KR102617311B1 - 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 도파관 동축 변환 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조에 관한 것이다. 상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조는 싱글 릿지형 도파관과 동축 커넥터의 경계면에서 소정거리 이격되고, 도파관 내부에 형성된 싱글 릿지와 동축 커넥터의 내부 도체를 연결하기 위한 연결부; 경계면(싱글 릿지형 도파관과 동축 커넥터의 경계면)의 일부분과 제1 일측면이 맞닿고, 제1 일측면에 대응하는 맞은편 제2 일측면은 연결부에 맞닿도록 형성되어서 연결부를 서포트 하는 제1 스터브; 제1 스터브 구조로 인한 신호 단락 발생을 방지하고, 동축 커넥터로 입력된 신호가 도파관으로 전달될 수 있도록 연결부의 우측에 형성되는 매칭 스터브; 경계면의 일부분과 제1 일측면이 맞닿고, 제1 일측면에 대응하는 맞은편 제2 일측면은 매칭 스터브에 맞닿도록 형성되어서 매칭 스터브를 서포트 하는 제2 스터브를 포함하여 구성되는 것이 가능하다.

Description

적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조 및 그 제조 방법 {END LAUNCH TYPE WAVEGUIDE COAXIAL CONVERSION STRUCTURE ACCORDING TO 3D PRINTING ADDITIVE SCHEME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 도파관 동축 변환 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.

도파관을 이용한 전송선로 구조는 저 손실, 구조의 견고성, 고출력 신호 전송에 용이하기 때문에, 마이크로파 및 밀리미터파를 전송하는 레이더 시스템 및 위성 통신 시스템, 원거리 통신 시스템, 유도 무기 탐색기 센서 시스템 등에 이용되어진다.

이러한 도파관 구조를 사용하는 시스템은 모듈 간의 전기적 연결을 위하여 도파관-동축 변환 구조가 필요하다. 즉, 동축선과 도파관은 이를 연결하는 변환기(또는 어댑터)를 통해서 동축선의 중심도체로부터 형성되는 전자기파가 도파관의 내측으로 전파되면서 고주파 대역의 전파를 전송한다.

한국등록특허공보 제10-2134332호(발명의 명칭 : 도파관과 동축선을 개방형 결합구조로 접속시키는 어댑터)는 일측으로 중심도체를 갖는 동축선을 연결하기 위한 중공이 형성된 동축선 연결부, 상기 동축선과 반대측으로 도파관을 연결하기 위한 중공이 형성된 도파관 플랜지부, 상기 동축선 연결부 및 상기 도파관 플랜지부 사이에 배치되고 상기 동축선의 중심도체가 통과하는 중공이 형성된 결합 플레이트를 포함하며, 상기 도파관 플랜지부의 내부에는 상기 결합 플레이트가 결합되는 측의 일면에서 이격되며, 상기 도파관 플랜지부의 중심축을 향하여 동출되는 돌출부가 형성되고, 상기 동축선의 상기 중심도체와 상기 돌출부는 근접한 비접촉식 구조이고, 상기 도파관 플랜지부의 중공은 상기 돌출부의 상기 중심도체 측 일면을 경계로 나뉘어진 제1 및 제2 중공을 포함하고, 상기 제1 중공에는 상기 중심도체의 단부가 배치되며, 상기 제2 중공에는 상기 돌출부가 배치되며, 상기 돌출부와 마주보는 상기 제1 중공의 일측벽이 상기 제1 중공과 인접한 상기 제2 중공의 일측벽보다 일측으로 더 함몰된 제1 공간을 형성하고, 상기 돌출부 측의 상기 제1 중공의 타측벽이 상기 제2 중공의 타측벽보다 타측으로 더 함몰된 제2 공간을 형성할 수 있다.

상기 특허에 개시된 도파관 동축 변환 구조는 절삭 및 조립, 브레이징 접합 등을 이용한 도파관 제작 방식을 통하여 설계되어진다. 즉, 종래는 브레이징 접합 제조 및 조립 접합 제조를 고려하여 도파관 구조를 설계하고, 가공을 통해서 도파관 레이어를 가공한 후, 가공된 레이어에 브레이징 접합 및 조립을 통해서 도파관 제작을 완성하는 것이다.

이러한 제작 방식은 제작 기간이 오래 걸리고 단가가 비싼 문제점이 있다. 무엇보다도 3D 프린팅 적층 제조 방식을 고려한 설계 구조가 아니기 때문에, 3D 프린팅 적층 제조 방식으로는 제조하기가 불가능하다.

최근 도파관 구조 제작에 있어서 수율 증가, 제작 기간 단축, 단가 절감 등의 장점을 얻을 수 있는 3D 프린팅 제조 방식이 제안되고 있다. 따라서 3D 프린팅 제조 방식의 장점을 얻을 수 있는 3D 프린팅 적층 제조가 가능한 도파관 동축 변환 구조의 개발이 필요하다.

한국등록특허공보 제10-2134332호(발명의 명칭 : 도파관과 동축선을 개방형 결합구조로 접속시키는 어댑터)

따라서 본 발명의 목적은 3D 프린팅 제조 방식을 이용한 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조 및 그 제조방법을 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 도파관과 도파관-동축 변환구조가 일체형으로 제작 가능한 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조 및 그 제조방법을 제공함에 있다.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조는 싱글 릿지형 도파관과 동축 커넥터의 경계면에서 소정거리 이격되고, 도파관 내부에 형성된 싱글 릿지와 동축 커넥터의 내부 도체를 연결하기 위한 연결부; 경계면(싱글 릿지형 도파관과 동축 커넥터의 경계면)의 일부분과 제1 일측면이 맞닿고, 제1 일측면에 대응하는 맞은편 제2 일측면은 연결부에 맞닿도록 형성되어서 연결부를 서포트 하는 제1 스터브; 제1 스터브 구조로 인한 신호 단락 발생을 방지하고, 동축 커넥터로 입력된 신호가 도파관으로 전달될 수 있도록 연결부의 우측에 형성되는 매칭 스터브; 경계면의 일부분과 제1 일측면이 맞닿고, 제1 일측면에 대응하는 맞은편 제2 일측면은 매칭 스터브에 맞닿도록 형성되어서 매칭 스터브를 서포트 하는 제2 스터브를 포함하여 구성되는 것이 가능하다.

일 실시예에 따르면, 제1 스터브의 제4 일측면은 연결부와 맞닿는 면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖는 것이 가능하다.

일 실시예에 따르면, 제1 스터브의 제4 일측면은 적층 방향으로 오버행 구조를 갖는 것이 가능하다.

일 실시예에 따르면, 제1 스터브의 제3 일측면은 싱글 릿지형 도파관의 내부에 형성된 중공의 내측면에 맞닿도록 형성되는 것이 가능하다.

일 실시예에 따르면, 제2 스터브의 제4 일측면은 매칭 스터브와 맞닿는 일측면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖는 것이 가능하다.

일 실시예에 따르면, 제2 스터브의 제4 일측면은 적층 방향으로 오버행 구조를 갖는 것이 가능하다.

일 실시예에 따르면, 제2 스터브의 제3 일측면은 싱글 릿지형 도파관의 내부에 형성된 중공의 내측면에 맞닿도록 형성되는 것이 가능하다.

일 실시예에 따르면, 매칭 스터브는 제2 스터브의 제2 일측면에 제1 일측면을 맞닿고, 싱글 릿지형 도파관 내부에 형성된 중공의 내측면에 제3 일측면을 맞닿은 상태로 연결부의 우측에 형성되고, 연결부와 소정의 간격을 갖는 것이 가능하다.

일 실시예에 따르면, 매칭 스터브의 제2 일측면의 높이와 연결부의 제2 일측면의 높이는 다르게 구성되는 것이 가능하다.

일 실시예에 따르면, 제1 스터브의 제4 일측면은 연결부와 맞닿는 면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖고, 제2 스터브의 제4 일측면은 매칭 스터브와 맞닿는 면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖는 것이 가능하다.

일 실시예에 따르면, 제1 스터브의 제4 일측면과 제2 스터브의 제4 일측면 사이에 형성되는 공간에 동축 커넥터의 내부 도체가 위치하는 것이 가능하다.

일 실시예에 따르면, 매칭 스터브는 제2 스터브의 제2 일측면에 제1 일측면을 맞닿고, 싱글 릿지형 도파관 내부에 형성된 중공의 내측면에 제3 일측면을 맞닿은 상태로 연결부의 우측에 형성되고, 연결부와 소정의 간격을 갖는 것이 가능하다.

일 실시예에 따르면, 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조는 레이더 시스템, 위성 통신 시스템, 원거리 통신 시스템, 유도 무기 탐색기 센서 시스템에 적용 가능하다.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 제조 방법은 3D 프린팅 적층 제조를 이용하여 싱글 릿지형 도파관과 동축 커넥터의 경계면을 형성하는 1 단계;경계면(싱글 릿지형 도파관과 동축 커넥터의 경계면)의 상부로 형성되어서 적층 구조를 서포트 하기 위한 제1 스터브와 제2 스터브를 형성하는 2 단계; 제1 스터브의 상부로 싱글 릿지와 동축 커넥터의 내부 도체를 연결하기 위한 연결부를 형성하고, 제2 스터브의 상부로 매칭 스터브를 형성하는 3 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

일 실시예에 따르면, 2 단계에서 형성되는 제1 스터브의 제4 일측면은 연결부와 맞닿는 면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖고, 제2 스터브의 제4 일측면은 매칭 스터브와 맞닿는 면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.

일 실시예에 따르면, 매칭 스터브는 제2 스터브에 제2 일측면과 싱글 릿지형 도파관 내부에 형성된 중공의 내측면에 맞닿은 상태로 연결부의 우측에 형성되고, 연결부와 소정의 간격을 갖는 것을 특징으로 한다.

일 실시예에 따르면, 제1 스터브의 제4 일측면은 적층 방향으로 오버행 구조를 갖고, 제2 스터브의 제4 일측면은 적층 방향으로 오버행 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.

일 실시예에 따르면, 매칭 스터브의 제2 일측면의 높이와 연결부의 제2 일측면의 높이는 다르게 구성되는 것을 특징으로 한다.

일 실시예에 따르면, 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 제조 방법은 3D 프린팅 기술을 이용한 위상 배열 안테나 제작에 적용 가능하다.

본 발명의 일 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조 및 그 제조방법은 도파관 구조를 사용하는 모든 시스템에서 모듈 간의 전기적 연결을 위하여 구성되는 도파관-동축 변환 구조를 3D 프린팅 제조 방식을 이용하여 구현하는 것을 가능케 한다.

특히, 본 발명은 엔드 론치형이면서 싱글 릿지형 도파관에서 도파관-동축 변환 구조를 3D 프린팅 적층 제조 방식으로 구현하는 것이 가능하여, 3D 프린팅 제조 방식으로 인한 제작 단가의 절감, 제작 기간의 단축 등, 효율적인 제작 환경을 얻는 것이 가능하다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 사시도를 도시하고 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 부분 단면도를 도시하고 있다.
도 3은 도 2에 도시된 도파관 동축 변환부의 단면도를 도시하고 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 기반하여 3D 적층 제조 시뮬레이션에 따른 도파관 동축 변환부의 상세 구성도를 도시하고 있다.
도 5는 본 발명의 시뮬레이션에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 적층 과정을 순차적으로 보여주고 있다.
도 6은 일반적인 동축 구조의 기본 모드와 싱글 릿지 도파관 기본 모드에서의 전계 분포를 도시하고 있다.
도 7은 본 발명의 시뮬레이션 결과에 따른 전계 분포를 나타내고 있다.
도 8은 본 발명의 시뮬레이션 결과에 따른 전계 분포에서 반사손실을 그래프로 도시하고 있다.
도 9는 본 발명의 시뮬레이션 결과에 따른 전계 분포에서 삽입손실을 그래프로 도시하고 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "부"와 "기", "모듈"과 "부", "유닛"과 "부", "장치"와 "시스템", 등은 명세서 작성의 용이함 만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다.

또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 사시도를 도시하고 있다.

본 발명의 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조는 3D 프린팅을 이용한 적층 제조를 고려하고, 오버행(overhang) 각도를 적용하여 설계하며, 적층 제조를 위한 조형성을 갖춘다.

3D 프린팅 적층 제조는, 하단부터 레이어를 적층하여 모델을 완성한다. 모델링 부분 중 일부가 공중에 떠 있는 상태일 경우, 출력 중에 해당 형상이 중력으로 인하여 바닥으로 떨어지거나 분말을 도포하는 장치로 인하여 쓸려 나가서 정상적인 형상을 유지할 수 없게 된다. 따라서 공중에 떠 있는 부분을 받쳐줘서 정상적으로 출력이 될 수 있도록 도와주는 것이 서포트 구조이다.

또한 오버행 각도는 3D 프린터가 서포터 없이 출력할 수 있는 한계 각도로 서포트가 생성되기 시작하는 각도를 말한다. 즉, 오버행 각도를 설정해서 필요한 서포트만 생성하도록 설정 가능하다.

본 발명에서는 3D 프린팅의 적층 제조 방법으로 도파관 동축 변환 구조가 일체화된 도파관을 형성하는 것이 가능하다.

도시되고 있는 본 발명의 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조는 도파관 플랜지부(10)의 일측에 동축 커넥터(30)가 결합되고 있다.

도파관 플랜지부(10)는 내부는 비어 있는 상태인 중공(50)을 형성하며, 중공(50)의 중심에 도파관 플랜지부(10)의 길이방향과 평행하게 싱글 릿지(20 ; single ridged)가 형성되어 있다.

도파관은 도파관의 형상, 도파관의 폭/길이, 도파관 내부의 릿지 구성, 기타 급전 형태 등에 따라서 복사 특성이 달라진다. 본 발명의 실시예에서는 도파관 플랜지부(10) 내의 중공(50)에 싱글 릿지(20)가 형성된 도파관을 이용하고 있다.

특히, 싱글 릿지(20)는 전계 에너지가 강한 부분에 릿지를 위치시키면 공진 주파수가 하향하여, 동일 설계 주파수에서 도파관 폭을 줄일 수 있고, 릿지 간격이 좁을수록 도파관 폭을 더욱 줄일 수 있다. 따라서 릿지의 특징을 이용하면 도파관의 높이와 폭의 크기를 줄이는 것이 가능하다.

이와 같이, 본 발명은 동축 커넥터(30)를 통해 신호를 입력 받고, 내부에 싱글 릿지(20)가 형성된 도파관 플랜지부(10)를 통해서 신호를 출력하는 구조이다.

또한, 본 발명은 동축 커넥터(30)와 도파관 플랜지부(10) 사이에 동축 도파관 변환 구조(또는 도파관 동축 변환 구조)가 포함된다. 본 발명의 도파관 동축 변환 구조는 3D 제조를 이용한 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 구조로 이루어진다. 특히, 본 발명은 도파관과 도파관 동축 변환부의 구성을 일체형으로 3D 방식에 따른 적층 제조하는 것을 특징으로 한다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 부분 단면도를 도시하고 있다.

본 발명은 도파관 플랜지부(10)의 일측에 도파관 동축 변환부(100)를 일체로 형성하고, 도파관 동축 변환부(100)에 동축 커넥터(30)를 결합하고 있다.

도파관 플랜지부(10)의 내부는 비어 있는 상태로 중공(50)을 형성한다. 그리고 도파관 플랜지부(10) 내부에 형성된 중공(50)에는 도파관 플랜지부의 길이방향과 평행하게 싱글 릿지(20)가 형성되고 있다.

싱글 릿지(20)는 도파관 플랜지부(10)의 좌측 일측면(12)에서 우측 일측면(14)을 향해서 형성되고, 우측 일측면(14)과는 기설정된 일정 간격을 갖도록 형성된다. 도파관 플랜지부(10) 내부에 형성되는 싱글 릿지(20)는 형성하고자 하는 도파관의 특성에 따라서 폭/길이/높이가 조절된다.

그리고 도파관 플랜지부(10)와 동축 커넥터(30) 사이에는 도파관 동축 변환부(100)가 일체로 형성되고 있다.

도 3은 도 2에 도시된 도파관 동축 변환부의 단면도를 도시하고 있고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 기반하여 도파관 동축 변환부의 상세 구성도를 도시하고 있다.

그리고 설명의 이해를 쉽게 하기 위하여 본 발명의 3D 적층 제조 순서에 기반하여, 동축 커넥터(30)가 위치한 부분을 하부로 설명하고, 도파관 플렌지부(10)가 위치한 부분을 상부로 설명한다.

일반적으로 동축 커넥터는 TEM 모드 신호를 전달하고, 도파관은 TE 모드 신호를 전송하도록 구성된다. 따라서 도시된 도파관 동축 변환부(100)는 동축 커넥터(30)의 TEM 모드 신호를 도파관 플랜지부(10)의 TE 모드 신호로 변환시켜 주는 모드(또는 신호) 변환 기능을 수행한다.

본 발명의 도파관 동축 변환부(100)는 엔드 론치형(end-launch) 구조를 갖는다. 엔드 론치형 도파관 구조는 동축선이 도파관과 평행하게 놓이고, 동축선과 도파관의 경계면에서 동축선의 급전 선로인 내부 도체와 도파관 내부의 루프 구조가 연결된 형상을 갖도록 구성된다.

따라서 본 발명의 도파관 동축 변환부(100)는 동축 커넥터(30)가 도파관 플랜지부(10)와 평행하게 놓이고, 동축 커넥터(30)와 도파관 플랜지부(10)의 경계면에서 동축 커네터(30)의 급전 선로인 내부 도체(33)와 도파관 플랜지부(10) 내부에 형성된 싱글 릿지(20)가 연결될 수 있도록 연결부(①)가 형성된다. 연결부(①)는 후술되는 제1 스터브(stub ; ③)의 상부로 중공의 좌측 일측면(118)에 맞닿은 상태로, 싱글 릿지(20)의 높이만큼 적층 제조된다.

이때 연결부(①)는 엔드 론치형(end-launch) 구조에 기반하여, 동축 커넥터(30)가 연결되는 도파관 플랜지부(10) 내측의 일측면(102)에서 소정만큼의 이격 거리가 있도록 형성된다. 도시된 도면에서 연결부(①)의 제2 일측면(108)은 싱글 릿지(20)에 맞닿고 있지만, 이에 대응하는 맞은편 제1 일측면(106)은 싱글 릿지형 도파관과 동축 커넥터의 경계면(102)과 소정거리 이격된 상태를 갖는다.

이와 같이 연결부(①)가 도파관 플랜지부(10)의 일측면(102)과의 사이에 이격 거리가 발생하면, +Z 방향으로 적층 제조시, 적층 구조가 무너지는 현상이 발생하여 3D 프린팅 적층 제조가 불가능하다.

따라서 본 발명에서는 연결부(①)와 도파관 플랜지부(10) 내측의 일측면(102) 사이에 연결부(①)를 지지하기 위한 제1 스터브(stub ; ③)를 형성한다. 제1 스터브(③)는 연결부(①)를 적층 제조시 구조가 무너지지 않도록 적층 서포트 기능을 갖는다.

그리고 제1 스터브(③)의 제4 일측면(104)은 라운드(round)의 형상으로 이루어지고, 적층 제조시 구조가 무너지지 않도록 연결부(①)의 맞닿는 면(106)의 모서리를 향해서 점진적으로 커지는 형태를 갖는다.

따라서 제1 스터브(③)의 하부 제1 일측면은 도파관 플랜지부(10) 내측의 일측면(102)과 맞닿아서 형성되고, 제1 일측면(102)에 대응되는 맞은편 제2 일측면은 연결부(①)의 제1 일측면(106)과 맞닿도록 형성하되, 제1 스터브(③)의 제4 일측면(104)은 연결부(①)의 맞닿는 면(106)의 우측 모서리를 향해서 점진적으로 커지게 적층 제조된다. 이때, 제1 스터브(③)의 우측 일측면(104)의 적층 각도는 오버행 각도에 기반하여 이루어진다. 그리고 제1 스터브(③)의 좌측 일측면은 도파관 내부에 형성된 중공의 내측면(118)에 맞닿도록 형성된다.

따라서 제1 스터브의 제4 일측면은 연결부와 맞닿는 면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖고, 제2 스터브의 제4 일측면은 매칭 스터브와 맞닿는 면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖도록 구성된다. 이러한 구성에 의해서 제1 스터브의 제4 일측면과 제2 스터브의 제4 일측면 사이에 형성되는 소정의 공간에 동축 커넥터의 내부 도체가 위치한다.

그리고 본 발명의 실시예에서는 제1 스터브(③)의 추가 적층에 의하여 신호가 단락(short) 되어서 동축 커넥터(30)에서 입력된 신호가 도파관 플렌지부(10)로 전달되지 못하는 현상이 발생할 수 있다. 본 발명에서는 이를 방지하기 위하여 연결부(①)의 우측이고, 중공(50)의 우측 내측면에서부터 일정 높이로 매칭 스터브(②)를 추가적으로 형성한다.

매칭 스터브(②)는 도파관 플랜지부(10)의 중공(50) 우측 내측면(124)에 맞닿은 상태이고, 연결부(①)의 우측면(122)과 기설정된 일정 간격을 갖도록 제4 일측면(120)이 형성된다. 그리고 매칭 스터브(②)의 제1 일측면(112)은 후술되는 제2 스터브((③)에 맞닿은 상태를 갖으며, 매칭 스터브(②)의 상부측 제2 일측면(110)은 도파관의 신호 전달 특성에 기반하여 기설정된 소정의 높이까지 형성된다. 즉, 매칭 스터브(②)가 적층 제조된 제2 일측면(110)의 높이와 연결부(①)가 적층 제조된 제2 일측면(108)의 높이는 다르게 구성된다.

그리고 매칭 스터브(②) 또한 도파관 플랜지부(10)의 일측면(102)과 일정 거리가 이격된 상태가 되므로, 적층 제조를 할 수 없다. 이를 위해서 매칭 스터브(②)와 도파관 플랜지부(10) 내측의 일측면(102) 사이에 매칭 스터브(②)를 지지하기 위한 제2 스터브(stub ; ③)를 형성한다. 제2 스터브(③)는 매칭 스터브(②)를 적층 제조시 구조가 무너지지 않도록 적층 서포트 기능을 갖는다.

그리고 제2 스터브(③)의 제4 일측면(114)은 라운드(round)의 형상으로 이루어지고, 적층 제조시 구조가 무너지지 않도록 매칭 스터브(②)와 맞닿는 면(112)의 모서리를 향해서 점진적으로 커지는 형태를 갖는다.

따라서 제2 스터브(③)의 제1 일측면은 도파관 플랜지부(10) 내측의 일측면(102)과 맞닿아서 형성되고, 제2 스터브(③)의 제4 일측면(114)은 매칭 스터브(②)의 일측면(112)과 맞닿도록 형성하되, 매칭 스터브(②)의 맞닿는 면(112)의 좌측 모서리를 향해서 점진적으로 커지게 적층 제조된다. 이때, 제2 스터브(③)의 제4 일측면(114)의 적층 각도는 오버행 각도에 기반하여 이루어진다. 그리고 제2 스터브(③)의 제3 일측면은 싱글 릿지형 도파관의 내부에 형성된 중공의 내측면에 맞닿아서 형성된다.

따라서 본 발명은 도파관 플렌지부(10)와 동축 커넥터(30) 사이의 경계면이고, 도파관 플렌지부(10)의 내부 중공(50)의 맨 밑 하단에 제1 스터브(③)와 제2 스터브(③)를 형성하고 있다. 그리고 제1 스터브(③)의 상부에 연결부(①)를 형성하여, 제1 스터브(③)가 연결부(①)를 적층 서포트한다. 또한, 제2 스터브(③)의 상부에 매칭 스터브(②)를 형성하고, 제2 스터브(③)가 매칭 스터브(②)를 적층 서포트한다. 그리고 매칭 스터브(②)는 제1 스터브(③)와 제2 스터브(③)에 의한 적층 서포트를 위한 과정에서 발생될 수 있는 신호 단락을 방지한다.

그리고 도 5는 본 발명의 시뮬레이션에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 적층 과정을 보여주는 시뮬레이션 구성도이다.

(a)와 같은 도파관 제조를 위하여 3D 프린팅 제조에 기반을 두고, (b)와 같이 적층 제조를 고려한 오버행(overhang) 각도를 적용하여 도파관을 설계한다.

그리고 (c)의 과정에서 첫번째 적층 제조 단계를 수행하여, 도파관 플랜지부(10)와 동축 커넥터(30)의 경계면 부분을 형성한다. 그리고 (d)와 같이 두번째 적층 제조 단계를 통하여, 도파관 플랜지부(10) 내부의 중공(50)에 제1 스터브(③)와 제2 스터브(③)를 적층 제조한다. 그 다음에 (e)와 같이 세번째 적층 제조 단계를 통하여 도파관 플랜지부(10) 내부의 중공(50)에 연결부(①)와 매칭 스터브(②)를 적층 제조한다. 이후 계속해서 적증 제조를 수행하여, (a)와 같은 도파관을 형성하게 된다.

그리고 도시된 적층 제조 과정을 (c), (d), (e)로 세 단계로 간단히 구분하고 있으나, 이것은 이해를 쉽게 하기 위하여 구분한 것이고, 도시되고 있는 각각의 구성이 한 단계에 의해서 형성되지는 않으며, 일반적인 적층 제조 과정에 기반하여 분말을 점진적으로 쌓아가는 방식으로 도시된 각 구성이 제조된다.

따라서 본 발명에서는 도파관 플랜지부(10)와 동축 커넥터(30)의 경계면 부분을 적층 제조 시작하여, 그 상부에 제1 스터브(③)와 제2 스터브(③)를 적층 제조하고, 제1 스터브(③)와 제2 스터브(③)에 의해서 서포트되어 연결부(①)와 매칭 스터브(②)가 적층 제조되며, 그 상부로 싱글 릿지(20)가 형성된 도파관이 적층 제조된다. 여기서 싱글 릿지(20)가 3D 설계 구조에 기반해서 (c) 단계에서부터 적층 제조되는 것은 당연한 부분이므로, 이에 따른 보충적인 설명은 생략한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 시뮬레이션을 위하여 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 각 구성을 3D 적층 제조 공법으로 도 4에 기재된 바와 같이 제조하였다.

도 4에 기재된 각 구성의 단위는 mm 이고, 도 3에 도시된 도파관을 반시계 방향으로 90도 회전하여 표현하면서, 각 구성의 길이 L, 높이 H, 폭 W의 정의가 도 3과는 다르게 이루어졌다.

실시예에서 엔드 론치형 싱글 릿지형 도파관을 적층 제조함에 있어서, 연결부, 제1,2 스터브, 그리고 매칭 스터브를 다음과 같이 설계하여 적층 제조하였다.

연결부(①)와 도파관 플랜지부(10)의 경계면(102) 사이에 연결부(①)를 지지하기 위한 제1 스터브(stub ; ③)를 형성하고 있다. 제1 스터브(stub ; ③)는 높이(H)가 1.125mm 에서 2.2mm에 이르도록 적층 제조하고, 길이(L)은 1.2mm, 폭(W)은 0.7mm에서 1.23mm에 이르도록 적층 제조하였다. 이때 제1 스터브의 높이를 점차적으로 커지도록 하여, 제1 스터브의 제4 일측면이 라운드 형상으로 구성되도록 한다.

제1 스터브(stub ; ③)에 의해서 적층 지지되는 연결부(①)는 엔드 론치형(end-launch) 구조에 기반하여, 동축 커넥터(30)와 도파관 플랜지부(10)의 경계면(102)에서 소정만큼의 이격 거리가 있도록 형성하고 있다. 즉, 연결부(①)는 높이(H)가 2.2mm, 길이(L)가 3.5mm, 폭(W)이 1.23mm로 적층 제조하였다.

그리고 매칭 스터브(②)와 도파관 플랜지부(10)의 경계면(102) 사이에 매칭 스터브(②)를 지지하기 위한 제2 스터브(stub ; ③)를 형성하고 있다. 제2 스터브(stub ; ③)는 높이(H)가 1.125mm 에서 1.43mm에 이르도록 적층 제조하고, 길이(L)은 1.16mm, 폭(W)은 1.53mm로 적층 제조하였다. 이때 제2 스터브의 높이를 점차적으로 커지도록 하여, 제2 스터브의 제4 일측면이 라운드 형상으로 구성되도록 한다.

연결부(①)의 우측이고, 제2 스터브(stub ; ③)에 의해서 적층 지지되는 매칭 스터브(②)가 형성하고 있다. 매칭 스터브(②)는 높이(H)가 1.43mm, 길이(L)은 2.51mm, 폭(W)은 0.98mm로 적층 제조하였다.

그리고 연결부(①)의 상부로 적층 제조되는 싱글 릿지(20)의 길이는 40mm, 높이는 2.2mm, 폭은 1.2mm로 구성하고, 최종적으로 도파관 내 중공(50)의 길이(L) 46.2mm, 높이(H) 3.7mm, 폭(W) 8.6 mm로 구성하였다. 도시된 각 구성 값은 다수의 실험과정을 통하여 설정된 값이고, 제조하고자 하는 도파관의 특성에 맞게 가변 조절할 수 있다.

도 6은 동축 구조의 기본 모드와 싱글 릿지 도파관의 기본 모드에 의한 전계 분포 예시도를 도시하고 있다.

그리고 도 7은 본 발명의 시뮬레이션 결과에 따른 전계 분포를 나타내고 있다. 본 발명의 시뮬레이션 결과에 도시된 전계 분포를 보면, 도파관 동축 변환부에서 모드 변환이 잘 이루어져서, 동축 커넥터에서 입력된 신호가 도파관 동축 변환부를 통해서 싱글 릿지 도파관으로 신호 전달이 효과적으로 이루어지고 있음을 확인할 수 있다.

그리고 도시된 도 7의 본 발명의 시뮬레이션에서는 본 발명의 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조에 의해서 형성된 도파관 플랜지부와 복수개의 싱글 릿지 도파관을 연결하여 수행하였다.

따라서 본 발명의 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조는 사용하는 용도에 따라서 적절하게 복수개의 싱글 릿지 도파관을 연결하여 사용하는 것이 가능하다.

그리고 도 8은 본 발명의 시뮬레이션 결과에 따른 전계 분포에서 반사손실을 그래프로 도시하고 있다.

도 8은 동축 커넥터에서 신호가 입력되어서 본 발명의 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조에 전달될 때, 해당 신호가 동축 커넥터로 다시 들어오는 신호량을 나타내는 반사손실 결과이다.

도 9는 본 발명의 시뮬레이션 결과에 따른 전계 분포에서 삽입손실을 그래프로 도시하고 있다.

도 9는 동축 커넥터에서 신호가 입력되어서 싱글 릿지 도파관으로 가는 신호량을 나타내는 삽입 손실 결과이다.

이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조는 레이더 시스템, 위성 통신 시스템, 원거리 통신 시스템, 유도 무기 탐색기 센서 시스템에 적용되는 도파관에 사용 가능하다. 특히 본 발명은 군 장비 시스템에서 3D 프린팅 기술을 이용한 위상 배열 안테나 제작에 적용 가능하다.

이상에서 설명된 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 제어 방법은 일반적인 컴퓨팅 디바이스를 포함하는 컴퓨팅 환경에서 구현가능 하다. 컴퓨팅 환경은 컴퓨팅 디바이스를 포함 가능하다. 컴퓨팅 디바이스는 다른 단말과 신호를 송수신하는 모든 형태의 컴퓨팅 디바이스일 수 있다. 일 예로 본 발명의 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 제어 방법은, 컴퓨터 환경에서 3D 프린팅 적층 제조를 제어할 수 있다.

컴퓨팅 디바이스는 적어도 하나의 프로세서(또는 제어모듈), 컴퓨터 판독 가능한 저장매체 및 통신버스를 포함한다. 프로세서는 컴퓨팅 디바이스로 하여금 앞서 언급된 실시예에 따라 동작하도록 제어할 수 있다. 프로세서는 컴퓨터 판독 가능한 저장매체에 저장된 하나 이상의 프로그램을 실행할 수 있다. 하나 이상의 프로그램들은 하나 이상의 컴퓨터 실행 가능한 명령어를 포함할 수 있으며, 컴퓨터 실행 가능 명령어는 프로세서에 의해 실행되는 경우 컴퓨팅 장치로 하여금 예시적인 실시예에 따른 동작들을 수행하도록 구성될 수 있다.

컴퓨터 판독 가능 저장매체는 컴퓨터 실행 가능 명령어 내지 컴퓨터 실행 가능 명령어 내지 프로그램 코드, 프로그램 데이터 및/또는 다른 적합한 형태의 정보를 저장하도록 구성된다. 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 저장된 프로그램은 프로세서에 의해 실행 가능한 명령어의 집합을 포함한다. 일 실시예에서, 컴퓨터 판독한 가능 저장 매체는 메모리(랜덤 액세스 메모리와 같은 휘발성 메모리, 비휘발성 메모리, 또는 이들의 적절한 조합), 하나 이상의 자기 디스크 저장 디바이스들, 광학 디스크 저장 디바이스들, 플래시 메모리 디바이스들, 그 밖에 컴퓨팅 디바이스에 의해 액세스되고 원하는 정보를 저장할 수 있는 다른 형태의 저장 매체, 또는 이들의 적합한 조합일 수 있다.

통신 버스는 프로세서, 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체를 포함하여 컴퓨팅 장치의 다른 다양한 컴포넌트들을 상호 연결한다.

컴퓨팅 디바이스는 또한 하나 이상의 입출력 장치를 위한 인터페이스를 제공하는 하나 이상의 입출력 인터페이스 및 하나 이상의 통신 인터페이스를 포함할 수 있다. 입출력 인터페이스 및 통신 인터페이스는 통신 버스에 연결된다. 입출력 장치(미도시)는 입출력 인터페이스를 통해 컴퓨팅 디바이스의 다른 컴포넌트들에 연결될 수 있다. 예시적인 입출력 장치는 포인팅 장치(마우스 또는 트랙패드 등), 키보드, 터치 입력 장치(터치패드 또는 터치스크린 등), 음성 또는 소리 입력 장치, 다양한 종류의 센서 장치 및/또는 촬영 장치와 같은 입력 장치, 및/또는 디스플레이 장치, 프린터, 스피커 및/또는 네트워크 카드와 같은 출력 장치를 포함할 수 있다. 예시적인 입출력 장치는 컴퓨터 디바이스를 구성하는 일 컴포넌트로서 컴퓨팅 디바이스의 내부에 포함될 수도 있고, 컴퓨팅 디바이스와는 구별되는 별개의 장치로 컴퓨팅 디바이스와 연결될 수도 있다.

본 실시예들에 따른 동작은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능한 매체에 기록될 수 있다. 컴퓨터 판독 가능한 매체는 실행을 위해 프로세서에 명령어를 제공하는데 참여한 임의의 매체를 나타낸다. 컴퓨터 판독 가능한 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들면, 자기 매체, 광기록 매체, 메모리 등이 있을 수 있다. 컴퓨터 프로그램은 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어 분산 방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수도 있다. 본 실시예를 구현하기 위한 기능적인(Functional) 프로그램, 코드, 및 코드 세그먼트들은 본실시예가 속하는 기술분야의 프로그래머들에 의해 용이하게 추론될 수 있을 것이다.

이상의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.

① : 연결부, ② 매칭 스터브, ③ 스터브, 10 ; 도파관 플랜지부, 20 : 싱글 릿지, 30 : 동축 커넥터, 33 : 내부 도체, 50 : 중공, 100 : 도파관 동축 변환부

Claims (19)

1. 3D 프린팅 적층 제조를 이용한 동축 커넥터와 싱글 릿지형 도파관 사이에 구성되는 신호 변환을 위한 도파관 동축 변환 구조에서,
   싱글 릿지형 도파관과 동축 커넥터의 경계면에서 소정거리 이격되고, 도파관 내부에 형성된 싱글 릿지와 동축 커넥터의 내부 도체를 연결하기 위한 연결부;
   경계면(싱글 릿지형 도파관과 동축 커넥터의 경계면)의 일부분과 제1 일측면이 맞닿고, 제1 일측면에 대응하는 맞은편 제2 일측면은 연결부에 맞닿도록 형성되어서 연결부를 서포트 하는 제1 스터브;
   제1 스터브 구조로 인한 신호 단락 발생을 방지하고, 동축 커넥터로 입력된 신호가 도파관으로 전달될 수 있도록 연결부의 우측에 형성되는 매칭 스터브;
   경계면의 일부분과 제1 일측면이 맞닿고, 제1 일측면에 대응하는 맞은편 제2 일측면은 매칭 스터브에 맞닿도록 형성되어서 매칭 스터브를 서포트 하는 제2 스터브를 포함하여 구성되는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
2. 청구항 1에 있어서,
   제1 스터브의 제4 일측면은 연결부와 맞닿는 면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
3. 청구항 2에 있어서,
   제1 스터브의 제4 일측면은 적층 방향으로 오버행 구조를 갖는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
4. 청구항 3에 있어서,
   제1 스터브의 제3 일측면은 싱글 릿지형 도파관의 내부에 형성된 중공의 내측면에 맞닿도록 형성되는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
5. 청구항 1에 있어서,
   제2 스터브의 제4 일측면은 매칭 스터브와 맞닿는 일측면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
6. 청구항 5에 있어서,
   제2 스터브의 제4 일측면은 적층 방향으로 오버행 구조를 갖는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
7. 청구항 6에 있어서,
   제2 스터브의 제3 일측면은 싱글 릿지형 도파관의 내부에 형성된 중공의 내측면에 맞닿도록 형성되는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
8. 청구항 7에 있어서,
   매칭 스터브는 제2 스터브의 제2 일측면에 제1 일측면을 맞닿고, 싱글 릿지형 도파관 내부에 형성된 중공의 내측면에 제3 일측면을 맞닿은 상태로 연결부의 우측에 형성되고, 연결부와 소정의 간격을 갖는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
9. 청구항 8에 있어서,
   매칭 스터브의 제2 일측면의 높이와 연결부의 제2 일측면의 높이는 다르게 구성되는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
10. 청구항 1에 있어서,
    제1 스터브의 제4 일측면은 연결부와 맞닿는 면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖고,
    제2 스터브의 제4 일측면은 매칭 스터브와 맞닿는 면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
11. 청구항 10에 있어서,
    제1 스터브의 제4 일측면과 제2 스터브의 제4 일측면 사이에 형성되는 공간에 동축 커넥터의 내부 도체가 위치하는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
12. 청구항 11에 있어서,
    매칭 스터브는 제2 스터브의 제2 일측면에 제1 일측면을 맞닿고, 싱글 릿지형 도파관 내부에 형성된 중공의 내측면에 제3 일측면을 맞닿은 상태로 연결부의 우측에 형성되고, 연결부와 소정의 간격을 갖는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
13. 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 청구항에 있어서,
    적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조는 레이더 시스템, 위성 통신 시스템, 원거리 통신 시스템, 유도 무기 탐색기 센서 시스템에 적용 가능한 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조.
14. 3D 프린팅 적층 제조를 이용한 동축 커넥터와 싱글 릿지형 도파관 사이에 구성되는 신호 변환을 위한 도파관 동축 변환 구조의 제조 방법으로서,
    3D 프린팅 적층 제조를 이용하여 싱글 릿지형 도파관과 동축 커넥터의 경계면을 형성하는 1 단계;
    경계면(싱글 릿지형 도파관과 동축 커넥터의 경계면)의 상부로 형성되어서 적층 구조를 서포트 하기 위한 제1 스터브와 제2 스터브를 형성하는 2 단계;
    제1 스터브의 상부로 싱글 릿지와 동축 커넥터의 내부 도체를 연결하기 위한 연결부를 형성하고,
    제2 스터브의 상부로 매칭 스터브를 형성하는 3 단계를 포함하여 구성되는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 제조 방법.
15. 청구항 14에 있어서,
    2 단계에서 형성되는 제1 스터브의 제4 일측면은 연결부와 맞닿는 면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖고,
    제2 스터브의 제4 일측면은 매칭 스터브와 맞닿는 면에 이르기까지 점진적으로 커지는 라운드 형상을 갖는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 제조 방법.
16. 청구항 15에 있어서,
    매칭 스터브는 제2 스터브에 제2 일측면과 싱글 릿지형 도파관 내부에 형성된 중공의 내측면에 맞닿은 상태로 연결부의 우측에 형성되고, 연결부와 소정의 간격을 갖는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 제조 방법.
17. 청구항 16에 있어서,
    제1 스터브의 제4 일측면은 적층 방향으로 오버행 구조를 갖고,
    제2 스터브의 제4 일측면은 적층 방향으로 오버행 구조를 갖는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 제조 방법.
18. 청구항 17에 있어서,
    매칭 스터브의 제2 일측면의 높이와 연결부의 제2 일측면의 높이는 다르게 구성되는 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 제조 방법.
19. 청구항 18에 있어서,
    적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 제조 방법은 3D 프린팅 기술을 이용한 위상 배열 안테나 제작에 적용 가능한 적층 제조가 가능한 엔드 론치형 도파관 동축 변환 구조의 제조 방법.