KR102660293B1 - Photosensitive resin composition, color conversion panel using the same and display device - Google Patents

Photosensitive resin composition, color conversion panel using the same and display device Download PDF

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Abstract

본 발명은 나노 형광체(nanophosphors), 광중합 개시제, 광중합 화합물, 항산화제, 및 용매를 포함하며, 상기 항산화제는 페놀(phenol)계, 인(phosphorus)계 및 황(sulfur)계 화합물 중 선택된 1종 이상을 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.The present invention includes nanophosphors, a photopolymerization initiator, a photopolymerization compound, an antioxidant, and a solvent, and the antioxidant is one selected from phenol-based, phosphorus-based, and sulfur-based compounds. A photosensitive resin composition comprising the above is provided.

Description

감광성 수지 조성물, 이를 이용한 색변환 패널 및 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, COLOR CONVERSION PANEL USING THE SAME AND DISPLAY DEVICE}Photosensitive resin composition, color conversion panel and display device using the same {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, COLOR CONVERSION PANEL USING THE SAME AND DISPLAY DEVICE}

본 발명은 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 색변환 패널 및 표시 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 광 효율과 색 재현율이 우수한 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 색변환 패널 및 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a color conversion panel and a display device using the same, and more specifically, to a photosensitive resin composition with excellent light efficiency and color reproduction rate, and a color conversion panel and a display device using the same.

액정 표시 장치의 컬러 필터나 색변환 패널의 색변환층은 2종 이상의 색상으로 착색된 미세한 영역을 투명 기판 상에 코팅하여 제조된다.The color filter of a liquid crystal display device or the color conversion layer of a color conversion panel is manufactured by coating a fine area colored with two or more colors on a transparent substrate.

컬러 필터 또는 색변환층의 제조에 사용되는 착색 감광성 수지 조성물은 일반적으로 바인더 수지, 광중합성 단량체, 광중합 개시제, 안료, 용매, 기타 첨가제 등으로 이루어진다. The colored photosensitive resin composition used to manufacture a color filter or color conversion layer generally consists of a binder resin, a photopolymerizable monomer, a photopolymerization initiator, a pigment, a solvent, and other additives.

한편, 착색 감광성 수지 조성물의 안료는 우수한 휘도 특성을 확보하는데 한계가 있으므로, 안료 이외의 구성 성분인 양자점(quantum dot)이나 형광체 등을 이용하여 휘도 특성을 개선시키려는 노력이 있다.Meanwhile, pigments in colored photosensitive resin compositions have limitations in securing excellent brightness characteristics, so there are efforts to improve brightness characteristics by using components other than pigments, such as quantum dots or phosphors.

그러나, 최근의 고품질 사양에 따라, 휘도, 내열성 등이 더욱 우수한 컬러 필터 또는 색변환층이 요구되고 있는데, 특히 패턴 공정 중에 발생하는 열에 의해 광 효율이나 색 재현성이 떨어지는 문제점이 있다.However, in accordance with recent high-quality specifications, color filters or color conversion layers with superior brightness and heat resistance are required. In particular, there is a problem in that light efficiency and color reproducibility are reduced due to heat generated during the patterning process.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 광 효율 및 색 재현성이 우수한 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 색변환 패널 및 표시 장치를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a photosensitive resin composition with excellent light efficiency and color reproducibility, and a color conversion panel and display device using the same.

이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일실시예에 따르면, 나노 형광체(nanophosphors), 광중합 개시제, 광중합 화합물, 항산화제, 및 용매를 포함하며, 상기 항산화제는 페놀(phenol)계, 인(phosphorus)계 및 황(sulfur)계 화합물 중 선택된 1종 이상을 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.In order to solve this problem, according to an embodiment of the present invention, nanophosphors, a photopolymerization initiator, a photopolymerization compound, an antioxidant, and a solvent are included, and the antioxidant is phenol-based, phosphorus, etc. Provided is a photosensitive resin composition containing at least one selected from a group of compounds and a sulfur-based compound.

상기 나노 형광체는 양자점(quantum dot) 및 무기 형광체(inorganic phosphors) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The nano phosphor may include at least one of quantum dots and inorganic phosphors.

상기 페놀계 항산화제는 2,6-디제3부틸-p-크레졸, 2,6-디페닐-4-옥타데실록시페놀, 스테아릴(3,5-디제3부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 디스테아릴(3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질)포스포네이트, 트리데실·3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질티오아세테이트, 티오디에틸렌비스[(3,5-디제3부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 4,4'-티오비스(6-제3부틸-m-크레졸), 2-옥틸티오-4,6-디(3,5-디제3부틸-4-히드록시페녹시)-s-트리아진, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-제3부틸페놀), 비스[3,3-비스(4-히드록시-3-제3부틸페닐)부티릭크애시드]글리콜에스테르, 4,4'-부틸리덴비스(2,6-디제3부틸페놀), 4,4'-부틸리덴비스(6-제3부틸-3-메틸페놀), 2,2'-에틸리덴비스(4,6-디제3부틸페놀), 1,1,3-트리스(2-메틸-4-히드록시-5-제3부틸페닐)부탄, 비스[2-제3부틸-4-메틸-6-(2-히드록시-3-제3부틸-5-메틸벤질)페닐]테레프탈레이트, 1,3,5-트리스(2,6-디메틸-3-히드록시-4-제3부틸벤질)이소시아눌레이트, 1,3,5-트리스(3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질)이소시아눌레이트, 1,3,5-트리스(3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질)-2,4,6-트리메틸벤젠, 1,3,5-트리스[(3,5-디제3부틸-4-히드록시페닐)프로피오닐옥시에틸]이소시아눌레이트, 테트라키스[메틸렌-3-(3', 5'-디제3부틸-4'-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄, 2-제3부틸-4-메틸-6-(2-아크릴로일옥시-3-제3부틸-5-메틸벤질)페놀, 3,9-비스[2-(3-제3부틸-4-히드록시-5-메틸히드로신나모일옥시)-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 트리에틸렌글리콜비스[β-(3-제3부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트] 및 토코페놀 중 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The phenolic antioxidants include 2,6-dietertiary butyl-p-cresol, 2,6-diphenyl-4-octadecyloxyphenol, stearyl (3,5-ditertiary butyl-4-hydroxyphenyl) Propionate, distearyl (3,5-ditertiary butyl-4-hydroxybenzyl) phosphonate, tridecyl·3,5-ditertiary butyl-4-hydroxybenzylthioacetate, thiodiethylenebis[ (3,5-ditertiary butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 4,4'-thiobis(6-tertiary butyl-m-cresol), 2-octylthio-4,6-di( 3,5-ditertiary butyl-4-hydroxyphenoxy)-s-triazine, 2,2'-methylenebis(4-methyl-6-tertiary butylphenol), bis[3,3-bis(4 -Hydroxy-3-tertiary butylphenyl)butyric acid] glycol ester, 4,4'-butylidenebis(2,6-ditertiary butylphenol), 4,4'-butylidenebis(6- tertiary butyl-3-methylphenol), 2,2'-ethylidenebis(4,6-ditertiary butylphenol), 1,1,3-tris(2-methyl-4-hydroxy-5-tertiary) Butylphenyl)butane, bis[2-tertiary butyl-4-methyl-6-(2-hydroxy-3-tertiary butyl-5-methylbenzyl)phenyl]terephthalate, 1,3,5-tris(2 ,6-dimethyl-3-hydroxy-4-tertiary butylbenzyl)isocyanurate, 1,3,5-tris(3,5-ditertiary butyl-4-hydroxybenzyl)isocyanurate, 1 ,3,5-Tris(3,5-dizertbutyl-4-hydroxybenzyl)-2,4,6-trimethylbenzene, 1,3,5-tris[(3,5-dizertbutyl-4- Hydroxyphenyl)propionyloxyethyl]isocyanurate, tetrakis[methylene-3-(3', 5'-ditertiary butyl-4'-hydroxyphenyl)propionate]methane, 2-tertiary butyl -4-methyl-6-(2-acryloyloxy-3-tertbutyl-5-methylbenzyl)phenol, 3,9-bis[2-(3-tertbutyl-4-hydroxy-5- Methylhydrocinnamoyloxy)-1,1-dimethylethyl]-2,4,8,10-tetraoxaspiro[5.5]undecane, triethylene glycol bis[β-(3-tertbutyl-4-hydroxy -5-methylphenyl)propionate] and tocophenol.

상기 인계 항산화제는 트리페닐포스파이트, 트리스(2,4-디제3부틸페닐)포스파이트, 트리스(2,5-디제3부틸페닐)포스파이트, 트리스(노닐페닐)포스파이트, 트리스(디노닐페닐)포스파이트, 트리스(모노,디혼합 노닐페닐)포스파이트, 디페닐애시드포스파이트, 2,2'-메틸렌비스(4,6-디제3부틸페닐)옥틸포스파이트, 디페닐데실포스파이트, 디페닐옥틸포스파이트, 디(노닐페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 페닐디이소데실포스파이트, 트리부틸포스파이트, 트리스(2-에틸헥실)포스파이트, 트리데실포스파이트, 트리라우릴포스파이트, 디부틸애시드포스파이트, 디라우릴애시드포스파이트, 트리라우릴트리티오포스파이트, 비스(네오펜틸글리콜)·1,4-시클로헥산디메틸디포스파이트, 비스(2,4-디제3부틸페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 비스(2,5-디제3부틸페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 비스(2,6-디제3부틸-4-메틸페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 디스테아릴펜타에리스리톨디포스파이트, 테트라(C12-15 혼합알킬)-4,4'-이소프로피리덴디페닐포스파이트, 비스[2,2'-메틸렌비스(4,6-디아밀페닐)]·이소프로피리덴디페닐포스파이트, 테트라트리데실·4,4'-부틸리덴비스(2-제3부틸-5-메틸페놀)디포스파이트, 헥사(트리데실)·1,1,3-트리스(2-메틸-5-제3부틸-4-히드록시페닐)부탄·트리포스파이트, 테트라키스(2,4-디제3부틸페닐)비페닐렌디포스파나이트, 트리스(2-[(2,4,7,9-테트라키스제3부틸디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-6-일)옥시]에틸)아민, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난스렌-10-옥사이드, 트리스(2-[(2,4,8,10-테트라키스 제3부틸디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-6-일)옥시]에틸)아민 및 2-(1,1-디메틸에틸)-6-메틸-4-[3-[[2,4,8,10-테트라키스(1,1-디메틸에틸)디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-6-일]옥시]프로필]페놀2-부틸-2-에틸프로판디올·2,4,6-트리제3부틸페놀모노포스파이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The phosphorus-based antioxidants include triphenyl phosphite, tris (2,4-di tertiary butylphenyl) phosphite, tris (2,5-di tertiary butylphenyl) phosphite, tris (nonylphenyl) phosphite, and tris (dinonyl). Phenyl) phosphite, tris (mono, dimixed nonylphenyl) phosphite, diphenyl acid phosphite, 2,2'-methylenebis (4,6-ditertiary butylphenyl) octyl phosphite, diphenyldecyl phosphite, Diphenyloctyl phosphite, di(nonylphenyl)pentaerythritol diphosphite, phenyl diisodecyl phosphite, tributyl phosphite, tris(2-ethylhexyl) phosphite, tridecyl phosphite, trilauryl phosphite, di Butyl acid phosphite, dilauryl acid phosphite, trilauryl trithiophosphite, bis(neopentyl glycol)·1,4-cyclohexanedimethyldiphosphite, bis(2,4-ditertiary butylphenyl)pentaerythritol depot Spite, bis(2,5-ditertibutylphenyl)pentaerythritol diphosphite, bis(2,6-ditertibutyl-4-methylphenyl)pentaerythritol diphosphite, bis(2,4-dicumylphenyl)pentaerythritol diphosphite Spite, distearyl pentaerythritol diphosphite, tetra(C12-15 mixed alkyl)-4,4'-isopropylidenediphenyl phosphite, bis[2,2'-methylenebis(4,6-diamylphenyl) ]·Isopropylidenediphenylphosphite, tetratridecyl·4,4'-butylidenebis(2-tertiary butyl-5-methylphenol)diphosphite, hexa(tridecyl)·1,1,3- Tris(2-methyl-5-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)butane·triphosphite, tetrakis(2,4-ditertbutylphenyl)biphenylenediphosphanite, Tris(2-[(2 ,4,7,9-Tetrakistertbutyldibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphosphepin-6-yl)oxy]ethyl)amine, 9,10-dihydro-9- Oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, tris(2-[(2,4,8,10-tetrakis tertbutyldibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphosphepine -6-yl)oxy]ethyl)amine and 2-(1,1-dimethylethyl)-6-methyl-4-[3-[[2,4,8,10-tetrakis(1,1-dimethylethyl) ) dibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphospepin-6-yl]oxy]propyl]phenol 2-butyl-2-ethylpropanediol·2,4,6-trizet-butylphenol It may contain at least one of monophosphites.

상기 황계 항산화제는 디알킬티오디프로피오네이트 및 폴리올의 β-알킬메르캅토프로피온산 에스테르 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The sulfur-based antioxidant may include at least one of dialkylthiodipropionate and β-alkylmercaptopropionic acid ester of polyol.

상기 항산화제는 상기 감광성 수지 조성물의 고형분의 총 중량 대비 1 내지 5중량%의 함량을 가질 수 있다.The antioxidant may have a content of 1 to 5% by weight based on the total weight of solids of the photosensitive resin composition.

상기 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, III-VI족 화합물, IV-VI족 화합물, II-III-V족 화합물, II-III-VI족 화합물, IV족 원소 및 IV족 화합물 중 선택된 1종 이상을 포함하며, 상기 양자점은 코어 및 상기 코어를 덮는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조일 수 있다.The quantum dots include group II-VI compounds, group III-V compounds, group III-VI compounds, group IV-VI compounds, group II-III-V compounds, group II-III-VI compounds, group IV elements, and group IV compounds. It includes one or more selected from among, and the quantum dot may have a core-shell structure including a core and a shell covering the core.

상기 코어는 CdSe, CdS, ZnS, ZnSe, CdTe, CdSeTe, CdZnS, PbSe, AgInZnS, ZnTe, CdSeS, PbS, PbTe, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP, InZnP, InGaP, InGaN, InAs 및 ZnO 중 적어도 하나의 화합물을 포함하고,The core is CdSe, CdS, ZnS, ZnSe, CdTe, CdSeTe, CdZnS, PbSe, AgInZnS, ZnTe, CdSeS, PbS, PbTe, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP, InZnP, InGaP, InGaN, InAs and at least one compound of ZnO,

상기 쉘은 CdSe, ZnSe, ZnS, ZnTe, CdTe, PbS, SrSe, CdO, CdS, ZnO, InP, InS, GaP, GaN, GaO, InZnP, InGaP, InGaN, InZnSCdSe 및 HgSe 중 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있다.The shell may include at least one compound of CdSe, ZnSe, ZnS, ZnTe, CdTe, PbS, SrSe, CdO, CdS, ZnO, InP, InS, GaP, GaN, GaO, InZnP, InGaP, InGaN, InZnSCdSe and HgSe. You can.

상기 무기 형광체는 가넷(garnet)계, 실리케이트(silicate)계, 황화물(sulfide)계, 산질화물(oxynitrides)계, 질화물(nitride)계 및 알루미네이트(aluminate)계 중 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The inorganic phosphor may include one or more selected from garnet-based, silicate-based, sulfide-based, oxynitride-based, nitride-based, and aluminate-based. there is.

상기 무기 형광체는 Y3Al5O12:Ce3 + (YAG:Ce), Tb3Al5O12:Ce3 + (TAG:Ce), (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu2+, (Sr,Ba,Ca,Mg,Zn)2Si(OD)4:Eu2 + D=F,Cl,S,N,Br, Ba2MgSi2O7:Eu2+, Ba2SiO4:Eu2 +, Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce3 +, (Ca,Sr)S:Eu2 +, (Sr,Ca)Ga2S4:Eu2+, SrSi2O2N2:Eu2 +, SiAlON:Ce3 +, β-SiAlON:Eu2 +, Ca-α-SiAlON:Eu2 +, Ba3Si6O12N2:Eu2+, CaAlSiN3:Eu2 +, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu2 +, Sr2Si5N8:Eu2 +, (Sr,Ba)Al2O4:Eu2 +, (Mg,Sr)Al2O4:Eu2+ 및 BaMg2Al16O27:Eu2 + 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The inorganic phosphor is Y 3 Al 5 O 12 :Ce 3 + (YAG:Ce), Tb 3 Al 5 O 12 :Ce 3 + (TAG:Ce), (Sr,Ba,Ca) 2 SiO 4 :Eu 2+ , (Sr,Ba,Ca,Mg,Zn) 2 Si(OD) 4 :Eu 2 + D=F,Cl,S,N,Br, Ba 2 MgSi 2 O 7 :Eu 2+ , Ba 2 SiO 4 : Eu 2 + , Ca 3 (Sc,Mg) 2 Si3O 12 :Ce 3 + , (Ca,Sr)S:Eu 2 + , (Sr,Ca)Ga 2 S 4 :Eu 2+ , SrSi 2 O 2 N 2 :Eu 2+ , SiAlON:Ce 3+ , β-SiAlON:Eu 2+ , Ca- α -SiAlON:Eu 2+ , Ba 3 Si 6 O 12 N 2 :Eu 2+ , CaAlSiN 3 :Eu 2+ , ( Sr,Ca)AlSiN 3 :Eu 2+ , Sr 2 Si 5 N 8 :Eu 2+ , (Sr,Ba)Al 2 O 4 : Eu 2+ , ( Mg,Sr)Al 2 O 4 :Eu 2+ and It may include at least one of BaMg 2 Al 16 O 27 :Eu 2+ .

상기 감광성 수지 조성물은 분산제를 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include a dispersant.

상기 감광성 수지 조성물은 광 산란체를 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include a light scattering body.

상기 광 산란체는 TiO2, Al2O3 및 SiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light scattering body may include at least one of TiO 2 , Al 2 O 3 and SiO 2 .

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 하부 기판, 상기 하부 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극, 상기 하부 기판과 대향하는 상부 기판, 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 위치하는 색필터를 포함하며, 상기 색필터는 나노 형광체(nanophosphors) 및 항산화제를 포함하며, 상기 항산화제는 페놀(phenol)계, 인(phosphorus)계 및 황(sulfur)계 화합물 중 선택된 1종 이상을 포함하는 감광성 수지 조성물을 포함하는 액정 표시 장치를 제공한다.In addition, according to another embodiment of the present invention, a lower substrate, a thin film transistor located on the lower substrate, a pixel electrode connected to the thin film transistor, an upper substrate facing the lower substrate, and located between the lower substrate and the upper substrate. It includes a color filter, wherein the color filter includes nanophosphors and an antioxidant, and the antioxidant is at least one selected from phenol-based, phosphorus-based, and sulfur-based compounds. It provides a liquid crystal display device including a photosensitive resin composition containing.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 위치하며 서로 다른 색의 광을 방출하는 복수의 색변환층, 상기 색변환층 사이에 위치하는 차광 부재를 포함하며, 상기 색변환층은 나노 형광체(nanophosphors) 및 항산화제를 포함하며, 상기 항산화제는 페놀(phenol)계, 인(phosphorus)계 및 황(sulfur)계 화합물 중 선택된 1종 이상을 포함하는 감광성 수지 조성물을 포함하는 색변환 패널을 제공한다.In addition, according to another embodiment of the present invention, it includes a first substrate, a plurality of color conversion layers located on the first substrate and emitting light of different colors, and a light blocking member located between the color conversion layers. The color conversion layer includes nanophosphors and an antioxidant, and the antioxidant is a photosensitive layer containing at least one selected from phenol-based, phosphorus-based, and sulfur-based compounds. A color conversion panel comprising a resin composition is provided.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 표시 패널, 및 상기 표시 패널 위에 위치하는 색변환 패널을 포함하고, 상기 색변환 패널은, 제1 기판, 상기 표시 패널을 향하는 상기 제1 기판의 일면 위에 위치하며 서로 다른 색의 광을 방출하는 복수의 색변환층, 상기 색변환층 사이에 위치하는 차광 부재를 포함하며, 상기 색변환층은 나노 형광체(nanophosphors) 및 항산화제를 포함하며,상기 항산화제는 페놀(phenol)계, 인(phosphorus)계 및 황(sulfur)계 화합물 중 선택된 1종 이상을 포함하는 감광성 수지 조성물을 포함하는 표시 장치를 제공한다.Additionally, according to another embodiment of the present invention, it includes a display panel and a color conversion panel located on the display panel, wherein the color conversion panel includes a first substrate and a surface of the first substrate facing the display panel. It includes a plurality of color conversion layers located on top and emitting light of different colors, and a light blocking member located between the color conversion layers, wherein the color conversion layer includes nanophosphors and antioxidants, and the antioxidant The present invention provides a display device including a photosensitive resin composition containing at least one selected from phenol-based, phosphorus-based, and sulfur-based compounds.

상기 표시 패널은, 하부 기판, 상기 하부 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함할 수 있다.The display panel may include a lower substrate, a thin film transistor positioned on the lower substrate, and a pixel electrode connected to the thin film transistor.

상기 하부 기판과 이격되어 마주하는 상부 기판, 및 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 위치하는 액정층을 더 포함할 수 있다.It may further include an upper substrate facing away from the lower substrate, and a liquid crystal layer positioned between the lower substrate and the upper substrate.

상기 화소 전극과 마주하는 루프층, 상기 화소 전극과 상기 루프층 사이의 복수의 미세 공간에 위치하는 액정층을 더 포함할 수 있다.It may further include a roof layer facing the pixel electrode and a liquid crystal layer located in a plurality of micro spaces between the pixel electrode and the roof layer.

상기 화소 전극 위에 위치하는 유기 발광 부재, 및 상기 유기 발광 부재 위에 위치하는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.It may further include an organic light-emitting member positioned on the pixel electrode, and a common electrode positioned on the organic light-emitting member.

이상과 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면, 나노 형광체를 포함하는 감광성 수지 조성물에 항산화제를 첨가함으로써, 공정 진행 중에 발생할 수 있는 나노 형광체의 손상으로 인한 소광 현상을 방지할 수 있으며, 이로 인해 표시 장치의 광 효율 및 색 재현성이 우수한 장점이 있다.As described above, according to an embodiment of the present invention, by adding an antioxidant to a photosensitive resin composition containing a nano phosphor, it is possible to prevent the extinction phenomenon due to damage to the nano phosphor that may occur during the process, thereby preventing the display. The device has the advantage of excellent light efficiency and color reproducibility.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 실험예 및 비교예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용한 패턴 공정 진행에 따른 녹색(green) 광 유지율 및 광량을 측정한 그래프이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 실험예 및 비교예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용한 패턴 공정 진행에 따른 적색(red) 광 유지율 및 광량을 측정한 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용한 색필터의 색좌표를 측정한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 5은 도 4의 V-V 선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 복수의 화소에 대한 평면도이다.
도 9는 도 8의 IX-IX 선을 따라 자른 단면도이다.
도 10은 도 9의 실시예에 대한 변형 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 복수의 화소에 대한 평면도이다.
도 12는 도 11의 XII-XII 선을 따라 자른 단면도이다.
도 13은 도 11의 XIII-XIII 선을 따라 자른 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 복수의 화소에 대한 평면도이다.
도 15는 도 14의 XV-XV 선을 따라 자른 단면도이다.
1A and 1B are graphs measuring green light retention and light quantity according to the progress of a pattern process using a photosensitive resin composition according to an experimental example and a comparative example according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A and 2B are graphs measuring red light retention and light quantity according to the progress of a pattern process using a photosensitive resin composition according to an experimental example and a comparative example according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a graph measuring the color coordinates of a color filter using a photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a plan view showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a cross-sectional view taken along line VV of Figure 4.
Figure 6 is a cross-sectional view of a color conversion panel according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 8 is a top view of a plurality of pixels in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX of FIG. 8.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a modified embodiment of the embodiment of FIG. 9.
Figure 11 is a top view of a plurality of pixels in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII of FIG. 11.
FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII of FIG. 11.
Figure 14 is a top view of a plurality of pixels in an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV of FIG. 14.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.With reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위"에 있다고 언급되는 경우에 "위"와 관련되는 방향은 중력 반대 방향이거나 중력 방향일 수 있다. In the drawing, the thickness is enlarged to clearly express various layers and regions. Throughout the specification, similar parts are given the same reference numerals. When a part of a layer, membrane, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only being "directly above" the other part, but also cases where there is another part in between. Conversely, when a part is said to be “right on top” of another part, it means that there is no other part in between. Additionally, when referred to as being “above” a reference portion, the direction related to “above” may be the direction opposite to gravity or in the direction of gravity.

본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 나노 형광체(nanophosphors), 광중합 개시제, 광중합 화합물, 항산화제 및 용매를 포함한다.The photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention includes nanophosphors, a photopolymerization initiator, a photopolymerization compound, an antioxidant, and a solvent.

먼저, 본 발명의 실시예에 따른 나노 형광체는 양자점(quantum dot) 또는 무기 형광체(inorganic phosphors) 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.First, the nano phosphor according to an embodiment of the present invention may include at least one selected from quantum dots or inorganic phosphors.

본 발명의 실시예에 따른 나노 형광체에 포함되는 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합을 포함할 수 있다.Quantum dots included in the nano phosphor according to an embodiment of the present invention may include group II-VI compounds, group III-V compounds, group IV-VI compounds, group IV elements, group IV compounds, and combinations thereof.

II-VI족 화합물은 CdO, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, SrSe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. Group II-VI compounds include binary compounds selected from the group consisting of CdO, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, SrSe, and mixtures thereof; A ternary selected from the group consisting of CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS and mixtures thereof. bovine compounds; and a tetraelement compound selected from the group consisting of HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof.

III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, InGaP, InGaN 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaAlNP, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. Group III-V compounds include binary compounds selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; A ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, InGaP, InGaN and mixtures thereof; and a tetraelement compound selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaAlNP, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. there is.

IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다. Group IV-VI compounds include binary compounds selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; A ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe and mixtures thereof; and a quaternary element compound selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof. Group IV elements may be selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof. The group IV compound may be a binary compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

이 외에도, III-VI족 화합물, II-III-V족 화합물 또는 II-III-VI족 화합물 및 이들의 조합을 포함할 수도 있다.In addition, it may include Group III-VI compounds, Group II-III-V compounds, or Group II-III-VI compounds, and combinations thereof.

III-VI족 화합물은 GaO 등의 화합물, II-III-V족 화합물은 InZnP 등의 화합물, II-III-VI족 화합물은 InZnSCdSE 등의 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Group III-VI compounds may include compounds such as GaO, group II-III-V compounds may include compounds such as InZnP, and group II-III-VI compounds may include compounds such as InZnSCdSE, but are not limited thereto.

이 때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.At this time, the di-element compound, tri-element compound, or quaternary element compound may exist in the particle at a uniform concentration, or may exist in the same particle with a partially different concentration distribution. Additionally, one quantum dot may have a core/shell structure surrounding other quantum dots. The interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of elements present in the shell decreases toward the center.

예를 들어, 양자점은 코어 및 코어를 덮는 쉘을 포함한 코어/ 쉘 구조를 가질 수 있다.For example, quantum dots may have a core/shell structure including a core and a shell covering the core.

코어는 CdSe, CdS, ZnS, ZnSe, CdTe, CdSeTe, CdZnS, PbSe, AgInZnS, ZnTe, CdSeS, PbS, PbTe, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP, InZnP, InGaP, InGaN, InAs 및 ZnO로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 쉘은 CdSe, ZnSe, ZnS, ZnTe, CdTe, PbS, SrSe, CdO, CdS, ZnO, InP, InS, GaP, GaN, GaO, InZnP, InGaP, InGaN, InZnSCdSe 및 HgSe으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The cores are CdSe, CdS, ZnS, ZnSe, CdTe, CdSeTe, CdZnS, PbSe, AgInZnS, ZnTe, CdSeS, PbS, PbTe, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP, InZnP, InGaP, InGaN, InAs, and It may include one or more materials selected from the group consisting of ZnO, but is not limited thereto. The shell is made of one or more materials selected from the group consisting of CdSe, ZnSe, ZnS, ZnTe, CdTe, PbS, SrSe, CdO, CdS, ZnO, InP, InS, GaP, GaN, GaO, InZnP, InGaP, InGaN, InZnSCdSe and HgSe. It may include, but is not limited to this.

코어/쉘 양자점 중 코어의 평균 입경은 2nm 내지 5nm일 수 있다. 한편, 쉘의 평균 두께는 3nm 내지 5nm일 수 있다. 또한, 양자점의 평균 입경은 5nm 내지 10nm일 수 있다. 코어, 쉘 및 양자점이 상술한 바와 같은 평균 입경 또는 평균 두께 범위를 만족할 경우, 양자점으로서의 특징적인 거동을 할 수 있음은 물론, 패턴 형성용 조성물 중 우수한 분산성을 가질 수 있다. 상술한 바와 같은 범위 내에서 코어의 입경, 쉘의 평균 두께, 양자점의 평균 입경을 다양하게 선택함으로써, 양자점의 발광 컬러 및/또는 양자점의 반도체성 특성 등을 다양하게 변화시킬 수 있다.Among core/shell quantum dots, the average particle diameter of the core may be 2 nm to 5 nm. Meanwhile, the average thickness of the shell may be 3 nm to 5 nm. Additionally, the average particle diameter of quantum dots may be 5 nm to 10 nm. When the core, shell, and quantum dots satisfy the average particle diameter or average thickness range as described above, not only can they exhibit characteristic behavior as quantum dots, but they can also have excellent dispersibility in a composition for forming a pattern. By variously selecting the particle size of the core, the average thickness of the shell, and the average particle size of the quantum dots within the range described above, the emission color of the quantum dots and/or the semiconducting properties of the quantum dots can be varied in various ways.

또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the shape of the quantum dot is not particularly limited to those commonly used in the art, but more specifically, spherical, pyramidal, multi-arm, or cubic nanoparticles, nanotubes, It is preferable to use ones in the form of nanowires, nanofibers, nanoplate-shaped particles, etc.

본 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 전(全)발광(lambertian)하는 양자점을 포함하여, 추후 설명할 표시 장치에 적용될 경우에 표시 장치의 시야각이 개선될 수 있다.The photosensitive resin composition according to this embodiment includes fully emitting (lambertian) quantum dots, and when applied to a display device to be described later, the viewing angle of the display device can be improved.

본 발명의 실시예에 따른 나노 형광체에 포함되는 무기 형광체는 가넷(garnet)계, 실리케이트(silicate)계, 황화물(sulfide)계, 산질화물(oxynitrides)계, 질화물(nitride)계 및 알루미네이트(aluminate)계 중 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.Inorganic phosphors included in the nano phosphor according to an embodiment of the present invention include garnet-based, silicate-based, sulfide-based, oxynitride-based, nitride-based and aluminate. ) may include one or more selected from the system.

이러한 무기 형광체로는 Y3Al5O12:Ce3 + (YAG:Ce), Tb3Al5O12:Ce3 + (TAG:Ce), (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu2+, (Sr,Ba,Ca,Mg,Zn)2Si(OD)4:Eu2 + D=F,Cl,S,N,Br, Ba2MgSi2O7:Eu2+, Ba2SiO4:Eu2 +, Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce3 +, (Ca,Sr)S:Eu2 +, (Sr,Ca)Ga2S4:Eu2+, SrSi2O2N2:Eu2 +, SiAlON:Ce3 +, β-SiAlON:Eu2 +, Ca-α-SiAlON:Eu2 +, Ba3Si6O12N2:Eu2+, CaAlSiN3:Eu2 +, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu2 +, Sr2Si5N8:Eu2 +, (Sr,Ba)Al2O4:Eu2 +, (Mg,Sr)Al2O4:Eu2+ 및 BaMg2Al16O27:Eu2 +로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.Such inorganic phosphors include Y 3 Al 5 O 12 :Ce 3 + (YAG:Ce), Tb 3 Al 5 O 12 :Ce 3 + (TAG:Ce), (Sr,Ba,Ca) 2 SiO 4 :Eu 2 + , (Sr,Ba,Ca,Mg,Zn) 2 Si(OD) 4 :Eu 2 + D=F,Cl,S,N,Br, Ba 2 MgSi 2 O 7 :Eu 2+ , Ba 2 SiO 4 :Eu 2+ , Ca 3 (Sc,Mg) 2 Si3O 12 :Ce 3+ , (Ca,Sr)S:Eu 2+ , (Sr,Ca)Ga 2 S 4 :Eu 2+ , SrSi 2 O 2 N 2 :Eu 2+ , SiAlON:Ce 3+ , β-SiAlON:Eu 2+ , Ca- α -SiAlON:Eu 2+ , Ba 3 Si 6 O 12 N 2 :Eu 2+ , CaAlSiN 3 :Eu 2+ , (Sr,Ca)AlSiN 3 :Eu 2+ , Sr 2 Si 5 N 8 :Eu 2+ , (Sr,Ba)Al 2 O 4 : Eu 2+ , ( Mg,Sr)Al 2 O 4 :Eu 2+ and BaMg 2 Al 16 O 27 :Eu 2+ .

전술한 양자점 또는 무기 형광체를 포함하는 나노 형광체는 감광성 수지 조성물에 나노 형광체 자체로 직접 투입되거나 또는 분산제 등을 포함하는 나노 형광체 분산액의 형태로 투입될 수 있다.The nano phosphor containing the above-mentioned quantum dots or inorganic phosphor may be added directly to the photosensitive resin composition as the nano phosphor itself or in the form of a nano phosphor dispersion containing a dispersant, etc.

여기서, 분산제는 나노 형광체를 용액 중에 분산시켜 안정한 현탁액 등으로 만들기 위해 첨가되는 물질이다.Here, the dispersant is a substance added to disperse the nano phosphor in a solution to form a stable suspension.

이때, 나노 형광체 분산액에 포함될 수 있는 분산제로는 비이온성 분산제, 이온성 분산제, 또는 양이온성 분산제가 선택적으로 사용될 수 있고, 예컨대, 폴리알킬렌글리콜 및 이의 에스테르; 폴리옥시알킬렌; 다가알코올에스테르 알킬렌옥사이드 부가물; 알코올알킬렌옥사이드 부가물; 등이 단독으로 또는 적절히 조합되어 사용될 수 있다. At this time, the dispersant that can be included in the nano phosphor dispersion may be a nonionic dispersant, an ionic dispersant, or a cationic dispersant, and examples include polyalkylene glycol and esters thereof; polyoxyalkylene; Polyhydric alcohol ester alkylene oxide adduct; Alcohol alkylene oxide adduct; These may be used alone or in appropriate combination.

또한, 나노 형광체 분산액에 포함될 수 있는 용매로는 에틸렌글리콜아세테이트, 에틸셀로솔브, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 에틸락테이트, 폴리에틸렌글리콜, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜메틸에테르 등이 사용될 수 있다. In addition, solvents that may be included in the nano phosphor dispersion include ethylene glycol acetate, ethyl cellosolve, propylene glycol methyl ether acetate, ethyl lactate, polyethylene glycol, cyclohexanone, propylene glycol methyl ether, etc.

본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 포함된 광중합 개시제는 감광성 수지 조성물 중 감광성 작용기들 및 감광성 물질 간의 가교 결합 및 경화 반응을 개시하는 역할을 하는 물질로서, 아세토페논계, 벤조인계, 벤조페논계, 트리아진계, 옥심계 및 티오크산톤계 광중합 개시제에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다. The photopolymerization initiator included in the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention is a substance that serves to initiate the crosslinking and curing reaction between the photosensitive functional groups and the photosensitive material in the photosensitive resin composition, and is acetophenone-based, benzoin-based, and benzophene-based. One or more types selected from rice field-based, triazine-based, oxime-based, and thioxanthone-based photopolymerization initiators can be used.

아세토페논계 광중합 개시제로는 4-페녹시 디클로로아세토페논(4-Phenoxy dichloroacetophenone), 4-t-부틸 디클로로아세토페논(4-t-Butyl dichloroacetophenone), 4-t-부틸 트리클로로아세토페논(4-t-Butyl trichloroacetophenone), 2,2-디에톡시아세토페논(2,2-diethoxyacetophenone), 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온(2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane-1-one), 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸-프로판-1-온 [1-(4-Isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methyl-propane-1-one], 1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온 [1-(4-Dodecylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropane-1-one], 4-(2-히드록시에톡시)-페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤 [4-(2-Hydroxyethoxy)-phenyl-(2-hydroxy-2-propyl)ketone], 1-히드록시 시클로헥실 페닐 케톤(1-Hydroxy cyclohexyl phenyl ketone), 2-메틸-1- [4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온[2-Methyl-1- [4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-propane-1-one], 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Acetophenone-based photopolymerization initiators include 4-Phenoxy dichloroacetophenone, 4-t-Butyl dichloroacetophenone, and 4-t-butyl trichloroacetophenone. t-Butyl trichloroacetophenone), 2,2-diethoxyacetophenone (2,2-diethoxyacetophenone), 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one (2-Hydroxy-2-methyl-1 -phenyl-propane-1-one), 1-(4-Isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methyl-propan-1-one [1-(4-Isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methyl -propane-1-one], 1-(4-dodecylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropane-1-one [1-(4-Dodecylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropane-1- one], 4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl-(2-hydroxy-2-propyl)ketone [4-(2-Hydroxyethoxy)-phenyl-(2-hydroxy-2-propyl)ketone], 1-Hydroxy cyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl-1- [4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-propan-1-one [2-Methyl-1 - [4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-propane-1-one], etc. may be mentioned, but are not limited thereto.

벤조인계 광중합 개시제로는 벤조인(Benzoin), 벤조인 메틸 에테르(Benzoin methyl ether), 벤조인 에틸에테르(Benzoin ethyl ether), 벤조인 이소프로필 에테르(Benzoin isopropyl ether), 벤조인 이소부틸 에테르(Benzoin isobutyl ether), 벤질 디메틸 케탈(Benzyl dimethyl ketal) 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Benzoin-based photopolymerization initiators include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and benzoin isobutyl ether. isobutyl ether), benzyl dimethyl ketal, etc. may be used, but are not limited thereto.

벤조페논계 광중합 개시제로는 벤조페논(Benzophenone), 벤조일 벤조산 (Benzoyl benzoic acid), 벤조일 벤조익 애시드 메틸 에스테르(Benzoyl benzoic acid methyl ester), 4-페닐 벤조페논 (4-Phenylbenzophenone), 히드록시 벤조페논(Hydroxy benzophenone), 4-벤조일-4'-메틸 디페닐 설파이드(4-Benzoyl-4'-methyl diphenyl sulphide), 3,3'-디메틸-4-메톡시 벤조페논(3,3'-Dimethyl-4-methoxy benzophenone) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Benzophenone-based photopolymerization initiators include Benzophenone, Benzoyl benzoic acid, Benzoyl benzoic acid methyl ester, 4-Phenylbenzophenone, and hydroxy benzophenone. (Hydroxy benzophenone), 4-Benzoyl-4'-methyl diphenyl sulphide, 3,3'-dimethyl-4-methoxy benzophenone (3,3'-Dimethyl- 4-methoxy benzophenone), etc., but is not limited thereto.

트리아진계 광중합 개시제로는 2,4,6-트리클로로-s-트리아진, 2-페닐 4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3',4'-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4'-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-톨릴)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-비페닐 4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 비스(트리클로로메틸)-6-스티릴-s-트리아진, 2-(나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-s-트리아진, 2-4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-s-트리아진 등을 들 수 있다.Triazine photopolymerization initiators include 2,4,6-trichloro-s-triazine, 2-phenyl 4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, and 2-(3',4'-dimethoxy). Styryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4'-methoxynaphthyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2- (p-methoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(p-tolyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2- Biphenyl 4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, bis(trichloromethyl)-6-styryl-s-triazine, 2-(naphtho-1-yl)-4,6- Bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4-methoxynaphtho-1-yl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-4-bis(trichlor Romethyl)-6-piperonyl-s-triazine, 2-4-bis(trichloromethyl)-6-(4-methoxystyryl)-s-triazine, etc. are mentioned.

옥심계 광중합 개시제로는 O-아실옥심계 화합물, 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온, 1-(O-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온, O-에톡시카르보닐-α-옥시아미노-1-페닐프로판-1-온 등을 사용할 수 있다. 상기 O-아실옥심계 화합물의 구체적인 예로는, 1,2-옥탄디온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1,2-디온2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1,2-디온2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1-온옥심-O-아세테이트 등을 들 수 있다.Oxime-based photopolymerization initiators include O-acyloxime-based compounds, 2-(O-benzoyloxime)-1-[4-(phenylthio)phenyl]-1,2-octanedione, 1-(O-acetyloxime)- 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]ethanone, O-ethoxycarbonyl-α-oxyamino-1-phenylpropan-1-one, etc. You can use it. Specific examples of the O-acyloxime compounds include 1,2-octanedione, 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butane- 1-one, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-butane-1,2-dione2-oxime-O-benzoate, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-octane-1,2-dione2 -Oxime-O-benzoate, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-octane-1-oneoxime-O-acetate, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-butane-1-oneoxime-O- Acetate, etc. can be mentioned.

티오크산톤계 광중합 개시제로는 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 이소프로필 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤 등을 들 수 있다.Thioxanthone-based photopolymerization initiators include thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, isopropyl thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, and 2,4-diisopropyl tea. Oxanthone, etc. can be mentioned.

광중합 개시제의 함량은 특별히 한정되지 않으며, 광중합 개시제의 개시 성능, 형성하고자 하는 감광성 수지 패턴의 사이즈 등을 고려하여 적절한 범위에서 선택될 수 있다.The content of the photopolymerization initiator is not particularly limited and may be selected within an appropriate range considering the initiation performance of the photopolymerization initiator, the size of the photosensitive resin pattern to be formed, etc.

본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 포함된 용매는 유기 용매로서, 예를 들면, DMF, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논(4-Hydroxy-4-methyl-2-pentanone), 에틸렌글리콜모노에틸에테르 (Ethylene glycol monoethyl ether) 및 2-메톡시에탄올(2-Methoxyethanol), 클로로포름, 클로로 벤젠, 톨루엔, 테트라하이드로 퓨란, 다이클로로메탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난 및 데칸 중 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The solvent contained in the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention is an organic solvent, for example, DMF, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone ), Ethylene glycol monoethyl ether and 2-Methoxyethanol, chloroform, chlorobenzene, toluene, tetrahydrofuran, dichloromethane, hexane, heptane, octane, nonane and decane. There may be more than one, but it is not limited to this.

본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 포함된 광중합 화합물은 노광시 감광성 화합물과 또는 나노 형광체의 표면에 결합된 감광성 작용기와 함께 가교 결합 및 경화 반응에 참여한다. 따라서, 감광성 수지 패턴의 해상도와 경화물의 내구성을 높이는 역할을 할 수 있다.The photopolymerization compound included in the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention participates in crosslinking and curing reactions with the photosensitive compound or with the photosensitive functional group bonded to the surface of the nano phosphor upon exposure to light. Therefore, it can serve to increase the resolution of the photosensitive resin pattern and the durability of the cured product.

광중합 화합물은, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중결합을 가지는 (메타)아크릴산의 일관능 또는 다관능 에스테르의 단독 사용 또는 2종 이상 함께 사용될 수 있다.The photopolymerizable compound may be used alone or in combination of two or more monofunctional or polyfunctional esters of (meth)acrylic acid having at least one ethylenically unsaturated double bond.

광중합 화합물은 에틸렌성 불포화 이중결합을 가짐으로써, 패턴 형성 공정에서 노광시 충분한 중합을 일으킴으로써 내열성, 내광성 및 내화학성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다.By having an ethylenically unsaturated double bond, the photopolymerizable compound can form a pattern with excellent heat resistance, light resistance, and chemical resistance by causing sufficient polymerization during exposure to light in the pattern formation process.

광중합 화합물의 구체적인 예로는, 에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 비스페놀A 에폭시(메타)아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸에테르 (메타)아크릴레이트, 트리메틸올 프로판 트리(메타)아크릴레이트, 트리스(메타)아크릴로일옥시에틸 포스페이트, 노볼락에폭시 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Specific examples of photopolymerization compounds include ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, propylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di( Meth)acrylate, 1,4-butanediol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, Bisphenol A di(meth)acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, penta Erythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, pentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol di(meth)acrylate, dipentaerythritol tri(meth)acrylate , Dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, Bisphenol A epoxy(meth)acrylate, ethylene glycol monomethyl ether (meth)acrylate, trimethylol propane tri(meth)acrylate Acrylate, tris(meth)acryloyloxyethyl phosphate, novolac epoxy (meth)acrylate, etc. can be mentioned.

광중합 화합물은 보다 우수한 현상성을 부여하기 위하여 산무수물로 처리하여 사용할 수도 있다.The photopolymerizable compound may be used by treating it with an acid anhydride to provide better developability.

또한, 광중합 화합물은 아크릴기 및 비닐기 중 적어도 하나 이상을 포함하는 다관능성 아크릴레이트계 화합물, 다관능성 폴리알킬렌옥사이드 또는 폴리실록산계 중합체일 수 있다.Additionally, the photopolymerization compound may be a multifunctional acrylate-based compound, a multifunctional polyalkylene oxide, or a polysiloxane-based polymer containing at least one of an acrylic group and a vinyl group.

광중합 화합물은 우레탄 아크릴레이트, 아릴옥시레이티드 시클로헥실 디아크릴레이트(Allyloxylated cyclohexyl diacrylate), 비스(아크릴옥시 에틸)히드록실 이소시아뉴레이트 [Bis(acryloxyethyl)hydroxyl isocyanurate], 비스(아크릴옥시 네오펜틸글리콜)아디페이트[Bis (acryloxy neopentylglycol) adipate], 비스페놀A 디아크릴레이트(Bisphenol A diacrylate), 비스페놀A 디메타크릴레이트(Bisphenol A dimethacrylate), 1,4-부탄디올 디아크릴레이트(1,4-butanediol diacrylate), 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트(1,4-butanediol dimethacrylate), 1,3-부틸렌글리콜 디아크릴레이트(1,3-butyleneglycol diacrylate), 1,3-부틸렌글리콜 디메타크릴레이트(1,3-butyleneglycol dimethacrylate), 디시클로펜타닐 디아크릴레이트(dicyclopentanyl diacrylate), 디에틸렌글리콜디아크릴레이트 (diethyleneglycol diacrylate), 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트(diethyleneglycol dimethacrylate), 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(dipentaerythritol hexaacrylate), 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트(dipentaerythritol monohydroxy pentacrylate), 디트리메틸올프로판 테트라아크릴레이트(ditrimethylolpropane tetraacrylate), 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트(ethyleneglycol dimethacrylate), 글리세롤메타크릴레이트(glycerol methacrylate), 1,6-헥산디올 디아크릴레이트(1,6-hexanediol diacrylate), 네오펜틸글리콜 디메타크릴레이트(neopentylglycol dimethacrylate), 네오펜틸글리콜 히드록시피바레이트 디아크릴레이트(neopentylglycol hydroxypivalate diacrylate), 펜타에리쓰리톨 트리아크릴레이트(pentaerythritol triacrylate), 펜타에리쓰리톨 테트라아크릴레이트(pentaerythritol tetraacrylate), 인산 디메타크릴레이트(phosphoric acid dimethacrylate), 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트(polyethyleneglycol diacrylate), 폴리프로필렌글리콜 디아크릴레이트(polypropyleneglycol diacrylate), 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트(tetraethyleneglycol diacrylate), 테트라브로모비스페놀 A 디아크릴레이트(tetrabromobisphenol A diacrylate), 트리에틸렌글리콜 디비닐에테르(triethyleneglycol divinylether), 트리글리세롤 디아크릴레이트(triglycerol diacrylate), 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트(trimethylolpropane triacrylate), 트리프로필렌글리콜 디아크릴레이트(tripropyleneglycol diacrylate), 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아뉴레이트[tris(acryloxyethyl)isocyanurate], 인산 트리아크릴레이트 (phosphoric acid triacrylate), 인산 디아크릴레이트(phosphoric acid diacrylate), 아크릴산 프로파길 에스테르(acrylic acid propargyl ester), 말단에 비닐기를 가진 폴리디메틸실록산 (Vinyl terminated Polydimethylsiloxane), 말단에 비닐기를 가진 디페닐실록산-디메틸실록산 공중합체(Vinyl terminated diphenylsiloxane-dimethylsiloxane copolymer), 말단에 비닐기를 갖는 폴리페닐메틸실록산(Vinyl terminated Polyphenylmethylsiloxane), 말단에 비닐기를 갖는 트리플루오로메틸 실록산-디메틸실록산 공중합체(Vinyl terminated trifluoromethylsiloxane-dimethylsiloxane copolymer), 말단에 비닐기를 갖는 디에틸실록산-디메틸실록산 공중합체 (Vinyl terminated diethylsiloxane-dimethylsiloxane copolymer), 비닐메틸실록산(Vinylmethylsiloxane), 말단에 모노메타크릴옥시프로필기를 갖는 폴리디메틸실록산(Monomethacryloxypropyl Terminated Polydimethyl siloxane), 말단에 모노비닐기를 가지는 폴리디메틸실록산(Monovinyl Terminated Polydimethyl siloxane), 또는 말단에 모노알릴기 또는 모노트리메틸실록시기를 갖는 폴리에틸렌 옥사이드(Monoallyl or mono trimethylsiloxy terminated polyethylene oxide)를 포함할 수 있다..Photopolymerization compounds include urethane acrylate, allyloxylated cyclohexyl diacrylate, bis(acryloxyethyl)hydroxyl isocyanurate, and bis(acryloxy neopentyl glycol). ) Adipate [Bis (acryloxy neopentylglycol) adipate], Bisphenol A diacrylate, Bisphenol A dimethacrylate, 1,4-butanediol diacrylate ), 1,4-butanediol dimethacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, 1,3-butylene glycol dimethacrylate (1,3-butyleneglycol dimethacrylate), dicyclopentanyl diacrylate, diethyleneglycol diacrylate, diethyleneglycol dimethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate (dipentaerythritol hexaacrylate), dipentaerythritol monohydroxy pentacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, ethyleneglycol dimethacrylate, glycerol methacrylate (glycerol) methacrylate), 1,6-hexanediol diacrylate, neopentylglycol dimethacrylate, neopentylglycol hydroxypivalate diacrylate, Pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, phosphoric acid dimethacrylate, polyethyleneglycol diacrylate, polypropylene glycol diacrylate polypropyleneglycol diacrylate, tetraethyleneglycol diacrylate, tetrabromobisphenol A diacrylate, triethyleneglycol divinylether, triglycerol diacrylate ), trimethylolpropane triacrylate, tripropyleneglycol diacrylate, tris(acryloxyethyl)isocyanurate, phosphoric acid triacrylate ), phosphoric acid diacrylate, acrylic acid propargyl ester, vinyl terminated polydimethylsiloxane, diphenylsiloxane-dimethylsiloxane copolymer with a vinyl group at the end (Vinyl terminated diphenylsiloxane-dimethylsiloxane copolymer), Vinyl terminated Polyphenylmethylsiloxane with a vinyl group at the end, Vinyl terminated trifluoromethylsiloxane-dimethylsiloxane copolymer with a vinyl group at the end Vinyl terminated diethylsiloxane-dimethylsiloxane copolymer, Vinylmethylsiloxane, Monomethacryloxypropyl Terminated Polydimethyl siloxane, Monovinyl at the end It may include monovinyl terminated polydimethyl siloxane, or monoallyl or mono trimethylsiloxy terminated polyethylene oxide.

광중합 화합물의 함량은 특별히 한정되지 않으며, 광경화성(경화 속도, 경화 필름 상태 등)과 나노 형광체 표면의 감광성 작용기 결합수 등을 고려하여 적절히 선택될 수 있다.The content of the photopolymerization compound is not particularly limited, and may be appropriately selected in consideration of photocurability (curing speed, cured film state, etc.) and the number of photosensitive functional group bonds on the surface of the nano phosphor.

이러한 광중합 화합물은 정밀한 패턴의 형성을 위해 시아닌계 물질, 메로시아닌계 물질, 옥소놀계 물질, 프탈로시아닌계 물질, 아조계 물질, 플루오렌계 물질, 티오펜계 물질, 디페닐에텐계 물질 및 페녹사진계 물질 중 선택된 하나 이상의 물질을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.These photopolymerization compounds include cyanine-based substances, merocyanine-based substances, oxonol-based substances, phthalocyanine-based substances, azo-based substances, fluorene-based substances, thiophene-based substances, diphenylethene-based substances and phenoxazine-based substances to form precise patterns. It may further include one or more selected substances among the substances, but is not limited thereto.

본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 항산화제(antioxidant)를 더 포함한다. The photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention further includes an antioxidant.

항산화제는 페놀(phenol)계, 인(phosphorus)계 및 황(sulfur)계 화합물 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다.Antioxidants may include one or two or more types selected from phenol-based, phosphorus-based, and sulfur-based compounds.

페놀계 항산화제는, 예를 들면, 2,6-디제3부틸-p-크레졸, 2,6-디페닐-4-옥타데실록시페놀, 스테아릴(3,5-디제3부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 디스테아릴(3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질)포스포네이트, 트리데실·3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질티오아세테이트, 티오디에틸렌비스[(3,5-디제3부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 4,4'-티오비스(6-제3부틸-m-크레졸), 2-옥틸티오-4,6-디(3,5-디제3부틸-4-히드록시페녹시)-s-트리아진, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-제3부틸페놀), 비스[3,3-비스(4-히드록시-3-제3부틸페닐)부티릭크애시드]글리콜에스테르, 4,4'-부틸리덴비스(2,6-디제3부틸페놀), 4,4'-부틸리덴비스(6-제3부틸-3-메틸페놀), 2,2'-에틸리덴비스(4,6-디제3부틸페놀), 1,1,3-트리스(2-메틸-4-히드록시-5-제3부틸페닐)부탄, 비스[2-제3부틸-4-메틸-6-(2-히드록시-3-제3부틸-5-메틸벤질)페닐]테레프탈레이트, 1,3,5-트리스(2,6-디메틸-3-히드록시-4-제3부틸벤질)이소시아눌레이트, 1,3,5-트리스(3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질)이소시아눌레이트, 1,3,5-트리스(3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질)-2,4,6-트리메틸벤젠, 1,3,5-트리스[(3,5-디제3부틸-4-히드록시페닐)프로피오닐옥시에틸]이소시아눌레이트, 테트라키스[메틸렌-3-(3', 5'-디제3부틸-4'-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄, 2-제3부틸-4-메틸-6-(2-아크릴로일옥시-3-제3부틸-5-메틸벤질)페놀, 3,9-비스[2-(3-제3부틸-4-히드록시-5-메틸히드로신나모일옥시)-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 트리에틸렌글리콜비스[β-(3-제3부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트], 및 토코페놀 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Phenolic antioxidants include, for example, 2,6-diazetertibutyl-p-cresol, 2,6-diphenyl-4-octadecyloxyphenol, stearyl (3,5-dizetertibutyl-4- Hydroxyphenyl) propionate, distearyl (3,5-ditertiary butyl-4-hydroxybenzyl) phosphonate, tridecyl·3,5-ditertiary butyl-4-hydroxybenzylthioacetate, tea Odiethylenebis[(3,5-ditertiary butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 4,4'-thiobis(6-tertiary butyl-m-cresol), 2-octylthio-4, 6-di(3,5-ditertiary butyl-4-hydroxyphenoxy)-s-triazine, 2,2'-methylenebis(4-methyl-6-tertbutylphenol), bis[3,3 -bis(4-hydroxy-3-tertiary butylphenyl)butyric acid] glycol ester, 4,4'-butylidenebis(2,6-ditertiary butylphenol), 4,4'-butylidene Bis(6-tertiary butyl-3-methylphenol), 2,2'-ethylidenebis(4,6-ditertiary butylphenol), 1,1,3-tris(2-methyl-4-hydroxy- 5-tertiary butylphenyl)butane, bis[2-tertbutyl-4-methyl-6-(2-hydroxy-3-tertbutyl-5-methylbenzyl)phenyl]terephthalate, 1,3,5 -Tris(2,6-dimethyl-3-hydroxy-4-tertbutylbenzyl)isocyanurate, 1,3,5-tris(3,5-ditertbutyl-4-hydroxybenzyl)isocyanurate Nullate, 1,3,5-tris(3,5-dize3butyl-4-hydroxybenzyl)-2,4,6-trimethylbenzene, 1,3,5-tris[(3,5-dize3 Butyl-4-hydroxyphenyl)propionyloxyethyl]isocyanurate, tetrakis[methylene-3-(3', 5'-ditertiary butyl-4'-hydroxyphenyl)propionate]methane, 2 -tertiary butyl-4-methyl-6-(2-acryloyloxy-3-tertiary butyl-5-methylbenzyl)phenol, 3,9-bis[2-(3-tertbutyl-4-hyde Roxy-5-methylhydrocinnamoyloxy)-1,1-dimethylethyl]-2,4,8,10-tetraoxaspiro[5.5]undecane, triethylene glycol bis[β-(3-tertiary butyl- 4-hydroxy-5-methylphenyl)propionate], and tocophenol.

인계 항산화제는, 예를 들면, 트리페닐포스파이트, 트리스(2,4-디제3부틸페닐)포스파이트, 트리스(2,5-디제3부틸페닐)포스파이트, 트리스(노닐페닐)포스파이트, 트리스(디노닐페닐)포스파이트, 트리스(모노,디혼합 노닐페닐)포스파이트, 디페닐애시드포스파이트, 2,2'-메틸렌비스(4,6-디제3부틸페닐)옥틸포스파이트, 디페닐데실포스파이트, 디페닐옥틸포스파이트, 디(노닐페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 페닐디이소데실포스파이트, 트리부틸포스파이트, 트리스(2-에틸헥실)포스파이트, 트리데실포스파이트, 트리라우릴포스파이트, 디부틸애시드포스파이트, 디라우릴애시드포스파이트, 트리라우릴트리티오포스파이트, 비스(네오펜틸글리콜)·1,4-시클로헥산디메틸디포스파이트, 비스(2,4-디제3부틸페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 비스(2,5-디제3부틸페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 비스(2,6-디제3부틸-4-메틸페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 디스테아릴펜타에리스리톨디포스파이트, 테트라(C12-15 혼합알킬)-4,4'-이소프로피리덴디페닐포스파이트, 비스[2,2'-메틸렌비스(4,6-디아밀페닐)]·이소프로피리덴디페닐포스파이트, 테트라트리데실·4,4'-부틸리덴비스(2-제3부틸-5-메틸페놀)디포스파이트, 헥사(트리데실)·1,1,3-트리스(2-메틸-5-제3부틸-4-히드록시페닐)부탄·트리포스파이트, 테트라키스(2,4-디제3부틸페닐)비페닐렌디포스파나이트, 트리스(2-[(2,4,7,9-테트라키스제3부틸디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-6-일)옥시]에틸)아민, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난스렌-10-옥사이드, 트리스(2-[(2,4,8,10-테트라키스 제3부틸디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-6-일)옥시]에틸)아민, 및 2-(1,1-디메틸에틸)-6-메틸-4-[3-[[2,4,8,10-테트라키스(1,1-디메틸에틸)디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-6-일]옥시]프로필]페놀2-부틸-2-에틸프로판디올·2,4,6-트리제3부틸페놀모노포스파이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Phosphorus antioxidants include, for example, triphenyl phosphite, tris (2,4-di tertiary butylphenyl) phosphite, tris (2,5-di tertiary butylphenyl) phosphite, tris (nonylphenyl) phosphite, Tris (dinonylphenyl) phosphite, tris (mono, dimixed nonylphenyl) phosphite, diphenyl acid phosphite, 2,2'-methylenebis (4,6-dimethylphenyl) octyl phosphite, diphenyl Decyl phosphite, diphenyloctyl phosphite, di(nonylphenyl)pentaerythritol diphosphite, phenyldiisodecyl phosphite, tributyl phosphite, tris(2-ethylhexyl) phosphite, tridecyl phosphite, trilauryl Phosphite, dibutyl acid phosphite, dilauryl acid phosphite, trilauryl trithiophosphite, bis(neopentyl glycol)·1,4-cyclohexanedimethyldiphosphite, bis(2,4-ditertibutylphenyl) )Pentaerythritol diphosphite, bis(2,5-ditertiary butylphenyl)pentaerythritol diphosphite, bis(2,6-ditertiary butyl-4-methylphenyl)pentaerythritol diphosphite, bis(2,4-dicumylphenyl) ) Pentaerythritol diphosphite, distearyl pentaerythritol diphosphite, tetra(C12-15 mixed alkyl)-4,4'-isopropylidenediphenyl phosphite, bis[2,2'-methylenebis(4,6- diamylphenyl]·isopropylidenediphenylphosphite, tetratridecyl·4,4'-butylidenebis(2-tertiary butyl-5-methylphenol)diphosphite, hexa(tridecyl)·1, 1,3-Tris(2-methyl-5-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)butane·triphosphite, tetrakis(2,4-ditertiary butylphenyl)biphenylenediphosphanite, Tris(2) -[(2,4,7,9-tetrakistertbutyldibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphosphepin-6-yl)oxy]ethyl)amine, 9,10-di Hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, tris(2-[(2,4,8,10-tetrakis tertbutyldibenzo[d,f][1,3,2] dioxaphosphepin-6-yl)oxy]ethyl)amine, and 2-(1,1-dimethylethyl)-6-methyl-4-[3-[[2,4,8,10-tetrakis(1 ,1-dimethylethyl)dibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphospepin-6-yl]oxy]propyl]phenol2-butyl-2-ethylpropanediol·2,4,6- It may contain at least one of tritertiary butylphenol monophosphite.

황계 항산화제로서는, 예를 들면, 디알킬티오디프로피오네이트, 폴리올의 β-알킬메르캅토프로피온산 에스테르 등을 들 수 있다. Examples of sulfur-based antioxidants include dialkylthiodipropionate and β-alkylmercaptopropionic acid ester of polyol.

여기서, 디알킬티오디프로피오네이트는 디라우릴 티오디프로피온산, 디미리스틸 티오디프로피온산, 미리스틸스테아릴 티오디프로피온산, 디스테아릴에스테르 티오디프로피온산 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 또한, 폴리올의 β-알킬메르캅토프로피온산 에스테르는 펜타에리스리톨테트라(β-도데실메르캅토프로피오네이트)일 수 있다.Here, the dialkylthiodipropionate may be at least one of dilauryl thiodipropionic acid, dimyristyl thiodipropionic acid, myristylstearyl thiodipropionic acid, and distearyl ester thiodipropionic acid. Additionally, the β-alkylmercaptopropionic acid ester of the polyol may be pentaerythritol tetra (β-dodecylmercaptopropionate).

본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 포함된 항산화제는 감광성 수지 조성물의 고형분의 총 중량 대비 1 내지 5중량%의 함량을 가질 수 있다. 바람직하게는 1 내지 3중량%의 함량을 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The antioxidant contained in the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention may have a content of 1 to 5% by weight based on the total weight of solid content of the photosensitive resin composition. Preferably, the content may be 1 to 3% by weight, but is not limited thereto.

본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 전술한 항산화제를 포함하여, 우수한 내열성 및 내화학성을 가질 수 있다. 따라서, 나노 형광체가 패터닝 공정 중에 발생하는 UV나 열에 의해 손상되어 소광되는 현상을 방지할 수 있다.The photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention includes the above-described antioxidant and may have excellent heat resistance and chemical resistance. Therefore, it is possible to prevent the nano phosphor from being damaged and quenched by UV or heat generated during the patterning process.

일반적으로 감광성 수지 조성물은 고온 등의 조건에서 수행되는 후공정 단계에서 자유라디칼을 생성하는데, 이로 인해 조성물, 특히 나노 형광체의 내열성 및 내화학성이 저하되게 된다. 이에 따라 나노 형광체의 손상으로 인한 광량이 저하되는 현상이 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 항산화제를 더 포함함으로써, 자유라디칼을 불활성화 시킴으로써, 우수한 내열성 및 내화학성을 가질 수 있는 것이다.In general, photosensitive resin compositions generate free radicals in post-processing steps performed under conditions such as high temperature, which reduces the heat resistance and chemical resistance of the composition, especially nano phosphors. Accordingly, a phenomenon in which the amount of light is reduced due to damage to the nano phosphor may occur. However, the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention can have excellent heat resistance and chemical resistance by further including an antioxidant to inactivate free radicals.

구체적으로, 고온에서 발생한 자유라디칼은 반응성이 좋아 주변의 산소와 반응하게 되고(반응식 1 참조), 산소와 반응한 자유라디칼은, 항산화제 내에 포함된 치환기인 디-t-부틸페놀(di-t-butylphenol)의 히드록시기와 빠른 속도로 결합하여, 불활성화된다(반응식 2 참조).Specifically, free radicals generated at high temperatures are highly reactive and react with surrounding oxygen (see Scheme 1), and free radicals that react with oxygen are di-t-butylphenol (di-t), a substituent contained in antioxidants. -butylphenol) and is inactivated by rapidly combining with the hydroxyl group (see Scheme 2).

[반응식 1][Scheme 1]

R·+ O2 → ROO·R·+ O 2 → ROO·

[반응식 2][Scheme 2]

ROO· + di-t-butylphenol의 히드록시기 → ROOHROO· + Hydroxyl group of di-t-butylphenol → ROOH

본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 광 산란체를 더 포함할 수 있다. 광 산란체는 입사되는 광을 산란시켜 감광성 수지 조성물로 이루어진 컬러 필터층이나 색변환층 등을 통과하는 광의 출광량을 증가시키고, 정면 휘도와 측면 휘도를 균일하게 만든다.The photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention may further include a light scattering body. The light scatterer scatters incident light to increase the amount of light passing through a color filter layer or color conversion layer made of a photosensitive resin composition, and makes front and side brightness uniform.

광 산란체는 TiO2, Al2O3 및 SiO2 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light scattering body may include at least one selected from TiO 2 , Al 2 O 3 and SiO 2 .

광 산란체의 함량 또는 크기 등은 특별히 한정되지 않으며 감광성 수지 조성물의 구성을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 이때 광 산란체의 지름 (nm)은 감광성 수지 조성물로 이루어진 층에서 발광되는 광 파장(nm)의 1/10 내지 5배의 크기를 가질 수 있으며, 이는 발광되는 광의 산란 효율을 향상시키기 위함이다.The content or size of the light scattering body is not particularly limited and may be appropriately selected in consideration of the composition of the photosensitive resin composition. At this time, the diameter (nm) of the light scattering body may be 1/10 to 5 times the wavelength (nm) of the light emitted from the layer made of the photosensitive resin composition, and this is to improve the scattering efficiency of the emitted light.

본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 색필터 조성물로 사용될 수 있다.The photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention can be used as a color filter composition.

이하에서는 도 1 내지 도 3을 참고하여 본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물의 광 효율에 대한 실험 결과에 대해서 설명한다.Hereinafter, experimental results on the light efficiency of the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 실험예 및 비교예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용한 패턴 공정 진행에 따른 녹색(green) 광 유지율 및 광량을 측정한 그래프, 도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 실험예 및 비교예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용한 패턴 공정 진행에 따른 적색(red) 광 유지율 및 광량을 측정한 그래프이다.1A and 1B are graphs measuring the green light retention rate and light quantity according to the pattern process using a photosensitive resin composition according to an experimental example and a comparative example according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B are graphs showing This is a graph measuring the red light retention rate and light quantity according to the progress of the pattern process using the photosensitive resin composition according to the experimental example and comparative example according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 층의 광 효율을 측정하기 위해 감광성 수지 조성물의 증착 공정을 통해 층을 형성한 후에 녹색 파장 및 적색 파장대의 광 유지율과 광량을 각각 측정하였다.In order to measure the light efficiency of a layer formed using the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention, the light retention rate and light quantity in the green and red wavelength bands were respectively measured after forming the layer through a deposition process of the photosensitive resin composition.

증착 공정은 기판 상에 감광성 수지 조성물을 도포하고 상온(room temperature)(15~25℃)에서 4시간 동안 건조, 100℃에서 3분간 프리 베이크(pre-bake) 공정, 400mJ의 UV 노광 공정 및 180℃에서 30분간 하드 베이크(hard-bake) 공정을 따라 수행하였다.The deposition process involves applying a photosensitive resin composition on a substrate, drying at room temperature (15-25°C) for 4 hours, pre-bake at 100°C for 3 minutes, UV exposure at 400mJ, and 180°C. A hard-bake process was performed at ℃ for 30 minutes.

비교예는 항산화제를 포함하지 않은 감광성 수지 조성물을 이용하였으며, 실험예 1은 페놀계 화합물을 단독으로, 실험예 2 내지 실험예 5는 페놀계 및 인계 화합물이 혼합된, 실험예 6 및 실험예 7은 페놀계, 인계 및 황계 화합물이 혼합된 항산화제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조한 층에 대해서 실험을 수행하였다.Comparative examples used photosensitive resin compositions that did not contain antioxidants, Experimental Example 1 used a phenol-based compound alone, Experimental Examples 2 to 5 used a mixture of phenol-based and phosphorus-based compounds, and Experimental Examples 6 and 6, respectively. 7, an experiment was performed on a layer manufactured using a photosensitive resin composition containing an antioxidant mixed with phenol-based, phosphorus-based, and sulfur-based compounds.

여기서, 실험예 2 내지 실험예 7에서 사용된 각 항산화제는 총 항산화제 중량 대비 하기 표 1과 같은 혼합 비율에 따라 제조하여 실험을 수행하였으며, 실험예 3 및 실험예 5에서 사용된 인계 화합물은 동일한 함량으로 포함되나, 서로 다른 인계 화합물을 사용하여 실험을 수행하였다.Here, each antioxidant used in Experimental Examples 2 to 7 was prepared and tested according to the mixing ratio shown in Table 1 below relative to the total weight of antioxidants, and the phosphorus compound used in Experimental Examples 3 and 5 was Experiments were conducted using different phosphorus compounds, although they were included in the same amount.

페놀계(중량%)Phenolic (% by weight) 인계(중량%)Delivery (% by weight) 황계(중량%)Sulfur (% by weight) 실험예 2Experimental Example 2 7070 3030 -- 실험예 3Experimental Example 3 5050 5050 -- 실험예 4Experimental Example 4 3030 7070 -- 실험예 5Experimental Example 5 5050 5050 -- 실험예 6Experimental Example 6 4040 5050 1010 실험예 7Experimental Example 7 3030 5050 2020

먼저, 도 1a 및 도 1b를 참고하면, 감광성 수지 조성물의 패터닝 공정이 모두 끝난 후 녹색 파장대의 광량 및 광 유지율은 최초 광 대비 80~85%정도임을 확인하였다.First, referring to FIGS. 1A and 1B, it was confirmed that after the patterning process of the photosensitive resin composition was completed, the light quantity and light retention rate in the green wavelength range were about 80-85% compared to the initial light.

도 2a 및 도 2b를 참고하면, 적색 파장대의 광 유지율 측정은 실험예 1의 감광성 수지 조성물을 사용하여 수행하였으며, 감광성 수지 조성물의 패터닝 공정이 모두 끝난 후 적색 파장대의 광량 및 광 유지율은 최초 광 대비 76% 정도임을 확인하였다.Referring to FIGS. 2A and 2B, the light retention rate in the red wavelength band was measured using the photosensitive resin composition of Experimental Example 1. After the patterning process of the photosensitive resin composition was completed, the light quantity and light retention rate in the red wavelength band were compared to the initial light. It was confirmed that it was about 76%.

이에 반해, 도 1 및 도 2에 나타낸 비교예의 실험 결과를 참고하면, 감광성 수지 조성물의 패터닝 공정이 모두 끝난 후 녹색 파장대의 광량 및 광 유지율은 최초 광 대비 44% 수준이고, 적색 파장대의 광량 및 광 유지율은 최초 광 대비 64% 수준으로서 항산화제를 포함하는 본 발명의 감광성 수지 조성물의 광 유지율이 우수한 것을 확인할 수 있다.On the other hand, referring to the experimental results of the comparative example shown in Figures 1 and 2, after the patterning process of the photosensitive resin composition is completed, the light quantity and light retention rate in the green wavelength band are at the level of 44% compared to the initial light, and the light quantity and light retention rate in the red wavelength band are at the level of 44% compared to the initial light. The retention rate was at a level of 64% compared to the initial light, confirming that the photosensitive resin composition of the present invention containing an antioxidant had excellent light retention rate.

도 3을 참고하여 본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조한 색필터를 이용한 경우, 색 재현율에 대한 측정 결과에 대해서 살펴본다.With reference to FIG. 3, the measurement results for color reproduction rate will be examined when using a color filter manufactured using a photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용한 색필터의 색좌표를 측정한 그래프이다.Figure 3 is a graph measuring the color coordinates of a color filter using a photosensitive resin composition according to examples and comparative examples of the present invention.

도 3에 나타난 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 색필터를 이용한 경우, 항산화제를 포함하지 않은 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 색필터와 비교하여 색좌표 영역이 더욱 넓어져 색 재현율이 우수한 것을 확인할 수 있다.As shown in Figure 3, when a color filter manufactured using a photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention is used, the color coordinate area is lower than that of a color filter manufactured using a photosensitive resin composition that does not contain an antioxidant. As it becomes wider, you can see that the color reproduction rate is excellent.

그러면 도 4 및 도 5를 참고하여 본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 색필터를 포함하는 표시 장치에 대해 상세하게 설명한다.Next, a display device including a color filter manufactured using a photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5 .

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 5은 도 4의 V-V 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 4 is a plan view showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line V-V of FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 게재되어 있는 액정층(3)을 포함한다.4 and 5, the liquid crystal display device according to this embodiment includes a lower display panel 100, an upper display panel 200, and a liquid crystal layer 3 disposed between these two display panels 100 and 200. do.

먼저 하부 표시판(100)에 대해 설명한다.First, the lower display panel 100 will be described.

투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 하부 기판(110) 위에 게이트선(121)이 위치한다.A gate line 121 is located on the lower substrate 110 made of transparent glass or plastic.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 X축 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 게이트선(121)으로부터 돌출한 게이트 전극(124)과 다른 층 또는 게이트 구동부(도시하지 않음)와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(129)을 포함한다.The gate line 121 transmits the gate signal and extends mainly in the X-axis direction. Each gate line 121 includes a gate electrode 124 protruding from the gate line 121 and a wide end portion 129 for connection to another layer or a gate driver (not shown).

게이트 전극(124)은 하부막(124p) 및 상부막(124r)으로 이루어진 이중막 구조를 가진다. 하부막(124p)은 티타늄, 탄탈늄, 몰리브덴 및 이들의 합금 중에서 하나로 형성될 수 있고, 상부막(124r)은 구리(Cu) 또는 구리 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 게이트선(121) 및 게이트선의 끝 부분(129)도 하부막과 상부막의 이중막으로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 게이트선(121) 및 게이트 전극(124)이 이중막 구조를 갖는 것으로 설명하였으나 단일막 구조로 형성되는 것도 가능하다.The gate electrode 124 has a double-layer structure consisting of a lower layer 124p and an upper layer 124r. The lower film 124p may be formed of titanium, tantalum, molybdenum, or an alloy thereof, and the upper film 124r may be formed of copper (Cu) or a copper alloy. Additionally, the gate line 121 and the end portion 129 of the gate line may also be formed as a double layer of a lower layer and an upper layer. In this embodiment, the gate line 121 and the gate electrode 124 are described as having a double-layer structure, but they can also be formed as a single-layer structure.

게이트선(121) 위에는 질화 규소 또는 산화 규소 따위의 절연 물질로 만들어진 게이트 절연막(140)이 위치한다.A gate insulating film 140 made of an insulating material such as silicon nitride or silicon oxide is positioned on the gate line 121.

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어진 반도체층(151)이 위치한다. 반도체층(151)은 주로 데이터선(171)이 뻗는 방향으로 위치하고, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 돌출부(projection; 154)를 포함한다.A semiconductor layer 151 made of hydrogenated amorphous silicon or polycrystalline silicon is located on the gate insulating film 140. The semiconductor layer 151 is mainly located in the direction in which the data line 171 extends and includes a projection 154 extending toward the gate electrode 124.

반도체층(151) 위에 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 위치한다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체층(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.A linear ohmic contact member 161 and an island-shaped ohmic contact member 165 are positioned on the semiconductor layer 151. The linear ohmic contact member 161 has a protrusion 163, and the protrusion 163 and the island-shaped ohmic contact member 165 are paired and disposed on the protrusion 154 of the semiconductor layer 151.

선형 저항성 접촉 부재(161)는 데이터선(171)과 중첩하고, 선형 저항성 접촉 부재의 돌출부(163)는 소스 전극(173)과 중첩하고, 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 드레인 전극(175)과 중첩하여 위치한다.The linear ohmic contact member 161 overlaps the data line 171, the protrusion 163 of the linear ohmic contact member overlaps the source electrode 173, and the island-shaped ohmic contact member 165 overlaps the drain electrode 175. They are located overlapping.

저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 데이터선(171), 데이터선(171)에 연결된 소스 전극(173), 및 소스 전극(173)과 마주보는 드레인 전극(175)이 위치한다.A data line 171, a source electrode 173 connected to the data line 171, and a drain electrode 175 facing the source electrode 173 are positioned on the ohmic contact members 161 and 165 and the gate insulating film 140. do.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 Y축 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 소스 전극(173)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 U자 형상을 가질 수 있으나, 이것은 한 예에 불과하고 다양하게 변형된 모양을 가질 수 있다.The data line 171 transmits a data signal and mainly extends in the Y-axis direction and intersects the gate line 121. The source electrode 173 may extend toward the gate electrode 124 and have a U-shape, but this is only one example and may have various modified shapes.

드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 소스 전극(173)의 U자 형상의 가운데에서 상부를 향하여 연장되어 있다. 데이터선(171)은 다른 층 또는 데이터 구동부(도시하지 않음)와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝부분(179)을 포함한다.The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and extends upward from the center of the U-shape of the source electrode 173. The data line 171 includes an end portion 179 with a large area for connection to another layer or a data driver (not shown).

도시하지 않았으나 데이터선(171), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)도 상부막 및 하부막의 이중막 구조를 가질 수 있다. 상부막은 구리(Cu) 또는 구리 합금으로 형성될 수 있고, 하부막은 티타늄(Ti), 탄탈늄(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금 중에서 하나로 형성될 수 있다.Although not shown, the data line 171, source electrode 173, and drain electrode 175 may also have a double-layer structure of an upper layer and a lower layer. The upper film may be formed of copper (Cu) or a copper alloy, and the lower film may be formed of one of titanium (Ti), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), and alloys thereof.

데이터선(171), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 테이퍼(taper)진 측면을 가질 수 있다.The data line 171, the source electrode 173, and the drain electrode 175 may have tapered sides.

저항성 접촉 부재(161, 163, 165)는 그 아래의 반도체층(151)과 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 또한, 저항성 접촉 부재(161, 163, 165)는 데이터선(171), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 실질적으로 동일한 평면 패턴을 가질 수 있다.The ohmic contact members 161, 163, and 165 exist only between the semiconductor layer 151 below and the data line 171 and drain electrode 175 above it and lower the contact resistance between them. Additionally, the ohmic contact members 161, 163, and 165 may have substantially the same planar pattern as the data line 171, the source electrode 173, and the drain electrode 175.

반도체층(151)의 돌출부(154)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다. 반도체층(151)은 돌출부(154)의 노출된 부분을 제외하고 저항성 접촉 부재(161, 163, 165)와 실질적으로 동일한 평면 패턴을 가진다.The protrusion 154 of the semiconductor layer 151 has an exposed portion that is not covered by the data line 171 and the drain electrode 175, including between the source electrode 173 and the drain electrode 175. The semiconductor layer 151 has substantially the same planar pattern as the ohmic contact members 161, 163, and 165 except for the exposed portion of the protrusion 154.

하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체층(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체층(151)의 돌출부(154)에 형성된다.One gate electrode 124, one source electrode 173, and one drain electrode 175 together with the protrusion 154 of the semiconductor layer 151 form one thin film transistor (TFT), The channel of the thin film transistor is formed on the protrusion 154 of the semiconductor layer 151 between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체층(151)의 돌출부(154) 위에는 제1 보호막(180a) 및 제2 보호막(180b)을 포함하는 보호막(180)이 위치한다. 보호막(180)은 질화 규소나 산화 규소 따위의 무기 절연물로 형성될 수 있다.A protective film 180 including a first protective film 180a and a second protective film 180b is positioned on the data line 171, the drain electrode 175, and the exposed protrusion 154 of the semiconductor layer 151. The protective film 180 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide.

보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 제1 접촉 구멍(181)이 위치한다. 또한, 보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 드러내는 제2 접촉 구멍(182) 및 드레인 전극(175)의 일단을 각각 드러내는 제3 접촉 구멍(185)이 위치한다.A first contact hole 181 exposing the end portion 129 of the gate line 121 is located in the protective film 180 and the gate insulating film 140. Additionally, a second contact hole 182 exposing the end portion 179 of the data line 171 and a third contact hole 185 exposing one end of the drain electrode 175 are located in the protective film 180.

보호막(180) 위에는 화소 전극(191), 제1 접촉 보조 부재(81) 및 제2 접촉 보조 부재(82)가 위치한다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 형성될 수 있다. A pixel electrode 191, a first contact auxiliary member 81, and a second contact auxiliary member 82 are positioned on the protective film 180. They may be formed of transparent conductive materials such as ITO or IZO, or reflective metals such as aluminum, silver, chromium, or alloys thereof.

화소 전극(191)은 제3 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. The pixel electrode 191 is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the third contact hole 185, and receives a data voltage from the drain electrode 175.

제1 접촉 보조 부재(81)는 제1 접촉 구멍(181)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129)과 연결되고, 제2 접촉 보조 부재(82)는 제2 접촉 구멍(182)을 통하여 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 제1 및 제2 접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 게이트선(121)의 끝 부분(129)과 외부 장치 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The first contact auxiliary member 81 is connected to the end portion 129 of the gate line 121 through the first contact hole 181, and the second contact auxiliary member 82 is connected to the second contact hole 182. It is connected to the end part 179 of the data line 171. The first and second contact auxiliary members 81 and 82 supplement the adhesion between the end 129 of the gate line 121 and the external device and the end 179 of the data line 171 and the external device, respectively. and protect them.

도시하지 않았으나, 화소 전극(191) 위에 배향막이 위치할 수 있다.Although not shown, an alignment layer may be located on the pixel electrode 191.

다음으로, 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.Next, the upper display panel 200 will be described.

투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 하부 기판(110)을 향하는 상부 기판(210)의 일면에 차광층(220)이 위치한다. 다시 말해, 도시된 바와 같이 차광층(220)은 상부 기판(210) 아래에 위치한다. 차광층(220)은 이웃하는 화소 영역 사이에 발생할 수 있는 빛샘을 차단하는 역할을 한다.A light blocking layer 220 is located on one side of the upper substrate 210 facing the lower substrate 110 made of transparent glass or plastic. In other words, as shown, the light blocking layer 220 is located below the upper substrate 210. The light blocking layer 220 serves to block light leakage that may occur between neighboring pixel areas.

하부 기판(110)을 향하는 상부 기판(210)의 일면에 색필터(230)가 위치한다. 다시 말해, 도시된 바와 같이 색필터(230)는 상부 기판(210) 아래 위치한다. 색필터(230)의 가장자리 부분은 차광층(220)과 중첩할 수 있다. 색필터(230)는 차광층(220)으로 둘러싸인 영역 내에 대부분 존재하며, 화소 전극(191)의 열을 따라서 길게 뻗을 수 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다.A color filter 230 is located on one side of the upper substrate 210 facing the lower substrate 110. In other words, as shown, the color filter 230 is located below the upper substrate 210. The edge portion of the color filter 230 may overlap the light blocking layer 220. The color filter 230 exists mostly in the area surrounded by the light blocking layer 220 and may extend long along the rows of the pixel electrodes 191. Each color filter 230 can display one of the primary colors, such as red, green, and blue.

색필터(230)는 앞에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물로 형성될 수 있다.The color filter 230 may be formed of the photosensitive resin composition according to the embodiment of the present invention described above.

본 실시예에 따른 액정 표시 장치의 색필터(230)에 포함된 감광성 수지 조성물은 램버시안 산란(lambertian scattering) 상태에 의한 광시야각(wide viewing angle)을 구현할 수 있는 양자점을 포함하여, 액정 표시 장치의 시야각이 개선될 수 있다.The photosensitive resin composition included in the color filter 230 of the liquid crystal display device according to this embodiment includes quantum dots capable of realizing a wide viewing angle by Lambertian scattering, and the liquid crystal display device The viewing angle can be improved.

본 실시예에서는 차광층(220) 및 색필터(230)가 상부 표시판(200)에 위치하는 것으로 설명하였으나, 차광층(220) 및 색필터(230) 중 적어도 하나는 하부 표시판(100)에 위치할 수도 있다.In this embodiment, the light blocking layer 220 and the color filter 230 are described as being located on the upper display panel 200, but at least one of the light blocking layer 220 and the color filter 230 is located on the lower display panel 100. You may.

일례로, 하부 표시판(100)에 형성된 제2 보호막(180b) 대신에 색필터(230)가 위치할 수 있으며, 이 경우 상부 표시판(200)에는 색필터(230)가 위치하지 않을 수 있다.For example, the color filter 230 may be located in place of the second protective film 180b formed on the lower display panel 100, and in this case, the color filter 230 may not be located on the upper display panel 200.

하부 기판(110)을 향하는 색필터(230)의 일면 및 차광층(220)의 일면 에는 오버코트층(overcoat layer)(250)이 위치한다. 다시 말해, 도시된 바와 같이 오버코트층(250)은 색필터(230) 및 차광층(220) 아래 위치한다. 오버코트층(250)은 (유기) 절연물로 만들어질 수 있으며, 색필터(230)가 노출되는 것을 방지하고 평탄면을 제공한다. 오버코트층(250)은 필요에 따라 생략할 수 있다.An overcoat layer 250 is located on one side of the color filter 230 and one side of the light blocking layer 220 facing the lower substrate 110. In other words, as shown, the overcoat layer 250 is located below the color filter 230 and the light blocking layer 220. The overcoat layer 250 may be made of an (organic) insulating material, prevents the color filter 230 from being exposed and provides a flat surface. The overcoat layer 250 can be omitted as needed.

하부 기판(110)을 향하는 오버코트층(250)의 일면에 공통 전극(270)이 위치한다. 다시 말해, 공통 전극(270)은 오버코트층(250)과 액정층(3) 사이에 위치한다. 공통 전극(270)은 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 형성되며, 공통 전압(Vcom)을 인가 받는다.The common electrode 270 is located on one side of the overcoat layer 250 facing the lower substrate 110. In other words, the common electrode 270 is located between the overcoat layer 250 and the liquid crystal layer 3. The common electrode 270 is formed of a transparent conductor such as ITO or IZO, and is applied with a common voltage (Vcom).

도시하지 않았으나, 공통 전극(270)과 액정층(3) 사이에 배향막이 위치할 수 있다.Although not shown, an alignment film may be located between the common electrode 270 and the liquid crystal layer 3.

하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 들어 있는 액정층(3)은 음의 유전율 이방성 또는 양의 유전율 이방성을 가지는 액정 분자를 포함하며 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있을 수 있다.The liquid crystal layer 3 contained between the lower display panel 100 and the upper display panel 200 contains liquid crystal molecules having negative or positive dielectric anisotropy, and the liquid crystal molecules have their long axes in the absence of an electric field between the two display panels. It may be oriented perpendicular to the surface of (100, 200).

화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 그 사이의 액정층(3) 부분과 함께 액정 축전기를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The pixel electrode 191 and the common electrode 270 together with the liquid crystal layer 3 therebetween form a liquid crystal capacitor to maintain the applied voltage even after the thin film transistor is turned off.

화소 전극(191)은 유지 전극선(도시하지 않음)과 중첩하여 유지 축전기(storage capacitor)를 이룰 수 있고, 이를 통해 액정 축전기의 전압 유지 능력을 강화할 수 있다.The pixel electrode 191 can overlap with a storage electrode line (not shown) to form a storage capacitor, thereby strengthening the voltage maintenance ability of the liquid crystal capacitor.

도 4 및 도 5에서 도시한 바와 달리, 공통 전극(270)은 하부 표시판(100)에 위치할 수 있고, 이 경우에 액정층(3)에 포함된 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수평 배향될 수 있다.Unlike shown in FIGS. 4 and 5, the common electrode 270 may be located on the lower display panel 100, and in this case, the long axis of the liquid crystal molecules included in the liquid crystal layer 3 is in the absence of an electric field. It may be horizontally oriented with respect to the surfaces of the two display panels 100 and 200.

본 발명의 실시예에 따른 감광막 수지 조성물을 도 4 및 도 5에 도시된 액정 표시 장치의 색필터에 사용하는 일 실시예에 대해 설명하였으나, 본 발명의 실시예에 따른 감광막 수지 조성물은 색필터가 사용될 수 있는 모든 표시 장치에 적용 가능하다.An example of using the photosensitive film resin composition according to an embodiment of the present invention in a color filter of the liquid crystal display device shown in FIGS. 4 and 5 has been described. However, the photosensitive film resin composition according to an embodiment of the present invention is a color filter. Applicable to all display devices that can be used.

그러면, 도 6을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널에 대해서 상세하게 설명한다.Next, the color conversion panel according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 6.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 패널의 단면도이다.Figure 6 is a cross-sectional view of a color conversion panel according to an embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 색변환 패널(30)은 제1 기판(310) 위에 위치하는 제1 색변환층(340R), 제2 색변환층(340G), 및 투과층(340B)을 포함한다.As shown in FIG. 6, the color conversion panel 30 includes a first color conversion layer 340R, a second color conversion layer 340G, and a transmission layer 340B located on the first substrate 310. do.

제1 색변환층(340R), 제2 색변환층(340G), 및 투과층(340B)은 앞서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물로 형성될 수 있다.The first color conversion layer 340R, the second color conversion layer 340G, and the transmission layer 340B may be formed of the photosensitive resin composition according to the embodiment of the present invention described above.

여기서 제1 색변환층(340R)은 적색변환층일 수 있고, 제2 색변환층(340G)은 녹색변환층일 수 있다. Here, the first color conversion layer 340R may be a red conversion layer, and the second color conversion layer 340G may be a green conversion layer.

제1 색변환층(340R) 및 제2 색변환층(340G)은 색을 변환하는 양자점(Quantum Dot) 또는 무기 형광체를 포함할 수 있으나, 투과층(340B)은 무기 형광체와 양자점 없이 투명 폴리머로 이루어져 백라이트 어셈블리로부터 공급되는 청색광이 그대로 투과하여 청색을 나타낼 수 있다.The first color conversion layer 340R and the second color conversion layer 340G may include quantum dots or inorganic phosphors that convert colors, but the transmission layer 340B is made of a transparent polymer without inorganic phosphors or quantum dots. This allows the blue light supplied from the backlight assembly to pass through and display blue color.

제1 색변환층(340R)과 제2 색변환층(340G) 사이, 제1 색변환층(340R)과 투과층(340B) 사이, 및 제2 색변환층(340G)과 투과층(340B) 사이에는 차광 부재(372)가 위치할 수 있다.Between the first color conversion layer (340R) and the second color conversion layer (340G), between the first color conversion layer (340R) and the transmission layer (340B), and between the second color conversion layer (340G) and the transmission layer (340B) A light blocking member 372 may be positioned between them.

차광 부재(372)는 제1 색변환층(340R), 제2 색변환층(340G) 및 투과층(340B)이 배치되는 영역을 구획할 수 있다. 차광 부재(372)는 인접한 색변환층(340R, 304G) 및 투과층(340B) 사이에서 발생하는 혼색을 방지하는 역할을 한다.The light blocking member 372 may define an area where the first color conversion layer 340R, the second color conversion layer 340G, and the transmission layer 340B are disposed. The light blocking member 372 serves to prevent color mixing between adjacent color conversion layers 340R and 304G and the transmission layer 340B.

제1, 제2 색변환층 및 투과층(340R, 340G, 340B) 위에는 평평한 면을 제공하는 평탄막(355)이 위치할 수 있으나, 평탄막(355)은 필요에 따라 생략될 수 있다.A planar film 355 that provides a flat surface may be positioned on the first and second color conversion layers and the transmission layers 340R, 340G, and 340B, but the flat film 355 may be omitted as needed.

이하에서는, 도 7을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해서 개략적으로 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIG. 7.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다. Figure 7 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하여 간략하게 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 살펴보면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 색변환 패널(30), 표시 패널(10) 및 라이트 어셈블리(500)를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 색변환 패널(30)은 전술한 도 6의 실시예에 따른 색변환 패널(30)과 동일한바, 중복되는 설명은 생략한다. 다만, 색변환 패널(30)은 도 6의 색변환 패널(30)과 동일하게 제1 기판(310)과 표시 패널(10)이 맞닿아 배치될 수도 있으나, 이와 다르게 평탄막(355)과 표시 패널(10)이 맞닿아 배치될 수도 있다.Briefly looking at the display device according to an embodiment of the present invention with reference to FIG. 7, the display device according to an embodiment of the present invention includes a color conversion panel 30, a display panel 10, and a light assembly 500. Includes. Since the color conversion panel 30 included in the display device according to an embodiment of the present invention is the same as the color conversion panel 30 according to the embodiment of FIG. 6 described above, overlapping descriptions will be omitted. However, the color conversion panel 30 may be arranged in contact with the first substrate 310 and the display panel 10 in the same way as the color conversion panel 30 of FIG. 6, but differently, the flat film 355 and the display panel 30 may be arranged in contact with each other. The panels 10 may be arranged in contact with each other.

색변환 패널(30)의 일면에 위치하는 표시 패널(10)은 영상을 나타내는 액정 패널(50) 및 액정 패널(50)의 양 면에 위치하는 편광판(12, 22)을 포함할 수 있다. 즉, 액정 패널(50)의 양면에 백라이트 어셈블리(500)에서 입사되는 빛을 편광시키기 위한 제1 편광판(12) 및 제2 편광판(22)이 위치한다. 제1 편광판(12)은 백라이트 어셈블리(500)와 마주할 수 있으며, 제2 편광판(22)은 색변환 패널(30)과 마주하거나 접촉할 수 있다.The display panel 10 located on one side of the color conversion panel 30 may include a liquid crystal panel 50 that displays an image and polarizers 12 and 22 located on both sides of the liquid crystal panel 50. That is, a first polarizer 12 and a second polarizer 22 are positioned on both sides of the liquid crystal panel 50 to polarize light incident from the backlight assembly 500. The first polarizer 12 may face the backlight assembly 500, and the second polarizer 22 may face or be in contact with the color conversion panel 30.

백라이트 어셈블리(500)는 제1 편광판(12)의 하부면에 위치하며 광원 및 광원으로부터 발생한 광을 표시 패널(10) 및 색변환 패널(30) 방향으로 가이드하는 도광판(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. The backlight assembly 500 is located on the lower surface of the first polarizing plate 12 and may include a light source and a light guide plate (not shown) that guides the light generated from the light source toward the display panel 10 and the color conversion panel 30. You can.

일례로써, 백라이트 어셈블리(500)는 적어도 하나의 발광 다이오드(light emitting diode)를 포함할 수 있으며, 발광 다이오드는 청색 발광 다이오드 또는 UV 광원일 수 있다. 본 발명에 일 실시예에 따른 광원은 도광판의 적어도 하나의 측면에 배치되는 에지형 백라이트 어셈블리이거나, 백라이트 어셈블리(500)의 광원이 도광판(미도시)의 하부에 위치하는 직하형일 수 있으나, 이에 제한되지 않고 광원의 위치는 다양하게 형성될 수 있다.As an example, the backlight assembly 500 may include at least one light emitting diode, and the light emitting diode may be a blue light emitting diode or a UV light source. The light source according to an embodiment of the present invention may be an edge-type backlight assembly disposed on at least one side of the light guide plate, or the light source of the backlight assembly 500 may be a direct type located below the light guide plate (not shown), but is limited thereto. However, the position of the light source can be formed in various ways.

다음으로, 도 8 내지 도 9를 참고하여 전술한 표시 패널의 일 실시예인 액정 표시 장치에 대해서 상세하게 설명한다.Next, a liquid crystal display device, which is an example of the above-described display panel, will be described in detail with reference to FIGS. 8 and 9 .

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 복수의 화소에 대한 평면도이고, 도 9는 도 8의 IX-IX 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 8 is a top view of a plurality of pixels in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX of FIG. 8.

도 8 내지 도 9에 도시된 색변환 패널(30)은 전술한 도 6의 실시예에 따른 색변환 패널(30)과 동일한바, 중복되는 설명은 생략한다.Since the color conversion panel 30 shown in FIGS. 8 and 9 is the same as the color conversion panel 30 according to the embodiment of FIG. 6 described above, overlapping descriptions will be omitted.

색변환 패널(30)의 일면에 위치하는 액정 패널(50)은 영상을 나타내기 위해 박막 트랜지스터 및 하부 기판(110)를 포함하는 하부 표시판(100), 하부 표시판(100)과 마주하며 상부 기판(210)을 포함하는 상부 표시판(200) 및 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 개재된 액정층(3)을 포함한다.The liquid crystal panel 50 located on one side of the color conversion panel 30 faces the lower display panel 100, which includes a thin film transistor and a lower substrate 110 to display an image, and the upper substrate ( It includes an upper display panel 200 including 210) and a liquid crystal layer 3 interposed between the lower display panel 100 and the upper display panel 200.

액정 패널(50)의 양면에는 각각 제1 및 제2 편광판(12, 22)이 위치하며, 이 때 편광판(12, 22)은 코팅형 편광판, 부착형 편광판, 와이어 그리드 편광판(wire grid polarizer) 중 하나 이상이 사용될 수 있다. 편광판(12, 22)은 필름 형태, 도포 형태, 부착 형태 등 다양한 방법으로 액정 패널(50)의 일면에 위치할 수 있다.First and second polarizers 12 and 22 are located on both sides of the liquid crystal panel 50, respectively. At this time, the polarizers 12 and 22 are one of a coated polarizer, an adhesive polarizer, and a wire grid polarizer. More than one may be used. The polarizers 12 and 22 may be placed on one side of the liquid crystal panel 50 in various ways, such as in the form of a film, application form, or attachment form.

하부 표시판(100)이 포함하는 하부 기판(110) 위에는 다수의 화소 전극(191)이 매트릭스 형태로 위치할 수 있다.A plurality of pixel electrodes 191 may be positioned in a matrix form on the lower substrate 110 included in the lower display panel 100.

하부 기판(110) 위에는 X축 방향으로 연장되며 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121), 게이트선(121) 위에 위치하는 게이트 절연막(140), 게이트 절연막(140) 위에 위치하는 반도체층(154), 반도체층(154) 위에 위치하며 Y축 방향으로 연장되며 소스 전극(173)을 포함하는 데이터선(171) 및 드레인 전극(175), 및 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에 위치하는 보호막(180) 및 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 물리적 전기적으로 연결되는 화소 전극(191)이 위치한다.On the lower substrate 110, a gate line 121 extending in the (154), a data line 171 and a drain electrode 175 located on the semiconductor layer 154 and extending in the Y-axis direction and including a source electrode 173, and a data line 171 and a drain electrode 175. A pixel electrode 191 is located that is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the protective film 180 and the contact hole 185 located above.

게이트 전극(124) 위에 위치하는 반도체층(154)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)에 의해 노출된 영역에서 채널층을 형성하며, 게이트 전극(124), 반도체층(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터를 형성한다.The semiconductor layer 154 located on the gate electrode 124 forms a channel layer in the area exposed by the source electrode 173 and the drain electrode 175, and the gate electrode 124, the semiconductor layer 154, and the source electrode 124 The electrode 173 and the drain electrode 175 form one thin film transistor.

하부 기판(110)을 향하는 상부 기판(210)의 일면 위에는 차광층(220)이 위치한다. 하부 기판(110)을 향하는 차광층(220) 위에는 평평한 면을 제공하는 오버코트층(250)이 위치할 수 있으며, 하부 기판(110)을 향하는 오버코트층(250) 위에는 공통 전극(270)이 위치한다. 발명의 실시예에 따라 오버코트층(250)은 생략될 수 있다. 공통 전극(270)은 하부 표시판(100)에 형성될 수도 있다.A light blocking layer 220 is located on one side of the upper substrate 210 facing the lower substrate 110. An overcoat layer 250 providing a flat surface may be positioned on the light blocking layer 220 facing the lower substrate 110, and a common electrode 270 may be positioned on the overcoat layer 250 facing the lower substrate 110. . Depending on the embodiment of the invention, the overcoat layer 250 may be omitted. The common electrode 270 may be formed on the lower display panel 100.

공통 전압을 인가받는 공통 전극(270)은 화소 전극(191)과 전계를 형성하여, 액정층(3)에 포함된 액정 물질(31)들을 배열시킨다. The common electrode 270 to which a common voltage is applied forms an electric field with the pixel electrode 191, thereby arranging the liquid crystal materials 31 included in the liquid crystal layer 3.

액정층(3)은 다수의 액정 물질(31)들을 포함하고, 액정 물질(31)들은 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이의 전계에 의해서 배열 방향이 제어된다. 액정 분자들의 배열에 따라 백라이트 어셈블리(500)로부터 수신된 광의 투과율을 제어하여 영상을 표시할 수 있다.The liquid crystal layer 3 includes a plurality of liquid crystal materials 31, and the arrangement direction of the liquid crystal materials 31 is controlled by the electric field between the pixel electrode 191 and the common electrode 270. An image can be displayed by controlling the transmittance of light received from the backlight assembly 500 according to the arrangement of the liquid crystal molecules.

또한, 도시하지 않았으나, 화소 전극(191)과 액정층(3) 사이, 공통 전극(270)과 액정층(3) 사이에는 배향막이 위치할 수 있다.In addition, although not shown, an alignment film may be positioned between the pixel electrode 191 and the liquid crystal layer 3 and between the common electrode 270 and the liquid crystal layer 3.

색변환 패널(30)의 평탄막(355)은 표시 패널(10)의 상부 기판(210)을 향하여 배치될 수 있다.The flattening film 355 of the color conversion panel 30 may be disposed toward the upper substrate 210 of the display panel 10.

도 10을 참고하여, 도 8 및 도 9에서 설명한 실시예의 변형예 대해서 설명한다.With reference to Figure 10, a modification of the embodiment described in Figures 8 and 9 will be described.

도 10은 도 8의 IX-IX 선을 따라 자른 다른 실시예에 따른 단면도이다.FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line IX-IX of FIG. 8 according to another embodiment.

도 10에서 설명하는 실시예에서 도 9의 실시예와 비교하여 상부 표시판(200)을 제외한 나머지 구성은 동일한 바, 중복되는 구성 요소에 대한 설명은 생략한다.In the embodiment described in FIG. 10 , the remaining components except for the upper display panel 200 are the same as compared to the embodiment in FIG. 9 , and therefore descriptions of overlapping components will be omitted.

도 10에 나타난 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시 패널(10)은 하부 표시판(100), 하부 표시판(100)과 마주하며 이격된 색변환 패널(30) 및 이들 사이에 위치하며 액정 물질(31)을 포함하는 액정층(3)을 포함한다. 즉, 도 10의 실시예에 따른 표시 패널(10)은 도 8 및 도 9에서 설명한 실시예와는 달리, 색변환 패널(30)이 상부 표시판(200)을 대신하여 표시 패널(10)의 일부를 구성한다.As shown in FIG. 10, the display panel 10 according to the present embodiment includes a lower display panel 100, a color conversion panel 30 facing the lower display panel 100 and spaced apart, and a liquid crystal material 31 located between them. ) and a liquid crystal layer (3) containing. That is, the display panel 10 according to the embodiment of FIG. 10 is different from the embodiment described in FIGS. 8 and 9, in which the color conversion panel 30 replaces the upper display panel 200 and is a part of the display panel 10. constitutes.

표시 패널(10)은 하부 표시판(100)의 일면에 위치하는 제1 편광판(12) 및 하부 표시판(100)의 다른 일면에 위치하는 제2 편광판(22)을 더 포함할 수 있다.The display panel 10 may further include a first polarizer 12 located on one side of the lower display panel 100 and a second polarizer 22 located on the other side of the lower display panel 100.

여기서, 제2 편광판(22)은 색변환 패널(30)과 액정층(3) 사이에 위치할 수 있다.Here, the second polarizing plate 22 may be located between the color conversion panel 30 and the liquid crystal layer 3.

또한, 도시하지 않았으나, 화소 전극(191)과 액정층(3) 사이, 제2 편광판(22)과 액정층(3) 사이에는 배향막이 위치할 수 있다.Additionally, although not shown, an alignment film may be positioned between the pixel electrode 191 and the liquid crystal layer 3 and between the second polarizing plate 22 and the liquid crystal layer 3.

이상과 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 표시 패널 위에 위치하며 램버시안 산란(lambertian scattering) 상태를 가질 수 무기 형광체 또는 양자점을 포함하는 색변환층을 포함하는 색변환 패널을 통해 출광율 및 색재현성을 향상시킬 수 있다.The liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention as described above is located on the display panel and emits light through a color conversion panel including a color conversion layer containing inorganic phosphors or quantum dots that may have a Lambertian scattering state. Light rate and color reproducibility can be improved.

이하에서는, 도 11 내지 도 13을 참고하여 본 발명의 일 실시예인 액정 표시 장치에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display device, which is an embodiment of the present invention, will be described in detail with reference to FIGS. 11 to 13.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 복수의 화소에 대한 평면도이고, 도 12는 도 11의 XII-XII 선을 따라 자른 단면도이며, 도 13은 도 11의 XIII-XIII 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 11 is a top view of a plurality of pixels in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII of FIG. 11, and FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII of FIG. 11. This is a cross-sectional view cut along.

도 11 내지 도 13에 도시된 색변환 패널(30)은 전술한 도 6의 실시예에 따른 색변환 패널(30)과 동일한바, 중복되는 설명은 생략한다.Since the color conversion panel 30 shown in FIGS. 11 to 13 is the same as the color conversion panel 30 according to the embodiment of FIG. 6 described above, overlapping descriptions will be omitted.

도 11 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 표시 패널(10), 색변환 패널(30) 및 백라이트 어셈블리(500)를 포함한다. 백라이트 어셈블리(500) 위에 표시 패널(10)이 위치하고, 표시 패널(10) 위에 색변환 패널(30)이 위치할 수 있다.11 to 13, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 10, a color conversion panel 30, and a backlight assembly 500. The display panel 10 may be located on the backlight assembly 500, and the color conversion panel 30 may be located on the display panel 10.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(10)은 액정 패널(50) 및 액정 패널(50)의 양면에 위치하는 제1 및 제2 편광판(12, 22)을 포함할 수 있다. 이때 편광판(12, 22)은 코팅형 편광판, 부착형 편광판, 와이어 그리드 편광판(wire grid polarizer) 중 하나 이상이 사용될 수 있으며, 이러한 편광판(12, 22)은 필름 형태, 도포 형태, 부착 형태 등 다양한 방법으로 액정 패널(50)의 양면에 위치할 수 있다.The display panel 10 according to an embodiment of the present invention may include a liquid crystal panel 50 and first and second polarizers 12 and 22 located on both sides of the liquid crystal panel 50. At this time, the polarizers 12 and 22 may be one or more of a coated polarizer, an adhesive polarizer, and a wire grid polarizer. These polarizers 12 and 22 may be used in various forms such as film form, application form, and attachment form. This method can be located on both sides of the liquid crystal panel 50.

도 11은 복수의 화소 가운데 일부분인 2 * 2 화소 부분을 나타내고, 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치는 이러한 화소가 상하좌우로 반복 배열될 수 있다.Figure 11 shows a 2 * 2 pixel portion, which is a portion of a plurality of pixels, and in the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, these pixels may be repeatedly arranged up, down, left, and right.

도 11 내지 도 13을 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 패널(50)은 기판(110) 위에 게이트선(121)이 위치한다. 게이트선(121)은 게이트 전극(124)을 포함한다.Referring to FIGS. 11 to 13, the liquid crystal panel 50 according to this embodiment has a gate line 121 located on the substrate 110. The gate line 121 includes a gate electrode 124.

게이트선(121) 위에는 게이트 절연막(140)이 위치한다. 게이트 절연막(140) 위에는 데이터선(171) 하부에 위치하는 반도체층(151) 및 소스/드레인 전극(173, 175)의 하부 및 박막 트랜지스터(Q)의 채널 부분에 위치하는 반도체층(154)이 위치한다.A gate insulating film 140 is located on the gate line 121. On the gate insulating film 140, a semiconductor layer 151 located below the data line 171 and a semiconductor layer 154 located below the source/drain electrodes 173 and 175 and the channel portion of the thin film transistor Q. Located.

각 반도체층(151, 154) 위이며, 데이터선(171), 소스/드레인 전극(173, 175)의 사이에는 복수의 저항성 접촉 부재가 위치할 수 있을 수 있는데, 도면에서는 생략되어 있다.A plurality of ohmic contact members may be located on each semiconductor layer 151 and 154 and between the data line 171 and the source/drain electrodes 173 and 175, but are omitted in the drawing.

각 반도체층(151, 154) 및 게이트 절연막(140) 위에 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 연결되는 데이터선(171), 드레인 전극(175)을 포함하는 데이터 도전체(171, 173, 175)가 위치한다.Data conductors 171 and 173 including a source electrode 173 on each of the semiconductor layers 151 and 154 and the gate insulating film 140, a data line 171 connected to the source electrode 173, and a drain electrode 175. , 175) is located.

게이트 전극(124), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)은 반도체층(154)과 함께 박막 트랜지스터(Q)를 형성하며, 박막 트랜지스터(Q)의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체층 부분(154)에 형성된다.The gate electrode 124, the source electrode 173, and the drain electrode 175 together with the semiconductor layer 154 form a thin film transistor (Q), and the channel of the thin film transistor (Q) is the source electrode (173). ) and the drain electrode 175 in the semiconductor layer portion 154.

데이터 도전체(171, 173, 175) 및 노출된 반도체층(154) 부분 위에는 제1 보호막(180a)이 위치할 수 있다. 제1 보호막(180a)은 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiOx) 따위의 무기 절연물 또는 유기 절연물을 포함할 수 있다.A first protective film 180a may be positioned on the data conductors 171, 173, and 175 and the exposed portion of the semiconductor layer 154. The first protective layer 180a may include an inorganic insulating material or an organic insulating material such as silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx).

제1 보호막(180a) 위에는 제2 보호막(180b) 및 차광층(220)이 위치한다.The second protective film 180b and the light blocking layer 220 are located on the first protective film 180a.

먼저, 차광층(220)은 화상을 표시하는 영역에 대응하는 개구부를 가지는 격자 구조로 이루어져 있으며, 빛이 투과하지 못하는 물질로 형성되어 있다. 차광층(220)의 개구부에는 제2 보호막(180b)이 위치한다. 차광층(220)은 게이트선(121)과 평행한 방향인 X축 방향을 따라 형성된 가로 차광 부재와 데이트선(171)과 평행한 방향인 Y축 방향을 따라 형성된 세로 차광 부재를 포함한다.First, the light blocking layer 220 is composed of a grid structure with openings corresponding to the image display area and is made of a material that does not transmit light. The second protective film 180b is located in the opening of the light blocking layer 220. The light blocking layer 220 includes a horizontal light blocking member formed along the X-axis direction parallel to the gate line 121 and a vertical light blocking member formed along the Y-axis direction parallel to the date line 171 .

제2 보호막(180b)은 질화규소(SiNx)와 산화규소(SiOx) 따위의 무기 절연물 또는 유기 절연물을 포함할 수 있다.The second protective layer 180b may include an inorganic insulating material or an organic insulating material such as silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx).

제2 보호막(180b) 및 차광층(220)의 위에는 이를 덮는 제3 보호막(180c)이 형성되어 있다. 제3 보호막(180c)은 질화규소(SiNx)와 산화규소 (SiOx) 따위의 무기 절연물 또는 유기 절연물을 포함할 수 있다.A third protective film 180c is formed on the second protective film 180b and the light blocking layer 220 to cover them. The third protective layer 180c may include an inorganic insulating material or an organic insulating material such as silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx).

제2 보호막(180b)와 차광층(220)의 두께 차이로 인하여 단차가 발생된 경우에는 제3 보호막(180c)을 유기 절연물을 포함하도록 하여 단차를 줄이거나 제거할 수 있다.If a step occurs due to a difference in thickness between the second protective film 180b and the light blocking layer 220, the step can be reduced or eliminated by making the third protective film 180c contain an organic insulating material.

제1 내지 제3 보호막(180a, 180b, 180c) 및 차광층(220)에는 드레인 전극(175)을 노출하는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다.A contact hole 185 exposing the drain electrode 175 is formed in the first to third protective films 180a, 180b, and 180c and the light blocking layer 220.

제3 보호막(180c) 위에는 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다.The pixel electrode 191 is located on the third protective film 180c. The pixel electrode 191 may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

화소 전극(191)은 전체적인 모양이 사각형일 수 있다.The overall shape of the pixel electrode 191 may be square.

화소 전극(191)은 게이트선(121)을 향해 연장된 돌출부(197)를 포함하고, 돌출부(197)에서 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. The pixel electrode 191 includes a protrusion 197 extending toward the gate line 121, and is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185 in the protrusion 197. A data voltage is applied from the electrode 175.

지금까지 설명한 박막 트랜지스터(Q) 및 화소 전극(191)에 관한 설명은 하나의 예시이고, 박막 트랜지스터 구조 및 화소 전극 디자인은 본 실시예에서 설명한 구조에 한정되지 않고, 변형하여 본 발명의 일실시예에 따른 내용을 적용할 수 있다.The description of the thin film transistor Q and the pixel electrode 191 described so far is an example, and the thin film transistor structure and pixel electrode design are not limited to the structure described in this embodiment, but can be modified to form an embodiment of the present invention. The contents according to can be applied.

화소 전극(191) 위에는 하부 배향막(11)이 위치하고, 하부 배향막(11)은 수직 배향막일 수 있다. 하부 배향막(11)은 폴리 아믹산(Polyamic acid), 폴리 실록산(Polysiloxane) 또는 폴리 이미드(Polyimide) 등의 액정 배향막으로써 일반적으로 사용되는 물질들 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.A lower alignment layer 11 is located on the pixel electrode 191, and the lower alignment layer 11 may be a vertical alignment layer. The lower alignment layer 11 may be formed of at least one of materials commonly used as a liquid crystal alignment layer, such as polyamic acid, polysiloxane, or polyimide.

하부 배향막(11)과 대향하는 부분에 상부 배향막(21)이 위치하고, 하부 배향막(11)과 상부 배향막(21) 사이에는 복수의 미세 공간(305)에 형성되어 있다. 복수의 미세 공간(305)에 액정층(3)이 위치한다. 액정층(3)은 액정 물질(31)을 포함하고, 액정 물질(31)은 미세 공간(305)의 가장자리 위치에 형성된 입구부(307)를 통해 주입될 수 있다. 미세 공간(305)은 화소 전극(191)의 열 방향 다시 말해 세로 방향을 따라 복수개 위치할 수 있다. 본 실시예에서 배향막(11, 21)을 형성하는 배향 물질과 액정 분자를 포함하는 액정 물질(31)은 모관력(capillary force)을 이용하여 미세 공간(305)에 주입될 수 있다. 본 실시예에서 하부 배향막(11)과 상부 배향막(21)은 위치에 따른 구별되는 것일 뿐이고, 도 12에 도시한 바와 같이 서로 연결될 수 있다. 하부 배향막(11)과 상부 배향막(21)은 동시에 형성될 수 있다.The upper alignment layer 21 is located in a portion opposite to the lower alignment layer 11, and a plurality of microcavities 305 are formed between the lower alignment layer 11 and the upper alignment layer 21. The liquid crystal layer 3 is located in the plurality of microcavities 305. The liquid crystal layer 3 includes a liquid crystal material 31, and the liquid crystal material 31 may be injected through an inlet 307 formed at an edge of the microcavity 305. A plurality of microcavities 305 may be located along the column direction of the pixel electrode 191, that is, the vertical direction. In this embodiment, the liquid crystal material 31 including liquid crystal molecules and an alignment material forming the alignment layers 11 and 21 may be injected into the microcavity 305 using capillary force. In this embodiment, the lower alignment layer 11 and the upper alignment layer 21 are distinguished only by location, and may be connected to each other as shown in FIG. 12. The lower alignment layer 11 and the upper alignment layer 21 may be formed simultaneously.

미세 공간(305)은 게이트선(121)과 중첩하는 부분에 위치하는 복수의 트렌치(307FP)에 의해 세로 방향으로 나누어짐으로써 복수개의 미세 공간(305)을 형성하며, 복수의 미세 공간(305)은 화소 전극(191)의 열 방향 다시 말해 세로 방향을 따라 위치할 수 있다. 트렌치(307FP)는 제조 공정 중에 형성되나, 최종 구조에서는 후술하는 캐핑층(390)이 위치할 수 있다. 또한 이후에 설명하는 격벽부(PWP)에 의해 미세 공간(305)은 X축 방향으로 나누어짐으로써 복수 개의 미세 공간(305)이 형성되며, 복수의 미세 공간(305)은 화소 전극(191)의 X축 방향을 따라 형성될 수 있다. 복수 개 형성된 미세 공간(305) 각각은 화소 영역 하나 또는 둘 이상에 대응할 수 있고, 화소 영역은 화면을 표시하는 영역에 대응될 수 있다.The microspace 305 is vertically divided by a plurality of trenches 307FP located in overlapping portions with the gate line 121 to form a plurality of microspaces 305. may be located along the column direction of the pixel electrode 191, that is, the vertical direction. The trench 307FP is formed during the manufacturing process, but a capping layer 390, which will be described later, may be located in the final structure. In addition, the microspace 305 is divided in the It can be formed along the X-axis direction. Each of the plurality of microcavities 305 may correspond to one or more pixel areas, and the pixel areas may correspond to an area that displays the screen.

상부 배향막(21) 위에는 공통 전극(270), 하부 절연층(350)이 위치한다. 공통 전극(270)은 공통 전압을 인가 받고, 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)과 함께 전기장을 생성하여 두 전극 사이의 미세 공간(305)에 위치하는 액정 물질(31)이 기울어지는 방향을 결정한다. 공통 전극(270)은 화소 전극(191)과 축전기를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프(turn-off)된 후에도 인가된 전압을 유지한다. 하부 절연층(350)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2)로 형성될 수 있다.A common electrode 270 and a lower insulating layer 350 are located on the upper alignment layer 21. The common electrode 270 receives a common voltage and generates an electric field together with the pixel electrode 191 to which the data voltage is applied, thereby changing the direction in which the liquid crystal material 31 located in the microspace 305 between the two electrodes is tilted. decide The common electrode 270 forms a capacitor with the pixel electrode 191 and maintains the applied voltage even after the thin film transistor is turned off. The lower insulating layer 350 may be formed of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2 ).

본 실시예에서는 공통 전극(270)이 액정층(3) 위에 위치하는 것으로 설명하였으나, 다른 실시예로 공통 전극(270)이 미세 공간(305) 하부에 형성되어 수평 전계 모드에 따른 액정 구동도 가능하다.In this embodiment, the common electrode 270 is described as being located on the liquid crystal layer 3, but in another embodiment, the common electrode 270 is formed below the microcavity 305, making it possible to drive the liquid crystal according to the horizontal electric field mode. do.

하부 절연층(350) 위에 루프층(Roof Layer; 360)이 위치한다. 루프층(360)은 화소 전극(191)과 공통 전극(270)의 사이 공간인 미세 공간(305)이 형성될 수 있도록 지지하는 역할을 한다. 루프층(360)은 포토 레지스트 또는 그 밖의 유기 물질을 포함할 수 있다.A roof layer (Roof Layer) 360 is located on the lower insulating layer 350. The roof layer 360 serves to support the formation of a microspace 305, which is a space between the pixel electrode 191 and the common electrode 270. The roof layer 360 may include photoresist or other organic materials.

루프층(360) 위에 상부 절연층(370)이 위치한다. 상부 절연층(370)은 루프층(360)의 상부면과 접촉할 수 있다.An upper insulating layer 370 is located on the roof layer 360. The upper insulating layer 370 may contact the upper surface of the roof layer 360.

본 실시예에서는 도 12에 도시한 바와 같이, 가로 방향으로 이웃하는 미세 공간(305) 사이에 격벽부(PWP)가 위치한다. 격벽부(PWP)는 데이터선(171)이 뻗어 있는 방향인 Y축 방향을 따라 형성될 수 있고, 루프층(360)에 의해 덮일 수 있다. 격벽부(PWP)에는 공통 전극(270), 하부 절연층(350), 루프층(360) 및 상부 절연층(370)이 채워져 있는데 이러한 구조물이 격벽(Partition Wall)을 형성함으로써 미세 공간(305)을 구획 또는 정의할 수 있다.In this embodiment, as shown in FIG. 12, a partition wall portion (PWP) is located between horizontally neighboring microcavities 305. The partition wall portion (PWP) may be formed along the Y-axis direction, which is the direction in which the data line 171 extends, and may be covered by the roof layer 360. The partition wall (PWP) is filled with a common electrode 270, a lower insulating layer 350, a roof layer 360, and an upper insulating layer 370. These structures form a partition wall, thereby creating a micro space 305. can be partitioned or defined.

도 13에 도시한 바와 같이 상부 절연층(370)은 루프층(360)의 측면부를 덮을 수 있고, 변형 실시예로 하부 절연층(350), 루프층(360) 및 상부 절연층(370)의 측벽이 실질적으로 동일하게 정렬되도록 형성될 수 있다.As shown in FIG. 13, the upper insulating layer 370 may cover the side portion of the roof layer 360, and in a modified embodiment, the lower insulating layer 350, the roof layer 360, and the upper insulating layer 370. The side walls may be formed to be substantially identically aligned.

상부 절연층(370) 위에 캐핑층(390)이 위치한다. 캐핑층(390)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함한다. 본 실시예에서 캐핑층(390)은 상부 절연층(370) 상부뿐만 아니라 액정 주입부(307FP)에도 위치할 수 있다. 이 때, 캐핑층(390)은 액정 주입부(307FP)에 의해 노출된 미세 공간(305)의 입구부(307)를 덮을 수 있다.A capping layer 390 is located on the upper insulating layer 370. The capping layer 390 includes an organic material or an inorganic material. In this embodiment, the capping layer 390 may be located not only on the upper insulating layer 370 but also on the liquid crystal injection portion 307FP. At this time, the capping layer 390 may cover the entrance portion 307 of the microcavity 305 exposed by the liquid crystal injection portion 307FP.

색변환 패널(30)은 색변환 패널(30)의 평탄막(355)이 표시 패널(10)의 캐핑층(390)과 마주하며 배치된다.The color conversion panel 30 is disposed so that the flat film 355 of the color conversion panel 30 faces the capping layer 390 of the display panel 10.

이상과 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널 위에 위치하며 램버시안 산란(lambertian scattering) 상태를 가질 수 있는 무기 형광체 또는 양자점을 포함하는 색변환층을 포함하는 색변환 패널을 통해 출광율 및 색재현성을 향상시킬 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention as described above is located on the display panel and emits light through a color conversion panel including a color conversion layer containing an inorganic phosphor or quantum dot that may have a Lambertian scattering state. Light rate and color reproducibility can be improved.

이하에서는, 도 14 내지 도 15를 참고하여 본 발명의 일 실시예인 유기 발광 표시 장치 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting display device, which is an embodiment of the present invention, will be described in detail with reference to FIGS. 14 and 15.

도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 복수의 화소에 대한 평면도이고, 도 15는 도 14의 XV-XV 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 14 is a plan view of a plurality of pixels in an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV of FIG. 14.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 색변환 패널(30) 및 유기 발광 패널(20)을 포함할 수 있다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention may include a color conversion panel 30 and an organic light emitting panel 20.

도 14 내지 도 15에 도시된 색변환 패널(30)은 전술한 도 6의 실시예에 따른 색변환 패널(30)과 동일한바, 중복되는 설명은 생략한다The color conversion panel 30 shown in FIGS. 14 and 15 is the same as the color conversion panel 30 according to the embodiment of FIG. 6 described above, and redundant description will be omitted.

도 14 및 도 15를 참고하면, 하부 기판(110) 위에 제1 게이트 전극(124a)을 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 복수의 제2 게이트 전극(124b)을 포함하는 복수의 게이트 도전체가 위치한다.Referring to FIGS. 14 and 15 , a plurality of gate lines 121 including a first gate electrode 124a and a plurality of gate conductors including a plurality of second gate electrodes 124b are formed on the lower substrate 110. Located.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 X축 방향으로 뻗어 있다.The gate line 121 transmits the gate signal and extends in the X-axis direction.

제1 게이트 전극(124a)은 게이트선(121)으로부터 Y축 방향으로 돌출되어 있으며, 제2 게이트 전극(124b)은 게이트선(121)과 분리되어 있으며, 유지 전극선(131)을 포함한다.The first gate electrode 124a protrudes from the gate line 121 in the Y-axis direction, and the second gate electrode 124b is separated from the gate line 121 and includes a storage electrode line 131.

게이트 도전체(121, 124a, 124b) 위에는 게이트 절연막(140)이 위치한다.A gate insulating film 140 is located on the gate conductors 121, 124a, and 124b.

게이트 절연막(140) 위에는 복수의 제1 및 제2 반도체층(154a, 154b)이 위치한다. 제1 및 제2 반도체층(154a, 154b)은 각각 제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b) 위에 위치한다.A plurality of first and second semiconductor layers 154a and 154b are located on the gate insulating film 140. The first and second semiconductor layers 154a and 154b are located on the first and second gate electrodes 124a and 124b, respectively.

제1 및 제2 반도체층(154a, 154b) 위에는 각각 복수 쌍의 저항성 접촉 부재(163, 165)가 위치한다. A plurality of pairs of ohmic contact members 163 and 165 are positioned on the first and second semiconductor layers 154a and 154b, respectively.

저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(171)과 복수의 구동 전압선(172)과 복수의 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)을 포함하는 복수의 데이터 도전체가 위치한다.On the ohmic contact members 163 and 165 and the gate insulating film 140, a plurality of data lines 171, a plurality of driving voltage lines 172, and a plurality of first and second drain electrodes 175a and 175b are formed. The data conductor is located.

데이터선(171) 및 구동 전압선(172)은 데이터 신호를 전달하며 주로 Y축 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 제1 게이트 전극(124a)을 향하여 뻗은 복수의 제1 소스 전극(173a)을 포함한다.The data line 171 and the driving voltage line 172 transmit data signals and mainly extend in the Y-axis direction and intersect the gate line 121. Each data line 171 includes a plurality of first source electrodes 173a extending toward the first gate electrode 124a.

구동 전압선(172)은 구동 전압을 전달하며 주로 Y축 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 구동 전압선(172)은 제2 게이트 전극(124b)을 향하여 뻗은 복수의 제2 소스 전극(173b)을 포함한다. 구동 전압선(172)은 유지 전극선(131)과 중첩하며, 서로 연결될 수 있다.The driving voltage line 172 transmits a driving voltage and mainly extends in the Y-axis direction and intersects the gate line 121. Each driving voltage line 172 includes a plurality of second source electrodes 173b extending toward the second gate electrode 124b. The driving voltage line 172 overlaps the sustain electrode line 131 and may be connected to each other.

제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)은 서로 분리되어 있고 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)과도 분리되어 있다. 제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a)은 제1 게이트 전극(124a)을 중심으로 서로 마주하고, 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b)은 제2 게이트 전극(124b)을 중심으로 서로 마주한다.The first and second drain electrodes 175a and 175b are separated from each other and from the data line 171 and the driving voltage line 172. The first source electrode 173a and the first drain electrode 175a face each other around the first gate electrode 124a, and the second source electrode 173b and the second drain electrode 175b are connected to the second gate electrode. They face each other around (124b).

반도체층(154a, 154b)에는 소스 전극(173a, 173b)과 드레인 전극(175a, 175b) 사이에서 노출된 부분이 있다.The semiconductor layers 154a and 154b have exposed portions between the source electrodes 173a and 173b and the drain electrodes 175a and 175b.

데이터 도전체(171, 172, 173a, 173b, 175a, 175b) 및 노출된 반도체층(154a, 154b) 부분 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. A protective film 180 is formed on the data conductors 171, 172, 173a, 173b, 175a, and 175b and the exposed portions of the semiconductor layers 154a and 154b.

보호막(180)에는 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(185a, 185b)이 위치하며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 제2 게이트 전극(124b)을 드러내는 접촉 구멍(184)이 위치한다.The protective film 180 has a plurality of contact holes 185a and 185b exposing the first and second drain electrodes 175a and 175b, respectively, and the protective film 180 and the gate insulating film 140 have a second gate electrode 124b. ) is located where the contact hole 184 exposes.

보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(191) 및 복수의 연결 부재(85)가 위치한다. A plurality of pixel electrodes 191 and a plurality of connection members 85 are positioned on the protective film 180.

화소 전극(191)은 접촉 구멍(185b)을 통하여 제2 드레인 전극(175b)과 물리적·전기적으로 연결되어 있으며, 연결 부재(85)는 접촉 구멍(184, 185a)을 통하여 제2 게이트 전극(124b) 및 제1 드레인 전극(175a)과 연결되어 있다.The pixel electrode 191 is physically and electrically connected to the second drain electrode 175b through the contact hole 185b, and the connecting member 85 is connected to the second gate electrode 124b through the contact holes 184 and 185a. ) and is connected to the first drain electrode 175a.

보호막(180) 위에는 격벽(361)이 위치한다. 격벽(361)은 화소 전극(191) 가장자리 주변을 둑처럼 둘러싸서 개구부(365)를 정의하며 유기 절연물 또는 무기 절연물로 형성된다. 격벽(361)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 형성될 수 있는데, 이 경우 격벽(361)은 차광 부재의 역할을 할 수 있다.A partition wall 361 is located on the protective film 180. The partition wall 361 defines the opening 365 by surrounding the edge of the pixel electrode 191 like a dam and is made of an organic insulating material or an inorganic insulating material. The partition wall 361 may also be formed of a photosensitive material containing a black pigment, in which case the partition wall 361 may serve as a light blocking member.

서로 이웃하는 격벽(361) 사이의 개구부(365) 내에는 유기 발광 부재(470)가 위치한다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 유기 발광 부재(470)는 청색의 빛을 내는 발광층을 포함할 수 있다.The organic light emitting member 470 is located within the opening 365 between adjacent partition walls 361 . The organic light emitting member 470 of the organic light emitting display device according to this embodiment may include a light emitting layer that emits blue light.

일반적인 유기 발광 표시 장치의 경우 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질을 모두 포함하지만, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 앞서 설명한 도 6의 실시예와 같은 적색변환층, 녹색변환층 및 투과층을 포함하는 색변환 패널(30)과 청색 빛을 내는 발광층을 포함하기 때문에 적색, 녹색, 청색의 각 색을 표현할 수 있다.In the case of a general organic light emitting display device, it includes all organic materials that uniquely emit light of one of the three primary colors of red, green, and blue, but the organic light emitting display device according to the present embodiment is similar to the embodiment of FIG. 6 described above. Since the color conversion panel 30 includes a red conversion layer, a green conversion layer, and a transmission layer, and a light emitting layer that emits blue light, each color of red, green, and blue can be expressed.

또한, 이와 다르게, 색변환 패널(30)이 투과층 대신 청색변환층을 포함할 경우에는 백색(white) 빛을 내는 발광층을 포함할 수도 있다.Additionally, differently from this, when the color conversion panel 30 includes a blue conversion layer instead of a transmission layer, it may include a light emitting layer that emits white light.

유기 발광 부재(470)는 빛을 내는 발광층(emitting layer)(도시하지 않음) 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)(도시하지 않음)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer)(도시하지 않음) 및 정공 수송층(hole transport layer)(도시하지 않음)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injecting layer)(도시하지 않음) 및 정공 주입층(hole injecting layer)(도시하지 않음) 등이 있다.The organic light-emitting member 470 may have a multi-layer structure that includes an auxiliary layer (not shown) to improve the luminous efficiency of the light-emitting layer in addition to an emitting layer (not shown) that emits light. The auxiliary layers include an electron transport layer (not shown) and a hole transport layer (not shown) to balance electrons and holes, and an electron injection layer (not shown) to enhance injection of electrons and holes. There is an electron injecting layer (not shown) and a hole injecting layer (not shown).

유기 발광 부재(470) 위에는 공통 전극(270)이 위치한다. A common electrode 270 is located on the organic light emitting member 470.

이러한 유기 발광 표시 장치에서, 게이트선(121)에 연결되어 있는 제1 게이트 전극(124a), 데이터선(171)에 연결되어 있는 제1 소스 전극(173a) 및 제1 드레인 전극(175a)은 제1 반도체층(154a)과 함께 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)를 이루며, 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)의 채널은 제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a) 사이의 제1 반도체층(154a)에 형성된다. 제1 드레인 전극(175a)에 연결되어 있는 제2 게이트 전극(124b), 구동 전압선(172)에 연결되어 있는 제2 소스 전극(173b) 및 화소 전극(191)에 연결되어 있는 제2 드레인 전극(175b)은 제2 반도체층(154b)과 함께 구동 박막 트랜지스터(Qd)를 이루며, 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널은 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b) 사이의 제2 반도체층(154b)에 형성된다. 화소 전극(191), 유기 발광 부재(470) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 다이오드를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드, 공통 전극(270)이 캐소드가 되거나 반대로 화소 전극(191)이 캐소드, 공통 전극(270)이 애노드가 된다. 서로 중첩하는 유지 전극선(131)과 구동 전압선(172)은 유지 축전기(Cst)를 이룬다.In this organic light emitting display device, the first gate electrode 124a connected to the gate line 121, the first source electrode 173a connected to the data line 171, and the first drain electrode 175a are 1 Together with the semiconductor layer 154a, it forms a switching thin film transistor (Qs), and the channel of the switching thin film transistor (Qs) is the first semiconductor layer (154a) between the first source electrode (173a) and the first drain electrode (175a). is formed in The second gate electrode 124b connected to the first drain electrode 175a, the second source electrode 173b connected to the driving voltage line 172, and the second drain electrode connected to the pixel electrode 191 ( 175b) forms a driving thin film transistor (Qd) together with the second semiconductor layer (154b), and the channel of the driving thin film transistor (Qd) is a second semiconductor between the second source electrode (173b) and the second drain electrode (175b). It is formed in layer 154b. The pixel electrode 191, the organic light emitting member 470, and the common electrode 270 form an organic light emitting diode, with the pixel electrode 191 being the anode and the common electrode 270 being the cathode, or conversely, the pixel electrode 191 being the cathode. , the common electrode 270 becomes the anode. The storage electrode line 131 and the driving voltage line 172 that overlap each other form a storage capacitor (Cst).

색변환 패널(30)의 평탄막(355)은 유기 발광 패널(20)의 공통 전극(270)과 마주하며 배치된다.The flat film 355 of the color conversion panel 30 is disposed to face the common electrode 270 of the organic light emitting panel 20.

이러한 유기 발광 표시 장치는 색변환 패널(30)을 향하는 하부 기판(110)의 위쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시할 수 있다.Such an organic light emitting display device can display an image by emitting light upward from the lower substrate 110 toward the color conversion panel 30.

다만, 앞서 설명한 예시와는 다르게 색변환 패널(30)이 유기 발광 패널(20)의 하부 기판(110)의 아래에 위치하는 경우에는 하부 기판(110)의 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시하는 배면 발광형일 수도 있다.However, unlike the example described above, when the color conversion panel 30 is located below the lower substrate 110 of the organic light emitting panel 20, light is emitted below the lower substrate 110 to display an image. It may be a back-emitting type.

이상과 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 패널 위에 위치하며 램버시안 산란(lambertian scattering) 상태를 가질 수 있는 무기 형광체 또는 양자점을 포함하는 색변환층을 포함하는 색변환 패널을 통해 출광율 및 색재현성을 향상시킬 수 있다.The organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention as described above includes a color conversion panel located on the display panel and including a color conversion layer containing an inorganic phosphor or quantum dot that can have a Lambertian scattering state. Through this, light output rate and color reproducibility can be improved.

이상과 같이 본 발명의 실시예에 따르면 나노 형광체를 포함하는 감광성 수지 조성물에 항산화제를 첨가함으로써, 공정 진행 중에 발생할 수 있는 나노 형광체의 손상으로 인한 소광 현상을 방지할 수 있으며, 이로 인해 표시 장치의 광 효율 및 색 재현성이 우수한 장점이 있다.As described above, according to an embodiment of the present invention, by adding an antioxidant to a photosensitive resin composition containing a nano phosphor, it is possible to prevent the extinction phenomenon due to damage to the nano phosphor that may occur during the process, thereby preventing the display device from being quenched. It has the advantage of excellent light efficiency and color reproducibility.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements made by those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also possible. falls within the scope of rights.

124: 게이트 전극 140: 게이트 절연막
173: 소스 전극 175: 드레인 전극
180a: 제1 보호막 180b: 제2 보호막
230: 색필터 10: 표시 패널
12, 22: 편광판 30: 색변환 패널
310: 제1 기판 131: 유지 전극선
11: 제1 배향막 21: 제2 배향막
110: 하부 기판 121: 게이트선
191: 화소 전극 220: 차광층
390: 캐핑층 270: 공통 전극
305: 미세 공간 307FP: 액정 주입부
307: 입구부 31: 액정 분자
10: 표시 패널 30: 색 변환 패널
372: 차광 부재 340B: 투과층
210: 상부 기판 470: 유기 발광 부재
340R, 340G: 색변환층
124: gate electrode 140: gate insulating film
173: source electrode 175: drain electrode
180a: first shield 180b: second shield
230: color filter 10: display panel
12, 22: Polarizer 30: Color conversion panel
310: first substrate 131: maintenance electrode line
11: first alignment layer 21: second alignment layer
110: lower substrate 121: gate line
191: pixel electrode 220: light blocking layer
390: capping layer 270: common electrode
305: Micro space 307FP: Liquid crystal injection part
307: Inlet 31: Liquid crystal molecules
10: Display panel 30: Color conversion panel
372: Light blocking member 340B: Transmissive layer
210: upper substrate 470: organic light emitting member
340R, 340G: Color conversion layer

Claims (33)

나노 형광체(nanophosphors), 광중합 개시제, 광중합 화합물, 항산화제, 및 용매를 포함하며,
상기 항산화제는 황(sulfur)계 화합물을 포함하고,
상기 나노 형광체는 양자점(quantum dot) 및 무기 형광체(inorganic phosphors) 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, III-VI족 화합물, IV-VI족 화합물, II-III-V족 화합물, II-III-VI족 화합물, IV족 원소 및 IV족 화합물 중 선택된 1종 이상을 포함하며,
상기 양자점은 코어 및 상기 코어를 덮는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조인 감광성 수지 조성물.
Contains nanophosphors, photopolymerization initiator, photopolymerization compound, antioxidant, and solvent,
The antioxidant includes sulfur-based compounds,
The nano phosphor includes at least one of quantum dots and inorganic phosphors,
The quantum dots include group II-VI compounds, group III-V compounds, group III-VI compounds, group IV-VI compounds, group II-III-V compounds, group II-III-VI compounds, group IV elements, and group IV compounds. Contains one or more types selected from
The quantum dot is a photosensitive resin composition having a core-shell structure including a core and a shell covering the core.
삭제delete 제1항에서,
상기 항산화제는 페놀계 항산화제를 더 포함하고,
상기 페놀계 항산화제는 2,6-디제3부틸-p-크레졸, 2,6-디페닐-4-옥타데실록시페놀, 스테아릴(3,5-디제3부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 디스테아릴(3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질)포스포네이트, 트리데실·3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질티오아세테이트, 티오디에틸렌비스[(3,5-디제3부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 4,4'-티오비스(6-제3부틸-m-크레졸), 2-옥틸티오-4,6-디(3,5-디제3부틸-4-히드록시페녹시)-s-트리아진, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-제3부틸페놀), 비스[3,3-비스(4-히드록시-3-제3부틸페닐)부티릭크애시드]글리콜에스테르, 4,4'-부틸리덴비스(2,6-디제3부틸페놀), 4,4'-부틸리덴비스(6-제3부틸-3-메틸페놀), 2,2'-에틸리덴비스(4,6-디제3부틸페놀), 1,1,3-트리스(2-메틸-4-히드록시-5-제3부틸페닐)부탄, 비스[2-제3부틸-4-메틸-6-(2-히드록시-3-제3부틸-5-메틸벤질)페닐]테레프탈레이트, 1,3,5-트리스(2,6-디메틸-3-히드록시-4-제3부틸벤질)이소시아눌레이트, 1,3,5-트리스(3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질)이소시아눌레이트, 1,3,5-트리스(3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질)-2,4,6-트리메틸벤젠, 1,3,5-트리스[(3,5-디제3부틸-4-히드록시페닐)프로피오닐옥시에틸]이소시아눌레이트, 테트라키스[메틸렌-3-(3', 5'-디제3부틸-4'-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄, 2-제3부틸-4-메틸-6-(2-아크릴로일옥시-3-제3부틸-5-메틸벤질)페놀, 3,9-비스[2-(3-제3부틸-4-히드록시-5-메틸히드로신나모일옥시)-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 트리에틸렌글리콜비스[β-(3-제3부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트] 및 토코페놀 중 적어도 하나를 포함하는 감광성 수지 조성물.
In paragraph 1:
The antioxidant further includes a phenolic antioxidant,
The phenolic antioxidants include 2,6-dietertiary butyl-p-cresol, 2,6-diphenyl-4-octadecyloxyphenol, stearyl (3,5-ditertiary butyl-4-hydroxyphenyl) Propionate, distearyl (3,5-ditertiary butyl-4-hydroxybenzyl) phosphonate, tridecyl·3,5-ditertiary butyl-4-hydroxybenzylthioacetate, thiodiethylenebis[ (3,5-ditertiary butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 4,4'-thiobis(6-tertiary butyl-m-cresol), 2-octylthio-4,6-di( 3,5-ditertiary butyl-4-hydroxyphenoxy)-s-triazine, 2,2'-methylenebis(4-methyl-6-tertiary butylphenol), bis[3,3-bis(4 -Hydroxy-3-tertiary butylphenyl)butyric acid] glycol ester, 4,4'-butylidenebis(2,6-ditertiary butylphenol), 4,4'-butylidenebis(6- tertiary butyl-3-methylphenol), 2,2'-ethylidenebis(4,6-ditertiary butylphenol), 1,1,3-tris(2-methyl-4-hydroxy-5-tertiary) Butylphenyl)butane, bis[2-tertiary butyl-4-methyl-6-(2-hydroxy-3-tertiary butyl-5-methylbenzyl)phenyl]terephthalate, 1,3,5-tris(2 ,6-dimethyl-3-hydroxy-4-tertiary butylbenzyl)isocyanurate, 1,3,5-tris(3,5-ditertiary butyl-4-hydroxybenzyl)isocyanurate, 1 ,3,5-tris(3,5-dizertbutyl-4-hydroxybenzyl)-2,4,6-trimethylbenzene, 1,3,5-tris[(3,5-dizertbutyl-4- Hydroxyphenyl)propionyloxyethyl]isocyanurate, tetrakis[methylene-3-(3', 5'-ditertiary butyl-4'-hydroxyphenyl)propionate]methane, 2-tertiary butyl -4-methyl-6-(2-acryloyloxy-3-tertbutyl-5-methylbenzyl)phenol, 3,9-bis[2-(3-tertbutyl-4-hydroxy-5- Methylhydrocinnamoyloxy)-1,1-dimethylethyl]-2,4,8,10-tetraoxaspiro[5.5]undecane, triethylene glycol bis[β-(3-tertbutyl-4-hydroxy A photosensitive resin composition containing at least one of -5-methylphenyl)propionate] and tocophenol.
제1항에서,
상기 항산화제는 인계 항산화제를 더 포함하고,
상기 인계 항산화제는 트리페닐포스파이트, 트리스(2,4-디제3부틸페닐)포스파이트, 트리스(2,5-디제3부틸페닐)포스파이트, 트리스(노닐페닐)포스파이트, 트리스(디노닐페닐)포스파이트, 트리스(모노,디혼합 노닐페닐)포스파이트, 디페닐애시드포스파이트, 2,2'-메틸렌비스(4,6-디제3부틸페닐)옥틸포스파이트, 디페닐데실포스파이트, 디페닐옥틸포스파이트, 디(노닐페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 페닐디이소데실포스파이트, 트리부틸포스파이트, 트리스(2-에틸헥실)포스파이트, 트리데실포스파이트, 트리라우릴포스파이트, 디부틸애시드포스파이트, 디라우릴애시드포스파이트, 트리라우릴트리티오포스파이트, 비스(네오펜틸글리콜)·1,4-시클로헥산디메틸디포스파이트, 비스(2,4-디제3부틸페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 비스(2,5-디제3부틸페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 비스(2,6-디제3부틸-4-메틸페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 디스테아릴펜타에리스리톨디포스파이트, 테트라(C12-15 혼합알킬)-4,4'-이소프로피리덴디페닐포스파이트, 비스[2,2'-메틸렌비스(4,6-디아밀페닐)]·이소프로피리덴디페닐포스파이트, 테트라트리데실·4,4'-부틸리덴비스(2-제3부틸-5-메틸페놀)디포스파이트, 헥사(트리데실)·1,1,3-트리스(2-메틸-5-제3부틸-4-히드록시페닐)부탄·트리포스파이트, 테트라키스(2,4-디제3부틸페닐)비페닐렌디포스파나이트, 트리스(2-[(2,4,7,9-테트라키스제3부틸디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-6-일)옥시]에틸)아민, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난스렌-10-옥사이드, 트리스(2-[(2,4,8,10-테트라키스 제3부틸디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-6-일)옥시]에틸)아민 및 2-(1,1-디메틸에틸)-6-메틸-4-[3-[[2,4,8,10-테트라키스(1,1-디메틸에틸)디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-6-일]옥시]프로필]페놀2-부틸-2-에틸프로판디올·2,4,6-트리제3부틸페놀모노포스파이트 중 적어도 하나를 포함하는 감광성 수지 조성물.
In paragraph 1:
The antioxidant further includes a phosphorus antioxidant,
The phosphorus-based antioxidants include triphenyl phosphite, tris (2,4-di tertiary butylphenyl) phosphite, tris (2,5-di tertiary butylphenyl) phosphite, tris (nonylphenyl) phosphite, and tris (dinonyl). Phenyl) phosphite, tris (mono, dimixed nonylphenyl) phosphite, diphenyl acid phosphite, 2,2'-methylenebis (4,6-ditertiary butylphenyl) octyl phosphite, diphenyldecyl phosphite, Diphenyloctyl phosphite, di(nonylphenyl)pentaerythritol diphosphite, phenyl diisodecyl phosphite, tributyl phosphite, tris(2-ethylhexyl) phosphite, tridecyl phosphite, trilauryl phosphite, di Butyl acid phosphite, dilauryl acid phosphite, trilauryl trithiophosphite, bis(neopentyl glycol)·1,4-cyclohexanedimethyldiphosphite, bis(2,4-ditertiary butylphenyl)pentaerythritol depot Spite, bis(2,5-ditertibutylphenyl)pentaerythritol diphosphite, bis(2,6-ditertibutyl-4-methylphenyl)pentaerythritol diphosphite, bis(2,4-dicumylphenyl)pentaerythritol diphosphite Spite, distearyl pentaerythritol diphosphite, tetra(C12-15 mixed alkyl)-4,4'-isopropylidenediphenyl phosphite, bis[2,2'-methylenebis(4,6-diamylphenyl) ]·Isopropylidenediphenylphosphite, tetratridecyl·4,4'-butylidenebis(2-tertiary butyl-5-methylphenol)diphosphite, hexa(tridecyl)·1,1,3- Tris(2-methyl-5-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)butane·triphosphite, tetrakis(2,4-ditertbutylphenyl)biphenylenediphosphanite, Tris(2-[(2 ,4,7,9-Tetrakistertbutyldibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphosphepin-6-yl)oxy]ethyl)amine, 9,10-dihydro-9- Oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, tris(2-[(2,4,8,10-tetrakis tertbutyldibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphosphepine -6-yl)oxy]ethyl)amine and 2-(1,1-dimethylethyl)-6-methyl-4-[3-[[2,4,8,10-tetrakis(1,1-dimethylethyl) ) dibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphospepin-6-yl]oxy]propyl]phenol 2-butyl-2-ethylpropanediol·2,4,6-trizet-butylphenol A photosensitive resin composition comprising at least one of monophosphites.
제1항에서,
상기 황계 항산화제는 디알킬티오디프로피오네이트 및 폴리올의 β-알킬메르캅토프로피온산 에스테르 중 적어도 하나를 포함하는 감광성 수지 조성물.
In paragraph 1:
The photosensitive resin composition wherein the sulfur-based antioxidant includes at least one of dialkylthiodipropionate and β-alkylmercaptopropionic acid ester of polyol.
제1항에서,
상기 항산화제는 상기 감광성 수지 조성물의 고형분의 총 중량 대비 1 내지 5중량%의 함량을 갖는 감광성 수지 조성물.
In paragraph 1:
The photosensitive resin composition wherein the antioxidant has a content of 1 to 5% by weight based on the total weight of solids of the photosensitive resin composition.
삭제delete 제1항에서,
상기 코어는 CdSe, CdS, ZnS, ZnSe, CdTe, CdSeTe, CdZnS, PbSe, AgInZnS, ZnTe, CdSeS, PbS, PbTe, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP, InZnP, InGaP, InGaN, InAs 및 ZnO 중 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하고,
상기 쉘은 CdSe, ZnSe, ZnS, ZnTe, CdTe, PbS, SrSe, CdO, CdS, ZnO, InP, InS, GaP, GaN, GaO, InZnP, InGaP, InGaN, InZnSCdSe 및 HgSe 중 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물.
In paragraph 1:
The core is CdSe, CdS, ZnS, ZnSe, CdTe, CdSeTe, CdZnS, PbSe, AgInZnS, ZnTe, CdSeS, PbS, PbTe, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP, InZnP, InGaP, InGaN, InAs and at least one compound selected from ZnO,
The shell includes at least one compound selected from CdSe, ZnSe, ZnS, ZnTe, CdTe, PbS, SrSe, CdO, CdS, ZnO, InP, InS, GaP, GaN, GaO, InZnP, InGaP, InGaN, InZnSCdSe and HgSe A photosensitive resin composition.
제1항에서,
상기 무기 형광체는 가넷(garnet)계, 실리케이트(silicate)계, 황화물(sulfide)계, 산질화물(oxynitrides)계, 질화물(nitride)계 및 알루미네이트(aluminate)계 중 선택된 1종 이상을 포함하는 감광성 수지 조성물.
In paragraph 1:
The inorganic phosphor is a photosensitive phosphor containing at least one selected from garnet-based, silicate-based, sulfide-based, oxynitride-based, nitride-based, and aluminate-based. Resin composition.
제9항에서,
상기 무기 형광체는 Y3Al5O12:Ce3 + (YAG:Ce), Tb3Al5O12:Ce3 + (TAG:Ce), (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu2+, (Sr,Ba,Ca,Mg,Zn)2Si(OD)4:Eu2 + D=F,Cl,S,N,Br, Ba2MgSi2O7:Eu2+, Ba2SiO4:Eu2 +, Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce3 +, (Ca,Sr)S:Eu2 +, (Sr,Ca)Ga2S4:Eu2+, SrSi2O2N2:Eu2 +, SiAlON:Ce3 +, β-SiAlON:Eu2 +, Ca-α-SiAlON:Eu2 +, Ba3Si6O12N2:Eu2+, CaAlSiN3:Eu2 +, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu2 +, Sr2Si5N8:Eu2 +, (Sr,Ba)Al2O4:Eu2 +, (Mg,Sr)Al2O4:Eu2+ 및 BaMg2Al16O27:Eu2 + 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 감광성 수지 조성물.
In paragraph 9:
The inorganic phosphor is Y 3 Al 5 O 12 :Ce 3 + (YAG:Ce), Tb 3 Al 5 O 12 :Ce 3 + (TAG:Ce), (Sr,Ba,Ca) 2 SiO 4 :Eu 2+ , (Sr,Ba,Ca,Mg,Zn) 2 Si(OD) 4 :Eu 2 + D=F,Cl,S,N,Br, Ba 2 MgSi 2 O 7 :Eu 2+ , Ba 2 SiO 4 : Eu 2 + , Ca 3 (Sc,Mg) 2 Si3O 12 :Ce 3 + , (Ca,Sr)S:Eu 2 + , (Sr,Ca)Ga 2 S 4 :Eu 2+ , SrSi 2 O 2 N 2 :Eu 2+ , SiAlON:Ce 3+ , β-SiAlON:Eu 2+ , Ca- α -SiAlON:Eu 2+ , Ba 3 Si 6 O 12 N 2 :Eu 2+ , CaAlSiN 3 :Eu 2+ , ( Sr,Ca)AlSiN 3 :Eu 2+ , Sr 2 Si 5 N 8 :Eu 2+ , (Sr,Ba)Al 2 O 4 : Eu 2+ , ( Mg,Sr)Al 2 O 4 :Eu 2+ and A photosensitive resin composition comprising at least one selected from BaMg 2 Al 16 O 27 :Eu 2+ .
제1항에서,
상기 감광성 수지 조성물은 분산제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
In paragraph 1:
The photosensitive resin composition further includes a dispersant.
제11항에서,
상기 감광성 수지 조성물은 광 산란체를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
In paragraph 11:
The photosensitive resin composition further includes a light scattering body.
제12항에서,
상기 광 산란체는 TiO2, Al2O3 및 SiO2 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 감광성 수지 조성물.
In paragraph 12:
The light scattering body is a photosensitive resin composition comprising at least one selected from TiO 2 , Al 2 O 3 and SiO 2 .
하부 기판,
상기 하부 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터,
상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극,
상기 하부 기판과 대향하는 상부 기판,
상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 위치하는 색필터를 포함하며,
상기 색필터는 나노 형광체(nanophosphors) 및 항산화제를 포함하며,
상기 항산화제는 황(sulfur)계 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물을 포함하는 표시 장치.
lower substrate,
A thin film transistor located on the lower substrate,
A pixel electrode connected to the thin film transistor,
an upper substrate facing the lower substrate,
It includes a color filter located between the lower substrate and the upper substrate,
The color filter contains nanophosphors and antioxidants,
The antioxidant is a display device comprising a photosensitive resin composition containing a sulfur-based compound.
제14항에서,
상기 나노 형광체는 양자점(quantum dot) 및 무기 형광체(inorganic phosphors) 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
In paragraph 14:
A display device wherein the nano phosphor includes at least one of quantum dots and inorganic phosphors.
제15항에서,
상기 항산화제는 상기 감광성 수지 조성물의 고형분 총 중량 대비 1 내지 5중량%의 함량을 갖는 표시 장치.
In paragraph 15:
The display device wherein the antioxidant has a content of 1 to 5% by weight based on the total solid weight of the photosensitive resin composition.
제15항에서,
상기 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, III-VI족 화합물, IV-VI족 화합물, II-III-V족 화합물, II-III-VI족 화합물, IV족 원소 및 IV족 화합물 중 선택된 1종 이상을 포함하며,
상기 양자점은 코어 및 상기 코어를 덮는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조인 표시 장치.
In paragraph 15:
The quantum dots include group II-VI compounds, group III-V compounds, group III-VI compounds, group IV-VI compounds, group II-III-V compounds, group II-III-VI compounds, group IV elements, and group IV compounds. Contains one or more types selected from
The quantum dot is a display device having a core-shell structure including a core and a shell covering the core.
제15항에서,
상기 무기 형광체는 가넷(garnet)계, 실리케이트(silicate)계, 황화물(sulfide)계, 산질화물(oxynitrides), 질화물(nitride)계 및 알루미네이트(aluminate)계 중 선택된 1종 이상을 포함하는 표시 장치.
In paragraph 15:
The inorganic phosphor is a display device containing at least one selected from garnet-based, silicate-based, sulfide-based, oxynitrides, nitride-based, and aluminate-based .
제15항에서,
상기 감광성 수지 조성물은 분산제를 더 포함하는 표시 장치.
In paragraph 15:
A display device wherein the photosensitive resin composition further includes a dispersant.
제19항에서,
상기 감광성 수지 조성물은 광 산란체를 더 포함하는 표시 장치.
In paragraph 19:
The display device wherein the photosensitive resin composition further includes a light scattering body.
제1 기판,
상기 제1 기판 상에 위치하는 복수의 색변환층 및 투과층,
상기 복수의 색변환층 중 서로 이웃하는 색변환층 사이 및 상기 복수의 색변환층 중 하나와 상기 투과층 사이에 위치하는 차광 부재를 포함하며,
상기 색변환층은 나노 형광체(nanophosphors) 및 항산화제를 포함하며,
상기 항산화제는 황(sulfur)계 화합물을 포함하는 색변환 패널.
first substrate,
A plurality of color conversion layers and a transmission layer located on the first substrate,
It includes a light blocking member positioned between adjacent color conversion layers among the plurality of color conversion layers and between one of the plurality of color conversion layers and the transmission layer,
The color conversion layer contains nanophosphors and antioxidants,
The antioxidant is a color conversion panel containing a sulfur-based compound.
제21항에서,
상기 나노 형광체는 양자점(quantum dot) 및 무기 형광체(inorganic phosphors) 중 적어도 하나를 포함하는 색변환 패널.
In paragraph 21:
The nano phosphor is a color conversion panel comprising at least one of quantum dots and inorganic phosphors.
제22항에서,
상기 항산화제는 상기 감광성 수지 조성물의 고형분 총 중량 대비 1 내지 5중량%의 함량을 갖는 색변환 패널.
In paragraph 22:
The antioxidant is a color conversion panel having a content of 1 to 5% by weight based on the total weight of solids of the photosensitive resin composition.
제22항에서,
상기 감광성 수지 조성물은 분산제 및 광 산란체 중 적어도 하나를 더 포함하는 색변환 패널.
In paragraph 22:
The photosensitive resin composition is a color conversion panel further comprising at least one of a dispersant and a light scattering agent.
표시 패널, 및
상기 표시 패널 위에 위치하는 색변환 패널을 포함하고,
상기 색변환 패널은,
제1 기판,
상기 표시 패널을 향하는 상기 제1 기판의 일면에 위치하는 복수의 색변환층 및 투과층,
상기 복수의 색변환층 중 서로 이웃하는 색변환층 사이 및 상기 복수의 색변환층 중 하나와 상기 투과층 사이에 위치하는 차광 부재를 포함하며,
상기 색변환층은 나노 형광체(nanophosphors) 및 항산화제를 포함하며,
상기 항산화제는 황(sulfur)계 화합물을 포함하는 표시 장치.
a display panel, and
It includes a color conversion panel located above the display panel,
The color conversion panel is,
first substrate,
A plurality of color conversion layers and a transmission layer located on one side of the first substrate facing the display panel,
It includes a light blocking member positioned between adjacent color conversion layers among the plurality of color conversion layers and between one of the plurality of color conversion layers and the transmission layer,
The color conversion layer contains nanophosphors and antioxidants,
A display device wherein the antioxidant includes a sulfur-based compound.
제25항에서,
상기 표시 패널은,
하부 기판;
상기 하부 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터,
상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하는 표시 장치.
In paragraph 25:
The display panel is,
lower substrate;
A thin film transistor located on the lower substrate,
A display device including a pixel electrode connected to the thin film transistor.
제26항에서,
상기 하부 기판과 이격되어 마주하는 상부 기판, 및
상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 위치하는 액정층을 더 포함하는 표시 장치.
In paragraph 26:
an upper substrate facing away from the lower substrate, and
A display device further comprising a liquid crystal layer positioned between the lower substrate and the upper substrate.
제26항에서,
상기 화소 전극과 마주하는 루프층,
상기 화소 전극과 상기 루프층 사이의 복수의 미세 공간에 위치하는 액정층을 더 포함하는 표시 장치.
In paragraph 26:
A roof layer facing the pixel electrode,
A display device further comprising a liquid crystal layer located in a plurality of micro spaces between the pixel electrode and the roof layer.
제26항에서,
상기 화소 전극 위에 위치하는 유기 발광 부재, 및
상기 유기 발광 부재 위에 위치하는 공통 전극을 더 포함하는 표시 장치.
In paragraph 26:
An organic light emitting member located on the pixel electrode, and
A display device further comprising a common electrode positioned on the organic light emitting member.
제1항에서,
상기 항산화제는 페놀(phenol)계 및 인(phosphorus)계 화합물 중 하나 이상을 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
In paragraph 1:
A photosensitive resin composition wherein the antioxidant further includes one or more of phenol-based and phosphorus-based compounds.
제14항에서,
상기 항산화제는 페놀(phenol)계 및 인(phosphorus)계 화합물 중 하나 이상을 더 포함하는 표시 장치.
In paragraph 14:
A display device wherein the antioxidant further includes one or more of phenol-based and phosphorus-based compounds.
제21항에서,
상기 항산화제는 페놀(phenol)계 및 인(phosphorus)계 화합물 중 하나 이상을 더 포함하는 색변환 패널.
In paragraph 21:
The antioxidant is a color conversion panel further comprising one or more of phenol-based and phosphorus-based compounds.
제25항에서,
상기 항산화제는 페놀(phenol)계 및 인(phosphorus)계 화합물 중 하나 이상을 더 포함하는 표시 장치.
In paragraph 25:
A display device wherein the antioxidant further includes one or more of phenol-based and phosphorus-based compounds.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102556273B1 (en) * 2016-08-23 2023-07-17 삼성디스플레이 주식회사 Convexed type display device
KR102497282B1 (en) * 2016-09-13 2023-02-08 삼성디스플레이 주식회사 Photoresist composition and color filter using the same
KR102511820B1 (en) 2016-11-15 2023-03-17 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive Resin Composition and Color Filter Using the Same
KR20180064611A (en) 2016-12-05 2018-06-15 삼성디스플레이 주식회사 Display device and manufacturing method thereof
KR101976659B1 (en) 2016-12-12 2019-05-09 삼성에스디아이 주식회사 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using same and color filter
US20190334107A1 (en) * 2016-12-13 2019-10-31 Sabic Global Technologies B.V. Quantum dot film and applications thereof
KR20180087908A (en) 2017-01-25 2018-08-03 삼성디스플레이 주식회사 Display device
KR102589860B1 (en) * 2017-02-20 2023-10-16 삼성전자주식회사 Photosensitive compositions, quantum dot polymer composite pattern produced therefrom, and layered structures and electronic devies including the same
US10670962B2 (en) * 2017-02-20 2020-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive compositions, preparation methods thereof, and quantum dot polymer composite pattern produced therefrom
KR102282060B1 (en) * 2017-05-23 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 Display device and manufacturing method of the same
KR102507092B1 (en) 2017-07-18 2023-03-08 삼성디스플레이 주식회사 Polarizing plate and display device with the polarizing plate, and method for manufacturing the same
US10762806B2 (en) * 2018-04-24 2020-09-01 Innolux Corporation Display device
US11807764B2 (en) 2018-07-10 2023-11-07 Samsung Display Co., Ltd. Ink compositions, production method thereof, and method of forming quantum dot polymer composite pattern using the same
KR102285400B1 (en) * 2018-11-26 2021-08-03 삼성에스디아이 주식회사 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and color filter
KR20220022015A (en) 2020-08-14 2022-02-23 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000273316A (en) * 1999-03-26 2000-10-03 Idemitsu Kosan Co Ltd Fluorescent medium, preparation of fluorescent medium and organic electroluminescence display device using fluorescent medium
US20100117110A1 (en) * 2008-11-11 2010-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive Quantum Dot, Composition Comprising the Same and Method of Forming Quantum Dot-Containing Pattern Using the Composition

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3814926B2 (en) * 1997-03-21 2006-08-30 Jsr株式会社 Phosphor dispersion-sensitive radiation-sensitive composition
KR20100037283A (en) * 2008-10-01 2010-04-09 삼성전자주식회사 Liquid crystal display and manufacturing method of the same
US9279078B2 (en) * 2011-02-18 2016-03-08 Jnc Corporation Hardening resin composition and color conversion material using the same
KR101860935B1 (en) * 2012-03-15 2018-05-25 삼성디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR20140021258A (en) * 2012-08-09 2014-02-20 삼성디스플레이 주식회사 Display device
WO2014053953A1 (en) * 2012-10-04 2014-04-10 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device
WO2014197393A1 (en) * 2013-06-04 2014-12-11 Nitto Denko Corporation Photostable wavelength conversion composition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000273316A (en) * 1999-03-26 2000-10-03 Idemitsu Kosan Co Ltd Fluorescent medium, preparation of fluorescent medium and organic electroluminescence display device using fluorescent medium
US20100117110A1 (en) * 2008-11-11 2010-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive Quantum Dot, Composition Comprising the Same and Method of Forming Quantum Dot-Containing Pattern Using the Composition

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