hydroxide. , the production of sodium bicarbonate by the reaction of carbon dioxide and sodium carbonate can be carried out efficiently.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비에서 제1 가스 처리 장치와 제2 가스 처리 장치의 구성을 상세하게 도시한 것으로서, 배기가스에 대한 처리가 진행 중인 상태를 도시한 것이다.
도 3은 도 1에 도시된 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비에서 제1 가스 처리 장치와 제2 가스 처리 장치의 구성을 상세하게 도시한 것으로서, 배기가스에 대한 처리가 수행하기 전의 상태를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비에서 제1 가스 처리 장치의 구성을 상세하게 도시한 것으로서, 배기가스에 대한 처리가 진행 중인 상태를 도시한 것이다.
도 7은 도 5에 도시된 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비에서 제1 가스 처리 장치의 구성을 상세하게 도시한 것으로서, 배기가스에 대한 처리가 수행되기 전의 상태를 도시한 것이다.
도 8은 도 5에 도시된 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기 가스 처리 설비에서 제2 가스 처리 장치의 구성을 상세하게 도시한 것으로서, 배기 가스에 대한 처리가 진행 중인 상태를 도시한 것이다.
도 9는 도 5에 도시된 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기 가스 처리 설비에서 제2 가스 처리 장치의 구성을 상세하게 도시한 것으로서, 배기 가스에 대한 처리가 수행되기 전의 상태를 도시한 것이다.Figure 1 is a diagram schematically showing the configuration of an exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows in detail the configuration of a first gas processing device and a second gas processing device in the exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate shown in FIG. 1, in which exhaust gas treatment is in progress. It shows.
FIG. 3 shows in detail the configuration of a first gas processing device and a second gas processing device in the exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate shown in FIG. 1, before processing the exhaust gas. It shows the state.
Figure 4 is a diagram schematically showing the configuration of an exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate according to another embodiment of the present invention.
Figure 5 is a diagram schematically showing the configuration of an exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 shows in detail the configuration of the first gas processing device in the exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate shown in FIG. 5, and shows a state in which treatment of exhaust gas is in progress.
FIG. 7 shows in detail the configuration of the first gas processing device in the exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate shown in FIG. 5, and shows a state before treatment of the exhaust gas is performed.
FIG. 8 shows in detail the configuration of a second gas processing device in the exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate shown in FIG. 5, and shows a state in which treatment of exhaust gas is in progress.
FIG. 9 shows in detail the configuration of the second gas processing device in the exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate shown in FIG. 5, and shows a state before treatment of the exhaust gas is performed.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비의 개략적인 구성이 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨 제조가 가능한 배기가스 처리 설비(이하, '배기가스 처리 설비'라 약칭함)(1000)는 처리대상 배기가스(G0)에 포함된 이산화탄소(CO2)를 제거하면서 중탄산나트륨(NaHCO3)를 효율적으로 제조하는 설비로서, 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성하는 가스 유동 팬(1050)과, 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 처리대상 배기가스(G0)를 제1 처리수(L1)를 이용하여 처리하는 제1 가스 처리 장치(1100)와, 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)를 제2 처리수(L2)를 이용하여 처리하는 제2 가스 처리 장치(1200)와, 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(1200)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)에서 액체 성분을 분리하는 기액 분리기(1500)와, 제1 가스 처리 장치(1100)로 제1 처리수(L1)를 공급하는 제1 처리수 공급부(1600)와, 제2 가스 처리 장치(1200)로 제2 처리수(L2)를 공급하는 제2 처리수 공급부(1700)와, 제1 처리수(L1)에서 중탄산나트륨을 포함하는 고체 성분을 분리하는 고액 분리 필터(1800)와, 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 액체 성분이 저장되는 약품 회수조(1900)를 포함한다.Figure 1 shows a schematic configuration of an exhaust gas treatment facility capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate according to an embodiment of the present invention. Referring to Figure 1, an exhaust gas treatment facility (hereinafter abbreviated as 'exhaust gas treatment facility') capable of removing carbon dioxide and producing sodium bicarbonate according to an embodiment of the present invention (1000) is an exhaust gas to be treated (G0). It is a facility that efficiently produces sodium bicarbonate (NaHCO 3 ) while removing carbon dioxide (CO 2 ) contained in it, comprising a gas flow fan (1050) that creates a flow pressure in the gas on the gas flow line, and a gas flow fan (1050) on the gas flow line. A first
가스 유동 팬(1050)은 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성한다. 본 실시예에서는 가스 유동 팬(1050)이 가스 유동 라인 상에서 제2 가스 처리 장치(1200)의 하류에 위치하는 것으로 설명하지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 가스 유동 팬(1050)은 제1 가스 처리 장치(1100)의 상류에 위치하거나, 제1 가스 처리 장치(1100)의 하류 및 제2 가스 처리 장치(1200)의 상류에 위치할 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 가스 유동 팬(1050)의 작동에 의해 가스가 제1 가스 처리 장치(1100), 제2 가스 처리 장치(1200), 기액 분리기(1500)를 차례대로 거쳐서 유동하게 된다.
제1 가스 처리 장치(1100)는 가스 유동 라인 상에 설치되어서 처리대상 배기가스(G0)를 제1 처리수(L1)를 이용하여 처리한다. 처리대상 배기가스(G0)는 가스 유동 팬(1050)의 작동에 의해 제1 가스 처리 장치(1100)로 유입되어서 처리된 후 1차 처리 가스(G1)로서 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출된다. 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)는 제2 가스 처리 장치(1200)로 유입된다. 제1 가스 처리 장치(1100)에서 처리대상 배기가스(G0)의 처리에 사용되는 제1 처리수(L1)는 제1 약품인 탄산나트륨(Na2CO3)을 포함하는 탄산나트륨 수용액이다. 제1 가스 처리 장치(1100)는 탄산나트륨을 포함하는 제1 처리수(L1)를 제1 처리수 공급부(1600)를 통해 공급받는다. 제1 가스 처리 장치(1100)는 공업용수도 공급받는다. 제1 가스 처리 장치(1100)에서는 아래 반응식 1, 반응식 2, 반응식 3과 같은 화학 반응이 주로 일어난다.The first
[반응식 1][Scheme 1]
CO2 + H2O → HCO3 - + H+ CO 2 + H 2 O → HCO 3 - + H +
[반응식 2][Scheme 2]
H2CO3(aq) + Na2CO3(aq) → 2NaHCO3(c) H 2 CO 3 (aq) + Na 2 CO 3 (aq) → 2NaHCO 3 (c)
[반응식 3][Scheme 3]
CO2(g) + Na2CO3(aq) + H2O(l) → 2NaHCO3(c) CO 2 (g) + Na 2 CO 3 (aq) + H 2 O(l) → 2NaHCO 3 (c)
즉, 제1 가스 처리 장치(1100)에서 이산화탄소가 제거되고 중탄산나트륨(NaHCO3)이 생성된다. 중탄산나트륨이 생성되는 이러한 반응은 발열 반응으로서, 높은 반응 효율을 유지하기 위하여 제1 처리수(L1)은 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 본 실시예에서 제1 처리수(L1)의 설정된 기준 수소이온농도의 범위는 9.5 내지 12pH이며, 설정된 기준 온도 범위는 10 내지 25℃인 것으로 설명한다. 제1 가스 처리 장치(1100)에서 제거되지 않은 미반응 이산화탄소는 1차 처리 가스(G1)에 포함되어서 제2 가스 처리 장치(1200)로 유입된다.That is, carbon dioxide is removed in the first
제1 가스 처리 장치(1100)에서는 처리대상 배기가스(G0)에 대한 탈진 처리 및 잡산성가스 제거 기능도 수행된다.The first
제1 가스 처리 장치(1100)의 구조가 구체적으로 도시된 도 2를 참조하면, 처리대상 배기가스(G0)와 제1 처리수(L1)가 유입되는 제1 도입부(1110)와, 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제1 도입부(1110)로부터 배출되는 가스(G11)를 처리하는 제1 마이크로버블 처리부(1130)와, 제1 도입부(1110)와 제1 마이크로버블 처리부(1130)를 연통시키는 제1 연결 통로(1190)를 구비한다.Referring to FIG. 2, which specifically shows the structure of the first
제1 도입부(1110)로 처리대상 배기가스(G0)와 제1 처리수(L1)가 유입된다. 제1 도입부(1110)는 내부에 형성되는 제1 도입 공간(1111)을 제공한다. 제1 도입 공간(1111)은 제1 통로부(1190)에 의해 제1 마이크로버블 처리부(1130)와 연통된다. 제1 도입 공간(1111)의 상단에는 제1 흡기구(1113)가 위치하며, 제1 도입 공간(1111)의 하단에는 제1 도입공간 배수구(1115)가 위치한다. 제1 흡기구(1113)를 통해서 처리대상 배기가스(G0)가 제1 도입 공간(1111)으로 유입된다. 제1 도입공간 배수구(1115)를 통해서 배수가 이루어진다. 제1 도입 공간(1111)은 제1 흡기구(1113)보다 낮고 제1 도입공간 배수구(1115)보다 높은 위치에서 제1 연결 통로부(1190)와 연통된다.Exhaust gas to be treated (G0) and first treated water (L1) are introduced into the
제1 도입 공간(1111)에서 제1 흡기구(1113)와 제1 도입공간 배수구(1115)의 사이에는 제1 수조(1117), 제1A 수류관(1119), 제1A 확산판(1121), 제1B 수류관(1123), 제1B 확산판(1125), 제1 처리수 도입부 공급 수단(1126)이 설치된다.In the first introduction space 1111, between the
제1 수조(1117)는 제1 도입 공간(1111)에서 제1 흡기구(1113)의 아래에 인접하여 위치한다. 제1 수조(1117)에는 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)가 일시 저장된다. 제1 수조(1117)에는 제1 도입 공간(1111)으로 유입되는 공업용수도 일시 저장될 수 있다. 제1 수조(1117)로부터 흘러 넘치는 제1 처리수(L1)는 제1A 수류관(1119)을 통해 아래로 유동한다.The
제1A 수류관(1119)은 제1 도입 공간(1111)에서 제1 수조(1117)의 아래에 위치한다. 제1A 수류관(1119)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제1A 수류관(1119)의 하단에는 제1 처리수(L1)과 가스를 아래로 배출하는 제1A 수류관 배출구(1120)가 형성된다. 제1A 수류관(1119)을 따라서 가스와 제1 처리수(L1)가 제1A 수류관 배출구(1120)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수(L1)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 1A
제1A 확산판(1121)은 제1 도입 공간(1111)에서 제1A 수류관 배출구(1120)의 아래에 위치한다. 제1A 확산판(1121)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제1A 수류관 배출구(1120)으로부터 배출되는 제1 처리수(L1)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The
제1B 수류관(1123)은 제1 도입 공간(1111)에서 제1A 확산판(1121)의 아래에 위치한다. 제1B 수류관(1123)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제1B 수류관(1123)의 하단에는 제1 처리수(L1)와 가스를 아래로 배출하는 제1B 수류관 배출구(1124)가 형성된다. 제1B 수류관(1123)을 따라서 가스와 제1 처리수(L1)가 제1B 수류관 배출구(1124)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수(L1)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 1B
제1B 확산판(1125)은 제1 도입 공간(1111)에서 제1B 수류관 배출구(1124)의 아래에 위치한다. 제1B 확산판(1125)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제1B 수류관 배출구(1124)으로부터 배출되는 제1 처리수(L1)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The 1B diffusion plate 1125 is located below the 1B water
제1 처리수 도입부 공급 수단(1126)은 제1 도입 공간(1111)에 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)를 공급한다. 제1 처리수 도입부 공급 수단(1126)은 제1 수조(1117)의 위에 위치하여 제1 처리수(L1)를 제1 수조(1117)로 공급한다.The first treated water introduction unit supply means 1126 supplies first treated water L1 supplied from the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1) to the first introduction space 1111. The first treated water inlet supply means 1126 is located above the
제1 마이크로버블 처리부(1130)는 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제1 도입부(1110)로부터 배출되는 가스(G11)를 처리한다. 제1 마이크로버블 처리부(1130)는 내부에 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)을 제공한다. 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)은 제1 연결 통로(1190)를 통해 제1 도입 공간(1111)과 연통된다. 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)의 상단에는 제1 배기구(1132)가 위치하며, 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)의 하단에는 제1 처리공간 배수구(1133)가 위치한다. 제1 배기구(1132)를 통해서 제1 마이크로버블 처리 공간(1131) 내부의 가스가 배출된다. 제1 처리공간 배수구(1133)를 통해서 배수가 이루어진다. 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)은 제1 배기구(1132)보다 낮고 제1 처리공간 배수구(1133)보다 높은 위치에서 제1 연결 통로(1190)와 연통된다.The first
제1 마이크로버블 처리 공간(1131)에는 제1 연결 통로(1190)와 제1 배기구(1132)의 사이에서 높이방향을 따라서 아래로부터 위로 차례대로 배치되는 제1A 가스 처리 유닛(1140)과 제1B 가스 처리 유닛(1160)이 구비된다. 제1 연결 통로(1190)를 통해 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)으로 유입된 가스(G11)는 위로 상승하여 제1A 가스 처리 유닛(1140)과 제1B 가스 처리 유닛(1160)을 차례대로 통과한다.In the first microbubble processing space 1131, a 1A
제1A 가스 처리 유닛(1140)은 제1A 바닥판(1142)과, 제1A 바닥판(1142)에 설치되는 제1A 아토마이징부(1144)와, 제1A 수위 조절부(1150)와, 제1A 처리수 반응부 공급 수단(1157)을 구비한다.The 1A
제1A 바닥판(1142)은 판상으로서 제1A 가스 처리 유닛(1140)의 내부 공간에서 대체로 수평으로 설치되고, 제1 연결 통로(1190)보다 위에 위치한다. 제1A 가스 처리 유닛(1140)의 내부 공간은 제1A 바닥판(1142)을 사이에 두고 제1A 하부 공간(1141)과 제1A 상부 공간(1143)으로 분리되는데, 제1A 상부 공간(1141)에 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1A 바닥판(1142)에 제1A 아토마이징부(1144)가 설치된다.The
제1A 아토마이징부(1144)는 제1A 하부 공간(1141)에 존재하는 가스(G11)를 제1 처리수(L1)가 저장된 제1A 상부 공간(1143)으로 분사한다. 제1A 아토마이징부(1144)에 의해 분사된 가스(G11)는 제1 처리수(L1) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B11)을 형성한다. 제1A 아토마이징부(1144)는 제1A 상부 공간(1143)으로 가스(G11)를 분사하는 제1A 가스 분사노즐(1145)과, 제1A 가스 분사노즐(1145)의 끝에 위치하는 제1A 충돌판(1146)을 구비한다. 제1A 아토마이징부(1146)에 의해 형성된 마이크로 버블(B11)로 인해 제1A 상부 공간(1143)에서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B11)은 제1 처리수(L1) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제1A 상부 공간(1143)에서 가스(G11)에 포함된 처리대상 성분인 이산화탄소와 제1 처리수(L1)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 현저하게 높아져서, 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨의 생성 효율도 현저하게 향상된다.The
제1A 가스 분사노즐(1145)은 제1A 바닥판(1142)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제1A 상부 공간(1143)에 위치한다. 제1A 가스 분사노즐(1145)에 의해 제1A 하부 공간(1141)의 가스(G11)가 제1A 상부 공간(1143)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제1A 가스 분사노즐(1145)에는 가스가 제1A 가스 분사노즐(1145)을 따라 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 분사구가 형성된 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제1A 가스 분사노즐(1145)의 끝단에는 제1A 충돌판(1146)이 인접하여 위치한다.The 1A
제1A 충돌판(1146)은 제1A 가스 분사노즐(1145)의 끝단 위에 인접하도록 제1A 상부 공간(1143)에 위치한다. 제1 처리수(L1)에 잠긴 제1A 충돌판(1146)에 제1A 가스 분사노즐(1145)로부터 분사되는 가스(G11)가 강하게 충돌하여 마이크로 버블(B11)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제1A 충돌판(1146)이 도시된 바와 같이 제1A 하부 충돌판(1147)과 제1A 상부 충돌판(1148)이 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제1A 상부 충돌판(1148)이 아래에 위치하는 제1A 하부 충돌판(1147)의 전체를 덮도록 더 크며, 제1A 상부 충돌판(1148) 사이에 적어도 하나의 제1A 통로(1149)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제1A 충돌판(1146)의 설치 높이가 가변되어서 제1A 가스 분사노즐(1145)과의 거리가 조절될 수 있다.The
제1A 수위 조절부(1150)는 제1A 상부 공간(1143)의 측면에 위치하며, 제1A 상부 공간(1143)에서 오버플로우를 통해 제1 처리수(L1)의 수위를 조절한다. 제1A 수위 조절부(1150)는 제1A 상부 공간(1143)의 측벽에 형성된 제1 수위조절 개구부(1151)을 통해 제1A 상부 공간(1143)과 연통되는 제1A 수위조절 수조(1152)를 구비한다. 제1A 수위조절 개구부(1151)는 제1A 상부 공간(1143)에서 제1A 처리수(L1)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제1A 수위조절 수조(1152)에는 제1A 상부 공간(1143)에서 오버플로우된 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1A 수위조절 수조(1152)에 저장된 제1 처리수(L1)는 배출되어서 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로 공급된다. 제1A 수위조절 수조(1152)에서 배출되어서 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로 공급되는 용액은 생성된 중탄산나트륨과 미반응 탄산나트륨을 함유한다.The 1A water
제1A 처리수 반응부 공급 수단(1157)은 제1A 상부 공간(1143)에 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)를 공급한다.The 1A treated water reaction unit supply means 1157 supplies the first treated water L1 supplied from the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1) to the 1A
제1B 가스 처리 유닛(1160)은 제1A 가스 처리 유닛(1140)의 위에 위치하며, 제1B 바닥판(1162)과, 제1B 바닥판(1162)에 설치되는 제1B 아토마이징부(1164)와, 제1B 수위 조절부(1170)와, 제1B 처리수 반응부 공급 수단(1177)을 구비한다.The 1B
제1B 바닥판(1162)은 판상으로서 제1B 가스 처리 유닛(1160)의 내부 공간에서 대체로 수평으로 설치된다. 제1B 가스 처리 유닛(1160)의 내부 공간은 제1B 바닥판(1162)을 사이에 두고 제1B 하부 공간(1161)과 제1B 상부 공간(1163)으로 분리된다. 제1B 하부 공간(1161)은 제1A 가스 처리 유닛(1140)의 제1A 상부 공간(1143)과 연통되며, 제1B 상부 공간(1163)에는 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1B 바닥판(1162)에 제1B 아토마이징부(1164)가 설치된다.The
제1B 아토마이징부(1164)는 제1B 하부 공간(1161)에 존재하는 가스(G12)를 제1 처리수(L1)가 저장된 제1B 상부 공간(1163)으로 분사한다. 제1B 하부 공간(1161)에 존재하는 가스(G12)은 제1A 가스 처리 유닛(1140)에서 처리된 가스이다. 제1B 아토마이징부(1644)에 의해 분사된 가스(G12)는 제1 처리수(L1) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B12)을 형성한다. 제1B 아토마이징부(1164)는 제1B 상부 공간(1163)으로 가스(G12)를 분사하는 제1B 가스 분사노즐(1165)과, 제1B 가스 분사노즐(1164)의 끝에 위치하는 제1B 충돌판(1166)을 구비한다. 제1B 아토마이징부(1644)에 의해 형성된 마이크로 버블(B12)로 인해 제1B 상부 공간(1163)에서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B12)은 제1 가스 처리수(L1) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제1B 상부 공간(1163)에서 가스(G12)에 포함된 처리대상 성분인 이산화탄소와 제1 가스 처리수(L1)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 현저하게 높아져서, 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨의 생성 효율도 현저하게 향상된다.The
제1B 가스 분사노즐(1165)은 제1B 바닥판(1162)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제1B 상부 공간(1163)에 위치한다. 제1B 가스 분사노즐(1165)에 의해 제1B 하부 공간(1161)의 가스(G12)가 제1B 상부 공간(1163)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제1B 가스 분사노즐(1165)에는 가스가 제1B 가스 분사노즐(1165)을 따라 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 분사구가 형성된 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제1B 가스 분사노즐(1165)의 끝단에는 제1B 충돌판(1166)이 인접하여 위치한다.The 1B
제1B 충돌판(1166)은 제1B 가스 분사노즐(1165)의 끝단 위에 인접하도록 제1B 상부 공간(1163)에 위치한다. 제1B 상부 공간(1163)에서 제1 처리수(L1)에 잠긴 제1B 충돌판(1166)에 제1B 가스 분사노즐(1165)로부터 분사되는 가스(G12)가 강하게 충돌하여 마이크로 버블(B12)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제1B 충돌판(1166)이 도시된 바와 같이 제1B 하부 충돌판(1167)과 제1B 상부 충돌판(1168)이높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제1B 상부 충돌판(1168)이 아래에 위치하는 제1B 하부 충돌판(1167)의 전체를 덮도록 더 크며, 제1B 상부 충돌판(1168) 사이에 적어도 하나의 제1B 통로(1169)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제1B 충돌판(1166)의 설치 높이가 가변되어서 제1B 가스 분사노즐(1165)과의 거리가 조절될 수 있다.The 1B collision plate 1166 is located in the 1B
제1B 수위 조절부(1170)는 제1B 상부 공간(1163)의 측면에 위치하며, 제1B 상부 공간(1163)에서 오버플로우를 통해 제1 처리수(L1)의 수위를 조절한다. 제1B 수위 조절부(1170)는 제1B 상부 공간(1163)의 측벽에 형성된 제1B 수위조절 개구부(1171)을 통해 제1B 상부 공간(1163)과 연통되는 제1B 수위조절 수조(1172)를 구비한다. 제1B 수위조절 개구부(1171)는 제1B 상부 공간(1163)에서 제1 처리수(L1)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제1B 수위조절 수조(1172)에는 제1B 상부 공간(1163)에서 오버플로우된 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1B 수위조절 수조(1172)에 저장된 제1 처리수(L1)는 배출되어서 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로 공급된다. 제1B 수위조절 수조(1172)에서 배출되어서 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로 공급되는 용액은 생성된 중탄산나트륨과 미반응 탄산나트륨을 함유한다.The 1B water
제1B 처리수 반응부 공급 수단(1177)은 제1B 상부 공간(1163)에 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)를 공급한다.The 1B treated water reaction unit supply means 1177 supplies the first treated water L1 supplied from the first treated water supply unit (1600 in FIG. 1) to the 1B
제1 마이크로버블 처리부(1130)에서 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 반응은 상기 반응식 3에 의한 중탄산나트륨 생성 반응을 더욱 촉진시킨다.The reaction using microbubbles in the first
상기 실시예에서는 제1 마이크로버블 처리부(1130)가 높이방향을 따라서 아래로부터 위로 연속으로 배치되는 제1A 가스 처리 유닛(1140)과 제1B 가스 처리 유닛(1160)를 구비하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 제1A 가스 처리 유닛(1140)만을 구비하거나, 3개 이상의 가스 처리 유닛이 높이방향을 따라서 연속으로 배치될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.In the above embodiment, the first
제1 도입공간 배수구(1115)와 제1 처리공간 배수구(1133)를 통해 각각 배출되는 제1 처리수(L1)는 생성된 중탄산나트륨과 미반응 탄산나트륨을 함유하며, 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)로 공급된다.The first treated water (L1) discharged through the first
제1 연결 통로(1190)는 제1 도입부(1110)의 제1 도입 공간(1111)과 제1 마이크로버블 처리부(1130)의 제1 마이크로버블 처리 공간(1131)을 연통시킨다. 제1 연결 통로(1190)는 제1 흡기구(1113)와 제1 배기구(1132)보다 아래에 위치하고, 제1 도입공간 배수구(1115)와 제1 처리공간 배수구(1133)보다 위에 위치한다.The
도 1을 참조하면, 제2 가스 처리 장치(1200)는 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)를 제2 처리수(L2)를 이용하여 처리한다. 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)는 가스 유동 팬(1050)의 작동에 의해 제2 가스 처리 장치(1200)로 유입되어서 처리된 후 2차 처리 가스(G2)으로서 제2 가스 처리 장치(1200)로부터 배출된다. 제2 가스 처리 장치(1200)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)는 기액 분리기(1500)로 유입된다. 제2 가스 처리 장치(1200)에서 1차 처리 가스(G1)의 처리에 사용되는 제2 처리수(L2)는 제2 약품인 수산화나트륨(NaOH)을 포함하는 수산화나트륨 수용액이다. 제2 가스 처리 장치(1200)는 수산화나트륨을 포함하는 제2 처리수(L2)를 제2 처리수 공급부(1700)를 통해 공급받는다. 제2 가스 처리 장치(1200)는 공업용수도 공급받는다. 제2 가스 처리 장치(1200)에서는 아래 반응식 4, 반응식 5, 반응식 6과 같은 화학 반응이 주로 일어난다.Referring to FIG. 1, the second
[반응식 4][Scheme 4]
CO2 + H2O → HCO3 - + H+ CO 2 + H 2 O → HCO 3 - + H +
[반응식 5][Scheme 5]
H2CO3(aq) + 2NaOH(aq) → Na2CO3(aq) + H2O(l) H 2 CO 3 (aq) + 2NaOH(aq) → Na 2 CO 3 (aq) + H 2 O(l)
[반응식 6][Scheme 6]
CO2(g) + 2NaOH(aq) → Na2CO3(aq) + H2O(l) CO 2 (g) + 2NaOH(aq) → Na 2 CO 3 (aq) + H 2 O(l)
즉, 제2 가스 처리 장치(1200)에서 이산화탄소가 제거되고 탄산나트륨(Na2CO3)이 생성된다. 탄산나트륨이 생성되는 이러한 반응은 발열 반응으로서, 높은 반응 효율을 유지하기 위하여 제2 처리수(L2)은 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 본 실시예에서 제2 처리수(L2)의 설정된 기준 수소이온농도의 범위는 9.5 내지 13pH이며, 설정된 기준 온도 범위는 45 내지 60℃인 것으로 설명한다.That is, carbon dioxide is removed in the second
제2 가스 처리 장치(1200)에서는 1차 처리 가스(G1)에 대한 탈진 처리 및 잡산성가스 제거 기능도 수행된다.The second
제2 가스 처리 장치(1200)의 구조가 구체적으로 도시된 도 2를 참조하면, 1차 처리 가스(G1)와 제2 처리수(L2)가 유입되는 제2 도입부(1210)와, 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제2 도입부(1210)로부터 배출되는 가스(G21)를 처리하는 제2 마이크로버블 처리부(1230)와, 제2 도입부(1210)와 제2 마이크로버블 처리부(1230)를 연통시키는 제2 연결 통로(1290)를 구비한다.Referring to FIG. 2, which shows the structure of the second
제2 도입부(1210)로 1차 처리 가스(G1)와 제2 처리수(L2)가 유입된다. 제2 도입부(1210)는 내부에 형성되는 제2 도입 공간(1211)을 제공한다. 제2 도입 공간(1211)은 제2 통로부(1290)에 의해 제2 마이크로버블 처리부(1230)와 연통된다. 제2 도입 공간(1211)의 상단에는 제2 흡기구(1213)가 위치하며, 제2 도입 공간(1211)의 하단에는 제2 도입공간 배수구(1215)가 위치한다. 제2 흡기구(1213)를 통해서 1차 처리 가스(G1)가 제2 도입 공간(1211)으로 유입된다. 제2 도입공간 배수구(1215)를 통해서 배수가 이루어진다. 제2 도입 공간(1211)은 제2 흡기구(1213)보다 낮고 제2 도입공간 배수구(1215)보다 높은 위치에서 제2 연결 통로부(1290)와 연통된다.First treatment gas (G1) and second treatment water (L2) are introduced into the
제2 도입 공간(1211)에서 제2 흡기구(1213)와 제2 도입공간 배수구(1215)의 사이에는 제2 수조(1217), 제2A 수류관(1219), 제2A 확산판(1221), 제2B 수류관(1223), 제2B 확산판(1225), 제2 처리수 도입부 공급 수단(1226)이 설치된다.In the
제2 수조(1217)는 제2 도입 공간(1211)에서 제2 흡기구(1213)의 아래에 인접하여 위치한다. 제2 수조(1217)에는 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)가 일시 저장된다. 제2 수조(1217)에는 제2 도입 공간(1211)으로 유입되는 공업용수도 일시 저장될 수 있다. 제2 수조(1217)로부터 흘러 넘치는 제2 처리수(L2)는 제2A 수류관(1219)을 통해 아래로 유동한다.The
제2A 수류관(1219)은 제2 도입 공간(1211)에서 제2 수조(1217)의 아래에 위치한다. 제2A 수류관(1219)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제2A 수류관(1219)의 하단에는 제2 처리수(L2)과 가스를 아래로 배출하는 제2A 수류관 배출구(1220)가 형성된다. 제2A 수류관(1219)을 따라서 가스와 제2 처리수(L2)가 제2A 수류관 배출구(1220)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제2 처리수(L2)에 포함된 수산화나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 2A
제2A 확산판(1221)은 제2 도입 공간(1211)에서 제2A 수류관 배출구(1220)의 아래에 위치한다. 제2A 확산판(1221)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제2A 수류관 배출구(1220)으로부터 배출되는 제2 처리수(L2)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The 2A diffusion plate 1221 is located below the 2A water
제2B 수류관(1223)은 제2 도입 공간(1211)에서 제2A 확산판(1221)의 아래에 위치한다. 제2B 수류관(1223)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제2B 수류관(1223)의 하단에는 제2 처리수(L2)와 가스를 아래로 배출하는 제2B 수류관 배출구(1224)가 형성된다. 제2B 수류관(1223)을 따라서 가스와 제2 처리수(L2)가 제2B 수류관 배출구(1224)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제2 처리수(L2)에 포함된 수산화나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 2B
제2B 확산판(1225)은 제2 도입 공간(1211)에서 제2B 수류관 배출구(1224)의 아래에 위치한다. 제2B 확산판(1225)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제2B 수류관 배출구(1224)으로부터 배출되는 제2 처리수(L2)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The
제2 처리수 도입부 공급 수단(1226)은 제2 도입 공간(1211)에 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)를 공급한다. 제2 처리수 도입부 공급 수단(1226)은 제2 수조(1217)의 위에 위치하여 제2 처리수(L2)를 제2 수조(1217)로 공급한다.The second treated water introduction unit supply means 1226 supplies the second treated water L2 supplied from the second treated water supply unit (1700 in FIG. 1) to the
제2 마이크로버블 처리부(1230)는 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제2 도입부(1210)로부터 배출되는 가스(G21)를 처리한다. 제2 마이크로버블 처리부(1230)는 내부에 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)을 제공한다. 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)은 제2 연결 통로(1290)를 통해 제2 도입 공간(1211)과 연통된다. 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)의 상단에는 제2 배기구(1232)가 위치하며, 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)의 하단에는 제2 처리공간 배수구(1233)가 위치한다. 제2 배기구(1232)를 통해서 제2 마이크로버블 처리 공간(1231) 내부의 가스가 배출된다. 제2 처리공간 배수구(1233)를 통해서 배수가 이루어진다. 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)은 제2 배기구(1232)보다 낮고 제2 처리공간 배수구(1233)보다 높은 위치에서 제2 연결 통로(1290)와 연통된다.The second
제2 마이크로버블 처리 공간(1231)에는 제2 연결 통로(1290)와 제2 배기구(1232)의 사이에 배치되는 제2 가스 처리 유닛(1240)이 구비된다. 제2 연결 통로(1290)를 통해 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)으로 유입된 가스(G21)는 위로 상승하여 제2 가스 처리 유닛(1240)을 통과한다.The second
제2 가스 처리 유닛(1240)은 제2 바닥판(1242)과, 제2 바닥판(1242)에 설치되는 제2 아토마이징부(1244)와, 제2 수위 조절부(1250)와, 제2 처리수 반응부 공급 수단(1257)을 구비한다.The second
제2 바닥판(1242)은 판상으로서 제2 가스 처리 유닛(1240)의 내부 공간에서 대체로 수평으로 설치되고, 제2 연결 통로(1290)보다 위에 위치한다. 제2 가스 처리 유닛(1240)의 내부 공간은 제2 바닥판(1142)을 사이에 두고 제2 하부 공간(1241)과 제2 상부 공간(1243)으로 분리되는데, 제2 상부 공간(1241)에 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)가 저장된다. 제2A 바닥판(1242)에 제2 아토마이징부(1244)가 설치된다.The
제2 아토마이징부(1244)는 제2 하부 공간(1241)에 존재하는 가스(G21)를 제2 처리수(L2)가 저장된 제2 상부 공간(1243)으로 분사한다. 제2 아토마이징부(1244)에 의해 분사된 가스(G21)는 제2 처리수(L2) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B2)을 형성한다. 제2 아토마이징부(1244)는 제2 상부 공간(1243)으로 가스(G2)를 분사하는 제2 가스 분사노즐(1245)과, 제2 가스 분사노즐(1245)의 끝에 위치하는 제2 충돌판(1246)을 구비한다. 제2 아토마이징부(1246)에 의해 형성된 마이크로 버블(B2)로 인해 제2 상부 공간(1243)에서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B2)은 제2 처리수(L2) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제2 상부 공간(1243)에서 가스(G21)에 포함된 처리대상 성분인 이산화탄소와 제2 처리수(L2)에 포함된 수산화나트륨의 반응 효율이 현저하게 높아져서, 이산화탄소 제거 및 탄산나트륨의 생성 효율도 현저하게 향상된다.The
제2 가스 분사노즐(1245)은 제2 바닥판(1242)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제2 상부 공간(1243)에 위치한다. 제2 가스 분사노즐(1245)에 의해 제2 하부 공간(1241)의 가스(G21)가 제2 상부 공간(1243)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제2 가스 분사노즐(1245)에는 가스가 제2 가스 분사노즐(1245)을 따라 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 분사구가 형성된 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제2 가스 분사노즐(1245)의 끝단에는 제2 충돌판(1246)이 인접하여 위치한다.The second
제2 충돌판(1246)은 제2 가스 분사노즐(1245)의 끝단 위에 인접하도록 제2 상부 공간(1243)에 위치한다. 제2 처리수(L2)에 잠긴 제2 충돌판(1246)에 제2 가스 분사노즐(1245)로부터 분사되는 가스(G21)가 강하게 충돌하여 마이크로 버블(B2)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제2 충돌판(1246)이 도시된 바와 같이 제2 하부 충돌판(1247)과 제2 상부 충돌판(1248)이 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제2 상부 충돌판(1248)이 아래에 위치하는 제2 하부 충돌판(1247)의 전체를 덮도록 더 크며, 제2 상부 충돌판(1248) 사이에 적어도 하나의 제2 통로(1249)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제2 충돌판(1246)의 설치 높이가 가변되어서 제2 가스 분사노즐(1245)과의 거리가 조절될 수 있다.The
제2 수위 조절부(1250)는 제2 상부 공간(1243)의 측면에 위치하며, 제2 상부 공간(1243)에서 오버플로우를 통해 제2 처리수(L2)의 수위를 조절한다. 제2 수위 조절부(1250)는 제2 상부 공간(1243)의 측벽에 형성된 제2 수위조절 개구부(1251)을 통해 제2 상부 공간(1243)과 연통되는 제2 수위조절 수조(1252)를 구비한다. 제2 수위조절 개구부(1251)는 제2 상부 공간(1243)에서 제2 처리수(L2)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제2 수위조절 수조(1252)에는 제2 상부 공간(1243)에서 오버플로우된 제2 처리수(L2)가 저장된다. 제2 수위조절 수조(1252)에 저장된 제2 처리수(L2)는 배출되어서 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로 공급된다. 제2 수위조절 수조(1252)에서 배출되어서 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로 공급되는 용액은 생성된 탄산나트륨과 미반응 수산화나트륨을 함유한다.The second water
제2 처리수 반응부 공급 수단(1257)은 제2 상부 공간(1243)에 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)를 공급한다.The second treated water reaction unit supply means 1257 supplies the second treated water L2 supplied from the second treated water supply unit (1700 in FIG. 1) to the second
제2 마이크로버블 처리부(1230)에서 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 반응은 상기 반응식 6에 의한 탄산나트륨 생성 반응을 더욱 촉진시킨다.The reaction using micro-bubbles in the second
상기 실시예에서는 제2 마이크로버블 처리부(1230)가 하나의 제2 가스 처리 유닛(1240)을 구비하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 높이방향을 따라서 복수 개가 직렬로 연속적으로 배치될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.In the above embodiment, the second
제2 도입공간 배수구(1215)와 제2 처리공간 배수구(1233)를 통해 각각 배출되는 제2 처리수(L2)는 생성된 탄산나트륨과 미반응 수산화나트륨을 함유하며, 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)로 공급된다.The second treated water (L2) discharged through the second
제2 연결 통로(1290)는 제2 도입부(1210)의 제2 도입 공간(1211)과 제2 마이크로버블 처리부(1230)의 제2 마이크로버블 처리 공간(1231)을 연통시킨다. 제2 연결 통로(1290)는 제2 흡기구(1213)와 제2 배기구(1232)보다 아래에 위치하고, 제2 도입공간 배수구(1215)와 제2 처리공간 배수구(1233)보다 위에 위치한다.The
도 1을 참조하면, 기액 분리기(1500)는 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(1200)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)에서 액체 성분을 분리한다. 기액 분리기(1500)에서 분리된 액체 성분은 제2 처리수 공급부(1700)로 공급된다. 본 실시예에서 기액 분리기(1500)는 가스 유동 팬(1050)보다 상류에 위치하는 것으로 설명한다.Referring to FIG. 1, a gas-
제1 처리수 공급부(1600)는 제1 약품인 탄산나트륨(Na2CO3)을 수용액으로서 포함하는 제1 처리수(L1)를 제1 가스 처리 장치(1100)로 순환 공급한다. 제1 처리수 공급부(1600)는 제1 처리수(L1)가 저장되는 제1 처리수 저장조(1610)와, 제1 약품인 탄산나트륨을 수용액으로 저장하는 제1 약품 저장조(1650)와, 제1 가스 처리 장치(1100)로 공급되는 제1 처리수(L1)를 설정된 기준 온도로 조절하는 제1 처리수 열교환기(1680)를 구비한다.The first treated
제1 처리수 저장조(1610)는 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출되는 제1 처리수(L1)와 제2 처리수 공급부(1700)로부터 배출되는 탄산나트륨 수용액을 저장한다. 제1 처리수 저장조(1610)에 저장된 제1 처리수(L1)는 제1 처리수 공급 라인(1620)을 통해 제1 가스 처리 장치(1100)로 공급된다. 제1 처리수 저장조(1610)에서 제1 처리수(L1)는 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 제1 처리수 저장조(1610)에는 공업용수가 공급될 수 있다. 제1 처리수 저장조(1610)에 저장되는 제1 처리수(L1)가 제1 가스 처리 장치(1100)로 순환 공급됨에 따라 제1 처리수(L1)에서 생성되는 중탄산나트륨의 함량은 높아진다. 또한, 제1 처리수 저장조(1610)에 저장된 제1 처리수(L1)에는 제1 가스 처리 장치(1100)로부터 배출되는 마이크로버블이 포함되어서, 제1 처리수 저장조(1610)에서도 이산화탄소와 탄산나트륨이 반응하여 중탄산나트륨이 생성될 수 있다. 제1 처리수 저장조(1610)는 제1 가스 처리 장치(1100)에 결합되어서 일체로 형성될 수도 있다. 제1 처리수 저장조(1610)에 저장된 중탄산나트륨을 포함하는 제1 처리수(L1)는 고액 분리 필터(1800)로 공급된다.The first treated
제1 약품 저장조(1650)는 제1 약품인 탄산나트륨을 수용액으로 저장한다. 제1 약품 저장조(1650)에 저장된 탄산나트륨 수용액은 제1 처리수 공급 라인(1620) 상에 설치되는 제1 약품 혼합기(1622)로 공급되어서, 제1 처리수(L1)에 제1 약품인 탄산나트륨이 추가된다. 제1 약품 혼합기(1622)에서 제1 처리수 공급 라인(1620)을 따라 유동하는 제1 처리수(L1)에 제1 약품인 탄산나트륨 수용액이 균일하게 혼합되어서, 반응성이 향상된다. 본 실시예에서는 제1 약품 혼합기(1622)로 라인 믹서(Line Mixer)가 사용되는 것으로 설명한다. 제1 약품 저장조(1650)에 의한 탄산나트륨 수용액의 공급은 배기가스 처리 설비(1000)의 운전 초기에만 수행될 수 있으며, 이후에는 제2 가스 처리 장치(1200)에서 생성되는 탄산나트륨만 활용될 수 있다.The first
제1 처리수 열교환기(1680)는 제1 처리수 공급 라인(1620) 상에서 제1 가스 처리 장치(1100)로 공급되는 제1 처리수(L1)의 온도를 저하시켜서 설정된 기준 온도로 유지시킴으로써 제1 가스 처리 장치(1100)에서의 중탄산나트륨 생성 반응 효율을 향상시킨다. 제1 처리수 열교환기(1680)는 제1 처리수 저장조(1610)에서 배출되는 제1 처리수(L1)를 냉수와 열교환시킨다. 제1 처리수 열교환기(1680)는 제1 처리수 공급 라인(1620)에서 제1 약품 혼합기(1622)보다 상류에 위치한다.The first treated
제2 처리수 공급부(1700)는 제2 약품인 수산화나트륨(NaOH)을 수용액으로서 포함하는 제2 처리수(L2)를 제2 가스 처리 장치(1200)로 공급한다. 제2 처리수 공급부(1700)는 제2 처리수(L2)가 저장되는 제2 처리수 저장조(1710)와, 제2 약품인 수산화나트륨을 수용액으로 저장하는 제2 약품 저장조(1750)와, 제2 가스 처리 장치(1200)로 공급되는 제2 처리수(L2)를 설정된 기준 온도로 조절하는 제2 처리수 열교환기(1780)를 구비한다.The second treated
제2 처리수 저장조(1710)는 제2 가스 처리 장치(1200)로부터 배출되는 제2 처리수(L2)를 저장한다. 제2 처리수 저장조(1710)에서 제2 처리수(L2)는 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 제2 처리수 저장조(1710)에는 기액 분리기(1500)로부터 배출되는 탄산나트륨을 함유하는 액체 성분도 저장된다. 제2 처리수 저장조(1710)에 저장된 제2 처리수(L2)는 제2 처리수 공급 라인(1720)을 통해 제2 가스 처리 장치(1200)로 공급된다. 제2 처리수 저장조(1710)에는 공업용수가 공급될 수 있다. 제2 처리수 저장조(1710)에 저장되는 제2 처리수(L2)가 제2 가스 처리 장치(1200)로 순환 공급됨에 따라 제2 처리수(L2)에서 생성되는 탄산나트륨의 함량은 높아져서, 제2 처리수(L2)는 최종적으로 탄산나트륨 수용액이 되며, 제2 처리수 저장조(1710)에 저장된 탄산나트륨 수용액의 제2 처리수(L2)는 제1 처리수 공급부(1600)의 제1 처리수 저장조(1610)로 공급된다. 본 실시예에서 제2 처리수 저장조(1710)에 저장된 제2 처리수(L2)의 제1 처리수 저장조(1610)로의 공급은 자중에 의한 자연 배출을 이용하는 것으로 설명한다. 또한, 제2 처리수 저장조(1710)에 저장된 제2 처리수(L2)에는 제2 가스 처리 장치(1200)로부터 배출되는 마이크로버블이 포함되어서, 제2 처리수 저장조(1710)에서도 이산화탄소와 수산화나트륨이 반응하여 탄산나트륨이 생성될 수 있다. 제2 처리수 저장조(1710)는 제2 가스 처리 장치(1200)에 결합되어서 일체로 형성될 수도 있다.The second treated
제2 약품 저장조(1750)는 제2 약품인 수산화나트륨을 수용액으로 저장한다. 제2 약품 저장조(1750)에 저장된 수산화나트륨 수용액은 제2 처리수 공급 라인(1720) 상에 설치되는 제2 약품 혼합기(1722)로 공급되어서, 제2 처리수(L2)에 제2 약품인 수산화나트륨이 추가된다. 제2 약품 혼합기(1722)에서 제2 처리수 공급 라인(1720)을 따라 유동하는 제2 처리수(L2)에 제2 약품인 수산화나트륨 수용액이 균일하게 혼합되어서, 반응성이 향상된다. 본 실시예에서는 제2 약품 혼합기(1722)로 라인 믹서(Line Mixer)가 사용되는 것으로 설명한다.The second
제2 처리수 열교환기(1780)는 제2 처리수 공급 라인(1720) 상에서 제2 가스 처리 장치(1200)로 공급되는 제2 처리수(L2)의 온도를 저하시켜서 설정된 기준 온도로 유지시킴으로써 제2 가스 처리 장치(1200)에서의 탄산나트륨 생성 반응 효율을 향상시킨다. 제2 처리수 열교환기(1780)는 제2 처리수 저장조(1710)에서 배출되는 제2 처리수(L2)를 냉수와 열교환시킨다. 제2 처리수 열교환기(1780)는 제2 처리수 공급 라인(1720)에서 제2 약품 혼합기(1722)보다 상류에 위치한다.The second treated water heat exchanger 1780 lowers the temperature of the second treated water (L2) supplied to the second
고액 분리 필터(1800)는 제1 처리수 저장조(1610)로부터 배출되는 제1 처리수(L1)에서 중탄산나트륨을 포함하는 고체 성분을 분리한다. 고액 분리 필터(1800)는 통상적인 구성의 고액 분리기일 수 있다. 고액 분리 필터(1800)에 의해 제1 처리수 저장조(1610)로부터 배출되는 제1 처리수(L1)에서 분리된 고체 성분은 중탄산나트륨 케이크(cake)를 형성한다. 고액 분리 필터(1800)에 의해 제조된 중탄산나트륨은 소각장 또는 배연가스 속에 포함된 산성가스를 제거하는 용도로 사용될 수 있다. 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 탄산나트륨을 포함하는 액체 성분의 용액은 약품 회수조(1900)로 공급되어서 저장된다.The solid-
약품 회수조(1900)는 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 액체 성분의 용액을 저장한다. 약품 회수조(1900)에 저장되는 용액은 제1 약품인 탄산나트륨 수용액을 함유한다. 약품 회수조(1900)에 저장된 탄산나트륨을 함유하는 용액은 제1 처리수 저장조(1610)로 공급된다.The
이제, 도 2 및 도 3을 참조하여, 제1 가스 처리 장치(1100)와 제2 가스 처리 장치(1200)의 작동 과정을 설명하면 다음과 같다. 도 3에는 배기가스에 대한 처리가 진행되기 전의 상태로서 가스 유동 팬(도 1의 1050)이 작동하지 않는 경우의 제1 가스 처리 장치(1100)와 제2 가스 처리 장치(1200)의 상태가 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 제1 가스 처리 장치(1100)의 제1A 가스 처리 유닛(1140)에서 제1 처리수(L1)의 수위는 제1A 가스 분사노즐(1145)의 분사구가 위치하는 끝단보다 아래에 위치하고, 제1 가스 처리 장치(1100)의 제1B 가스 처리 유닛(1160)에서 제1 처리수(L1)의 수위는 제1B 가스 분사노즐(1165)의 분사구가 위치하는 끝단보다 아래에 위치하여, 제1 처리수(L1)는 제1A 가스 분사노즐(1145) 및 제1B 가스 분사노즐(1165)을 통해 아래로 새지 않는다. 또한, 제2 가스 처리 장치(1200)의 제2 가스 처리 유닛(1240)에서 제2 처리수(L2)의 수위는 제2 가스 분사노즐(1245)의 분사구가 위치하는 끝단보다 아래에 위치하여, 제2 처리수(L2)는 제2 가스 분사노즐(1245)을 통해 아래로 새지 않는다.Now, with reference to FIGS. 2 and 3 , the operation process of the first
도 3에 도시된 상태에서 가스 유동 팬(도 1의 1050)이 작동하면, 제2 가스 처리 장치(1200)에서 제2 가스 분사노즐(1245)을 통해 제2 하부 공간(1241)의 가스가 제2 상부 공간(1243)으로 분사되며, 제2 가스 처리 장치(1200)와 연통되는 제1 가스 처리 장치(1100)에서 제1B 가스 분사노즐(1165)을 통해 제1B 하부 공간(1161)의 가스가 제1B 상부 공간(1163)으로 분사되고, 제1A 가스 분사노즐(1145)을 통해 제1A 하부 공간(1141)의 가스가 제1A 상부 공간(1143)으로 분사된다. 이 상태에서 제1 처리수 공급부(도 1의 1600)와 제2 처리수 공급부(도 1의 1700)가 작동하여, 제1 처리수(L1)가 제1 가스 처리 장치(1100)로 공급되고 제2 처리수(L2)가 제2 가스 처리 장치(1200)로 공급되면, 도 2에 도시된 바와 같이 제1 가스 처리 장치(1100)의 제1A 상부 공간(1143)과 제1B 상부 공간(1163) 각각에서 제1 처리수(L1)의 수위가 마이크로버블(B11, B12)이 형성될 수 있을 정도로 충분히 높아지고, 제2 가스 처리 장치(1200)의 제2 상부 공간(1243)에서 제2 처리수(L2)의 수위가 마이크로버블(B2)이 형성될 수 있을 정도로 충분히 높아진다. 제1 가스 처리 장치(1100)의 제1A 상부 공간(1143) 및 제1B 상부 공간(1163) 각각에서 제1 처리수(L1)의 수위는 제1A 수위 조절부(1150) 및 제1B 수위 조절부(1170)에 의해 적절히 유지되고, 제2 가스 처리 장치(1200)의 제2 상부 공간(1243)에서 제2 처리수(L2)의 수위는 제2 수위 조절부(1250)에 의해 적절히 유지된다.When the gas flow fan (1050 in FIG. 1) operates in the state shown in FIG. 3, the gas in the second
도 4에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기가스 처리 설비의 개략적인 구성이 도시되어 있다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기가스 처리 설비(2000)는 처리대상 배기가스(G0)에 포함된 이산화탄소(CO2)를 제거하면서 중탄산나트륨(NaHCO3)를 효율적으로 제조하는 설비로서, 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성하는 가스 유동 팬(1050)과, 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 처리대상 배기가스(G0)를 제1 처리수(L1)를 이용하여 처리하는 제1 가스 처리 장치(2100)와, 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(2100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)를 제2 처리수(L2)를 이용하여 처리하는 제2 가스 처리 장치(2200)와, 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(2200)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)에서 액체 성분을 분리하는 기액 분리기(1500)와, 제1 가스 처리 장치(2100)로 제1 처리수(L1)를 공급하는 제1 처리수 공급부(2600)와, 제2 가스 처리 장치(2200)로 제2 처리수(L2)를 공급하는 제2 처리수 공급부(2700)와, 제2 처리수(L2)에서 중탄산나트륨을 포함하는 고체 성분을 분리하는 고액 분리 필터(1800)와, 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 액체 성분이 저장되는 약품 회수조(2900)를 포함한다.Figure 4 shows a schematic configuration of an exhaust gas treatment facility according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, an exhaust
가스 유동 팬(1050)은 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성한다. 가스 유동 팬(1050)의 구성 및 작용은 도 1의 실시예에서 설명된 가스 유동 팬(1050)과 동일하므로, 여기서 이에 대한 상세한 설명은 생략된다.
제1 가스 처리 장치(2100)는 가스 유동 라인 상에 설치되어서 처리대상 배기가스(G0)를 제1 처리수(L1)를 이용하여 처리한다. 처리대상 배기가스(G0)는 가스 유동 팬(1050)의 작동에 의해 제1 가스 처리 장치(2100)로 유입되어서 처리된 후 1차 처리 가스(G1)으로서 제1 가스 처리 장치(2100)로부터 배출된다. 제1 가스 처리 장치(2100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)는 제2 가스 처리 장치(2200)로 유입된다. 제1 가스 처리 장치(2100)에서 처리대상 배기가스(G0)의 처리에 사용되는 제1 처리수(L1)는 제1 약품인 수산화나트륨(NaOH)을 포함하는 수산화나트륨 수용액이다. 제1 가스 처리 장치(2100)는 수산화나트륨을 포함하는 제1 처리수(L1)를 제1 처리수 공급부(2600)를 통해 공급받는다. 제1 가스 처리 장치(2100)는 공업용수도 공급받는다. 제1 가스 처리 장치(2100)에서는 상기된 반응식 4, 반응식 5, 반응식 6과 같은 화학 반응이 주로 일어난다. 즉, 제1 가스 처리 장치(2100)에서 이산화탄소가 제거되고 탄산나트륨(Na2CO3)이 생성된다. 제1 가스 처리 장치(2100)에서 제거되지 않은 이산화탄소는 1차 처리 가스(G1)에 포함되어서 제2 가스 처리 장치(2200)로 유입된다. 제1 가스 처리 장치(2100)에서는 처리대상 배기가스(G0)에 대한 탈진 처리 및 잡산성가스 제거 기능도 수행된다. 제1 가스 처리 장치(2100)의 구체적인 구성은 도 2의 실시예에서 설명된 제1 가스 처리 장치(1100)의 구성과 대체로 동일하므로, 여기서 이에 대한 상세한 설명은 생략된다.The first
제2 가스 처리 장치(2200)는 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(2100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)를 제2 처리수(L2)를 이용하여 처리한다. 제2 가스 처리 장치(2100)로부터 배출되는 1차 처리 가스(G1)는 가스 유동 팬(1050)의 작동에 의해 제2 가스 처리 장치(2200)로 유입되어서 처리된 후 2차 처리 가스(G2)으로서 제2 가스 처리 장치(2200)로부터 배출된다. 제2 가스 처리 장치(2200)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)는 기액 분리기(1500)로 유입된다. 제2 가스 처리 장치(2200)에서 1차 처리 가스(G1)의 처리에 사용되는 제2 처리수(L2)는 제2 약품인 탄산나트륨(Na2CO3)을 포함하는 탄산나트륨 수용액이다. 제2 가스 처리 장치(2200)는 탄산나트륨을 포함하는 제2 처리수(L2)를 제2 처리수 공급부(2700)를 통해 공급받는다. 제2 가스 처리 장치(2200)는 공업용수도 공급받는다. 제2 가스 처리 장치(2200)에서는 상기된 반응식 1, 반응식 2, 반응식 3과 같은 화학 반응이 주로 일어난다. 즉, 제2 가스 처리 장치(2200)에서 이산화탄소가 제거되고 중탄산나트륨(NaHCO3)이 생성된다. 제2 가스 처리 장치(2200)에서는 1차 처리 가스(G1)에 대한 탈진 처리 및 잡산성가스 제거 기능도 수행된다. 제2 가스 처리 장치(2200)의 구체적인 구성은 도 2의 실시예에서 설명된 제2 가스 처리 장치(1200)의 구성과 대체로 동일하므로, 여기서 이에 대한 상세한 설명은 생략된다.The second
기액 분리기(1500)는 상기 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(2200)로부터 배출되는 2차 처리 가스(G2)에서 액체 성분을 분리한다. 기액 분리기(1500)에서 분리된 액체 성분은 제2 처리수 공급부(2700)로 공급된다. 본 실시예에서 기액 분리기(1500)는 가스 유동 팬(1050)보다 상류에 위치하는 것으로 설명한다.The gas-
제1 처리수 공급부(2600)는 제1 약품인 수산화나트륨(NaOH)을 수용액으로서 포함하는 제1 처리수(L1)를 제1 가스 처리 장치(2100)로 순환 공급한다. 제1 처리수 공급부(2600)는 제1 처리수(L1)가 저장되는 제1 처리수 저장조(2610)와, 제1 약품인 수산화나트륨을 수용액으로 저장하는 제1 약품 저장조(2650)와, 제1 가스 처리 장치(2100)로 공급되는 제1 처리수(L1)의 온도를 설정된 기준 온도로 조절하는 제1 처리수 열교환기(2680)를 구비한다.The first treated
제1 처리수 저장조(2610)는 제1 가스 처리 장치(2100)로부터 배출되는 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1 처리수 저장조(2610)에서 제1 처리수(L1)는 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 본 실시예에서 제1 처리수(L1)의 설정된 기준 수소이온농도의 범위는 9.5 내지 13pH이며, 설정된 기준 온도 범위는 45 내지 60℃인 것으로 설명한다. 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 제1 처리수(L1)는 제1 처리수 공급 라인(2620)을 통해 제1 가스 처리 장치(2100)로 공급된다. 제1 처리수 저장조(2610)에는 공업용수가 공급될 수 있다. 제1 처리수 저장조(2610)에 저장되는 제1 처리수(L1)가 제1 가스 처리 장치(2100)로 순환 공급됨에 따라 제1 처리수(L1)에서 생성되는 탄산나트륨의 함량은 높아져서, 제1 처리수(L1)는 최종적으로 탄산나트륨 수용액이 되며, 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 탄산나트륨 수용액의 제1 처리수(L1)는 제2 처리수 공급부(2700)로 공급된다. 또한, 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 제1 처리수(L1)에는 제1 가스 처리 장치(2100)로부터 배출되는 마이크로버블이 포함되어서, 제1 처리수 저장조(2610)에서도 이산화탄소와 수산화나트륨이 반응하여 탄산나트륨이 생성될 수 있다. 제1 처리수 저장조(2610)는 제1 가스 처리 장치(1100)에 결합되어서 일체로 형성될 수도 있다.The first treated
제1 약품 저장조(2650)는 제1 약품인 수산화나트륨을 수용액으로 저장한다. 제1 약품 저장조(2650)에 저장된 수산화나트륨 수용액은 제1 처리수 공급 라인(2620) 상에 설치되는 제1 약품 혼합기(2622)로 공급되어서, 제1 처리수(L1)에 제1 약품인 수산화나트륨이 추가된다. 제1 약품 혼합기(2622)에서 제1 처리수 공급 라인(2620)을 따라 유동하는 제1 처리수(L1)에 제1 약품인 수산화나트륨 수용액이 균일하게 혼합되어서, 반응성이 향상된다. 본 실시예에서는 제1 약품 혼합기(2622)로 라인 믹서(Line Mixer)가 사용되는 것으로 설명한다.The first
제1 처리수 열교환기(2680)는 제1 처리수 공급 라인(2620) 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(2100)로 공급되는 제1 처리수(L1)의 온도를 저하시켜서 설정된 기준 온도로 유지시킴으로써 제1 가스 처리 장치(2100)에서의 탄산나트륨 생성 반응 효율을 향상시킨다. 제1 처리수 열교환기(2680)는 제1 처리수 저장조(2610)에서 배출되는 제1 처리수(L1)를 냉수와 열교환시킨다. 제1 처리수 열교환기(2680)는 제1 처리수 공급 라인(2620)에서 제1 약품 저장조(2650)에 의해 수산화나트륨 수용액이 공급되는 지점보다 상류에 위치한다.The first treated
제2 처리수 공급부(2700)는 제2 약품인 탄산나트륨(Na2CO3)을 수용액으로서 포함하는 제2 처리수(L2)를 제2 가스 처리 장치(2200)로 공급한다. 제2 처리수 공급부(2700)는 제2 처리수(L2)가 저장되는 제2 처리수 저장조(2710)와, 제2 약품인 탄산나트륨을 수용액으로 저장하는 제2 약품 저장조(2750)와, 제2 가스 처리 장치(2200)로 공급되는 제2 처리수(L2)의 온도를 설정된 기준 온도로 조절하는 제2 처리수 열교환기(2780)를 구비한다.The second treated
제2 처리수 저장조(2710)는 제2 가스 처리 장치(2200)로부터 배출되는 제2 처리수(L2)와 제1 처리수 저장조(2610)로부터 배출되는 탄산나트륨 수용액이 저장된다. 본 실시예에서 제1 처리수 저장조(2610)로부터 배출되는 탄산나트륨 수용액의 제2 처리수 저장조(2710)로의 공급은 자중에 의한 자연 배출을 이용하는 것으로 설명한다. 제2 처리수 저장조(2710)에서 제2 처리수(L2)는 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 본 실시예에서 제2 처리수(L2)의 설정된 기준 수소이온농도의 범위는 9.5 내지 12pH이며, 설정된 기준 온도 범위는 10 내지 25℃인 것으로 설명한다. 제2 처리수 저장조(2710)에는 기액 분리기(1500)로부터 배출되는 탄산나트륨을 함유하는 액체 성분도 저장된다. 제2 처리수 저장조(2710)에 저장된 제2 처리수(L2)는 제2 처리수 공급 라인(2720)을 통해 제2 가스 처리 장치(2200)로 공급된다. 제2 처리수 저장조(2710)에는 공업용수가 공급될 수 있다. 제2 처리수 저장조(2710)에 저장되는 제2 처리수(L2)가 제2 가스 처리 장치(2200)로 순환 공급됨에 따라 제2 처리수(L2)에서 생성되는 중탄산나트륨의 함량은 높아진다. 또한, 제2 처리수 저장조(2710)에 저장된 제2 처리수(L2)에는 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출되는 마이크로버블이 포함되어서, 제2 처리수 저장조(2710)에서도 이산화탄소와 탄산나트륨이 반응하여 중탄산나트륨이 생성될 수 있다. 제2 처리수 저장조(2710)는 제2 가스 처리 장치(2200)에 결합되어서 일체로 형성될 수도 있다. 제2 처리수 저장조(2710)에 저장된 중탄산나트륨을 포함하는 제2 처리수(L2)는 고액 분리 필터(1800)로 공급된다. The second treated
제2 약품 저장조(2750)는 제2 약품인 탄산나트륨을 수용액으로 저장한다. 제2 약품 저장조(2750)에 저장된 탄산나트륨 수용액은 제2 처리수 공급 라인(2720) 상에 설치되는 제2 약품 혼합기(2722)로 공급되어서, 제2 처리수(L2)에 제2 약품인 탄산나트륨이 추가된다. 제2 약품 혼합기(2622)에서 제2 처리수 공급 라인(2720)을 따라 유동하는 제2 처리수(L2)에 제2 약품인 탄산나트륨 수용액이 균일하게 혼합되어서, 반응성이 향상된다. 본 실시예에서는 제2 약품 혼합기(2722)로 라인 믹서(Line Mixer)가 사용되는 것으로 설명한다. 제2 약품 저장조(2750)에 의한 탄산나트륨 수용액의 공급은 배기가스 처리 설비(2000)의 운전 초기에만 수행될 수 있으며, 이후에는 제1 가스 처리 장치(2100)에서 생성되는 탄산나트륨만 활용될 수 있다.The second
제2 처리수 열교환기(2780)는 제2 처리수 공급 라인(2720) 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(2200)로 공급되는 제2 처리수(L2)의 온도를 저하시켜서 설정된 기준 온도로 유지시킴으로써 제2 가스 처리 장치(2200)에서의 중탄산나트륨 생성 반응 효율을 향상시킨다. 제2 처리수 열교환기(2780)는 제2 처리수 저장조(2710)에서 배출되는 제2 처리수(L2)를 냉수와 열교환시킨다. 제2 처리수 열교환기(2780)는 제2 처리수 공급 라인(2720)에서 제2 약품 저장조(2750)에 의해 탄산나트륨 수용액이 공급되는 지점보다 상류에 위치한다.The second treated
고액 분리 필터(1800)는 제2 처리수 저장조(2710)로부터 배출되는 제2 처리수(L2)에서 중탄산나트륨을 포함하는 고체 성분을 분리한다. 고액 분리 필터(1800)는 통상적인 구성의 고액 분리기일 수 있다. 고액 분리 필터(1800)의 구성 및 작용은 도 1에 도시된 실시예의 고액 분리 필터(1800)와 동일하므로 여기서 이에 대한 상세한 설명은 생략된다.The solid-
약품 회수조(2900)는 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 액체 성분의 용액을 저장한다. 약품 회수조(2900)에 저장되는 용액은 제1 약품인 탄산나트륨을 함유한다. 약품 회수조(2900)에 저장된 탄산나트륨을 함유하는 용액은 제2 처리수 저장조(2710)로 공급된다.The
도 5에는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배기가스 처리 설비의 개략적인 구성이 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배기가스 처리 설비(3000)는 처리대상 배기가스(G0)에 포함된 이산화탄소(CO2)를 제거하면서 중탄산나트륨(NaHCO3)를 효율적으로 제조하는 설비로서, 제1 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성하는 제1 가스 유동 팬(1050a)과, 제2 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성하는 제2 가스 유동 팬(1050b)과, 상기 제1 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 처리대상 배기가스(G01)를 제1 처리수(L1)를 이용하여 처리하는 제1 가스 처리 장치(3100)와, 상기 제2 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 처리대상 배기가스(G02)를 제2 처리수(L2)를 이용하여 처리하는 제2 가스 처리 장치(3200)와, 상기 제1 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(3100)로부터 배출되는 제1 처리 가스(G1)에서 액체 성분을 분리하는 제1 기액 분리기(1500a)와, 상기 제2 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출되는 제2 처리 가스(G2)에서 액체 성분을 분리하는 제2 기액 분리기(1500b)와, 제1 가스 처리 장치(3100)로 제1 처리수(L1)를 공급하는 제1 처리수 공급부(2600)와, 제2 가스 처리 장치(3200)로 제2 처리수(L2)를 공급하는 제2 처리수 공급부(2700)와, 제2 처리수(L2)에서 중탄산나트륨을 포함하는 고체 성분을 분리하는 고액 분리 필터(1800)와, 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 액체 성분이 저장되는 약품 회수조(1900)를 포함한다.Figure 5 shows a schematic configuration of an exhaust gas treatment facility according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, an exhaust
제1 가스 유동 팬(1050a)은 제1 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성한다. 본 실시예에서는 제1 가스 유동 팬(1050a)이 제1 가스 유동 라인 상에서 제1 가스 처리 장치(3100)의 하류에 위치하는 것으로 설명하지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 제1 가스 유동 팬(1050a)은 제1 가스 처리 장치(3100)의 상류에 위치할 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 제1 가스 유동 팬(1050a)의 작동에 의해 가스가 제1 가스 처리 장치(3100), 제1 기액 분리기(1500a)를 차례대로 거쳐서 유동하게 된다.The first
제2 가스 유동 팬(1050b)은 제2 가스 유동 라인 상에서 가스에 유동 압력을 형성한다. 본 실시예에서는 제2 가스 유동 팬(1050b)이 제2 가스 유동 라인 상에서 제2 가스 처리 장치(3200)의 하류에 위치하는 것으로 설명하지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 제2 가스 유동 팬(1050b)은 제2 가스 처리 장치(3200)의 상류에 위치할 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 제2 가스 유동 팬(1050b)의 작동에 의해 가스가 제2 가스 처리 장치(3200), 제2 기액 분리기(1500b)를 차례대로 거쳐서 유동하게 된다.The second
제1 가스 처리 장치(3100)는 제1 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 처리대상 배기가스(G01)를 제1 처리수(L1)를 이용하여 처리한다. 제1 처리대상 배기가스(G01)는 제1 가스 유동 팬(1050a)의 작동에 의해 제1 가스 처리 장치(3100)로 유입되어서 처리된 후 제1 처리 가스(G1)로서 제1 가스 처리 장치(3100)로부터 배출된다. 제1 가스 처리 장치(3100)로부터 배출되는 제1 처리 가스(G1)는 제1 기액 분리기(1500a)로 유입된다. 제1 가스 처리 장치(3100)에서 제1 처리대상 배기가스(G01)의 처리에 사용되는 제1 처리수(L1)는 제1 약품인 수산화나트륨(NaOH)을 포함하는 수산화나트륨 수용액이다. 제1 가스 처리 장치(3100)는 수산화나트륨을 포함하는 제1 처리수(L1)를 제1 처리수 공급부(2600)를 통해 공급받는다. 제1 가스 처리 장치(3100)는 공업용수도 공급받는다. 제1 가스 처리 장치(3100)에서는 상기된 반응식 4, 반응식 5, 반응식 6과 같은 화학 반응이 주로 일어난다. 즉, 제1 가스 처리 장치(3100)에서 이산화탄소가 제거되고 탄산나트륨(Na2CO3)이 생성된다. 탄산나트륨이 생성되는 이러한 반응은 발열 반응으로서, 높은 반응 효율을 유지하기 위하여 제1 처리수(L1)은 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 본 실시예에서 제1 처리수(L1)의 설정된 기준 수소이온농도의 범위는 9.5 내지 13pH이며, 설정된 기준 온도 범위는 45 내지 60℃인 것으로 설명한다. 제1 가스 처리 장치(3100)에서는 제1 처리대상 배기가스(G01)에 대한 탈진 처리 및 잡산성가스 제거 기능도 수행된다.The first
제1 가스 처리 장치(3100)의 구조가 구체적으로 도시된 도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 가스 처리 장치(3100)는 제1 처리대상 배기가스(G01)와 제1 처리수(L1)가 유입되는 제1 도입부(3110)와, 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제1 도입부(3110)로부터 배출되는 가스(G11)를 처리하는 제1 마이크로버블 처리부(3130)와, 제1 도입부(3110)와 제1 마이크로버블 처리부(3130)를 연통시키는 제1 연결 통로(3190)를 구비한다.Referring to Figures 6 and 7, which specifically show the structure of the first
제1 도입부(3110)로 제1 처리대상 배기가스(G01)와 제1 처리수(L1)가 유입된다. 제1 도입부(3110)는 내부에 형성되는 제1 도입 공간(3111)을 제공한다. 제1 도입 공간(3111)은 제1 통로부(3190)에 의해 제1 마이크로버블 처리부(3130)와 연통된다. 제1 도입 공간(3111)의 상단에는 제1 흡기구(3113)가 위치하며, 제1 도입 공간(3111)의 하단에는 제1 도입공간 배수구(3115)가 위치한다. 제1 흡기구(3113)를 통해서 제1 처리대상 배기가스(G01)가 제1 도입 공간(3111)으로 유입된다. 제1 도입공간 배수구(3115)를 통해서 배수가 이루어진다. 제1 도입 공간(3111)은 제1 흡기구(3113)보다 낮고 제1 도입공간 배수구(3115)보다 높은 위치에서 제3 연결 통로부(3190)와 연통된다.The first exhaust gas to be treated (G01) and the first treated water (L1) are introduced into the
제1 도입 공간(3111)에서 제1 흡기구(3113)와 제1 도입공간 배수구(3115)의 사이에는 제1 수조(3117), 제1A 수류관(3119), 제1A 확산판(3121), 제1B 수류관(3123), 제1B 확산판(3125), 제1 처리수 도입부 공급 수단(3126)이 설치된다.In the first introduction space 3111, between the
제1 수조(3117)는 제1 도입 공간(3111)에서 제1 흡기구(3113)의 아래에 인접하여 위치한다. 제1 수조(3117)에는 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)가 일시 저장된다. 제1 수조(3117)에는 제1 도입 공간(3111)으로 유입되는 공업용수도 일시 저장될 수 있다. 제1 수조(3117)로부터 흘러 넘치는 제1 처리수(L1)는 제1A 수류관(3119)을 통해 아래로 유동한다.The
제1A 수류관(3119)은 제1 도입 공간(3111)에서 제1 수조(3117)의 아래에 위치한다. 제1A 수류관(3119)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제1A 수류관(3119)의 하단에는 제1 처리수(L1)과 가스를 아래로 배출하는 제1A 수류관 배출구(3120)가 형성된다. 제1A 수류관(3119)을 따라서 가스와 제1 처리수(L1)가 제1A 수류관 배출구(3120)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수(L1)에 포함된 수산화나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 1A
제1A 확산판(3121)은 제1 도입 공간(3111)에서 제1A 수류관 배출구(3120)의 아래에 위치한다. 제1A 확산판(3121)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제1A 수류관 배출구(3120)으로부터 배출되는 제1 처리수(L1)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The
제1B 수류관(3123)은 제1 도입 공간(3111)에서 제1A 확산판(3121)의 아래에 위치한다. 제1B 수류관(3123)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제1B 수류관(3123)의 하단에는 제1 처리수(L1)와 가스를 아래로 배출하는 제1B 수류관 배출구(3124)가 형성된다. 제1B 수류관(3123)을 따라서 가스와 제1 처리수(L1)가 제1B 수류관 배출구(3124)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제1 처리수(L1)에 포함된 수산화나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 1B
제1B 확산판(3125)은 제1 도입 공간(3111)에서 제1B 수류관 배출구(3124)의 아래에 위치한다. 제1B 확산판(3125)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제1B 수류관 배출구(3124)으로부터 배출되는 제1 처리수(L1)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The
제1 처리수 도입부 공급 수단(3126)은 제1 도입 공간(3111)에 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)를 공급한다. 제1 처리수 도입부 공급 수단(3126)은 제1 수조(3117)의 위에 위치하여 제1 처리수(L1)를 제1 수조(3117)로 공급한다.The first treated water introduction unit supply means 3126 supplies the first treated water L1 supplied from the first treated water supply unit (2600 in FIG. 5) to the first introduction space 3111. The first treated water inlet supply means 3126 is located above the
제1 마이크로버블 처리부(3130)는 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제1 도입부(3110)로부터 배출되는 가스(G11)를 처리한다. 제1 마이크로버블 처리부(3130)는 내부에 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)을 제공한다. 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)은 제1 연결 통로(3190)를 통해 제1 도입 공간(3111)과 연통된다. 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)의 상단에는 제1 배기구(3132)가 위치하며, 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)의 하단에는 제1 처리공간 배수구(3133)가 위치한다. 제1 배기구(3132)를 통해서 제1 마이크로버블 처리 공간(3131) 내부의 가스가 배출된다. 제1 처리공간 배수구(3133)를 통해서 배수가 이루어진다. 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)은 제1 배기구(3132)보다 낮고 제1 처리공간 배수구(3133)보다 높은 위치에서 제1 연결 통로(3190)와 연통된다.The first
제1 마이크로버블 처리 공간(3131)에는 제1 연결 통로(3190)와 제1 배기구(3132)의 사이에 배치되는 제1 가스 처리 유닛(3140)이 구비된다. 제1 연결 통로(3190)를 통해 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)으로 유입된 가스(G11)는 위로 상승하여 제1 가스 처리 유닛(3140)을 차례대로 통과한다.The first microbubble processing space 3131 is provided with a first
제1 가스 처리 유닛(3140)은 제1 바닥판(3142)과, 제1 바닥판(3142)에 설치되는 제1 아토마이징부(3144)와, 제1 수위 조절부(3150)와, 제1 처리수 반응부 공급 수단(3157)을 구비한다.The first
제1 바닥판(3142)은 판상으로서 제1 가스 처리 유닛(3140)의 내부 공간에서 대체로 수평으로 설치되고, 제1 연결 통로(3190)보다 위에 위치한다. 제1 가스 처리 유닛(3140)의 내부 공간은 제1 바닥판(3142)을 사이에 두고 제1 하부 공간(3141)과 제1 상부 공간(3143)으로 분리되는데, 제1 상부 공간(3141)에 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1 바닥판(3142)에 제1 아토마이징부(3144)가 설치된다.The
제1 아토마이징부(3144)는 제1 하부 공간(3141)에 존재하는 가스(G11)를 제1 처리수(L1)가 저장된 제1 상부 공간(3143)으로 분사한다. 제1 아토마이징부(3144)에 의해 분사된 가스(G11)는 제1 처리수(L3) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B1)을 형성한다. 제1 아토마이징부(3144)는 제1 상부 공간(3143)으로 가스(G11)를 분사하는 제1 가스 분사노즐(3145)과, 제1 가스 분사노즐(3145)의 끝에 위치하는 제1 충돌판(3146)을 구비한다. 제1 아토마이징부(3146)에 의해 형성된 마이크로 버블(B1)로 인해 제1 상부 공간(3143)에서 가스와 제1 처리수(L1) 사이의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B1)은 제1 처리수(L1) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제1 상부 공간(3143)에서 가스(G11)에 포함된 처리대상 성분인 이산화탄소와 제1 처리수(L1)에 포함된 수산화나트륨의 반응 효율이 현저하게 높아져서, 이산화탄소 제거 및 탄산나트륨의 생성 효율도 현저하게 향상된다.The
제1 가스 분사노즐(3145)은 제1 바닥판(3142)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제1 상부 공간(3143)에 위치한다. 제1 가스 분사노즐(3145)에 의해 제1 하부 공간(3141)의 가스(G11)가 제1 상부 공간(3143)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제1 가스 분사노즐(3145)에는 가스가 제1 가스 분사노즐(3145)을 따라 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 분사구가 형성된 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제1 가스 분사노즐(3145)의 끝단에는 제1 충돌판(3146)이 인접하여 위치한다.The first
제1 충돌판(3146)은 제1 가스 분사노즐(3145)의 끝단 위에 인접하도록 제1 상부 공간(3143)에 위치한다. 제1 처리수(L1)에 잠긴 제1 충돌판(3146)에 제1 가스 분사노즐(3145)로부터 분사되는 가스(G11)가 강하게 충돌하여 마이크로 버블(B1)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제1 충돌판(3146)이 도시된 바와 같이 제1 하부 충돌판(3147)과 제1 상부 충돌판(3148)이 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제1 상부 충돌판(3148)이 아래에 위치하는 제1 하부 충돌판(3147)의 전체를 덮도록 더 크며, 제1 상부 충돌판(3148) 사이에 적어도 하나의 제1 통로(3149)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제1 충돌판(3146)의 설치 높이가 가변되어서 제1 가스 분사노즐(3145)과의 거리가 조절될 수 있다.The
제1 수위 조절부(3150)는 제1 상부 공간(3143)의 측면에 위치하며, 제1 상부 공간(3143)에서 오버플로우를 통해 제1 처리수(L1)의 수위를 조절한다. 제1 수위 조절부(3150)는 제1 상부 공간(3143)의 측벽에 형성된 제1 수위조절 개구부(3151)을 통해 제1 상부 공간(3143)과 연통되는 제1 수위조절 수조(3152)를 구비한다. 제1 수위조절 개구부(3151)는 제1 상부 공간(3143)에서 제1 처리수(L1)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제1 수위조절 수조(3152)에는 제1 상부 공간(3143)에서 오버플로우된 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1 수위조절 수조(3152)에 저장된 제1 처리수(L1)는 배출되어서 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로 공급된다. 제1 수위조절 수조(3152)에서 배출되어서 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로 공급되는 용액은 생성된 탄산나트륨과 미반응 수산화나트륨을 함유한다.The first water
제1 처리수 반응부 공급 수단(3157)은 제1 상부 공간(3143)에 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로부터 공급되는 제1 처리수(L1)를 공급한다.The first treated water reaction unit supply means 3157 supplies the first treated water L1 supplied from the first treated water supply unit (2600 in FIG. 5) to the first
상기 실시예에서는 제1 마이크로버블 처리부(3130)가 하나의 제1 가스 처리 유닛(3140)을 구비하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 높이방향을 따라서 복수 개가 직렬로 연속적으로 배치될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.In the above embodiment, the first
제1 도입공간 배수구(3115)와 제1 처리공간 배수구(3133)를 통해 각각 배출되는 제1 처리수(L1)는 생성된 탄산나트륨과 미반응 수산화나트륨을 함유하며, 제1 처리수 공급부(도 5의 2600)로 공급된다.The first treated water (L1) discharged through the first
제1 연결 통로(3190)는 제1 도입부(3110)의 제1 도입 공간(3111)과 제1 마이크로버블 처리부(3130)의 제1 마이크로버블 처리 공간(3131)을 연통시킨다. 제1 연결 통로(3190)는 제1 흡기구(3113)와 제1 배기구(3132)보다 아래에 위치하고, 제1 도입공간 배수구(3115)와 제1 처리공간 배수구(3133)보다 위에 위치한다.The
도 5를 참조하면, 제2 가스 처리 장치(3200)는 상기 제2 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 처리대상 배기가스(G02)를 제2 처리수(L2)를 이용하여 처리한다. 제2 처리대상 배기가스(G02)는 제2 가스 유동 팬(1050b)의 작동에 의해 제2 가스 처리 장치(3200)로 유입되어서 처리된 후 제2 처리 가스(G2)로서 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출된다. 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출되는 제2 처리 가스(G2)는 제2 기액 분리기(1500b)로 유입된다. 제2 가스 처리 장치(3200)에서 제2 처리대상 배기가스(G02)의 처리에 사용되는 제2 처리수(L2)는 제2 약품인 탄산나트륨(Na2CO3)을 포함하는 탄산나트륨 수용액이다. 제2 가스 처리 장치(3200)는 탄산나트륨을 포함하는 제2 처리수(L2)를 제2 처리수 공급부(2700)를 통해 공급받는다. 제2 가스 처리 장치(3200)는 공업용수도 공급받는다. 제2 가스 처리 장치(3200)에서는 상기 반응식 1, 반응식 2, 반응식 3과 같은 화학 반응이 주로 일어난다. 즉, 제2 가스 처리 장치(3200)에서 이산화탄소가 제거되고 중탄산나트륨(NaHCO3)이 생성된다. 중탄산나트륨이 생성되는 이러한 반응은 발열 반응으로서, 높은 반응 효율을 유지하기 위하여 제2 처리수(L2)은 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 본 실시예에서 제2 처리수(L2)의 설정된 기준 수소이온농도의 범위는 9.5 내지 12pH이며, 설정된 기준 온도 범위는 10 내지 25℃인 것으로 설명한다. 제2 가스 처리 장치(3200)에서는 제2 처리대상 배기가스(G02)에 대한 탈진 처리 및 잡산성가스 제거 기능도 수행된다.Referring to FIG. 5, the second
제2 가스 처리 장치(3200)의 구조가 구체적으로 도시된 도 8 및 도 9를 참조하면, 제2 가스 처리 장치(3200)는 제2 처리대상 배기가스(G02)와 제2 처리수(L2)가 유입되는 제2 도입부(3210)와, 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제2 도입부(3210)로부터 배출되는 가스(G21)를 처리하는 제2 마이크로버블 처리부(3230)와, 제2 도입부(3210)와 제2 마이크로버블 처리부(3230)를 연통시키는 제2 연결 통로(3290)를 구비한다.Referring to FIGS. 8 and 9 , which specifically show the structure of the second
제2 도입부(3210)로 제2 처리대상 배기가스(G02)와 제2 처리수(L2)가 유입된다. 제2 도입부(3210)는 내부에 형성되는 제2 도입 공간(3211)을 제공한다. 제2 도입 공간(3211)은 제2 통로부(3290)에 의해 제2 마이크로버블 처리부(3230)와 연통된다. 제2 도입 공간(3211)의 상단에는 제2 흡기구(3213)가 위치하며, 제2 도입 공간(3211)의 하단에는 제2 도입공간 배수구(3215)가 위치한다. 제2 흡기구(3213)를 통해서 제2 처리대상 배기가스(G02)가 제2 도입 공간(3211)으로 유입된다. 제2 도입공간 배수구(3215)를 통해서 배수가 이루어진다. 제2 도입 공간(3211)은 제2 흡기구(3213)보다 낮고 제2 도입공간 배수구(3215)보다 높은 위치에서 제2 연결 통로부(3290)와 연통된다.The second exhaust gas to be treated (G02) and the second treated water (L2) are introduced into the
제2 도입 공간(3211)에서 제2 흡기구(3213)와 제2 도입공간 배수구(3215)의 사이에는 제2 수조(3217), 제2A 수류관(3219), 제2A 확산판(3221), 제2B 수류관(3223), 제2B 확산판(3225), 제2 처리수 도입부 공급 수단(3226)이 설치된다.In the
제2 수조(3217)는 제2 도입 공간(3211)에서 제2 흡기구(3213)의 아래에 인접하여 위치한다. 제2 수조(3217)에는 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)가 일시 저장된다. 제2 수조(3217)에는 제2 도입 공간(3211)으로 유입되는 공업용수도 일시 저장될 수 있다. 제2 수조(3217)로부터 흘러 넘치는 제2 처리수(L2)는 제2A 수류관(3219)을 통해 아래로 유동한다.The
제2A 수류관(3219)은 제2 도입 공간(3211)에서 제2 수조(3217)의 아래에 위치한다. 제2A 수류관(3219)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제2A 수류관(3219)의 하단에는 제2 처리수(L2)과 가스를 아래로 배출하는 제2A 수류관 배출구(3220)가 형성된다. 제2A 수류관(3219)을 따라서 가스와 제2 처리수(L2)가 제2A 수류관 배출구(3220)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제2 처리수(L2)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 2A
제2A 확산판(3221)은 제2 도입 공간(3211)에서 제2A 수류관 배출구(3220)의 아래에 위치한다. 제2A 확산판(3221)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제2A 수류관 배출구(3220)으로부터 배출되는 제2 처리수(L2)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The
제2B 수류관(3223)은 제2 도입 공간(3211)에서 제2A 확산판(3221)의 아래에 위치한다. 제2B 수류관(3223)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상이며, 제2B 수류관(3223)의 하단에는 제2 처리수(L2)와 가스를 아래로 배출하는 제2B 수류관 배출구(3224)가 형성된다. 제2B 수류관(3223)을 따라서 가스와 제2 처리수(L2)가 제2B 수류관 배출구(3224)를 향해 아래로 유동하면서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 가스에 포함된 이산화탄소와 제2 처리수(L2)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 향상된다. The 2B
제2B 확산판(3225)은 제2 도입 공간(3211)에서 제2B 수류관 배출구(3224)의 아래에 위치한다. 제2B 확산판(3225)은 중심으로부터 반경방향 바깥으로 갈수로 아래로 기울어지게 경사져서 제2B 수류관 배출구(3224)으로부터 배출되는 제2 처리수(L2)를 바깥쪽으로 넓게 분산시킨다.The
제2 처리수 도입부 공급 수단(3226)은 제2 도입 공간(3211)에 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)를 공급한다. 제2 처리수 도입부 공급 수단(3226)은 제2 수조(3217)의 위에 위치하여 제2 처리수(L2)를 제2 수조(3217)로 공급한다.The second treated water introduction unit supply means 3226 supplies the second treated water L2 supplied from the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5) to the
제2 마이크로버블 처리부(3230)는 마이크로버블(micro-bubble)을 활용하여 제2 도입부(3210)로부터 배출되는 가스(G21)를 처리한다. 제2 마이크로버블 처리부(3230)는 내부에 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)을 제공한다. 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)은 제2 연결 통로(3290)를 통해 제2 도입 공간(3211)과 연통된다. 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)의 상단에는 제2 배기구(3232)가 위치하며, 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)의 하단에는 제2 처리공간 배수구(3233)가 위치한다. 제2 배기구(3232)를 통해서 제2 마이크로버블 처리 공간(3231) 내부의 가스가 배출된다. 제2 처리공간 배수구(3233)를 통해서 배수가 이루어진다. 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)은 제2 배기구(3232)보다 낮고 제2 처리공간 배수구(3233)보다 높은 위치에서 제2 연결 통로(3290)와 연통된다.The second
제2 마이크로버블 처리 공간(3231)에는 제2 연결 통로(3290)와 제2 배기구(3232)의 사이에서 높이방향을 따라서 아래로부터 위로 차례대로 배치되는 제2A 가스 처리 유닛(3240)과 제2B 가스 처리 유닛(3260)이 구비된다. 제2 연결 통로(3290)를 통해 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)으로 유입된 가스(G21)는 위로 상승하여 제2A 가스 처리 유닛(3240)과 제2B 가스 처리 유닛(3260)을 차례대로 통과한다.In the second microbubble processing space 3231, a 2A
제2A 가스 처리 유닛(3240)은 제2A 바닥판(3242)과, 제2A 바닥판(3242)에 설치되는 제2A 아토마이징부(3244)와, 제2A 수위 조절부(3250)와, 제2A 처리수 반응부 공급 수단(3257)을 구비한다.The 2A
제2A 바닥판(3242)은 판상으로서 제2A 가스 처리 유닛(3240)의 내부 공간에서 대체로 수평으로 설치되고, 제2 연결 통로(3290)보다 위에 위치한다. 제2A 가스 처리 유닛(3240)의 내부 공간은 제2A 바닥판(3242)을 사이에 두고 제2A 하부 공간(3241)과 제2A 상부 공간(3243)으로 분리되는데, 제2A 상부 공간(3241)에 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)가 저장된다. 제2A 바닥판(3242)에 제2A 아토마이징부(3244)가 설치된다.The
제2A 아토마이징부(3244)는 제2A 하부 공간(3241)에 존재하는 가스(G21)를 제2 처리수(L2)가 저장된 제2A 상부 공간(3243)으로 분사한다. 제2A 아토마이징부(3244)에 의해 분사된 가스(G21)는 제2 처리수(L2) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B21)을 형성한다. 제2A 아토마이징부(3244)는 제2A 상부 공간(3243)으로 가스(G21)를 분사하는 제2A 가스 분사노즐(3245)과, 제2A 가스 분사노즐(3245)의 끝에 위치하는 제2A 충돌판(3246)을 구비한다. 제2A 아토마이징부(3246)에 의해 형성된 마이크로 버블(B21)로 인해 제2A 상부 공간(3243)에서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B21)은 제2 처리수(L2) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제2A 상부 공간(3243)에서 가스(G21)에 포함된 처리대상 성분인 이산화탄소와 제2 처리수(L2)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 현저하게 높아져서, 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨의 생성 효율도 현저하게 향상된다.The
제2A 가스 분사노즐(3245)은 제2A 바닥판(3242)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제2A 상부 공간(3243)에 위치한다. 제2A 가스 분사노즐(3245)에 의해 제2A 하부 공간(3241)의 가스(G21)가 제2A 상부 공간(3243)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제2A 가스 분사노즐(3245)에는 가스가 제2A 가스 분사노즐(3245)을 따라 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 분사구가 형성된 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제2A 가스 분사노즐(3245)의 끝단에는 제2A 충돌판(3246)이 인접하여 위치한다.The 2A
제2A 충돌판(3246)은 제2A 가스 분사노즐(3245)의 끝단 위에 인접하도록 제2A 상부 공간(3243)에 위치한다. 제2 처리수(L2)에 잠긴 제2A 충돌판(3246)에 제2A 가스 분사노즐(3245)로부터 분사되는 가스(G21)가 강하게 충돌하여 마이크로 버블(B21)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제2A 충돌판(3246)이 도시된 바와 같이 제2A 하부 충돌판(3247)과 제2A 상부 충돌판(3248)이 높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제2A 상부 충돌판(3248)이 아래에 위치하는 제2A 하부 충돌판(3247)의 전체를 덮도록 더 크며, 제2A 상부 충돌판(3248) 사이에 적어도 하나의 제2A 통로(3249)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제2A 충돌판(3246)의 설치 높이가 가변되어서 제2A 가스 분사노즐(3245)과의 거리가 조절될 수 있다.The
제2A 수위 조절부(3250)는 제2A 상부 공간(3243)의 측면에 위치하며, 제2A 상부 공간(3243)에서 오버플로우를 통해 제2 처리수(L2)의 수위를 조절한다. 제2A 수위 조절부(3250)는 제2A 상부 공간(3243)의 측벽에 형성된 제2A 수위조절 개구부(3251)을 통해 제2A 상부 공간(3243)과 연통되는 제2A 수위조절 수조(3252)를 구비한다. 제2A 수위조절 개구부(3251)는 제2A 상부 공간(3243)에서 제2 처리수(L2)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제2A 수위조절 수조(3252)에는 제2A 상부 공간(3243)에서 오버플로우된 제2 처리수(L2)가 저장된다. 제2A 수위조절 수조(3252)에 저장된 제2 처리수(L2)는 배출되어서 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로 공급된다. 제2A 수위조절 수조(3252)에서 배출되어서 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로 공급되는 용액은 생성된 중탄산나트륨과 미반응 탄산나트륨을 함유한다.The 2A water
제2A 처리수 반응부 공급 수단(3257)은 제2A 상부 공간(3243)에 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)를 공급한다.The 2A treated water reaction unit supply means 3257 supplies the second treated water L2 supplied from the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5) to the 2A
제2B 가스 처리 유닛(3260)은 제2A 가스 처리 유닛(3240)의 위에 위치하며, 제2B 바닥판(3262)과, 제2B 바닥판(3262)에 설치되는 제2B 아토마이징부(3264)와, 제2B 수위 조절부(3270)와, 제2B 처리수 반응부 공급 수단(3277)을 구비한다.The 2B
제2B 바닥판(3262)은 판상으로서 제2B 가스 처리 유닛(3260)의 내부 공간에서 대체로 수평으로 설치된다. 제2B 가스 처리 유닛(3260)의 내부 공간은 제2B 바닥판(3262)을 사이에 두고 제2B 하부 공간(3261)과 제2B 상부 공간(3263)으로 분리된다. 제2B 하부 공간(3261)은 제2A 가스 처리 유닛(3240)의 제2A 상부 공간(3243)과 연통되며, 제2B 상부 공간(3263)에는 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)가 저장된다. 제2B 바닥판(3262)에 제2B 아토마이징부(3264)가 설치된다.The
제2B 아토마이징부(3264)는 제2B 하부 공간(3261)에 존재하는 가스(G22)를 제2 처리수(L2)가 저장된 제2B 상부 공간(3263)으로 분사한다. 제2B 하부 공간(3261)에 존재하는 가스(G22)은 제2A 가스 처리 유닛(3240)에서 처리된 가스이다. 제2B 아토마이징부(3264)에 의해 분사된 가스(G22)는 제2 처리수(L2) 내에서 마이크로 버블(micro-bubble)(B22)을 형성한다. 제2B 아토마이징부(3264)는 제2B 상부 공간(3263)으로 가스(G22)를 분사하는 제2B 가스 분사노즐(3265)과, 제2B 가스 분사노즐(3264)의 끝에 위치하는 제2B 충돌판(3266)을 구비한다. 제2B 아토마이징부(3264)에 의해 형성된 마이크로 버블(B22)로 인해 제2B 상부 공간(3263)에서 가스와 제2 처리수(L2) 사이의 접촉 면적이 증가한다. 또한, 마이크로 버블(B22)은 제2 가스 처리수(L2) 내에서 일반적인 버블보다 천천히 상승하기 때문에 더 오랜 시간 머무르게 된다. 그에 따라, 제2B 상부 공간(3263)에서 가스(G22)에 포함된 처리대상 성분인 이산화탄소와 제2 가스 처리수(L2)에 포함된 탄산나트륨의 반응 효율이 현저하게 높아져서, 이산화탄소 제거 및 중탄산나트륨의 생성 효율도 현저하게 향상된다.The
제2B 가스 분사노즐(3265)은 제2B 바닥판(3262)으로부터 위로 돌출되어서 형성되어서 제2B 상부 공간(3263)에 위치한다. 제2B 가스 분사노즐(3265)에 의해 제2B 하부 공간(3261)의 가스(G22)가 제2B 상부 공간(3263)으로 위를 향해 분사된다. 도시된 바와 같이, 제2B 가스 분사노즐(3265)에는 가스가 제2B 가스 분사노즐(3265)을 따라 유동하면서 가스의 속도가 증가하도록 분사구가 형성된 끝단으로 갈수록 내부 통로가 좁아지는 구간이 형성된다. 제2B 가스 분사노즐(3265)의 끝단에는 제2B 충돌판(3266)이 인접하여 위치한다.The 2B
제2B 충돌판(3266)은 제2B 가스 분사노즐(3265)의 끝단 위에 인접하도록 제2B 상부 공간(3263)에 위치한다. 제2B 상부 공간(3263)에서 제2 처리수(L2)에 잠긴 제2B 충돌판(3266)에 제2B 가스 분사노즐(3265)로부터 분사되는 가스(G22)가 강하게 충돌하여 마이크로 버블(B22)을 형성하게 된다. 본 실시예에서는 제2B 충돌판(3266)이 도시된 바와 같이 제2B 하부 충돌판(3267)과 제2B 상부 충돌판(3268)이높이방향을 따라서 차례대로 배치되는 2단 구조인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 1단 구조이거나 3단 이상의 구조인 것도 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 다단 구조인 경우, 위에 위치하는 제2B 상부 충돌판(3268)이 아래에 위치하는 제2B 하부 충돌판(3267)의 전체를 덮도록 더 크며, 제2B 상부 충돌판(3268) 사이에 적어도 하나의 제2B 통로(3269)가 형성되는 것이 바람직하다. 도시되지는 않았으나, 가스 처리 용량을 조절하기 위하여, 제2B 충돌판(3266)의 설치 높이가 가변되어서 제2B 가스 분사노즐(3265)과의 거리가 조절될 수 있다.The
제2B 수위 조절부(3270)는 제2B 상부 공간(3263)의 측면에 위치하며, 제2B 상부 공간(3263)에서 오버플로우를 통해 제2 처리수(L2)의 수위를 조절한다. 제2B 수위 조절부(3270)는 제2B 상부 공간(3263)의 측벽에 형성된 제2B 수위조절 개구부(3271)을 통해 제2B 상부 공간(3263)과 연통되는 제2B 수위조절 수조(3272)를 구비한다. 제2B 수위조절 개구부(3271)는 제2B 상부 공간(3263)에서 제2 처리수(L2)의 수위조절 높이에 대응하여 위치한다. 제2B 수위조절 수조(3272)에는 제2B 상부 공간(3263)에서 오버플로우된 제2 처리수(L2)가 저장된다. 제2B 수위조절 수조(3272)에 저장된 제2 처리수(L2)는 배출되어서 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로 공급된다. 제2B 수위조절 수조(3272)에서 배출되어서 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로 공급되는 용액은 생성된 중탄산나트륨과 미반응 탄산나트륨을 함유한다.The 2B water
제2B 처리수 반응부 공급 수단(3277)은 제2B 상부 공간(3263)에 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로부터 공급되는 제2 처리수(L2)를 공급한다.The 2B treated water reaction unit supply means 3277 supplies the second treated water L2 supplied from the second treated water supply unit (2700 in FIG. 5) to the 2B
상기 실시예에서는 제2 마이크로버블 처리부(3230)가 높이방향을 따라서 아래로부터 위로 연속으로 배치되는 제2A 가스 처리 유닛(3240)과 제2B 가스 처리 유닛(3260)를 구비하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 제2A 가스 처리 유닛(3240)만을 구비하거나, 3개 이상의 가스 처리 유닛이 높이방향을 따라서 연속으로 배치될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.In the above embodiment, the second
제2 도입공간 배수구(3215)와 제2 처리공간 배수구(3233)를 통해 각각 배출되는 제2 처리수(L2)는 생성된 중탄산나트륨과 미반응 탄산나트륨을 함유하며, 제2 처리수 공급부(도 5의 2700)로 공급된다.The second treated water (L2) discharged through the second
제2 연결 통로(3290)는 제2 도입부(3210)의 제2 도입 공간(3211)과 제2 마이크로버블 처리부(3230)의 제2 마이크로버블 처리 공간(3231)을 연통시킨다. 제2 연결 통로(3290)는 제2 흡기구(3213)와 제2 배기구(3232)보다 아래에 위치하고, 제2 도입공간 배수구(3215)와 제2 처리공간 배수구(3233)보다 위에 위치한다.The
도 5를 참조하면, 제1 기액 분리기(1500a)는 상기 제1 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제1 가스 처리 장치(3100)로부터 배출되는 제1 처리 가스(G1)에서 액체 성분을 분리한다. 본 실시예에서 제1 기액 분리기(1500a)는 제1 가스 유동 팬(1050a)보다 상류에 위치하는 것으로 설명한다.Referring to FIG. 5, the first gas-
제2 기액 분리기(1500b)는 상기 제2 가스 유동 라인 상에 설치되어서 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출되는 제2 처리 가스(G2)에서 액체 성분을 분리한다. 제2 기액 분리기(1500b)에서 분리된 액체 성분은 제2 처리수 공급부(1700)로 공급된다. 본 실시예에서 제2 기액 분리기(1500b)는 제2 가스 유동 팬(1050b)보다 상류에 위치하는 것으로 설명한다.The second gas-
제1 처리수 공급부(2600)는 제1 약품인 수산화나트륨(NaOH)을 수용액으로서 포함하는 제1 처리수(L1)를 제1 가스 처리 장치(3100)로 순환 공급한다. 제1 처리수 공급부(2600)는 제1 처리수(L1)가 저장되는 제1 처리수 저장조(2610)와, 제1 약품인 수산화나트륨을 수용액으로 저장하는 약품 저장조(2650)와, 제1 가스 처리 장치(3100)로 공급되는 제1 처리수(L1)를 설정된 기준 온도로 조절하는 제1 처리수 열교환기(2680)를 구비한다.The first treated
제1 처리수 저장조(2610)는 제1 가스 처리 장치(3100)로부터 배출되는 제1 처리수(L1)가 저장된다. 제1 처리수 저장조(2610)에서 제1 처리수(L1)는 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 제1 처리수(L1)는 제1 처리수 공급 라인(2620)을 통해 제1 가스 처리 장치(3100)로 공급된다. 제1 처리수 저장조(2610)에는 공업용수가 공급될 수 있다. 제1 처리수 저장조(2610)에 저장되는 제1 처리수(L1)가 제1 가스 처리 장치(3100)로 순환 공급됨에 따라 제1 처리수(L1)에서 생성되는 탄산나트륨의 함량은 높아져서, 제1 처리수(L1)는 최종적으로 탄산나트륨 수용액이 되며, 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 탄산나트륨 수용액의 제1 처리수(L1)는 제2 처리수 공급부(2700)로 공급된다. 또한, 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 제1 처리수(L1)에는 제2 가스 처리 장치(3100)로부터 배출되는 마이크로버블이 포함되어서, 제1 처리수 저장조(2610)에서도 이산화탄소와 수산화나트륨이 반응하여 탄산나트륨이 생성될 수 있다. 제1 처리수 저장조(2610)는 제1 가스 처리 장치(3100)에 결합되어서 일체로 형성될 수도 있다.The first treated
약품 저장조(2650)는 제1 약품인 수산화나트륨을 수용액으로 저장한다. 약품 저장조(2650)에 저장된 수산화나트륨 수용액은 제1 처리수 공급 라인(2620) 상에 설치되는 약품 혼합기(2622)로 공급되어서, 제1 처리수(L1)에 제1 약품인 수산화나트륨이 추가된다. 약품 혼합기(2622)에서 제1 처리수 공급 라인(2620)을 따라 유동하는 제1 처리수(L1)에 제1 약품인 수산화나트륨 수용액이 균일하게 혼합되어서, 반응성이 향상된다. 본 실시예에서는 약품 혼합기(1622)로 라인 믹서(Line Mixer)가 사용되는 것으로 설명한다.The
제1 처리수 열교환기(2680)는 제1 처리수 공급 라인(2620) 상에서 제1 가스 처리 장치(3100)로 공급되는 제1 처리수(L1)의 온도를 저하시켜서 설정된 기준 온도로 유지시킴으로써 제1 가스 처리 장치(3100)에서의 탄산나트륨 생성 반응 효율을 향상시킨다. 제1 처리수 열교환기(2680)는 제1 처리수 저장조(2610)에서 배출되는 제1 처리수(L1)를 냉수와 열교환시킨다. 제1 처리수 열교환기(2680)는 제1 처리수 공급 라인(2620)에서 약품 혼합기(2622)보다 상류에 위치한다.The first treated
제2 처리수 공급부(2700)는 제2 약품인 탄산나트륨(Na2CO3)을 수용액으로서 포함하는 제2 처리수(L2)를 제2 가스 처리 장치(3200)로 공급한다. 제2 처리수 공급부(2700)는 제2 처리수(L2)가 저장되는 제2 처리수 저장조(2710)와, 제2 처리수(L2)를 설정된 기준 온도로 조절하는 제2 처리수 열교환기(2780)를 구비한다.The second treated
제2 처리수 저장조(2710)는 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출되는 제2 처리수(L2)와 제1 처리수 저장조(2610)로부터 배출되는 탄산나트륨 수용액이 저장된다. 본 실시예에서 제1 처리수 저장조(2610)에 저장된 제1 처리수(L1)의 제2 처리수 저장조(2710)로의 공급은 자중에 의한 자연 배출을 이용하는 것으로 설명한다. 제2 처리수 저장조(2710)에서 제2 처리수(L2)는 설정된 기준 수소이온농도의 범위와 설정된 기준 온도의 범위를 유지하도록 제어된다. 제2 처리수 저장조(2710)에는 제2 기액 분리기(1500b)로부터 배출되는 탄산나트륨을 함유하는 액체 성분도 저장된다. 제2 처리수 저장조(2710)에 저장된 제2 처리수(L2)는 제2 처리수 공급 라인(2720)을 통해 제2 가스 처리 장치(3200)로 공급된다. 제2 처리수 저장조(2710)에는 공업용수가 공급될 수 있다. 제2 처리수 저장조(2710)에 저장되는 제2 처리수(L2)가 제2 가스 처리 장치(3200)로 순환 공급됨에 따라 제2 처리수(L2)에서 생성되는 중탄산나트륨의 함량은 높아진다. 또한, 제2 처리수 저장조(2710)에 저장된 제2 처리수(L2)에는 제2 가스 처리 장치(3200)로부터 배출되는 마이크로버블이 포함되어서, 제2 처리수 저장조(2710)에서도 이산화탄소와 탄산나트륨이 반응하여 중탄산나트륨이 생성될 수 있다. 제2 처리수 저장조(2710)는 제2 가스 처리 장치(3200)에 결합되어서 일체로 형성될 수도 있다. 제2 처리수 저장조(2710)에 저장된 중탄산나트륨을 포함하는 제2 처리수(L2)는 고액 분리 필터(1800)로 공급된다.The second treated
제2 처리수 열교환기(2780)는 제2 처리수 공급 라인(2720) 상에서 제2 가스 처리 장치(3200)로 공급되는 제2 처리수(L2)의 온도를 저하시켜서 설정된 기준 온도로 유지시킴으로써 제2 가스 처리 장치(3200)에서의 중탄산나트륨 생성 반응 효율을 향상시킨다. 제2 처리수 열교환기(2780)는 제2 처리수 저장조(2710)에서 배출되는 제2 처리수(L2)를 냉수와 열교환시킨다.The second treated
고액 분리 필터(1800)는 제2 처리수 저장조(2710)로부터 배출되는 제2 처리수(L2)에서 중탄산나트륨을 포함하는 고체 성분을 분리한다. 고액 분리 필터(1800)는 통상적인 구성의 고액 분리기일 수 있다. 고액 분리 필터(1800)에 의해 제2 처리수 저장조(2710)로부터 배출되는 제2 처리수(L2)에서 분리된 고체 성분은 중탄산나트륨 케이크(cake)를 형성한다. 고액 분리 필터(1800)에 의해 제조된 중탄산나트륨은 소각장 또는 배연가스 속에 포함된 산성가스를 제거하는 용도로 사용될 수 있다. 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 탄산나트륨을 포함하는 액체 성분의 용액은 약품 회수조(1900)로 공급되어서 저장된다.The solid-
약품 회수조(1900)는 고액 분리 필터(1800)로부터 배출되는 액체 성분의 용액을 저장한다. 약품 회수조(1900)에 저장되는 용액은 제2 약품인 탄산나트륨 수용액을 함유한다. 약품 회수조(1900)에 저장된 탄산나트륨을 함유하는 용액은 약품 저장조(2650)와 제1 처리수 저장조(2610)로 공급된다. 제1 처리수 저장조(2610)로 공급된 탄산나트륨은 제2 처리수 저장조(2710)로 공급되어서 제2 처리대상 배기가스(G02)에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용된다.The
이제, 도 6 및 도 7을 참조하여, 제1 가스 처리 장치(3100)의 작동 과정을 설명하면 다음과 같다. 도 7에는 배기가스에 대한 처리가 진행되기 전의 상태로서 제1 가스 유동 팬(도 1의 1050a)이 작동하지 않는 경우의 제1 가스 처리 장치(3100)의 상태가 도시되어 있다. 도 7을 참조하면, 제1 가스 처리 장치(3100)의 제1 가스 처리 유닛(3140)에서 제1 처리수(L1)의 수위는 제1 가스 분사노즐(3145)의 분사구가 위치하는 끝단보다 아래에 위치하여, 제1 처리수(L1)는 제1 가스 분사노즐(3145)을 통해 아래로 새지 않는다.Now, with reference to FIGS. 6 and 7, the operating process of the first
도 7에 도시된 상태에서 제1 가스 유동 팬(도 5의 1050a)이 작동하면, 제1 가스 처리 장치(3100)에서 제1 가스 분사노즐(3145)을 통해 제1 하부 공간(3141)의 가스가 제1 상부 공간(3143)으로 분사된다. 이 상태에서 제1 처리수 공급부(도 5의 1600)가 작동하여, 제1 처리수(L1)가 제1 가스 처리 장치(3100)로 공급되면, 도 6에 도시된 바와 같이 제1 가스 처리 장치(3100)의 제1 상부 공간(1143)에서 제1 처리수(L1)의 수위가 마이크로버블(B1)이 형성될 수 있을 정도로 충분히 높아진다. 제1 가스 처리 장치(3100)의 제1 상부 공간(3143)에서 제1 처리수(L1)의 수위는 제1 수위 조절부(3150)에 의해 적절히 유지된다.When the first gas flow fan (1050a in FIG. 5) operates in the state shown in FIG. 7, the gas in the first
이제, 도 8 및 도 9를 참조하여, 제2 가스 처리 장치(3200)의 작동 과정을 설명하면 다음과 같다. 도 9에는 배기가스에 대한 처리가 진행되기 전의 상태로서 제2 가스 유동 팬(도 5의 1050b)이 작동하지 않는 경우의 제2 가스 처리 장치(3200)의 상태가 도시되어 있다. 도 9를 참조하면, 제2 가스 처리 장치(3200)의 제2A 가스 처리 유닛(3240)에서 제2 처리수(L2)의 수위는 제2A 가스 분사노즐(3245)의 분사구가 위치하는 끝단보다 아래에 위치하고, 제2 가스 처리 장치(3200)의 제2B 가스 처리 유닛(3260)에서 제2 처리수(L2)의 수위는 제2B 가스 분사노즐(3265)의 분사구가 위치하는 끝단보다 아래에 위치하여, 제2 처리수(L2)는 제2A 가스 분사노즐(3245) 및 제2B 가스 분사노즐(3265)을 통해 아래로 새지 않는다.Now, with reference to FIGS. 8 and 9, the operating process of the second
도 9에 도시된 상태에서 제2 가스 유동 팬(도 5의 1050b)이 작동하면, 제2 가스 처리 장치(3200)에서 제2B 가스 분사노즐(3265)을 통해 제2B 하부 공간(3261)의 가스가 제2B 상부 공간(3263)으로 분사되고, 제2A 가스 분사노즐(3245)을 통해 제2A 하부 공간(3241)의 가스가 제2A 상부 공간(3243)으로 분사된다. 이 상태에서 제2 처리수 공급부(도 5의 1700)가 작동하여, 제2 처리수(L2)가 제2 가스 처리 장치(3200)로 공급되면, 도 8에 도시된 바와 같이 제2 가스 처리 장치(3200)의 제2A 상부 공간(3243)과 제2B 상부 공간(3263) 각각에서 제2 처리수(L2)의 수위가 마이크로버블(B21, B22)이 형성될 수 있을 정도로 충분히 높아진다. 제2 가스 처리 장치(3200)의 제2A 상부 공간(3243) 및 제2B 상부 공간(3263) 각각에서 제2 처리수(L2)의 수위는 제2A 수위 조절부(3250) 및 제2B 수위 조절부(3270)에 의해 적절히 유지된다.When the second gas flow fan (1050b in FIG. 5) operates in the state shown in FIG. 9, the gas in the 2B
이상 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 실시예는 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정되거나 변경될 수 있으며, 본 기술분야의 통상의 기술자는 이러한 수정과 변경도 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.Although the present invention has been described through the above examples, the present invention is not limited thereto. The above embodiments may be modified or changed without departing from the spirit and scope of the present invention, and those skilled in the art will recognize that such modifications and changes also fall within the present invention.
1000: 배기가스 처리 설비 1050: 가스 유동 팬
1100: 제1 가스 처리 장치 1110: 제1 도입부
1111: 제1 도입 공간 1113: 제1 흡기구
1130: 제1 마이크로버블 처리부 1131: 제1 마이크로버블 처리 공간
1140: 제1A 가스 처리 유닛 1144: 제1A 아토마이징부
1145: 제1A 가스 분사노즐 1146: 제1A 충돌판
1150: 제1A 수위 조절부 1160: 제1B 가스 처리 유닛
1164: 제1B 아토마이징부 1165: 제1B 가스 분사노즐
1166: 제1B 충돌판 1170: 제1B 수위 조절부
1132: 제1 배기구 1190: 제1 연결 통로
1200: 제2 가스 처리 장치 1210: 제2 도입부
1211: 제2 도입 공간 1213: 제2 흡기구
1230: 제2 마이크로버블 처리부 1231: 제2 마이크로버블 처리 공간
1232: 제2 배기구 1240: 제2 가스 처리 유닛
1244: 제2 아토마이징부 1245: 제2 가스 분사노즐
1246: 제2 충돌판 1250: 제2 수위 조절부
1290: 제2 연결 통로 1500: 기액 분리기
1600: 제1 처리수 공급부 1650: 제1 약품 저장조
1680: 제1 처리수 열교환기 1700: 제2 처리수 공급부
1750: 제2 약품 저장조 1780: 제2 처리수 열교환기
1800: 고액 분리 필터 1900: 약품 회수조
2000: 배기가스 처리 설비 2100: 제1 가스 처리 장치
2200: 제2 가스 처리 장치 2600: 제1 처리수 공급부
2650: 제1 약품 저장조 2680: 제1 처리수 열교환기
2700: 제2 처리수 공급부 2710: 제2 처리수 저장조
2750: 제2 약품 저장조 2780: 제2 처리수 열교환기
2900: 약품 회수조 3000: 배기가스 처리 설비
3100: 제1 가스 처리 장치 3200: 제2 가스 처리 장치1000: exhaust gas treatment equipment 1050: gas flow fan
1100: first gas processing device 1110: first introduction unit
1111: first introduction space 1113: first intake port
1130: first microbubble processing unit 1131: first microbubble processing space
1140: 1A gas processing unit 1144: 1A atomizing unit
1145: 1A gas injection nozzle 1146: 1A collision plate
1150: 1A water level control unit 1160: 1B gas processing unit
1164: 1B atomizing unit 1165: 1B gas injection nozzle
1166: 1B collision plate 1170: 1B water level control unit
1132: first exhaust port 1190: first connection passage
1200: second gas processing device 1210: second introduction unit
1211: second introduction space 1213: second intake port
1230: Second microbubble processing unit 1231: Second microbubble processing space
1232: second exhaust port 1240: second gas processing unit
1244: Second atomizing unit 1245: Second gas injection nozzle
1246: second collision plate 1250: second water level control unit
1290: second connection passage 1500: gas-liquid separator
1600: First treated water supply unit 1650: First chemical storage tank
1680: First treated water heat exchanger 1700: Second treated water supply unit
1750: Second chemical storage tank 1780: Second treated water heat exchanger
1800: Solid-liquid separation filter 1900: Chemical recovery tank
2000: Exhaust gas treatment facility 2100: First gas treatment device
2200: second gas treatment device 2600: first treated water supply unit
2650: first chemical storage tank 2680: first treated water heat exchanger
2700: Second treated water supply unit 2710: Second treated water storage tank
2750: Second chemical storage tank 2780: Second treated water heat exchanger
2900: Chemical recovery tank 3000: Exhaust gas treatment facility
3100: first gas processing device 3200: second gas processing device
Claims (27)
상기 1차 처리 가스에 포함된 상기 미반응 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 수산화나트륨을 반응시켜서 상기 미반응 이산화탄소를 제거하면서 탄산나트륨을 생성하고 2차 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치;
상기 처리대상 배기가스가 상기 제1 가스 처리 장치로 유입된 후 상기 1차 처리 가스로서 상기 제1 가스 처리 장치로부터 배출되고, 상기 1차 처리 가스가 상기 제2 가스 처리 장치로 유입된 후 상기 2차 처리 가스로서 상기 제2 가스 처리 장치로부터 배출되도록 가스 유동 압력을 형성하는 가스 유동 팬;
상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및
상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며,
상기 제2 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제1 처리수로 공급되어서 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되며,
상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며,
상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 1차 처리 가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 미반응 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하며,
상기 제1 처리수 순환 공급부는 상기 제1 가스 처리 장치로부터 배출되는 상기 제1 처리수의 온도를 낮추는 제1 처리수 열교환기를 구비하며,
상기 제2 처리수 순환 공급부는 상기 제2 가스 처리 장치로부터 배출되는 상기 제2 처리수의 온도를 낮추는 제2 처리수 열교환기를 구비하는,
배기가스 처리 설비.a first gas treatment device that reacts carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated with sodium carbonate contained in the first treated water to remove carbon dioxide, generate sodium bicarbonate, and discharge a primary treatment gas containing unreacted carbon dioxide;
a second gas treatment device for reacting the unreacted carbon dioxide contained in the primary treatment gas with sodium hydroxide contained in the second treatment water to remove the unreacted carbon dioxide, generate sodium carbonate, and discharge secondary treatment gas;
After the exhaust gas to be treated flows into the first gas processing device and is discharged from the first gas processing device as the primary processing gas, and after the primary processing gas flows into the second gas processing device, the 2 a gas flow fan that creates a gas flow pressure such that it is discharged from the second gas processing device as a secondary processing gas;
a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and
It includes a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device,
The sodium carbonate generated in the second gas treatment device is supplied to the first treated water and used for reaction with carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated,
The first gas processing device forms microbubbles in the exhaust gas to be treated within the first treated water, and determines the contact time and contact between carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated and sodium carbonate contained in the first treated water. having a first gas processing unit that increases the area,
The second gas treatment device forms the primary treatment gas into microbubbles in the second treatment water to increase the contact time and contact area between the unreacted carbon dioxide and the sodium hydroxide contained in the second treatment water. and a second gas processing unit,
The first treated water circulation supply unit includes a first treated water heat exchanger that lowers the temperature of the first treated water discharged from the first gas treatment device,
The second treated water circulation supply unit includes a second treated water heat exchanger that lowers the temperature of the second treated water discharged from the second gas treatment device,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제1 처리수에서 고체 성분을 분리하여 중탄산나트륨 케이크를 얻는 고액 분리 필터를 더 포함하는,
배기가스 처리 설비.In claim 1,
Further comprising a solid-liquid separation filter to separate solid components from the first treated water to obtain a sodium bicarbonate cake,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 고액 분리 필터로부터 배출되는 액체 성분은 상기 제1 처리수로 공급되어서, 상기 액체 성분에 포함된 탄산나트륨이 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되는,
배기가스 처리 설비.In claim 2,
The liquid component discharged from the solid-liquid separation filter is supplied to the first treated water, so that sodium carbonate contained in the liquid component is used for reaction with carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제1 처리수 공급부는, 탄산나트륨 수용액이 저장되는 제1 약품 저장조와, 상기 제1 가스 처리 장치로 유입되는 상기 제1 처리수가 유동하는 제1 처리수 공급 라인에 설치되는 제1 약품 혼합기를 구비하며,
상기 제1 약품 저장조에 저장된 탄산나트륨 수용액이 상기 제1 약품 혼합기로 공급되어서 상기 제1 처리수와 혼합되는,
배기가스 처리 설비.In claim 1,
The first treated water supply unit includes a first chemical storage tank in which an aqueous sodium carbonate solution is stored, and a first chemical mixer installed in a first treated water supply line through which the first treated water flowing into the first gas treatment device flows. And
The sodium carbonate aqueous solution stored in the first chemical storage tank is supplied to the first chemical mixer and mixed with the first treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제2 처리수 공급부는, 수산화나트륨 수용액이 저장되는 제2 약품 저장조와, 상기 제2 가스 처리 장치로 유입되는 상기 제2 처리수가 유동하는 제2 처리수 공급 라인에 설치되는 제2 약품 혼합기를 구비하며,
상기 제2 약품 저장조에 저장된 수산화나트륨 수용액이 상기 제2 약품 혼합기로 공급되어서 상기 제2 처리수와 혼합되는,
배기가스 처리 설비.In claim 1,
The second treated water supply unit includes a second chemical storage tank in which an aqueous sodium hydroxide solution is stored, and a second chemical mixer installed in a second treated water supply line through which the second treated water flowing into the second gas treatment device flows. Equipped with
The sodium hydroxide aqueous solution stored in the second chemical storage tank is supplied to the second chemical mixer and mixed with the second treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 1차 처리 가스에 포함된 상기 미반응 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 상기 미반응 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 2차 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치;
상기 처리대상 배기가스가 상기 제1 가스 처리 장치로 유입된 후 상기 1차 처리 가스로서 상기 제1 가스 처리 장치로부터 배출되고, 상기 1차 처리 가스가 상기 제2 가스 처리 장치로 유입된 후 상기 2차 처리 가스로서 상기 제2 가스 처리 장치로부터 배출되도록 가스 유동 압력을 형성하는 가스 유동 팬;
상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및
상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며,
상기 제1 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제2 처리수로 공급되어서 상기 미반응 이산화탄소와의 반응에 사용되며,
상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며,
상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 1차 처리 가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 미반응 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하며,
상기 제1 처리수 순환 공급부는 상기 제1 가스 처리 장치로부터 배출되는 상기 제1 처리수의 온도를 낮추는 제1 처리수 열교환기를 구비하며,
상기 제2 처리수 순환 공급부는 상기 제2 가스 처리 장치로부터 배출되는 상기 제2 처리수의 온도를 낮추는 제2 처리수 열교환기를 구비하는,
배기가스 처리 설비.A first gas treatment device that reacts carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated with sodium hydroxide contained in the first treated water, removes carbon dioxide, generates sodium carbonate, and discharges a primary treatment gas containing unreacted carbon dioxide;
a second gas processing device that reacts the unreacted carbon dioxide contained in the primary treatment gas with sodium carbonate contained in the second treated water to remove the unreacted carbon dioxide, generate sodium bicarbonate, and discharge secondary treatment gas;
After the exhaust gas to be treated flows into the first gas processing device and is discharged from the first gas processing device as the primary processing gas, and after the primary processing gas flows into the second gas processing device, the 2 a gas flow fan that creates a gas flow pressure such that it is discharged from the second gas processing device as a secondary processing gas;
a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and
It includes a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device,
The sodium carbonate generated in the first gas treatment device is supplied to the second treated water and used for reaction with the unreacted carbon dioxide,
The first gas treatment device forms microbubbles in the exhaust gas to be treated within the first treated water to determine a contact time between carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated and sodium hydroxide contained in the first treated water, and a first gas handling unit that increases the contact area;
The second gas treatment device forms microbubbles in the primary treatment gas within the second treatment water to increase the contact time and contact area between the unreacted carbon dioxide and sodium carbonate contained in the second treatment water. It has 2 gas processing units,
The first treated water circulation supply unit includes a first treated water heat exchanger that lowers the temperature of the first treated water discharged from the first gas treatment device,
The second treated water circulation supply unit includes a second treated water heat exchanger that lowers the temperature of the second treated water discharged from the second gas treatment device,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제2 처리수에서 고체 성분을 분리하여 중탄산나트륨 케이크를 얻는 고액 분리 필터를 더 포함하는,
배기가스 처리 설비.In claim 6,
Further comprising a solid-liquid separation filter to separate solid components from the second treated water to obtain a sodium bicarbonate cake,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 고액 분리 필터로부터 배출되는 액체 성분은 상기 제2 처리수로 공급되어서, 상기 액체 성분에 포함된 탄산나트륨이 상기 미반응 이산화탄소와의 반응에 사용되는,
배기가스 처리 설비.In claim 7,
The liquid component discharged from the solid-liquid separation filter is supplied to the second treated water, and sodium carbonate contained in the liquid component is used for reaction with the unreacted carbon dioxide.
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제1 처리수 공급부는, 수산화나트륨 수용액이 저장되는 제1 약품 저장조와, 상기 제1 가스 처리 장치로 유입되는 상기 제1 처리수가 유동하는 제1 처리수 공급 라인에 설치되는 제1 약품 혼합기를 구비하며,
상기 제1 약품 저장조에 저장된 수산화나트륨 수용액이 상기 제1 약품 혼합기로 공급되어서 상기 제1 처리수와 혼합되는,
배기가스 처리 설비.In claim 6,
The first treated water supply unit includes a first chemical storage tank in which an aqueous sodium hydroxide solution is stored, and a first chemical mixer installed in the first treated water supply line through which the first treated water flowing into the first gas treatment device flows. Equipped with
The sodium hydroxide aqueous solution stored in the first chemical storage tank is supplied to the first chemical mixer and mixed with the first treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제2 처리수 공급부는, 탄산나트륨 수용액이 저장되는 제2 약품 저장조와, 상기 제2 가스 처리 장치로 유입되는 상기 제2 처리수가 유동하는 제2 처리수 공급 라인에 설치되는 제2 약품 혼합기를 구비하며,
상기 제2 약품 저장조에 저장된 탄산나트륨 수용액이 상기 제2 약품 혼합기로 공급되어서 상기 제2 처리수와 혼합되는,
배기가스 처리 설비.In claim 6,
The second treated water supply unit includes a second chemical storage tank in which an aqueous sodium carbonate solution is stored, and a second chemical mixer installed in a second treated water supply line through which the second treated water flowing into the second gas treatment device flows. And
The sodium carbonate aqueous solution stored in the second chemical storage tank is supplied to the second chemical mixer and mixed with the second treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제1 가스 처리 유닛은, 상기 제1 가스 처리 유닛의 내부 공간을 하부 공간과 상기 제1 처리수가 저수하는 상부 공간으로 분할하는 바닥판과, 상기 하부 공간으로 유입된 가스를 상기 상부 공간으로 위를 향해 분사하는 가스 분사노즐과, 상기 가스 분사노즐의 위에 배치되어서 상기 가스 분사노즐로부터 분사된 가스가 충돌하는 충돌판을 구비하며,
상기 제1 처리수의 수위가 상기 가스 분사노즐의 분사구보다 낮은 상태에서 상기 가스 유동 팬이 작동을 시작하면, 상기 하부 공간의 가스가 상기 상부 공간으로 분사되면서, 상기 상부 공간으로 상기 제1 처리수가 추가로 공급되어서 상기 상부 공간의 수위가 상승하며, 상기 상부 공간으로 분사된 상기 하부 공간의 가스에 의해 상기 상부 공간에 저수된 상기 제1 처리수가 중력에 의하여 상기 분사구를 통해 하부로 유출되는 것이 방지되며, 상기 충돌판이 상기 제1 처리수에 의하여 잠기면 상기 가스 분사노즐로부터 분사되는 가스는 상기 충돌판과 충돌하여 상기 제1 처리수 내에서 상기 마이크로버블을 형성하는,
배기가스 처리 설비.In claim 1 or claim 6,
The first gas processing unit includes a bottom plate that divides the internal space of the first gas processing unit into a lower space and an upper space in which the first treated water is stored, and a bottom plate that divides the internal space of the first gas processing unit into an upper space where the first treated water is stored, and the gas flowing into the lower space is transferred to the upper space. It has a gas injection nozzle that injects toward, and a collision plate disposed above the gas injection nozzle so that the gas injected from the gas injection nozzle collides with it,
When the gas flow fan starts operating while the water level of the first treated water is lower than the injection hole of the gas injection nozzle, the gas in the lower space is injected into the upper space, and the first treated water is injected into the upper space. Additional supply increases the water level in the upper space, and the gas in the lower space injected into the upper space prevents the first treated water stored in the upper space from flowing downward through the injection hole due to gravity. When the impingement plate is submerged by the first treated water, the gas sprayed from the gas injection nozzle collides with the impingement plate to form the microbubbles in the first treated water.
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제2 가스 처리 유닛은, 상기 제2 가스 처리 유닛의 내부 공간을 하부 공간과 상기 제2 처리수가 저수하는 상부 공간으로 분할하는 바닥판과, 상기 하부 공간으로 유입된 가스를 상기 상부 공간으로 위를 향해 분사하는 가스 분사노즐과, 상기 가스 분사노즐의 위에 배치되어서 상기 가스 분사노즐로부터 분사된 가스가 충돌하는 충돌판을 구비하며,
상기 제2 처리수의 수위가 상기 가스 분사노즐의 분사구보다 낮은 상태에서 상기 가스 유동 팬이 작동을 시작하면, 상기 하부 공간의 가스가 상기 상부 공간으로 분사되면서, 상기 상부 공간으로 상기 제2 처리수가 추가로 공급되어서 상기 상부 공간의 수위가 상승하며, 상기 상부 공간으로 분사된 상기 하부 공간의 가스에 의해 상기 상부 공간에 저수된 상기 제2 처리수가 중력에 의하여 상기 분사구를 통해 하부로 유출되는 것이 방지되며, 상기 충돌판이 상기 제2 처리수에 의하여 잠기면 상기 가스 분사노즐로부터 분사되는 가스는 상기 충돌판과 충돌하여 상기 제2 처리수 내에서 상기 마이크로버블을 형성하는,
배기가스 처리 설비.In claim 1 or claim 6,
The second gas processing unit includes a bottom plate that divides the internal space of the second gas processing unit into a lower space and an upper space where the second treated water is stored, and a bottom plate that divides the internal space of the second gas processing unit into an upper space where the second treated water is stored, and flows the gas flowing into the lower space into the upper space. It has a gas injection nozzle that injects toward, and a collision plate disposed above the gas injection nozzle so that the gas injected from the gas injection nozzle collides with it,
When the gas flow fan starts operating while the level of the second treated water is lower than the injection hole of the gas injection nozzle, the gas in the lower space is injected into the upper space, and the second treated water is injected into the upper space. Additional supply increases the water level in the upper space, and the gas in the lower space injected into the upper space prevents the second treated water stored in the upper space from flowing downward through the injection hole due to gravity. When the impingement plate is submerged by the second treated water, the gas sprayed from the gas injection nozzle collides with the impingement plate to form the microbubbles in the second treated water.
Exhaust gas treatment equipment.
상기 2차 처리 가스에서 액체 성분을 분리하는 기액 분리기를 더 포함하며,
상기 기액 분리기에 의해 분리된 상기 액체 성분은 상기 제2 처리수로 공급되는,
배기가스 처리 설비.In claim 1 or claim 6,
It further includes a gas-liquid separator that separates the liquid component from the secondary treatment gas,
The liquid component separated by the gas-liquid separator is supplied to the second treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨을 반응시켜서 이산화탄소를 제거하면서 중탄산나트륨을 생성하고 제2 처리 가스를 배출하는 제2 가스 처리 장치;
상기 제1 처리수를 상기 제1 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제1 처리수 공급부; 및
상기 제2 처리수를 상기 제2 가스 처리 장치로 순환 공급하는 제2 처리수 공급부를 포함하며,
상기 제1 가스 처리 장치에서 생성된 상기 탄산나트륨은 상기 제2 처리수로 공급되어서 상기 제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되며,
상기 제1 가스 처리 장치는 상기 제1 처리수 내에서 상기 제1 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 제1 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제1 처리수에 포함된 수산화나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제1 가스 처리 유닛을 구비하며,
상기 제2 가스 처리 장치는 상기 제2 처리수 내에서 상기 제2 처리대상 배기가스를 마이크로버블로 형성하여 상기 제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와 상기 제2 처리수에 포함된 탄산나트륨 사이의 접촉시간 및 접촉면적을 증가시키는 제2 가스 처리 유닛을 구비하며,
상기 제1 처리수 순환 공급부는 상기 제1 가스 처리 장치로부터 배출되는 상기 제1 처리수의 온도를 낮추는 제1 처리수 열교환기를 구비하며,
상기 제1 처리수 열교환기에 의해 상기 제1 처리수는 상기 제1 가스 처리 장치에서 45 내지 60℃의 온도를 유지하며,
상기 제2 처리수 순환 공급부는 상기 제2 가스 처리 장치로부터 배출되는 상기 제2 처리수의 온도를 낮추는 제2 처리수 열교환기를 구비하며,
상기 제2 처리수 열교환기에 의해 상기 제2 처리수는 상기 제2 가스 처리 장치에서 10 내지 25℃의 온도를 유지하는,
배기가스 처리 설비.a first gas treatment device that reacts carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated with sodium hydroxide contained in the first treated water, removes carbon dioxide, generates sodium carbonate, and discharges the first treated gas;
a second gas treatment device that reacts carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated with sodium carbonate contained in the second treated water, removes carbon dioxide, generates sodium bicarbonate, and discharges a second treated gas;
a first treated water supply unit that circulates and supplies the first treated water to the first gas treatment device; and
It includes a second treated water supply unit that circulates and supplies the second treated water to the second gas treatment device,
The sodium carbonate generated in the first gas treatment device is supplied to the second treated water and used for reaction with carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated for the second time,
The first gas treatment device forms microbubbles in the first exhaust gas to be treated within the first treated water, thereby creating a gap between carbon dioxide contained in the first exhaust gas to be treated and sodium hydroxide contained in the first treated water. It has a first gas processing unit that increases the contact time and contact area,
The second gas treatment device forms microbubbles in the second exhaust gas to be treated within the second treated water to create a gap between carbon dioxide contained in the second treated exhaust gas and sodium carbonate contained in the second treated water. a second gas processing unit that increases contact time and contact area;
The first treated water circulation supply unit includes a first treated water heat exchanger that lowers the temperature of the first treated water discharged from the first gas treatment device,
The first treated water is maintained at a temperature of 45 to 60° C. in the first gas treatment device by the first treated water heat exchanger,
The second treated water circulation supply unit includes a second treated water heat exchanger that lowers the temperature of the second treated water discharged from the second gas treatment device,
The second treated water is maintained at a temperature of 10 to 25° C. in the second gas treatment device by the second treated water heat exchanger.
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제2 처리수에서 고체 성분을 분리하여 중탄산나트륨 케이크를 얻는 고액 분리 필터를 더 포함하는,
배기가스 처리 설비.In claim 15,
Further comprising a solid-liquid separation filter to separate solid components from the second treated water to obtain a sodium bicarbonate cake,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 고액 분리 필터로부터 배출되는 액체 성분은 상기 제2 처리수로 공급되어서, 상기 액체 성분에 포함된 탄산나트륨이 상기 제2 처리대상 배기가스에 포함된 이산화탄소와의 반응에 사용되는,
배기가스 처리 설비.In claim 16,
The liquid component discharged from the solid-liquid separation filter is supplied to the second treated water, so that sodium carbonate contained in the liquid component is used for reaction with carbon dioxide contained in the exhaust gas to be treated second,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제1 처리수 공급부는, 수산화나트륨 수용액이 저장되는 약품 저장조와, 상기 제1 가스 처리 장치로 유입되는 상기 제1 처리수가 유동하는 제1 처리수 공급 라인에 설치되는 약품 혼합기를 구비하며,
상기 약품 저장조에 저장된 수산화나트륨 수용액이 상기 약품 혼합기로 공급되어서 상기 제1 처리수와 혼합되는,
배기가스 처리 설비.In claim 15,
The first treated water supply unit includes a chemical storage tank in which an aqueous sodium hydroxide solution is stored, and a chemical mixer installed in a first treated water supply line through which the first treated water flowing into the first gas treatment device flows,
The aqueous sodium hydroxide solution stored in the chemical storage tank is supplied to the chemical mixer and mixed with the first treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제1 처리대상 배기가스가 상기 제1 가스 처리 장치를 통과하도록 가스 유동 압력을 형성하는 제1 가스 유동 팬을 더 포함하는,
배기가스 처리 설비.In claim 15,
Further comprising a first gas flow fan that creates a gas flow pressure such that the first exhaust gas to be treated passes through the first gas processing device,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제1 가스 처리 유닛은, 상기 제1 가스 처리 유닛의 내부 공간을 하부 공간과 상기 제1 처리수가 저수하는 상부 공간으로 분할하는 바닥판과, 상기 하부 공간으로 유입된 가스를 상기 상부 공간으로 위를 향해 분사하는 가스 분사노즐과, 상기 가스 분사노즐의 위에 배치되어서 상기 가스 분사노즐로부터 분사된 가스가 충돌하는 충돌판을 구비하며,
상기 제1 처리수의 수위가 상기 가스 분사노즐의 분사구보다 낮은 상태에서 상기 제1 가스 유동 팬이 작동을 시작하면, 상기 하부 공간의 가스가 상기 상부 공간으로 분사되면서, 상기 상부 공간으로 상기 제1 처리수가 추가로 공급되어서 상기 상부 공간의 수위가 상승하며, 상기 상부 공간으로 분사된 상기 하부 공간의 가스에 의해 상기 상부 공간에 저수된 상기 제1 처리수가 중력에 의하여 상기 분사구를 통해 하부로 유출되는 것이 방지되며, 상기 충돌판이 상기 제1 처리수에 의하여 잠기면 상기 가스 분사노즐로부터 분사되는 가스는 상기 충돌판과 충돌하여 상기 제1 처리수 내에서 상기 마이크로버블을 형성하는,
배기가스 처리 설비.In claim 19,
The first gas processing unit includes a bottom plate that divides the internal space of the first gas processing unit into a lower space and an upper space in which the first treated water is stored, and a bottom plate that divides the internal space of the first gas processing unit into an upper space where the first treated water is stored, and the gas flowing into the lower space is transferred to the upper space. It has a gas injection nozzle that injects toward, and a collision plate disposed above the gas injection nozzle so that the gas injected from the gas injection nozzle collides with it,
When the first gas flow fan starts operating while the water level of the first treated water is lower than the injection hole of the gas injection nozzle, the gas in the lower space is injected into the upper space, and the first gas flow fan is injected into the upper space. The treated water is additionally supplied so that the water level in the upper space rises, and the first treated water stored in the upper space by the gas in the lower space injected into the upper space flows out to the lower part through the injection hole by gravity. This is prevented, and when the impingement plate is submerged by the first treated water, the gas injected from the gas injection nozzle collides with the impingement plate to form the microbubbles in the first treated water.
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제2 처리대상 배기가스가 상기 제2 가스 처리 장치를 통과하도록 가스 유동 압력을 형성하는 제2 가스 유동 팬을 더 포함하는,
배기가스 처리 설비.In claim 15,
Further comprising a second gas flow fan that creates a gas flow pressure such that the second exhaust gas to be treated passes through the second gas processing device,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제2 가스 처리 유닛은, 상기 제2 가스 처리 유닛의 내부 공간을 하부 공간과 상기 제2 처리수가 저수하는 상부 공간으로 분할하는 바닥판과, 상기 하부 공간으로 유입된 가스를 상기 상부 공간으로 위를 향해 분사하는 가스 분사노즐과, 상기 가스 분사노즐의 위에 배치되어서 상기 가스 분사노즐로부터 분사된 가스가 충돌하는 충돌판을 구비하며,
상기 제2 처리수의 수위가 상기 가스 분사노즐의 분사구보다 낮은 상태에서 상기 제2 가스 유동 팬이 작동을 시작하면, 상기 하부 공간의 가스가 상기 상부 공간으로 분사되면서, 상기 상부 공간으로 상기 제2 처리수가 추가로 공급되어서 상기 상부 공간의 수위가 상승하며, 상기 상부 공간으로 분사된 상기 하부 공간의 가스에 의해 상기 상부 공간에 저수된 상기 제2 처리수가 중력에 의하여 상기 분사구를 통해 하부로 유출되는 것이 방지되며, 상기 충돌판이 상기 제2 처리수에 의하여 잠기면 상기 가스 분사노즐로부터 분사되는 가스는 상기 충돌판과 충돌하여 상기 제2 처리수 내에서 상기 마이크로버블을 형성하는,
배기가스 처리 설비.In claim 21,
The second gas processing unit includes a bottom plate that divides the internal space of the second gas processing unit into a lower space and an upper space where the second treated water is stored, and a bottom plate that divides the internal space of the second gas processing unit into an upper space where the second treated water is stored, and flows the gas flowing into the lower space into the upper space. It has a gas injection nozzle that injects toward, and a collision plate disposed above the gas injection nozzle so that the gas injected from the gas injection nozzle collides with it,
When the second gas flow fan starts operating while the water level of the second treated water is lower than the injection hole of the gas injection nozzle, the gas in the lower space is injected into the upper space, and the second gas flow fan is injected into the upper space. The treated water is additionally supplied so that the water level in the upper space rises, and the second treated water stored in the upper space by the gas in the lower space injected into the upper space flows out to the lower part through the injection hole by gravity. This is prevented, and when the impingement plate is submerged by the second treated water, the gas injected from the gas injection nozzle collides with the impingement plate to form the microbubbles in the second treated water.
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제2 처리 가스에서 액체 성분을 분리하는 기액 분리기를 더 포함하며,
상기 기액 분리기에 의해 분리된 상기 액체 성분은 상기 제2 처리수로 공급되는,
배기가스 처리 설비.In claim 15,
It further includes a gas-liquid separator that separates a liquid component from the second processing gas,
The liquid component separated by the gas-liquid separator is supplied to the second treated water,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제1 처리수 순환 공급부는 상기 제1 처리수가 저장되는 제1 처리수 저장조를 더 구비하며,
상기 제1 처리수 저장조에서 상기 제1 처리수는 설정된 기준 수소이온농도의 범위를 유지하도록 조절되는,
배기가스 처리 설비.According to any one of claims 1, 6, and 15,
The first treated water circulation supply unit further includes a first treated water storage tank in which the first treated water is stored,
In the first treated water storage tank, the first treated water is adjusted to maintain a set standard hydrogen ion concentration range,
Exhaust gas treatment equipment.
상기 제2 처리수 순환 공급부는 상기 제2 처리수가 저장되는 제2 처리수 저장조를 더 구비하며,
상기 제2 처리수 저장조에서 상기 제2 처리수는 설정된 기준 수소이온농도의 범위를 유지하도록 조절되는,
배기가스 처리 설비.According to any one of claims 1, 6, and 15,
The second treated water circulation supply unit further includes a second treated water storage tank in which the second treated water is stored,
The second treated water in the second treated water storage tank is adjusted to maintain a set standard hydrogen ion concentration range,
Exhaust gas treatment equipment.
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104707451A (en) * | 2014-12-08 | 2015-06-17 | 华北电力大学(保定) | Method for ammonia-process capture of carbon in flue gas and synthesis of chemical products |
KR20160034635A (en) * | 2014-09-22 | 2016-03-30 | 한국전력공사 | high-efficient power plant system with no carbon dioxide emission |
KR20220022131A (en) * | 2020-08-14 | 2022-02-25 | 대우조선해양 주식회사 | Apparatus for reducing greenhouse gas emission in vessel and vessel including the same |
KR20220116407A (en) | 2020-09-22 | 2022-08-23 | 한국전력공사 | Method and apparatus of high purity sodium bicarbonate production using flue gas |
KR102470189B1 (en) * | 2021-05-31 | 2022-11-23 | (주)로우카본 | Carbon dioxide and sulfur oxide capture and carbon resource conversion system for onshore |
KR102494991B1 (en) * | 2022-08-08 | 2023-02-06 | 정재억 | Apparatus for processing gas using microbubble |
-
2023
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160034635A (en) * | 2014-09-22 | 2016-03-30 | 한국전력공사 | high-efficient power plant system with no carbon dioxide emission |
CN104707451A (en) * | 2014-12-08 | 2015-06-17 | 华北电力大学(保定) | Method for ammonia-process capture of carbon in flue gas and synthesis of chemical products |
KR20220022131A (en) * | 2020-08-14 | 2022-02-25 | 대우조선해양 주식회사 | Apparatus for reducing greenhouse gas emission in vessel and vessel including the same |
KR20220116407A (en) | 2020-09-22 | 2022-08-23 | 한국전력공사 | Method and apparatus of high purity sodium bicarbonate production using flue gas |
KR102470189B1 (en) * | 2021-05-31 | 2022-11-23 | (주)로우카본 | Carbon dioxide and sulfur oxide capture and carbon resource conversion system for onshore |
KR102494991B1 (en) * | 2022-08-08 | 2023-02-06 | 정재억 | Apparatus for processing gas using microbubble |
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