KR102625059B1 - polishing pad - Google Patents

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KR102625059B1
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Abstract

본 발명은, 폴리우레탄 수지 발포체를 포함하는 연마 패드로서, 연마면을 가지고, 이 연마면이, 상기 폴리우레탄 수지 발포체의 표면으로 구성되며, 상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 30℃에서의 tanδ가 0.10∼0.50이고, 기포 직경의 평균값이 50∼120㎛인, 연마 패드이다.The present invention is a polishing pad comprising a polyurethane resin foam, which has a polishing surface, the polishing surface being composed of a surface of the polyurethane resin foam, and the polyurethane resin foam having a tan δ of 0.10 at 30°C. ∼0.50, and the average cell diameter is 50 to 120 μm.

Description

연마 패드polishing pad

본원은, 일본특허출원 제2017-252429호의 우선권을 주장하고, 인용에 의해 본원 명세서의 기재에 포함된다.This application claims priority to Japanese Patent Application No. 2017-252429, which is incorporated into the description of this application by reference.

본 발명은, 연마 패드에 관한 것이다.The present invention relates to a polishing pad.

피연마물(유리판 등)을 연마하는 연마 패드로서는, 폴리우레탄 수지 발포체에 의해 형성된 연마 패드가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 등).As a polishing pad for polishing an object to be polished (such as a glass plate), a polishing pad formed of polyurethane resin foam is known (for example, Patent Document 1, etc.).

일본공개특허 제2007-250166호 공보Japanese Patent Publication No. 2007-250166

최근, 피연마물로의 이물질의 부착을 억제하는 것이나, 피연마물의 평탄성을 높이는 것이 점점 더 요구되고 있다.In recent years, there has been an increasing demand for suppressing the adhesion of foreign substances to objects to be polished and to increase the flatness of objects to be polished.

그래서, 본 발명은, 상기 요망되는 점을 감안하여, 피연마물로의 이물질의 부착을 억제하면서, 피연마물의 평탄성을 높일 수 있는 연마 패드를 제공하는 것을 과제로 한다.Therefore, in consideration of the above needs, the object of the present invention is to provide a polishing pad that can increase the flatness of the object to be polished while suppressing the adhesion of foreign substances to the object to be polished.

본 발명에 관한 연마 패드는, 폴리우레탄 수지 발포체를 포함하는 연마 패드로서,The polishing pad according to the present invention is a polishing pad containing polyurethane resin foam,

연마면을 가지고,With a polished surface,

이 연마면이, 상기 폴리우레탄 수지 발포체의 표면으로 구성되며,This polishing surface is composed of the surface of the polyurethane resin foam,

상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 30℃에서의 tanδ가 0.10∼0.50이고, 기포 직경의 평균값이 50∼120㎛이다.The polyurethane resin foam has a tan δ of 0.10 to 0.50 at 30°C and an average cell diameter of 50 to 120 μm.

[도 1] 절삭 속도의 측정에서의 연마 패드에 있어서의 측정 포인트를 나타내는 도면이다.
[도 2] 실시예 및 비교예의 연마 패드를 사용하여 피연마물을 연마했을 때의 피연마물에 있어서의 결함의 수를 나타내는 도면이다.
[도 3] 실시예 및 비교예의 연마 패드를 사용하여 피연마물을 연마했을 때의 피연마물에 있어서의 헤이즈 레벨을 나타내는 도면이다.
[FIG. 1] A diagram showing measurement points on a polishing pad in the measurement of cutting speed.
[FIG. 2] A diagram showing the number of defects in an object to be polished when the object to be polished is polished using the polishing pads of Examples and Comparative Examples.
[FIG. 3] A diagram showing the haze level in the object to be polished when the object to be polished is polished using the polishing pad of Examples and Comparative Examples.

이하, 본 발명의 일 실시형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described.

본 실시형태에 관한 연마 패드는, 폴리우레탄 수지를 가지는 폴리우레탄 수지 발포체를 포함하는 연마 패드이다.The polishing pad according to this embodiment is a polishing pad containing a polyurethane resin foam having a polyurethane resin.

또한, 본 실시형태에 관한 연마 패드는, 연마면을 가지고, 이 연마면이, 상기 폴리우레탄 수지 발포체의 표면으로 구성되어 있다.Additionally, the polishing pad according to this embodiment has a polishing surface, and this polishing surface is composed of the surface of the polyurethane resin foam.

상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 30℃에서의 tanδ가, 0.10∼0.50인 것이 중요하며, 0.15∼0.40인 것이 바람직하고, 0.20∼0.40인 것이 보다 바람직하다.For the polyurethane resin foam, it is important that tan δ at 30°C is 0.10 to 0.50, preferably 0.15 to 0.40, and more preferably 0.20 to 0.40.

그리고, 30℃에서의 tanδ는, 30℃에서의 저장 탄성률 E'에 대한 30℃에서의 손실 탄성률 E"의 비를 의미한다.And, tanδ at 30°C means the ratio of the loss modulus E" at 30°C to the storage modulus E' at 30°C.

또한, 상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 45℃에서의 저장 탄성률 E'이, 바람직하게는 0.5×107∼5.0×107Pa, 보다 바람직하게는 1.0×107∼4.0×107Pa다.In addition, the polyurethane resin foam has a storage modulus E' at 45°C of preferably 0.5×10 7 to 5.0×10 7 Pa, more preferably 1.0×10 7 to 4.0×10 7 Pa.

또한, 상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 65℃에서의 저장 탄성률 E'이, 바람직하게는 0.5×107∼5.0×107Pa, 보다 바람직하게는 1.0×107∼4.0×107Pa다.In addition, the polyurethane resin foam has a storage modulus E' at 65°C of preferably 0.5×10 7 to 5.0×10 7 Pa, more preferably 1.0×10 7 to 4.0×10 7 Pa.

그리고, 저장 탄성률 E', 및 손실 탄성률 E"은, JIS K7244-4:1999 「플라스틱-동적 기계 특성의 시험 방법-제4부: 인장 진동-비공진법」에 따라 이하의 조건으로 측정할 수 있다.In addition, the storage modulus E' and the loss modulus E" can be measured under the following conditions according to JIS K7244-4:1999 "Plastics - Test methods for dynamic mechanical properties - Part 4: Tensile vibration - Non-resonance method" .

측정 온도범위: 0℃∼100℃Measurement temperature range: 0℃∼100℃

승온(昇溫) 속도: 5℃/minTemperature increase rate: 5℃/min

주파수: 1HzFrequency: 1Hz

변형 : 0.5%Variation: 0.5%

또한, 상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 기포 직경의 평균값이 50∼120㎛이다.In addition, the polyurethane resin foam has an average cell diameter of 50 to 120 μm.

또한, 상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 기포 직경의 표준 편차가, 바람직하게는 10∼55㎛이다.In addition, the polyurethane resin foam preferably has a standard deviation of cell diameter of 10 to 55 μm.

그리고, 기포 직경의 평균값, 및 기포 직경의 표준 편차는, X선 CT 스캔 장치(예를 들면, 야마토 가가쿠 가부시키가이샤 제조의 TDM1000H-I)를 이용하여, 다음과 같이 하여 구할 수 있다.The average value of the cell diameter and the standard deviation of the cell diameter can be obtained as follows using an X-ray CT scan device (for example, TDM1000H-I manufactured by Yamato Chemical Co., Ltd.).

즉, 폴리우레탄 수지 발포체의 측정 대상 범위(예를 들면, 0.7㎜×1.6㎜×1.6㎜)에 포함되어 있는, 각 기포의 부피를 측정하고, 이 부피와 같은 부피의 완전한 구의 직경을 각 기포의 직경으로 한다.In other words, the volume of each cell included in the measurement target range of the polyurethane resin foam (for example, 0.7 mm × 1.6 mm × 1.6 mm) is measured, and the diameter of a perfect sphere with a volume equal to this volume is calculated as the It is made by diameter.

그리고, 각 기포의 직경으로부터 직경의 산술평균값을 구하고, 이것을 기포 직경의 평균값으로 한다. 또한, 각 기포의 직경으로부터 직경의 변동 계수를 구하고, 이것을 기포 직경의 변동 계수로 한다.Then, the arithmetic mean value of the diameter is obtained from the diameter of each bubble, and this is taken as the average value of the bubble diameter. Additionally, the coefficient of variation of the diameter is obtained from the diameter of each bubble, and this is taken as the coefficient of variation of the bubble diameter.

상기 폴리우레탄 수지 발포체에서는, 기포가, 상기 연마면에 수직한 단면(斷面)에 있어서 원형상으로 되어 있다.In the polyurethane resin foam, the cells have a circular shape in a cross section perpendicular to the polishing surface.

그리고, 「상기 폴리우레탄 수지 발포체에서는, 기포가, 상기 연마면에 수직한 단면에 있어서 원형상으로 되어 있다」란, 「상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 하기 식(1)에 나타내는 기포 길이의 아스펙트비의 평균값이, 3/5∼5/3인」 것을 의미한다.And, “in the polyurethane resin foam, the cells have a circular shape in the cross section perpendicular to the polishing surface” means “the polyurethane resin foam has the cell length aspect expressed in the following equation (1) It means that the average value of the ratio is 3/5 to 5/3.

기포 길이의 아스펙트비의 평균값=연마면에 수직한 방향의 기포의 길이/연마면에 평행한 방향의 기포의 길이 … (1)Average value of aspect ratio of bubble length = length of bubbles in the direction perpendicular to the polishing surface/length of bubbles in the direction parallel to the polishing surface... (One)

그리고, 기포 길이의 아스펙트비의 평균값은, X선 CT 스캔 장치(예를 들면, 야마토 가가쿠 가부시키가이샤 제조의 TDM1000H-I)를 이용하여, 하기와 같이 하여 구할 수 있다.The average value of the aspect ratio of the cell length can be obtained as follows using an X-ray CT scan device (for example, TDM1000H-I manufactured by Yamato Chemical Co., Ltd.).

즉, 먼저, 연마면에 수직한 방향의 폴리우레탄 수지 발포체의 단면 화상을 촬영하고, 이 화상에 있어서 관찰되는 기포를 무작위로 100개 선택하고, 각각의 기포에 대하여, 「연마면에 수직한 방향의 기포의 길이」, 및 「연마면에 평행한 방향의 기포의 길이」를 구하고, 기포 길이의 아스펙트비를 구한다.That is, first, a cross-sectional image of the polyurethane resin foam in the direction perpendicular to the polishing surface is taken, 100 bubbles observed in this image are randomly selected, and for each bubble, a cross-sectional image is taken in the direction perpendicular to the polishing surface. Find the “length of the bubbles” and “the length of the bubbles in the direction parallel to the polishing surface,” and find the aspect ratio of the bubble lengths.

그리고, 이들 기포 길이의 아스펙트비를 산술평균하고, 이 산술평균값을 「기포 길이의 아스펙트비의 평균값」으로 한다.Then, the aspect ratios of these cell lengths are arithmetic averaged, and this arithmetic average value is referred to as the “average value of the aspect ratio of cell lengths.”

그리고, 단면 화상의 기포 외측 윤곽선상에 있어서, 연마면에 수직한 방향으로 상호의 거리가 최대가 되는 2점을 선택하고, 이 2점간의 거리를 「연마면에 수직한 방향의 기포의 길이」로 한다. 또한, 단면 화상의 기포의 외측 윤곽선상에 있어서, 연마면에 평행한 방향으로 상호의 거리가 최대가 되는 2점을 선택하고, 이 2점간의 거리를 「연마면에 평행한 방향의 기포의 길이」로 한다.Then, on the outer outline of the bubble in the cross-sectional image, two points with the maximum mutual distance in the direction perpendicular to the polishing surface are selected, and the distance between these two points is defined as “the length of the bubble in the direction perpendicular to the polishing surface.” Do this. Additionally, on the outer outline of the bubble in the cross-sectional image, two points with the maximum mutual distance in the direction parallel to the polishing surface are selected, and the distance between these two points is defined as “the length of the bubble in the direction parallel to the polishing surface.” 」

또한, 상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 겉보기 밀도가, 바람직하게는 0.4∼0.6g/㎤이다.In addition, the polyurethane resin foam preferably has an apparent density of 0.4 to 0.6 g/cm3.

그리고, 겉보기 밀도는, JIS K7222:2005에 기초하여 측정할 수 있다.And the apparent density can be measured based on JIS K7222:2005.

상기 폴리우레탄 수지는, 활성 수소를 포함하는 화합물(이하, 「활성 수소 화합물」이라고도 함)의 제1 구성 단위와, 이소시아네이트기를 포함하는 화합물(이하, 「이소시아네이트 화합물」이라고도 함)의 제2 구성 단위를 포함한다.The polyurethane resin includes a first structural unit of a compound containing active hydrogen (hereinafter also referred to as “active hydrogen compound”) and a second structural unit of a compound containing an isocyanate group (hereinafter also referred to as “isocyanate compound”). Includes.

또한, 상기 폴리우레탄 수지는, 활성 수소 화합물과 이소시아네이트 화합물이 우레탄 결합하여, 활성 수소 화합물의 제1 구성 단위와 이소시아네이트 화합물의 제2 구성 단위가 교호적으로 반복된 구조로 되어 있다.In addition, the polyurethane resin has a structure in which an active hydrogen compound and an isocyanate compound are bonded to each other by urethane, and the first structural unit of the active hydrogen compound and the second structural unit of the isocyanate compound are alternately repeated.

상기 활성 수소 화합물은, 이소시아네이트기와 반응할 수 있는 활성 수소기를 분자 내에 가지는 유기 화합물이다. 이 활성 수소기로서는, 구체적으로는, 히드록시기, 제1급 아미노기, 제2급 아미노기, 티올기 등의 관능기를 들 수 있고, 상기 활성 수소 화합물은, 분자 중에 이 관능기를 1종만 가지고 있어도 되고, 분자 중에 이 관능기를 복수 종류 가지고 있어도 된다.The active hydrogen compound is an organic compound having an active hydrogen group in the molecule that can react with an isocyanate group. Specific examples of this active hydrogen group include functional groups such as hydroxy group, primary amino group, secondary amino group, and thiol group. The active hydrogen compound may have only one type of this functional group in the molecule, and the molecule You may have multiple types of this functional group.

상기 활성 수소 화합물로서는, 예를 들면, 분자 중에 복수의 히드록시기를 가지는 폴리올 화합물, 분자 내에 복수의 제1급 아미노기 또는 제2급 아미노기를 가지는 폴리아민 화합물 등을 사용할 수 있다.As the active hydrogen compound, for example, a polyol compound having a plurality of hydroxy groups in the molecule, a polyamine compound having a plurality of primary amino groups or secondary amino groups in the molecule, etc. can be used.

상기 폴리올 화합물로서는, 폴리올 모노머, 폴리올 폴리머를 들 수 있다.Examples of the polyol compound include polyol monomer and polyol polymer.

상기 폴리올 모노머로서는, 예를 들면 1,4-벤젠디메탄올, 1,4-비스(2-히드록시에톡시)벤젠, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,8-옥탄디올, 1,9-노난디올 등의 직쇄 지방족 글리콜을 들 수 있고, 네오펜틸글리콜, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 2-메틸-1,3-프로판디올, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올, 2-메틸-1,8-옥탄디올 등의 분기 지방족 글리콜을 들 수 있고, 1,4-시클로헥산디올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 수첨가 비스페놀 A 등의 지환족 디올을 들 수 있고, 글리세린, 트리메틸올프로판, 트리부티롤프로판, 펜타에리트리톨, 소르비톨 등의 다관능 폴리올 등을 들 수 있다.Examples of the polyol monomer include 1,4-benzenedimethanol, 1,4-bis(2-hydroxyethoxy)benzene, ethylene glycol, propylene glycol, 1,3-propanediol, 1,3-butanediol, Linear aliphatic glycols such as 1,5-pentanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, 1,8-octanediol, and 1,9-nonanediol are included, and neopentyl Glycol, 3-methyl-1,5-pentanediol, 2-methyl-1,3-propanediol, 2-butyl-2-ethyl-1,3-propanediol, 2-methyl-1,8-octanediol, etc. branched aliphatic glycols, and alicyclic diols such as 1,4-cyclohexanediol, 1,4-cyclohexanedimethanol, and hydrogenated bisphenol A, and glycerin, trimethylolpropane, and tributyrol propane. , multifunctional polyols such as pentaerythritol and sorbitol, etc.

상기 폴리올 모노머로서는, 반응 시의 강도가 보다 높아지기 쉽고, 제조된 발포 폴리우레탄을 포함하는 연마 패드의 강성이 보다 높아지기 쉽고, 비교적 저렴하다는 점에서, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜이 바람직하다.As the polyol monomer, ethylene glycol and diethylene glycol are preferred because the strength during reaction is likely to be higher, the rigidity of the polishing pad containing the produced polyurethane foam is likely to be higher, and it is relatively inexpensive.

상기 폴리올 폴리머로서는, 폴리에스테르폴리올, 폴리에스테르폴리카보네이트폴리올, 폴리에테르폴리올, 폴리카보네이트폴리올 등을 들 수 있다.Examples of the polyol polymer include polyester polyol, polyester polycarbonate polyol, polyether polyol, and polycarbonate polyol.

그리고, 폴리올 폴리머로서는, 히드록시기를 분자 중에 3개 이상 가지는 다관능 폴리올 폴리머도 들 수 있다.Also, examples of the polyol polymer include polyfunctional polyol polymers having three or more hydroxy groups in the molecule.

상기 폴리에스테르폴리올로서는, 폴리에틸렌아디페이트글리콜, 폴리부틸렌아디페이트글리콜, 폴리카프로락톤폴리올, 폴리헥사메틸렌아디페이트글리콜 등을 들 수 있다.Examples of the polyester polyol include polyethylene adipate glycol, polybutylene adipate glycol, polycaprolactone polyol, and polyhexamethylene adipate glycol.

상기 폴리에스테르폴리카보네이트폴리올로서는, 예를 들면, 폴리카프로락톤폴리올 등의 폴리에스테르글리콜과 알킬렌카보네이트의 반응 생성물을 들 수 있고, 또한, 에틸렌카보네이트를 다가 알코올과 반응시켜 얻어진 반응 혼합물을 유기 디카르본산과 더 반응시킨 반응 생성물도 들 수 있다.Examples of the polyester polycarbonate polyol include reaction products of polyester glycols such as polycaprolactone polyol and alkylene carbonate, and the reaction mixture obtained by reacting ethylene carbonate with a polyhydric alcohol is an organic dicarboxylic acid. Reaction products further reacted with the main acid can also be mentioned.

상기 폴리에테르폴리올로서는, 폴리테트라메틸렌에테르글리콜(PTMG), 폴리프로필렌글리콜(PPG), 폴리에틸렌글리콜(PEG), 에틸렌옥사이드 부가 폴리프로필렌폴리올 등을 들 수 있다.Examples of the polyether polyol include polytetramethylene ether glycol (PTMG), polypropylene glycol (PPG), polyethylene glycol (PEG), and ethylene oxide-added polypropylene polyol.

상기 폴리카보네이트폴리올로서는, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 또는 폴리테트라메틸렌에테르글리콜 등의 디올과, 포스겐, 디알릴카보네이트(예를 들면, 디페닐카보네이트) 또는 환식 카보네이트(예를 들면, 프로필렌카보네이트)의 반응 생성물 등을 들 수 있다.Examples of the polycarbonate polyol include diols such as 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, diethylene glycol, polyethylene glycol, polypropylene glycol, or polytetramethylene ether glycol, phosgene, and reaction products of diallyl carbonate (eg, diphenyl carbonate) or cyclic carbonate (eg, propylene carbonate).

상기 폴리올 화합물로서는, 그 외에, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 분자량 400 이하의 폴리에틸렌글리콜 등도 들 수 있다.Examples of the polyol compound include diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, and polyethylene glycol with a molecular weight of 400 or less.

상기 폴리아민 화합물로서는, 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린)(MOCA), 4,4'-메틸렌디아닐린, 트리메틸렌비스(4-아미노벤조에이트), 2-메틸-4,6-비스(메틸티오)벤젠-1,3-디아민, 2-메틸-4,6-비스(메틸티오)-1,5-벤젠디아민, 2,6-디클로로-p-페닐렌디아민, 4,4'-메틸렌비스(2,3-디클로로아닐린), 3,5-비스(메틸티오)-2,4-톨루엔디아민, 3,5-비스(메틸티오)-2,6-톨루엔디아민, 3,5-디에틸톨루엔-2,4-디아민, 3,5-디에틸톨루엔-2,6-디아민, 트리메틸렌글리콜-디-p-아미노벤조에이트, 1,2-비스(2-아미노페닐티오)에탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸-5,5'-디메틸디페닐메탄 등을 들 수 있다.Examples of the polyamine compounds include 4,4'-methylenebis(2-chloroaniline) (MOCA), 4,4'-methylenedianiline, trimethylenebis(4-aminobenzoate), and 2-methyl-4,6- Bis(methylthio)benzene-1,3-diamine, 2-methyl-4,6-bis(methylthio)-1,5-benzenediamine, 2,6-dichloro-p-phenylenediamine, 4,4' -Methylenebis(2,3-dichloroaniline), 3,5-bis(methylthio)-2,4-toluenediamine, 3,5-bis(methylthio)-2,6-toluenediamine, 3,5- Diethyltoluene-2,4-diamine, 3,5-diethyltoluene-2,6-diamine, trimethylene glycol-di-p-aminobenzoate, 1,2-bis(2-aminophenylthio)ethane, 4,4'-diamino-3,3'-diethyl-5,5'-dimethyldiphenylmethane, etc.

상기 폴리이소시아네이트로서는, 폴리이소시아네이트, 폴리이소시아네이트폴리머를 들 수 있다.Examples of the polyisocyanate include polyisocyanate and polyisocyanate polymer.

상기 폴리이소시아네이트로서는, 방향족 디이소시아네이트, 지방족 디이소시아네이트, 지환족 디이소시아네이트 등을 들 수 있다.Examples of the polyisocyanate include aromatic diisocyanate, aliphatic diisocyanate, and alicyclic diisocyanate.

상기 방향족 디이소시아네이트로서는, 톨릴렌디이소시아네이트(TDI), 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 1,3-페닐렌디이소시아네이트, 1,4-페닐렌디이소시아네이트를 들 수 있다. 또한, 상기 방향족 디이소시아네이트로서는, 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI), 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI)의 변성물 등도 들 수 있다.Examples of the aromatic diisocyanate include tolylene diisocyanate (TDI), 1,5-naphthalene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 1,3-phenylene diisocyanate, and 1,4-phenylene diisocyanate. Moreover, examples of the aromatic diisocyanate include diphenylmethane diisocyanate (MDI) and modified products of diphenylmethane diisocyanate (MDI).

디페닐메탄디이소시아네이트(MDI)의 변성물로서는, 예를 들면, 카르보디이미드 변성물, 우레탄 변성물, 알로파네이트 변성물, 우레아 변성물, 뷰렛 변성물, 이소시아누레이트 변성물, 옥사졸리돈 변성물 등을 들 수 있다. 이러한 변성물로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 카르보디이미드 변성 디페닐메탄디이소시아네이트(카르보디이미드 변성 MDI)를 들 수 있다.Modified products of diphenylmethane diisocyanate (MDI) include, for example, carbodiimide modified products, urethane modified products, allophanate modified products, urea modified products, biuret modified products, isocyanurate modified products, and oxazolyl. Money denatured products, etc. can be mentioned. Specific examples of such modified substances include carbodiimide-modified diphenylmethane diisocyanate (carbodiimide-modified MDI).

상기 지방족 디이소시아네이트로서는, 예를 들면, 에틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI) 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic diisocyanate include ethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, and hexamethylene diisocyanate (HDI).

상기 지환족 디이소시아네이트로서는, 예를 들면, 1,4-시클로헥산디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 노르보난디이소시아네이트, 메틸렌비스(4,1-시클로헥실렌)=디이소시아네이트 등을 들 수 있다.Examples of the alicyclic diisocyanate include 1,4-cyclohexane diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, isophorone diisocyanate, norbornane diisocyanate, and methylenebis(4,1-cyclo Hexylene) = diisocyanate, etc. are mentioned.

상기 폴리이소시아네이트 폴리머로서는, 폴리올과, 방향족 디이소시아네이트, 지방족 디이소시아네이트, 지환족 디이소시아네이트 중 적어도 어느 하나의 디이소시아네이트가 결합되어 이루어지는 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the polyisocyanate polymer include polymers formed by combining a polyol and at least one of aromatic diisocyanate, aliphatic diisocyanate, and alicyclic diisocyanate.

폴리우레탄 수지 발포체에 30℃에서의 tanδ를 높인다는 관점에서, 상기 폴리우레탄 수지는, 폴리프로필렌글리콜(PPG)을 구성 단위로서 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of increasing tan δ at 30°C in the polyurethane resin foam, it is preferable that the polyurethane resin contains polypropylene glycol (PPG) as a structural unit.

또한, 상기 폴리우레탄 수지는, 폴리프로필렌글리콜(PPG)을 구성 단위로서 포함함으로써, 비교적 약한 구조를 가지게 되고, 그 결과, 연마 패드의 드레싱 시의 절삭 속도가 높아진다는 이점을 가진다.In addition, the polyurethane resin contains polypropylene glycol (PPG) as a structural unit, so it has a relatively weak structure, and as a result, it has the advantage of increasing the cutting speed when dressing the polishing pad.

또한, 본 실시형태에 관한 연마 패드는, 상기 폴리우레탄 수지를 100 질량%로 했을 때, 상기 폴리우레탄 수지의 구성 단위에 포함되는 폴리프로필렌글리콜(PPG)을, 바람직하게는 30 질량% 이상, 보다 바람직하게는 40∼70 질량%, 보다 더 바람직하게는 50∼65 질량% 함유한다.In addition, the polishing pad according to the present embodiment contains polypropylene glycol (PPG) contained in the structural units of the polyurethane resin, preferably 30% by mass or more, when the polyurethane resin is 100% by mass. Preferably it contains 40 to 70 mass%, more preferably 50 to 65 mass%.

그리고, 폴리우레탄 수지를 100 질량%로 했을 때에서의, 상기 폴리우레탄 수지의 구성 단위에 포함되는 폴리프로필렌글리콜(PPG)의 함유 비율은, 하기와 같이 하여 구할 수 있다.The content ratio of polypropylene glycol (PPG) contained in the structural units of the polyurethane resin when the polyurethane resin is 100% by mass can be obtained as follows.

먼저, 폴리우레탄 수지 발포체를 극성 용매(중DMF, 중DMSO 등)에 녹여 용해물을 얻는다. 다음으로, 이 용해물을 1H-NMR로 분석하는 것으로부터, 폴리프로필렌글리콜(PPG)을 정량하고, 상기 폴리프로필렌글리콜(PPG)의 함유 비율을 구한다.First, the polyurethane resin foam is dissolved in a polar solvent (e.g. DMF, DMSO, etc.) to obtain a dissolved product. Next, this melt is analyzed by 1H-NMR to quantify polypropylene glycol (PPG) and determine the content ratio of polypropylene glycol (PPG).

또한, 상기 폴리프로필렌글리콜(PPG)의 함유 비율을 구하는 다른 방법으로서는, 이하의 방법이 있다.Additionally, as another method for determining the content ratio of polypropylene glycol (PPG), there is the following method.

먼저, 폴리우레탄 수지 발포체를 메탄올로 화학분해하여 분해물을 얻는다. 다음으로, 이 분해물을 겔 침투 크로마토그래피(GPC) 등에 의해 분획하여 분취하고, 각 분배물을 1H-NMR 또는 GC-MS로 분석하는 것으로부터, 폴리프로필렌글리콜(PPG)을 정량하고, 상기 폴리프로필렌글리콜(PPG)의 함유 비율을 구한다.First, the polyurethane resin foam is chemically decomposed with methanol to obtain decomposed products. Next, this decomposition product is fractionated and collected by gel permeation chromatography (GPC), etc., and each fraction is analyzed by 1H-NMR or GC-MS to quantify polypropylene glycol (PPG), and the polypropylene Calculate the content ratio of glycol (PPG).

본 실시형태에 관한 연마 패드는 상기와 같이 구성되어 있으며, 다음으로, 본 실시형태에 관한 연마 패드의 제조 방법에 대하여 설명한다.The polishing pad according to the present embodiment is configured as described above, and next, the manufacturing method of the polishing pad according to the present embodiment will be described.

본 실시형태에 관한 연마 패드의 제조 방법에서는, 폴리우레탄 수지 발포체를 가지는 연마 패드를 제조한다.In the method for manufacturing a polishing pad according to this embodiment, a polishing pad having a polyurethane resin foam is manufactured.

또한, 본 실시형태에 관한 연마 패드의 제조 방법에서는, 말단기로서 이소시아네이트기를 가지는 우레탄 프리폴리머와, 정포제(整泡劑)를 혼합함으로써, 공기가 기포로서 분산된 분산액을 얻는다.In addition, in the method for manufacturing a polishing pad according to the present embodiment, a dispersion in which air is dispersed as bubbles is obtained by mixing a urethane prepolymer having an isocyanate group as a terminal group and a foam stabilizer.

그리고, 분산액과, 활성 수소를 분자 내에 복수 포함하는 활성 수소 유기 화합물인 경화제를 혼합하여 중합함으로써, 폴리우레탄 수지 발포체를 가지는 연마 패드를 얻을 수 있다.Then, a polishing pad having a polyurethane resin foam can be obtained by mixing and polymerizing the dispersion and a curing agent, which is an active hydrogen organic compound containing a plurality of active hydrogens in the molecule.

상기 정포제로서는, 실리콘계 계면활성제, 불소계 계면활성제, 이온성 계면활성제 등을 들 수 있다.Examples of the foam stabilizer include silicone-based surfactants, fluorine-based surfactants, and ionic surfactants.

본 실시형태에 관한 연마 패드로 연마하는 피연마물로서는, 광학 재료, 반도체 디바이스, 하드 디스크, 유리판, 실리콘 웨이퍼 등을 들 수 있다.Examples of objects to be polished with the polishing pad according to this embodiment include optical materials, semiconductor devices, hard disks, glass plates, and silicon wafers.

또한, 본 실시형태에 관한 연마 패드는, 마무리 연마, 정밀 연마 등에 바람직하게 사용된다.Additionally, the polishing pad according to this embodiment is suitably used for finish polishing, precision polishing, etc.

본 실시형태에 관한 연마 패드는, 상기한 바와 같이 구성되어 있으므로, 이하의 이점을 가지는 것이다.Since the polishing pad according to the present embodiment is configured as described above, it has the following advantages.

즉, 본 실시형태에 관한 연마 패드는, 폴리우레탄 수지 발포체를 포함하는 연마 패드이다. 본 실시형태에 관한 연마 패드는, 연마면을 가지고, 이 연마면이, 상기 폴리우레탄 수지 발포체의 표면으로 구성되어 있다. 상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 30℃에서의 tanδ가 0.10∼0.50이고, 기포 직경의 평균값이 50∼120㎛이다.That is, the polishing pad according to this embodiment is a polishing pad containing polyurethane resin foam. The polishing pad according to this embodiment has a polishing surface, and this polishing surface is composed of the surface of the polyurethane resin foam. The polyurethane resin foam has a tan δ of 0.10 to 0.50 at 30°C and an average cell diameter of 50 to 120 μm.

이러한 연마 패드에서는, 상기 tanδ가 큰(0.10 이상) 것에 의하여, 연마 시의 피연마물의 미세 진동을 억제할 수 있고, 그리고, 연마 시의 피연마물의 덤핑을 억제할 수 있다. 그 결과, 연마 시에 있어서, 연마 패드와 피연마물이 밀착하기 쉬워진다.In such a polishing pad, as the tan δ is large (0.10 or more), fine vibration of the object to be polished during polishing can be suppressed, and dumping of the object to be polished during polishing can be suppressed. As a result, it becomes easy for the polishing pad and the object to be polished to come into close contact during polishing.

그 결과, 이러한 연마 패드는, 평탄성을 높일 수 있다.As a result, this polishing pad can improve flatness.

또한, 이러한 연마 패드에서는, 기포 직경의 평균값이 120㎛ 이하인 것에 의하여, 연마면에 존재하는 기포 부분에 이물질(연마 찌꺼기 등)이 막히기 어려워지고, 그 결과, 기포 부분으로부터 피연마물에 부착되는 이물질의 양이 억제된다.In addition, in such a polishing pad, the average value of the cell diameter is 120 ㎛ or less, making it difficult for foreign substances (polishing debris, etc.) to clog the cell portions present on the polishing surface, and as a result, foreign materials adhering to the object to be polished from the cell portions are prevented. Quantity is suppressed.

따라서, 본 실시형태에 관한 연마 패드에 의하면, 피연마물로의 이물질의 부착을 억제하면서, 피연마물의 평탄성을 높일 수 있다.Therefore, according to the polishing pad according to the present embodiment, the flatness of the object to be polished can be improved while suppressing the adhesion of foreign substances to the object to be polished.

그리고, 본 발명에 관한 연마 패드는, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 관한 연마 패드는, 상기한 작용 효과에 한정되는 것도 아니다. 또한, 본 발명에 관한 연마 패드는, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 각종 변경이 가능하다.Additionally, the polishing pad according to the present invention is not limited to the above embodiment. Additionally, the polishing pad according to the present invention is not limited to the above-described effects. Additionally, various changes can be made to the polishing pad according to the present invention without departing from the gist of the present invention.

<실시예><Example>

다음으로, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명에 대하여 더욱 구체적으로 설명한다.Next, the present invention will be described in more detail through examples and comparative examples.

(실시예 1)(Example 1)

하기 표 1에 나타내는, 프리폴리머와, 정포제를 하기 표 1의 배합 비율로 70℃ 하에서 혼합함으로써, 공기가 기포로서 분산된 분산액을 얻었다.By mixing the prepolymer shown in Table 1 below and the foam control agent at the mixing ratio shown in Table 1 below at 70°C, a dispersion in which air was dispersed as bubbles was obtained.

다음으로, 이 분산액과, 경화제를 혼합하여 중합함으로써, 폴리우레탄 수지 발포체된 연마 패드를 얻었다.Next, this dispersion and a curing agent were mixed and polymerized to obtain a polyurethane resin foam polishing pad.

그리고, 하기 표 1의 재료는, 구체적으로는 이하의 것이다.The materials in Table 1 below are specifically as follows.

·프리폴리머 1: 폴리프로필렌글리콜(PPG)과, 톨릴렌디이소시아네이트(TDI)를 반응시킴으로써 얻어지는 우레탄 프리폴리머(말단기로서 이소시아네이트기를 가지는 우레탄 프리폴리머)(NCOwt%: 5.80)(타케네이트 L1150, 미쓰이 가가쿠사 제조)Prepolymer 1: Urethane prepolymer (urethane prepolymer having an isocyanate group as a terminal group) obtained by reacting polypropylene glycol (PPG) and tolylene diisocyanate (TDI) (NCOwt%: 5.80) (Takenate L1150, manufactured by Mitsui Chemicals)

·프리폴리머 2 : 폴리테트라메틸렌에테르글리콜(PTMG)과, 톨릴렌디이소시아네이트(TDI)를 반응시킴으로써 얻어지는 우레탄 프리폴리머(말단기로서 이소시아네이트기를 가지는 우레탄 프리폴리머)(NCOwt%: 6.00)(타케네이트 L2695, 미쓰이 가가쿠사 제조)Prepolymer 2: Urethane prepolymer (urethane prepolymer having an isocyanate group as a terminal group) obtained by reacting polytetramethylene ether glycol (PTMG) and tolylene diisocyanate (TDI) (NCOwt%: 6.00) (Takenate L2695, Mitsui Chemicals Co., Ltd. manufacturing)

·프리폴리머 3: 폴리테트라메틸렌에테르글리콜(PTMG)과, 톨릴렌디이소시아네이트(TDI)를 반응시킴으로써 얻어지는 우레탄 프리폴리머(말단기로서 이소시아네이트기를 가지는 우레탄 프리폴리머)(NCOwt%: 4.31)(타케네이트 L2690, 미쓰이 가가쿠사 제조)Prepolymer 3: Urethane prepolymer (urethane prepolymer having an isocyanate group as a terminal group) obtained by reacting polytetramethylene ether glycol (PTMG) and tolylene diisocyanate (TDI) (NCOwt%: 4.31) (Takenate L2690, Mitsui Chemicals Co., Ltd. manufacturing)

·경화제: MOCA(4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린))Curing agent: MOCA (4,4'-methylenebis(2-chloroaniline))

·정포제: 실리콘계 계면활성제(데코스타브 B8465, 에보닉사 제조)·Foaming agent: Silicone-based surfactant (Decostave B8465, manufactured by Evonik)

·촉매: 3급 아민계 촉매(도요캣 L33, 도소사 제조)Catalyst: Tertiary amine catalyst (Toyocat L33, manufactured by Tosoh Corporation)

또한, 하기 표 1의 PPG의 농도는, 폴리우레탄 수지를 100 질량%로 했을 때, 상기 폴리우레탄 수지의 구성 단위에 포함되는 폴리프로필렌글리콜(PPG)의 농도를 의미한다.In addition, the concentration of PPG in Table 1 below means the concentration of polypropylene glycol (PPG) contained in the structural units of the polyurethane resin when the polyurethane resin is 100% by mass.

(실시예 2∼4, 비교예 1)(Examples 2 to 4, Comparative Example 1)

하기 표 1에 나타내는 재료 및 배합으로 한 것 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여, 폴리우레탄 수지 발포체인 연마 패드를 얻었다.A polishing pad made of polyurethane resin foam was obtained in the same manner as in Example 1, except that the materials and formulations shown in Table 1 below were used.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

하기 표 1에 나타내는, 프리폴리머와, 물과, 촉매를 하기 표 1의 배합 비율로 70℃ 하에서 혼합함으로써, 프리폴리머의 말단기인 이소시아네이트기와, 물을 반응시켜 CO2를 발생시키고, CO2가 기포로서 분산된 분산액을 얻었다.By mixing the prepolymer, water, and catalyst shown in Table 1 below at 70°C at the mixing ratio shown in Table 1 below, the isocyanate group, which is the terminal group of the prepolymer, and water react to generate CO 2 , and CO 2 is dispersed as bubbles. A dispersion was obtained.

다음으로, 이 분산액과, 경화제를 혼합하여 중합함으로써, 폴리우레탄 수지 발포체인 연마 패드를 얻었다.Next, this dispersion and a curing agent were mixed and polymerized to obtain a polishing pad made of polyurethane resin foam.

(D 경도)(D hardness)

D 경도는, JIS K6253-1997에 준거하여 측정하였다.D hardness was measured based on JIS K6253-1997.

구체적으로는, 폴리우레탄 발포체를 2cm×2cm(두께: 임의)의 크기로 잘라낸 것을 경도 측정용 시료로 하고, 이 경도 측정용 시료를 온도 23±2℃, 습도 50%±5%의 환경 하에 16시간 정치(靜置)하였다.Specifically, the polyurethane foam was cut into a size of 2cm Time was political.

여기에서, 경도 측정용 시료의 두께가 6㎜ 이상인 경우에는, 이 경도 측정용 시료의 경도를 경도계(고분시 게이키사 제조, 아스카 D형 경도계)로 측정하였다.Here, when the thickness of the sample for hardness measurement was 6 mm or more, the hardness of the sample for hardness measurement was measured with a hardness meter (Asuka D-type hardness meter, manufactured by Kobunshi Keiki Co., Ltd.).

한편으로, 경도 측정용 시료의 두께가 6㎜ 미만인 경우에는, 경도 측정용 시료를 복수 두께 방향으로 중첩하여, 중첩한 경도 측정용 시료의 합계의 두께를 6㎜ 이상으로 하고, 중첩한 경도 측정용 시료의 경도를 경도계(고분시 게이키사 제조, 아스카 D형 경도계)로 측정하였다.On the other hand, when the thickness of the hardness measurement sample is less than 6 mm, the hardness measurement samples are overlapped in multiple thickness directions, the total thickness of the overlapping hardness measurement samples is set to 6 mm or more, and the overlapping hardness measurement samples are set to 6 mm or more. The hardness of the sample was measured with a hardness meter (Asuka D-type hardness tester manufactured by Kobunshi Keiki Co., Ltd.).

(겉보기 밀도, tanδ, 및 E')(apparent density, tanδ, and E')

또한, 겉보기 밀도, tanδ, 및 E'에 대해서는, 전술한 방법으로 측정하였다.Additionally, apparent density, tanδ, and E' were measured by the method described above.

(절삭 속도)(cutting speed)

실시예 및 비교예의 연마 패드를 도 1에 나타낸 바와 같은 도넛형으로 가공하고(외경(外徑): 240㎜, 내경(內徑): 90㎜, 두께: 약 2.0㎜), 또한, 도 1에 나타내는 점의 위치를 측정 포인트(12개소)로 하고, 이 측정 포인트에 φ 약 3㎜의 관통공을 형성하여, 시험체를 얻었다.The polishing pads of the examples and comparative examples were processed into a donut shape as shown in FIG. 1 (outer diameter: 240 mm, inner diameter: 90 mm, thickness: about 2.0 mm), and also in FIG. 1. The positions of the indicated points were used as measurement points (12 locations), and through holes with a diameter of approximately 3 mm were formed at these measurement points to obtain test specimens.

다음으로, 양면 테이프를 통하여 연마 장치(Ecomet2000)의 플래튼(platen)에 상기 시험체를 첩부하고, 뎁스 게이지(depth gage)를 이용하여 상기 관통공에 있어서 시험체의 두께를 측정하였다.Next, the test specimen was attached to the platen of a polishing device (Ecomet2000) through double-sided tape, and the thickness of the test specimen in the through hole was measured using a depth gage.

그리고, 하기 절삭 조건으로 패드의 표면을 절삭하였다.Then, the surface of the pad was cut under the following cutting conditions.

패드 컨디셔너: AD3BI-100530-3(kinik사 제조의 DiaGridφ4inch)Pad conditioner: AD3BI-100530-3 (DiaGridϕ4inch manufactured by Kinik)

컨디션Condition

Weight: 35g/㎠Weight: 35g/㎠

플래튼 스피드: 50rpmPlaten speed: 50rpm

헤드 스피드: 60rpmHead speed: 60rpm

드레싱 시간: 30minDressing time: 30min

물의 유량: 100mL/minWater flow rate: 100mL/min

상기 절삭 후에, 뎁스 게이지를 이용하여 상기 관통공에 있어서 시험체의 두께를 측정하였다.After the cutting, the thickness of the test piece in the through hole was measured using a depth gauge.

그리고, 각 포인트의 절삭 전후의 시험체의 두께의 차로부터, 각 포인트의 절삭 속도(㎛/hr)를 구하고, 각 포인트의 절삭 속도로부터 절삭 속도의 산술평균값을 구하고 이것을 연마 패드의 절삭 속도(㎛/hr)로 하였다.Then, from the difference in the thickness of the test piece before and after cutting each point, the cutting speed (㎛/hr) of each point was obtained, and the arithmetic mean value of the cutting speed was obtained from the cutting speed of each point, and this was calculated as the cutting speed of the polishing pad (㎛/hr). hr).

[표 1][Table 1]

Figure 112020066753799-pct00001
Figure 112020066753799-pct00001

(연마 시험)(polishing test)

실시예 및 비교예의 연마 패드를 사용하여, 하기 조건으로 피연마물을 연마하고, 연마 후의 피연마물을 SC-1(웨이퍼 세정액)에 의해 배치식으로 세정하고, 그 후 매엽(枚葉)식으로 세정하고, 그리고, 스핀 드라이로 건조시켰다.Using the polishing pads of Examples and Comparative Examples, objects to be polished were polished under the following conditions, and the polished objects were cleaned in a batch manner with SC-1 (wafer cleaning liquid), and then cleaned in a single wafer manner. and dried by spin drying.

건조 후에, 피연마물 표면에서 있어서의 결함의 수, 및 헤이즈 레벨을 구하였다.After drying, the number of defects and haze level on the surface of the object to be polished were determined.

그리고, 결함이란, 이물질 등의 표면 결함을 의미하고, 결함의 수가 작을수록, 피연마물에 부착된 이물질이 적은 것을 의미한다. 또한, 헤이즈는 표면 흐림을 의미하고, 헤이즈 레벨이 작을수록, 피연마물의 표면의 평탄성이 높은 것을 의미한다.In addition, defects mean surface defects such as foreign substances, and the smaller the number of defects, the fewer foreign substances attached to the object to be polished. Additionally, haze means surface haze, and the smaller the haze level, the higher the flatness of the surface of the object to be polished.

또한, 결함의 수, 및 헤이즈 레벨은, 이하의 방법으로 구하였다.Additionally, the number of defects and the haze level were determined by the following methods.

또한, 연마 패드마다, 10장의 피연마물을 연마하고, 피연마물마다의 결함의 수, 및 헤이즈 레벨을 측정하였다.Additionally, for each polishing pad, 10 sheets of objects to be polished were polished, and the number of defects and haze level for each object to be polished were measured.

결과를 도 2, 도 3에 나타낸다.The results are shown in Figures 2 and 3.

<연마 조건><Polishing conditions>

피연마물: 실리콘 베어 웨이퍼(두께: 약 760㎛)Material to be polished: Silicon bare wafer (thickness: approximately 760㎛)

연마기: 폴리싱 머신 PNX332B, 오카모토 고우사쿠 기카이 세이사쿠쇼 제조Polishing machine: Polishing machine PNX332B, manufactured by Kousaku Okamoto Kikai Seisakusho

헤드 타입: 세라믹스Head Type: Ceramics

슬러리의 유량: 600mL/minSlurry flow rate: 600mL/min

슬러리 타입: RDS8-A13x31Slurry Type: RDS8-A13x31

연마 시간: 2minPolishing time: 2min

웨이퍼 압력: 80g/㎠Wafer pressure: 80g/㎠

헤드 스피드: 29rpmHead speed: 29rpm

플래튼 스피드: 30rpmPlaten speed: 30rpm

<결함의 수의 측정><Measurement of number of defects>

결함의 수(도 2의 「MAGICS Defect」)는, 웨이퍼 결함 검사/리뷰 장치(MGICS M5640, 레이저테크사 제조)를 이용하여 측정하였다.The number of defects (“MAGICS Defect” in FIG. 2) was measured using a wafer defect inspection/review device (MGICS M5640, manufactured by Laser Tech).

그리고, 길이가 190㎛ 이상인 결함만을 검출하였다.And, only defects with a length of 190㎛ or more were detected.

<헤이즈 레벨의 측정><Measurement of haze level>

헤이즈 레벨(도 3의 「Haze」)은, 웨이퍼 표면 검사 장치(LS6600, 히타치 덴시 엔지니어링 가부시키가이샤 제조)를 이용하여 측정하였다.The haze level (“Haze” in FIG. 3) was measured using a wafer surface inspection device (LS6600, manufactured by Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd.).

도 2에 나타낸 바와 같이, 실시예의 연마 패드를 사용한 경우, 기포 직경의 평균값이 129㎛인 비교예 2의 연마 패드를 사용한 경우에 비하여, 결함의 수가 작았다.As shown in FIG. 2, when the polishing pad of the example was used, the number of defects was small compared to the case of using the polishing pad of Comparative Example 2 with an average cell diameter of 129 μm.

또한, 도 3에 나타낸 바와 같이, 실시예의 연마 패드를 사용한 경우, 30℃에서의 tanδ가 0.079인 비교예 1의 연마 패드를 사용한 경우에 비하여, 헤이즈 레벨이 작았다.Additionally, as shown in FIG. 3, when the polishing pad of the example was used, the haze level was small compared to the case of using the polishing pad of Comparative Example 1 with tan δ of 0.079 at 30°C.

Claims (7)

폴리우레탄 수지 발포체를 포함하는 연마 패드로서,
연마면을 가지고,
상기 연마면이, 상기 폴리우레탄 수지 발포체의 표면으로 구성되며,
상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 30℃에서의 tanδ가 0.20∼0.50이고, 기포 직경의 평균값이 50∼120㎛인, 연마 패드.
A polishing pad comprising polyurethane resin foam,
With a polished surface,
The polishing surface is composed of a surface of the polyurethane resin foam,
The polyurethane resin foam has a tan δ of 0.20 to 0.50 at 30°C and an average cell diameter of 50 to 120 μm.
제1항에 있어서,
상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 기포 직경의 표준 편차가 10∼55㎛인, 연마 패드.
According to paragraph 1,
The polyurethane resin foam is a polishing pad in which the standard deviation of the cell diameter is 10 to 55 μm.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 폴리우레탄 수지 발포체에서는, 기포가, 상기 연마면에 수직한 단면(斷面)에 있어서 원형상으로 되어 있는, 연마 패드.
According to claim 1 or 2,
In the polyurethane resin foam, the cells are circular in a cross-section perpendicular to the polishing surface.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 겉보기 밀도가 0.4∼0.6g/㎤인, 연마 패드.
According to claim 1 or 2,
A polishing pad wherein the polyurethane resin foam has an apparent density of 0.4 to 0.6 g/cm3.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 45℃에서의 저장 탄성률 E'이 0.5×107∼5.0×107Pa인, 연마 패드.
According to claim 1 or 2,
The polyurethane resin foam is a polishing pad whose storage modulus E' at 45°C is 0.5×10 7 to 5.0×10 7 Pa.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 폴리우레탄 수지 발포체는, 65℃에서의 저장 탄성률 E'이 0.5×107∼5.0×107Pa인, 연마 패드.
According to claim 1 or 2,
The polyurethane resin foam is a polishing pad whose storage modulus E' at 65°C is 0.5×10 7 to 5.0×10 7 Pa.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 폴리우레탄 수지 발포체가, 폴리우레탄 수지를 함유하고,
상기 폴리우레탄 수지가, 폴리프로필렌글리콜을 구성 단위로서 포함하는, 연마 패드.
According to claim 1 or 2,
The polyurethane resin foam contains a polyurethane resin,
A polishing pad wherein the polyurethane resin contains polypropylene glycol as a structural unit.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005120253A (en) 2003-10-17 2005-05-12 Toray Ind Inc Foamed polyurethane and its production method
JP2010082708A (en) * 2008-09-29 2010-04-15 Fujibo Holdings Inc Polishing pad
JP2012223835A (en) 2011-04-15 2012-11-15 Fujibo Holdings Inc Polishing pad, and manufacturing method therefor
WO2017066077A1 (en) 2015-10-16 2017-04-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming advanced polishing pads using an additive manufacturing process

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0223155B1 (en) * 1985-11-12 1991-02-13 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Expandable fluorine-containing polymer compositions, and foams of fluorine-containing polymer obtained from the compositions
US6764574B1 (en) * 2001-03-06 2004-07-20 Psiloquest Polishing pad composition and method of use
TWI403387B (en) * 2005-09-22 2013-08-01 Kuraray Co Polymeric material, foam from the material and polishing pad prepared therefrom
JP5142548B2 (en) 2006-02-14 2013-02-13 Hoya株式会社 Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk and polishing pad
EP2135707A4 (en) * 2007-03-20 2013-10-09 Kuraray Co Cushion for polishing pad and polishing pad using the cushion
JP5484145B2 (en) * 2010-03-24 2014-05-07 東洋ゴム工業株式会社 Polishing pad
JP5945874B2 (en) * 2011-10-18 2016-07-05 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad and manufacturing method thereof
JP5959390B2 (en) * 2012-09-26 2016-08-02 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad sheet, polishing pad, method for producing the same, and polishing method
JP5676798B1 (en) * 2013-08-26 2015-02-25 日東電工株式会社 Foam sheet
JP6386832B2 (en) * 2013-08-26 2018-09-05 日東電工株式会社 Foam sheet
JP6311183B2 (en) * 2014-03-31 2018-04-18 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad and manufacturing method thereof
JP6539910B2 (en) * 2015-04-03 2019-07-10 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad and method of manufacturing the same
JP6600149B2 (en) * 2015-04-03 2019-10-30 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad and manufacturing method thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005120253A (en) 2003-10-17 2005-05-12 Toray Ind Inc Foamed polyurethane and its production method
JP2010082708A (en) * 2008-09-29 2010-04-15 Fujibo Holdings Inc Polishing pad
JP2012223835A (en) 2011-04-15 2012-11-15 Fujibo Holdings Inc Polishing pad, and manufacturing method therefor
CN103563056A (en) 2011-04-15 2014-02-05 富士纺控股株式会社 Polishing pad and manufacturing method therefor
WO2017066077A1 (en) 2015-10-16 2017-04-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming advanced polishing pads using an additive manufacturing process

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