KR102616514B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 처리 공간이 형성되도록 서로 결합 가능한 제1하우징 및 제2하우징을 포함하고, 상기 처리 공간에 고압이 형성되는 챔버부; 상기 챔버부의 하면을 지지하는 제1지지부; 및 상기 제1지지부가 상기 챔버부의 하면을 지지한 상태에서 상기 제1지지부의 외측면을 감싸는 제2지지부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a first housing and a second housing that can be coupled to each other to form a processing space, a chamber portion in which high pressure is formed in the processing space; a first support portion supporting the lower surface of the chamber portion; And it may include a second support part surrounding the outer surface of the first support part while the first support part supports the lower surface of the chamber part.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}

아래의 실시 예는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The examples below relate to a substrate processing apparatus and substrate processing method.

일반적으로 반도체는 리소그래피, 증착 및 에칭 등과 같은 일련의 공정들이 반복적으로 수행되어 제조된다. 이러한 반도체를 구성하는 기판의 표면에는 반복적인 공정에 의해 각종 파티클, 금속 불순물 또는 유기물 등과 같은 오염물질들이 잔존하게 된다. 기판 상에 잔존하는 오염물질은 제조되는 반도체의 신뢰성을 저하시키므로, 이를 개선하기 위해 반도체 제조공정 중 기판을 세정하는 공정이 요구된다.In general, semiconductors are manufactured by repeatedly performing a series of processes such as lithography, deposition, and etching. Contaminants such as various particles, metal impurities, or organic substances remain on the surface of the substrate that makes up such a semiconductor due to repetitive processes. Contaminants remaining on the substrate reduce the reliability of the semiconductor being manufactured, so a process of cleaning the substrate during the semiconductor manufacturing process is required to improve this.

최근에는 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 공정이 채용되고 있다. 이러한 초임계 처리 공정은 초임계 유체의 조건을 만족시키기 위해 처리 공간 내부에 고압이 형성되어야 한다. 종래에는 처리 공간 내부에 형성된 고압을 견디기 위하여, 챔버의 좌우측에서 상부 및 하부를 클램핑하는 방식이 이용되었다. 다만, 이와 같은 방식에 의하면, 종방향 압력은 견딜 수 있으나, 횡방향 압력을 잡아주는 기구물이 존재하지 않아 클램핑 부재가 횡방향으로 밀리는 문제가 발생하였다. 클램핑 부재가 횡방향으로 밀리면서 부재가 갈리게 되고, 그에 따라 부재가 마모되거나 분진이 발생하는 문제가 있었다. 따라서, 처리 공간 내부에 형성된 고압을 효과적으로 견딜 수 있도록, 종방향 및 횡방향 압력을 모두 잡아줄 수 있는 구조를 갖는 기판 처리 장치가 요구된다.Recently, a process for processing substrates using supercritical fluid has been adopted. This supercritical treatment process requires high pressure to be formed inside the processing space to satisfy the conditions of the supercritical fluid. Conventionally, in order to withstand the high pressure formed inside the processing space, a method of clamping the upper and lower parts on the left and right sides of the chamber was used. However, according to this method, although longitudinal pressure can be withstood, there is no mechanism to hold the lateral pressure, so a problem arises in which the clamping member is pushed in the lateral direction. There was a problem that the clamping member was pushed laterally and the member was ground, resulting in the member being worn or dust being generated. Therefore, there is a need for a substrate processing device that has a structure that can hold both longitudinal and lateral pressures so that it can effectively withstand the high pressure formed inside the processing space.

전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.
공개특허공보 제10-2018-0125765호는 기판 처리용 챔버에 대하여 개시하고 있다.The above-mentioned background technology is possessed or acquired by the inventor in the process of deriving the present invention, and cannot necessarily be said to be known technology disclosed to the general public before the application for the present invention.
Publication of Patent No. 10-2018-0125765 discloses a chamber for processing a substrate.

일 실시 예의 목적은, 처리 공간 내부에 형성된 고압을 효과적으로 견딜 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.The purpose of one embodiment is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can effectively withstand high pressure formed inside a processing space.

일 실시 예의 목적은, 종방향 및 횡방향 압력을 동시에 지지해줄 수 있는 구조를 갖는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.The purpose of one embodiment is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method having a structure that can simultaneously support longitudinal and transverse pressure.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 처리 공간이 형성되도록 서로 결합 가능한 제1하우징 및 제2하우징을 포함하고, 상기 처리 공간에 고압이 형성되는 챔버부; 상기 챔버부의 하면을 지지하는 제1지지부; 및 상기 제1지지부가 상기 챔버부의 하면을 지지한 상태에서 상기 제1지지부의 외측면을 감싸는 제2지지부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a first housing and a second housing that can be coupled to each other to form a processing space, a chamber portion in which high pressure is formed in the processing space; a first support portion supporting the lower surface of the chamber portion; And it may include a second support part surrounding the outer surface of the first support part while the first support part supports the lower surface of the chamber part.

상기 제1지지부는 상기 챔버부의 측면에 회전 가능하게 연결되고, 상기 챔버부의 하면을 지지하도록 회전될 수 있다.The first support portion is rotatably connected to a side surface of the chamber portion and may be rotated to support a lower surface of the chamber portion.

상기 제1지지부는, 상기 챔버부의 측면에 회전 가능하게 연결되는 제1부분; 및 상기 제1부분에서 절곡되어 연장되고, 상기 챔버부의 하면을 지지하는 제2부분을 포함할 수 있다.The first support portion includes a first portion rotatably connected to a side of the chamber portion; And it may include a second part that is bent and extended from the first part and supports the lower surface of the chamber part.

상기 제1부분은, 상기 제1하우징의 측면에 힌지 연결될 수 있다.The first part may be hingedly connected to the side of the first housing.

상기 제2지지부는, 상기 챔버부가 삽입되는 중공; 및 상기 중공과 연통되고, 상기 제1지지부가 삽입되는 요홈을 포함할 수 있다.The second support portion includes a hollow portion into which the chamber portion is inserted; And it communicates with the hollow and may include a groove into which the first support part is inserted.

상기 요홈은, 상기 제1부분에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.The groove may be formed in a shape corresponding to the first part.

상기 제1지지부는 상기 챔버부의 둘레를 따라 복수 개 구비될 수 있다.The first support portion may be provided in plural numbers along the circumference of the chamber portion.

상기 제2하우징은 상기 처리 공간이 개폐되도록 승강 가능할 수 있다.The second housing may be raised and lowered to open and close the processing space.

상기 제2하우징은 외측면이 경사지게 형성되고, 상기 제1하우징은 상기 제2하우징이 내측으로 삽입되어 안착되도록, 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.The second housing may have an inclined outer surface, and the first housing may be formed in a corresponding shape so that the second housing is inserted and seated inside.

상기 제1하우징은 내측으로 함몰 형성되는 단차부를 포함하고, 상기 제2하우징은 상기 단차부에 삽입되어 안착될 수 있다.The first housing includes a step portion that is recessed inward, and the second housing can be inserted into and seated in the step portion.

상기 단차부는, 상기 제2하우징에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.The stepped portion may be formed in a shape corresponding to the second housing.

상기 제2하우징이 상기 단차부에 안착된 상태를 기준으로, 상기 제1하우징 및 제2하우징의 하면은 동일 평면 상에 위치될 수 있다.Based on the state in which the second housing is seated on the step, the lower surfaces of the first housing and the second housing may be positioned on the same plane.

상기 제1지지부를 회전시키는 회전 구동부; 및 상기 제2지지부를 승강시키는 승강 구동부를 더 포함할 수 있다.a rotation drive unit that rotates the first support unit; And it may further include a lifting drive unit that lifts the second support unit.

일 실시 예에 따른 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법은, 상기 제1하우징 및 제2하우징이 서로 결합되어 상기 처리 공간이 폐쇄되는 폐쇄 단계; 상기 챔버부의 하면이 지지되도록 상기 제1지지부가 회전되는 제1클램핑 단계; 상기 제1지지부의 외측면이 감싸지도록 상기 제2지지부가 승강되는 제2클램핑 단계; 및 상기 처리 공간에서 기판의 처리가 수행되는 처리 단계를 포함할 수 있다.A substrate processing method using the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 13 according to an embodiment includes a closing step of closing the processing space by coupling the first housing and the second housing to each other; A first clamping step in which the first support part is rotated so that the lower surface of the chamber part is supported; A second clamping step in which the second support part is lifted and lowered so that the outer surface of the first support part is wrapped; and a processing step in which substrate processing is performed in the processing space.

상기 처리 단계가 완료되면, 상기 제2지지부가 상기 제2클램핑 단계와 반대 방향으로 승강되어 상기 제1지지부로부터 이격되는 제1해제 단계를 더 포함할 수 있다.When the processing step is completed, a first releasing step in which the second support portion is lifted and lowered in a direction opposite to the second clamping step and spaced from the first support portion may be further included.

상기 제1해제 단계가 완료되면, 상기 제1지지부가 상기 제1클램핑 단계와 반대 방향으로 회전되어 상기 챔버부로부터 이격되는 제2해제 단계를 더 포함할 수 있다.When the first releasing step is completed, a second releasing step in which the first support portion is rotated in the opposite direction to the first clamping step and spaced apart from the chamber portion may be further included.

상기 제2해제 단계가 완료되면, 상기 처리 공간이 개방되도록 상기 제1하우징 및 제2하우징이 서로 이격되는 개방 단계를 더 포함할 수 있다.When the second releasing step is completed, an opening step of separating the first housing and the second housing from each other to open the processing space may be further included.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 처리 공간 내부에 형성된 고압을 효과적으로 견딜 수 있다.According to a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to an embodiment, it is possible to effectively withstand high pressure formed inside a processing space.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 종방향 및 횡방향 압력을 동시에 지지할 수 있다.According to the substrate processing apparatus and substrate processing method according to one embodiment, longitudinal and transverse pressures can be simultaneously supported.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to one embodiment are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned may be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시 예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1 내지 도 4는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 저면도이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 순서도이다.The following drawings attached to this specification illustrate a preferred embodiment of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention along with the detailed description of the present invention. Therefore, the present invention is limited to the matters described in such drawings. It should not be interpreted in a limited way.
1 to 4 are schematic cross-sectional views of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
5 is a schematic bottom view of a substrate processing apparatus according to one embodiment.
6 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to one embodiment.
7 is a flowchart of a substrate processing method according to an embodiment.

이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail through illustrative drawings. When adding reference numerals to components in each drawing, it should be noted that identical components are given the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, when describing an embodiment, if a detailed description of a related known configuration or function is judged to impede understanding of the embodiment, the detailed description will be omitted.

또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Additionally, in describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, or order of the component is not limited by the term. When a component is described as being "connected," "coupled," or "connected" to another component, that component may be directly connected or connected to that other component, but there is no need for another component between each component. It should be understood that may be “connected,” “combined,” or “connected.”

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in one embodiment and components including common functions will be described using the same names in other embodiments. Unless stated to the contrary, the description given in one embodiment may be applied to other embodiments, and detailed description will be omitted to the extent of overlap.

도 1 내지 도 4는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다. 도 5는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 저면도이다.1 to 4 are schematic cross-sectional views of a substrate processing apparatus according to an embodiment. 5 is a schematic bottom view of a substrate processing apparatus according to one embodiment.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 처리 공간(S)에 고압을 형성하고, 기판을 처리하는 장치일 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(1)는 초임계 유체로 기판을 처리하는 장치일 수 있다. 기판 처리 장치(1)는 처리 공간(S)에 형성된 고압에 의하여 챔버부(10)가 분리되지 않도록, 종방향 및 횡방향 압력을 지지하는 구조를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 5 , the substrate processing apparatus 1 according to an embodiment may be a device that generates high pressure in the processing space S and processes a substrate. For example, the substrate processing device 1 may be a device that processes a substrate with a supercritical fluid. The substrate processing apparatus 1 may include a structure that supports pressure in the longitudinal and transverse directions to prevent the chamber portion 10 from being separated due to the high pressure formed in the processing space S.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 챔버부(10), 제1지지부(11), 제2지지부(12), 챔버 개폐부(미도시), 회전 구동부(미도시) 및 승강 구동부(미도시)를 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus 1 according to one embodiment includes a chamber unit 10, a first support unit 11, a second support unit 12, a chamber opening and closing unit (not shown), a rotation drive unit (not shown), and a lifting drive unit (not shown). Poetry) may be included.

챔버부(10)는 기판의 처리가 수행되는 처리 공간(S)을 제공할 수 있다. 처리 공간(S)에는 고압이 형성될 수 있다. 챔버부(10)는 제1하우징(101) 및 제2하우징(102)을 포함할 수 있다. 제1하우징(101) 및 제2하우징(102)은 처리 공간(S)이 형성되도록 서로 결합 가능할 수 있다. 제1하우징(101) 및 제2하우징(102) 중 적어도 어느 하나는 승강 가능할 수 있다. 예를 들어, 제2하우징(102)은 처리 공간(S)이 개폐되도록 승강 가능할 수 있다. 처리 공간(S)이 폐쇄되도록, 제2하우징(102)은 상승되어 제1하우징(101)과 결합될 수 있다. 처리 공간(S)이 개방되도록, 제2하우징(102)은 하강되어 제1하우징(101)과 분리될 수 있다. 제2하우징(102)은 챔버 개폐부(미도시)에 의하여 승강될 수 있다. 챔버 개폐부는, 제1하우징(101) 및 제2하우징(102)이 서로 밀착 결합되도록, 제2하우징(102)을 상승시키는 힘을 발생시킬 수 있다. 챔버 개폐부는, 처리 공간(S)에 고압이 형성된 상태에서 제2하우징(102)을 상승시키는 힘을 발생시킴으로써, 종방향 압력을 지지하여 챔버부(10)의 밀폐를 보조할 수도 있다.The chamber unit 10 may provide a processing space (S) where substrate processing is performed. High pressure may be formed in the processing space (S). The chamber portion 10 may include a first housing 101 and a second housing 102. The first housing 101 and the second housing 102 may be coupled to each other to form a processing space (S). At least one of the first housing 101 and the second housing 102 may be capable of being lifted up and down. For example, the second housing 102 may be raised and lowered to open and close the processing space (S). The second housing 102 may be raised and coupled to the first housing 101 so that the processing space S is closed. The second housing 102 may be lowered and separated from the first housing 101 so that the processing space S is opened. The second housing 102 can be lifted and lowered by a chamber opening and closing unit (not shown). The chamber opening/closing unit may generate a force to raise the second housing 102 so that the first housing 101 and the second housing 102 are tightly coupled to each other. The chamber opening/closing unit may assist in sealing the chamber unit 10 by supporting longitudinal pressure by generating a force to raise the second housing 102 while high pressure is formed in the processing space S.

제2하우징(102)은 제1하우징(101)의 내측으로 삽입될 수 있다. 제1하우징(101)은 제2하우징(102)이 내측으로 삽입되어 안착될 수 있도록, 단차부(101a)를 포함할 수 있다. 단차부(101a)는 제1하우징(101)의 하면에서 내측으로 함몰 형성될 수 있다. 단차부(101a)는 제2하우징(102)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 제2하우징(102)은 단차부(101a)에 삽입되어 안착될 수 있다. 단차부(101a)가 함몰되는 깊이는 제2하우징(102)의 높이에 대응될 수 있다. 제2하우징(102)이 단차부(101a)에 안착된 상태를 기준으로, 제1하우징(101) 및 제2하우징(102)의 하면은 동일 평면 상에 위치될 수 있다.The second housing 102 may be inserted into the first housing 101. The first housing 101 may include a step portion 101a so that the second housing 102 can be inserted and seated inside. The step portion 101a may be recessed inward from the lower surface of the first housing 101. The step portion 101a may be formed in a shape corresponding to the second housing 102. The second housing 102 may be inserted and seated in the step portion 101a. The depth at which the step portion 101a is depressed may correspond to the height of the second housing 102. Based on the state in which the second housing 102 is seated on the step portion 101a, the lower surfaces of the first housing 101 and the second housing 102 may be positioned on the same plane.

제1지지부(11)는 처리 공간(S)에 형성된 고압이 유지되도록, 챔버부(10)를 지지할 수 있다. 제1지지부(11)는 처리 공간(S)에 고압이 형성된 상태에서, 챔버부(10)에 가해지는 종방향 압력을 지지할 수 있다. 즉, 제1지지부(11)는 챔버부(10)가 종방향으로 분리되지 않도록, 챔버부(10)를 종방향으로 지지할 수 있다. 제1지지부(11)는 챔버부(10)의 하면을 지지할 수 있다. 제1지지부(11)는 챔버부(10)의 측면에 회전 가능하게 연결될 수 있다. 제1지지부(11)는 처리 공간(S)에 고압이 형성된 상태에서 챔버부(10)의 하면을 지지하도록 내측 방향으로 회전될 수 있다. 이를 위하여, 제1지지부(11)는 절곡된 구조로 형성될 수 있다. 제1지지부(11)는 챔버부(10)의 둘레를 따라 복수 개 구비될 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 제1지지부(11)는 챔버부(10)의 둘레를 따라 등간격으로 배열될 수 있다. 제1지지부(11)는 제1부분(111) 및 제2부분(112)을 포함할 수 있다.The first support part 11 may support the chamber part 10 so that the high pressure formed in the processing space S is maintained. The first support part 11 may support the longitudinal pressure applied to the chamber part 10 while high pressure is formed in the processing space S. That is, the first support part 11 can support the chamber part 10 in the longitudinal direction so that the chamber part 10 is not separated in the longitudinal direction. The first support part 11 may support the lower surface of the chamber part 10. The first support part 11 may be rotatably connected to the side of the chamber part 10. The first support part 11 may be rotated inward to support the lower surface of the chamber part 10 while high pressure is formed in the processing space S. For this purpose, the first support portion 11 may be formed in a bent structure. A plurality of first support parts 11 may be provided along the circumference of the chamber part 10 . For example, the plurality of first support parts 11 may be arranged at equal intervals along the circumference of the chamber part 10. The first support part 11 may include a first part 111 and a second part 112.

제1부분(111)은 챔버부(10)의 측면에 회전 가능하게 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1부분(111)은 제1하우징(101)의 측면에 회전 가능하게 연결될 수 있다. 제1부분(111)은 제1하우징(101)에 힌지 연결될 수 있다. 제2부분(112)은 제1부분(111)에서 절곡되어 연장될 수 있다. 다시 말해, 제2부분(112)은 제1부분(111)의 길이 방향과 다른 방향의 길이 방향을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1부분(111) 및 제2부분(112)은 서로 수직한 길이 방향을 가질 수 있다. 제1부분(111)이 내측으로 회전됨에 따라, 제2부분(112)은 챔버부(10)의 하면에 밀착되고, 챔버부(10)의 하면을 지지할 수 있다.The first part 111 may be rotatably connected to the side of the chamber part 10. For example, the first part 111 may be rotatably connected to the side of the first housing 101. The first part 111 may be connected to the first housing 101 by a hinge. The second part 112 may be bent and extended from the first part 111. In other words, the second part 112 may have a longitudinal direction different from that of the first part 111. For example, the first part 111 and the second part 112 may have longitudinal directions perpendicular to each other. As the first part 111 rotates inward, the second part 112 comes into close contact with the lower surface of the chamber part 10 and can support the lower surface of the chamber part 10.

제1지지부(11)는 회전 구동부(미도시)에 의하여 회전될 수 있다. 처리 공간(S)에 고압이 형성되면, 회전 구동부는 제1지지부(11)가 챔버부(10)의 하면을 지지하도록 제1지지부(11)를 내측 방향으로 회전시킬 수 있다. 제1지지부(11)가 내측 방향으로 회전되면, 제2부분(112)은 제1하우징(101) 및 제2하우징(102)의 하면에 밀착될 수 있다. 처리 공간(S)에 형성된 고압에 의하여 제2하우징(102)이 종방향으로 밀리는 것을 방지하기 위하여, 회전 구동부는 제2부분(112)이 챔버부(10)의 하면에 밀착되는 방향으로 구동력을 지속적으로 발생시킬 수 있다.The first support part 11 may be rotated by a rotation driver (not shown). When high pressure is formed in the processing space S, the rotation driver may rotate the first support part 11 inward so that the first support part 11 supports the lower surface of the chamber part 10. When the first support part 11 is rotated inward, the second part 112 may come into close contact with the lower surfaces of the first housing 101 and the second housing 102. In order to prevent the second housing 102 from being pushed in the longitudinal direction due to the high pressure formed in the processing space (S), the rotation drive unit applies a driving force in a direction in which the second part 112 is in close contact with the lower surface of the chamber unit 10. It can occur continuously.

제2지지부(12)는 처리 공간(S)에 형성된 고압이 유지되도록, 챔버부(10)를 지지할 수 있다. 제2지지부(12)는 처리 공간(S)에 고압이 형성된 상태에서, 챔버부(10) 및 제1지지부(11)에 가해지는 횡방향 압력을 지지할 수 있다. 즉, 제2지지부(12)는 처리 공간(S)에 형성된 고압에 의하여 제1지지부(11)가 외측 방향으로 회전되지 않도록, 제1지지부(11)를 횡방향으로 지지할 수 있다. 제2지지부(12)는 챔버부(10) 및 제1지지부(11)를 감싸도록 승강될 수 있다. 이를 위하여, 제2지지부(12)는 중공(121) 및 요홈(122)을 포함할 수 있다.The second support part 12 may support the chamber part 10 so that the high pressure formed in the processing space S is maintained. The second support part 12 may support the lateral pressure applied to the chamber part 10 and the first support part 11 while high pressure is formed in the processing space (S). That is, the second support part 12 can support the first support part 11 in the horizontal direction to prevent the first support part 11 from rotating outward due to the high pressure formed in the processing space (S). The second support part 12 can be lifted and lowered to surround the chamber part 10 and the first support part 11. To this end, the second support portion 12 may include a hollow 121 and a groove 122.

중공(121)은 챔버부(10)가 삽입되는 공간일 수 있다. 중공(121)은 챔버부(10)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 중공(121)은 제2지지부(12)의 중앙부에 형성될 수 있다. 요홈(122)은 제1지지부(11)가 삽입되는 공간일 수 있다. 요홈(122)에는 제1지지부(11)의 제1부분(111)이 삽입될 수 있다. 요홈(122)은 제1부분(111)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 요홈(122)은 중공(121)과 연통될 수 있다. 요홈(122)은 제1지지부(11)와 일대일 대응을 이루도록, 제1지지부(11)와 동일한 개수로 형성될 수 있다. 요홈(122)은 중공(121)의 둘레를 따라 배열될 수 있다. 요홈(122)은 제1지지부(11)와 동일한 패턴으로 배열될 수 있다.The hollow 121 may be a space into which the chamber portion 10 is inserted. The hollow 121 may be formed in a shape corresponding to the chamber portion 10. The hollow 121 may be formed in the central portion of the second support portion 12. The groove 122 may be a space into which the first support portion 11 is inserted. The first portion 111 of the first support portion 11 may be inserted into the groove 122. The groove 122 may be formed in a shape corresponding to the first portion 111. The groove 122 may communicate with the hollow 121. The grooves 122 may be formed in the same number as the first support portion 11 to achieve a one-to-one correspondence with the first support portion 11. Grooves 122 may be arranged along the perimeter of the hollow 121. The grooves 122 may be arranged in the same pattern as the first support portion 11.

제2지지부(12)는 승강 구동부(미도시)에 의하여 승강될 수 있다. 제1지지부(11)가 챔버부(10)의 하면을 지지하도록 내측으로 회전된 상태에서, 제2지지부(12)는 제1지지부(11)의 외측면을 감싸도록 승강될 수 있다. 즉, 제1지지부(11)가 내측으로 회전되면, 승강 구동부는 요홈(122)에 제1지지부(11)가 삽입되도록 제2지지부(12)를 승강시킬 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제2지지부(12)가 제1지지부(11)를 외측에서 감싸주므로, 처리 공간(S)에 형성된 고압에 의하여 제1지지부(11)가 외측 방향으로 회전되는 것을 방지할 수 있다. 결과적으로, 제1지지부(11) 및 제2지지부(12)가 각각 1차 및 2차적으로 고압에 의하여 챔버부(10)가 분리되는 것을 방지할 수 있다. 제1지지부(11) 및 제2지지부(12)가 각각 종방향 및 횡방향으로 발생되는 압력에 대하여 챔버부(10)를 지지하므로, 챔버부(10)가 견고하게 지지될 수 있다.The second support part 12 may be lifted up and down by a lifting drive unit (not shown). In a state in which the first support part 11 is rotated inward to support the lower surface of the chamber part 10, the second support part 12 may be raised and lowered to surround the outer surface of the first support part 11. That is, when the first support part 11 is rotated inward, the lifting drive unit can lift the second support part 12 so that the first support part 11 is inserted into the groove 122. According to this structure, since the second support part 12 surrounds the first support part 11 from the outside, it is possible to prevent the first support part 11 from rotating outward due to the high pressure formed in the processing space S. You can. As a result, the first and second support parts 11 and 12 can prevent the chamber part 10 from being separated by high pressure, respectively. Since the first support part 11 and the second support part 12 support the chamber part 10 against pressure generated in the longitudinal and transverse directions, respectively, the chamber part 10 can be firmly supported.

처리 공간(S)에서 기판의 처리가 종료되면, 제1지지부(11) 및 제2지지부(12)는 역순으로 분리될 수 있다. 제2지지부(12)는 반대 방향으로 승강되어 제1지지부(11)로부터 분리될 수 있다. 제1지지부(11)는 외측 방향으로 회전되어 챔버부(10)로부터 이격될 수 있다. 제1지지부(11)가 외측 방향으로 회전되면, 제2하우징(102)이 승강되어 처리 공간(S)은 개방될 수 있다. 제1지지부(11)가 챔버부(10)의 측면에 연결되어 외측 방향으로 회전되기 때문에, 처리 공간(S)이 개폐되도록 제2하우징(102)이 승강되더라도 제2하우징(102)의 승강 경로와 제1지지부(11)가 서로 간섭되지 않을 수 있다.When processing of the substrate is completed in the processing space S, the first support part 11 and the second support part 12 may be separated in reverse order. The second support part 12 may be lifted and lowered in the opposite direction and separated from the first support part 11. The first support part 11 may be rotated outward to be spaced apart from the chamber part 10 . When the first support part 11 is rotated outward, the second housing 102 is lifted and the processing space S can be opened. Since the first support part 11 is connected to the side of the chamber part 10 and rotates outward, the lifting path of the second housing 102 is and the first support portion 11 may not interfere with each other.

도 6은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to one embodiment.

도 6을 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)에서 제2하우징(102)은 외측면이 경사지게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2하우징(102)의 외측면은 상측을 향할수록 직경이 좁아지는 방향으로 경사지게 형성될 수 있다. 제1하우징(101)은 제2하우징(102)이 내측으로 삽입되어 안착될 수 있도록, 제2하우징(102)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1하우징(101)의 내측면은 상측을 향할수록 직경이 좁아지는 방향으로 경사지게 형성될 수 있다. 제1하우징(101)의 내측면 및 제2하우징(102)의 외측면이 경사지는 각도는 대응될 수 있다. 제2하우징(102)이 제1하우징(101)의 내측에 안착된 상태를 기준으로, 제1하우징(101) 및 제2하우징(102)의 하면은 동일 평면 상에 위치될 수 있다.Referring to FIG. 6 , in the substrate processing apparatus 1 according to one embodiment, the second housing 102 may have an outer surface formed to be inclined. For example, the outer surface of the second housing 102 may be inclined in a direction where the diameter becomes narrower toward the top. The first housing 101 may be formed in a shape corresponding to the second housing 102 so that the second housing 102 can be inserted and seated inside. For example, the inner surface of the first housing 101 may be inclined in a direction where the diameter becomes narrower toward the top. The inclined angles of the inner surface of the first housing 101 and the outer surface of the second housing 102 may correspond. Based on the state in which the second housing 102 is seated inside the first housing 101, the lower surfaces of the first housing 101 and the second housing 102 may be positioned on the same plane.

도 7은 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 순서도이다.7 is a flowchart of a substrate processing method according to an embodiment.

도 7을 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 처리 공간에 형성된 고압에 의하여 챔버부가 분리되지 않도록 챔버부를 종방향 및 횡방향으로 지지할 수 있다. 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 상술한 기판 처리 장치를 이용할 수 있다.Referring to FIG. 7, according to a substrate processing method according to an embodiment, the chamber portion can be supported in the longitudinal and transverse directions to prevent the chamber portion from being separated due to high pressure generated in the processing space. The substrate processing method according to one embodiment may use the substrate processing apparatus described above.

일 실시 예에 따른 기판 처리 방법(200)은, 폐쇄 단계(201), 제1클램핑 단계(202), 제2클램핑 단계(203), 처리 단계(204), 제1해제 단계(205), 제2해제 단계(206) 및 개방 단계(207)를 포함할 수 있다.The substrate processing method 200 according to an embodiment includes a closing step 201, a first clamping step 202, a second clamping step 203, a processing step 204, a first releasing step 205, and a first clamping step 203. 2It may include a release step (206) and an opening step (207).

폐쇄 단계(201)는 제1하우징 및 제2하우징이 서로 결합되어 처리 공간이 폐쇄되는 단계일 수 있다. 예를 들어, 챔버 개폐부에 의하여 제2하우징이 상승됨으로써, 제1하우징 및 제2하우징이 결합될 수 있다. 제2하우징은 제1하우징에 형성된 단차부에 삽입될 수 있다. 챔버 개폐부는 제1하우징 및 제2하우징이 서로 밀착되도록 제2하우징에 상승력을 제공할 수 있다. 예를 들어, 챔버 개폐부는 처리 공간에 고압이 형성된 상태에서 제2하우징에 상승력을 제공하여, 챔버부의 밀폐를 보조할 수 있다.The closing step 201 may be a step in which the first housing and the second housing are coupled to each other to close the processing space. For example, the second housing may be raised by the chamber opening/closing unit, thereby allowing the first housing and the second housing to be combined. The second housing may be inserted into the step formed in the first housing. The chamber opening/closing unit may provide a lifting force to the second housing so that the first housing and the second housing come into close contact with each other. For example, the chamber opening/closing unit may provide an upward force to the second housing while high pressure is formed in the processing space, thereby assisting in sealing the chamber unit.

제1클램핑 단계(202)는 챔버부의 하면이 지지되도록 제1지지부가 회전되는 단계일 수 있다. 제1지지부는 회전 구동부에 의해 회전될 수 있다. 제1지지부는 챔버부의 하면을 지지함으로써, 처리 공간에 형성된 고압에 의하여 챔버부가 분리되지 않도록 종방향 압력을 지지할 수 있다. 회전 구동부는 처리 공간에 고압이 형성된 상태에서 제1지지부에 내측 방향의 회전력을 제공하여, 챔버부를 밀폐시킬 수 있다.The first clamping step 202 may be a step in which the first support portion is rotated so that the lower surface of the chamber portion is supported. The first support may be rotated by a rotation driving unit. By supporting the lower surface of the chamber portion, the first support portion can support longitudinal pressure to prevent the chamber portion from being separated due to high pressure generated in the processing space. The rotation driver may provide an inward rotational force to the first support unit while high pressure is generated in the processing space, thereby sealing the chamber unit.

제2클램핑 단계(203)는 제1지지부의 외측면이 감싸지도록 제2지지부가 승강되는 단계일 수 있다. 제2지지부는 승강 구동부에 의해 승강될 수 있다. 제2지지부는 제1지지부의 외측면을 지지함으로써, 처리 공간에 형성된 고압에 의하여 제1지지부가 외측 방향으로 회전되지 않도록 횡방향 압력을 지지할 수 있다. 이와 같은 방법에 의하면, 제1지지부 및 제2지지부에 의하여 종방향 및 횡방향 압력에 대하여 모두 견딜 수 있으므로, 처리 공간에 형성된 고압에 의해 챔버부가 분리되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.The second clamping step 203 may be a step in which the second support part is lifted and lowered so that the outer surface of the first support part is wrapped. The second support portion may be lifted and lowered by the lifting drive unit. By supporting the outer surface of the first support, the second support can support lateral pressure to prevent the first support from rotating outward due to high pressure generated in the processing space. According to this method, both the longitudinal and transverse pressures can be withstood by the first support part and the second support part, so it is possible to effectively prevent the chamber part from being separated due to high pressure formed in the processing space.

처리 단계(204)는 처리 공간에서 기판의 처리가 수행되는 단계일 수 있다. 예를 들어, 처리 공간에 고압이 형성되고, 초임계 유체에 의하여 기판의 처리가 수행될 수 있다.The processing step 204 may be a step in which processing of a substrate is performed in a processing space. For example, high pressure may be created in the processing space, and processing of the substrate may be performed using a supercritical fluid.

제1해제 단계(205)는 제2지지부가 제2클램핑 단계(203)와 반대 방향으로 승강되어 제1지지부로부터 이격되는 단계일 수 있다. 제1해제 단계(205)는 처리 단계(204)가 완료되면 수행될 수 있다. 처리 단계(204)가 완료되면, 승강 구동부에 의하여 제2지지부가 제1지지부로부터 벗겨질 수 있다.The first releasing step 205 may be a step in which the second support member is lifted and lowered in the opposite direction to the second clamping step 203 and spaced apart from the first support member. The first release step 205 may be performed once the processing step 204 is complete. Once processing step 204 is complete, the second support may be peeled from the first support by the lifting drive.

제2해제 단계(206)는 제1지지부가 제1클램핑 단계와 반대 방향으로 회전되어 챔버부로부터 이격되는 단계일 수 있다. 제2해제 단계(206)는 제1해제 단계(205)가 완료되면 수행될 수 있다. 제1해제 단계(205)가 완료되면, 회전 구동부에 의하여 제1지지부는 외측 방향으로 회전되어 챔버부로부터 이격될 수 있다.The second releasing step 206 may be a step in which the first support portion is rotated in the opposite direction to the first clamping step and spaced apart from the chamber portion. The second release step 206 may be performed once the first release step 205 is completed. When the first release step 205 is completed, the first support portion may be rotated outward by the rotation drive unit to be spaced apart from the chamber portion.

개방 단계(207)는 처리 공간이 개방되도록 제1하우징 및 제2하우징이 서로 이격되는 단계일 수 있다. 개방 단계(207)는 제2해제 단계(206)가 완료되면 수행될 수 있다. 제2해제 단계(206)가 완료되면, 챔버 개폐부에 의하여 제2하우징이 하강됨으로써, 처리 공간이 개방될 수 있다. 기판 처리 방법(200)은 반복적으로 시행될 수 있다.The opening step 207 may be a step in which the first housing and the second housing are spaced apart from each other so that the processing space is opened. The opening step 207 may be performed once the second unlocking step 206 is completed. When the second release step 206 is completed, the second housing is lowered by the chamber opening and closing unit, thereby opening the processing space. The substrate processing method 200 may be performed repeatedly.

이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with limited drawings, various modifications and variations can be made by those skilled in the art from the above description. For example, the described techniques may be performed in a different order than the described method, and/or components of the described structure, device, etc. may be combined or combined in a form different from the described method, or may be used with other components or equivalents. Appropriate results can be achieved even if replaced or substituted by .

1: 기판 처리 장치
10: 챔버부
101: 제1하우징
102: 제2하우징
11: 제1지지부
111: 제1부분
112: 제2부분
12: 제2지지부
121: 중공
122: 홈부1: Substrate processing device
10: Chamber part
101: first housing
102: second housing
11: first support portion
111: Part 1
112: Part 2
12: second support
121: hollow
122: Home Department

Claims (17)

처리 공간이 형성되도록 서로 결합 가능한 제1하우징 및 제2하우징을 포함하고, 상기 처리 공간에 고압이 형성되는 챔버부;
상기 챔버부의 하면을 지지하는 제1지지부; 및
상기 제1지지부가 상기 챔버부의 하면을 지지한 상태에서 상기 제1지지부의 외측면을 감싸는 제2지지부를 포함하고,
상기 제1지지부는 상기 챔버부의 측면에 회전 가능하게 연결되고, 상기 챔버부의 하면을 지지하도록 회전되는, 기판 처리 장치.A chamber unit including a first housing and a second housing that can be coupled to each other to form a processing space, and in which high pressure is formed in the processing space;
a first support portion supporting the lower surface of the chamber portion; and
The first support part includes a second support part surrounding the outer surface of the first support part while supporting the lower surface of the chamber part,
The first support portion is rotatably connected to a side surface of the chamber portion and rotated to support a lower surface of the chamber portion. 삭제delete 처리 공간이 형성되도록 서로 결합 가능한 제1하우징 및 제2하우징을 포함하고, 상기 처리 공간에 고압이 형성되는 챔버부;
상기 챔버부의 하면을 지지하는 제1지지부; 및
상기 제1지지부가 상기 챔버부의 하면을 지지한 상태에서 상기 제1지지부의 외측면을 감싸는 제2지지부를 포함하고,
상기 제1지지부는,
상기 챔버부의 측면에 회전 가능하게 연결되는 제1부분; 및
상기 제1부분에서 절곡되어 연장되고, 상기 챔버부의 하면을 지지하는 제2부분을 포함하는, 기판 처리 장치.A chamber unit including a first housing and a second housing that can be coupled to each other to form a processing space, and in which high pressure is formed in the processing space;
a first support portion supporting the lower surface of the chamber portion; and
The first support part includes a second support part surrounding the outer surface of the first support part while supporting the lower surface of the chamber part,
The first support part,
a first part rotatably connected to a side of the chamber unit; and
A substrate processing apparatus including a second part that is bent and extended from the first part and supports a lower surface of the chamber unit. 제3항에 있어서,
상기 제1부분은, 상기 제1하우징의 측면에 힌지 연결되는, 기판 처리 장치.According to paragraph 3,
The first part is hingedly connected to a side of the first housing. 제3항에 있어서,
상기 제2지지부는,
상기 챔버부가 삽입되는 중공; 및
상기 중공과 연통되고, 상기 제1지지부가 삽입되는 요홈을 포함하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 3,
The second support part,
a hollow into which the chamber portion is inserted; and
A substrate processing apparatus that communicates with the hollow and includes a groove into which the first support part is inserted. 제5항에 있어서,
상기 요홈은, 상기 제1부분에 대응되는 형상으로 형성되는, 기판 처리 장치.According to clause 5,
The groove is formed in a shape corresponding to the first portion. 처리 공간이 형성되도록 서로 결합 가능한 제1하우징 및 제2하우징을 포함하고, 상기 처리 공간에 고압이 형성되는 챔버부;
상기 챔버부의 하면을 지지하는 제1지지부; 및
상기 제1지지부가 상기 챔버부의 하면을 지지한 상태에서 상기 제1지지부의 외측면을 감싸는 제2지지부를 포함하고,
상기 제1지지부는 상기 챔버부의 둘레를 따라 복수 개 구비되는, 기판 처리 장치.A chamber unit including a first housing and a second housing that can be coupled to each other to form a processing space, and in which high pressure is formed in the processing space;
a first support portion supporting the lower surface of the chamber portion; and
The first support part includes a second support part surrounding the outer surface of the first support part while supporting the lower surface of the chamber part,
A substrate processing apparatus wherein a plurality of first support units are provided along a circumference of the chamber unit. 제1항에 있어서,
상기 제2하우징은 상기 처리 공간이 개폐되도록 승강 가능한, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The second housing is capable of being raised and lowered to open and close the processing space. 제1항에 있어서,
상기 제2하우징은 외측면이 경사지게 형성되고,
상기 제1하우징은 상기 제2하우징이 내측으로 삽입되어 안착되도록, 대응되는 형상으로 형성되는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The second housing has an inclined outer surface,
The first housing is formed in a corresponding shape so that the second housing is inserted and seated inside. 제1항에 있어서,
상기 제1하우징은 내측으로 함몰 형성되는 단차부를 포함하고,
상기 제2하우징은 상기 단차부에 삽입되어 안착되는, 기판 처리 장치According to paragraph 1,
The first housing includes a step portion that is recessed inward,
The second housing is a substrate processing device that is inserted into and seated in the step portion. 제10항에 있어서,
상기 단차부는, 상기 제2하우징에 대응되는 형상으로 형성되는, 기판 처리 장치.According to clause 10,
The stepped portion is formed in a shape corresponding to the second housing. 제10항에 있어서,
상기 제2하우징이 상기 단차부에 안착된 상태를 기준으로, 상기 제1하우징 및 제2하우징의 하면은 동일 평면 상에 위치되는, 기판 처리 장치.According to clause 10,
Based on the state in which the second housing is seated on the step, the lower surfaces of the first housing and the second housing are positioned on the same plane. 제1항에 있어서,
상기 제1지지부를 회전시키는 회전 구동부; 및
상기 제2지지부를 승강시키는 승강 구동부를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
a rotation drive unit that rotates the first support unit; and
A substrate processing apparatus further comprising a lifting drive unit that lifts the second support unit. 제1항, 제3항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
상기 제1하우징 및 제2하우징이 서로 결합되어 상기 처리 공간이 폐쇄되는 폐쇄 단계;
상기 챔버부의 하면이 지지되도록 상기 제1지지부가 회전되는 제1클램핑 단계;
상기 제1지지부의 외측면이 감싸지도록 상기 제2지지부가 승강되는 제2클램핑 단계; 및
상기 처리 공간에서 기판의 처리가 수행되는 처리 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.In the substrate processing method using the substrate processing apparatus according to any one of claims 1, 3 to 13,
A closing step in which the first housing and the second housing are coupled to each other to close the processing space;
A first clamping step in which the first support part is rotated so that the lower surface of the chamber part is supported;
A second clamping step in which the second support part is lifted and lowered so that the outer surface of the first support part is wrapped; and
A substrate processing method comprising a processing step in which processing of a substrate is performed in the processing space. 제14항에 있어서,
상기 처리 단계가 완료되면, 상기 제2지지부가 상기 제2클램핑 단계와 반대 방향으로 승강되어 상기 제1지지부로부터 이격되는 제1해제 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.According to clause 14,
When the processing step is completed, the substrate processing method further includes a first releasing step in which the second support is lifted and lowered in a direction opposite to the second clamping step to be spaced from the first support. 제15항에 있어서,
상기 제1해제 단계가 완료되면, 상기 제1지지부가 상기 제1클램핑 단계와 반대 방향으로 회전되어 상기 챔버부로부터 이격되는 제2해제 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.According to clause 15,
When the first releasing step is completed, the substrate processing method further includes a second releasing step in which the first support portion is rotated in a direction opposite to the first clamping step and spaced apart from the chamber portion. 제16항에 있어서,
상기 제2해제 단계가 완료되면, 상기 처리 공간이 개방되도록 상기 제1하우징 및 제2하우징이 서로 이격되는 개방 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.According to clause 16,
When the second releasing step is completed, the substrate processing method further includes an opening step of separating the first housing and the second housing from each other to open the processing space.
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