KR102634470B1

KR102634470B1 - 발광 다이오드 조명 장치

Info

Publication number: KR102634470B1
Application number: KR1020160094207A
Authority: KR
Inventors: 김용근
Original assignee: 주식회사 엘엑스세미콘
Priority date: 2016-07-25
Filing date: 2016-07-25
Publication date: 2024-02-06
Also published as: KR20180011611A

Abstract

본 발명은 발광 다이오드 조명 장치를 개시하며, 상기 발광 다이오드 조명 장치는 순차 발광에 의하여 마지막 발광하는 제1 LED 광원과 제1 LED 광원을 제외하고 가장 낮은 광량을 갖는 제2 LED 광원을 인접하게 쌍을 이루도록 배치하고, 전력 환경에 의하여 교류 전압이 LED 광원들을 모두 발광 시키기에 불충분한 피크치를 갖도록 제공되는 경우에도 사용자가 불편함을 느끼지 않도록 발광 상태를 유지할 수 있다.

Description

발광 다이오드 조명 장치{LED LIGHTING APPARATUS}

본 발명은 발광 다이오드 조명 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 누설전류에 의한 불안정한 약점등(Ghosting) 현상을 개선한 발광 다이오드 조명 장치에 관한 것이다.

조명 장치는 에너지 절감을 위하여 적은 양의 에너지로 높은 발광 효율을 갖는 광원을 이용하도록 개발되고 있다. 조명 장치에 이용되는 대표적인 광원은 발광 다이오드(LED)가 예시될 수 있다.

발광 다이오드는 에너지 소비량, 수명 및 광질 등과 같은 다양한 요소에서 다른 광원들과 차별화되는 이점을 갖는다. 발광 다이오드는 전류에 의하여 구동되는 특성을 갖는다. 그러므로, 발광 다이오드를 광원으로 하는 조명 장치는 전류 구동을 위한 추가적인 회로가 많이 필요한 문제점이 있다.

상기한 문제점을 해결하고자, 조명 장치는 교류 다이렉트 방식(AC DIRECT TYPE)으로 교류 전원을 발광 다이오드에 제공하도록 개발된 바 있다. 교류 다이렉트 방식에 의한 조명 장치는 교류 전압을 정류 전압으로 변환하고 정류 전압을 이용한 전류 구동에 의하여 발광 다이오드가 발광하도록 구성된다. 정류 전압은 교류 전압이 전파 정류된 전압을 의미한다. 상기한 교류 다이렉트 방식에 의한 조명 장치(이하, “발광 다이오드 조명 장치”라 함)는 인덕터 및 캐패시터를 사용하지 않고 정류 전압을 사용하기 때문에 역률(POWER FACTOR)이 양호한 특성이 있다.

정류 전압을 이용하는 발광 다이오드 조명 장치는 조도 조절을 위하여 디머(Dimmer)를 이용할 수 있다. 이 경우, 발광 다이오드 조명 장치는 디머에서 설정된 위상각에 대응하도록 정류 전압의 위상이 제어되고 그 결과 조도가 제어될 수 있다. 그리고, 상기한 발광 다이오드 조명 장치는 디머가 미리 설정된 오프(Off) 레벨 이하로 위상각을 제어하는 경우 턴오프될 수 있다.

그러나, 일반적인 발광 다이오드 조명 장치는 턴오프 상태에도 누설 전류에 의하여 희미하게 발광이 유지되는 약점등(Ghosting) 현상이 발생될 수 있다. 즉, 누설 전류에 의해 소광이 불안정하게 유지될 수 있다. 그러므로, 발광 다이오드 조명 장치는 원치 않게 희미하게 발광이 유지되는 약점등 현상을 방지할 필요가 있으며, 약점등 현상에 의한 불필요한 전력 손실을 줄일 필요가 있다.

상기한 약점등 현상은 다양한 원인의 누설 전류에 의하여 발생될 수 있다.

먼저, 아날로그나 디지털 디머를 이용하는 경우, 디머는 최소 동작을 위한 유지 전류를 필요로 한다. 상기한 유지 전류는 LED 광원을 디밍 오프로 제어한 경우에도 누설 전류 형태로 LED 광원을 포함하는 조명부에 흐를 수 있다.

또한, 발광 다이오드 조명 장치가 실내 조명을 위하여 설치되는 경우, 발광을 턴온 또는 턴오프하기 위한 스위치의 전선은 길게 형성될 수 있다. 상기한 구조에 의하여, 길이가 길고 인접한 전선들의 커플링에 의하여 캐패시턴스에 의한 정전 유도와 자기 유도에 의하여 에너지가 축적될 수 있고, 축적된 에너지에 의하여 미세 전류가 발생하며, 미세 전류는 LED 광원을 포함하는 조명부로 누설 전류의 형태로 흐를 수 있다.

또한, 발광 다이오드 조명 장치가 센서등으로 이용되는 경우, 돌입 전류(Inrush current)에 의한 서지(Surge) 발생에 대비한 스누버(Snubber)가 구성될 수 있다. 이때, 스누버를 통한 누설 전류가 발생하고 LED 광원을 포함하는 조명부로 흐를 수 있다.

상기와 같은 다양한 원인에 의하여 발생하는 누설 전류는 LED 광원을 포함하는 조명부로 흐를 수 있으며, 조명부에 포함된 일부 LED 광원은 누설 전류에 의하여 불완전한 상태로 희미하게 발광할 수 있다. 즉, 발광 다이오드 조명 장치에는 누설 전류로 인한 약점등 현상이 발생할 수 있다.

상기한 약점등 현상은 불필요하게 잔광을 유지한다. 그러므로, 발광 다이오드조명 장치는 약점등 현상에 의한 잔광으로 인한 빛 공해를 유발할 수 있다.

상기한 약점등 현상은 정류 전압을 이용하는 교류 다이렉트 방식에 의한 조명 장치에서 두드러지게 나타날 수 있다. 교류 다이렉트 방식에 의한 조명 장치는 교류 입력을 그대로 이용하여 발광하도록 구성되므로 대체로 입력측의 임피던스가 높게 형성된다. 그러므로, 적은 양의 누설 전류에 의해서도 높은 교류 전압이 형성되어서 발광 다이오드에 다이렉트로 인가될 수 있다. 즉 적은 양의 누설 전류에 의해서 발광 다이오드가 쉽게 발광할 수 있어서 교류 다이렉트 방식에 의한 조명 장치에서 상기한 약점등 현상이 두드러지게 나타날 수 있다.

상기한 약점등 현상을 없애기 위하여 전체 LED 광원 또는 개별 LED 광원에 병렬로 블리더를 구성해서 누설 전류를 바이패스하는 방법이 제안될 수 있다.

그러나, 상기한 경우, 블리더는 LED 광원을 턴온한 경우에도 누설 전류를 지속적으로 바이패스하도록 구성되며, 전체적인 전력 효율을 저하시키는 원인으로 작용한다.

본 발명의 목적은 순차 발광하는 LED 광원들에 제공되는 정류 전압 또는 발광에 따라 출력되는 구동 전류가 턴오프 등에 의하여 미리 설정된 레벨 이하로 떨어지는 경우, 누설 전류에 의한 약점등 현상에 의하여 발광 다이오드 조명 장치가 희미하게 발광하는 것을 방지하고, 잔광으로 인한 빛 공해를 방지하며, 발광 다이오드 조명 장치의 불필요한 전력 손실을 줄임에 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 순차 발광하는 LED 광원들에 제공되는 정류 전압 또는 발광에 따라 출력되는 구동 전류가 턴오프 등에 의하여 미리 설정된 레벨 이하로 떨어지는 경우에만 누설 전류가 LED 광원들에 제공되는 것을 방지함으로써 누설 전류에 의한 약점등 현상을 해소하면서 발광 다이오드 조명 장치의 전체적인 전력 효율을 개선함에 있다.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 발광 다이오드 조명 장치는, 정류 전압의 변화에 대응하여 순차 발광하는 복수 개의 LED 광원을 포함하는 조명부; 상기 복수 개의 LED 광원의 상기 순차 발광을 위한 구동 전류 경로를 상기 정류 전압의 변화에 따라 제공하는 드라이버; 및 상기 조명부의 입력단에 병렬로 연결되며, 상기 조명부에 입력되는 누설 전류를 접지로 바이패스하는 누설 전류 경로를 선택적으로 제공하는 누설 전류 제어부;를 포함하며, 상기 조명부의 구동 상태가 미리 설정된 누설 전류 차단 조건에 해당하면, 상기 누설 전류 제어부가 상기 조명부의 입력단에 상기 누설 전류 경로를 제공함을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 발광 다이오드 조명 장치는, 정류 전압의 변화에 대응하여 순차 발광하는 복수 개의 LED 광원을 포함하는 조명부; 상기 복수 개의 LED 광원의 상기 순차 발광을 위한 제1 구동 전류 경로와 누설 전류의 바이패스를 위한 제2 구동 전류 경로를 상기 정류 전압의 변화에 따라 선택적으로 제공하는 드라이버; 및 상기 조명부의 입력단에 병렬로 연결되며, 상기 조명부에 입력되는 상기 누설 전류를 상기 드라이버의 상기 제2 구동 전류 경로로 바이패스하는 누설 전류 경로를 선택적으로 제공하는 누설 전류 제어부;를 포함하며, 상기 조명부의 구동 상태가 미리 설정된 누설 전류 차단 조건에 해당하면, 상기 누설 전류 제어부가 상기 조명부의 입력단에 상기 누설 전류 경로를 제공하고, 상기 누설 전류는 상기 누설 전류 경로와 상기 제2 구동 전류 경로를 통하여 바이패스됨을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 발광 다이오드 조명 장치는, 정류 전압의 변화에 대응하여 순차 발광하는 복수 개의 LED 광원을 포함하는 조명부; 상기 복수 개의 LED 광원의 상기 순차 발광을 위한 구동 전류 경로를 상기 정류 전압의 변화에 따라 선택적으로 제공하는 드라이버; 및 상기 복수 개의 LED 광원 중 상기 순차 발광시 가장 먼저 발광하는 제1 LED 광원에 병렬로 연결되며, 상기 조명부에 입력되는 상기 누설 전류를 상기 제1 LED 광원을 위한 상기 구동 전류 경로로 바이패스하는 누설 전류 경로를 선택적으로 제공하는 누설 전류 제어부;를 포함하며, 상기 조명부의 구동 상태가 미리 설정된 누설 전류 차단 조건에 해당하면, 상기 누설 전류 제어부가 상기 조명부의 입력단에 상기 누설 전류 경로를 제공하고, 상기 누설 전류는 상기 누설 전류 경로와 상기 제1 LED 광원을 위한 상기 구동 전류 경로를 통하여 바이패스됨을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면 순차 발광하는 LED 광원들에 제공되는 정류 전압 또는 발광에 따라 출력되는 구동 전류가 턴오프 등에 의하여 미리 설정된 레벨 이하로 떨어지는 경우, 누설 전류에 의한 약점등 현상에 의하여 발광 다이오드 조명 장치가 희미하게 발광하는 것을 방지할 수 있다. 즉 발광 다이오드 조명 장치의 소광을 안정화할 수 있다.

또한, 본 발명에 의하면 약점등 현상을 해소함으로써 잔광에 의한 빛 공해를 방지할 수 있고, 발광 다이오드 조명 장치의 불필요한 전력 손실을 줄일 수 있다.

또한, 본 발명에 의하면 순차 발광하는 LED 광원들에 제공되는 정류 전압 또는 발광에 따라 출력되는 구동 전류가 턴오프 등에 의하여 미리 설정된 레벨 이하로 떨어지는 경우에만 누설 전류가 LED 광원들에 제공되는 것을 방지함으로써 누설 전류에 의한 약점등 현상을 해소하면서 발광 다이오드 조명 장치의 전체적인 전력 효율을 개선할 수 있다.

도 1은 본 발명의 발광 다이오드 조명 장치의 바람직한 실시예를 나타내는 회로도.
도 2는 도 1의 드라이버의 상세 회로도
도 3은 도 1의 실시예의 발광 동작을 설명하기 위한 파형도.
도 4는 발광과 소광 상태의 도 1의 실시예의 동작을 설명하기 위한 파형도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 회로도.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예를 나타내는 회로도.
도 7은 발광과 소광 상태의 도 6의 실시예의 동작을 설명하기 위한 파형도.
도 8은 본 발명의 또다른 실시예를 나타내는 회로도.
도 9는 본 발명의 또다른 실시예를 나타내는 회로도.
도 10은 발광과 소광 상태의 도 9의 실시예의 동작을 설명하기 위한 파형도.
도 11은 본 발명의 또다른 실시예를 나타내는 회로도.
도 12는 발광과 소광 상태의 도 11의 실시예의 동작을 설명하기 위한 파형도.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.

본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.

본 발명의 발광 다이오드 조명 장치는 광원으로서 반도체 발광 특성을 갖는 복수의 발광 다이오드를 포함한다. 본 발명의 LED 광원은 하나 또는 복수 개의 발광 다이오드를 포함하여 그룹 형태로 구성될 수 있으며, 순차 발광시 발광 또는 소광하는 단위로 작용하도록 구성된다. 본 발명은 실시예의 설명을 위하여 LED 광원을 하나의 LED로 표현한다.

본 발명의 발광 다이오드 조명 장치는 교류 다이렉트 방식으로 개시된다. 교류 다이렉트 방식은 교류 전압을 변환한 정류 전압을 이용하여 발광 다이오드를 발광하는 것을 의미한다. 여기에서 정류 전압은 정현파 파형을 갖는 교류 전압을 전파 정류한 파형을 갖는다. 즉, 정류 전압은 상용 교류 전압의 반 주기 단위로 전압 레벨이 승하강하는 리플 성분을 갖는 특성이 있다.

그러므로, 본 발명의 실시예는 입력 전압인 정류 전압에 의하여 발광 다이오드를 포함하는 조명부가 발광하며, 조명부의 발광에 대응하여 드라이버가 구동 전류 경로를 제공하도록 구성된다.

본 발명의 실시예는 조명부의 구동 상태가 미리 설정된 누설 전류 차단 조건에 해당하면 누설 전류가 조명부로 흘러서 희미하게 발광하는 약점등 현상을 해소하기 위하여 누설 전류 경로를 형성한다.

순차 발광하는 LED 광원들에 제공되는 정류 전압, 순차 발광에 의하여 가장 먼저 발광하는 LED 광원의 양단간 전압 또는 발광에 따른 구동 전류로써 누설 전류 차단 조건에 해당하는지 센싱할 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명의 실시예는 LED 광원에 제공되는 정류 전압, 순차 발광에 의하여 가장 먼저 발광하는 LED 광원의 양단간 전압 또는 발광에 따른 구동 전류가 미리 설정된 레벨 이하로 떨어지는 경우 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단할 수 있다.

본 발명은 설명의 편의를 위하여 누설 전류 차단 조건에 해당하는 대표적인 경우로 LED 광원들 전체 즉 조명부를 턴오프하는 경우를 예시한다.

그리고, 누설 전류 경로는 조명부의 입력단에서 접지로 연결되도록 형성되거나, 조명부의 입력단에서 드라이버로 연결되도록 구성되거나 또는 순차 발광에 의하여 가장 먼저 발광하는 LED 광원 간에 형성되도록 구성될 수 있다. 상기와 같이 누설 전류 경로가 형성됨에 의하여, 누설 전류는 접지로 바로 바이패스하거나 드라이버를 경유하여 접지로 바이패스할 수 있다. 드라이버를 경유하여 접지로 누설 전류가 바이패스하는 경우, 누설 전류는 순차 발광을 위하여 형성되는 구동 전류 경로를 이용하거나 순차 발광을 위한 구동 전류 경로와 별도로 형성되는 구동 전류 경로를 이용할 수 있다.

본 발명의 실시예는 누설 전류를 조명부를 경유하지 않고 바이패스하기 위하여 누설 전류 경로를 선택적으로 제공하는 누설 전류 제어부를 포함하며, 누설 전류 제어부는 누설 전류 차단 조건에 해당하는 경우 누설 전류가 조명부를 경유하지 않고 바이패스하기 위한 누설 전류 경로를 조명부의 입력단에 제공한다.

상기한 구성에 의하여, 조명부의 턴오프와 같이 조명부의 구동 상태가 미리 설정된 누설 전류 차단 조건에 해당하면, 누설 전류 제어부가 조명부의 입력단에 누설 전류 경로를 제공한다.

먼저, 도 1과 같이, 누설 전류 제어부는 누설 전류의 바이패스를 위하여 조명부의 입력단에서 접지로 연결되도록 누설 전류 경로를 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고, 누설 전류 제어부는 드라이버의 구동 전류 경로에서 출력되는 구동 전류의 양이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단하고 누설 전류 경로를 형성하도록 구성될 수 있다.

이하, 도 1의 실시예의 구성 및 동작에 대하여 구체적으로 설명한다.

도 1의 실시예는 전원부(100), 조명부(200), 드라이버(300), 누설 전류 제어부(400) 및 센싱 저항(Rs)을 포함한다.

전원부(100)는 교류 전원(Vs)의 교류 전압을 정류하여서 정류 전압으로 출력하는 구성을 갖는다. 전원부(100)는 교류 전압을 제공하는 교류 전원(Vs) 및 교류 전압을 정류하여 정류 전압을 출력하는 정류 회로(12)를 포함할 수 있다. 여기에서, 교류 전원(Vs)은 상용 전원일 수 있다.

정류 회로(12)는 교류 전압을 전파 정류한 정류 전압을 출력한다. 본 발명의 실시예에서 정류 전압의 상승 또는 하강은 정류 전압의 리플 성분의 상승 또는 하강을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 정류 전압의 상승 또는 하강에 대응하여 정류 회로(12)에서 출력되는 전류는 정류 전류에 해당된다.

전원부(100)는 위상을 컷하여 정류 회로(12)로 제공하는 교류 전압을 조절하는 디머(14)를 구비할 수 있다. 상기한 디머(14)의 작용에 의하여 위상이 제어된 교류 전압이 정류 회로(12)로 제공될 수 있으며, 정류 회로(12)는 위상이 컷된 교류 전압에 대응하는 정류 전압을 출력할 수 있다. 디머(14)는 조명부의 턴오프 경우 누설 전류를 조명부(200)에 제공하는 요인으로 작용할 수 있다.

조명부(200)는 복수 개의 LED 광원을 포함하며, 각 LED 광원은 복수개의 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 복수 개의 LED 광원은 전원부(100)에서 제공되는 정류 전압의 증감에 의하여 순차적으로 발광 및 소광된다. 도 1의 조명부(200)는 네 개의 LED 광원(LED1, LED2, LED3, LED4)을 포함한 것으로 예시한다.

드라이버(300)는 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압과 LED 광원들(LED1~LED4)에 각각 대응하는 기준 전압들을 비교함으로써 LED 광원들(LED1~LED4)의 순차 발광에 대응한 구동 전류 경로를 제공하도록 구성된다.

드라이버(300)는 LED 광원들(LED1~LED4)의 출력단에 각각 연결되는 채널 단자들(CH1~CH4) 및 센싱 저항(Rs)이 연결된 센싱 단자(Ri)를 갖는다. 드라이버(300)는 채널 단자들(CH1~CH4)과 센싱 단자(Ri) 간의 전류 경로의 변화를 제어한다.

센싱 저항(Rs)은 드라이버(300)와 접지 사이에 구성된다. 상기한 구성에 의하여 센싱 저항(Rs)은 LED 광원들(LED1~LED4)의 발광 상태에 대응하는 센싱 전압을 제공한다. 센싱 저항(Rs)을 흐르는 구동 전류 Id는 조명부(200)의 LED 광원들(LED1~LED4)의 발광 상태에 따라 변화될 수 있다. 센싱 저항(Rs)을 흐르는 구동 전류 Id는 드라이버(300)에 의하여 제공되는 구동 전류 경로 상의 구동 전류와 동일한 것으로 이해될 수 있다.

상기한 구성에 의하여, 드라이버(300)는 각 LED 광원(LED1~LED4)의 발광에 대응한 구동 전류 경로를 제공하며, 구동 전류 경로에서 센싱 저항(Rs)으로 제공되는 구동 전류 Id의 흐름을 규제한다.

조명부(200)의 LED 광원들(LED1~LED4)은 정류 전압의 변화에 대응하여 순차적으로 발광하거나 소광한다. LED 광원들(LED1~LED4) 중, 정류 회로(12)의 출력단에 연결된 LED 광원(LED1)이 정류 전압의 상승에 대응하여 처음 발광하고, 마지막으로 배치된 LED 광원(LED4)이 정류 전압의 상승에 대응하여 마지막으로 발광한다. LED 광원(LED1)의 입력단이 조명부(200)의 입력단을 형성한다.

정류 전압이 상승하여서 LED 광원(LED1~LED4) 별 발광 전압에 순차적으로 도달하면, 드라이버(300)는 각 LED 광원(LED1~LED4)의 발광에 대응한 구동 전류 경로를 제공한다.

여기에서, LED 광원(LED4)을 발광시키는 발광 전압 V4은 LED 광원들(LED1~LED4)을 모두 발광시키는 전압으로 정의된다. LED 광원(LED3)을 발광시키는 발광 전압 V3은 LED 광원들(LED1~LED3)을 모두 발광시키는 전압으로 정의된다. LED 광원(LED2)을 발광시키는 발광 전압 V2은 LED 광원들(LED1, LED2)을 모두 발광시키는 전압으로 정의된다. LED 광원(LED1)을 발광시키는 발광 전압 V1은 LED 광원(LED1)만 발광시키는 전압으로 정의된다.

상기한 드라이버(300)는 도 2와 같이 LED 광원들(LED1~LED4)에 대한 전류 경로를 제공하는 스위칭 회로들(31~34)과 기준 전압들 VREF1~VREF4을 제공하기 위한 기준 전압 공급부(20)를 포함한다.

기준 전압 공급부(20)는 제작자의 의도에 따라 다양하게 서로 다른 레벨의 기준 전압들 VREF1~VREF4를 제공하는 것으로 구현될 수 있다.

기준 전압 공급부(20)는 예시적으로 정전압 VDD이 인가되는 직렬 연결된 복수의 저항을 포함하며 저항 간의 노드 별로 서로 다른 레벨의 기준 전압들 VREF1~ VREF4을 출력하는 것으로 구성될 수 있다. 기준 전압 공급부(20)는 상기한 구성과 달리 서로 다른 레벨의 기준 전압들 VREF1~ VREF4를 각각 제공하는 독립적인 전압공급원들을 포함하는 것으로 구성될 수 있다.

서로 다른 레벨의 기준 전압들 VREF1~ VREF4은 기준 전압 VREF1이 가장 낮은 전압 레벨을 가지며 기준 전압 VREF4가 가장 높은 전압 레벨을 가지고, 기준 전압 VREF1, VREF2, VREF3, VREF4의 순으로 기준 전압은 점차 높은 레벨을 갖도록 설정될 수 있다.

여기에서, 기준 전압 VREF1은 발광 다이오드 그룹(LED2)이 발광하는 시점에 스위칭 회로(31)를 턴오프하기 위한 레벨을 갖는다. 보다 구체적으로 기준 전압 VREF1은 발광 다이오드 그룹(LED2)의 발광에 대응하여 형성되는 센싱 전압보다 낮은 레벨로 설정될 수 있다.

그리고, 기준 전압 VREF2은 발광 다이오드 그룹(LED3)이 발광하는 시점에 스위칭 회로(32)를 턴오프하기 위한 레벨을 갖는다. 보다 구체적으로 기준 전압 VREF2는 발광 다이오드 그룹(LED3)의 발광에 대응하여 형성되는 센싱 전압보다 낮은 레벨로 설정될 수 있다.

그리고, 기준 전압 VREF3은 발광 다이오드 그룹(LED4)이 발광하는 시점에 스위칭 회로(33)를 턴오프하기 위한 레벨을 갖는다. 보다 구체적으로 기준 전압 VREF3은 발광 다이오드 그룹(LED4)의 발광에 대응하여 형성되는 센싱 전압보다 낮은 레벨로 설정될 수 있다.

그리고, 기준전압 VREF4는 정류 전압의 상한 레벨 영역에서 센싱 전압보다 높도록 설정됨이 바람직하다.

한편, 스위칭 회로들(31~34)은 전류 레귤레이션 및 구동 전류 경로의 형성을 위하여 센싱 단자(Ri)를 통하여 센싱 저항(Rs)에 공통으로 연결된다.

스위칭 회로들(31~34)은 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압과 기준 전압 생성 회로(20)의 각각의 기준 전압들 VREF1~VREF4를 비교하여서 조명부(200)의 발광에 대응하는 구동 전류 경로를 형성한다.

스위칭 회로들(31~34)은 정류 전압이 인가되는 위치에서 먼 LED 광원에 연결된 것일수록 높은 레벨의 기준 전압을 제공받는다.

각 스위칭 회로(31~34)는 비교기(50)와 스위칭 소자를 포함하며, 스위칭 소자는 NMOS 트랜지스터(52)로 구성됨이 바람직하다.

각 스위칭 회로(31~34)의 비교기(50)는 포지티브 입력단(+)에 기준 전압이 인가되고, 네가티브 입력단(-)에 센싱 전압이 인가되며, 출력단으로 기준 전압과 센싱 전압을 비교한 결과를 출력한다.

그리고, 각 스위칭 회로(31~34)의 NMOS 트랜지스터(52)는 게이트로 인가되는 각 비교기(50)의 출력에 따라 구동 전류 Id의 흐름을 제어하기 위한 스위칭 동작을 수행한다.

먼저, 도 3을 참조하여, 정류 전압 Vrec의 변화에 대응하여 발광 다이오드 그룹들(LED1~LED4)의 발광 상태가 변화하며, 발광 상태의 변화에 대응하여 구동 전류 경로가 드라이버(300)에 의하여 변경되는 동작들을 설명한다.

정류 전압 Vrec가 초기 상태인 경우, 각 스위칭 회로(31~34)는 포지티브 입력단(+)에 인가되는 기준 전압들 VREF1~VREF4이 네가티브 입력단(-)에 인가되는 센싱 전압보다 높으므로 모두 턴온된 상태를 유지한다. 이때 LED 광원들(LED1~LED4)은 소광 상태이다.

그 후, 정류 전압 Vrec가 상승하여 발광 전압 V1에 도달하면, LED 광원(LED1)이 발광한다. LED 광원(LED1)이 발광하면, LED 광원(LED1)에 연결된 스위칭 회로(31)는 구동 전류 경로를 제공한다. 즉 스위칭 회로(31)에 의하여 구동 전류 경로가 형성된다.

LED 광원(LED1)이 발광하면, 스위칭 회로(31)에 의한 구동 전류 경로에 구동 전류 Id의 흐름이 개시된다. 그러나, 이때의 센싱 전압의 레벨은 낮기 때문에 스위칭 회로들(31~34)의 턴온 상태는 변경되지 않는다.

그 후 정류 전압 Vrec가 발광 전압 V2에 도달하는 과정에서, 구동 전류 Id는 스위칭 회로(31)의 레귤레이션 동작에 의하여 일정한 양을 유지하도록 규제된다.

정류 전압 Vrec가 발광 전압 V2에 도달하면, LED 광원(LED2)이 발광한다. 그리고, LED 광원(LED2)이 발광하면, LED 광원(LED2)에 연결된 스위칭 회로(32)는 구동 전류 경로를 제공한다. 이때, LED 광원(LED1)도 발광 상태를 유지한다.

LED 광원(LED2)이 발광하면, 스위칭 회로(32)에 의한 구동 정류 경로에 구동 전류 Id의 흐름이 개시되며, 이때의 센싱 전압의 레벨은 기준 전압 VREF1보다 높다. 그러므로, 스위칭 회로(31)의 NMOS 트랜지스터(52)는 비교기(50)의 출력에 의하여 턴오프된다. 즉, 스위칭 회로(31)는 턴오프되고, 스위칭 회로(32)가 LED 광원(LED2)의 발광에 대응한 구동 전류 경로를 제공한다.

그 후 정류 전압 Vrec가 발광 전압 V3에 도달하는 과정에서, 구동 전류 Id는 스위칭 회로(32)의 레귤레이션 동작에 의하여 일정한 양을 유지하도록 규제된다.

정류 전압 Vrec가 발광 전압 V3에 도달하면, LED 광원(LED3)이 발광한다. LED 광원(LED3)이 발광하면, LED 광원(LED3)에 연결된 스위칭 회로(33)는 구동 전류 경로를 제공한다. 이때, LED 광원들(LED1, LED2)도 발광 상태를 유지한다.

LED 광원(LED3)이 발광하면, 스위칭 회로(33)에 의한 구동 전류 경로에 구동 전류 Id의 흐름이 개시되며, 이때의 센싱 전압의 레벨은 기준 전압 VREF2보다 높다. 그러므로, 스위칭 회로(32)의 NMOS 트랜지스터(52)는 비교기(50)의 출력에 의하여 턴오프된다. 즉, 스위칭 회로(32)는 턴오프되고, 스위칭 회로(33)가 LED 광원(LED3)의 발광에 대응한 전류 경로를 제공한다.

그 후 정류 전압 Vrec가 발광 전압 V4에 도달하는 과정에서, 구동 전류 Id는 스위칭 회로(33)의 레귤레이션 동작에 의하여 일정한 양을 유지하도록 규제된다.

정류 전압 Vrec가 발광 전압 V4에 도달하면, LED 광원(LED4)이 발광한다. LED 광원(LED4)이 발광하면, LED 광원(LED4)에 연결된 스위칭 회로(34)는 구동 전류 경로를 제공한다. 이때, LED 광원들(LED1, LED2, LED3)도 발광 상태를 유지한다.

LED 광원(LED4)이 발광하면, 스위칭 회로(34)에 의한 구동 전류 경로에 구동 전류 Id의 흐름이 개시되며, 이때의 센싱 전압의 레벨은 기준 전압 VREF3보다 높다. 그러므로, 스위칭 회로(33)의 NMOS 트랜지스터(52)는 비교기(50)의 출력에 의하여 턴오프된다. 즉, 스위칭 회로(33)는 턴오프되고, 스위칭 회로(34)가 LED 광원(LED4)의 발광에 대응한 구동 전류 경로를 제공한다.

그 후 정류 전압 Vrec는 상한 레벨까지 상승한 후 하강을 시작한다.

정류 전압 Vrec가 상한 레벨까지 도달하는 과정에서, 구동 전류 Id는 스위칭 회로(34)의 레귤레이션 동작에 의하여 일정한 양을 유지하도록 규제된다.

이와 반대로, 정류 전압 Vrec가 상한 레벨에서 발광 전압 V4, V3, V2, V1 이하로 단계적으로 감소하면, LED 광원들(LED4~LED1)은 순차적으로 소광된다. 그리고, LED 광원들(LED4~LED1)의 소광에 대응하여 구동 전류 Id도 단계적으로 줄어든다.

상술한 바와 같이, 드라이버(300)는 LED 광원들(LED1~LED4)의 발광 상태 변화에 대응하여 구동 전류 경로를 변경하여 제공할 수 있다.

상기와 같이, 정류 전압 Vrec의 변화에 따른 LED 광원들(LED1~LED4)의 순차 발광을 수행하는 과정 중에, 누설 전류 제어부(400)는 드라이버(300)에서 출력되어서 센싱 저항(Rs)으로 흐르는 구동 전류 Id를 센싱한다.

조명부(200)의 턴오프 경우에 의하여 드라이버(300)에서 출력되어서 센싱 저항(Rs)으로 흐르는 구동 전류 Id의 양이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면, 누설 전류 제어부(400)는 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단하고 조명부(200)의 입력단과 접지를 연결하여서 누설 전류를 바이패스하는 누설 전류 경로를 형성한다.

이를 위하여, 누설 전류 제어부(400)는 저항들(R1, R2, R3), NMOS 트랜지스터(T1), 제너 다이오드(ZD1), 캐패시터(C1), NPN 트랜지스터(Q1)를 포함한다.

NMOS 트랜지스터(T1)는 저항(R1)를 통하여 조명부(200)의 입력단에 연결된다. 저항(R1)과 저항(R2)은 조명부(200)의 입력단에 병렬로 연결되며, 저항(R2)은 조명부(200)의 입력단과 NMOS 트랜지스터(T2)의 게이트 사이에 구성된다. NMOS 트랜지스터(T1)의 게이트에는 저항(R2), 과전압 방지를 위한 제너 다이오드(ZD1), 캐패시터(C1) 및 NPN 트랜지스터(Q1)가 공통으로 연결된다. 그리고, 센싱 저항(Rs)과 저항(R3)은 센싱 단자(Ri)에 병렬로 연결되며, NPN 트랜지스터(Q1)의 베이스에 저항(R3)이 연결된다.

누설 전류 경로는 NMOS 트랜지스터(T1)가 턴온되는 경우 저항(R1)과 NMOS 트랜지스터(T1)에 의하여 형성된다.

NMOS 트랜지스터(T1)는 캐패시터(C1)의 충전 전압에 의하여 턴온 또는 턴오프된다.

NPN 트랜지스터(Q1)는 조명부(200)의 순차적인 발광에 의해서 미리 설정된 레벨 이상의 충분한 구동 전류 Id가 흐를 때 저항(R3)에 인가되는 전압에 의해서 턴온되며, 정류 전압이 낮아져서 미리 설정된 레벨 이하의 구동 전류 Id가 흐르거나 구동 전류 Id가 흐르지 않을 때 저항(R3)에 인가되는 전압에 의해 턴오프된다. NPN 트랜지스터(Q1)는 구동 전류 Id에 의하여 센싱 저항(Rs) 양단에 인가되는 센싱 전압이 베이스-에미터 턴온 전압 보다 큰 구간에서 턴온된다.

캐패시터(C1)는 NPN 트랜지스터(Q1)이 턴오프될 때 저항(R2)를 통하여 공급되는 전류에 의하여 충전되며, NPN 트랜지스터(Q1)가 턴온되는 경우 방전된다.

이에 대한 설명을 위하여 도 4를 참조한다. 도 4에서, 정류 전압 Vrec의 변화에 대응하여, 정류 회로(12)의 출력 전류(Irec), 조명부(200)의 입력 전류(Iled), 누설 전류 제어부(400)의 누설 전류 경로로 흐르는 전류(Ibld), 구동 전류(Id), 저항(R3)을 흐르는 전류(Ir3) 및 캐패시터(C1)의 충전 전압이 도시된다. 여기에서, 누설 전류 제어부(400)의 누설 전류 경로로 흐르는 전류(Ibld)와 저항(R3)을 흐르는 전류(Ir3)는 다른 전류들보다 상당히 낮은 레벨로 형성되나 스케일을 조정하여 다른 전류들과 대비가 쉽도록 크게 도시하였다. 그리고, 캐패시터(C1)의 충전 전압(Vc1)도 정류 전압(Vrec)보다 상당히 낮은 레벨로 형성되나 스케일을 조정하여 대비가 쉽도록 크게 도시하였다. 그리고, Vct는 누설 전류 경로를 형성하기 위한 기준이 되는 충전 전압을 의미한다.

상기한 도 4를 참조하면, 조명부(200)를 발광시키기 위한 정류 전압 Vrec이 정상적으로 공급되면, NPN 트랜지스터(Q1)는 저항(R3)를 통한 구동 전류 Id의 센싱에 의해서 구동 전류 Id의 레벨이 낮게 형성되는 정류 전압 Vrec의 밸리 구간에서 일시적으로 턴오프되지만 나머지 구간에서 턴온을 유지한다. 그러므로, 캐패시터(C1)도 구동 전류 Id의 레벨이 낮게 형성되는 정류 전압 Vrec의 밸리 구간에서 일시적으로 충전되지만 대부분 턴온을 유지하는 NPN 트랜지스터(Q1)에 의해서 방전된다.

이와 같이, 조명부(200)를 발광시키기 위한 정류 전압 Vrec이 정상적으로 공급되어서 캐패시터(C1)의 충전 전압이 낮게 유지되면, NMOS 트랜지스터(T1)는 낮은 게이트 전압에 의해서 턴오프를 유지한다. 즉, 조명부(200)를 발광시키기 위한 정류 전압 Vrec이 정상적으로 공급되어서 구동 전류 Id가 캐패시터(C1)의 방전 상태를 유지할 수 있을 정도로 흐르면, 누설 전류 제어부(400)에 의한 누설 전류 경로는 형성되지 않는다.

이와 달리, 디머(14)에 의하여 정류 전압 Vrec이 미리 설정된 레벨 이하의 위상을 갖거나 입력 전압인 교류 전압을 디머(14)로 전달하는 스위치(도시되지 않음)가 턴오프된 경우, 도 4와 같이 정류 전압 Vrec은 미리 설정된 레벨 이하로 조명부(200)에 제공된다. 참고로, 도 4는 조명부(200)가 발광 상태에서 소광 상태로 전환되는 것에 대응하는 파형도이다.

이 경우, 구동 전류 Id가 미리 설정된 레벨 이하로 흐르기 때문에 NPN 트랜지스터(Q1)는 턴오프 상태를 유지하고, 이때 캐패시터(C1)는 저항(R2)을 통하여 공급되는 전류에 의하여 충전되며, 캐패시터(C1)로 공급되는 전류는 예시적으로 디머(14)로부터 제공되는 누설 전류로 이해될 수 있다. 구동 전류 Id가 미리 설정된 레벨 이하로 흐르는 것이 유지되는 경우, 캐패시터(C1)의 충전 전압은 상승한다. 캐패시터(C1)의 충전 전압이 NMOS 트랜지스터(T1)을 턴온시킬 수 있는 레벨(Vct) 이상으로 상승하면, NMOS 트랜지스터(T1)는 턴온된다.

즉, 정류 전압 Vrec이 조명부(200)를 턴오프하기 위한 레벨로 공급되거나 공급되지 않아서 구동 전류 Id가 미리 설정된 레벨 이하로 흐르면, NPN 트랜지스터(Q1)의 턴오프에 의해서 캐패시터(C1)가 누설 전류에 의해 충전되고, 캐패시터(C1)의 충전 전류가 상승하여 NMOS 트랜지스터(T1)이 턴온되면, 누설 전류 제어부(400)에 의한 누설 전류 경로가 형성된다. 즉, 누설 전류는 저항(R1)과 NMOS 트랜지스터(T1)을 통하여 접지로 방전된다. 이때 누설 전류는 도 4의 ibld와 같이 방전되는 것으로 표시될 수 있다.

상술한 바에서, 캐패시터(C1)는 정류 전압 Vrec의 미리 설정된 시간 이상 일정 전압 이하를 유지하는 경우 NMOS 트랜지스터(T1)를 턴온시킬 수 있는 레벨로 충전 전압이 상승하도록 충전 용량이 설정됨이 바람직하다.

이상과 같이, 도 1의 실시예는 드라이버(300)의 구동 전류 경로에서 출력되는 구동 전류 Id의 양이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 누설 전류 제어부(400)에 의하여 누설 전류 경로를 형성할 수 있다. 그러므로, 누설 전류는 조명부(200)로 제공되지 않고 조명부(200)의 입력단에서 접지로 바이패스하여 방전될 수 있다.

그리고, 본 발명은 도 5와 같이, 누설 전류 제어부(400)는 누설 전류의 바이패스를 위하여 조명부(200)의 입력단에서 접지로 연결되도록 누설 전류 경로를 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고, 누설 전류 제어부(400)는 조명부(200)에 인가되는 정류 전압 Vrec의 레벨이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단하고 누설 전류 경로를 형성하도록 구성될 수 있다.

도 5의 실시예에서 전원부(100), 조명부(200) 및 드라이버(300)가 도 1의 실시예와 동일하게 구성된다.

도 5의 실시예에서, 누설 전류 제어부(400)는 정류 전압 Vrec의 변화에 따른 LED 광원들(LED1~LED4)의 순차 발광을 수행하는 과정 중에 조명부(200)에 인가되는 정류 전압 Vrec을 센싱한다.

조명부(200)에 인가되는 정류 전압 Vrec가 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면, 누설 전류 제어부(400)는 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단하고 조명부(200)의 입력단과 접지를 연결하여서 누설 전류를 바이패스하는 누설 전류 경로를 형성한다.

이를 위하여, 누설 전류 제어부(400)는 저항들(R1, R2, R4, R5), NMOS 트랜지스터(T1), 제너 다이오드(ZD1), 캐패시터(C1), NPN 트랜지스터(Q1)를 포함한다. 누설 전류 제어부(400)는 도 1의 저항(R3) 대신 NPN 트랜지스터(Q1)의 베이스에 정류 전압 Vrec을 분압하는 저항들(R4, R5)이 구성된다. 누설 전류 제어부(400)의 구성 중 저항들(R4, R5)을 제외한 나머지는 도 1의 누설 전류 제어부(400)와 동일하므로 구성에 대한 중복 설명은 생략한다.

NPN 트랜지스터(Q1)는 조명부(200)에 미리 설정된 레벨 이상의 정류 전압 Vrec이 인가될 때 저항들(R4, R5)에 의하여 분압된 전압에 의하여 턴온되며, 정류 전압 Vrec의 레벨이 미리 설정된 레벨 이하로 낮아지면 저항들(R4, R5)에 의하여 분압된 전압에 의하여 턴오프된다.

도 5를 참조하면, 조명부(200)를 발광시키기 위한 정류 전압 Vrec이 정상적으로 공급되면, NPN 트랜지스터(Q1)는 저항들(R4, R5)을 이용한 센싱에 의해서 정류 전압 Vrec의 밸리 구간에서 일시적으로 턴오프되지만 나머지 구간에서 턴온을 유지한다. 그러므로, 캐패시터(C1)도 정류 전압 Vrec의 밸리 구간에서 일시적으로 충전되지만 대부분 턴온을 유지하는 NPN 트랜지스터(Q1)에 의해서 방전된다.

이와 같이, 조명부(200)를 발광시키기 위한 정류 전압 Vrec이 정상적으로 공급되어서 캐패시터(C1)의 충전 전압이 낮게 유지되면, NMOS 트랜지스터(T1)는 낮은 게이트 전압에 의해서 턴오프를 유지한다. 즉, 조명부(200)를 발광시키기 위한 정류 전압 Vrec이 정상적으로 공급되면, 누설 전류 제어부(400)에 의한 누설 전류 경로는 형성되지 않는다.

이와 달리, 디머(14)에 의하여 정류 전압 Vrec이 미리 설정된 레벨 이하의 위상을 갖거나 입력 전압인 교류 전압을 디머(14)로 전달하는 스위치(도시되지 않음)가 턴오프된 경우, 정류 전압 Vrec은 미리 설정된 레벨 이하로 조명부(200)에 제공된다.

이 경우, NPN 트랜지스터(Q1)는 턴오프 상태를 유지하고, 이때 캐패시터(C1)는 저항(R2)을 통하여 공급되는 전류에 의하여 충전된다. 정류 전압 Vrec이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면, 캐패시터(C1)의 충전 전압은 상승한다. 캐패시터(C1)의 충전 전압이 NMOS 트랜지스터(T1)을 턴온시킬 수 있는 레벨 이상으로 상승하면, NMOS 트랜지스터(T1)는 턴온된다.

즉, 정류 전압 Vrec이 조명부(200)를 턴오프하기 위한 레벨로 공급되거나 공급되지 않으면, NPN 트랜지스터(Q1)의 턴오프에 의해서 캐패시터(C1)가 누설 전류에 의해 충전되고, 캐패시터(C1)의 충전 전압이 상승하여 NMOS 트랜지스터(T1)가 턴온되면, 누설 전류 제어부(400)에 의한 누설 전류 경로가 형성된다. 즉, 누설 전류는 저항(R1)과 NMOS 트랜지스터(T1)을 통하여 접지로 방전된다

상술한 바에서, 캐패시터(C1)는 정류 전압 Vrec이 미리 설정된 시간 이상 일정 전압 이하를 유지하는 경우 NMOS 트랜지스터(T1)를 턴온시킬 수 있는 레벨로 충전 전압이 상승하도록 충전 용량이 설정됨이 바람직하다.

이상과 같이, 도 5의 실시예는 정류 전압 Vrec이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 누설 전류 제어부(400)에 의하여 누설 전류 경로를 형성할 수 있다. 그러므로, 누설 전류는 조명부(200)로 제공되지 않고 조명부(200)의 입력단에서 접지로 바이패스하여 방전될 수 있다.

한편, 도 6과 같이, 누설 전류 제어부(400)는 누설 전류의 바이패스를 위하여 조명부(200)의 입력단에서 드라이버(300)로 연결되도록 누설 전류 경로를 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고, 누설 전류 제어부(400)는 드라이버의 구동 전류 경로에서 출력되는 구동 전류의 양이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단하고 누설 전류 경로를 형성하도록 구성될 수 있다.

도 6의 실시예는 도 1의 실시예와 동일하게 전원부(100), 조명부(200) 및 드라이버(300)를 포함한다.

도 6의 실시예에서, 드라이버(300)의 채널 단자(CH1)는 누설 전류 제어부(400)의 누설 전류 경로에 연결되도록 구성되며, 조명부(200)의 LED 광원(LED1)은 드라이버(300)의 채널 단자(CH1)에 연결되지 않는다.

그러므로, LED 광원(LED1)은 정류 전압 Vrec이 발광 전압 V1에 도달할 때 발광하지 않고 정류 전압 Vrec이 발광 전압 V2에 도달할 때 LED 광원(LED2)과 동시에 발광한다. 따라서, 정류 전압 Vrec의 상승에 대응하여 LED 광원들(LED1, LED2)이 동시에 발광하는 시점부터 구동 전류 Id가 흐르기 시작하고, 정류 전압 Vrec의 하강에 대응하여 LED 광원들(LED1, LED2)이 동시에 소광하는 시점부터 구동 전류 Id의 흐름은 중지된다.

도 6의 실시예는 LED 광원(LED1)과 드라이버(300)의 채널 단자(CH1) 간의 구성을 제외하면 도 1의 실시예와 전원부(100), 조명부(200) 및 드라이버(300)의 구성이 동일하므로 구성의 중복 설명은 생략한다.

도 6의 실시예에서 드라이버(300)는 정류 전압의 변화에 따라 구동 전류 경로를 선택적으로 제공한다. 보다 구체적으로, 드라이버(300)는 LED 광원들(LED1~LED4)의 순차 발광에 대응하여 채널 단자들(CH2, CH3, CH4)과 센싱 저항단(Ri) 간에 형성되는 제1 구동 전류 경로를 제공한다. 그리고, 드라이버(300)는 누설 전류 제어부(400)에서 누설 전류 경로가 형성되는 경우 누설 전류의 바이패스를 위한 제2 구동 전류 경로를 제공한다.

드라이버(300)에 형성되는 제1 구동 전류 경로와 제2 구동 전류 경로는 동일한 출력단 즉 센싱 저항단(Ri)에 연결되며, 구동 전류 Id를 센싱한 센싱 전압과 미리 설정된 내부의 기준 전압들을 비교함으로써 LED 광원들(LED1~LED4)의 순차 발광에 대응하는 위치에 제1 구동 전류 경로를 제공하거나 제2 구동 전류 경로를 제공한다.

보다 구체적으로, 드라이버(300)는 센싱 전압과 가장 낮은 레벨의 제1 기준 전압을 비교하여 제2 구동 전류 경로를 제공하고, 센싱 전압과 제1 기준 전압보다 높으면서 LED 광원들(LED2~LED4) 별로 미리 설정된 내부의 제2 기준 전압들을 비교하여 제1 구동 전류 경로를 제공한다. 이에 따라서 드라이버(300)는 제1 구동 전류 경로를 제공하는 정류 전압 Vrec보다 낮은 레벨의 정류 전압 Vrec에 대응하여 제2 구동 전류 경로를 형성한다.

그리고, 도 6에 구성되는 누설 전류 제어부(400)는 조명부(200)의 입력단에 병렬로 연결되며, 조명부(200)에 입력되는 누설 전류를 드라이버(300)의 제2 구동 전류 경로로 바이패스하는 누설 전류 경로를 선택적으로 제공한다.

즉, 조명부(200)의 구동 상태가 미리 설정된 누설 전류 차단 조건에 해당하면, 누설 전류 제어부(400)가 조명부(200)의 입력단에 누설 전류 경로를 제공하고, 누설 전류는 누설 전류 제어부(400)의 누설 전류 경로와 드라이버(300)의 제2 구동 전류 경로를 통하여 바이패스된다.

누설 전류 제어부(400)는 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Id의 양이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단하고 누설 전류 경로를 형성한다.

이를 위하여, 누설 전류 제어부(400)는 저항들(R6, R7), NMOS 트랜지스터(T2), 제너 다이오드(ZD2), 캐패시터(C2), NPN 트랜지스터(Q2)를 포함한다. 여기에, 다이오드(D1)가 캐패시터(C2)에서 센싱 저항(Rs)로 흐르는 것을 방지하기 위하여 구성될 수 있다.

NMOS 트랜지스터(T2)는 소스가 조명부(200)의 입력단에 연결되며 드레인이 드라이버(300)의 채널 단자(CH1)에 연결되도록 구성된다. 저항(R6)은 NMOS 트랜지스터(T2)의 소스와 게이트 사이에 구성되고, 제너 다이오드(ZD2)는 NMOS 트랜지스터(T2)의 드레인과 게이트 사이에 구성된다. NMOS 트랜지스터(T2)의 게이트에는 NPN 트랜지스터(Q2)가 구성되며, NPN 트랜지스터(Q2)의 베이스는 저항(R7)을 통하여 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Id를 센싱하도록 구성된다. 캐패시터(C2)가 저항(R7)에 병렬로 구성되며 다이오드(D1)를 통하여 흐르는 전류에 의한 충전을 수행한다.

상기한 구성에 의하여, 누설 전류 제어부(400)는 NMOS 트랜지스터(T2)가 턴온되는 경우 누설 전류 경로를 형성한다. NMOS 트랜지스터(T2)의 턴온에 의하여 형성되는 누설 전류 제어부(400)의 누설 전류 경로는 다이오드(D2)를 경유하여 드라이버(300)의 채널 단자(CH1)와 센싱 저항단(Ri) 간의 제2 구동 전류 경로에 연결된다.

NMOS 트랜지스터(T2)는 NPN 트랜지스터(Q2)가 턴오프되는 경우 저항(R6)에 의하여 형성되는 게이트 전압에 의하여 턴온된다. 그리고, NMOS 트랜지스터(T2)는 NPN 트랜지스터(Q2)가 턴온되는 경우 낮은 게이트 전압에 의하여 턴오프된다.

그리고, NPN 트랜지스터(Q2)의 턴온과 턴오프는 캐패시터(C2)의 충전 전압에 의해서 결정된다.

그러므로, 조명부(200)의 순차적인 발광에 의해서 미리 설정된 레벨 이상의 충분한 구동 전류 Id가 흐를 때 캐패시터(C2)는 구동 전류 Id에 의해서 충전되고, 정류 전압 Vrec이 낮아져서 미리 설정된 레벨 이하의 구동 전류 Id가 흐르거나 구동 전류 Id가 흐르지 않을 때 캐패시터(C2)는 방전된다.

이에 대한 설명을 위하여 도 7를 참조한다. 도 7에서, 정류 전압 Vrec의 변화에 대응하여, 정류 회로(12)의 출력 전류(Irec), 조명부(200)의 입력 전류(Iled), 누설 전류 제어부(400)의 누설 전류 경로로 흐르는 전류(Ibld), 구동 전류(Id), 캐피시터(C2)의 충전 전압(Vc2) 및 저항(R7)을 흐르는 전류(Ir3)가 도시된다.

조명부(200)를 발광시키기 위한 정류 전압 Vrec이 정상적으로 공급되면, NPN 트랜지스터(Q2)는 구동 전류 Id의 레벨이 낮게 형성되는 정류 전압 Vrec의 밸리 구간에서 일시적으로 턴오프되지만 나머지 구간에서 턴온을 유지한다. 이때, 캐패시터(C2)의 충전 전압은 구동 전류 Id의 레벨이 낮게 형성되는 정류 전압 Vrec의 밸리 구간에서 일시적으로 방전되지만 대부분 미리 설정된 레벨 이상을 유지하는 구동 전류 Id에 의해서 일정 레벨 이상의 충전 전압을 유지한다.

이와 같이, 조명부(200)를 발광시키기 위한 정류 전압 Vrec이 정상적으로 공급되어서 캐패시터(C2)의 충전 전압이 일정 레벨 이상 유지되면, NPN 트랜지스터(Q2)는 턴온을 유지하고, NMOS 트랜지스터(T2)는 낮은 게이트 전압에 의해서 턴오프를 유지한다. 즉, 조명부(200)를 발광시키기 위한 정류 전압 Vrec이 정상적으로 공급되어서 구동 전류 Id가 캐패시터(C2)의 충전 상태를 유지할 수 있을 정도로 흐르면, 누설 전류 제어부(400)에 의한 누설 전류 경로는 형성되지 않는다.

이와 달리, 디머(14)에 의하여 정류 전압 Vrec이 미리 설정된 레벨 이하의 위상을 갖거나 입력 전압인 교류 전압을 디머(14)로 전달하는 스위치(도시되지 않음)가 턴오프된 경우, 도 7와 같이 정류 전압 Vrec은 미리 설정된 레벨 이하로 조명부(200)에 제공된다. 참고로, 도 7은 조명부(200)가 발광 상태에서 소광 상태로 전환되는 것에 대응하는 파형도이다.

이 경우, 구동 전류 Id가 미리 설정된 레벨 이하로 흐르기 때문에 캐패시터(C2)의 충전 전압은 방전에 의해 전압 Vct 이하의 낮은 레벨을 유지하고, NPN 트랜지스터(Q2)는 턴오프 상태를 유지하며, NMOS 트랜지스터(T2)는 턴온된다.

즉, 정류 전압 Vrec이 조명부(200)를 턴오프하기 위한 레벨로 공급되거나 공급되지 않아서 구동 전류 Id가 미리 설정된 레벨 이하로 흐르면, 캐패시터(C2)의 방전에 의하여 NMOS 트랜지스터(T1)가 턴온되고, 그 결과 누설 전류 제어부(400)에 의한 누설 전류 경로가 형성된다.

상기한 경우, 누설 전류는 누설 전류 제어부(400)의 누설 전류 경로를 경유하여 드라이버(300)의 제2 구동 전류 경로로 흐른다. 이때, 조명부(200)가 턴오프되는 낮은 정류 전압에 대응하여 드라이버(300)의 제2 구동 전류 경로는 노멀 턴온을 유지한다. 그러므로, 누설 전류 제어부(400)에서 출력되는 누설 전류는 드라이버(300)의 제2 구동 전류 경로 및 센싱 저항(Rs)을 경유하여 흐른다.

상술한 바에서, 캐패시터(C2)는 정류 전압 Vrec이 미리 설정된 시간 이상 일정 전압 이하를 유지하는 경우 NPN 트랜지스터(Q2)를 턴오프시킬 수 있는 레벨로 충전 전압이 강하하도록 충전 용량이 설정됨이 바람직하다.

이상과 같이, 도 6의 실시예는 드라이버(300)의 구동 전류 경로에서 출력되는 구동 전류 Id의 양이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 누설 전류 제어부(400)에 의하여 누설 전류 경로를 형성할 수 있다. 그러므로, 누설 전류는 조명부(200)로 제공되지 않고 조명부(200)의 입력단에서 누설 전류 제어부(400)로 바이패스되며 드라이버(300) 및 센싱 저항(Rs)을 경유하여 접지로 방전될 수 있다.

본 발명의 누설 전류 제어부(400)는 도 8과 같이 누설 전류의 바이패스를 위하여 조명부(200)의 입력단에서 드라이버(300)로 연결되도록 누설 전류 경로를 형성하도록 구성될 수 있다.

도 8의 실시예에서 전원부(100), 조명부(200) 및 드라이버(300)가 도 6의 실시예와 동일하게 구성된다.

도 8의 누설 전류 제어부(400)는 조명부(200)에 인가되는 정류 전압 Vrec이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단하고 누설 전류 경로를 형성할 수 있다.

이를 위하여, 누설 전류 제어부(400)는 저항들(R8, R9, R10), NMOS 트랜지스터(T3), 제너 다이오드(ZD3), 캐패시터(C3), NPN 트랜지스터(Q3)를 포함한다.

NMOS 트랜지스터(T3)는 소스가 조명부(200)의 입력단에 연결되며 드레인이 드라이버(300)의 채널 단자(CH1)에 연결되도록 구성된다. 저항(R10)은 NMOS 트랜지스터(T3)의 소스와 게이트 사이에 구성되고, 제너 다이오드(ZD3)와 캐패시터(C3)는 병렬로 연결되며 NMOS 트랜지스터(T3)의 드레인과 게이트 사이에 구성된다. NMOS 트랜지스터(T3)의 게이트에는 NPN 트랜지스터(Q3)의 콜렉터가 연결된다. NPN 트랜지스터(Q3)의 베이스에 조명부(200)의 입력단에 인가되는 정류 전압 Vrec을 분압하는 저항들(R8, R9)이 병렬로 연결된다. 그리고, 드라이버(300)의 채널 단자(CH1)는 NMOS 트랜지스터(T3)의 드레인, 제너 다이오드(ZD3) 및 캐패시터(C3)가 공통으로 연결된 노드에 접속된다.

NPN 트랜지스터(Q3)는 조명부(200)에 미리 설정된 레벨 이상의 정류 전압 Vrec이 인가될 때 저항들(R8, R9)에 의하여 분압된 전압에 의하여 턴온되며, 정류 전압 Vrec의 레벨이 미리 설정된 레벨 이하로 낮아지면 저항들(R8, R9)에 의하여 분압된 전압에 의하여 턴오프된다.

캐패시터(C3)는 NPN 트랜지스터(Q3)이 턴오프될 때 저항(R10)을 통하여 공급되는 전류에 의하여 충전되며, NPN 트랜지스터(Q3)가 턴온되는 경우 방전된다.

도 8를 참조하면, 조명부(200)를 발광시키기 위한 정류 전압 Vrec이 정상적으로 공급되면, NPN 트랜지스터(Q3)는 저항들(R8, R9)을 이용한 센싱에 의해서 정류 전압 Vrec의 밸리 구간에서 일시적으로 턴오프되지만 나머지 구간에서 턴온을 유지한다. 그러므로, 캐패시터(C3)도 정류 전압 Vrec의 밸리 구간에서 일시적으로 충전되지만 대부분 턴온을 유지하는 NPN 트랜지스터(Q3)에 의해서 방전된다.

이와 같이, 조명부(200)를 발광시키기 위한 정류 전압 Vrec이 정상적으로 공급되어서 캐패시터(C3)의 충전 전압이 낮게 유지되면, NMOS 트랜지스터(T3)는 낮은 게이트 전압에 의해서 턴오프를 유지한다. 즉, 조명부(200)를 발광시키기 위한 정류 전압 Vrec이 정상적으로 공급되면, 누설 전류 제어부(400)에 의한 누설 전류 경로는 형성되지 않는다.

이 경우, NPN 트랜지스터(Q3)는 턴오프 상태를 유지하고, 이때 캐패시터(C3)는 저항(R10)을 통하여 공급되는 전류에 의하여 충전된다. 정류 전압 Vrec이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면, 캐패시터(C3)의 충전 전압은 상승한다. 캐패시터(C3)의 충전 전압이 NMOS 트랜지스터(T3)을 턴온시킬 수 있는 레벨 이상으로 상승하면, NMOS 트랜지스터(T3)는 턴온된다.

즉, 정류 전압 Vrec이 조명부(200)를 턴오프하기 위한 레벨로 공급되거나 공급되지 않으면, NPN 트랜지스터(Q3)의 턴오프에 의해서 캐패시터(C3)가 누설 전류에 의해 충전되고, 캐패시터(C3)의 충전 전압이 상승하여 NMOS 트랜지스터(T3)가 턴온되면, 누설 전류 제어부(400)에 의한 누설 전류 경로가 형성된다.

상술한 바에서, 캐패시터(C3)는 정류 전압 Vrec이 미리 설정된 시간 이상 일정 전압 이하를 유지하는 경우 NMOS 트랜지스터(T3)를 턴온시킬 수 있는 레벨로 충전 전압이 상승하도록 충전 용량이 설정됨이 바람직하다.

이상과 같이, 도 8의 실시예는 조명부(200)에 인가되는 정류 전압 Vrec이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 누설 전류 제어부(400)에 의하여 누설 전류 경로를 형성할 수 있다. 그러므로, 누설 전류는 조명부(200)로 제공되지 않고 조명부(200)의 입력단에서 누설 전류 제어부(400)로 바이패스되며 드라이버(300) 및 센싱 저항(Rs)을 경유하여 접지로 방전될 수 있다.

한편, 도 9과 같이, 누설 전류 제어부(400)는 복수 개의 LED 광원(LED1~LED4) 중 순차 발광시 가장 먼저 발광하는 LED 광원(LED1)에 병렬로 연결되며, 조명부(200)에 입력되는 누설 전류를 LED 광원(LED1)을 위한 드라이버(300)의 구동 전류 경로로 바이패스하는 누설 전류 경로를 선택적으로 제공하도록 구성될 수 있다.

조명부(200)의 구동 상태가 미리 설정된 누설 전류 차단 조건에 해당하면, 누설 전류 제어부(400)는 조명부(200)의 입력단에 누설 전류 경로를 제공하고, 누설 전류는 누설 전류 제어부(400)의 누설 전류 경로와 LED 광원(LED1)을 위한 드라이버(300)의 구동 전류 경로를 통하여 바이패스된다.

도 9의 실시예에서 전원부(100), 조명부(200) 및 드라이버(300)는 도 1의 실시예와 동일하게 구성되고, 누설 전류 제어부(400)는 도 6의 실시예와 동일하게 구성된다.

도 9의 실시예는 도 6의 실시예와 비교하여 LED 광원(LED1)의 출력단이 드라이버(300)의 채널 단자(CH1)에 연결되는 것을 제외한 나머지 구성은 동일하므로 구성의 중복 설명은 생략한다.

도 9의 실시예는 드라이버(300)의 채널 단자(CH1)와 센싱 저항단(Ri) 간의 구동 전류 경로가 LED 광원(LED1)의 발광에 따른 구동 전류와 누설 전류 제어부(400)에서 제공되는 누설 전류의 흐름에 이용되는 점에서 도 6의 실시예와 차이점이 있다.

정류 전압 Vrec이 정상적으로 유지되는 경우와 조명등(200)의 구동 상태가 미리 설정된 누설 전류 차단 조건에 해당하는 경우의 캐패시터(C2)의 충전 전압의 변화와 저항(R7)에 흐르는 전류의 변화는 도 10을 참조하여 이해할 수 있다.

도 10에서, 정류 전압 Vrec의 변화에 대응하여, 정류 회로(12)의 출력 전류(Irec), 조명부(200)의 입력 전류(Iled), 누설 전류 제어부(400)의 누설 전류 경로로 흐르는 전류(Ibld), 구동 전류(Id), 캐피시터(C2)의 충전 전압(Vc2) 및 저항(R7)을 흐르는 전류(Ir7)가 도시된다.

한편, 도 11과 같이, 누설 전류 제어부(400)는 LED 광원(LED1)의 양단에 인가되는 전압이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단하고 누설 전류 경로를 형성하도록 구성될 수 있다.

도 11의 실시예에서 전원부(100), 조명부(200) 및 드라이버(300)는 도 1의 실시예와 동일하게 구성되고, 누설 전류 제어부(400)는 도 6의 실시예와 동일하게 구성된다.

도 11의 실시예는 도 8의 실시예와 비교하여 LED 광원(LED1)의 출력단이 드라이버(300)의 채널 단자(CH1)에 연결되는 것을 제외한 나머지 구성은 동일하므로 구성의 중복 설명은 생략한다.

도 11의 실시예는 드라이버(300)의 채널 단자(CH1)와 센싱 저항단(Ri) 간의 구동 전류 경로가 LED 광원(LED1)의 발광에 따른 구동 전류와 누설 전류 제어부(400)에서 제공되는 누설 전류의 흐름에 이용되는 점에서 도 8의 실시예와 차이점이 있다.

정류 전압 Vrec이 정상적으로 유지되는 경우와 조명등(200)의 구동 상태가 미리 설정된 누설 전류 차단 조건에 해당하는 경우의 캐패시터(C3)의 충전 전압의 변화는 도 12를 참조하여 이해할 수 있다.

도 12에서, 정류 전압 Vrec의 변화에 대응하여, 정류 회로(12)의 출력 전류(Irec), 조명부(200)의 입력 전류(Iled), 누설 전류 제어부(400)의 누설 전류 경로로 흐르는 전류(Ibld), 구동 전류(Id), 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가되는 전압(Vq3) 및 캐피시터(C3)의 충전 전압(Vc3)이 도시된다.

이상과 같이, 본 발명에 의하면 순차 발광하는 LED 광원들에 제공되는 정류 전압 또는 발광에 따라 출력되는 구동 전류가 턴오프 등에 의하여 미리 설정된 레벨 이하로 떨어지는 경우 누설 전류에 의한 약점등 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

즉, 본 발명은 발광 다이오드 조명 장치를 턴오프한 경우 희미하게 발광하는 것을 방지할 수 있어서 소광을 안정화할 수 있다.

그러므로, 본 발명은 약점등 현상을 해소에 의하여 잔광에 의한 빛 공해를 방지할 수 있고 불필요한 전력 손실을 줄일 수 있다.

또한, 본 발명은 조명등(200)의 구동 상태가 누설 전류 차단 조건에 해당하는경우에만 약점등 현상을 해소하기 위한 블리딩을 수행하므로 발광 다이오드 조명 장치의 전체적인 전력 효율을 개선할 수 있다.

Claims

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정류 전압의 변화에 대응하여 순차 발광하는 복수 개의 LED 광원을 포함하는 조명부;
상기 복수 개의 LED 광원의 상기 순차 발광을 위한 제1 구동 전류 경로와 누설 전류의 바이패스를 위한 제2 구동 전류 경로를 상기 정류 전압의 변화에 따라 선택적으로 제공하는 드라이버; 및
상기 조명부의 입력단에 병렬로 연결되며, 상기 조명부에 입력되는 상기 누설 전류를 상기 드라이버의 상기 제2 구동 전류 경로로 바이패스하는 누설 전류 경로를 선택적으로 제공하는 누설 전류 제어부;를 포함하며,
상기 조명부의 구동 상태가 미리 설정된 누설 전류 차단 조건에 해당하면, 상기 누설 전류 제어부가 상기 조명부의 입력단에 상기 누설 전류 경로를 제공하고, 상기 누설 전류는 상기 누설 전류 경로와 상기 제2 구동 전류 경로를 통하여 바이패스됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명 장치.
제6 항에 있어서, 상기 드라이버는,
상기 제1 구동 전류 경로와 상기 제2 구동 전류 경로는 동일한 출력단에 연결되며, 상기 출력단에서 출력되는 구동 전류를 센싱한 센싱 전압과 상기 복수 개의 LED 광원 별로 미리 설정된 내부의 기준 전압들을 비교함으로써 상기 LED 광원의 상기 순차 발광에 대응하는 위치에 상기 제1 구동 전류 경로를 제공하거나 상기 제2 구동 전류 경로를 제공하는 발광 다이오드 조명 장치.
제7 항에 있어서,
상기 드라이버는 상기 센싱 전압과 가장 낮은 레벨의 제1 기준 전압을 비교하여 상기 제2 구동 전류 경로를 제공하고, 상기 센싱 전압과 상기 제1 기준 전압보다 높은 레벨의 제2 기준 전압들을 비교하여 상기 제1 구동 전류 경로를 제공하며, 상기 제1 구동 전류 경로를 제공하는 상기 정류 전압보다 낮은 레벨의 상기 정류 전압에 대응하여 상기 제2 구동 전류 경로를 형성하는 발광 다이오드 조명 장치.
제6 항에 있어서,
상기 누설 전류 차단 조건은 미리 설정된 시간 이상 상기 정류 전압이 일정 전압 이하를 유지되는 경우로 결정되는 발광 다이오드 조명 장치.
제6 항에 있어서,
상기 누설 전류 제어부는 캐패시터를 포함하며, 상기 드라이버에서 출력되는 구동 전류의 양이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 상기 캐패시터의 충전 전압에 의해서 상기 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단하고 상기 누설 전류 경로를 형성하는 발광 다이오드 조명 장치.
제6 항에 있어서,
상기 누설 전류 제어부는 캐패시터를 포함하며, 상기 조명부에 인가되는 상기 정류 전압이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 상기 캐패시터의 충전 전압에 의해서 상기 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단하고 상기 누설 전류 경로를 형성하는 발광 다이오드 조명 장치.
정류 전압의 변화에 대응하여 순차 발광하는 복수 개의 LED 광원을 포함하는 조명부;
상기 복수 개의 LED 광원의 상기 순차 발광을 위한 구동 전류 경로를 상기 정류 전압의 변화에 따라 선택적으로 제공하는 드라이버; 및
상기 복수 개의 LED 광원 중 상기 순차 발광시 가장 먼저 발광하는 제1 LED 광원에 병렬로 연결되며, 상기 조명부에 입력되는 누설 전류를 상기 제1 LED 광원의 발광을 위한 상기 구동 전류 경로로 바이패스하는 누설 전류 경로를 선택적으로 제공하는 누설 전류 제어부;를 포함하며,
상기 조명부의 구동 상태가 미리 설정된 누설 전류 차단 조건에 해당하면, 상기 누설 전류 제어부가 상기 조명부의 입력단에 상기 누설 전류 경로를 제공하고, 상기 누설 전류는 상기 누설 전류 경로와 상기 제1 LED 광원을 위한 상기 구동 전류 경로를 통하여 바이패스됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명 장치.
제12 항에 있어서, 상기 드라이버는,
상기 구동 전류 경로에서 출력되는 구동 전류를 센싱한 센싱 전압과 상기 복수 개의 LED 광원 별로 미리 설정된 내부의 기준 전압들을 비교함으로써 상기 LED 광원의 상기 순차 발광에 대응하는 위치에 상기 구동 전류 경로를 제공함을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명 장치.
제12 항에 있어서,
상기 누설 전류 차단 조건은 미리 설정된 시간 이상 상기 정류 전압이 일정 전압 이하를 유지되는 경우로 결정되는 발광 다이오드 조명 장치.
제12 항에 있어서,
상기 누설 전류 제어부는 캐패시터를 포함하며, 상기 드라이버에서 출력되는 구동 전류의 양이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 상기 캐패시터의 충전 전압에 의해서 상기 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단하고 상기 누설 전류 경로를 형성하는 발광 다이오드 조명 장치.
제12 항에 있어서,
상기 누설 전류 제어부는 캐패시터를 포함하며, 상기 제1 LED 광원의 양단에 인가되는 전압이 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 레벨 이하를 유지하면 상기 캐패시터의 충전 전압에 의해서 상기 누설 전류 차단 조건에 해당하는 것으로 판단하고 상기 누설 전류 경로를 형성하는 발광 다이오드 조명 장치.