KR102641206B1 - Waveguide resonator Dual-Band Filter With Wide Upper Stopband - Google Patents

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KR102641206B1
KR102641206B1 KR1020220107373A KR20220107373A KR102641206B1 KR 102641206 B1 KR102641206 B1 KR 102641206B1 KR 1020220107373 A KR1020220107373 A KR 1020220107373A KR 20220107373 A KR20220107373 A KR 20220107373A KR 102641206 B1 KR102641206 B1 KR 102641206B1
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이보영
이명신
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한국항공우주연구원
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Abstract

본 발명은 넓은 저지 대역 특성을 가지는 이중 대역통과 도파관 공진기 필터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 공진기 필터는 상부 도체층, 상부 도체층의 하부에 이격되게 배치되는 도체 패치, 상부 도체층과 도체 패치를 전기적으로 연결하는 도체 기둥부, 도체 패치의 하부에 이격되게 배치된 하부 도체층, 상부 도체층과 하부 도체층을 연결하면서 복수의 도체 기둥 및 도체 패치를 둘러싸게 배치된 외벽을 포함한다. 도체 패치는 도체 패치를 내부 도체 패치와 외부 도체 패치로 분리하는 슬롯이 형성된다. 도체 기둥부는 제1 도체 기둥 및 복수의 제2 도체 기둥을 포함하며, 제1 도체 기둥은 내부 도체 패치와 상부 도체층을 연결하고, 복수의 제2 도체 기둥은 외부 도체 패치와 상부 도체층을 연결하면서 제1 도체 기둥을 둘러싸게 배치된다.The present invention relates to a dual bandpass waveguide resonator filter with wide stop band characteristics. The resonator filter according to the present invention includes an upper conductor layer, a conductor patch disposed spaced apart below the upper conductor layer, and an upper conductor layer and a conductor patch. It includes a conductor pillar for electrical connection, a lower conductor layer spaced apart from the lower part of the conductor patch, and an outer wall arranged to surround the plurality of conductor pillars and the conductor patch while connecting the upper conductor layer and the lower conductor layer. The conductor patch is formed with a slot that separates the conductor patch into an inner conductor patch and an outer conductor patch. The conductor pillar portion includes a first conductor pillar and a plurality of second conductor pillars, where the first conductor pillar connects the inner conductor patch and the upper conductor layer, and the plurality of second conductor pillars connect the outer conductor patch and the upper conductor layer. It is arranged to surround the first conductor pillar.

Description

넓은 저지 대역 특성을 가지는 이중 대역통과 도파관 공진기 필터{Waveguide resonator Dual-Band Filter With Wide Upper Stopband}{Waveguide resonator Dual-Band Filter With Wide Upper Stopband}

본 발명은 도파관 공진기 필터에 관한 것으로, 보다 자세하게는 이중 대역 통과 도파관 공진기 필터에 관한 것이다.The present invention relates to a waveguide resonator filter, and more specifically to a dual band-pass waveguide resonator filter.

최근, 컴팩트(Compact)한 무선통신 시스템이 추구됨에 따라, 무선통신 시스템의 송수신단을 구성하는 개별 RF 소자에 할당되는 부피가 제한되고 있다. 일반적인 air-filled 도파관 공진기 필터의 경우, 부피가 굉장히 크다는 단점이 있어서, 기판 집적형 도파관 공진기 필터에 대한 선호도가 높아지고 있다.Recently, as compact wireless communication systems are pursued, the volume allocated to individual RF elements constituting the transmitting and receiving ends of the wireless communication system is being limited. In the case of general air-filled waveguide resonator filters, there is a disadvantage of being very bulky, so preference for substrate-integrated waveguide resonator filters is increasing.

기판 집적형 도파관 공진기 구조는 기판(유전체)에 공진기를 삽입한 구조를 뜻하며, 이때 공진기 내부로 들어온 입력신호의 field가 세어나가지 않도록 공진기의 외벽은 Via-holes들로 구성하는 것이 일반적이다. 이때, Via-holes들의 간격은 주파수에 따라 결정된다(주파수가 높을수록 Via-holes 간의 간격이 촘촘해진다).The substrate-integrated waveguide resonator structure refers to a structure in which a resonator is inserted into a substrate (dielectric). In this case, the outer wall of the resonator is generally composed of via-holes to prevent the field of the input signal entering the resonator from leaking out. At this time, the spacing between via-holes is determined according to the frequency (the higher the frequency, the closer the spacing between via-holes becomes).

도 1은 Post-loaded 기판집적형 도파관 공진기의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.Figure 1 is a diagram to explain the operating principle of a post-loaded board-integrated waveguide resonator.

도 1을 참고하면, 기판 집적형 도파관 공진기 내부에 기둥(Copper post)을 위치시킨 공진기를 Post-loaded 기판집적형 도파관 공진기라고 부르며, 동작 원리는 Post으로 형성된 Inductance와 Post와 Ground 사이에 형성된 Capacitance gap으로 공진하는 방식으로 동작한다.Referring to Figure 1, a resonator with a copper post located inside a substrate-integrated waveguide resonator is called a post-loaded substrate-integrated waveguide resonator, and its operating principle is the inductance formed by the post and the capacitance gap formed between the post and ground. It operates in a resonance manner.

도 1의 구리 패치(Copper patch)는 Post와 연결되어 Post와 Ground 사이의 강한 커패시턴스(Capacitance)를 형성하는 역할을 한다(Capacitor의 단면적을 증가시키는 효과를 제공한다). 공진기 가운데에 삽입된 구리 기둥(Copper post)이 제 1공진 모드와 제 2공진 모드와의 이격거리를 증가시키기 때문에 우수한 저지대역 특성을 얻을 수 있다.The copper patch in Figure 1 is connected to the post and serves to form a strong capacitance between the post and ground (provides the effect of increasing the cross-sectional area of the capacitor). Because the copper post inserted in the center of the resonator increases the separation distance between the first and second resonance modes, excellent stopband characteristics can be obtained.

도 2는 기판 집적형 도파관 공진기 필터의 저지대역 특성을 비교하여 설명하기 위해 제공되는 도면이다.FIG. 2 is a diagram provided to compare and explain the stopband characteristics of substrate-integrated waveguide resonator filters.

도 2(a)는 기판 집적형 도파관 공진기 내부에 Post를 삽입한 경우이고, 도 2(b)는 기판 집적형 도파관 공진기 내부에 Post를 삽입하지 않은 경우이다.Figure 2(a) shows a case where a post is inserted inside a substrate-integrated waveguide resonator, and Figure 2(b) shows a case where a post is not inserted inside a substrate-integrated waveguide resonator.

기판 집적형 도파관 공진기 내부에 Post를 삽입한 경우 그렇지 않은 경우(도 2(a))가 그렇지 않은 경우(도 2(b))보다 목표 통과대역과 다음 고차모드로 인해 형성된 Peak(고차모드의 공진)와의 이격 거리가 더 넓게 형성된다. 목표 통과대역과 다음 고차모드로 인해 형성된 Peak의 이격 거리가 더 넓게 형성될수록 상대적으로 우수한 저지대역 특성을 가진다고 표현하며, 목표 통과대역 인접 주파수에서 원하지 않는 신호들을 잘 억제한다는 것을 의미한다. 고차모드로 인해 형성된 Peak가 통과대역 근처에 형성된 경우, 통과대역 인접 주파수에서 신호가 들어오는 경우 억제가 불가능하기 때문이다. 이때, 두 번째 통과대역이 생기는 이유는 공진기 내부에서 발생하는 고차 공진모드 때문이다.When a post is inserted inside a substrate-integrated waveguide resonator, the peak (resonance of the high-order mode) formed due to the target passband and the next higher-order mode is higher in the case (Figure 2(a)) than in the case not (Figure 2(b)). ) is formed wider. The wider the separation distance between the target passband and the peak formed by the next higher order mode, the more excellent stopband characteristics it has, which means that it suppresses unwanted signals well at frequencies adjacent to the target passband. This is because if a peak formed due to a higher order mode is formed near the passband, suppression is impossible if a signal comes in at a frequency adjacent to the passband. At this time, the reason why the second passband occurs is because of the high-order resonance mode occurring inside the resonator.

최근 무선통신 시스템의 경우, 하나의 기능만을 수행하던 이전과 달리, 다수의 기능을 수행하도록 개발된다. 다수의 기능을 수행하기 위해서, 무선통신 시스템은 하나 이상의 주파수 대역을 동시에 활용하는 경우가 많고, 이러한 무선통신 시스템 설계를 위해서는 두 개의 통과대역을 가지는 이중 대역통과 필터가 필요하다.Recently, wireless communication systems have been developed to perform multiple functions, unlike before, which only performed one function. In order to perform multiple functions, wireless communication systems often utilize more than one frequency band simultaneously, and to design such a wireless communication system, a dual band-pass filter with two pass bands is required.

도 3은 하나의 통과대역을 가지는 필터와 이중 통과대역을 가지는 필터 사이의 주파수 응답 특성을 비교하여 나타낸 것이다.Figure 3 shows a comparison of frequency response characteristics between a filter with a single passband and a filter with a dual passband.

도 3(a)는 일반적인 하나의 통과대역을 가지는 필터의 주파수 응답 특성을 나타낸 것이고, 도 3(b)는 두 개의 통과대역(제1 통과대역과 제2 통과대역)을 가지는 필터의 주파수 응답 특성을 나타낸 것이다.Figure 3(a) shows the frequency response characteristics of a filter with a general single passband, and Figure 3(b) shows the frequency response characteristics of a filter with two passbands (first passband and second passband). It represents.

도 2(a) 및 도 2(b)에서 설명한 고차모드로 인해 발생한 공진 Peak가 제2 통과대역을 형성하도록 필터의 결합구조를 설계함으로써, 이중 통과대역을 가지는 필터를 구현할 수 있다.By designing the coupling structure of the filter so that the resonance peak generated by the high-order mode described in FIGS. 2(a) and 2(b) forms a second passband, a filter with a double passband can be implemented.

그런데 종래 Post-loaded 기판집적형 도파관 공진기 구조는 우수한 저지대역을 가지는 것이 특징인 공진기로서 이중 대역통과 필터 설계에 적합하지 않은 문제점이 있었다. 그 이유는 제 1공진 모드와 제 2공진 모드간의 이격거리가 넓기 때문에, 인접한 대역에서 동작하는 이중 대역통과 필터 설계에 부적합하다.However, the conventional post-loaded board-integrated waveguide resonator structure is a resonator characterized by an excellent stop band, and has the problem of being unsuitable for dual band-pass filter design. This is because the separation distance between the first resonance mode and the second resonance mode is wide, so it is not suitable for designing a dual band-pass filter operating in an adjacent band.

이러한 문제를 해결하기 위해 개량된 Post-loaded 기판집적형 도파관 공진기 구조들이 제안되었다.To solve this problem, improved post-loaded board-integrated waveguide resonator structures were proposed.

그 중 하나는 Post에 십자 모양의 슬롯을 형성하여 이중 대역통과 공진기 필터를 설계한 것이다. 그런데 이러한 도파관 공진기 필터 구조의 경우 2차 공진 모드뿐만 아니라 3차, 4차의 고차 공진 모드들의 주파수가 같이 낮아지기 때문에 우수한 저지대역 특성을 가질 수 없으며, 우수한 저지대역 특성을 가지기 위해서는 제3, 제4와 같은 고차 공진모드들을 억제하기 위한 추가적인 기술들이 필터 설계에 적용되어야 한다. 또한 Post에 십자 모양의 슬롯을 형성한 Post-loaded 기판집적형 도파관 공진기 구조로는 조절할 수 있는 두 개의 통과대역 간의 이격거리가 제한적이다. 공진기에서 순차적으로 공진하는 공진모드들의 경우 주로 공진기의 차원(Dimension)에 의해서 결정되기 때문에 하나의 통과대역만을 독립적으로 조정하기 어려운 문제가 있다.One of them is to design a double bandpass resonator filter by forming a cross-shaped slot in the post. However, in the case of this waveguide resonator filter structure, the frequencies of not only the second resonance mode but also the third and fourth order higher-order resonance modes are lowered, so it cannot have excellent stopband characteristics. In order to have excellent stopband characteristics, the third and fourth order resonance modes must be used. Additional techniques to suppress higher order resonance modes such as should be applied to filter design. In addition, with the post-loaded board-integrated waveguide resonator structure that forms a cross-shaped slot in the post, the separation distance between the two adjustable pass bands is limited. In the case of resonance modes that resonate sequentially in a resonator, it is difficult to independently adjust only one pass band because it is mainly determined by the dimension of the resonator.

다른 하나는 종래 공진기의 윗면과 아랫면에 2개의 커패시턴스 갭(Capacitance gap)을 형성하여 이중 대역통과 공진기 필터를 설계한 것이다. 그런데 이러한 공진기 구조의 경우 앞서 설명한 Post에 십자 모양의 슬롯을 형성한 공진기 구조와 달리 우수한 저지대역 특성을 가지면서 이중 대역통과 필터 설계가 가능하다는 장점이 있다. 하지만, 추가적인 커패시턴스 갭을 형성하기 위한 추가적인 기판이 필요하기 때문에, 비용이나 제조 공정 측면에서 불리한 점이 있다.The other is to design a double bandpass resonator filter by forming two capacitance gaps on the top and bottom of the conventional resonator. However, this resonator structure, unlike the previously described resonator structure with a cross-shaped slot in the post, has the advantage of having excellent stopband characteristics and enabling a double bandpass filter design. However, because an additional substrate is needed to form an additional capacitance gap, there are disadvantages in terms of cost and manufacturing process.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 넓은 저지대역 특성을 가지는 이중 대역통과 필터를 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a dual bandpass filter with wide stopband characteristics.

상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 공진기 필터는, 상부 도체층, 상기 상부 도체층의 하부에 이격되게 배치되는 도체 패치, 상기 상부 도체층과 상기 도체 패치를 전기적으로 연결하는 도체 기둥부, 상기 도체 패치의 하부에 이격되게 배치된 하부 도체층, 상기 상부 도체층과 상기 하부 도체층을 연결하면서 상기 복수의 도체 기둥 및 상기 도체 패치를 둘러싸게 배치된 외벽을 포함한다.The resonator filter according to the present invention for solving the above-described technical problem includes an upper conductor layer, a conductor patch disposed spaced apart below the upper conductor layer, and a conductor pillar portion electrically connecting the upper conductor layer and the conductor patch. , a lower conductor layer spaced apart from the lower portion of the conductor patch, an outer wall disposed to surround the plurality of conductor pillars and the conductor patch while connecting the upper conductor layer and the lower conductor layer.

상기 도체 패치는 상기 도체 패치를 내부 도체 패치와 외부 도체 패치로 분리하는 슬롯이 형성된다.The conductor patch is formed with a slot that separates the conductor patch into an inner conductor patch and an outer conductor patch.

상기 도체 기둥부는 제1 도체 기둥 및 복수의 제2 도체 기둥을 포함한다.The conductor pillar portion includes a first conductor pillar and a plurality of second conductor pillars.

상기 제1 도체 기둥은 상기 내부 도체 패치와 상기 상부 도체층을 연결한다.The first conductor pillar connects the inner conductor patch and the upper conductor layer.

상기 복수의 제2 도체 기둥은 상기 외부 도체 패치와 상기 상부 도체층을 연결하면서 상기 제1 도체 기둥을 둘러싸게 배치된다.The plurality of second conductor pillars connect the external conductor patch and the upper conductor layer and are arranged to surround the first conductor pillar.

상기 도체 패치는 중앙부에 상기 슬롯이 링 모양으로 형성되어 있는 원형 도체판일 수 있다.The conductor patch may be a circular conductor plate in which the slot is formed in a ring shape at the center.

상기 공진기 필터의 제1 통과 대역의 공진 주파수와 제2 통과 대역의 공진 주파수 사이의 이격 거리는 상기 내부 도체 패치의 직경이 증가할수록 감소될 수 있다.The separation distance between the resonant frequency of the first pass band and the resonant frequency of the second pass band of the resonator filter may decrease as the diameter of the internal conductor patch increases.

상기 제1 통과 대역은 공진 주파수가 가장 낮은 제1 공진 모드에 의한 것이고, 상기 제2 통과 대역은 공진 주파수가 두 번째로 낮은 제1' 공진 모드에 의한 것일 수 있다.The first pass band may be due to the first resonance mode having the lowest resonance frequency, and the second pass band may be due to the first' resonance mode having the second lowest resonance frequency.

상기 제1 공진 모드는 상기 복수의 제2 도체 기둥으로 구분되는 내부 공간과 외부 공간에 동일한 방향으로 회전하는 자기 필드(magnetic field)를 발생시킬 수 있다.The first resonance mode may generate a magnetic field rotating in the same direction in the internal space and external space divided by the plurality of second conductor pillars.

상기 제1' 공진 모드는 상기 복수의 제2 도체 기둥으로 구분되는 내부 공간과 외부 공간에 서로 다른 방향으로 회전하는 자기 필드를 발생시킬 수 있다.The first' resonance mode may generate magnetic fields rotating in different directions in the internal space and external space divided by the plurality of second conductor pillars.

상기 공진기 필터는, 상기 상부 도체층의 하부에 배치된 제1 기판, 및 상기 제1 기판의 하부 및 상기 하부 도체층의 상부에 배치된 제2 기판을 더 포함할 수 있다.The resonator filter may further include a first substrate disposed below the upper conductor layer, and a second substrate disposed below the first substrate and above the lower conductor layer.

상기 제1 도체 기둥 및 상기 복수의 제2 도체 기둥은 상기 제1 기판을 관통하게 형성될 수 있다.The first conductor pillar and the plurality of second conductor pillars may be formed to penetrate the first substrate.

상기 도체 패치는 상기 제1 기판의 하면 또는 상기 제2 기판의 상면에 배치될 수 있다.The conductor patch may be disposed on the lower surface of the first substrate or the upper surface of the second substrate.

상기 외벽은 상기 제1 기판을 관통하면서 상기 도체 기둥부를 둘러싸도록 배치된 복수의 제1 관통 비아, 및 상기 제2 기판을 관통하면서 상기 복수의 제1 관통 비아에 대응하게 배치된 복수의 제2 관통 비아를 포함할 수 있다.The outer wall includes a plurality of first through vias arranged to penetrate the first substrate and surround the conductor pillar portion, and a plurality of second through vias arranged to correspond to the plurality of first through vias while penetrating the second substrate. Can contain vias.

상기 제1 관통 비아 및 상기 제2 관통 비아는, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 관통하는 홀의 내벽을 도전성 물질로 도금하여 형성되거나, 또는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 관통하는 도전성 물질로 형성될 수 있다.The first through via and the second through via are formed by plating the inner wall of a hole penetrating the first substrate and the second substrate with a conductive material, or a conductive material penetrating the first substrate and the second substrate. It can be formed from materials.

본 발명에 의하면 컴팩트(compact)하면서 넓은 저지대역 특성을 가지는 이중 대역통과 필터를 제공할 수 있다. 또한 종래 Post-loaded 기판집적형 도파관 공진기 필터에 비하여 제조 원가 및 제조 편의성 면에서 유리하다. 또한 두 개의 통과대역 간의 이격 거리를 자유롭게 조정 가능하다.According to the present invention, it is possible to provide a dual bandpass filter that is compact and has wide stopband characteristics. In addition, it is advantageous in terms of manufacturing cost and manufacturing convenience compared to the conventional post-loaded board-integrated waveguide resonator filter. Additionally, the separation distance between the two pass bands can be freely adjusted.

도 1은 Post-loaded 기판집적형 도파관 공진기의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 기판 집적형 도파관 공진기 필터의 저지대역 특성을 비교하여 설명하기 위해 제공되는 도면이다.
도 3은 하나의 통과대역을 가지는 필터와 이중 통과대역을 가지는 필터 사이의 주파수 응답 특성을 비교하여 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이중 대역통과 도파관 공진기 필터를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 도파관 공진기 필터를 A-A' 방향에서 바라본 측단면도이다.
도 6은 도 4에 도시된 도파관 공진기 필터에서 발생하는 제1 공진 모드의 자기 필드 분포를 나타낸 것이다.
도 7은 도 4에 도시된 도파관 공진기 필터에서 발생하는 제1' 공진 모드의 자기 필드 분포를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 공진기 필터의 내부 도체 패치의 직경에 따른 제1 공진 주파수와 제2 공진 주파수의 이격 거리를 나타낸 그래프이다.
Figure 1 is a diagram to explain the operating principle of a post-loaded board-integrated waveguide resonator.
FIG. 2 is a diagram provided to compare and explain the stopband characteristics of substrate-integrated waveguide resonator filters.
Figure 3 shows a comparison of frequency response characteristics between a filter with a single passband and a filter with a dual passband.
Figure 4 is an exploded perspective view to explain a dual bandpass waveguide resonator filter according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a side cross-sectional view of the waveguide resonator filter shown in FIG. 4 viewed from the AA' direction.
FIG. 6 shows the magnetic field distribution of the first resonance mode generated in the waveguide resonator filter shown in FIG. 4.
FIG. 7 is a diagram showing the magnetic field distribution of the first' resonance mode generated in the waveguide resonator filter shown in FIG. 4.
Figure 8 is a graph showing the separation distance between the first resonant frequency and the second resonant frequency according to the diameter of the internal conductor patch of the resonator filter according to the present invention.

본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.Specific structural or functional descriptions of the embodiments according to the concept of the present invention disclosed in this specification are merely illustrative for the purpose of explaining the embodiments according to the concept of the present invention, and the embodiments according to the concept of the present invention are It may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Since the embodiments according to the concept of the present invention can make various changes and have various forms, the embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in this specification. However, this is not intended to limit the embodiments according to the concept of the present invention to specific disclosed forms, and includes all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention.

제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않은 채, 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고 유사하게 제2 구성 요소는 제1 구성 요소로도 명명될 수 있다.Terms such as first or second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component, for example, without departing from the scope of rights according to the concept of the present invention, a first component may be named a second component and similarly a second component The component may also be named a first component.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등 도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is said to be “connected” or “connected” to another component, it is understood that it may be directly connected to or connected to that other component, but that other components may also exist in between. It should be. On the other hand, when it is mentioned that a component is “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that there are no other components in between. Other expressions that describe the relationship between components, such as “between” and “immediately between” or “neighboring” and “directly adjacent to”, should be interpreted similarly.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in this specification are merely used to describe specific embodiments and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in this specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms as defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having meanings consistent with the meanings they have in the context of the related technology, and unless clearly defined in this specification, should not be interpreted in an idealized or overly formal sense. No.

이하, 본 명세서에 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다. 그러나, 특허출원의 범위가 이러한 실시 예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings attached to this specification. However, the scope of the patent application is not limited or limited by these examples. The same reference numerals in each drawing indicate the same members.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 필터를 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 5는 도 4에 도시된 공진기 필터를 A-A' 방향에서 바라본 측단면도이다.FIG. 4 is an exploded perspective view for explaining a resonator filter according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a side cross-sectional view of the resonator filter shown in FIG. 4 viewed from the direction A-A'.

도 4 및 도 5를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 필터(100)는 수직 적층된 상부 도체층(110), 제1 기판(120), 제2 기판(130) 및 하부 도체층(140)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 4 and 5, the resonator filter 100 according to an embodiment of the present invention includes a vertically stacked upper conductor layer 110, a first substrate 120, a second substrate 130, and a lower conductor layer. It may include (140).

상부 도체층(110)은 공진기 필터(100)의 최상부에 배치되는 도체판으로 구현될 수 있다. 상부 도체층(110)은 공진기 필터(100)에서 상부 그라운드 레이어(top ground layer)로서 역할을 할 수 있다. 실시예에 따라 상부 도체층(110)을 이루는 도체판 일부에 커플링 슬롯 등이 형성될 수 있다.The upper conductor layer 110 may be implemented as a conductor plate disposed on the top of the resonator filter 100. The top conductor layer 110 may serve as a top ground layer in the resonator filter 100. Depending on the embodiment, a coupling slot, etc. may be formed in a portion of the conductor plate forming the upper conductor layer 110.

제1 기판(120)은 상부 도체층(110)의 하부에 배치된다. 제1 기판(120)은 도체 기둥부(122) 및 외벽(121)이 형성될 수 있다.The first substrate 120 is disposed below the upper conductor layer 110. The first substrate 120 may be formed with a conductor pillar 122 and an outer wall 121.

도체 기둥부(122)는 상부 도체층(110)과 제1 기판(120)의 하부에 배치된 도체 패치(132)를 전기적으로 연결하는 복수의 도체 기둥(122a, 122b)으로 구성될 수 있다. 도체 기둥(122a, 122b)은 기둥 모양을 가지고 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어 도체 기둥(122a, 122b)은 원기둥 형상으로 구현될 수 있다. 도전성 물질은 구리, 황동, 은, 금 등을 포함할 수 있다.The conductor pillar portion 122 may be composed of a plurality of conductor pillars 122a and 122b that electrically connect the upper conductor layer 110 and the conductor patch 132 disposed on the lower part of the first substrate 120. The conductor pillars 122a and 122b may have a pillar shape and be made of a conductive material. For example, the conductor pillars 122a and 122b may be implemented in a cylindrical shape. Conductive materials may include copper, brass, silver, gold, etc.

도체 기둥부(122)는 외벽(121)의 중앙부에 배치되어, 외벽(121)에 의해 둘러싸일 수 있다.The conductor pillar portion 122 may be disposed in the center of the outer wall 121 and surrounded by the outer wall 121.

복수의 도체 기둥(122b)은 원 또는 원에 가까운 형태로 서로 일정 간격으로 배치되어 도체 기둥(122a)을 둘러쌀 수 있다.The plurality of conductor pillars 122b may be arranged at regular intervals from each other in a circle or near-circle shape and may surround the conductor pillar 122a.

외벽(121)은 도체 기둥부(122) 및 도체 패치(132)를 둘러싸도록 미리 정해진 간격으로 배치된 복수의 관통 비아(121a)로 이루어질 수 있다.The outer wall 121 may be composed of a plurality of through vias 121a arranged at predetermined intervals to surround the conductor pillar portion 122 and the conductor patch 132.

관통 비아(121a)는 제1 기판(120)을 상하 방향으로 관통하는 비아홀(via-hole)의 내벽을 도전성 물질로 도금하여 형성되거나, 또는 제1 기판(120)을 상하 방향으로 관통하는 도전성 핀(pin)과 같은 물질로 제1 기판(120)에 삽입되어 외벽(121)을 형성할 수도 있다.The through via 121a is formed by plating the inner wall of a via-hole that penetrates the first substrate 120 in the vertical direction with a conductive material, or is formed by a conductive pin that penetrates the first substrate 120 in the vertical direction. A material such as a (pin) may be inserted into the first substrate 120 to form the outer wall 121.

관통 비아(121a) 간의 거리는 실시예에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어 관통 비아(121a) 간의 간격이 없게 하나로 연결되게 외벽(121)을 형성할 수도 있다.The distance between the through vias 121a may vary depending on the embodiment. For example, the outer wall 121 may be formed to connect the through vias 121a as one with no gaps between them.

제2 기판(130)은 제1 기판(120)의 하부에 배치된다. 제2 기판(120)은 내부에 외벽(131)이 형성된다. 외벽(131)은 제1 기판(120)에 형성된 외벽(121)에 대응되게 형성될 수 있다.The second substrate 130 is disposed below the first substrate 120. An outer wall 131 is formed inside the second substrate 120. The outer wall 131 may be formed to correspond to the outer wall 121 formed on the first substrate 120.

외벽(131)은 외벽(121)과 함께 도체 기둥부(122) 및 도체 패치(132)를 둘러싸도록 미리 정해진 간격으로 배치된 복수의 관통 비아(131a)로 이루어질 수 있다.The outer wall 131 may be composed of a plurality of through vias 131a arranged at predetermined intervals to surround the conductor pillar portion 122 and the conductor patch 132 along with the outer wall 121.

관통 비아(131a)는 관통 비아(121a)와 마찬가지로 제2 기판(130)을 상하 방향으로 관통하는 비아홀의 내벽을 도전성 물질로 도금하여 형성되거나, 또는 제2 기판(130)을 상하 방향으로 관통하는 도전성 핀과 같은 물질로 제2 기판(130)에 삽입되어 외벽(131)을 형성할 수도 있다.Like the through via 121a, the through via 131a is formed by plating the inner wall of a via hole penetrating the second substrate 130 in the vertical direction with a conductive material, or is formed by plating the inner wall of the via hole penetrating the second substrate 130 in the vertical direction. A material such as a conductive pin may be inserted into the second substrate 130 to form the outer wall 131.

관통 비아(131a) 간의 거리는 실시예에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어 관통 비아(131a) 간의 간격이 없게 하나로 연결되게 외벽(131)을 형성할 수도 있다.The distance between the through vias 131a may vary depending on the embodiment. For example, the outer wall 131 may be formed to connect the through vias 131a as one with no gaps between them.

외벽(121, 131)은 상부 도체층(110)과 하부 도체층(140)을 전기적으로 연결하고, 외벽(121, 131)에 의해 둘러싸이는 내부 공간을 외부 공간과 차폐한다.The outer walls 121 and 131 electrically connect the upper conductor layer 110 and the lower conductor layer 140, and shield the internal space surrounded by the outer walls 121 and 131 from the external space.

제1 기판(120)과 제2 기판(130)의 경계면, 즉 제1 기판(120)의 하면 또는 제2 기판(130)의 상면에 도체 패치(132)가 배치될 수 있다.The conductor patch 132 may be disposed on the interface between the first substrate 120 and the second substrate 130, that is, on the lower surface of the first substrate 120 or the upper surface of the second substrate 130.

도체 패치(132)는 상부 도체층(110)과 하부 도체층(140)에 제1 기판(120) 및 제2 기판(130)에 의해 이격되게 배치될 수 있다.The conductor patch 132 may be arranged to be spaced apart from the first substrate 120 and the second substrate 130 on the upper conductor layer 110 and the lower conductor layer 140.

도 4에서는 제2 기판(130)의 상면에 도체 패치(132)가 배치된 예를 나타낸 것이다.FIG. 4 shows an example in which the conductor patch 132 is disposed on the upper surface of the second substrate 130.

도체 패치(132)는 내부 도체 패치(132a), 슬롯(132b) 및 외부 도체 패치(132c)로 이루어질 수 있다. 예를 들어 제2 기판(130)의 상면에 배치된 도체판에서 부분(133)과 슬롯 부분(132b)을 잘라내서, 내부 도체 패치(132a)와 외부 도체 패치(132c)를 형성할 수 있다. 물론 여기서 설명한 것 외에 다른 방법으로 내부 도체 패치(132a) 및 외부 도체 패치(132c)를 포함하는 도체 패치(132)를 제1 기판(120)과 제2 기판(130) 사이에 배치할 수도 있다.The conductor patch 132 may include an inner conductor patch 132a, a slot 132b, and an outer conductor patch 132c. For example, the inner conductor patch 132a and the outer conductor patch 132c can be formed by cutting the portion 133 and the slot portion 132b from the conductor plate disposed on the upper surface of the second substrate 130. Of course, the conductor patch 132 including the inner conductor patch 132a and the outer conductor patch 132c may be disposed between the first substrate 120 and the second substrate 130 by other methods than those described here.

도체 패치(132)는 중앙부에 슬롯(132b)이 링 모양으로 형성되어 있는 원형 도체판일 수 있다. 링 모양 슬롯(132b)에 의해 내부 도체 패치(132a)는 원형 판 형태를 가지고, 외부 도체 패치(132c)는 도넛 모양 판 형태로 구현될 수 있다.The conductor patch 132 may be a circular conductor plate in which a slot 132b is formed in a ring shape at the center. The ring-shaped slot 132b allows the inner conductor patch 132a to have a circular plate shape, and the outer conductor patch 132c to have a donut-shaped plate shape.

내부 도체 패치(132a)는 도체 기둥(122a)을 통해 상부 도체층(110)과 연결된다.The inner conductor patch 132a is connected to the upper conductor layer 110 through the conductor pillar 122a.

외부 도체 패치(132c)는 복수의 도체 기둥(122b)을 통해 상부 도체층(110)과 연결된다.The external conductor patch 132c is connected to the upper conductor layer 110 through a plurality of conductor pillars 122b.

제2 기판(130)의 하부에 하부 도체층(140)이 배치될 수 있다.A lower conductor layer 140 may be disposed below the second substrate 130 .

하부 도체층(140)은 공진기 필터(100)의 최하부에 배치되는 도체판으로 구현될 수 있다. 하부 도체층(140)은 공진기 필터(100)에서 하부 그라운드 레이어(top ground layer)로서 역할을 할 수 있다. 실시예에 따라 하부 도체층(140)의 일부에 슬롯이 형성될 수 있다.The lower conductor layer 140 may be implemented as a conductor plate disposed at the bottom of the resonator filter 100. The lower conductor layer 140 may serve as a top ground layer in the resonator filter 100. Depending on the embodiment, a slot may be formed in a portion of the lower conductor layer 140.

도 6은 도 4에 도시된 도파관 공진기 필터에서 발생하는 제1 공진 모드의 자기 필드 분포를 나타낸 것이고, 도 7은 도 4에 도시된 도파관 공진기 필터에서 발생하는 제1' 공진 모드의 자기 필드 분포를 나타낸 도면이다.FIG. 6 shows the magnetic field distribution of the first resonance mode generated in the waveguide resonator filter shown in FIG. 4, and FIG. 7 shows the magnetic field distribution of the 1st 'resonant mode generated in the waveguide resonator filter shown in FIG. 4. This is the drawing shown.

도 6에 나타낸 제1 공진 모드는 공진기 필터(100)에서 발생시키는 가장 기본적인 1차 공진 모드를 나타낸 것이다. 제1 공진 모드에 의한 통과 대역은 공진 주파수가 가장 낮다. 제1 공진 모드는 복수의 도체 기둥(122b)으로 구분되는 내부 공간과 외부 공간에 동일한 방향으로 회전하는 자기 필드(magnetic field)를 발생시킨다.The first resonance mode shown in FIG. 6 represents the most basic primary resonance mode generated by the resonator filter 100. The pass band by the first resonance mode has the lowest resonance frequency. The first resonance mode generates a magnetic field rotating in the same direction in the internal space and external space divided by the plurality of conductor pillars 122b.

도 7에 나타낸 제1' 공진 모드는 도체 패치(132)에 링 모양 슬롯(132b)을 형성함으로써, 공진기 필터(100)에서 추가적으로 새롭게 발생하는 제1' 공진모드를 나타낸 것이다. 제1' 공진 모드에 의한 통과 대역은 공진기 필터(100)에서 발생하는 다른 공진 모드보다 공진 주파수가 두 번째로 낮다. 제1' 공진 모드는 복수의 도체 기둥(122b)의 내부와 외부에 서로 다른 방향으로 회전하는 자기 필드를 발생시킨다.The first 'resonance mode shown in FIG. 7 represents a new first 'resonance mode that is additionally generated in the resonator filter 100 by forming a ring-shaped slot 132b in the conductor patch 132. The pass band of the 'first' resonance mode has the second lowest resonance frequency compared to other resonance modes occurring in the resonator filter 100. The 'first' resonance mode generates magnetic fields rotating in different directions inside and outside the plurality of conductor pillars 122b.

제1' 공진 모드는 공진기 필터(100)에서 발생하는 2차 공진 모드보다 제1 공진 모드에 공진 주파수가 더 가깝다. 따라서 도체 패치부(130)에서 발생하는 제1 공진 모드와 제1' 공진모드를 이용하여 이중 대역통과 필터를 설계하면, 2차 공진모드와의 넓은 이격 거리를 유지하면서 이중 대역통과 필터 설계가 가능하다.The 'first' resonance mode has a resonance frequency closer to the first resonance mode than the second resonance mode generated in the resonator filter 100. Therefore, if a double band-pass filter is designed using the first resonance mode and the 'first' resonance mode occurring in the conductor patch unit 130, a double band-pass filter can be designed while maintaining a wide separation distance from the secondary resonance mode. do.

도 8은 본 발명에 따른 공진기 필터의 내부 도체 패치의 직경에 따른 제1 공진 주파수와 제2 공진 주파수의 이격 거리를 나타낸 그래프이다.Figure 8 is a graph showing the separation distance between the first resonant frequency and the second resonant frequency according to the diameter of the internal conductor patch of the resonator filter according to the present invention.

도 5 및 도 8을 참고하면, 내부 도체 패치(132a)의 직경(d)에 따른 제1 공진 모드와 제1' 공진 모드의 이격거리를 보여준다. 즉 제1 공진 모드에 의한 제1 통과 대역의 공진 주파수와 제1' 공진 모드에 의한 제2 통과 대역의 공진 주파수 사이의 이격 거리가 내부 도체 패치(132a)의 직경(d)이 증가할수록 감소하는 것을 확인할 수 있다. 따라서 제1 공진 모드와 제1' 공진 모드로 형성되는 2개의 통과 대역 간의 이격 거리를 내부 도체 패치(132a)의 직경(d)을 조정하여 자유롭게 설계할 수 있다.Referring to Figures 5 and 8, they show the separation distance between the first resonance mode and the first' resonance mode according to the diameter (d) of the internal conductor patch 132a. That is, the separation distance between the resonance frequency of the first pass band by the first resonance mode and the resonance frequency of the second pass band by the first 'resonance mode decreases as the diameter d of the internal conductor patch 132a increases. You can check that. Therefore, the separation distance between the two pass bands formed by the first resonance mode and the 'first' resonance mode can be freely designed by adjusting the diameter d of the internal conductor patch 132a.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Above, embodiments of the present invention have been described with reference to the attached drawings, but those skilled in the art will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing its technical idea or essential features. You will understand that it exists. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성 요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely illustrative, and those skilled in the art will understand that various modifications and other equivalent embodiments are possible therefrom. For example, the described techniques are performed in a different order than the described method, and/or components of the described system, structure, device, circuit, etc. are combined or combined in a different form than the described method, or other components are used. Alternatively, appropriate results may be achieved even if substituted or substituted by an equivalent. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached registration claims.

Claims (8)

상부 도체층, 상기 상부 도체층의 하부에 이격되게 배치되는 도체 패치, 상기 상부 도체층과 상기 도체 패치를 전기적으로 연결하는 도체 기둥부, 상기 도체 패치의 하부에 이격되게 배치된 하부 도체층, 상기 상부 도체층과 상기 하부 도체층을 연결하면서 상기 도체 기둥부 및 상기 도체 패치를 둘러싸게 배치된 외벽을 포함하는 공진기 필터에서,
상기 도체 패치는 상기 도체 패치를 내부 도체 패치와 외부 도체 패치로 분리하는 슬롯이 형성되고,
상기 도체 기둥부는 제1 도체 기둥 및 복수의 제2 도체 기둥을 포함하며,
상기 제1 도체 기둥은 상기 내부 도체 패치와 상기 상부 도체층을 연결하고,
상기 복수의 제2 도체 기둥은 상기 외부 도체 패치와 상기 상부 도체층을 연결하면서 상기 제1 도체 기둥을 둘러싸게 배치된 공진기 필터.
An upper conductor layer, a conductor patch disposed spaced apart from a lower portion of the upper conductor layer, a conductor pillar portion electrically connecting the upper conductor layer and the conductor patch, a lower conductor layer disposed spaced apart from a lower portion of the conductor patch, In a resonator filter comprising an outer wall arranged to surround the conductor pillar portion and the conductor patch while connecting the upper conductor layer and the lower conductor layer,
The conductor patch is formed with a slot that separates the conductor patch into an inner conductor patch and an outer conductor patch,
The conductor pillar portion includes a first conductor pillar and a plurality of second conductor pillars,
The first conductor pillar connects the inner conductor patch and the upper conductor layer,
The plurality of second conductor pillars connect the external conductor patch and the upper conductor layer and are arranged to surround the first conductor pillar.
제 1 항에서,
상기 도체 패치는 중앙부에 상기 슬롯이 링 모양으로 형성되어 있는 원형 도체판인 공진기 필터.
In paragraph 1,
The conductor patch is a resonator filter that is a circular conductor plate in which the slot is formed in a ring shape at the center.
제 2 항에서,
상기 공진기 필터의 제1 통과 대역의 공진 주파수와 제2 통과 대역의 공진 주파수 사이의 이격 거리는 상기 내부 도체 패치의 직경이 증가할수록 감소되는 공진기 필터.
In paragraph 2,
The resonator filter wherein the separation distance between the resonant frequency of the first pass band and the resonant frequency of the second pass band of the resonator filter decreases as the diameter of the internal conductor patch increases.
제 3 항에서,
상기 제1 통과 대역은 공진 주파수가 가장 낮은 제1 공진 모드에 의한 것이고,
상기 제2 통과 대역은 공진 주파수가 두 번째로 낮은 제1' 공진 모드에 의한 것인 공진기 필터.
In paragraph 3,
The first pass band is due to the first resonance mode with the lowest resonance frequency,
A resonator filter in which the second pass band is caused by a first' resonance mode with the second lowest resonance frequency.
제 4 항에서,
상기 제1 공진 모드는 상기 복수의 제2 도체 기둥으로 구분되는 내부 공간과 외부 공간에 동일한 방향으로 회전하는 자기 필드(magnetic field)를 발생시키고,
상기 제1' 공진 모드는 상기 복수의 제2 도체 기둥으로 구분되는 내부 공간과 외부 공간에 서로 다른 방향으로 회전하는 자기 필드를 발생시키는 공진기 필터.
In paragraph 4,
The first resonance mode generates a magnetic field rotating in the same direction in the internal space and external space divided by the plurality of second conductor pillars,
The first' resonance mode is a resonator filter that generates magnetic fields rotating in different directions in an internal space and an external space divided by the plurality of second conductor pillars.
제 1 항에서,
상기 상부 도체층의 하부에 배치된 제1 기판, 및
상기 제1 기판의 하부 및 상기 하부 도체층의 상부에 배치된 제2 기판
을 더 포함하고,
상기 제1 도체 기둥 및 상기 복수의 제2 도체 기둥은 상기 제1 기판을 관통하게 형성되며,
상기 도체 패치는 상기 제1 기판의 하면 또는 상기 제2 기판의 상면에 배치되는 공진기 필터.
In paragraph 1,
a first substrate disposed below the upper conductor layer, and
A second substrate disposed below the first substrate and above the lower conductor layer.
It further includes,
The first conductor pillar and the plurality of second conductor pillars are formed to penetrate the first substrate,
The conductor patch is a resonator filter disposed on a lower surface of the first substrate or an upper surface of the second substrate.
제 6 항에서,
상기 외벽은,
상기 제1 기판을 관통하면서 상기 도체 기둥부를 둘러싸도록 배치된 복수의 제1 관통 비아, 및
상기 제2 기판을 관통하면서 상기 복수의 제1 관통 비아에 대응하게 배치된 복수의 제2 관통 비아
를 포함하는 공진기 필터.
In paragraph 6:
The outer wall is,
A plurality of first through vias arranged to penetrate the first substrate and surround the conductor pillar portion, and
A plurality of second through vias disposed to correspond to the plurality of first through vias while penetrating the second substrate.
A resonator filter containing a.
제 7 항에서,
상기 제1 관통 비아 및 상기 제2 관통 비아는,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 관통하는 홀의 내벽을 도전성 물질로 도금하여 형성하거나, 또는
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 관통하는 도전성 물질로 형성되는 공진기 필터.
In paragraph 7:
The first through via and the second through via are:
The inner wall of the hole passing through the first substrate and the second substrate is formed by plating with a conductive material, or
A resonator filter formed of a conductive material penetrating the first substrate and the second substrate.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158675A (en) * 2005-12-05 2007-06-21 Nec Corp Via structure of multilayer printed circuit board, and bandstop filter provided with it
KR101740853B1 (en) * 2016-02-12 2017-05-29 고려대학교 산학협력단 Band switchable resonator and resonator filter using the same
KR20210002052A (en) * 2019-06-28 2021-01-06 고려대학교 산학협력단 Waveguide resonator filter made with multiple substrates

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158675A (en) * 2005-12-05 2007-06-21 Nec Corp Via structure of multilayer printed circuit board, and bandstop filter provided with it
KR101740853B1 (en) * 2016-02-12 2017-05-29 고려대학교 산학협력단 Band switchable resonator and resonator filter using the same
KR20210002052A (en) * 2019-06-28 2021-01-06 고려대학교 산학협력단 Waveguide resonator filter made with multiple substrates

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