KR102614454B1 - High pressure wafer processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 피처리 기판과 대기압 보다 높은 제1 압력으로 공급되는 반응 가스를 수용하도록 형성되는 내부 챔버; 상기 내부 챔버를 수용하는 외부 하우징과, 상기 외부 하우징을 폐쇄하는 닫힘 상태와 상기 외부 하우징을 개방하는 열림 상태 간에 이동 가능하게 형성되는 외부 도어를 구비하고, 상기 제1 압력과 관련해 설정된 제2 압력으로 공급되는 보호 가스를 수용하도록 형성되는 외부 챔버; 및 상기 외부 하우징에 설치되는 받침 돌기와, 상기 외부 도어에 회전 가능하게 설치되는 회전 부재와, 상기 회전 부재에서 돌출 형성되고 상기 닫힘 상태에서 상기 회전 부재가 회전함에 따라 상기 받침 돌기 상에 배치되는 걸림 돌기를 구비하는 체결 모듈을 포함하는, 고압 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention includes an internal chamber formed to accommodate a substrate to be processed and a reaction gas supplied at a first pressure higher than atmospheric pressure; an outer housing accommodating the inner chamber, and an outer door movable between a closed state to close the outer housing and an open state to open the outer housing, and a second pressure set in relation to the first pressure. an outer chamber formed to receive the supplied shielding gas; and a support protrusion installed on the external housing, a rotating member rotatably installed on the external door, and a locking protrusion protruding from the rotating member and disposed on the supporting protrusion as the rotating member rotates in the closed state. Provided is a high-pressure substrate processing device including a fastening module provided with a.
Description
본 발명은 고압 환경에서 기판을 처리하는데 사용되는 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to processing equipment used to process substrates in high pressure environments.
일반적으로, 반도체 소자의 제조 공정이 진행되는 동안에는 반도체 기판에는 다양한 처리가 수행된다. 상기 처리의 예로서는, 산화, 질화, 실리사이드, 이온 주입, 및 증착 공정 등이 있다. 반도체 소자의 계면 특성을 개선하기 위한 수소 또는 중수소 열처리 공정도 있다. Generally, during the manufacturing process of a semiconductor device, various treatments are performed on the semiconductor substrate. Examples of such treatments include oxidation, nitriding, silicide, ion implantation, and deposition processes. There is also a hydrogen or deuterium heat treatment process to improve the interface properties of semiconductor devices.
기판에 대한 처리에 사용되는 가스는 챔버에 고압으로 공급되어, 반도체 기판에 작용하게 된다. 챔버를 고압으로 유지하기 위해서는, 챔버의 하우징에 대해 도어가 확실하게 닫혀야 한다. The gas used to process the substrate is supplied to the chamber at high pressure and acts on the semiconductor substrate. To maintain the chamber at high pressure, the door must close securely against the chamber's housing.
챔버의 닫힘 상태가 고압 가스에 의해 느슨하게 되면, 하우징과 도어 간에 틈이 생길 수 있다. 이러한 틈은 챔버 내의 가스가 외부로 유출되는 통로가 될 수 있다.If the closed state of the chamber is loosened by high-pressure gas, a gap may form between the housing and the door. These gaps may serve as passages through which gas within the chamber leaks to the outside.
본 발명의 일 목적은, 챔버 내의 높은 압력에도 하우징과 도어 간의 닫힘 상태를 견고하게 유지할 수 있게 하는, 고압 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a high-pressure substrate processing device that can firmly maintain a closed state between the housing and the door even under high pressure within the chamber.
본 발명의 다른 일 목적은, 하우징과 도어 간의 체결을 위해 필요한 동력을 최소화할 수 있는, 고압 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a high-pressure substrate processing device that can minimize the power required for fastening between a housing and a door.
상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 고압 기판 처리 장치는, 피처리 기판과 대기압 보다 높은 제1 압력으로 공급되는 반응 가스를 수용하도록 형성되는 내부 챔버; 상기 내부 챔버를 수용하는 외부 하우징과, 상기 외부 하우징을 폐쇄하는 닫힘 상태와 상기 외부 하우징을 개방하는 열림 상태 간에 이동 가능하게 형성되는 외부 도어를 구비하고, 상기 제1 압력과 관련해 설정된 제2 압력으로 공급되는 보호 가스를 수용하도록 형성되는 외부 챔버; 및 상기 외부 하우징에 설치되는 받침 돌기와, 상기 외부 도어에 회전 가능하게 설치되는 회전 부재와, 상기 회전 부재에서 돌출 형성되고 상기 닫힘 상태에서 상기 회전 부재가 회전함에 따라 상기 받침 돌기 상에 배치되는 걸림 돌기를 구비하는 체결 모듈을 포함할 수 있다. A high-pressure substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention for realizing the above-described object includes an internal chamber formed to accommodate a substrate to be processed and a reaction gas supplied at a first pressure higher than atmospheric pressure; an outer housing accommodating the inner chamber, and an outer door movable between a closed state to close the outer housing and an open state to open the outer housing, and a second pressure set in relation to the first pressure. an outer chamber formed to receive the supplied shielding gas; and a support protrusion installed on the external housing, a rotating member rotatably installed on the external door, and a locking protrusion protruding from the rotating member and disposed on the supporting protrusion as the rotating member rotates in the closed state. It may include a fastening module having a.
여기서, 상기 회전 부재는, 상기 외부 하우징이 한정하는 영역 내에 위치할 수 있다. Here, the rotating member may be located within an area defined by the external housing.
여기서, 상기 회전 부재는, 링 형상을 갖는 회전 링을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 측면에 따른 고압 기판 처리 장치는, 피처리 기판과 대기압 보다 높은 제1 압력으로 공급되는 반응 가스를 수용하도록 형성되는 내부 챔버; 상기 내부 챔버를 수용하는 외부 하우징과, 상기 외부 하우징을 폐쇄하는 닫힘 상태와 상기 외부 하우징을 개방하는 열림 상태 간에 이동 가능하게 형성되는 외부 도어를 구비하고, 상기 제1 압력과 관련해 설정된 제2 압력으로 공급되는 보호 가스를 수용하도록 형성되는 외부 챔버; 및 상기 외부 하우징에 설치되는 받침 돌기와, 상기 닫힘 상태에서 이동됨에 따라 상기 외부 도어에 연결된 상태로 상기 받침 돌기 상에 배치되는 걸림 돌기를 구비하는 체결 모듈을 포함하고, 상기 외부 도어는, 상기 닫힘 상태에서 상기 외부 하우징과 접촉되는 상부 플레이트; 및 상기 상부 플레이트와 다른 레벨에 배치되는 하부 플레이트를 포함하고, 상기 걸림 돌기는, 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트 사이에 배치될 수 있다. Here, the rotating member may include a rotating ring having a ring shape.
A high-pressure substrate processing apparatus according to another aspect of the present invention includes an internal chamber formed to accommodate a substrate to be processed and a reaction gas supplied at a first pressure higher than atmospheric pressure; an outer housing accommodating the inner chamber, and an outer door movable between a closed state to close the outer housing and an open state to open the outer housing, and a second pressure set in relation to the first pressure. an outer chamber formed to receive the supplied shielding gas; and a fastening module including a support protrusion installed on the external housing, and a locking protrusion disposed on the support protrusion in a state connected to the external door as it moves in the closed state, wherein the external door is in the closed state. an upper plate in contact with the external housing; and a lower plate disposed at a different level from the upper plate, and the locking protrusion may be disposed between the upper plate and the lower plate.
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여기서, 상기 걸림 돌기는, 상기 상부 플레이트의 측면에 대응하도록 배치되는 상측부; 및 상기 하부 플레이트의 측면에 대응하도록 배치되는 하측부 중 하나를 포함될 수 있다. Here, the locking protrusion includes an upper portion disposed to correspond to a side surface of the upper plate; And it may include one of the lower portion disposed to correspond to the side of the lower plate.
여기서, 상기 외부 도어는, 상기 닫힘 상태에서 상기 외부 하우징과 접촉되는 실링재를 더 포함하고, 상기 걸림 돌기는, 상기 실링재 및 상기 외부 하우징 간의 접촉과 독립적으로 회전되도록 형성될 수 있다. Here, the external door further includes a sealing material that contacts the external housing in the closed state, and the locking protrusion may be formed to rotate independently of the contact between the sealing material and the external housing.
여기서, 상기 체결 모듈은, 상기 걸림 돌기를 회전 구동하도록 형성되는 구동 유닛을 더 포함할 수 있다. Here, the fastening module may further include a driving unit configured to rotate and drive the locking protrusion.
여기서, 상기 체결 모듈은, 상기 걸림 돌기가 형성된 회전 부재를 더 포함하고, 상기 구동 유닛은, 상기 외부 도어의 개폐 방향을 따라 배치되는 회전축을 중심으로 상기 회전 부재를 회전시키도록 형성될 수 있다. Here, the fastening module may further include a rotation member on which the locking protrusion is formed, and the driving unit may be formed to rotate the rotation member around a rotation axis disposed along the opening/closing direction of the external door.
여기서, 상기 구동 유닛은, 상기 회전 부재에 형성되는 피동 기어; 상기 피동 기어에 맞물리는 구동 기어; 및 상기 구동 기어를 회전시키는 모터를 포함할 수 있다. Here, the driving unit includes a driven gear formed on the rotating member; a drive gear engaged with the driven gear; And it may include a motor that rotates the driving gear.
본 발명의 또 다른 일 측면에 따른 고압 기판 처리 장치는, 피처리 기판과 대기압 보다 높은 압력으로 공급되는 공정 가스를 수용하도록 형성되는 하우징과, 상기 하우징을 폐쇄하는 닫힘 상태와 상기 하우징을 개방하는 열림 상태 간에 이동하도록 형성되는 도어를 구비하는 챔버; 및 상기 하우징에 설치되는 받침 돌기와, 상기 닫힘 상태에서 이동됨에 따라 상기 도어에 연결된 상태로 상기 받침 돌기 상에 배치되는 걸림 돌기를 구비하는 체결 모듈을 포함하고, 상기 도어는, 상기 닫힘 상태에서 상기 하우징과 접촉되는 상부 플레이트; 및 상기 상부 플레이트와 다른 레벨에 배치되는 하부 플레이트를 포함하고, 상기 걸림 돌기는, 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트 사이에 배치될 수 있다. A high-pressure substrate processing apparatus according to another aspect of the present invention includes a housing formed to accommodate a substrate to be processed and process gas supplied at a pressure higher than atmospheric pressure, a closed state for closing the housing, and an open state for opening the housing. a chamber having a door configured to move between states; and a fastening module including a support protrusion installed on the housing, and a locking protrusion disposed on the support protrusion in a state connected to the door as it moves in the closed state, wherein the door is connected to the housing in the closed state. an upper plate in contact with; and a lower plate disposed at a different level from the upper plate, and the locking protrusion may be disposed between the upper plate and the lower plate.
여기서, 상기 걸림 돌기는, 상기 도어에 회전 가능하게 설치되어, 회전됨에 따라 상기 받침 돌기에 의해 지지될 수 있다. Here, the locking protrusion may be rotatably installed on the door and supported by the support protrusion as it rotates.
여기서, 상기 도어는, 상기 상부 플레이트에 설치되는 실링재를 더 포함하고, 상기 걸림 돌기는, 상기 닫힘 상태에서, 상기 하우징과 상기 실링재 간의 접촉과 독립적으로 이동되도록 형성될 수 있다. Here, the door further includes a sealing material installed on the upper plate, and the locking protrusion may be formed to move independently of contact between the housing and the sealing material in the closed state.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 고압 기판 처리 장치에 의하면, 기판과 고압 가스를 수용하는 하우징 및 도어는 체결 모듈에 의해 체결된 상태를 유지하고 체결 모듈은 하우징에 설치되는 받침 돌기에 대해 걸림 돌기가 외부 도어에 대해 이동하여 받침 돌기 상에 배치되도록 구성됨에 따라, 걸림 돌기와 받침 돌기 간의 체결로 인해 챔버 내의 높은 압력에도 하우징과 도어 간의 닫힘 상태를 견고하게 유지할 수 있게 한다.According to the high-pressure substrate processing apparatus according to the present invention configured as described above, the housing and the door accommodating the substrate and high-pressure gas are maintained in a fastened state by the fastening module, and the fastening module has a locking protrusion with respect to the support protrusion installed on the housing. As it is configured to move with respect to the external door and be disposed on the support protrusion, the closed state between the housing and the door can be firmly maintained even under high pressure within the chamber due to the fastening between the locking protrusion and the support protrusion.
또한, 걸림 돌기는 도어와 독립적으로 이동하기에, 하우징과 도어 간의 체결을 위해서는 도어를 제외한 걸림 돌기만 이동하면 된다. 그에 의해, 하우징과 도어 간의 체결에 요구되는 동력을 최소화할 수 있게 된다.Additionally, since the locking protrusion moves independently of the door, only the locking protrusion, excluding the door, needs to be moved to fasten the housing and the door. Thereby, it is possible to minimize the power required for fastening between the housing and the door.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고압 기판 처리 장치(100)에 대한 개념도이다.
도 2는 도 1의 고압 기판 처리 장치(100)의 열림 상태를 보인 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 고압 기판 처리 장치(100)의 닫힘 상태를 보인 단면도이다.
도 4는 도 3의 회전 링(157)을 구동하는 구성을 설명하기 위한 절단 사시도이다.
도 5는 도 3의 고압 기판 처리 장치(100)의 일 변형예에 따른 고압 기판 처리 장치(100')의 요부를 보인 단면도이다.
도 6은 도 3의 고압 기판 처리 장치(100)의 다른 일 변형예에 따른 고압 기판 처리 장치(100”)의 요부를 보인 단면도이다.Figure 1 is a conceptual diagram of a high-pressure
FIG. 2 is an exploded perspective view showing the high pressure
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the high pressure
FIG. 4 is a cutaway perspective view for explaining a configuration for driving the
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a main portion of a high-pressure substrate processing apparatus 100' according to a modified example of the high-pressure
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the main portion of a high-pressure
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 다양한 변경을 가할 수 있고 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라, 어느 하나의 실시예의 구성과 다른 실시예의 구성을 서로 치환하거나 부가하는 것은 물론 본 발명의 기술적 사상과 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be subject to various changes and may be implemented in various different forms. Only this example is provided to ensure that the disclosure of the present invention is complete and to fully inform those skilled in the art of the scope of the invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but substitutes or adds to the configuration of one embodiment and the configuration of another embodiment, as well as all changes and equivalents included in the technical spirit and scope of the present invention. It should be understood to include substitutes.
첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면에서 구성요소들은 이해의 편의 등을 고려하여 크기나 두께가 과장되게 크거나 작게 표현될 수 있으나, 이로 인해 본 발명의 보호범위가 제한적으로 해석되어서는 아니 될 것이다.The attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and the technical idea disclosed in the present specification is not limited by the attached drawings, and all changes and equivalents included in the spirit and technical scope of the present invention are not limited to the attached drawings. It should be understood to include water or substitutes. In the drawings, components may be expressed exaggeratedly large or small in size or thickness for convenience of understanding, etc., but the scope of protection of the present invention should not be construed as limited due to this.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 구현예나 실시예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 그리고 단수의 표현은, 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 명세서에서 ~포함하다, ~이루어진다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이다. 즉 명세서에서 ~포함하다, ~이루어진다 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들이 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in this specification are only used to describe specific implementations or examples, and are not intended to limit the invention. And singular expressions include plural expressions, unless the context clearly dictates otherwise. In the specification, terms such as ~include, ~consist of, etc. are intended to indicate the existence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or a combination thereof described in the specification. That is, in the specification, terms such as ~include, ~consist of, etc. should be understood as not precluding the existence or addition possibility of one or more other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms containing ordinal numbers, such as first, second, etc., may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어"있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is said to be "connected" or "connected" to another component, it is understood that it may be directly connected or connected to the other component, but that other components may exist in between. It should be. On the other hand, when it is mentioned that a component is “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that there are no other components in between.
어떤 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에 있다"거나 "하부에 있다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소의 바로 위에 배치되어 있는 것뿐만 아니라 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being "on top" or "below" another component, it should be understood that not only is it placed directly on top of the other component, but there may also be other components in between. .
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless explicitly defined in the present application, should not be interpreted in an ideal or excessively formal sense. No.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고압 기판 처리 장치(100)에 대한 개념도이다. Figure 1 is a conceptual diagram of a high-pressure
본 도면을 참조하면, 고압 기판 처리 장치(100)는, 내부 챔버(110), 외부 챔버(120), 급기 모듈(130), 및 배기 모듈(140)을 포함할 수 있다. Referring to this drawing, the high-pressure
내부 챔버(110)는 처리를 위한 대상물을 수용하는 처리 공간을 형성한다. 내부 챔버(110)는 고온과 고압의 작업 환경에서 오염을 감소시키기 위해 비금속재, 예를 들어 석영으로 제작될 수 있다. 내부 챔버(110)의 외측에 배치되는 히터(미도시)의 작동에 따라, 내부 챔버(110)의 온도는 수백 ~ 천 ℃에 이를 수 있다. 상기 대상물은, 예를 들어 홀더에 장착된 반도체 기판(W, 도 2 참조)일 수 있다. 상기 홀더는 피처리 기판(W)을 복수 층으로 적층할 수 있는 웨이퍼 보트(wafer boat, 113, 도 2 참조)일 수 있다. The
외부 챔버(120)는 내부 챔버(110)를 수용하는 내부 공간을 형성한다. 외부 챔버(120)는 내부 챔버(110)의 외측에 배치된다. 외부 챔버(120)는 내부 챔버(110)와 달리 상기 대상물에 대한 오염 유발 우려에서 자유롭기에, 금속재로 제작될 수 있다.The
급기 모듈(130)은 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120)에 대해 가스를 공급하는 구성이다. 급기 모듈(130)은 가스의 소스가 되는 가스 공급기(131)를 가진다. 가스 공급기(131)는 내부 챔버(110)에 대해, 예를 들어 열처리 공정용 반응 가스로서, 수소/중수소, 플루오르, 암모니아, 염소, 질소 등을 선택적으로 제공할 수 있다. 가스 공급기(131)는 외부 챔버(120)에 대해서는 보호 가스로서, 예를 들어 불활성 가스인 질소를 제공할 수 있다. 상기 반응 가스 및 상기 보호 가스는 간단하게 공정 가스로 칭해질 수 있다. 상기 공정 가스는 각각 반응가스 라인(133) 또는 보호가스 라인(135)를 통해 내부 챔버(110) 또는 외부 챔버(120)에 공급된다. 외부 챔버(120)에 공급된 보호 가스는, 구체적으로 외부 챔버(120)와 내부 챔버(110) 사이의 공간(보호 공간)에 공급된다.The
상기 공정 가스는, 대기압보다 높은 압력으로서, 예를 들어 수 기압 내지 수십 기압에 이르는 고압을 형성하도록 공급될 수 있다. 상기 반응 가스의 압력이 제1 압력이고 상기 보호 가스의 압력이 제2 압력일 때, 이들은 설정된 관계로 유지될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 압력이 상기 제1 압력보다 다소 크게 설정될 수 있다. 그런 압력차는 내부 챔버(110)로부터 상기 반응 가스가 누설되지 않게 되는 이점을 제공한다. The process gas may be supplied to form a high pressure higher than atmospheric pressure, for example, from several atmospheres to tens of atmospheres. When the pressure of the reaction gas is a first pressure and the pressure of the protective gas is a second pressure, they can be maintained in a set relationship. For example, the second pressure may be set to be somewhat greater than the first pressure. Such a pressure difference provides the advantage that the reaction gas does not leak from the
배기 모듈(140)은 상기 공정 가스를 배기하기 위한 구성이다. 내부 챔버(110)로부터 상기 반응 가스를 배기하기 위하여, 내부 챔버(110)의 상부에는 배기관(141)이 연결된다. 외부 챔버(120)로부터 상기 보호 가스를 배기하기 위해서도, 유사하게 외부 챔버(120)에 연통되는 배기관(145)이 구비될 수 있다. 이들 배기관(141 및 145)은 하나로 통합되기에, 상기 반응 가스는 배기되는 과정에서 상기 보호 가스에 희석되어 그 농도가 낮아지게 된다.The
외부 챔버(120)의 체결 구조에 대해서는 도 2 내지 도 3을 참조하여 설명한다. 도 2는 도 1의 고압 기판 처리 장치(100)의 열림 상태를 보인 분해 사시도이고, 도 3은 도 2의 고압 기판 처리 장치(100)의 닫힘 상태를 보인 단면도이다.The fastening structure of the
본 도면들을 참조하면, 내부 챔버(110)는 내부 하우징(미도시)과 내부 도어(115)를 포함한다. 상기 내부 하우징은 피처리 기판(W)을 수용하는 상기 처리 공간을 형성하며, 그의 하부는 개방된 형태를 가질 수 있다. 내부 도어(115)는 상기 내부 하우징의 개방된 하부를 폐쇄하는 형태를 가진다. 내부 도어(115)는, 전체적으로 하방으로 개방된 구유 형태를 가질 수 있다. Referring to these drawings, the
내부 도어(115)가 하강함에 따라서는 상기 처리 공간이 개방된다(열림 상태, 도 2 참조). 상기 열림 상태에서 상기 피처리 기판은 보트(113)로부터 언로딩되고, 새로운 피처리 기판이 보트(113)에 로딩된다. 내부 도어(115)가 상승함에 따라서는 상기 처리 공간이 폐쇄된다(닫힘 상태, 도 3 참조). 상기 닫힘 상태에서 피처리 기판(W)에 대한 처리, 예를 들어 열처리, 증착 등이 이루어진다.As the
외부 챔버(120) 역시 외부 하우징(121)과 외부 도어(125)를 포함한다. 외부 하우징(121)은 내부 챔버(110)를 수용하는 사이즈를 가진다. 외부 하우징(121)에는 내부 하우징(미도시)이 거치된다. 외부 도어(125) 역시 이동됨에 따라 외부 하우징(121)을 개폐할 수 있다. 외부 도어(125)는 지지 부재(119)에 의해 내부 도어(115)에 연결된다. 지지 부재(119)는 개폐 방향(E)을 따라 탄성적으로 신축되는 스프링 지지 구조를 갖는다. 개폐 방향(E)은 외부 도어(125)가 상기 닫힘 상태와 상기 열림 상태 간의 전환을 위해 이동하는 방향이다. 외부 하우징(121)이 세워진 경우에, 개폐 방향(E)은 승강 또는 수직 방향과 동일한 방향일 수 있다. 상기 열림 상태에서 상기 닫힘 상태로 전환되는 과정에서, 지지 부재(119)는 외부 도어(125)가 내부 도어(115)를 향해 이동되는 것을 허용한다. The
외부 도어(125)는 내부 도어(115)와 함께 승강 이동하면서 외부 하우징(121)을 개폐한다. 이상과 달리, 내부 도어(115)와 외부 도어(125)는 서로 연결되지 않고, 각자 독립적으로 개폐될 수도 있다.The
고압 기판 처리 장치(100)는 상기 닫힘 상태에서 외부 하우징(121)과 외부 도어(125)를 체결하기 위한 체결 모듈(150)을 더 포함할 수 있다. 내부 도어(115)는 지지 부재(119)에 의해 외부 도어(125)에 지지되기에, 체결 모듈(150)은 또한 내부 도어(115)가 상기 내부 하우징에 대해 밀착되게 하기도 한다. 체결 모듈(150)은 외부 챔버(120) 내에서 상기 보호 가스가 상기 제2 압력으로 유지되게 한다. 체결 모듈(150)은 또한 내부 챔버(110) 내에서 상기 반응 가스가 상기 제1 압력으로 유지되도록 체결력을 발휘한다.The high-pressure
체결 모듈(150)은, 구체적으로, 받침 돌기(151)와 걸림 돌기(155)를 포함할 수 있다. Specifically, the
받침 돌기(151)는 외부 하우징(121)에 설치되는 돌기이다. 받침 돌기(151)는, 본 실시예와 같이, 외부 하우징(121)의 내주면에 설치될 수 있다. 받침 돌기(151)는 상기 내주면의 둘레 방향을 따라 복수 개로 배치될 수 있다. 복수 개의 받침 돌기(151)는 승강 방향(E)을 따라 동일한 레벨 또는 평면에 배치될 수 있다. The
걸림 돌기(155)는 외부 도어(125)가 승강 방향(E)으로 이동하는 경우에, 인접한 한 쌍의 받침 돌기(151) 사이를 통과하는 사이즈를 갖는다. 걸림 돌기(155)는 받침 돌기(151)와 같이 복수 개수로 구비될 수 있다. 걸림 돌기(155)는 상기 닫힘 상태에서 외부 도어(125)에 대해 이동하여 받침 돌기(151) 상에 배치되도록 형성된다. The locking
본 실시예에 따르면, 걸림 돌기(155)는 외부 도어(125)에 연결된 채로 이동할 수 있다. 걸림 돌기(155)는, 예를 들어, 외부 도어(125)에 회전 가능하게 설치될 수 있다. 결과적으로, 걸림 돌기(155)는 외부 도어(125)에 대해(relative to the outer door 125) 이동하는 것이 된다. According to this embodiment, the locking
이상과 달리, 걸림 돌기(155)는 외부 하우징(121)에 이동 가능하게 설치될 수도 있다. 걸림 돌기(155)는 외부 하우징(121)에서 외부 도어(125)를 향해 이동하여 외부 도어(125)에 결합되는 것이다. 이를 위해, 외부 도어(125)는 걸림 돌기(155)를 수용하는 홈과 같은 구성(미도시)을 가질 수 있다. 결과적으로, 걸림 돌기(155)는 외부 도어(125)에 대해(toward the outer door 125) 이동하는 것이 된다.Unlike the above, the locking
걸림 돌기(155)는 이동에 따라 받침 돌기(151) 상에 배치된 경우에 받침 돌기(151)에 의해 지지될 수 있다(체결 상태). 그에 의해, 상기 공정 가스의 고압에도 외부 도어(125)는 외부 하우징(121)에 견고하게 체결된 상태를 유지할 수 있다. The locking
걸림 돌기(155)가 복수 개로 구비되는 경우, 복수 개의 걸림 돌기(155)는 개별적으로 회전할 수 있다. 이와 달리, 걸림 돌기(155)는 회전 부재(157)에 일체화된 채로, 회전 부재(157)와 함께 회전될 수도 있다. 회전 부재(157)는, 예시된 바와 같이 링 형상을 가질 수 있다. 이런 실시 형태에서 회전 부재(157)는 회전 링이라 칭해질 수 있다. 걸림 돌기(155)는 회전 링(157)의 외주면에서 외측 방향을 따라 돌출 형성된 것일 수 있다. 회전 링(157)은 회전 방향(R)을 따라{승강 방향(E)을 따르는 회전축을 중심으로} 회전하도록 배치될 수 있다. When a plurality of locking
회전 링(157)은 외부 도어(125)에 회전 가능하게 결합될 수 있다. 외부 도어(125)는 상부 플레이트(126) 및 하부 플레이트(127)를 갖고, 회전 링(157){및 걸림 돌기(155)}은 그들(126 및 127) 사이에 배치될 수 있다. 상부 플레이트(126) 및 하부 플레이트(127) 각각과 회전 링(157) 사이에는 베어링(159)이 배치될 수 있다. 베어링(159)으로는 스러스트 베어링(thrust bearing)이 사용될 수 있다. 회전 링(157)은 또한 외부 하우징(121){및 받침 돌기(151)}이 한정하는 영역 내에 위치할 수 있다. The
상부 플레이트(126)는 상기 닫힘 상태에서 외부 하우징(121)과 접촉되게 배치된다. 상부 플레이트(126)와 하부 플레이트(127)는 스페이서(128)에 의해 연결될 수 있다. 그에 의해, 하부 플레이트(127)는 상부 플레이트(126)와 다른 레벨에 배치될 수 있다. 스페이서(128)는 상부 플레이트(126) 및/또는 하부 플레이트(127) 보다 작은 직경 또는 폭을 가질 수 있다. 스페이서(128)는 상부 플레이트(126) 및 하부 플레이트(127)와 별도 부재로 형성되거나, 그들 중 하나와 단일 부재를 이룰 수도 있다. 스페이서(128)에 의해 확보된 공간에 회전 링(157), 나아가 걸림 돌기(155)가 위치하게 된다. 회전 링(157)은, 그의 중공부에 스페이서(128)가 삽입된 상태로, 외부 도어(125)에 대체로 평행하게 배치될 수 있다. The
상기 닫힘 상태에서 회전 링(157)이 회전하는 중에, 외부 도어(125)는 회전 링(157)의 회전에 연동되지 않을 수 있다. 다시 말해, 상부 플레이트(126)는 실링재(129)를 매개로 외부 하우징(121)에 접촉 상태를 유지한 상태에서, 회전 링(157)은 상기 접촉 상태와 독립적으로 회전할 수 있다. 실링재(129)는 상부 플레이트(126)의 상면에 설치되는 오링(o-ring)일 수 있다. While the
회전 링(157)을 회전 구동하는 구성에 대해서는 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 도 3의 회전 링(157)을 구동하는 구성을 설명하기 위한 절단 사시도이다.The configuration for rotating the
본 도면을 추가로 참조하면, 회전 링(157)은 구동 유닛(161)에 의해 회전 구동될 수 있다. With further reference to this figure, the
구동 유닛(161)은, 피동 기어(163), 구동 기어(164), 그리고 모터(165)를 가질 수 있다. 피동 기어(163)는 회전 링(157)의 내주면에 형성될 수 있다. 구동 기어(164)는 피동 기어(163)에 치합되는 기어일 수 있다. 구동 기어(164)는 회전 링(157)과 스페이서(128) 사이에 위치할 수 있다.The
이러한 구성에 따라, 모터(165)의 회전력은 구동 기어(164)에 전달된다. 모터(165)의 출력축과 구동 기어(164)를 연결하는 전달축은 하부 플레이트(127)를 관통하도록 배치될 수 있다. 구동 기어(164)의 회전에 의해, 구동 기어(164)에 치합되는 피동 기어(163) 역시 회전하게 된다. 피동 기어(163)의 회전에 따라 회전 링(157)이 회전되어, 걸림 돌기(155) 역시 회전 방향(R, 도 2 참조)을 따라 회전하게 된다. 걸림 돌기(155)는 그의 회전에 따라 받침 돌기(151) 상으로 이동하거나, 받침 돌기(151)에서 어긋난 위치로 이동할 수 있다.According to this configuration, the rotational force of the
걸림 돌기(155)를 회전시키는 과정에서, 외부 도어(125)는 걸림 돌기(155)와 함께 회전되지 않는다. 모터(165)에서 출력되어야 하는 동력은, 외부 도어(125)를 제외하고 걸림 돌기(155)를 회전시키는 수준이라면 충분하다.In the process of rotating the locking
구동 유닛(161)은 기어(163 및 164) 및 모터(165)로 이루어진 구성을 설명하였으나, 본 발명은 그에 제한되지 않는다. 실린더 등 다른 액츄에이터를 이용하여 구동 유닛을 구성할 수도 있을 것이다.Although the
고압 기판 처리 장치(100)의 다른 형태에 대해서는 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다. 도 5는 도 3의 고압 기판 처리 장치(100)의 일 변형예에 따른 고압 기판 처리 장치(100')의 요부를 보인 단면도이고, 도 6은 도 3의 고압 기판 처리 장치(100)의 다른 일 변형예에 따른 고압 기판 처리 장치(100”)의 요부를 보인 단면도이다. 이들 도면에서 도 3과 동일한 구성은 동일한 참조 번호를 부여하며, 베어링(159)은 도면의 간략화를 위해 생략한다. Other forms of the high-pressure
도 5를 참조하면, 걸림 돌기(155')는, 앞선 걸림 돌기(155)와 달리, 상측부(155a)를 더 갖는 것이다. 상측부(155a)는 상부 플레이트(126')의 측면에 대응하도록 배치되는 부분일 수 있다. Referring to FIG. 5, the locking protrusion 155', unlike the
상측부(155a)의 상면은 상부 플레이트(126')의 상면과 대략 동일한 레벨을 가질 수 있다. 그에 의해, 걸림 돌기(155')의 상면은 외부 하우징(121')에 접촉되고, 걸림 돌기(155')의 하면은 받침 돌기(151)에 접촉되는 것일 수 있다. The upper surface of the
도 6을 참조하면, 걸림 돌기(155”)는, 앞선 걸림 돌기(155)와 달리, 상측부(155a) 및 하측부(155b)를 더 갖는 것이다. 상측부(155a)는 상부 플레이트(126')의 측면에 대응하도록 배치되는 부분일 수 있다. 하측부(155b)는 하부 플레이트(127')의 측면에 대응하도록 배치되는 부분일 수 있다. Referring to FIG. 6, the locking
상측부(155a)의 상면은 상부 플레이트(126')의 상면과 대략 동일한 레벨을 가질 수 있다. 하측부(155b)의 하면은 하부 플레이트(127')의 하면과 대략 동일한 레벨을 가질 수 있다. 그에 의해, 걸림 돌기(155”)의 상면은 외부 하우징(121”)에 접촉되고, 걸림 돌기(155”)의 하면은 받침 돌기(151)에 접촉되는 것일 수 있다. The upper surface of the
이상에서 회전 링(157',157”)의 회전 구동을 위해서는, 앞서 도 4를 참조하여 설명한 구동 유닛(161)이 본 변형예들에 또한 적용될 수 있다.In order to drive the rotation of the rotary rings 157' and 157" above, the driving
본 명세서에서는 고압 기판 처리 장치(100,100',100”)로서 이중 챔버를 가진 처리 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 그에 제한되지 않는다. 단일 챔버를 가진 처리 장치 역시 본 발명의 범위 내에 속한다. 상기 단일 챔버는 하나의 하우징과 하나의 도어로 이루어진 것이다. 상기 챔버 내에는 웨이퍼 기판이 배치되고, 또한 상기 웨이퍼 기판에 대한 처리를 위한 가스가 공급되게 된다. 체결 모듈(150,150',150”)은 이러한 단일 챔버에 대해서도 그대로 적용된다. 체결 모듈(150,150',150”)은, 가스의 압력에도 불구하고, 상기 도어가 상기 하우징에 대해 견고하게 체결되게 한다. In this specification, a processing device having a dual chamber as a high-pressure substrate processing device (100, 100', 100") has been described as an example, but the present invention is not limited thereto. Processing devices with a single chamber are also within the scope of the present invention. The single chamber consists of one housing and one door. A wafer substrate is placed in the chamber, and gas for processing the wafer substrate is supplied. The fastening modules (150, 150', 150”) also apply to these single chambers. The
본 명세서에서는 배치식(batch type) 처리 장치를 예시하나, 본 발명은 그에 제한되지 않는다. 본 발명은 매엽식(single wafer type) 처리 장치에도 그대로 적용될 수 있다.In this specification, a batch type processing device is exemplified, but the present invention is not limited thereto. The present invention can also be applied to a single wafer type processing device.
100,100',100”: 고압 기판 처리 장치 110: 내부 챔버
120: 외부 챔버 130: 급기 모듈
140: 배기 모듈 150,150',150”: 체결 모듈100,100’,100”: High pressure substrate processing device 110: Internal chamber
120: external chamber 130: air supply module
140: Exhaust module 150,150’,150”: Fastening module
Claims (12)
상기 내부 챔버를 수용하는 외부 하우징과, 상기 외부 하우징을 폐쇄하는 닫힘 상태와 상기 외부 하우징을 개방하는 열림 상태 간에 이동 가능하게 형성되는 외부 도어를 구비하고, 상기 제1 압력과 관련해 설정된 제2 압력으로 공급되는 보호 가스를 수용하도록 형성되는 외부 챔버; 및
상기 외부 하우징에 설치되는 받침 돌기와, 상기 외부 도어에 회전 가능하게 설치되는 회전 부재와, 상기 회전 부재에서 돌출 형성되고 상기 닫힘 상태에서 상기 회전 부재가 회전함에 따라 상기 받침 돌기 상에 배치되는 걸림 돌기를 구비하는 체결 모듈을 포함하는, 고압 기판 처리 장치.
an internal chamber formed to accommodate a substrate to be processed and a reaction gas supplied at a first pressure higher than atmospheric pressure;
an outer housing accommodating the inner chamber, and an outer door movable between a closed state to close the outer housing and an open state to open the outer housing, and a second pressure set in relation to the first pressure. an outer chamber formed to receive the supplied shielding gas; and
A support protrusion installed on the external housing, a rotating member rotatably installed on the external door, and a locking protrusion formed to protrude from the rotating member and disposed on the supporting protrusion as the rotating member rotates in the closed state. A high-pressure substrate processing device comprising a fastening module.
상기 회전 부재는,
상기 외부 하우징이 한정하는 영역 내에 위치하는, 고압 기판 처리 장치.
According to paragraph 1,
The rotating member is,
A high pressure substrate processing apparatus located within an area defined by the external housing.
상기 회전 부재는,
링 형상을 갖는 회전 링을 포함하는, 고압 기판 처리 장치.
According to paragraph 1,
The rotating member is,
A high pressure substrate processing apparatus comprising a rotating ring having a ring shape.
상기 내부 챔버를 수용하는 외부 하우징과, 상기 외부 하우징을 폐쇄하는 닫힘 상태와 상기 외부 하우징을 개방하는 열림 상태 간에 이동 가능하게 형성되는 외부 도어를 구비하고, 상기 제1 압력과 관련해 설정된 제2 압력으로 공급되는 보호 가스를 수용하도록 형성되는 외부 챔버; 및
상기 외부 하우징에 설치되는 받침 돌기와, 상기 닫힘 상태에서 이동됨에 따라 상기 외부 도어에 연결된 상태로 상기 받침 돌기 상에 배치되는 걸림 돌기를 구비하는 체결 모듈을 포함하고,
상기 외부 도어는,
상기 닫힘 상태에서 상기 외부 하우징과 접촉되는 상부 플레이트; 및
상기 상부 플레이트와 다른 레벨에 배치되는 하부 플레이트를 포함하고,
상기 걸림 돌기는,
상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트 사이에 배치되는, 고압 기판 처리 장치.
an internal chamber formed to accommodate a substrate to be processed and a reaction gas supplied at a first pressure higher than atmospheric pressure;
an outer housing accommodating the inner chamber, and an outer door movable between a closed state to close the outer housing and an open state to open the outer housing, and a second pressure set in relation to the first pressure. an outer chamber formed to receive the supplied shielding gas; and
A fastening module including a support protrusion installed on the external housing and a locking protrusion disposed on the support protrusion in a state connected to the external door as it moves in the closed state,
The external door is,
an upper plate in contact with the external housing in the closed state; and
It includes a lower plate disposed at a different level from the upper plate,
The locking protrusion is,
A high-pressure substrate processing device disposed between the upper plate and the lower plate.
상기 걸림 돌기는,
상기 상부 플레이트의 측면에 대응하도록 배치되는 상측부; 및
상기 하부 플레이트의 측면에 대응하도록 배치되는 하측부 중 하나를 포함하는, 고압 기판 처리 장치.
According to paragraph 4,
The locking protrusion is,
an upper portion disposed to correspond to a side surface of the upper plate; and
A high-pressure substrate processing apparatus comprising one of the lower portions disposed to correspond to a side of the lower plate.
상기 외부 도어는,
상기 닫힘 상태에서 상기 외부 하우징과 접촉되는 실링재를 더 포함하고,
상기 걸림 돌기는,
상기 실링재 및 상기 외부 하우징 간의 접촉과 독립적으로 회전되도록 형성되는, 고압 기판 처리 장치.
According to paragraph 1,
The external door is,
Further comprising a sealing material in contact with the external housing in the closed state,
The locking protrusion is,
A high-pressure substrate processing device configured to rotate independently of contact between the sealing material and the external housing.
상기 체결 모듈은,
상기 걸림 돌기를 회전 구동하도록 형성되는 구동 유닛을 더 포함하는, 고압 기판 처리 장치.
According to paragraph 1,
The fastening module is,
A high-pressure substrate processing apparatus further comprising a driving unit configured to rotate and drive the locking protrusion.
상기 체결 모듈은,
상기 걸림 돌기가 형성된 회전 부재를 더 포함하고,
상기 구동 유닛은,
상기 외부 도어의 개폐 방향을 따라 배치되는 회전축을 중심으로 상기 회전 부재를 회전시키도록 형성되는, 고압 기판 처리 장치.
In clause 7,
The fastening module is,
Further comprising a rotating member on which the locking protrusion is formed,
The driving unit is,
A high-pressure substrate processing apparatus configured to rotate the rotating member around a rotating axis disposed along the opening/closing direction of the external door.
상기 구동 유닛은,
상기 회전 부재에 형성되는 피동 기어;
상기 피동 기어에 맞물리는 구동 기어; 및
상기 구동 기어를 회전시키는 모터를 포함하는, 고압 기판 처리 장치.
According to clause 8,
The driving unit is,
a driven gear formed on the rotating member;
a drive gear engaged with the driven gear; and
A high-pressure substrate processing device comprising a motor that rotates the driving gear.
상기 하우징에 설치되는 받침 돌기와, 상기 닫힘 상태에서 이동됨에 따라 상기 도어에 연결된 상태로 상기 받침 돌기 상에 배치되는 걸림 돌기를 구비하는 체결 모듈을 포함하고,
상기 도어는,
상기 닫힘 상태에서 상기 하우징과 접촉되는 상부 플레이트; 및
상기 상부 플레이트와 다른 레벨에 배치되는 하부 플레이트를 포함하고,
상기 걸림 돌기는,
상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트 사이에 배치되는, 고압 기판 처리 장치.
A chamber including a housing formed to accommodate a substrate to be processed and a process gas supplied at a pressure higher than atmospheric pressure, and a door formed to move between a closed state to close the housing and an open state to open the housing; and
A fastening module including a support protrusion installed on the housing and a locking protrusion disposed on the support protrusion in a state connected to the door as it moves in the closed state,
The door is
an upper plate in contact with the housing in the closed state; and
It includes a lower plate disposed at a different level from the upper plate,
The locking protrusion is,
A high-pressure substrate processing device disposed between the upper plate and the lower plate.
상기 걸림 돌기는,
상기 도어에 회전 가능하게 설치되어, 회전됨에 따라 상기 받침 돌기에 의해 지지되는, 고압 기판 처리 장치.
According to clause 10,
The locking protrusion is,
A high-pressure substrate processing device that is rotatably installed on the door and supported by the support protrusion as it rotates.
상기 도어는,
상기 상부 플레이트에 설치되는 실링재를 더 포함하고,
상기 걸림 돌기는,
상기 닫힘 상태에서, 상기 하우징과 상기 실링재 간의 접촉과 독립적으로 이동되도록 형성되는, 고압 기판 처리 장치.According to clause 10,
The door is
Further comprising a sealing material installed on the upper plate,
The locking protrusion is,
A high-pressure substrate processing apparatus configured to move independently of contact between the housing and the sealing material in the closed state.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020230065806A KR102614454B1 (en) | 2023-05-22 | 2023-05-22 | High pressure wafer processing apparatus |
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ID=89385294
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR (1) | KR102614454B1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02138730A (en) * | 1988-08-26 | 1990-05-28 | Tel Sagami Ltd | Processor and processing |
JPH07283164A (en) * | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Tokyo Electron Ltd | Device and method for heat treatment |
KR20150086831A (en) * | 2014-01-20 | 2015-07-29 | 주식회사 풍산 | Opening and closing apparatus for semiconductor substrate processing chamber |
KR20200031798A (en) * | 2018-09-17 | 2020-03-25 | 주식회사 원익아이피에스 | Gas control apparatus of reactor for wafer processing |
-
2023
- 2023-05-22 KR KR1020230065806A patent/KR102614454B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02138730A (en) * | 1988-08-26 | 1990-05-28 | Tel Sagami Ltd | Processor and processing |
JPH07283164A (en) * | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Tokyo Electron Ltd | Device and method for heat treatment |
KR20150086831A (en) * | 2014-01-20 | 2015-07-29 | 주식회사 풍산 | Opening and closing apparatus for semiconductor substrate processing chamber |
KR20200031798A (en) * | 2018-09-17 | 2020-03-25 | 주식회사 원익아이피에스 | Gas control apparatus of reactor for wafer processing |
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