KR102630023B1 - delay interpolator - Google Patents

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KR102630023B1
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퀄컴 인코포레이티드
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
    • H03K5/131Digitally controlled
    • GPHYSICS
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    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 

Abstract

지연 보간기는 풀-업 디바이스들 ― 풀-업 디바이스들 각각은 공급 레일과 노드 사이에 커플링됨 ―, 및 풀-다운 디바이스들을 포함하고, 풀-다운 디바이스들 각각은 노드와 접지 사이에 커플링된다. 지연 보간기는 또한 풀-업 디바이스들에 커플링된 제1 제어 회로를 포함하며, 제1 제어 회로는 제1 신호를 수신하도록 구성된 제1 입력, 제1 신호에 대해 지연된 제2 신호를 수신하도록 구성된 제2 입력, 및 제1 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 갖는다. 지연 보간기는 풀-다운 디바이스들에 커플링된 제2 제어 회로를 더 포함하고, 제2 제어 회로는 제1 신호를 수신하도록 구성된 제1 입력, 제2 신호를 수신하도록 구성된 제2 입력, 및 제2 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 갖는다.The delay interpolator includes pull-up devices, each of which is coupled between a supply rail and a node, and pull-down devices, each of which is coupled between a node and ground. . The delay interpolator also includes a first control circuit coupled to the pull-up devices, the first control circuit comprising a first input configured to receive a first signal, and a second signal configured to receive a second signal delayed with respect to the first signal. It has a second input, and a control input configured to receive a first delay code. The delay interpolator further includes a second control circuit coupled to the pull-down devices, the second control circuit comprising a first input configured to receive the first signal, a second input configured to receive the second signal, and a second control circuit coupled to the pull-down devices. 2 has a control input configured to receive a delay code.

Description

지연 보간기delay interpolator

[0001] 본 특허 출원은, 2021년 10월 21일자로 미국 특허 상표청에 출원된 정규 계속 출원 번호 제17/506/902호, 및 2021년 4월 26일자로 미국 특허 상표청에 출원된 가특허 출원 번호 제17/240,926호에 대한 우선권 및 이익을 주장하며, 그 출원들의 전체 내용들은, 그들의 전체가 아래에서 완전히 기재된 것처럼 그리고 모든 적용가능한 목적들을 위해 본 명세서에 포함된다.[0001] This patent application is entitled Regular Continuing Application No. 17/506/902, filed with the U.S. Patent and Trademark Office on October 21, 2021, and U.S. Patent and Trademark Office No. Priority and benefit are claimed to Patent Application No. 17/240,926, the entire contents of which are incorporated herein by reference as if fully set forth in their entirety below and for all applicable purposes.

[0002] 본 개시내용의 양상들은 일반적으로 지연 회로들에 관한 것이고, 더 상세하게는 지연 보간기들에 관한 것이다. [0002] Aspects of the present disclosure relate generally to delay circuits, and more particularly to delay interpolators.

[0003] 지연 회로는 조정가능한(즉, 튜닝가능한) 지연만큼 신호를 지연시키는 데 사용될 수 있다. 조정가능한 지연은 예를 들어, 신호를 대응하는 양만큼 지연시킴으로써 다른 신호에 대해 신호의 타이밍을 조정하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 지연 회로는 데이터 신호의 전환들 사이에서 데이터 캡처에 사용되는 클록 신호의 에지들을 센터링(center)하기 위해 메모리 인터페이스에서 사용될 수 있다.[0003] A delay circuit may be used to delay a signal by an adjustable (i.e., tunable) delay. Adjustable delay can be used to adjust the timing of a signal relative to another signal, for example, by delaying the signal by a corresponding amount. For example, a delay circuit may be used in a memory interface to center the edges of a clock signal used for data capture between transitions of the data signal.

[0004] 아래에서는 하나 이상의 구현들의 기본적인 이해를 제공하기 위해 그러한 구현들의 간략화된 요약이 제시된다. 이러한 요약은 모든 고려된 구현들의 포괄적인 개요가 아니며, 모든 구현들의 핵심적인 또는 중요한 엘리먼트들을 식별하거나 임의의 또는 모든 구현들의 범위를 서술하도록 의도되지 않는다. 이러한 요약의 유일한 목적은, 이후에 제시되는 더 상세한 설명에 대한 서론으로서 간략화된 형태로 하나 이상의 구현들의 일부 개념들을 제시하는 것이다.[0004] A brief summary of one or more implementations is presented below to provide a basic understanding of such implementations. This summary is not a comprehensive overview of all considered implementations, and is not intended to identify key or important elements of all implementations or delineate the scope of any or all implementations. The sole purpose of this summary is to present some concepts of one or more implementations in a simplified form as a prelude to the more detailed description that is presented later.

[0005] 제1 양상은 지연 보간기에 관한 것이다. 지연 보간기는 풀-업 디바이스들 ― 풀-업 디바이스들 각각은 공급 레일과 노드 사이에 커플링됨 ―, 및 풀-다운 디바이스들을 포함하고, 풀-다운 디바이스들 각각은 노드와 접지 사이에 커플링된다. 지연 보간기는 또한 풀-업 디바이스들에 커플링된 제1 제어 회로를 포함하며, 제1 제어 회로는 제1 신호를 수신하도록 구성된 제1 입력, 제1 신호에 대해 지연된 제2 신호를 수신하도록 구성된 제2 입력, 및 제1 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 갖는다. 지연 보간기는 풀-다운 디바이스들에 커플링된 제2 제어 회로를 더 포함하고, 제2 제어 회로는 제1 신호를 수신하도록 구성된 제1 입력, 제2 신호를 수신하도록 구성된 제2 입력, 및 제2 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 갖는다.[0005] The first aspect relates to a delay interpolator. The delay interpolator includes pull-up devices, each of which is coupled between a supply rail and a node, and pull-down devices, each of which is coupled between a node and ground. . The delay interpolator also includes a first control circuit coupled to the pull-up devices, the first control circuit comprising a first input configured to receive a first signal, and a second signal configured to receive a second signal delayed with respect to the first signal. It has a second input, and a control input configured to receive a first delay code. The delay interpolator further includes a second control circuit coupled to the pull-down devices, the second control circuit comprising a first input configured to receive the first signal, a second input configured to receive the second signal, and a second control circuit coupled to the pull-down devices. 2 has a control input configured to receive a delay code.

[0006] 제2 양상은 지연 보간기를 동작시키는 방법에 관한 것이다. 지연 보간기는 공급 레일과 노드 사이에 커플링된 풀-업 디바이스들, 및 노드와 접지 사이에 커플링된 풀-다운 디바이스들을 포함한다. 방법은 제1 신호를 수신하는 단계, 제1 신호에 대해 지연된 제2 신호를 수신하는 단계, 제1 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-업 디바이스들에 제1 신호를 입력하는 단계, 풀-업 디바이스들 중의 나머지 풀-업 디바이스들에 제2 신호를 입력하는 단계, 제2 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-다운 디바이스들에 제1 신호를 입력하는 단계, 및 풀-다운 디바이스들 중의 나머지 풀-다운 디바이스들에 제2 신호를 입력하는 단계를 포함한다.[0006] A second aspect relates to a method of operating a delay interpolator. The delay interpolator includes pull-up devices coupled between the supply rail and the node, and pull-down devices coupled between the node and ground. The method includes receiving a first signal, receiving a second signal delayed with respect to the first signal, inputting the first signal to a programmable number of pull-up devices based on the first delay code, - inputting a second signal to the remaining pull-up devices among the up devices, inputting a first signal to a programmable number of pull-down devices based on the second delay code, and the pull-down device and inputting a second signal to the remaining pull-down devices.

[0007] 제3 양상은 시스템에 관한 것이다. 시스템은 입력, 제1 출력, 및 제2 출력을 갖는 지연 회로를 포함한다. 시스템은 또한 지연 보간기를 포함한다. 지연 보간기는 풀-업 디바이스들 ― 풀-업 디바이스들 각각은 공급 레일과 노드 사이에 커플링됨 ―, 및 풀-다운 디바이스들을 포함하고, 풀-다운 디바이스들 각각은 노드와 접지 사이에 커플링된다. 지연 보간기는 또한 풀-업 디바이스들에 커플링된 제1 제어 회로를 포함하고, 제1 제어 회로는, 지연 회로의 제1 출력에 커플링된 제1 입력, 지연 회로의 제2 출력에 커플링된 제2 입력, 및 제1 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 갖는다. 지연 보간기는 또한 풀-다운 디바이스들에 커플링된 제2 제어 회로를 포함하고, 제2 제어 회로는, 지연 회로의 제1 출력에 커플링된 제1 입력, 지연 회로의 제2 출력에 커플링된 제2 입력, 및 제2 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 갖는다.[0007] The third aspect relates to systems. The system includes a delay circuit having an input, a first output, and a second output. The system also includes a delay interpolator. The delay interpolator includes pull-up devices, each of which is coupled between a supply rail and a node, and pull-down devices, each of which is coupled between a node and ground. . The delay interpolator also includes a first control circuit coupled to the pull-up devices, the first control circuit having a first input coupled to a first output of the delay circuit and a second output of the delay circuit. and a control input configured to receive a first delay code. The delay interpolator also includes a second control circuit coupled to the pull-down devices, the second control circuit comprising: a first input coupled to a first output of the delay circuit, a second output coupled to the delay circuit and a control input configured to receive a second delay code.

[0008] 도 1은 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 지연 회로의 예를 도시한다.
[0009] 도 2는 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 코오스(coarse) 지연 회로의 예시적인 구현을 도시한다.
[0010] 도 3은 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 코오스 지연 회로 내의 지연 디바이스의 예시적인 구현을 도시한다.
[0011] 도 4는 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 미세 지연 회로의 예시적인 구현을 도시한다.
[0012] 도 5는 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 미세 지연 회로 내의 지연 디바이스의 예시적인 구현을 도시한다.
[0013] 도 6은 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 지연 보간기를 포함하는 지연 회로의 예를 도시한다.
[0014] 도 7은 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 2개의 지연된 신호들을 출력하도록 구성된 코오스 지연 회로의 예시적인 구현을 도시한다.
[0015] 도 8은 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 지연 보간기의 예시적인 구현을 도시한다.
[0016] 도 9는 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 제1 제어 회로 및 제2 제어 회로의 예시적인 구현을 도시한다.
[0017] 도 10은 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 제1 제어 회로 및 제2 제어 회로 내의 제어 디바이스들의 예시적인 구현을 도시한다.
[0018] 도 11은 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 상이한 지연 세팅들에 대한 예시적인 파형들을 도시하는 플롯이다.
[0019] 도 12는 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 출력 버퍼의 예시적인 구현을 도시한다.
[0020] 도 13은 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 출력 버퍼 내의 스위치들의 예시적인 구현을 도시한다.
[0021] 도 14는 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 코오스 지연 회로의 다른 예시적인 구현을 도시한다.
[0022] 도 15는 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 지연 회로를 포함하는 데이터 인터페이스의 예를 도시한다.
[0023] 도 16은 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 지연 보간기를 동작시키는 방법을 예시하는 흐름도이다.
[0008] Figure 1 illustrates an example of a delay circuit in accordance with certain aspects of the disclosure.
[0009] Figure 2 shows an example implementation of a coarse delay circuit in accordance with certain aspects of the present disclosure.
[0010] Figure 3 shows an example implementation of a delay device in a coarse delay circuit in accordance with certain aspects of the present disclosure.
[0011] Figure 4 shows an example implementation of a fine delay circuit in accordance with certain aspects of the present disclosure.
[0012] Figure 5 shows an example implementation of a delay device within a fine delay circuit in accordance with certain aspects of the disclosure.
[0013] Figure 6 shows an example of a delay circuit including a delay interpolator in accordance with certain aspects of the present disclosure.
[0014] Figure 7 shows an example implementation of a coarse delay circuit configured to output two delayed signals in accordance with certain aspects of the present disclosure.
[0015] Figure 8 illustrates an example implementation of a delay interpolator in accordance with certain aspects of the present disclosure.
[0016] Figure 9 shows an example implementation of a first control circuit and a second control circuit in accordance with certain aspects of the present disclosure.
[0017] Figure 10 shows an example implementation of control devices within a first control circuit and a second control circuit in accordance with certain aspects of the disclosure.
[0018] Figure 11 is a plot showing example waveforms for different delay settings in accordance with certain aspects of the present disclosure.
[0019] Figure 12 illustrates an example implementation of an output buffer in accordance with certain aspects of the disclosure.
[0020] Figure 13 shows an example implementation of switches in an output buffer in accordance with certain aspects of the present disclosure.
[0021] Figure 14 shows another example implementation of a coarse delay circuit in accordance with certain aspects of the present disclosure.
[0022] Figure 15 illustrates an example of a data interface including a delay circuit in accordance with certain aspects of the present disclosure.
[0023] Figure 16 is a flow diagram illustrating a method of operating a delay interpolator in accordance with certain aspects of the present disclosure.

[0024] 첨부된 도면들과 관련하여 아래에 기재된 상세한 설명은 다양한 구성들의 설명으로서 의도되며, 본원에서 설명된 개념들이 실시될 수 있는 유일한 구성들을 나타내도록 의도되지 않는다. 상세한 설명은 다양한 개념들의 완전한 이해를 제공할 목적으로 특정 세부사항들을 포함한다. 그러나, 이런 개념들이 이런 특정 세부사항들 없이도 실시될 수 있다는 것이 당업자들에게는 자명할 것이다. 일부 예시들에서, 잘 알려진 구조들 및 컴포넌트들은 그러한 개념들을 불명료하게 하는 것을 회피하기 위해 블록 다이어그램 형태로 도시된다. [0024] The detailed description set forth below in conjunction with the accompanying drawings is intended as a description of various configurations and is not intended to represent the only configurations in which the concepts described herein may be practiced. The detailed description includes specific details for the purpose of providing a thorough understanding of various concepts. However, it will be apparent to those skilled in the art that these concepts may be practiced without these specific details. In some instances, well-known structures and components are shown in block diagram form to avoid obscuring such concepts.

[0025] 도 1은 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 지연 회로(110)의 예를 도시한다. 지연 회로(110)는 입력(112)에서 신호를 수신하고, 조정가능한(즉, 튜닝가능한) 지연만큼 신호를 지연시키고, 그리고 출력(114)에서 지연된 신호를 출력하도록 구성된다. 신호는 클록 신호, 데이터 신호, 또는 다른 타입의 신호일 수 있다. 이러한 예에서, 지연 회로(110)의 지연은 아래에서 더 논의되는 바와 같이, 지연 제어 회로(150)에 의해 세팅된다. [0025] Figure 1 shows an example of a delay circuit 110 in accordance with certain aspects of the present disclosure. Delay circuit 110 is configured to receive a signal at input 112, delay the signal by an adjustable (i.e., tunable) delay, and output the delayed signal at output 114. The signal may be a clock signal, a data signal, or another type of signal. In this example, the delay of delay circuit 110 is set by delay control circuit 150, as discussed further below.

[0026] 지연 회로(110)는 코오스 지연 회로(120) 및 미세 지연 회로(130)를 포함한다. 코오스 지연 회로(120)는, 지연 회로(110)의 입력(112)에 커플링된 입력(122), 및 출력(124)를 갖는다. 미세 지연 회로(130)는 코오스 지연 회로(120)의 지연의 출력(124)에 커플링된 입력(132), 및 지연 회로(110)의 출력(114)에 커플링된 출력(134)을 갖는다. 이러한 예에서, 지연 회로(110)의 지연은 코오스 지연 회로(120)의 지연과 미세 지연 회로(130)의 지연의 합과 대략 동일하다.[0026] The delay circuit 110 includes a coarse delay circuit 120 and a fine delay circuit 130. Coarse delay circuit 120 has an input 122 coupled to input 112 of delay circuit 110, and an output 124. The fine delay circuit 130 has an input 132 coupled to the output 124 of the delay of the coarse delay circuit 120, and an output 134 coupled to the output 114 of the delay circuit 110. . In this example, the delay of delay circuit 110 is approximately equal to the sum of the delays of coarse delay circuit 120 and the delay of fine delay circuit 130.

[0027] 코오스 지연 회로(120)는 지연 회로(110)의 지연의 코오스 조정들을 제공하도록 구성되고, 그리고 미세 지연 회로(130)는 지연 회로(110)의 지연의 미세 조정들을 제공하도록 구성된다. 보다 구체적으로, 코오스 지연 회로(120)는 지연 제어 회로(150)가 지연 회로(110)의 지연을 코오스 지연 스텝들로 조정할 수 있게 하고, 그리고 미세 지연 회로(130)는 지연 제어 회로(150)가 지연 회로(110)의 지연을 코오스 지연 스텝들 사이의 미세 지연 스텝들로 조정할 수 있게 한다. 이러한 예에서, 하나의 미세 지연 스텝은 다음과 같이 주어질 수 있다: [0027] The coarse delay circuit 120 is configured to provide coarse adjustments of the delay of the delay circuit 110, and the fine delay circuit 130 is configured to provide fine adjustments of the delay of the delay circuit 110. More specifically, coarse delay circuit 120 allows delay control circuit 150 to adjust the delay of delay circuit 110 in coarse delay steps, and fine delay circuit 130 allows delay control circuit 150 Allows the delay of the delay circuit 110 to be adjusted into fine delay steps between coarse delay steps. In this example, one fine delay step can be given by:

(1) (One)

여기서 는 미세 지연 스텝이고, 는 코오스 지연 스텝이고, 그리고 R은 하나의 미세 지연 스텝에 대한 하나의 코오스 지연 스텝의 비율이며, 여기서 R은 1보다 크다. 특정 양상들에서, 지연 제어 회로(150)는 지연 코드를 수신하고, 그에 따라 코오스 지연 회로(120)의 지연 및/또는 미세 지연 회로(130)의 지연을 조정함으로써, 수신된 지연 코드에 기반하여 지연 회로(110)의 지연을 조정한다. here is the fine delay step, is the coarse delay step, and R is the ratio of one coarse delay step to one fine delay step, where R is greater than 1. In certain aspects, delay control circuit 150 receives a delay code and adjusts the delay of coarse delay circuit 120 and/or the delay of fine delay circuit 130 accordingly, based on the received delay code. Adjust the delay of the delay circuit 110.

[0028] 특정 양상들에서, 코오스 지연 회로(120)는 다수의 지연 디바이스들을 포함하며, 지연 디바이스들 중 하나 이상이 (예컨대, 스위치들, 로직 게이트들, 및/또는 하나 이상의 멀티플렉서들을 사용하여) 지연 제어 회로(150)의 제어 하의 코오스 지연 회로(120)의 지연 경로 내에 선택적으로 배치될 수 있다. 지연 경로는 코오스 지연 회로(120)의 입력(122)과 출력(124) 사이에 커플링된다. 이들 양상들에서, 지연 제어 회로(150)는 지연 경로 내의 지연 디바이스들의 수를 제어함으로써 코오스 지연 회로(120)의 지연을 조정한다. 지연 경로 내에 지연 디바이스들의 수가 더 많을 수록, 지연이 더 길어진다. 이러한 예에서, 지연 디바이스들 각각은 하나의 코오스 지연 스텝과 대략 동일한 지연을 가질 수 있다. 지연 디바이스들 각각은 또한 지연 스테이지, 지연 유닛, 또는 다른 용어로 지칭될 수 있다. [0028] In certain aspects, coarse delay circuit 120 includes multiple delay devices, one or more of the delay devices (e.g., using switches, logic gates, and/or one or more multiplexers) It may be selectively placed within the delay path of the coarse delay circuit 120 under the control of the delay control circuit 150. The delay path is coupled between input 122 and output 124 of coarse delay circuit 120. In these aspects, delay control circuit 150 adjusts the delay of coarse delay circuit 120 by controlling the number of delay devices in the delay path. The greater the number of delay devices in the delay path, the longer the delay. In this example, each of the delay devices may have a delay approximately equal to one coarse delay step. Each of the delay devices may also be referred to as a delay stage, delay unit, or other terminology.

[0029] 도 2는 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 코오스 지연 회로(120)의 예시적인 구현을 도시한다. 이러한 예에서, 코오스 지연 회로(120)는 트롬본(trombone) 구성으로 배열된 다수의 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N)을 포함한다. 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N) 각각은 개개의 제1 입력(212-1 내지 212-N)("fin"으로 라벨링됨), 개개의 제1 출력(214-1 내지 214-N)("fout"으로 라벨링됨), 개개의 제2 입력(216-1 내지 216-N)("rin"으로 라벨링됨), 및 개개의 제2 출력(218-1 내지 218-N)("rout"으로 라벨링됨)을 갖는다. [0029] Figure 2 shows an example implementation of a coarse delay circuit 120 in accordance with certain aspects of the present disclosure. In this example, coarse delay circuit 120 includes multiple delay devices 210-1 through 210-N arranged in a trombone configuration. Each of the delay devices 210-1 through 210-N has a respective first input 212-1 through 212-N (labeled “f in ”), a respective first output 214-1 through 214- N) (labeled “f out ”), respective second inputs 216-1 through 216-N (labeled “r in ”), and respective second outputs 218-1 through 218-N. ) (labeled "r out ").

[0030] 이러한 예에서, 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N)은 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N)의 제1 입력들(212-1 내지 212-N) 및 제1 출력들(214-1 내지 214-N)을 사용하여 순방향 경로(230)를 따라 커플링된다. 지연되는 신호는 코오스 지연 회로(120)의 입력(122)에서 수신되고 방향(240)으로(즉, 도 2에서 왼쪽에서 오른쪽으로) 순방향 경로(230)를 따라 전파된다. 이러한 예에서, 지연 디바이스(210-1)의 제1 입력(212-1)은 코오스 지연 회로(120)의 입력(122)에 커플링된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 지연 디바이스들(210-1 내지 210-(N-1)) 각각의 제1 출력(214-1 내지 214-(N-1))은 순방향(240)으로 다음 지연 디바이스(210-2 내지 210-N)의 제1 입력(212-2 내지 212-N)에 커플링된다. 이러한 예에서, 지연 디바이스(210-N)의 제1 출력(214-N)은 지연 디바이스(210-N)의 제2 입력(216-N)에 커플링될 수 있다. [0030] In this example, the delay devices 210-1 through 210-N have first inputs 212-1 through 212-N and first outputs of the delay devices 210-1 through 210-N. Coupled along forward path 230 using fields 214-1 through 214-N. The delayed signal is received at input 122 of coarse delay circuit 120 and propagates along forward path 230 in direction 240 (i.e., left to right in Figure 2). In this example, first input 212-1 of delay device 210-1 is coupled to input 122 of coarse delay circuit 120. As shown in Figure 2, the first output (214-1 to 214-(N-1)) of each of the delay devices (210-1 to 210-(N-1)) is the next delay in the forward direction (240). Coupled to first inputs 212-2 through 212-N of devices 210-2 through 210-N. In this example, the first output 214-N of delay device 210-N may be coupled to the second input 216-N of delay device 210-N.

[0031] 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N)은 또한 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N)의 제2 입력들(216-1 내지 216-N) 및 제2 출력들(218-1 내지 218-N)을 사용하여 복귀 경로(235)를 따라 커플링된다. 지연되는 신호는 복귀 경로(235)를 따라 방향(245)로(즉, 도 2에서 오른쪽에서 왼쪽으로) 전파되고, 코오스 지연 회로(120)의 출력(124)에서 출력된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 이러한 예에서, 지연 디바이스들(210-2 내지 210-N) 각각의 제2 출력(218-2 내지 218-N)은 복귀 방향(245)으로 다음 지연 디바이스(210-1 내지 210-(N-1))의 제2 입력(216-1 내지 216-(N-1))에 커플링된다. 지연 디바이스(210-1)의 제2 출력(218-1)은 코오스 지연 회로(120)의 출력(124)에 커플링된다.[0031] The delay devices 210-1 to 210-N also have second inputs 216-1 to 216-N and second outputs 218 of the delay devices 210-1 to 210-N. -1 to 218-N) are coupled along the return path 235. The delayed signal propagates in direction 245 (i.e., from right to left in FIG. 2) along return path 235 and is output at output 124 of coarse delay circuit 120. As shown in FIG. 2 , in this example, the second output 218-2 through 218-N of each of the delay devices 210-2 through 210-N is connected to the next delay device 210 in the return direction 245. -1 to 210-(N-1)) are coupled to the second inputs (216-1 to 216-(N-1)). The second output 218-1 of delay device 210-1 is coupled to the output 124 of coarse delay circuit 120.

[0032] 이러한 예에서, 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N) 각각은 지연 제어 회로(150)에 의해 선택적으로 인에이블되거나 디스에이블될 수 있다. 인에이블되면, 지연 디바이스는 지연 제어 회로(150)에 의해 제1 모드 또는 제2 모드로 동작하도록 구성될 수 있다. 제1 모드에서, 지연 디바이스는 순방향(240)으로 개개의 제1 입력(212-1 내지 212-N)으로부터 개개의 제1 출력(214-1 내지 214-N)으로 지연되는 신호를 전달하고, 복귀 방향(245)으로 개개의 제2 입력(216-1 내지 216-N)으로부터 개개의 제2 출력(218-1 내지 218-N)으로 지연되는 신호를 전달한다. 제2 모드에서, 지연 디바이스는 개개의 제1 입력(212-1 내지 212-N)으로부터 개개의 제2 출력(218-1 내지 218-N)으로 지연되는 신호를 전달한다. 따라서, 제2 모드에서, 지연 디바이스는 순방향 경로(230)로부터 복귀 경로(235)로 신호를 라우팅한다. 이 경우, 신호는 순방향(240)으로 제2 모드에서 동작하는 지연 디바이스 뒤에 위치된 지연 디바이스들(즉, 도 2에서 제2 모드에서 동작하는 지연 디바이스의 오른쪽에 위치된 지연 디바이스들)을 통해 전파되지 않는다.[0032] In this example, each of the delay devices 210-1 through 210-N may be selectively enabled or disabled by the delay control circuit 150. When enabled, the delay device may be configured by delay control circuit 150 to operate in either the first mode or the second mode. In the first mode, the delay device passes the delayed signal from the respective first inputs (212-1 to 212-N) to the respective first outputs (214-1 to 214-N) in the forward direction (240), A delayed signal is transmitted from each second input (216-1 to 216-N) to each second output (218-1 to 218-N) in the return direction 245. In the second mode, the delay device transfers the delayed signal from the respective first inputs 212-1 to 212-N to the respective second outputs 218-1 to 218-N. Accordingly, in the second mode, the delay device routes the signal from the forward path 230 to the return path 235. In this case, the signal propagates in the forward direction 240 through delay devices located behind the delay device operating in the second mode (i.e., delay devices located to the right of the delay device operating in the second mode in Figure 2). It doesn't work.

[0033] 이러한 예에서, 지연 제어 회로(150)는 순방향 경로(230)로부터 복귀 경로(235)로 신호를 라우팅하는 데 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N) 중 어느 것이 사용되는지를 제어함(즉, 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N) 중 어느 것이 제2 모드에서 동작하는지 제어함)으로써 코오스 지연 회로(120)의 지연을 제어한다. 이러한 예에서, 지연 제어 회로(150)는 순방향 경로(230)로부터 복귀 경로(235)로 신호를 라우팅하기 위해 순방향 경로(230) 아래에 더 멀리 있는 지연 디바이스를 선택함으로써 코오스 지연 회로(120)의 지연을 증가시킨다. 이는 신호가 더 많은 수의 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N)을 통해 전파되게함으로써 코오스 지연 회로(120)의 지연을 증가시킨다. 이러한 예에서, 지연 제어 회로(150)는 제2 모드에서 순방향 경로(230)로부터 복귀 경로(235)로 신호를 라우팅하는 데 사용되는 지연 디바이스를 동작시키고, 제1 모드에서 선행 지연 디바이스들(즉, 도 2에서, 제2 모드에서 동작하는 지연 디바이스의 왼쪽에 위치된 지연 디바이스들)을 동작시킨다. 이러한 예에서, 하나의 코오스 지연 스텝은 순방향(240)으로의 하나의 지연 디바이스를 통한 지연과 복귀 방향(245)으로의 하나의 지연 디바이스를 통한 지연의 합과 동일할 수 있다. [0033] In this example, delay control circuit 150 controls which of delay devices 210-1 through 210-N are used to route the signal from forward path 230 to return path 235. The delay of the coarse delay circuit 120 is controlled by controlling which of the delay devices 210-1 to 210-N operates in the second mode. In this example, delay control circuit 150 modifies the coarse delay circuit 120 by selecting a delay device farther down the forward path 230 to route the signal from forward path 230 to return path 235. Increases delay. This increases the delay of coarse delay circuit 120 by causing the signal to propagate through a greater number of delay devices 210-1 through 210-N. In this example, the delay control circuit 150 operates the delay devices used to route the signal from the forward path 230 to the return path 235 in a second mode and the leading delay devices (i.e. , in FIG. 2, delay devices located to the left of the delay device operating in the second mode). In this example, one coarse delay step may be equal to the sum of the delay over one delay device in the forward direction 240 and the delay over one delay device in the return direction 245.

[0034] 지연 제어 회로(150)와 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N) 사이의 개별 연결들은 도 2에 명시적으로 도시되지 않는다는 것이 주목된다. [0034] It is noted that the individual connections between delay control circuit 150 and delay devices 210-1 through 210-N are not explicitly shown in FIG. 2.

[0035] 도 3은 특정 양상들에 따른, 트롬본 구성에서 사용될 수 있는 지연 디바이스(310)의 예시적인 구현을 도시한다. 지연 디바이스(310)는 도 2에 도시된 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N) 각각을 구현하는 데 사용될 수 있다(예컨대, 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N) 각각은 도 3의 지연 디바이스(310)의 별개의 인스턴스일 수 있다). 이러한 예에서, 지연 디바이스(310)는 제1 입력(312), 제1 출력(314), 제2 입력(316), 및 제2 출력(318)을 갖는다. 지연 디바이스(310)는 제1 지연 버퍼(320), 제2 지연 버퍼(330), 및 제3 지연 버퍼(340)를 포함한다. 제1 지연 버퍼(320)는 제1 입력(312)에 커플링된 입력(322) 및 제1 출력(314)에 커플링된 출력(324)을 갖는다. 제2 지연 버퍼(330)는 제2 입력(316)에 커플링된 입력(332), 및 제2 출력(318)에 커플링된 출력(334)을 갖는다. 제3 지연 버퍼(340)는 제1 지연 버퍼(320)의 출력(324)에 커플링된 입력(342), 및 제2 지연 버퍼(330)의 입력(332)에 커플링된 출력(344)을 갖는다. [0035] Figure 3 shows an example implementation of a delay device 310 that may be used in a trombone configuration, in accordance with certain aspects. Delay device 310 may be used to implement each of the delay devices 210-1 through 210-N shown in FIG. 2 (e.g., each of the delay devices 210-1 through 210-N in FIG. 3 may be a separate instance of the delay device 310). In this example, delay device 310 has a first input 312, a first output 314, a second input 316, and a second output 318. The delay device 310 includes a first delay buffer 320, a second delay buffer 330, and a third delay buffer 340. First delay buffer 320 has an input 322 coupled to a first input 312 and an output 324 coupled to a first output 314 . The second delay buffer 330 has an input 332 coupled to a second input 316 and an output 334 coupled to a second output 318. The third delay buffer 340 has an input 342 coupled to the output 324 of the first delay buffer 320, and an output 344 coupled to the input 332 of the second delay buffer 330. has

[0036] 이러한 예에서, 지연 제어 회로(150)는 제어 라인(350)을 통해 제1 지연 버퍼(320) 및 제2 지연 버퍼(330)를 선택적으로 인에이블 또는 디스에이블하고, 그리고 제어 라인(355)을 통해 제3 지연 버퍼(340)를 선택적으로 인에이블 또는 디스에이블한다. 이러한 예에서, 지연 버퍼들(320, 330, 및 340) 각각은, 지연 제어 회로(150)에 의해 인에이블될 때 개개의 지연만큼 신호를 지연시키고, 그리고 지연 제어 회로(150)에 의해 디스에이블될 때 신호를 차단하도록 구성될 수 있다. 지연 버퍼들(320, 330, 및 340) 각각은 3-상(tri-state) 인버터, NAND 게이트, 또는 다른 타입의 지연 버퍼로 구현될 수 있다. [0036] In this example, delay control circuit 150 selectively enables or disables first delay buffer 320 and second delay buffer 330 via control line 350, and control line ( The third delay buffer 340 is selectively enabled or disabled through 355). In this example, delay buffers 320, 330, and 340 each delay the signal by a respective delay when enabled by delay control circuit 150, and when disabled by delay control circuit 150. It can be configured to block the signal when Each of delay buffers 320, 330, and 340 may be implemented as a tri-state inverter, NAND gate, or other type of delay buffer.

[0037] 이러한 예에서, 지연 제어 회로(150)는 지연 버퍼들(320, 330 및 340)을 디스에이블함으로써 지연 디바이스(310)를 디스에이블할 수 있다. 지연 제어 회로(150)는, 제1 지연 버퍼(320) 및 제2 지연 버퍼(330)를 인에이블하고 제3 지연 버퍼(340)를 디스에이블함으로써 지연 디바이스(310)를 제1 모드에서 동작시킬 수 있다. 제1 모드에서, 제1 지연 버퍼(320)는 순방향 경로(230) 상의 제1 입력(312)에서 수신된 신호를 지연시키고, 지연된 신호를 제1 출력(314)에서 출력한다. 제2 지연 버퍼(330)는 복귀 경로(235) 상의 제2 입력(316)에서 수신된 신호를 지연시키고, 지연된 신호를 제2 출력(318)에서 출력한다. 따라서, 제1 모드에서, 제1 지연 버퍼(320)는 순방향 경로(230) 상에서 신호를 지연시키고, 제2 지연 버퍼(330)는 복귀 경로(235) 상에서 신호를 지연시킨다.[0037] In this example, delay control circuit 150 may disable delay device 310 by disabling delay buffers 320, 330, and 340. Delay control circuit 150 may operate delay device 310 in a first mode by enabling first delay buffer 320 and second delay buffer 330 and disabling third delay buffer 340. You can. In the first mode, first delay buffer 320 delays a signal received at first input 312 on forward path 230 and outputs the delayed signal at first output 314. The second delay buffer 330 delays the signal received at the second input 316 on the return path 235 and outputs the delayed signal at the second output 318. Accordingly, in the first mode, the first delay buffer 320 delays the signal on the forward path 230 and the second delay buffer 330 delays the signal on the return path 235.

[0038] 지연 제어 회로(150)는, 제1 지연 버퍼(320), 제2 지연 버퍼(330), 및 제3 지연 버퍼(340)를 인에이블함으로써 지연 디바이스(310)를 제2 모드에서 동작시킬 수 있다. 제2 모드에서, 제3 지연 버퍼(340)는 순방향 경로(230) 상의 제1 지연 버퍼(320)의 출력(324)에서의 신호를 복귀 경로(235) 상의 제2 지연 버퍼(330)의 입력(332)으로 전달한다. 따라서, 제2 모드에서, 지연 디바이스(310)는 제3 지연 버퍼(340)를 통해 순방향 경로(230)로부터 복귀 경로(235)로 신호를 라우팅한다.[0038] The delay control circuit 150 operates the delay device 310 in a second mode by enabling the first delay buffer 320, the second delay buffer 330, and the third delay buffer 340. You can do it. In the second mode, the third delay buffer 340 transfers the signal at the output 324 of the first delay buffer 320 on the forward path 230 to the input of the second delay buffer 330 on the return path 235. Forward to (332). Accordingly, in the second mode, delay device 310 routes the signal from forward path 230 to return path 235 through third delay buffer 340.

[0039] 도 4는 본 개시내용의 양상들에 따른, 미세 지연 회로(130)의 예시적인 구현을 도시한다. 이러한 예에서, 미세 지연 회로(130)는 직렬로 커플링되어 지연 라인(즉, 지연 체인)을 형성하는 다수의 지연 디바이스들(410-1 내지 410-M)을 포함한다. 그 결과, 미세 지연 회로(130)의 지연은 지연 디바이스들(410-1 내지 410-M)의 지연들의 합과 대략 동일하다. [0039] Figure 4 shows an example implementation of a fine delay circuit 130, in accordance with aspects of the present disclosure. In this example, the fine delay circuit 130 includes a number of delay devices 410-1 through 410-M coupled in series to form a delay line (i.e., a delay chain). As a result, the delay of the fine delay circuit 130 is approximately equal to the sum of the delays of the delay devices 410-1 to 410-M.

[0040] 지연 디바이스들(410-1 내지 410-M) 각각은 ("in"으로 라벨링된) 개개의 입력(412-1 내지 412-M), 및 ("out"으로 라벨링된) 개개의 출력(414-1 내지 414-M)을 갖는다. [0040] Delay devices 410-1 through 410-M each have a respective input 412-1 through 412-M (labeled “in”) and a respective output (labeled “out”) (414-1 to 414-M).

지연 디바이스(410-1)의 입력(412-1)은 미세 지연 회로(130)의 입력(132)에 커플링되고, 지연 디바이스(410-M)의 출력(414-M)은 미세 지연 회로(130)의 출력(134)에 커플링된다. 지연 디바이스들(410-1 내지 410-(N-1)) 각각의 출력(414-1 내지 414-(N-1))은 지연 라인에서 다음 지연 디바이스(410-2 내지 410-N)의 입력(412-2 내지 412-N)에 커플링된다. Input 412-1 of delay device 410-1 is coupled to input 132 of fine delay circuit 130, and output 414-M of delay device 410-M is coupled to fine delay circuit ( It is coupled to the output 134 of 130). The output (414-1 to 414-(N-1)) of each of the delay devices (410-1 to 410-(N-1)) is the input of the next delay device (410-2 to 410-N) in the delay line. Coupled to (412-2 to 412-N).

[0041] 특정 양상들에서, 지연 제어 회로(150)는 지연 디바이스들(410-1 내지 410-M) 각각의 지연을 조정함으로써 미세 지연 회로(130)의 지연을 제어한다. 예를 들어, 지연 디바이스들(410-1 내지 410-M) 각각은 가변 용량성 부하를 포함할 수 있으며, 여기서 지연 제어 회로(150)는 개개의 용량성 부하를 조정함으로써 각각의 지연 디바이스(410-1 내지 410-M)의 지연을 조정한다. 이러한 예에서, 지연 디바이스의 용량성 부하가 더 클수록, 지연 디바이스의 지연은 더 길어진다. [0041] In certain aspects, the delay control circuit 150 controls the delay of the fine delay circuit 130 by adjusting the delay of each of the delay devices 410-1 through 410-M. For example, each of delay devices 410-1 through 410-M may include a variable capacitive load, where delay control circuit 150 controls each delay device 410 by adjusting the individual capacitive load. Adjust the delay from -1 to 410-M). In this example, the larger the capacitive load of the delay device, the longer the delay of the delay device.

[0042] 도 5는 특정 양상들에 따른, 미세 지연 회로(130)에서 사용될 수 있는 지연 디바이스(510)의 예시적인 구현을 도시한다. 지연 디바이스(510)는 도 4에 도시된 지연 디바이스들(410-1 내지 410-M) 각각을 구현하는 데 사용될 수 있다(예컨대, 지연 디바이스들(410-1 내지 410-M) 각각은 도 5의 지연 디바이스(510)의 별개의 인스턴스일 수 있다). 이러한 예에서, 지연 디바이스(510)는 입력(512) 및 출력(514)을 가진다. 지연 디바이스(510)는 지연 버퍼(520) 및 가변 커패시터(530)를 포함한다. 지연 버퍼(520)는 지연 디바이스(510)의 입력(512)에 커플링된 입력(522), 및 지연 디바이스(510)의 출력(514)에 커플링된 출력(524)을 갖는다. 지연 버퍼(520)는 인버터 또는 다른 타입의 지연 버퍼로 구현될 수 있다. [0042] FIG. 5 shows an example implementation of a delay device 510 that may be used in the fine delay circuit 130, in accordance with certain aspects. Delay device 510 may be used to implement each of the delay devices 410-1 through 410-M shown in FIG. 4 (e.g., each of the delay devices 410-1 through 410-M shown in FIG. 5 may be a separate instance of the delay device 510). In this example, delay device 510 has an input 512 and an output 514. Delay device 510 includes a delay buffer 520 and a variable capacitor 530. Delay buffer 520 has an input 522 coupled to input 512 of delay device 510 and an output 524 coupled to output 514 of delay device 510 . Delay buffer 520 may be implemented as an inverter or another type of delay buffer.

[0043] 가변 커패시터(530)는 버퍼(520)의 출력(524)에 커플링된다. 이러한 예에서, 가변 커패시터(530)는 지연 제어 회로(150)에 의해 제어되는 조정가능한(즉, 튜닝가능한) 커패시턴스를 갖는다. 이는 지연 제어 회로(150)가 가변 커패시터(530)의 커패시턴스를 조정함으로써 지연 버퍼(520)의 출력(524)에서 용량성 부하(그리고, 따라서 지연 디바이스(510)의 지연)를 조정할 수 있게 한다. 커패시터(530)의 커패시턴스가 더 클수록, 용량성 부하가 더 크고, 따라서 지연 디바이스(510)의 지연이 더 길어진다. [0043] The variable capacitor 530 is coupled to the output 524 of the buffer 520. In this example, variable capacitor 530 has an adjustable (i.e., tunable) capacitance that is controlled by delay control circuit 150. This allows delay control circuit 150 to adjust the capacitive load at the output 524 of delay buffer 520 (and therefore the delay of delay device 510) by adjusting the capacitance of variable capacitor 530. The larger the capacitance of capacitor 530, the larger the capacitive load and therefore the longer the delay of delay device 510.

[0044] 이러한 예에서, 코오스 지연 및 미세 지연은 상이한 회로 지연 기법들을 사용하여 조정된다. 지연 제어 회로(150)는, 코오스 지연 회로(120)의 지연 경로에서 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N)의 수를 조정함으로써 코오스 지연 회로(120)의 지연을 조정하고, 그리고 지연 디바이스들(410-1 내지 410-M)의 용량성 부하들을 조정함으로써 미세 지연 회로(130)의 지연을 조정한다. 코오스 지연 조정들 및 미세 지연 조정들에 대해 상이한 회로 지연 기법들이 사용되기 때문에, PVT(process voltage temperature) 변동들로 인한, 하나의 코오스 지연 스텝에서의 변화들과 하나의 미세 지연 스텝에서의 변화들 사이에는 어떤 상관도 없다. 결과적으로, 하나의 코오스 지연 스텝과 하나의 미세 지연 스텝의 비율이 잘 제어되지 않을 수 있으며, 이는 미세 지연으로부터 코오스 지연으로 전환할 때 변환 에러를 야기할 수 있다. [0044] In this example, coarse delay and fine delay are adjusted using different circuit delay techniques. The delay control circuit 150 adjusts the delay of the coarse delay circuit 120 by adjusting the number of delay devices 210-1 to 210-N in the delay path of the coarse delay circuit 120, and the delay device The delay of the fine delay circuit 130 is adjusted by adjusting the capacitive loads of fields 410-1 to 410-M. Because different circuit delay techniques are used for coarse delay adjustments and fine delay adjustments, changes in one coarse delay step and changes in one fine delay step due to process voltage temperature (PVT) variations. There is no relationship between them. As a result, the ratio of one coarse delay step to one fine delay step may not be well controlled, which may cause conversion errors when switching from fine delay to coarse delay.

[0045] 도 6은 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 예시적인 지연 회로(610)를 도시한다. 지연 회로(610)는 입력(612)에서 신호를 수신하고, 조정가능한(즉, 튜닝가능한) 지연만큼 신호를 지연시키고, 그리고 출력(614)에서 지연된 신호를 출력하도록 구성된다. 신호는 클록 신호, 데이터 신호, 또는 다른 타입의 신호일 수 있다. 이러한 예에서, 지연 회로(610)의 지연은 아래에서 더 논의되는 바와 같이, 지연 제어 회로(650)에 의해 세팅된다. [0045] Figure 6 shows an example delay circuit 610 in accordance with certain aspects of the present disclosure. Delay circuit 610 is configured to receive a signal at input 612, delay the signal by an adjustable (i.e., tunable) delay, and output the delayed signal at output 614. The signal may be a clock signal, a data signal, or another type of signal. In this example, the delay of delay circuit 610 is set by delay control circuit 650, as discussed further below.

[0046] 지연 회로(610)는 코오스 지연 회로(620) 및 지연 보간기(630)를 포함한다. 코오스 지연 회로(620)는, 지연 회로(610)의 입력(612)에 커플링된 입력(622), 제1 출력(624), 및 제2 출력(626)를 갖는다. 지연 보간기(630)는 코오스 지연 회로(620)의 제1 출력(624)에 커플링된 제1 입력(634), 코오스 지연 회로(620)의 제2 출력(626)에 커플링된 제2 입력(636), 및 지연 회로(610)의 출력(614)에 커플링된 출력(638)을 갖는다. [0046] The delay circuit 610 includes a coarse delay circuit 620 and a delay interpolator 630. Coarse delay circuit 620 has an input 622 coupled to input 612 of delay circuit 610, a first output 624, and a second output 626. Delay interpolator 630 has a first input 634 coupled to a first output 624 of coarse delay circuit 620 and a second input 634 coupled to a second output 626 of coarse delay circuit 620. It has an input 636, and an output 638 coupled to an output 614 of delay circuit 610.

[0047] 코오스 지연 회로(620)는 지연 회로(610)의 지연의 코오스 조정들을 제공하도록 구성되고, 그리고 지연 보간기(630)는 지연 회로(610)의 지연의 미세 조정들을 제공하도록 구성된다. 보다 구체적으로, 코오스 지연 회로(620)는 지연 제어 회로(650)가 지연 회로(610)의 지연을 코오스 지연 스텝들로 조정(즉, 튜닝)할 수 있게 하고, 그리고 지연 보간기(630)는 지연 제어 회로(650)가 지연 회로(610)의 지연을 코오스 지연 스텝들 사이의 미세 지연 스텝들로 조정할 수 있게 한다. 하나의 코오스 지연 스텝과 하나의 미세 지연 스텝 사이의 관계는 위에서 논의된 수학식(1)에 의해 정의될 수 있다. Coarse delay circuit 620 is configured to provide coarse adjustments of the delay of delay circuit 610, and delay interpolator 630 is configured to provide fine adjustments of the delay of delay circuit 610. More specifically, coarse delay circuit 620 allows delay control circuit 650 to adjust (i.e., tune) the delay of delay circuit 610 into coarse delay steps, and delay interpolator 630 Delay control circuit 650 allows the delay of delay circuit 610 to be adjusted in fine delay steps between coarse delay steps. The relationship between one coarse delay step and one fine delay step can be defined by equation (1) discussed above.

[0048] 도 6의 예에서, 코오스 지연 회로(620)는 입력(622)에서 지연되는 신호를 수신하도록 구성된다. 코오스 지연 회로(620)는 지연 제어 회로(650)의 제어 하에서 조정가능한(즉, 튜닝가능한) 지연만큼 수신된 신호를 지연시켜 제1 신호를 제공하도록 구성된다. 코오스 지연 회로(620)는 또한 수신된 신호를 조정가능한(즉, 튜닝가능한) 지연 및 추가적인 지연만큼 지연시킴으로써 제2 신호를 제공하도록 구성되며, 여기서 제2 신호는 제1 신호에 대해 추가적인 지연만큼 지연된다. 코오스 지연 회로(620)는 제1 출력(624)에서 제1 신호를 출력하고 제2 출력(626)에서 제2 신호를 출력하도록 구성된다. 따라서, 제1 신호 및 제2 신호 각각은 수신된 신호의 지연된 버전이고, 여기서 제2 신호는 제1 신호에 대해 추가적인 지연만큼 지연된다. 제1 신호가 제2 신호에 대해 추가적인 지연만큼 이르므로 제1 신호는 또한 '이른(early)' 신호로 지칭될 수 있고, 제2 신호는 제1 신호에 대해 추가적인 지연만큼 지연되므로 제2 신호는 또한 "늦은(late)" 신호로 지칭될 수 있다. 수신된 신호는 코오스 지연 회로(620)에 입력되므로 입력 신호로 또한 지칭될 수 있다. [0048] In the example of FIG. 6, coarse delay circuit 620 is configured to receive a delayed signal at input 622. The coarse delay circuit 620 is configured to delay the received signal by an adjustable (i.e., tunable) delay under the control of the delay control circuit 650 to provide the first signal. Coarse delay circuit 620 is also configured to provide a second signal by delaying the received signal by an adjustable (i.e., tunable) delay and an additional delay, wherein the second signal is delayed by an additional delay relative to the first signal. do. The coarse delay circuit 620 is configured to output a first signal at the first output 624 and a second signal at the second output 626. Accordingly, each of the first signal and the second signal is a delayed version of the received signal, where the second signal is delayed by an additional delay relative to the first signal. The first signal may also be referred to as an 'early' signal, since it is earlier than the second signal by an additional delay, and the second signal is delayed by an additional delay relative to the first signal, so the second signal is It may also be referred to as a “late” signal. The received signal is input to the coarse delay circuit 620 and may therefore also be referred to as an input signal.

[0049] 특정 양상들에서, 코오스 지연 회로(620)는 제1 신호에 대해 하나의 코오스 지연 스텝만큼 제2 신호를 지연시키도록 구성된다. 일 예에서, 지연 제어 회로(650)는 (예컨대, 코오스 지연 회로(620)의 스위치들, 로직 게이트들, 및/또는 하나 이상의 멀티플렉서들을 제어하는 지연 제어 신호를 사용하여) 코오스 지연 회로(620)의 입력(622)과 제1 출력(624) 사이의 지연 경로 내의 지연 디바이스들의 수를 제어함으로써 제1 신호의 조정가능한(즉, 튜닝가능한) 지연을 조정(즉, 튜닝)할 수 있다. 이러한 예에서, 코오스 지연 회로(620)는 지연 제어 회로(650)로부터 지연 제어 신호를 수신하고, 지연 제어 신호에 기반하여 하나의 코오스 지연 스텝의 배수로 조정가능한(즉, 튜닝가능한) 지연을 조정한다(즉, 튜닝한다). 그 배수는 1 이상의 정수일 수 있다. 이러한 예에서, 코오스 지연 회로(620)는 하나의 코오스 지연 스텝의 지연을 갖는 추가적인 지연 디바이스로 제1 신호를 지연시킴으로써 제2 신호를 제공할 수 있다. 따라서, 이러한 예에서, 제2 신호의 지연은, 제2 신호와 제1 신호 사이에 하나의 코오스 지연 스텝의 지연을 유지하면서, 제1 신호의 지연에서의 변화들을 추적한다. [0049] In certain aspects, the coarse delay circuit 620 is configured to delay the second signal with respect to the first signal by one coarse delay step. In one example, delay control circuit 650 may be configured to control coarse delay circuit 620 (e.g., using a delay control signal to control switches, logic gates, and/or one or more multiplexers of coarse delay circuit 620). The adjustable (i.e., tunable) delay of the first signal can be adjusted (i.e., tuned) by controlling the number of delay devices in the delay path between the input 622 and the first output 624. In this example, coarse delay circuit 620 receives a delay control signal from delay control circuit 650 and adjusts the adjustable (i.e., tunable) delay to a multiple of one coarse delay step based on the delay control signal. (i.e. tune). The multiple may be an integer greater than 1. In this example, coarse delay circuit 620 may provide the second signal by delaying the first signal with an additional delay device having a delay of one coarse delay step. Accordingly, in this example, the delay of the second signal tracks changes in the delay of the first signal, while maintaining a delay of one coarse delay step between the second signal and the first signal.

[0050] 지연 보간기(630)는 제1 입력(634)에서 제1 신호를 수신하고 제2 입력(636)에서 제2 신호를 수신하도록 구성된다. 보간기(630)는 제1 신호와 제2 신호 사이의 지연의 프랙션(fraction)인 지연을 생성하기 위해 제1 신호와 제2 신호 사이에서 보간하도록 구성된다. 제1 신호와 제2 신호 사이의 지연이 하나의 코오스 지연 스텝과 동일한 예의 경우, 보간기(630)는 하나의 코오스 지연 스텝의 프랙션인 지연을 생성한다. 특정 양상들에서, 지연 제어 회로(650)는 (예컨대, 디지털 지연 코드를 사용하여) 지연 보간기(630)의 보간을 제어함으로써 지연 회로(610)의 미세 지연을 제어한다. [0050] Delay interpolator 630 is configured to receive a first signal at a first input 634 and a second signal at a second input 636. Interpolator 630 is configured to interpolate between the first signal and the second signal to produce a delay that is a fraction of the delay between the first signal and the second signal. For the example where the delay between the first signal and the second signal is equal to one coarse delay step, interpolator 630 generates a delay that is a fraction of one coarse delay step. In certain aspects, delay control circuit 650 controls the fine delay of delay circuit 610 by controlling the interpolation of delay interpolator 630 (e.g., using a digital delay code).

[0051] 지연 보간기(630)는 도 1의 지연 회로(110)와 비교하여 하나의 미세 지연 스텝에 대한 하나의 코오스 지연 스텝의 비율이 더 정밀하게 제어될 수 있게 한다. 이는 지연 보간기(630)에 의한 제1 신호와 제2 신호 사이의 보간이 PVT 변동들로 인한 코오스 지연 회로(620)의 변화들에 의해 야기되는 제1 신호와 제2 신호 사이의 지연의 변화들(예컨대, 하나의 코오스 지연 스텝)을 추적하기 때문이다. 결과적으로, 보간에 의해 제공되는 미세 지연은 PVT 변동들로 인한 코오스 지연 회로(620)에서의 변화들에 의해 야기되는 제1 신호와 제2 신호 사이의 지연의 변화들(예컨대, 하나의 코오스 지연 스텝)을 추적하여, PVT 변동들에 걸쳐 하나의 미세 지연 스텝에 대한 하나의 코오스 지연 스텝의 비율의 보다 정밀한 제어를 초래한다. [0051] The delay interpolator 630 allows the ratio of one coarse delay step to one fine delay step to be more precisely controlled compared to the delay circuit 110 of FIG. 1. This means that the interpolation between the first and second signals by the delay interpolator 630 changes the delay between the first and second signals caused by changes in the coarse delay circuit 620 due to PVT variations. This is because it tracks steps (e.g., one coarse delay step). As a result, the fine delay provided by the interpolation is limited by changes in delay between the first and second signals caused by changes in the coarse delay circuit 620 due to PVT variations (e.g., one coarse delay step), resulting in more precise control of the ratio of one coarse delay step to one fine delay step across PVT variations.

[0052] 도 7은 특정 양상들에 따른 코오스 지연 회로(620)의 예시적인 구현을 도시한다. 이러한 예에서, 코오스 지연 회로(620)는 트롬본 구성으로 커플링된 지연 디바이스들(210-1 내지 210-N)을 포함한다. 지연 디바이스(210-1)의 제1 입력(212-1)은 코오스 지연 회로(620)의 입력(612)에 커플링된다. 지연 제어 회로(650)는, 도 2를 참조로 위에서 논의된 바와 같이, 순방향 경로(230)로부터 복귀 경로(235)로 신호를 라우팅하는 데 사용되는 트롬본 구성의 지연 디바이스를 선택함으로써 지연 디바이스(210-1)의 제2 출력(218-1)에서의 지연을 제어한다. 이러한 예에서, 지연 제어 회로(650)는 순방향 경로(230)로부터 복귀 경로(235)로 신호를 라우팅하기 위해 사용되는 트롬본 구성의 지연 디바이스를 선택함으로써 제1 신호 및 제2 신호의 지연들을 조정(즉, 튜닝)한다. [0052] Figure 7 shows an example implementation of coarse delay circuit 620 in accordance with certain aspects. In this example, coarse delay circuit 620 includes delay devices 210-1 through 210-N coupled in a trombone configuration. First input 212-1 of delay device 210-1 is coupled to input 612 of coarse delay circuit 620. Delay control circuit 650 controls delay device 210 by selecting a delay device in a trombone configuration to be used to route the signal from forward path 230 to return path 235, as discussed above with reference to FIG. Controls the delay at the second output (218-1) of -1). In this example, delay control circuit 650 adjusts the delays of the first and second signals by selecting a delay device in a trombone configuration used to route the signal from forward path 230 to return path 235 ( In other words, tuning).

[0053] 이러한 예에서, 코오스 지연 회로(620)는 또한 제1 지연 디바이스(710), 제2 지연 디바이스(720), 및 제3 지연 디바이스(730)를 포함한다. 지연 디바이스들(710, 720, 및 730) 각각은 (예컨대, 도 3에 도시된 예시적인 지연 디바이스(310)로 구현된) 트롬본 구성의 지연 디바이스와 구조적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이러한 예에서, 지연 디바이스들(710, 720, 730) 각각은 제1 모드에서 동작하도록 구성될 수 있다. [0053] In this example, coarse delay circuit 620 also includes a first delay device 710, a second delay device 720, and a third delay device 730. Each of delay devices 710, 720, and 730 may be structurally identical or similar to a delay device in a trombone configuration (e.g., implemented as example delay device 310 shown in FIG. 3). In this example, each of delay devices 710, 720, and 730 may be configured to operate in a first mode.

[0054] 이러한 예에서, 제1 지연 디바이스(710)의 제1 입력(712)은 지연 디바이스(210-1)의 제2 출력(218-1)에 커플링되고, 제1 지연 디바이스(710)의 제1 출력(714)은 제1 지연 디바이스(710)의 제2 입력(716)에 커플링되고, 그리고 제1 지연 디바이스(710)의 제2 출력(718)은 코오스 지연 회로(620)의 제1 출력(624)에 커플링된다. 제1 지연 디바이스(710)는 지연 디바이스(210-1)의 제2 출력(218-1)으로부터 신호를 수신하고 하나의 코오스 지연 스텝만큼 신호를 지연시켜 코오스 지연 회로(620)의 제1 출력(624)에 제1 신호를 제공한다. [0054] In this example, the first input 712 of the first delay device 710 is coupled to the second output 218-1 of the delay device 210-1, and the first delay device 710 The first output 714 of is coupled to the second input 716 of the first delay device 710, and the second output 718 of the first delay device 710 is coupled to the coarse delay circuit 620. Coupled to the first output 624. The first delay device 710 receives a signal from the second output 218-1 of the delay device 210-1 and delays the signal by one coarse delay step to produce the first output of the coarse delay circuit 620 ( The first signal is provided to 624).

[0055] 이러한 예에서, 제2 지연 디바이스(720)의 제1 입력(722)은 지연 디바이스(210-1)의 제2 출력(218-1)에 커플링되고, 제2 지연 디바이스(720)의 제1 출력(724)은 제3 지연 디바이스(720)의 제1 입력(732)에 커플링되고, 제3 지연 디바이스(730)의 제1 출력(734)은 제3 지연 디바이스(730)의 제2 입력(736)에 커플링되고, 제3 지연 디바이스(730)의 제2 출력(738)은 제2 지연 디바이스의 제2 입력(726)에 커플링되고, 그리고 제2 지연 디바이스(720)의 제2 출력(728)은 코오스 지연 회로(620)의 제2 출력(626)에 커플링된다. 제2 지연 디바이스(720)는 지연 디바이스(210-1)의 제2 출력(218-1)으로부터 신호를 수신한다. 제2 지연 디바이스(720) 및 제3 지연 디바이스(730)는 코오스 지연 회로(620)의 제2 출력(626)에서 제2 신호를 제공하기 위해 2개의 코오스 지연 스텝들만큼 신호를 지연시킨다. [0055] In this example, the first input 722 of the second delay device 720 is coupled to the second output 218-1 of the delay device 210-1, and the second delay device 720 The first output 724 of is coupled to the first input 732 of the third delay device 720, and the first output 734 of the third delay device 730 is coupled to the first input 732 of the third delay device 730. coupled to the second input 736, the second output 738 of the third delay device 730 is coupled to the second input 726 of the second delay device, and the second delay device 720 The second output 728 of is coupled to the second output 626 of the coarse delay circuit 620. Second delay device 720 receives a signal from second output 218-1 of delay device 210-1. The second delay device 720 and the third delay device 730 delay the signal by two coarse delay steps to provide a second signal at the second output 626 of the coarse delay circuit 620.

[0056] 따라서, 이러한 예에서, 제1 신호는 제1 지연 디바이스(710)를 사용하여 하나의 코오스 지연 스텝만큼 지연 디바이스(210-1)의 제2 출력(218-1)으로부터의 신호를 지연시킴으로써 제공되고, 그리고 제2 신호는 제2 지연 디바이스(720) 및 제3 지연 디바이스(730)를 사용하여 2개의 코오스 지연 스텝들만큼 지연 디바이스(210-1)의 제2 출력(218-1)으로부터의 신호를 지연시킴으로써 제공된다. 그 결과, 제1 신호와 제2 신호 사이의 지연은 이러한 예에서 하나의 코오스 지연 스텝이다.Accordingly, in this example, the first signal delays the signal from the second output 218-1 of delay device 210-1 by one coarse delay step using first delay device 710. and the second signal is provided by the second output 218-1 of the delay device 210-1 by two coarse delay steps using the second delay device 720 and the third delay device 730. It is provided by delaying the signal from. As a result, the delay between the first and second signals is one coarse delay step in this example.

[0057] 코오스 지연 회로(620)가 트롬본 구성을 갖는 튜닝가능한 지연 회로로 제한되지 않는다는 것이 인지되어야 한다. 예를 들어, 코오스 지연 회로(620)는 하나 이상의 추가적인 지연 디바이스들에 의해 제1 신호를 지연시킴으로써 제2 신호가 제공될 수 있는 다른 타입의 튜닝가능한 지연 회로로 구현될 수 있다. 코오스 지연 회로(620)의 다른 예시적인 구현은 도 14를 참조로 아래에서 논의된다. [0057] It should be appreciated that the coarse delay circuit 620 is not limited to a tunable delay circuit with a trombone configuration. For example, coarse delay circuit 620 may be implemented with another type of tunable delay circuit in which a second signal may be provided by delaying a first signal by one or more additional delay devices. Another example implementation of coarse delay circuit 620 is discussed below with reference to FIG. 14.

[0058] 도 8은 본 개시내용의 특정한 양상들에 따른, 지연 보간기(630)의 예시적인 구현을 도시한다. 지연 보간기(630)는 다수의 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K), 다수의 풀다운 디바이스들(815-1 내지 815-L), 커패시터(845), 및 출력 버퍼(860)를 포함한다. [0058] Figure 8 shows an example implementation of a delay interpolator 630, in accordance with certain aspects of the present disclosure. Delay interpolator 630 includes a plurality of pull-up devices 810-1 to 810-K, a plurality of pull-down devices 815-1 to 815-L, a capacitor 845, and an output buffer 860. Includes.

[0059] 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K) 각각은 노드(830)와 전압 공급 레일(870) 사이에 커플링되며, 여기서 전압 공급 레일(870)은 공급 전압(Vdd)을 제공한다. 아래에서 추가로 논의되는 바와 같이, 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K) 각각은, 풀-업 디바이스가 턴 온될 때 노드(830)를 하이로 풀링(예컨대, 노드(830)를 Vdd로 풀링)하도록 구성된다. 도 8의 예에서, 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K) 각각은 개개의 트랜지스터(820-1 내지 820-K)(예컨대, 개개의 PFET(p-type field effect transistor))를 포함한다. 트랜지스터들(820-1 내지 820-K) 각각이 PFET로 구현되는 예에서, 개개의 트랜지스터(820-1 내지 820-K)의 게이트가 로우(예컨대, 대략 접지)로 구동될 때 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K) 각각은 턴 온된다. 이러한 예에서, 트랜지스터들(820-1 내지 820-K) 각각의 소스는 공급 레일(870)에 커플링되고, 트랜지스터들(820-1 내지 820-K) 각각의 드레인은 노드(830)에 커플링된다. [0059] Each of the pull-up devices 810-1 through 810-K is coupled between a node 830 and a voltage supply rail 870, where the voltage supply rail 870 provides a supply voltage (Vdd). to provide. As discussed further below, each of pull-up devices 810-1 through 810-K pulls node 830 high (e.g., pulls node 830 high) when the pull-up device is turned on. It is configured to pull to Vdd). In the example of Figure 8, each of the pull-up devices 810-1 through 810-K includes an individual transistor 820-1 through 820-K (e.g., an individual p-type field effect transistor (PFET)). Includes. In an example where each of the transistors 820-1 to 820-K is implemented as a PFET, when the gate of the individual transistor 820-1 to 820-K is driven low (e.g., approximately ground), the pull-up device Each of fields 810-1 to 810-K is turned on. In this example, the source of each of transistors 820-1 through 820-K is coupled to supply rail 870, and the drain of each of transistors 820-1 through 820-K is coupled to node 830. It rings.

[0060] 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L) 각각은 노드(830)와 접지 사이에 커플링된다. 아래에서 추가로 논의되는 바와 같이, 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L) 각각은, 풀-다운 디바이스가 턴 온될 때 노드(830)를 로우로 풀링(예컨대, 노드(830)를 접지로 풀링)하도록 구성된다. 도 8의 예에서, 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L) 각각은 개개의 트랜지스터(825-1 내지 825-L)(예컨대, 개개의 NFET(n-type field effect transistor))를 포함한다. 트랜지스터들(825-1 내지 825-L) 각각이 NFET로 구현되는 예에서, 개개의 트랜지스터(825-1 내지 825-L)의 게이트가 하이(예컨대, Vdd)로 구동될 때 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L) 각각은 턴 온된다. 이러한 예에서, 트랜지스터들(825-1 내지 825-L) 각각의 드레인은 노드(830)에 커플링되고, 트랜지스터들(825-1 내지 825-L) 각각의 소스는 접지에 커플링된다. 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)의 수와 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. [0060] Each of the pull-down devices 815-1 to 815-L is coupled between the node 830 and ground. As discussed further below, each of pull-down devices 815-1 through 815-L pulls node 830 low (e.g., pulls node 830 low) when the pull-down device is turned on. It is configured to pull to ground. In the example of Figure 8, each of the pull-down devices 815-1 through 815-L includes an individual transistor 825-1 through 825-L (e.g., an individual n-type field effect transistor (NFET)). Includes. In an example where each of the transistors 825-1 to 825-L is implemented as an NFET, when the gate of the individual transistor 825-1 to 825-L is driven high (e.g., Vdd), the pull-down devices (815-1 to 815-L) are each turned on. In this example, the drain of each of the transistors 825-1 through 825-L is coupled to node 830, and the source of each of the transistors 825-1 through 825-L is coupled to ground. The number of pull-down devices 815-1 to 815-L and the number of pull-up devices 810-1 to 810-K may be the same or different.

[0061] 커패시터(845)는 노드(830)와 접지 사이에 커플링된다. 출력 버퍼(860)는 노드(830)에 커플링된 입력(862), 및 지연 보간기(630)의 출력(638)에 커플링된 출력(864)을 갖는다. 따라서, 이러한 예에서, 출력 버퍼(860)의 출력(864)은 지연 보간기(630)의 출력(638)에서 지연된 신호를 제공한다. 아래의 논의에서, 출력 버퍼(860)는 비-반전인 것으로 가정된다. 그러나, 반드시 그럴 필요는 없다는 것이 인지되어야 한다. [0061] Capacitor 845 is coupled between node 830 and ground. Output buffer 860 has an input 862 coupled to node 830 and an output 864 coupled to output 638 of delay interpolator 630. Accordingly, in this example, output 864 of output buffer 860 provides a delayed signal at output 638 of delay interpolator 630. In the discussion below, output buffer 860 is assumed to be non-inverting. However, it should be recognized that this does not have to be the case.

[0062] 지연 보간기(630)는 또한 제1 제어 회로(840) 및 제2 제어 회로(850)를 포함한다. 제1 제어 회로(840)는 지연 보간기(630)의 제1 입력(634)에 커플링된 제1 입력(842), 및 지연 보간기(630)의 제2 입력(636)에 커플링된 제2 입력(844)을 갖는다. 따라서, 제1 입력(842)은 제1 신호를 수신하고, 제2 입력(844)은 제2 신호를 수신한다. 제1 제어 회로(840)는 또한 지연 제어 회로(650)로부터 제1 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력(846)을 갖는다. 제1 제어 회로(840)는 또한 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)에 커플링된다. 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K) 각각이 개개의 트랜지스터(820-1 내지 820-K)를 포함하는 예에서, 제1 제어 회로(840)는 트랜지스터들(820-1 내지 820-K) 각각의 게이트에 커플링된다. [0062] Delay interpolator 630 also includes a first control circuit 840 and a second control circuit 850. The first control circuit 840 has a first input 842 coupled to a first input 634 of the delay interpolator 630, and a second input 636 of the delay interpolator 630. It has a second input (844). Accordingly, first input 842 receives a first signal and second input 844 receives a second signal. First control circuit 840 also has a control input 846 configured to receive a first delay code from delay control circuit 650. First control circuit 840 is also coupled to pull-up devices 810-1 through 810-K. In an example where each of the pull-up devices 810-1 through 810-K includes individual transistors 820-1 through 820-K, the first control circuit 840 includes transistors 820-1 through 820. -K) Coupled to each gate.

[0063] 일 예에서, 제1 제어 회로(840)는 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)을 이용하여, 제1 지연 코드에 기반하여 지연 보간기(630)의 출력(638)에서 상승 에지의 미세 지연을 제어한다. 이러한 예에서, 제1 제어 회로(840)는 제1 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수(n)의 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)에 제1 입력(842)에서 수신된 제1 신호를 입력하고, 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K) 중의 나머지 풀-업 디바이스들(즉, K-n개의 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K), K는 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)의 총 수)에 제2 입력(844)에서 수신된 제2 신호를 입력하도록 구성된다. 이러한 예에서, 지연 보간은, 제1 신호에 의해 구동되는 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)의 수(n) 및 제2 신호에 의해 구동되는 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)의 수(즉, K-n)를 제어함으로써 달성된다. 지연 보간은, 제1 제어 회로(840)가, 제1 신호에 의해 구동되는 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)의 수(n)를 증가시킴으로써(즉, 더 많은 수(n)의 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)에 제1 신호를 입력함으로써) 상승 에지의 미세 지연을 감소시키고 제1 신호에 의해 구동된 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)의 수(n)를 감소시킴으로써(즉, 더 적은 수(n)의 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)에 제1 신호를 입력함으로써) 상승 에지의 미세 지연을 증가시킬 수 있게 한다. 이러한 예에서, 프로그램 가능한 수(n)는 제1 제어 회로(840)가 제1 지연 코드에 기반하여 제1 신호를 입력하는 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)의 수이다. [0063] In one example, the first control circuit 840 uses pull-up devices 810-1 through 810-K to output 638 of the delay interpolator 630 based on the first delay code. ) to control the fine delay of the rising edge. In this example, the first control circuit 840 may direct a programmable number (n) of pull-up devices 810-1 to 810-K based on a first delay code to receive the input at the first input 842. Input the first signal, and the remaining pull-up devices among the pull-up devices (810-1 to 810-K) (i.e., K-n pull-up devices (810-1 to 810-K), K is configured to input the second signal received at the second input 844 to the total number of pull-up devices (810-1 to 810-K). In this example, the delay interpolation is the number n of pull-up devices 810-1 to 810-K driven by the first signal and the number n of pull-up devices 810-K driven by the second signal. This is achieved by controlling the number (i.e. K-n) from 1 to 810-K). Delay interpolation is performed by the first control circuit 840 increasing the number (n) of the pull-up devices (810-1 to 810-K) driven by the first signal (i.e., increasing the number (n) ) By inputting the first signal to the pull-up devices (810-1 to 810-K)), the fine delay of the rising edge is reduced and the pull-up devices (810-1 to 810) driven by the first signal -Increasing the fine delay of the rising edge by reducing the number (n) of (K) (i.e., by inputting the first signal to a smaller number (n) of pull-up devices 810-1 to 810-K) Make it possible to do it. In this example, the programmable number (n) is the number of pull-up devices 810-1 to 810-K through which the first control circuit 840 inputs the first signal based on the first delay code.

[0064] 제2 제어 회로(850)는 지연 보간기(630)의 제1 입력(634)에 커플링된 제1 입력(852), 지연 보간기(630)의 제2 입력(636)에 커플링된 제2 입력(854)을 갖는다. 따라서, 제1 입력(852)은 제1 신호를 수신하고, 제2 입력(854)은 제2 신호를 수신한다. 제2 제어 회로(850)는 또한 지연 제어 회로(650)로부터 제2 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력(856)을 갖는다. 제2 제어 회로(850)는 또한 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)에 커플링된다. 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L) 각각이 개개의 트랜지스터(825-1 내지 825-L)를 포함하는 예에서, 제2 제어 회로(850)는 트랜지스터들(825-1 내지 825-L) 각각의 게이트에 커플링된다.[0064] The second control circuit 850 has a first input 852 coupled to a first input 634 of the delay interpolator 630 and a second input 636 coupled to the delay interpolator 630. It has a second input 854 that is ringed. Accordingly, first input 852 receives a first signal and second input 854 receives a second signal. Second control circuit 850 also has a control input 856 configured to receive a second delay code from delay control circuit 650. The second control circuit 850 is also coupled to the pull-down devices 815-1 through 815-L. In the example where each of the pull-down devices 815-1 through 815-L includes individual transistors 825-1 through 825-L, the second control circuit 850 includes the transistors 825-1 through 825. -L) Coupled to each gate.

[0065] 일 예에서, 제2 제어 회로(850)는 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)을 이용하여, 제2 지연 코드에 기반하여 지연 보간기(630)의 출력(638)에서 하강 에지의 미세 지연을 제어할 수 있다. 이러한 예에서, 제2 제어 회로(850)는 제1 입력(852)에서 수신된 제1 신호를 제2 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수(n)의 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)에 입력하고, 그리고 제2 입력(854)에서 수신된 제2 신호를 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L) 중의 나머지 풀-다운 디바이스들(즉, L-m개의 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L), 여기서 L은 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)의 총 수)에 입력하도록 구성된다. 이러한 예에서, 지연 보간은, 제1 신호에 의해 구동되는 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)의 수(m) 및 제2 신호에 의해 구동되는 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)의 수(즉, L-m)를 제어함으로써 달성된다. 지연 보간은, 제2 제어 회로(850)가, 제1 신호에 의해 구동되는 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)의 수(m)를 증가시킴으로써(즉, 더 많은 수(m)의 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)에 제1 신호를 입력함으로써) 하강 에지의 미세 지연을 감소시키고, 그리고 제1 신호에 의해 구동되는 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)의 수(m)를 감소시킴으로써(즉, 더 적은 수(m)의 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)에 제1 신호를 입력함으로써) 하강 에지의 미세 지연을 증가시킬 수 있게 한다. 이러한 예에서, 프로그램 가능한 수(m)는 제2 제어 회로(850)가 제2 지연 코드에 기반하여 제1 신호를 입력하는 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)의 수이다. [0065] In one example, the second control circuit 850 uses the pull-down devices 815-1 through 815-L to control the output 638 of the delay interpolator 630 based on the second delay code. ), you can control the fine delay of the falling edge. In this example, the second control circuit 850 connects the first signal received at the first input 852 to a programmable number (n) of pull-down devices 815-1 to 815 based on the second delay code. -L), and the second signal received at the second input 854 is connected to the remaining pull-down devices (i.e., L-m pull-down devices) among the pull-down devices 815-1 to 815-L. devices 815-1 to 815-L, where L is the total number of pull-down devices 815-1 to 815-L). In this example, the delay interpolation is the number (m) of pull-down devices 815-1 to 815-L driven by the first signal and the pull-down devices 815-L driven by the second signal. This is achieved by controlling the number (i.e. L-m) from 1 to 815-L). Delay interpolation is performed by the second control circuit 850 increasing the number (m) of the pull-down devices (815-1 to 815-L) driven by the first signal (i.e., increasing the number (m) ) By inputting the first signal to the pull-down devices (815-1 to 815-L)), the fine delay of the falling edge is reduced, and the pull-down devices (815-1) driven by the first signal to 815-L) by reducing the number (m) of the falling edge (i.e., by inputting the first signal to a smaller number (m) of pull-down devices 815-1 to 815-L). allows to increase. In this example, the programmable number (m) is the number of pull-down devices 815-1 to 815-L through which the second control circuit 850 inputs the first signal based on the second delay code.

[0066] 이러한 예에서, 제1 제어 회로(840)는 제1 지연 코드에 기반하여 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)에 대한 제1 신호 및 제2 신호의 입력을 제어하고, 그리고 제2 제어 회로(850)는 제2 지연 코드에 기반하여 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)에 대한 제1 신호 및 제2 신호의 입력을 제어한다. 따라서, 제1 제어 회로(840) 및 제2 제어 회로(850)는 제1 지연 코드 및 제2 지연 코드에 대해 상이한 코드들을 사용함으로써 출력(638)에서의 상승 에지의 미세 지연과 출력(638)에서의 하강 에지의 미세 지연이 독립적으로 조정될 수 있게 한다. 이러한 특징은 아래에서 더 논의되는 바와 같이 출력(638)에서 지연된 신호의 듀티 사이클을 조정하는 데 사용될 수 있다. 듀티 사이클 조정이 필요하지 않은 애플리케이션들의 경우, 동일한 코드가 제1 지연 코드와 제2 지연 코드에 사용될 수 있다(즉, 제1 지연 코드와 제2 지연 코드가 동일할 수 있음). [0066] In this example, the first control circuit 840 controls the input of the first signal and the second signal to the pull-up devices 810-1 through 810-K based on the first delay code and , and the second control circuit 850 controls the input of the first signal and the second signal to the pull-down devices 815-1 to 815-L based on the second delay code. Accordingly, first control circuit 840 and second control circuit 850 achieve a fine delay of the rising edge at output 638 and output 638 by using different codes for the first delay code and the second delay code. Allows the fine delay of the falling edge in to be adjusted independently. This feature can be used to adjust the duty cycle of the delayed signal at output 638, as discussed further below. For applications where duty cycle adjustment is not required, the same code may be used for the first and second delay codes (i.e., the first and second delay codes may be the same).

[0067] 이러한 예에서, 제1 신호 및 제2 신호는 제1 제어 회로(840) 내의 제어 경로들을 통해 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)로 입력된다. 제어 경로들은 제1 지연 코드에 기반하여 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)에 대한 제1 신호 및 제2 신호의 입력을 제어하는 로직 게이트들을 포함할 수 있다. 제1 제어 회로(840)의 제어 경로들의 예시적인 구현은 도 10을 참조로 아래에서 논의된다. 제어 경로들은 비-반전 또는 반전(즉, 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)에 입력되기 전에 제1 신호 및/또는 제2 신호를 반전시킴)일 수 있다. [0067] In this example, the first signal and the second signal are input to the pull-up devices 810-1 through 810-K through control paths within the first control circuit 840. The control paths may include logic gates that control the input of the first signal and the second signal to the pull-up devices 810-1 to 810-K based on the first delay code. An example implementation of the control paths of first control circuit 840 is discussed below with reference to FIG. 10 . The control paths may be non-inverting or inverting (i.e., inverting the first signal and/or the second signal before being input to the pull-up devices 810-1 through 810-K).

[0068] 또한, 이러한 예에서, 제1 신호 및 제2 신호는 제2 제어 회로(850) 내의 제어 경로들을 통해 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)에 입력된다. 제어 경로들은 제2 지연 코드에 기반하여 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)에 대한 제1 신호 및 제2 신호의 입력을 제어하는 로직 게이트들을 포함할 수 있다. 제2 제어 회로(850)의 제어 경로들의 예시적인 구현은 도 10을 참조로 아래에서 논의된다. 제어 경로들은 비-반전 또는 반전(즉, 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)에 입력되기 전에 제1 신호 및/또는 제2 신호를 반전시킴)일 수 있다. [0068] Also, in this example, the first signal and the second signal are input to the pull-down devices 815-1 through 815-L through control paths within the second control circuit 850. The control paths may include logic gates that control the input of the first signal and the second signal to the pull-down devices 815-1 to 815-L based on the second delay code. An example implementation of the control paths of the second control circuit 850 is discussed below with reference to FIG. 10 . The control paths may be non-inverting or inverting (i.e., inverting the first signal and/or the second signal before being input to the pull-down devices 815-1 through 815-L).

[0069] 따라서, 제1 제어 회로(840) 및 제2 제어 회로(850)는 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K) 및 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)에 대해 별개의 제어 경로들을 제공한다. 별개의 제어 경로들은 제1 지연 코드 및/또는 제2 지연 코드의 변경들에 대한 지연 보간기(630)의 출력(638)에서의 글리칭을 방지하는 것을 돕는다. [0069] Accordingly, the first control circuit 840 and the second control circuit 850 include pull-up devices 810-1 to 810-K and pull-down devices 815-1 to 815-L. Provides separate control paths for . The separate control paths help prevent glitching at the output 638 of delay interpolator 630 for changes in the first delay code and/or the second delay code.

[0070] 도 9는 특정 양상들에 따른 제1 제어 회로(840)의 예시적인 구현을 도시한다. 이러한 예에서, 제1 제어 회로(840)는 다수의 제어 디바이스들(910-1 내지 910-K)을 포함하고, 제어 디바이스들(910-1 내지 910-K) 각각은 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K) 중의 개개의 풀-업 디바이스에 대한 제1 신호 및 제2 신호의 입력을 제어하도록 구성된다. [0070] Figure 9 shows an example implementation of a first control circuit 840 in accordance with certain aspects. In this example, the first control circuit 840 includes a number of control devices 910-1 through 910-K, each of the control devices 910-1 through 910-K comprising pull-up devices ( It is configured to control the input of the first signal and the second signal to each pull-up device among (810-1 to 810-K).

[0071] 이러한 예에서, 제어 디바이스들(910-1 내지 910-K) 각각은 제1 신호를 수신하도록 제1 제어 회로(840)의 제1 입력(842)에 커플링된 개개의 제1 입력(912-1 내지 912-K)과, 제2 신호를 수신하도록 제1 제어 회로(840)의 제2 입력(844)에 커플링된 개개의 제2 입력(916-1 내지 916-K)을 갖는다. 제어 디바이스들(910-1 내지 910-K) 각각은 또한 개개의 제어 입력(914-1 내지 914-K), 및 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K) 중의 개개의 풀-업 디바이스에 커플링된 개개의 출력(918-1 내지 918-K)(예컨대, 개개의 트랜지스터(820-1 내지 820-K)의 게이트)을 갖는다. 이러한 예에서, 제1 지연 코드는 온도계 코드(d1<K-1:0>)일 수 있고, 온도계 코드(d1<K-1:0>)는 다수의 비트들을 포함하며, 여기서 각각의 비트는 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K) 중의 개개의 풀-업 디바이스의 입력을 제어하는 데 사용된다. 이러한 예에서, 제어 디바이스들(910-1 내지 910-K) 각각의 제어 입력(914-1 내지 914-K)은 온도계 코드(d1<K-1:0>)의 비트들 중의 개개의 비트를 수신하도록 구성된다. 예를 들어, 제어 디바이스(910-1)의 제어 입력(914-1)은 온도계 코드(d1<K-1:0>)의 비트(d1<0>)를 수신한다. [0071] In this example, each of the control devices 910-1 through 910-K has a respective first input coupled to the first input 842 of the first control circuit 840 to receive a first signal. (912-1 through 912-K) and respective second inputs (916-1 through 916-K) coupled to the second input (844) of the first control circuit (840) to receive the second signal. have Each of the control devices 910-1 through 910-K also has a respective control input 914-1 through 914-K, and a respective pull-up among the pull-up devices 810-1 through 810-K. It has respective outputs 918-1 through 918-K coupled to the device (e.g., gates of respective transistors 820-1 through 820-K). In this example, the first delay code may be a thermometer code d1<K-1:0>, where the thermometer code d1<K-1:0> includes a number of bits, where each bit is It is used to control the input of each pull-up device among the pull-up devices 810-1 to 810-K. In this example, the control inputs 914-1 through 914-K of each of the control devices 910-1 through 910-K input individual bits of the bits of the thermometer code d1<K-1:0>. configured to receive. For example, control input 914-1 of control device 910-1 receives bit d1<0> of thermometer code d1<K-1:0>.

[0072] 동작 시에, 제어 디바이스들(910-1 내지 910-K) 각각은 온도계 코드(d1<K-1:0>)의 개개의 비트의 로직 값에 기반하여 개개의 풀-업 디바이스(810-1 내지 810-K)에 제1 신호 또는 제2 신호를 입력하도록 구성된다. 예를 들어, 제어 디바이스들(910-1 내지 910-K) 각각은, 개개의 비트가 제1 로직 값을 가질 때 개개의 풀-업 디바이스에 제1 신호를 입력하고 개개의 비트가 제2 로직 값을 가질 때 개개의 풀-업 디바이스에 제2 신호를 입력하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 로직 값은 1일 수 있고 제2 로직 값은 0일 수 있거나, 또는 그 반대일 수 있다. 이러한 예에서, 제1 제어 회로(840)는, 온도계 코드(d1<K-1:0>)의 모든 비트들이 제1 로직 값을 가질 때(즉, 제1 신호가 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K) 모두에 입력됨) 최소 지연을 세팅한다. [0072] In operation, each of the control devices 910-1 to 910-K operates an individual pull-up device ( 810-1 to 810-K) and is configured to input a first signal or a second signal. For example, each of the control devices 910-1 to 910-K inputs a first signal to an individual pull-up device when each bit has a first logic value and each bit has a second logic value. It may be configured to input a second signal to each pull-up device when it has a value. For example, the first logic value may be 1 and the second logic value may be 0, or vice versa. In this example, the first control circuit 840 operates when all bits of the thermometer code d1<K-1:0> have a first logic value (i.e., the first signal is transmitted to the pull-up devices 810 -1 to 810-K) all entered) sets the minimum delay.

[0073] 도 9는 또한 특정 양상들에 따른 제2 제어 회로(850)의 예시적인 구현을 도시한다. 이러한 예에서, 제2 제어 회로(850)는 다수의 제어 디바이스들(920-1 내지 920-L)을 포함하고, 제어 디바이스들(920-1 내지 920-L) 각각은 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L) 중의 개개의 풀-다운 디바이스에 대한 제1 신호 및 제2 신호의 입력을 제어하도록 구성된다. [0073] Figure 9 also shows an example implementation of the second control circuit 850 in accordance with certain aspects. In this example, the second control circuit 850 includes multiple control devices 920-1 through 920-L, each of the control devices 920-1 through 920-L comprising pull-down devices ( It is configured to control the input of the first signal and the second signal to each pull-down device among (815-1 to 815-L).

[0074] 이러한 예에서, 제어 디바이스들(920-1 내지 920-L) 각각은 제1 신호를 수신하도록 제2 제어 회로(850)의 제1 입력(852)에 커플링된 개개의 제1 입력(922-1 내지 922-L), 및 제2 신호를 수신하도록 제2 제어 회로(850)의 제2 입력(854)에 커플링된 개개의 제2 입력(926-1 내지 926-L)을 갖는다. 제어 디바이스들(920-1 내지 920-L) 각각은 또한 개개의 제어 입력(924-1 내지 924-L), 및 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)의 개개의 풀-다운 디바이스에 커플링된 개개의 출력(928-1 내지 928-L)(예컨대, 개개의 트랜지스터(825-1 내지 825-L의 게이트)을 갖는다. 이러한 예에서, 제2 지연 코드는 온도계 코드(d2<L-1:0>)일 수 있고, 온도계 코드(d2<L-1:0>)는 다수의 비트들을 포함하며, 여기서 각각의 비트는 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)의 개개의 풀-다운 디바이스의 입력을 제어하는 데 사용된다. 이러한 예에서, 제어 디바이스들(920-1 내지 920-L) 각각의 제어 입력(924-1 내지 924-L)은 온도계 코드(d2<L-1:0>)의 비트들 중의 개개의 비트를 수신하도록 구성된다. 예를 들어, 제어 디바이스(920-1)의 제어 입력(924-1)은 온도계 코드(d2<L-1:0>)의 비트(d2<0>)를 수신한다. [0074] In this example, each of the control devices 920-1 through 920-L has a respective first input coupled to the first input 852 of the second control circuit 850 to receive a first signal. (922-1 through 922-L), and respective second inputs (926-1 through 926-L) coupled to second inputs (854) of second control circuit (850) to receive a second signal. have Each of the control devices 920-1 through 920-L also has a respective control input 924-1 through 924-L, and a respective pull-down input of the pull-down devices 815-1 through 815-L. It has respective outputs 928-1 through 928-L (e.g., gates of respective transistors 825-1 through 825-L) coupled to the device. In this example, the second delay code is the thermometer code d2. <L-1:0>), and the thermometer code (d2<L-1:0>) includes a number of bits, where each bit corresponds to the pull-down devices 815-1 to 815-L. ) is used to control the input of the individual pull-down device. In this example, the control inputs 924-1 to 924-L of each of the control devices 920-1 to 920-L are connected to the thermometer code ( d2<L-1:0>). For example, control input 924-1 of control device 920-1 is configured to receive an individual bit of the bits of d2<L-1. :0>) bit (d2<0>) is received.

[0075] 동작 시에, 제어 디바이스들(920-1 내지 920-L) 각각은 온도계 코드(d2<L-1:0>)의 개개의 비트의 로직 값에 기반하여 개개의 풀-다운 디바이스(815-1 내지 815-L)에 제1 신호 또는 제2 신호를 입력하도록 구성된다. 예를 들어, 제어 디바이스들(920-1 내지 920-L) 각각은, 개개의 비트가 제1 로직 값을 가질 때 개개의 풀-다운 디바이스에 제1 신호를 입력하고 개개의 비트가 제2 로직 값을 가질 때 개개의 풀-다운 디바이스에 제2 신호를 입력하도록 구성될 수 있거나, 그 반대도 가능하다. [0075] In operation, each of the control devices 920-1 to 920-L operates an individual pull-down device ( 815-1 to 815-L) and is configured to input a first signal or a second signal. For example, each of the control devices 920-1 to 920-L inputs a first signal to an individual pull-down device when each bit has a first logic value and each bit has a second logic value. It may be configured to input a second signal to the respective pull-down device when it has a value, or vice versa.

[0076] 도 10은 특정 양상들에 따른 제어 디바이스(910-1)의 예시적인 구현을 도시한다. 도 10에 도시된 제어 디바이스(910-1)의 예시적인 구현은 다른 제어 디바이스들(910-2 내지 910-K) 각각에 대해 중복될 수 있다. [0076] Figure 10 shows an example implementation of control device 910-1 in accordance with certain aspects. The example implementation of control device 910-1 shown in FIG. 10 may be duplicated for each of the other control devices 910-2 through 910-K.

[0077] 도 10의 예에서, 제어 디바이스(910-1)는 OR 게이트(1040) 및 NAND 게이트(1030)를 포함한다. OR 게이트(1040)는 제1 입력(1042), 제2 입력(1044), 및 출력(1046)을 갖는다. OR 게이트(1040)의 제1 입력(1042)은 제어 디바이스(910-1)의 제2 입력(916-1)에 커플링되고, 따라서 제2 신호를 수신한다. OR 게이트(1040)의 제2 입력(1044)은 제어 디바이스(910-1)의 제어 입력(914-1)에 커플링되고, 따라서 제1 지연 코드의 비트(d1<0>)를 수신한다. NAND 게이트(1030)는 제1 입력(1032), 제2 입력(1034), 및 출력(1036)을 갖는다. NAND 게이트(1030)의 제1 입력(1032)은 OR 게이트(1040)의 출력(1046)에 커플링된다. NAND 게이트(1030)의 제2 입력(1034)은 제어 디바이스(910-1)의 제1 입력(912-1)에 커플링되고, 따라서 제1 신호를 수신한다. NAND 게이트(1030)의 출력(1036)은 풀-업 디바이스(810-1)에 커플링된다. [0077] In the example of FIG. 10, control device 910-1 includes OR gate 1040 and NAND gate 1030. OR gate 1040 has a first input 1042, a second input 1044, and an output 1046. The first input 1042 of the OR gate 1040 is coupled to the second input 916-1 of the control device 910-1 and thus receives a second signal. The second input 1044 of the OR gate 1040 is coupled to the control input 914-1 of the control device 910-1 and thus receives bit d1<0> of the first delay code. NAND gate 1030 has a first input 1032, a second input 1034, and an output 1036. The first input 1032 of the NAND gate 1030 is coupled to the output 1046 of the OR gate 1040. The second input 1034 of the NAND gate 1030 is coupled to the first input 912-1 of the control device 910-1 and thus receives the first signal. The output 1036 of NAND gate 1030 is coupled to pull-up device 810-1.

[0078] 이러한 예에서, 풀-업 디바이스(810-1)는 PFET로 구현된 개개의 트랜지스터(820-1)를 포함한다. 따라서, 이러한 예에서, 풀-업 디바이스(810-1)는 제어 디바이스(910-1)가 트랜지스터(820-1)의 게이트에 0을 출력할 때 턴 온되고, 제어 디바이스(910-1)가 트랜지스터(820-1)의 게이트에 1을 출력할 때 턴 오프된다. [0078] In this example, pull-up device 810-1 includes individual transistors 820-1 implemented as PFETs. Thus, in this example, pull-up device 810-1 is turned on when control device 910-1 outputs 0 to the gate of transistor 820-1, and control device 910-1 When 1 is output to the gate of the transistor 820-1, it is turned off.

[0079] 비트(d1<0>)가 1일 때, OR 게이트(1040)는 NAND 게이트(1030)에 1을 출력한다. 이는 NAND 게이트(1030)가 제1 신호를 반전시키고 반전된 제1 신호를 풀-업 디바이스(810-1)에 입력하게 하며, 이는 제1 신호의 상승 에지에서 풀-업 디바이스(810-1)를 턴 온시킨다. 이는 NAND 게이트(1030)가 트랜지스터(820-1)의 게이트에서 제1 신호의 상승 에지를 하강 에지로 반전시키기 때문이며, 이는 이러한 예에서 풀-업 디바이스(810-1)를 턴 온시킨다. [0079] When the bit (d1<0>) is 1, the OR gate 1040 outputs 1 to the NAND gate 1030. This causes the NAND gate 1030 to invert the first signal and input the inverted first signal to the pull-up device 810-1, which pulls the pull-up device 810-1 at the rising edge of the first signal. Turn on. This is because NAND gate 1030 inverts the rising edge of the first signal to a falling edge at the gate of transistor 820-1, which in this example turns on pull-up device 810-1.

[0080] 비트(d1<0>)가 0일 때, OR 게이트(1040)는 제2 신호의 상승 에지에서 NAND 게이트(1030)에 1을 출력한다. 제2 신호의 상승 에지의 도달 전에, OR 게이트(1040)는 NAND 게이트(1030)에 0을 출력하고, 이는 NAND 게이트(1030)가 제1 신호의 로직 값에 관계없이 트랜지스터(820-1)의 게이트에 1을 출력하게 한다. 그 결과, 풀-업 디바이스(810-1)는 제1 신호의 상승 에지에서 턴 오프된 상태로 유지된다. 제2 신호의 상승 에지가 도달할 때(예컨대, 제1 신호의 상승 에지로부터 한 번의 코오스 지연 스텝 이후), OR 게이트(1040)는 NAND 게이트(1030)에 1을 출력한다. 이는 NAND 게이트(1030)의 출력(1036)이 로우가 되게 하고, 이는 이러한 예에서 풀-업 디바이스(810-1)를 턴 온시킨다. 따라서, 이러한 예에서 비트(d1<0>)가 0일 때, 풀-업 디바이스(810-1)는 제2 신호의 상승 에지까지 턴 온되지 않는다. [0080] When the bit (d1<0>) is 0, the OR gate 1040 outputs 1 to the NAND gate 1030 at the rising edge of the second signal. Before the rising edge of the second signal arrives, the OR gate 1040 outputs 0 to the NAND gate 1030, which causes the NAND gate 1030 to Causes 1 to be output to the gate. As a result, the pull-up device 810-1 remains turned off at the rising edge of the first signal. When the rising edge of the second signal arrives (e.g., after one coarse delay step from the rising edge of the first signal), the OR gate 1040 outputs 1 to the NAND gate 1030. This causes the output 1036 of NAND gate 1030 to be low, which turns on pull-up device 810-1 in this example. Accordingly, in this example, when bit d1<0> is 0, pull-up device 810-1 does not turn on until the rising edge of the second signal.

[0081] 따라서, 이러한 예에서, 제1 지연 코드의 대응하는 비트(d1<0>)가 1일 때 제1 신호가 풀-업 디바이스(810-1)에 입력되고, 제1 지연 코드의 대응하는 비트(d1<0>)가 0일 때 제2 신호가 풀-업 디바이스(810-1)에 입력된다. 이러한 예에서, 제어 디바이스(910-1)는 비트(d1<0>)의 비트 값에 의존하여 제1 신호의 상승 에지 또는 제2 신호의 상승 에지 상에서 풀-업 디바이스(810-1)를 턴 온하기 위해 제1 신호 및 제2 신호의 상승 에지들을 반전시킨다. [0081] Accordingly, in this example, the first signal is input to the pull-up device 810-1 when the corresponding bit (d1<0>) of the first delay code is 1, and the corresponding bit of the first delay code is 1. When the bit (d1<0>) is 0, the second signal is input to the pull-up device 810-1. In this example, control device 910-1 turns pull-up device 810-1 on the rising edge of the first signal or the rising edge of the second signal depending on the bit value of bit d1<0>. To turn on, the rising edges of the first signal and the second signal are inverted.

[0082] 위에서 논의된 바와 같이, 제어 디바이스(910-1)의 예시적인 구현은 다른 제어 디바이스들(910-2 내지 910-K) 각각에 대해 복제될 수 있으며, 여기서 다른 제어 디바이스들(910-2 내지 910-K) 각각은 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트를 수신하고 풀-업 디바이스들(810-2 내지 810-K) 중의 개개의 풀-업 디바이스에 커플링된다. [0082] As discussed above, the example implementation of control device 910-1 may be replicated for each of the other control devices 910-2 through 910-K, where the other control devices 910- 2 through 910-K) each receives a respective one of the bits of the first delay code and is coupled to a respective pull-up device among the pull-up devices 810-2 through 810-K.

[0083] 제어 디바이스(910-1)가 도 10에 예시된 예시적인 구현으로 제한되지 않고, 제어 디바이스(910-1)가 본원에서 설명된 기능들을 수행하도록 구성된 로직 게이트들의 다양한 조합들로 구현될 수 있다는 것이 인지되어야한다. [0083] Control device 910-1 is not limited to the example implementation illustrated in FIG. 10, and control device 910-1 may be implemented with various combinations of logic gates configured to perform the functions described herein. It must be recognized that it can be done.

[0084] 도 10은 또한 풀-다운 디바이스(815-1)에 대한 제1 신호 및 제2 신호의 입력을 제어하기 위한 제어 디바이스(920-1)의 예시적인 구현을 도시한다. 도 10에 도시된 제어 디바이스(920-1)의 예시적인 구현은 다른 제어 디바이스들(920-2 내지 920-L) 각각에 대해 중복될 수 있다. [0084] Figure 10 also shows an example implementation of a control device 920-1 for controlling the input of the first and second signals to the pull-down device 815-1. The example implementation of control device 920-1 shown in FIG. 10 may be duplicated for each of the other control devices 920-2 through 920-L.

[0085] 도 10의 예에서, 제어 디바이스(920-1)는 AND 게이트(1070) 및 NOR 게이트(1060)를 포함한다. AND 게이트(1070)는 제1 입력(1072), 제2 입력(1074), 및 출력(1076)을 갖는다. AND 게이트(1070)의 제1 입력(1072)은 제어 디바이스(920-1)의 제2 입력(926-1)에 커플링되고, 따라서 제2 신호를 수신한다. AND 게이트(1070)의 제2 입력(1074)은 제어 디바이스(920-1)의 제어 입력(924-1)에 커플링되고, 따라서 제2 지연 코드의 비트(d2<0>)를 수신한다. NOR 게이트(1060)는 제1 입력(1062), 제2 입력(1064), 및 출력(1066)을 갖는다. NOR 게이트(1060)의 제1 입력(1062)은 AND 게이트(1070)의 출력(1076)에 커플링된다. NOR 게이트(1060)의 제2 입력(1064)은 제어 디바이스(920-1)의 제1 입력(922-1)에 커플링되고, 따라서 제1 신호를 수신한다. NOR 게이트(1060)의 출력(1066)은 풀-다운 디바이스(815-1)에 커플링된다. [0085] In the example of FIG. 10, control device 920-1 includes AND gate 1070 and NOR gate 1060. AND gate 1070 has a first input 1072, a second input 1074, and an output 1076. The first input 1072 of the AND gate 1070 is coupled to the second input 926-1 of the control device 920-1 and thus receives a second signal. The second input 1074 of the AND gate 1070 is coupled to the control input 924-1 of the control device 920-1 and thus receives bit d2<0> of the second delay code. NOR gate 1060 has a first input 1062, a second input 1064, and an output 1066. The first input 1062 of the NOR gate 1060 is coupled to the output 1076 of the AND gate 1070. The second input 1064 of the NOR gate 1060 is coupled to the first input 922-1 of the control device 920-1 and thus receives the first signal. The output 1066 of NOR gate 1060 is coupled to pull-down device 815-1.

[0086] 이러한 예에서, 풀-다운 디바이스(815-1)는 NFET로 구현된 개개의 트랜지스터(825-1)를 포함한다. 따라서, 이러한 예에서, 풀-다운 디바이스(815-1)는 제어 디바이스(920-1)가 트랜지스터(825-1)의 게이트에 1을 출력할 때 턴 온되고, 제어 디바이스(920-1)가 트랜지스터(825-1)의 게이트에 0을 출력할 때 턴 오프된다.[0086] In this example, pull-down device 815-1 includes individual transistors 825-1 implemented as NFETs. Thus, in this example, pull-down device 815-1 is turned on when control device 920-1 outputs a 1 to the gate of transistor 825-1, and control device 920-1 When 0 is output to the gate of transistor 825-1, it is turned off.

[0087] 비트(d2<0>)가 0일 때, AND 게이트(1070)는 NOR 게이트(1060)에 0을 출력한다. 이는 NOR 게이트(1060)가 제1 신호를 반전시키고 반전된 제1 신호를 풀-다운 디바이스(815-1)에 입력하게 하며, 이는 제1 신호의 하강 에지에서 풀-다운 디바이스(815-1)를 턴 온시킨다. 이는 NOR 게이트(1060)가 트랜지스터(825-1)의 게이트에서 제1 신호의 하강 에지를 상승 에지로 반전시키기 때문이며, 이러한 예에서 이는 풀-다운 디바이스(815-1)를 턴 온시킨다. [0087] When the bit (d2<0>) is 0, the AND gate 1070 outputs 0 to the NOR gate 1060. This causes the NOR gate 1060 to invert the first signal and input the inverted first signal to the pull-down device 815-1, which pulls the pull-down device 815-1 at the falling edge of the first signal. Turn on. This is because NOR gate 1060 inverts the falling edge of the first signal to a rising edge at the gate of transistor 825-1, which in this example turns on pull-down device 815-1.

[0088] 비트(d2<0>)가 1일 때, AND 게이트(1070)는 제2 신호의 하강 에지에서 NOR 게이트(1060)에 0을 출력한다. 제2 신호의 하강 에지의 도달 전에, AND 게이트(1070)는 NOR 게이트(1060)에 1을 출력하고, 이는 NOR 게이트(1060)가 제1 신호의 로직 값에 관계없이 트랜지스터(825-1)의 게이트에 0을 출력하게 한다. 그 결과, 풀-다운 디바이스(815-1)는 제1 신호의 하강 에지에서 턴 오프된 상태로 유지된다. 제2 신호의 하강 에지가 도달할 때(예컨대, 제1 신호의 하강 에지로부터 한 번의 코오스 지연 스텝 이후), AND 게이트(1070)는 NOR 게이트(1060)에 0을 출력한다. 이는 NOR 게이트(1060)의 출력(1066)이 하이가 되게 하고, 이는 이러한 예에서 풀-다운 디바이스(815-1)를 턴 온시킨다. 따라서, 이러한 예에서 비트(d2<0>)가 1일 때, 풀-다운 디바이스(815-1)는 제2 신호의 하강 에지까지 턴 온되지 않는다. [0088] When the bit d2<0> is 1, the AND gate 1070 outputs 0 to the NOR gate 1060 at the falling edge of the second signal. Before the falling edge of the second signal arrives, the AND gate 1070 outputs 1 to the NOR gate 1060, which causes the NOR gate 1060 to Causes 0 to be output to the gate. As a result, the pull-down device 815-1 remains turned off on the falling edge of the first signal. When the falling edge of the second signal arrives (e.g., after one coarse delay step from the falling edge of the first signal), the AND gate 1070 outputs 0 to the NOR gate 1060. This causes the output 1066 of NOR gate 1060 to be high, which turns on pull-down device 815-1 in this example. Accordingly, in this example, when bit d2<0> is 1, the pull-down device 815-1 is not turned on until the falling edge of the second signal.

[0089] 따라서, 이러한 예에서, 제2 지연 코드의 대응하는 비트(d2<0>)가 0일 때 제1 신호가 풀-다운 디바이스(815-1)에 입력되고, 제2 지연 코드의 대응하는 비트(d2<0>)가 1일 때 제2 신호가 풀-다운 디바이스(815-1)에 입력된다. 이러한 예에서, 제어 디바이스(920-1)는 비트(d2<0>)의 비트 값에 의존하여 제1 신호의 하강 에지 또는 제2 신호의 하강 에지 상에서 풀-다운 디바이스(815-1)를 턴 온하기 위해 제1 신호 및 제2 신호의 하강 에지들을 반전시킨다. [0089] Accordingly, in this example, the first signal is input to the pull-down device 815-1 when the corresponding bit (d2<0>) of the second delay code is 0, and the corresponding bit of the second delay code is 0. When the bit (d2<0>) is 1, the second signal is input to the pull-down device 815-1. In this example, control device 920-1 turns pull-down device 815-1 on the falling edge of the first signal or the falling edge of the second signal depending on the bit value of bit d2<0>. To turn on, the falling edges of the first signal and the second signal are inverted.

[0090] 위에서 논의된 바와 같이, 제어 디바이스(920-1)의 예시적인 구현은 다른 제어 디바이스들(920-2 내지 920-K) 각각에 대해 복제될 수 있으며, 여기서 다른 제어 디바이스들(920-2 내지 920-L) 각각은 제2 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트를 수신하고 풀-다운 디바이스들(815-2 내지 815-L) 중의 개개의 풀-다운 디바이스에 커플링된다. [0090] As discussed above, the example implementation of control device 920-1 may be replicated for each of the other control devices 920-2 through 920-K, where the other control devices 920- 2 through 920-L) each receives a respective one of the bits of the second delay code and is coupled to a respective pull-down device among the pull-down devices 815-2 through 815-L.

[0091] 제어 디바이스(920-1)가 도 10에 예시된 예시적인 구현으로 제한되지 않고, 제어 디바이스(920-1)가 본원에서 설명된 기능들을 수행하도록 구성된 로직 게이트들의 다양한 조합들로 구현될 수 있다는 것이 인지되어야한다. [0091] Control device 920-1 is not limited to the example implementation illustrated in FIG. 10, and control device 920-1 may be implemented with various combinations of logic gates configured to perform the functions described herein. It must be recognized that it can be done.

[0092] 도 11은 특정 양상들에 따른 제1 지연 코드 및 제2 지연 코드의 상이한 지연 세팅들에 대한 노드(830)에서의 예시적인 전압 파형들(1110-1 내지 1110-8)을 도시하는 타이밍 다이어그램이다. 파형(1110-1)은 모든 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)이 제1 신호를 수신하고 모든 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)이 제1 신호를 수신하는 지연 세팅에 대응한다. 도 11에 도시된 예에서, 출력 버퍼(860)는 상승 에지 임계치 및 하강 에지 임계치를 가지며, 여기서 출력 버퍼(860)는, 입력(862)에서의 상승 에지가 상승 에지 임계치를 넘을(crossing) 때 출력(864)을 0에서 1로 전환하도록 구성되고, 입력(862)에서 하강 에지가 하강 에지 임계치를 넘을 때 출력(864)을 1에서 0으로 전환하도록 구성된다. [0092] Figure 11 shows example voltage waveforms 1110-1 through 1110-8 at node 830 for different delay settings of a first delay code and a second delay code according to certain aspects. This is a timing diagram. Waveform 1110-1 indicates that all pull-up devices 810-1 through 810-K receive the first signal and all pull-down devices 815-1 through 815-L receive the first signal. Corresponds to the delay setting. In the example shown in FIG. 11 , output buffer 860 has a rising edge threshold and a falling edge threshold, where output buffer 860 determines when a rising edge at input 862 crosses the rising edge threshold. configured to transition output 864 from 0 to 1 and configured to transition output 864 from 1 to 0 when a falling edge at input 862 crosses a falling edge threshold.

[0093] 도 11의 예에서, 제1 신호의 상승 에지는 시간 t1에 지연 보간기(630)에 도달한다. 도 11의 파형들(1110-1 내지 1110-8)에 의해 도시된 바와 같이, 노드(830)에서의 슬루 레이트는 제1 지연 코드의 상이한 지연 세팅들에 대해 상이하다. 이러한 예에서, 제1 신호를 수신하는 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)의 수가 더 적을 때, 슬루 레이트는 더 느리다. 이는, 턴 온된 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)의 수가 더 적기 때문에, 결과적으로 노드(830)를 풀 업하기 위해 커패시터(845)를 충전하는 전류가 더 적어지기 때문이다. 예를 들어, 파형(1110-8)은 파형(1110-7)과 비교하여 하나 더 적은 풀-업 디바이스가 제1 신호를 수신하는 지연 세팅에 대응한다. 이는 도 11에 도시된 바와 같이, 파형(1110-8)이 파형(1110-7)보다 더 느린 슬루 레이트를 갖게 한다. [0093] In the example of Figure 11, the rising edge of the first signal arrives at delay interpolator 630 at time t1. As shown by waveforms 1110-1 to 1110-8 in FIG. 11, the slew rate at node 830 is different for different delay settings of the first delay code. In this example, when the number of pull-up devices 810-1 through 810-K receiving the first signal is smaller, the slew rate is slower. This is because there are fewer pull-up devices 810-1 to 810-K turned on, resulting in less current charging the capacitor 845 to pull up node 830. For example, waveform 1110-8 corresponds to a delay setting such that one fewer pull-up device receives the first signal compared to waveform 1110-7. This causes waveform 1110-8 to have a slower slew rate than waveform 1110-7, as shown in Figure 11.

[0094] 제2 신호의 대응하는 상승 에지는 시간 t2(예컨대, 제1 신호의 상승 에지 이후의 하나의 코오스 지연 스텝)에 지연 보간기(630)에 도달한다. 이 시점에서, 상이한 지연 세팅들에 대한 파형들(1110-1 내지 1110-8)은 동일한 슬루 레이트를 갖는다. 이는, 제2 신호의 상승 에지가 나머지 풀-업 디바이스들로 하여금 턴 온되게 하기 때문이다. 다시 말해서, 제2 신호의 상승 에지가 도달한 후에, 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K) 모두가 턴 온된다. 도 11에 도시된 바와 같이, 상이한 지연 세팅들에 대한 파형들(1110-1 내지 1110-8)은 상이한 시간들에 출력 버퍼(860)의 상승 에지 임계치를 넘는다. 이는 출력 버퍼(860)의 출력(864)이 제1 지연 코드의 상이한 지연 세팅들에 대해 상이한 시간들에 0에서 1로 전환되게 하여, 상이한 지연 세팅들에 대해 출력(864)에서 상이한 지연들을 초래한다. [0094] The corresponding rising edge of the second signal arrives at delay interpolator 630 at time t2 (e.g., one coarse delay step after the rising edge of the first signal). At this point, waveforms 1110-1 through 1110-8 for different delay settings have the same slew rate. This is because the rising edge of the second signal causes the remaining pull-up devices to turn on. In other words, after the rising edge of the second signal arrives, all of the pull-up devices 810-1 to 810-K are turned on. As shown in Figure 11, waveforms 1110-1 through 1110-8 for different delay settings cross the rising edge threshold of output buffer 860 at different times. This causes the output 864 of the output buffer 860 to transition from 0 to 1 at different times for different delay settings of the first delay code, resulting in different delays at the output 864 for different delay settings. do.

[0095] 도 11의 예에서, 상이한 파형들(1110-1 내지 1110-8)은 상승 에지 임계치에서 대략적으로 균등하게 이격된다. 이는 출력 버퍼(860)의 출력(864)에서 대략적으로 균일한 미세 지연 스텝들을 초래한다. 이러한 예에서, 상승 에지 임계치에서 상이한 파형들(1110-1 내지 1110-8) 사이의 균등한 간격(그리고 그에 따른 출력(864)에서의 대략적으로 균일한 미세 지연 스텝들)은, 제2 신호의 상승 에지의 도달까지 상승 에지 임계치를 파형들(1110-2 내지 1110-8)보다 높게 세팅함으로써 달성된다. [0095] In the example of Figure 11, the different waveforms 1110-1 through 1110-8 are approximately equally spaced at the rising edge threshold. This results in approximately uniform fine delay steps at the output 864 of the output buffer 860. In this example, the uniform spacing between the different waveforms 1110-1 through 1110-8 at the rising edge threshold (and thus the approximately uniform fine delay steps at the output 864) is This is achieved by setting the rising edge threshold higher than waveforms 1110-2 to 1110-8 until the arrival of the rising edge.

[0096] 도 11의 예에서, 제1 신호의 하강 에지는 시간 t3에 지연 보간기(630)에 도달한다. 도 11의 파형들(1110-1 내지 1110-8)에 의해 도시된 바와 같이, 노드(830)에서의 슬루 레이트는 제2 지연 코드의 상이한 지연 세팅들에 대해 상이하다. 이러한 예에서, 제1 신호를 수신하는 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)의 수가 더 적을 때, 슬루 레이트는 더 느리다. 이는, 턴 온된 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L)의 수가 더 적기 때문에, 결과적으로 노드(830)를 풀 다운하기 위해 커패시터(845)를 방전시키는 전류가 더 적어지기 때문이다. [0096] In the example of Figure 11, the falling edge of the first signal arrives at delay interpolator 630 at time t3. As shown by waveforms 1110-1 to 1110-8 in FIG. 11, the slew rate at node 830 is different for different delay settings of the second delay code. In this example, when the number of pull-down devices 815-1 through 815-L receiving the first signal is smaller, the slew rate is slower. This is because there are fewer pull-down devices 815-1 to 815-L turned on, resulting in less current discharging the capacitor 845 to pull down the node 830.

[0097] 제2 신호의 대응하는 하강 에지는 시간 t4(예컨대, 제1 신호의 하강 에지 이후 하나의 코오스 지연 스텝)에 지연 보간기(630)에 도달한다. 이 시점에서, 상이한 지연 세팅들에 대한 파형들(1110-1 내지 1110-8)은 동일한 슬루 레이트를 갖는다. 이는, 제2 신호의 하강 에지가 나머지 풀-다운 디바이스들로 하여금 턴 온되게 하기 때문이다. 다시 말해서, 제2 신호의 하강 에지가 도달한 후에, 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L) 모두가 턴 온된다. 도 11에 도시된 바와 같이, 상이한 지연 세팅들에 대한 파형들(1110-1 내지 1110-8)은 상이한 시간들에 출력 버퍼(860)의 하강 에지 임계치를 넘는다. 이는 출력 버퍼(860)의 출력(864)이 제2 지연 코드의 상이한 지연 세팅들에 대해 상이한 시간들에 1에서 0으로 전환되게 하여, 상이한 지연 세팅들에 대해 출력(864)에서 상이한 지연들을 초래한다. [0097] The corresponding falling edge of the second signal arrives at delay interpolator 630 at time t4 (e.g., one coarse delay step after the falling edge of the first signal). At this point, waveforms 1110-1 through 1110-8 for different delay settings have the same slew rate. This is because the falling edge of the second signal causes the remaining pull-down devices to turn on. In other words, after the falling edge of the second signal arrives, all of the pull-down devices 815-1 to 815-L are turned on. As shown in Figure 11, waveforms 1110-1 through 1110-8 for different delay settings cross the falling edge threshold of output buffer 860 at different times. This causes the output 864 of the output buffer 860 to transition from 1 to 0 at different times for different delay settings of the second delay code, resulting in different delays at the output 864 for different delay settings. do.

[0098] 도 11의 예에서, 상이한 파형들(1110-1 내지 1110-8)은 하강 에지 임계치에서 대략적으로 균등하게 이격된다. 이는 출력 버퍼(860)의 출력(864)에서 대략적으로 균일한 미세 지연 스텝들을 초래한다. 이러한 예에서, 하강 에지 임계치에서 상이한 파형들(1110-1 내지 1110-8) 사이의 균등한 간격(그리고 그에 따른 출력(864)에서의 대략적으로 균일한 미세 지연 스텝들)은, 제2 신호의 하강 에지의 도달까지, 하강 에지 임계치를 파형들(1110-2 내지 1110-8)보다 낮게 세팅함으로써 달성된다.[0098] In the example of Figure 11, the different waveforms 1110-1 through 1110-8 are approximately equally spaced at the falling edge threshold. This results in approximately uniform fine delay steps at the output 864 of the output buffer 860. In this example, the uniform spacing between the different waveforms 1110-1 through 1110-8 at the falling edge threshold (and the resulting approximately uniform fine delay steps at the output 864) is This is achieved by setting the falling edge threshold lower than waveforms 1110-2 through 1110-8, until the arrival of the falling edge.

[0099] 도 11의 예에서, 상승 에지 임계치 및 하강 에지 임계치는 출력 버퍼(860)가 상승 에지들 및 하강 에지들 둘 모두에 대해 출력(864)에서 대략적으로 균일한 미세 지연 스텝들을 달성할 수 있게 한다. 도 11의 예에서, 출력 버퍼(860)에 대해 단일 임계치를 사용하면 균일하지 않은 미세 지연 스텝들이 초래된다. 이와 관련하여, 도 11은 대략 Vdd/2에 위치한 단일 임계치(1120)의 예를 도시한다. 도 11에 도시된 바와 같이, 파형들(1110-1 내지 1110-8)은 임계치(1120)에서 균일하게 이격되지 않으며, 결과적으로 출력(864)의 상승 에지들 및 하강 에지들 둘 모두에 대해 불균일한 미세 지연 스텝들이 초래된다. [0099] In the example of FIG. 11, the rising edge threshold and falling edge threshold are such that the output buffer 860 can achieve approximately uniform fine delay steps at the output 864 for both rising and falling edges. let it be In the example of Figure 11, using a single threshold for output buffer 860 results in non-uniform fine delay steps. In this regard, Figure 11 shows an example of a single threshold 1120 located approximately at Vdd/2. As shown in Figure 11, waveforms 1110-1 through 1110-8 are not uniformly spaced at threshold 1120, resulting in non-uniformity for both rising and falling edges of output 864. One minute delay step results.

[0100] 그러나, 다른 구현들에서, 출력 버퍼(860)는 단일 임계치를 가질 수 있다는 것이 인지되어야 한다. 이러한 예에서, 출력 버퍼(860)는 입력(862)에서의 전압이 임계치 위로 상승할 때 출력(864)을 0에서 1로 전환하고, 입력(862)에서의 전압이 임계치 아래로 떨어질 때 출력(864)을 1에서 0으로 전환하도록 구성된다. 예컨대, 상승 에지에 대한 상이한 지연 세팅들에 대한 파형들이 제2 신호의 도달까지 Vdd/2 미만으로 유지되고, 하강 에지에 대한 상이한 지연 세팅들에 대한 파형들이 제2 신호의 도달까지 Vdd/2 초과로 유지되는 경우에 대해 단일 임계치가 사용될 수 있다. 이러한 경우, 출력 버퍼(860)는 임계치를 대략 Vdd/2로 세팅함으로써 상승 에지들 및 하강 에지들 둘 모두에 대해 출력(864)에서 대략적으로 균일한 미세 지연 스텝들을 달성할 수 있다. 단일 임계치 대신에 출력 버퍼(860)에 대한 상승 에지 임계치 및 하강 에지 임계치를 사용하는 이점은, 상승 에지 임계치 및 하강 에지 임계치가, 상승 에지들 및 하강 에지들 둘 모두에 대해 출력(864)에서 대략적으로 균일한 미세 지연 스텝들을 달성하기 위한 파형들에 대한 요구 사항들을 완화한다는 것이다. However, it should be noted that in other implementations, output buffer 860 may have a single threshold. In this example, output buffer 860 switches output 864 from 0 to 1 when the voltage at input 862 rises above the threshold and output (864) transitions from 0 to 1 when the voltage at input 862 falls below the threshold. 864) from 1 to 0. For example, the waveforms for different delay settings for the rising edge remain below Vdd/2 until the arrival of the second signal, and the waveforms for different delay settings for the falling edge remain above Vdd/2 until the arrival of the second signal. A single threshold may be used for the case where . In this case, output buffer 860 can achieve approximately uniform fine delay steps at output 864 for both rising and falling edges by setting the threshold to approximately Vdd/2. The advantage of using a rising edge threshold and a falling edge threshold for the output buffer 860 instead of a single threshold is that the rising edge threshold and falling edge threshold are approximately This relaxes the requirements on the waveforms to achieve uniform fine delay steps.

[0101] 도 11을 참조로 위에서 논의된 예에서, 출력 버퍼(860)는, 입력(862)에서의 상승 에지가 상승 에지 임계치를 넘을 때 출력(864)을 0에서 1로 전환하고 그리고 입력(862)에서의 하강 에지가 하강 에지 임계치를 넘을 때 출력(864)을 1에서 0으로 전환한다. 그러나, 출력 버퍼(860)는 이러한 예로 제한되지 않는다는 것이 인지되어야 한다. 다른 구현들에서, 출력 버퍼(860)는 반전 출력 버퍼일 수 있고, 여기서 출력 버퍼(860)는, 입력(862)에서의 상승 에지가 상승 에지 임계치를 넘을 때 출력(864)을 0에서 1로 전환하고, 입력(862)에서 하강 에지가 하강 에지 임계치를 넘을 때 출력(864)을 0에서 1로 전환한다. 이들 구현들에서, 제1 제어 회로(840)는 지연 보간기(630)의 출력(638)에서 하강 에지의 미세 지연을 튜닝하기 위해 사용될 수 있고, 그리고 제2 제어 회로(850)는 지연 보간기(630)의 출력(638)에서 상승 에지의 미세 지연을 튜닝하기 위해 사용될 수 있다. 일반적으로, 출력 버퍼(860)는 입력(862)에서의 상승 에지가 상승 에지 임계치를 넘을 때 출력(864)을 제1 로직 상태로부터 제2 로직 상태로 전환하고, 그리고 입력(862)에서의 하강 에지가 하강 에지 임계치를 넘을 때 출력(864)을 제2 로직 상태로부터 제1 로직 상태로 전환하도록 구성될 수 있다. 제1 로직 상태는 0일 수 있고, 제2 로직 상태는 1일 수 있거나, 또는 그 반대의 경우도 가능하다. [0101] In the example discussed above with reference to FIG. 11, output buffer 860 transitions output 864 from 0 to 1 when a rising edge at input 862 crosses the rising edge threshold and input ( When the falling edge at 862) exceeds the falling edge threshold, output 864 switches from 1 to 0. However, it should be appreciated that output buffer 860 is not limited to this example. In other implementations, output buffer 860 may be an inverting output buffer, where output buffer 860 changes output 864 from 0 to 1 when a rising edge at input 862 crosses a rising edge threshold. and transitions output 864 from 0 to 1 when the falling edge at input 862 exceeds the falling edge threshold. In these implementations, the first control circuit 840 can be used to tune the fine delay of the falling edge at the output 638 of the delay interpolator 630, and the second control circuit 850 can be used to tune the delay interpolator 630. It can be used to tune the fine delay of the rising edge at the output 638 of 630. Typically, output buffer 860 transitions output 864 from a first logic state to a second logic state when a rising edge at input 862 crosses a rising edge threshold and a falling edge at input 862. The output 864 may be configured to transition from the second logic state to the first logic state when the edge crosses the falling edge threshold. The first logic state may be 0 and the second logic state may be 1, or vice versa.

[0102] 도 12는 본 개시내용의 특정한 양상들에 따른, 출력 버퍼(860)의 예시적인 구현을 도시한다. 이러한 예에서, 출력 버퍼(860)는 제1 인버터(1218), 제2 인버터(1258), 및 임계 회로(1238)를 포함한다. 제1 인버터(1218)는 출력 버퍼(860)의 입력(862)에 커플링된 입력(1222), 및 출력(1224)을 갖는다. 제2 인버터(1258)는 제1 인버터(1218)의 출력(1224)에 커플링된 입력(1252), 및 출력 버퍼(860)의 출력(864)에 커플링된 출력(1254)을 갖는다. 도 12의 예에서, 제1 인버터(1218) 및 제2 인버터(1258)는 상보적 인버터들을 이용하여 구현된다. 보다 구체적으로, 제1 인버터(1218)는 PFET(1225) 및 NFET(1220)를 포함하며, 여기서 PFET(1225) 및 NFET(1220)의 게이트들은 입력(1222)에 커플링되고, PFET(1225)의 소스는 공급 레일(870)에 커플링되며, PFET(1225) 및 NFET(1220)의 드레인들은 출력(1224)에 커플링되고, NFET(1220)의 소스는 접지에 커플링된다. 제2 인버터(1258)는 PFET(1255) 및 NFET(1250)를 포함하며, 여기서 PFET(1255) 및 NFET(1250)의 게이트들은 입력(1252)에 커플링되고, PFET(1255)의 소스는 공급 레일(870)에 커플링되고, PFET(1255) 및 NFET(1250)의 드레인들은 출력(1254)에 커플링되고, 그리고 NFET(1250)의 소스는 접지에 커플링된다. [0102] Figure 12 shows an example implementation of an output buffer 860, in accordance with certain aspects of the disclosure. In this example, output buffer 860 includes a first inverter 1218, a second inverter 1258, and a threshold circuit 1238. First inverter 1218 has an input 1222 coupled to an input 862 of an output buffer 860, and an output 1224. The second inverter 1258 has an input 1252 coupled to the output 1224 of the first inverter 1218 and an output 1254 coupled to the output 864 of the output buffer 860. In the example of Figure 12, first inverter 1218 and second inverter 1258 are implemented using complementary inverters. More specifically, first inverter 1218 includes PFET 1225 and NFET 1220, wherein the gates of PFET 1225 and NFET 1220 are coupled to input 1222, and PFET 1225 The source of is coupled to supply rail 870, the drains of PFET 1225 and NFET 1220 are coupled to output 1224, and the source of NFET 1220 is coupled to ground. Second inverter 1258 includes PFET 1255 and NFET 1250, where the gates of PFET 1255 and NFET 1250 are coupled to input 1252 and the source of PFET 1255 is supplied. Coupled to rail 870, the drains of PFET 1255 and NFET 1250 are coupled to output 1254, and the source of NFET 1250 is coupled to ground.

[0103] 이러한 예에서, 임계 회로(1238)는 아래에서 더 논의되는 바와 같이, 제1 신호에 기반하여 상승 에지 임계치와 하강 에지 임계치 사이에서 제1 인버터(1218)의 입력(1222)을 스위칭하도록 구성된다. 임계 회로(1238)는 PFET(1240) 및 제1 스위치(1245)를 포함한다. PFET(1240)의 게이트는 제1 인버터(1218)에서 PFET(1225)의 게이트에 커플링되고, PFET(1240)의 드레인은 제1 인버터(1218)에서 PFET(1225)의 드레인에 커플링된다. 제1 스위치(1245)는 PFET(1240)의 소스와 공급 레일(870) 사이에 커플링된다. 제1 스위치(1245)는 제1 신호를 수신하기 위해 지연 보간기(630)의 제1 입력(634)에 커플링된 제어 입력(1247)을 갖는다. [0103] In this example, the threshold circuit 1238 is configured to switch the input 1222 of the first inverter 1218 between a rising edge threshold and a falling edge threshold based on the first signal, as discussed further below. It is composed. Threshold circuit 1238 includes PFET 1240 and first switch 1245. The gate of PFET 1240 is coupled to the gate of PFET 1225 in first inverter 1218, and the drain of PFET 1240 is coupled to the drain of PFET 1225 in first inverter 1218. First switch 1245 is coupled between the source of PFET 1240 and supply rail 870. First switch 1245 has a control input 1247 coupled to a first input 634 of delay interpolator 630 to receive a first signal.

[0104] 이러한 예에서, 제1 스위치(1245)는 제1 신호가 1일 때 턴 온되고, 제1 신호가 0일 때 턴 오프되도록 구성된다. 제1 스위치(1245)가 턴 온되면, 제1 스위치(1245)는 PFET(1240)의 소스를 공급 레일(870)에 커플링하고, 이는 PFET(1240)를 제1 인버터(1218)의 PFET(1225)와 병렬로 커플링한다. 그 결과, PFET(1240)는 공급 레일(870)로부터 제1 인버터(1218)의 출력(1224)으로의 전류 구동을 증가시키며, 이는 제1 인버터(1218)의 임계치를 상승 에지 임계치로 증가시킨다. 이러한 예에서, 상승 에지 임계치는 PFET(1240)의 사이즈(예컨대, 폭)와 NFET(1220)의 사이즈(예를 들어, 폭) 사이의 비율을 적절하게 세팅함으로써 원하는 전압으로 세팅될 수 있다. 비율이 더 클수록, 상승 에지 임계치가 더 높아진다. [0104] In this example, the first switch 1245 is configured to turn on when the first signal is 1 and to turn off when the first signal is 0. When first switch 1245 is turned on, first switch 1245 couples the source of PFET 1240 to supply rail 870, which connects PFET 1240 to the PFET(s) of first inverter 1218. 1225) and is coupled in parallel. As a result, PFET 1240 increases the current drive from supply rail 870 to output 1224 of first inverter 1218, which increases the threshold of first inverter 1218 to the rising edge threshold. In this example, the rising edge threshold can be set to the desired voltage by appropriately setting the ratio between the size (e.g., width) of PFET 1240 and the size (e.g., width) of NFET 1220. The larger the ratio, the higher the rising edge threshold.

[0105] 임계 회로(1238)는 또한 NFET(1235) 및 제2 스위치(1230)를 포함한다. NFET(1235)의 게이트는 제1 인버터(1218)에서 NFET(1220)의 게이트에 커플링되고, NFET(1235)의 드레인은 제1 인버터(1218)에서 NFET(1220)의 드레인에 커플링된다. 제2 스위치(1230)는 NFET(1235)의 소스와 접지 사이에 커플링된다. 제2 스위치(1230)는 제1 신호를 수신하기 위해 지연 보간기(630)의 제1 입력(634)에 커플링된 제어 입력(1232)을 갖는다. [0105] Threshold circuit 1238 also includes NFET 1235 and second switch 1230. The gate of NFET 1235 is coupled to the gate of NFET 1220 in first inverter 1218, and the drain of NFET 1235 is coupled to the drain of NFET 1220 in first inverter 1218. Second switch 1230 is coupled between the source of NFET 1235 and ground. The second switch 1230 has a control input 1232 coupled to the first input 634 of the delay interpolator 630 to receive a first signal.

[0106] 이러한 예에서, 제2 스위치(1230)는 제1 신호가 0일 때 턴 온되고, 제1 신호가 1일 때 턴 오프되도록 구성된다. 제2 스위치(1230)가 턴 온되면, 제2 스위치(1230)는 NFET(1235)의 소스를 접지에 커플링하고, 이는 NFET(1235)를 제1 인버터(1218)의 NFET(1220)와 병렬로 커플링한다. 그 결과, NFET(1235)는 제1 인버터(1218)의 출력(1224)으로부터 접지로의 전류 드라이브를 증가시키고, 이는 제1 인버터(1218)의 임계치를 하강 에지 임계치로 감소시킨다. 이러한 예에서, 하강 에지 임계치는 NFET(1235)의 사이즈(예컨대, 폭)와 PFET(1225)의 사이즈(예를 들어, 폭) 사이의 비율을 적절하게 세팅함으로써 원하는 전압으로 세팅될 수 있다. 비율이 더 클수록, 하강 에지 임계치가 더 낮아진다. [0106] In this example, the second switch 1230 is configured to turn on when the first signal is 0 and to turn off when the first signal is 1. When second switch 1230 is turned on, second switch 1230 couples the source of NFET 1235 to ground, which places NFET 1235 in parallel with NFET 1220 of first inverter 1218. Couple with As a result, NFET 1235 increases the current drive from the output 1224 of first inverter 1218 to ground, which reduces the threshold of first inverter 1218 to the falling edge threshold. In this example, the falling edge threshold can be set to the desired voltage by appropriately setting the ratio between the size (e.g., width) of NFET 1235 and the size (e.g., width) of PFET 1225. The larger the ratio, the lower the falling edge threshold.

[0107] 따라서, 이러한 예에서, 임계 회로(1238)는 제1 신호가 1일 때 제1 인버터(1218)의 임계치를 상승 에지 임계치로 세팅하고, 제1 신호가 0일 때 제1 인버터(1218)의 임계치를 하강 에지 임계치로 세팅한다. [0107] Thus, in this example, the threshold circuit 1238 sets the threshold of the first inverter 1218 to the rising edge threshold when the first signal is 1 and sets the threshold of the first inverter 1218 to the rising edge threshold when the first signal is 0. ) set the threshold to the falling edge threshold.

[0108] 출력 버퍼(860)가 도 12에 도시된 예시적인 구현으로 제한되지 않는다는 것이 인지되어야한다. 예를 들어, 출력 버퍼(860)는 빌트-인 히스테리시스(hysteresis)(예컨대, 슈미트-트리거(Schmitt-trigger) 버퍼) 또는 다른 타입의 출력 버퍼를 이용하여 구현될 수 있다. [0108] It should be appreciated that the output buffer 860 is not limited to the example implementation shown in FIG. 12. For example, output buffer 860 may be implemented using built-in hysteresis (e.g., Schmitt-trigger buffer) or another type of output buffer.

[0109] 도 13은 제1 스위치(1245) 및 제2 스위치(1230)의 예시적인 구현을 도시한다. 이러한 예에서, 제1 스위치(1245)는 PFET(1240)와 공급 레일(870) 사이에 커플링된 PFET(1320)를 포함한다. PFET(1320)의 게이트는 인버터(1340)를 통해 지연 보간기(630)의 제1 입력(634)에 커플링되어 제1 신호가 1일 때 PFET(1320)가 턴 온된다. 인버터(1340)는 지연 보간기(630)의 제1 입력(634)에 커플링된 입력(1342), 및 PFET(1320)의 게이트에 커플링된 출력(1344)을 갖는다. [0109] Figure 13 shows an example implementation of the first switch 1245 and the second switch 1230. In this example, first switch 1245 includes PFET 1320 coupled between PFET 1240 and supply rail 870. The gate of PFET 1320 is coupled to the first input 634 of delay interpolator 630 through inverter 1340 such that PFET 1320 turns on when the first signal is 1. Inverter 1340 has an input 1342 coupled to a first input 634 of delay interpolator 630, and an output 1344 coupled to the gate of PFET 1320.

[0110] 이러한 예에서, 제2 스위치(1230)는 NFET(1235)와 접지 사이에 커플링된 NFET(1330)를 포함한다. NFET(1330)의 게이트는 인버터(1340)를 통해 지연 보간기(630)의 제1 입력(634)에 커플링되어 제1 신호가 0일 때 NFET(1330)가 턴 온된다. 인버터(1340)의 출력(1344)은 또한 NFET(1330)의 게이트에 커플링된다. [0110] In this example, second switch 1230 includes NFET 1330 coupled between NFET 1235 and ground. The gate of NFET 1330 is coupled to the first input 634 of delay interpolator 630 through inverter 1340 such that NFET 1330 is turned on when the first signal is zero. The output 1344 of inverter 1340 is also coupled to the gate of NFET 1330.

[0111] 위에서 논의된 예들에서, 출력 버퍼(860)는 비-반전인 것으로 가정된다. 그러나, 반드시 그럴 필요는 없다는 것이 인지되어야 한다. 출력 버퍼(860)가 반전하고 있는 경우에, 제1 제어 회로(840)는 제1 지연 코드에 기반하여 지연 보간기(630)의 출력(638)에서 하강 에지의 미세 지연을 제어할 수 있고, 제2 제어 회로(850)는 제2 지연 코드에 기반하여 지연 보간기(630)의 출력(638)에 상승 에지의 미세 지연을 제어할 수 있다. 예를 들어, 도 12에 도시된 예시적인 출력 버퍼(860)는 제2 인버터(1258)를 생략하거나 다른 인버터를 추가하여 반전하도록 할 수 있다. [0111] In the examples discussed above, output buffer 860 is assumed to be non-inverting. However, it should be recognized that this does not have to be the case. When the output buffer 860 is inverting, the first control circuit 840 can control the fine delay of the falling edge at the output 638 of the delay interpolator 630 based on the first delay code, The second control circuit 850 may control the fine delay of the rising edge of the output 638 of the delay interpolator 630 based on the second delay code. For example, the example output buffer 860 shown in FIG. 12 can be inverted by omitting the second inverter 1258 or adding another inverter.

[0112] 위에서 논의된 바와 같이, 코오스 지연 회로(620)는 도 7에 도시된 예시적인 구현들로 제한되지 않는다. 이와 관련하여, 도 14는 특정 양상들에 따른 코오스 지연 회로(620)의 다른 예시적인 구현을 도시한다. 이러한 예에서, 코오스 지연 회로(620)는 지연 라인(예컨대, 지연 체인)을 형성하도록 직렬로 커플링된 다수의 지연 디바이스들(1410-1 내지 1410-N)을 포함한다. 지연 디바이스들(1410-1 내지 1410-N) 각각은 ("in"으로 라벨링된) 개개의 입력, 및 ("out"으로 라벨링된) 개개의 출력을 갖는다. 지연 디바이스들(1410-1 내지 1410-N) 각각은 하나의 코오스 지연 스텝()의 지연을 가질 수 있다. 지연 디바이스(1410-1)의 입력은 코오스 지연 회로(620)의 입력(622)에 커플링된다. 지연 디바이스들(1410-1 내지 1410-(N-1)) 각각의 출력은 지연 라인에서 다음 지연 디바이스(1410-2 내지 1410-N)의 입력에 커플링된다. [0112] As discussed above, coarse delay circuit 620 is not limited to the example implementations shown in FIG. 7. In this regard, FIG. 14 illustrates another example implementation of coarse delay circuit 620 in accordance with certain aspects. In this example, coarse delay circuit 620 includes multiple delay devices 1410-1 through 1410-N coupled in series to form a delay line (e.g., a delay chain). Each of the delay devices 1410-1 through 1410-N has a respective input (labeled “in”) and a respective output (labeled “out”). Each of the delay devices 1410-1 to 1410-N has one coarse delay step ( ) can have a delay. The input of delay device 1410-1 is coupled to input 622 of coarse delay circuit 620. The output of each of the delay devices 1410-1 through 1410-(N-1) is coupled to the input of the next delay device 1410-2 through 1410-N in the delay line.

[0113] 코오스 지연 회로(620)는 또한 다수의 입력들(1432-1 내지 1432-N), 출력(1434), 및 선택 입력(1436)을 갖는 멀티플렉서(1430)를 포함한다. 멀티플렉서(1430)의 입력들(1432-1 내지 1432-N) 각각은 지연 라인의 지연 디바이스들(1410-1 내지 1410-N) 중의 개개의 지연 디바이스의 출력에 커플링된다. 결과적으로, 입력들(1432-1 내지 1432-N) 각각은 상이한 지연에 대응하는 지연 라인 상의 상이한 지점에 커플링된다. 멀티플렉서(1430)의 출력(1434)은 제1 출력(624)에 커플링되고, 멀티플렉서(130)의 선택 입력(1436)은 지연 제어 회로(650)에 커플링된다. [0113] The coarse delay circuit 620 also includes a multiplexer 1430 having a number of inputs 1432-1 through 1432-N, an output 1434, and a select input 1436. Each of the inputs 1432-1 through 1432-N of the multiplexer 1430 is coupled to the output of a respective one of the delay devices 1410-1 through 1410-N of the delay line. As a result, each of inputs 1432-1 through 1432-N is coupled to a different point on the delay line corresponding to a different delay. The output 1434 of the multiplexer 1430 is coupled to the first output 624 and the select input 1436 of the multiplexer 130 is coupled to the delay control circuit 650.

[0114] 멀티플렉서(1430)는 선택 입력(1436)에서 지연 제어 회로(650)로부터 선택 신호를 수신하고 수신된 선택 신호에 기반하여 멀티플렉서(1430)의 입력들(1432-1 내지 1432-N) 중 하나를 선택하도록 구성되며, 입력들(1432-1 내지 1432-N) 중 선택된 하나의 입력은 멀티플렉서(1430)의 출력(1434)에 커플링된다. 입력들(1432-1 내지 1432-N) 각각은 상이한 지연에 대응하는 지연 라인 상의 상이한 지점에 커플링되므로, 지연 제어 회로(650)는, 입력들(1432-1 내지 1432-N) 중 어느 입력이 멀티플렉서(1430)에 의해 선택되는지를 제어함으로써, 선택 신호를 사용하여 코오스 지연 회로(620)의 튜닝가능한 지연을 제어할 수 있다. 따라서, 이러한 예에서, 선택 신호는 코오스 지연 회로(620)의 지연을 튜닝하기 위해 지연 제어 회로(650)에 의해 사용되는 지연 제어 신호이다. 멀티플렉서(1430)의 출력(1434)은 제1 출력(624)에서 제1 신호를 제공한다. [0114] The multiplexer 1430 receives a selection signal from the delay control circuit 650 at the selection input 1436 and selects one of the inputs 1432-1 to 1432-N of the multiplexer 1430 based on the received selection signal. It is configured to select one input, and the selected one input among the inputs 1432-1 to 1432-N is coupled to the output 1434 of the multiplexer 1430. Since each of the inputs 1432-1 through 1432-N is coupled to a different point on the delay line corresponding to a different delay, the delay control circuit 650 can operate on any of the inputs 1432-1 through 1432-N. By controlling whether this is selected by multiplexer 1430, the select signal can be used to control the tunable delay of coarse delay circuit 620. Accordingly, in this example, the select signal is a delay control signal used by delay control circuit 650 to tune the delay of coarse delay circuit 620. Output 1434 of multiplexer 1430 provides a first signal at first output 624.

[0115] 이러한 예에서, 코오스 지연 회로(620)는 또한 제2 신호를 제공하기 위해 멀티플렉서(1430)의 출력(1434)과 제2 출력(626) 사이에 커플링된 추가적인 지연 디바이스(1440)를 포함한다. 추가적인 지연 디바이스(1440)는 멀티플렉서(1430)의 출력(1434)에서 제1 신호를 하나의 코오스 지연 스텝()만큼 지연시켜 제2 출력(626)에서 제2 신호를 제공할 수 있다. 따라서, 이러한 예에서, 제2 지연 신호는 제1 지연 신호에 대해 하나의 코오스 지연 스텝()만큼 지연된다. 제1 신호와 제2 신호 사이의 지연이 코오스 지연 회로(620) 내의 추가적인 지연 디바이스(1440)에 의해 생성되기 때문에, 제1 신호와 제2 신호 사이의 지연은 PVT 변동들로 인한 코오스 지연 회로(620)의 변화들에 의해 야기되는 코오스 지연 스텝에서의 변화들을 추적한다. [0115] In this example, the coarse delay circuit 620 also includes an additional delay device 1440 coupled between the output 1434 of the multiplexer 1430 and the second output 626 to provide a second signal. Includes. An additional delay device 1440 converts the first signal at the output 1434 of the multiplexer 1430 into one coarse delay step ( ) can be delayed to provide a second signal from the second output 626. Therefore, in this example, the second delay signal is one coarse delay step ( ) is delayed. Because the delay between the first signal and the second signal is created by the additional delay device 1440 in the coarse delay circuit 620, the delay between the first signal and the second signal is caused by PVT variations in the coarse delay circuit ( Track changes in the coarse delay step caused by changes in 620).

[0116] 도 8에 대해 위에서 논의된 바와 같이, 제1 제어 회로(840)와 제2 제어 회로(850)는 출력(638)에서 상승 에지의 미세 지연 및 출력(638)에서 하강 에지의 미세 지연이 독립적으로 조정될 수 있게 하고, 이는 출력(638)에서 지연된 신호의 듀티 사이클을 조정하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 출력(638)에서 지연된 신호의 듀티 사이클은 상승 에지에 비해 하강 에지의 지연을 증가시킴으로써(예컨대, 제2 지연 코드의 지연 세팅을 증가시킴으로써) 증가될 수 있다. 출력(638)에서 지연된 신호의 듀티 사이클은 상승 에지에 비해 하강 에지의 지연을 감소시킴으로써(예컨대, 제2 지연 코드의 지연 세팅을 감소시킴으로써) 감소될 수 있다. [0116] As discussed above with respect to FIG. 8 , first control circuit 840 and second control circuit 850 provide a fine delay of the rising edge at output 638 and a fine delay of the falling edge at output 638. can be adjusted independently, which can be used to adjust the duty cycle of the delayed signal at output 638. For example, the duty cycle of the delayed signal at output 638 can be increased by increasing the delay of the falling edge relative to the rising edge (e.g., by increasing the delay setting of the second delay code). The duty cycle of the delayed signal at output 638 may be reduced by reducing the delay of the falling edge relative to the rising edge (eg, by reducing the delay setting of the second delay code).

[0117] 예를 들어, 대략 50 퍼센트의 듀티 사이클을 달성하기 위해 듀티 사이클 조정이 데이터 인터페이스에서 사용될 수 있다. 일 예에서, 데이터 인터페이스는 DDR(double-data rate) 메모리 인터페이스일 수 있고, 여기서 데이터는 클록 신호의 상승 에지 및 하강 에지 둘 모두에서 수신된 데이터 신호로부터 캡처된다. 이러한 예에서, 클록 신호의 상승 에지들 및 하강 에지들 상의 데이터 캡처가 균등하게 이격되도록 클록 신호에 대해 50 퍼센트 듀티 사이클이 바람직하다. 이러한 예에서, 클록 신호를 지연시키기 위해(예컨대, 데이터 신호의 전환들 사이에서 클록 신호의 에지들을 센터링하기 위해) 지연 회로(610)가 사용될 수 있다. 부가적으로, 제1 제어 회로(840) 및 제2 제어 회로(850)가, 50 퍼센트 듀티 사이클을 달성하기 위해, 지연된 클록 신호의 듀티 사이클을 조정하는 데 사용될 수 있다. [0117] For example, duty cycle adjustment may be used in the data interface to achieve a duty cycle of approximately 50 percent. In one example, the data interface may be a double-data rate (DDR) memory interface, where data is captured from a data signal received on both rising and falling edges of a clock signal. In this example, a 50 percent duty cycle is desirable for the clock signal so that data capture on the rising and falling edges of the clock signal are evenly spaced. In this example, delay circuit 610 may be used to delay the clock signal (e.g., to center edges of the clock signal between transitions of the data signal). Additionally, first control circuit 840 and second control circuit 850 may be used to adjust the duty cycle of the delayed clock signal to achieve a 50 percent duty cycle.

[0118] 이와 관련하여, 도 15는 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 데이터 인터페이스(1505)(예컨대, DDR 메모리 인터페이스)의 예를 도시한다. 이러한 예에서, 데이터 인터페이스(1505)는 지연 회로(610) 및 지연 제어 회로(650)를 포함한다. 데이터 인터페이스(1505)는 또한 듀티-사이클 검출기(1510) 및 래치(1520)를 포함한다. 듀티-사이클 검출기(1510)는 지연 회로(610)의 출력(614)에 커플링된 입력(1512), 및 지연 제어 회로(650)에 커플링된 출력(1514)을 갖는다. 래치(1520)는 데이터 입력(1524), 클록 입력(1522), 및 출력(1526)을 갖는다.[0118] In this regard, Figure 15 illustrates an example of a data interface 1505 (e.g., a DDR memory interface) in accordance with certain aspects of the present disclosure. In this example, data interface 1505 includes delay circuit 610 and delay control circuit 650. Data interface 1505 also includes a duty-cycle detector 1510 and latch 1520. Duty-cycle detector 1510 has an input 1512 coupled to an output 614 of delay circuit 610, and an output 1514 coupled to delay control circuit 650. Latch 1520 has a data input 1524, a clock input 1522, and an output 1526.

[0119] 이러한 예에서, 지연 회로(610)는 입력(612)에서 클록 신호를 수신하고, 클록 신호를 지연시키고, 출력(614)에서 지연된 클록 신호를 출력한다. 일 예에서, 래치(1520)는 데이터 입력(1524)에서 데이터 신호를 수신하고, 지연 제어 회로(650)는 지연 회로(610)의 지연을 조정하여 데이터 신호의 전환들 사이에서 지연된 클록 신호의 에지들을 정렬한다. 이러한 예에서, 래치(1520)는 클록 입력(1522)에서 지연된 클록 신호를 수신하고, 지연된 클록 신호의 상승 에지들 및 하강 에지들 상의 수신된 데이터 신호로부터 데이터 비트들을 캡처(즉, 래치)하고, 그리고 출력(1526)에서 데이터 비트들을 출력한다. 메모리 인터페이스의 예에 대해, 데이터 비트들은 데이터 비트들을 메모리에 기록하기 위해 판독-기록 회로부로, 그리고/또는 추가 프로세싱을 위해 프로세서로 출력될 수 있다. [0119] In this example, delay circuit 610 receives a clock signal at input 612, delays the clock signal, and outputs the delayed clock signal at output 614. In one example, latch 1520 receives a data signal at data input 1524, and delay control circuit 650 adjusts the delay of delay circuit 610 to delay edges of the clock signal between transitions of the data signal. Sort them. In this example, latch 1520 receives a delayed clock signal at clock input 1522 and captures (i.e., latches) data bits from the received data signal on the rising and falling edges of the delayed clock signal, And data bits are output at output 1526. For an example of a memory interface, data bits may be output to read-write circuitry to write the data bits to memory and/or to a processor for further processing.

[0120] 이러한 예에서, 듀티-사이클 검출기(1510)는 지연된 클록 신호의 듀티 사이클을 검출하고, 검출된 듀티 사이클을 타깃 듀티 사이클(예컨대, 50 퍼센트)과 비교하고, 그리고 검출된 듀티 사이클과 타깃 듀티 사이클 사이의 차이를 감소시키도록 듀티 사이클을 조정하기 위해 비교에 기반하여 지연 제어 회로(650)에 커맨드들을 송신하도록 구성된다. 예를 들어, 검출된 듀티 사이클이 타깃 듀티 사이클보다 크면, 듀티-사이클 검출기(1510)는 지연 제어 회로(650)에 듀티 사이클을 감소시키도록 명령할 수 있다. 응답으로, 지연 제어 회로(650)는 상승 에지에 비해 하강 에지의 지연을 감소시킴으로써(예컨대, 제2 지연 코드의 지연 세팅을 감소시킴으로써) 듀티 사이클을 감소시킬 수 있다. 검출된 듀티 사이클이 타깃 듀티 사이클보다 작으면, 듀티-사이클 검출기(1510)는 지연 제어 회로(650)에 듀티 사이클을 증가시키도록 명령할 수 있다. 응답으로, 지연 제어 회로(650)는 상승 에지에 비해 하강 에지의 지연을 증가시킴으로써(예컨대, 제2 지연 코드의 지연 세팅을 증가시킴으로써) 듀티 사이클을 증가시킬 수 있다. [0120] In this example, duty-cycle detector 1510 detects the duty cycle of the delayed clock signal, compares the detected duty cycle to a target duty cycle (e.g., 50 percent), and compares the detected duty cycle with the target. and to send commands to the delay control circuit 650 based on the comparison to adjust the duty cycle to reduce the difference between the duty cycles. For example, if the detected duty cycle is greater than the target duty cycle, duty-cycle detector 1510 may instruct delay control circuit 650 to decrease the duty cycle. In response, delay control circuit 650 may reduce the duty cycle by reducing the delay of falling edges relative to rising edges (e.g., by reducing the delay setting of the second delay code). If the detected duty cycle is less than the target duty cycle, duty-cycle detector 1510 may command delay control circuit 650 to increase the duty cycle. In response, delay control circuit 650 may increase the duty cycle by increasing the delay of falling edges relative to rising edges (eg, by increasing the delay setting of the second delay code).

[0121] 일 예에서, 데이터 인터페이스(1505)는 또한 코오스 듀티 사이클 조정기(미도시)를 포함할 수 있다. 이러한 예에서, 듀티-사이클 검출기(1510)는 클록 신호의 듀티 사이클에 대해 코오스 조정들을 행하기 위해 코오스 듀티 사이클 조정기를 사용하고, 타깃 듀티 사이클과 검출된 듀티 사이클의 비교에 기반하여 클록 신호의 듀티 사이클에 대해 미세 조정들을 행하기 위해 지연 회로(610)를 사용할 수 있다. [0121] In one example, data interface 1505 may also include a coarse duty cycle adjuster (not shown). In this example, duty-cycle detector 1510 uses a coarse duty cycle adjuster to make coarse adjustments to the duty cycle of the clock signal and determines the duty cycle of the clock signal based on a comparison of the target duty cycle and the detected duty cycle. Delay circuit 610 can be used to make fine adjustments to the cycle.

[0122] 도 16은 본 개시내용의 특정 양상들에 따른 지연 보간기를 동작시키는 방법(1600)을 예시한다. 지연 보간기(예컨대, 지연 보간기(630))는 공급 레일(예컨대, 공급 레일(870))과 노드(예컨대, 노드(830)) 사이에 커플링된 풀-업 디바이스들(예컨대, 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K)), 및 노드와 접지 사이에 커플링된 풀-다운 디바이스들(예컨대, 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L))을 포함한다.[0122] Figure 16 illustrates a method 1600 of operating a delay interpolator in accordance with certain aspects of the disclosure. A delay interpolator (e.g., delay interpolator 630) may be configured to use pull-up devices (e.g., pull-up devices) coupled between a supply rail (e.g., supply rail 870) and a node (e.g., node 830). up devices 810-1 through 810-K), and pull-down devices coupled between the node and ground (eg, pull-down devices 815-1 through 815-L).

[0123] 블록(1610)에서, 제1 신호가 수신된다. 예를 들어, 제1 신호는 코오스 지연 회로(예컨대, 코오스 지연 회로(620))로부터 수신될 수 있다. [0123] At block 1610, a first signal is received. For example, the first signal may be received from a coarse delay circuit (eg, coarse delay circuit 620).

[0124] 블록(1620)에서, 제1 신호에 대해 지연된 제2 신호가 수신된다. 예를 들어, 제2 신호는 코오스 지연 회로(예컨대, 코오스 지연 회로(620))로부터 수신될 수 있다. 일 예에서, 제2 신호는 코오스 지연 회로의 하나의 코오스 지연 스텝만큼 제1 신호에 대해 지연될 수 있다. 특정 양상들에서, 코오스 지연 회로는 입력 신호(예컨대, 데이터 신호, 클록 신호 등)를 튜닝가능한 지연만큼 지연시켜 제1 신호를 제공하고 입력 신호를 튜닝가능한 지연 및 추가적인 지연(예컨대, 하나의 코오스 지연 스텝)만큼 지연시켜 제2 신호를 제공한다. [0124] At block 1620, a second signal delayed with respect to the first signal is received. For example, the second signal may be received from a coarse delay circuit (e.g., coarse delay circuit 620). In one example, the second signal may be delayed relative to the first signal by one coarse delay step of the coarse delay circuit. In certain aspects, a coarse delay circuit delays an input signal (e.g., a data signal, clock signal, etc.) by a tunable delay to provide a first signal and delays the input signal by a tunable delay and an additional delay (e.g., one coarse delay). step) and provides the second signal.

[0125] 블록(1630)에서, 제1 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-업 디바이스들에 제1 신호가 입력된다. 예를 들어, 제1 신호는 제1 제어 회로(840)에 의해 제1 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수(예컨대, n개)의 풀-업 디바이스들에 입력될 수 있다. 이러한 예에서 프로그램 가능한 수 n은 제1 제어 회로(840)가 제1 지연 코드에 기반하여 제1 신호를 입력하는 풀-업 디바이스들(예컨대, 풀-업 디바이스들(810-1 내지 810-K))의 수이다. [0125] At block 1630, a first signal is input to a programmable number of pull-up devices based on a first delay code. For example, the first signal may be input by the first control circuit 840 to a programmable number (eg, n) of pull-up devices based on the first delay code. In this example, the programmable number n is the pull-up devices (e.g., pull-up devices 810-1 to 810-K) through which the first control circuit 840 inputs the first signal based on the first delay code. )) is the number.

[0126] 블록(1640)에서, 풀-업 디바이스들 중의 나머지 풀-업 디바이스들에 제2 신호가 입력된다. 예를 들어, 제2 신호는 제1 제어 회로(840)에 의해 풀-업 디바이스들 중의 나머지 풀-업 디바이스들에 입력될 수 있다. [0126] At block 1640, a second signal is input to the remaining one of the pull-up devices. For example, the second signal may be input to the remaining one of the pull-up devices by the first control circuit 840.

[0127] 블록(1650)에서, 제2 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-다운 디바이스들에 제1 신호가 입력된다. 예를 들어, 제1 신호는 제2 제어 회로(850)에 의해 제2 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수(예컨대, m개)의 풀-다운 디바이스들에 입력될 수 있다. 이러한 예에서, 프로그램 가능한 수(m)는 제2 제어 회로(850)가 제2 지연 코드에 기반하여 제1 신호를 입력하는 풀-다운 디바이스들(예컨대, 풀-다운 디바이스들(815-1 내지 815-L))의 수이다. [0127] At block 1650, a first signal is input to a programmable number of pull-down devices based on a second delay code. For example, the first signal may be input by the second control circuit 850 to a programmable number (eg, m) of pull-down devices based on the second delay code. In this example, the programmable number (m) is the pull-down devices (e.g., pull-down devices 815-1 to The number is 815-L)).

[0128] 블록(1660)에서, 제2 신호가 풀-다운 디바이스들 중의 나머지 풀-다운 디바이스들에 입력된다. 예를 들어, 제2 신호는 제2 제어 회로(850)에 의해 풀-다운 디바이스들 중의 나머지 풀-다운 디바이스들에 입력될 수 있다. [0128] At block 1660, a second signal is input to the remaining one of the pull-down devices. For example, the second signal may be input to the remaining pull-down devices by the second control circuit 850.

[0129] 일 예에서, 제1 지연 코드와 제2 지연 코드는 (예컨대, 듀티 사이클을 조정하기 위해) 상이할 수 있다. 다른 예에서, 제1 지연 코드 및 제2 지연 코드는 동일할 수 있다. 예를 들어, 보간을 위해 지연 회로(610)가 사용되는 경우들에서, 제1 지연 코드와 제2 지연 코드는 동일할 수 있다. [0129] In one example, the first delay code and the second delay code may be different (eg, to adjust the duty cycle). In another example, the first delay code and the second delay code may be the same. For example, in cases where the delay circuit 610 is used for interpolation, the first delay code and the second delay code may be the same.

[0130] 특정 양상들에서, 제1 지연 코드는 비트들(예컨대, d1<K-1:0>)을 포함한다. 이들 양상들에서, 제1 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-업 디바이스들에 제1 신호를 입력하는 것은, 풀-업 디바이스들 각각에 대해, 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트가 제1 로직 값을 가지면 제1 신호를 풀-업 디바이스에 입력하는 것을 포함한다. 이러한 양상들에서, 풀-업 디바이스들 중의 나머지 풀-업 디바이스들에 제2 신호를 입력하는 것은, 풀-업 디바이스들 각각에 대해, 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트가 제2 로직 값을 가지면 제2 신호를 풀-업 디바이스에 입력하는 것을 포함할 수 있다. [0130] In certain aspects, the first delay code includes bits (e.g., d1<K-1:0>). In these aspects, inputting the first signal to a programmable number of pull-up devices based on the first delay code comprises, for each of the pull-up devices, an individual one of the bits of the first delay code. and inputting a first signal to a pull-up device when has a first logic value. In these aspects, inputting the second signal to the remaining one of the pull-up devices may be such that, for each of the pull-up devices, each of the bits of the first delay code is connected to the second logic. Having a value may include inputting a second signal to a pull-up device.

[0131] 특정 양상들에서, 제2 지연 코드는 비트들(예컨대, d2<L-1:0>)을 포함한다. 이들 양상들에서, 제2 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-다운 디바이스들에 제1 신호를 입력하는 것은, 풀-다운 디바이스들 각각에 대해, 제2 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트가 제1 로직 값을 가지면 제1 신호를 풀-다운 디바이스에 입력하는 것을 포함한다. 이들 양상들에서, 풀-다운 디바이스들 중의 나머지 풀-다운 디바이스들에 제2 신호를 입력하는 것은, 풀-다운 디바이스들 각각에 대해, 제2 지연 코드의 비트들의 개개의 비트가 제2 로직 값을 가지면 제2 신호를 풀-다운 다비이스에 입력하는 것을 포함할 수 있다.[0131] In certain aspects, the second delay code includes bits (e.g., d2<L-1:0>). In these aspects, inputting the first signal to a programmable number of pull-down devices based on the second delay code comprises, for each of the pull-down devices, an individual one of the bits of the second delay code. and inputting a first signal to a pull-down device when has a first logic value. In these aspects, inputting the second signal to the remaining one of the pull-down devices may cause, for each of the pull-down devices, individual bits of the second delay code to have a second logic value. It may include inputting the second signal to the pull-down device.

[0132] 구현 예들은 다음의 번호가 매겨진 조항들에서 설명된다.[0132] Implementation examples are described in the following numbered clauses.

[0133] 1. 지연 보간기는,[0133] 1. The delayed interpolator is,

[0134] 풀-업 디바이스들 ― 풀-업 디바이스들 각각은 공급 레일과 노드 사이에 커플링됨 ―;[0134] Pull-up devices, each of which is coupled between a supply rail and a node;

[0135] 풀-다운 디바이스들 ― 풀-다운 디바이스들 각각은 노드와 접지 사이에 커플링됨 ―;[0135] Pull-down devices—each of the pull-down devices coupled between a node and ground;

[0136] 풀-업 디바이스들에 커플링된 제1 제어 회로 ― 제1 제어 회로는 제1 신호를 수신하도록 구성된 제1 입력, 제1 신호에 대해 지연된 제2 신호를 수신하도록 구성된 제2 입력, 및 제1 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 가짐 ―; 및[0136] A first control circuit coupled to pull-up devices, the first control circuit comprising: a first input configured to receive a first signal, a second input configured to receive a second signal delayed with respect to the first signal, and a control input configured to receive a first delay code; and

[0137] 풀-다운 디바이스들에 커플링된 제2 제어 회로를 포함하고, 제2 제어 회로는 제1 신호를 수신하도록 구성된 제1 입력, 제2 신호를 수신하도록 구성된 제2 입력, 및 제2 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 갖는다.[0137] A second control circuit coupled to the pull-down devices, the second control circuit comprising a first input configured to receive the first signal, a second input configured to receive the second signal, and a second control circuit coupled to the pull-down devices. It has a control input configured to receive a delay code.

[0138] 2. 조항 1의 지연 보간기에서, 풀-업 디바이스들 각각은, 제1 제어 회로에 커플링된 게이트를 갖는 개개의 트랜지스터를 포함한다.[0138] 2. The delay interpolator of clause 1, wherein each of the pull-up devices includes a respective transistor having a gate coupled to a first control circuit.

[0139] 3. 조항 2의 지연 보간기에서, 풀-다운 디바이스들 각각은, 제2 제어 회로에 커플링된 게이트를 갖는 개개의 트랜지스터를 포함한다.[0139] 3. The delay interpolator of clause 2, wherein each of the pull-down devices includes a respective transistor having a gate coupled to a second control circuit.

[0140] 4. 조항 1 내지 조항 3 중 어느 한 조항의 지연 보간기에서, 풀-업 디바이스들 각각은, 제1 제어 회로에 커플링된 게이트, 공급 레일에 커플링된 소스, 및 노드에 커플링된 드레인을 갖는 개개의 p-타입 전계 효과 트랜지스터를 포함한다.[0140] 4. The delay interpolator of any of clauses 1 to 3, wherein each of the pull-up devices has a gate coupled to the first control circuit, a source coupled to the supply rail, and a node coupled to the node. It includes individual p-type field effect transistors with ringed drains.

[0141] 5. 조항 1 내지 조항 4 중 어느 한 조항의 지연 보간기에서, 풀-다운 디바이스들 각각은, 제2 제어 회로에 커플링된 게이트, 노드에 커플링된 드레인, 및 접지에 커플링된 소스를 갖는 개개의 n-타입 전계 효과 트랜지스터를 포함한다.[0141] 5. The delay interpolator of any of clauses 1 through 4, wherein each of the pull-down devices has a gate coupled to a second control circuit, a drain coupled to a node, and a ground coupled to ground. It includes individual n-type field effect transistors having a source.

[0142] 6. 조항 1 내지 조항 5 중 어느 한 조항의 지연 보간기에서, 제1 지연 코드와 제2 지연 코드는 상이하다.[0142] 6. In the delay interpolator of any one of clauses 1 to 5, the first delay code and the second delay code are different.

[0143] 7. 조항 1 내지 조항 5 중 어느 한 조항의 지연 보간기에서, 제1 지연 코드와 제2 지연 코드는 동일하다.[0143] 7. In the delay interpolator of any one of clauses 1 to 5, the first delay code and the second delay code are the same.

[0144] 8. 조항 1 내지 조항 7 중 어느 한 조항의 지연 보간기는, 노드에 커플링된 입력, 및 출력을 갖는, 출력 버퍼를 더 포함한다.[0144] 8. The delay interpolator of any one of clauses 1 to 7 further includes an output buffer, having an input coupled to the node, and an output.

[0145] 9. 조항 8의 지연 보간기에서, 출력 버퍼는, 상승 에지 임계치 및 하강 에지 임계치를 갖고, 그리고 출력 버퍼는, 출력 버퍼의 입력에서의 상승 에지가 상승 에지 임계치를 넘을 때 출력 버퍼의 출력을 제1 로직 상태로부터 제2 로직 상태로 전환하고, 그리고 출력 버퍼의 입력에서의 하강 에지가 하강 에지 임계치를 넘을 때 출력 버퍼의 출력을 제2 로직 상태로부터 제1 로직 상태로 전환하도록 구성된다.[0145] 9. In the delay interpolator of clause 8, the output buffer has a rising edge threshold and a falling edge threshold, and the output buffer transition the output from the first logic state to the second logic state, and transition the output of the output buffer from the second logic state to the first logic state when a falling edge at the input of the output buffer exceeds the falling edge threshold. .

[0146] 10. 조항 1 내지 조항 9 중 어느 한 조항의 지연 보간기는, 노드와 접지 사이에 커플링된 커패시터를 더 포함한다.[0146] 10. The delay interpolator of any one of clauses 1 to 9 further includes a capacitor coupled between the node and ground.

[0147] 11. 조항 1 내지 조항 10 중 어느 한 조항의 지연 보간기는:[0147] 11. The delayed interpolator of any one of clauses 1 to 10 is:

[0148] 제1 지연 코드는 다수의 비트들을 포함하고; [0148] The first delay code includes a number of bits;

[0149] 제1 제어 회로는 제1 복수의 제어 디바이스들을 포함하고; 그리고[0149] The first control circuit includes a first plurality of control devices; and

[0150] 제1 복수의 제어 디바이스들 각각은, 제1 제어 회로의 제1 입력에 커플링된 개개의 제1 입력, 제1 제어 회로의 제2 입력에 커플링된 개개의 제2 입력, 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트를 수신하도록 구성된 개개의 제어 입력, 및 풀-업 디바이스들 중의 개개의 풀-업 디바이스에 커플링된 개개의 출력을 갖는다.[0150] Each of the first plurality of control devices includes: a respective first input coupled to a first input of the first control circuit, a respective second input coupled to a second input of the first control circuit, a respective first input coupled to a first input of the first control circuit, 1 has a respective control input configured to receive an individual one of the bits of the delay code, and a respective output coupled to a respective one of the pull-up devices.

[0151] 12. 조항 11의 지연 보간기에서, 제1 복수의 제어 디바이스들 각각은, 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트의 로직 값에 기반하여 풀-업 디바이스들 중의 개개의 풀-업 디바이스에 제1 신호 또는 제2 신호를 입력하도록 구성된다.[0151] 12. The delay interpolator of clause 11, wherein each of the first plurality of control devices controls a respective pull-up device of the pull-up devices based on the logic value of an individual one of the bits of the first delay code. It is configured to input a first signal or a second signal to the up device.

[0152] 13. 조항 11 또는 조항 12의 지연 보간기는, [0152] 13. The delayed interpolator of clause 11 or clause 12 is:

[0154] 제2 지연 코드는 다수의 비트들을 포함하고; [0154] The second delay code includes a number of bits;

[0155] 제2 제어 회로는 제2 복수의 제어 디바이스들을 포함하고; 그리고 제2 복수의 제어 디바이스들 각각은, 제2 제어 회로의 제1 입력에 커플링된 개개의 제1 입력, 제2 제어 회로의 제2 입력에 커플링된 개개의 제2 입력, 제2 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트를 수신하도록 구성된 개개의 제어 입력, 및 풀-다운 디바이스들 중의 개개의 풀-다운 디바이스에 커플링된 개개의 출력을 갖는다.[0155] The second control circuit includes a second plurality of control devices; and each of the second plurality of control devices comprises: a respective first input coupled to a first input of the second control circuit, a respective second input coupled to a second input of the second control circuit, a second delay It has a respective control input configured to receive an individual one of the bits of the code, and a respective output coupled to a respective one of the pull-down devices.

[0156] 14. 조항 13의 지연 보간기는,[0156] 14. The delayed interpolator in clause 13 is:

[0157] 제1 복수의 제어 디바이스들 각각은, 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트의 로직 값에 기반하여 풀-업 디바이스들 중의 개개의 풀-업 디바이스에 제1 신호 또는 제2 신호를 입력하도록 구성되고; 그리고[0157] Each of the first plurality of control devices sends a first signal or a second signal to an individual one of the pull-up devices based on the logic value of an individual one of the bits of the first delay code. is configured to enter; and

[0158] 제2 복수의 제어 디바이스들 각각은, 제2 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트의 로직 값에 기반하여 풀-다운 디바이스들 중의 개개의 풀-다운 디바이스에 제1 신호 또는 제2 신호를 입력하도록 구성된다.[0158] Each of the second plurality of control devices sends a first signal or a second signal to an individual one of the pull-down devices based on the logic value of an individual one of the bits of the second delay code. It is configured to input .

[0159] 15. 조항 1 내지 조항 14 중 어느 한 조항의 지연 보간기에서, 제1 제어 회로는, 제1 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-업 디바이스들에 제1 신호를 입력하고, 그리고 풀-업 디바이스들 중의 나머지 풀-업 디바이스들에 제2 신호를 입력하도록 구성된다.[0159] 15. The delay interpolator of any of clauses 1 to 14, wherein the first control circuit inputs a first signal to a programmable number of pull-up devices based on a first delay code, and And configured to input a second signal to the remaining pull-up devices among the pull-up devices.

[0160] 16. 조항 1 내지 조항 15 중 어느 한 조항의 지연 보간기에서, 제2 제어 회로는, 제2 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-다운 디바이스들에 제1 신호를 입력하고, 그리고 풀-다운 디바이스들 중의 나머지 풀-다운 디바이스들에 제2 신호를 입력하도록 구성된다. [0160] 16. The delay interpolator of any of clauses 1 to 15, wherein the second control circuit inputs a first signal to a programmable number of pull-down devices based on a second delay code, and And it is configured to input a second signal to the remaining pull-down devices among the pull-down devices.

[0161] 17. 공급 레일과 노드 사이에 커플링된 풀-업 디바이스들, 및 노드와 접지 사이에 커플링된 풀-다운 디바이스들을 포함하는 지연 보간기를 동작시키는 방법으로서, 이 방법은:[0161] 17. A method of operating a delay interpolator comprising pull-up devices coupled between a supply rail and a node, and pull-down devices coupled between a node and ground, the method comprising:

[0162] 제1 신호를 수신하는 단계;[0162] Receiving a first signal;

[0163] 제1 신호에 대해 지연된 제2 신호를 수신하는 단계;[0163] Receiving a second signal delayed with respect to the first signal;

[0164] 제1 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-업 디바이스들에 제1 신호를 입력하는 단계; [0164] Inputting a first signal to a programmable number of pull-up devices based on a first delay code;

[0165] 풀-업 디바이스들 중의 나머지 풀-업 디바이스들에 제2 신호를 입력하는 단계; [0165] Inputting a second signal to the remaining pull-up devices among the pull-up devices;

[0166] 제2 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-다운 디바이스들에 제1 신호를 입력하는 단계; 및 [0166] Inputting a first signal to a programmable number of pull-down devices based on a second delay code; and

[0167] 풀-다운 디바이스들 중의 나머지 풀-다운 디바이스들에 제2 신호를 입력하는 단계를 포함한다.[0167] Inputting a second signal to the remaining pull-down devices among the pull-down devices.

[0168] 18. 조항 17의 방법에서, 제1 지연 코드와 제2 지연 코드는 상이하다.[0168] 18. In the method of clause 17, the first delay code and the second delay code are different.

[0169] 19. 조항 17의 방법에서, 제1 지연 코드와 제2 지연 코드는 동일하다.[0169] 19. In the method of clause 17, the first delay code and the second delay code are the same.

[0170] 20. 조항 17 내지 조항 19 중 어느 한 조항의 방법은,[0170] 20. The method of any one of Articles 17 to 19 is:

[0171] 제1 지연 코드는 비트들을 포함하고; 그리고 [0171] The first delay code includes bits; and

[0172] 제1 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-업 디바이스들에 제1 신호를 입력하는 단계는:[0172] Inputting a first signal to a programmable number of pull-up devices based on a first delay code:

[0173] 풀-업 디바이스들 각각에 대해, 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트가 제1 로직 값을 가지면 풀-업 디바이스에 제1 신호를 입력하는 단계를 포함한다.[0173] For each of the pull-up devices, inputting a first signal to the pull-up device when an individual one of the bits of the first delay code has a first logic value.

[0174] 21. 조항 20의 방법에서, 풀-업 디바이스들 중의 나머지 풀-업 디바이스들에 제2 신호를 입력하는 단계는:[0174] 21. The method of clause 20, wherein inputting the second signal to the remaining pull-up devices among the pull-up devices includes:

[0175] 풀-업 디바이스들 각각에 대해, 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트가 제2 로직 값을 가지면 풀-업 디바이스에 제2 신호를 입력하는 단계를 포함한다.[0175] For each of the pull-up devices, inputting a second signal to the pull-up device if an individual one of the bits of the first delay code has a second logic value.

[0176] 22. 조항 17 내지 조항 21 중 어느 한 조항의 방법에서,[0176] 22. In the method of any one of clauses 17 to 21,

[0177] 제2 지연 코드는 비트들을 포함하고; 그리고 [0177] The second delay code includes bits; and

[0178] 제2 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-다운 디바이스들에 제1 신호를 입력하는 단계는:[0178] Inputting the first signal to a programmable number of pull-down devices based on the second delay code:

[0179] 풀-다운 디바이스들 각각에 대해, 제2 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트가 제1 로직 값을 가지면 풀-다운 디바이스에 제1 신호를 입력하는 단계를 포함한다.[0179] For each of the pull-down devices, inputting a first signal to the pull-down device when an individual one of the bits of the second delay code has a first logic value.

[0180] 23. 조항 22의 방법에서, 풀-다운 디바이스들 중의 나머지 풀-다운 디바이스들에 제2 신호를 입력하는 단계는:[0180] 23. In the method of clause 22, the step of inputting the second signal to the remaining pull-down devices among the pull-down devices is:

[0181] 풀-다운 디바이스들 각각에 대해, 제2 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트가 제2 로직 값을 가지면 풀-다운 디바이스에 제2 신호를 입력하는 단계를 포함한다.[0181] For each of the pull-down devices, inputting a second signal to the pull-down device if each of the bits of the second delay code has a second logic value.

[0182] 24. 시스템으로서,[0182] 24. As a system,

[0183] 입력, 제1 출력, 및 제2 출력을 갖는 지연 회로; 및[0183] a delay circuit having an input, a first output, and a second output; and

[0184] 지연 보간기를 포함하고, 지연 보간기는,[0184] It includes a delayed interpolator, and the delayed interpolator is:

[0185] 풀-업 디바이스들 ― 풀-업 디바이스들 각각은 공급 레일과 노드 사이에 커플링됨 ―;[0185] Pull-up devices, each of which is coupled between a supply rail and a node;

[0186] 풀-다운 디바이스들 ― 풀-다운 디바이스들 각각은 노드와 접지 사이에 커플링됨 ―;[0186] Pull-down devices—each of the pull-down devices coupled between a node and ground;

[0187] 풀-업 디바이스들에 커플링된 제1 제어 회로 ― 제1 제어 회로는, 지연 회로의 제1 출력에 커플링된 제1 입력, 지연 회로의 제2 출력에 커플링된 제2 입력, 및 제1 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 가짐 ―; 및[0187] First control circuit coupled to pull-up devices, the first control circuit comprising: a first input coupled to a first output of the delay circuit, a second input coupled to a second output of the delay circuit , and a control input configured to receive a first delay code; and

[0188] 풀-다운 디바이스들에 커플링된 제2 제어 회로를 포함하고, 제2 제어 회로는, 지연 회로의 제1 출력에 커플링된 제1 입력, 지연 회로의 제2 출력에 커플링된 제2 입력, 및 제2 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 갖는다.[0188] comprising a second control circuit coupled to the pull-down devices, the second control circuit comprising: a first input coupled to a first output of the delay circuit, a second output of the delay circuit; It has a second input, and a control input configured to receive a second delay code.

[0189] 25. 조항 24의 시스템에서, 지연 회로는 지연 회로의 입력에서 입력 신호를 수신하고, 지연 회로의 제1 출력에서 제1 신호를 제공하기 위해 튜닝가능한 지연만큼 입력 신호를 지연시키고, 그리고 지연 회로의 제2 출력에서 제2 신호를 제공하기 위해 튜닝가능한 지연 및 추가적인 지연만큼 입력 신호를 지연시키도록 구성된다.[0189] 25. The system of clause 24, wherein the delay circuit receives an input signal at an input of the delay circuit, delays the input signal by a tunable delay to provide a first signal at a first output of the delay circuit, and and configured to delay the input signal by a tunable delay and an additional delay to provide a second signal at a second output of the delay circuit.

[0190] 26. 조항 25의 시스템에서, 지연 회로는 지연 제어 신호에 기반하여 지연 스텝의 배수만큼 튜닝가능한 지연을 튜닝하도록 구성되고, 그리고 추가적인 지연은 지연 스텝과 동일하다.[0190] 26. The system of clause 25, wherein the delay circuit is configured to tune the tunable delay by a multiple of the delay step based on the delay control signal, and the additional delay is equal to the delay step.

[0191] 27. 조항 25 또는 조항 26 중 어느 한 조항의 시스템에서, 제1 제어 회로는, 제1 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-업 디바이스들에 제1 신호를 입력하고, 그리고 풀-업 디바이스들 중의 나머지 풀-업 디바이스들에 제2 신호를 입력하도록 구성된다.[0191] 27. The system of either clause 25 or clause 26, wherein the first control circuit inputs a first signal to a programmable number of pull-up devices based on a first delay code, and pulls configured to input a second signal to the remaining pull-up devices among the -up devices.

[0192] 28. 조항 25 내지 조항 27 중 어느 한 조항의 시스템에서, 제2 제어 회로는, 제2 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 풀-다운 디바이스들에 제1 신호를 입력하고, 그리고 풀-다운 디바이스들 중의 나머지 풀-다운 디바이스들에 제2 신호를 입력하도록 구성된다.[0192] 28. The system of any of clauses 25 through 27, wherein the second control circuit inputs the first signal to a programmable number of pull-down devices based on a second delay code, and pulls the pull-down device. -Configured to input a second signal to the remaining pull-down devices among the down devices.

[0193] 29. 조항 24 내지 조항 28 중 어느 한 조항의 시스템에서, 지연 보간기는, 노드에 커플링된 입력, 및 출력을 갖는, 출력 버퍼를 더 포함한다.[0193] 29. The system of any of clauses 24 to 28, wherein the delay interpolator further comprises an output buffer having an input coupled to the node and an output.

[0194] 30. 조항 29의 시스템에서, 출력 버퍼는 상승 에지 임계치 및 하강 에지 임계치를 갖고, 그리고 출력 버퍼는, 출력 버퍼의 입력에서의 상승 에지가 상승 에지 임계치를 넘을 때 출력 버퍼의 출력을 제1 로직 상태로부터 제2 로직 상태로 전환하고, 그리고 출력 버퍼의 입력에서의 하강 에지가 하강 에지 임계치를 넘을 때 출력 버퍼의 출력을 제2 로직 상태로부터 제1 로직 상태로 전환하도록 구성된다.[0194] 30. The system of clause 29, wherein the output buffer has a rising edge threshold and a falling edge threshold, and the output buffer blocks the output of the output buffer when a rising edge at the input of the output buffer crosses the rising edge threshold. transition from the first logic state to the second logic state, and transition the output of the output buffer from the second logic state to the first logic state when a falling edge at the input of the output buffer exceeds the falling edge threshold.

[0195] 31. 조항 29 또는 조항 30의 시스템은, 데이터 입력, 출력 버퍼의 출력에 커플링된 클록 입력, 및 출력을 갖는 래치를 더 포함한다.[0195] 31. The system of clause 29 or clause 30 further comprises a latch having a data input, a clock input coupled to the output of the output buffer, and an output.

[0196] 32. 조항 24 내지 조항 31 중 어느 한 조항의 시스템에서, 제1 지연 코드와 제2 지연 코드는 상이하다.[0196] 32. In the system of any one of clauses 24 to 31, the first delay code and the second delay code are different.

[0197] 33. 조항 24 내지 조항 31 중 어느 한 조항의 시스템에서, 제1 지연 코드와 제2 지연 코드는 동일하다.[0197] 33. In the system of any one of clauses 24 to 31, the first delay code and the second delay code are the same.

[0198] 34. 조항 25의 시스템에서,[0198] 34. In the system of Article 25,

[0199] 제1 지연 코드는 다수의 비트들을 포함하고;[0199] The first delay code includes a number of bits;

[0200] 제1 제어 회로는 제1 복수의 제어 디바이스들을 포함하고; 그리고[0200] The first control circuit includes a first plurality of control devices; and

[0201] 제1 복수의 제어 디바이스들 각각은, 제1 제어 회로의 제1 입력에 커플링된 개개의 제1 입력, 제1 제어 회로의 제2 입력에 커플링된 개개의 제2 입력, 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트를 수신하도록 구성된 개개의 제어 입력, 및 풀-업 디바이스들의 개개의 풀-업 디바이스에 커플링된 개개의 출력을 가진다.[0201] Each of the first plurality of control devices includes: a respective first input coupled to a first input of the first control circuit, a respective second input coupled to a second input of the first control circuit, a 1 a respective control input configured to receive an individual one of the bits of the delay code, and a respective output coupled to a respective pull-up device of the pull-up devices.

[0202] 35. 조항 34의 시스템에서, 제1 복수의 제어 디바이스들 각각은, 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트의 로직 값에 기반하여 풀-업 디바이스들 중의 개개의 풀-업 디바이스에 제1 신호 또는 제2 신호를 입력하도록 구성된다.[0202] 35. The system of clause 34, wherein each of the first plurality of control devices is configured to control a respective one of the pull-up devices based on a logic value of an individual one of the bits of the first delay code. It is configured to input a first signal or a second signal.

[0203] 36. 조항 34 또는 조항 35의 시스템에서,[0203] 36. In the system of clause 34 or clause 35,

[0204] 제2 지연 코드는 다수의 비트들을 포함하고;[0204] The second delay code includes a number of bits;

[0205] 제2 제어 회로는 제2 복수의 제어 디바이스들을 포함하고; 그리고[0205] The second control circuit includes a second plurality of control devices; and

[0206] 제2 복수의 제어 디바이스들 각각은, 제2 제어 회로의 제1 입력에 커플링된 개개의 제1 입력, 제2 제어 회로의 제2 입력에 커플링된 개개의 제2 입력, 제2 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트를 수신하도록 구성된 개개의 제어 입력, 및 풀-다운 디바이스들 중의 개개의 풀-다운 디바이스에 커플링된 개개의 출력을 갖는다.[0206] Each of the second plurality of control devices includes: a respective first input coupled to a first input of the second control circuit, a respective second input coupled to a second input of the second control circuit, a 2. It has a respective control input configured to receive an individual one of the bits of the delay code, and a respective output coupled to a respective one of the pull-down devices.

[0207] 37. 조항 36의 시스템에서,[0207] 37. In the system of clause 36:

[0208] 제1 복수의 제어 디바이스들 각각은, 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트의 로직 값에 기반하여 풀-업 디바이스들 중의 개개의 풀-업 디바이스에 제1 신호 또는 제2 신호를 입력하도록 구성되고; 그리고[0208] Each of the first plurality of control devices sends a first signal or a second signal to an individual one of the pull-up devices based on the logic value of an individual one of the bits of the first delay code. is configured to enter; and

[0209] 제2 복수의 제어 디바이스들 각각은, 제2 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트의 로직 값에 기반하여 풀-다운 디바이스들 중의 개개의 풀-다운 디바이스에 제1 신호 또는 제2 신호를 입력하도록 구성된다.[0209] Each of the second plurality of control devices sends a first signal or a second signal to an individual one of the pull-down devices based on the logic value of an individual one of the bits of the second delay code. It is configured to input .

[0210] 38. 조항 1의 지연 보간기에서, 제1 신호 및 제2 신호는 지연 회로로부터 수신되고, 제2 신호는 지연 회로의 지연 스텝만큼 제1 신호에 대해 지연된다.[0210] 38. In the delay interpolator of clause 1, a first signal and a second signal are received from a delay circuit, and the second signal is delayed with respect to the first signal by a delay step of the delay circuit.

[0211] 39. 조항 1 또는 조항 38의 지연 보간기에서, 제1 신호 및 제2 신호는 지연 회로로부터 수신되고, 지연 회로는 추가적인 지연 디바이스에 의해 제1 신호를 지연시킴으로써 제2 신호를 제공하도록 구성된다. [0211] 39. In the delay interpolator of clause 1 or clause 38, a first signal and a second signal are received from a delay circuit, the delay circuit being configured to provide a second signal by delaying the first signal by an additional delay device. It is composed.

[0212] 본 개시내용은 본 개시내용의 양상들을 설명하기 위해 위에서 사용된 예시적인 용어로 제한되지 않는다는 것이 인지되어야 한다. 예를 들어, 지연 디바이스는 또한 지연 스테이지, 지연 버퍼, 지연 엘리먼트, 지연 유닛, 또는 다른 용어로 지칭될 수 있다. 제어 디바이스는 또한 제어 로직, 제어 회로, 또는 다른 용어로 또한 지칭될 수 있다. 지연 회로는 또한 지연 라인, 또는 다른 용어로 또한 지칭될 수 있다. [0212] It should be recognized that the present disclosure is not limited to the example terminology used above to describe aspects of the disclosure. For example, a delay device may also be referred to as a delay stage, delay buffer, delay element, delay unit, or other terminology. A control device may also be referred to as control logic, control circuitry, or other terminology. A delay circuit may also be referred to as a delay line, or other terminology.

[0213] 지연 제어 회로(650)는 범용 프로세서, DSP(digital signal processor), ASIC(application specific integrated circuit), FPGA(field programmable gate array) 또는 다른 프로그램 가능한 로직 디바이스, 이산 하드웨어 컴포넌트들(예를 들어, 로직 게이트들) 또는 본원에 설명된 기능들을 수행하도록 설계된 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 프로세서는 기능들을 수행하기 위한 코드를 포함하는 소프트웨어를 실행함으로써 본원에 설명된 기능들을 수행할 수 있다. 소프트웨어는 RAM, ROM, EEPROM, 광학 디스크 및/또는 자기 디스크와 같은 컴퓨터 판독가능 저장 매체 상에 저장될 수 있다. [0213] The delay control circuit 650 may be a general-purpose processor, digital signal processor (DSP), application specific integrated circuit (ASIC), field programmable gate array (FPGA), or other programmable logic device, or discrete hardware components (e.g. , logic gates) or any combination thereof designed to perform the functions described herein. A processor may perform the functions described herein by executing software that includes code to perform the functions. The software may be stored on a computer-readable storage medium, such as RAM, ROM, EEPROM, optical disk, and/or magnetic disk.

[0214] 본 개시내용 내에서, “예시적인”이라는 단어는, “예, 예증 또는 예시로서 기능하는” 것을 의미하도록 사용된다. “예시적인” 것으로서 본원에서 설명된 임의의 구현 또는 양상은 본 개시내용의 다른 양상들에 비해 반드시 바람직하거나 유리한 것으로서 해석될 필요는 없다. 유사하게, “양상들”이라는 용어는, 본 개시내용의 모든 양상들이 논의된 특성, 이점 또는 동작 모드를 포함한다는 것을 요구하지는 않는다. “커플링된”이라는 용어는, 2개의 구조들 사이에서의 직접적인 또는 간접적인 전기적 커플링을 지칭하기 위해 본원에서 사용된다. "접지"라는 용어는 DC 접지 또는 AC 접지를 지칭할 수 있으므로 "접지"라는 용어는 두 가지 가능성 모두를 포괄한다는 것이 또한 인지되어야 한다.[0214] Within this disclosure, the word “exemplary” is used to mean “serving as an example, illustration, or illustration.” Any implementation or aspect described herein as “exemplary” should not necessarily be construed as preferred or advantageous over other aspects of the disclosure. Similarly, the term “aspects” does not require that all aspects of the disclosure include the discussed feature, advantage or mode of operation. The term “coupled” is used herein to refer to direct or indirect electrical coupling between two structures. It should also be recognized that the term "ground" can refer to either DC ground or AC ground, so the term "ground" encompasses both possibilities.

[0215] 본 개시내용의 이전 설명은 임의의 당업자가 본 개시내용을 사용하거나 실시할 수 있게 하도록 제공된다. 본 개시내용에 대한 다양한 변형들이 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들에게 쉽게 명백할 것이며, 본 명세서에 정의된 일반 원리들은 본 개시내용의 사상 또는 범위를 벗어나지 않으면서 다른 변형들에 적용될 수 있다. 따라서, 본 개시내용은 본 명세서에서 설명된 예시들로 한정되는 것으로 의도되는 것이 아니라, 본 명세서에 개시된 원리들 및 신규한 특징들에 부합하는 가장 넓은 범위에 따르는 것이다.[0215] The previous description of the disclosure is provided to enable any person skilled in the art to make or use the disclosure. Various modifications to the disclosure will be readily apparent to those skilled in the art, and the general principles defined herein may be applied to other modifications without departing from the spirit or scope of the disclosure. . Thus, the present disclosure is not intended to be limited to the examples described herein but is to be accorded the widest scope consistent with the principles and novel features disclosed herein.

Claims (31)

지연 보간기로서,
풀-업 디바이스들 ― 상기 풀-업 디바이스들 각각은 공급 레일과 노드 사이에 커플링됨 ―;
풀-다운 디바이스들 ― 상기 풀-다운 디바이스들 각각은 상기 노드와 접지 사이에 커플링됨 ―;
상기 풀-업 디바이스들에 커플링된 제1 제어 회로 ― 상기 제1 제어 회로는 제1 신호를 수신하도록 구성된 제1 입력, 상기 제1 신호에 대해 지연된 제2 신호를 수신하도록 구성된 제2 입력, 및 제1 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 가짐 ―; 및
상기 풀-다운 디바이스들에 커플링된 제2 제어 회로를 포함하고, 상기 제2 제어 회로는 상기 제1 신호를 수신하도록 구성된 제1 입력, 상기 제2 신호를 수신하도록 구성된 제2 입력, 및 제2 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 갖는,
지연 보간기.
As a delayed interpolator,
pull-up devices, each of which is coupled between a supply rail and a node;
pull-down devices, each of which is coupled between the node and ground;
a first control circuit coupled to the pull-up devices, the first control circuit comprising a first input configured to receive a first signal, a second input configured to receive a second signal delayed with respect to the first signal, and a control input configured to receive a first delay code; and
a second control circuit coupled to the pull-down devices, the second control circuit comprising a first input configured to receive the first signal, a second input configured to receive the second signal, and a second control circuit coupled to the pull-down devices. 2 having a control input configured to receive a delay code,
Delay interpolator.
제1 항에 있어서,
상기 풀-업 디바이스들 각각은, 상기 제1 제어 회로에 커플링된 게이트를 갖는 개개의 트랜지스터를 포함하는,
지연 보간기.
According to claim 1,
each of the pull-up devices comprising a respective transistor having a gate coupled to the first control circuit,
Delay interpolator.
제2 항에 있어서,
상기 풀-다운 디바이스들 각각은, 상기 제2 제어 회로에 커플링된 게이트를 갖는 개개의 트랜지스터를 포함하는,
지연 보간기.
According to clause 2,
each of the pull-down devices comprising a respective transistor having a gate coupled to the second control circuit,
Delay interpolator.
제1 항에 있어서,
상기 풀-업 디바이스들 각각은, 상기 제1 제어 회로에 커플링된 게이트, 상기 공급 레일에 커플링된 소스, 및 상기 노드에 커플링된 드레인을 갖는 개개의 p-타입 전계 효과 트랜지스터를 포함하는,
지연 보간기.
According to claim 1,
Each of the pull-up devices includes a respective p-type field effect transistor having a gate coupled to the first control circuit, a source coupled to the supply rail, and a drain coupled to the node. ,
Delay interpolator.
제4 항에 있어서,
상기 풀-다운 디바이스들 각각은, 상기 제2 제어 회로에 커플링된 게이트, 상기 노드에 커플링된 드레인, 및 상기 접지에 커플링된 소스를 갖는 개개의 n-타입 전계 효과 트랜지스터를 포함하는,
지연 보간기.
According to clause 4,
each of the pull-down devices comprising a respective n-type field effect transistor having a gate coupled to the second control circuit, a drain coupled to the node, and a source coupled to the ground.
Delay interpolator.
제1 항에 있어서,
상기 제1 지연 코드와 상기 제2 지연 코드는 상이한,
지연 보간기.
According to claim 1,
The first delay code and the second delay code are different,
Delay interpolator.
제1 항에 있어서,
상기 제1 지연 코드와 상기 제2 지연 코드는 동일한,
지연 보간기.
According to claim 1,
The first delay code and the second delay code are the same,
Delay interpolator.
제1 항에 있어서,
상기 노드에 커플링된 입력, 및 출력을 갖는, 출력 버퍼를 더 포함하는,
지연 보간기.
According to claim 1,
further comprising an output buffer having an input and an output coupled to the node,
Delay interpolator.
제8 항에 있어서,
상기 출력 버퍼는, 상승 에지 임계치 및 하강 에지 임계치를 갖고, 그리고 상기 출력 버퍼는, 상기 출력 버퍼의 입력에서의 상승 에지가 상기 상승 에지 임계치를 넘을(crossing) 때 상기 출력 버퍼의 출력을 제1 로직 상태로부터 제2 로직 상태로 전환하고, 그리고 상기 출력 버퍼의 입력에서의 하강 에지가 상기 하강 에지 임계치를 넘을 때 상기 출력 버퍼의 출력을 상기 제2 로직 상태로부터 상기 제1 로직 상태로 전환하도록 구성되는,
지연 보간기.
According to clause 8,
The output buffer has a rising edge threshold and a falling edge threshold, and the output buffer controls the output of the output buffer to first logic when a rising edge at the input of the output buffer crosses the rising edge threshold. transition from a state to a second logic state, and transition the output of the output buffer from the second logic state to the first logic state when a falling edge at the input of the output buffer crosses the falling edge threshold. ,
Delay interpolator.
제8 항에 있어서,
상기 노드와 상기 접지 사이에 커플링된 커패시터를 더 포함하는,
지연 보간기.
According to clause 8,
further comprising a capacitor coupled between the node and the ground,
Delay interpolator.
제1 항에 있어서,
상기 제1 지연 코드는 다수의 비트들을 포함하고;
상기 제1 제어 회로는 제1 복수의 제어 디바이스들을 포함하고; 그리고
상기 제1 복수의 제어 디바이스들 각각은, 상기 제1 제어 회로의 제1 입력에 커플링된 개개의 제1 입력, 상기 제1 제어 회로의 제2 입력에 커플링된 개개의 제2 입력, 상기 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트를 수신하도록 구성된 개개의 제어 입력, 및 상기 풀-업 디바이스들 중의 개개의 풀-업 디바이스에 커플링된 개개의 출력을 갖는,
지연 보간기.
According to claim 1,
the first delay code includes a number of bits;
the first control circuit includes a first plurality of control devices; and
Each of the first plurality of control devices comprises: a respective first input coupled to a first input of the first control circuit, a respective second input coupled to a second input of the first control circuit, having a respective control input configured to receive an individual one of the bits of the first delay code, and a respective output coupled to an individual one of the pull-up devices,
Delay interpolator.
제11 항에 있어서,
상기 제1 복수의 제어 디바이스들 각각은, 상기 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트의 로직 값에 기반하여 상기 풀-업 디바이스들 중의 개개의 풀-업 디바이스에 상기 제1 신호 또는 상기 제2 신호를 입력하도록 구성되는,
지연 보간기.
According to claim 11,
Each of the first plurality of control devices sends the first signal or the first signal to an individual one of the pull-up devices based on a logic value of an individual one of the bits of the first delay code. configured to input 2 signals,
Delay interpolator.
제11 항에 있어서,
상기 제2 지연 코드는 다수의 비트들을 포함하고;
상기 제2 제어 회로는 제2 복수의 제어 디바이스들을 포함하고; 그리고
상기 제2 복수의 제어 디바이스들 각각은, 상기 제2 제어 회로의 제1 입력에 커플링된 개개의 제1 입력, 상기 제2 제어 회로의 제2 입력에 커플링된 개개의 제2 입력, 상기 제2 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트를 수신하도록 구성된 개개의 제어 입력, 및 상기 풀-다운 디바이스들 중의 개개의 풀-다운 디바이스에 커플링된 개개의 출력을 갖는,
지연 보간기.
According to claim 11,
the second delay code includes a number of bits;
the second control circuit includes a second plurality of control devices; and
Each of the second plurality of control devices comprises: a respective first input coupled to a first input of the second control circuit, a respective second input coupled to a second input of the second control circuit, having a respective control input configured to receive an individual one of the bits of the second delay code, and a respective output coupled to an individual one of the pull-down devices,
Delay interpolator.
제13 항에 있어서,
상기 제1 복수의 제어 디바이스들 각각은, 상기 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트의 로직 값에 기반하여 상기 풀-업 디바이스들 중의 개개의 풀-업 디바이스에 상기 제1 신호 또는 상기 제2 신호를 입력하도록 구성되고; 그리고
상기 제2 복수의 제어 디바이스들 각각은, 상기 제2 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트의 로직 값에 기반하여 상기 풀-다운 디바이스들 중의 개개의 풀-다운 디바이스에 상기 제1 신호 또는 상기 제2 신호를 입력하도록 구성되는,
지연 보간기.
According to claim 13,
Each of the first plurality of control devices sends the first signal or the first signal to an individual one of the pull-up devices based on a logic value of an individual one of the bits of the first delay code. configured to input 2 signals; and
Each of the second plurality of control devices applies the first signal or the first signal to an individual one of the pull-down devices based on a logic value of an individual one of the bits of the second delay code. configured to input 2 signals,
Delay interpolator.
제1 항에 있어서,
상기 제1 제어 회로는, 상기 제1 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 상기 풀-업 디바이스들에 상기 제1 신호를 입력하고, 그리고 상기 풀-업 디바이스들 중의 나머지 풀-업 디바이스들에 상기 제2 신호를 입력하도록 구성되는,
지연 보간기.
According to claim 1,
The first control circuit inputs the first signal to a programmable number of the pull-up devices based on the first delay code, and outputs the first signal to the remaining one of the pull-up devices. configured to input a second signal,
Delay interpolator.
제15 항에 있어서,
상기 제2 제어 회로는 상기 제2 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 상기 풀-다운 디바이스들에 상기 제1 신호를 입력하고, 그리고 상기 풀-다운 디바이스들 중의 나머지 풀-다운 디바이스들에 상기 제2 신호를 입력하도록 구성되는,
지연 보간기.
According to claim 15,
The second control circuit inputs the first signal to a programmable number of the pull-down devices based on the second delay code, and inputs the first signal to the remaining one of the pull-down devices. configured to input 2 signals,
Delay interpolator.
공급 레일과 노드 사이에 커플링된 풀-업 디바이스들, 및 상기 노드와 접지 사이에 커플링된 풀-다운 디바이스들을 포함하는 지연 보간기를 동작시키는 방법으로서,
제1 신호를 수신하는 단계;
상기 제1 신호에 대해 지연된 제2 신호를 수신하는 단계;
제1 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 상기 풀-업 디바이스들에 상기 제1 신호를 입력하는 단계;
상기 풀-업 디바이스들 중의 나머지 풀-업 디바이스들에 상기 제2 신호를 입력하는 단계;
제2 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 상기 풀-다운 디바이스들에 상기 제1 신호를 입력하는 단계; 및
상기 풀-다운 디바이스들 중의 나머지 풀-다운 디바이스들에 상기 제2 신호를 입력하는 단계를 포함하는,
지연 보간기를 동작시키는 방법.
1. A method of operating a delay interpolator comprising pull-up devices coupled between a supply rail and a node, and pull-down devices coupled between the node and ground, comprising:
Receiving a first signal;
Receiving a second signal delayed with respect to the first signal;
inputting the first signal to a programmable number of the pull-up devices based on a first delay code;
inputting the second signal to remaining pull-up devices among the pull-up devices;
inputting the first signal to a programmable number of the pull-down devices based on a second delay code; and
Inputting the second signal to remaining pull-down devices of the pull-down devices,
How to operate a delayed interpolator.
제17 항에 있어서,
상기 제1 지연 코드와 상기 제2 지연 코드는 상이한,
지연 보간기를 동작시키는 방법.
According to claim 17,
The first delay code and the second delay code are different,
How to operate a delayed interpolator.
제17 항에 있어서,
상기 제1 지연 코드와 상기 제2 지연 코드는 동일한,
지연 보간기를 동작시키는 방법.
According to claim 17,
The first delay code and the second delay code are the same,
How to operate a delayed interpolator.
제17 항에 있어서,
상기 제1 지연 코드는 비트들을 포함하고; 그리고
상기 제1 지연 코드에 기반하여 상기 프로그램 가능한 수의 상기 풀-업 디바이스들에 상기 제1 신호를 입력하는 단계는:
상기 풀-업 디바이스들 각각에 대해, 상기 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트가 제1 로직 값을 가지면 상기 풀-업 디바이스에 상기 제1 신호를 입력하는 단계를 포함하는,
지연 보간기를 동작시키는 방법.
According to claim 17,
The first delay code includes bits; and
Inputting the first signal to the programmable number of pull-up devices based on the first delay code includes:
For each of the pull-up devices, inputting the first signal to the pull-up device if an individual one of the bits of the first delay code has a first logic value,
How to operate a delayed interpolator.
제20 항에 있어서,
상기 풀-업 디바이스들 중의 나머지 풀-업 디바이스들에 상기 제2 신호를 입력하는 단계는:
상기 풀-업 디바이스들 각각에 대해, 상기 제1 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트가 제2 로직 값을 가지면 상기 풀-업 디바이스에 상기 제2 신호를 입력하는 단계를 포함하는,
지연 보간기를 동작시키는 방법.
According to claim 20,
The step of inputting the second signal to the remaining pull-up devices among the pull-up devices is:
For each of the pull-up devices, inputting the second signal to the pull-up device if an individual one of the bits of the first delay code has a second logic value,
How to operate a delayed interpolator.
제17 항에 있어서,
상기 제2 지연 코드는 비트들을 포함하고; 그리고
상기 제2 지연 코드에 기반하여 상기 프로그램 가능한 수의 상기 풀-다운 디바이스들에 상기 제1 신호를 입력하는 단계는:
상기 풀-다운 디바이스들 각각에 대해, 상기 제2 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트가 제1 로직 값을 가지면 상기 풀-다운 디바이스에 상기 제1 신호를 입력하는 단계를 포함하는,
지연 보간기를 동작시키는 방법.
According to claim 17,
the second delay code includes bits; and
Inputting the first signal to the programmable number of pull-down devices based on the second delay code:
For each of the pull-down devices, inputting the first signal to the pull-down device if an individual one of the bits of the second delay code has a first logic value,
How to operate a delayed interpolator.
제22 항에 있어서,
상기 풀-다운 디바이스들 중의 나머지 풀-다운 디바이스들에 상기 제2 신호를 입력하는 단계는:
상기 풀-다운 디바이스들 각각에 대해, 상기 제2 지연 코드의 비트들 중의 개개의 비트가 제2 로직 값을 가지면 상기 풀-다운 디바이스에 상기 제2 신호를 입력하는 단계를 포함하는,
지연 보간기를 동작시키는 방법.
According to clause 22,
The step of inputting the second signal to the remaining pull-down devices among the pull-down devices is:
For each of the pull-down devices, inputting the second signal to the pull-down device if an individual one of the bits of the second delay code has a second logic value,
How to operate a delayed interpolator.
시스템으로서,
입력, 제1 출력, 및 제2 출력을 갖는 지연 회로; 및
지연 보간기를 포함하고, 상기 지연 보간기는,
풀-업 디바이스들 ― 상기 풀-업 디바이스들 각각은 공급 레일과 노드 사이에 커플링됨 ―;
풀-다운 디바이스들 ― 상기 풀-다운 디바이스들 각각은 상기 노드와 접지 사이에 커플링됨 ―;
상기 풀-업 디바이스들에 커플링된 제1 제어 회로 ― 상기 제1 제어 회로는, 상기 지연 회로의 제1 출력에 커플링된 제1 입력, 상기 지연 회로의 제2 출력에 커플링된 제2 입력, 및 제1 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 가짐 ―; 및
상기 풀-다운 디바이스들에 커플링된 제2 제어 회로를 포함하고, 상기 제2 제어 회로는, 상기 지연 회로의 제1 출력에 커플링된 제1 입력, 상기 지연 회로의 제2 출력에 커플링된 제2 입력, 및 제2 지연 코드를 수신하도록 구성된 제어 입력을 갖는,
시스템.
As a system,
a delay circuit having an input, a first output, and a second output; and
A delay interpolator comprising:
pull-up devices, each of which is coupled between a supply rail and a node;
pull-down devices, each of which is coupled between the node and ground;
a first control circuit coupled to the pull-up devices, the first control circuit comprising: a first input coupled to a first output of the delay circuit, a second input coupled to a second output of the delay circuit; an input, and a control input configured to receive a first delay code; and
a second control circuit coupled to the pull-down devices, the second control circuit comprising: a first input coupled to a first output of the delay circuit, a second output coupled to the delay circuit; a second input, and a control input configured to receive a second delay code,
system.
제24 항에 있어서,
상기 지연 회로는 상기 지연 회로의 입력에서 입력 신호를 수신하고, 상기 지연 회로의 상기 제1 출력에서 제1 신호를 제공하기 위해 튜닝가능한 지연만큼 상기 입력 신호를 지연시키고, 그리고 상기 지연 회로의 상기 제2 출력에서 제2 신호를 제공하기 위해 상기 튜닝가능한 지연 및 추가적인 지연만큼 상기 입력 신호를 지연시키도록 구성되는,
시스템.
According to clause 24,
The delay circuit receives an input signal at the input of the delay circuit, delays the input signal by a tunable delay to provide a first signal at the first output of the delay circuit, and configured to delay the input signal by the tunable delay and an additional delay to provide a second signal at a second output.
system.
제25 항에 있어서,
상기 지연 회로는 지연 제어 신호에 기반하여 지연 스텝의 배수만큼 상기 튜닝가능한 지연을 튜닝하도록 구성되고, 그리고 상기 추가적인 지연은 상기 지연 스텝과 동일한,
시스템.
According to clause 25,
wherein the delay circuit is configured to tune the tunable delay by a multiple of a delay step based on a delay control signal, and wherein the additional delay is equal to the delay step.
system.
제25 항에 있어서,
상기 제1 제어 회로는, 상기 제1 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 상기 풀-업 디바이스들에 상기 제1 신호를 입력하고, 그리고 상기 풀-업 디바이스들 중의 나머지 풀-업 디바이스들에 상기 제2 신호를 입력하도록 구성되는,
시스템.
According to clause 25,
The first control circuit inputs the first signal to a programmable number of the pull-up devices based on the first delay code, and outputs the first signal to the remaining one of the pull-up devices. configured to input a second signal,
system.
제27 항에 있어서,
상기 제2 제어 회로는, 상기 제2 지연 코드에 기반하여 프로그램 가능한 수의 상기 풀-다운 디바이스들에 상기 제1 신호를 입력하고, 그리고 상기 풀-다운 디바이스들 중의 나머지 풀-다운 디바이스들에 상기 제2 신호를 입력하도록 구성되는,
시스템.
According to clause 27,
The second control circuit inputs the first signal to a programmable number of the pull-down devices based on the second delay code, and inputs the first signal to the remaining one of the pull-down devices. configured to input a second signal,
system.
제24 항에 있어서,
상기 지연 보간기는, 상기 노드에 커플링된 입력, 및 출력을 갖는, 출력 버퍼를 더 포함하는,
시스템.
According to clause 24,
The delay interpolator further includes an output buffer having an input coupled to the node, and an output.
system.
제29 항에 있어서,
상기 출력 버퍼는 상승 에지 임계치 및 하강 에지 임계치를 갖고, 그리고 상기 출력 버퍼는, 상기 출력 버퍼의 입력에서의 상승 에지가 상기 상승 에지 임계치를 넘을 때 상기 출력 버퍼의 출력을 제1 로직 상태로부터 제2 로직 상태로 전환하고, 그리고 상기 출력 버퍼의 입력에서의 하강 에지가 상기 하강 에지 임계치를 넘을 때 상기 출력 버퍼의 출력을 상기 제2 로직 상태로부터 상기 제1 로직 상태로 전환하도록 구성되는,
시스템.
According to clause 29,
The output buffer has a rising edge threshold and a falling edge threshold, and the output buffer moves the output of the output buffer from a first logic state to a second logic state when a rising edge at the input of the output buffer exceeds the rising edge threshold. transition to a logic state, and transition the output of the output buffer from the second logic state to the first logic state when a falling edge at the input of the output buffer crosses the falling edge threshold.
system.
제29 항에 있어서,
데이터 입력, 상기 출력 버퍼의 출력에 커플링된 클록 입력, 및 출력을 갖는 래치를 더 포함하는,
시스템.
According to clause 29,
further comprising a latch having a data input, a clock input coupled to the output of the output buffer, and an output.
system.
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