KR102609664B1 - Iridium complex compound, organic electroluminescent element containing said compound, display device and lighting device - Google Patents

Iridium complex compound, organic electroluminescent element containing said compound, display device and lighting device Download PDF

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Abstract

본 발명의 과제는 신규 이리듐 착물 화합물, 및 그 화합물을 사용하여 제조함으로써, 소자 수명이 개선된 유기 전계 발광 소자, 그리고, 그 유기 전계 발광 소자를 사용한 표시 장치 및 조명 장치를 제공하는 것이다. 본 발명은 하기 식 (1) 로 나타내는 이리듐 착물 화합물에 관한 것이다.The object of the present invention is to provide a novel iridium complex compound, an organic electroluminescent device whose device life is improved by manufacturing using the compound, and a display device and lighting device using the organic electroluminescent device. The present invention relates to an iridium complex compound represented by the following formula (1).

Description

이리듐 착물 화합물, 그 화합물을 함유하는 유기 전계 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 {IRIDIUM COMPLEX COMPOUND, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT CONTAINING SAID COMPOUND, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE}Iridium complex compound, organic electroluminescent device, display device and lighting device containing the compound {IRIDIUM COMPLEX COMPOUND, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT CONTAINING SAID COMPOUND, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE}

본 발명은 이리듐 착물 화합물에 관한 것으로, 특히, 유기 전계 발광 소자의 발광층의 재료로서 유용한 이리듐 착물 화합물, 그 화합물 및 용제를 함유하는 조성물, 그 화합물을 함유하는 유기 전계 발광 소자, 그 유기 전계 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 조명에 관한 것이다.The present invention relates to an iridium complex compound, and in particular, an iridium complex compound useful as a material for a light-emitting layer of an organic electroluminescent device, a composition containing the compound and a solvent, an organic electroluminescent device containing the compound, and an organic electroluminescent device. It relates to a display device and lighting including a.

최근, 유기 EL 조명이나 유기 EL 디스플레이 등, 유기 전계 발광 소자 (이하, 「유기 EL 소자」 라고 칭한다.) 를 이용하는 각종 전자 디바이스가 실용화되고 있다. 유기 EL 소자는, 인가 전압이 낮아 소비 전력이 작고, 삼원색 발광도 가능하기 때문에, 조명이나 디스플레이에 대한 적용이 검토되고 있다. 이들을 실현하기 위해서, 발광 재료에 대해서는 발광 파장의 조정뿐만 아니라, 발광 소자의 발광 효율이나 구동 수명의 개선이 활발히 연구되고 있다.Recently, various electronic devices using organic electroluminescent elements (hereinafter referred to as “organic EL elements”), such as organic EL lighting and organic EL displays, have been put into practical use. Organic EL devices are being considered for application to lighting and displays because they require low applied voltage, consume little power, and are capable of emitting light in three primary colors. In order to realize these, active research is being conducted on not only adjusting the emission wavelength of light-emitting materials, but also improving the luminous efficiency and driving life of the light-emitting element.

발광 효율의 향상을 목적으로 하여, 유기 EL 소자의 발광층에 인광 발광 재료를 이용하는 것이 제안되어 있다. 인광 발광 재료로는, 예를 들어, 비스(2-페닐피리디나토-N,C2')이리듐아세틸아세토네이트 (Ir(ppy)2(acac)) 나, 트리스(2-페닐피리디나토-N,C2') (Ir(ppy)3) 이리듐을 비롯한 오르토메탈화 이리듐 착물이 널리 알려져 있다.For the purpose of improving luminous efficiency, it has been proposed to use a phosphorescent material in the light-emitting layer of an organic EL device. Examples of phosphorescent materials include bis(2-phenylpyridinato-N,C2')iridium acetylacetonate (Ir(ppy) 2 (acac)) and tris(2-phenylpyridinato-N). ,C2') (Ir(ppy) 3 ) Orthometalated iridium complexes, including iridium, are widely known.

인광 발광 재료를 사용하여 유기 EL 소자를 형성하는 방법으로서, 주로 진공 증착법이 이용되고 있다. 그러나 통상적으로, 소자는 발광층이나 전하 주입층, 전하 수송층 등 복수의 층을 적층함으로써 제조된다. 그 때문에 진공 증착법에서는, 증착 프로세스가 번잡해지고, 생산성이 떨어져, 이들 소자로 이루어지는 조명이나 디스플레이의 패널의 대형화가 매우 어렵다는 문제가 있었다.As a method of forming an organic EL device using a phosphorescent material, a vacuum deposition method is mainly used. However, typically, devices are manufactured by stacking multiple layers such as a light-emitting layer, a charge injection layer, and a charge transport layer. Therefore, in the vacuum deposition method, there was a problem that the deposition process became complicated, productivity was low, and it was very difficult to enlarge lighting or display panels made of these elements.

한편, 유기 EL 소자는, 도포법에 의해 성막되어, 층을 형성해 가는 것도 가능하다. 도포법에서는, 진공 증착법에 비해 안정된 층을 용이하게 형성할 수 있기 때문에, 디스플레이나 조명 장치의 양산화나 대형 디바이스에 대한 적용이 기대되고 있다.On the other hand, the organic EL element can also be formed into a film by a coating method to form a layer. Since the coating method can form a stable layer more easily than the vacuum deposition method, it is expected to be applied to mass production of displays and lighting devices and large devices.

도포법에 의한 성막을 위해서는, 층에 포함되는 유기 재료가 유기 용매에 용해되기 쉬운 것이 필요하다. 통상적으로 톨루엔과 같은 저비점이고 저점도인 용매가 사용된다. 이와 같은 용매로 제조한 잉크는, 스핀 코트법 등에 의해 용이하게 성막할 수 있다.For film formation by a coating method, it is necessary that the organic material contained in the layer is easily soluble in an organic solvent. Typically, a low boiling point and low viscosity solvent such as toluene is used. Ink produced with such a solvent can be easily formed into a film by a spin coating method or the like.

도포법에 의한 유기 EL 소자의 제조에 대해서는, 주로 오르토메탈화 이리듐 착물의 용해성을 향상시키는 것이 필요하다. 일반적으로는, 알킬기나 아르알킬기 등 특정한 관능기를 가용화 기로서 분자 구조에 도입하는 것을 들 수 있다 (특허문헌 1, 2). 또, 가용화 기를 도입하지 않고도 배위자의 구조를 연구함으로써 용해성을 향상시킨 예도 있다 (특허문헌 3).For the production of organic EL devices by the coating method, it is mainly necessary to improve the solubility of the ortho-metalated iridium complex. In general, a specific functional group such as an alkyl group or aralkyl group can be introduced into the molecular structure as a solubilizing group (Patent Documents 1 and 2). Additionally, there is an example in which solubility was improved by studying the structure of the ligand without introducing a solubilizing group (Patent Document 3).

국제 공개 제2004/026886호International Publication No. 2004/026886 국제 공개 제2013/105615호International Publication No. 2013/105615 일본 공개특허공보 2014-74000호Japanese Patent Publication No. 2014-74000

그러나, 이들 특허문헌에 있어서는, 인광 발광 재료의 유기 용매로의 용해되기 쉬움에 대해서는, 인광 발광 재료 단독으로의 용해도에 주목하고 있을 뿐이었다. 실제로 유기 EL 소자의 발광층으로서 인광 발광 재료를 사용하는 경우, 아울러 전하 수송 재료를 혼합시킨 조성물로서 사용하는 것이 일반적이지만, 이와 같은 조성물로서의 유기 용매에 대한 용해성에 대해서는 주목받고 있지 않았다. 즉, 인광 발광 재료 단독으로는 유기 용매에 용해되고, 장기 보존해도 결정으로서 석출되지 않고, 보존 안정성도 양호한 인광 발광 재료이더라도, 전하 수송 재료와 혼합한 조성물의 상태에서는, 상기 보존 안정성에 문제를 발생할 가능성이 있는 것을 알 수 있었다.However, in these patent documents, the solubility of the phosphorescent material alone was focused on the easiness of dissolution of the phosphorescent material in an organic solvent. In practice, when using a phosphorescent material as a light emitting layer of an organic EL device, it is common to use a composition in which a charge transport material is mixed. However, no attention has been paid to the solubility of such a composition in organic solvents. In other words, even if the phosphorescent material alone is soluble in an organic solvent, does not precipitate as crystals even when stored for a long period of time, and has good storage stability, a problem with the storage stability may occur when the composition is mixed with a charge transport material. I could see that there was a possibility.

또, 인광 발광 재료인 이리듐 착물은 환원에 약하기 때문에, 전자를 수취하여 아니온 상태가 되면, 이리듐 착물 자체가 열화되거나, 발광층 내에 있어서 이리듐 착물의 주위에 존재하는 전하 수송 재료를 열화시킴으로써, 소자의 발광 효율이나 구동 수명을 저하시킨다는 문제가 있었다. Additionally, since the iridium complex, which is a phosphorescent material, is weak to reduction, when it receives electrons and enters an anion state, the iridium complex itself is deteriorated or the charge transport material existing around the iridium complex in the light-emitting layer is deteriorated, thereby deteriorating the device. There was a problem of lowering luminous efficiency and driving life.

또한, 발광 효율이나 구동 수명의 향상의 더 나은 방법의 하나로서, 발광층 내의 이리듐 착물의 농도를 높게 하는, 소위 헤비 도프가 실시되는 경우가 있다. 그러나, 상기 특허에 구체적으로 기재되어 있는 이리듐 착물을 사용하여 통상적인 도프 농도의 소자에 더하여, 헤비 도프한 소자를 검토한 바, 원래의 발광 효율이 낮기 때문에 헤비 도프에 의해서도 효율이 높아지지 않거나, 혹은 구동 수명이 반대로 저하되어 버린다는 문제점이 발견되었다. Additionally, as a better way to improve luminous efficiency or drive life, so-called heavy doping, which increases the concentration of iridium complex in the luminescent layer, is sometimes performed. However, as a result of examining heavily doped devices in addition to devices with typical dope concentrations using the iridium complex specifically described in the above patent, the original luminous efficiency was low, so heavy doping did not increase the efficiency. Alternatively, a problem was discovered in which the drive life was conversely reduced.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 전하 수송 재료와 혼합한 조성물 상태에서도 양호한 보존 안정성을 갖고, 또한, 그 조성물을 사용하여 형성된 발광층을 갖는 유기 전계 발광 소자의 소자 특성이 개선된 이리듐 착물 화합물을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention was made in view of the above problems, and provides an iridium complex that has good storage stability even in the state of a composition mixed with a charge transport material and has improved device characteristics of an organic electroluminescent device having a light-emitting layer formed using the composition. The task is to provide a compound.

또, 본 발명은, 소자 수명이 개선된 유기 전계 발광 소자, 그리고 그 유기 전계 소자를 사용한 표시 장치 및 조명 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. Another object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device with improved device life, and a display device and lighting device using the organic electroluminescent device.

본 발명자들이 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 실시한 결과, 어느 특정한 화학 구조를 갖는 이리듐 착물 화합물이, 전하 수송 재료와 혼합한 조성물의 상태에서도 보존 안정성이 양호하고, 또한, 그 조성물을 사용하여 형성된 발광층을 갖는 유기 전계 발광 소자의 발광 효율을 높이고, 또한, 구동 수명을 길게 할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명의 완성에 이르렀다.As a result of intensive studies by the present inventors to solve the above problems, the iridium complex compound having a certain chemical structure has good storage stability even in the state of a composition mixed with a charge transport material, and can be formed using the composition. It was discovered that the luminous efficiency of an organic electroluminescent device having a light-emitting layer could be increased and the driving life could be extended, and the present invention was completed.

즉, 본 발명의 요지는 하기 [1] ∼ [9] 에 있다.That is, the gist of the present invention lies in the following [1] to [9].

[1] 하기 식 (1) 로 나타내는 이리듐 착물 화합물.[1] An iridium complex compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112017115369377-pct00001
Figure 112017115369377-pct00001

식 (1) 에 있어서, Ir 은 이리듐 원자를 나타낸다. In formula (1), Ir represents an iridium atom.

고리 Cy1 은 탄소 원자 C1 및 C2 를 포함하는 방향 고리 또는 헤테로 방향 고리를 나타내고, Ring Cy 1 represents an aromatic ring or heteroaromatic ring containing carbon atoms C 1 and C 2 ,

고리 Cy2 는 탄소 원자 C3 및 질소 원자 N1 을 포함하는 6 원자 고리 헤테로 방향 고리를 나타내고, Ring Cy 2 represents a 6-membered ring heteroaromatic ring containing carbon atom C 3 and nitrogen atom N 1 ,

고리 Cy3 은 탄소 원자 C4 및 C5 를 포함하는 방향 고리 또는 헤테로 방향 고리를 나타내고, Ring Cy 3 represents an aromatic ring or heteroaromatic ring containing carbon atoms C 4 and C 5 ,

고리 Cy4 는 탄소 원자 C6 및 질소 원자 N2 를 포함하는 6 원자 고리 헤테로 방향 고리를 나타낸다.Ring Cy 4 represents a 6-membered ring heteroaromatic ring containing a carbon atom C 6 and a nitrogen atom N 2 .

m = 1 또는 2 이고,m = 1 or 2,

m+n = 3 이다.m+n = 3.

a, b, c, d 는 각각 독립적으로 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.a, b, c, and d each independently represent an integer from 1 to 4.

R1 ∼ R4 는 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 아미노기, 하이드록실기, 메르캅토기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 30 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬아미노기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴옥시기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 3 ∼ 30 의 헤테로아릴기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기, 탄소수 7 ∼ 40 의 아르알킬기, 식 (2) 또는 식 (3) 에서 선택된다.R 1 to R 4 are each independently hydrogen atom, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, amino group, hydroxyl group, mercapto group, alkyl group of 1 to 30 carbon atoms, alkoxy group of 1 to 30 carbon atoms, or 2 to 2 carbon atoms. Alkenyl group with 30 carbon atoms, alkylamino group with 1 to 30 carbon atoms, aryloxy group with 3 to 30 carbon atoms, aryl group with 3 to 30 carbon atoms, heteroaryl group with 3 to 30 carbon atoms, arylamino group with 3 to 30 carbon atoms, 7 to 7 carbon atoms An aralkyl group of 40 is selected from formula (2) or formula (3).

단, R1 또는 R2 중 적어도 1 개는 하기 식 (2) 로 나타내고, R3 또는 R4 중 적어도 1 개는 하기 식 (3) 으로 나타낸다.However, at least one of R 1 or R 2 is represented by the following formula (2), and at least one of R 3 or R 4 is represented by the following formula (3).

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112017115369377-pct00002
Figure 112017115369377-pct00002

식 (2) 에 있어서, x 는 0 ∼ 10 의 정수를 나타낸다.In formula (2), x represents an integer of 0 to 10.

h 는 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.h represents an integer from 1 to 3.

* 는 결합손을 나타낸다.* indicates a binding hand.

R 은 그 출현마다 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 시아노기, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 20 의 알콕시기, 탄소수 5 ∼ 30 의 아릴기로 추가로 치환되어 있어도 되는 아미노기 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 아실기에서 선택된다.R may be the same or different for each occurrence, and each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a cyano group, an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom, or an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms. It is selected from an alkoxy group of 20 carbon atoms, an amino group that may be further substituted with an aryl group of 5 to 30 carbon atoms, or an acyl group of 1 to 20 carbon atoms.

R' 는 그 출현마다 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 각각 독립적으로, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기 또는 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 40 의 아르알킬기에서 선택된다.R' may be the same or different at each occurrence, and are each independently selected from an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms that may be further substituted with a fluorine atom or an aralkyl group having 1 to 40 carbon atoms that may be further substituted with a fluorine atom. do.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112017115369377-pct00003
Figure 112017115369377-pct00003

식 (3) 에 있어서, k 는 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다.In formula (3), k represents an integer of 0 to 5.

y 는 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다.y represents an integer from 1 to 10.

* 는 결합손을 나타낸다.* indicates a binding hand.

R 은 식 (2) 와 동일한 의미이고, R has the same meaning as equation (2),

R" 는 그 출현마다 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 각각 독립적으로, 불소 원자, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기 또는 아릴기로 치환되어 있어도 되는 나프틸기, 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 헤테로아릴기에서 선택된다.R" may be the same or different depending on its appearance, and each independently represents a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms that may be further substituted with a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a naph that may be substituted with an aryl group. It is selected from a til group or a heteroaryl group having 1 to 20 carbon atoms.

상기 식 (2) 및 상기 식 (3) 으로 나타내는 기를 제외한 상기 R1 ∼ R4 의 기는, 또한, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기 또는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기로 치환되어 있어도 된다.The groups of R 1 to R 4 , excluding the groups represented by the formulas (2) and (3), are also an alkyl group of 1 to 30 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or a fluorine atom, It may be further substituted with an alkyl group with 1 to 30 carbon atoms, an aryl group with 3 to 30 carbon atoms, or an arylamino group with 3 to 30 carbon atoms.

R1 ∼ R4 가 각각 복수 개 있는 경우에는, 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.When there are multiple R 1 to R 4 , each may be the same or different.

복수의 R1 ∼ R4 가 서로 이웃하는 경우, 이웃하고 있는 R1 ∼ R4 끼리가, 직접 결합 혹은 탄소수 3 ∼ 12 의 알킬렌기, 탄소수 3 ∼ 12 의 알케닐렌기 혹은 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴렌기를 개재하여 결합하여, 고리를 형성해도 되고, 이들 고리는 또한, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알콕시기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴옥시기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기 또는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기로 치환되어 있어도 된다.When a plurality of R 1 to R 4 are adjacent to each other, the adjacent R 1 to R 4 are directly bonded to each other or are formed by an alkylene group having 3 to 12 carbon atoms, an alkenylene group having 3 to 12 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. They may be bonded through a lene group to form a ring, and these rings may be an alkyl group with 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group with 1 to 30 carbon atoms, which may be further substituted with a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or a fluorine atom, It may be substituted with an aryloxy group with 3 to 30 carbon atoms, an aryl group with 1 to 30 carbon atoms, an aryl group with 3 to 30 carbon atoms, or an arylamino group with 3 to 30 carbon atoms.

또, R1 과 R2 혹은 R3 과 R4 가, 직접 결합 혹은 탄소수 3 ∼ 12 의 알킬렌기, 탄소수 3 ∼ 12 의 알케닐렌기 혹은 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴렌기를 개재하여 결합하여, 고리를 형성해도 되고, 이들 고리는 또한, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알콕시기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴옥시기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기 또는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기로 치환되어 있어도 된다.In addition, R 1 and R 2 or R 3 and R 4 are directly bonded or bonded through an alkylene group with 3 to 12 carbon atoms, an alkenylene group with 3 to 12 carbon atoms, or an arylene group with 6 to 12 carbon atoms, forming a ring. These rings may be formed of a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an aryloxy group having 3 to 30 carbon atoms, which may be further substituted with a fluorine atom, It may be further substituted with an alkyl group with 1 to 30 carbon atoms, an aryl group with 3 to 30 carbon atoms, or an arylamino group with 3 to 30 carbon atoms.

[2] 상기 식 (2) 가 하기 식 (4) 로 나타내어지고, 또한, 상기 식 (3) 이 하기 식 (5) 로 나타내어지는 [1] 에 기재된 이리듐 착물 화합물. [2] The iridium complex compound described in [1], wherein the formula (2) is represented by the formula (4), and the formula (3) is represented by the formula (5).

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112017115369377-pct00004
Figure 112017115369377-pct00004

p 는 0 내지 2 의 정수를 나타내고,p represents an integer from 0 to 2,

q 는 0 내지 10 의 정수를 나타내고,q represents an integer from 0 to 10,

r 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고,r represents an integer from 0 to 2,

p+q+r 은 0 내지 10 의 정수이다.p+q+r is an integer from 0 to 10.

* 는 결합손을 나타낸다.* indicates a binding hand.

R, R' 및 h 는 식 (2) 와 동일한 의미이다.R, R' and h have the same meaning as in equation (2).

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112017115369377-pct00005
Figure 112017115369377-pct00005

s 는 0 내지 2 의 정수를 나타내고,s represents an integer from 0 to 2,

t 는 1 내지 10 의 정수를 나타내고,t represents an integer from 1 to 10,

u 는 0 내지 2 의 정수를 나타내고,u represents an integer from 0 to 2,

w 는 0 내지 4 의 정수를 나타내고,w represents an integer from 0 to 4,

s+t+u+w 는 1 내지 10 의 정수이다.s+t+u+w is an integer from 1 to 10.

* 는 결합손을 나타낸다.* indicates a binding hand.

R, R" 및 k 는 식 (3) 과 동일한 의미이다.R, R" and k have the same meaning as in equation (3).

[3] R1 중 적어도 1 개는 식 (2) 또는 식 (4) 로 나타내고, 또한, R3 중 적어도 1 개는 식 (3) 또는 식 (5) 로 나타내는 [1] 또는 [2] 에 기재된 이리듐 착물 화합물.[3] At least one of R 1 is represented by formula (2) or formula (4), and at least one of R 3 is represented by formula (3) or formula (5) in [1] or [2] The iridium complex compounds described.

[4] R' 는 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 4 ∼ 40 의 아르알킬기에서 선택되는 [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 이리듐 착물 화합물.[4] The iridium complex compound according to any one of [1] to [3], wherein R' is selected from an aralkyl group having 4 to 40 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom.

[5] Cy1 및 Cy3 이 벤젠 고리인 [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 이리듐 착물 화합물.[5] The iridium complex compound according to any one of [1] to [4], wherein Cy 1 and Cy 3 are benzene rings.

[6] [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 이리듐 착물 화합물 및 유기 용제를 함유하는 조성물.[6] A composition containing the iridium complex compound according to any one of [1] to [5] and an organic solvent.

[7] [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 이리듐 착물 화합물을 포함하는, 유기 전계 발광 소자.[7] An organic electroluminescent device comprising the iridium complex compound according to any one of [1] to [5].

[8] [7] 에 기재된 유기 전계 발광 소자를 갖는 표시 장치.[8] A display device having the organic electroluminescent element according to [7].

[9] [7] 에 기재된 유기 전계 발광 소자를 갖는 조명 장치.[9] A lighting device having the organic electroluminescent element according to [7].

본 발명의 이리듐 착물 화합물은, 유기 용제에 가용이고, 도포법에 의해 유기 전계 발광 소자의 제조가 가능하다. 그 이리듐 착물 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자의 발광 효율이 높고 또한 구동 수명이 길기 때문에, 그 이리듐 착물 화합물은 유기 전계 발광 소자용 재료로서 유용하다. 또한, 그 이리듐 착물 화합물을 사용하여 얻어진 유기 전계 발광 소자는, 표시 장치 및 조명 장치용으로서 유용하다.The iridium complex compound of the present invention is soluble in organic solvents, and an organic electroluminescent device can be produced by a coating method. Since the luminous efficiency of an organic electroluminescent device containing the iridium complex compound is high and the driving life is long, the iridium complex compound is useful as a material for an organic electroluminescent device. Additionally, organic electroluminescent elements obtained using the iridium complex compound are useful for display devices and lighting devices.

도 1 은, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 구조의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the structure of an organic electroluminescent device of the present invention.

이하에, 본 발명의 실시형태를 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.Below, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments and can be implemented with various modifications within the scope of the gist.

여기서, 본 명세서에 있어서 “질량%" 와 “중량%" 및 “질량부" 와 “중량부" 는, 각각 동일한 의미이다.Here, in this specification, “mass%” and “weight%” and “mass parts” and “weight parts” each have the same meaning.

<이리듐 착물 화합물><Iridium complex compound>

본 발명의 이리듐 착물 화합물은, 하기 식 (1) 로 나타내는 화합물이다.The iridium complex compound of the present invention is a compound represented by the following formula (1).

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112017115369377-pct00006
Figure 112017115369377-pct00006

이하, 식 (1) 의 각 구성에 대해 상세히 서술한다.Hereinafter, each component of equation (1) will be described in detail.

<고리 Cy1 및 고리 Cy3<ring Cy 1 and ring Cy 3 >

고리 Cy1 은 이리듐 원자에 배위하는 탄소 원자 C1 및 C2 를 포함하는 방향 고리 또는 헤테로 방향 고리를 나타내고, 고리 Cy3 은 이리듐 원자에 배위하는 탄소 원자 C4 및 C5 를 포함하는 방향 고리 또는 헤테로 방향 고리를 나타낸다. 구체적으로는, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리, 페난트렌 고리, 페릴렌 고리, 테트라센 고리, 피렌 고리, 벤즈피렌 고리, 크리센 고리, 트리페닐렌 고리, 플루오란텐 고리, 푸란 고리, 벤조푸란 고리, 디벤조푸란 고리, 티오펜 고리, 벤조티오펜 고리, 디벤조티오펜 고리, 피롤 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 옥사디아졸 고리, 인돌 고리, 카르바졸 고리, 피롤로이미다졸 고리, 피롤로피라졸 고리, 피롤로피롤 고리, 티에노피롤 고리, 티에노티오펜 고리, 프로피롤 고리, 프로푸란 고리, 티에노푸란 고리, 벤조이소옥사졸 고리, 벤조이소티아졸 고리, 벤조이미다졸 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리다진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 퀴놀린 고리, 이소퀴놀린 고리, 신놀린 고리, 퀴녹살린 고리, 벤조이미다졸 고리, 페리미딘 고리, 퀴나졸린 고리, 퀴나졸리논 고리가 바람직하다. 이들 중에서도, 발광 파장이나 용해성 향상 혹은 소자의 파장 제어 그리고 내구성 향상을 위해서는, 이들 고리 상에 적절한 치환기가 도입되는 경우가 많고, 그러한 치환기의 도입 방법이 많이 알려져 있는 고리인 것이 바람직하다. 고리 Cy1 및 고리 Cy3 은 탄화수소 방향 고리인 것이 더욱 바람직하고, 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리인 것이 보다 바람직하고, 벤젠 고리인 것이 특히 바람직하다.Ring Cy 1 represents an aromatic ring or heteroaromatic ring containing carbon atoms C 1 and C 2 coordinated to an iridium atom, and ring Cy 3 represents an aromatic ring containing carbon atoms C 4 and C 5 coordinated to an iridium atom, or Represents a heteroaromatic ring. Specifically, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, furan ring, benzoyl ring. Furan ring, dibenzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, propyrole ring, propuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, benzoimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazoly Non-rings are preferred. Among these, in order to improve the emission wavelength or solubility, control the wavelength of the device, and improve durability, rings in which appropriate substituents are often introduced on these rings, and methods for introducing such substituents are widely known, are preferable. Ring Cy 1 and ring Cy 3 are more preferably hydrocarbon aromatic rings, more preferably benzene rings or naphthalene rings, and particularly preferably benzene rings.

<고리 Cy2 및 고리 Cy4<ring Cy 2 and ring Cy 4 >

고리 Cy2 는 탄소 원자 C3 및 이리듐 원자에 배위하는 질소 원자 N1 을 포함하는 6 원자 고리 헤테로 방향 고리를 나타내고, 고리 Cy4 는 탄소 원자 C6 및 이리듐 원자에 배위하는 질소 원자 N2 를 포함하는 6 원자 고리 헤테로 방향 고리를 나타낸다. 구체적으로는, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리다진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 퀴놀린 고리, 이소퀴놀린 고리, 신놀린 고리, 퀴녹살린 고리, 페리미딘 고리, 퀴나졸린 고리, 퀴나졸리논 고리가 바람직하다. 이들 중에서도, 치환기를 도입하기 쉽고 발광 파장이나 용해성을 조정하기 쉬운 것, 및, 이리듐과 착물화할 때에 양호한 수율로 합성할 수 있는 수법이 많이 알려져 있다는 점에서, 바람직하게는, 피리딘 고리, 피라진 고리, 퀴놀린 고리, 이소퀴놀린 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 퀴녹살린 고리, 퀴나졸린 고리이고, 보다 바람직하게는, 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 퀴놀린 고리, 이소퀴놀린 고리, 퀴녹살린 고리이다.Ring Cy 2 represents a 6-membered heteroaromatic ring containing a carbon atom C 3 and a nitrogen atom N 1 coordinated to an iridium atom, and ring Cy 4 contains a carbon atom C 6 and a nitrogen atom N 2 coordinated to an iridium atom. It represents a 6-membered heteroaromatic ring. Specifically, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a cinnoline ring, a quinoxaline ring, a perimidine ring, a quinazoline ring, and a quinazolinone ring. desirable. Among these, because it is easy to introduce a substituent, easy to adjust the emission wavelength and solubility, and many methods are known for synthesizing it with good yield when complexing with iridium, pyridine ring, pyrazine ring, They are a quinoline ring, an isoquinoline ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, a quinoxaline ring, and a quinazoline ring, and more preferably, a pyridine ring, a pyrimidine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, and a quinoxaline ring.

<R1, R2, R3, R4<R 1 , R 2 , R 3 , R 4

R1, R2, R3, R4 는, 각각, 고리 Cy1, 고리 Cy2, 고리 Cy3, 고리 Cy4 에 결합하는 기를 나타낸다. R1, R2, R3, R4 는, 그것들이 복수 개 있는 경우, 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. R1 ∼ R4 는 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 아미노기, 하이드록실기, 메르캅토기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 30 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬아미노기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴옥시기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 3 ∼ 30 의 헤테로아릴기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기, 탄소수 7 ∼ 40 의 아르알킬기, 식 (2) 또는 식 (3) 에서 선택된다.R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 represent groups bonded to ring Cy 1 , ring Cy 2 , ring Cy 3 , and ring Cy 4, respectively. When there are two or more R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 , they may be the same or different. R 1 to R 4 are each independently hydrogen atom, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, amino group, hydroxyl group, mercapto group, alkyl group of 1 to 30 carbon atoms, alkoxy group of 1 to 30 carbon atoms, or 2 to 2 carbon atoms. Alkenyl group with 30 carbon atoms, alkylamino group with 1 to 30 carbon atoms, aryloxy group with 3 to 30 carbon atoms, aryl group with 3 to 30 carbon atoms, heteroaryl group with 3 to 30 carbon atoms, arylamino group with 3 to 30 carbon atoms, 7 to 7 carbon atoms An aralkyl group of 40 is selected from formula (2) or formula (3).

a, b, c, d 는 각각 독립적으로 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.a, b, c, and d each independently represent an integer from 1 to 4.

a 는, 착물의 용해성을 충분히 유지하고 또한 정공의 수송성이 양호하다는 관점에서, 바람직하게는 1 ∼ 2 이고, 가장 바람직하게는 1 이다.a is preferably 1 to 2, and most preferably 1, from the viewpoint of sufficiently maintaining the solubility of the complex and having good hole transport properties.

b 는, 착물의 용해성을 충분히 유지하고 또한 내구성과 발광색을 조절한다는 관점에서, 바람직하게는 0 ∼ 2 이고, 보다 바람직하게는 0 ∼ 1 이며, 가장 바람직하게는 0 이다.From the viewpoint of sufficiently maintaining the solubility of the complex and controlling durability and emission color, b is preferably 0 to 2, more preferably 0 to 1, and most preferably 0.

c 는, 착물의 용해성을 충분히 유지하고 또한 정공의 수송성이 양호하다는 관점에서, 바람직하게는 1 ∼ 2 이고, 가장 바람직하게는 1 이다.c is preferably 1 to 2, and most preferably 1, from the viewpoint of sufficiently maintaining the solubility of the complex and having good hole transport properties.

d 는, 착물의 용해성을 충분히 유지하고 또한 내구성과 발광색을 조절한다는 관점에서, 바람직하게는 0 ∼ 2 이고, 보다 바람직하게는 0 ∼ 1 이며, 가장 바람직하게는 0 이다.d is preferably 0 to 2, more preferably 0 to 1, and most preferably 0 from the viewpoint of sufficiently maintaining the solubility of the complex and controlling durability and emission color.

단, R1 또는 R2 중 적어도 하나는 하기 식 (2) 로 나타내는 기이다. 소자 내부에 있어서 발광 재료는 전하를 수송할 수 있지만, 특히 헤비 도프 소자에 있어서는 정공을 수송하는 역할을 담당하는 것으로 생각된다. 정공이 잘 수송되지 않으면, 발광층 중에서의 전하 재결합에 위치가 한정되기 때문에 발광 효율 나아가서는 구동 수명이 저하된다. 정공의 수송은 고리 Cy1 과 그 치환기에 많이 의존하기 때문에, 정공을 수송하기 쉽게 한다는 관점에서 적어도 하나의 R1 이 식 (2) 로 나타내는 기인 것이 바람직하다.However, at least one of R 1 or R 2 is a group represented by the following formula (2). Inside a device, the light-emitting material can transport charges, but it is thought that it plays a role in transporting holes, especially in heavy doped devices. If holes are not transported well, the location for charge recombination in the light-emitting layer is limited, and thus luminous efficiency and driving life decrease. Since hole transport largely depends on ring Cy 1 and its substituents, it is preferable that at least one R 1 is a group represented by formula (2) from the viewpoint of facilitating hole transport.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112017115369377-pct00007
Figure 112017115369377-pct00007

x 는 0 ∼ 10 의 정수를 나타내고, 착물의 용해성을 충분히 유지하고 또한 정공의 수송성이 양호하다는 관점에서, 바람직하게는 0 이상이고, 더욱 바람직하게는 1 이상이며, 더욱 바람직하게는 2 이상이다. 또, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 8 이하, 더욱 바람직하게는 6 이하이다.x represents an integer of 0 to 10, and is preferably 0 or more, more preferably 1 or more, and even more preferably 2 or more from the viewpoint of sufficiently maintaining the solubility of the complex and having good hole transport properties. Moreover, it is preferably 10 or less, more preferably 8 or less, and even more preferably 6 or less.

h 는 1 ∼ 3 의 정수를 나타내고, 착물의 용해성을 충분히 유지한다는 관점에서, 바람직하게는 1 이다.h represents an integer of 1 to 3, and is preferably 1 from the viewpoint of sufficiently maintaining the solubility of the complex.

* 는 결합손을 나타낸다.* indicates a binding hand.

R 은 그 출현마다 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 시아노기, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 20 의 알콕시기, 탄소수 5 ∼ 30 의 아릴기로 추가로 치환되어 있어도 되는 아미노기 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 아실기에서 선택되고, 바람직하게는 수소 원자, 불소 원자, 시아노기, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기이다. 정공 수송성을 높이는 관점에서, R 은 수소 원자인 것이 보다 바람직하고, 모든 R 이 수소 원자인 것이 특히 바람직하다. 또, 발광 파장을 단파장화하는 관점에서는, 적어도 하나의 R 이 불소 원자, 시아노기, 또는 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기인 것이 바람직하고, 하나의 배위자가 갖는 R 중, 1 개 또는 2 개의 R 만이 불소 원자, 시아노기, 또는 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 하나의 배위자가 갖는 R 중, 1 개의 R 만이 시아노기, 또는 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기인 것이 가장 바람직하다.R may be the same or different for each occurrence, and each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a cyano group, an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom, or an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms. It is selected from an alkoxy group of 20, an amino group which may be further substituted by an aryl group of 5 to 30 carbon atoms, or an acyl group of 1 to 20 carbon atoms, and is preferably further substituted by a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group or a fluorine atom. It is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. From the viewpoint of improving hole transport properties, it is more preferable that R is a hydrogen atom, and it is particularly preferable that all R are hydrogen atoms. Also, from the viewpoint of shortening the emission wavelength, it is preferable that at least one R is a fluorine atom, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom. Among the R that one ligand has, It is more preferable that only one or two R's are a fluorine atom, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom, and among the R's possessed by one ligand, only one R is a cyano group, or Most preferably, it is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom.

R' 는 그 출현마다 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 각각 독립적으로, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 4 ∼ 20 의 알킬기 또는 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 4 ∼ 40 의 아르알킬기에서 선택되고, 바람직하게는 탄소수 5 ∼ 12 의 직사슬 알킬기 또는 탄소수 4 ∼ 40 의 아르알킬기이고, 더욱 바람직하게는 탄소수 4 ∼ 40 의 아르알킬기이다.R' may be the same or different depending on their occurrence, and are each independently selected from an alkyl group having 4 to 20 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom or an aralkyl group having 4 to 40 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom. It is preferably a straight-chain alkyl group with 5 to 12 carbon atoms or an aralkyl group with 4 to 40 carbon atoms, and more preferably an aralkyl group with 4 to 40 carbon atoms.

탄소수 4 ∼ 20 의 알킬기의 예로는, 직사슬의 알킬기 및 분기의 알킬기, 고리형의 알킬기 등이며, 보다 구체적으로는, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 용해성과 내구성의 관점에서, 직사슬의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 12 의 직사슬 알킬기가 보다 바람직하다.Examples of alkyl groups having 4 to 20 carbon atoms include straight-chain alkyl groups, branched alkyl groups, and cyclic alkyl groups. More specifically, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, and n-octyl group. , isopropyl group, isobutyl group, cyclohexyl group, etc. From the viewpoint of solubility and durability, a straight-chain alkyl group is preferable, and a straight-chain alkyl group having 5 to 12 carbon atoms is more preferable.

탄소수 4 ∼ 40 의 아르알킬기의 예로는, 페닐메틸기, 페닐에틸기, 1,1-디메틸-1-페닐메틸기, 3-페닐-1-프로필기, 4-페닐-1-n-부틸기, 1-메틸-1-페닐에틸기, 5-페닐-1-n-프로필기, 6-페닐-1-n-헥실기, 7-페닐-1-n-헵틸기, 8-페닐-1-n-옥틸기, 4-페닐시클로헥실기 등을 들 수 있다.Examples of aralkyl groups having 4 to 40 carbon atoms include phenylmethyl group, phenylethyl group, 1,1-dimethyl-1-phenylmethyl group, 3-phenyl-1-propyl group, 4-phenyl-1-n-butyl group, 1- Methyl-1-phenylethyl group, 5-phenyl-1-n-propyl group, 6-phenyl-1-n-hexyl group, 7-phenyl-1-n-heptyl group, 8-phenyl-1-n-octyl group , 4-phenylcyclohexyl group, etc.

이리듐 착물의 용해성을 유지하고, 또한, 발광층 내에 있어서의 전하 수송 재료와의 친화성을 높이고 분산성을 향상시키고 응집을 억제할 수 있으면, 소자의 발광 효율이나 구동 수명이 손상되는 일이 적어진다. 그 관점에서, R' 로서 바람직한 기는, 용해성을 담보하는 알킬렌 부위와 전하 수송 재료와의 친화성을 갖는 방향족기를 동시에 갖는 탄소수 4 ∼ 40 의 아르알킬기이고, 더욱 바람직한 기는 탄소수 4 ∼ 30 의 아르알킬기이고, 특히 바람직하게는, 용매에 대한 용해성과 합성의 용이함의 관점에서, 1,1-디메틸-1-페닐메틸기, 5-페닐-1-n-프로필기, 6-페닐-1-n-헥실기, 7-페닐-1-n-헵틸기 및 8-페닐-1-n-옥틸기이다.If the solubility of the iridium complex is maintained, affinity with the charge transport material in the light-emitting layer is increased, dispersibility is improved, and aggregation can be suppressed, the luminous efficiency and driving life of the device are less likely to be impaired. From that point of view, a preferable group as R' is an aralkyl group having 4 to 40 carbon atoms having both an alkylene moiety that ensures solubility and an aromatic group having affinity for the charge transport material, and a more preferable group is an aralkyl group having 4 to 30 carbon atoms. And, especially preferably, from the viewpoint of solubility in solvents and ease of synthesis, 1,1-dimethyl-1-phenylmethyl group, 5-phenyl-1-n-propyl group, 6-phenyl-1-n-hex. Syl group, 7-phenyl-1-n-heptyl group, and 8-phenyl-1-n-octyl group.

또, R3 또는 R4 중 적어도 하나는 하기 식 (3) 으로 나타내는 기이다. 소자 내부에 있어서 발광 재료는 전하를 수송할 수 있지만, 특히 헤비 도프 소자에 있어서는 정공을 수송하는 역할을 담당하는 것으로 생각된다. 정공이 잘 수송되지 않으면, 발광층 중에서의 전하 재결합에 위치가 한정되기 때문에 발광 효율 나아가서는 구동 수명이 저하된다. 정공의 수송은 고리 Cy3 과 그 치환기에 많이 의존하기 때문에, 정공을 수송하기 쉽게 한다는 관점에서 적어도 하나의 R3 이 식 (3) 으로 나타내는 기인 것이 바람직하다.Moreover, at least one of R 3 or R 4 is a group represented by the following formula (3). Inside a device, the light-emitting material can transport charges, but it is thought that it plays a role in transporting holes, especially in heavy doped devices. If holes are not transported well, the location for charge recombination in the light-emitting layer is limited, and thus luminous efficiency and driving life decrease. Since hole transport largely depends on the ring Cy 3 and its substituents, it is preferable that at least one R 3 is a group represented by formula (3) from the viewpoint of facilitating hole transport.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112017115369377-pct00008
Figure 112017115369377-pct00008

y 는 1 ∼ 10 의 정수를 나타내고, 착물의 용해성을 충분히 유지하고 또한 정공의 수송성이 양호하다는 관점에서, 바람직하게는 2 이상이다. 또, 바람직하게는 8 이하, 더욱 바람직하게는 6 이하이다.y represents an integer of 1 to 10, and is preferably 2 or more from the viewpoint of sufficiently maintaining the solubility of the complex and good hole transport. Moreover, it is preferably 8 or less, and more preferably 6 or less.

k 는 0 ∼ 5 의 정수를 나타내고, 착물의 용해성을 충분히 유지하고 또한 정공의 수송성이 양호하다는 관점에서 0 또는 1 이 바람직하고, 보다 정공의 수송성이 양호하다는 관점에서 0 이 보다 바람직하다.k represents an integer of 0 to 5, and is preferably 0 or 1 from the viewpoint of sufficiently maintaining the solubility of the complex and having good hole transport, and 0 is more preferable from the viewpoint of having better hole transport.

* 는 결합손을 나타낸다.* indicates a binding hand.

식 (3) 중의 R 은, 식 (2) 와 동일한 의미이다.R in formula (3) has the same meaning as formula (2).

R" 는 그 출현마다 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 각각 독립적으로, 불소 원자, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기 또는 아릴기로 치환되어 있어도 되는 나프틸기, 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 아릴기로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴기에서 선택된다. 정공의 수송성을 촉진한다는 관점에서, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기 또는 나프틸기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기 또는 나프틸기가 더욱 바람직하다.R" may be the same or different depending on its appearance, and each independently represents a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms that may be further substituted with a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a naph that may be substituted with an aryl group. It is selected from a tyl group or a heteroaryl group which may be substituted with an aryl group having 1 to 20 carbon atoms. From the viewpoint of promoting hole transport, an alkyl group or naphthyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, and an alkyl group or naphthyl group having 1 to 3 carbon atoms is more preferable.

R1 중 적어도 1 개는 식 (2) 로 나타내고, 또한, R3 중 적어도 1 개는 식 (3) 으로 나타내는 것이 가장 바람직하다. 이 때 본원 발명에 있어서의 이리듐 착물은, R1 로서 적어도 하나의 알킬기 또는 아르알킬기, 바람직하게는 아르알킬기를 갖고, 또한, R3 으로서 적어도 하나의, 페닐렌기를 2 개 이상 연결한 기를 가짐으로써, 후술하는 바와 같이 본원 발명의 효과를 얻기 쉬워진다.It is most preferable that at least one of R 1 is represented by formula (2), and at least one of R 3 is represented by formula (3). At this time, the iridium complex in the present invention has at least one alkyl group or aralkyl group, preferably an aralkyl group, as R 1 and has at least one group of two or more phenylene groups connected as R 3 , it becomes easy to obtain the effects of the present invention, as will be described later.

식 (2) 및 식 (3) 으로 나타내는 기를 제외한 R1 ∼ R4 의 상기 기는, 또한, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기 또는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기로 치환되어 있어도 된다.The above groups of R 1 to R 4 , excluding the groups represented by formulas (2) and (3), may also be an alkyl group of 1 to 30 carbon atoms, which may be further substituted with a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, or a fluorine atom, or an alkyl group with 1 carbon atom. The aryl group having 3 to 30 carbon atoms may be further substituted with an alkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or the arylamino group having 3 to 30 carbon atoms.

또한, 복수의 R1 ∼ R4 가 서로 이웃하는 경우, 이웃하고 있는 R1 ∼ R4 끼리가, 직접 결합 혹은 탄소수 3 ∼ 12 의 알킬렌기, 탄소수 3 ∼ 12 의 알케닐렌기 혹은 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴렌기를 개재하여 결합하여, 고리를 형성해도 되고, 이들 고리는 또한, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기 또는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기로 치환되어 있어도 된다.Additionally, when a plurality of R 1 to R 4 are adjacent to each other, the adjacent R 1 to R 4 are directly bonded to each other, or are an alkylene group having 3 to 12 carbon atoms, an alkenylene group having 3 to 12 carbon atoms, or an alkenylene group having 6 to 12 carbon atoms. may be bonded through an arylene group to form a ring, and these rings may be an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or a fluorine atom. It may be substituted with an aryl group having 3 to 30 carbon atoms or an arylamino group having 3 to 30 carbon atoms.

또, R1 과 R2 혹은 R3 과 R4 가, 직접 결합 혹은 탄소수 3 ∼ 12 의 알킬렌기, 탄소수 3 ∼ 12 의 알케닐렌기 혹은 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴렌기를 개재하여 결합하여, 고리를 형성해도 되고, 이들 고리는 또한, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기 또는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기로 치환되어 있어도 된다.In addition, R 1 and R 2 or R 3 and R 4 are directly bonded or bonded through an alkylene group with 3 to 12 carbon atoms, an alkenylene group with 3 to 12 carbon atoms, or an arylene group with 6 to 12 carbon atoms, forming a ring. may be formed, and these rings may be a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom, or an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which may be further substituted with an alkyl group having 3 to 30 carbon atoms. It may be substituted with an aryl group or an arylamino group having 3 to 30 carbon atoms.

상기 고리의 구체예로는, 플루오렌 고리, 카르바졸 고리, 카르볼린 고리, 디아자카르바졸 고리, 나프탈렌 고리, 페난트렌 고리, 안트라센 고리, 크리센 고리, 트리페닐렌 고리, 퀴놀린 고리, 이소퀴놀린 고리, 퀴나졸린 고리, 벤조퀴놀린 고리, 아자페난트렌 고리, 아자안트라센 고리, 아자트리페닐렌 고리 등을 들 수 있다. π 전자가 공액하는 축환 구조는 너무 크면, 발광 파장이 적외 영역까지 장파장화하거나, 용해성을 줄이게 되기 때문에, 바람직하게는, 플루오렌 고리, 카르바졸 고리, 퀴놀린 고리, 이소퀴놀린 고리, 퀴나졸린 고리, 아자트리페닐렌 고리에서 선택된다.Specific examples of the rings include fluorene ring, carbazole ring, carboline ring, diazcarbazole ring, naphthalene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, chrysene ring, triphenylene ring, quinoline ring, and isoquinoline. rings, quinazoline rings, benzoquinoline rings, azaphenanthrene rings, azaanthracene rings, and azatriphenylene rings. If the condensed ring structure to which π electrons are conjugated is too large, the emission wavelength will be extended to the infrared region or the solubility will be reduced, so it is preferably a fluorene ring, carbazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, selected from an azatriphenylene ring.

탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 헥실기, 옥틸기, 이소부틸기 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 메틸기가 바람직하다.Examples of the alkyl group having 1 to 30 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, hexyl group, octyl group, and isobutyl group, and among them, methyl group is preferable.

탄소수 1 ∼ 30 의 알콕시기는, 예를 들어 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, 옥틸옥시기 등을 들 수 있으며, 그 중에서도, 메톡시기가 바람직하다.Examples of the alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, octyloxy group, etc. Among them, methoxy group is preferable.

탄소수 2 ∼ 30 의 알케닐기는, 예를 들어 비닐기, 알릴기, 3-부테노기, 2-부테노기, 1,3-부타디에닐기 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 비닐기가 바람직하다.Examples of the alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms include vinyl group, allyl group, 3-buteno group, 2-buteno group, and 1,3-butadienyl group, and among these, vinyl group is preferable.

탄소수 1 ∼ 30 의 알킬아미노기는, 예를 들어 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디부틸아미노기, 옥틸아미노기, 디옥틸아미노기 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 메틸아미노기 또는 디메틸아미노기가 바람직하다.Examples of the alkylamino group having 1 to 30 carbon atoms include methylamino group, dimethylamino group, diethylamino group, dibutylamino group, octylamino group, dioctylamino group, etc. Among them, methylamino group or dimethylamino group is preferable.

탄소수 3 ∼ 30 의 아릴옥시기는, 예를 들어 알릴옥시기, 페녹시기, 메틸페닐옥시기 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 페녹시기가 바람직하다.Examples of the aryloxy group having 3 to 30 carbon atoms include allyloxy group, phenoxy group, and methylphenyloxy group, and among them, phenoxy group is preferable.

탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기는, 예를 들어 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 나프틸페닐기, 나프틸비페닐기 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 페닐기, 비페닐기, 터페닐기가 바람직하다.Examples of the aryl group having 3 to 30 carbon atoms include phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, naphthylphenyl group, and naphthylbiphenyl group, and among them, phenyl group, biphenyl group, and terphenyl group are preferable.

탄소수 3 ∼ 30 의 헤테로아릴기는, 예를 들어 피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 페닐피리딜기, 페닐피리미딜기, 디페닐피리미딜기 등을 들 수 있다.Examples of heteroaryl groups having 3 to 30 carbon atoms include pyridyl group, pyrimidyl group, triazine group, phenylpyridyl group, phenylpyrimidyl group, and diphenylpyrimidyl group.

탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기는, 예를 들어 페닐아미노기, 디페닐아미노기, 디톨릴아미노기, 디(2,6-디메틸페닐)아미노기 등을 들 수 있다.Examples of the arylamino group having 3 to 30 carbon atoms include phenylamino group, diphenylamino group, ditolylamino group, and di(2,6-dimethylphenyl)amino group.

탄소수 7 ∼ 40 의 아르알킬기는, 1,1-디메틸-1-페닐메틸기, 1,1-디(n-부틸)-1-페닐메틸기, 1,1-디(n-헥실)-1-페닐메틸기, 1,1-디(n-옥틸)-1-페닐메틸기에 예시되는 1,1-디알킬-1-페닐메틸기, 페닐메틸기, 페닐에틸기, 3-페닐-1-프로필기, 4-페닐-1-n-부틸기, 1-메틸-1-페닐에틸기, 5-페닐-1-n-프로필기, 6-페닐-1-n-헥실기, 7-페닐-1-n-헵틸기, 8-페닐-1-n-옥틸기, 4-페닐시클로헥실기 등을 들 수 있다.Aralkyl groups having 7 to 40 carbon atoms include 1,1-dimethyl-1-phenylmethyl, 1,1-di(n-butyl)-1-phenylmethyl, and 1,1-di(n-hexyl)-1-phenyl. Methyl group, 1,1-di(n-octyl)-1-phenylmethyl group, exemplified by 1,1-dialkyl-1-phenylmethyl group, phenylmethyl group, phenylethyl group, 3-phenyl-1-propyl group, 4-phenyl -1-n-butyl group, 1-methyl-1-phenylethyl group, 5-phenyl-1-n-propyl group, 6-phenyl-1-n-hexyl group, 7-phenyl-1-n-heptyl group, 8-phenyl-1-n-octyl group, 4-phenylcyclohexyl group, etc. are mentioned.

<m, n><m, n>

m 은 1 또는 2 이지만, 착물의 용해성을 충분히 유지하고 또한 정공 수송성이 향상된다는 관점에서 m = 1 인 것이 보다 바람직하다. 또, m+n = 3 이다.m is 1 or 2, but it is more preferable that m = 1 from the viewpoint of sufficiently maintaining the solubility of the complex and improving hole transport. Also, m+n = 3.

<상기 식 (2) 및 상기 식 (3) 의 바람직한 양태에 대해><About preferred embodiments of the above formula (2) and the above formula (3)>

상기 식 (2) 는, 바람직하게는 하기 식 (4) 로 나타낸다.The above formula (2) is preferably represented by the following formula (4).

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112017115369377-pct00009
Figure 112017115369377-pct00009

식 (4) 중, p 는 0 내지 2 의 정수를 나타내고, q 는 0 내지 10 의 정수를 나타내고, r 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고, p+q+r 은 0 내지 10 의 정수이다. * 는 결합손을 나타낸다. 또한, R, R' 및 h 는 식 (2) 와 동일한 의미이다.In formula (4), p represents an integer of 0 to 2, q represents an integer of 0 to 10, r represents an integer of 0 to 2, and p+q+r is an integer of 0 to 10. * indicates a binding hand. Additionally, R, R' and h have the same meaning as in equation (2).

용해성을 높게 유지한다는 관점에서, p 는 0 또는 1 이 보다 바람직하고, r 은 0 또는 1 이 보다 바람직하다.From the viewpoint of maintaining high solubility, p is more preferably 0 or 1, and r is more preferably 0 or 1.

정공 수송성을 높게 유지한다는 관점에서, p+q+r 은 0 내지 5 의 정수인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of maintaining high hole transport properties, it is more preferable that p+q+r is an integer of 0 to 5.

또, 상기 식 (3) 은, 바람직하게는 하기 식 (5) 로 나타낸다. Moreover, the above formula (3) is preferably represented by the following formula (5).

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112017115369377-pct00010
Figure 112017115369377-pct00010

식 (5) 중, s 는 0 내지 2 의 정수를 나타내고, t 는 1 내지 10 의 정수를 나타내고, u 는 0 내지 2 의 정수를 나타내고, w 는 0 내지 4 의 정수를 나타내고, s+t+u+w 는 1 내지 10 의 정수이다. * 는 결합손을 나타낸다. 또한, R, R" 및 k 는 식 (3) 과 동일한 의미이다.In formula (5), s represents an integer of 0 to 2, t represents an integer of 1 to 10, u represents an integer of 0 to 2, w represents an integer of 0 to 4, and s+t+u+w represents an integer of 1 to 10. It is an integer of 10. * indicates a binding hand. Additionally, R, R" and k have the same meaning as in equation (3).

용해성을 높게 유지한다는 관점에서, s 는 0 또는 1 이 보다 바람직하고, u 는 0 또는 1 이 보다 바람직하다.From the viewpoint of maintaining high solubility, s is more preferably 0 or 1, and u is more preferably 0 or 1.

정공 수송성을 높게 유지한다는 관점에서, s+t+u+w 는 0 내지 5 의 정수인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of maintaining high hole transport properties, it is more preferable that s+t+u+w is an integer of 0 to 5.

상기 식 (4) 및 상기 식 (5) 가 보다 바람직한 이유에 대해 서술한다. 상기 식 (2) 및 상기 식 (3) 은 페닐렌 고리에 의한 결합을 개재하고 있다. 이 결합 양식에는, 오르토, 메타, 파라 위치가 있다. 이 중, 오르토 위치에서 결합하는 경우, 이웃하는 페닐렌 고리가 서로 입체 장애가 되어, 큰 뒤틀림을 발생한다. 이 뒤틀림에 의해 착물의 용해성은 향상되기는 하지만, 페닐렌 고리의 π 전자의 공액이 작아지기 때문에 정공 수송성에 반드시 좋지 않은 영향을 미친다. 그 때문에, 바람직한 결합 양식은 메타 또는 파라 위치이다. 특히, Cy1 또는 Cy3 에 직접 결합하는 페닐렌 고리가 파라 위치의 결합 양식을 갖는 경우, 이리듐 원자로부터 그 옆의 페닐렌 고리까지 큰 π 전자의 공액이 퍼져, 정공 수송성에 바람직한 효과를 나타낸다.The reasons why the above formula (4) and the above formula (5) are more preferable will be described. The above formula (2) and the above formula (3) involve a bond via a phenylene ring. This binding form has ortho, meta, and para positions. Among these, when bonding at the ortho position, neighboring phenylene rings become sterically hindered from each other, resulting in large distortion. Although this distortion improves the solubility of the complex, it necessarily has a negative effect on hole transport because the conjugation of the π electrons of the phenylene ring becomes smaller. Therefore, the preferred binding mode is meta or para position. In particular, when the phenylene ring directly bonded to Cy 1 or Cy 3 has a para-position bonding mode, the conjugation of large π electrons spreads from the iridium atom to the phenylene ring next to it, showing a desirable effect on hole transport.

또, 본원 발명에 있어서의 이리듐 착물은, 식 (2) 가 식 (4) 이고, 또한, 식 (3) 이 식 (5) 인 것이 더욱 바람직하다.Moreover, as for the iridium complex in this invention, it is more preferable that Formula (2) is Formula (4), and Formula (3) is Formula (5).

또, R1 중 적어도 1 개는 식 (2) 또는 식 (4) 로 나타내고, 또한, R3 중 적어도 1 개는 식 (3) 또는 식 (5) 로 나타내는 것이 보다 바람직하다.Moreover, it is more preferable that at least one of R 1 is represented by formula (2) or formula (4), and at least one of R 3 is represented by formula (3) or formula (5).

또, R1 중 적어도 1 개는 식 (4) 로 나타내고, 또한, R3 중 적어도 1 개는 식 (5) 로 나타내는 것이 더욱 바람직하다.Moreover, it is more preferable that at least one of R 1 is represented by formula (4), and at least one of R 3 is represented by formula (5).

<구체예><Specific example>

이하에, 본 발명의 이리듐 착물 화합물의 바람직한 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Below, preferred specific examples of the iridium complex compound of the present invention are shown, but the present invention is not limited to these.

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112017115369377-pct00011
Figure 112017115369377-pct00011

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112017115369377-pct00012
Figure 112017115369377-pct00012

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112017115369377-pct00013
Figure 112017115369377-pct00013

<구조상의 특징><Structural Features>

본 발명의 이리듐 착물 화합물을 사용하는 발광층 형성용 도포액, 즉, 전하 수송 재료와 공존하는 용액의 상태로 석출되는 일 없이 균일 상태를 유지한다는 보존 안정성이 향상되는 것, 및, 소자의 발광 효율이나 구동 수명이 향상되는 등의 소자 특성이 개선되는 이유를 이하와 같이 추측한다.The coating liquid for forming a light-emitting layer using the iridium complex compound of the present invention, that is, the storage stability of maintaining a uniform state without precipitating in the state of a solution coexisting with the charge transport material is improved, and the luminous efficiency of the device The reason why device characteristics such as driving life is improved is assumed as follows.

유기 용제에 대한 용해성을 높이려면, 통상적으로 이리듐 착물 화합물의 배위자에 알킬기 또는 아르알킬기 등의 지방족 탄화수소기를 포함하는 유연 구조를 갖는 기를 도입하는 것이 실시되고 있다. 이들 기는 많은 콘포메이션을 취할 수 있기 때문에, 결정화시에 있어서는 재배열을 위한 에너지가 상승한다. 따라서, 이리듐 착물 화합물은 잘 결정화되지 않아 용해성이 향상된다는 효과가 기대된다.In order to increase solubility in organic solvents, it is generally practiced to introduce a group having a flexible structure containing an aliphatic hydrocarbon group such as an alkyl group or aralkyl group into the ligand of the iridium complex compound. Since these groups can take on many conformations, the energy for rearrangement increases during crystallization. Therefore, the iridium complex compound is expected to have the effect of improving solubility because it does not crystallize well.

그런데, 이리듐 착물 화합물에 대한 이들 유연 구조를 양호한 대칭성으로 도입한 경우, 즉 호모렙틱형 착물로 한 경우에는, 결정화를 위한 재배열 에너지가 낮아지고, 결정화하기 쉬워지기 때문에, 충분한 용해성 향상 효과가 얻어지지 않게 되어 버린다.However, when these flexible structures are introduced with good symmetry into the iridium complex compound, that is, when they are made into homoleptic complexes, the rearrangement energy for crystallization is lowered and crystallization becomes easier, so a sufficient solubility improvement effect is obtained. It becomes impossible to lose.

또한, 발광층 형성용 도포액에 공존시키는 전하 수송 재료는 통상적으로 이들 유연 구조를 갖는 기는 갖지 않고, 벤젠 고리가 연속하는 강직한 구조를 갖는다. 화학 구조가 비슷한 것끼리는 서로 잘 녹이는 것이 일반적 경향으로서 알려져 있지만, 상기 서술한 방법에 의해 용해성을 높였을 이리듐 착물 화합물과 전하 수송 재료의 구조 유사성은 반드시 높은 것은 아니기 때문에, 이들 화합물을 공존시킴으로써, 어느 것의 화합물, 특히 전하 수송 재료의 유기 용제에 대한 용해성이 현저하게 낮아지고, 고체로서 석출되기 쉬워져 버린다.In addition, the charge transport material coexisted in the coating liquid for forming the light-emitting layer usually does not have a group having such a flexible structure and has a rigid structure with continuous benzene rings. It is known as a general tendency that compounds with similar chemical structures are highly soluble in each other. However, since the structural similarity between the iridium complex compound and the charge transport material whose solubility was increased by the method described above is not necessarily high, by allowing these compounds to coexist, which The solubility of the compound, especially the charge transport material, in organic solvents is significantly lowered, and it becomes easy to precipitate as a solid.

게다가, 이들 유연 구조를 갖는 기는 본질적으로 절연체이기 때문에, 이리듐 착물에 대한 전하의 주입 및 이리듐 착물간 혹은 이리듐 착물과 호스트간의 전하의 수송을 저해한다. 또, 기의 운동성이 높기 때문에, 여기 상태로부터의 무복사 실활의 경로를 제공해 버려, 결과 발광 효율을 악화시켜 버린다는 결점이 존재한다.Moreover, since these groups having flexible structures are essentially insulators, they inhibit the injection of charges into the iridium complex and the transport of charges between the iridium complexes or between the iridium complex and the host. In addition, since the mobility of the group is high, there is a drawback in that it provides a path for non-radiative deactivation from the excited state, resulting in a deterioration in luminous efficiency.

한편, m-페닐렌기로 대표되는, 아릴렌기를 연결한 치환기를 배위자에 도입하는 경우에는, 알킬기 정도는 아니기는 하지만 많은 콘포메이션을 취할 수 있기 때문에, 도포법에 적합한 충분한 용해성을 가지도록 할 수 있다. 또한, 소자 내부에 있어서 발광 재료는 전하를 수송할 수 있지만, 페닐렌기를 길게 연결함으로써 π 전자의 궤도 혹은 공궤도가 공간적으로 확장되어, 전하의 수송이 일어나기 쉬워진다. 특히, 페닐렌기를 길게 연결한 기를 갖는 이리듐 착물은 정공을 수취하기 쉬워진다. 이와 같은 이리듐 착물을 발광층에 발광 재료로서 사용함으로써, 발광층 내의 정공 수송성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이와 같은 이리듐 착물의 도프 농도를 조정함으로써 발광층 내의 발광 위치를 조정할 수 있는 것으로 생각된다. 전하가 수송되기 쉽다는 것은 소자에 있어서의 발광층 중에서의 전하 재결합의 위치가 넓어지기 때문에 발광 효율이나 구동 수명이 개선되는 것이 기대된다. 그러나 동시에, 전기 전도성이 우수한 것은 발광층 내에 있어서 이리듐 착물끼리의 상호 작용이 방해받지 않는 것이나 다름없고, 특히 헤비 도프시에는 여기자끼리 혹은 여기자와 전하의 상호 작용에 의한 여기자 소멸 즉 농도 소광을 병발하기 때문에 발광 효율의 향상의 폭이 작거나 또는 오히려 저하되게 된다.On the other hand, when a substituent connected to an arylene group, such as an m-phenylene group, is introduced into the ligand, many conformations can be taken, although not as much as an alkyl group, so it can be made to have sufficient solubility suitable for the coating method. there is. In addition, the light-emitting material inside the device can transport charges, but by connecting long phenylene groups, the orbital or empty orbital of the π electron is spatially expanded, making it easier for charge transport to occur. In particular, an iridium complex having a long phenylene group is prone to receiving holes. By using such an iridium complex as a light-emitting material in the light-emitting layer, hole transport properties within the light-emitting layer can be improved. Additionally, it is believed that the light emission position in the light emitting layer can be adjusted by adjusting the dope concentration of the iridium complex. Easier transport of charges means that the position of charge recombination in the light-emitting layer of the device expands, so it is expected that the luminous efficiency and driving life will be improved. However, at the same time, the reason why the electrical conductivity is excellent is because the interaction between iridium complexes in the light-emitting layer is not disturbed, and especially in the case of heavy doping, exciton annihilation, or concentration quenching, occurs simultaneously due to interaction between excitons or between excitons and charges. The extent of improvement in luminous efficiency is small or rather decreases.

이들 결점을 보완하려면, 본원 발명과 같이 상기의 2 종류의 배위자를 하나의 이리듐 착물 상에 적절한 상태로 동시에 존재시키는 것이 효과적이다. 헤테로렙틱형 착물로 함으로써 이리듐 착물 화합물의 대칭성을 낮추고, 또한, 유연 구조를 갖지 않는 페닐렌기를 연결한 기를 갖는 배위자를 존재시킴으로써 전하 수송 재료와의 유사성을 높임으로써, 발광층 형성용 도포액의 보존 안정성을 향상시킬 수 있다.To compensate for these shortcomings, it is effective to simultaneously present the above two types of ligands in an appropriate state on one iridium complex as in the present invention. The symmetry of the iridium complex compound is lowered by forming a heteroleptic complex, and the presence of a ligand having a group connected to a phenylene group that does not have a flexible structure increases the similarity to the charge transport material, thereby improving the storage stability of the coating liquid for forming the light-emitting layer. can be improved.

또, 본원 발명에 있어서의 이리듐 착물을 발광 재료로서 발광층에 사용한 유기 EL 소자에 있어서는, 구동 수명의 향상의 효과가 기대된다. 그 작용 기구는 다음과 같이 생각된다. 페닐렌기를 길게 연결한 기를 갖는 이리듐 착물은 정공을 수취하기 쉽기 때문에, 통전 구동 중의 소자의 발광층 내의 이리듐 착물은, 대부분이 정공을 수취한 상태가 되는 것으로 생각된다. 또한, 본원 발명에 있어서의 이리듐 착물은, 절연성인 아르알킬기도 갖는다. 아르알킬기는 절연성의 스페이서로서, 본원 발명의 이리듐 착물의 정공 수송성을 적당히 억제한다. 그 때문에, 정공을 수취한 상태인 카티온 상태로 존재할 확률이 높아진다. 카티온 상태인 이리듐 착물이 전자를 수취하면, 즉시 발광하기 때문에, 발광 효율이 높아지는 것으로 생각된다. 또, 카티온 상태의 이리듐 착물은 안정적이므로, 구동 수명도 향상되는 것으로 생각된다.In addition, in the organic EL device in which the iridium complex in the present invention is used as a light-emitting material in the light-emitting layer, an effect of improvement in drive life is expected. The mechanism of action is thought to be as follows. Since the iridium complex having a long phenylene group is likely to receive holes, it is believed that most of the iridium complexes in the light-emitting layer of the device being driven with electricity are in a state of receiving holes. Additionally, the iridium complex in the present invention has an insulating aralkyl group. The aralkyl group is an insulating spacer and moderately suppresses the hole transport property of the iridium complex of the present invention. Therefore, the probability of existing in the cation state, which is a state in which a hole has been received, increases. When the iridium complex in the cation state receives electrons, it immediately emits light, so it is thought that the luminous efficiency increases. Additionally, since the iridium complex in the cation state is stable, it is thought that the operating life is also improved.

본 발명에서는 배위자 내에 페닐렌 연결을 주로 하는 적절한 치환기 부분과 가용화 부분을 배치함으로써, 상기 서술한 결점을 해소하고, 소자의 발광 효율을 높이는 것과, 구동 수명의 향상을 양립시킬 수 있다.In the present invention, by arranging appropriate substituent moieties and solubilizing moieties, mainly phenylene linkages, in the ligand, the above-mentioned drawbacks can be eliminated, and both the luminous efficiency of the device can be increased and the driving life can be improved.

<유기 용제><Organic solvent>

습식 성막법은, 발광층의 유기 재료를 일단 유기 용제에 용해한 후, 스핀 코트법이나 잉크젯법 등에 의해 도포하고, 그 후 유기 용제를 가열이나 감압 혹은 불활성 가스를 내뿜는 등에 의해 증발 기화시킴으로써 성막하는 방법이다. 필요하면, 성막한 유기 재료를 용제 불용성으로 하기 위해서, 예를 들어 유기 재료의 분자 중에 C=C 기, C≡C기 혹은 벤조시클로부텐기와 같은 가교기를 존재시킴으로써, 가열 혹은 광 조사 등 이미 알려진 방법에 의해 가교시켜 불용화할 수도 있다.The wet film formation method is a method of forming a film by first dissolving the organic material of the light-emitting layer in an organic solvent, applying it by a spin coating method or an inkjet method, and then evaporating the organic solvent by heating, reducing pressure, or blowing an inert gas. . If necessary, in order to make the formed organic material solvent-insoluble, for example, by adding a crosslinking group such as a C=C group, C≡C group, or benzocyclobutene group in the molecules of the organic material, using known methods such as heating or light irradiation. It can also be made insolubilized by crosslinking.

이와 같은 습식 성막법에 있어서 바람직하게 사용되는 유기 용제의 종류는, 헥산, 헵탄, 메틸에틸케톤, 아세트산에틸, 아세트산부틸과 같은 치환하고 있어도 되는 지방족 탄화수소, 톨루엔, 자일렌, 페닐시클로헥산, 벤조산에틸과 같은 치환하고 있어도 되는 방향족계 탄화수소, 시클로헥산, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 3,3,5-트리메틸시클로헥사논과 같은 치환하고 있어도 되는 지환식 탄화수소 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되고 있어도 되고, 도포의 프로세스에 적합한 도포액으로 하기 위해서 복수 종류의 용제를 혼합하여 조성물로서 사용해도 된다. 주로 사용하는 유기 용제의 종류로서 바람직하게는, 방향족계 탄화수소 또는 지환식 탄화수소이며, 보다 바람직하게는 방향족계 탄화수소이다. 특히, 페닐시클로헥산은 습식 성막 프로세스에 있어서 바람직한 점도와 비점을 갖고 있는 것으로 여겨진다. 그 때문에, 습식 성막법에 적합하게 사용되는 이리듐 착물 화합물의 용해성은, 대기압하 25 ℃ 에 있어서, 페닐시클로헥산에 대하여 통상적으로 0.5 질량% 이상, 바람직하게는 1.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 1.5 질량% 이상이다.Types of organic solvents preferably used in such a wet film formation method include optionally substituted aliphatic hydrocarbons such as hexane, heptane, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, butyl acetate, toluene, xylene, phenylcyclohexane, and ethyl benzoate. and optionally substituted aromatic hydrocarbons such as cyclohexane, cyclohexanone, methylcyclohexanone, and 3,3,5-trimethylcyclohexanone. These may be used alone, or may be used as a composition by mixing multiple types of solvents to create a coating liquid suitable for the application process. The type of organic solvent mainly used is preferably an aromatic hydrocarbon or an alicyclic hydrocarbon, and more preferably an aromatic hydrocarbon. In particular, phenylcyclohexane is believed to have a desirable viscosity and boiling point for wet film formation processes. Therefore, the solubility of the iridium complex compound suitably used in the wet film forming method is usually 0.5% by mass or more, preferably 1.0% by mass or more, more preferably 1.5% by mass, relative to phenylcyclohexane at 25°C under atmospheric pressure. It is more than mass%.

<이리듐 착물 화합물의 합성 방법><Method for synthesizing iridium complex compounds>

본 발명의 이리듐 착물 화합물은, 이미 알려진 방법의 조합 등에 의해 합성될 수 있다. 소위 스즈키-미야우라 커플링 반응 등 공지된 유기 합성 반응을 조합함으로써 배위자를 합성할 수 있다. 이리듐 착물 화합물은 이 배위자와 이리듐 화합물에 의해 합성할 수 있다.The iridium complex compound of the present invention can be synthesized by a combination of known methods, etc. Ligands can be synthesized by combining known organic synthesis reactions such as the so-called Suzuki-Miyaura coupling reaction. Iridium complex compounds can be synthesized using this ligand and an iridium compound.

이리듐 착물 화합물의 합성 방법에 대해서는, 예를 들어, 하기 식 (A) 에 나타내는 바와 같은 염소 가교 이리듐 2 핵 착물을 경유하는 방법 (M. G. Colombo, T. C. Brunold, T. Riedener, H. U. Gudel, Inorg. Chem., 1994, 33, 545-550), 하기 식 (B) 2 핵 착물로부터 추가로 염소 가교를 아세틸아세토네이트와 교환시키고 단핵 착물로 변환한 후 목적물을 얻는 방법 (S. Lamansky, P. Djurovich, D. Murphy, F. Abdel-Razzaq, R. Kwong, I. Tsyba, M. Borz, B. Mui, R. Bau, M. Thompson, Inorg. Chem., 2001, 40, 1704-1711) 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 식 (A) 및 (B) 에 있어서, R 은 수소 또는 임의의 치환기를 나타내고, 복수 존재하는 R 은 동일해도 되고 상이해도 된다.Regarding the method of synthesizing the iridium complex compound, for example, a method via a chlorine-crosslinked iridium dinuclear complex as shown in the following formula (A) (M. G. Colombo, T. C. Brunold, T. Riedener, H. U. Gudel, Inorg. Chem. , 1994, 33, 545-550), a method of obtaining the target object from the formula (B) binuclear complex by further exchanging the chlorine bridge with acetylacetonate and converting it into a mononuclear complex (S. Lamansky, P. Djurovich, D Murphy, F. Abdel-Razzaq, R. Kwong, I. Tsyba, M. Borz, B. Mui, R. Bau, M. Thompson, Inorg. Chem., 2001, 40, 1704-1711), etc. However, it is not limited to these. In addition, in formulas (A) and (B), R represents hydrogen or an arbitrary substituent, and multiple R's may be the same or different.

예를 들어, 하기 식 (A) 로 나타내는 전형적인 반응의 조건은 이하와 같다. 제 1 단계로서, 제 1 의 배위자 2 당량과 염화이리듐 n 수화물 1 당량의 반응에 의해 염소 가교 이리듐 2 핵 착물을 합성한다. 용매는 통상적으로 2-에톡시에탄올과 물의 혼합 용매가 사용되지만, 무용매 혹은 다른 용매를 사용해도 된다. 배위자를 과잉량 사용하거나, 염기 등의 첨가제를 사용하여 반응을 촉진할 수도 있다. 염소 대신에 브롬 등 다른 가교성 음이온 배위자를 사용할 수도 있다. 반응 온도에 특별히 제한은 없지만, 통상적으로는 0 ℃ ∼ 250 ℃, 바람직하게는 50 ℃ ∼ 150 ℃ 의 범위이다.For example, typical reaction conditions represented by the following formula (A) are as follows. In the first step, a chlorine-crosslinked iridium dinuclear complex is synthesized by reacting 2 equivalents of the first ligand with 1 equivalent of iridium chloride n-hydrate. The solvent is usually a mixed solvent of 2-ethoxyethanol and water, but no solvent or another solvent may be used. The reaction may be promoted by using an excessive amount of ligand or by using additives such as bases. Instead of chlorine, other crosslinkable anionic ligands such as bromine may be used. There is no particular limitation on the reaction temperature, but it is usually in the range of 0°C to 250°C, preferably 50°C to 150°C.

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112017115369377-pct00014
Figure 112017115369377-pct00014

2 단계째는, 트리플루오로메탄술폰산은과 같은 할로겐 이온 포착제를 첨가하여 제 2 배위자와 접촉시킴으로써 목적으로 하는 착물을 얻는다. 용매는 통상적으로 에톡시에탄올 또는 디글라임이 사용되지만, 배위자의 종류에 따라 무용매 혹은 다른 용매를 사용할 수 있고, 복수의 용매를 혼합하여 사용할 수도 있다. 할로겐 이온 포착제를 첨가하지 않아도 반응이 진행되는 경우가 있으므로 반드시 필요한 것은 아니지만, 반응 수율을 높이고, 보다 양자 수율이 높은 페이셜 이성체를 선택적으로 합성하려면 그 포착제의 첨가가 유리하다. 반응 온도에 특별히 제한은 없지만, 통상적으로 0 ℃ ∼ 250 ℃ 의 범위에서 실시된다.In the second step, a halogen ion trapping agent such as silver trifluoromethanesulfonate is added and brought into contact with the second ligand to obtain the target complex. Ethoxyethanol or diglyme is usually used as a solvent, but depending on the type of ligand, no solvent or another solvent can be used, or a mixture of multiple solvents can be used. The reaction may proceed even without the addition of a halogen ion trapping agent, so although it is not absolutely necessary, the addition of the trapping agent is advantageous in order to increase the reaction yield and selectively synthesize facial isomers with higher quantum yields. There is no particular limitation on the reaction temperature, but it is usually carried out in the range of 0°C to 250°C.

또, 식 (B) 로 나타내는 전형적인 반응 조건을 설명한다. 제 1 단계의 2 핵 착물은 식 (A) 와 동일하게 합성할 수 있다. 제 2 단계는, 그 2 핵 착물에 아세틸아세톤과 같은 1,3-디온 화합물을 1 당량 이상, 및, 탄산나트륨과 같은 그 1,3-디온 화합물의 활성 수소를 인발할 수 있는 염기성 화합물을 1 당량 이상 반응시킴으로써, 1,3-디오나토 배위자가 배위하는 단핵 착물로 변환한다. 통상적으로 원료의 2 핵 착물을 용해할 수 있는 에톡시에탄올이나 디클로로메탄 등의 용매가 사용되지만, 배위자가 액상인 경우 무용매로 실시하는 것도 가능하다. 반응 온도에 특별히 제한은 없지만, 통상적으로는 0 ℃ ∼ 200 ℃ 의 범위 내에서 실시된다. Additionally, typical reaction conditions represented by formula (B) will be explained. The first step dinuclear complex can be synthesized in the same manner as formula (A). In the second step, 1 equivalent or more of a 1,3-dione compound such as acetylacetone is added to the dinuclear complex, and 1 equivalent of a basic compound capable of withdrawing the active hydrogen of the 1,3-dione compound such as sodium carbonate is added. By subjecting it to a biphasic reaction, it is converted into a mononuclear complex coordinated by a 1,3-dionato ligand. Typically, solvents such as ethoxyethanol or dichloromethane that can dissolve the binary complex of the raw material are used, but if the ligand is liquid, it is also possible to carry out the process without a solvent. There is no particular limitation on the reaction temperature, but it is usually carried out within the range of 0°C to 200°C.

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112017115369377-pct00015
Figure 112017115369377-pct00015

제 3 단계는, 제 2 배위자를 1 당량 이상 반응시킨다. 용매의 종류와 양은 특별히 제한은 없고, 제 2 배위자가 반응 온도에서 액상인 경우에는 무용매여도 된다. 반응 온도도 특별히 제한은 없지만, 반응성이 약간 부족하기 때문에 100 ℃ ∼ 300 ℃ 의 비교적 고온하에서 반응시키는 경우가 많다. 그 때문에, 글리세린 등 고비등점의 용매가 바람직하게 사용된다.In the third step, 1 equivalent or more of the second ligand is reacted. The type and amount of the solvent are not particularly limited, and if the second ligand is liquid at the reaction temperature, no solvent may be used. The reaction temperature is also not particularly limited, but because the reaction is slightly lacking, the reaction is often carried out at a relatively high temperature of 100°C to 300°C. Therefore, a solvent with a high boiling point such as glycerin is preferably used.

최종 반응 후에는 미반응 원료나 반응 부생물 및 용매를 제거하기 위해서 정제를 실시한다. 통상적인 유기 합성 화학에 있어서의 정제 조작을 적용할 수 있지만, 상기의 비특허문헌 기재와 같이 주로 순상 (順相) 의 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의한 정제가 실시된다. 전개액에는 헥산, 헵탄, 디클로로메탄, 클로로포름, 아세트산에틸, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메탄올의 단일 또는 혼합액을 사용할 수 있다. 정제는 조건을 바꾸어 복수 회 실시해도 된다. 그 밖의 크로마토그래피 기술 (역상 실리카 겔 크로마토그래피, 사이즈 배제 크로마토그래피, 페이퍼 크로마토그래피) 이나, 분액 세정, 재침전, 재결정, 분체의 현탁 세정, 감압 건조 등의 정제 조작을 필요에 따라 실시할 수 있다.After the final reaction, purification is performed to remove unreacted raw materials, reaction by-products, and solvents. Although purification operations in ordinary organic synthetic chemistry can be applied, purification is mainly performed by normal phase silica gel column chromatography, as described in the non-patent literature above. The developing solution may be a single or mixed solution of hexane, heptane, dichloromethane, chloroform, ethyl acetate, toluene, methyl ethyl ketone, and methanol. Purification may be performed multiple times under different conditions. Other chromatography techniques (reverse-phase silica gel chromatography, size exclusion chromatography, paper chromatography) and purification operations such as liquid separation washing, reprecipitation, recrystallization, powder suspension washing, and reduced pressure drying can be performed as needed. .

<이리듐 착물 화합물의 용도><Uses of iridium complex compounds>

본 발명의 이리듐 착물 화합물은, 유기 전계 발광 소자에 사용되는 재료, 즉 유기 전계 발광 소자 재료로서 적합하게 사용 가능하고, 유기 전계 발광 소자나 그 밖의 발광 소자 등의 발광 재료로서도 적합하게 사용 가능하다.The iridium complex compound of the present invention can be suitably used as a material used in an organic electroluminescent device, that is, an organic electroluminescent device material, and can also be suitably used as a light-emitting material such as an organic electroluminescent device or other light-emitting devices.

<이리듐 착물 화합물 함유 조성물><Composition containing iridium complex compound>

본 발명의 이리듐 착물 화합물은, 용해성이 우수하기 때문에, 용제와 함께 사용되는 것이 바람직하다. 이하, 본 발명의 이리듐 착물 화합물과 용제를 함유하는 조성물 (이리듐 착물 화합물 함유 조성물) 에 대해 설명한다.Since the iridium complex compound of the present invention has excellent solubility, it is preferable to use it with a solvent. Hereinafter, a composition containing the iridium complex compound of the present invention and a solvent (iridium complex compound-containing composition) will be described.

본 발명의 이리듐 착물 화합물 함유 조성물은, 상기 서술한 본 발명의 이리듐 착물 화합물 및 용제를 함유한다. 본 발명의 이리듐 착물 화합물 함유 조성물은 통상적으로 습식 성막법으로 층이나 막을 형성하기 위해서 사용되고, 특히 유기 전계 발광 소자의 유기층을 형성하기 위해서 사용되는 것이 바람직하다. 그 유기층은, 특히 발광층인 것이 바람직하다.The iridium complex compound-containing composition of the present invention contains the iridium complex compound of the present invention and a solvent described above. The composition containing the iridium complex compound of the present invention is generally used to form a layer or film by a wet film forming method, and is particularly preferably used to form an organic layer of an organic electroluminescent device. The organic layer is particularly preferably a light-emitting layer.

요컨대, 이리듐 착물 화합물 함유 조성물은, 유기 전계 발광 소자용 조성물인 것이 바람직하고, 또한 발광층 형성용 조성물로서 사용되는 것이 특히 바람직하다.In short, the composition containing the iridium complex compound is preferably a composition for an organic electroluminescent device, and is particularly preferably used as a composition for forming a light-emitting layer.

그 이리듐 착물 화합물 함유 조성물에 있어서의 본 발명의 이리듐 착물 화합물의 함유량은, 통상적으로 0.001 질량% 이상, 바람직하게는 0.01 질량% 이상, 통상적으로 99.9 질량% 이하, 바람직하게는 99 질량% 이하이다. 조성물의 이리듐 착물 화합물의 함유량을 이 범위로 함으로써, 인접하는 층 (예를 들어, 정공 수송층이나 정공 저지층) 으로부터 발광층으로 효율적으로 정공이나 전자의 주입이 실시되어, 구동 전압을 저감할 수 있다. 또한, 본 발명의 이리듐 착물 화합물은 이리듐 착물 화합물 함유 조성물 중에 1 종만 포함되어 있어도 되고, 2 종 이상이 조합되어 포함되어 있어도 된다.The content of the iridium complex compound of the present invention in the iridium complex compound-containing composition is usually 0.001 mass% or more, preferably 0.01 mass% or more, usually 99.9 mass% or less, preferably 99 mass% or less. By setting the content of the iridium complex compound in the composition within this range, holes and electrons can be efficiently injected from the adjacent layer (for example, a hole transport layer or a hole blocking layer) into the light emitting layer, and the driving voltage can be reduced. Additionally, the iridium complex compound of the present invention may be contained in the iridium complex compound-containing composition alone, or may be contained in combination of two or more types.

본 발명의 이리듐 착물 화합물 함유 조성물을 예를 들어 유기 전계 발광 소자용으로 사용하는 경우에는, 상기 서술한 이리듐 착물 화합물이나 용제 외에, 유기 전계 발광 소자, 특히 발광층에 사용되는 전하 수송성 화합물을 함유할 수 있다.When the iridium complex compound-containing composition of the present invention is used, for example, for an organic electroluminescent device, in addition to the iridium complex compound and solvent described above, it may contain a charge-transporting compound used in the organic electroluminescent device, especially the light-emitting layer. there is.

본 발명의 이리듐 착물 화합물 함유 조성물을 사용하여, 유기 전계 발광 소자의 발광층을 형성하는 경우에는, 본 발명의 이리듐 착물 화합물을 발광 재료로 하고, 다른 전하 수송성 화합물을 전하 수송 재료로 하여 포함하는 것이 바람직하다.When forming a light-emitting layer of an organic electroluminescent device using the iridium complex compound-containing composition of the present invention, it is preferable to include the iridium complex compound of the present invention as a light-emitting material and another charge-transporting compound as a charge-transport material. do.

본 발명의 이리듐 착물 화합물 함유 조성물에 함유되는 용제는, 습식 성막에 의해 이리듐 착물 화합물을 포함하는 층을 형성하기 위해서 사용하는, 휘발성을 갖는 액체 성분이다.The solvent contained in the composition containing the iridium complex compound of the present invention is a volatile liquid component used to form a layer containing the iridium complex compound by wet film formation.

그 용제는, 용질인 본 발명의 이리듐 착물 화합물이 높은 용해성을 갖기 때문에, 오히려 후술하는 전하 수송성 화합물이 양호하게 용해되는 용제이면 특별히 한정되지 않는다. 바람직한 용제로는, 예를 들어, n-데칸, 시클로헥산, 에틸시클로헥산, 데칼린, 비시클로헥산 등의 알칸류;톨루엔, 자일렌, 메티실렌, 페닐시클로헥산, 테트랄린 등의 방향족 탄화수소류;클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠 등의 할로겐화 방향족 탄화수소류;1,2-디메톡시벤젠, 1,3-디메톡시벤젠, 아니솔, 페네톨, 2-메톡시톨루엔, 3-메톡시톨루엔, 4-메톡시톨루엔, 2,3-디메틸아니솔, 2,4-디메틸아니솔, 디페닐에테르 등의 방향족 에테르류;아세트산페닐, 프로피온산페닐, 벤조산메틸, 벤조산에틸, 벤조산프로필, 벤조산n-부틸 등의 방향족 에스테르류, 시클로헥사논, 시클로옥타논, 펜콘 등의 지환족 케톤류;시클로헥산올, 시클로옥탄올 등의 지환족 알코올류;메틸에틸케톤, 디부틸케톤 등의 지방족 케톤류;부탄올, 헥산올 등의 지방족 알코올류;에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜-1-모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 등의 지방족 에테르류;등을 들 수 있다.Since the iridium complex compound of the present invention, which is the solute, has high solubility, the solvent is not particularly limited as long as it is a solvent in which the charge-transporting compound described later is well dissolved. Preferred solvents include, for example, alkanes such as n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, and bicyclohexane; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methisilene, phenylcyclohexane, and tetralin. ;Halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetol, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene , aromatic ethers such as 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole, and diphenyl ether; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, n- benzoate. Aromatic esters such as butyl; alicyclic ketones such as cyclohexanone, cyclooctanone, and pencone; alicyclic alcohols such as cyclohexanol and cyclooctanol; aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; butanol, Aliphatic alcohols such as hexanol; Aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); and the like.

그 중에서도 바람직하게는, 알칸류나 방향족 탄화수소류이며, 특히, 페닐시클로헥산은 습식 성막 프로세스에 있어서 바람직한 점도와 비점을 갖고 있다.Among them, alkanes and aromatic hydrocarbons are preferable, and phenylcyclohexane in particular has a desirable viscosity and boiling point in the wet film formation process.

이들 용제는 1 종류를 단독으로 사용해도 되고, 또 2 종류 이상을 임의의 조합, 및 비율로 사용해도 된다.These solvents may be used individually, or two or more types may be used in any combination and ratio.

용제의 비점은 통상적으로 80 ℃ 이상, 바람직하게는 100 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 120 ℃ 이상, 또, 통상적으로 270 ℃ 이하, 바람직하게는 250 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 230 ℃ 이하이다. 이 범위를 하회하면, 습식 성막시에 있어서, 조성물로부터의 용제 증발에 의해, 성막 안정성이 저하될 가능성이 있다.The boiling point of the solvent is usually 80°C or higher, preferably 100°C or higher, more preferably 120°C or higher, and usually 270°C or lower, preferably 250°C or lower, and more preferably 230°C or lower. If it is below this range, film formation stability may decrease due to solvent evaporation from the composition during wet film formation.

용제의 함유량은, 이리듐 착물 화합물 함유 조성물에 있어서 바람직하게는 1 질량% 이상, 보다 바람직하게는 10 질량% 이상, 특히 바람직하게는 50 질량% 이상, 또, 바람직하게는 99.99 질량% 이하, 보다 바람직하게는 99.9 질량% 이하, 특히 바람직하게는 99 질량% 이하이다. 통상적으로 발광층의 두께는 3 ∼ 200 ㎚ 정도이지만, 용제의 함유량이 이 하한을 하회하면, 조성물의 점성이 지나치게 높아져, 성막 작업성이 저하될 가능성이 있다. 한편, 이 상한을 상회하면, 성막 후, 용제를 제거하여 얻어지는 막의 두께를 벌 수 없게 되기 때문에, 성막이 곤란해지는 경향이 있다.The content of the solvent in the composition containing the iridium complex compound is preferably 1 mass% or more, more preferably 10 mass% or more, particularly preferably 50 mass% or more, and preferably 99.99 mass% or less, more preferably. Preferably it is 99.9% by mass or less, particularly preferably 99% by mass or less. Typically, the thickness of the light-emitting layer is about 3 to 200 nm, but if the solvent content is below this lower limit, the viscosity of the composition may become too high and film-forming workability may decrease. On the other hand, if it exceeds this upper limit, film formation tends to become difficult because the thickness of the film obtained by removing the solvent after film formation cannot be increased.

본 발명의 이리듐 착물 화합물 함유 조성물이 함유할 수 있는 다른 전하 수송성 화합물로는, 종래 유기 전계 발광 소자용 재료로서 이용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 피리딘, 카르바졸, 나프탈렌, 페릴렌, 피렌, 안트라센, 크리센, 나프타센, 페난트렌, 코로넨, 플루오란텐, 벤조페난트렌, 플루오렌, 아세토나프토플루오란텐, 쿠마린, p-비스(2-페닐에테닐)벤젠 및 그들의 유도체, 퀴나크리돈 유도체, DCM (4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스티릴)-4H-피란) 계 화합물, 벤조피란 유도체, 로다민 유도체, 벤조티오잔텐 유도체, 아자벤조티오잔텐, 아릴아미노기가 치환된 축합 방향족 고리 화합물, 아릴아미노기가 치환된 스티릴 유도체 등을 들 수 있다.As other charge-transporting compounds that the iridium complex compound-containing composition of the present invention can contain, those conventionally used as materials for organic electroluminescent devices can be used. For example, pyridine, carbazole, naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, chrysene, naphthacene, phenanthrene, coronene, fluoranthene, benzophenanthrene, fluorene, acetonaphthofluoranthene, coumarin, p-bis(2-phenylethenyl)benzene and their derivatives, quinacridone derivatives, DCM (4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran) series compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene, condensed aromatic ring compounds having a substituted arylamino group, and styryl derivatives having a substituted arylamino group.

이들은 1 종류를 단독으로 사용해도 되고, 또 2 종류 이상을 임의의 조합, 및 비율로 사용해도 된다.These may be used individually as one type, or two or more types may be used in any combination and ratio.

또, 이리듐 착물 화합물 함유 조성물 중의 다른 전하 수송성 화합물의 함유량은, 이리듐 착물 화합물 함유 조성물 중의 본 발명의 이리듐 착물 화합물 1 질량부에 대하여, 통상적으로 1000 질량부 이하, 바람직하게는 100 질량부 이하, 더욱 바람직하게는 50 질량부 이하이며, 통상적으로 0.01 질량부 이상, 바람직하게는 0.1 질량부 이상, 더욱 바람직하게는 1 질량부 이상이다. Additionally, the content of other charge-transporting compounds in the iridium complex compound-containing composition is usually 1000 parts by mass or less, preferably 100 parts by mass or less, based on 1 part by mass of the iridium complex compound of the present invention in the iridium complex compound-containing composition. It is preferably 50 parts by mass or less, and is usually 0.01 part by mass or more, preferably 0.1 part by mass or more, and more preferably 1 part by mass or more.

본 발명의 이리듐 착물 화합물 함유 조성물에는, 필요에 따라, 상기의 화합물 등 외에, 또 다른 화합물을 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 상기의 용제 외에, 다른 용제를 함유하고 있어도 된다. 그러한 용제로는, 예를 들어, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류, 디메틸술폭시드 등을 들 수 있다. 이들은 1 종류를 단독으로 사용해도 되고, 또 2 종류 이상을 임의의 조합, 및 비율로 사용해도 된다.The iridium complex compound-containing composition of the present invention may, if necessary, contain other compounds in addition to the above compounds. For example, in addition to the above solvents, other solvents may be contained. Examples of such solvents include amides such as N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide, and dimethylsulfoxide. These may be used individually as one type, or two or more types may be used in any combination and ratio.

<유기 전계 발광 소자><Organic electroluminescent device>

이하에, 본 발명의 유기 전계 발광 소자, 유기 전계 발광 조명 장치 및 유기 전계 발광 표시 장치의 실시양태를 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 넘지 않는 한, 이들 내용에 의해 한정되는 것은 아니다.Below, embodiments of the organic electroluminescent device, the organic electroluminescent lighting device, and the organic electroluminescent display device of the present invention will be described in detail, but the present invention is not limited by these contents as long as they do not exceed the gist thereof.

(기판) (Board)

기판은, 유기 전계 발광 소자의 지지체가 되는 것이며, 통상적으로, 석영이나 유리의 판, 금속판이나 금속박, 플라스틱 필름이나 시트 등이 사용된다. 이들 중, 유리판이나, 폴리에스테르, 폴리메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리술폰 등의 투명한 합성 수지의 판이 바람직하다. 기판은, 외기에 의한 유기 전계 발광 소자의 열화가 잘 일어나지 않는다는 점에서 가스 배리어성이 높은 재질로 하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 특히 합성 수지제 기판 등과 같이 가스 배리어성이 낮은 재질을 사용하는 경우에는, 기판의 적어도 편면에 치밀한 실리콘 산화막 등을 형성하여 가스 배리어성을 올리는 것이 바람직하다.The substrate serves as a support for the organic electroluminescent element, and usually a quartz or glass plate, a metal plate or metal foil, a plastic film or sheet, etc. are used. Among these, glass plates and plates of transparent synthetic resins such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, and polysulfone are preferable. The substrate is preferably made of a material with high gas barrier properties because deterioration of the organic electroluminescent element due to external air is less likely to occur. For this reason, especially when using a material with low gas barrier properties, such as a synthetic resin substrate, it is desirable to form a dense silicon oxide film on at least one side of the substrate to improve the gas barrier properties.

(양극) (anode)

양극은, 발광층측의 층에 정공을 주입하는 기능을 담당한다. 양극은, 통상적으로, 알루미늄, 금, 은, 니켈, 팔라듐, 백금 등의 금속;인듐 및/또는 주석의 산화물 등의 금속 산화물;요오드화구리 등의 할로겐화 금속;카본 블랙 및 폴리(3-메틸티오펜), 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 도전성 고분자 등에 의해 구성된다. 양극의 형성은, 통상적으로, 스퍼터링법, 진공 증착법 등의 건식법에 의해 실시되는 경우가 많다. 또, 은 등의 금속 미립자, 요오드화구리 등의 미립자, 카본 블랙, 도전성의 금속 산화물 미립자, 도전성 고분자 미분말 등을 사용하여 양극을 형성하는 경우에는, 적당한 바인더 수지 용액에 분산시켜, 기판 상에 도포함으로써 형성할 수도 있다. 또, 도전성 고분자의 경우에는, 전해 중합에 의해 직접 기판 상에 박막을 형성하거나, 기판 상에 도전성 고분자를 도포하여 양극을 형성할 수도 있다 (Appl. Phys. Lett., 60 권, 2711 페이지, 1992년).The anode serves the function of injecting holes into the layer on the light-emitting layer side. Anodes are usually metals such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, and platinum; metal oxides such as oxides of indium and/or tin; metal halides such as copper iodide; carbon black and poly(3-methylthiophene) ), and conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline. The formation of the anode is usually performed by dry methods such as sputtering and vacuum deposition. In addition, when forming an anode using metal fine particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, conductive polymer fine powder, etc., they are dispersed in an appropriate binder resin solution and applied on the substrate. It can also be formed. Additionally, in the case of conductive polymers, a thin film can be formed directly on the substrate by electrolytic polymerization, or the anode can be formed by applying the conductive polymer on the substrate (Appl. Phys. Lett., Vol. 60, Page 2711, 1992 year).

양극은, 통상적으로 단층 구조이지만, 적절히 적층 구조로 해도 된다. 양극이 적층 구조인 경우, 1 층째의 양극 상에 상이한 도전 재료를 적층해도 된다.The anode usually has a single-layer structure, but may also have a laminated structure as appropriate. When the anode has a laminated structure, different conductive materials may be laminated on the first layer anode.

양극의 두께는, 필요해지는 투명성과 재질 등에 따라서 결정하면 된다. 특히 높은 투명성이 필요해지는 경우에는, 가시광의 투과율이 60 % 이상이 되는 두께가 바람직하고, 80 % 이상이 되는 두께가 더욱 바람직하다. 양극의 두께는, 통상적으로 5 ㎚ 이상, 바람직하게는 10 ㎚ 이상이며, 또, 통상적으로 1000 ㎚ 이하, 바람직하게는 500 ㎚ 이하로 하는 것이 바람직하다. 한편, 투명성이 불필요한 경우에는, 양극의 두께는 필요한 강도 등에 따라서 임의로 두께로 하면 되고, 이 경우, 양극은 기판과 동일한 두께여도 된다.The thickness of the anode may be determined depending on the required transparency and material. In particular, when high transparency is required, a thickness with a visible light transmittance of 60% or more is preferable, and a thickness of 80% or more is more preferable. The thickness of the anode is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less. On the other hand, when transparency is not required, the thickness of the anode may be arbitrarily determined depending on the required strength, etc. In this case, the anode may have the same thickness as the substrate.

양극의 표면에 성막을 실시하는 경우에는, 성막 전에, 자외선 + 오존, 산소 플라즈마, 아르곤 플라즈마 등의 처리를 실시함으로써, 양극 상의 불순물을 제거함과 함께, 그 이온화 포텐셜을 조정하여 정공 주입성을 향상시키는 것이 바람직하다.When forming a film on the surface of an anode, treatment with ultraviolet rays + ozone, oxygen plasma, argon plasma, etc. is performed before film formation to remove impurities on the anode and adjust its ionization potential to improve hole injection properties. It is desirable.

(정공 주입층) (hole injection layer)

양극측으로부터 발광층측으로 정공을 수송하는 기능을 담당하는 층은, 통상적으로, 정공 주입 수송층 또는 정공 수송층이라 불린다. 그리고, 양극측으로부터 발광층측으로 정공을 수송하는 기능을 담당하는 층이 2 층 이상 있는 경우에, 보다 양극측에 가까운 쪽의 층을 정공 주입층이라고 부르는 경우가 있다. 정공 주입층은, 양극으로부터 발광층측으로 정공을 수송하는 기능을 강화하는 점에서, 사용하는 것이 바람직하다. 정공 주입층을 사용하는 경우, 통상적으로 정공 주입층은 양극 상에 형성된다.The layer responsible for transporting holes from the anode side to the light emitting layer side is usually called a hole injection and transport layer or a hole transport layer. Additionally, when there are two or more layers responsible for transporting holes from the anode side to the light emitting layer side, the layer closer to the anode side may be called a hole injection layer. The hole injection layer is preferably used because it enhances the function of transporting holes from the anode to the light emitting layer. When using a hole injection layer, the hole injection layer is typically formed on the anode.

정공 주입층의 막두께는, 통상적으로 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 5 ㎚ 이상, 또, 통상적으로 1000 ㎚ 이하, 바람직하게는 500 ㎚ 이하이다.The film thickness of the hole injection layer is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

정공 주입층의 형성 방법은, 진공 증착법이어도 되고, 습식 성막법이어도 된다. 성막성이 우수한 점에서는, 습식 성막법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.The method for forming the hole injection layer may be a vacuum deposition method or a wet film forming method. In terms of excellent film forming properties, it is preferable to form by a wet film forming method.

정공 주입층은, 정공 수송성 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 정공 수송성 화합물과 전자 수용성 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하다. 나아가서는, 정공 주입층 중에 카티온 라디칼 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 카티온 라디칼 화합물과 정공 수송성 화합물을 포함하는 것이 특히 바람직하다.The hole injection layer preferably contains a hole-transporting compound, and more preferably contains a hole-transporting compound and an electron-accepting compound. Furthermore, it is preferable that the hole injection layer contains a cation radical compound, and it is especially preferable that it contains a cation radical compound and a hole transport compound.

(정공 수송성 화합물) (Hole transport compound)

정공 주입층 형성용 조성물은, 통상적으로, 정공 주입층이 되는 정공 수송성 화합물을 함유한다. 또, 습식 성막법의 경우에는, 통상적으로 추가로 용제도 함유한다. 정공 주입층 형성용 조성물은, 정공 수송성이 높고, 주입된 정공을 효율적으로 수송할 수 있는 것이 바람직하다. 이 때문에, 정공 이동도가 크고, 트랩이 되는 불순물이 제조시나 사용시 등에 잘 발생하지 않는 것이 바람직하다. 또, 안정성이 우수하고, 이온화 포텐셜이 작고, 가시광에 대한 투명성이 높은 것이 바람직하다. 특히, 정공 주입층이 발광층과 접하는 경우에는, 발광층으로부터의 발광을 소광하지 않는 것이나 발광층과 엑시플렉스를 형성하여, 발광 효율을 저하시키지 않는 것이 바람직하다.The composition for forming a hole injection layer usually contains a hole transport compound that becomes the hole injection layer. In addition, in the case of a wet film forming method, a solvent is usually additionally contained. The composition for forming a hole injection layer preferably has high hole transport properties and is capable of efficiently transporting injected holes. For this reason, it is desirable that the hole mobility is high and that impurities that become traps are not easily generated during manufacturing or use. Additionally, it is desirable to have excellent stability, small ionization potential, and high transparency to visible light. In particular, when the hole injection layer is in contact with the light-emitting layer, it is preferable not to quench the light emission from the light-emitting layer or to form an exciplex with the light-emitting layer and not reduce the light emission efficiency.

정공 수송성 화합물로는, 양극으로부터 정공 주입층으로의 전하 주입 장벽의 관점에서, 4.5 eV ∼ 6.0 eV 의 이온화 포텐셜을 갖는 화합물이 바람직하다. 정공 수송성 화합물의 예로는, 방향족 아민계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 포르피린계 화합물, 올리고 티오펜계 화합물, 폴리티오펜계 화합물, 벤질페닐계 화합물, 플루오렌기로 3 급 아민을 연결한 화합물, 하이드라존계 화합물, 실라잔계 화합물, 퀴나크리돈계 화합물 등을 들 수 있다.As the hole-transporting compound, a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV is preferable from the viewpoint of the charge injection barrier from the anode to the hole injection layer. Examples of hole-transporting compounds include aromatic amine-based compounds, phthalocyanine-based compounds, porphyrin-based compounds, oligothiophene-based compounds, polythiophene-based compounds, benzylphenyl-based compounds, compounds in which a tertiary amine is linked to a fluorene group, and hydra. Examples include zonal compounds, silazane-based compounds, and quinacridone-based compounds.

상기 서술한 예시 화합물 중, 비정질성 및 가시광 투과성의 점에서, 방향족 아민 화합물이 바람직하고, 방향족 3 급 아민 화합물이 특히 바람직하다. 여기서, 방향족 3 급 아민 화합물이란, 방향족 3 급 아민 구조를 갖는 화합물로서, 방향족 3 급 아민 유래의 기를 갖는 화합물도 포함한다.Among the above-mentioned exemplary compounds, aromatic amine compounds are preferable, and aromatic tertiary amine compounds are particularly preferable from the viewpoint of amorphousness and visible light transparency. Here, the aromatic tertiary amine compound refers to a compound having an aromatic tertiary amine structure, and also includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.

방향족 3 급 아민 화합물의 종류는, 특별히 제한되지 않지만, 표면 평활화 효과에 의해 균일한 발광을 얻기 쉬운 점에서, 중량 평균 분자량이 1000 이상 1000000 이하인 고분자 화합물 (반복 단위가 연속하는 중합형 화합물) 을 사용하는 것이 바람직하다. 방향족 3 급 아민 고분자 화합물의 바람직한 예로는, 하기 식 (I) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물 등을 들 수 있다.The type of aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but since it is easy to obtain uniform light emission due to the surface smoothing effect, a polymer compound (polymerized compound with continuous repeating units) with a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000 is used. It is desirable to do so. Preferred examples of aromatic tertiary amine polymer compounds include polymer compounds having a repeating unit represented by the following formula (I).

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112017115369377-pct00016
Figure 112017115369377-pct00016

(식 (I) 중, Ar1 및 Ar2 는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 탄화수소기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 복소 고리기를 나타낸다. Ar3 ∼ Ar5 는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 탄화수소기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 복소 고리기를 나타낸다. Y 는, 하기의 연결기군 중에서 선택되는 연결기를 나타낸다. 또, Ar1 ∼ Ar5 중, 동일한 N 원자에 결합하는 2 개의 기는 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.(In formula (I), Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 3 to Ar 5 each independently represent a substituent. represents an aromatic hydrocarbon group that may have an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group that may have a substituent. Y represents a linking group selected from the following linking group group. Also, among Ar 1 to Ar 5 , two are bonded to the same N atom. Groups may combine with each other to form a ring.

하기에 연결기를 나타낸다.The linking group is shown below.

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112017115369377-pct00017
Figure 112017115369377-pct00017

(상기 각 식 중, Ar6 ∼ Ar16 은, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 탄화수소기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 복소 고리기를 나타낸다. R1 및 R2 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 임의의 치환기를 나타낸다.) Ar1 ∼ Ar16 의 방향족 탄화수소기 및 방향족 복소 고리기로는, 고분자 화합물의 용해성, 내열성, 정공 주입 수송성의 점에서, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 페난트렌 고리, 티오펜 고리, 피리딘 고리 유래의 기가 바람직하고, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리 유래의 기가 더욱 바람직하다.(In each of the above formulas, Ar 6 to Ar 16 each independently represent an aromatic hydrocarbon group that may have a substituent or an aromatic heterocyclic group that may have a substituent. R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom. or an arbitrary substituent.) The aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 include benzene ring, naphthalene ring, phenanthrene ring, and thiophene in terms of solubility, heat resistance, and hole injection and transport properties of the polymer compound. A group derived from a ring or a pyridine ring is preferable, and a group derived from a benzene ring or a naphthalene ring is more preferable.

식 (I) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 방향족 3 급 아민 고분자 화합물의 구체예로는, 국제 공개 제2005/089024호에 기재된 것 등을 들 수 있다.Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by formula (I) include those described in International Publication No. 2005/089024.

(전자 수용성 화합물) (electron-accepting compound)

정공 주입층에는, 정공 수송성 화합물의 산화에 의해, 정공 주입층의 도전율을 향상시킬 수 있기 때문에, 전자 수용성 화합물을 함유하고 있는 것이 바람직하다. The hole injection layer preferably contains an electron-accepting compound because the conductivity of the hole injection layer can be improved by oxidation of the hole-transporting compound.

전자 수용성 화합물로는, 산화력을 갖고, 상기 서술한 정공 수송성 화합물로부터 1 전자 수용하는 능력을 갖는 화합물이 바람직하고, 구체적으로는, 전자 친화력이 4 eV 이상인 화합물이 바람직하고, 전자 친화력이 5 eV 이상인 화합물이 더욱 바람직하다.As the electron-accepting compound, a compound that has oxidizing power and the ability to accept one electron from the hole-transporting compound described above is preferable. Specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and a compound having an electron affinity of 5 eV or more is preferable. Compounds are more preferred.

이와 같은 전자 수용성 화합물로는, 예를 들어, 트리아릴붕소 화합물, 할로겐화 금속, 루이스산, 유기산, 오늄염, 아릴아민과 할로겐화 금속의 염, 아릴아민과 루이스산의 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 화합물 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 4-이소프로필-4'-메틸디페닐요오드늄테트라키스(펜다플루오로페닐)보레이트, 트리페닐술포늄테트라플루오로보레이트 등의 유기기가 치환한 오늄염 (국제 공개 제2005/089024호);염화철 (III) (일본 공개특허공보 평11-251067호), 퍼옥소2황산암모늄 등의 고원자가의 무기 화합물;테트라시아노에틸렌 등의 시아노 화합물;트리스(펜다플루오로페닐)보란 (일본 공개특허공보 2003-31365호) 등의 방향족 붕소 화합물;풀러렌 유도체 및 요오드 등을 들 수 있다.Such electron-accepting compounds include, for example, one selected from the group consisting of triaryl boron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. A species or two or more types of compounds can be mentioned. Specifically, onium salts substituted with organic groups such as 4-isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium tetrakis(pendafluorophenyl)borate and triphenylsulfonium tetrafluoroborate (International Publication No. 2005/089024) ); High-valence inorganic compounds such as iron (III) chloride (Japanese Patent Application Publication No. 11-251067), ammonium peroxodisulfate; Cyano compounds such as tetracyanoethylene; Tris(pendafluorophenyl)borane Aromatic boron compounds such as (Japanese Patent Application Publication No. 2003-31365); fullerene derivatives, iodine, etc. are mentioned.

(카티온 라디칼 화합물) (cation radical compound)

카티온 라디칼 화합물로는, 정공 수송성 화합물로부터 1 전자 제거한 화학종인 카티온 라디칼과, 카운터 아니온으로 이루어지는 이온 화합물이 바람직하다. 단, 카티온 라디칼이 정공 수송성의 고분자 화합물 유래인 경우, 카티온 라디칼은 고분자 화합물의 반복 단위로부터 1 전자 제거한 구조가 된다.The cation radical compound is preferably an ionic compound consisting of a cation radical, which is a chemical species in which one electron is removed from a hole-transporting compound, and a counter anion. However, when the cation radical is derived from a hole-transporting polymer compound, the cation radical has a structure in which one electron is removed from the repeating unit of the polymer compound.

카티온 라디칼로는, 정공 수송성 화합물로서 전술한 화합물로부터 1 전자 제거한 화학종인 것이 바람직하다. 정공 수송성 화합물로서 바람직한 화합물로부터 1 전자 제거한 화학종인 것이, 비정질성, 가시광의 투과율, 내열성, 및 용해성 등의 점에서 적합하다.The cation radical is preferably a chemical species obtained by removing one electron from the compound described above as the hole-transporting compound. As a hole-transporting compound, a chemical species obtained by removing one electron from a preferred compound is suitable in terms of amorphousness, visible light transmittance, heat resistance, and solubility.

여기서, 카티온 라디칼 화합물은, 전술한 정공 수송성 화합물과 전자 수용성 화합물을 혼합함으로써 생성시킬 수 있다. 즉, 전술한 정공 수송성 화합물과 전자 수용성 화합물을 혼합함으로써, 정공 수송성 화합물로부터 전자 수용성 화합물로 전자 이동이 일어나고, 정공 수송성 화합물의 카티온 라디칼과 카운터 아니온으로 이루어지는 카티온 이온 화합물이 생성된다.Here, the cation radical compound can be produced by mixing the hole-transporting compound and the electron-accepting compound described above. That is, by mixing the hole-transporting compound and the electron-accepting compound described above, electron transfer occurs from the hole-transporting compound to the electron-accepting compound, and a cation ion compound composed of the cation radical and counter anion of the hole-transporting compound is generated.

PEDOT/PSS (Adv. Mater., 2000년, 12 권, 481 페이지) 나 에메랄딘염산염 (J. Phys. Chem., 1990년, 94 권, 7716 페이지) 등의 고분자 화합물 유래의 카티온 라디칼 화합물은, 산화 중합 (탈수소 중합) 함으로써도 생성된다. Cation radical compounds derived from polymer compounds such as PEDOT/PSS (Adv. Mater., 2000, vol. 12, p. 481) or emeraldine hydrochloride (J. Phys. Chem., 1990, vol. 94, p. 7716) are , It can also be produced through oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization).

여기서 말하는 산화 중합은, 모노머를 산성 용액 중에서, 퍼옥소2황산염 등을 사용하여 화학적으로, 또는, 전기 화학적으로 산화하는 것이다. 이 산화 중합 (탈수소 중합) 의 경우, 모노머가 산화됨으로써 고분자화 됨과 함께, 산성 용액 유래의 아니온을 카운터 아니온으로 하는, 고분자의 반복 단위로부터 1 전자 제거된 카티온 라디칼이 생성된다.Oxidative polymerization as referred to here means oxidizing a monomer chemically or electrochemically in an acidic solution using peroxodisulfate or the like. In the case of this oxidation polymerization (dehydrogenation polymerization), the monomer is oxidized to become a polymer, and a cation radical with one electron removed from the repeating unit of the polymer, which uses the anion derived from the acidic solution as a counter anion, is generated.

<습식 성막법에 의한 정공 주입층의 형성><Formation of hole injection layer by wet film forming method>

습식 성막법에 의해 정공 주입층을 형성하는 경우, 통상적으로, 정공 주입층이 되는 재료를 가용인 용제 (정공 주입층용 용제) 와 혼합하여 성막용의 조성물 (정공 주입층 형성용 조성물) 을 조제하고, 이 정공 주입층 형성용 조성물을 정공 주입층의 하층에 해당하는 층 (통상적으로는, 양극) 상에 도포하여 성막하고, 건조시킴으로써 형성시킨다.When forming a hole injection layer by a wet film formation method, a material for forming the hole injection layer is usually mixed with a soluble solvent (solvent for the hole injection layer) to prepare a composition for film formation (composition for forming a hole injection layer). , this composition for forming a hole injection layer is formed by applying it on the layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer (usually the anode), forming it into a film, and drying it.

정공 주입층 형성용 조성물 중에 있어서의 정공 수송성 화합물의 농도는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 임의이지만, 막두께의 균일성의 점에서는, 낮은 편이 바람직하고, 또, 한편, 정공 주입층에 결함이 잘 발생하지 않는 점에서는, 높은 편이 바람직하다. 구체적으로는, 0.01 질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.1 질량% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 0.5 질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 또, 한편, 70 질량% 이하인 것이 바람직하고, 60 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 50 질량% 이하인 것이 특히 바람직하다.The concentration of the hole transporting compound in the composition for forming the hole injection layer is arbitrary as long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but in terms of film thickness uniformity, it is preferable that it is lower, and on the other hand, the hole injection layer Since defects are less likely to occur, a higher value is preferable. Specifically, it is preferably 0.01 mass% or more, more preferably 0.1 mass% or more, especially preferably 0.5 mass% or more, and also preferably 70 mass% or less, and even more preferably 60 mass% or less. , it is particularly preferable that it is 50% by mass or less.

용제로는, 예를 들어, 에테르계 용제, 에스테르계 용제, 방향족 탄화수소계 용제, 아미드계 용제 등을 들 수 있다.Examples of solvents include ether-based solvents, ester-based solvents, aromatic hydrocarbon-based solvents, and amide-based solvents.

에테르계 용제로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜-1-모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 등의 지방족 에테르 및 1,2-디메톡시벤젠, 1,3-디메톡시벤젠, 아니솔, 페네톨, 2-메톡시톨루엔, 3-메톡시톨루엔, 4-메톡시톨루엔, 2,3-디메틸아니솔, 2,4-디메틸아니솔 등의 방향족 에테르 등을 들 수 있다.Ether-based solvents include, for example, aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA), and 1,2-dimethoxybenzene, 1,3- Aromatic ethers such as dimethoxybenzene, anisole, phenetol, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, and 2,4-dimethylanisole. You can.

에스테르계 용제로는, 예를 들어, 아세트산페닐, 프로피온산페닐, 벤조산메틸, 벤조산에틸, 벤조산프로필, 벤조산n-부틸 등의 방향족 에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the ester-based solvent include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate.

방향족 탄화수소계 용제로는, 예를 들어, 톨루엔, 자일렌, 시클로헥실벤젠, 3-이소프로필비페닐, 1,2,3,4-테트라메틸벤젠, 1,4-디이소프로필벤젠, 시클로헥실벤젠, 메틸나프탈렌 등을 들 수 있다. 아미드계 용제로는, 예를 들어, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등을 들 수 있다.Examples of aromatic hydrocarbon solvents include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylbiphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, and cyclohexyl. Benzene, methylnaphthalene, etc. can be mentioned. Examples of amide-based solvents include N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, and the like.

이들 외에, 디메틸술폭시드 등도 사용할 수 있다.In addition to these, dimethyl sulfoxide and the like can also be used.

정공 주입층 (3) 의 습식 성막법에 의한 형성은, 통상적으로, 정공 주입층 형성용 조성물을 조제 후에, 이것을, 정공 주입층 (3) 의 하층에 해당하는 층 (통상적으로는, 양극 (2)) 상에 도포 성막하고, 건조시킴으로써 실시된다. 정공 주입층 (3) 은, 통상적으로, 성막 후에, 가열이나 감압 건조 등에 의해 도포막을 건조시킨다.The formation of the hole injection layer 3 by a wet film formation method usually involves preparing a composition for forming the hole injection layer, and then forming this into a layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 (usually, the anode (2) )) It is carried out by applying a film on top and drying it. After forming the hole injection layer 3, the coating film is usually dried by heating or reduced-pressure drying.

<진공 증착법에 의한 정공 주입층의 형성><Formation of hole injection layer by vacuum deposition method>

진공 증착법에 의해 정공 주입층 (3) 을 형성하는 경우에는, 통상적으로, 정공 주입층 (3) 의 구성 재료 (전술한 정공 수송성 화합물, 전자 수용성 화합물 등) 의 1 종류 또는 2 종류 이상을 진공 용기 내에 설치된 도가니에 넣고 (2 종류 이상의 재료를 사용하는 경우에는, 통상적으로 각각을 다른 도가니에 넣고), 진공 용기 내를 진공 펌프로 10-4 ㎩ 정도까지 배기한 후, 도가니를 가열하여 (2 종류 이상의 재료를 사용하는 경우에는, 통상적으로 각각의 도가니를 가열하여), 도가니 내의 재료의 증발량을 제어하면서 증발시키고 (2 종류 이상의 재료를 사용하는 경우에는, 통상적으로 각각 독립적으로 증발량을 제어하면서 증발시키고), 도가니에 마주 보고 놓인 기판 상의 양극 상에 정공 주입층을 형성시킨다. 또한, 2 종류 이상의 재료를 사용하는 경우에는, 그들의 혼합물을 도가니에 넣고, 가열, 증발시켜 정공 주입층을 형성할 수도 있다.When forming the hole injection layer 3 by a vacuum deposition method, one or two or more types of constituent materials of the hole injection layer 3 (the above-mentioned hole transporting compound, electron accepting compound, etc.) are usually placed in a vacuum container. Put them in a crucible installed inside (when using two or more types of materials, each is usually placed in a different crucible), evacuate the inside of the vacuum container to about 10 -4 Pa with a vacuum pump, and then heat the crucible (two types) When using the above materials, they are evaporated while controlling the evaporation amount of the material in the crucible (usually by heating each crucible) (when using two or more types of materials, they are usually evaporated while controlling the evaporation amount independently) ), a hole injection layer is formed on the anode on the substrate facing the crucible. Additionally, when using two or more types of materials, their mixture can be placed in a crucible, heated, and evaporated to form a hole injection layer.

증착시의 진공도는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 한정되지 않지만, 통상적으로 0.1 × 10-6 Torr (0.13 × 10-4 ㎩) 이상, 9.0 × 10-6 Torr (12.0 × 10-4 ㎩) 이하이다. 증착 속도는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 한정되지 않지만, 통상적으로 0.1 Å/초 이상, 5.0 Å/초 이하이다. 증착시의 성막 온도는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 한정되지 않지만, 바람직하게는 10 ℃ 이상, 50 ℃ 이하에서 실시된다.The degree of vacuum during deposition is not limited as long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but is usually 0.1 × 10 -6 Torr (0.13 × 10 -4 Pa) or more, 9.0 × 10 -6 Torr (12.0 × 10 - 4 Pa) or less. The deposition rate is not limited as long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but is usually 0.1 Å/sec or more and 5.0 Å/sec or less. The film formation temperature during vapor deposition is not limited as long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but is preferably performed at 10°C or higher and 50°C or lower.

(정공 수송층) (Hole transport layer)

정공 수송층은, 양극측으로부터 발광층측으로 정공을 수송하는 기능을 담당하는 층이다. 정공 수송층은, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서는, 필수 층은 아니지만, 양극으로부터 발광층으로 정공을 수송하는 기능을 강화하는 점에서는, 이 층을 사용하는 것이 바람직하다. 정공 수송층을 사용하는 경우, 통상적으로, 정공 수송층은 양극과 발광층의 사이에 형성된다. 또, 상기 서술한 정공 주입층이 있는 경우에는, 정공 주입층과 발광층의 사이에 형성된다.The hole transport layer is a layer that functions to transport holes from the anode side to the light emitting layer side. Although the hole transport layer is not an essential layer in the organic electroluminescent device of the present invention, it is preferable to use this layer because it enhances the function of transporting holes from the anode to the light emitting layer. When using a hole transport layer, the hole transport layer is usually formed between the anode and the light emitting layer. Moreover, when the above-mentioned hole injection layer is present, it is formed between the hole injection layer and the light-emitting layer.

정공 수송층의 막두께는, 통상적으로 5 ㎚ 이상, 바람직하게는 10 ㎚ 이상이며, 또, 한편, 통상적으로 300 ㎚ 이하, 바람직하게는 100 ㎚ 이하이다.The film thickness of the hole transport layer is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

정공 수송층의 형성 방법은, 진공 증착법이어도 되고, 습식 성막법이어도 된다. 성막성이 우수한 점에서는, 습식 성막법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.The method for forming the hole transport layer may be a vacuum deposition method or a wet film forming method. In terms of excellent film forming properties, it is preferable to form by a wet film forming method.

정공 수송층은, 통상적으로, 정공 수송층이 되는 정공 수송성 화합물을 함유한다. 정공 수송층에 포함되는 정공 수송성 화합물로는, 특히, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐로 대표되는, 2 개 이상의 3 급 아민을 포함하여 2 개 이상의 축합 방향족 고리가 질소 원자로 치환한 방향족 디아민 (일본 공개특허공보 평5-234681호), 4,4',4"-트리스(1-나프틸페닐아미노)트리페닐아민 등의 스타버스트 구조를 갖는 방향족 아민 화합물 (J. Lumin., 72-74 권, 985 페이지, 1997년), 트리페닐아민의 4량체로 이루어지는 방향족 아민 화합물 (Chem. Commun., 2175 페이지, 1996년), 2,2',7,7'-테트라키스-(디페닐아미노)-9,9'-스피로비플루오렌 등의 스피로 화합물 (Synth. Metals, 91 권, 209 페이지, 1997년), 4,4'-N,N'-디카르바졸비페닐 등의 카르바졸 유도체 등을 들 수 있다. 또, 예를 들어 폴리비닐카르바졸, 폴리비닐트리페닐아민 (일본 공개특허공보 평7-53953호), 테트라페닐벤지딘을 함유하는 폴리아릴렌에테르술폰 (Polym. Adv. Tech., 7 권, 33 페이지, 1996년) 등도 바람직하게 사용할 수 있다.The hole transport layer usually contains a hole transport compound that serves as the hole transport layer. Hole-transporting compounds contained in the hole-transporting layer include, in particular, two or more tertiary amines, such as 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl, and 2 Starburst structures such as aromatic diamines in which two or more condensed aromatic rings are replaced with nitrogen atoms (Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-234681), 4,4',4"-tris(1-naphthylphenylamino)triphenylamine, etc. Aromatic amine compounds having (J. Lumin., vol. 72-74, 985 pages, 1997), aromatic amine compounds consisting of tetramers of triphenylamine (Chem. Commun., 2175 pages, 1996), 2,2' Spiro compounds such as ,7,7'-tetrakis-(diphenylamino)-9,9'-spirobifluorene (Synth. Metals, Volume 91, Page 209, 1997), 4,4'-N, Carbazole derivatives such as N'-dicarbazole biphenyl, etc. can be mentioned. Also, for example, polyvinylcarbazole, polyvinyltriphenylamine (Japanese Patent Laid-Open No. 7-53953), polyarylene ether sulfone containing tetraphenylbenzidine (Polym. Adv. Tech., Vol. 7, 33 Page, 1996) can also be used preferably.

<습식 성막법에 의한 정공 수송층의 형성><Formation of hole transport layer by wet film forming method>

습식 성막법으로 정공 수송층을 형성하는 경우에는, 통상적으로, 상기 서술한 정공 주입층을 습식 성막법으로 형성하는 경우와 동일하게 하여, 정공 주입층 형성용 조성물 대신에 정공 수송층 형성용 조성물을 사용하여 형성시킨다.When forming a hole transport layer by a wet film deposition method, usually, in the same manner as in the case of forming the above-described hole injection layer by a wet film formation method, a composition for forming a hole transport layer is used instead of the composition for forming a hole injection layer. form.

습식 성막법으로 정공 수송층을 형성하는 경우에는, 통상적으로, 정공 수송층 형성용 조성물은 추가로 용제를 함유한다. 정공 수송층 형성용 조성물에 사용하는 용제는, 상기 서술한 정공 주입층 형성용 조성물에서 사용하는 용제와 동일한 용제를 사용할 수 있다.When forming a hole transport layer by a wet film forming method, the composition for forming the hole transport layer usually further contains a solvent. The solvent used in the composition for forming a hole transport layer can be the same as the solvent used in the composition for forming a hole injection layer described above.

정공 수송층 형성용 조성물 중에 있어서의 정공 수송성 화합물의 농도는, 정공 주입층 형성용 조성물 중에 있어서의 정공 수송성 화합물의 농도와 동일한 범위로 할 수 있다.The concentration of the hole transporting compound in the composition for forming a hole transport layer can be within the same range as the concentration of the hole transporting compound in the composition for forming a hole injection layer.

정공 수송층의 습식 성막법에 의한 형성은, 전술한 정공 주입층 성막법과 동일하게 실시할 수 있다.Formation of the hole transport layer by a wet film formation method can be performed in the same manner as the hole injection layer film formation method described above.

<진공 증착법에 의한 정공 수송층의 형성><Formation of hole transport layer by vacuum deposition method>

진공 증착법으로 정공 수송층을 형성하는 경우에 대해서도, 통상적으로, 상기 서술한 정공 주입층을 진공 증착법으로 형성하는 경우와 동일하게 하여, 정공 주입층 형성용 조성물 대신에 정공 수송층 형성용 조성물을 사용하여 형성시킬 수 있다. 증착시의 진공도, 증착 속도 및 온도 등의 성막 조건 등은, 상기 정공 주입층의 진공 증착시와 동일한 조건으로 성막할 수 있다.In the case of forming a hole transport layer by a vacuum deposition method, it is usually formed in the same manner as in the case of forming the hole injection layer described above by a vacuum deposition method, using a composition for forming a hole transport layer instead of the composition for forming a hole injection layer. You can do it. Film formation conditions such as vacuum degree, deposition rate, and temperature during deposition can be the same as those for vacuum deposition of the hole injection layer.

(발광층) (Emitting layer)

발광층은, 1 쌍의 전극간에 전계가 부여되었을 때에, 양극으로부터 주입되는 정공과 음극으로부터 주입되는 전자가 재결합함으로써 여기되어, 발광하는 기능을 담당하는 층이다. 발광층은, 양극과 음극 사이에 형성되는 층이며, 발광층은, 양극 상에 정공 주입층이 있는 경우에는, 정공 주입층과 음극 사이에 형성되고, 양극 상에 정공 수송층이 있는 경우에는, 정공 수송층과 음극의 사이에 형성된다.The light-emitting layer is a layer that functions to emit light by being excited by recombination of holes injected from the anode and electrons injected from the cathode when an electric field is applied between a pair of electrodes. The light-emitting layer is a layer formed between the anode and the cathode. When there is a hole injection layer on the anode, the light-emitting layer is formed between the hole injection layer and the cathode. When there is a hole transport layer on the anode, the light-emitting layer is formed between the hole transport layer and the cathode. It is formed between the cathodes.

발광층의 막두께는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 임의이지만, 막에 결함이 잘 발생하지 않는 점에서는 두꺼운 편이 바람직하고, 또, 한편, 얇은 편이 저구동 전압으로 하기 쉬운 점에서 바람직하다. 이 때문에, 3 ㎚ 이상인 것이 바람직하고, 5 ㎚ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 또, 한편, 통상적으로 200 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 100 ㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The film thickness of the light-emitting layer is arbitrary as long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but a thicker one is preferable because defects are less likely to occur in the film, and a thinner one is preferable because it is easier to achieve a low driving voltage. do. For this reason, it is preferable that it is 3 nm or more, and it is more preferable that it is 5 nm or more, and on the other hand, it is generally preferable that it is 200 nm or less, and it is more preferable that it is 100 nm or less.

발광층은, 적어도, 발광의 성질을 갖는 재료 (발광 재료) 를 함유함과 함께, 바람직하게는, 전하 수송성을 갖는 재료 (전하 수송성 재료) 를 함유한다.The light-emitting layer contains at least a material (light-emitting material) that has the property of emitting light, and preferably contains a material (charge-transport material) that has charge-transport properties.

(발광 재료) (Luminescent material)

발광 재료는, 원하는 발광 파장으로 발광하고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한 특별히 제한은 없고, 공지된 발광 재료를 적용 가능하다. 발광 재료는, 형광 발광 재료여도 되고, 인광 발광 재료여도 되지만, 발광 효율이 양호한 재료가 바람직하고, 내부 양자 효율의 관점에서 인광 발광 재료가 바람직하다. 인광 발광 재료로는, 본원 발명의 이리듐 착물 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.The luminescent material is not particularly limited as long as it emits light at a desired luminescent wavelength and does not impair the effect of the present invention, and any known luminescent material can be applied. The luminescent material may be a fluorescent luminescent material or a phosphorescent luminescent material, but a material with good luminous efficiency is preferable, and a phosphorescent luminescent material is preferable from the viewpoint of internal quantum efficiency. As the phosphorescent material, it is preferable to use the iridium complex compound of the present invention.

형광 발광 재료로는, 예를 들어, 이하의 재료를 들 수 있다.Examples of the fluorescent material include the following materials.

청색 발광을 부여하는 형광 발광 재료 (청색 형광 발광 재료) 로는, 예를 들어, 나프탈렌, 페릴렌, 피렌, 안트라센, 쿠마린, 크리센, p-비스(2-페닐에테닐)벤젠 및 그들의 유도체 등을 들 수 있다.Fluorescent materials that emit blue light (blue fluorescent materials) include, for example, naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, coumarin, chrysene, p-bis(2-phenylethenyl)benzene, and their derivatives. I can hear it.

녹색 발광을 부여하는 형광 발광 재료 (녹색 형광 발광 재료) 로는, 예를 들어, 퀴나크리돈 유도체, 쿠마린 유도체, Al(C9H6NO)3 등의 알루미늄 착물 등을 들 수 있다. 황색 발광을 부여하는 형광 발광 재료 (황색 형광 발광 재료) 로는, 예를 들어, 루브렌, 페리미돈 유도체 등을 들 수 있다.Examples of fluorescent materials that impart green light emission (green fluorescent materials) include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and aluminum complexes such as Al(C 9 H 6 NO) 3 . Examples of fluorescent materials that emit yellow light (yellow fluorescent materials) include rubrene and perimidone derivatives.

적색 발광을 부여하는 형광 발광 재료 (적색 형광 발광 재료) 로는, 예를 들어, DCM (4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스티릴)-4H-피란) 계 화합물, 벤조피란 유도체, 로다민 유도체, 벤조티오잔텐 유도체, 아자벤조티오잔텐 등을 들 수 있다.Fluorescent materials that impart red light (red fluorescent materials) include, for example, DCM (4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)-based compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, and azabenzothioxanthene.

또, 인광 발광 재료로는, 예를 들어, 장주기형 주기표 (이하, 특별히 단서가 없는 한 「주기표」 라고 하는 경우에는, 장주기형 주기표를 가리키는 것으로 한다.) 의 제 7 ∼ 11 족에서 선택되는 금속을 포함하는 유기 금속 착물 등을 들 수 있다. 주기표의 제 7 ∼ 11 족에서 선택되는 금속으로서, 바람직하게는, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금 등을 들 수 있다.Additionally, phosphorescent materials include, for example, groups 7 to 11 of the long periodic table (hereinafter, unless otherwise specified, the term “periodic table” refers to the long periodic table). and organometallic complexes containing selected metals. Metals selected from groups 7 to 11 of the periodic table are preferably ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold.

유기 금속 착물의 배위자로는, (헤테로)아릴피리딘 배위자, (헤테로)아릴피라졸 배위자 등의 (헤테로)아릴기와 피리딘, 피라졸, 페난트롤린 등이 연결한 배위자가 바람직하고, 특히 페닐피리딘 배위자, 페닐피라졸 배위자가 바람직하다. 여기서, (헤테로)아릴이란, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다.As the ligand for the organometallic complex, a ligand in which a (hetero)aryl group, such as a (hetero)arylpyridine ligand or a (hetero)arylpyrazole ligand, is linked to a pyridine, pyrazole, or phenanthroline, is preferable, and in particular, a phenylpyridine ligand. , a phenylpyrazole ligand is preferred. Here, (hetero)aryl refers to an aryl group or heteroaryl group.

바람직한 인광 발광 재료로서, 구체적으로는, 예를 들어, 트리스(2-페닐피리딘)이리듐, 트리스(2-페닐피리딘)루테늄, 트리스(2-페닐피리딘)팔라듐, 비스(2-페닐피리딘)백금, 트리스(2-페닐피리딘)오스뮴, 트리스(2-페닐피리딘)레늄 등의 페닐피리딘 착물 및 옥타에틸백금포르피린, 옥타페닐백금포르피린, 옥타에틸팔라듐포르피린, 옥타페닐팔라듐포르피린 등의 포르피린 착물 등을 들 수 있다.Preferred phosphorescent materials include, specifically, tris(2-phenylpyridine)iridium, tris(2-phenylpyridine)ruthenium, tris(2-phenylpyridine)palladium, bis(2-phenylpyridine)platinum, phenylpyridine complexes such as tris(2-phenylpyridine)osmium and tris(2-phenylpyridine)rhenium, and porphyrin complexes such as octaethylplatinum porphyrin, octaphenylplatinum porphyrin, octaethylpalladiumporphyrin, and octaphenylpalladiumporphyrin. there is.

고분자계의 발광 재료로는, 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-2,7-디일), 폴리[(9,9-디옥틸플루오렌-2,7-디일)-코-(4,4'-(N-(4-sec-부틸페닐))디페닐아민)], 폴리[(9,9-디옥틸플루오렌-2,7-디일)-코-(1,4-벤조-2{2,1'-3}-트리아졸)] 등의 폴리플루오렌계 재료, 폴리[2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌] 등의 폴리페닐렌비닐렌계 재료를 들 수 있다.Polymer-based luminescent materials include poly(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl), poly[(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl)-co-(4, 4'-(N-(4-sec-butylphenyl))diphenylamine)], poly[(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl)-co-(1,4-benzo-2 {2,1'-3}-triazole)], polyfluorene-based materials, poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene], etc. Examples include polyphenylene vinylene-based materials.

(전하 수송성 재료) (charge transport material)

전하 수송성 재료는, 정전하 (정공) 또는 부전하 (전자) 수송성을 갖는 재료이며, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 특별히 제한은 없고, 공지된 발광 재료를 적용 가능하다.The charge-transporting material is a material having positive charge (hole) or negative charge (electron) transportability. There is no particular limitation, and any known light-emitting material can be applied as long as it does not impair the effect of the present invention.

전하 수송성 재료는, 종래, 유기 전계 발광 소자의 발광층에 이용되고 있는 화합물 등을 사용할 수 있으며, 특히, 발광층의 호스트 재료로서 사용되고 있는 화합물이 바람직하다.The charge-transporting material can be a compound conventionally used in the light-emitting layer of an organic electroluminescent device, and compounds used as a host material for the light-emitting layer are particularly preferable.

전하 수송성 재료로는, 구체적으로는, 방향족 아민계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 포르피린계 화합물, 올리고 티오펜계 화합물, 폴리티오펜계 화합물, 벤질페닐계 화합물, 플루오렌기로 3 급 아민을 연결한 화합물, 하이드라존계 화합물, 실라잔계 화합물, 실란아민계 화합물, 포스파민계 화합물, 퀴나크리돈계 화합물 등의 정공 주입층의 정공 수송성 화합물로서 예시한 화합물 등을 들 수 있는 것 외에, 안트라센계 화합물, 피렌계 화합물, 카르바졸계 화합물, 피리딘계 화합물, 페난트롤린계 화합물, 옥사디아졸계 화합물, 실롤계 화합물 등의 전자 수송성 화합물 등을 들 수 있다.The charge transport material specifically includes aromatic amine compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, oligothiophene compounds, polythiophene compounds, benzylphenyl compounds, and compounds in which a tertiary amine is linked to a fluorene group. , hydrazone-based compounds, silazane-based compounds, silanamine-based compounds, phosphamine-based compounds, and quinacridone-based compounds, in addition to compounds exemplified as hole transport compounds of the hole injection layer, such as anthracene-based compounds and pyrene. Electron-transporting compounds such as type compounds, carbazole-based compounds, pyridine-based compounds, phenanthroline-based compounds, oxadiazole-based compounds, and silol-based compounds can be mentioned.

또, 예를 들어, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐로 대표되는 2 개 이상의 3 급 아민을 포함하여 2 개 이상의 축합 방향족 고리가 질소 원자로 치환한 방향족 디아민 (일본 공개특허공보 평5-234681호), 4,4',4"-트리스(1-나프틸페닐아미노)트리페닐아민 등의 스타버스트 구조를 갖는 방향족 아민계 화합물 (J. Lumin., 72-74 권, 985 페이지, 1997년), 트리페닐아민의 4량체로 이루어지는 방향족 아민계 화합물 (Chem. Commun., 2175 페이지, 1996년), 2,2',7,7'-테트라키스-(디페닐아미노)-9,9'-스피로비플루오렌 등의 플루오렌계 화합물 (Synth. Metals, 91 권, 209 페이지, 1997년), 4,4'-N,N'-디카르바졸비페닐 등의 카르바졸계 화합물 등의 정공 수송층의 정공 수송성 화합물로서 예시한 화합물 등도 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 이 외에, 2-(4-비페닐릴)-5-(p-터셔리부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸 (tBu-PBD), 2,5-비스(1-나프틸)-1,3,4-옥사디아졸 (BND) 등의 옥사디아졸계 화합물, 2,5-비스(6'-(2',2"-비피리딜))-1,1-디메틸-3,4-디페닐실롤 (PyPySPyPy) 등의 실롤계 화합물, 바소페난트롤린 (BPhen), 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BCP, 바소큐프로인) 등의 페난트롤린계 화합물 등도 들 수 있다.In addition, for example, two or more condensed aromatic rings, including two or more tertiary amines such as 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl, are represented by a nitrogen atom. Aromatic amine compounds having a starburst structure such as substituted aromatic diamine (Japanese Patent Application Publication No. 5-234681) and 4,4',4"-tris(1-naphthylphenylamino)triphenylamine (J. Lumin., Volume 72-74, Page 985, 1997), Aromatic amine compound consisting of tetramer of triphenylamine (Chem. Commun., Page 2175, 1996), 2,2',7,7'- Fluorene-based compounds such as tetrakis-(diphenylamino)-9,9'-spirobifluorene (Synth. Metals, Volume 91, Page 209, 1997), 4,4'-N,N'-dicar Compounds exemplified as hole-transporting compounds of the hole-transporting layer, such as carbazole-based compounds such as levazole biphenyl, can also be preferably used. In addition, 2-(4-biphenylyl)-5-(p-tertiarybutylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (tBu-PBD), 2,5-bis(1-naph) Oxadiazole-based compounds such as til)-1,3,4-oxadiazole (BND), 2,5-bis(6'-(2',2"-bipyridyl))-1,1-dimethyl- Silol-based compounds such as 3,4-diphenylsilol (PyPySPyPy), Vasophenanthroline (BPhen), 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP, Vasocupro) Phenothroline-based compounds such as phosphorus) can also be mentioned.

<습식 성막법에 의한 발광층의 형성><Formation of light-emitting layer by wet film forming method>

발광층의 형성 방법은, 진공 증착법이어도 되고, 습식 성막법이어도 되지만, 성막성이 우수한 점에서, 습식 성막법이 바람직하다. 본 발명에 있어서 습식 성막법이란, 성막 방법, 즉, 도포 방법으로서, 예를 들어, 스핀 코트법, 딥 코트법, 다이 코트법, 바 코트법, 블레이드 코트법, 롤 코트법, 스프레이 코트법, 캐필러리 코트법, 잉크젯법, 노즐 프린팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법 등, 습식으로 성막되는 방법을 채용하고, 이 도포막을 건조시켜 막 형성을 실시하는 방법을 말한다. 습식 성막법에 의해 발광층을 형성하는 경우에는, 통상적으로, 상기 서술한 정공 주입층을 습식 성막법으로 형성하는 경우와 동일하게 하여, 정공 주입층 형성용 조성물 대신에, 발광층이 되는 재료를 가용인 용제 (발광층용 용제) 와 혼합하여 조제한 발광층 형성용 조성물을 사용하여 형성시킨다.The method for forming the light emitting layer may be a vacuum deposition method or a wet film forming method, but the wet film forming method is preferable because of excellent film forming properties. In the present invention, the wet film forming method refers to a film forming method, that is, an application method, including, for example, spin coating method, dip coating method, die coating method, bar coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, This refers to a method of forming a film by employing a wet film forming method such as the capillary coating method, inkjet method, nozzle printing method, screen printing method, gravure printing method, or flexo printing method, and drying the coating film. When forming a light-emitting layer by a wet film formation method, normally, in the same manner as in the case of forming the above-described hole injection layer by a wet film formation method, instead of the composition for forming the hole injection layer, a material that becomes the light-emitting layer is used. It is formed using a composition for forming a light-emitting layer prepared by mixing with a solvent (solvent for the light-emitting layer).

용제로는, 예를 들어, 정공 주입층의 형성에 대해 예시한 에테르계 용제, 에스테르계 용제, 방향족 탄화수소계 용제, 아미드계 용제 외에, 알칸계 용제, 할로겐화 방향족 탄화수소계 용제, 지방족 알코올계 용제, 지환족 알코올계 용제, 지방족 케톤계 용제 및 지환족 케톤계 용제 등을 들 수 있다. 이하에 용매의 구체예를 들지만, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 이들에 한정되는 것은 아니다.Solvents include, for example, ether-based solvents, ester-based solvents, aromatic hydrocarbon-based solvents, and amide-based solvents exemplified for forming the hole injection layer, as well as alkane-based solvents, halogenated aromatic hydrocarbon-based solvents, and aliphatic alcohol-based solvents. Alicyclic alcohol-based solvents, aliphatic ketone-based solvents, and alicyclic ketone-based solvents can be mentioned. Specific examples of solvents are given below, but they are not limited to these as long as they do not impair the effect of the present invention.

예를 들어, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜-1-모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 등의 지방족 에테르계 용제;1,2-디메톡시벤젠, 1,3-디메톡시벤젠, 아니솔, 페네톨, 2-메톡시톨루엔, 3-메톡시톨루엔, 4-메톡시톨루엔, 2,3-디메틸아니솔, 2,4-디메틸아니솔, 디페닐에테르 등의 방향족 에테르계 용제;아세트산페닐, 프로피온산페닐, 벤조산메틸, 벤조산에틸, 벤조산프로필, 벤조산n-부틸 등의 방향족 에스테르계 용제;톨루엔, 자일렌, 메티실렌, 시클로헥실벤젠, 테트랄린, 3-이소프로필비페닐, 1,2,3,4-테트라메틸벤젠, 1,4-디이소프로필벤젠, 시클로헥실벤젠, 메틸나프탈렌 등의 방향족 탄화수소계 용매;N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드계 용제;n-데칸, 시클로헥산, 에틸시클로헥산, 데칼린, 비시클로헥산 등의 알칸계 용제;클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠 등의 할로겐화 방향족 탄화수소계 용제;부탄올, 헥산올 등의 지방족 알코올계 용제;시클로헥산올, 시클로옥탄올 등의 지환족 알코올계 용제;메틸에틸케톤, 디부틸케톤 등의 지방족 케톤계 용제;시클로헥사논, 시클로옥타논, 펜콘 등의 지환족 케톤계 용제 등을 들 수 있다. 이들 중, 알칸계 용제 및 방향족 탄화수소계 용제가 특히 바람직하다.For example, aliphatic ether solvents such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, Aromatic ether solvents such as anisole, phenetol, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole, and diphenyl ether; Aromatic ester solvents such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate; toluene, xylene, methisilene, cyclohexylbenzene, tetralin, 3-isopropylbiphenyl, 1 , Aromatic hydrocarbon solvents such as 2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, cyclohexylbenzene, and methylnaphthalene; N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, etc. Amide-based solvents; Alkanes-based solvents such as n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, and bicyclohexane; Halogenated aromatic hydrocarbon-based solvents such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene; Aliphatic solvents such as butanol and hexanol Alcohol-based solvents; Alicyclic alcohol-based solvents such as cyclohexanol and cyclooctanol; Aliphatic ketone-based solvents such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; Alicyclic ketone-based solvents such as cyclohexanone, cyclooctanone, and pencone, etc. can be mentioned. Among these, alkane-based solvents and aromatic hydrocarbon-based solvents are particularly preferable.

또, 보다 균일한 막을 얻기 위해서는, 성막 직후의 액막으로부터 용제가 적당한 속도로 증발하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 용제의 비점은 통상적으로 80 ℃ 이상, 바람직하게는 100 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 120 ℃ 이상, 또, 통상적으로 270 ℃ 이하, 바람직하게는 250 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 230 ℃ 이하이다. Additionally, in order to obtain a more uniform film, it is preferable that the solvent evaporates from the liquid film immediately after film formation at an appropriate rate. For this reason, the boiling point of the solvent is usually 80°C or higher, preferably 100°C or higher, more preferably 120°C or higher, and usually 270°C or lower, preferably 250°C or lower, and more preferably 230°C or lower. am.

용매의 사용량은, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 임의이지만, 발광층 형성용 조성물 중의 합계 함유량은, 저점성이기 때문에 성막 작업이 실시하기 쉬운 점에서 많은 편이 바람직하고, 또, 한편, 후막 (厚膜) 으로 성막하기 쉬운 점에서 낮은 편이 바람직하다. 용제의 함유량은, 이리듐 착물 화합물 함유 조성물에 있어서 바람직하게는 1 질량% 이상, 보다 바람직하게는 10 질량% 이상, 특히 바람직하게는 50 질량% 이상, 또, 바람직하게는 99.99 질량% 이하, 보다 바람직하게는 99.9 질량% 이하, 특히 바람직하게는 99 질량% 이하이다.The amount of solvent used is optional as long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but the total content in the composition for forming a light-emitting layer is preferably higher because it has low viscosity and makes film forming work easy. On the other hand, a thick film ( A lower temperature is preferable because it is easier to form a thick film. The content of the solvent in the composition containing the iridium complex compound is preferably 1 mass% or more, more preferably 10 mass% or more, particularly preferably 50 mass% or more, and preferably 99.99 mass% or less, more preferably. Preferably it is 99.9% by mass or less, particularly preferably 99% by mass or less.

용매 제거 방법으로는, 가열 또는 감압을 사용할 수 있다. 가열 방법에 있어서 사용하는 가열 수단으로는, 막 전체에 균등하게 열을 부여한다는 점에서, 클린 오븐, 핫 플레이트가 바람직하다.As a solvent removal method, heating or reduced pressure can be used. As a heating means used in the heating method, a clean oven or a hot plate is preferable because it applies heat evenly to the entire film.

가열 공정에 있어서의 가열 온도는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 임의이지만, 건조 시간을 짧게 하는 점에서는 온도가 높은 편이 바람직하고, 재료에 대한 데미지가 적은 점에서는 낮은 편이 바람직하다. 상한은 통상적으로 250 ℃ 이하이고, 바람직하게는 200 ℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150 ℃ 이하이다. 하한은 통상적으로 30 ℃ 이상이고, 바람직하게는 50 ℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 80 ℃ 이상이다. 상한 이상의 온도는, 통상적으로 사용되는 전하 수송 재료 또는 인광 발광 재료의 내열성보다 높아, 분해나 결정화할 가능성이 있어 바람직하지 않다. 하한 이하에서는 용매의 제거에 장시간을 필요로 하기 때문에, 바람직하지 않다. 가열 공정에 있어서의 가열 시간은, 발광층 형성용 조성물 중의 용매의 비점이나 증기압, 재료의 내열성, 및 가열 조건에 따라 적절히 결정된다.The heating temperature in the heating process is arbitrary as long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but a higher temperature is preferable in terms of shortening the drying time, and a lower temperature is preferable in that it causes less damage to the material. The upper limit is usually 250°C or lower, preferably 200°C or lower, and more preferably 150°C or lower. The lower limit is usually 30°C or higher, preferably 50°C or higher, and more preferably 80°C or higher. Temperatures above the upper limit are undesirable because they are higher than the heat resistance of commonly used charge transport materials or phosphorescent materials and may cause decomposition or crystallization. Below the lower limit, it is undesirable because a long time is required to remove the solvent. The heating time in the heating process is appropriately determined depending on the boiling point or vapor pressure of the solvent in the composition for forming a light-emitting layer, the heat resistance of the material, and heating conditions.

<진공 증착법에 의한 발광층의 형성><Formation of light-emitting layer by vacuum deposition method>

진공 증착법에 의해 발광층을 형성하는 경우에는, 통상적으로, 발광층의 구성 재료 (전술한 발광 재료, 전하 수송성 화합물 등) 의 1 종류 또는 2 종류 이상을 진공 용기 내에 설치된 도가니에 넣고 (2 종류 이상의 재료를 사용하는 경우에는, 통상적으로 각각을 다른 도가니에 넣고), 진공 용기 내를 진공 펌프로 10-4 ㎩ 정도까지 배기한 후, 도가니를 가열하여 (2 종류 이상의 재료를 사용하는 경우에는, 통상적으로 각각의 도가니를 가열하여), 도가니 내의 재료의 증발량을 제어하면서 증발시키고 (2 종류 이상의 재료를 사용하는 경우에는, 통상적으로 각각 독립적으로 증발량을 제어하면서 증발시키고), 도가니에 마주 보고 놓인 정공 주입 수송층 상에 발광층을 형성시킨다. 또한, 2 종류 이상의 재료를 사용하는 경우에는, 그들의 혼합물을 도가니에 넣고, 가열, 증발시켜 발광층을 형성할 수도 있다.When forming a light-emitting layer by a vacuum deposition method, one or two or more types of constituent materials of the light-emitting layer (the above-mentioned light-emitting materials, charge-transporting compounds, etc.) are usually placed in a crucible installed in a vacuum container (two or more types of materials) When using them, each is usually placed in a different crucible), the inside of the vacuum container is evacuated to about 10 -4 Pa with a vacuum pump, and then the crucible is heated (when two or more types of materials are used, each is usually placed in a different crucible). (by heating the crucible), evaporating while controlling the evaporation amount of the material in the crucible (when using two or more types of materials, usually evaporating while controlling the evaporation amount independently), and on the hole injection transport layer placed facing the crucible. Form a light emitting layer. Additionally, when using two or more types of materials, their mixture can be placed in a crucible, heated, and evaporated to form a light-emitting layer.

증착시의 진공도는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 한정되지 않지만, 통상적으로 0.1 × 10-6 Torr (0.13 × 10-4 ㎩) 이상, 9.0 × 10-6 Torr (12.0 × 10-4 ㎩) 이하이다. 증착 속도는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 한정되지 않지만, 통상적으로 0.1 Å/초 이상, 5.0 Å/초 이하이다. 증착시의 성막 온도는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 한정되지 않지만, 바람직하게는 10 ℃ 이상, 50 ℃ 이하에서 실시된다.The degree of vacuum during deposition is not limited as long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but is usually 0.1 × 10 -6 Torr (0.13 × 10 -4 Pa) or more, 9.0 × 10 -6 Torr (12.0 × 10 - 4 Pa) or less. The deposition rate is not limited as long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but is usually 0.1 Å/sec or more and 5.0 Å/sec or less. The film formation temperature during vapor deposition is not limited as long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but is preferably performed at 10°C or higher and 50°C or lower.

(헤비 도프) (Heavy Dope)

인광 발광하는 유기 전계 발광 소자의 발광층 중의 이리듐 착물 화합물의 통상적인 도프 농도는, 발광층의 단위무게당 이리듐 착물 화합물이 0.1 m㏖/g 이하인 농도이다. 본 발명에 있어서는, 이 농도를 넘은 도프 농도를, 헤비 도프 농도라고 한다. 일반적으로는 헤비 도프에 의한 유기 전계 발광 소자에 대한 영향은 다양하고, 소자의 구동 수명의 신장이 기대되는 한편, 발광 재료끼리에 의한 여기자의 쌍소멸에 의한 발광 효율의 저하도 일어나는 것이 잘 알려져 있다.A typical dope concentration of the iridium complex compound in the light-emitting layer of an organic electroluminescent device that emits phosphorescence is a concentration of 0.1 mmol/g or less of the iridium complex compound per unit weight of the light-emitting layer. In the present invention, the dope concentration exceeding this concentration is called the heavy dope concentration. In general, the effects of heavy dopes on organic electroluminescent devices are diverse, and while an increase in the driving life of the device is expected, it is well known that luminous efficiency is reduced due to pair annihilation of excitons between luminescent materials. .

(정공 저지층) (hole blocking layer)

발광층과 후술하는 전자 주입층의 사이에, 정공 저지층을 형성해도 된다. 정공 저지층은, 발광층 상에, 발광층의 음극측의 계면에 접하도록 적층되는 층이다.A hole blocking layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer described later. The hole blocking layer is a layer laminated on the light emitting layer so as to be in contact with the interface on the cathode side of the light emitting layer.

이 정공 저지층은, 양극으로부터 이동해 오는 정공을 음극에 도달하는 것을 저지하는 역할과, 음극으로부터 주입된 전자를 효율적으로 발광층의 방향으로 수송하는 역할을 갖는다. 정공 저지층 (6) 을 구성하는 재료에 요구되는 물성으로는, 전자 이동도가 높고 정공 이동도가 낮은 것, 에너지 갭 (HOMO, LUMO 의 차) 이 큰 것, 여기 삼중항 준위 (T1) 가 높은 것을 들 수 있다.This hole blocking layer has a role of preventing holes moving from the anode from reaching the cathode and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode toward the light emitting layer. The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 6 include high electron mobility and low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and an excitation triplet level (T1). You can lift something high.

이와 같은 조건을 충족시키는 정공 저지층의 재료로는, 예를 들어, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)(페놀라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)(트리페닐실라노라토)알루미늄 등의 혼합 배위자 착물, 비스(2-메틸-8-퀴놀라토)알루미늄-μ-옥소-비스-(2-메틸-8-퀴놀리라토)알루미늄 2 핵 금속 착물 등의 금속 착물, 디스티릴비페닐 유도체 등의 스티릴 화합물 (일본 공개특허공보 평11-242996호), 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸 등의 트리아졸 유도체 (일본 공개특허공보 평7-41759호), 바소큐프로인 등의 페난트롤린 유도체 (일본 공개특허공보 평10-79297호) 등을 들 수 있다. 또한, 국제 공개 제2005/022962호에 기재된 2, 4, 6 위치가 치환된 피리딘 고리를 적어도 1 개 갖는 화합물도 정공 저지층의 재료로서 바람직하다.Materials for the hole blocking layer that satisfy these conditions include, for example, bis(2-methyl-8-quinolinolato)(phenolato)aluminum and bis(2-methyl-8-quinolinolato). Mixed ligand complexes such as (triphenylsilanolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolato)aluminum-μ-oxo-bis-(2-methyl-8-quinolilato)aluminum 2-nuclear metal complex metal complexes such as styryl compounds such as distyryl biphenyl derivatives (Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-242996), 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5(4-tert-butylphenyl)- Triazole derivatives such as 1,2,4-triazole (Japanese Patent Application Publication No. 7-41759), phenanthroline derivatives such as vasocuproin (Japanese Patent Application Publication No. 10-79297), etc. there is. Additionally, compounds having at least one pyridine ring substituted at the 2, 4, and 6 positions described in International Publication No. 2005/022962 are also preferable as materials for the hole blocking layer.

정공 저지층 (6) 의 형성 방법에 제한은 없고, 전술한 발광층의 형성 방법과 동일하게 하여 형성할 수 있다.There is no limitation to the method of forming the hole blocking layer 6, and it can be formed in the same manner as the method of forming the above-described light-emitting layer.

정공 저지층의 막두께는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 한 임의이지만, 통상적으로 0.3 ㎚ 이상, 바람직하게는 0.5 ㎚ 이상이며, 또, 통상적으로 100 ㎚ 이하, 바람직하게는 50 ㎚ 이하이다.The film thickness of the hole blocking layer is arbitrary as long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and is usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less. am.

(전자 수송층) (electron transport layer)

전자 수송층은 소자의 전류 효율을 더욱 향상시키는 것을 목적으로 하여, 발광층과 전자 주입층 사이에 형성된다.The electron transport layer is formed between the light emitting layer and the electron injection layer for the purpose of further improving the current efficiency of the device.

전자 수송층은, 전계가 부여된 전극간에 있어서 음극으로부터 주입된 전자를 효율적으로 발광층의 방향으로 수송할 수 있는 화합물로부터 형성된다. 전자 수송층에 사용되는 전자 수송성 화합물로는, 음극 또는 전자 주입층으로부터의 전자 주입 효율이 높고, 또한, 높은 전자 이동도를 갖고 주입된 전자를 효율적으로 수송할 수 있는 화합물인 것이 필요하다.The electron transport layer is formed from a compound that can efficiently transport electrons injected from the cathode in the direction of the light-emitting layer between electrodes to which an electric field is applied. The electron transport compound used in the electron transport layer is required to be a compound that has high electron injection efficiency from the cathode or electron injection layer and that has high electron mobility and can efficiently transport the injected electrons.

전자 수송층에 사용하는 전자 수송성 화합물은, 통상적으로, 음극 또는 전자 주입층으로부터의 전자 주입 효율이 높고, 주입된 전자를 효율적으로 수송할 수 있는 화합물이 바람직하다. 전자 수송성 화합물로는, 구체적으로는, 예를 들어, 8-하이드록시퀴놀린의 알루미늄 착물 등의 금속 착물 (일본 공개특허공보 소59-194393호), 10-하이드록시벤조[h]퀴놀린의 금속 착물, 옥사디아졸 유도체, 디스티릴비페닐 유도체, 실롤 유도체, 3-하이드록시 플라본 금속 착물, 5-하이드록시 플라본 금속 착물, 벤즈옥사졸 금속 착물, 벤조티아졸 금속 착물, 트리스벤즈이미다졸릴벤젠 (미국 특허 제5645948호 명세서), 퀴녹살린 화합물 (일본 공개특허공보 평6-207169호), 페난트롤린 유도체 (일본 공개특허공보 평5-331459호), 2-t-부틸-9,10-N,N'-디시아노안트라퀴논디이민, n 형 수소화 비정질 탄화 실리콘, n 형 황화아연, n 형 셀렌화아연 등을 들 수 있다.The electron transporting compound used in the electron transport layer is preferably a compound that has high electron injection efficiency from the cathode or electron injection layer and can transport the injected electrons efficiently. Electron-transporting compounds include, specifically, metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-194393), and metal complexes of 10-hydroxybenzo[h]quinoline. , oxadiazole derivatives, distyrylbiphenyl derivatives, silol derivatives, 3-hydroxy flavone metal complex, 5-hydroxy flavone metal complex, benzoxazole metal complex, benzothiazole metal complex, trisbenzimidazolylbenzene (USA) Patent No. 5645948 specification), quinoxaline compound (Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-207169), phenanthroline derivative (Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinone diimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type zinc selenide, etc. are mentioned.

전자 수송층의 막두께는, 통상적으로 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 5 ㎚ 이상이며, 또, 한편, 통상적으로 300 ㎚ 이하, 바람직하게는 100 ㎚ 이하이다.The film thickness of the electron transport layer is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

전자 수송층은, 상기와 동일하게 하여 습식 성막법, 혹은 진공 증착법에 의해 정공 저지층 상에 적층함으로써 형성된다. 통상적으로는, 진공 증착법이 이용된다.The electron transport layer is formed by laminating the electron transport layer on the hole blocking layer using a wet film forming method or a vacuum deposition method in the same manner as above. Typically, a vacuum deposition method is used.

(전자 주입층) (electron injection layer)

전자 주입층은, 음극으로부터 주입된 전자를 효율적으로, 전자 수송층 또는 발광층에 주입하는 역할을 한다.The electron injection layer serves to efficiently inject electrons injected from the cathode into the electron transport layer or the light emitting layer.

전자 주입을 효율적으로 실시하려면, 전자 주입층을 형성하는 재료는, 일함수가 낮은 금속이 바람직하다. 예로는, 나트륨이나 세슘 등의 알칼리 금속, 바륨이나 칼슘 등의 알칼리 토금속 등이 사용된다. 그 막두께는 통상적으로 0.1 ㎚ 이상, 5 ㎚ 이하가 바람직하다.In order to perform electron injection efficiently, the material forming the electron injection layer is preferably a metal with a low work function. Examples include alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium. The film thickness is usually preferably 0.1 nm or more and 5 nm or less.

또한, 바소페난트롤린 등의 함질소 복소 고리 화합물이나 8-하이드록시퀴놀린의 알루미늄 착물 등의 금속 착물로 대표되는 유기 전자 수송 재료에, 나트륨, 칼륨, 세슘, 리튬, 루비듐 등의 알칼리 금속을 도프하는 (일본 공개특허공보 평10-270171호, 일본 공개특허공보 2002-100478호, 일본 공개특허공보 2002-100482호 등에 기재) 것도, 전자 주입·수송성이 향상되어 우수한 막질을 양립시키는 것이 가능해지기 때문에 바람직하다.Additionally, organic electron transport materials such as nitrogen-containing heterocyclic compounds such as vasophenanthroline and metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline are doped with alkali metals such as sodium, potassium, cesium, lithium, and rubidium. (described in Japanese Patent Publication No. 10-270171, Japanese Patent Publication 2002-100478, Japanese Patent Publication 2002-100482, etc.) is because electron injection and transport properties are improved, making it possible to achieve excellent film quality. desirable.

막두께는 통상적으로, 5 ㎚ 이상, 바람직하게는 10 ㎚ 이상, 또, 통상적으로 200 ㎚ 이하, 바람직하게는 100 ㎚ 이하의 범위이다.The film thickness is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

전자 주입층은, 습식 성막법 혹은 진공 증착법에 의해, 발광층 또는 그 위의 정공 저지층 상에 적층함으로써 형성된다.The electron injection layer is formed by laminating the light emitting layer or the hole blocking layer thereon by a wet film forming method or a vacuum deposition method.

습식 성막법의 경우의 상세한 내용은, 전술한 발광층의 경우와 동일하다.The details in the case of the wet film forming method are the same as in the case of the above-described light emitting layer.

(음극) (cathode)

음극은, 발광층측의 층 (전자 주입층 또는 발광층 등) 에 전자를 주입하는 역할을 한다. 음극의 재료로는, 상기의 양극에 사용되는 재료를 사용하는 것이 가능하지만, 효율적으로 전자 주입을 실시하는 데 있어서는, 일함수가 낮은 금속을 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들어, 주석, 마그네슘, 인듐, 칼슘, 알루미늄, 은 등의 금속 또는 그들의 합금 등이 사용된다. 구체예로는, 예를 들어, 마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 알루미늄-리튬 합금 등의 저(低) 일함수의 합금 전극 등을 들 수 있다.The cathode serves to inject electrons into a layer on the light emitting layer side (electron injection layer or light emitting layer, etc.). As the cathode material, it is possible to use the materials used for the above-mentioned anode, but in order to efficiently inject electrons, it is preferable to use a metal with a low work function, for example, tin, magnesium, Metals such as indium, calcium, aluminum, and silver or their alloys are used. Specific examples include alloy electrodes with low work function, such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

소자의 안정성의 점에서는, 음극 상에, 일함수가 높고, 대기에 대하여 안정적인 금속층을 적층하여, 저일함수의 금속으로 이루어지는 음극을 보호하는 것이 바람직하다. 적층하는 금속으로는, 예를 들어, 알루미늄, 은, 동, 니켈, 크롬, 금, 백금 등의 금속을 들 수 있다. In terms of device stability, it is desirable to protect the cathode made of a low work function metal by laminating a metal layer with a high work function and stable against the atmosphere on the cathode. Examples of metals to be laminated include metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, and platinum.

음극의 막두께는 통상적으로 양극과 동일하다.The film thickness of the cathode is usually the same as that of the anode.

(그 밖의 층) (Other floors)

본 발명의 유기 전계 발광 소자는, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않으면, 또 다른 층을 갖고 있어도 된다. 즉, 양극과 음극 사이에, 상기 서술한 다른 임의의 층을 갖고 있어도 된다.The organic electroluminescent device of the present invention may have another layer as long as the effect of the present invention is not significantly impaired. That is, between the anode and the cathode, you may have any of the other layers described above.

<그 밖의 소자 구성><Other element composition>

또한, 상기 서술한 설명과는 반대 구조, 즉, 기판 상에 음극, 전자 주입층, 발광층, 정공 주입층, 양극의 순서로 적층하는 것도 가능하다.In addition, it is also possible to have a structure opposite to the above description, that is, to stack the cathode, electron injection layer, light emitting layer, hole injection layer, and anode in that order on the substrate.

<기타><Other>

본 발명의 유기 전계 발광 소자를 유기 전계 발광 장치에 적용하는 경우에는, 단일의 유기 전계 발광 소자로서 사용해도 되고, 복수의 유기 전계 발광 소자가 어레이상으로 배치된 구성으로 하여 사용해도 되고, 양극과 음극이 X-Y 매트릭스상으로 배치된 구성으로 하여 사용해도 된다.When applying the organic electroluminescent element of the present invention to an organic electroluminescent device, it may be used as a single organic electroluminescent element, or may be used in a configuration in which a plurality of organic electroluminescent elements are arranged in an array, and an anode and It may be used in a configuration where the cathode is arranged in an X-Y matrix.

<표시 장치 및 조명 장치><Display and lighting devices>

본 발명의 표시 장치 및 조명 장치는, 상기 서술한 바와 같은 본 발명의 유기 전계 발광 소자를 사용한 것이다. 본 발명의 표시 장치 및 조명 장치의 형식이나 구조에 대해서는 특별히 제한은 없고, 본 발명의 유기 전계 발광 소자를 사용하여 통상적인 방법에 따라 조립할 수 있다.The display device and lighting device of the present invention use the organic electroluminescent element of the present invention as described above. There are no particular restrictions on the form or structure of the display device and lighting device of the present invention, and they can be assembled by conventional methods using the organic electroluminescent device of the present invention.

예를 들어, 「유기 EL 디스플레이」 (오움사, 헤세이 16년 8월 20일 발간, 토키토 시즈오, 아다치 치하야, 무라타 히데유키 저) 에 기재되어 있는 방법으로, 본 발명의 표시 장치 및 조명 장치를 형성할 수 있다.For example, the display device and lighting device of the present invention are formed by the method described in "Organic EL Display" (Oumsa, published on August 20, 2016, by Shizuo Tokito, Chihaya Adachi, and Hideyuki Murata). can do.

실시예Example

이하, 실시예를 나타내어 본 발명에 대해 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 한 임의로 변경하여 실시할 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by referring to examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and the present invention can be implemented with any modification as long as it does not deviate from the gist.

<화합물 (D-1) 의 합성예><Synthesis example of compound (D-1)>

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112017115369377-pct00018
Figure 112017115369377-pct00018

반응 용기에 질소 기류하, 2-(3-피나콜레이트보릴페닐)피리딘 (17.4 g), 중간체 1 (19.2 g), 2M 인산3칼륨 수용액 (77 ㎖), 톨루엔 (120 ㎖) 및 에탄올 (60 ㎖) 을 첨가하고, 질소를 30 분 버블링하였다. 그 후 교반하면서 추가로 [Pd(PPh3)]4 (1.21 g) 를 첨가하고, 105 ℃ 에서 1.5 시간 교반 환류하였다. 그 후 실온까지 냉각시키고, 물을 첨가하여 분액 세정 후, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 그 후 용매를 감압하 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 1/1 ∼ 디클로로메탄/헥산/아세트산에틸 = 50/45/5) 로 정제함으로써, 중간체 2 (23.6 g) 를 황색 유상 물질로서 얻었다.In a reaction vessel under nitrogen flow, 2-(3-pinacholateborylphenyl)pyridine (17.4 g), intermediate 1 (19.2 g), 2M tripotassium phosphate aqueous solution (77 ml), toluene (120 ml), and ethanol (60 ml) ) was added, and nitrogen was bubbled for 30 minutes. After that, [Pd(PPh 3 )] 4 (1.21 g) was further added while stirring, and the mixture was stirred and refluxed at 105°C for 1.5 hours. Afterwards, it was cooled to room temperature, water was added, liquid separation and washing were performed, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 1/1 to dichloromethane/hexane/ethyl acetate = 50/45/5) to obtain Intermediate 2 (23.6 g) as a yellow oily substance.

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112017115369377-pct00019
Figure 112017115369377-pct00019

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 2 (18.0 g), 염화이리듐 n 수화물 (8.0 g) 과 2-에톡시에탄올 (200 ㎖) 및 증류수 (28 ㎖) 를 첨가하고, 오일 배스의 온도를 135 ℃ 에서 150 ℃ 까지 단계적으로 올려 합계 10 시간 교반하였다. 그 동안 환류되는 액은 측관으로부터 제거하였다. 반응 종료시에 제거한 액량은 46 ㎖ 였다. 그 후 실온으로 냉각시키고, 메탄올 (100 ㎖) 을 첨가하여 여과하고, 메탄올 (400 ㎖) 로 세정 후 건조시켰다. 중간체 3 (21.0 g) 을 황색 고체로서 얻었다.Intermediate 2 (18.0 g), iridium chloride n hydrate (8.0 g), 2-ethoxyethanol (200 mL), and distilled water (28 mL) were added to the reaction vessel under a nitrogen stream, and the temperature of the oil bath was adjusted to 135°C. The temperature was gradually raised to 150°C and stirred for a total of 10 hours. In the meantime, the refluxing liquid was removed from the side pipe. The amount of liquid removed at the end of the reaction was 46 ml. After that, it was cooled to room temperature, methanol (100 ml) was added, filtered, washed with methanol (400 ml) and dried. Intermediate 3 (21.0 g) was obtained as a yellow solid.

[화학식 20][Formula 20]

Figure 112017115369377-pct00020
Figure 112017115369377-pct00020

반응 용기에, 질소 기류하, 중간체 3 (17.6 g), 1,2-디메톡시에탄 (300 ㎖), 에탄올 (50 ㎖) 을 첨가하고, 유욕 (油浴) 을 120 ℃ 로 가열한 후, 3,5-헵탄디온 (14 g) 과 탄산나트륨 (11.3 g) 을 첨가하고 계속해서 약 2 시간 가열 환류하였다. 냉각시켜 용매를 감압 제거한 후 디클로로메탄 (200 ㎖) 을 첨가하고, 실리카 겔로 여과한 후, 여과액을 감압 농축하였다. 잔류물에 에탄올 (150 ㎖) 을 첨가하고 분체를 석출시킨 후 여과하였다.Intermediate 3 (17.6 g), 1,2-dimethoxyethane (300 mL), and ethanol (50 mL) were added to the reaction vessel under a nitrogen stream, and the oil bath was heated to 120°C, followed by 3 , 5-heptanedione (14 g) and sodium carbonate (11.3 g) were added, and the mixture was continuously heated and refluxed for about 2 hours. After cooling and removing the solvent under reduced pressure, dichloromethane (200 ml) was added, filtered through silica gel, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. Ethanol (150 ml) was added to the residue, the powder was precipitated, and then filtered.

중간체 4 (17.9 g) 를 황색 고체로서 얻었다.Intermediate 4 (17.9 g) was obtained as a yellow solid.

[화학식 21][Formula 21]

Figure 112017115369377-pct00021
Figure 112017115369377-pct00021

반응 용기에, 질소 기류하, 중간체 4 (11.6 g), 중간체 5 (특허문헌 2 기재의 방법으로 합성) (4.5 g) 및 글리세린 (87 g) 을 넣고, 내온을 218 ℃ 에서 227 ℃ 로 가온하면서 5.5 시간 교반하였다. 부생하는 3,5-헵탄디온은 반응시키면서 증류로 증류 제거하였다. 냉각 후 물을 첨가하고 데칸테이션에 의해 용매를 제거하고, 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 1/1) 로 정제함으로써 화합물 D-1 (0.70 g) 을 황색 고체로서 얻었다.In a reaction vessel, under a nitrogen stream, Intermediate 4 (11.6 g), Intermediate 5 (synthesized by the method described in Patent Document 2) (4.5 g), and glycerin (87 g) were placed, and the internal temperature was heated from 218°C to 227°C. It was stirred for 5.5 hours. The by-produced 3,5-heptanedione was removed by distillation while reacting. After cooling, water was added, the solvent was removed by decantation, and the residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 1/1) to obtain compound D-1 (0.70 g) as a yellow solid.

<화합물 (D-2) 의 합성예><Synthesis example of compound (D-2)>

[화학식 22][Formula 22]

Figure 112017115369377-pct00022
Figure 112017115369377-pct00022

2 ℓ 가지형 플라스크에 실온에서, 브롬화구리 (I) (54.5 g) 및 무수 브롬화리튬 (65.9 g) 을 넣고, 60 ℃ 에서 2 시간 건조 후 아르곤 치환하여 실온까지 냉각시키고, 건조 THF (0.9 ℓ) 를 첨가하고 2 시간 교반하여 촉매 용액을 조제하였다.At room temperature, copper (I) bromide (54.5 g) and anhydrous lithium bromide (65.9 g) were added to a 2 liter eggplant flask, dried at 60°C for 2 hours, replaced with argon, cooled to room temperature, and dried with THF (0.9 ℓ). was added and stirred for 2 hours to prepare a catalyst solution.

10 ℓ 반응기에, 질소하 스크랩상 마그네슘 (190 g), 건조 THF (0.3 ℓ), 미량의 요오드 편 (片) 으로 활성화시키고, 브로모벤젠 (1192 g) 의 건조 THF (3.5 ℓ) 용액에 2 시간 걸쳐 적하하고, 추가로 1.5 시간 환류 교반하여 그리냐르 시약 용액을 조제하였다. 20 ℓ 반응기에, 질소하, 1,5-디브로모펜탄 (4365 g) 건조 THF (5.2 ℓ) 를 넣고, 먼저 조제한 촉매 용액을 첨가하고, 내온 10 ℃ 로 냉각 후, 먼저 조제한 그리냐르 시약 용액을, 내온 10 ∼ 45 ℃ 가 되도록 1 시간 걸쳐 적하한 후, 실온에서 하룻밤 교반하였다. 3M 염산 (3.5 ℓ) 을 첨가하고, 유층을 분리하고, 또한 수층을 아세트산에틸 (3.5 × 2 회) 로 추출하였다. 유층을 무수 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과, 여과액을 농축하고, 갈색 유상의 미정제체 (4.9 ㎏) 를 얻었다. 이 미정제체를 감압 증류하여, 미황색 투명 유상물로서 중간체 6 (0.94 ㎏) 을 얻었다.In a 10 L reactor, scrap magnesium (190 g), dry THF (0.3 L), and a trace amount of iodine were activated under nitrogen and added to a dry THF (3.5 L) solution of bromobenzene (1192 g). It was added dropwise over time and refluxed and stirred for an additional 1.5 hours to prepare a Grignard reagent solution. In a 20 L reactor, under nitrogen, 1,5-dibromopentane (4365 g) and dry THF (5.2 L) were added, the previously prepared catalyst solution was added, and after cooling to an internal temperature of 10°C, the previously prepared Grignard reagent solution was added. was added dropwise over 1 hour so that the internal temperature was 10 to 45°C, and then stirred at room temperature overnight. 3M hydrochloric acid (3.5 L) was added, the oil layer was separated, and the water layer was extracted with ethyl acetate (3.5 × 2 times). The oil layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a brown oily crude product (4.9 kg). This crude product was distilled under reduced pressure to obtain Intermediate 6 (0.94 kg) as a slightly yellow transparent oil.

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112017115369377-pct00023
Figure 112017115369377-pct00023

10 ℓ 반응기에, 질소하 스크랩상 마그네슘 (107 g), 건조 THF (0.5 ℓ) 를 넣고, 요오드 편 (수 십 ㎎) 으로 활성화시키고, 중간체 6 (0.91 ㎏) 의 건조 THF (2.5 ℓ) 용액을 2 시간 걸쳐 적하하고, 추가로 1 시간 내온 55 ℃ 에서 가열 교반하여 그리냐르 시약 용액을 조제하였다. 3-브로모벤조니트릴 및 건조 THF (4.5 ℓ) 를 10 ℃ 로 냉각 후, 먼저 조제한 그리냐르 시약 용액을, 내온 10 ∼ 35 ℃ 에서 45 분간 걸쳐 적하하고, 내온 45 ∼ 58 ℃ 에서 3 시간 가열 교반하였다. 3M 염산 (4.3 ℓ) 에 앞의 반응액을 적하한 후, 실온으로 냉각시켜 유층을 분리하고, 또한 수층을 아세트산에틸 (6 ℓ) 로 추출하였다. 유층을 합하여, 무수 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과, 여과액을 농축하고, 갈색 유상의 미정제체 (2.0 ㎏) 를 얻었다. 이 미정제체를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (아세트산에틸/헥산 = 1/9-1/4) 로 정제하고, 담황색 투명 유상물 (0.74 ㎏) 을 얻었다. 계속해서 20 ℓ 반응기로 옮기고, 디글라임 (5.1 ℓ) 을 투입하고, 수산화나트륨 (0.19 ㎏) 을 첨가하였다. 이어서, 하이드라진 1 수화물 (0.24 ㎏) 을 30 분간 걸쳐 적하하고, 1 시간 걸쳐 내온 80 ℃ 까지 승온하고, 내온 123 ℃ 에서 4 시간 교반하였다. 냉각 후, 2M 염산 (3.6 ℓ) 을 첨가한 후, 헥산 (3.5 ℓ) 을 첨가하고, 유층을 분리하였다. 수층을 헥산 (2.5 ℓ × 2 회) 으로 추출하고, 유층을 합하여 포화 식염수 (2.5 ℓ) 로 세정하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과, 여과액을 농축하고, 갈색 유상의 미정제체 (0.92 ㎏) 를 얻었다. 이 미정제체를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산) 로 정제하고, 황색 투명 유상물로서 중간체 7 (0.45 ㎏) 을 얻었다.In a 10 L reactor, scrap magnesium (107 g) and dry THF (0.5 L) were placed under nitrogen, activated with iodine pieces (tens of mg), and a dry THF (2.5 L) solution of intermediate 6 (0.91 kg) was added. It was added dropwise over 2 hours and heated and stirred at an internal temperature of 55°C for an additional 1 hour to prepare a Grignard reagent solution. After cooling 3-bromobenzonitrile and dry THF (4.5 L) to 10°C, the previously prepared Grignard reagent solution was added dropwise over 45 minutes at an internal temperature of 10 to 35°C, and heated and stirred at an internal temperature of 45 to 58°C for 3 hours. did. The above reaction solution was added dropwise to 3M hydrochloric acid (4.3 L), cooled to room temperature, the oil layer was separated, and the aqueous layer was extracted with ethyl acetate (6 L). The oil layers were combined, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a brown oily crude product (2.0 kg). This crude product was purified by silica gel column chromatography (ethyl acetate/hexane = 1/9-1/4) to obtain a light yellow transparent oil (0.74 kg). It was then transferred to a 20 L reactor, diglyme (5.1 L) was added, and sodium hydroxide (0.19 kg) was added. Next, hydrazine monohydrate (0.24 kg) was added dropwise over 30 minutes, the temperature was raised to an internal temperature of 80°C over 1 hour, and the mixture was stirred at an internal temperature of 123°C for 4 hours. After cooling, 2M hydrochloric acid (3.6 L) was added, then hexane (3.5 L) was added, and the oil layer was separated. The aqueous layer was extracted with hexane (2.5 L ) was obtained. This crude product was purified by silica gel column chromatography (hexane) to obtain Intermediate 7 (0.45 kg) as a yellow transparent oil.

[화학식 24][Formula 24]

Figure 112017115369377-pct00024
Figure 112017115369377-pct00024

20 ℓ 반응기에, 질소하 중간체 7 (0.45 ㎏), 건조 THF (4.5 ℓ) 를 첨가하고, 내온 ―77 ℃ 로 냉각시키고, 1.65 M 의 n-부틸리튬/n-헥산 용액 (1.0 ℓ) 을 내온 ―68 ℃ 이하에서 1 시간 걸쳐 적하하고, ―68 ℃ 에서 1 시간 교반하였다. 이어서, 붕산트리메틸 (0.47 ㎏) 을 내온 ―67 ℃ 이하에서 적하하고, 온도를 유지하여 1.5 시간 교반하였다. 그 후 3M 염산 (1.5 ℓ) 을 적하하고, 실온으로 되돌리면서 하룻밤 교반하였다. 아세트산에틸 (3 ℓ) 을 부어, 유층을 분리하고, 또한 수층을 아세트산에틸 (3 ℓ) 로 추출하였다. 유층을 합하여, 포화 식염수 (2.5 ℓ) 로 세정하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과, 여과액을 농축하고, 갈색 유상의 미정제체 (0.58 ㎏) 를 얻었다. 이 미정제체를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (아세트산에틸/디클로로메탄/헥산 = 0/1/3 ∼ 2/2/3) 로 정제한 결과, 중간체 8 을 0.31 ㎏ 얻었다.In a 20 L reactor, Intermediate 7 (0.45 kg) and dry THF (4.5 L) were added under nitrogen, cooled to an internal temperature of -77°C, and a 1.65 M n-butyllithium/n-hexane solution (1.0 L) was added to the internal temperature. It was added dropwise over 1 hour at -68°C or lower, and stirred at -68°C for 1 hour. Next, trimethyl borate (0.47 kg) was added dropwise at an internal temperature of -67°C or lower, and the temperature was maintained and stirred for 1.5 hours. After that, 3M hydrochloric acid (1.5 L) was added dropwise, and the mixture was stirred overnight while returning to room temperature. Ethyl acetate (3 L) was poured, the oil layer was separated, and the water layer was extracted with ethyl acetate (3 L). The oil layers were combined, washed with saturated saline solution (2.5 L), dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a brown oily crude product (0.58 kg). This crude product was purified by silica gel column chromatography (ethyl acetate/dichloromethane/hexane = 0/1/3 to 2/2/3), and 0.31 kg of Intermediate 8 was obtained.

[화학식 25][Formula 25]

Figure 112017115369377-pct00025
Figure 112017115369377-pct00025

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 8 (20.4 g), 3-브로모-3'-요오드비페닐 (28.6 g), 2M 인산3칼륨 수용액 (90 ㎖), 톨루엔 (140 ㎖) 및 에탄올 (70 ㎖) 을 첨가하고, 교반하면서 추가로 [Pd(PPh3)4] 1.68 g 을 첨가하고, 100 ℃ 에서 3 시간 교반 환류하였다. 그 후 실온까지 냉각시키고, 물을 첨가하여 분액 세정 후, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 그 후 용매를 감압하 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 1/9) 로 정제함으로써, 브로모체 27.8 g 을 얻었다. 이것을 다른 반응 용기에 넣고, 질소 기류하, 비스피나콜레이트디보론 (17.7 g), [PdCl2(dppf)]CH2Cl2 (1.71 g), 아세트산칼륨 (20.5 g), 탈수 디메틸술폭시드 (150 ㎖) 를 넣고, 100 ℃ 유욕 중에서 2 시간 교반하였다. 그 후 실온까지 냉각시키고, 물과 톨루엔을 첨가하여 분액 세정 후, 유상 (油相) 을 황산나트륨으로 건조시켰다. 그 후 용매를 감압하 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (전개액:디클로로메탄/헥산 = 3/7 ∼ 디클로로메탄/헥산/아세트산에틸 = 3/7/0.1) 로 정제함으로써, 중간체 9 (23.4 g) 의 백색 고체를 얻었다.In a reaction vessel under nitrogen stream, intermediate 8 (20.4 g), 3-bromo-3'-iodobiphenyl (28.6 g), 2M tripotassium phosphate aqueous solution (90 ml), toluene (140 ml) and ethanol (70 ml) ) was added, and while stirring, 1.68 g of [Pd(PPh 3 ) 4 ] was further added, and the mixture was stirred and refluxed at 100°C for 3 hours. Afterwards, it was cooled to room temperature, water was added, liquid separation and washing were performed, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 1/9) to obtain 27.8 g of bromobody. This was placed in another reaction vessel, and under a nitrogen stream, bispinacholate diboron (17.7 g), [PdCl 2 (dppf)]CH 2 Cl 2 (1.71 g), potassium acetate (20.5 g), and dehydrated dimethyl sulfoxide (150 g) were added to the reaction vessel. mL) was added and stirred in a 100°C oil bath for 2 hours. After that, it was cooled to room temperature, water and toluene were added, the liquid was separated and washed, and the oil phase was dried with sodium sulfate. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (eluent: dichloromethane/hexane = 3/7 to dichloromethane/hexane/ethyl acetate = 3/7/0.1) to give Intermediate 9 (23.4 g) as a white solid. got it

[화학식 26][Formula 26]

Figure 112017115369377-pct00026
Figure 112017115369377-pct00026

반응 용기에 질소 기류하 2-브로모피리딘 (3.3 g), 중간체 9 (9.8 g), [Pd(PPh3)4] 0.44 g, 인산3칼륨 (9.0 g), 증류수 (20 g), 톨루엔 (50 ㎖) 및 에탄올 (20 ㎖) 을 첨가하고, 100 ℃ 의 유욕에서 3 시간 교반하였다. 냉각 후, 물을 첨가하여 분액 세정하고, 황산마그네슘으로 건조시키고, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄만) 로 정제한 결과, 중간체 10 (10.0 g) 을 무색 유상 물질로서 얻었다.In a reaction vessel, 2-bromopyridine (3.3 g), intermediate 9 (9.8 g), [Pd(PPh 3 ) 4 ] 0.44 g, tripotassium phosphate (9.0 g), distilled water (20 g), and toluene ( 50 mL) and ethanol (20 mL) were added, and the mixture was stirred in a 100°C oil bath for 3 hours. After cooling, the mixture was separated and washed by adding water, dried over magnesium sulfate, and purified by silica gel column chromatography (dichloromethane only) to obtain Intermediate 10 (10.0 g) as a colorless oily substance.

[화학식 27][Formula 27]

Figure 112017115369377-pct00027
Figure 112017115369377-pct00027

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 4 (5.5 g), 중간체 10 (2.8 g), 디글라임 (42 ㎖) 을 넣고 내온을 약 100 ℃ 로 하였다. 트리플루오로메탄술폰산은 (1.6 g) 을 투입하고, 즉시 내온을 125 ℃ 까지 올려 2 시간 교반하였다. 실온으로 냉각 후, 용매를 감압 제거하여 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 1/1) 로 정제하였다. 화합물 D-2 를 1.6 g, 황색 고체로서 얻었다.Intermediate 4 (5.5 g), intermediate 10 (2.8 g), and diglyme (42 mL) were placed in a reaction vessel under a nitrogen stream, and the internal temperature was adjusted to approximately 100°C. Silver trifluoromethanesulfonate (1.6 g) was added, and the internal temperature was immediately raised to 125°C and stirred for 2 hours. After cooling to room temperature, the solvent was removed under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 1/1). Compound D-2 was obtained in the amount of 1.6 g as a yellow solid.

<화합물 (D-3) 의 합성예><Synthesis example of compound (D-3)>

[화학식 28][Formula 28]

Figure 112017115369377-pct00028
Figure 112017115369377-pct00028

반응 용기에 질소 기류하, 2-(3-브로모페닐)피리딘 (5.6 g), 중간체 11 (국제 공개 제2012/137958호 기재의 방법으로 합성) 9.3 g, [Pd(PPh3)4] 0.50 g, 2M 인산3칼륨 수용액 27 ㎖, 톨루엔 50 ㎖ 및 에탄올 25 ㎖ 를 첨가하고, 100 ℃ 의 유욕에서 3 시간 교반하였다. 냉각 후, 물과 톨루엔을 첨가하여 분액 세정하고, 황산마그네슘으로 건조시키고, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄만) 로 정제한 결과, 중간체 12 (9.16 g) 를 백색 고체로서 얻었다.In a reaction vessel, under a stream of nitrogen, 2-(3-bromophenyl)pyridine (5.6 g), 9.3 g of intermediate 11 (synthesized by the method described in International Publication No. 2012/137958), [Pd(PPh 3 ) 4 ] 0.50 g, 27 mL of 2M tripotassium phosphate aqueous solution, 50 mL of toluene, and 25 mL of ethanol were added, and the mixture was stirred in a 100°C oil bath for 3 hours. After cooling, the mixture was separated and washed by adding water and toluene, dried over magnesium sulfate, and purified by silica gel column chromatography (dichloromethane only) to obtain Intermediate 12 (9.16 g) as a white solid.

[화학식 29][Formula 29]

Figure 112017115369377-pct00029
Figure 112017115369377-pct00029

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 12 (8.9 g), 염화이리듐 n 수화물 (3.4 g) 과 2-에톡시에탄올 (50 ㎖), 디글라임 (50 ㎖) 및 증류수 (13 ㎖) 를 첨가하고, 오일 배스의 온도를 135 ℃ 에서 150 ℃ 까지 단계적으로 올려 합계 10 시간 교반하였다. 그 동안 환류되는 액은 측관으로부터 제거하였다. 반응 도중에 디글라임을 추가로 60 ㎖ 첨가하였다. 그 후 실온으로 냉각시키고, 증류수 500 ㎖ 에 반응액을 투입 후, 석출 고체를 여과하고, 메탄올 500 ㎖ 로 세정 후 건조시켰다. 중간체 13 (10.5 g) 을 황색 고체로서 얻었다.Intermediate 12 (8.9 g), iridium chloride n hydrate (3.4 g), 2-ethoxyethanol (50 ml), diglyme (50 ml), and distilled water (13 ml) were added to the reaction vessel under a nitrogen stream, and oil The temperature of the bath was gradually raised from 135°C to 150°C and stirred for a total of 10 hours. In the meantime, the refluxing liquid was removed from the side pipe. An additional 60 ml of diglyme was added during the reaction. Afterwards, it was cooled to room temperature, the reaction solution was added to 500 ml of distilled water, and the precipitated solid was filtered, washed with 500 ml of methanol, and dried. Intermediate 13 (10.5 g) was obtained as a yellow solid.

[화학식 30][Formula 30]

Figure 112017115369377-pct00030
Figure 112017115369377-pct00030

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 13 (3.0 g), 중간체 10 (1.3 g), 디글라임 (24 ㎖) 을 넣고 내온을 약 100 ℃ 로 하였다. 트리플루오로메탄술폰산은 (0.85 g) 을 투입하고, 즉시 유욕을 130 ℃ 까지 올려 2 시간 교반하였다. 실온으로 냉각 후, 용매를 감압 제거하여 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 1/1) 로 정제하였다. 화합물 D-3 을 0.7 g, 황색 고체로서 얻었다.Intermediate 13 (3.0 g), Intermediate 10 (1.3 g), and diglyme (24 mL) were placed in a reaction vessel under a nitrogen stream, and the internal temperature was adjusted to approximately 100°C. Silver trifluoromethanesulfonate (0.85 g) was added, and the oil bath was immediately raised to 130°C and stirred for 2 hours. After cooling to room temperature, the solvent was removed under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 1/1). Compound D-3 was obtained in the amount of 0.7 g as a yellow solid.

<화합물 (D-4) 의 합성예><Synthesis example of compound (D-4)>

[화학식 31][Formula 31]

Figure 112017115369377-pct00031
Figure 112017115369377-pct00031

반응 용기에 질소 기류하, 2-(3-피나콜레이트보릴페닐)피리딘 (19.2 g), 3,3'-디브로모비페닐 (64.4 g), 2M 인산3칼륨 수용액 (260 ㎖), 톨루엔 (280 ㎖) 및 에탄올 (140 ㎖) 을 첨가하고, 질소를 30 분 버블링하였다. 그 후 교반하면서 추가로 [Pd(PPh3)4] 6.0 g 을 첨가하고, 100 ℃ 에서 3 시간 교반 환류하였다. 그 후 실온까지 냉각시키고, 물을 첨가하여 분액 세정 후, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 그 후 용매를 감압하 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 4/6 ∼ 디클로로메탄/헥산/아세트산에틸 = 3/7/0.5) 로 정제함으로써, 중간체 14 (22.0 g) 를 황색 유상 물질로서 얻었다.In a reaction vessel, under a stream of nitrogen, 2-(3-pinacholateborylphenyl)pyridine (19.2 g), 3,3'-dibromoviphenyl (64.4 g), 2M tripotassium phosphate aqueous solution (260 ml), toluene (280 ml) mL) and ethanol (140 mL) were added and nitrogen was bubbled for 30 minutes. After that, 6.0 g of [Pd(PPh 3 ) 4 ] was added while stirring, and the mixture was stirred and refluxed at 100°C for 3 hours. Afterwards, it was cooled to room temperature, water was added, liquid separation and washing were performed, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 4/6 to dichloromethane/hexane/ethyl acetate = 3/7/0.5) to obtain Intermediate 14 (22.0 g) as a yellow oily substance.

[화학식 32][Formula 32]

Figure 112017115369377-pct00032
Figure 112017115369377-pct00032

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 14 (10.2 g), 중간체 8 (7.80 g), 2M 인산3칼륨 수용액 (33 ㎖), 톨루엔 (60 ㎖) 및 에탄올 (30 ㎖) 을 첨가하고, 질소를 30 분 버블링하였다. 그 후 교반하면서 추가로 [Pd(PPh3)4] 0.76 g 을 첨가하고, 100 ℃ 에서 1.5 시간 교반 환류하였다. 그 후 실온까지 냉각시키고, 물을 첨가하여 분액 세정 후, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 그 후 용매를 감압하 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (아세트산에틸/헥산 = 2/8) 로 정제함으로써, 중간체 15 (12.9 g) 를 무색 유상 물질로서 얻었다.Intermediate 14 (10.2 g), intermediate 8 (7.80 g), 2M tripotassium phosphate aqueous solution (33 mL), toluene (60 mL), and ethanol (30 mL) were added to the reaction vessel under a nitrogen stream, and nitrogen was added for 30 minutes. It bubbled. After that, 0.76 g of [Pd(PPh 3 ) 4 ] was added while stirring, and the mixture was stirred and refluxed at 100°C for 1.5 hours. Afterwards, it was cooled to room temperature, water was added, liquid separation and washing were performed, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (ethyl acetate/hexane = 2/8) to obtain Intermediate 15 (12.9 g) as a colorless oily substance.

[화학식 33][Formula 33]

Figure 112017115369377-pct00033
Figure 112017115369377-pct00033

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 15 (4.0 g), 중간체 4 (6.62 g), 디글라임 (53 ㎖) 을 넣고 내온을 약 100 ℃ 로 하였다. 트리플루오로메탄술폰산은 (1.89 g) 을 투입하고, 즉시 유욕을 130 ℃ 까지 올려 2 시간 교반하였다. 실온으로 냉각 후, 용매를 감압 제거하여 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 1/1) 로 정제하였다. 화합물 D-4 를 2.49 g, 황색 고체로서 얻었다.Intermediate 15 (4.0 g), Intermediate 4 (6.62 g), and diglyme (53 mL) were placed in a reaction vessel under a nitrogen stream, and the internal temperature was adjusted to approximately 100°C. Silver trifluoromethanesulfonate (1.89 g) was added, and the oil bath was immediately raised to 130°C and stirred for 2 hours. After cooling to room temperature, the solvent was removed under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 1/1). Compound D-4 was obtained as 2.49 g of a yellow solid.

<화합물 (D-7) 의 합성예><Synthesis example of compound (D-7)>

[화학식 34][Formula 34]

Figure 112017115369377-pct00034
Figure 112017115369377-pct00034

반응 용기에 질소 기류하, m-터페닐보론산 (44.5 g), m-브로모요오드벤젠 (45.9 g), 2M 인산3칼륨 수용액 (200 ㎖), 톨루엔 (300 ㎖) 및 에탄올 (150 ㎖) 을 첨가하고, 질소를 30 분 버블링하였다. 그 후 교반하면서 추가로 [Pd(PPh3)4] 4.67 g 을 첨가하고, 100 ℃ 에서 3.5 시간 교반 환류하였다. 그 후 실온까지 냉각시키고, 물을 첨가하여 분액 세정 후, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 그 후 용매를 감압하 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 5/95 내지 10/90) 로 정제함으로써, 중간체 16 (48.0 g) 을 무색 유상 물질로서 얻었다. In a reaction vessel under nitrogen flow, m-terphenylboronic acid (44.5 g), m-bromoiodobenzene (45.9 g), 2M tripotassium phosphate aqueous solution (200 ml), toluene (300 ml) and ethanol (150 ml). was added, and nitrogen was bubbled for 30 minutes. After that, 4.67 g of [Pd(PPh 3 ) 4 ] was added while stirring, and the mixture was stirred and refluxed at 100°C for 3.5 hours. Afterwards, it was cooled to room temperature, water was added, liquid separation and washing were performed, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 5/95 to 10/90) to obtain Intermediate 16 (48.0 g) as a colorless oily substance.

[화학식 35][Formula 35]

Figure 112017115369377-pct00035
Figure 112017115369377-pct00035

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 16 (36.8 g), 비스(피나콜레이트)디보론 (29.1 g), 아세트산칼륨 (33.8 g), 탈수 디메틸술폭시드 (330 ㎖) 를 첨가하고, 질소를 30 분 버블링하였다. 그 후 교반하면서 추가로 [PdCl2dppf]CH2Cl2 (2.81 g) 를 첨가하고, 100 ℃ 에서 3.5 시간 교반하였다. 그 후 실온까지 냉각시키고, 물을 첨가하여 분액 세정 후, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 그 후 용매를 감압하 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산/디클로로메탄/아세트산에틸 = 90/10/5 내지 60/40/5) 로 정제함으로써, 중간체 17 (23.1 g) 을 백색 고체로서 얻었다.Intermediate 16 (36.8 g), bis(pinacholate)diborone (29.1 g), potassium acetate (33.8 g), and dehydrated dimethyl sulfoxide (330 mL) were added to the reaction vessel under a nitrogen stream, and nitrogen was bubbled for 30 minutes. Ringed. After that, [PdCl 2 dppf]CH 2 Cl 2 (2.81 g) was further added while stirring, and the mixture was stirred at 100°C for 3.5 hours. Afterwards, it was cooled to room temperature, water was added, liquid separation and washing were performed, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (hexane/dichloromethane/ethyl acetate = 90/10/5 to 60/40/5) to obtain Intermediate 17 (23.1 g) as a white solid.

[화학식 36][Formula 36]

Figure 112017115369377-pct00036
Figure 112017115369377-pct00036

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 17 (14.3 g), 2-(3-브로모페닐)피리딘 (7.7 g), 2M 인산3칼륨 수용액 (42 ㎖), 톨루엔 (70 ㎖) 및 에탄올 (35 ㎖) 을 첨가하고, 질소를 30 분 버블링하였다. 그 후 교반하면서 추가로 [Pd(PPh3)]4 (0.95 g) 를 첨가하고, 100 ℃ 에서 3 시간 교반 환류하였다. 실온까지 냉각시키고, 물을 첨가하여 분액 세정 후, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 그 후 용매를 감압하 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산/디클로로메탄/아세트산에틸 = 75/25/3 내지 60/40/3) 로 정제함으로써, 중간체 18 (14.8 g) 을 황색 고체 물질로서 얻었다.In a reaction vessel, under nitrogen flow, intermediate 17 (14.3 g), 2-(3-bromophenyl)pyridine (7.7 g), 2M tripotassium phosphate aqueous solution (42 ml), toluene (70 ml), and ethanol (35 ml). was added, and nitrogen was bubbled for 30 minutes. After that, [Pd(PPh 3 )] 4 (0.95 g) was further added while stirring, and the mixture was stirred and refluxed at 100°C for 3 hours. After cooling to room temperature, water was added, liquid separation and washing were performed, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (hexane/dichloromethane/ethyl acetate = 75/25/3 to 60/40/3) to obtain Intermediate 18 (14.8 g) as a yellow solid material.

[화학식 37][Formula 37]

Figure 112017115369377-pct00037
Figure 112017115369377-pct00037

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 18 (14.2 g), 염화이리듐 n 수화물 (5.32 g) 과 2-에톡시에탄올 (68 ㎖), 디글라임 (68 ㎖) 및 증류수 (21 ㎖) 를 첨가하고, 오일 배스의 온도를 105 ℃ 에서 135 ℃ 까지 단계적으로 올려 합계 7 시간 교반하였다. 그 동안 환류되는 액은 측관으로부터 제거하였다. 그 후 실온으로 냉각시키고, 증류수 400 ㎖ 에 반응액을 투입 후, 석출 고체를 여과하고, 메탄올 200 ㎖ 로 세정 후 건조시켰다. 중간체 19 (16.0 g) 를 황색 고체로서 얻었다.Intermediate 18 (14.2 g), iridium chloride n hydrate (5.32 g), 2-ethoxyethanol (68 ml), diglyme (68 ml), and distilled water (21 ml) were added to the reaction vessel under a nitrogen stream, and oil The temperature of the bath was gradually raised from 105°C to 135°C and stirred for a total of 7 hours. In the meantime, the refluxing liquid was removed from the side pipe. Afterwards, it was cooled to room temperature, the reaction solution was added to 400 ml of distilled water, and the precipitated solid was filtered, washed with 200 ml of methanol, and dried. Intermediate 19 (16.0 g) was obtained as a yellow solid.

[화학식 38][Formula 38]

Figure 112017115369377-pct00038
Figure 112017115369377-pct00038

반응 용기에 아르곤 기류하, 중간체 8 (100.0 g), 1-브로모-3-요오드벤젠 (120.3 g), 2M 탄산칼륨 수용액 (443 ㎖), (톨루엔) 900 ㎖ 및 에탄올 (450 ㎖) 을 첨가하고, 교반하면서 추가로 [Pd(PPh3)4] (12.31 g) 를 첨가하고, 90 ℃ 에서 15 시간 교반 환류하였다. 그 후 실온까지 냉각시키고, 물을 첨가하여 분액 세정 후, 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 용매를 감압하에 증류 제거하고, 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 1/19) 에 처리하고, 브로모체 100.5 g 을 얻었다. 계속해서 이것을 3 ℓ 반응 용기에 넣고, 아르곤 기류하, 건조 THF 1 ℓ 를 첨가하고, 내온 ―75 ℃ 로 냉각시키고, 1.65 M 의 n-부틸리튬헥산 용액 186 ㎖ 를 내온 ―66 ℃ 이하에서 적하하고, ―70 ℃ 에서 1 시간 교반하였다. 이어서, 붕산트리메틸 85.0 g 을 내온 ―64 ℃ 에서 50 분간 걸쳐 적하하고, ―70 ℃ 에서 5 시간 교반하였다. 반응 혼합물에 3M 염산 270 ㎖ 를 적하하고, 실온으로 되돌리면서 하룻밤 교반한 후, 아세트산에틸 500 ㎖ 를 부어, 유수 (油水) 를 분리하고, 수층을 아세트산에틸로 추출하였다. 모든 유기층을 합하여, 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과, 여과액을 농축하고, 황색 유상의 미정제체를 얻었다. 이 미정제체를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (아세트산에틸/디클로로메탄/헥산 = 1/0/4 ∼ 1/2/0) 에 처리하여 정제하고, 중간체 20 을 담황색 고체로서 55.6 g 얻었다.Add Intermediate 8 (100.0 g), 1-bromo-3-iodobenzene (120.3 g), 2M potassium carbonate aqueous solution (443 ml), (toluene) 900 ml, and ethanol (450 ml) to the reaction vessel under an argon stream. Then, [Pd(PPh 3 ) 4 ] (12.31 g) was further added while stirring, and the mixture was stirred and refluxed at 90°C for 15 hours. Afterwards, it was cooled to room temperature, water was added, liquid separation and washing were performed, and the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, and the resulting residue was subjected to silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 1/19) to obtain 100.5 g of bromobody. This was then placed in a 3 L reaction vessel, 1 L of dry THF was added under an argon stream, cooled to an internal temperature of -75°C, and 186 mL of a 1.65 M n-butyllithium hexane solution was added dropwise at an internal temperature of -66°C or lower. , and stirred at -70°C for 1 hour. Next, 85.0 g of trimethyl borate was added dropwise over 50 minutes at an internal temperature of -64°C, and the mixture was stirred at -70°C for 5 hours. 270 ml of 3M hydrochloric acid was added dropwise to the reaction mixture, and the mixture was stirred overnight while returning to room temperature, then 500 ml of ethyl acetate was poured, oil and water were separated, and the aqueous layer was extracted with ethyl acetate. All organic layers were combined, washed with saturated saline solution, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a yellow oily crude product. This crude product was purified by subjecting it to silica gel column chromatography (ethyl acetate/dichloromethane/hexane = 1/0/4 to 1/2/0), and 55.6 g of Intermediate 20 was obtained as a light yellow solid.

[화학식 39][Formula 39]

Figure 112017115369377-pct00039
Figure 112017115369377-pct00039

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 12 (13.4 g), 중간체 20 (13.0 g), 2M 인산3칼륨 수용액 45 ㎖, 톨루엔 90 ㎖ 및 에탄올 45 ㎖ 를 첨가하고, 질소를 30 분 버블링하였다. 그 후 교반하면서 추가로 [Pd(PPh3)]4 1.0 g 을 첨가하고, 100 ℃ 에서 1.5 시간 교반 환류하였다. 그 후 실온까지 냉각시키고, 물을 첨가하여 분액 세정 후, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 그 후 용매를 감압하 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (아세트산에틸/헥산 = 2/8) 로 정제함으로써, 중간체 21 (14.4 g) 을 무색 유상 물질로서 얻었다.Intermediate 12 (13.4 g), intermediate 20 (13.0 g), 45 ml of 2M tripotassium phosphate aqueous solution, 90 ml of toluene, and 45 ml of ethanol were added to the reaction vessel under a nitrogen stream, and nitrogen was bubbled for 30 minutes. After that, 1.0 g of [Pd(PPh 3 )] 4 was further added while stirring, and the mixture was stirred and refluxed at 100°C for 1.5 hours. Afterwards, it was cooled to room temperature, water was added, liquid separation and washing were performed, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (ethyl acetate/hexane = 2/8) to obtain Intermediate 21 (14.4 g) as a colorless oily substance.

[화학식 40][Formula 40]

Figure 112017115369377-pct00040
Figure 112017115369377-pct00040

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 19 (6.6 g), 중간체 21 (4.0 g), 디글라임 53 ㎖ 를 넣고 내온을 약 100 ℃ 로 하였다. 트리플루오로메탄술폰산은 1.64 g 을 투입하고, 즉시 유욕을 134 ℃ 까지 올려 1.5 시간 교반하였다. 실온으로 냉각 후, 용매를 감압 제거하여 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 1/1) 로 정제하였다. 화합물 D-7 을 2.24 g, 황색 고체로서 얻었다.Intermediate 19 (6.6 g), Intermediate 21 (4.0 g), and 53 ml of diglyme were placed in a reaction vessel under a nitrogen stream, and the internal temperature was adjusted to approximately 100°C. 1.64 g of trifluoromethanesulfonic acid was added, and the oil bath was immediately raised to 134°C and stirred for 1.5 hours. After cooling to room temperature, the solvent was removed under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 1/1). Compound D-7 was obtained as 2.24 g of a yellow solid.

<화합물 (D-8) 의 합성예><Synthesis example of compound (D-8)>

[화학식 41][Formula 41]

Figure 112017115369377-pct00041
Figure 112017115369377-pct00041

반응 용기에 질소 기류하, 2-(3-브로모페닐)피리딘 40.3 g, 염화이리듐 n 수화물 28.8 g 과 2-에톡시에탄올 200 ㎖ 및 증류수 60 ㎖ 를 첨가하고, 오일 배스의 온도를 135 ℃ 로 하여 8 시간 교반하였다. 그 동안 환류되는 액은 측관으로부터 제거하였다. 그 후 실온으로 냉각시키고, 메탄올 100 ㎖ 를 반응액에 투입 후, 석출 고체를 여과하고, 메탄올 400 ㎖ 로 세정 후 건조시켰다. 중간체 22 (49.0 g) 를 황색 고체로서 얻었다.40.3 g of 2-(3-bromophenyl)pyridine, 28.8 g of iridium chloride n hydrate, 200 ml of 2-ethoxyethanol, and 60 ml of distilled water were added to the reaction vessel under a nitrogen stream, and the temperature of the oil bath was set to 135°C. This was stirred for 8 hours. In the meantime, the refluxing liquid was removed from the side pipe. Afterwards, it was cooled to room temperature, and 100 ml of methanol was added to the reaction solution, and the precipitated solid was filtered, washed with 400 ml of methanol, and dried. Intermediate 22 (49.0 g) was obtained as a yellow solid.

[화학식 42][Formula 42]

Figure 112017115369377-pct00042
Figure 112017115369377-pct00042

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 22 (8.0 g), 중간체 15 (12.3 g), DMF 120 ㎖ 를 넣고, 오일 배스의 온도를 170 ℃ 로 하고, 약한 환류로 하였다. 트리플루오로메탄술폰산은 3.52 g 을 투입하고, 2 시간 교반하였다. 실온으로 냉각 후, 물 300 ㎖ 와 톨루엔 300 ㎖, 디클로로메탄 300 ㎖ 로 분액 세정한 후, 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과하여 용매를 감압하 제거하였다. 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 1/1) 로 정제하였다. 중간체 23 을 4.3 g, 황색 고체로서 얻었다.Intermediate 22 (8.0 g), Intermediate 15 (12.3 g), and 120 mL of DMF were placed in a reaction vessel under a nitrogen stream, the temperature of the oil bath was set to 170°C, and the temperature of the oil bath was set to mild reflux. 3.52 g of trifluoromethanesulfonic acid was added and stirred for 2 hours. After cooling to room temperature, the solution was separated and washed with 300 ml of water, 300 ml of toluene, and 300 ml of dichloromethane, dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was removed under reduced pressure. The residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 1/1). 4.3 g of Intermediate 23 was obtained as a yellow solid.

[화학식 43][Formula 43]

Figure 112017115369377-pct00043
Figure 112017115369377-pct00043

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 23 (4.3 g), 비스(피나콜레이트)디보론 2.7 g, 아세트산칼륨 2.7 g, 탈수 디메틸술폭시드 400 ㎖ 를 첨가하고, 질소를 30 분 버블링하였다. 그 후 교반하면서 추가로 [PdCl2dppf]CH2Cl2 (0.92 g) 를 첨가하고, 100 ℃ 에서 7 시간 교반하였다. 그 후 실온까지 냉각시키고, 물 500 ㎖ 와 디클로로메탄 500 ㎖ 를 첨가하여 분액 세정 후, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 그 후 용매를 감압하 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산/디클로로메탄/아세트산에틸 = 60/30/1 내지 70/0/30) 로 정제함으로써, 중간체 24 (2.5 g) 를 황색 고체로서 얻었다.Intermediate 23 (4.3 g), 2.7 g of bis(pinacholate)diborone, 2.7 g of potassium acetate, and 400 ml of dehydrated dimethyl sulfoxide were added to the reaction vessel under a nitrogen stream, and nitrogen was bubbled for 30 minutes. After that, [PdCl 2 dppf]CH 2 Cl 2 (0.92 g) was further added while stirring, and the mixture was stirred at 100°C for 7 hours. After that, it was cooled to room temperature, and 500 ml of water and 500 ml of dichloromethane were added to separate and wash the organic layer, followed by drying the organic layer with magnesium sulfate. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (hexane/dichloromethane/ethyl acetate = 60/30/1 to 70/0/30) to obtain Intermediate 24 (2.5 g) as a yellow solid.

[화학식 44][Formula 44]

Figure 112017115369377-pct00044
Figure 112017115369377-pct00044

반응 용기에 질소 기류하, 3,5-디브로모벤조니트릴 10.4 g, m-비페닐보론산 7.6 g, 2M 인산3칼륨 수용액 50 ㎖, 톨루엔 60 ㎖ 및 에탄올 30 ㎖ 를 첨가하고, 질소를 30 분 버블링하였다. 그 후 교반하면서 추가로 [Pd(PPh3)4] 1.2 g 을 첨가하고, 100 ℃ 에서 2 시간 교반 환류하였다. 그 후 실온까지 냉각시키고, 물을 첨가하여 분액 세정 후, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 그 후 용매를 감압하 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 3/7) 로 정제함으로써, 중간체 25 (8.2 g) 를 무색 유상 물질로서 얻었다.Under a nitrogen stream, 10.4 g of 3,5-dibromobenzonitrile, 7.6 g of m-biphenylboronic acid, 50 ml of 2M aqueous solution of potassium phosphate, 60 ml of toluene, and 30 ml of ethanol were added to the reaction vessel, and nitrogen was added to 30 ml. Minutes were bubbled. After that, 1.2 g of [Pd(PPh 3 ) 4 ] was added while stirring, and the mixture was stirred and refluxed at 100°C for 2 hours. Afterwards, it was cooled to room temperature, water was added, liquid separation and washing were performed, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 3/7) to obtain Intermediate 25 (8.2 g) as a colorless oily substance.

[화학식 45][Formula 45]

Figure 112017115369377-pct00045
Figure 112017115369377-pct00045

반응 용기에 질소 기류하, 중간체 24 (2.5 g), 중간체 25 (2.6 g), 2M 인산3칼륨 수용액 18 ㎖, 톨루엔 50 ㎖ 및 에탄올 25 ㎖ 를 첨가하고, 질소를 30 분 버블링하였다. 그 후 교반하면서 추가로 [Pd(PPh3)4] 0.3 g 을 첨가하고, 100 ℃ 에서 2.5 시간 교반 환류하였다. 그 후 실온까지 냉각시키고, 물을 첨가하여 분액 세정 후, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 그 후 용매를 감압하 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (디클로로메탄/헥산 = 65/35) 로 정제함으로써, 화합물 D-8 (1.2 g) 을 황색 고체 물질로서 얻었다.Intermediate 24 (2.5 g), intermediate 25 (2.6 g), 18 ml of 2M tripotassium phosphate aqueous solution, 50 ml of toluene, and 25 ml of ethanol were added to the reaction vessel under a nitrogen stream, and nitrogen was bubbled for 30 minutes. After that, 0.3 g of [Pd(PPh 3 ) 4 ] was added while stirring, and the mixture was stirred and refluxed at 100°C for 2.5 hours. Afterwards, it was cooled to room temperature, water was added, liquid separation and washing were performed, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. Afterwards, the solvent was removed under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 65/35) to obtain compound D-8 (1.2 g) as a yellow solid material.

<참고예 1><Reference Example 1>

화합물 D-1 과 유사한 방법으로 합성한 화합물 D-9 는, 100 ℃ 에서 조정된 페닐시클로헥산의 1 wt% 용액이 실온까지 냉각되면, 신속하게 석출되었다. 용해성이 매우 낮아, 잉크로 할 수 없었다.Compound D-9, synthesized in a similar manner to Compound D-1, rapidly precipitated when a 1 wt% solution of phenylcyclohexane adjusted at 100°C was cooled to room temperature. It had very low solubility and could not be used as ink.

[화학식 46][Formula 46]

Figure 112017115369377-pct00046
Figure 112017115369377-pct00046

<유기 전계 발광 소자의 제조 1><Manufacture of organic electroluminescent device 1>

도 1 에 나타내는 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자를 이하의 방법으로 제조하였다. 단, 실시예 1 및 2 와 비교예 1 및 2 에 있어서의 발광층 중의 이리듐 원자 농도는, 대략 0.095 m㏖/g 이 되도록 조정하였다. 마찬가지로, 실시예 3 및 4 와 비교예 3 및 4 에 있어서의 발광층 중의 이리듐 원자 농도는, 대략 0.19 m㏖/g 이 되도록 조정하였다.An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 1 was manufactured by the following method. However, the iridium atom concentration in the light emitting layer in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 was adjusted to be approximately 0.095 mmol/g. Similarly, the iridium atom concentration in the light emitting layer in Examples 3 and 4 and Comparative Examples 3 and 4 was adjusted to be approximately 0.19 mmol/g.

(실시예 1) (Example 1)

유리 기판 (1) 상에, 인듐·주석 산화물 (ITO) 투명 도전막을 70 ㎚ 의 두께로 퇴적한 것 (지오마텍사 제조, 스퍼터 성막품) 을, 통상적인 포토리소그래피 기술과 염산 에칭을 사용하여 2 ㎜ 폭의 스트라이프로 패터닝하여 양극 (2) 을 형성하였다. 패턴 형성한 ITO 기판을, 계면 활성제 수용액에 의한 초음파 세정, 초순수에 의한 수세, 초순수에 의한 초음파 세정, 초순수에 의한 수세의 순서로 세정 후, 압축 공기로 건조시키고, 마지막에 자외선 오존 세정을 실시하였다. 이 ITO 는, 투명 전극 (2) 으로서 기능한다.On the glass substrate (1), an indium tin oxide (ITO) transparent conductive film was deposited to a thickness of 70 nm (manufactured by Geomatec, sputter deposition product), and a 2 mm thick film was deposited using a conventional photolithography technique and hydrochloric acid etching. The anode (2) was formed by patterning into stripes of different widths. The patterned ITO substrate was cleaned in the following order: ultrasonic cleaning with an aqueous surfactant solution, washing with ultrapure water, ultrasonic cleaning with ultrapure water, and washing with ultrapure water, followed by drying with compressed air, and finally ultraviolet ozone cleaning. . This ITO functions as the transparent electrode 2.

다음으로, 아래의 구조식 (P-1) 에 나타내는 아릴아민 폴리머, 구조식 (A-1) 에 나타내는 4-이소프로필-4'-메틸디페닐요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 및 벤조산에틸을 함유하는 정공 주입층 형성용 도포액을 조제하였다. 이 도포액을 하기 조건으로 양극 상에 스핀 코트에 의해 성막하여, 막두께 40 ㎚ 의 정공 주입층 (3) 을 얻었다.Next, the arylamine polymer shown in structural formula (P-1) below, 4-isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate and ethyl benzoate shown in structural formula (A-1). A coating liquid for forming a hole injection layer containing was prepared. This coating liquid was formed into a film on the anode by spin coating under the following conditions to obtain a hole injection layer 3 with a film thickness of 40 nm.

[화학식 47][Formula 47]

Figure 112017115369377-pct00047
Figure 112017115369377-pct00047

<정공 주입층 형성용 도포액><Coating liquid for forming hole injection layer>

용제 벤조산에틸 Solvent Ethyl benzoate

도포액 농도 P-1 2.5 질량%Coating solution concentration P-1 2.5 mass%

A-1 0.4 질량% A-1 0.4% by mass

<정공 주입층 (3) 의 성막 조건><Film formation conditions of hole injection layer (3)>

스핀 코트 분위기 대기 중Waiting for spin court atmosphere

가열 조건 건조 대기 중 240 ℃ 1 시간Heating conditions 240℃ 1 hour in dry air

다음으로, 하기에 나타내는 구조를 갖는 화합물 (P-2) 를 함유하는 정공 수송층 형성용 도포액을 조제하고, 하기의 조건으로 스핀 코트에 의해 성막하여, 가열에 의해 중합시킴으로써 막두께 11 ㎚ 의 정공 수송층 (4) 을 형성하였다.Next, a coating liquid for forming a hole transport layer containing compound (P-2) having the structure shown below was prepared, formed into a film by spin coating under the following conditions, and polymerized by heating to form a hole transport layer with a film thickness of 11 nm. A transport layer (4) was formed.

[화학식 48][Formula 48]

Figure 112017115369377-pct00048
Figure 112017115369377-pct00048

<정공 수송층 형성용 도포액><Coating liquid for forming hole transport layer>

용제 페닐시클로헥산 Solvent Phenylcyclohexane

도포액 농도 1.0 질량% Coating liquid concentration 1.0 mass%

<성막 조건><Tabernacle conditions>

스핀 코트 분위기 건조 질소 중Spin coat in dry nitrogen atmosphere

가열 조건 230 ℃, 1 시간 (건조 질소하) Heating conditions: 230°C, 1 hour (under dry nitrogen)

다음으로, 발광층을 형성함에 있어서, 전하 수송 재료로서, 이하에 나타내는, 유기 화합물 (H-1), 유기 화합물 (H-2) 및, 발광 재료로서, 상기에서 합성한, 이리듐 착물 화합물 (D-1) 을 사용하여 하기에 나타내는 이리듐 착물 화합물 함유 조성물을 조제하고, 이하에 나타내는 조건으로 정공 수송층 상에 스핀 코트하여 막두께 60 ㎚ 로 발광층을 얻었다. 이 발광층의 단위 중량당 이리듐 착물 화합물의 도프 농도는, 0.096 m㏖/g 이다.Next, in forming the light-emitting layer, as the charge transport material, the organic compound (H-1) and organic compound (H-2) shown below, and the iridium complex compound (D-) synthesized above as the light-emitting material 1) was used to prepare a composition containing an iridium complex compound shown below, and spin-coated on the hole transport layer under the conditions shown below to obtain a light-emitting layer with a film thickness of 60 nm. The dope concentration of the iridium complex compound per unit weight of this light-emitting layer is 0.096 mmol/g.

[화학식 49][Formula 49]

Figure 112017115369377-pct00049
Figure 112017115369377-pct00049

<발광층 형성용 도포액><Coating liquid for forming light-emitting layer>

용제 페닐시클로헥산:1900 질량부 Solvent phenylcyclohexane: 1900 parts by mass

발광층 조성 H-1:45 질량부 Emitting layer composition H-1: 45 parts by mass

H-2:55 질량부 H-2: 55 parts by mass

D-1:14.8 질량부 D-1: 14.8 parts by mass

<성막 조건><Tabernacle conditions>

스핀 코트 분위기 건조 질소 중 Spin coat in dry nitrogen atmosphere

가열 조건 120 ℃ × 20 분 (건조 질소하) Heating conditions: 120°C × 20 minutes (under dry nitrogen)

여기서, 발광층까지를 성막한 기판을 진공 증착 장치 내로 옮기고, 장치 내의 진공도가 2.0 x 10-4 ㎩ 이하가 될 때까지 배기한 후, 화합물 (HB-1) 을 진공 증착법으로 증착 속도를 0.8 ∼ 1.0 Å/초의 범위에서 제어하고, 발광층 상에 적층시켜, 막두께 10 ㎚ 의 정공 저지층 (6) 을 얻었다.Here, the substrate on which the light-emitting layer has been deposited is transferred into a vacuum deposition device, and the vacuum inside the device is evacuated until the degree of vacuum becomes 2.0 It was controlled in the range of Å/sec and laminated on the light emitting layer to obtain a hole blocking layer 6 with a film thickness of 10 nm.

[화학식 50][Formula 50]

Figure 112017115369377-pct00050
Figure 112017115369377-pct00050

계속해서, 하기에 나타내는 구조를 갖는 유기 화합물 (ET-1) 을 진공 증착법으로 증착 속도를 0.8 ∼ 1.0 Å/초의 범위에서 제어하고, 정공 저지층 (6) 상에 적층시켜, 막두께 20 ㎚ 의 전자 수송층 (7) 을 형성하였다.Subsequently, an organic compound (ET-1) having the structure shown below was laminated on the hole blocking layer 6 using a vacuum deposition method, controlling the deposition rate in the range of 0.8 to 1.0 Å/sec, to form a layer with a film thickness of 20 nm. An electron transport layer (7) was formed.

[화학식 51][Formula 51]

Figure 112017115369377-pct00051
Figure 112017115369377-pct00051

여기서, 전자 수송층 (7) 까지의 증착을 실시한 소자를 한번 꺼내어, 다른 증착 장치에 설치하고, 음극 증착용의 마스크로서 2 ㎜ 폭의 스트라이프상 셰도우 마스크를, 양극 (2) 의 ITO 스트라이프와는 직교하도록 소자에 밀착시켜 배기를 실시하였다.Here, the element on which the electron transport layer 7 has been deposited is taken out, installed in another deposition apparatus, and a stripe-shaped shadow mask with a width of 2 mm is used as a mask for cathode deposition, orthogonal to the ITO stripe of the anode 2. Exhaust was carried out by keeping the device in close contact with the device.

전자 주입층 (8) 으로서, 먼저 불화리튬 (LiF) 을, 몰리브덴 보트를 사용하여, 0.5 ㎚ 의 막두께로 전자 수송층 (7) 상에 성막하였다. 다음으로, 음극 (9) 으로서 알루미늄을 마찬가지로 몰리브덴 보트에 의해 가열하여, 막두께 80 ㎚ 의 알루미늄층을 형성하였다. 이상의 2 층의 증착시의 기판 온도는 실온으로 유지하였다.As the electron injection layer 8, lithium fluoride (LiF) was first formed into a film on the electron transport layer 7 with a film thickness of 0.5 nm using a molybdenum boat. Next, aluminum as the cathode 9 was similarly heated using a molybdenum boat to form an aluminum layer with a film thickness of 80 nm. The substrate temperature during deposition of the above two layers was maintained at room temperature.

계속해서, 소자가 보관 중에 대기 중의 수분 등으로 열화되는 것을 방지하기 위해서, 이하에 기재된 방법으로 봉지 (封止) 처리를 실시하였다. Subsequently, in order to prevent the element from deteriorating due to moisture in the air during storage, a sealing treatment was performed using the method described below.

질소 글로브 박스 중에서, 23 ㎜ × 23 ㎜ 사이즈의 유리판의 외주부에, 약 1 ㎜ 의 폭으로 광 경화성 수지 30Y-437 (쓰리본드사 제조) 을 도포하고, 중앙부에 수분 게터 시트 (다이닉사 제조) 를 설치하였다. 이 위에, 음극 형성을 종료한 기판을, 증착된 면이 건조제 시트와 대향하도록 첩합 (貼合) 하였다. 그 후, 광 경화성 수지가 도포된 영역에만 자외광을 조사하고, 수지를 경화시켰다.In a nitrogen glove box, photocurable resin 30Y-437 (manufactured by Three Bond Company) was applied to the outer periphery of a glass plate of size 23 mm was installed. On this, the substrate on which the cathode formation was completed was bonded so that the vapor-deposited surface faced the desiccant sheet. Afterwards, ultraviolet light was irradiated only to the area where the photocurable resin was applied, and the resin was cured.

이상과 같이 하여, 2 ㎜ × 2 ㎜ 사이즈의 발광 면적 부분을 갖는 유기 전계 발광 소자가 얻어졌다.As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion of 2 mm x 2 mm in size was obtained.

(실시예 2) (Example 2)

실시예 1 에 있어서, 발광층을 형성할 때에 사용한 화합물 D-1 을, 화합물 D-4 로 변경하고, 그 발광층 형성용 도포액 중의 농도를 16.5 질량부로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 도 1 에 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.In Example 1, the compound D-1 used in forming the light-emitting layer was changed to compound D-4, and the concentration in the coating liquid for forming the light-emitting layer was changed to 16.5 parts by mass. The organic electroluminescent device shown in 1 was manufactured.

(비교예 1) (Comparative Example 1)

실시예 1 에 있어서, 발광층을 형성할 때에 사용한 화합물 D-1 을, 하기 식으로 나타내는 화합물 D-5 로 변경하고, 그 발광층 형성용 도포액 중의 농도를 14.7 질량부로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 도 1 에 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.In Example 1, the compound D-1 used in forming the light-emitting layer was changed to compound D-5 represented by the formula below, and the concentration in the coating liquid for forming the light-emitting layer was changed to 14.7 parts by mass. In the same manner, the organic electroluminescent device shown in FIG. 1 was manufactured.

[화학식 52][Formula 52]

Figure 112017115369377-pct00052
Figure 112017115369377-pct00052

(비교예 2) (Comparative Example 2)

실시예 1 에 있어서, 발광층을 형성할 때에 사용한 화합물 D-1 을, 하기 식으로 나타내는 화합물 D-6 으로 변경하고, 그 발광층 형성용 도포액 중의 농도를 15.0 질량부로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 도 1 에 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.In Example 1, the compound D-1 used in forming the light-emitting layer was changed to compound D-6 represented by the formula below, and the concentration in the coating liquid for forming the light-emitting layer was changed to 15.0 parts by mass. In the same manner, the organic electroluminescent device shown in FIG. 1 was manufactured.

[화학식 53][Formula 53]

Figure 112017115369377-pct00053
Figure 112017115369377-pct00053

(실시예 3) (Example 3)

실시예 1 에 있어서, 발광층 형성용 도포액 중의 발광 재료의 농도를 34.6 질량부로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 도 1 에 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.The organic electroluminescent device shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the concentration of the light-emitting material in the coating liquid for forming the light-emitting layer was changed to 34.6 parts by mass.

(실시예 4) (Example 4)

실시예 2 에 있어서, 발광층 형성용 도포액 중의 발광 재료의 농도를 38.5 질량부로 바꾼 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여 도 1 에 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.The organic electroluminescent device shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Example 2, except that the concentration of the light-emitting material in the coating liquid for forming the light-emitting layer was changed to 38.5 parts by mass.

(비교예 3) (Comparative Example 3)

비교예 1 에 있어서, 발광층 형성용 도포액 중의 발광 재료의 농도를 34.4 질량부로 바꾼 것 이외에는, 비교예 1 과 동일하게 하여 도 1 에 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.The organic electroluminescent device shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as Comparative Example 1, except that the concentration of the light-emitting material in the coating liquid for forming the light-emitting layer was changed to 34.4 parts by mass.

(비교예 4) (Comparative Example 4)

비교예 2 에 있어서, 발광층 형성용 도포액 중의 발광 재료의 농도를 35.0 질량부로 바꾼 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여 도 1 에 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제조하였다. In Comparative Example 2, the organic electroluminescent device shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Example 2, except that the concentration of the light-emitting material in the coating liquid for forming the light-emitting layer was changed to 35.0 parts by mass.

이와 같이 하여 얻어진 소자의 성능을 표 1, 표 2 에 나타낸다.The performance of the devices obtained in this way is shown in Tables 1 and 2.

표 1 에, 소자에 10 mA/㎠ 통전한 경우의 발광 효율 (cd/A) 을, 비교예 1 을 100 으로 한 상대값으로 나타낸다.In Table 1, the luminous efficiency (cd/A) when 10 mA/cm2 current is applied to the device is shown as a relative value with Comparative Example 1 set to 100.

Figure 112017115369377-pct00054
Figure 112017115369377-pct00054

본원 발명의 화합물을 발광층에 통상 도프 농도로 도프한 소자 및, 헤비 도프 농도로 도프한 소자 모두, 발광 효율이 높은 것을 알 수 있다. 표 2 에, 소자에 15 mA/㎠ 통전한 경우의 초기 휘도 (cd/㎡) 를, 비교예 1 을 100 으로 한 상대값, 및, 소자를 15 mA/㎠ 로 120 시간 정전류 구동한 후의 휘도를 초기 휘도로 나누어 휘도 유지율을 구하고, 비교예 1 의 휘도 유지율을 100 으로 했을 경우의 상대값을 나타낸다.It can be seen that the luminous efficiency is high for both devices in which the light-emitting layer is doped with the compound of the present invention at a normal dope concentration and devices in which the light-emitting layer is doped at a heavy dope concentration. In Table 2, the initial luminance (cd/m2) when energizing the device at 15 mA/cm2 is relative to Comparative Example 1 as 100, and the luminance after driving the device at a constant current of 15 mA/cm2 for 120 hours. The luminance maintenance rate is obtained by dividing by the initial luminance, and the relative value when the luminance retention rate of Comparative Example 1 is set to 100 is shown.

Figure 112017115369377-pct00055
Figure 112017115369377-pct00055

실시예 1 ∼ 4, 비교예 1 ∼ 3 에 의해, 본원 발명의 화합물을 발광층에 통상 도프 농도로 도프한 소자 및, 헤비 도프 농도로 도프한 소자 모두, 높은 구동 수명을 갖는 소자인 것을 알 수 있었다.From Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3, it was found that both devices in which the light emitting layer was doped with the compound of the present invention at a normal dope concentration and devices in which the light emitting layer was doped at a heavy dope concentration had a high operating life. .

또, 특히, 본원 발명의 화합물을 발광층에 헤비 도프 농도로 도프한 소자는, 발광 효율이 높고, 높은 구동 수명을 갖는 소자인 것을 알 수 있었다. In particular, it was found that a device in which the light-emitting layer was doped with the compound of the present invention at a heavy dope concentration had high luminous efficiency and a high driving life.

<발광층 형성용 도포액의 보존 안정성><Storage stability of coating liquid for forming luminescent layer>

그 도포액의 보존 안정성 시험에 있어서는, 액에 탁함이 없는 것, 및, 적색 레이저 광을 쐬여 틴들 현상이 관찰되지 않는 것을 육안으로 확인할 수 있었던 경우, 용액 상태가 유지된 균일 상태인 것으로 판단하였다.In the storage stability test of the coating liquid, if it was visually confirmed that there was no cloudiness in the liquid and that the Tyndall phenomenon was not observed by irradiating red laser light, it was judged that the solution was maintained in a uniform state.

(실시예 5) 실시예 3 과 동일하게 제조한 발광층 형성용 도포액을, 150 ℃ 에서 30 분 가열하고 균일 상태를 확인한 후 45 ℃ 에서 4 시간 정치 (靜置) 한 결과, 균일 상태를 유지하고 있었다.(Example 5) The coating liquid for forming an emitting layer prepared in the same manner as in Example 3 was heated at 150°C for 30 minutes, confirmed to be uniform, and left at 45°C for 4 hours. As a result, the uniformity was maintained. there was.

(실시예 6) 실시예 4 와 동일하게 제조한 발광층 형성용 도포액을, 150 ℃ 에서 30 분 가열하고 균일 상태를 확인한 후 45 ℃ 에서 4 시간 정치한 결과, 균일 상태를 유지하고 있었다.(Example 6) The coating liquid for forming the light emitting layer prepared in the same manner as in Example 4 was heated at 150°C for 30 minutes, confirmed to be uniform, and left to stand at 45°C for 4 hours. As a result, the uniformity was maintained.

(실시예 7) 실시예 5 에 있어서, 화합물 D-1 을 화합물 D-7 로 변경하고, 그 발광층 형성용 도포액 중의 농도를 44.4 질량부로 바꾼 것 이외에는, 실시예 5 와 동일하게 제조한 발광층 형성용 도포액을, 150 ℃ 에서 30 분 가열하고 균일 상태를 확인한 후 45 ℃ 에서 4 시간 정치한 결과, 균일 상태를 유지하고 있었다.(Example 7) Formation of a light-emitting layer prepared in the same manner as in Example 5, except that Compound D-1 was changed to Compound D-7 and the concentration in the coating liquid for forming the light-emitting layer was changed to 44.4 parts by mass. The coating solution was heated at 150°C for 30 minutes, confirmed to be uniform, and then allowed to stand at 45°C for 4 hours. As a result, the uniformity was maintained.

(실시예 8) 실시예 5 에 있어서, 화합물 D-1 을 화합물 D-8 로 변경하고, 그 발광층 형성용 도포액 중의 농도를 39.8 질량부로 바꾼 것 이외에는, 실시예 5 와 동일하게 제조한 발광층 형성용 도포액을, 150 ℃ 에서 30 분 가열하고 균일 상태를 확인한 후 45 ℃ 에서 4 시간 정치한 결과, 균일 상태를 유지하고 있었다.(Example 8) Formation of a light-emitting layer prepared in the same manner as in Example 5, except that Compound D-1 was changed to Compound D-8 and the concentration in the coating liquid for forming the light-emitting layer was changed to 39.8 parts by mass. The coating liquid was heated at 150°C for 30 minutes, confirmed to be uniform, and then allowed to stand at 45°C for 4 hours. As a result, the uniformity was maintained.

(참고예 2) 비교예 3 과 동일하게 제조한 발광층 형성용 도포액을, 150 ℃ 에서 30 분 가열하고 균일 상태를 확인한 후 45 ℃ 에서 4 시간 정치한 결과, 균일 상태를 유지하고 있었다.(Reference Example 2) The coating liquid for forming the light emitting layer prepared in the same manner as in Comparative Example 3 was heated at 150°C for 30 minutes, confirmed to be uniform, and left to stand at 45°C for 4 hours. As a result, the uniformity was maintained.

(비교예 5) 비교예 4 와 동일하게 제조한 발광층 형성용 도포액을, 150 ℃ 에서 30 분 가열하고 균일 상태를 확인한 후 45 ℃ 에서 4 시간 정치한 결과, 고체의 석출이 확인되었다.(Comparative Example 5) The coating liquid for forming an emitting layer prepared in the same manner as in Comparative Example 4 was heated at 150°C for 30 minutes, confirmed to be uniform, and left to stand at 45°C for 4 hours. As a result, precipitation of solids was confirmed.

(비교예 6) 비교예 3 에 있어서, 화합물 D-5 를 하기 식에 나타내는 화합물 D-10 으로 변경하고, 그 발광층 형성용 도포액 중의 농도를 47.0 질량부로 바꾼 것 이외에는, 비교예 3 과 동일하게 제조한 발광층 형성용 도포액을, 150 ℃ 에서 30 분 가열하고 균일 상태를 확인한 후 45 ℃ 에서 4 시간 정치한 결과, 고체의 석출이 확인되었다.(Comparative Example 6) In the same manner as Comparative Example 3, except that Compound D-5 was changed to Compound D-10 shown in the formula below, and the concentration in the coating liquid for forming the emitting layer was changed to 47.0 parts by mass. The prepared coating liquid for forming a light emitting layer was heated at 150°C for 30 minutes, confirmed to be uniform, and then allowed to stand at 45°C for 4 hours. As a result, precipitation of solids was confirmed.

<화합물 D-10><Compound D-10>

[화학식 54][Formula 54]

Figure 112017115369377-pct00056
Figure 112017115369377-pct00056

(비교예 7) 비교예 3 에 있어서, 화합물 D-5 를 하기 식에 나타내는 화합물 D-11 로 변경하고, 그 발광층 형성용 도포액 중의 농도를 28.0 질량부로 바꾼 것 이외에는, 비교예 3 과 동일하게 제조한 발광층 형성용 도포액을, 150 ℃ 에서 30 분 가열하고 균일 상태를 확인한 후 45 ℃ 에서 4 시간 정치한 결과, 고체의 석출이 확인되었다.(Comparative Example 7) In the same manner as Comparative Example 3, except that Compound D-5 was changed to Compound D-11 shown in the formula below, and the concentration in the coating liquid for forming the emitting layer was changed to 28.0 parts by mass. The prepared coating liquid for forming a light emitting layer was heated at 150°C for 30 minutes, confirmed to be uniform, and then allowed to stand at 45°C for 4 hours. As a result, precipitation of solids was confirmed.

<화합물 D-11><Compound D-11>

[화학식 55][Formula 55]

Figure 112017115369377-pct00057
Figure 112017115369377-pct00057

이상의 결과를 표 3 에 나타낸다.The above results are shown in Table 3.

Figure 112017115369377-pct00058
Figure 112017115369377-pct00058

실시예 5 ∼ 8, 비교예 5 ∼ 7 로부터, 본원 발명의 화합물을 헤비 도프 농도로 발광층 형성용 도포액에 사용한 조성물은, 보존 안정성이 양호한 것을 알 수 있다.From Examples 5 to 8 and Comparative Examples 5 to 7, it can be seen that the composition using the compound of the present invention at a heavy dope concentration in a coating liquid for forming a light emitting layer has good storage stability.

<유기 전계 발광 소자의 제조 2><Manufacture of organic electroluminescent devices 2>

(실시예 9) (Example 9)

도 1 에 나타내는 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자를 이하의 방법으로 제조하였다. 단, 발광층 중의 이리듐 원자 농도는, 대략 0.19 m㏖/g 이 되도록 조정하였다.An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 1 was manufactured by the following method. However, the iridium atom concentration in the light emitting layer was adjusted to be approximately 0.19 mmol/g.

유리 기판 (1) 및 투명 전극 (2) 은 실시예 3 에 있어서의 유기 전계 발광 소자의 제조 1 과 동일하게 제조하였다.The glass substrate 1 and the transparent electrode 2 were manufactured in the same manner as in Production 1 of the organic electroluminescent device in Example 3.

다음으로, 아래의 구조식 (P-3) 에 나타내는 아릴아민 폴리머, 상기 구조식 (A-1) 에 나타내는 4-이소프로필-4'-메틸디페닐요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 및 벤조산에틸을 함유하는 정공 주입층 형성용 도포액을 조제하였다. 이 도포액을 하기 조건으로 양극 상에 스핀 코트에 의해 성막하여, 막두께 29 ㎚ 의 정공 주입층 (3) 을 얻었다.Next, an arylamine polymer shown in the structural formula (P-3) below, 4-isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate and benzoic acid shown in the structural formula (A-1) above. A coating liquid for forming a hole injection layer containing ethyl was prepared. This coating liquid was formed into a film on the anode by spin coating under the following conditions to obtain a hole injection layer 3 with a film thickness of 29 nm.

[화학식 56][Formula 56]

Figure 112017115369377-pct00059
Figure 112017115369377-pct00059

<정공 주입층 형성용 도포액><Coating liquid for forming hole injection layer>

용제 벤조산에틸 Solvent Ethyl benzoate

도포액 농도 P-3 2.0 질량%Coating solution concentration P-3 2.0 mass%

A-1 0.4 질량% A-1 0.4% by mass

<정공 주입층 (3) 의 성막 조건><Film formation conditions of hole injection layer (3)>

스핀 코트 분위기 대기 중 Waiting for spin court atmosphere

가열 조건 건조 대기 중 230 ℃ 1 시간Heating conditions 230℃ 1 hour in dry air

다음으로, 하기에 나타내는 구조를 갖는 화합물 (P-4) 를 함유하는 정공 수송층 형성용 도포액을 조제하고, 하기의 조건으로 스핀 코트에 의해 성막하고, 가열에 의해 중합시킴으로써 막두께 20 ㎚ 의 정공 수송층 (4) 을 형성하였다.Next, a coating liquid for forming a hole transport layer containing compound (P-4) having the structure shown below was prepared, formed into a film by spin coating under the following conditions, and polymerized by heating to form a hole transport layer with a film thickness of 20 nm. A transport layer (4) was formed.

[화학식 57][Formula 57]

Figure 112017115369377-pct00060
Figure 112017115369377-pct00060

<정공 수송층 형성용 도포액><Coating liquid for forming hole transport layer>

용제 페닐시클로헥산 Solvent Phenylcyclohexane

도포액 농도 1.5 질량% Coating liquid concentration 1.5% by mass

<성막 조건><Tabernacle conditions>

스핀 코트 분위기 건조 질소 중 Spin coat in dry nitrogen atmosphere

가열 조건 230 ℃, 1 시간 (건조 질소하) Heating conditions: 230°C, 1 hour (under dry nitrogen)

발광층의 형성부터 마지막 봉지 처리까지, 실시예 3 과 동일하게 실시하여, 소자를 제조하였다.A device was manufactured in the same manner as in Example 3 from the formation of the light emitting layer to the final encapsulation treatment.

(실시예 10) (Example 10)

실시예 9 에 있어서, 발광층 형성용 도포액을 실시예 6 의 조성으로 바꾼 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여 도 1 에 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.In Example 9, an organic electroluminescent device shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Example 9, except that the coating liquid for forming the light emitting layer was changed to the composition of Example 6.

(실시예 11) (Example 11)

실시예 9 에 있어서, 발광층 형성용 도포액을 실시예 7 의 조성으로 바꾼 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여 도 1 에 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.The organic electroluminescent device shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Example 9, except that the coating liquid for forming the light-emitting layer was changed to the composition of Example 7.

(비교예 8) (Comparative Example 8)

실시예 9 에 있어서, 발광층 형성용 도포액을 비교예 3 의 조성으로 바꾼 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여 도 1 에 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.The organic electroluminescent device shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Example 9, except that the coating liquid for forming the light-emitting layer was changed to the composition of Comparative Example 3.

이와 같이 하여 얻어진 소자를 15 mA/㎠ 로 정전류 구동하고, 휘도가 90 % 로 저하되었을 때의 시간을 LT90 (h) 으로서 구하고, 비교예 8 의 LT90 을 100 으로 했을 경우의 상대값을 표 4 에 나타낸다.The device obtained in this way was driven at a constant current of 15 mA/cm2, the time when the luminance decreased to 90% was determined as LT90 (h), and the relative values when LT90 of Comparative Example 8 was set to 100 are shown in Table 4. indicates.

Figure 112017115369377-pct00061
Figure 112017115369377-pct00061

비교예 8 에서 사용한 화합물 D-5 는, 참고예 2 에서 나타낸 바와 같이, 발광층 형성용 도포액으로서의 보존 안정성은 양호하기는 했지만, 구동 수명은 실시예 9 ∼ 11 에 반해 떨어져, 본원 발명의 화합물을 발광층에 사용함으로써, 발광층 형성용 도포액으로서의 우수한 보존 안정성과 소자로서의 고(高) 구동 수명의 양립을 도모할 수 있는 것을 알 수 있었다.Compound D-5 used in Comparative Example 8, as shown in Reference Example 2, had good storage stability as a coating liquid for forming a light-emitting layer, but its operating life was inferior to that of Examples 9 to 11, making the compound of the present invention It was found that by using it in the light-emitting layer, it was possible to achieve both excellent storage stability as a coating liquid for forming a light-emitting layer and a high operating life as a device.

(실시예 12) (Example 12)

실시예 9 에 있어서, 발광층 형성용 도포액을 실시예 8 의 조성으로 바꾼 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여 도 1 에 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제조한 결과, 소자의 극대 파장은 517 ㎚ 였다.In Example 9, the organic electroluminescent device shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Example 9 except that the coating liquid for forming the light emitting layer was changed to the composition of Example 8. As a result, the maximum wavelength of the device was 517 nm. .

본 발명을 상세하게 또 특정한 실시양태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하는 일 없이 다양한 변경이나 수정을 가할 수 있는 것은 당업자에게 있어 분명하다. 본 출원은 2015년 5월 29일 출원의 일본 특허출원 (일본 특허출원 2015-110255) 에 기초하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.Although the present invention has been described in detail and with reference to specific embodiments, it is clear to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. This application is based on a Japanese patent application (Japanese patent application 2015-110255) filed on May 29, 2015, the contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명은, 유기 전계 발광 소자를 비롯한 유기 디바이스용 재료 외에, 유기 전계 발광 소자가 사용되는 각종 분야, 예를 들어, 플랫 패널·디스플레이 (예를 들어 OA 컴퓨터용이나 벽걸이 TV) 나 면 발광체로서의 특징을 살린 광원 (예를 들어, 복사기의 광원, 액정 디스플레이나 계기류의 백라이트 광원), 표시판, 표지등, 조명 장치 등의 분야에 있어서 적합하게 사용할 수 있다.The present invention relates to materials for organic devices, including organic electroluminescent devices, as well as various fields in which organic electroluminescent devices are used, such as flat panels and displays (for example, for OA computers and wall-mounted TVs) and as surface light emitters. It can be suitably used in fields such as light sources (for example, light sources of copiers, backlight light sources of liquid crystal displays or instruments), display boards, sign lights, and lighting devices.

1 : 기판
2 : 양극
3 : 정공 주입층
4 : 정공 수송층
5 : 발광층
6 : 정공 저지층
7 : 전자 수송층
8 : 전자 주입층
9 : 음극
1: substrate
2: anode
3: hole injection layer
4: hole transport layer
5: light emitting layer
6: hole blocking layer
7: electron transport layer
8: electron injection layer
9: cathode

Claims (9)

하기 식 (1) 로 나타내는 이리듐 착물 화합물.
Figure 112023089250373-pct00062

식 (1) 에 있어서, Ir 은 이리듐 원자를 나타낸다.
고리 Cy1 은 탄소 원자 C1 및 C2 를 포함하는 벤젠 고리를 나타내고,
고리 Cy2 는 탄소 원자 C3 및 질소 원자 N1 을 포함하는 피리딘 고리를 나타내고,
고리 Cy3 은 탄소 원자 C4 및 C5 를 포함하는 벤젠 고리를 나타내고,
고리 Cy4 는 탄소 원자 C6 및 질소 원자 N2 를 포함하는 피리딘 고리를 나타낸다.
m = 1 이고,
m+n = 3 이다.
a 및 c 는 각각 독립적으로 1 또는 2 의 정수를 나타내고, b 및 d 는 각각 독립적으로 0 ∼ 2 의 정수를 나타낸다.
a 개의 R1 중 1 개는 하기 식 (2) 로 나타내고, c 개의 R3 중 1 개는 하기 식 (3) 으로 나타내고, 다른 R1 및 R3 는 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 아미노기, 하이드록실기, 메르캅토기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 30 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬아미노기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴옥시기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 3 ∼ 30 의 헤테로아릴기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기 또는 탄소수 7 ∼ 40 의 아르알킬기에서 선택되고,
R2 및 R4 는 각각 독립적으로, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 아미노기, 하이드록실기, 메르캅토기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알콕시기, 탄소수 2 ∼ 30 의 알케닐기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬아미노기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴옥시기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기, 탄소수 3 ∼ 30 의 헤테로아릴기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기 또는 탄소수 7 ∼ 40 의 아르알킬기에서 선택된다.
Figure 112023089250373-pct00063

식 (2) 에 있어서, x 는 0 ∼ 10 의 정수를 나타낸다.
h 는 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.
* 는 결합손을 나타낸다.
R 은 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 시아노기, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 20 의 알콕시기, 탄소수 5 ∼ 30 의 아릴기로 추가로 치환되어 있어도 되는 아미노기 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 아실기에서 선택된다.
R' 는 각각 독립적으로, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 페닐메틸기, 페닐에틸기, 1,1-디메틸-1-페닐메틸기, 3-페닐-1-프로필기, 4-페닐-1-n-부틸기, 1-메틸-1-페닐에틸기, 5-페닐-1-n-프로필기, 6-페닐-1-n-헥실기, 7-페닐-1-n-헵틸기, 8-페닐-1-n-옥틸기 또는 4-페닐시클로헥실기에서 선택된다.
Figure 112023089250373-pct00064

식 (3) 에 있어서, k 는 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다.
y 는 1 ∼ 10 의 정수를 나타낸다.
* 는 결합손을 나타낸다.
R 은 식 (2) 와 동일한 의미이고,
R" 는 그 출현마다 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 각각 독립적으로, 불소 원자, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기 또는 아릴기로 치환되어 있어도 되는 나프틸기, 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 헤테로아릴기에서 선택된다.
상기 식 (2) 및 상기 식 (3) 으로 나타내는 기를 제외한 상기 R1 ∼ R4 의 기는, 또한, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기 또는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기로 치환되어 있어도 된다.
R1 ∼ R4 가 각각 복수 개 있는 경우에는, 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.
복수의 R1 ∼ R4 가 동일한 고리 상에서 서로 이웃하는 경우, 이웃하고 있는 R1 ∼ R4 끼리가, 직접 결합 혹은 탄소수 3 ∼ 12 의 알킬렌기, 탄소수 3 ∼ 12 의 알케닐렌기 혹은 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴렌기를 개재하여 결합하여, 고리를 형성해도 되고, 이들 고리는 또한, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알콕시기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴옥시기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기 또는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기로 치환되어 있어도 된다.
또, R1 과 R2 혹은 R3 과 R4 가, 직접 결합 혹은 탄소수 3 ∼ 12 의 알킬렌기, 탄소수 3 ∼ 12 의 알케닐렌기 혹은 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴렌기를 개재하여 결합하여, 고리를 형성해도 되고, 이들 고리는 또한, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알콕시기, 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴옥시기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기로 추가로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴기 또는 탄소수 3 ∼ 30 의 아릴아미노기로 치환되어 있어도 된다.
An iridium complex compound represented by the following formula (1).
Figure 112023089250373-pct00062

In formula (1), Ir represents an iridium atom.
Ring Cy 1 represents a benzene ring containing carbon atoms C 1 and C 2 ,
Ring Cy 2 represents a pyridine ring containing carbon atom C 3 and nitrogen atom N 1 ,
Ring Cy 3 represents a benzene ring containing carbon atoms C 4 and C 5 ,
Ring Cy 4 represents a pyridine ring containing a carbon atom C 6 and a nitrogen atom N 2 .
m = 1,
m+n = 3.
a and c each independently represent an integer of 1 or 2, and b and d each independently represent an integer of 0 to 2.
One of a R 1 is represented by the following formula (2), one of c R 3 is represented by the following formula (3), and the other R 1 and R 3 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or a chlorine atom. Atom, bromine atom, amino group, hydroxyl group, mercapto group, alkyl group with 1 to 30 carbon atoms, alkoxy group with 1 to 30 carbon atoms, alkenyl group with 2 to 30 carbon atoms, alkylamino group with 1 to 30 carbon atoms, 3 to 30 carbon atoms is selected from an aryloxy group, an aryl group with 3 to 30 carbon atoms, a heteroaryl group with 3 to 30 carbon atoms, an arylamino group with 3 to 30 carbon atoms, or an aralkyl group with 7 to 40 carbon atoms,
R 2 and R 4 are each independently a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an amino group, a hydroxyl group, a mercapto group, an alkyl group with 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group with 1 to 30 carbon atoms, or an alkene with 2 to 30 carbon atoms. Nyl group, alkylamino group with 1 to 30 carbon atoms, aryloxy group with 3 to 30 carbon atoms, aryl group with 3 to 30 carbon atoms, heteroaryl group with 3 to 30 carbon atoms, arylamino group with 3 to 30 carbon atoms, or aryl group with 7 to 40 carbon atoms. It is selected from an alkyl group.
Figure 112023089250373-pct00063

In formula (2), x represents an integer of 0 to 10.
h represents an integer from 1 to 3.
* indicates a binding hand.
R each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a cyano group, an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom, an alkoxy group of 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group of 5 to 30 carbon atoms. It is selected from an amino group that may be further substituted with a group or an acyl group having 1 to 20 carbon atoms.
R' is each independently a phenylmethyl group, phenylethyl group, 1,1-dimethyl-1-phenylmethyl group, 3-phenyl-1-propyl group, 4-phenyl-1-n-butyl which may be further substituted with a fluorine atom. group, 1-methyl-1-phenylethyl group, 5-phenyl-1-n-propyl group, 6-phenyl-1-n-hexyl group, 7-phenyl-1-n-heptyl group, 8-phenyl-1- It is selected from n-octyl group or 4-phenylcyclohexyl group.
Figure 112023089250373-pct00064

In formula (3), k represents an integer of 0 to 5.
y represents an integer from 1 to 10.
* indicates a binding hand.
R has the same meaning as equation (2),
R" may be the same or different depending on its appearance, and each independently represents a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms that may be further substituted with a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a naph that may be substituted with an aryl group. It is selected from a til group or a heteroaryl group having 1 to 20 carbon atoms.
The groups of R 1 to R 4 , excluding the groups represented by the formulas (2) and (3), are also an alkyl group of 1 to 30 carbon atoms which may be further substituted with a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or a fluorine atom, It may be further substituted with an alkyl group with 1 to 30 carbon atoms, an aryl group with 3 to 30 carbon atoms, or an arylamino group with 3 to 30 carbon atoms.
When there are multiple R 1 to R 4 , each may be the same or different.
When a plurality of R 1 to R 4 are adjacent to each other on the same ring, the adjacent R 1 to R 4 are directly bonded to each other or are connected to an alkylene group having 3 to 12 carbon atoms, an alkenylene group having 3 to 12 carbon atoms, or an alkenylene group having 6 to 12 carbon atoms. Rings may be formed by bonding through a 12-membered arylene group, and these rings may be an alkyl group with 1 to 30 carbon atoms or an alkyl group with 1 to 30 carbon atoms that may be further substituted with a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or a fluorine atom. It may be substituted with an alkoxy group, an aryloxy group with 3 to 30 carbon atoms, an alkyl group with 1 to 30 carbon atoms, an aryl group with 3 to 30 carbon atoms, or an arylamino group with 3 to 30 carbon atoms.
In addition, R 1 and R 2 or R 3 and R 4 are directly bonded or bonded through an alkylene group with 3 to 12 carbon atoms, an alkenylene group with 3 to 12 carbon atoms, or an arylene group with 6 to 12 carbon atoms, forming a ring. These rings may be formed of a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an aryloxy group having 3 to 30 carbon atoms, which may be further substituted with a fluorine atom, It may be further substituted with an alkyl group with 1 to 30 carbon atoms, an aryl group with 3 to 30 carbon atoms, or an arylamino group with 3 to 30 carbon atoms.
제 1 항에 있어서,
상기 식 (2) 가 하기 식 (4) 로 나타내어지고, 또한, 상기 식 (3) 이 하기 식 (5) 로 나타내어지는 이리듐 착물 화합물.
Figure 112021058916680-pct00065

p 는 0 내지 2 의 정수를 나타내고,
q 는 0 내지 10 의 정수를 나타내고,
r 은 0 내지 2 의 정수를 나타내고,
p+q+r 은 0 내지 10 의 정수이다.
* 는 결합손을 나타낸다.
R, R' 및 h 는 식 (2) 와 동일한 의미이다.
Figure 112021058916680-pct00066

s 는 0 내지 2 의 정수를 나타내고,
t 는 1 내지 10 의 정수를 나타내고,
u 는 0 내지 2 의 정수를 나타내고,
w 는 0 내지 4 의 정수를 나타내고,
s+t+u+w 는 1 내지 10 의 정수이다.
* 는 결합손을 나타낸다.
R, R" 및 k 는 식 (3) 과 동일한 의미이다.
According to claim 1,
An iridium complex compound in which the formula (2) is represented by the formula (4), and the formula (3) is represented by the formula (5).
Figure 112021058916680-pct00065

p represents an integer from 0 to 2,
q represents an integer from 0 to 10,
r represents an integer from 0 to 2,
p+q+r is an integer from 0 to 10.
* indicates a binding hand.
R, R' and h have the same meaning as in equation (2).
Figure 112021058916680-pct00066

s represents an integer from 0 to 2,
t represents an integer from 1 to 10,
u represents an integer from 0 to 2,
w represents an integer from 0 to 4,
s+t+u+w is an integer from 1 to 10.
* indicates a binding hand.
R, R" and k have the same meaning as in equation (3).
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 이리듐 착물 화합물 및 유기 용제를 함유하는 조성물.A composition containing the iridium complex compound according to claim 1 or 2 and an organic solvent. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 이리듐 착물 화합물을 포함하는, 유기 전계 발광 소자.An organic electroluminescent device comprising the iridium complex compound according to claim 1 or 2. 제 4 항에 기재된 유기 전계 발광 소자를 갖는 표시 장치.A display device having the organic electroluminescent element according to claim 4. 제 4 항에 기재된 유기 전계 발광 소자를 갖는 조명 장치.A lighting device having the organic electroluminescent element according to claim 4. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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