KR102604894B1 - Hydrophobic coating layer and manufacturing method of the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 소수성 코팅층 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 소수성 코팅층은 소수성으로 개질된 실리카 입자가 비유전율이 10 내지 80인 용매에 분산되어 제조되는 조성물을 소정 기판상에 도포하여 형성되는 것이고, 기판상에 형성되고 제1 표면거칠기를 갖는 평활층과, 평활층상에 형성되고 제1 표면거칠기보다 상대적으로 큰 제2 표면거칠기를 갖는 요철층을 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 소수성 코팅층의 제조방법은 실리카 입자를 준비하는 단계, 소수성 실란 커플링제를 이용하여 실리카 입자의 표면을 개질하는 단계, 실리카 입자를 비유전율이 10 내지 80인 분산용매에 분산시켜 조성물을 제조하는 단계, 기판을 준비하는 단계 및 기판상에 조성물을 도포하여 제1 표면거칠기를 갖는 평활층과 평활층상에 형성되고 제1 표면거칠기보다 큰 제2 표면거칠기를 갖는 요철층을 포함하는 코팅층을 제조하는 단계를 포함한다.The present invention relates to a hydrophobic coating layer and a method of manufacturing the same. The hydrophobic coating layer according to an embodiment of the present invention is a composition prepared by dispersing hydrophobically modified silica particles in a solvent having a relative dielectric constant of 10 to 80 on a predetermined substrate. It is formed by coating, and includes a smooth layer formed on a substrate and having a first surface roughness, and an uneven layer formed on the smooth layer and having a second surface roughness that is relatively larger than the first surface roughness.
A method for producing a hydrophobic coating layer according to another embodiment of the present invention includes preparing silica particles, modifying the surface of the silica particles using a hydrophobic silane coupling agent, and dispersing the silica particles in a dispersion solvent having a relative dielectric constant of 10 to 80. Preparing a composition by dispersing, preparing a substrate, and applying the composition on the substrate to form a smooth layer having a first surface roughness and an uneven layer formed on the smooth layer and having a second surface roughness greater than the first surface roughness. It includes preparing a coating layer comprising:
Description
본 발명은 소수성 코팅층 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a hydrophobic coating layer and a method for producing the same.
소수성 표면 제작 기술은 습기로부터 물질을 보호하여 물질의 산화, 얼룩방지, 마찰 저항 감소 및 자가세정 등의 효과를 발생시킬 수 있어 다양한 산업 분야에 걸쳐 광범위하게 이용되고 있다.Hydrophobic surface manufacturing technology is widely used across various industrial fields as it can protect materials from moisture and produce effects such as preventing oxidation of materials, preventing stains, reducing frictional resistance, and self-cleaning.
일반적으로 소수성 표면을 위한 방법으로 표면에너지를 낮추는 방법과 표면에 미세한 요철을 형성하여 표면거칠기를 높이는 방법이 알려져 있다.In general, methods for reducing surface energy and forming fine irregularities on the surface to increase surface roughness are known as methods for hydrophobic surfaces.
소수성 표면을 제작하기 위해 표면에너지를 낮추는 종래기술에 따른 방법 중 하나로는 불소계 화합물을 이용하는 것이 알려져 있으나, 불소계 화합물은 산업적으로 이용하기에 가격이 비싸 경제성이 떨어지고, 생체에 축적되며 환경을 파괴하는 문제가 있었다.It is known that one of the conventional methods of lowering the surface energy to produce a hydrophobic surface is to use fluorine-based compounds. However, fluorine-based compounds are expensive for industrial use, making them less economical, accumulating in living organisms, and destroying the environment. There was.
또한, 소수성 표면을 제작하기 위해 표면거칠기를 높이는 종래기술에 따른 방법으로는 표면 리소그래피 기술, 나노튜브/나노섬유 등의 수직 정렬과 같은 방법들이 알려져 있으나 이들 방법은 대면적으로 제작하기 어렵고, 공정비용이 비싸며, 공정을 위한 환경 및 조건이 까다로운 문제가 있었다.In addition, methods such as surface lithography technology and vertical alignment of nanotubes/nanofibers are known as conventional methods to increase surface roughness to produce a hydrophobic surface, but these methods are difficult to manufacture in large areas and have high processing costs. It was expensive, and the environment and conditions for the process were difficult.
한편, 소수성을 가짐과 동시에 높은 투명도를 갖는 표면의 제작도 태양 전지 패널, 렌즈 및 창과 같은 다양한 분야에서 응용이 가능해 많은 관심을 받고 있다.Meanwhile, the production of a surface that is both hydrophobic and highly transparent is receiving a lot of attention as it can be applied in various fields such as solar cell panels, lenses, and windows.
하지만, 소수성이 보다 높은 표면을 제작하기 위해 표면거칠기를 높이면 표면의 미세한 요철로 인해 투명도가 떨어지는 문제가 있었고, 투명도를 보다 높이기 위해 표면거칠기를 낮추면 표면의 소수성이 떨어지는 문제가 있었다.However, when the surface roughness was increased to produce a surface with higher hydrophobicity, there was a problem of decreased transparency due to fine irregularities on the surface, and when the surface roughness was lowered to further increase transparency, there was a problem where the hydrophobicity of the surface decreased.
본 발명의 목적은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 높은 소수성을 가짐과 동시에 우수한 투명도를 갖는 코팅층을 형성할 수 있도록 분산용매와 분산용매에 분산되고 소수성 실란 커플링제로 표면이 개질된 실리카 입자를 포함하는 조성물을 도포하여 제조되는 소수성 코팅층 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.The purpose of the present invention is to solve the above problems. Silica particles dispersed in a dispersion solvent and surface modified with a hydrophobic silane coupling agent can be used to form a coating layer having high hydrophobicity and excellent transparency. The object is to provide a hydrophobic coating layer manufactured by applying a composition containing the same and a method for manufacturing the same.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited to the object mentioned above, and other objects not mentioned can be clearly understood from the description below.
전술한 목적을 달성하기 위한, 본 발명은 소수성 코팅층 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 소수성 코팅층은 소수성으로 개질된 실리카 입자가 비유전율이 10 내지 80인 용매에 분산되어 제조되는 조성물을 소정 기판상에 도포하여 형성되는 것이고, 기판상에 형성되고 제1 표면거칠기를 갖는 평활층과, 평활층상에 형성되고 제1 표면거칠기보다 상대적으로 큰 제2 표면거칠기를 갖는 요철층을 포함한다.In order to achieve the above-described object, the present invention relates to a hydrophobic coating layer and a method for manufacturing the same. The hydrophobic coating layer according to an embodiment of the present invention is prepared by dispersing hydrophobically modified silica particles in a solvent having a relative dielectric constant of 10 to 80. It is formed by applying the manufactured composition onto a predetermined substrate, a smooth layer formed on the substrate and having a first surface roughness, and an uneven layer formed on the smooth layer and having a second surface roughness that is relatively larger than the first surface roughness. Includes.
전술한 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 소수성 코팅층의 제조방법은 실리카 입자를 준비하는 단계, 소수성 실란 커플링제를 이용하여 실리카 입자의 표면을 개질하는 단계, 실리카 입자를 비유전율이 10 내지 80인 분산용매에 분산시켜 조성물을 제조하는 단계, 기판을 준비하는 단계 및 기판상에 조성물을 도포하여 제1 표면거칠기를 갖는 평활층과 평활층상에 형성되고 제1 표면거칠기보다 큰 제2 표면거칠기를 갖는 요철층을 포함하는 코팅층을 제조하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above-described object, a method of manufacturing a hydrophobic coating layer according to another embodiment of the present invention includes preparing silica particles, modifying the surface of the silica particles using a hydrophobic silane coupling agent, and converting the silica particles to a relative dielectric constant. Preparing the composition by dispersing it in a dispersion solvent of 10 to 80 degrees, preparing a substrate, and applying the composition on the substrate to form a smooth layer having a first surface roughness and a surface roughness greater than the first surface roughness on the smooth layer. 2. It includes manufacturing a coating layer including an uneven layer with surface roughness.
상기한 구성에 의한 본 발명의 실시예에 따른 소수성 코팅층 및 그의 제조방법은 하기와 같은 효과를 기대할 수 있다.The hydrophobic coating layer and its manufacturing method according to an embodiment of the present invention with the above-described configuration can be expected to have the following effects.
소수성 실란 커플링제로 표면이 개질된 실리카 입자를 사용함에 따라 불소계 물질을 사용하지 않고도 뛰어난 소수성과 투명도를 동시에 갖는 코팅층을 제조할 수 있다.By using silica particles whose surface has been modified with a hydrophobic silane coupling agent, it is possible to manufacture a coating layer that has both excellent hydrophobicity and transparency without using fluorine-based materials.
기판상에 조성물을 이용하여 제1 표면거칠기를 갖는 평활층과 제1 표면거칠기보다 상대적으로 큰 값을 갖는 제2 표면거칠기를 갖는 요철층을 순차적으로 형성함으로써 까다로운 공정 환경이나 조건을 구비할 필요없이 간단하게 소수성이 뛰어나면서도 높은 투명도를 갖는 코팅층을 제조할 수 있다.By using the composition on a substrate to sequentially form a smooth layer with a first surface roughness and an uneven layer with a second surface roughness that is relatively larger than the first surface roughness, there is no need for a difficult process environment or conditions. It is possible to simply manufacture a coating layer with excellent hydrophobicity and high transparency.
도 1은 본 발명의 다른 실시예에 따른 소수성 코팅층의 제조방법의 순서를 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 소수성 코팅층의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 참고예에 따른 응집된 실리카 입자의 평균직경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 4는 참고예에 따른 응집된 실리카 입자의 평균직경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 5a는 실시예 1에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 1에 따른 접촉각 측정결과를 나타낸 도면이다.
도 5b는 실시예 3에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 1에 따른 접촉각 측정결과를 나타낸 도면이다.
도 5c는 실시예 5에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 1에 따른 접촉각 측정결과를 나타낸 도면이다.
도 5d는 실시예 6에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 1에 따른 접촉각 측정결과를 나타낸 도면이다.
도 6a 내지 6c는 시험예 2에 따른 투과도 측정결과를 나타낸 도면이다.
도 7a 내지 7b는 실시예 1에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 8a 내지 8b는 실시예 2에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 9a 내지 9b는 실시예 3에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 10a 내지 10b는 실시예 4에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 11a 내지 11b는 실시예 9에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 12a 내지 12b는 비교예 1에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 13a 내지 13b는 비교예 4에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 14a 내지 14b는 비교예 5에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 15a 내지 15b는 비교예 6에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 16a 내지 16b는 비교예 7에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 17a 내지 17b는 실시예 1에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 18a 내지 18b는 실시예 3에 따라 제조되는 코팅층의 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다.1 is a flowchart showing the procedure for manufacturing a hydrophobic coating layer according to another embodiment of the present invention.
Figure 2 is a diagram for explaining a method of manufacturing a hydrophobic coating layer according to another embodiment of the present invention.
Figure 3 is a diagram showing the results of analysis of the average diameter of aggregated silica particles according to the reference example.
Figure 4 is a diagram showing the results of analysis of the average diameter of aggregated silica particles according to the reference example.
Figure 5a is a diagram showing the contact angle measurement results according to Test Example 1 of the coating layer manufactured according to Example 1.
Figure 5b is a diagram showing the contact angle measurement results according to Test Example 1 of the coating layer prepared according to Example 3.
Figure 5c is a diagram showing the contact angle measurement results according to Test Example 1 of the coating layer prepared according to Example 5.
Figure 5d is a diagram showing the contact angle measurement results according to Test Example 1 of the coating layer prepared according to Example 6.
Figures 6a to 6c are diagrams showing the results of transmittance measurement according to Test Example 2.
Figures 7a and 7b are views showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 of the coating layer prepared according to Example 1.
8A to 8B are views showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 of the coating layer prepared according to Example 2.
9A to 9B are views showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 of the coating layer prepared according to Example 3.
10A to 10B are views showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 of the coating layer prepared according to Example 4.
11A to 11B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 of the coating layer prepared according to Example 9.
Figures 12a to 12b are views showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 of the coating layer prepared according to Comparative Example 1.
Figures 13a to 13b are views showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 of the coating layer prepared according to Comparative Example 4.
Figures 14a to 14b are views showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 of the coating layer prepared according to Comparative Example 5.
Figures 15a to 15b are views showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 of the coating layer prepared according to Comparative Example 6.
Figures 16a to 16b are views showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 of the coating layer prepared according to Comparative Example 7.
Figures 17a to 17b are views showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 of the coating layer prepared according to Example 1.
Figures 18a to 18b are views showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 of the coating layer prepared according to Example 3.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 한편, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며, 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms, but the present embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete, and those skilled in the art It is provided to fully inform the user of the scope of the invention. Meanwhile, the terms used in this specification are for describing embodiments and are not intended to limit the present invention. As used herein, singular forms also include plural forms, unless specifically stated otherwise in the context.
본 발명의 다른 실시예에 따른 소수성 코팅층의 제조방법은 본 발명의 일 실시예에 따른 소수성 코팅층을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 소수성 코팅층을 제조하기 위한 시계열적인 수행단계들을 포함한다. A method of manufacturing a hydrophobic coating layer according to another embodiment of the present invention relates to a method of manufacturing a hydrophobic coating layer according to an embodiment of the present invention, and time-series performance steps for manufacturing a hydrophobic coating layer according to an embodiment of the present invention. includes them.
설명의 편의를 위하여 본 발명의 실시예들에 따른 소수성 코팅층및 그의 제조방법을 설명하는 데 있어서 실질적으로 동일한 구성요소는 도면부호를 일치시켜서 기재하고 반복 설명은 생략하도록 한다.For convenience of explanation, when describing the hydrophobic coating layer and its manufacturing method according to the embodiments of the present invention, substantially the same components are indicated by matching reference numerals and repeated descriptions are omitted.
본 발명의 명세서 내에 기재된 표면거칠기는 표면에 요철이 형성된 정도를 의미하는 것일 수 있고, 해당 기술분야에서 통상적으로 사용되는 표면조도에 대한 파라미터 중 적어도 하나를 의미하는 것일 수 있으며, 예를 들어 산술 평균 조도(Ra), 최대 높이 조도(Rmax) 및 10점 평균 조도(Rz) 중 적어도 하나를 의미하는 것일 수 있다.The surface roughness described in the specification of the present invention may mean the degree to which irregularities are formed on the surface, and may mean at least one of the parameters for surface roughness commonly used in the relevant technical field, for example, the arithmetic mean. It may mean at least one of illuminance (R a ), maximum height illuminance (R max ), and 10-point average illuminance (R z ).
도 1을 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 소수성 코팅층의 제조방법은 입자준비단계(S100), 표면개질단계(S200), 조성물 제조단계(S300) 및 코팅층 제조단계(S400)를 포함한다.Referring to Figure 1, the method for producing a hydrophobic coating layer according to another embodiment of the present invention includes a particle preparation step (S100), a surface modification step (S200), a composition preparation step (S300), and a coating layer preparation step (S400). .
도 2를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 소수성 코팅층(10)은 평활층(11)과 요철층(12)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the
먼저, 실리카 입자를 준비한다(S100).First, prepare silica particles (S100).
입자준비단계(S100)에서 준비되는 실리카 입자의 직경은 1 내지 1000nm일 수 있고, 바람직하게는 1 내지 400nm일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 1 내지 5nm일 수 있다.The diameter of the silica particles prepared in the particle preparation step (S100) may be 1 to 1000 nm, preferably 1 to 400 nm, and more preferably 1 to 5 nm.
입자준비단계(S100)에서 준비되는 실리카 입자의 직경이 1nm 미만이면 실리카 입자의 크기가 너무 작아 코팅층 제조단계(S400)에서 제조되는 코팅층의 표면거칠기가 낮을 수 있다.If the diameter of the silica particles prepared in the particle preparation step (S100) is less than 1 nm, the size of the silica particles may be too small and the surface roughness of the coating layer prepared in the coating layer manufacturing step (S400) may be low.
입자준비단계(S100)에서 준비되는 실리카 입자의 직경이 1000nm를 초과하면 실리카 입자의 직경이 너무 커 코팅층 제조단계(S400)에서 코팅층(10)의 형성시 실리카 입자가 기판(20)과 접촉하는 면적이 떨어져 기판(20)에 대한 실리카 입자의 결합력이 떨어질 수 있고, 본 발명의 다른 실시예에 따른 소수성 코팅층의 제조방법으로 제조되는 소수성 코팅층(10)의 투명도가 떨어질 수 있다.If the diameter of the silica particles prepared in the particle preparation step (S100) exceeds 1000 nm, the diameter of the silica particles is too large and the area where the silica particles contact the
입자준비단계(S100)는 졸겔 공정을 이용하여 실리카 전구체로부터 실리카 입자를 합성하는 단계일 수 있고, 더욱 자세하게는 실리카 전구체와 알코올을 혼합하여 혼합용액을 제조하고 제조된 혼합용액에 암모니아수를 혼합하여 실리카 입자를 합성하는 단계일 수 있다.The particle preparation step (S100) may be a step of synthesizing silica particles from a silica precursor using a sol-gel process. More specifically, a mixed solution is prepared by mixing a silica precursor and alcohol, and ammonia water is mixed into the prepared mixed solution to form silica particles. This may be a step of synthesizing particles.
여기서, 실리카 전구체는 졸겔 공정을 이용한 실리카 입자의 합성에서 통상적으로 사용되는 것이면 제한되지 않고, 예를 들어 테트라에톡시실란(Tetra ethoxy silane), 메틸트리메톡시실란(methyl trimethoxy silane) 및 메틸트리에톡시실란(methyl triethoxy silane) 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.Here, the silica precursor is not limited as long as it is commonly used in the synthesis of silica particles using a sol-gel process, and includes, for example, tetra ethoxy silane, methyl trimethoxy silane, and methyl triethylene. It may contain at least one selected from methyl triethoxy silane.
여기서, 알코올은 메탄올, 에탄올, 프로판올 및 부탄올 중에 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있고, 바람직하게는 에탄올일 수 있다.Here, the alcohol may include at least one selected from methanol, ethanol, propanol, and butanol, and may preferably be ethanol.
또한, 여기서, 암모니아수는 실리카 입자의 합성에서 혼합용액에 염기촉매로서 혼합용액에 혼합되는 것일 수 있고, 암모니아수의 혼합량에 따라 혼합용액의 pH값이 조절될 수 있으며, 조절되는 pH값에 따라 실리카 입자의 직경이 변화될 수 있다.In addition, here, the ammonia water may be mixed into the mixed solution as a base catalyst in the synthesis of silica particles, the pH value of the mixed solution can be adjusted depending on the mixed amount of ammonia water, and the silica particles according to the adjusted pH value. The diameter of can be changed.
이 때, 암모니아수가 혼합됨에 따라 조절되는 혼합용액의 pH값은 10 내지 13일 수 있고, 혼합용액의 pH값이 10 내지 13으로 조절됨으로써 입자준비단계(S100)에서 준비되는 실리카 입자가 1 내지 1000nm의 직경을 가질 수 있다.At this time, the pH value of the mixed solution, which is adjusted as the ammonia water is mixed, may be 10 to 13, and the pH value of the mixed solution is adjusted to 10 to 13, so that the silica particles prepared in the particle preparation step (S100) are 1 to 1000 nm. It can have a diameter of
입자준비단계(S100)는 실리카 전구체와 알코올을 혼합하여 혼합용액을 제조하고 제조된 혼합용액에 암모니아수를 혼합하여 실리카 입자를 합성하는 경우 혼합용액으로부터 실리카 입자를 정제하는 단계를 더 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 혼합용액으로부터 실리카 입자를 정제하지 않고 혼합용액 내에 합성된 실리카 입자가 분산된 형태로 실리카 입자를 준비할 수 있다.The particle preparation step (S100) may further include the step of purifying the silica particles from the mixed solution when preparing a mixed solution by mixing a silica precursor and an alcohol and mixing ammonia water into the prepared mixed solution to synthesize silica particles. It is not limited to this, and silica particles can be prepared in the form of dispersed silica particles synthesized in the mixed solution without purifying the silica particles from the mixed solution.
입자준비단계(S100)가 혼합용액으로부터 실리카 입자를 정제하는 단계를 더 포함하는 경우 실리카 입자의 정제는 통상적으로 반응액에서 반응생성물을 분리하는 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어 원심분리기를 이용하는 방법을 사용할 수 있다.If the particle preparation step (S100) further includes the step of purifying silica particles from the mixed solution, purification of silica particles can generally be performed by separating the reaction product from the reaction solution, for example, using a centrifuge. can be used.
소수성 실란 커플링제를 이용하여 입자준비단계(S100)에서 준비되는 실리카 입자의 표면을 개질한다(S200).The surface of the silica particles prepared in the particle preparation step (S100) is modified (S200) using a hydrophobic silane coupling agent.
표면개질단계(S200)에서 이용되는 소수성 실란 커플링제는 실리카 입자의 표면을 소수성으로 개질하기 위한 것일 수 있고, 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-aminopropyl triethoxysilane), 헥사데실트리메톡시실란(Hexadecyltrimethoxysilane) 및 3-트리메톡시실릴프로필메타크릴레이트(3-Methacryloxypropyl trimethoxysilane) 중에 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.The hydrophobic silane coupling agent used in the surface modification step (S200) may be for modifying the surface of the silica particles to be hydrophobic, and may include 3-aminopropyl triethoxysilane, hexadecyltrimethoxysilane ( It may include at least one selected from hexadecyltrimethoxysilane) and 3-trimethoxysilylpropyl methacrylate (3-Methacryloxypropyl trimethoxysilane).
표면개질단계(S200)는 입자준비단계(S100)에서 준비되는 실리카 입자와 소수성 실란 커플링제를 반응시켜 실리카 입자의 표면을 소수성으로 개질하는 단계일 수 있다.The surface modification step (S200) may be a step of modifying the surface of the silica particles to be hydrophobic by reacting the silica particles prepared in the particle preparation step (S100) with a hydrophobic silane coupling agent.
표면개질단계(S200)는 입자준비단계(S100)에서 준비되는 실리카 입자와 소수성 실란 커플링제를 반응시켜 입자준비단계(S100)에서 준비되는 실리카 입자에 소수성 실란 커플링제를 화학적으로 결합하는 단계일 수 있다.The surface modification step (S200) may be a step of chemically bonding the hydrophobic silane coupling agent to the silica particles prepared in the particle preparation step (S100) by reacting the silica particles prepared in the particle preparation step (S100) with the hydrophobic silane coupling agent. there is.
표면개질단계(S200)는 입자준비단계(S100)에서 준비되는 실리카 입자가 혼합용액에 분산된 형태로 준비되는 경우 혼합용액에 소수성 실란 커플링제를 혼합하여 실리카 입자와 소수성 실란 커플링제를 반응시킴으로써 실리카 입자의 표면을 개질하는 단계일 수 있다.In the surface modification step (S200), when the silica particles prepared in the particle preparation step (S100) are prepared in a dispersed form in a mixed solution, the silica particles are reacted with the hydrophobic silane coupling agent by mixing the hydrophobic silane coupling agent in the mixed solution. This may be a step of modifying the surface of the particle.
이 때, 표면개질단계(S200)는 혼합용액으로부터 표면이 개질된 실리카 입자를 정제하는 단계와 정제된 실리카 입자를 건조하는 단계를 더 포함할 수 있고, 혼합용액으로부터 실리카 입자를 정제하는 방법은 통상적으로 반응액으로부터 반응생성물을 정제하는 방법을 사용할 수 있으며, 예를 들어 원심분리기를 이용하는 방법을 사용할 수 있다.At this time, the surface modification step (S200) may further include purifying the surface-modified silica particles from the mixed solution and drying the purified silica particles, and the method of purifying the silica particles from the mixed solution is a typical method. A method of purifying the reaction product from the reaction solution can be used, for example, a method using a centrifuge can be used.
표면개질단계(S200)에서 얻어지는 실리카 입자를 분산용매에 분산시켜 조성물을 제조한다(S300).A composition is prepared by dispersing the silica particles obtained in the surface modification step (S200) in a dispersion solvent (S300).
조성물 제조단계(S300)는 분산용매와 표면개질단계(S200)에서 얻어지는 실리카 입자를 혼합하여 조성물을 제조하는 것일 수 있다.The composition manufacturing step (S300) may be to prepare a composition by mixing the dispersion solvent and the silica particles obtained in the surface modification step (S200).
조성물 제조단계(S300)에서 제조되는 조성물은 분산용매와 분산용매에 분산된 실리카 입자를 포함하는 것일 수 있다.The composition prepared in the composition manufacturing step (S300) may include a dispersion solvent and silica particles dispersed in the dispersion solvent.
조성물 제조단계(S300)에서 조성물의 제조시 분산용매에 실리카 입자가 분산되면 실리카 입자는 분산용매 내에서 응집될 수 있고, 분산용매 내에서 응집된 실리카 입자의 평균직경은 100 nm 내지 5 ㎛일 수 있다.If silica particles are dispersed in the dispersion solvent during the composition manufacturing step (S300), the silica particles may aggregate within the dispersion solvent, and the average diameter of the silica particles aggregated within the dispersion solvent may be 100 nm to 5 ㎛. there is.
조성물 제조단계(S300)에서 제조되는 조성물의 분산용매 내에서 응집된 실리카 입자의 평균직경이 100 nm 미만이면 코팅층 제조단계(S400)에서 제조되는 코팅층(10)의 표면거칠기가 낮을 수 있다.If the average diameter of the silica particles aggregated in the dispersion solvent of the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) is less than 100 nm, the surface roughness of the
조성물 제조단계(S300)에서 제조되는 조성물의 분산용매 내에서 응집된 실리카 입자의 평균직경이 5 ㎛를 초과하면 응집된 실리카 입자의 비표면적이 상대적으로 줄어들어 코팅층 제조단계(S400)에서 코팅층(10)의 형성시 응집된 실리카 입자가 기판(20)에 접촉하는 면적이 작아져 기판(20)에 대한 실리카 입자의 결합력이 떨어질 수 있다.If the average diameter of the aggregated silica particles in the dispersion solvent of the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) exceeds 5 ㎛, the specific surface area of the aggregated silica particles is relatively reduced, thereby forming the coating layer (10) in the coating layer manufacturing step (S400). When formed, the area in which the aggregated silica particles contact the
즉, 조성물 제조단계(S300)에서 제조되는 조성물의 분산용매 내에서 응집된 실리카 입자의 평균직경이 5 ㎛를 초과하면 기판(20)에 응집된 실리카 입자가 견고하게 결합되지 못하고 기판(20)으로부터 이탈할 수 있어 커버율(coverage)이 떨어질 수 있고, 코팅층(10)의 내구성이 떨어질 수 있다.That is, if the average diameter of the silica particles aggregated in the dispersion solvent of the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) exceeds 5 ㎛, the aggregated silica particles are not firmly bonded to the
또한, 조성물 제조단계(S300)에서 제조되는 조성물의 분산용매 내에서 응집된 실리카 입자의 평균직경이 5 ㎛를 초과하면 코팅층 제조단계(S400)에서 제조되는 코팅층(10)의 표면거칠기가 너무 커져 제조되는 코팅층(10)의 투명도가 떨어질 수 있다.In addition, if the average diameter of the silica particles aggregated in the dispersion solvent of the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) exceeds 5 ㎛, the surface roughness of the
한편, 본 출원의 명세서 내에 기재된 '커버율(coverage)'은 코팅층 제조단계(S400)에서 기판(20) 표면에 조성물을 도포하여 코팅층(10)을 제조할 때, 기판(20) 표면에 조성물이 도포된 면적에 대하여 코팅층(10)이 형성되는 비율을 의미하는 것일 수 있다.Meanwhile, the 'coverage' described in the specification of the present application refers to the composition applied to the surface of the
바람직하게, 조성물 제조단계(S300)에서 제조되는 조성물의 분산용매 내에서 응집된 실리카 입자의 평균직경은 125 nm 내지 3.7 ㎛일 수 있고, 155 nm 내지 1020 nm일 수 있으며, 165 내지 1020 nm일 수 있고, 190 내지 1017 nm일 수 있으며, 270 내지 1017 nm일 수 있고, 307 내지 1017 nm일 수 있으며, 270 내지 476 nm일 수 있고, 307 내지 476 nm일 수 있다.Preferably, the average diameter of the silica particles aggregated in the dispersion solvent of the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) may be 125 nm to 3.7 ㎛, 155 nm to 1020 nm, or 165 nm to 1020 nm. and may be 190 to 1017 nm, 270 to 1017 nm, 307 to 1017 nm, 270 to 476 nm, and 307 to 476 nm.
조성물 제조단계(S300)에서 제조되는 조성물의 분산용매 내에 분산된 실리카 입자의 응집도는 분산용매의 비유전율에 따라 달라질 수 있으며, 분산용매의 비유전율이 상대적으로 커질수록 실리카 입자의 응집도가 커질 수 있다.The degree of cohesion of silica particles dispersed in the dispersion solvent of the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) may vary depending on the relative dielectric constant of the dispersion solvent. As the relative dielectric constant of the dispersion solvent increases, the degree of aggregation of silica particles may increase. .
즉, 분산용매의 비유전율이 커질수록 분산용매 내에서 응집된 실리카 입자의 평균직경이 커질 수 있다.In other words, as the relative dielectric constant of the dispersion solvent increases, the average diameter of the silica particles aggregated within the dispersion solvent may increase.
조성물 제조단계(S300)에서 조성물의 제조시 실리카 입자가 분산되는 분산용매의 비유전율은 10 내지 80일 수 있다. In the composition manufacturing step (S300), the relative dielectric constant of the dispersion solvent in which the silica particles are dispersed may be 10 to 80.
조성물 제조단계(S300)에서 분산용매의 비유전율이 10 미만이면 분산용매 내에 실리카 입자의 응집도가 너무 낮아 후술할 코팅층 제조단계(S400)에서 코팅층(10)의 제조시 코팅층(10)에 요철이 원활하게 형성되지 않아 표면거칠기가 낮아져 소수성이 떨어질 수 있다.If the relative dielectric constant of the dispersion solvent is less than 10 in the composition manufacturing step (S300), the degree of cohesion of the silica particles in the dispersion solvent is too low, so that unevenness is smooth on the
조성물 제조단계(S300)에서 분산용매의 비유전율이 80을 초과하면 분산용매 내에 실리카 입자가 과하게 응집되어 응집된 실리카 입자의 평균직경이 너무 커짐에 따라 비표면적이 떨어져 후술할 코팅층 제조단계(S400)에서 코팅층(10)의 제조시 응집된 실리카 입자가 기판(20)에 충분히 접촉하지 못하여 견고하게 결합되지 못하고 기판(20)으로부터 이탈할 수 있다.If the relative dielectric constant of the dispersion solvent exceeds 80 in the composition manufacturing step (S300), the silica particles are excessively aggregated in the dispersion solvent, and the average diameter of the aggregated silica particles becomes too large, causing the specific surface area to decrease, leading to a coating layer manufacturing step (S400) to be described later. When manufacturing the
즉, 조성물 제조단계(S300)에서 분산용매의 비유전율이 80을 초과하면 기판(20) 표면에 조성물이 도포된 면적에 대하여 코팅층(10)이 형성되는 비율인 커버율(coverage)이 떨어질 수 있고, 코팅층(10)의 내구성이 떨어질 수 있다.That is, if the relative dielectric constant of the dispersion solvent exceeds 80 in the composition manufacturing step (S300), the coverage rate, which is the ratio of the formation of the
바람직하게, 조성물 제조단계(S300)에서 조성물의 제조시 실리카 입자가 분산되는 분산용매의 비유전율은 17 내지 72일 수 있고, 19 내지 60일 수 있으며, 20 내지 60일 수 있고, 24 내지 60일 수 있으며, 28 내지 60일 수 있고, 28 내지 48일 수 있으며, 37 내지 48일 수 있다.Preferably, the relative dielectric constant of the dispersion solvent in which the silica particles are dispersed during the preparation of the composition in the composition manufacturing step (S300) may be 17 to 72, 19 to 60, 20 to 60, and 24 to 60 days. It can be 28 to 60, it can be 28 to 48, it can be 37 to 48.
조성물 제조단계(S300)에서 조성물의 제조시 실리카 입자가 분산되는 분산용매는 비유전율이 10 내지 80인 것이면 제한되지 않으나, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 부탄올 및 물 중에 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.The dispersion solvent in which the silica particles are dispersed during the preparation of the composition in the composition manufacturing step (S300) is not limited as long as it has a relative dielectric constant of 10 to 80, but at least one selected from ethanol, 1-propanol, 2-propanol, butanol, and water. It may include
바람직하게, 조성물 제조단계(S300)에서 조성물의 제조시 실리카 입자가 분산되는 분산용매는 에탄올과 물을 포함하는 것일 수 있다.Preferably, the dispersion solvent in which the silica particles are dispersed during the composition manufacturing step (S300) may include ethanol and water.
조성물 제조단계(S300)는 분산용매 100 중량부에 표면개질단계(S200)에서 얻어지는 실리카 입자 0.5 중량부 초과 2 중량부 미만을 분산시켜 조성물을 제조하는 것일 수 있다.The composition manufacturing step (S300) may be to prepare a composition by dispersing more than 0.5 parts by weight but less than 2 parts by weight of the silica particles obtained in the surface modification step (S200) in 100 parts by weight of a dispersion solvent.
즉, 조성물 제조단계(S300)는 분산용매 100 중량부와 표면개질단계(S200)에서 얻어지는 실리카 입자 0.5 중량부 초과 2 중량부 미만을 포함하는 조성물을 제조하는 단계일 수 있다.That is, the composition manufacturing step (S300) may be a step of preparing a composition containing 100 parts by weight of the dispersion solvent and more than 0.5 parts by weight but less than 2 parts by weight of silica particles obtained in the surface modification step (S200).
조성물 제조단계(S300)에서 제조되는 조성물에 포함되는 실리카 입자가 0.5 중량부 이하이면 코팅층 제조단계(S400)에서 코팅층(10)의 형성시 기판(20)상에 코팅되는 실리카 입자의 양이 부족하여 기판(20) 표면에 전체적으로 코팅이 이루어지지 않아 커버율(coverage)이 떨어질 수 있다.If the silica particles included in the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) are 0.5 parts by weight or less, the amount of silica particles coated on the
조성물 제조단계(S300)에서 제조되는 조성물에 포함되는 실리카 입자가 2 중량부 이상이면 코팅층 제조단계(S400)에서 코팅층(10)의 형성시 기판(20)상에 코팅되는 실리카 입자의 양이 과하여 형성되는 코팅층(10)의 투명도가 떨어질 수 있다.If the silica particles contained in the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) are 2 parts by weight or more, the amount of silica particles coated on the
기판(20)을 준비하고 기판(20)상에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포하여 코팅층(10)을 제조한다(S400).A
코팅층 제조단계(S400)는 기판(20)상에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포하고 건조하여 조성물에 포함된 분산용매를 증발시켜 코팅층(10)을 형성함으로써 코팅층(10)을 제조하는 단계일 수 있다.In the coating layer manufacturing step (S400), the
즉, 코팅층 제조단계(S400)에서 기판(20)상에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포하고 건조하면 조성물에 포함된 분산용매는 증발되고 분산용매 내에 분산된 실리카 입자가 기판(20)에 결합되어 코팅됨으로써 코팅층(10)이 제조될 수 있다.That is, when the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) is applied and dried on the
코팅층 제조단계(S400)는 기판(20) 표면에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포하여 코팅층(10)을 제조하는 단계일 수 있다.The coating layer manufacturing step (S400) may be a step of manufacturing the
코팅층 제조단계(S400)는 기판(20)의 표면에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포하여 기판(20)상에 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있다.The coating layer manufacturing step (S400) may be a step of forming the
코팅층 제조단계(S400)는 기판(20)의 표면에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포하여 기판(20)상에 소정 표면거칠기를 갖는 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있다.The coating layer manufacturing step (S400) may be a step of forming a
코팅층 제조단계(S400)는 기판(20)의 표면에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포하여 기판(20)상에 산술 평균 조도(Ra)가 0.1 내지 1 ㎛인 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있다.In the coating layer manufacturing step (S400), the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) is applied to the surface of the
코팅층 제조단계(S400)에서 형성되는 코팅층(10)의 산술 평균 조도가 0.1 ㎛ 미만이면 코팅층(10)의 표면거칠기가 너무 낮아져 코팅층(10)의 소수성이 떨어질 수 있고, 1 ㎛를 초과하면 코팅층(10)의 표면거칠기가 너무 커 코팅층(10)의 투명도가 떨어질 수 있다.If the arithmetic average roughness of the
바람직하게, 코팅층 제조단계(S400)는 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포하여 기판(20)상에 산술 평균 조도(Ra)가 0.12 내지 0.93 ㎛인 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있고, 산술 평균 조도(Ra)가 0.12 내지 0.9 ㎛인 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있으며, 산술 평균 조도(Ra)가 0.19 내지 0.83 ㎛인 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있고, 산술 평균 조도(Ra)가 0.2 내지 0.8 ㎛인 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있다.Preferably, the coating layer manufacturing step (S400) is a step of forming a coating layer (10) having an arithmetic mean roughness (R a ) of 0.12 to 0.93 ㎛ on the substrate (20) by applying the composition prepared in the composition manufacturing step (S300). It may be a step of forming a
코팅층 제조단계(S400)는 기판(20)의 표면에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포하여 기판(20)상에 접촉각이 120 내지 180°인 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있다.The coating layer manufacturing step (S400) may be a step of forming a
바람직하게, 코팅층 제조단계(S400)는 기판(20)의 표면에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포하여 기판(20)상에 접촉각이 125 내지 180°인 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있고, 접촉각이 135 내지 180°인 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있으며, 접촉각이 137 내지 180°인 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있고, 139 내지 180°인 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있다.Preferably, the coating layer manufacturing step (S400) involves applying the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) to the surface of the
더욱 바람직하게, 코팅층 제조단계(S400)는 기판(20)의 표면에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포하여 기판(20)상에 접촉각이 144 내지 180°인 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있고, 150 내지 180°인 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있다.More preferably, in the coating layer manufacturing step (S400), the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) is applied to the surface of the
코팅층 제조단계(S400)에서 기판(20)상에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포할 때 도포되는 조성물의 온도는 25 ℃ 이상 70 ℃ 미만일 수 있다.When applying the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) on the
코팅층 제조단계(S400)에서 기판(20)상에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물의 코팅시 코팅되는 조성물의 온도가 25℃ 미만이면 분산용매가 증발되는 속도가 너무 느려 본 발명의 다른 실시예에 따른 소수성 코팅층의 제조방법에 따라 제조되는 소수성 코팅층(10)의 생산성이 떨어질 수 있다.When coating the composition prepared in the composition preparation step (S300) on the
한편, 코팅층 제조단계(S400)에서 기판(20)상에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물을 도포하고 건조하여 조성물에 포함된 분산용매를 증발시켜 코팅층(10)을 형성하면 형성되는 코팅층(10)에 복수 개의 미세크랙이 형성될 수 있고, 코팅층(10)에 형성되는 크랙과 크랙 사이의 경계면의 수가 늘어날수록 코팅층(10)의 표면거칠기가 증가할 수 있다.Meanwhile, in the coating layer manufacturing step (S400), the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) is applied to the
코팅층 제조단계(S400)에서 기판(20)상에 조성물 제조단계(S300)에서 제조된 조성물의 코팅시 코팅되는 조성물의 온도가 70 ℃ 이상이면 분산용매가 증발되는 속도가 너무 빨라 코팅층(10)에 형성되는 미세크랙의 수가 줄어들 수 있고, 이에 따라, 코팅층(10)의 표면거칠기가 낮아져 코팅층(10)의 소수성이 떨어질 수 있다.When coating the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) on the
코팅층 제조단계(S400)는 기판(20)상에 소정 거칠기를 갖는 브러쉬를 이용하여 조성물을 도포해 코팅층(10)을 형성하는 것일 수 있다.The coating layer manufacturing step (S400) may be to form the
여기서, 기판(20)상에 브러쉬를 이용하여 조성물을 도포해 코팅층(10)을 형성한다는 것은 브러쉬를 사용하여 기판(20)상에 조성물을 브러싱하여 코팅층(10)을 형성하는 것을 의미할 수 있다. Here, forming the
코팅층 제조단계(S400)는 기판(20)상에 조성물을 브러쉬로 적어도 1회, 바람직하게 1 내지 5회, 더욱 바람직하게 1 내지 4회, 보다 더욱 바람직하게 2회 브러싱하여 코팅층(10)을 형성하는 단계일 수 있다.In the coating layer manufacturing step (S400), the
코팅층 제조단계(S400)는 기판 준비단계(S410), 평활층 형성단계(S420) 및 요철층 형성단계(S430)를 포함하는 것일 수 있다.The coating layer manufacturing step (S400) may include a substrate preparation step (S410), a smooth layer forming step (S420), and an uneven layer forming step (S430).
기판 준비단계(S410)는 기판(20)을 준비하는 단계일 수 있다.The substrate preparation step (S410) may be a step of preparing the
기판 준비단계(S410)에서 준비되는 기판(20)은 소수성 표면을 필요로 하는 분야에서 통상적으로 이용되는 소재로 이루어지는 것이면 제한되지 않고, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Poly Ethylene Terephthalate, PET), 유리 및 금속 중에 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것으로 이루어질 수 있다.The
평활층 형성단계(S420)는 기판 준비단계(S410)에서 준비되는 기판(20)상에 조성물 제조단계(S300)에서 제조되는 조성물을 도포하여 제1 표면거칠기를 갖는 평활층(11)을 형성하는 단계일 수 있다.The smooth layer forming step (S420) forms a
평활층 형성단계(S420)는 기판 준비단계(S410)에서 준비되는 기판(20)상에 조성물 제조단계(S300)에서 제조되는 조성물을 도포하여 제1 표면거칠기를 갖는 평활층(11)을 형성함으로써 평활층(11)을 제조하는 단계일 수 있다.The smooth layer forming step (S420) is performed by applying the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) onto the
평활층 형성단계(S420)는 요철층 형성단계(S430)에서 형성되는 요철층(12)보다 상대적으로 낮은 표면거칠기를 갖는 평활층(11)을 형성하여 코팅층 제조단계(S400)에서 코팅층(10)을 형성하고자 하는 기판(20)의 표면상에 코팅층(10)이 형성되지 않는 부분 없이 전체적으로 균일하게 코팅층(10)이 형성되도록 하기 위한 단계일 수 있다.The smooth layer forming step (S420) forms a
평활층 형성단계(S420)는 제1 거칠기를 갖는 제1 브러쉬(30)를 이용해 기판(20)상에 조성물을 도포하여 평활층(11)을 형성하는 단계일 수 있다.The smooth layer forming step (S420) may be a step of forming the
여기서, 제1 브러쉬(30)를 이용해 기판(20)상에 조성물을 도포하여 평활층(11)을 형성한다는 것은 기판(20)상에 제1 브러쉬(30)를 사용하여 조성물을 브러싱해 평활층(11)을 형성하는 것을 의미할 수 있다.Here, forming a
요철층 형성단계(S430)는 평활층 형성단계(S420)에서 형성되는 평활층(11)상에 조성물 제조단계(S300)에서 제조되는 조성물을 도포하여 제1 표면거칠기보다 상대적으로 큰 제2 표면거칠기를 갖는 요철층(12)을 형성하는 단계일 수 있다.The uneven layer forming step (S430) applies the composition prepared in the composition manufacturing step (S300) onto the
요철층 형성단계(S430)는 평활층 형성단계(S420)에서 형성되는 평활층(11)보다 상대적으로 큰 제2 표면거칠기를 갖는 요철층(12)을 형성하여 코팅층 제조단계(S400)에서 형성되는 코팅층(10)의 표면거칠기를 높이기 위한 단계일 수 있다.The uneven layer forming step (S430) is formed in the coating layer manufacturing step (S400) by forming the
요철층 형성단계(S430)는 제1 거칠기보다 상대적으로 큰 제2 거칠기를 갖는 제2 브러쉬(40)를 이용해 평활층(11)상에 조성물을 도포하여 요철층(12)을 형성하는 단계일 수 있다.The uneven layer forming step (S430) may be a step of forming the
여기서, 제2 브러쉬(40)를 이용해 평활층(11)상에 조성물을 도포하여 요철층(12)을 형성한다는 것은 평활층(11)상에 제2 브러쉬(40)를 사용하여 조성물을 브러싱해 요철층(12)을 형성하는 것을 의미할 수 있다.Here, forming the
요철층 형성단계(S430)에서 제1 브러쉬(30)보다 상대적으로 큰 거칠기를 갖는 제2 브러쉬(40)를 이용해 평활층(11)상에 요철층(12)을 형성함으로써, 코팅층 제조단계(S400)에서 형성되는 코팅층(10)이 보다 큰 표면거칠기를 가질 수 있다.In the uneven layer forming step (S430), the
즉, 요철층 형성단계(S430)에서 요철층(12)을 형성하여 코팅층(10)이 보다 큰 표면거칠기를 가짐으로써 코팅층 제조단계(S400)에서 제조되는 코팅층(10)이 보다 큰 소수성을 가질 수 있다.That is, by forming the
한편, 제1 브러쉬(30)와 제2 브러쉬(40)는 각각 사용자가 파지할 수 있는 파지핸들(31, 41)과 파지핸들(31, 41)의 하부면에 구비되어 사용자가 피코팅체에 브러싱하고자 코팅액이 닿는 복수 개의 브러쉬모(32, 42)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the
이 때, 피코팅체는 기판(20)일 수 있다.At this time, the body to be coated may be the
제2 브러쉬(40)의 거칠기인 제2 거칠기가 제1 브러쉬(30)의 거칠기인 제1 거칠기보다 크다는 것은 제2 브러쉬(40)의 브러쉬모(42)가 제1 브러쉬(30)의 브러쉬모(32)보다 외력이 가해졌을 때 기계적 변형이 이루어지기 어려운 것을 의미하는 것일 수 있고, 제2 브러쉬(40)의 브러쉬모(42)가 제1 브러쉬(30)의 브러쉬모(32)보다 강성(stiffness)이 크다는 것을 의미하는 것일 수 있으며, 제2 브러쉬(40)의 브러쉬모(42)가 제1 브러쉬(30)의 브러쉬모(32)보다 영률(Young's modulus)이 큰 것을 의미하는 것일 수 있다.The fact that the second roughness, which is the roughness of the
또한, 제2 브러쉬(40)의 거칠기인 제2 거칠기가 제1 브러쉬(30)의 거칠기인 제1 거칠기보다 크다는 것은 제2 브러쉬(40)의 파지핸들(41)의 하부면 면적 대비 브러쉬모(42)의 갯수인 브러쉬모(42)의 밀도가 제1 브러쉬(30)의 파지핸들(31)의 하부면 면적 대비 브러쉬모(32)의 갯수인 브러쉬모(32)의 밀도보다 작은 것을 의미하는 것일 수 있다.In addition, the fact that the second roughness, which is the roughness of the
요철층 형성단계(S430)는 평활층 형성단계(S420)에서 형성되는 평활층(11)보다 산술 평균 조도(Ra)가 상대적으로 큰 요철층(12)을 형성하는 단계일 수 있다.The uneven layer forming step (S430) may be a step of forming the
즉, 요철층 형성단계(S430)에서 형성되는 요철층(12)은 평활층 형성단계(S420)에서 형성되는 평활층(11)보다 산술 평균 조도(Ra)가 상대적으로 큰 것일 수 있다.That is, the
평활층 형성단계(S420)에서 형성되는 평활층(11)의 산술 평균 조도(Ra)는 0.1 내지 0.3 ㎛일 수 있다.The arithmetic average roughness (R a ) of the
평활층 형성단계(S420)에서 형성되는 평활층(11)의 산술 평균 조도(Ra)가 0.1 ㎛ 미만이면 본 발명의 실시예에 따라 제조되는 소수성 코팅층(10)의 소수성이 떨어질 수 있고, 0.3 ㎛를 초과하면 평활층(11)의 표면거칠기가 커 평활층(11)상에 요철층(12)의 형성이 원활하게 이루어지지 않을 수 있다.If the arithmetic average roughness (R a ) of the
바람직하게, 평활층 형성단계(S420)에서 형성되는 평활층(11)의 산술 평균 조도(Ra)는 0.12 내지 0.25 ㎛일 수 있고, 0.19 내지 0.21 ㎛일 수 있다.Preferably, the arithmetic mean roughness (R a ) of the
요철층 형성단계(S430)에서 형성되는 요철층(12)의 산술 평균 조도(Ra)는 0.6 내지 1 ㎛일 수 있다.The arithmetic average roughness (R a ) of the
요철층 형성단계(S430)에서 형성되는 요철층(12)의 산술 평균 조도(Ra)가 0.6 ㎛ 미만이면 요철층(12)의 표면거칠기가 너무 작아 본 발명의 일 실시예에 따라 제조되는 소수성 코팅층(10)의 소수성이 떨어질 수 있고, 1 ㎛를 초과하면 요철층(12)의 표면거칠기가 너무 커 본 발명의 일 실시예에 따라 제조되는 소수성 코팅층(10)의 투명도가 떨어질 수 있다.If the arithmetic average roughness (R a ) of the
바람직하게, 요철층 형성단계(S430)에서 형성되는 요철층(12)의 산술 평균 조도(Ra)는 0.68 내지 0.9 ㎛일 수 있고, 0.7 내지 0.85 ㎛일 수 있으며, 0.75 내지 0.83 ㎛일 수 있다.Preferably, the arithmetic mean roughness (R a ) of the
도 2를 참조하면, 평활층 형성단계(S420)에서 제1 브러쉬(30)를 이용하여 기판(20)상에 평활층(11)을 형성하고, 요철층 형성단계(S430)에서 제2 브러쉬(40)를 이용하여 평활층(11)상에 요철층(12)을 형성함으로써, 평활층(11)과 요철층(12)을 포함하는 소수성 코팅층(10)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 2, in the smooth layer forming step (S420), the
<실시예 1><Example 1>
1. 실리카 입자의 준비1. Preparation of silica particles
먼저, 실리카 전구체인 테트라에톡시실란(제품명: Tetraethylorthosilicate (TEOS, 98%), 제조사: Sigama-Aldrich)과 알코올인 에탄올(제품명: Anhydrous ethyl alcohol (ethanol, 99.9%), 제조사: 대정화금)을 혼합하여 혼합용액을 제조하고, 제조된 혼합용액에 암모니아수를 혼합하여 실리카 입자를 합성하였다.First, tetraethoxysilane, a silica precursor (Product name: Tetraethylorthosilicate (TEOS, 98%), Manufacturer: Sigama-Aldrich) and ethanol, an alcohol (Product name: Anhydrous ethyl alcohol (ethanol, 99.9%), Manufacturer: Daejeong Chemical) A mixed solution was prepared by mixing, and ammonia water was mixed into the prepared mixed solution to synthesize silica particles.
더욱 자세하게는, 에탄올 50.02 ml와 테트라에톡시실란 3 ml를 혼합하여 혼합용액을 제조하고, 제조된 혼합용액에 농도가 0.46M인 암모니아수를 혼합해 혼합용액의 pH를 10.912로 조절하여 실리카 입자를 합성함으로써 혼합용액 내에 분산된 실리카 입자를 준비하였다.In more detail, a mixed solution was prepared by mixing 50.02 ml of ethanol and 3 ml of tetraethoxysilane, and the pH of the mixed solution was adjusted to 10.912 by mixing ammonia water with a concentration of 0.46M into the prepared mixed solution to synthesize silica particles. By doing this, silica particles dispersed in the mixed solution were prepared.
2. 실리카 입자의 표면개질2. Surface modification of silica particles
1. 실리카 입자의 준비에서 얻어지는 혼합용액에 소수성 실란 커플링제인 헥사데실트리메톡시실란 0.51 ml를 혼합하고 300 rpm으로 2 시간동안 교반하였다. 이 후, 원심분리기를 이용해 혼합용액으로부터 표면이 개질된 실리카 입자를 정제하고, 정제된 실리카 입자를 70 ℃에서 24 시간동안 건조하였다.1. 0.51 ml of hexadecyltrimethoxysilane, a hydrophobic silane coupling agent, was mixed with the mixed solution obtained in the preparation of silica particles and stirred at 300 rpm for 2 hours. Afterwards, the surface-modified silica particles were purified from the mixed solution using a centrifuge, and the purified silica particles were dried at 70°C for 24 hours.
3. 조성물의 제조3. Preparation of the composition
2. 실리카 입자의 표면개질에서 얻어지는 실리카 입자 1 중량부를 분산용매100 중량부와 혼합하여 조성물을 제조하였다. 이 때, 분산용매는 에탄올(제품명: Anhydrous ethyl alcohol (ethanol, 99.9%), 제조사: 대정화금) 56.2 부피%와 물 43.8 부피%를 혼합하여 제조되는 혼합액을 사용하였다.2. A composition was prepared by mixing 1 part by weight of silica particles obtained from surface modification of silica particles with 100 parts by weight of dispersion solvent. At this time, the dispersion solvent was a mixed solution prepared by mixing 56.2% by volume of ethanol (Product name: Anhydrous ethyl alcohol (ethanol, 99.9%), Manufacturer: Daejeong Chemical) and 43.8% by volume of water.
4. 코팅층의 제조4. Preparation of coating layer
기판(20)을 준비하고, 기판(20)상에 3. 조성물의 제조에서 제조된 조성물을 도포하여 코팅층(10)을 제조하였다. 이 때, 기판(20)은 두께가 125 ㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하였고, 도포되는 조성물의 온도는 25℃였다.A
더욱 자세하게는, 제1 거칠기를 갖는 제1 브러쉬(30)로 3. 조성물의 제조에서 제조된 조성물을 기판(20)상에 브러싱하여 평활층(11)을 형성하고, 제1 거칠기보다 상대적으로 큰 제2 거칠기를 갖는 제2 브러쉬(40)로 3. 조성물의 제조에서 제조된 조성물을 평활층(11)상에 브러싱하여 요철층(12)을 형성함으로써 코팅층(10)을 제조하였다.More specifically, the composition prepared in step 3. Preparation of the composition is brushed on the
<실시예 2><Example 2>
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 3. 조성물의 제조에서 분산용매로 에탄올 56.2 부피%와 물 43.8 부피%를 혼합한 혼합액을 사용하는 것 대신 에탄올 92.0 부피%과 물 8.0 부피%를 혼합하여 제조되는 혼합액을 사용하였다.The
<실시예 3><Example 3>
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 4. 코팅층의 형성에서 기판(20)상에 제1 브러쉬(30)로 조성물을 브러싱하여 평활층(11)을 형성하고 평활층(11)상에 제2 브러쉬(40)로 조성물을 브러싱하여 요철층(12)을 형성함으로써 코팅층(10)을 형성하는 것 대신 기판(20)상에 조성물을 제1 브러쉬(30)로 2회 브러싱하여 코팅층(10)을 형성하였다.The
<실시예 4><Example 4>
실시예 2와 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 4. 코팅층의 형성에서 기판(20)상에 제1 브러쉬(30)로 조성물을 브러싱하여 평활층(11)을 형성하고 평활층(11)상에 제2 브러쉬(40)로 조성물을 브러싱하여 요철층(12)을 형성함으로써 코팅층(10)을 형성하는 것 대신 조성물을 기판(20)상에 제1 브러쉬(30)로 2회 브러싱하여 코팅층(10)을 형성하였다.The
<실시예 5><Example 5>
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 4 코팅층의 형성에서 기판(20)을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하는 것 대신 두께가 1mm인 유리기판(20)을 사용하였다.The
<실시예 6><Example 6>
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 4 코팅층의 형성에서 기판(20)을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하는 것 대신 두께가 300㎛인 금속기판(20)을 사용하였다.The
<실시예 7><Example 7>
실시예 2와 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 4 코팅층의 형성에서 기판(20)을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하는 것 대신 두께가 1mm인 유리기판(20)을 사용하였다.The
<실시예 8><Example 8>
실시예 2와 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 4 코팅층의 형성에서 기판(20)을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하는 것 대신 두께가 300㎛인 금속기판(20)을 사용하였다.The
<실시예 9><Example 9>
실시예 3과 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 4 코팅층의 형성에서 코팅층(10)의 형성시 도포되는 조성물의 온도를 25℃가 아닌 40℃로 하였다.The
<비교예 1><Comparative Example 1>
실시예 1과 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 3. 조성물의 제조에서 분산용매로 에탄올 56.2 부피%와 물 43.8 부피%로 혼합하여 제조되는 혼합액을 사용하는 것 대신 에탄올 12.5 부피%와 물 87.5 부피%를 혼합하여 제조되는 혼합액을 사용하였다.The
<비교예 2><Comparative Example 2>
비교예 1과 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 4. 코팅층의 형성에서 기판(20)을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하는 것 대신 두께가 1mm인 유리기판(20)을 사용하였다.The
<비교예 3><Comparative Example 3>
비교예 1과 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 4. 코팅층의 형성에서 기판(20)을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하는 것 대신 두께가 300㎛인 금속기판(20)을 사용하였다.The
<비교예 4><Comparative Example 4>
비교예 1과 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 4. 코팅층의 형성에서 기판(20)상에 제1 브러쉬(30)로 조성물을 브러싱하여 평활층(11)을 형성하고 평활층(11)상에 제2 브러쉬(40)로 조성물을 브러싱하여 요철층(12)을 형성하여 코팅층(10)을 형성하는 것 대신 기판(20)상에 제1 브러쉬(30)로 2회 브러싱하여 코팅층(10)을 형성하였다.The
<비교예 5><Comparative Example 5>
실시예 3과 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 3. 조성물의 제조에서 실리카 입자 1 중량부와 분산용매 100 중량부를 혼합하는 것 대신 실리카 입자 0.5 중량부와 분산용매 100 중량부를 혼합하였다.The
<비교예 6><Comparative Example 6>
실시예 3과 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 3. 조성물의 제조에서 실리카 입자 1 중량부와 분산용매 100 중량부를 혼합하는 것 대신 실리카 입자 2 중량부와 분산용매 100 중량부를 혼합하였다.The
<비교예 7><Comparative Example 7>
실시예 3과 동일한 방법으로 코팅층(10)을 제조하였다. 단, 4 코팅층의 형성에서 코팅층의 형성시 도포되는 조성물의 온도를 25℃가 아닌 70℃로 하였다.The
실시예 1 내지 9와 비교예 1 내지 7에 따른 코팅층(10)의 제조 조건을 아래 표 1에 정리하였다.The manufacturing conditions of the
(에탄올:물)Dispersion solvent volume ratio
(ethanol:water)
(℃)composition temperature
(℃)
여기서, '분산용매 부피비'는 3. 조성물의 제조에서 실리카 입자가 분산되는 분산용매의 에탄올과 물이 혼합되는 부피비를 의미하는 것이고, '기판 종류'는 4. 코팅층의 형성에서 조성물이 도포되는 기판(20)의 종류를 의미하는 것이며, '실리카 중량부'는 3. 조성물의 제조에서 분산용매 100 중량부에 분산되는 실리카 입자의 중량부를 의미하는 것이고, 조성물 온도는 4. 코팅층의 형성에서 도포되는 조성물의 온도를 의미하는 것이다.Here, 'dispersion solvent volume ratio' refers to the volume ratio of ethanol and water mixed in the dispersion solvent in which silica particles are dispersed in 3. the production of the composition, and 'substrate type' refers to 4. the substrate to which the composition is applied in forming the coating layer. It refers to the type of (20), and 'silica parts by weight' refers to the parts by weight of silica particles dispersed in 100 parts by weight of the dispersion solvent in the preparation of 3. the composition, and the composition temperature is 4. the weight of the silica particles applied in the formation of the coating layer. This refers to the temperature of the composition.
또한, '브러쉬 조건'에서 'S/H'는 4. 코팅층의 제조에서 기판(20)상에 조성물을 도포하여 코팅층(10)을 제조할 때 제1 브러쉬(30)로 평활층(11)을 형성하고 평활층(11)상에 제2 브러쉬(40)로 요철층(12)을 형성함으로써 코팅층(10)을 제조하는 것을 의미하는 것이고, 'S/S'는 기판(20)상에 조성물을 제1 브러쉬(30)로 2회 브러싱하여 코팅층(10)을 형성하는 것을 의미하는 것이다.In addition, 'S/H' in 'brush conditions' is 4. When manufacturing the
<참고예><Reference example>
참고예에서는 실시예 1의 2. 실리카 입자의 표면개질에서 얻어지는 실리카 입자가 소정 용매에 분산되었을 때 응집되는 정도를 분석하기 위해 실시예 1의 2. 실리카 입자의 표면개질에서 얻어지는 실리카 입자가 소정 용매에 분산되었을 때 응집된 실리카 입자의 평균직경을 측정하였다.In the reference example, in order to analyze the degree to which the silica particles obtained from surface modification of silica particles in Example 1 2. were dispersed in a predetermined solvent, the silica particles obtained from 2. surface modification of silica particles in Example 1 were dissolved in a predetermined solvent. The average diameter of the aggregated silica particles when dispersed was measured.
이 때, 응집된 실리카 입자의 평균직경 측정은 동적광산란 측정장치(모델명:multi-scope, K-one社 제조)를 이용하였고, 동적광산란 측정장치를 이용해 용매 내에 분산된 입자의 평균직경을 측정하는 것은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 자명한 것이므로 자세한 설명은 생략하도록 한다.At this time, a dynamic light scattering measuring device (model name: multi-scope, manufactured by K-one) was used to measure the average diameter of the aggregated silica particles, and the average diameter of particles dispersed in the solvent was measured using a dynamic light scattering measuring device. Since this is obvious to those skilled in the art to which the present invention pertains, detailed description will be omitted.
또한, 용매로는 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올 및 1-부탄올을 사용하였다. 또한, 에탄올 92.0 부피%와 물 8.0 부피%를 혼합하여 제조되는 혼합액, 에탄올 74.9 부피%와 물 25.1 부피%를 혼합하여 제조되는 혼합액, 에탄올 56.2 부피%와 물 43.8 부피%를 혼합하여 제조되는 혼합액, 에탄올 35.5 부피%와 물 64.5 부피%를 혼합하여 제조되는 혼합액, 에탄올 12.5 부피%와 물 87.5 부피%를 혼합하여 제조되는 혼합액을 사용하였다.Additionally, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, and 1-butanol were used as solvents. In addition, a mixed solution prepared by mixing 92.0 vol% of ethanol and 8.0 vol% of water, a mixed solution prepared by mixing 74.9 vol% of ethanol and 25.1 vol% of water, a mixed solution prepared by mixing 56.2 vol% of ethanol and 43.8 vol% of water, A mixed solution prepared by mixing 35.5 vol% of ethanol and 64.5 vol% of water, and a mixed solution prepared by mixing 12.5 vol% of ethanol and 87.5 vol% of water were used.
사용된 용매의 종류에 대한 응집된 실리카 입자의 평균직경 분석 결과를 아래 표2 와 도 3, 4에 나타내었고, 사용된 용매에 대해 통상적으로 알려진 비유전율을 아래 표 2에 나타내었다.The results of the analysis of the average diameter of the aggregated silica particles for the type of solvent used are shown in Table 2 and Figures 3 and 4 below, and the generally known relative dielectric constants for the solvent used are shown in Table 2 below.
(nm)Average diameter of aggregated silica particles
(nm)
(92.0:8.0)Ethanol:water
(92.0:8.0)
(74.9:25.1)Ethanol:water
(74.9:25.1)
(56.2:43.8)Ethanol:water
(56.2:43.8)
(35.5:64.5)Ethanol:water
(35.5:64.5)
(12.5:87.5)Ethanol:water
(12.5:87.5)
표 2에서 에탄올:물은 에탄올과 물을 혼합하여 제조되는 혼합액을 의미하는 것이고, 괄호안에 비율은 에탄올과 물의 부피비를 의미하는 것이다. 예를 들어, 표 2에서 에탄올:물(92.0:8.0)은 에탄올 92.0 부피%와 물 8.0%를 혼합한 혼합액을 의미하는 것이다.In Table 2, ethanol:water refers to a mixed solution prepared by mixing ethanol and water, and the ratio in parentheses refers to the volume ratio of ethanol and water. For example, in Table 2, ethanol:water (92.0:8.0) refers to a mixture of 92.0% by volume ethanol and 8.0% water.
표 2와 도 3 내지 4를 참조하면, 사용된 용매의 비유전율이 상대적으로 클수록 응집된 실리카 입자의 평균직경이 큰 것을 확인할 수 있다. 이는 사용되는 용매의 비유전율이 클수록 사용되는 용매 내에서 실리카 입자가 응집되는 정도가 커지는 것을 확인할 수 있는 결과이다.Referring to Table 2 and Figures 3 and 4, it can be seen that the relatively larger the relative dielectric constant of the solvent used, the larger the average diameter of the aggregated silica particles. This is a result confirming that the greater the relative dielectric constant of the solvent used, the greater the degree to which silica particles are aggregated within the solvent used.
<시험예 1><Test Example 1>
시험예 1에서는 실시예 1 내지 9와 비교예 1 내지 7에 따라 제조되는 코팅층(10)의 소수성을 측정하기 위해 물을 측정용매로 하여 접촉각을 측정하였다.In Test Example 1, the contact angle was measured using water as a measuring solvent to measure the hydrophobicity of the
시험예 1에서 접촉각은 실시예 1 내지 9와 비교예 1 내지 7에 따라 제조된 코팅층(10)에 8.65 ㎕의 물방울을 떨어뜨린 후 접촉각측정기(모델명:FM-40, KRUSS社 제조)를 이용하여 측정하였다.In Test Example 1, the contact angle was measured by dropping 8.65 μl of water droplets on the
아울러, 실시예 1, 5, 6에 따라 제조되는 코팅층(10)에 대해서는 미끄럼각(sliding angle)도 함께 측정하였다.In addition, the sliding angle of the
한편, '미끄럼각'은 수평한 바닥면을 기준으로 액체가 흐르기 시작하는 기울기 각도를 의미하는 것일 수 있고, 실시예 1, 5, 6에 따라 제조되는 코팅층(10)이 형성된 기판(20)을 수평한 바닥면에 놓은 후 기울였을 때 액체가 흐르기 시작하는 기울기 각도를 의미하는 것일 수 있다.On the other hand, 'slip angle' may mean the tilt angle at which the liquid begins to flow based on the horizontal bottom surface, and the
도 5a 내지 5d와 아래 표 3에 시험예 1에 따른 접촉각 측정결과를 정리하였다.Figures 5a to 5d and Table 3 below summarize the contact angle measurement results according to Test Example 1.
도 5a는 실시예 1에 따라 제조되는 코팅층의 접촉각 측정결과를 나타낸 도면이고, 도 5b는 실시예 3에 따라 제조되는 코팅층의 접촉각 측정결과를 나타낸 도면이며, 도 5c는 실시예 5에 따라 제조되는 코팅층의 접촉각 측정결과를 나타낸 도면이고, 도 5d는 실시예 6에 따라 제조되는 코팅층의 접촉각 측정결과를 나타낸 도면이다.Figure 5A is a diagram showing the contact angle measurement results of the coating layer prepared according to Example 1, Figure 5B is a diagram showing the contact angle measurement results of the coating layer prepared according to Example 3, and Figure 5C is a diagram showing the contact angle measurement results of the coating layer prepared according to Example 5. This is a diagram showing the contact angle measurement results of the coating layer, and Figure 5D is a diagram showing the contact angle measurement results of the coating layer manufactured according to Example 6.
표 3을 참조하면, 실시예 1, 2에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각이 비교예 1에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각보다 높은 것을 확인할 수 있고, 이는 실시예 1, 2에 따라 제조되는 코팅층(10)의 소수성이 비교예 1에 따라 제조되는 코팅층(10)보다 큰 것을 나타내는 결과이다.Referring to Table 3, it can be seen that the contact angle of the
이는 실리카 입자가 분산되는 분산용매의 비유전율이 너무 높으면 분산용매 내에서 실리카 입자가 과하게 응집함에 따라 코팅층(10)의 커버율(coverage)이 떨어지는 것을 확인할 수 있는 결과이다.This is a result confirming that if the relative dielectric constant of the dispersion solvent in which the silica particles are dispersed is too high, the coverage of the
또한, 실시예 5, 7에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각이 비교예 2에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각보다 크고, 실시예 6, 8에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각이 비교예 3에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각보다 크며, 실시예 3, 4에 따라 제조되는 코팅층(10)이 비교예 4에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각보다 큰 것을 확인할 수 있는데, 이들 역시 실리카 입자가 분산되는 분산용매의 비유전율이 너무 높으면 분산용매 내에서 실리카 입자가 과하게 응집함에 따라 코팅층(10)의 커버율(coverage)이 떨어지는 것을 확인할 수 있는 결과이다.In addition, the contact angle of the
실시예 3에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각이 비교예 5에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각보다 높은 것을 확인할 수 있는데, 이는 조성물의 제조시 분산용매에 혼합되는 실리카 입자의 함량이 떨어지면 코팅층(10)의 형성시 실리카 입자가 기판(20) 표면에 전체적으로 균일하게 코팅되지 못하여 기판(20) 표면 전체에 대해 코팅층(10)이 형성되는 비율인 커버율(coverage)이 떨어지는 것을 확인할 수 있는 결과이다.It can be seen that the contact angle of the
한편, 실시예 1과 실시예 2에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각이 각각 실시예 3과 실시예 4에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각보다 높은 것을 확인할 수 있는데, 이는 제2 표면거칠기를 갖는 요철층(12)을 형성함으로써 코팅층(10)의 표면거칠기가 향상되면 소수성이 높아지는 것을 확인할 수 있는 결과이다.Meanwhile, it can be confirmed that the contact angle of the
실시예 3과 실시예 9에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각이 비교예 7에 따라 제조되는 코팅층(10)의 접촉각보다 높은 것을 확인할 수 있는데 이는 기판(20)상에 조성물을 도포할 때 조성물의 온도가 너무 높으면 코팅층(10)에 형성되는 미세크랙의 수가 줄어듬에 따라 제조되는 코팅층(10)의 소수성이 떨어지는 것을 확인할 수 있는 결과이다.It can be confirmed that the contact angle of the
실시예 1, 5, 6에 따라 제조되는 코팅층(10)의 미끄럼각이 5°보다 작은 것을 확인할 수 있는데, 이는 실시예 1, 5, 6에 따라 제조되는 코팅층(10)의 소수성이 아주 뛰어난 것을 확인할 수 있는 결과이다. 특히, 실시예 1에 따라 제조되는 코팅층(10)은 접촉각이 152.6°, 미끄럼각이 0°로 나타나 초소수성을 갖는 것을 확인할 수 있다.It can be seen that the sliding angle of the
<시험예 2><Test Example 2>
시험예 2는 실시예 1 내지 4, 9에 따라 제조되는 코팅층(10)과 비교예 1, 4 내지 7에 따라 제조되는 코팅층(10)의 투명도를 측정하기 위한 실험이다.Test Example 2 is an experiment to measure the transparency of the
시험예 2에서는 투명도를 측정하기 위해 실시예 1 내지 4, 9에 따라 제조되는 코팅층(10)이 형성된 기판(20)과 비교예 1, 4 내지 7에 따라 제조되는 코팅층(10)이 형성된 기판(20)의 투과도를 측정하였다.In Test Example 2, in order to measure transparency, a
시험예 2에서 투과도의 측정은 UV-Vis 분광광도계(모델명:Optizen pop, Mecasys社 제조)를 이용하여 300 내지 800nm의 파장대에서 수행하였다.In Test Example 2, the transmittance was measured in the wavelength range of 300 to 800 nm using a UV-Vis spectrophotometer (model name: Optizen pop, manufactured by Mecasys).
시험 결과를 도 6a 내지 6c와 표 4에 나타내었다.The test results are shown in FIGS. 6A to 6C and Table 4.
표 4를 참조하면, 실시예 1 내지 4, 9에 따라 제조되는 코팅층(10)의 투과도가 모두 80%를 초과하는 것을 확인할 수 있는데, 이는 본 발명의 실시예에 따라 제조되는 코팅층(10)의 투명도가 우수하여 기판(20)에 본 발명의 실시예에 따라 코팅층(10)을 형성하여도 투과도의 저하가 크지 않은 것을 확인할 수 있는 결과이다.Referring to Table 4, it can be seen that the transmittance of the
표 4를 참조하면, 실시예 1 내지 4, 9에 따라 제조되는 코팅층(10)과 비교예 1, 4, 5, 7에 따라 제조되는 코팅층(10)보다 비교예 6에 따라 제조되는 코팅층(10)의 투과도가 가장 떨어지는 것을 확인할 수 있는데, 이는 분산용매에 분산되는 실리카 입자의 함량이 너무 높으면 제조되는 코팅층(10)의 투명도가 떨어지는 것을 확인할 수 있는 결과이다.Referring to Table 4, the coating layer (10) manufactured according to Comparative Example 6 is better than the coating layer (10) manufactured according to Examples 1 to 4 and 9 and the coating layer (10) manufactured according to Comparative Examples 1, 4, 5 and 7. ) can be seen to have the lowest transmittance, which is a result confirming that if the content of silica particles dispersed in the dispersion solvent is too high, the transparency of the
<시험예 3><Test Example 3>
시험예 3은 실시예 1 내지 4, 9에 따른 코팅층(10)과 비교예 1, 4, 5 및 7에 따른 코팅층(10)의 표면을 분석하기 위한 실험이다.Test Example 3 is an experiment to analyze the surface of the
시험예 3에서는 실시예 1 내지 4, 9에 따른 코팅층(10)과 비교예 1, 4, 5 및 7에 따른 코팅층(10)의 표면을 분석하기 위해 실시예 1 내지 4, 9에 따른 코팅층(10)과 비교예 1, 4, 5 및 7에 따른 코팅층(10)을 주사 전자 현미경으로 분석하였다.In Test Example 3, in order to analyze the surface of the
분석 결과를 도 7a, 7b, 8a, 8b, 9a, 9b, 10a, 10b, 11a, 11b, 12a, 12b, 13a, 13b, 14a, 14b, 15a, 15b, 16a, 16b, 17a, 17b, 18a 및 18b에 나타내었다..The analysis results are shown in Figures 7a, 7b, 8a, 8b, 9a, 9b, 10a, 10b, 11a, 11b, 12a, 12b, 13a, 13b, 14a, 14b, 15a, 15b, 16a, 16b, 17a, 17b, 18a and Shown in 18b.
도 7a 내지 7b는 실시예 1에 따른 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이고, 도 8a 내지 8b는 실시예 2에 따른 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이며, 도 9a 내지 9b는 실시예 3에 따른 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이고, 도 10a 내지 10b는 실시예 4에 따른 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이며, 도 11a 내지 11b는 실시예 9에 따른 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이고, 도 12a 내지 12b는 비교예 1에 따른 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이며, 도 13a 내지 13b는 비교예 4에 따른 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이고, 도 14a 내지 14b는 비교예 5에 따른 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이며, 도 15a 내지 15b는 비교예 6에 따른 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이고, 도 16a 내지 16b는 비교예 7에 따른 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이며, 도 17a 내지 17b는 실시예 1에 따른 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이고, 도 18a 내지 18b는 실시예 3에 따른 시험예 3에 따른 주사전자현미경 분석결과를 나타낸 도면이다Figures 7A to 7B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 according to Example 1, and Figures 8A to 8B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 according to Example 2, Figures 9A to 9B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 according to Example 3, and Figures 10A to 10B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 according to Example 4, Figures 11A to 11B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 according to Example 9, and Figures 12A to 12B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 according to Comparative Example 1, Figures 13A to 13B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 according to Comparative Example 4, and Figures 14A to 14B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 according to Comparative Example 5, Figures 15A to 15B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 according to Comparative Example 6, and Figures 16A to 16B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 according to Comparative Example 7, Figures 17A to 17B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 according to Example 1, and Figures 18A to 18B are diagrams showing the results of scanning electron microscopy analysis according to Test Example 3 according to Example 3.
먼저, 도 7a 내지 7b, 8a 내지 8b, 12a 내지 12b를 참조하면, 실시예 1, 2에 따라 제조되는 코팅층(10)과 비교예 1에 따라 제조되는 코팅층(10)을 살펴보면 실시예 1, 2에 따라 제조되는 코팅층(10)은 기판(20) 표면에 전체적으로 균일하게 형성되어 있는 것을 확인할 수 있는 반면에 비교예 1에 따라 제조되는 코팅층(10)은 기판(20)상에 다소 균일하게 형성되어 있지 못하여 커버율(coverage)이 다소 떨어지는 것을 확인할 수 있는데, 이는 실리카 입자가 분산되는 분산용매의 유전율이 너무 크면 실리카 입자가 과하게 응집됨으로 인해 응집된 실리카 입자와 기판(20)의 결합력이 떨어져 결합상태를 유지하지 못하고 기판(20)으로부터 응집된 실리카 입자가 이탈함으로써 커버율(coverage)이 떨어지는 것을 확인할 수 있는 결과이다.First, referring to FIGS. 7A to 7B, 8A to 8B, and 12A to 12B, looking at the
도 9a 내지 9b, 10a 내지 10b, 13a 내지 13b를 참조하면, 실시예 3, 4에 따라 제조되는 코팅층(10)과 비교예 4에 따라 제조되는 코팅층(10)을 살펴보면 실시예 3, 4에 따라 제조되는 코팅층(10)은 기판(20) 표면에 전체적으로 균일하게 형성되어 있는 것을 확인할 수 있는 반면에 비교예 4에 따라 제조되는 코팅층(10)은 기판(20)상에 다소 균일하게 형성되어 있지 못하여 커버율(coverage)이 다소 떨어지는 것을 확인할 수 있는데, 이는 실리카 입자가 분산되는 분산용매의 유전율이 너무 크면 실리카 입자가 과하게 응집됨으로 인해 응집된 실리카 입자와 기판(20)의 결합력이 떨어져 결합상태를 유지하지 못하고 응집된 실리카 입자가 기판(20)으로부터 이탈함으로써 커버율(coverage)이 떨어지는 것을 확인할 수 있는 결과이다.Referring to FIGS. 9A to 9B, 10A to 10B, and 13A to 13B, looking at the
도 9a 내지 9b, 11a 내지 11b, 16a 내지 16b를 참조하여 실시예 3, 9에 따라 제조되는 코팅층(10)과 비교예 7에 따라 제조되는 코팅층(10)을 살펴보면 실시예 3, 9에 따라 제조되는 코팅층(10)에 형성된 미세크랙의 수보다 비교예 7에 따라 제조되는 코팅층(10)에 형성된 미세크랙의 수가 다소 적은 것을 확인할 수 있다. 이는 기판(20)상에 조성물을 도포하여 코팅층(10)을 형성할 때 코팅되는 조성물의 온도가 너무 높으면 분산용매가 너무 빨리 증발하여 코팅층(10)에 형성되는 미세크랙의 수가 줄어드는 것을 확인할 수 있는 결과이다.Looking at the
도 9a 내지 9b, 14a 내지 14b를 참조하여 실시예 3에 따라 제조되는 코팅층(10)과 비교예 5에 따라 제조되는 코팅층(10)을 살펴보면 실시예 3에 따라 제조되는 소수성 코팅층(10)은 기판(20) 표면에 전체적으로 균일하게 형성되어 있는 것을 확인할 수 있는 반면에 비교예 5에 따라 제조되는 코팅층(10)은 기판(20)상에 다소 균일하게 형성되어 있지 못하여 커버율(coverage)이 다소 떨어지는 것을 확인할 수 있는데, 이는 분산용매에 분산되는 실리카 입자의 함량이 떨어지면 기판(20) 표면에 조성물이 도포된 면적에 대하여 코팅층(10)이 형성되는 비율인 커버율(coverage)이 떨어질 수 있는 것을 확인할 수 있는 결과이다.Looking at the
도 17a 내지 17b와 도 18a 내지 18b를 참조하여 실시예 1에 따라 제조되는 코팅층(10)과 실시예 3에 따라 제조되는 코팅층(10)을 살펴보면 실시예 1에 따라 제조되는 코팅층(10)이 실시예 3에 따라 제조되는 코팅층(10)보다 요철이 더 많이 형성된 것을 확인할 수 있다.Looking at the
이는 기판(20)상에 제1 브러쉬(30)를 이용하여 평활층(11)을 형성하고 평활층(11)상에 제2 브러쉬(40)를 이용하여 요철층(12)을 형성함으로써 코팅층(10)을 제조하면 제1 브러쉬(30)를 이용하여 코팅층(10)을 제조할 때보다 높은 표면거칠기를 갖는 코팅층(10)을 제조할 수 있다는 것을 확인할 수 있는 결과이다.This is by forming a
<시험예 4><Test Example 4>
시험예 4에서는 실시예 1과 실시예 3에 따라 제조되는 코팅층(10)의 표면거칠기를 측정하였다.In Test Example 4, the surface roughness of the
시험예 4에서 표면거칠기의 측정은 실시예 1과 실시예 3에 따라 제조되는 코팅층(10)의 산술 평균 조도(Ra)를 표면 프로파일러(surface profiler, 제품명: D-300, 제조회사: KLA-Tencor)로 3회 측정하였다.In Test Example 4, the surface roughness was measured by measuring the arithmetic mean roughness (R a ) of the
측정결과를 아래 표 5에 나타내었다.The measurement results are shown in Table 5 below.
표 5를 참조하면, 실시예 3에 따라 제조되는 코팅층(10)보다 실시예 1에 따라 제조되는 코팅층(10)의 산술 평균 조도가 더 큰 것을 확인할 수 있다. 이는 코팅층(10)의 제조시 기판(20)상에 조성물을 도포하여 코팅층(10)을 제조할 때 제1 브러쉬(30)로 평활층(11)을 형성하고 평활층(11)상에 제2 브러쉬(40)로 요철층(12)을 형성하면 기판(20)상에 조성물을 제1 브러쉬(30)로 2회 브러싱하여 코팅층(10)을 형성하는 것보다 더 큰 표면거칠기를 갖는 코팅층(10)이 제조할 수 있는 것을 확인할 수 있는 결과이다.Referring to Table 5, it can be seen that the arithmetic mean roughness of the
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.A person skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing its technical idea or essential features. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the scope of the claims described below rather than the detailed description above, and all changes or modified forms derived from the scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.
10: 코팅층, 11: 평활층, 12, 요철층,
20: 기판,
30: 제1 브러쉬, 31: 파지핸들, 32: 브러쉬모,
40: 제2 브러쉬, 41, 파지핸들, 42: 브러쉬모,
S100: 입자준비단계,
S200: 표면개질단계,
S300: 조성물 제조단계,
S400: 코팅층 제조단계,
S410: 기판 준비단계, S420: 평활층 형성단계, S430: 요철층 형성단계.10: coating layer, 11: smooth layer, 12, uneven layer,
20: substrate,
30: first brush, 31: grip handle, 32: brush bristles,
40: second brush, 41, grip handle, 42: brush bristles,
S100: particle preparation step,
S200: Surface modification step,
S300: Composition manufacturing step,
S400: Coating layer manufacturing step,
S410: Substrate preparation step, S420: Smooth layer forming step, S430: Concave-convex layer forming step.
Claims (9)
소수성 실란 커플링제를 이용하여 상기 실리카 입자의 표면을 개질하는 단계;
비유전율이 28.61 내지 47.99인 분산용매 100 중량부에 상기 실리카 입자 0.5 초과 2 미만 중량부를 분산시켜 조성물을 제조하는 단계;
기판을 준비하는 단계; 및
상기 기판상에 온도가 25 ℃ 이상 40 ℃ 이하인 상기 조성물을 도포하여 제1 표면거칠기를 갖는 평활층과 상기 평활층상에 형성되고 상기 제1 표면거칠기보다 큰 제2 표면거칠기를 갖는 요철층을 포함하는 코팅층을 제조하는 단계;를 포함하는 것
인 소수성 코팅층의 제조방법.Preparing silica particles;
Modifying the surface of the silica particles using a hydrophobic silane coupling agent;
Preparing a composition by dispersing more than 0.5 but less than 2 parts by weight of the silica particles in 100 parts by weight of a dispersion solvent having a relative dielectric constant of 28.61 to 47.99;
Preparing a substrate; and
A smooth layer having a first surface roughness is formed by applying the composition having a temperature of 25° C. to 40° C. on the substrate, and an uneven layer formed on the smooth layer and having a second surface roughness greater than the first surface roughness. Including; manufacturing a coating layer.
Method for producing a phosphorus hydrophobic coating layer.
산술 평균 조도가 0.1 내지 1 ㎛이고, 접촉각이 120 내지 180°인 상기 코팅층을 제조하는 단계;인 것
인 소수성 코팅층의 제조방법.The method of claim 1, wherein the step of manufacturing the coating layer is
Preparing the coating layer having an arithmetic mean roughness of 0.1 to 1 ㎛ and a contact angle of 120 to 180°;
Method for producing a phosphorus hydrophobic coating layer.
상기 기판을 준비하는 단계;
상기 기판상에 제1 거칠기를 갖는 제1 브러쉬를 이용해 상기 조성물을 도포하여 상기 요철층보다 상대적으로 낮은 산술 평균 조도를 갖는 상기 평활층을 형성하는 단계; 및
상기 평활층상에 상기 제1 거칠기보다 상대적으로 큰 제2 거칠기를 갖는 제2 브러쉬를 이용해 상기 조성물을 도포하여 상기 평활층보다 상대적으로 큰 산술 평균 조도를 갖는 상기 요철층을 형성하는 단계;를 포함하는 것
인 소수성 코팅층의 제조방법.The method of claim 1, wherein the step of manufacturing the coating layer is
Preparing the substrate;
forming the smooth layer having a relatively lower arithmetic mean roughness than the uneven layer by applying the composition on the substrate using a first brush having a first roughness; and
Applying the composition on the smooth layer using a second brush having a second roughness that is relatively larger than the first roughness to form the uneven layer having an arithmetic mean roughness that is relatively larger than the smooth layer. thing
Method for producing a phosphorus hydrophobic coating layer.
입자직경이 1 내지 400 nm인 상기 실리카 입자를 준비하는 단계인 것
인 소수성 코팅층의 제조방법.The method of claim 1, wherein the step of preparing the silica particles is
A step of preparing the silica particles with a particle diameter of 1 to 400 nm.
Method for producing a phosphorus hydrophobic coating layer.
3-아미노프로필트리에톡시실란, 헥사데실트리메톡시실란 및 3-트리메톡시실릴프로필메타크릴레이트 중에 선택되는 적어도 하나를 포함하는 상기 실란 커플링제를 이용하여 상기 실리카 입자를 표면개질하는 단계인 것
인 소수성 코팅층의 제조방법.The method of claim 1, wherein modifying the surface comprises
A step of surface modifying the silica particles using the silane coupling agent containing at least one selected from 3-aminopropyltriethoxysilane, hexadecyltrimethoxysilane, and 3-trimethoxysilylpropyl methacrylate. thing
Method for producing a phosphorus hydrophobic coating layer.
상기 기판상에 형성되고 제1 표면거칠기를 갖는 평활층과, 상기 평활층상에 형성되고 상기 제1 표면거칠기보다 상대적으로 큰 제2 표면거칠기를 갖는 요철층을 포함하는 것
인 소수성 코팅층.A composition prepared by dispersing more than 0.5 but less than 2 parts by weight of silica particles whose surface has been modified using a hydrophobic silane coupling agent in 100 parts by weight of a dispersion solvent having a relative dielectric constant of 28.61 to 47.99, and having a temperature of 25 ℃ or more and 40 ℃ or less, is placed on a given substrate. It is formed by applying,
Comprising a smooth layer formed on the substrate and having a first surface roughness, and an uneven layer formed on the smooth layer and having a second surface roughness that is relatively larger than the first surface roughness.
Phosphorus hydrophobic coating layer.
산술 평균 조도가 0.1 내지 1 ㎛이고, 접촉각이 120 내지 180°인 것
인 소수성 코팅층.According to clause 8,
An arithmetic mean roughness of 0.1 to 1 ㎛ and a contact angle of 120 to 180°.
Phosphorus hydrophobic coating layer.
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